TWI782348B - 用來裝載工件的容器 - Google Patents

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莊家和
李承儒
黃政傑
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家登精密工業股份有限公司
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Abstract

本發明涉及一種極紫外光光罩容器。所述容器包括一內盒總成及一外盒總成。所述內盒總成佈置在外盒總成中，包括基座及蓋子。所述基座具有上表面和周圍壁。所述上表面包括承載面、至少一個溝槽以及第一接面。承載面攜帶所述極紫外光光罩。 所述溝槽具有環形結構，其底部低於所述承載面。所述承載面、所述溝槽及所述第一接面從上表面的中央向所述周圍壁依次分佈。所述蓋子具有凹腔，用於容納極紫外光罩，以及第二接面，與所述第一接面配合形成氣密密封。所述溝槽捕獲並容置微粒以減少所述光罩上的微粒污染。

Description

用來裝載工件的容器
本公開總體上涉及一種用來裝載工件的容器，且特別是有關於一種具雙重容納結構之用來裝載工件的容器。
近年來半導體制程科技的進步突飛猛進，其中光學微影技術扮演著重要的角色。光學微影技術是將設計好的線路製作成具有特定形狀可透光之光罩，再將光罩上的圖案通過光源投影至晶圓上，以在晶圓上曝光顯影出特定的圖案。
在光學微影過程中，任何附著在光罩的微粒，例如塵埃、粉塵或有機物等等，都會造成投影成像質量劣化。尤其是近年來的產業趨勢系朝向更小、更高邏輯密度之芯片發展，微影設備使用的光波長已經推進到極紫外光(Extreme Ultraviolet Light,EUV)範圍，對於光罩上的微粒數量、粒徑，以至於容置光罩的光罩容器內的潔淨度，都有著更為嚴苛的要求。
一般而言，半導體制程皆利用抗污染的光罩容器來存放及運輸光罩，以保持光罩的潔淨度，通常會要求存放光罩或其他半導體組件的容器的潔淨度符合機械標準接口(Standard Mechanical Interface,SMIF)的潔淨度要求。然而目前已知的光罩容器，即便是在受控制環境中，會因為空氣壓力變化，或因容器移動使內部空氣發生擾動，導致微粒移動到容器與光罩之間，甚至是移動附著至光罩上，無法有效地為光罩提供微粒及污染保護。
本公開提供一種用來裝載工件的容器，可以改善微粒污染問題，提高容器的效力。
在一方面，本公開提供了一種用來裝載工件的容器，包括：基座，其具有上表面，多個定位件設置在上表面並從上表面突出，所述上表面包括：承載面定義在所述上表面，當收到所述工件時，用來承載所述工件；周邊溝槽結構，其具有環形平面輪廓，其中所述周邊溝槽結構的底部低於所述承載面；以及第一接面，其中所述承載面、所述周邊溝槽結構、以及所述第一接面從所述上表面的中心向邊緣依序分佈，並且所述第一接面低於所述承載面，且所述周邊溝槽結構的底部低於所述第一接面。
在另一方面，本公開案提供了一種用來裝載工件的容器，包括：基座，其具有上表面及相對於所述上表面的下表面，其中所述基座的所述上表面包括：內區域，形成在所述基座的中央部分；以及外區域，圍繞所述內區域；定位結構，佈置在所述內區域周圍，其中所述定位結構包括：一成對的定位件從所述上表面突出；一支撐件，其中所述支撐件設置在所述成對的定位件之間；以及導溝結構圍繞所述支撐件。
在另一方面，本公開案提供了一種容器，包括：基座，其具有多個角落；一成對的定位件，設置在所述多個角落其中一者的周圍並從所述基座突出；一支撐件，其中所述支撐件設置在所述成對的定位件之間；以及導溝結構，設置在所述支撐件周圍並具有弧形平面輪廓。
R:工件
1:容器
10:外盒總成
11:上部分
12:下部分
13:容置空間
20:內盒總成
21、31、1001、1101、1201、1301、1501、1601、1701、1801、1901、2001、2101:基座
210、310:上表面
211、311:承載面
212、312:溝槽
213、313:第一接面
214、314、1014、1114、1214、1314、1414A、1414B、1414C、1414D、1514、1614、1714、1814、1914、2014、2114:定位件
215、315:周圍壁
216:容槽
217:阻隔件
22:蓋子
221:凹腔
222:降級面
223:第二接面
224:導位塊
225:彈性件
226:進氣口
23:光罩承載位置
1011、1111、1211、1311、1411A、1411B、1411C、1411D、1511、1611、1711、1811、1911、2011、2111:內區域
1013、1113、1213、1313、1513、1613、1713、1813、1913、2013、2113:外區域
1031、1131、1231、1331、1431A、1431B、1431C、1431D、1531、1631、1731、1831、1931、2031、2131:支撐件
1032、1132、1232、1332、1432A、1432B、1432C、1432D、1532、1632、1732、1832、1932、2032、2132:導溝結構
1212、1312、1512、1612、1712、1812、1912、2012、2112:周邊溝槽結構
1536、1636、1736、1836、1936、2036、2136:緩衝邊緣
1837、1937、2037、2137:壁
圖1示出了根據本公開的一些實施例的極紫外光光罩容器的爆炸圖；圖2示出了根據本公開的一些實施例的圖1中基座的透視圖；圖3示出了根據本公開的一些實施例的圖1中內盒總成及極紫外 光光罩的剖面圖；圖4示出了根據本公開的一些實施例的圖3中基座上具有阻隔件時的剖面圖；圖5示出了根據本公開的一些實施例的圖2中基座的剖面圖；圖6示出了根據本公開的一些實施例的圖1中蓋子的透視圖；圖7示出了根據本公開的一些實施例的圖1中蓋子的另一個透視圖；圖8示出了根據本公開的一些實施例的圖1-3中承載面、溝槽及第一接面的透視圖；圖9示出了根據本公開的一些實施例的承載面、溝槽及第一接面的透視圖；圖10示出了根據本公開的一些實施例的基座的透視圖；圖11示出了根據本公開的一些實施例的基座的透視圖；圖12示出了根據本公開的一些實施例的基座的透視圖；圖13示出了根據本公開的一些實施例的基座的透視圖；圖14A-14D示出了根據本公開的一些實施例的基座的透視圖；圖14E示出了根據本公開的一些實施例的沿著B-B’線的基座的剖面圖；圖14F示出了根據本公開的一些實施例的沿著B-B’線的基座的剖面圖；圖15A示出了根據本公開的一些實施例的基座的透視圖；圖15B示出了根據本公開的一些實施例的沿著C-C’線的基座的剖面圖；圖16示出了根據本公開的一些實施例的基座的透視圖；圖17示出了根據本公開的一些實施例的基座的透視圖；圖18示出了根據本公開的一些實施例的基座的透視圖； 圖19示出了根據本公開的一些實施例的基座的透視圖；圖20示出了根據本公開的一些實施例的基座的透視圖；以及圖21示出了根據本公開的一些實施例的基座的透視圖。
以下描述將參考附圖以更全面地描述本發明。附圖中所示為本公開的示例性實施例。然而，本發明可以以許多不同的形式來實施，並且不應該被解釋為限於在此闡述的示例性實施例。提供這些示例性實施例是為了使本公開透徹和完整，並且將本發明的範圍充分地傳達給本領域技術人員。類似的附圖標記表示相同或類似的組件。
本文使用的術語僅用於描述特定示例性實施例的目的，而不意圖限制本發明。如本文所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否則單數形式“一”，“一個”和“該”旨在也包含複數形式。此外，當在本文中使用時，“包含”和/或“包含”或“包含”和/或“包含”或“具有”和/或“具有”，整數，步驟，運作，元件和/或元件，但不排除存在或添加一個或多個其它特徵，區域，整數，步驟，運作，元件，元件和/或其群組。
除非另外定義，否則本文使用的所有術語(包含技術和科學術語)具有與本公開所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。此外，除非文中明確定義，諸如在通用字典中定義的那些術語應該被解釋為具有與其在相關技術和本公開內容中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化或過於正式的含義。
