KR102576493B1 - 용기 시스템 - Google Patents

용기 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR102576493B1
KR102576493B1 KR1020210017661A KR20210017661A KR102576493B1 KR 102576493 B1 KR102576493 B1 KR 102576493B1 KR 1020210017661 A KR1020210017661 A KR 1020210017661A KR 20210017661 A KR20210017661 A KR 20210017661A KR 102576493 B1 KR102576493 B1 KR 102576493B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
area
base
workpiece
processing area
cover
Prior art date
Application number
KR1020210017661A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20210119875A (ko
Inventor
밍-치엔 치우
치아-호 추앙
슈-훙 린
이-수안 리
팅-숑 우
Original Assignee
구뎅 프리시젼 인더스트리얼 코포레이션 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 구뎅 프리시젼 인더스트리얼 코포레이션 리미티드 filed Critical 구뎅 프리시젼 인더스트리얼 코포레이션 리미티드
Publication of KR20210119875A publication Critical patent/KR20210119875A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102576493B1 publication Critical patent/KR102576493B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65D—CONTAINERS FOR STORAGE OR TRANSPORT OF ARTICLES OR MATERIALS, e.g. BAGS, BARRELS, BOTTLES, BOXES, CANS, CARTONS, CRATES, DRUMS, JARS, TANKS, HOPPERS, FORWARDING CONTAINERS; ACCESSORIES, CLOSURES, OR FITTINGS THEREFOR; PACKAGING ELEMENTS; PACKAGES
    • B65D25/00—Details of other kinds or types of rigid or semi-rigid containers
    • B65D25/02—Internal fittings
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65D—CONTAINERS FOR STORAGE OR TRANSPORT OF ARTICLES OR MATERIALS, e.g. BAGS, BARRELS, BOTTLES, BOXES, CANS, CARTONS, CRATES, DRUMS, JARS, TANKS, HOPPERS, FORWARDING CONTAINERS; ACCESSORIES, CLOSURES, OR FITTINGS THEREFOR; PACKAGING ELEMENTS; PACKAGES
    • B65D43/00—Lids or covers for rigid or semi-rigid containers
    • B65D43/02—Removable lids or covers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/66—Containers specially adapted for masks, mask blanks or pellicles; Preparation thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67353—Closed carriers specially adapted for a single substrate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B1/00—Layered products having a non-planar shape
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B15/043—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of metal
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65D—CONTAINERS FOR STORAGE OR TRANSPORT OF ARTICLES OR MATERIALS, e.g. BAGS, BARRELS, BOTTLES, BOXES, CANS, CARTONS, CRATES, DRUMS, JARS, TANKS, HOPPERS, FORWARDING CONTAINERS; ACCESSORIES, CLOSURES, OR FITTINGS THEREFOR; PACKAGING ELEMENTS; PACKAGES
    • B65D85/00—Containers, packaging elements or packages, specially adapted for particular articles or materials
    • B65D85/30—Containers, packaging elements or packages, specially adapted for particular articles or materials for articles particularly sensitive to damage by shock or pressure
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/70741—Handling masks outside exposure position, e.g. reticle libraries
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/7075—Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67359—Closed carriers specially adapted for containing masks, reticles or pellicles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67369—Closed carriers characterised by shock absorbing elements, e.g. retainers or cushions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67386—Closed carriers characterised by the construction of the closed carrier
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/728—Hydrophilic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/73—Hydrophobic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2439/00—Containers; Receptacles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Library & Information Science (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Packaging Frangible Articles (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

본 개시는 워크피스를 수용하도록 구성된 내측 베이스를 포함하는 용기 시스템을 개시한다. 상기 내측 베이스는, 워크피스 수용 영역에 대응하는 제1 처리 에어리어, 상기 내측 베이스의 상기 제1 처리 에어리어 둘레에 배치된 제2 처리 에어리어, 및 상기 제1 처리 에어리어와 상기 제2 처리 에어리어 사이의 경계 영역에 배치된 워크피스 지지 포스트를 포함한다.

Description

용기 시스템{CONTAINER SYSTEM}
본 출원은 2020년 3월 24일 출원된 미국 가출원 제62/994,242호의 이익을 청구하며, 이에 의해 상기 가출원은 본 명세서에 참조로 합체되고 본 명세서의 일부를 형성한다.
본 개시는 포토마스크, 레티클(reticle), 및 웨이퍼와 같은 취약한(fragile) 물체들을 저장, 수송, 선적 및 처리하기 위한 용기에 관한 것이며, 특히 극자외선(EUV) 리소그래피 공정용 레티클을 저장, 수송, 선적 및 처리하기 위한 유지 시스템에 관한 것이다.
반도체 산업에 있어서, 워크피스 용기(예컨대, 포토마스크/레티클 리테이너)는 잠재적인 주변의 위험으로부터 높은 수준의 워크피스 보호에 대한 요구를 충족시키기 위해 탑재 하중(payload)의 정밀도 요건이 증대되도록 발전되어 왔다
예컨대, 새로운 세대의 레티클 리테이너에는 종종 레티클을 수용하기 위한 내측 포드(inner pod) 및 상기 내측 포드를 수용하기 위한 외측 포드(outer pod)를 포함하는 이중-포드 구성이 제공된다. 수송 중에, 레티클은 상기 내측 포드 내부에 패킹될 수 있다. 리소그래피 공정을 실행하기 위해, 상기 외측 포드는 그로부터 상기 내측 포드를 회수할 수 있도록 개방될 수 있다. 이어서, 상기 내측 포드는 노광 장치 내부의 지정된 위치에 도달할 시에, 상기 수용된 레티클을 사용하는 후속 노광 공정 전에 개방될 수 있다.
현대의 EUV 리소그래피 공정에서는, 반도체 디바이스의 한계치수[critical dimensions(CD)]의 스케일링이 더 정밀해짐에 따라, EUV 마스크(예컨대, 레티클)의 클린 취급(clean handling)을 위한 요건 역시 더 엄밀해지고 있다. 따라서, 워크피스가 보관/저장되는 환경에 대한 제어 및 상기 섬세한 워크피스에 대한 보관 환경을 세정하기 위한 기술 역시 중요해진다.
본 개시의 열거된 특징들이 상세하게 이해될 수 있도록, 위에서 간략하게 요약한 본 개시를 첨부 도면에 그 일부가 도시되어 있는 실시예를 참조하여 보다 구체적으로 설명한다. 그러나, 첨부 도면은 본 개시의 단지 전형적인 실시예를 예시하는 것에 불과한 것으로, 본 개시의 범위를 제한하는 것으로 고려되어서는 아니 되며, 본 개시에 대해 동등한 효과를 갖는 기타 실시예도 인정될 수 있다는 점을 유념해야 한다.
도 1은 본 개시의 몇몇 실시예에 따른 용기 시스템의 개략적인 단면도이다.
도 2a는 본 개시의 몇몇 실시예에 따른, 소수성 처리하지 않은 표면의 액적의 개략적인 국부적 단면도이다.
도 2b는 본 개시의 몇몇 실시예에 따른 소수성 처리한 표면의 액적의 개략적인 국부적 단면도이다.
도 2c는 본 개시의 일부 실시예에 따른 내측 베이스의 개략적인 평면도이다.
도 2d는 본 개시의 일부 실시예에 따른 내측 커버의 개략도이다.
도 3은 본 개시의 일부 실시예에 따른 용기 시스템의 조립분해 등각도(isometric exploded view)이다.
도 4는 본 개시의 몇몇 실시예에 따른 용기 시스템의 개략적인 단면도이다.
도 5는 본 개시의 몇몇 실시예에 따른 용기 시스템의 개략적인 국부적 단면도이다.
도 6a 및 도 6b는 본 개시의 몇몇 실시예에 따른 용기 시스템의 개략적인 국부적 단면도이다.
도 7은 본 개시의 몇몇 실시예에 따른 용기 시스템의 개략적인 평면도이다.
도 8은 본 개시의 몇몇 실시예에 따른 용기 시스템의 개략적인 평면도이다.
도 9는 본 개시의 몇몇 실시예에 따른 용기 시스템의 개략도이다.
도 10 내지 도 14는 본 개시의 몇몇 실시예에 따른 드레인 홀의 단면 프로파일을 보여주는 도면이다.
하지만, 첨부된 도면은 단지 본 개시의 예시적인 실시예를 도시하는 것으로, 본 개시의 범위를 제한하는 것으로 고려되어서는 안 되며, 본 개시에 대해 동등한 효과를 갖는 기타 실시예도 인정될 수 있다는 점을 유념해야 한다.
상기 도면은 어떤 예시적인 실시예에서 사용된 방법, 구조 및/또는 재료의 일반적인 특성을 설명하고 또한 이하에서 주어진 설명을 보충하고자 하는 것이라는 점을 유념해야 한다. 그러나, 이들 도면은 축척대로 도시되지 아니하였으며, 주어진 임의의 실시예의 정확한 구조나 성능 특성을 정확하게 반영하지 않을 수 있으며, 예시적인 실시예에 의해 포괄되는 가치나 성질의 범위를 한정하거나 또는 제한하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 예컨대, 층, 영역 및/또는 구조적 요소들의 상대적인 두께 및 위치 설정은 명료성을 위해 축소되거나 과장될 수 있다. 다양한 도면에 있어서 유사하거나 동일한 참조 부호의 사용은 유사하거나 또는 동일한 요소 또는 피처(feature)의 존재를 나타내고자 하는 것이다.
본 개시는 본 개시의 예시적 실시예를 나타내고 있는 첨부 도면을 참조하여 더욱 완전하게 설명된다. 그러나, 본 개시는 많은 다양한 형태로 구체화될 수 있으며, 본 명세서에 개시된 예시적인 실시예로 제한되는 것으로 간주되어서는 안 된다. 오히려, 그러한 예시적 실시예는 본 개시가 철저하고 완전해지고 또한 당업자들에게 본 개시의 범위를 완전하게 전달할 수 있도록 제공된다. 유사한 참조 부호는 전체적으로 유사한 요소들을 가리킨다
본 명세서에서 사용된 용어는 오직 특정의 예시적 실시예를 설명하기 위한 것이며, 본 개시를 한정하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같은 단수 표현들("a", "an", "the")은 문맥에서 달리 명시적으로 나타내지 않는다면, 복수의 형태도 포함하고자 한 것이다. 또한, 본 명세서에서 사용될 때 "포함한다" 및/또는 "포함하는" 또는 "구비하다" 및/ 또는 "구비하는" 또는 "갖는다" 및/또는 "갖는"이라는 용어들은 언급한 피처, 영역, 정수, 단계, 작동, 요소 및/또는 구성 요소들의 존재를 기술하는 것이지, 하나 이상의 다른 피처, 영역, 정수, 단계, 작동, 요소, 구성 요소, 및/또는 그 그룹의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다는 점을 이해해야 한다.
달리 정의하지 않은 한, 본 명세서에 사용된(기술적 및 과학적 용어를 포함하는) 모든 용어는 본 개시가 속하는 기술분야의 당업자들에 의해 공통적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에 정의된 바와 같은 용어는 관련 기술 및 본 개시의 맥락에서의 그 의미와 일관된 의미를 갖는 것 으로서 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명시적으로 규정되지 않는 한 이상적이거나 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 말아야 한다는 것을 이해해야 한다.
상세한 설명은 첨부된 도 1 내지 도 14의 도면과 관련한 예시적인 실시예로 이루어진다. 본 개시를 상세히 설명하기 위하여 도면을 참조하며, 도시한 요소들은 반드시 축척대로 도시하지 않았으며, 동일 또는 유사한 요소들은 다수의 도면에 걸쳐 동일 또는 유사한 참조 부호와 동일 또는 유사한 기술 용어들로 나타낸다.
도 1은 본 개시의 몇몇 실시예에 따른 용기 시스템의 개략적인 단면도이다. 도시의 간략화와 명료화를 위해, 예시적 디바이스의 일부 상세/하위 요소들은 본 도면에서 명시적으로 참조 부호를 부여하거나 도시하지는 않는다. 도시한 프레임(E1)은 도 1의 프레임(E2) 내에 봉해진 본 개시의 몇몇 실시예에 따른 용기 시스템의 일부의 확대 등각도를 나타낸다.
도 1을 참조하면, 예시적인 용기 시스템(100)은 외측 포드(110) 및 외측 포드(110)에 의해 수용되도록 구성된 내측 포드(120)를 포함한다. 내측 포드(120)는 워크피스(예컨대, 레티클)를 수용하도록 구성된다. 도시된 실시예에서, 내측 포드(120)는 기하학적 중심 영역에 워크피스 수용 영역(122a)을 획정하는 제1 베이스[예컨대, 내측 베이스(122)]를 포함한다. 워크피스 수용 영역(122a)은 주변 영역(122b)에 의해 둘러싸여 있다. 내측 포드(120)는, 워크피스[예컨대, 레티클(R1)]를 수용하도록 봉입(enclosure)시에 서로 협력하여 내부 용적을 형성하기 위하여, 내측 베이스(122)의 주변 영역(122b)과 맞물림을 구축하도록 구성된 제1 커버[예컨대, 내측 커버(121)]를 더 포함한다.
