CN113555302A - 用来装载工件的容器 - Google Patents

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CN113555302A CN202011205778.8A CN202011205778A CN113555302A CN 113555302 A CN113555302 A CN 113555302A CN 202011205778 A CN202011205778 A CN 202011205778A CN 113555302 A CN113555302 A CN 113555302A
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薛新民
庄家和
李承儒
黄政杰
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Gudeng Precision Industrial Co Ltd
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Abstract

本发明涉及一种极紫外光光掩模容器。所述容器包括一内盒总成及一外盒总成。所述内盒总成布置在外盒总成中，包括基座及盖子。所述基座具有上表面和周围壁。所述上表面包括承载面、至少一个沟槽以及第一接面。承载面携带所述极紫外光光掩模。所述沟槽具有环形结构，其底部低于所述承载面。所述承载面、所述沟槽及所述第一接面从上表面的中央向所述周围壁依次分布。所述盖子具有凹腔，用于容纳极紫外光掩模，以及第二接面，与所述第一接面配合形成气密密封。所述沟槽捕获并容置微粒以减少所述光掩模上的微粒污染。

Description

用来装载工件的容器
技术领域
本公开总体上涉及一种用来装载工件的容器，且特别是有关于一种具双重容纳结构之用来装载工件的容器。
背景技术
近年来半导体制程科技的进步突飞猛进，其中光学微影技术扮演着重要的角色。光学微影技术是将设计好的线路制作成具有特定形状可透光之光掩模，再将光掩模上的图案通过光源投影至晶圆上，以在晶圆上曝光显影出特定的图案。
在光学微影过程中，任何附着在光掩模的微粒，例如尘埃、粉尘或有机物等等，都会造成投影成像质量劣化。尤其是近年来的产业趋势系朝向更小、更高逻辑密度之芯片发展，微影设备使用的光波长已经推进到极紫外光(Extreme Ultraviolet Light,EUV)范围，对于光掩模上的微粒数量、粒径，以至于容置光掩模的光掩模容器内的洁净度，都有着更为严苛的要求。
一般而言，半导体制程皆利用抗污染的光掩模容器来存放及运输光掩模，以保持光掩模的洁净度，通常会要求存放光掩模或其他半导体组件的容器的洁净度符合机械标准接口(Standard Mechanical Interface,SMIF)的洁净度要求。然而目前已知的光掩模容器，即便是在受控制环境中，会因为空气压力变化，或因容器移动使内部空气发生扰动，导致微粒移动到容器与光掩模之间，甚至是移动附着至光掩模上，无法有效地为光掩模提供微粒及污染保护。
发明内容
本公开提供一种用来装载工件的容器，可以改善微粒污染问题，提高容器的效力。
在一方面，本公开提供了一种用来装载工件的容器，包括：基座，其具有上表面，多个定位件设置在上表面并从上表面突出，所述上表面包括：承载面定义在所述上表面，当收到所述工件时，用來承載所述工件；周边沟槽结构，其具有环形平面轮廓，其中所述周边沟槽结构的底部低于所述承载面；以及第一接面，其中所述承载面、所述周边沟槽结构、以及所述第一接面从所述上表面的中心向边缘依序分布，并且所述第一接面低于所述承载面，且所述周边沟槽结构的底部低于所述第一接面。
在另一方面，本公开案提供了一种用来装载工件的容器，包括：基，其座具有上表面及相对于所述上表面的下表面，其中所述基座的所述上表面包括：内区域，形成在所述基座的中央部分；以及外区域，围绕所述内区域；定位结构，布置在所述内区域周围，其中所述定位结构包括：一双定位件从所述上表面突出；支撑件，设置在所述双定位件之间；以及导沟结构围绕所述支撑件。
在另一方面，本公开案提供了一种容器，包括：基座，其具有多个角落；一双定位件，设置在所述多个角落其中一者的周围并从所述基座突出；支撑件，设置在所述双定位件之间；以及导沟结构，设置在所述支撑件周围并具有弧形平面轮廓。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1示出了根据本公开的一些实施例的极紫外光光掩模容器的爆炸图﹔
图2示出了根据本公开的一些实施例的图1中基座的透视图；
图3示出了根据本公开的一些实施例的图1中内盒总成及极紫外光光掩模的剖面图；
图4示出了根据本公开的一些实施例的图3中基座上具有阻隔件时的剖面图；
图5示出了根据本公开的一些实施例的图2中基座的剖面图；
图6示出了根据本公开的一些实施例的图1中盖子的透视图；
图7示出了根据本公开的一些实施例的图1中盖子的另一个透视图；
图8示出了根据本公开的一些实施例的图1-3中承载面、沟槽及第一接面的透视图；
图9示出了根据本公开的一些实施例的承载面、沟槽及第一接面的透视图；
图10示出了根据本公开的一些实施例的基座的透视图；
图11示出了根据本公开的一些实施例的基座的透视图；
图12示出了根据本公开的一些实施例的基座的透视图；
图13示出了根据本公开的一些实施例的基座的透视图；
图14A-14D示出了根据本公开的一些实施例的基座的透视图；
图14E示出了根据本公开的一些实施例的沿着B-B’线的基座的剖面图；
图14F示出了根据本公开的一些实施例的沿着B-B’线的基座的剖面图；
图15A示出了根据本公开的一些实施例的基座的透视图；
图15B示出了根据本公开的一些实施例的沿着C-C’线的基座的剖面图；
图16示出了根据本公开的一些实施例的基座的透视图；
图17示出了根据本公开的一些实施例的基座的透视图；
图18示出了根据本公开的一些实施例的基座的透视图；
图19示出了根据本公开的一些实施例的基座的透视图；
图20示出了根据本公开的一些实施例的基座的透视图；以及
图21示出了根据本公开的一些实施例的基座的透视图。
主要组件符号说明
Figure BDA0002757007710000031
Figure BDA0002757007710000041
Figure BDA0002757007710000051
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
以下描述将参考附图以更全面地描述本发明。附图中所示为本公开的示例性实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式来实施，并且不应所述被解释为限于在此阐述的示例性实施例。提供这些示例性实施例是为了使本公开透彻和完整，并且将本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。类似的附图标记表示相同或类似的组件。
本文使用的术语仅用于描述特定示例性实施例的目的，而不意图限制本发明。如本文所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”，“一个”和“所述”旨在也包含复数形式。此外，当在本文中使用时，“包含”和/或“包含”或“包含”和/或“包含”或“具有”和/或“具有”，整数，步骤，运作，组件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其它特征，区域，整数，步骤，运作，组件，组件和/或其群组。