以下內容將結合附圖對示例性實施例進行描述。須注意的是，參考附圖中所描繪的元件不一定按比例顯示；而相同或類似的組件將被賦予相同或相似的附圖標記表示或類似的技術用語。
在一些實施例中的極紫外光光罩容器(例如，容器系統1)，其中包含基座(例如，內基座21)及蓋子(例如，內蓋子22)。在一些實施例 中，在基座上至少具有連續環狀的溝槽結構，用於捕獲或容置微粒。在其他一些實施例中，在基座上至少具有連續圓狀的溝槽結構，用於捕獲或容置微粒。有助於降低微粒污染到承載面和極紫外光光罩之間的區域。將詳細參考以詳細說明本公開的實施例的內容和特徵，其示例在附圖中示出。此外，本發明實施例之圖式，並未依照實際尺寸比例繪製，其中並已省略或簡化部分組件，藉以清楚顯示本發明之特點。
請參照第1圖，其示出了根據本公開的一些實施例的極紫外光光罩容器的爆炸圖。極紫外光光罩容器1用於容設工件R(例如，極紫外光光罩)。極紫外光光罩容器1包括外盒總成10及內盒總成20。外盒總成10包括相互配合之上部分11及下部分12，藉以界定出容置空間13，用以容置內盒總成20。
在一些實施例中，外盒總成10的上部分11和下部分12大致上為四邊形，其中包括但不限矩形。當兩者對接時可以形成氣密狀態，用以區別外盒總成10外部與容置空間13。上部分11及下部分12可以包括一或多個氣閥(圖式中未繪示)，並且對應在氣閥處設置有如濾紙等過濾材料，用以供氣體進入或離開容置空間13時保持氣體之潔淨。上部分11可以包括多個導位件(圖式中未繪示)，用以於上部分11及下部分12對接時導正兩者之相對位置，或者導正內盒總成20的位置。下部分12可以包括多個支撐件(圖式中未繪示)，用以固持內盒總成20。此些組件及結構可以視需求配置，本發明並不多加以限制。
請同時參照第1圖及第2圖，第2圖繪示第1圖中基座之立體圖。本實施例之內盒總成20包括基座21以及蓋子22。基座21具有上表面210及周圍壁215。上表面210系為基座21之面朝蓋子22之表面，設有凸出之多個定位件214。周圍壁215系為基座21之側壁，連接並且圍繞於上表面210。
多個定位件214系與基座21由不同材質製成，例如基座21由鋁或其他金屬或合金製成，多個定位件214由如耐磨塑料等低微粒產生材料所製成。在一些實施例，定位件214可以例如是以鎖固的方式固定在基座21上，並且突出於上表面210。定位件214可以對應於矩形之工件R的四個角落配置，在 一些實施例，且各定位件214可具有導引斜面，用來導正工件R的位置。經由定位件214的配置，可以在基座21上定義出用來放置極紫外光光罩R的光罩承載位置23。然而，定位件214的結構、數量、固定方式以及配置方式並不以第2圖所顯示者為限；只要是可以在基座21上定義出光罩承載位置23者，均屬本發明可應用之定位件214。
基座21之上表面210包括承載面211(例如，上表面210的內區域)、溝槽212及第一接面213(例如，上表面210的外區域)。在一些實施例，承載面211、溝槽212及第一接面213依序由上表面210之內側朝周圍壁215配置。即，承載面211位於上表面210的中央附近，第一接面213位於上表面210的外區域，溝槽212位於承載面211及第一接面213的中間。工件R是用來設置在光罩承載位置23，藉以被承載在承載面211上。溝槽212具連續環狀結構，且溝槽212之底部低於承載面211。本實施例中，承載面211大致上為平整的水平面，溝槽212完整連續地圍繞於承載面211，形成一個全周式的溝槽212，而如第2圖所示，第一接面213完整連續地圍繞於溝槽212外。
請同時參照第2圖及第3圖，第3圖繪示第1圖之內盒總成及極紫外光光罩的部分側視剖面圖。第3圖所示為部分之內盒總成20以及容置於其內的工件R，第3圖之左側為靠近承載面211中央的位置，而第3圖之右側則為內盒總成20之邊緣(也就是靠近周圍壁215的位置)。上表面210由中央而外(第3圖的由左而右)依序配置為承載面211、溝槽212及第一接面213。第一接面213低於承載面211，溝槽212之底部又低於第一接面213。溝槽212為下凹結構以及底部位於最低位置。對於溝槽212之底部而言，溝槽212連接於承載面211的側牆高度，高於溝槽212連接於第一接面213的側牆高度。各側壁通過一個尖角連接到溝槽212的底部。或至少具有很小的彎曲的拐角。
溝槽212之設計系可用來捕獲或容置微粒。當位於溝槽212內的微粒被氣流揚起時，會受到溝槽212連接承載面211之側牆所阻擋，不容易移動到承載面211上，避免微粒移動到承載面211與工件R之間，可以降低承載面 211上的微粒污染。另一個好處是，考慮到實際在製造上第一接面213及第二接面223之氣密效果有可能因為生產問題(如表面處理失誤)導致其平整面氣密性不足夠。因此，縱使前述的情況發生了，基於本實施例溝槽212之兩邊側壁具有高低落差的特性，如第一接面213及第二接面223未能達到符合要求的氣密程度，第一接面213及第二接面223會間接形成一個極微小的導引通道，將微粒主動引導至溝槽212內容置，避免進入承載面211與工件R之間的區域。
請參照第4圖，其繪示第3圖之基座上具有阻隔件時之側視剖面圖。本實施例之基座21可以包括一阻隔件217，設置於溝槽212內(例如，阻隔件217是在溝槽212的底表面上)。由阻隔件217之底部至阻隔件217之一頂端，其高度至少要約略高於溝槽212連接於第一接面213的側牆高度，使得蓋子22與基座21對接時，阻隔件217之頂端緊密接觸於第二接面223。如此系可有效阻擋微粒進入承載面211與工件R之間的區域。在一些實施例，阻隔件217系為連續環狀結構，以連續地設置於溝槽212內。在一些實施例，阻隔件217系為連續圓狀結構，以連續地設置於溝槽212內。
請同時參照第2圖及第5圖，第5圖繪示第2圖之基座之側視剖面圖。第5圖是第2圖之基座21沿剖面線A-A’之剖面示意。在一些實施例，基座21的上表面210更包括與溝槽212相連通的至少一容槽216。在圖示的實施例中，容槽216之底部低於溝槽212之底部，且在平行於承載面211之方向延伸，容槽216之寬度大於溝槽212之寬度。容槽216為更進一步之下凹結構，且具有較為寬廣的面積，可以用來捕獲或容置微粒。微粒除了會被留置在溝槽212內，微粒更可以被留置在容槽216內。
接下來對於本實施例內盒總成20之蓋子22進行說明，請同時參照第6圖及第7圖，第6圖繪示第1圖之上蓋的立體圖，第7圖繪示第1圖之蓋子之另一視角的立體圖。蓋子22用以與基座21對接，並且具有凹腔221及第二接面223。本實施例中，第一接面213及第二接面223是平整的表面或具有相對較小粗糙度的平整表面，並且當彼此接觸時能夠彼此配合以提供密封。
本實施例中，蓋子22具有降級面222，位於凹腔221與第二接面223之間，且降級面222與第二接面223位於不同水平面上，用以與基座21之上表面210之間形成一間隙；進一步來說，所述降級面222與第二接面223位於不同水平面上系指位於互相平行的兩個水平面之上。如第3圖所示，降級面222與上表面210之承載面211之間形成間隙，讓基座21的溝槽212部分(未完全)被第二接面223覆蓋。當基座21與蓋子22對接時，通過沈降、流動或被氣流帶動移動的微粒進入溝槽212或容槽216內，使其被捕獲或容置於溝槽212或容槽216內。
通過沈降、流動或被氣流帶動移動的微粒進入溝槽212或容槽216內，使其被捕獲或容置於溝槽212或容槽216內。這些導位塊224是以特定的方式設置于蓋子22，使得蓋子22與基座21對接時，導位塊224可以朝基座21延伸。朝向基座21延伸的導位塊224系用以彈性接觸於基座21之周圍壁215(如第3圖所示)。當基座21及蓋子22進行對接時，導位塊224可以協助導正基座21與蓋子22的相對位置，讓兩者可以正確對接。在本實施例中，導位塊224可以以對應于蓋子22的四個角的方式配置。然而，導位塊224的數量和佈置不限於圖6及7所示的實施例。在形式上，朝向基座21延伸並在蓋子22和基座21之間耦合時彈性接觸周圍壁215的其他形式的組件在這裡可以用作導位塊224。