민감하고 취약한 내용물을 철저히 보호하기 위하여, 몇몇 실시예에 있어서, 내측 커버(121) 및 내측 베이스(122)에는 전자기 방해(EMI) 차폐 성질이 제공될 수 있다. EMI 차폐 능력을 제공하기에 적당한 재료는 금속과 같은 전도성 재료를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 내측 베이스 및 상기 내측 커버는 실질상 금속으로 제조된다. 몇몇 실시예에 있어서, 내측 포드(120)의 표면 위에 금속 코팅(예컨대, 구리 또는 금)이 마련될 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 내측 커버(121) 및 내측 베이스(122) 모두 알루미늄과 같은 금속 재료로 제조된다.
도 1에 도시한 바와 같이, 예시적인 외측 포드(110)는 내측 포드(120)를 수납하도록 구성된다. 도시된 실시예에서, 외측 포드(110)는 내측 베이스(122)를 수용하도록 구성된 제2 베이스[예컨대, 외측 베이스(112)] 및 외측 베이스(112)와 맞물리도록[그리고 내측 포드(120)를 커버하도록] 구성된 제2 커버[예컨대, 외측 커버(111)]를 포함한다. 몇몇 실시예에 있어서, 외측 베이스(112) 및 외측 커버(111) 중 어느 하나 또는 양쪽 모두에는 정전하 소산 성질(static charge dissipation property)이 제공될 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 외측 포드(110)는 전도성 섬유와 혼합된 폴리머 재료로 제조될 수 있다. 예컨대, 몇몇 실시예에 있어서, 외측 커버(111) 및 외측 베이스(112) 중 어느 하나 또는 양쪽 모두는 탄소 섬유가 매립된 수지 재료로 제조된다.
몇몇 실시예에 있어서, 내측 커버(121)는 내측 베이스(122)의 주변 영역(122b)과 밀봉 맞물림을 구축하도록 구성된다. 몇몇 실시예에 있어서, 내측 커버(121)는 외측 베이스(112) 및 외측 커버(111) 사이의 폐쇄시에 외측 커버(111)로부터의 압력을 통해 내측 베이스(122)와 압압 맞물림을 구축하도록 구성될 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 내측 커버(121) 및 내측 베이스(122) 사이의 압압 맞물림은 실질상 평탄한 금속 대 금속 계면을 통해 형성될 수 있다. 일반적으로, 상기 압압 맞물림은 상기 내측 포드(122)의 상부 부재와 하부 부재 간의 접촉 계면을 통해 먼지와 습기가 상기 내부 용적 내로 진입하는 것을 방지하는 밀봉 인클로저(sealing enclosure)를 형성한다. 몇몇 실시예에 있어서, 내측 커버(121) 및 내측 베이스(122) 중 어느 하나 또는 양쪽 모두에는 해당 맞물림 계면 영역에 추가의 밀봉 요소(예컨대, 밀봉 개스킷 또는 O-링)가 제공되어, 주위 오염을 차단하는 능력을 더욱 향상시킬 수 있다.
몇몇 실시예에 있어서, 내측 포드(120)에는 워크피스[예컨대, 레티클(R1)]를 수용하기 위한 내측 베이스(122)의 상단면에 배치된 지지 요소[예컨대, 워크피스 지지 포스트(124)]가 마련될 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 워크피스를 압압/유지하기 위해 내측 커버(121)의 상단면에 압압 유닛[예컨대, 홀드 다운 핀(hold down pin)(141)]이 마련될 수 있다.
몇몇 실시예에 있어서, 외측 포드(110)는 외측 베이스(112) 상에 배치되고 내측 포드(120)를 지지하도록 구성된 지지 구조(190)를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 외측 베이스(112) 및 지지 구조(190)는 단일편으로 일체 형성된다. 몇몇 실시예에 있어서, 지지 구조(190)는 외측 베이스(112)의 상단면에 장착된다. 도시한 외측 포드(110)에는 내측 포드(120)의 홀드 다운 핀(141)에 대응하여 배치된 푸싱 요소(pushing element)(171)가 더 마련된다. 몇몇 실시예에 있어서, 외측 커버(111) 및 푸싱 요소(171)는 하나의 구조적 유닛으로서 일체 형성된다. 몇몇 실시예에 있어서, 푸싱 요소(171)는 내측 커버(121)에 대향하는 외측 커버(111)의 표면에 장착된다. 외측 커버(111)가 외측 베이스(112)에 연결되면, 푸싱 요소(171)가 홀드 다운 핀(141)을 밀어 워크피스(R1)를 압압/유지함으로써, 수용시 워크피스의 이동을 구속한다.
몇몇 실시예에 있어서, 푸싱 요소(171) 및 홀드 다운 핀(141)에는 전하 소산 성질이 추가로 제공된다. 따라서, 외측 커버(111)가 외측 베이스(112)에 연결되면, 푸싱 요소(171)가 홀드 다운 핀(141)을 밀어 워크피스(R1)를 압압하고, 수용된 워크피스(R1)로부터, 홀드 다운 핀(141) 및 푸싱 요소(171)를 통해, 외측 커버(111)까지의 전하 소산 경로(도면에서 음영 화살표로 나타냄)를 구축한다. 몇몇 동작 시나리오에서, 외측 커버(111)는 수용된 워크피스(R) 상에 축적된 전하가 상기 전하 소산 경로를 통해 접지까지 소산될 수 있도록 하기 위하여, 접지될 수 있다. 홀드 다운 핀(141)용 재료는 전도성 또는 정전 소산성 재료를 포함할 수 있고, 이에 의해 홀드 다운 핀(141)을 상기 방전 소산 경로의 일부로 하여 그를 통한 접지를 가능하게 한다. 몇몇 실시예에 있어서, 홀드 다운 핀(141) 및 푸싱 요소(171)에는 약 106 내지 1011Ω 범위의 표면 저항치가 제공된다. 몇몇 실시예에 있어서, 홀드 다운 핀(141) 및 푸싱 요소(171)에는 약 105Ω 미만의 표면 저항치가 제공된다.
몇몇 실시예에 있어서, 내측 포드(120)의 워크피스 지지 포스트(124) 및 외측 포드(110)의 지지 구조(190)에는 추가로 전하 소산 성질이 제공된다. 예컨대, 워크피스 지지 포스트(124) 및 지지 구조(190)에는 전하 소산 표면 코팅이 마련될 수 있다. 따라서, 외측 커버(111)가 외측 베이스(112)에 연결되면[따라서, 내측 베이스(122) 상의 워크피스 지지 포스트(124)가 워크피스(R1)와 접촉을 구축하면], 상기 수용된 워크피스(R)로부터, 지지 요소(124), 내측 베이스(122) 및 지지 구조(190)를 통해, 외측 베이스(112)에 이르는 전하 소산 경로(본 도면에서 음영 화살표로 나타냄)가 형성될 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 외측 베이스(112)는 접지되어, 상기 수용된 워크피스(R1) 상에 축적된 전하를 (상기 전하 소산 경로를 통해 상기 접지까지) 소산시킬 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 내측 포드(120)의 재료는 전도성 또는 정전 소산성 재료를 포함할 수 있고, 이에 의해 내측 포드(120)를 상기 방전 소산 경로의 일부로 하여 그를 통한 접지를 가능하게 한다. 몇몇 실시예에 있어서, 워크피스 지지 포스트(124) 및 지지 구조(190)는 약 106 내지 1011Ω 범위의 표면 저항치를 갖는다. 몇몇 실시예에 있어서, 워크피스 지지 포스트(124) 및 지지 구조(190)는 약 105Ω 미만의 표면 저항치를 갖는다.
도 1에 도시한 바와 같이, 예시적인 시스템은 내측 베이스(122)의 워크피스 수용 영역(122a)에 획정된 제1 관찰가능 구역(Z11)을 구비함으로써, 레티클(R1)의 관찰을 가능하게 한다. 몇몇 실시예에 있어서, 제1 관찰가능 구역(Z11)에는 신호 투과형 구조를 포함하는 윈도우(예컨대, 개구 또는 신호 투과형 부재)가 마련될 수 있다. 예컨대, 예시적인 내측 베이스(122)는 제1 관찰가능 구역(Z11) 내에 배치된 내측 광학 부재(1221)를 포함한다. 몇몇 실시예에 있어서, 내측 광학 부재(1221)는 적외선, 가시광선, 또는 자외선에 대한 신호 투과형 재료로 제조될 수 있다. 내측 광학 부재(1221)의 적합한 재료로서 유리(예컨대, 석영 유리), 아크릴, 투명 플라스틱, 또는 기타 필적하는 재료들을 포함할 수 있다. 도시한 실시예에 있어서, 내측 광학 부재(1221)는 내측 베이스(122)[워크피스 수용 영역(122a)]에 매설 배치된 석영 유리 편을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 제1 관찰가능 구역(Z11)은 레티클(R1)의 수용 시에 레티클(R1)의 식별 피처(identification feature)(예컨대, 1-D 또는 2-D 바코드)를 관찰할 수 있도록 대응하게 설계된다(개략적 도시에서는 명시적으로 도시하지 않음). 몇몇 실시예에 있어서, 레티클(R1)의 제1 식별 피처는 제1 관찰가능 구역(Z11) 내에서의 윈도우를 향한 표면에 형성된다.
외측 베이스(112)는 그 위에 획정된 제2 관찰가능 구역(Z12)을 갖는다. 제2 관찰가능 구역(Z12)은 내측 포드(120)의 제1 관찰가능 구역(Z11)에 관찰가능하게 정렬되도록 배치된다. 따라서, 상기 워크피스 용기를 개방할 필요 없이, 용기 시스템(100)에 유지되는 레티클(R1)의 [레티클(R1) 및 제1 식별 피처의 상태 등에 대한] 신속한 시각적 식별 또는 광학적 확인이 제1 관찰가능 구역(Z11) 및 제2 관찰가능 구역(Z12)을 통한 광학적 스캐닝에 의해 달성될 수 있다. 따라서, 포드 개방 빈도가 반도체 제조 공정 중에 감소될 수 있으며, 이는 또한 민감성 정밀 워크피스가 잠재적으로 위험한 주변 요인에 노출되는 것을 최소화시킨다.
도시된 실시예에서, 외측 베이스(112)는 내측 베이스(122)를 지지하도록 구성된 상측 데크(upper deck)(112a) 및 상측 데크(112a)와 반대쪽의 하측 데크(lower deck)(112b)를 포함하는 중공체를 구비한다. 몇몇 실시예에 있어서, 예시적인 상측 데크(112a) 및 하측 데크(112b) 양측에는 실질상 수평한 플레이트의 구조가 구비될 수 있다. 예시적인 하측 데크(112b)는 상측 데크(112a)를 밀봉하도록 구성된다. 몇몇 실시예에 있어서, 하측 데크(112b) 및 상측 데크(112a)는 일체 형성된다. 예시적인 제2 관찰가능 구역(Z12)에는 상측 및 하측 데크(112a, 112b) 내에 각각 마련된 두 개의 중첩되는 신호 투과형 구조[예컨대, 외측 광학 부재(1121)]를 포함하는 윈도우가 마련된다.
몇몇 실시예에 있어서, 상측 데크(112a) 및/또는 하측 데크(112b)에 매립된 외측 광학 부재(1121)는 적외선, 가시광선 또는 자외선에 대해 신호 투과형 재료로 제조될 수 있다. 외측 광학 부재(1121)의 적합한 재료로서 유리(예컨대, 석영 유리), 아크릴, 투명 플라스틱, 또는 기타 필적하는 재료들을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 외측 광학 부재(1121)의 투과율 값은 상기한 스펙트럼 범위 중 하나 이상에서 광신호와 관련하여 80%보다 크다. 특정 적용 요건에 따라, 일부 실시예에 있어서, 상기 광학 부재(예컨대, 외측 광학 부재 및/또는 내측 광학 부재)는 오목/볼록 표면을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에 있어서, 내측 광학 부재(1221)는 600 ㎚ 내지 950 ㎚ 범위의 파장에 대해 외측 광학 부재(1121)보다 작은 반사율 값을 갖는다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 광학 부재의 대응하는 파장 범위는 약 630 ㎚ 내지 930 ㎚ 범위 내에 있을 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기한 파장 범위에 대한 외측 광학 부재(1121)의 반사율 값은 15% 미만일 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기한 파장 범위에 대한 내측 광학 부재(1221)의 반사율 값은 0.5% 미만일 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 내측 광학 부재(1221)에는 반사 방지 코팅이 추가로 제공될 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 내측 광학 부재(1221)에는 EMI 차폐 성질을 갖는 층이 추가로 제공될 수 있다.