除非另外定义，否则本文使用的所有术语(包含技术和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。此外，除非文中明确定义，诸如在通用字典中定义的那些术语应所述被解释为具有与其在相关技术和本公开内容中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化或过于正式的含义。以下内容将结合附图对示例性实施例进行描述。须注意的是，参考附图中所描绘的组件不一定按比例显示；而相同或类似的组件将被赋予相同或相似的附图标记表示或类似的技术用语。
在一些实施例中的极紫外光光掩模容器(例如，容器系统1)，其中包含基座(例如，内基座21)及盖子(例如，内盖子22)。在一些实施例中，在基座上至少具有连续环状的沟槽结构，用于捕获或容置微粒。在其他一些实施例中，在基座上至少具有连续圆状的沟槽结构，用于捕获或容置微粒。有助于降低微粒污染到承载面和极紫外光光掩模之间的区域。将详细参考以详细说明本公开的实施例的内容和特征，其示例在附图中示出。此外，本发明实施例之图式，并未依照实际尺寸比例绘制，其中并已省略或简化部分组件，藉以清楚显示本发明之特点。
请参照第1图，其示出了根据本公开的一些实施例的极紫外光光掩模容器的爆炸图。极紫外光光掩模容器1用于容设工件R(例如，极紫外光光掩模)。极紫外光光掩模容器1包括外盒总成10及内盒总成20。外盒总成10包括相互配合之上部分11及下部分12，藉以界定出容置空间13，用以容置内盒总成20。
在一些实施例中，外盒总成10的上部分11和下部分12大致上为四边形，其中包括但不限矩形。当两者对接时可以形成气密状态，用以区别外盒总成10外部与容置空间13。上部分11及下部分12可以包括一或多个气阀(图式中未绘示)，并且对应在气阀处设置有如滤纸等过滤材料，用以供气体进入或离开容置空间13时保持气体之洁净。上部分11可以包括多个导位件(图式中未绘示)，用以于上部分11及下部分12对接时导正两者之相对位置，或者导正内盒总成20的位置。下部分12可以包括多个支撑件(图式中未绘示)，用以固持内盒总成20。此些组件及结构可以视需求配置，本发明并不多加以限制。
请同时参照第1图及第2图，第2图绘示第1图中基座之立体图。本实施例之内盒总成20包括基座21以及盖子22。基座21具有上表面210及周围壁215。上表面210系为基座21之面朝盖子22之表面，设有凸出之多个定位件214。周围壁215系为基座21之侧壁，连接并且围绕于上表面210。
多个定位件214系与基座21由不同材质制成，例如基座21由铝或其他金属或合金制成，多个定位件214由如耐磨塑料等低微粒产生材料所制成。在一些实施例，定位件214可以例如是以锁固的方式固定在基座21上，并且突出于上表面210。定位件214可以对应于矩形之工件R的四个角落配置，在一些实施例，且各定位件214可具有导引斜面，用来导正工件R的位置。经由定位件214的配置，可以在基座21上定义出用来放置极紫外光光掩模R的光掩模承载位置23。然而，定位件214的结构、数量、固定方式以及配置方式并不以第2图所显示者为限；只要是可以在基座21上定义出光掩模承载位置23者，均属于本发明可应用之定位件214。
基座21之上表面210包括承载面211(例如，上表面210的内区域)、沟槽212及第一接面213(例如，上表面210的外区域)。在一些实施例，承载面211、沟槽212及第一接面213依序由上表面210之内侧朝周围壁215配置。即，承载面211位于上表面210的中央附近，第一接面213位于上表面210的外区域，沟槽212位于承载面211及第一接面213的中间。工件R是用来设置在光掩模承载位置23，藉以被承载在承载面211上。沟槽212具连续环状结构，且沟槽212之底部低于承载面211。本实施例中，承载面211大致上为平整的水平面，沟槽212完整连续地围绕于承载面211，形成一个全周式的沟槽212，而如第2图所示，第一接面213完整连续地围绕于沟槽212外。
请同时参照第2图及第3图，第3图绘示第1图之内盒总成及极紫外光光掩模的部分侧视剖面图。第3图所示为部分之内盒总成20以及容置于其内的工件R，第3图之左侧为靠近承载面211中央的位置，而第3图之右侧则为内盒总成20之边缘(也就是靠近周围壁215的位置)。上表面210由中央而外(第3图的由左而右)依序配置为承载面211、沟槽212及第一接面213。第一接面213低于承载面211，沟槽212之底部又低于第一接面213。沟槽212为下凹结构以及底部位于最低位置。对于沟槽212之底部而言，沟槽212连接于承载面211的侧墙高度，高于沟槽212连接于第一接面213的侧墙高度。各侧壁通过一个尖角连接到沟槽212的底部。或至少具有很小的弯曲的拐角。
沟槽212之设计系可用来捕获或容置微粒。当位于沟槽212内的微粒被气流扬起时，会受到沟槽212连接承载面211之侧墙所阻挡，不容易移动到承载面211上，避免微粒移动到承载面211与工件R之间，可以降低承载面211上的微粒污染。另一个好处是，考虑到实际在制造上第一接面213及第二接面223之气密效果有可能因为生产问题(如表面处理失误)导致其平整面气密性不足够。因此，纵使前述的情况发生了，基于本实施例沟槽212之两边侧壁具有高低落差的特性，如第一接面213及第二接面223未能达到符合要求的气密程度，第一接面213及第二接面223会间接形成一个极微小的导引通道，将微粒主动引导至沟槽212内容置，避免进入承载面211与工件R之间的区域。
请参照第4图，其绘示第3图之基座上具有阻隔件时之侧视剖面图。本实施例之基座21可以包括一阻隔件217，设置于沟槽212内(例如，阻隔件217是在沟槽212的底表面上)。由阻隔件217之底部至阻隔件217之一顶端，其高度至少要约略高于沟槽212连接于第一接面213的侧墙高度，使得盖子22与基座21对接时，阻隔件217之顶端紧密接触于第二接面223。如此系可有效阻挡微粒进入承载面211与工件R之间的区域。在一些实施例，阻隔件217系为连续环状结构，以连续地设置于沟槽212内。在一些实施例，阻隔件217系为连续圆状结构，以连续地设置于沟槽212内。
请同时参照第2图及第5图，第5图绘示第2图之基座之侧视剖面图。第5图是第2图之基座21沿剖面线A-A’之剖面示意。在一些实施例，基座21的上表面210更包括与沟槽212相连通的至少一容槽216。在图示的实施例中，容槽216之底部低于沟槽212之底部，且在平行于承载面211之方向延伸，容槽216之宽度大于沟槽212之宽度。容槽216为更进一步之下凹结构，且具有较为宽广的面积，可以用来捕获或容置微粒。微粒除了会被留置在沟槽212内，微粒更可以被留置在容槽216内。
接下来对于本实施例内盒总成20之盖子22进行说明，请同时参照第6图及第7图，第6图绘示第1图之上盖的立体图，第7图绘示第1图之盖子之另一视角的立体图。盖子22用以与基座21对接，并且具有凹腔221及第二接面223。本实施例中，第一接面213及第二接面223是平整的表面或具有相对较小粗糙度的平整表面，并且当彼此接触时能够彼此配合以提供密封。