本實施例之上蓋22設有多個彈性件225，對應於定位件214之位置而配置。當蓋子22與基座21對接時，以及內盒總成20容置於外盒總成10內時，彈性件225用以接觸並施以壓力於工件R(例如，極紫外光光罩)。彈性件225有助於限制工件R在垂直方向上的移動，從而防止了工件R的移動，從而抑制了結構部件之間的摩擦產生的污染物/微粒。實際上，可以在外盒總成10的上部分11的內表面上佈置幾個突出組件(圖中未示出)，這些突出組件可以與彈性件225的位置相對應地佈置。當內盒總成20容納在外盒總成10的容置空間13中時，突出組件可以分別壓在彈性件225的一端上。彈性件225的另一 端接觸並因此按下工件R。突出組件的結構和構造不限於本示例性實施例中所示。
本實施例之上蓋22設有進氣口226，並且對應在進氣口226設置有過濾材料。進氣口226用以供氣體進入凹腔221內，當透過進氣口226的氣體噴流進入凹腔221時，可以帶動在凹腔221的微粒朝向位於承載面211外圍的溝槽212移動，以讓微粒被捕獲或容置於溝槽212或容槽216內。
請參照第8圖，其繪示依照本發明一實施例之承載面、溝槽及第一接面之示意圖，如第1-3圖所示。依照本發明前述實施例之極紫外光光罩容器1，基座21之上表面210的承載面211、溝槽212及第一接面213，依序由上表面210之內側朝周圍壁215配置，在圖標的實施例中，溝槽212完整連續地圍繞承載面211，第一接面213完整連續地圍繞溝槽212，且在基座21形成一個全周式的溝槽212。然而本發明並不以此為限制。例如，在一些實施例中，可以利用小於完全封閉的溝槽圖案，例如以在基座21上容納附加的器件特徵。
請參照第9圖，其繪示依照本發明另一實施例之承載面、溝槽及第一接面之示意圖。依據第9圖實施例之極紫外光光罩容器的基座31，其上表面310的承載面311、溝槽312及第一接面313，依序由上表面310之內側朝周圍壁315配置。上表面310包括多個溝槽312，各自為連續環狀結構。在一些實施例，上表面310包括多個溝槽312，各自為連續環狀結構。多個溝槽312佈置在承載面311和第一接面313之間，並且每個溝槽312分別圍繞多個定位件314的位置，靠近基座31的一個角。溝槽312之底部低於第一接面313以及承載面311，形成下凹結構。各自連續環狀的溝槽312，因為圍繞定位件314配置，可以捕獲或容置對應所述處產生之微粒。此外，當位於溝槽312內的微粒被氣流揚起時，會受到溝槽312之側牆所阻擋，不容易移動到承載面311上，可以減緩承載面311上的微粒污染，可以減緩承載面311上的微粒污染，降低工件R受到微粒污染的機會。
根據本發明前述實施例之極紫外光光罩容器，用以容設極紫外光 光罩。極紫外光光罩容器包括外盒總成及內盒總成，外盒總成包括相互配合之上部分及下部分，藉以界定出容置空間，用以容置內盒總成。內盒總成包括基座以及蓋子。基座具有上表面及周圍壁，上表面設有凸出之多個定位件，用以界定出光罩承載位置。周圍壁連接且圍繞上表面。上表面包括承載面、溝槽及第一接面。極紫外光光罩用以設置於光罩承載位置，藉以被承載在承載面上。在一些實施例，溝槽具連續環狀結構，其底部低於承載面。在其他一些實施例中，溝槽具連續圓狀結構，其底部低於承載面。承載面、溝槽及第一接面依序由上表面之內側朝周圍壁配置。蓋子用以與基座對接，並且具有凹腔及第二接面。凹腔用以容納光罩，第二接面與第一接面相配合，用以形成密封狀態。溝槽可以捕獲或容置微粒，減緩極紫外光光罩收到微粒的污染的問題。
圖10示出了根據本公開的一些實施例的基座的透視圖。基座1001包括上表面及與上表面相對的下表面。基座1001的上表面可以包括內區域1011及外區域1013。在一些實施例，內區域1011相對於外區域1013基本上是平面的。圖10中的P線用於示出內區域1011和外區域1013之間的劃分。
基座1001設置有多個定位結構。多個定位結構可以放置在內區域1011內。各個定位結構包括一成對的定位件1014、佈置在所述成對的定位件1014之間的支撐件1031、以及圍繞所述成對的定位件1014和支撐件1031的導溝結構1032。
所述成對的定位件1014用於將工件R(例如，光罩)的一角定位在光罩容器中。所述成對的定位件1014分別從內區域1011的表面突出。在一些實施例，支撐件1031的高度(距基座的下表面的高度)可以小於多個定位件1014的高度(距基座的下表面的高度)。在一些實施例，支撐件1031可以與內區域1011基本共平面。在一些實施例，支撐件1031的高度可以大於內區域1011的高度。然而，支撐件1031從內區域1011突出並不妨礙工件R在基座1001內的穩定性。
導溝結構1032的壁具有環形(圓形)的平面輪廓，其圍繞一成 對的定位件1014和支撐件1031。導溝結構1032具有被壁包圍的底部。在一些實施例，導槽結構1032的最靠近內區域1011的部分壁具有弧形(圓形)的平面輪廓，所述形狀將引導侵入微粒子(例如，抽真空到基座中)返回基座之外。在一些實施例，導溝結構1032的壁可以由彼此連續連接的多個弧形部分形成。引導溝槽結構1032的底部距基座的下表面的高度可以小於距基座的下表面的內區域1011的高度。在一些實施例，當將蓋子設置在基座上時，蓋子(例如，圖1所示的蓋子22)的外區域可以與基座1001的外區域1013物理接觸。
圖11示出了根據本公開的一些實施例的基座的透視圖。基座1101包括上表面及與上表面相對的下表面。基座1101的上表面可以包括內區域1111及外區域1113。在一些實施例，內區域1111高於外區域1113。
基座1101設置有多個定位結構。多個定位結構可以放置在內部區域1111內。各個定位結構包括一成對的定位件1114、佈置在所述成對的定位件1114之間的支撐件1131、以及圍繞所述成對的定位件1114和支撐件1131的導溝結構1132。
所述成對的定位件1114用於將工件R(例如，光罩)的一角定位在光罩容器中。所述成對的定位件1114分別從內區域1111的表面突出。在一些實施例，支撐件1131距基座下表面的高度可小於多個定位件1114距基座下表面的高度。在一些實施例，支撐件1131可以與內區域1111基本共平面。在一些實施例，支撐件1131的高度可以大於內區域1111的高度。然而，支撐件1131從內區域1111突出並不妨礙工件R在基座1101內的穩定性。
導溝結構1132的壁具有環形(圓形)的平面輪廓，其圍繞一成對的定位件1114和支撐件1131。導溝結構1132具有被壁包圍的底部。在一些實施例，導槽結構1132的最靠近內區域1111的部分壁具有弧形(圓形)的平面輪廓，所述形狀將引導侵入微粒子返回基座之外。在一些實施例，導溝結構1132的壁可以由彼此連續連接的多個弧形部分形成。引導溝槽結構1132的底部距基座的下表面的高度可以小於距基座的下表面的內區域1111的高度。引導溝槽結 構1132的底部距基座的下表面的高度可以小於距基座的下表面的外區域1113的高度。在一些實施例，當將蓋子設置在基座上時，蓋子(例如，圖1所示的蓋子22)的外區域可以與基座1101的外區域1113物理接觸。
圖12示出了根據本公開的一些實施例的基座的透視圖。基座1201包括上表面及與上表面相對的下表面。基座1201的上表面可以包括內區域1211及外區域1213。在一些實施例，內區域1211相對於外區域1213基本上是平面的。在其他一些實施例中，內區域1211高於外區域1213。
基座1201設置有多個定位結構。多個定位結構設置在外區域1213及內區域1211之間。各個定位結構包括一成對的定位件1214、佈置在所述成對的定位件1214之間的支撐件1231、以及圍繞所述成對的定位件1214和支撐件1231的導溝結構1232。
所述成對的定位件1214用於將工件R的一角定位在光罩容器中。所述成對的定位件1214分別從內區域1211的表面突出。在一些實施例，支撐件1231距基座下表面的高度可小於多個定位件1214距基座下表面的高度。在一些實施例，支撐件1231可以與內區域1211基本共平面。在一些實施例，支撐件1231的高度可以大於內區域1211的高度。然而，支撐件1231從內區域1211突出並不妨礙工件R在基座1201內的穩定性。