몇몇 실시예에 있어서, 내측 광학 부재(1221)는 제1 관찰가능 구역(Z11) 내에 밀봉 방식으로 설치될 수 있다. 예컨대, 내측 광학 부재(1221)의 구성은 광학적으로 투과형인 부재 둘레에 밀봉 부재(예컨대, O-링)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 내측 광학 부재(1221)의 구성은 상기 광학 부재와 상기 내측 베이스 사이의 구조적 계면을 통해 먼지와 습기가 상기 내부 용적 내로 진입하는 것을 충분히 방지할 수 있는 밀봉 인클로저를 제공한다. 몇몇 실시예에 있어서, 내측 광학 부재(1221)는 기밀(airtight) 수준의 밀봉을 달성하도록 구성될 수 있다.
내진(dust-resisting) 및/또는 방진(dust-proofing) 요건이 엄격한 몇몇 실시예에 있어서, 외측 베이스(112)의 제2 관찰가능 구역(Z12) 내의 외측 광학 부재(1121)에는 유사한 밀봉 기구가 제공될 수 있다. 그러나, 내측 밀봉만으로 충분한 용례의 경우, 외측 광학 부재(1121)는 구조적 복잡성, 중량 및 비용에 대한 염려를 감소시키기 위해 밀봉 기구를 사용하지 않고 구성될 수 있다.
몇몇 시나리오에 있어서, 상기 워크피스[예컨대, 레티클(R1)] 상의 잔류 화학 용액으로부터 방출된 휘발성 가스가 워크피스[예컨대, 레티클(R1)]에 악영향을 끼칠 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 이러한 악영향을 완화시키기 위하여 상기 내측 포드[예컨대, 내측 포드(120)] 내로 클린 가스가 퍼지될 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 내측 포드[예컨대, 내측 포드(120)]는 상기 퍼지된 가스의 세정성(cleanliness)을 유지하기 위하여 필터 모듈[예컨대, 필터 모듈(123)]이 추가로 제공될 수 있다. 예컨대, 내측 커버(121)는, 복수의 관통홀(123b)이 형성된 필터 커버(123a)와, 필터 커버(123a) 및 내측 커버(121) 사이에 협지된 필터 시트(123c)를 포함하는 필터 모듈(123)을 포함한다. 도시된 실시예에서, 내측 커버(121)의 기하학적 중심 영역에는 필터 커버(123a)를 수용하기 위한 리세스 피처와, 내측 커버(121)를 관통하여 배치된 복수 개의 홀(123e)이 형성되어 있다. 필터 커버(123a)는, 내측 커버(121) 상에 [예컨대, 패스너(123f)에 의해] 장착되어 내측 커버(121)를 관통하여 배치된 홀(123e)을 필터 커버(123a)의 관통홀(123b)과 정렬시키도록 구성되어 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 필터 모듈(123)에는 필터 커버(123a) 및 내측 커버(121) 사이에서의 밀봉 맞물림을 강화하기 위하여 밀봉 부재[예컨대, 링(123g)]이 추가로 마련될 수 있다. 예컨대, 필터 모듈(123)은, 필터 커버(123a)의 주변과 내측 커버(121)[예컨대, 상기 리세스 피처(123d)의 상단면] 사이에 배치된 밀봉 링(123g)을 더 포함한다. 몇몇 실시예에 있어서, 필터 커버(123a)의 상기 주변에는 밀봉 링(123g)을 수용하기 위한 하향 환형 홈이 형성될 수 있다.
상기 용기를 세척/세정한 후에, 잔류수가 외측 베이스(112)의 상기 중공체 내에 잔류할 수 있다. 상기 잔류수가 상기 중공체로부터 유출될 수 있도록 하기 위하여, 몇몇 실시예에 있어서, 외측 베이스[예컨대, 외측 베이스(112)]에 드레인 홀이 마련된다. 예컨대, 외측 베이스(112)의 예시적인 하측 데크(112b)에는 복수 개의 드레인 홀(112c)이 마련된다. 하측 데크(112b) 내의 드레인 홀(112c)은 상기 잔류수가 상기 중공체로부터 유출될 수 있도록 하여, 상기 외측 포드 베이스 내에서의 잔류수의 양을 감소시키고, 이는 외측 포드(110)의 베이킹 시간을 단축시킬 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 외측 베이스[예컨대, 상측 데크(112a)]의 상면에는, 외측 포드 베이스 및 뚜껑 사이의 밀봉 맞물림을 유지하기 위하여, 드레인 홀이 없다.
몇몇 시나리오에 있어서, 상기 용기 시스템이 세정(예컨대, 세척)된 후에, 그 표면에 잔류수가 있을 수 있다. 이러한 잔류수는 오물(dirt)을 끌어당겨 상기 워크피스(예컨대, EUV 레티클)의 오염 가능성을 높일 수 있다. 상기 내측 포드의 표면 특성을 변화시킴으로써, 상기 내측 포드는 세정 후에 보다 쉽게 건조될 수 있다. 따라서, 세정 공정 후의 베이킹/건조 시간이 단축될 수 있다. 또한, 상기 내측 포드[예컨대, 내측 포드(120)]의 표면 처리(예컨대, 소수성 처리)는 미세한 먼지의 부착을 감소시킬 수 있고, 이들을 보다 쉽게 세척할 수 있도록 하여, 상기 내측 포드의 방진 능력을 증대시킬 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 표면 특성의 상기 개질은 알카리계 용액(예컨대, 탄산칼륨 및 수산화나트륨)의 침지, 불소함유 코팅의 분무 또는 증발, 전기도금 또는 무전해 도금, 또는 표면 거칠기를 바꾸는 레이저 어블레이션에 의해 수행될 수 있고, 이에 의해 상기 처리된 표면의 친수성 및 소수성을 개질시킨다.
도 2a 및 도 2b는 본 개시의 몇몇 실시예에 따라, 소수성 처리하지 않은(또는 친수성 처리를 한) 내측 포드의 표면(S1) 상의 액적(d) 및 내측 포드의 소수성 처리된 표면(S2) 상의 액적(d)의 개략적인 국부적 단면도이다. 도시된 실시예에서, 도 2a에 도시한 젖음 각도(a1)(예컨대, 50도 미만)는 도 2b에 도시한 젖음 각도(a2)(예컨대, 50도 보다 크다)보다 작다. 소수성 처리된 표면(예컨대, S2) 상의 액적에 대해 큰 젖음 각도(예컨대, 상기 액체의 표면과 접촉 표면의 윤곽 사이의 각도)가 관찰될 수 있다. 상기 잔류 액적의 이러한 큰 젖음 각도는 상기 내측 포드[예컨대, 내측 포드(120)]의 베이킹 시간을 단축하는 데에 도움이 될 수 있다.
또한, 상기 내측 포드[예컨대, 내측 포드(120)]는 친수성 및 소수성의 상이한 표면 처리가 적용될 수 있는 상이한 영역들로 나뉘어질 수 있다. 이러한 구성은 주변 상태의 변환에 의해 야기된 물의 응축으로 인한 수용 워크피스(예컨대, 레티클)의 오염을 방지할 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 내측 커버[예컨대, 내측 커버(121)] 및 상기 내측 베이스[예컨대, 내측 베이스(122)] 중 하나 또는 양자는 전체적으로 표면 처리될 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 내측 커버[예컨대, 내측 커버(121)] 및 상기 내측 베이스[예컨대, 내측 베이스(122)] 중 하나 또는 양자는 부분적으로/선택적으로 표면 처리될 수 있다. 예컨대, 상기 내측 커버의 내측 표면[예컨대, 상기 내측 포드의 밀폐시 내측 커버(121)의 내측으로 노출된 표면]과 상기 내측 베이스[예컨대, 상기 내측 포드의 밀폐시 내측 베이스(122)의 내측으로 노출된 표면]는 친수성 처리(예컨대, 수용된 레티클의 통상의 투영에 대응하는 영역에서)를 받을 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 내측 커버 및 상기 내측 베이스 사이의 계면이 소수성 처리될 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 내측 베이스/내측 커버의 잔여 에어리어(예컨대, 외향/외측 표면)가 소수성 처리될 수 있다.
도 2c는 본 개시의 몇몇 실시예에 따른 내측 베이스의 평면도이다. 도 2d는 본 개시의 몇몇 실시예에 따른 내측 커버의 저면도이다. 도시의 간략화와 명료화를 위해, 예시적 디바이스의 일부 상세/하위 요소들은 본 도면에서 명시적으로 참조 부호를 부여하거나 도시하지 않는다.
도 2c를 참조하면, 예시적인 내측 베이스(222)는 워크피스 수용 영역(222a)에 대응하는 제1 처리 에어리어를 포함한다. 예컨대, 상기 제1 처리 에어리어를 나타내는 음영 영역(A21)은 예시적인 워크피스 수용 영역(222a)의 것과 실질상 같은 표면적을 갖고 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 제1 처리 에어리어는 친수성 처리 에어리어를 포함한다. 주변 상태 변화(예컨대, 장비 고장)로 인한 물의 응축이 발생하면, 워크피스 수용 영역(222a)(예컨대, 수용된 레티클의 통상의 투영 아래의 내측 중심 영역) 내에서 발생한 물의 액적은 더 작은 젖음 각도(이는 전체적으로 더 낮은 액적 높이로 해석된다)를 가질 수 있어, 저장된 레티클과의 접촉 가능성을 감소시킬 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 제1 처리 에어리어[예컨대, 음영 영역(A21)]는 워크피스 수용 영역(222a)보다 더 작게 또는 더 크게 배치될 수 있다.
몇몇 실시예에 있어서, 상기 내측 베이스[예컨대, 내측 베이스(222)]의 [예컨대, 주변 에어리어(222b)에서의] 내표면은 제2 표면 처리에 의해 추가 처리된다. 예컨대, 내측 베이스(222)는 상기 내측 베이스의 제1 처리 에어리어(A21) 둘레에 배치된 제2 처리 에어리어(222b)(예컨대, 상기 주변 에어리어)를 포함한다. 몇몇 실시예에 있어서, 제2 처리 에어리어(A22)는 소수성 처리 에어리어를 포함한다. 상기 소수성 처리 부분이 마련된 내측 베이스(222)는 세정 후에 좀 더 쉽게 건조될 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 내측 베이스의 외표면[예컨대, 내측 베이스(222)의 외표면]은 소수성 처리로 추가 처리될 수 있다.
도시된 실시예에서, 내측 베이스(222)의 워크피스 수용 영역(222a)은 대체로 그 기하학적 중심 영역에 배치되고, 또한 환상의 리세스(222c)에 의해 둘러싸인다. 예시적인 제2 처리 에어리어(A22)는 환상의 리세스(222c)를 완전히 에워싸도록 배치된다. 상기 제1 표면 처리를 받는 워크피스 수용 영역(222a)에는 실질상 평탄한 표면이 마련될 수 있다.
내측 베이스(222)에는 상기 워크피스의 횡방향 움직임을 제한하도록 구성된 워크피스 지지 포스트(224)가 추가로 마련될 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 워크피스 지지 포스트(224)는 제1 처리 에어리어(222a) 및 제2 처리 에어리어(222b) 사이의 경계 영역[예컨대, 환상의 리세스(222c)]에 배치된다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 경계 영역은, 환상의 리세스(222c) 및 워크피스 수용 영역(222a) 사이의 경계[예컨대, 도 2c에 도시한 음영 영역(A21)의 윤곽]에 의해 획정될 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 제2 처리는 환상의 리세스(222c)에서 추가로 적용된다. 몇몇 실시예에 있어서, 내측 베이스(222) 및 워크피스 지지 포스트(224) 사이의 영역(예컨대, 상기 포스트가 장착된 내측 베이스의 영역)은 소수성 처리되지 않는다.