本实施例中，盖子22具有降级面222，位于凹腔221与第二接面223之间，且降级面222与第二接面223位于不同水平面上，用以与基座21之上表面210之间形成一间隙；进一步来说，所述降级面222与第二接面223位于不同水平面上系指位于互相平行的两个水平面之上。如第3图所示，降级面222与上表面210之承载面211之间形成间隙，让基座21的沟槽212部分(未完全)被第二接面223覆盖。当基座21与盖子22对接时，通过沈降、流动或被气流带动移动的微粒进入沟槽212或容槽216内，使其被捕获或容置于沟槽212或容槽216内。
通过沈降、流动或被气流带动移动的微粒进入沟槽212或容槽216内，使其被捕获或容置于沟槽212或容槽216内。这些导位块224是以特定的方式设置于盖子22，使得盖子22与基座21对接时，导位块224可以朝基座21延伸。朝向基座21延伸的导位块224系用以弹性接触于基座21之周缘215(如第3图所示)。当基座21及盖子22进行对接时，导位块224可以协助导正基座21与盖子22的相对位置，让两者可以正确对接。在本实施例中，导位块224可以以对应于盖子22的四个角的方式配置。然而，导位块224的数量和布置不限于图6及7所示的实施例。在形式上，朝向外壳21延伸并在外壳22和位置21之间耦合时弹性接触周围壁215的其他形式的组件在这里可以用作引导位块224。
本实施例之上盖22设有多个弹性件225，对应于定位件214之位置而配置。当盖子22与基座21对接时，以及内盒总成20容置于外盒总成10内时，弹性件225用以接触并施以压力于工件R(例如，极紫外光光掩模)。弹性件225有助于限制工件R在垂直方向上的移动，从而防止了工件R的移动，从而抑制了结构部件之间的摩擦产生的污染物/微粒。实际上，可以在外盒总成10的上部分11的内表面上布置几个突出组件(图中未示出)，这些突出组件可以与弹性件225的位置相对应地布置。当内盒总成20容纳在外盒总成10的容置空间13中时，突出组件可以分别压在弹性件225的一端上。弹性件225的另一端接触并因此按下工件R。突出组件的结构和构造不限于本示例性实施例中所示。
本实施例之上盖22设有进气口226，并且对应在进气口226设置有过滤材料。进气口226用以供气体进入凹腔221内，当透过进气口226的气体喷流进入凹腔221时，可以带动在凹腔221的微粒朝向位于承载面211外围的沟槽212移动，以让微粒被捕获或容置于沟槽212或容槽216内。
请参照第8图，其绘示依照本发明一实施例之承载面、沟槽及第一接面之示意图，如第1-3图所示。依照本发明前述实施例之极紫外光光掩模容器1，基座21之上表面210的承载面211、沟槽212及第一接面213，依序由上表面210之内侧朝周缘215配置，在图标的实施例中，沟槽212完整连续地围绕承载面211，第一接面213完整连续地围绕沟槽212，且在基座21形成一个全周式的沟槽212。然而本发明并不以此为限制。例如，在一些实施例中，可以利用小于完全封闭的沟槽图案，例如以在基座21上容纳附加的器件特征。
请参照第9图，其绘示依照本发明另一实施例之承载面、沟槽及第一接面之示意图。依据第9图实施例之极紫外光光掩模容器的基座31，其上表面310的承载面311、沟槽312及第一接面313，依序由上表面310之内侧朝周缘315配置。上表面310包括多个沟槽312，各自为连续环状结构。在一些实施例，上表面310包括多个沟槽312，各自为连续圆状结构。多个沟槽312布置在承载面311和第一接面313之间，并且每个沟槽312分别围绕多个定位件314的位置，靠近基座31的一个角。沟槽312之底部低于第一接面313以及承载面311，形成下凹结构。各自连续环状的沟槽312，因为围绕定位件314配置，可以捕获或容置对应所述处产生之微粒。此外，当位于沟槽312内的微粒被气流扬起时，会受到沟槽312之侧墙所阻挡，不容易移动到承载面311上，可以减缓承载面311上的微粒污染，可以减缓承载面311上的微粒污染，降低工件R受到微粒污染的机会。
根据本发明前述实施例之极紫外光光掩模容器，用以容设极紫外光光掩模。极紫外光光掩模容器包括外盒总成及内盒总成，外盒总成包括相互配合之上部分及下部分，藉以界定出容置空间，用以容置内盒总成。内盒总成包括基座以及盖子。基座具有上表面及周围壁，上表面设有凸出之多个定位件，用以界定出光掩模承载位置。周围壁连接且围绕上表面。上表面包括承载面、沟槽及第一接面。极紫外光光掩模用以设置于光掩模承载位置，藉以被承载在承载面上。在一些实施例，沟槽具连续环状结构，其底部低于承载面。在其他一些实施例中，沟槽具连续圆状结构，其底部低于承载面。承载面、沟槽及第一接面依序由上表面之内侧朝周围壁配置。盖子用以与基座对接，并且具有凹腔及第二接面。凹腔用以容纳光掩模，第二接面与第一接面相配合，用以形成密封状态。沟槽可以捕获或容置微粒，减缓极紫外光光掩模收到微粒的污染的问题。
图10示出了根据本公开的一些实施例的基座的透视图。基座1001包括上表面及与上表面相对的下表面。基座1001的上表面可以包括内区域1011及外区域1013。在一些实施例，内区域1011相对于外区域1013基本上是平面的。图10中的P线用于示出内区域1011和外区域1013之间的划分。
基座1001设置有多个定位结构。多个定位结构可以放置在内区域1011内。各个定位结构包括一双定位件1014、布置在所述双定位件1014之间的支撑件1031、以及围绕所述双定位件1014和支撑件1031的导沟结构1032。
所述双定位件1014用于将工件R(例如，光掩模)的一角定位在光掩模容器中。所述双定位件1014分别从内区域1011的表面突出。在一些实施例，支撑件1031的高度(距基座的下表面的高度)可以小于多个定位件1014的高度(距基座的下表面的高度)。在一些实施例，支撑件1031可以与内区域1011基本共平面。在一些实施例，支撑件1031的高度可以大于内区域1011的高度。然而，支撑件1031从内区域1011突出并不妨碍工件R在基座1001内的稳定性。
导沟结构1032的壁具有环形(圆形)的平面轮廓，其围绕一双定位件1014和支撑件1031。导沟结构1032具有被壁包围的底部。在一些实施例，导槽结构1032的最靠近内区域1011的部分壁具有弧形(圆形)的平面轮廓，所述形状将引导侵入微粒子(例如，抽真空到基座中)返回基座之外。在一些实施例，导沟结构1032的壁可以由彼此连续连接的多个弧形部分形成。引导沟槽结构1032的底部距基座的下表面的高度可以小于距基座的下表面的内区域1011的高度。在一些实施例，当将盖子设置在基座上时，盖子(例如，图1所示的盖子22)的外区域可以与基座1001的外区域1013物理接触。
图11示出了根据本公开的一些实施例的基座的透视图。基座1101包括上表面及与上表面相对的下表面。基座1101的上表面可以包括内区域1111及外区域1113。在一些实施例，内区域1111高于外区域1113。
基座1101设置有多个定位结构。多个定位结构可以放置在内部区域1111内。各个定位结构包括一双定位件1114、布置在所述双定位件1114之间的支撑件1131、以及围绕所述双定位件1114和支撑件1131的导沟结构1132。
所述双定位件1114用于将工件R(例如，光掩模)的一角定位在光掩模容器中。所述双定位件1114分别从内区域1111的表面突出。在一些实施例，支撑件1131距基座下表面的高度可小于多个定位件1114距基座下表面的高度。在一些实施例，支撑件1131可以与内区域1111基本共平面。在一些实施例，支撑件1131的高度可以大于内区域1111的高度。然而，支撑件1131从内区域1111突出并不妨碍工件R在基座1101内的稳定性。