導溝結構1232的壁具有環形(圓形)的平面輪廓，其圍繞一成對的定位件1214及支撐件1231。導溝結構1232具有被壁包圍的底部。在一些實施例，導槽結構1232的最靠近內區域1211的部分壁具有弧形(圓形)的平面輪廓，所述形狀將引導侵入微粒子(例如，抽真空到基座中)返回基座之外。引導溝槽結構1232的底部距基座的下表面的高度可以小於內區域1211距基座的下表面的高度。
在一些實施例，底座1201更包括佈置在內區域1211和外區域1213之間的周邊溝槽結構1212。在一些實施例，周邊溝槽結構1212具有封閉的平面環形輪廓。在一些實施例，多個定位結構沿著周邊溝槽結構1212形成。在 一些實施例，周邊溝槽結構1212與導溝結構1232相交。在一些實施例，周邊溝槽結構1212與導溝結構1232相連。圖12中的周邊溝槽結構1212示出了內區域1211和外區域1213之間的邊界劃分。在一些實施例，外區域1213的一部分的寬度W1大於外區域1213的另一部分的寬度W2。舉例來說，由於外圍溝槽結構1212的平面輪廓，外區域1213在不同部分處可能具有不同的寬度。在一些實施例，周邊溝槽結構1212的一部分向著基座1201的中央縮進。在一些實施例，當將蓋子設置在基座上時，蓋子的外區域可以與基座1201的外區域1213物理接觸。
圖13示出了根據本公開的一些實施例的基座的透視圖。基座1301包括上表面及與上表面相對的下表面。基座1301的上表面可以包括內區域1311及外區域1313。在一些實施例，內區域1311相對於外區域1313基本上是平面的。在其他一些實施例中，內區域1311高於外區域1313。
基座1301設置有多個定位結構。多個定位結構可以放置在內部區域1311內。各個定位結構包括一成對的定位件1314、佈置在所述成對的定位件1314之間的支撐件1331、以及圍繞所述成對的定位件1314和支撐件1331的導溝結構1332。所述成對的定位件1314用於將工件R(例如，光罩)的一角定位在光罩容器中。所述成對的定位件1314分別從內區域1311的表面突出。
在一些實施例，支撐件1331距基座下表面的高度可小於多個定位件1314距基座下表面的高度。在一些實施例，支撐件1331可以與內區域1311基本共平面。在一些實施例，支撐件1331的高度可以大於內部區域1311的高度。然而，支撐件1331從內部區域1311突出並不妨礙工件R在基座1301內的穩定性。
導溝結構1332的壁具有環形(圓形)的平面輪廓，其圍繞一成對的定位件1314和支撐件1331。導溝結構1332具有被壁包圍的底部。在一些實施例，導槽結構1332的最靠近內區域1311的部分壁具有弧形(圓形)的平面輪廓，所述形狀將引導侵入微粒子(例如，抽真空到基座中)返回基座之外。 導溝結構1332的底部距基座的下表面的高度可以小於距基座的下表面的內區域1311的高度。
在一些實施例，基座1301更包括佈置在內區域1311和外區域1313之間的周邊溝槽結構1312。在一些實施例，周邊溝槽結構1312具有環形平面輪廓。圖13中的周邊溝槽結構1312作為內區域1311和外區域1313之間的結構劃分。此外，導溝結構1332與周邊溝槽結構1312相距一定距離。在一些實施例，當將蓋子設置在基座上時，蓋子的外區域可以與基座1301的外區域1313物理接觸。
圖14A-14D示出了根據本公開的一些實施例的基座的透視圖。以與圖10中的實施例相同的方式，圖14A、14B及14D中的圖示公開了佈置在內部區域1411A、1411B、1411D內的定位結構。每個定位結構包括一成對的定位件(例如，1414A、1414B及1414D)、支撐件(例如，1431A、1431B及1431D)位於一成對的定位件1414A、1414B及1414D之間以及導溝結構(例如，1432A、1432B及1432D)圍繞一成對的定位件和支撐件。特別地，圖14A、14B及14D中的實施例示出了導溝結構1432A、1432B及1432D的平面佈局。
例如，在圖14A中，導溝結構1432A具有W形結構。
另一個示例，在圖14B中，導溝結構1432B具有U形結構。
在圖14D中，導溝結構1432D具有V形結構。支撐件1431A、1431B及1431D以及內區域1411A、1411B、1411D的一部分形成屏障，所述屏障防止微粒子在導溝結構1432A，1432B和1432D內連續循環。
在圖14A、14B及14D所示的實施例中，定位件1414A、1414B及1414D可以設置在緩衝區域中(例如，圖15A/B所示的緩衝邊緣1536)。在一些實施例，緩衝邊緣位於內區域1411A、1411B、1411D中。在一些實施例，緩衝邊緣的高度(例如，邊緣表面與基座下表面之間的距離)小於內區域1411A、1411B、1411D的高度。在一些實施例中，緩衝邊緣的高度可以大於導溝結構1432A、1432B及1432D的下表面的高度。
另一方面，圖14C示出了位於內區域1411C內的定位結構。定位結構包括一成對的定位件1414C，佈置在一成對的定位件1414C之間的支撐件1431C以及僅圍繞支撐件1431C的導溝結構1432C。一成對的定位件1414C的底部位於基座的上表面。在一些實施例，導溝結構1432C具有圓形的平面形狀。在其他一些實施例中，離內區域中央最近的導槽結構1432C的壁部分呈弧形(圓形)，以引導粒子分離工件。
圖14E示出了根據本公開的一些實施例的圖14C中沿著B-B’線的基座的剖面圖。在一些實施例，定位件1414C的頂部輪廓朝著工件R的位置下降，以在放置期間引導工件R。
在所示的實施例中，支撐件1431C和定位件1414C之間的導溝結構1432C具有氣體通道面積X。在一些實施例，導溝結構1432C的截面積X不小於預定閾值。例如，在一些實施例中，支撐件1431C(例如，在支撐件1431C的中央區域的頂表面下方)與定位件1414C之一之間的截面積(例如，位於工件R下方的陰影區域X)具有足夠的間隙閾值。一方面，在突出構件之間(並且在工件R下方)溝槽間隙有足夠大的橫截面可以促進感應圍繞支撐件1431C的氣流，並促進在拐角區域產生渦流。因此，在容器系統運行期間，從而增強微粒捕獲。在一些實施例中，支撐件1431與一個定位件1414之間的截面積X不小於25mm2。
參照圖14F，在一些實施例中，相對於支撐件的中央軸線而定圍繞支撐件(例如，構件1431C)的溝槽間隙區域。例如，從支撐件1431C的中央軸線的一側而定引導溝槽區域(例如，面積X')。在一些實施例，從支撐件1431C的橫截面中央線開始的截面積X'不小於25mm2。根據設計規則調整每個突出構件(例如，構件1431C，1414C)的高度，寬度和分隔間距，以實現足夠的氣體通道尺寸，從而確保有效的氣流感應和微粒收集能力。
圖15A示出了根據本公開的一些實施例的基座的透視圖。基座包括上表面及與上表面相對的下表面。基座1501的上表面可以包括內區域1511 及外區域1513。在一些實施例，內區域1511與外區域1513基本平面。在其他一些實施例中，內區域1511高於外區域1513。
基座1501包括多個定位結構。各個定位結構包括一成對的定位件1514、佈置在所述成對的定位件1514之間的支撐件1531、以及圍繞支撐件1531的導溝結構1532。所述成對的定位件1514用於將工件R(例如，光罩)的一角定位在光罩容器中。所述成對的定位件1514從基座1501的上表面突出。
在一些實施例，定位結構還包括形成在導溝結構1532周圍的緩衝邊緣1536。在一些實施例，定位結構的緩衝邊緣1536低於內區域1511。在一些實施例，一成對的定位件1514從緩衝邊緣1536突出。在一些實施例，定位結構的緩衝邊緣1536相對於外區域1513基本共面。
在一些實施例，支撐件1531距其基座下表面的高度小於定位件1514距其基座下表面的高度。在一些實施例，支撐件1531相對於內區域1511基本上平面。在一些實施例，支撐件1531的高度大於內區域1511的高度。但是，支撐件1531從內區域1511突出並不妨礙工件R在基座1501中的穩定性。
導溝結構1532的壁具有環形(圓形)的平面輪廓，其圍繞支撐件1531。導溝結構1532具有被壁包圍的底部。在一些實施例，導槽結構1532的最靠近內區域1511的部分壁具有弧形(圓形)的平面輪廓，所述形狀將引導侵入微粒子(例如，抽真空到基座中)返回基座之外。導溝結構1532的底部距基座1501的下表面的高度可以小於距基座1501的下表面的內區域1511的高度。