도 2d를 참조하면, 예시적인 내측 커버(221)는 상기 내측 베이스[예컨대, 내측 베이스(222)]와 정합하도록 구성된다. 내측 커버(221)는 상기 내측 베이스의 상기 워크피스 수용 영역[예컨대, 워크피스 수용 영역(222a)]에 대응하는 제1 처리 에어리어(221a)를 포함한다. 몇몇 실시예에 있어서, 제1 처리 에어리어(221a)는 친수성 처리 에어리어를 포함한다. 도시된 실시예에서, 상기 제1 처리 에어리어는 (상기 내측 커버의 기하학적 중심 영역에 배치된 것으로 도시된) 필터 모듈(223)을 피하고 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 제1 처리 에어리어는 필터 모듈(223)을 피하는 친수성 처리 에어리어를 포함한다. 몇몇 실시예에 있어서, 필터 모듈(223)은 표면 처리될 수 있다(예컨대, 소수성 표면 처리). 예컨대, 상기 필터 커버[예컨대, 도 1에 도시한 필터 커버(123a)]은 전체적으로 또는 부분적으로 표면 처리되어 소수성이 되도록 할 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 내측 커버(221)는 내측 커버(221)의 제1 처리 에어리어(221a) 둘레에 배치된 제2 처리 에어리어(221b)를 더 포함한다. 몇몇 실시예에 있어서, 제2 처리 에어리어는 소수성 처리 에어리어를 포함한다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 내측 커버의 외측 표면[예컨대, 내측 커버(221)의 외표면]은 소수성 처리로 추가 처리될 수 있다.
몇몇 실시예에 있어서, 상기 내측 커버에는 상기 내측 커버의 상기 제2 처리 에어리어 내에 배치된 홀드 다운 핀(241)이 추가로 마련된다[예컨대, 홀드 다운 핀(241)은 내측 커버(221)의 상단면에 배치된다]. 몇몇 실시예에 있어서, 홀드 다운 핀(241) 자체가 상기 제2 처리로 처리될 수 있다.
몇몇 실시예에 있어서, 내측 베이스(222) 및 내측 커버(221)는 실질상 금속으로 제조된다. 또한, 상기 소수성 처리 에어리어의 표면 저항치는 약 1011Ω 미만이다. 예컨대, 상기 내측 포드 위의 상기 소수성 코팅은 정전하 소산 능력을 유지하기 위하여 1 ㎛ 미만으로 유지된다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 소수성 처리 에어리어 위의 친수성 층은 약 1 ㎛ 미만의 두께를 갖고 있다. 상기 필터 커버 상의 상기 소수성 코팅의 두께가 1 ㎛ 미만인 경우, 코팅이 상기 필터 커버의 정전기 전도도에 미치는 영향을 받아들일 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 필터 커버[예컨대, 필터 커버(123a)]가 불소 함유 코팅으로 소수성 처리되면, 상기 필터 커버의 소수성 코팅의 두께는 약 5 ㎛ 내지 60 ㎛일 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 내측 베이스의 상기 지지 포스트에는 전하 소산 성질이 제공된다.
도 3은 본 개시의 몇몇 실시예에 따른 용기 시스템의 조립분해 등각도이다. 도시의 간략화와 명료화를 위해, 예시적 디바이스의 일부 상세/하위 요소들은 본 도면에서 명시적으로 참조 부호를 부여하지 않는다.
예시적인 용기 시스템(300)은 외측 포드(310) 및 그 내부에 배치되도록 구성된 내측 포드(320)를 포함한다. 내측 포드(320)는 워크피스(예컨대, 레티클)를 수용하도록 구성된다. 내측 포드(320)는 내측 베이스(322) 및 내측 커버(321)를 포함한다. 내측 베이스(322)는 주변 영역(322b)에 의해 둘러싸인 워크피스 수용 영역(322a)을 획정한다. 내측 커버(321)는 워크피스[예컨대, 레티클(R3)]를 수용하도록 폐쇄 시에 서로 협력하여 내부 용적을 획정하도록, 내측 베이스(322)의 주변 영역(322b)과 맞물림을 구축하도록 구성된다.
외측 포드(310)는 내측 포드(320)를 수납하도록 구성된다. 도시된 실시예에 있어서, 외측 포드(310)는 내측 베이스(322)를 수용하도록 구성된 외측 베이스(312), 및 외측 베이스(312)와 맞물리고 내측 포드(320)를 커버하도록 구성된 외측 커버(311)를 포함한다.
몇몇 실시예에 있어서, 내측 커버(321)는, 내측 베이스(322)의 주변 영역(322b)과 밀봉 맞물림을 구축하도록 구성될 수 있다. 예컨대, 내측 커버(321)는 외측 베이스(312)와 외측 커버(311) 간의 맞물림 시에 외측 커버(311)에 의해 압박되도록 구성될 수 있다.
몇몇 실시예에 있어서, 내측 커버(321) 및 내측 베이스(322)에는 전자기 방해(EMI) 차폐 성질이 제공될 수 있고, 이에 의해 상기 워크피스[예컨대, 레티클(R3)]에 대한 악영향을 감소시킬 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 내측 커버(321)와 내측 베이스(322)의 적절한 재료 및 구성은 이전 실시예에서 설명한 바와 필적할 수 있다. 도시된 실시예에서, 내측 커버(321)와 내측 베이스(322)는 모두 예컨대 컴퓨터 수치 제어(CNC) 가공 기법을 이용하여 알루미늄으로 제조된다.
예시적인 내측 포드(320)에는 필터 모듈(323)이 마련되고, 워크피스[예컨대, 레티클(R3)]를 수용하기 위해 내측 베이스(322)의 상단면에 배치된 네 개의 워크피스 지지 포스트(예컨대, 324) 및 상기 워크피스[예컨대, 레티클(R3)]를 압압/유지하기 위해 내측 커버(321)의 상단면에 배치된 네 개의 압압 유닛(340)[각각 홀드 다운 핀(341)을 포함한다]을 더 포함한다.
예시적인 외측 포드(310)는, 외측 베이스(312) 상에 배치된 세 개의 지지 구조(390) 및 내측 포드(320)의 네 개의 홀드 다운 핀(341)에 대응하여 위치된 네 개의 푸싱 요소(371)를 포함한다. 외측 커버(311)가 외측 베이스(312)에 연결되면, 네 개의 푸싱 요소(371)가 홀드 다운 핀(341)을 밀어 워크피스(R3)의 네 개의 코너를 압압/유지한다. 본 도면에 도시한 바와 같이, 제1 관찰가능 구역(Z31)이 내측 베이스(322)의 워크피스 수용 영역(322a)에 획정되어, 레티클(R3)을 관찰할 수 있도록 한다. 도시된 실시예에서, 내측 베이스(322)는 제1 관찰가능 구역(Z31)에 매립된 두 개의 내측 광학 부재(3221, 3222)를 포함한다.
도시된 실시예에서, 내측 베이스(322)는 그 저부측에 제3 식별 피처(I3)를 포함한다. 몇몇 실시예에 있어서, 제3 식별 피처(I3)는 빠른 응답 코드(QR code)와 같은 2차원 바코드를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 제3 식별 피처(I3)는 외측 포드(310)에 대한 내측 포드(320)의 배향을 나타내기 위한 시각적 그래픽 피처일 수 있다. 예컨대, 제3 식별 피처(I3)는 비대칭 패턴을 포함할 수 있다.
외측 베이스(312)에는 상기 내측 포드(310)의 수용 시에 내측 포드(320)의 제1 관찰가능 구역(Z31)에 대해 관찰가능하게 정렬되는 제2 관찰가능 구역(Z32)이 획정된다. 따라서, 상기 용기 시스템(300)에 유지되는 레티클(R3)의 정보[레티클(R3) 및 그 제1 식별 피처(I1)의 상태 또는 스테이터스 등]에 대한 확인이 제2 관찰가능 구역(Z32) 및 제1 관찰가능 구역(Z31)을 통한 광학적 스캐닝에 의해 간단히 달성될 수 있으며, 따라서 외측 포드(310)를 개방해야만 하는 횟수가 감소된다. 내측 포드(320)의 배향을 식별하기 위해 외측 광학 부재(3121)를 통해 내측 포드(320)의 제3 식별 피처(I3)를 스캐닝하도록 스캐너(S)(도 4에 도시)가 제공될 수 있다. 후속하여, 상기 배향을 미세하게 튜닝하기 위하여 조정이 이루어질 수 있다.
도시된 실시예에서, 외측 베이스(312)는 제2 관찰가능 구역(Z32)에 매립된 외측 광학 부재(3121)를 갖는다. 몇몇 실시예에 있어서, 외측 광학 부재(3121)는 적외선, 가시광선, 또는 자외선에 대한 광학적 투과형 재료로 제조될 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 외측 광학 부재(3121)의 투과율 값은 80%보다 크다. 외측 광학 부재(3121)의 적합한 재료는 전술한 실시예에서 설명한 외측 광학 부재의 재료와 필적하는 것일 수 있다.
몇몇 실시예에 있어서, 내측 광학 부재(3221)(및/또는 3222)는 600 ㎚ 내지 950 ㎚ 범위의 파장에 대해 외측 광학 부재(3121)보다 낮은 반사율 값을 갖는다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 광학 부재에 대한 대응하는 파장 범위는 약 630 ㎚ 내지 930 ㎚ 범위 내에 있을 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 대응하는 파장 범위에 대한 외측 광학 부재(3121)의 반사율 값은 약 15% 미만일 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 대응하는 파장 범위에 대한 내측 광학 부재(3221)의 반사율 값은 약 0.5% 미만일 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 내측 광학 부재(3221)(및/또는 3222)에는 반사 방지 코팅이 추가로 제공될 수 있다. 상기 반사 방지 코팅은 내측 광학 부 재(3221)의 낮은 반사율 값에 기인할 수 있다.
몇몇 실시예에 있어서, 두 개의 내측 광학 부재(3221, 3222)는 제1 관찰가능 구역(Z31)에 밀봉 설치될 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 두 개의 내측 광학 부재(3221, 3222)는 적외선, 가시광선, 또는 자외선에 대한 광학적 투과형 재료로 제조될 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 두 개의 내측 광학 부재(3221, 3222)의 적합한 재료는 전술한 실시예에서 설명한 것과 필적하는 것일 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 예시적인 외측 광학 부재(3121)는 제2 관찰가능 구역(Z32)에 밀봉 설치될 수 있다.
몇몇 실시예에 있어서, 상기 내측 베이스의 상기 제1 관찰가능 구역 내의 윈도우 개수는 상기 제2 관찰가능 구역 내의 것보다 많다. 예컨대, 도시된 실시예에서, 제1 관찰가능 구역(Z31)에는 두 개의 윈도우[예컨대, 두 개의 내측 광학 부재(3221, 3222)]가 제공된다. 제2 관찰가능 구역(Z32) 내의 윈도우[예컨대, 외측 광학 부재(3121)] 개수는 하나이다.
내측 베이스(322)에는 제1 처리 에어리어(예컨대, 도 3에서 음영으로 처리한 친수성 에어리어) 및 상기 제1 처리 에어리어 둘레에 마련된 제2 처리 에어리어(예컨대, 소수성 에어리어)가 제공된다. 워크피스 지지 포스트(324)는 상기 제1 및 제2 처리 에어리어 사이의 경계 영역에 배치된다. 예시적인 제1 처리 에어리어(예컨대, 상기 음영 에어리어)는 내측 광학 부재(3221, 3222)의 상단면을 포함한다. 몇몇 실시예에 있어서, 내측 광학 부재(3221, 3222)의 바닥면은 소수성 처리된다.
도 4 및 도 5는 각각 본 개시의 몇몇 실시예에 따른 레티클 유지 시스템의 단면도 및 국부적 단면도를 도시한다. 도시의 간략화와 명료화를 위해, 예시적 디바이스의 일부 상세/하위 요소들은 본 도면에서 명시적으로 참조 부호를 부여하진 않는다. 몇몇 실시예에 있어서, 도 5는 도 4에서 점선으로 나타낸 박스(D)를 따라 취한 국부적 단면도이다.
도 4는 내측 베이스(422) 위의 워크피스 수용 영역(422a)에 수용되는 워크피스[예컨대, 레티클(R4)]를 도시한다. 내측 베이스(422)의 주변 영역(422b)은 내측 커버(421)와 압압 맞물림 상태에 있는 것으로 도시되어 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 워크피스 수용 영역(422a)은 대체로 그 기하학적 중심 영역에 배치되고 주변 영역(422b)에 의해 둘러싸일 수 있다. 도시된 실시예에서, 레티클(R4)은 제1 식별 피처(I1)(예컨대, 2차원 바코드), 제1 식별 피처(I1)에 근접 배치된 펠리클(pellicle)(P) 및 이들 사이에 배치된 펠리클 프레임(PF)을 포함한다. 펠리클 프레임(PF) 상에는 제2 식별 피처(I2)(도 5에 도시)가 배치된다. 외측 광학 부재(4121)를 통해 제1 식별 피처(I1)를 판독하기 위해 스캐너(S)가 제공될 수 있다. 펠리클(P) 및 펠리클 프레임(PF)의 일부는 외측 광학 부재(4121) 및 내측 광학 부재(4221)를 통해 (예컨대, 간섭계를 통해) 관찰/검사될 수 있다.