导沟结构1132的壁具有环形(圆形)的平面轮廓，其围绕一双定位件1114和支撑件1131。导沟结构1132具有被壁包围的底部。在一些实施例，导槽结构1132的最靠近内区域1111的部分壁具有弧形(圆形)的平面轮廓，所述形状将引导侵入微粒子返回基座之外。在一些实施例，导沟结构1132的壁可以由彼此连续连接的多个弧形部分形成。引导沟槽结构1132的底部距基座的下表面的高度可以小于距基座的下表面的内区域1111的高度。引导沟槽结构1132的底部距基座的下表面的高度可以小于距基座的下表面的外区域1113的高度。在一些实施例，当将盖子设置在基座上时，盖子(例如，图1所示的盖子22)的外区域可以与基座1101的外区域1113物理接触。
图12示出了根据本公开的一些实施例的基座的透视图。基座1201包括上表面及与上表面相对的下表面。基座1201的上表面可以包括内区域1211及外区域1213。在一些实施例，内区域1211相对于外区域1213基本上是平面的。在其他一些实施例中，内区域1211高于外区域1213。
基座1201设置有多个定位结构。多个定位结构设置在外区域1213及内区域1211之间。各个定位结构包括一双定位件1214、布置在所述双定位件1214之间的支撑件1231、以及围绕所述双定位件1214和支撑件1231的导沟结构1232。
所述双定位件1214用于将工件R的一角定位在光掩模容器中。所述双定位件1214分别从内区域1211的表面突出。在一些实施例，支撑件1231距基座下表面的高度可小于多个定位件1214距基座下表面的高度。在一些实施例，支撑件1231可以与内区域1211基本共平面。在一些实施例，支撑件1231的高度可以大于内区域1211的高度。然而，支撑件1231从内区域1211突出并不妨碍工件R在基座1201内的稳定性。
导沟结构1232的壁具有环形(圆形)的平面轮廓，其围绕一双定位件1214及支撑件1231。导沟结构1232具有被壁包围的底部。在一些实施例，导槽结构1232的最靠近内区域1211的部分壁具有弧形(圆形)的平面轮廓，所述形状将引导侵入微粒子(例如，抽真空到基座中)返回基座之外。引导沟槽结构1232的底部距基座的下表面的高度可以小于内区域1211距基座的下表面的高度。
在一些实施例，底座1201更包括布置在内区域1211和外区域1213之间的周边沟槽结构1212。在一些实施例，周边沟槽结构1212具有封闭的平面环形轮廓。在一些实施例，多个定位结构沿着周边沟槽结构1212形成。在一些实施例，周边沟槽结构1212与导沟结构1232相交。在一些实施例，周边沟槽结构1212与导沟结构1232相连。图12中的周边沟槽结构1212示出了内区域1211和外区域1213之间的边界划分。在一些实施例，外区域1213的一部分的宽度W1大于外区域1213的另一部分的宽度W2。举例来说，由于外围沟槽结构1212的平面轮廓，外区域1213在不同部分处可能具有不同的宽度。在一些实施例，周边沟槽结构1212的一部分向着基座1201的中央缩进。在一些实施例，当将盖子设置在基座上时，盖子的外区域可以与基座1201的外区域1213物理接触。
图13示出了根据本公开的一些实施例的基座的透视图。基座1301包括上表面及与上表面相对的下表面。基座1301的上表面可以包括内区域1311及外区域1313。在一些实施例，内区域1311相对于外区域1313基本上是平面的。在其他一些实施例中，内区域1311高于外区域1313。
基座1301设置有多个定位结构。多个定位结构可以放置在内部区域1311内。各个定位结构包括一双定位件1314、布置在所述双定位件1314之间的支撑件1331、以及围绕所述双定位件1314和支撑件1331的导沟结构1332。所述双定位件1314用于将工件R(例如，光掩模)的一角定位在光掩模容器中。所述双定位件1314分别从内区域1311的表面突出。
在一些实施例，支撑件1331距基座下表面的高度可小于多个定位件1314距基座下表面的高度。在一些实施例，支撑件1331可以与内区域1311基本共平面。在一些实施例，支撑件1331的高度可以大于内部区域1311的高度。然而，支撑件1331从内部区域1311突出并不妨碍工件R在基座1301内的稳定性。
导沟结构1332的壁具有环形(圆形)的平面轮廓，其围绕一双定位件1314和支撑件1331。导沟结构1332具有被壁包围的底部。在一些实施例，导槽结构1332的最靠近内区域1311的部分壁具有弧形(圆形)的平面轮廓，所述形状将引导侵入微粒子(例如，抽真空到基座中)返回基座之外。导沟结构1332的底部距基座的下表面的高度可以小于距基座的下表面的内区域1311的高度。
在一些实施例，基座1301更包括布置在内区域1311和外区域1313之间的周边沟槽结构1312。在一些实施例，周边沟槽结构1312具有环形平面轮廓。图13中的周边沟槽结构1312作为内区域1311和外区域1313之间的结构划分。此外，导沟结构1332与周边沟槽结构1312相距一定距离。在一些实施例，当将盖子设置在基座上时，盖子的外区域可以与基座1301的外区域1313物理接触。
图14A-14D示出了根据本公开的一些实施例的基座的透视图。以与图10中的实施例相同的方式，图14A、14B及14D中的图示公开了布置在内部区域1411A、1411B、1411D内的定位结构。每个定位结构包括一双定位件(例如，1414A、1414B及1414D)、支撑件(例如，1431A、1431B及1431D)位于一双定位件1414A、1414B及1414D之间以及导沟结构(例如，1432A、1432B及1432D)围绕一双定位件和支撑件。特别地，图14A、14B及14D中的实施例示出了导沟结构1432A、1432B及1432D的平面布局。
例如，在图14A中，导沟结构1432A具有W形结构。
另一个示例，在图14B中，导沟结构1432B具有U形结构。
在图14D中，导沟结构1432D具有V形结构。支撑件1431A、1431B及1431D以及内区域1411A、1411B、1411D的一部分形成屏障，所述屏障防止微粒子在导沟结构1432A，1432B和1432D内连续循环。
在图14A、14B及14D所示的实施例中，定位件1414A、1414B及1414D可以设置在缓冲区域中(例如，图15A/B所示的缓冲边缘1536)。在一些实施例，缓冲边缘位于内区域1411A、1411B、1411D中。在一些实施例，缓冲边缘的高度(例如，边缘表面与基座下表面之间的距离)小于内区域1411A、1411B、1411D的高度。在一些实施例中，缓冲边缘的高度可以大于导沟结构1432A、1432B及1432D的下表面的高度。
另一方面，图14C示出了位于内区域1411C内的定位结构。定位结构包括一双定位件1414C，布置在一双定位件1414C之间的支撑件1431C以及仅围绕支撑件1431C的导沟结构1432C。一双定位件1414C的底部位于基座的上表面。在一些实施例，导沟结构1432C具有圆形的平面形状。在其他一些实施例中，离内区域中央最近的导槽结构1432C的壁部分呈弧形(圆形)，以引导粒子分離工件。
图14E示出了根据本公开的一些实施例的图14C中沿着B-B’线的基座的剖面图。在一些实施例，定位件1414C的顶部轮廓朝着工件R的位置下降，以在放置期间引导工件R。