在一些實施例，基座1501更包括佈置在內區域1511和外區域1513之間的周邊溝槽結構1512。在一些實施例，周邊溝槽結構1512具有環形平面輪廓。圖15A中的周邊溝槽結構1512作為區域1511和外區域1513之間的結構劃分。在一些實施例，多個定位結構可以設置在內區域1511和周邊溝槽結構1512之間。此外，導溝結構1532與周邊溝槽結構1512相距一定距離。在一些實施例，當蓋子放置在基座上時，蓋子的外區域與外區域1513物理接觸。
在一些實施例，周邊溝槽結構1512的平面形狀可以類似於基座1501的平面形狀。在示例性實施例中，基座1501的平面形狀可以是四邊形，例如正方形或矩形。因此，周邊溝槽結構1512的平面形狀可以是四邊形，例如正方形或矩形。在其他一些實施例中，周邊溝槽結構1512的平面形狀可以被輪廓化為基座1501的平面形狀。
圖15B示出了根據本公開的一些實施例的沿著C-C’線的基座的剖面圖。在一些實施例，一成對的定位件1514的頭部形狀朝著工件R的位置傾斜，以在放置期間引導工件R。在一些實施例，在一些實施例，導溝結構1532的底部的高度及周邊溝槽結構1512的底部的高度基本相同。在一些實施例，內區域1511及支撐件1531的高度基本相同。在一些實施例，內區域1511的高度大於定位結構的緩衝邊緣1536、外區域1513、導溝結構1532的底部及周邊溝槽結構1512的高度。在一些實施例，定位結構的緩衝邊緣1536及外區域1513的高度大於導溝結構1532底部及周邊溝槽結構1512底部的高度。
在所示的實施例中，圍繞支撐件1531的導溝結構1532及圍繞每個定位件1514的緩衝邊緣1536彼此流體連通地佈置，並共同產生樓梯截面輪廓。在一些實施例，支撐件1531(例如，在支撐件1531的中央區域的頂表面下方)與一個定位件1514之間的截面積(例如，位於工件R下方的區域)具有足夠的間隙閾值。一方面，在突出構件之間(並且在工件R下方)溝槽間隙有足夠大的橫截面可以促進感應圍繞支撐件1531的氣流，並促進在拐角區域產生渦流。因此，在容器系統運行期間，從而增強微粒捕獲。在一些實施例，在一些實施例中，支撐件1531與一個定位件1514之間的截面積不小於25mm2。
圖16示出了根據本公開的一些實施例的基座的透視圖。基座包括上表面及與上表面相對的下表面。基座1601的上表面可以包括內區域1611及外區域1613。在一些實施例，內區域1611與外區域1613基本平面。在其他一些實施例中，內區域1611高於外區域1613。
基座1601包括多個定位結構。各個定位結構包括一成對的定位 件1614、佈置在所述成對的定位件1614之間的支撐件1631、以及圍繞支撐件1631的導溝結構1632。所述成對的定位件1614用於將工件R的一角定位在光罩容器中。所述成對的定位件1614從基座1601的上表面突出。
在一些實施例，定位結構還包括形成在導溝結構1632周圍的緩衝邊緣1636。在一些實施例，定位結構的緩衝邊緣1636低於內區域1611。在一些實施例，定位結構的緩衝邊緣1636相對於外區域1613基本共面。在一些實施例，一成對的定位件1614從緩衝邊緣1636突出。在一些實施例，支撐件1631距其基座下表面的高度小於定位件1614距其基座下表面的高度。在一些實施例，支撐件1631相對於內區域1611基本上平面。在一些實施例，支撐件1631的高度大於內區域1611的高度。但是，支撐件1631從內部區域1611突出並不妨礙工件R在基座1601中的穩定性。
導溝結構1632的壁具有環形(圓形)的平面輪廓，其圍繞支撐件1631。導溝結構1632具有被壁包圍的底部。在一些實施例，導槽結構1632的最靠近內區域1611的部分壁具有弧形(圓形)的平面輪廓，所述形狀將引導侵入微粒子(例如，抽真空到基座中)返回基座之外。導溝結構1632的底部距基座1601的下表面的高度可以小於距基座1601的下表面的內區域1611的高度。在一些實施例，基座1601更包括佈置在內區域1611及外區域1613之間的周邊溝槽結構1612。在一些實施例，周邊溝槽結構1612具有環形平面輪廓。
圖16中的周邊溝槽結構1612提供了內區域1611及外區域1613之間的物理劃分。在一些實施例，多個定位結構可以設置在內區域1611和周邊溝槽結構1612之間。此外，導溝結構1632的一部分可以與周邊溝槽結構1612相交。在一些實施例，導溝結構1632的一部分與周邊溝槽結構1612鄰接。在一些實施例，當蓋子放置在基座上時，蓋子的外區域與外區域1613物理接觸。
在一些實施例，周邊溝槽結構1612的平面形狀可以於基座1601的平面形狀不同。在示例性實施例中，基座1601的平面形狀可以是四邊形，例如正方形或矩形。然而，周邊溝槽結構1612的平面形狀可以是多邊形形狀，以 防止存在尖角。以此方式，減少了粒子被困在周邊溝槽結構1612的角落中的可能性。
圖17示出了根據本公開的一些實施例的基座的透視圖.基座1701包括上表面及與上表面相對的下表面。基座1701的上表面可以包括內區域1711及外區域1713。在一些實施例，內區域1711與外區域1713基本平面。在其他一些實施例中，內區域1711高於外區域1713。
基座1701包括多個定位結構。各個定位結構包括一成對的定位件1714、佈置在所述成對的定位件1714之間的支撐件1731、以及圍繞支撐件1731的導溝結構1732。所述成對的定位件1714用於將工件R(例如，光罩)的一角定位在光罩容器中。所述成對的定位件1714從基座1701的上表面突出。在一些實施例，定位結構還包括形成在導溝結構1732周圍的緩衝邊緣1736。在一些實施例，定位結構的緩衝邊緣1736低於內區域1711。在一些實施例，定位結構的緩衝邊緣1736相對於外區域1713基本共面。在一些實施例，一成對的定位件1714從緩衝邊緣1736突出。在一些實施例，支撐件1731距其基座1701下表面的高度小於定位件1714距其基座1701下表面的高度。在一些實施例，支撐件1731相對於內區域1711基本上平面。在一些實施例，支撐件1731的高度大於內區域1711的高度。但是，支撐件1731從內區域1711突出並不妨礙工件R在基座1701中的穩定性。
導溝結構1732的壁具有環形(圓形)的平面輪廓，其圍繞支撐件1731。導溝結構1732具有被壁包圍的底部。在一些實施例，導槽結構1732的最靠近內區域1711的部分壁具有弧形(圓形)的平面輪廓，所述形狀將引導侵入微粒子(例如，抽真空到基座中)返回基座之外。導溝結構1732的底部距基座1701的下表面的高度可以小於距基座1701的下表面的內區域1711的高度。在一些實施例，基座1701更包括佈置在內區域1711和外區域1713之間的周邊溝槽結構1712。在一些實施例，周邊溝槽結構1712具有環形平面輪廓。
圖17中的周邊溝槽結構1712提供了內區域1711及外區域1713 之間的物理劃分。在一些實施例，多個定位結構可以設置在內區域1711和周邊溝槽結構1712之間。此外，導溝結構1732的一部分可以與周邊溝槽結構1712相交。在一些實施例，導溝結構1732的一部分與周邊溝槽結構1712鄰接。在一些實施例，當蓋子放置在基座上時，蓋子的外區域與外區域1713物理接觸。
在一些實施例，周邊溝槽結構1712的平面形狀可以於基座1701的平面形狀不同。在示例性實施例中，基座1701的平面形狀可以是四邊形，例如正方形或矩形。然而，周邊溝槽結構1712的平面形狀可以是多邊形形狀，以防止存在尖角。以此方式，減少了粒子被困在周邊溝槽結構1712的角落中的可能性。
圖18示出了根據本公開的一些實施例的基座的透視圖。基座1801包括上表面及與上表面相對的下表面。基座1801的上表面可以包括內區域1811及外區域1813。在一些實施例，內區域1811與外區域1813基本平面。在其他一些實施例中，內區域1811高於外區域1813。