예시적인 외측 베이스(412)는, 내측 베이스(422)를 지지하도록 구성된 상측 데크(412a) 및 상측 데크(412a) 반대쪽의 하측 데크(412b)를 포함하는 중공체를 구비한다. 하측 데크(412b)에는 복수 개의 드레인 홀(412c)을 구비하는 드레인 홀 패턴이 마련된다. 하측 데크(412b) 내의 드레인 홀(412c)은 잔류수가 상기 중공체로부터 유출될 수 있도록 구성되어, 외측 베이스(412) 내에서의 잔류수의 양을 감소시킨다.
도시된 실시예에서, 두 개의 외측 광학 부재(4121)는 각각 외측 베이스(412)의 상측 데크(412a) 및 하측 데크(412b)에 장착된다. 두 개의 외측 광학 부재(4121)는 내측 광학 부재(4221)와 정렬하여 배치된다.
몇몇 실시예에 있어서, 내측 포드(420)에는 전술한 실시예의 것과 필적할 만한 제1 처리 에어리어 및 제2 처리 에어리어가 추가로 마련될 수 있다. 워크피스 지지 포스트(본 도면에서는 도시 생략)가 상기 제1 및 제2 처리 에어리어 사이의 경계 영역에 추가 배치될 수 있다.
도 5를 참조하면, 도시된 실시예에서, 제1 관찰가능 구역(Z51)의 배치는 레티클(R5)의 수용 시에 워크피스[예컨대, 레티클(R5)]의 제1 식별 피처(I1), 펠리클 프레임(PF)의 제2 식별 피처(I2), 펠리클(P)의 일부, 및 펠리클 프레임(PF)의 일부를 관찰할 수 있도록 대응하게 설계된다.
내측 베이스(522)의 워크피스 수용 영역(522a)은 단면에서 주변 영역(522b)의 두께(T522b)보다 작은 두께(T522a)를 갖는 계단식 프로파일(522s)을 포함한다. 도시된 실시예에 있어서, 레티클(R5)의 주변은 계단식 프로파일(522s) 위에 지지되는 반면, 펠리클(P) 및 펠리클 프레임(PF)은 투영 상태로 볼 때 계단식 프로파일(522s)에 의해 둘러싸여 배치된다. 몇몇 실시예에 있어서, 계단식 프로파일(522s)은 (예컨대, 본 도면에서 z 방향을 따라) 투영 상태로 볼 때 외측 광학 부재(5121)와 오버랩될 수 있다.
몇몇 실시예에 있어서, 워크피스(R5)의 스테이터스[예컨대, 워크피스(R5)(예컨대, 레티클)의 존재, 그 일련 번호, 그 배향]는 상기 레티클 유지 시스템을 개방할 필요 없이 외측 광학 부재(5121) 및 내측 광학 부재[예컨대, 본 단면으로부터 볼 수 있는 부재(5221)]를 통해 스캐너(S)로 식별될 수 있다. 또한, 내측 베이스(522)의 제3 식별 피처(I3)는 상기 내측 포드의 일련 번호 및 스테이터스를 식별하기 위해 스캐닝될 수 있다.
몇몇 실시예에 있어서, 외측 베이스(512)의 두께(T1)[예컨대, 상측 데크(512a)의 상측면 및 하측 데크(512b)의 하측면 사이의 거리]는 16 ㎜ 내지 23 ㎜이고, 내측 포드(520)의 두께(T2)는 15 ㎜ 내지 23 ㎜이다. 몇몇 실시예에 있어서, T1 및 T2 사이의 비율은 약 0.5 내지 1.6의 범위에 있을 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 비율은 약 0.8 내지 1.2의 범위에 있을 수 있다.
도 6a는 본 개시의 몇몇 실시예에 따른 용기 시스템의 국부적 단면도를 도시한다. 도시의 간략화와 명료화를 위해, 예시적 디바이스의 일부 상세/하위 요소들은 본 도면에서 명시적으로 참조 부호를 부여하지 않는다. 몇몇 실시예에 있어서, 도 6a는 도 4에서 점선으로 나타낸 박스(D)를 따라 취한 국부적 단면도일 수 있다.
도시된 실시예에서, 홀드 다운 핀(641)에는 상기 워크피스를 압압하도록 구성된 압압부(6411), 상기 압압부와 반대쪽의 수압부(pressure receiving part)(6412), 및 이들 사이에 배치된 숄더부(6413)가 마련된다. 숄더부(6413)는 다른 두 부(6412, 6411)보다 더 넓게 구성된다. 수압부(6412)에 의해 수압면(6412a)이 획정된다. 도시된 실시예에서, 수압면(6412a)은 압압부(6411) 반대측에 배치된 평탄면이다. 몇몇 실시예에 있어서, 홀드 다운 핀(641)은, 예컨대 내식성 폴리머로 단일 구조로 일체 형성될 수 있다. 폴리머 재료는 입자의 발생 가능성을 낮출 뿐만 아니라, 충분한 구조적 강도를 제공할 수 있어, 그 재료에 인가된 외부 힘을 적절히 전달할 수 있도록 한다. 몇몇 실시예에 있어서, 홀드 다운 핀(641)은 복수의 하위 구성요소로 제조된 복합 유닛일 수 있다.
도시한 시나리오에서, 내측 커버(621)는 내측 베이스(622)에 연결된다. 내측 커버(621)에는 내측 베이스(622)의 주변과 탄성 접촉하고 내측 포드 밀폐 중 정렬/안내를 제공하는 안내 부재(635)가 추가로 제공된다. 도 6a는 숄더부(6413)에서 홀드 다운 핀(641)을 커버하는(이에 의해 구속하는) 제한 캡(642)을 도시한다. 또한, 관통홀(630a)이 숄더부(6413)보다 좁게 구성되어, 홀드 다운 핀(641)은 관통홀(630a)을 통해 떨어지지 않고 대신에 제한 캡(642) 및 내측 커버(621) 사이에 구속된다. 도시된 실시예에서, 홀드 다운 핀(641)[예컨대, 숄더부(6413)]은 제1 위치[예컨대, 숄더부(6413)가 제한 캡(642)과 물리적으로 접촉하는 위치]에서 내측 커버(621) 상에 배치된 탄성 요소(643)에 의해 지지된다. 이러한 위치에서, 홀드 다운 핀(641)은 탄성 요소(643) 및 제한 캡(642)에 의해 구속된다. 몇몇 실시예에 있어서, 홀드 다운 핀(641)의 숄더부(6413)는, 탄성 요소(643)에 의해 지지될 때 숄더부(6413)가 제한 캡(642)을 터치하지 않도록 설계될 수 있다.
탄성 요소(643)의 압축성 때문에, 홀드 다운 핀(641)은 상기 워크피스[예컨대, 레티클(R)]을 향해 이동하는 것이 허용된다. 환언하면, 홀드 다운 핀(641)은 내측 커버(621) 상에서 수직으로(예컨대, 도 6a에 도시한 z-축을 따라) 이동 가능하다. 한편, 관통홀(630a)을 통해 내측 커버(621)를 관통하여 배치되고 수용 워크피스[예컨대, 레티클(R)]를 압압하도록 구성된 홀드 다운 핀(641)의 압압부(6411)가 도시되어 있다. 홀드 다운 핀(641)은, 상기 제1 위치에 있을 때 상기 워크피스[예컨대, 레티클(R)]와 접촉하는 것으로 도시되어 있지만, 몇몇 시나리오에 있어서, 홀드 다운 핀(641)은 상기 제1 위치에 있을 때 상기 워크피스[예컨대, 레티클(R)]를 터치하지 않을 수 있다.
제한 캡(642)에 의해 획정된 윈도우(642a)(예컨대, 개구)는 수압부(6412)의 수압면(6412a)을 노출시켜, 수압면(6412a)의 노출된 부분이 [도 1에 도시한 요소(171)와 같이, 외측 포드의 외측 커버 상에 배치된] 푸싱 요소(671)로부터의 하향 압력을 받을 수 있도록 한다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 수압부는 윈도우(642a)를 통해 상측으로 (예컨대, 도 6a에 도시한 z-축을 따라) 연장된다. 예컨대, 도시된 실시예에서, 수압부(6412)는 제한 캡(642)의 상단면(6421)을 넘어 윈도우(642a)를 통해 상측으로 연장되며, 수압면(6412a)은 상단면(6421)보다 거리(d)만큼 더 높이 위치한다.
푸싱 요소(671)는, 홀드 다운 핀(641)이 상기 수용된 워크피스[예컨대, 레티클(R)]에 압력을 가할 수 있도록, 그 노출된 부분[예컨대, 도 6a에 도시한 수압면(6412a)]에서 홀드 다운 핀(641)을 밀도록 구성된다. 몇몇 시나리오에 있어서, 외측 커버[예컨대, 도 1에 도시한 외측 커버(111)]가 폐쇄 중에 상기 외측 베이스 상에 배치되면, 푸싱 요소(671)의 푸싱면(671a)이 수압부(6412)를 밀 수 있다. 수압부(6412)의 상측면[예컨대, 도 6a에 도시한 수압면(6412a)]은 푸싱면(671a)과 표면-대-표면 접촉을 형성하기 위하여 평탄면인 것으로 도시되어 있다. 상기 외측 커버가 상기 외측 베이스를 향해 이동함에 따라, 푸싱면(671a)은 계속 홀드 다운 핀(641)을 밀어 내려, 홀드 다운 핀(641)은 계속 레티클(R)을 압압한다. 더 큰 에어리어[예컨대, 횡방향으로의 돌출이 수압부(6412)를 전체적으로 커버한다]를 갖는 푸싱면(671a)은 수압부(6412)의 상기 상측면과의 균일한 표면 대 표면 접촉을 확실히 하는 것을 도와준다. 따라서, 홀드 다운 핀(641)은 수직에 대하여 직접 하향 압압될 수 있어, 경사진 홀드 다운 핀(641)의 문제가 완화될 수 있다. 한편, 탄성 요소(643)는 홀드 다운 핀(641)이 압압되는 동안에, 버퍼를 제공한다.
몇몇 실시예에 있어서, 푸싱 요소(671)는 또한, 제한 캡(642)의 상단면(6421)과 물리적으로 접촉하도록 구성된다. 도 6a에 도시한 단면도에서, 수압면(6412a)의 상기 노출된 부분의 투영된 에어리어(즉, 어느 면 위로의 평행 투영으로서, 투영 선은 서로 평행하고, 예컨대 z-축을 따라 연장된다)의 폭(W2)은 푸싱 요소(671)의 폭(예컨대, 도 6a에 도시한 W1)보다 작다. 이러한 배치 하에서, 제한 캡(642)의 상단면(6421)은 제한면의 역할을 할 수 있다. 즉, 푸싱 요소(671)가 상기 수용된 레티클(R)을 향해 이동되면, 그 하향 이동은, 푸싱 요소(671)가 제한 캡(642)의 제한면(예컨대, 상단면)(6421)과 물리적으로 접촉하면 종료될 수 있다. 따라서, 홀드 다운 핀(641)은 전술한 제1 위치보다 낮은 제2 위치(도 6b에 도시)에 도달한다. 몇몇 실시예에 있어서, 제한 캡(642)의 재료는 상기 푸싱 요소보다 더 큰 구조적 강도를 갖고 있을 수 있다. 예컨대, 제한 캡(642)의 재료는 금속, 합금 또는 유사한 재료를 포함할 수 있다. 따라서, 상기 워크피스[예컨대, 레티클(R)]에 인가된 압력은 설계된 임계치 내에서 제한될 수 있어, 상기 워크피스[예컨대, 레티클(R)]가 과도하게 압압되지 않도록 한다. 도시된 실시예에서, 수압면(6412a)은, 제한 캡(642)의 상단면(6421)보다 거리(d)[이는 또한 홀드 다운 핀(641)의 이동 거리(즉, 제1 위치 및 제2 위치 사이의 거리)이기도 하다]만큼 더 높은 위치에 배치된다.
몇몇 실시예에 있어서, 수압면(6412a)의 상기 노출된 부분의 돌출된 에어리어는 푸싱 요소(671)의 것보다 작다. 예컨대, 도 6a에 도시한 압박면(671a)의 상기 에어리어는 수압부(6412)의 상기 상측면[예컨대, 수압면(6412a)]의 에어리어보다 더 크다.
몇몇 실시예에 있어서, 탄성 요소(643)는 또한, 홀드 다운 핀(641) 및 내측 커버(621) 사이를 소정 수준으로 기밀하게 하도록 구성될 수 있다. 예컨대, 탄성 요소(643)는, 내측 커버(621)에 의해 획정된 관통홀(630a)을 에워싸, 홀드 다운 핀(641) 및 내측 커버(621) 사이를 소정 수준으로 기밀하게 하는 환형 구조를 구비한다. 몇몇 실시예에 있어서, 탄성 요소(643)는 O-링일 수 있다.