在所示的实施例中，支撑件1431C和定位件1414C之间的导沟结构1432C具有气体通道面积X。在一些实施例，导沟结构1432C的截面积X不小于预定阈值。例如，在一些实施例中，支撑件1431C(例如，在支撑件1431C的中央区域的顶表面下方)与定位件1414C之一之间的截面积(例如，位于工件R下方的阴影区域X)具有足够的间隙阈值。一方面，在突出构件之间(并且在工件R下方)沟槽间隙有足够大的横截面可以促进感应围绕支撑件1431C的气流，并促进在拐角区域产生涡流。因此，在容器系统运行期间，从而增强微粒捕获。在一些实施例中，支撑件1431与一個定位件1414之间的截面积X不小于25mm2。
参照图14F，在一些实施例中，相对于支撑件的中央轴线而定围绕支撑件(例如，构件1431C)的沟槽间隙区域。例如，从支撑件1431C的中央轴线的一侧而定引导沟槽区域(例如，面积X′)。在一些实施例，从支撑件1431C的横截面中央线开始的截面积X'不小于25mm2。根据设计规则调整每个突出构件(例如，构件1431C，1414C)的高度，宽度和分隔间距，以实现足够的气体通道尺寸，从而确保有效的气流感应和微粒收集能力。
图15A示出了根据本公开的一些实施例的基座的透视图。基座包括上表面及与上表面相对的下表面。基座1501的上表面可以包括内区域1511及外区域1513。在一些实施例，内区域1511与外区域1513基本平面。在其他一些实施例中，内区域1511高于外区域1513。
基座1501包括多个定位结构。各个定位结构包括一双定位件1514、布置在所述双定位件1514之间的支撑件1531、以及围绕支撑件1531的导沟结构1532。所述双定位件1514用于将工件R(例如，光掩模)的一角定位在光掩模容器中。所述双定位件1514从基座1501的上表面突出。
在一些实施例，定位结构还包括形成在导沟结构1532周围的缓冲边缘1536。在一些实施例，定位结构的缓冲边缘1536低于内区域1511。在一些实施例，一双定位件1514从缓冲边缘1536突出。在一些实施例，定位结构的缓冲边缘1536相对于外区域1513基本共面。
在一些实施例，支撑件1531距其基座下表面的高度小于定位件1514距其基座下表面的高度。在一些实施例，支撑件1531相对于内区域1511基本上平面。在一些实施例，支撑件1531的高度大于内区域1511的高度。但是，支撑件1531从内区域1511突出并不妨碍工件R在基座1501中的稳定性。
导沟结构1532的壁具有环形(圆形)的平面轮廓，其围绕支撑件1531。导沟结构1532具有被壁包围的底部。在一些实施例，导槽结构1532的最靠近内区域1511的部分壁具有弧形(圆形)的平面轮廓，所述形状将引导侵入微粒子(例如，抽真空到基座中)返回基座之外。导沟结构1532的底部距基座1501的下表面的高度可以小于距基座1501的下表面的内区域1511的高度。
在一些实施例，基座1501更包括布置在内区域1511和外区域1513之间的周边沟槽结构1512。在一些实施例，周边沟槽结构1512具有环形平面轮廓。图15A中的周边沟槽结构1512作为区域1511和外区域1513之间的结构划分。在一些实施例，多个定位结构可以设置在内区域1511和周边沟槽结构1512之间。此外，导沟结构1532与周边沟槽结构1512相距一定距离。在一些实施例，当盖子放置在基座上时，盖子的外区域与外区域1513物理接触。
在一些实施例，周边沟槽结构1512的平面形状可以类似于基座1501的平面形状。在示例性实施例中，基座1501的平面形状可以是四边形，例如正方形或矩形。因此，周边沟槽结构1512的平面形状可以是四边形，例如正方形或矩形。在其他一些实施例中，周边沟槽结构1512的平面形状可以被轮廓化为基座1501的平面形状。
图15B示出了根据本公开的一些实施例的沿着C-C’线的基座的剖面图。在一些实施例，一双定位件1514的头部形状朝着工件R的位置倾斜，以在放置期间引导工件R。在一些实施例，在一些实施例，导沟结构1532的底部的高度及周边沟槽结构1512的底部的高度基本相同。在一些实施例，内区域1511及支撑件1531的高度基本相同。在一些实施例，内区域1511的高度大于定位结构的缓冲边缘1536、外区域1513、导沟结构1532的底部及周边沟槽结构1512的高度。在一些实施例，定位结构的缓冲边缘1536及外区域1513的高度大于导沟结构1532底部及周边沟槽结构1512底部的高度。
在所示的实施例中，围绕支撑件1531的导沟结构1532及围绕每个定位件1514的缓冲边缘1536彼此流体连通地布置，并共同产生楼梯截面轮廓。在一些实施例，支撑件1531(例如，在支撑件1531的中央区域的顶表面下方)与一個定位件1514之间的截面积(例如，位于工件R下方的区域)具有足够的间隙阈值。一方面，在突出构件之间(并且在工件R下方)沟槽间隙有足够大的横截面可以促进感应围绕支撑件1531的气流，并促进在拐角区域产生涡流。因此，在容器系统运行期间，从而增强微粒捕获。在一些实施例，在一些实施例中，支撑件1531与一個定位件1514之间的截面积不小于25mm2。
图16示出了根据本公开的一些实施例的基座的透视图。基座包括上表面及与上表面相对的下表面。基座1601的上表面可以包括内区域1611及外区域1613。在一些实施例，内区域1611与外区域1613基本平面。在其他一些实施例中，内区域1611高于外区域1613。
基座1601包括多个定位结构。各个定位结构包括一双定位件1614、布置在所述双定位件1614之间的支撑件1631、以及围绕支撑件1631的导沟结构1632。所述双定位件1614用于将工件R的一角定位在光罩容器中。所述双定位件1614从基座1601的上表面突出。
在一些实施例，定位结构还包括形成在导沟结构1632周围的缓冲边缘1636。在一些实施例，定位结构的缓冲边缘1636低于内区域1611。在一些实施例，定位结构的缓冲边缘1636相对于外区域1613基本共面。在一些实施例，一双定位件1614从缓冲边缘1636突出。在一些实施例，支撑件1631距其基座下表面的高度小于定位件1614距其基座下表面的高度。在一些实施例，支撑件1631相对于内区域1611基本上平面。在一些实施例，支撑件1631的高度大于内区域1611的高度。但是，支撑件1631从内部区域1611突出并不妨碍工件R在基座1601中的稳定性。
导沟结构1632的壁具有环形(圆形)的平面轮廓，其围绕支撑件1631。导沟结构1632具有被壁包围的底部。在一些实施例，导槽结构1632的最靠近内区域1611的部分壁具有弧形(圆形)的平面轮廓，所述形状将引导侵入微粒子(例如，抽真空到基座中)返回基座之外。导沟结构1632的底部距基座1601的下表面的高度可以小于距基座1601的下表面的内区域1611的高度。在一些实施例，基座1601更包括布置在内区域1611及外区域1613之间的周边沟槽结构1612。在一些实施例，周边沟槽结构1612具有环形平面轮廓。
图16中的周边沟槽结构1612提供了内区域1611及外区域1613之间的物理划分。在一些实施例，多个定位结构可以设置在内区域1611和周边沟槽结构1612之间。此外，导沟结构1632的一部分可以与周边沟槽结构1612相交。在一些实施例，导沟结构1632的一部分与周边沟槽结构1612邻接。在一些实施例，当盖子放置在基座上时，盖子的外区域与外区域1613物理接触。