基座1801包括多個定位結構。各個定位結構包括一成對的定位件1814、佈置在所述成對的定位件1814之間的支撐件1831、以及圍繞支撐件1831的導溝結構1832。所述成對的定位件1814用於將工件R的一角定位在容器中。所述成對的定位件1814從基座1801的上表面突出。在一些實施例，定位結構還包括形成在導溝結構1832周圍的緩衝邊緣1836。在一些實施例，定位結構的緩衝邊緣1836低於內區域1811。以這種方式，在定位結構的緩衝邊緣1836和內部區域1811之間形成了壁1837。壁1837具有弧形(圓形)的平面輪廓，用於防止微粒污染工件R。壁1837的弧形(圓形)形狀將局部氣體流動方向引導出基座1801。在一些實施例，定位結構的緩衝邊緣1836相對於外區域1813基本共面。在一些實施例，一成對的定位件1814從緩衝邊緣1836突出。在一些實施例，支撐件1831距其基座1801下表面的高度小於定位件1814距其基座1801下表面的高度。在一些實施例，支撐件1831相對於內區域1811基本上平面。在一些實施例，支撐件1831的高度大於內區域1811的高度。但是，支撐件1831 從內區域1811突出並不妨礙工件R在基座1801中的穩定性。
導溝結構1832的壁具有環形(圓形)的平面輪廓，其圍繞支撐件1831。導溝結構1832具有被壁包圍的底部。在一些實施例，導槽結構1832的最靠近內區域1811的部分壁具有弧形(圓形)的平面輪廓，以與壁1837相同的方式，所述形狀將引導侵入微粒子(例如，抽真空到基座中)返回基座之外。導溝結構1832的底部距基座1801的下表面的高度可以小於內區域1811距基座1801的下表面的高度。在一些實施例，基座1801更包括佈置在內區域1811和外區域1813之間的周邊溝槽結構1812。在一些實施例，周邊溝槽結構1812具有環形平面輪廓。圖18中的周邊溝槽結構1812提供了內區域1811及外區域1813之間的物理劃分。
在一些實施例，多個定位結構可以設置在內區域1811和周邊溝槽結構1812之間。此外，導溝結構1832的一部分可以與周邊溝槽結構1812相交。在一些實施例，導溝結構1832的一部分與周邊溝槽結構1812鄰接。在一些實施例，當蓋子放置在基座上時，蓋子的外區域與外區域1813物理接觸。在一些實施例，周邊溝槽結構1812的平面形狀可以於基座1801的平面形狀不同。在示例性實施例中，基座1801的平面形狀可以是四邊形，例如正方形或矩形。然而，周邊溝槽結構1812的平面形狀可以是多邊形形狀，以防止存在尖角。以此方式，減小了粒子被困在周邊溝槽結構1812的角落中的可能性。
圖19示出了根據本公開的一些實施例的基座的透視圖。基座1901包括上表面及與上表面相對的下表面。基座1901的上表面可以包括內區域1911及外區域1913。在一些實施例，內區域1911與外區域1913基本平面。在其他一些實施例中，內區域1911高於外區域1913。
基座1901包括多個定位結構。各個定位結構包括一成對的定位件1914、佈置在所述成對的定位件1914之間的支撐件1931、以及圍繞支撐件1931的導溝結構1932。所述成對的定位件1914用於將工件R的一角定位在容器中。所述成對的定位件1914從基座1901的上表面突出。在一些實施例，定位 結構還包括形成在導溝結構1932周圍的緩衝邊緣1936。在一些實施例，定位結構的緩衝邊緣1936低於內區域1911。以這種方式，在定位結構的緩衝邊緣1936和內部區域1911之間形成了壁1937。壁1937具有環形(圓形)的平面輪廓，用於防止微粒污染工件R。壁1937的圓形形狀將局部氣體流動方向引導出基座1901。在示例性實施例中，壁1937形成為具有弧形輪廓。在一些實施例，定位結構的緩衝邊緣1936相對於外區域1913基本共面。在一些實施例，一成對的定位件1914從緩衝邊緣1936突出。在一些實施例，支撐件1931距其基座1901下表面的高度小於定位件1914距其基座1901下表面的高度。在一些實施例，支撐件1931相對於內區域1911基本上平面。在一些實施例，支撐件1931的高度大於內區域1911的高度。但是，支撐件1931從內區域1911突出並不妨礙工件R在基座1901中的穩定性。
導溝結構1932的壁具有環形(圓形)的平面輪廓，其圍繞支撐件1931。導溝結構1932具有被壁包圍的底部。在一些實施例，導槽結構1932的最靠近內區域1911的部分壁具有弧形(圓形)的平面輪廓，所述形狀將引導侵入微粒子(例如，抽真空到基座中)返回基座之外。導溝結構1932的底部距基座1901的下表面的高度可以小於距基座1901的下表面的內區域1911的高度。在一些實施例，基座1901更包括佈置在內區域1911和外區域1913之間的周邊溝槽結構1912。
圖19中的周邊溝槽結構1912提供了內區域1911及外區域1913之間的物理劃分。在一些實施例，周邊溝槽結構1912具有環形平面輪廓。在一些實施例，多個定位結構可以設置在內區域1911和周邊溝槽結構1912之間。此外，導溝結構1932與周邊溝槽結構1912之間有一定距離。在一些實施例，當蓋子放置在基座上時，蓋子的外區域與外區域1913物理接觸。在一些實施例，周邊溝槽結構1912的平面形狀可以類似於基座1901的平面形狀。在示例性實施例中，基座1901的平面形狀可以是四邊形，例如正方形或矩形。然而，周邊溝槽結構1912的平面形狀可以是四邊形，例如正方形或矩形。
圖20示出了根據本公開的一些實施例的基座的透視圖。基座2001包括上表面及與上表面相對的下表面。基座2001的上表面可以包括內區域2011及外區域2013。在一些實施例，內區域2011與外區域2013基本平面。在其他一些實施例中，內區域2011高於外區域2013。
基座2001包括多個定位結構。各個定位結構包括一成對的定位件2014、佈置在所述成對的定位件2014之間的支撐件2031、以及圍繞支撐件2031的導溝結構2032。所述成對的定位件2014用於將工件R的一角定位在光罩容器中。所述成對的定位件2014從基座2001的上表面突出。在一些實施例，定位結構還包括形成在導溝結構2032周圍的緩衝邊緣2036。在一些實施例，定位結構的緩衝邊緣2036低於內區域2011。以這種方式，在定位結構的緩衝邊緣2036和內部區域2011之間形成了壁2037。壁2037具有弧形(圓形)的平面輪廓，用於防止微粒污染工件R。壁2037的弧形(圓形)形狀將局部氣體流動方向引導出基座2001。在一些實施例，定位結構的緩衝邊緣2036相對於外區域2013基本共面。在一些實施例，一成對的定位件2014從緩衝邊緣2036突出。在一些實施例，支撐件2031距其基座2001下表面的高度小於定位件2014距其基座2001下表面的高度。在一些實施例，支撐件2031相對於內區域2011基本上平面。在一些實施例，支撐件2031的高度大於內區域2011的高度。但是，支撐件2031從內區域2011突出並不妨礙工件R在基座2001中的穩定性。
導溝結構2032的壁具有環形(圓形)的平面輪廓，其圍繞支撐件2031。導溝結構2032具有被壁包圍的底部。在一些實施例，導槽結構2032的最靠近內區域2011的部分壁具有弧形(圓形)的平面輪廓，以與壁2037相同的方式，所述形狀將引導侵入微粒子(例如，抽真空到基座中)返回基座之外。導溝結構2032的底部距基座2001的下表面的高度可以小於距基座2001的下表面的內區域2011的高度。
在一些實施例，基座2001更包括佈置在內區域2011和外區域2013之間的周邊溝槽結構2012。在一些實施例，周邊溝槽結構2012具有環形 平面輪廓。圖20中的周邊溝槽結構2012提供了內區域2011及外區域2013之間的物理劃分。在一些實施例，多個定位結構可以設置在內區域2011和周邊溝槽結構2012之間。此外，導溝結構2032的一部分可以與周邊溝槽結構2012相交。在一些實施例，導溝結構2032的一部分與周邊溝槽結構2012鄰接。此外，導溝結構2032與周邊溝槽結構2012之間有一定距離。定位結構的緩衝邊緣2036佈置在導溝結構2032及內區域2011之間。在一些實施例，當蓋子放置在基座上時，蓋子的外區域與外區域2013物理接觸。
在一些實施例，周邊溝槽結構2012的平面形狀可以於基座2001的平面形狀不同。在示例性實施例中，基座2001的平面形狀可以是四邊形，例如正方形或矩形。然而，周邊溝槽結構2012的平面形狀可以是環形形狀，以防止存在尖角。以此方式，減小了粒子被困在周邊溝槽結構2012的角落中的可能性。