도 6b는 본 개시의 몇몇 실시예에 따른, 제2 위치의 홀드 다운 핀의 단면도이다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 외측 커버가 상기 외측 베이스에 연결되면, 상기 홀드 다운 핀은 눌려 상기 제2 위치에 유지된다. 도시된 실시예에서, 푸싱 요소(671)의 푸싱면(671a)은 동시에 홀드 다운 핀(641)의 수압부(6412) 및 제한 캡(642)의 제한면(6421)과 물리적으로 접촉한다. 또한, 상기 워크피스[예컨대, 레티클(R)]가 홀드 다운 핀(641)에 의해 (예컨대, 그 상측면의 코너 영역에서) 압압되고 있다. 따라서, 상기 워크피스[예컨대, 레티클(R)]는, 실질상 평평하게 한 배향으로 확실히 유지되면서, 워크피스 지지 포스트(624)에 의해 그 하측에서 적절히 지지될 수 있다.
도시된 실시예에서, 푸싱 요소(671)가 제한면(6421)과 (예컨대, 포드 폐쇄 상태에서) 물리적으로 접촉하면, 제한 캡(642)의 상단면[예컨대, 제한면(6421)] 및 수압부(6412)의 상측면[예컨대, 수압면(6412a)]의 노출된 부분은 실질상 동일 평면 상에 있다. 그러나, 다른 실시예에서, 실질상 동일 평면 상에 있는 대신에, 상기 수압면 및 상기 제한면 중 어느 하나는, 상기 푸싱 요소가 상기 제한면과 (예컨대, 포드 폐쇄 상태에서) 물리적으로 접촉하면, 다른 하나보다 상기 수용된 레티클에 더 가깝게 배치될 수 있다.
몇몇 실시예에 있어서, 내측 포드(620)에는 전술한 실시예의 것과 필적할 만한 제1 처리 에어리어 및 제2 처리 에어리어가 추가로 마련될 수 있다. 워크피스 지지 포스트(624)가 상기 제1 및 제2 처리 에어리어 사이의 경계 영역에 추가로 배치될 수 있다.
도 7은 본 개시의 몇몇 실시예에 따른 레티클 유지 시스템의 평면도를 도시한다. 도시의 간략화와 명료화를 위해, 예시적 디바이스의 일부 상세/하위 요소들은 본 도면에서 명시적으로 참조 부호를 부여하거나 도시하지는 않는다. 예를 들어, 내측 커버 및 외측 커버는 도 7에 도시되어 있지 않다.
도시된 실시예에서, 두 개의 내측 광학 부재(7221, 7222) 중 하나에는 다른 하나보다 큰 평면 에어리어가 제공된다. 예컨대, 도시한 평면도로부터 알 수 있는 바와 같이, 내측 광학 부재(7221)는 내측 광학 부재(7222)보다 큰 에어리어를 갖고 있다.
도시된 실시예에서, 내측 광학 부재(7221)는 보다 큰 평면 에어리어를 갖도록 설계되어, 펠리클(P), 펠리클 프레임(PF)의 제2 식별 피처(I2) 및 펠리클 프레임(PF)의 일부에 대한 광학적 동시 접근을 가능하게 한다. 다른 한편으로, 내측 광학 부재(7222)에는 보다 작은 평면 에어리어가 제공되어, 제1 식별 피처(I1)의 관찰을 가능하게 한다. 한편, 외측 광학 부재(7121)는 두 개의 내측 광학 부재(7221, 7222)와 관찰가능하게 정렬되어, 이들을 통해 펠리클(P), 펠리클 프레임(PF)의 제2 식별 피처(I2), 펠리클 프레임(PF)의 일부, 및 제1 식별 피처(I1)의 관찰을 가능하게 한다.
도시된 실시예에서, 외측 광학 부재(7121)는 제3 식별 피처(I3)의 관찰이 가능하도록 구성된다. 따라서, 레티클(R7), 펠리클(P), 펠리클 프레임(PF), 및 식별 피처(I1, I2, I3)의 상태와 같은 정보에 대한 확인이 외측 광학 부재(7121)를 통한 관찰에 의해 달성될 수 있으며, 따라서 상기 외측 포드를 개방해야만 하는 횟수가 감소한다.
몇몇 실시예에 있어서, 상기 외측 광학 부재는 투영 상태로 볼 때 상기 한 쌍의 내측 광학 부재와 오버랩될 수 있다. 도시한 실시예에 있어서, 두 개의 내측 광학 부재(7221, 7222)는 외측 광학 부재(7121)에 의해 완전히 오버랩되도록(예컨대, 투영 상태로 볼 때 커버되도록) 배치된다. 그와 같은 실시예에 있어서, 상기 외측 광학 부재의 평면 에어리어는 상기 두 개의 내측 광학 부재의 에어리어와 같거나 또는 그보다 크다. 예를 들어, 도시한 평면도에 있어서, 외측 광학 부재(7121)의 평면 에어리어는 두 개의 내측 광학 부재(7221, 7222)의 에어리어보다 크다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 두 개의 내측 광학 부재의 몇몇 부분은 상기 외측 광학 부재와 오버랩되지 않을 수 있다. 그와 같은 실시예에 있어서, 상기 외측 광학 부재의 평면 에어리어는 상기 두 개의 내측 광학 부재의 에어리어보다 작을 수 있다.
도시된 실시예에서, 내측 광학 부재(7221, 7222)는 제3 식별 피처(I3) 근방에 배치된다. 이와 같은 구성은 오버랩되는 외측 광학 부재(7121)의 평면 에어리어를 감소시켜, 외측 베이스(712)의 구조적 강도를 향상시킨다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 내측 광학 부재 및 상기 제3 식별 피처는 서로 떨어져 배치될 수 있다. 그와 같은 실시예에 있어서, 외측 베이스(712)는 각각 제3 식별 피처(I3) 및 내측 광학 부재(7221, 7222)에 대응하는 위치에 추가의 외측 광학 부재(도시 생략)을 구비할 수 있다.
몇몇 실시예에 있어서, 상기 외측 베이스의 전체 바닥면은 상기 제2 관찰가능 구역으로서 작용하도록 설계될 수 있다. 예컨대, 외측 광학 부재는 상기 외측 베이스의 바닥 전체를 차지할 수 있다.
도시한 평면도에 있어서, 외측 광학 부재(7121)는 실질적으로 장방형의 평면 프로파일을 가진다. 제3 식별 피처(I3)는 외측 광학 부재(7121)의 장방형 프로파일의 길이 방향(DL)을 따라 두 개의 내측 광학 부재(7221, 7222) 사이에 배치된다. 몇몇 실시예에 있어서, 내측 광학 부재(7221, 7222) 및 외측 광학 부재(7121)의 평면 프로파일은 하나 이상의 둥글게 한 부분을 포함할 수 있다.
상기 광학 부재[예컨대, 외측 광학 부재(7121)]의 배치 위치, 재료, 및 평면 프로파일은, 상기 디바이스 구성 요소의 중량 분포, 구조적 일체성, 및 전체 중량 제한과 같은 다양한 인자를 고려할 수 있다. 본 실시예에 도시된 바와 같이, 외측 광학 부재(7121)는 외측 베이스(712)의 기하학적 중심을 향해 배치된다. 예컨대, 외측 광학 부재(7121)의 기하학적 중심은 대체로 x 방향과 y 방향 모두에 있어서 외측 베이스(712)의 중심으로부터 그 외측 가장자리(fringe)까지의 거리의 절반 이내에 배치된다. 그와 같은 레이아웃 구성은 그 구조적 일체성 유지하면서 외측 베이스(712)의 전체적인 균형을 더욱 양호하게 유지하는 것을 도울 수 있다. 또한, 그와 같은 배치 구성은 밀봉 및 래칭 기구(latching mechanism)와 같은 다른 기능성 요소들을 위해 상기 베이스 부재[예컨대, 외측 베이스(712)]의 주변 영역을 남겨두는 데에 도움을 줄 수 있다.
도시된 실시예에서, 외측 광학 부재(7121)의 기하학적 중심(7121c)으로부터 외측 베이스(712)의 대칭축(A1)까지의 거리(D)는 외측 베이스(712)의 장방형 프로파일의 길이(L)의 30%보다 짧다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 거리(D)는 외측 베이스(712)의 장방형 프로파일의 폭(W)의 30%보다 짧을 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 거리(D)는 약 76 ㎜일 수 있으며; 상기 길이(L)는 약 270 ㎜일 수 있으며; 상기 폭 (W)은 약 260 ㎜일 수 있다.
몇몇 실시예에 있어서, 기하학적 중심(7121c)으로부터 외측 베이스(712)의 대칭축(A2)까지의 거리는 외측 베이스(712)의 장방형 프로파일의 길이(L) 및/또는 폭(W)의 30%보다 짧다.
또한, 상기 광학 부재[예컨대, 외측 광학 부재(7121)]의 배치 구성은 지지 기구와 같은 다른 기능성 요소를 위해 상기 베이스 부재[예컨대, 외측 베이스(722)]의 중심 영역을 남겨두는 데에 도움을 줄 수 있다. 본 실시예에 도시된 바와 같이, 외측 광학 부재(7121)는 투영 상태로 볼 때 외측 베이스(712)의 기하학적 중심으로부터 오프셋되어 있다.
도시된 실시예에서, 외측 광학 부재(7121)의 기하학적 중심(7121c)으로부터 외측 베이스(712)의 대칭축(A1)까지의 거리(D)는 외측 베이스(712)의 장방형 프로파일의 길이(L) 및/또는 폭(W)의 10%보다 길다. 몇몇 실시예에 있어서, 기하학적 중심(7121c)으로부터 대칭축(A2)까지의 거리는 상기 길이(L) 및/또는 폭(W)의 10%보다 길다. 몇몇 실시예에 있어서, 기하학적 중심(7121c)은 외측 베이스(712)의 중심 영역에 배치될 수 있다.
도시된 실시예에서, 상기 내측 베이스(722)는 제1 관찰가능 구역[예컨대, 도 3에 도시한 제1 관찰가능 구역(Z31)] 외부에 배치된 추가의 내측 광학 부재[예컨대, 광학 포트(72a)]를 더 포함한다. 마찬가지로, 상기 외측 베이스에는 상기 내측 포드의 추가의 광학 포트(72a)에 대응하여 배치되는 추가의 외측 광학 부재가 추가로 제공될 수 있다. 예컨대, 추가의 외측 광학 부재는 추가의 내측 광학 부재(72a)와 관찰가능한 정렬 상태로 대응하게 배치될 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 외측 광학 부재[예컨대, 광학 포트(7121)]의 수는 내측 광학 부재[예컨대, 포트(7221, 7222, 72a)]의 수보다 적다.
몇몇 실시예에 있어서, 상기 내측 베이스[예컨대, 내측 베이스(722)]는 워크피스 수용 영역(722a)에 대응하는 제1 처리 에어리어를 포함한다. 예컨대, 상기 제1 처리 에어리어를 나타내는 음영 영역(A71)은 상기 수용된 워크피스[레티클(R7)]의 것과 실질상 동일한 표면적을 갖는다. 본 도면에 도시한 바와 같이, 예시적인 내측 베이스(722)의 워크피스 수용 영역(722a)은 대체로 기하학적 중심에 배치된다.
몇몇 실시예에 있어서, 상기 내측 베이스[예컨대, 내측 베이스(222)]의 상기 내표면[예컨대, 주변 에어리어(722b)]은 제2 표면 처리로 추가 처리된다. 예컨대, 내측 베이스(722)는 상기 내측 베이스의 상기 제1 처리 에어리어 둘레에 배치된 제2 처리 에어리어(A72)를 포함한다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 제2 처리 에어리어는 소수성 처리 에어리어를 포함한다.
내측 베이스(722)에는 상기 워크피스를 지지하고 상기 워크피스의 횡방향 이동을 제한하도록 구성된 워크피스 지지 포스트(724)가 추가로 마련될 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 워크피스 지지 포스트(724)는 제1 처리 에어리어(A71) 및 제2 처리 에어리어(A72)의 경계 영역에 배치된다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 경계 영역은 음영 영역(A71)](예컨대, 상기 제1 처리 에어리어)의 윤곽에 의해 획정될 수 있다.
도 8은 본 개시의 몇몇 실시예에 따른 용기 시스템의 저면도이다. 도시의 간략화와 명료화를 위해, 예시적 디바이스의 일부 상세/하위 요소들은 본 도면에서 명시적으로 참조 부호를 부여하거나 도시하지는 않는다. 몇몇 실시예에 있어서, 도 8에 도시한 구조 배치는 외측 베이스[예컨대, 외측 베이스(112, 312, 412, 512 및/또는 712)]의 저면도에 필적할 수 있다.