在一些实施例，周边沟槽结构1612的平面形状可以于基座1601的平面形状不同。在示例性实施例中，基座1601的平面形状可以是四边形，例如正方形或矩形。然而，周边沟槽结构1612的平面形状的平面形状可以是多边形形状，以防止存在尖角。以此方式，减少了粒子被困在周边沟槽结构1612的角落中的可能性。
图17示出了根据本公开的一些实施例的基座的透视图.基座1701包括上表面及与上表面相对的下表面。基座1701的上表面可以包括内区域1711及外区域1713。在一些实施例，内区域1711与外区域1713基本平面。在其他一些实施例中，内区域1711高于外区域1713。
基座1701包括多个定位结构。各个定位结构包括一双定位件1714、布置在所述双定位件1714之间的支撑件1731、以及围绕支撑件1731的导沟结构1732。所述双定位件1714用于将工件R(例如，光掩模)的一角定位在光掩模容器中。所述双定位件1714从基座1701的上表面突出。在一些实施例，定位结构还包括形成在导沟结构1732周围的缓冲边缘1736。在一些实施例，定位结构的缓冲边缘1736低于内区域1711。在一些实施例，定位结构的缓冲边缘1736相对于外区域1713基本共面。在一些实施例，一双定位件1714从缓冲边缘1736突出。在一些实施例，支撑件1731距其基座1701下表面的高度小于定位件1714距其基座1701下表面的高度。在一些实施例，支撑件1731相对于内区域1711基本上平面。在一些实施例，支撑件1731的高度大于内区域1711的高度。但是，支撑件1731从内区域1711突出并不妨碍工件R在基座1701中的稳定性。
导沟结构1732的壁具有环形(圆形)的平面轮廓，其围绕支撑件1731。导沟结构1732具有被壁包围的底部。在一些实施例，导槽结构1732的最靠近内区域1711的部分壁具有弧形(圆形)的平面轮廓，所述形状将引导侵入微粒子(例如，抽真空到基座中)返回基座之外。导沟结构1732的底部距基座1701的下表面的高度可以小于距基座1701的下表面的内区域1711的高度。在一些实施例，基座1701更包括布置在内区域1711和外区域1713之间的周边沟槽结构1712。在一些实施例，周边沟槽结构1712具有环形平面轮廓。
图17中的周边沟槽结构1712提供了内区域1711及外区域1713之间的物理划分。在一些实施例，多个定位结构可以设置在内区域1711和周边沟槽结构1712之间。此外，导沟结构1732的一部分可以与周边沟槽结构1712相交。在一些实施例，导沟结构1732的一部分与周边沟槽结构1712邻接。在一些实施例，当盖子放置在基座上时，盖子的外区域与外区域1713物理接触。
在一些实施例，周边沟槽结构1712的平面形状可以于基座1701的平面形状不同。在示例性实施例中，基座1701的平面形状可以是四边形，例如正方形或矩形。然而，周边沟槽结构1712的平面形状的平面形状可以是多边形形状，以防止存在尖角。以此方式，减少了粒子被困在周边沟槽结构1712的角落中的可能性。
图18示出了根据本公开的一些实施例的基座的透视图。基座1801包括上表面及与上表面相对的下表面。基座1801的上表面可以包括内区域1811及外区域1813。在一些实施例，内区域1811与外区域1813基本平面。在其他一些实施例中，内区域1811高于外区域1813。
基座1801包括多个定位结构。各个定位结构包括一双定位件1814、布置在所述双定位件1814之间的支撑件1831、以及围绕支撑件1831的导沟结构1832。所述双定位件1814用于将工件R的一角定位在容器中。所述双定位件1814从基座1801的上表面突出。在一些实施例，定位结构还包括形成在导沟结构1832周围的缓冲边缘1836。在一些实施例，定位结构的缓冲边缘1836低于内区域1811。以这种方式，在定位结构的缓冲边缘1836和内部区域1811之间形成了壁1837。壁1837具有弧形(圆形)的平面轮廓，用于防止微粒污染工件R。壁1837的弧形(圆形)形状将局部气体流动方向引导出基座1801。在一些实施例，定位结构的缓冲边缘1836相对于外区域1813基本共面。在一些实施例，一双定位件1814从缓冲边缘1836突出。在一些实施例，支撑件1831距其基座1801下表面的高度小于定位件1814距其基座1801下表面的高度。在一些实施例，支撑件1831相对于内区域1811基本上平面。在一些实施例，支撑件1831的高度大于内区域1811的高度。但是，支撑件1831从内区域1811突出并不妨碍工件R在基座1801中的稳定性。
导沟结构1832的壁具有环形(圆形)的平面轮廓，其围绕支撑件1831。导沟结构1832具有被壁包围的底部。在一些实施例，导槽结构1832的最靠近内区域1811的部分壁具有弧形(圆形)的平面轮廓，以与壁1837相同的方式，所述形状将引导侵入微粒子(例如，抽真空到基座中)返回基座之外。导沟结构1832的底部距基座1801的下表面的高度可以小于内区域1811距基座1801的下表面的高度。在一些实施例，基座1801更包括布置在内区域1811和外区域1813之间的周边沟槽结构1812。在一些实施例，周边沟槽结构1812具有环形平面轮廓。图18中的周边沟槽结构1812提供了内区域1811及外区域1813之间的物理划分。
在一些实施例，多个定位结构可以设置在内区域1811和周边沟槽结构1812之间。此外，导沟结构1832的一部分可以与周边沟槽结构1812相交。在一些实施例，导沟结构1832的一部分与周边沟槽结构1812邻接。在一些实施例，当盖子放置在基座上时，盖子的外区域与外区域1813物理接触。在一些实施例，周边沟槽结构1812的平面形状可以于基座1801的平面形状不同。在示例性实施例中，基座1801的平面形状可以是四边形，例如正方形或矩形。然而，周边沟槽结构1812的平面形状可以是多边形形状，以防止存在尖角。以此方式，减小了粒子被困在周边沟槽结构1812的角落中的可能性。
图19示出了根据本公开的一些实施例的基座的透视图。基座1901包括上表面及与上表面相对的下表面。基座1901的上表面可以包括内区域1911及外区域1913。在一些实施例，内区域1911与外区域1913基本平面。在其他一些实施例中，内区域1911高于外区域1913。
基座1901包括多个定位结构。各个定位结构包括一双定位件1914、布置在所述双定位件1914之间的支撑件1931、以及围绕支撑件1931的导沟结构1932。所述双定位件1914用于将工件R的一角定位在容器中。所述双定位件1914从基座1901的上表面突出。在一些实施例，定位结构还包括形成在导沟结构1932周围的缓冲边缘1936。在一些实施例，定位结构的缓冲边缘1936低于内区域1911。以这种方式，在定位结构的缓冲边缘1936和内部区域1911之间形成了壁1937。壁1937具有环形(圆形)的平面轮廓，用于防止微粒污染工件R。壁1937的圆形形状将局部气体流动方向引导出基座1901。在示例性实施例中，壁1937形成为具有弧形轮廓。在一些实施例，定位结构的缓冲边缘1936相对于外区域1913基本共面。在一些实施例，一双定位件1914从缓冲边缘1936突出。在一些实施例，支撑件1931距其基座1901下表面的高度小于定位件1914距其基座1901下表面的高度。在一些实施例，支撑件1931相对于内区域1911基本上平面。在一些实施例，支撑件1931的高度大于内区域1911的高度。但是，支撑件1931从内区域1911突出并不妨碍工件R在基座1901中的稳定性。