圖21示出了根據本公開的一些實施例的基座的透視圖。基座2101包括上表面及與上表面相對的下表面。基座2101的上表面可以包括內區域2111及外區域2113。在一些實施例，內區域2111與外區域2113基本平面。在其他一些實施例中，內區域2111高於外區域2113。基座2101包括多個定位結構。定位結構可以具有橢圓形的平面形狀。
各個定位結構包括一成對的定位件2114、佈置在所述成對的定位件2114之間的支撐件2131、以及圍繞支撐件2131的導溝結構2132。所述成對的定位件2114用於將工件R的一角定位在光罩容器中。所述成對的定位件2114從基座2101的上表面突出。在一些實施例，定位結構還包括形成在導溝結構2132周圍的緩衝邊緣2136。在一些實施例，定位結構的緩衝邊緣2136低於內區域2111。以這種方式，在定位結構的緩衝邊緣2136和內部區域2111之間形成了壁2137。壁2137具有弧形(圓形)的平面輪廓，用於防止微粒污染工件R。壁2137的弧形(圓形)形狀將局部氣體流動方向引導出基座2101。在一些實施例，定位結構的緩衝邊緣2136相對於外區域2113基本共面。在一些實施例， 一成對的定位件2114從緩衝邊緣2136突出。在一些實施例，支撐件2131距其基座2101下表面的高度小於定位件2114距其基座2101下表面的高度。在一些實施例，支撐件2131相對於內區域2111基本上平面。在一些實施例，支撐件2131的高度大於內區域2111的高度。但是，支撐件2131從內區域2111突出並不妨礙工件R在基座2101中的穩定性。
導溝結構2132的壁具有環形(圓形)的平面輪廓，其圍繞支撐件2131。導溝結構2132具有被壁包圍的底部。在一些實施例，導槽結構2132的最靠近內區域2111的部分壁具有弧形(圓形)的平面輪廓，以與壁2137相同的方式，所述形狀將引導侵入微粒子(例如，抽真空到基座中)返回基座之外。導溝結構2132的底部距基座2101的下表面的高度可以小於距基座2101的下表面的內區域2111的高度。在一些實施例，基座2101更包括佈置在內區域2111及外區域2113之間的周邊溝槽結構2112。在一些實施例，周邊溝槽結構2112具有環形平面輪廓。
圖21中的周邊溝槽結構2112提供了內區域2111及外區域2113之間的物理劃分。在一些實施例，多個定位結構可以設置在內區域2111及周邊溝槽結構2112之間。此外，導溝結構2132的一部分可以與周邊溝槽結構2112相交。在一些實施例，導溝結構2132的一部分與周邊溝槽結構2112鄰接。此外，導溝結構2132及內區域2111之間有一定距離。定位結構的緩衝邊緣2136佈置在導溝結構2132及內區域2111之間。在一些實施例，當蓋子放置在基座上時，蓋子的外區域與外區域2113物理接觸。
在一些實施例，周邊溝槽結構2112的平面形狀可以於基座2101的平面形狀不同。在示例性實施例中，基座2101的平面形狀可以是四邊形，例如正方形或矩形。然而，周邊溝槽結構2112的平面形狀可以是環形形狀，以防止存在尖角。以此方式，減小了粒子被困在周邊溝槽結構2112的角落中的可能性。
在以上所述實施例中，基座的組件可以彼此互換。在實施例中， 最接近於基座中央形成的導槽結構的壁可以被構造成具有弧形(圓形)的平面輪廓，以將微粒子引導出基座。在一些實施例，導溝結構具有環形(圓形)，其中只有支撐件被導溝結構包圍。在一些實施例，導溝結構由連續連接的多個弧形壁形成，其中支撐件和一成對的定位件被導溝結構包圍。在一些實施例，導溝結構形成在基座的內部區域內。在一些實施例，導溝結構形成在基座的內區域及外區域之間。在一些實施例，導溝結構與內區域之間具有一定距離，其中在導溝結構與基座的內區域之間設置有緩衝邊緣。在其他一些實施例中，導溝結構與周邊溝槽結構之間具有一定距離，其中在導溝結構與周邊溝槽結構之間設置有緩衝邊緣。以與導溝結構相同的方式，實施例中的周邊溝槽結構的形狀也是可互換的。在一些實施例中，周邊溝槽結構遵循基座的形狀。在一些實施例，周邊溝槽結構的平面形狀可以是四邊形，例如正方形或矩形。在其他一些實施例中，周邊溝槽結構的平面形狀可以是多邊形形狀。在其他實施例中，周邊溝槽結構的平面形狀可以是環形形狀，以防止存在可能導致微粒滯留的尖角。在其他實施例中，周邊溝槽結構的平面形狀與基座的平面形狀相符。在另外的實施例中，周邊溝槽結構的部分向著基座的中央凹進。
有鑒於前述揭露內容，本公開的一種用來裝載工件的容器，包括：基座，其具有上表面，多個定位件設置在上表面並從上表面突出，所述上表面包括：承載面定義在所述上表面，當收到所述工件時，用來承載所述工件；周邊溝槽結構，其具有環形平面輪廓，其中所述周邊溝槽結構的底部低於所述承載面；以及第一接面，其中所述承載面、所述周邊溝槽結構、以及所述第一接面從所述上表面的中心向邊緣依序分佈，並且所述第一接面低於所述承載面，且所述周邊溝槽結構的底部低於所述第一接面。
在一些實施例中，具有所述環形平面輪廓的所述周邊溝槽結構圍繞所述承載面。
在一些實施例中，具有所述環形平面輪廓的所述周邊溝槽結構圍繞所述多個定位件中一成對的定位件。
在一些實施例中，所述基座更包括：支撐件位於所述多個定位件中一成對的定位件之間；以及導溝結構環繞所述支撐件。
在一些實施例中，所述導溝結構圍繞所述成對的定位件延伸。
在一些實施例中，所述導溝結構設置在所述承載面與所述周邊溝槽結構之間。
在一些實施例中，所述導溝結構設置在所述第一接面和所述承載面之間，並與所述周邊溝槽結構相交。
在一些實施例中，所述導溝結構的最接近所述承載面的壁的一部分是弧形的。
本公開的另一種用來裝載工件的容器，包括：基，其座具有上表面及相對於所述上表面的下表面，其中所述基座的所述上表面包括：內區域，形成在所述基座的中央部分；以及外區域，圍繞所述內區域；定位結構，佈置在所述內區域周圍，其中所述定位結構包括：一成對的定位件從所述上表面突出；支撐件，設置在所述成對的定位件之間；以及導溝結構圍繞所述支撐件。
在一些實施例中，所述外區域距所述下表面的高度不大於所述內區域距所述下表面的高度。
在一些實施例中，所述基座的所述上表面更包括：周邊溝槽結構設置在所述內區域和所述外區域之間；其中，所述周邊溝槽結構的底部距所述基座的所述下表面的高度小於所述外區域距所述下表面的高度及所述內區域距所述下表面的高度。
在一些實施例中，所述導溝結構設置在所述內區域和所述周邊溝槽結構之間。
在一些實施例中，所述導溝結構與所述周邊溝槽結構相交。
在一些實施例中，所述導溝結構進一步延伸圍繞所述成對的定位件。
在一些實施例中，所述導溝結構周圍所述支撐件具有弧形的平面 輪廓。
本公開的另一種容器，包括：基座，其具有多個角落；一成對的定位件，設置在所述多個角落其中一者的周圍並從所述基座突出；支撐件，設置在所述成對的定位件之間；以及導溝結構，設置在所述支撐件周圍並具有弧形平面輪廓。
在一些實施例中，所述基座的內區域的高度大於所述基座的外區域的高度。
在一些實施例中，所述成對的定位件從所述基座的所述外區域突出。
在一些實施例中，所述導溝結構形成在所述基座的所述外區域中。
在一些實施例中，所述的容器更包括緩衝邊緣設置在所述導溝結構及所述內區域之間。
最後所應說明的是，以上實施例僅用以說明本發明的技術方案而非限制，儘管參照以上較佳實施例對本發明進行了詳細說明，本領域的普通技術人員應當理解，可以對本發明的技術方案進行修改或等同替換，而不脫離本發明技術方案的精神和範圍。
R:工件
1:容器
10:外盒總成
11:上部分
12:下部分
13:容置空間
20:內盒總成
21:基座
22:蓋子

Claims (20)

  1. 一種用來裝載工件的容器，包括：基座，其具有上表面，多個定位件設置在上表面並從上表面突出，且一支撐件位於所述多個定位件中一成對的定位件之間，所述上表面包括：承載面，定義在所述上表面，當收到所述工件時，用來承載所述工件；周邊溝槽結構，其具有環形平面輪廓，其中所述周邊溝槽結構的底部低於所述承載面；以及第一接面，其中所述承載面、所述周邊溝槽結構、以及所述第一接面從所述上表面的中心向邊緣依序分佈，並且所述第一接面低於所述承載面，且所述周邊溝槽結構的底部低於所述第一接面。
  2. 如請求項1所述的容器，其特徵在於，具有所述環形平面輪廓的所述周邊溝槽結構圍繞所述承載面。
  3. 如請求項1所述的容器，其特徵在於，具有所述環形平面輪廓的所述周邊溝槽結構圍繞所述成對的定位件。
  4. 如請求項1所述的容器，其特徵在於，所述基座進一步包括：一導溝結構，其中所述導溝結構環繞所述支撐件。
  5. 如請求項4所述的容器，其特徵在於，所述導溝結構圍繞所述成對的定位件延伸。
  6. 如請求項4所述的容器，其特徵在於，所述導溝結構設置在所述承載面與所述周邊溝槽結構之間。
  7. 如請求項4所述的容器，其特徵在於，所述導溝結構設置在所述第一接面及所述承載面之間，並與所述周邊溝槽結構相交。
  8. 如請求項4所述的容器，其特徵在於，所述導溝結構的最接近所述承載面的壁的一部分是弧形的。
  9. 一種用來裝載工件的容器，包括：基座，其具有上表面及相對於所述上表面的下表面，其中所述基座的所述上表面包括：內區域，形成在所述基座的中央部分；以及外區域，圍繞所述內區域；定位結構，佈置在所述內區域周圍，其中所述定位結構包括：一成對的定位件從所述上表面突出；一支撐件，其中所述支稱件設置在所述成對的定位件之間；以及導溝結構，圍繞所述支撐件。
  10. 如請求項9所述的容器，其特徵在於，所述外區域距所述下表面的高度不大於所述內區域距所述下表面的高度。
  11. 如請求項9所述的容器，其特徵在於，所述基座的所述上表面進一步包括：周邊溝槽結構設置在所述內區域和所述外區域之間；其中，所述周邊溝槽結構的底部距所述基座的所述下表面的高度小於所述外區域距所述下表面的高度及所述內區域距所述下表面的高度。
  12. 如請求項11所述的容器，其特徵在於，所述導溝結構設置在所述內區域和所述周邊溝槽結構之間。
  13. 如請求項11所述的容器，其特徵在於，所述導溝結構與所述周邊溝槽結構相交。
  14. 如請求項9所述的容器，其特徵在於，所述導溝結構進一步延伸圍繞所述成對的定位件。
  15. 如請求項9所述的容器，其特徵在於，圍繞所述支撐件的所述導溝結構具有弧形的平面輪廓。
  16. 一種容器，包括：基座，其具有多個角落；一成對的定位件，設置在所述多個角落其中一者的周圍並從所述基座突出；一支撐件，其中所述支撐件設置在所述成對的定位件之間；以及導溝結構，設置在所述支撐件周圍並具有弧形平面輪廓。
  17. 如請求項16所述的容器，其特徵在於，所述基座的內區域的高度大於所述基座的外區域的高度。
  18. 如請求項17所述的容器，其特徵在於，所述成對的定位件從所述基座的所述外區域突出。
  19. 如請求項17所述的容器，其特徵在於，所述導溝結構形成在所述基座的所述外區域中。
  20. 如請求項19所述的容器，其特徵在於，更包括緩衝邊緣，設置在所述導溝結構及所述內區域之間。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201228902A (en) * 2011-01-11 2012-07-16 Gudeng Prec Ind Co Ltd EUV pod with fixed apparatus
US20130010277A1 (en) * 2002-02-22 2013-01-10 Asml Holding N.V. System and Method for Using a Two Part Cover and a Box for Protecting a Reticle
JP2018120221A (ja) * 2017-01-25 2018-08-02 家登精密工業股▲ふん▼有限公司 極紫外線フォトマスクポッド
TWI690771B (zh) * 2018-01-11 2020-04-11 家登精密工業股份有限公司 光罩壓抵單元及應用其之極紫外光光罩容器

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5042655A (en) * 1989-09-27 1991-08-27 E. I. Du Pont De Nemours & Co. Pellicle packaging and handling system
US5305878A (en) * 1993-04-01 1994-04-26 Yen Yung Tsai Packaged optical pellicle
JP2002287332A (ja) * 2001-03-26 2002-10-03 Mitsubishi Electric Corp マスクケース
TWI247974B (en) * 2004-03-11 2006-01-21 Gudeng Prec Ind Co Ltd Optical mask positioning device
JP2006103795A (ja) * 2004-09-10 2006-04-20 Nippon Valqua Ind Ltd ガラス基板収納ケース、ガラス基板入替装置、ガラス基板管理装置、ガラス基板流通方法、シール部材及びこのシール部材を用いたシール構造
WO2006129715A1 (ja) * 2005-05-31 2006-12-07 Vantec Co., Ltd. 薄板搬送容器の開閉構造
JP2007025183A (ja) * 2005-07-15 2007-02-01 Shin Etsu Polymer Co Ltd ペリクル用収納容器
JP2007153402A (ja) * 2005-12-06 2007-06-21 Takiron Co Ltd 収容ケース
TWI308550B (en) * 2006-12-29 2009-04-11 Ind Tech Res Inst A clean container with elastic fixing structure
TWI485796B (zh) * 2008-11-21 2015-05-21 Gudeng Prec Industral Co Ltd 容置薄板之容器
TWI378887B (en) * 2009-12-29 2012-12-11 Gudeng Prec Industral Co Ltd Reticle pod and supporting components therebetween
KR20130003055A (ko) * 2011-04-14 2013-01-09 삼성전자주식회사 레티클 포드
JP5684752B2 (ja) * 2012-03-29 2015-03-18 信越化学工業株式会社 ペリクル収納容器
JP6825083B2 (ja) * 2016-08-27 2021-02-03 インテグリス・インコーポレーテッド レチクルの側面抑制を有するレチクルポッド
TWI623810B (zh) * 2017-01-26 2018-05-11 家登精密工業股份有限公司 光罩盒
KR101880401B1 (ko) * 2017-09-15 2018-07-20 주식회사 미래솔루텍 마스크 어셈블리 케이스
TWI687760B (zh) * 2019-04-16 2020-03-11 家登精密工業股份有限公司 具有擾流結構的光罩盒

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130010277A1 (en) * 2002-02-22 2013-01-10 Asml Holding N.V. System and Method for Using a Two Part Cover and a Box for Protecting a Reticle
TW201228902A (en) * 2011-01-11 2012-07-16 Gudeng Prec Ind Co Ltd EUV pod with fixed apparatus
JP2018120221A (ja) * 2017-01-25 2018-08-02 家登精密工業股▲ふん▼有限公司 極紫外線フォトマスクポッド
TWI666510B (zh) * 2017-01-25 2019-07-21 家登精密工業股份有限公司 極紫外光光罩容器
TWI690771B (zh) * 2018-01-11 2020-04-11 家登精密工業股份有限公司 光罩壓抵單元及應用其之極紫外光光罩容器

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