상기 용기를 세척/세정한 후에, 일부 잔류수가 외측 베이스(812)의 상기 중공체 내에 잔류할 수 있다. 상기 잔류수가 상기 중공체로부터 유출될 수 있도록 하기 위하여, 몇몇 실시예에 있어서, 상기 외측 커버[예컨대, 도 1에 도시한 외측 커버(111)]와 정합하게 구성된 외측 베이스[예컨대, 외측 베이스(812)]에 드레인 홀이 마련된다. 따라서, 상기 외측 베이스의 건조/베이킹 시간이 단축될 수 있어, 장비 가동률 및 에너지 절약이 촉진될 수 있다. 이는 또한 상기 외측 포드 내의 물의 잔류 가능성을 감소시키고, 따라서 상기 장비에의 오염을 야기하는 잔류수의 가능성을 낮춘다. 예컨대, 예시적인 외측 베이스(812)는 상측 데크[예컨대, 도 1에 도시한 상측 데크(112a)] 및 반대측의 하측 데크(812b)를 포함하는 중공체를 구비하고, 하측 데크(812b)에는 복수 개의 드레인 홀(812c)을 갖는 드레인 홀 패턴(812g)이 마련된다. 하측 데크(812b) 내의 드레인 홀(812c)은 상기 잔류수가 상기 중공체로부터 유출될 수 있도록 하여, 상기 외측 포드 베이스 내의 잔류수의 양을 감소시키고, 이는 상기 외측 포드[예컨대, 도 1에 도시한 외측 포드(110)]의 베이킹 시간을 단축시킬 수 있다.
몇몇 실시예에 있어서, 하나 이상의 기계 부품(예컨대, 래치 기구)이 상기 중공체 내부에 수용될 수 있다. 그러나, 상기 외측 포드를 세정하는 경우, 물은 상기 기계 부품(예컨대, 래치 기구) 둘레에 축적되는 경향이 있다. 예컨대, 외측 베이스(812)의 상기 기하학적 중심 영역에는 래치 기구가 마련될 수 있고, 그 중심 영역은 상기 잔류수가 머무르는 경향이 있는 영역일 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 드레인 홀[예컨대, 드레인 홀(812c)]은, 상기 중공체 내부의 상기 잔류수가 더 빨리 건조될 수 있게 외측 베이스(812)의 상기 기하학적 중심 영역에 근접하여/그 영역 둘레에 배치될 수 있다. 예컨대, 세장형 구조를 갖는 예시적인 드레인 홀(812c) 중 여섯 개는 외측 베이스(812)의 상기 기하학적 중심 영역을 에워싸도록 배치된다. 예시적인 드레인 홀 패턴(812g)은 외측 베이스(812)의 상기 기하학적 중심 영역을 피하는 이중 H 배치(double H arrangement)를 더 포함한다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 이중 H 배치는 한 쌍의 종방향 부분(812L) 및 이 종방향 부분(812L) 사이에 배치된 횡방향 부분(812T)를 포함한다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 이중 H 배치의 두 종방향 부분(812L) 사이의 거리(D8) 및 상기 외측 베이스의 폭(W8) 사이의 비율은 약 30% 내지 약 35%이다.
배수 효율은 배수 트렌치(drainage trench)[예컨대, 드레인 홀(812c)]의 면적/크기에 관련되어 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 추가의 배수 트렌치 에어리어를 추가하면, 효율이 향상될 것이지만, 상기 드레인 홀 패턴의 넓은 투영 에어리어는 하측 데크(812b)의 구조적 일체성을 희생시킬 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 드레인 홀 패턴의 투영 에어리어와 외측 베이스(812)의 에어리어 사이의 비율은 10% 이하로 되어, 충분한 배수 효과를 달성하면서 외측 베이스(812)의 구조적 일체성을 유지할 수 있다.
도 9는 본 개시의 몇몇 실시예에 따른 용기 시스템의 저면도이다. 도시의 간략화와 명료화를 위해, 예시적 디바이스의 일부 상세/하위 요소들은 본 도면에서 명시적으로 참조 부호를 부여하거나 도시하지는 않는다. 몇몇 실시예에 있어서, 도 9에 도시한 구조 배치는 외측 베이스[예컨대, 외측 베이스(112, 312, 412, 512 및/또는 712]의 저면도에 필적할 수 있다.
몇몇 실시예에 있어서, 상기 외측 베이스는 배수 트렌치(드레인 홀) 및 검사 윈도우(바닥 윈도우)를 포함한다. 상기 배수 트렌치에는 광투과 요소가 제공되지 않는 반면에, 상기 윈도우는 광투과 요소(예컨대, 유리)를 포함한다. 몇몇 실시예에 있어서, 드레인 홀(912c)의 위치는 검사 윈도우[예컨대, 외측 광학 부재(9121)]의 위치 및 상기 외측 베이스의 나사 홀을 피하도록 설정될 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 외측 베이스의 측면에는 드레인 홀이 추가로 마련될 수 있다.
상기 드레인 홀의 크기, 종횡비 및 평면 프로파일은 전술한 실시예와 상이할 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 배수 트렌치(드레인 홀)은 장방형, 원형/타원형 또는 양단에 원호가 마련된 장방형 프로파일일 수 있다. 몇몇 실험 결과에 따르면, 개개의 배수 트렌치(드레인 홀)의 경우, 원형/만곡된 단부를 갖는 장방형 프로파일은 이상적인 배수 능력을 제공한다. 실험 결과는 또한, 세장형 패턴 프로파일을 갖는 배수 슬롯/홈은 원형 프로파일을 갖는 것보다 더 나은 배수 효율을 제공한다는 것을 보여준다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 드레인 홀 패턴은 복수 개의 슬롯을 포함하고, 각각의 슬롯은 예리한 코너부를 구비하지 않고 있다. 둥글게 한 단부를 갖는 슬롯[예컨대, 드레인 홀(912c)]은 물의 응집을 감소시킬 수 있다. 드레인 홀(912c)의 단면 프로파일은 경사지거나 만곡된 표면일 수 있다.
도 10 내지 도 14는 본 개시의 몇몇 실시예에 따른 드레인 홀의 단면 프로파일을 보여준다.
상기 드레인 홀에는 상이한 단면 프로파일, 예컨대 수직, 경사진 또는 만곡된 프로파일이 마련될 수 있다. 도 10에 도시한 하측 데크(1012b)의 예시적인 드레인 홀(1012c)의 폭은 실질상 일정하다. 도 11에 도시한 드레인 홀(1112c)에는 만곡된 표면이 마련되고, 그 폭은 하측으로 갈수록 점차 감소한다. 몇몇 실시예에 있어서, 드레인 홀(1112c)에는 오목 단면의 프로파일이 추가로 마련된다. 도 12에 도시한 드레인 홀(1212c)에는 볼록 단면의 프로파일이 마련된다. 도 13에 도시한 드레인 홀(1312c)의 단면 프로파일은, 폭이 하측으로 갈수록 점차 감소하는 테이퍼형 프로파일이다. 도 14에 도시한 드레인 홀(1412c)의 단면 프로파일은 폭이 하측으로 갈수록 점차 증가하는 테이퍼형 프로파일이다.
따라서, 본 개시의 일 양태는 워크피스를 수용하도록 구성된 내측 베이스를 포함하는 용기 시스템을 제공하며, 상기 내측 베이스는 워크피스 수용 영역에 대응하는 제1 처리 에어리어, 상기 내측 베이스의 상기 제1 처리 에어리어 둘레에 배치된 제2 처리 에어리어, 및 상기 제1 처리 에어리어와 상기 제2 처리 에어리어 사이의 경계 영역에 배치된 워크피스 지지 포스트를 포함한다.
본 개시의 몇몇 실시예에 있어서, 상기 용기 시스템은 상기 내측 베이스와 정합하도록 구성된 내측 커버를 더 포함한다. 상기 내측 커버는 상기 내측 커버의 상기 워크피스 수용 영역에 대응하는 제1 처리 에어리어, 상기 내측 커버의 상기 제1 처리 에어리어 둘레에 배치된 제2 처리 에어리어, 및 상기 내측 커버의 제2 처리 에어리어 내에 배치된 홀드 다운 핀을 포함하고, 상기 홀드 다운 핀에는 전하 소산 성질이 제공된다.
본 개시의 몇몇 실시예에 있어서, 상기 내측 베이스 및 상기 내측 커버는 실질상 금속으로 제조되고, 상기 제1 처리 에어리어는 친수성 처리 에어리어를 포함하고; 상기 제2 처리 에어리어는 소수성 처리 에어리어를 포함한다.
본 개시의 몇몇 실시예에 있어서, 상기 소수성 처리 에어리어의 표면 저항값은 약 1011Ω 미만이다.
본 개시의 몇몇 실시예에 있어서, 상기 소수성 처리 에어리어 위의 소수성 층은 약 1 ㎛ 미만의 두께를 갖는다.
본 개시의 몇몇 실시예에 있어서, 상기 내측 커버는 그 기하학적 중심 영역에 배치된 필터 모듈을 포함하고, 상기 친수성 영역은 상기 필터 모듈을 회피한다.
본 개시의 몇몇 실시예에 있어서, 상기 용기 시스템은 상기 내측 커버를 커버하도록 구성된 외측 커버를 더 포함한다. 상기 외측 커버는, 상기 홀드 다운 핀이 상기 워크피스를 압압하도록, 노출된 부분에서 상기 홀드 다운 핀을 밀도록 구성된 푸싱 요소를 포함한다. 상기 내측 커버의 상기 홀드 다운 핀은, 상기 내측 커버를 관통하여 배치되고 수용된 워크피스를 압압하도록 구성된 압압부, 상기 압압부 반대측에 배치된 수압면을 포함한다. 상기 수압면의 상기 노출된 부분의 투영된 에어리어의 폭은 상기 푸싱 요소의 것보다 작다.
본 개시의 몇몇 실시예에 있어서, 상기 용기 시스템은 상기 외측 커버와 정합하도록 구성되고 상기 내측 베이스를 수용하도록 구성된 외측 베이스를 더 포함하고, 상기 외측 베이스에는 드레인 홀 패턴이 마련된다.
본 개시의 몇몇 실시예에 있어서, 상기 외측 베이스는, 상기 내측 베이스를 지지하도록 구성된 상측 데크 및 상기 상측 데크 반대측의 하측 데크를 포함하는 중공체를 구비하고, 상기 하측 데크에는 상기 드레인 홀 패턴이 마련된다.
본 개시의 몇몇 실시예에 있어서, 상기 드레인 홀 패턴은 상기 외측 베이스의 기하학적 중심 영역을 피하는 이중 H 배치를 구비한다.
따라서, 본 개시의 다른 양태는 외측 베이스 및 내측 베이스를 포함하는 용기 시스템을 제공한다. 상기 외측 베이스는 지지 구조를 포함하고, 상기 외측 베이스는 상기 내측 베이스를 지지하도록 구성된 상측 데크 및 상기 상측 데크 반대측의 하측 데크를 포함하는 중공체를 구비하며, 상기 하측 데크에는 드레인 홀 패턴이 마련되고, 상기 드레인 홀 패턴은 상기 하측 데크의 기하학적 중심 영역을 에워싼다. 상기 내측 베이스는 워크피스를 수용하도록 구성되고, 상기 내측 베이스는 워크피스 수용 영역에 대응하는 제1 처리 에어리어, 상기 제1 처리 에어리어 둘레에 배치된 제2 처리 에어리어, 및 상기 제1 처리 에어리어와 상기 제2 처리 에어리어 사이의 경계 영역에 배치된 워크피스 지지 포스트를 포함한다.
본 개시의 몇몇 실시예에 있어서, 상기 드레인 홀 패턴은 상기 외측 베이스의 기하학적 중심 영역을 피하는 이중 H 배치를 갖는다.
본 개시의 몇몇 실시예에 있어서, 상기 이중 H 배치는 한 쌍의 종방향 부분 및 이들 종방향 부분 사이에 배치된 횡방향 부분을 포함한다.
본 개시의 몇몇 실시예에 있어서, 상기 이중 H 배치의 종방향 부분 사이의 거리 및 상기 외측 베이스의 폭 사이의 비율은 약 30% 내지 약 35%이다.
본 개시의 몇몇 실시예에 있어서, 상기 드레인 홀 패턴의 투영 에어리어와 상기 외측 베이스의 에어리어 사이의 비율은 10% 이하이다.
본 개시의 몇몇 실시예에 있어서, 상기 드레인 홀 패턴은 복수 개의 슬롯을 포함하고, 각 슬롯은 예리한 코너부를 구비하지 않는다.