导沟结构1932的壁具有环形(圆形)的平面轮廓，其围绕支撑件1931。导沟结构1932具有被壁包围的底部。在一些实施例，导槽结构1932的最靠近内区域1911的部分壁具有弧形(圆形)的平面轮廓，所述形状将引导侵入微粒子(例如，抽真空到基座中)返回基座之外。导沟结构1932的底部距基座1901的下表面的高度可以小于距基座1901的下表面的内区域1911的高度。在一些实施例，基座1901更包括布置在内区域1911和外区域1913之间的周边沟槽结构1912。
图19中的周边沟槽结构1912提供了内区域1911及外区域1913之间的物理划分。在一些实施例，周边沟槽结构1912具有环形平面轮廓。在一些实施例，多个定位结构可以设置在内区域1911和周边沟槽结构1912之间。此外，导沟结构1932与周边沟槽结构1912之间有一定距离。在一些实施例，当盖子放置在基座上时，盖子的外区域与外区域1913物理接触。在一些实施例，周边沟槽结构1912的平面形状可以类似于基座1901的平面形状。在示例性实施例中，基座1901的平面形状可以是四边形，例如正方形或矩形。然而，周边沟槽结构1912的平面形状可以是四边形，例如正方形或矩形。
图20示出了根据本公开的一些实施例的基座的透视图。基座2001包括上表面及与上表面相对的下表面。基座2001的上表面可以包括内区域2011及外区域2013。在一些实施例，内区域2011与外区域2013基本平面。在其他一些实施例中，内区域2011高于外区域2013。
基座2001包括多个定位结构。各个定位结构包括一双定位件2014、布置在所述双定位件2014之间的支撑件2031、以及围绕支撑件2031的导沟结构2032。所述双定位件2014用于将工件R的一角定位在光罩容器中。所述双定位件2014从基座2001的上表面突出。在一些实施例，定位结构还包括形成在导沟结构2032周围的缓冲边缘2036。在一些实施例，定位结构的缓冲边缘2036低于内区域2011。以这种方式，在定位结构的缓冲边缘2036和内部区域2011之间形成了壁2037。壁2037具有弧形(圆形)的平面轮廓，用于防止微粒污染工件R。壁2037的弧形(圆形)形状将局部气体流动方向引导出基座2001。在一些实施例，定位结构的缓冲边缘2036相对于外区域2013基本共面。在一些实施例，一双定位件2014从缓冲边缘2036突出。在一些实施例，支撑件2031距其基座2001下表面的高度小于定位件2014距其基座2001下表面的高度。在一些实施例，支撑件2031相对于内区域2011基本上平面。在一些实施例，支撑件2031的高度大于内区域2011的高度。但是，支撑件2031从内区域2011突出并不妨碍工件R在基座2001中的稳定性。
导沟结构2032的壁具有环形(圆形)的平面轮廓，其围绕支撑件2031。导沟结构2032具有被壁包围的底部。在一些实施例，导槽结构2032的最靠近内区域2011的部分壁具有弧形(圆形)的平面轮廓，以与壁2037相同的方式，所述形状将引导侵入微粒子(例如，抽真空到基座中)返回基座之外。导沟结构2032的底部距基座2001的下表面的高度可以小于距基座2001的下表面的内区域2011的高度。
在一些实施例，基座2001更包括布置在内区域2011和外区域2013之间的周边沟槽结构2012。在一些实施例，周边沟槽结构2012具有环形平面轮廓。图20中的周边沟槽结构2012提供了内区域2011及外区域2013之间的物理划分。在一些实施例，多个定位结构可以设置在内区域2011和周边沟槽结构2012之间。此外，导沟结构2032的一部分可以与周边沟槽结构2012相交。在一些实施例，导沟结构2032的一部分与周边沟槽结构2012邻接。此外，导沟结构2032与周边沟槽结构2012之间有一定距离。定位结构的缓冲边缘2036布置在导沟结构2032及内区域2011之间。在一些实施例，当盖子放置在基座上时，盖子的外区域与外区域2013物理接触。
在一些实施例，周边沟槽结构2012的平面形状可以于基座2001的平面形状不同。在示例性实施例中，基座2001的平面形状可以是四边形，例如正方形或矩形。然而，周边沟槽结构2012的平面形状可以是环形形状，以防止存在尖角。以此方式，减小了粒子被困在周边沟槽结构2012的角落中的可能性。
图21示出了根据本公开的一些实施例的基座的透视图。基座2101包括上表面及与上表面相对的下表面。基座2101的上表面可以包括内区域2111及外区域2113。在一些实施例，内区域2111与外区域2113基本平面。在其他一些实施例中，内区域2111高于外区域2113。基座2101包括多个定位结构。定位结构可以具有椭圆形的平面形状。
各个定位结构包括一双定位件2114、布置在所述双定位件2114之间的支撑件2131、以及围绕支撑件2131的导沟结构2132。所述双定位件2114用于将工件R的一角定位在光罩容器中。所述双定位件2114从基座2101的上表面突出。在一些实施例，定位结构还包括形成在导沟结构2132周围的缓冲边缘2136。在一些实施例，定位结构的缓冲边缘2136低于内区域2111。以这种方式，在定位结构的缓冲边缘2136和内部区域2111之间形成了壁2137。壁2137具有弧形(圆形)的平面轮廓，用于防止微粒污染工件R。壁2137的弧形(圆形)形状将局部气体流动方向引导出基座2101。在一些实施例，定位结构的缓冲边缘2136相对于外区域2113基本共面。在一些实施例，一双定位件2114从缓冲边缘2136突出。在一些实施例，支撑件2131距其基座2101下表面的高度小于定位件2114距其基座2101下表面的高度。在一些实施例，支撑件2131相对于内区域2111基本上平面。在一些实施例，支撑件2131的高度大于内区域2111的高度。但是，支撑件2131从内区域2111突出并不妨碍工件R在基座2101中的稳定性。
导沟结构2132的壁具有环形(圆形)的平面轮廓，其围绕支撑件2131。导沟结构2132具有被壁包围的底部。在一些实施例，导槽结构2132的最靠近内区域2111的部分壁具有弧形(圆形)的平面轮廓，以与壁2137相同的方式，所述形状将引导侵入微粒子(例如，抽真空到基座中)返回基座之外。导沟结构2132的底部距基座2101的下表面的高度可以小于距基座2101的下表面的内区域2111的高度。在一些实施例，基座2101更包括布置在内区域2111及外区域2113之间的周边沟槽结构2112。在一些实施例，周边沟槽结构2112具有环形平面轮廓。
图21中的周边沟槽结构2112提供了内区域2111及外区域2113之间的物理划分。在一些实施例，多个定位结构可以设置在内区域2111及周边沟槽结构2112之间。此外，导沟结构2132的一部分可以与周边沟槽结构2112相交。在一些实施例，导沟结构2132的一部分与周边沟槽结构2112邻接。此外，导沟结构2132及内区域2111之间有一定距离。定位结构的缓冲边缘2136布置在导沟结构2132及内区域2111之间。在一些实施例，当盖子放置在基座上时，盖子的外区域与外区域2113物理接触。
在一些实施例，周边沟槽结构2112的平面形状可以于基座2101的平面形状不同。在示例性实施例中，基座2101的平面形状可以是四边形，例如正方形或矩形。然而，周边沟槽结构2112的平面形状可以是环形形状，以防止存在尖角。以此方式，减小了粒子被困在周边沟槽结构2112的角落中的可能性。
在以上所述实施例中，基座的组件可以彼此互换。在实施例中，最接近于基座中央形成的导槽结构的壁可以被构造成具有弧形(圆形)的平面轮廓，以将微粒子引导出基座。在一些实施例，导沟结构具有环形(圆形)，其中只有支撑件被导沟结构包围。在一些实施例，导沟结构由连续连接的多个弧形壁形成，其中支撑件和一双定位件被导沟结构包围。在一些实施例，导沟结构形成在基座的内部区域内。在一些实施例，导沟结构形成在基座的内区域及外区域之间。在一些实施例，导沟结构与内区域之间具有一定距离，其中在导沟结构与基座的内区域之间设置有缓冲边缘。在其他一些实施例中，导沟结构与周边沟槽结构之间具有一定距离，其中在导沟结构与周边沟槽结构之间设置有缓冲边缘。以与导沟结构相同的方式，实施例中的周边沟槽结构的形状也是可互换的。在一些实施例中，周边沟槽结构遵循基座的形状。在一些实施例，周边沟槽结构的平面形状可以是四边形，例如正方形或矩形。在其他一些实施例中，周边沟槽结构的平面形状可以是多边形形状。在其他实施例中，周边沟槽结构的平面形状可以是环形形状，以防止存在可能导致微粒滞留的尖角。在其他实施例中，周边沟槽结构的平面形状与基座的平面形状相符。在另外的实施例中，周边沟槽结构的部分向着基座的中央凹进。
有鉴于前述揭露内容，本公开的一种用来装载工件的容器，包括：基座，其具有上表面，多个定位件设置在上表面并从上表面突出，所述上表面包括：承载面定义在所述上表面，当收到所述工件时，用來承載所述工件；周边沟槽结构，其具有环形平面轮廓，其中所述周边沟槽结构的底部低于所述承载面；以及第一接面，其中所述承载面、所述周边沟槽结构、以及所述第一接面从所述上表面的中心向边缘依序分布，并且所述第一接面低于所述承载面，且所述周边沟槽结构的底部低于所述第一接面。
在一些实施例中，具有所述环形平面轮廓的所述周边沟槽结构围绕所述承载面。
在一些实施例中，具有所述环形平面轮廓的所述周边沟槽结构围绕所述多个定位件中一双定位件。
在一些实施例中，所述基座更包括：支撑件位于所述多个定位件中一双定位件之间；以及导沟结构环绕所述支撑件。
在一些实施例中，所述导沟结构围绕所述双定位件延伸。
在一些实施例中，所述导沟结构设置在所述承载面与所述周边沟槽结构之间。
在一些实施例中，所述导沟结构设置在所述第一接面和所述承载面之间，并与所述周边沟槽结构相交。
在一些实施例中，所述导沟结构的最接近所述承载面的壁的一部分是弧形的。
本公开的另一种用来装载工件的容器，包括：基，其座具有上表面及相对于所述上表面的下表面，其中所述基座的所述上表面包括：内区域，形成在所述基座的中央部分；以及外区域，围绕所述内区域；定位结构，布置在所述内区域周围，其中所述定位结构包括：一双定位件从所述上表面突出；支撑件，设置在所述双定位件之间；以及导沟结构围绕所述支撑件。
在一些实施例中，所述外区域距所述下表面的高度不大于所述内区域距所述下表面的高度。
在一些实施例中，所述基座的所述上表面更包括：周边沟槽结构设置在所述内区域和所述外区域之间；其中，所述周边沟槽结构的底部距所述基座的所述下表面的高度小于所述外区域距所述下表面的高度及所述内区域距所述下表面的高度。
在一些实施例中，所述导沟结构设置在所述内区域和所述周边沟槽结构之间。
在一些实施例中，所述导沟结构与所述周边沟槽结构相交。
在一些实施例中，所述导沟结构進一步延伸围绕所述双定位件。
在一些实施例中，所述导沟结构周围所述支撑件具有弧形的平面轮廓。
本公开的另一种容器，包括：基座，其具有多个角落；一双定位件，设置在所述多个角落其中一者的周围并从所述基座突出；支撑件，设置在所述双定位件之间；以及导沟结构，设置在所述支撑件周围并具有弧形平面轮廓。
在一些实施例中，所述基座的内区域的高度大于所述基座的外区域的高度。
在一些实施例中，所述双定位件从所述基座的所述外区域突出。
在一些实施例中，所述导沟结构形成在所述基座的所述外区域中。
在一些实施例中，所述的容器更包括缓冲边缘设置在所述导沟结构及所述内区域之间。
最后所应说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照以上较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。

Claims (20)

1.一种用来装载工件的容器，包括：
基座，其具有上表面，多个定位件设置在上表面并从上表面突出，所述上表面包括：
承载面，定义在所述上表面，当收到所述工件时，用來承载所述工件；
周边沟槽结构，其具有环形平面轮廓，其中所述周边沟槽结构的底部低于所述承载面；以及
第一接面，其中所述承载面、所述周边沟槽结构、以及所述第一接面从所述上表面的中心向边缘依序分布，并且所述第一接面低于所述承载面，且所述周边沟槽结构的底部低于所述第一接面。
2.根据权利要求1所述的容器，其特征在于，具有所述环形平面轮廓的所述周边沟槽结构围绕所述承载面。
3.根据权利要求1所述的容器，其特征在于，具有所述环形平面轮廓的所述周边沟槽结构围绕所述多个定位件中一双定位件。
4.根据权利要求1所述的容器，其特征在于，所述基座进一步包括：
支撑件位于所述多个定位件中一双定位件之间；以及
导沟结构环绕所述支撑件。
5.根据权利要求4所述的容器，其特征在于，所述导沟结构围绕所述双定位件延伸。
6.根据权利要求4所述的容器，其特征在于，所述导沟结构设置在所述承载面与所述周边沟槽结构之间。
7.根据权利要求4所述的容器，其特征在于，所述导沟结构设置在所述第一接面及所述承载面之间，并与所述周边沟槽结构相交。
8.根据权利要求4所述的容器，其特征在于，所述导沟结构的最接近所述承载面的壁的一部分是弧形的。
9.一种用来装载工件的容器，包括：
基座，其具有上表面及相对于所述上表面的下表面，其中所述基座的所述上表面包括：
内区域，形成在所述基座的中央部分；以及
外区域，围绕所述内区域；
定位结构，布置在所述内区域周围，其中所述定位结构包括：
一双定位件从所述上表面突出；
支撑件，设置在所述双定位件之间；以及
导沟结构，围绕所述支撑件。
10.根据权利要求9所述的容器，其特征在于，所述外区域距所述下表面的高度不大于所述内区域距所述下表面的高度。
11.根据权利要求9所述的容器，其特征在于，所述基座的所述上表面进一步包括：
周边沟槽结构设置在所述内区域和所述外区域之间；
其中，所述周边沟槽结构的底部距所述基座的所述下表面的高度小于所述外区域距所述下表面的高度及所述内区域距所述下表面的高度。
12.根据权利要求11所述的容器，其特征在于，所述导沟结构设置在所述内区域和所述周边沟槽结构之间。
13.根据权利要求11所述的容器，其特征在于，所述导沟结构与所述周边沟槽结构相交。
14.根据权利要求9所述的容器，其特征在于，所述导沟结构進一步延伸围绕所述双定位件。
15.根据权利要求9所述的容器，其特征在于，所述导沟结构周围所述支撑件具有弧形的平面轮廓。
16.一种容器，包括：
基座，其具有多个角落；
一双定位件，设置在所述多个角落其中一者的周围并从所述基座突出；
支撑件，设置在所述双定位件之间；以及
导沟结构，设置在所述支撑件周围并具有弧形平面轮廓。
17.根据权利要求16所述的容器，其特征在于，所述基座的内区域的高度大于所述基座的外区域的高度。
18.根据权利要求17所述的容器，其特征在于，所述双定位件从所述基座的所述外区域突出。
19.根据权利要求17所述的容器，其特征在于，所述导沟结构形成在所述基座的所述外区域中。
20.根据权利要求19所述的容器，其特征在于，更包括缓冲边缘，设置在所述导沟结构及所述内区域之间。
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