본 개시의 몇몇 실시예에 있어서, 상기 내측 베이스는 대체로 그 기하학적 중심 영역에 배치되고 주변 영역에 의해 둘러싸인 워크피스 수용 영역, 및 상기 워크피스 수용 영역에 획정되고 상기 워크피스를 관찰할 수 있게 배치된 제1 관찰가능 구역을 갖는다. 상기 외측 베이스에는 제2 관찰가능 구역이 획정되고, 제2 관찰가능 구역은, 상기 내측 베이스의 수용시, 상기 내측 베이스의 상기 제1 관찰가능 구역에 대해 관찰가능하게 정렬된다.
본 개시의 몇몇 실시예에 있어서, 상기 내측 베이스의 상기 제1 관찰가능 구역에서의 윈도우의 수는 상기 제2 관찰가능 구역보다 많다.
본 개시의 몇몇 실시예에 있어서, 상기 내측 베이스는 실질상 금속으로 제조되고, 상기 내측 베이스의 지지 포스트에는 전하 소산 성질이 제공된다.
본 개시의 몇몇 실시예에 있어서, 상기 제1 처리 에어리어는 친수성 처리 에어리어를 포함하고; 상기 제2 처리 에어리어는 소수성 처리 에어리어를 포함한다.
이상에서 도시하고 설명한 실시예는 단지 예에 불과하다. 따라서, 많은 세부사항들은 도시되지도 설명되지도 않았다. 비록, 본 기술의 수많은 특징들 및 장점들을 구조 및 기능의 세부 사항들과 함께 상기한 상세한 설명에서 기재하였지만, 본 개시는 단지 예시적인 것에 불과하며, 그 원리 내에서 세부 사항들, 특히 부품의 형상, 크기 및 배치에 있어서의 변경이 청구항에서 사용된 용어들의 광범위한 포괄적 의미에 의해 구축되는 최대 범위까지 가능할 수 있다. 따라서, 전술한 실시예가 청구항의 범위 내에서 수정될 수 있음을 인식해야 할 것이다.

Claims (20)

  1. 워크피스를 수용하도록 구성된 내측 베이스를 포함하는 용기 시스템으로서,
    상기 내측 베이스는,
    워크피스 수용 영역에 대응하는 제1 처리 에어리어,
    상기 내측 베이스의 상기 제1 처리 에어리어 둘레에 배치된 제2 처리 에어리어, 및
    상기 제1 처리 에어리어와 상기 제2 처리 에어리어 사이의 경계 영역에 배치된 워크피스 지지 포스트를 포함하고,
    상기 내측 베이스의 상기 제1 처리 에어리어는 친수성 처리 에어리어를 포함하며;
    상기 내측 베이스의 상기 제2 처리 에어리어는 소수성 처리 에어리어를 포함하는 것인 용기 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 내측 베이스와 정합하도록 구성된 내측 커버를 더 포함하고,
    상기 내측 커버는,
    상기 내측 커버의 상기 워크피스 수용 영역에 대응하는 제1 처리 에어리어,
    상기 내측 커버의 상기 제1 처리 에어리어 둘레에 배치된 제2 처리 에어리어, 및
    상기 내측 커버의 제2 처리 에어리어에 배치된 홀드 다운 핀을 포함하며, 상기 홀드 다운 핀에는 전하 소산 성질이 제공되는 것인 용기 시스템.
  3. 제2항에 있어서, 상기 내측 베이스 및 상기 내측 커버는 금속으로 제조되는 것인 용기 시스템.
  4. 제3항에 있어서, 상기 소수성 처리 에어리어에는 1011Ω 미만의 표면 저항값이 제공되는 것인 용기 시스템.
  5. 제4항에 있어서, 상기 소수성 처리 에어리어 위의 소수성 층이 1 ㎛ 미만의 두께를 갖는 것인 용기 시스템.
  6. 제2항에 있어서, 상기 내측 커버는 그 기하학적 중심 영역에 배치된 필터 모듈을 포함하고;
    상기 내측 커버의 제1 처리 에어리어는 상기 필터 모듈을 피하는 것인 용기 시스템.
  7. 제2항에 있어서, 상기 내측 커버를 커버하도록 구성된 외측 커버를 더 포함하고, 상기 외측 커버는 상기 홀드 다운 핀이 상기 워크피스를 압압하도록, 노출된 부분에서 상기 홀드 다운 핀을 밀도록 구성된 푸싱 요소를 포함하며,
    상기 내측 커버의 상기 홀드 다운 핀은,
    상기 내측 커버를 관통하여 배치되고, 수용된 워크피스를 압압하도록 구성된 압압부, 및 상기 압압부 반대측에 배치된 수압면을 포함하며,
    상기 수압면의 상기 노출된 부분의 투영된 에어리어의 폭이 상기 푸싱 요소의 폭보다 작은 것인 용기 시스템.
  8. 제7항에 있어서, 상기 외측 커버와 정합하도록 구성되고 상기 내측 베이스를 수용하도록 구성된 외측 베이스를 더 포함하고, 상기 외측 베이스에는 드레인 홀 패턴이 마련된 것인 용기 시스템.
  9. 제8항에 있어서, 상기 외측 베이스는, 상기 내측 베이스를 지지하도록 구성된 상측 데크 및 상기 상측 데크 반대측의 하측 데크를 포함하는 중공체를 구비하고, 상기 하측 데크에는 상기 드레인 홀 패턴이 마련된 것인 용기 시스템.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 드레인 홀 패턴은 상기 외측 베이스의 기하학적 중심 영역을 피하는 이중 H 배치를 갖는 것인 용기 시스템.
  11. 외측 베이스 및 내측 베이스를 포함하는 용기 시스템으로서,
    상기 외측 베이스는 지지 구조를 포함하고, 상기 외측 베이스는 상기 내측 베이스를 지지하도록 구성된 상측 데크 및 상기 상측 데크 반대측의 하측 데크를 포함하는 중공체를 구비하며,
    상기 하측 데크에는 드레인 홀 패턴이 마련되고, 상기 드레인 홀 패턴은 상기 하측 데크의 기하학적 중심 영역을 에워싸며,
    상기 내측 베이스는 워크피스를 수용하도록 구성되고,
    상기 내측 베이스는,
    워크피스 수용 영역에 대응하는 제1 처리 에어리어,
    상기 제1 처리 에어리어 둘레에 배치된 제2 처리 에어리어, 및
    상기 제1 처리 에어리어와 상기 제2 처리 에어리어 사이의 경계 영역에 배치된 워크피스 지지 포스트를 포함하고,
    상기 제1 처리 에어리어는 친수성 처리 에어리어를 포함하고;
    상기 제2 처리 에어리어는 소수성 처리 에어리어를 포함하는 것인 용기 시스템.
  12. 제11항에 있어서, 상기 드레인 홀 패턴은 상기 외측 베이스의 기하학적 중심 영역을 피하는 이중 H 배치를 갖는 것인 용기 시스템.
  13. 제12항에 있어서, 상기 이중 H 배치는 한 쌍의 종방향 부분 및 이들 종방향 부분 사이에 배치된 횡방향 부분을 포함하는 것인 용기 시스템.
  14. 제13항에 있어서, 상기 이중 H 배치의 종방향 부분 사이의 거리와 상기 외측 베이스의 폭 사이의 비율이 30% 내지 35%인 것인 용기 시스템.
  15. 제11항에 있어서, 상기 드레인 홀 패턴의 투영 에어리어와 상기 외측 베이스의 에어리어 사이의 비율이 10% 이하인 것인 용기 시스템.
  16. 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 드레인 홀 패턴은 복수 개의 슬롯을 포함하고, 각 슬롯은 둥근 또는 타원형 프로필을 갖거나, 둥근 단부를 갖는 세장형 패턴 프로파일을 갖는 것인 용기 시스템.
  17. 제11항에 있어서, 상기 내측 베이스는,
    전반적으로 그 기하학적 중심 영역에 배치되고 주변 영역에 의해 둘러싸인 워크피스 수용 영역, 및
    상기 워크피스 수용 영역에 획정되고 상기 워크피스의 관찰을 허용하도록 대응 배치된 제1 관찰가능 구역을 구비하며;
    상기 외측 베이스에는 제2 관찰가능 구역이 획정되고 상기 제2 관찰가능 구역은, 상기 내측 베이스의 수용시, 상기 내측 베이스의 상기 제1 관찰가능 구역에 대해 관찰가능하게 정렬되는 것인 용기 시스템.
  18. 제17항에 있어서, 상기 내측 베이스의 상기 제1 관찰가능 구역에서의 윈도우의 수는 상기 제2 관찰가능 구역에서의 윈도우의 수보다 큰 것인 용기 시스템.
  19. 제11항에 있어서, 상기 내측 베이스는 금속으로 제조되고;
    상기 내측 베이스의 지지 포스트에는 전하 소산 성질이 제공되는 것인 용기 시스템.
  20. 삭제
KR1020210017661A 2020-03-24 2021-02-08 용기 시스템 KR102576493B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202062994242P 2020-03-24 2020-03-24
US62/994,242 2020-03-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210119875A KR20210119875A (ko) 2021-10-06
KR102576493B1 true KR102576493B1 (ko) 2023-09-07

Family

ID=77808847

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210017661A KR102576493B1 (ko) 2020-03-24 2021-02-08 용기 시스템

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20210300635A1 (ko)
JP (1) JP7215803B2 (ko)
KR (1) KR102576493B1 (ko)
CN (1) CN113443253B (ko)
TW (1) TWI753757B (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220100106A1 (en) * 2020-09-30 2022-03-31 Gudeng Precision Industrial Co., Ltd Workpiece container system

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012186391A (ja) * 2011-03-07 2012-09-27 Canon Inc レチクル収容容器、露光装置及びデバイス製造方法
JP2012255958A (ja) * 2011-06-10 2012-12-27 Nikon Corp マスク保護装置、露光装置、及びデバイス製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3014640B2 (ja) * 1996-03-26 2000-02-28 キヤノン株式会社 板状物収納容器
JP3916380B2 (ja) * 1999-07-06 2007-05-16 株式会社荏原製作所 基板搬送容器待機ステーション
US7400383B2 (en) * 2005-04-04 2008-07-15 Entegris, Inc. Environmental control in a reticle SMIF pod
JP5025962B2 (ja) 2006-02-15 2012-09-12 ミライアル株式会社 薄板収納容器
US7922000B2 (en) * 2006-02-15 2011-04-12 Miraial Co., Ltd. Thin plate container with a stack of removable loading trays
US8146902B2 (en) * 2006-12-21 2012-04-03 Lam Research Corporation Hybrid composite wafer carrier for wet clean equipment
TWI414464B (zh) * 2011-01-11 2013-11-11 Gudeng Prec Ind Co Ltd 具有固定結構之極紫外光光罩儲存傳送盒
TWI501910B (zh) * 2011-11-17 2015-10-01 Gudeng Prec Ind Co Ltd 具有排水結構之極紫外光光罩儲存傳送盒
TWI429570B (zh) * 2012-03-23 2014-03-11 Gudeng Prec Ind Co Ltd 具有扣合結構之光罩盒
US9412632B2 (en) * 2012-10-25 2016-08-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Reticle pod
US20150131071A1 (en) * 2013-11-08 2015-05-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device manufacturing apparatus
KR102164153B1 (ko) * 2016-04-06 2020-10-12 엔테그리스, 아이엔씨. 윈도우 보유 스프링을 구비한 기판 용기
KR102127783B1 (ko) * 2017-01-25 2020-06-30 구뎅 프리시젼 인더스트리얼 코포레이션 리미티드 Euv 레티클 포드
TWI690771B (zh) * 2018-01-11 2020-04-11 家登精密工業股份有限公司 光罩壓抵單元及應用其之極紫外光光罩容器

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012186391A (ja) * 2011-03-07 2012-09-27 Canon Inc レチクル収容容器、露光装置及びデバイス製造方法
JP2012255958A (ja) * 2011-06-10 2012-12-27 Nikon Corp マスク保護装置、露光装置、及びデバイス製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI753757B (zh) 2022-01-21
JP2021153177A (ja) 2021-09-30
CN113443253A (zh) 2021-09-28
KR20210119875A (ko) 2021-10-06
TW202136129A (zh) 2021-10-01
JP7215803B2 (ja) 2023-01-31
US20210300635A1 (en) 2021-09-30
CN113443253B (zh) 2023-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7433350B2 (ja) レチクル保持システム
KR102512200B1 (ko) 레티클 유지 시스템
TW201827918A (zh) 光罩盒
JP2008531416A (ja) 絶縁システムを備えるレチクルポッド
KR102576493B1 (ko) 용기 시스템
KR102569151B1 (ko) 피가공물 컨테이너 시스템
JP2022022047A (ja) ガイド部材を有するマスクケース
KR102509762B1 (ko) 피가공물 컨테이너 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant