JP2021153177A - 容器システム - Google Patents

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Abstract

【課題】ワークピースの保管環境の清掃が容易な容器システムを提供する。【解決手段】本開示は、ワークピースを受け入れるように構成された内側ベースを備える容器システムを開示し、内側ベースは、ワークピース収容領域に対応する第１の処理領域と、内側ベースの第１の処理領域の周りに配置された第２の処理領域と、第１の処理領域と第２の処理領域との間の境界領域に配置されたワークピース支持ポストとを含む。【選択図】図２ｃ

Description

（関連出願の相互参照）
本出願は、２０２０年３月２４日に出願された米国仮特許出願第６２／９９４２４２号の利益を主張し、これは参照により本明細書中に取り込まれ、本明細書の一部をなす。
本開示は、フォトマスク、レチクル、及びウエハなどの壊れやすい物体の保管、輸送、出荷、及び処理のための容器に関し、特に、極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィプロセスのためのレチクルの保管、輸送、出荷、及び処理のための保持システムに関する。
半導体産業において、潜在的な周囲の危険からのワークピースの保護レベル向上の要求に応えるために、ワークピースの容器（例えば、フォトマスク／レチクル保持装置）は、その保持対象の高精度要件と共に進化してきた。
例えば、より新しい世代のレチクル保持装置は、レチクルを受け入れるための内側ポッドと、内側ポッドを収容するための外側ポッドとを含むデュアルポッド構成を備えていることがある。輸送中、レチクルは、内側ポッド内に格納され得る。リソグラフィプロセスを実行するために、外側ポッドを開いて、そこから内側ポッドを取り出すことができる。次に、露光装置内の指定された位置に到達すると、収容されたレチクルを使用する後続の露光プロセスのために、内側ポッドを開くことができる。
現代のＥＵＶリソグラフィプロセスでは、半導体デバイスの限界寸法（ＣＤ）のスケーリングがより精密になるにつれて、ＥＵＶマスク（例えば、レチクル）をクリーンに取り扱うための要件もより厳しくなる。従って、ワークピースが保持／保管される環境のコントロールや、繊細なワークピースの保管環境を清掃するための技術も重要になる。
本開示の技術は、ワークピースの保管環境の清掃が容易な容器システムを提供することを目的とする。
本開示の一態様は、ワークピースを受け入れるように構成された内側ベースを備える容器システムを提供し、内側ベースは、ワークピース収容領域に対応する第１の処理領域と、内側ベースの第１の処理領域の周りに配置された第２の処理領域と、第１の処理領域と第２の処理領域との間の境界領域に配置されたワークピース支持ポストとを含む。
本開示の別の態様は、外側ベース及び内側ベースを備える容器システムを提供する。外側ベースは、支持構造を備え、内側ベースを支持するように構成された上部デッキと、上部デッキに対向する下部デッキとを備える中空体を有し、下部デッキは排水穴パターンを備え、排水穴パターンが下部デッキの幾何学的中心領域を取り囲む。内側ベースは、ワークピースを受け入れるように構成され、ワークピース収容領域に対応する第１の処理領域と、第１の処理領域の周りに配置された第２の処理領域と、第１の処理領域と第２の処理領域との間の境界領域に配置されたワークピース支持ポストとを含む。
図１は、本開示のいくつかの実施形態による容器システムの概略断面図である。 図２ａは、本開示のいくつかの実施形態による、疎水化処理なしの表面上の液滴の概略的な部分断面図である。 図２ｂは、本開示のいくつかの実施形態による、疎水化処理された表面上の液滴の概略的な部分断面図である。 図２ｃは、本開示のいくつかの実施形態による内側ベースの概略平面図である。 図２ｄは、本開示のいくつかの実施形態による内側カバーの概略図である。 図３は、本開示のいくつかの実施形態による容器システムの等角分解図である。 図４は、本開示のいくつかの実施形態による容器システムの概略断面図である。 図５は、本開示のいくつかの実施形態による容器システムの概略的な部分断面図である。 図６ａは、本開示のいくつかの実施形態による容器システムの概略的な部分断面図である。 図６ｂは、本開示のいくつかの実施形態による容器システムの概略的な部分断面図である。 図７は、本開示のいくつかの実施形態による容器システムの概略平面図である。 図８は、本開示のいくつかの実施形態による容器システムの概略平面図である。 図９は、本開示のいくつかの実施形態による容器システムの概略図である。 図１０は、本開示のいくつかの実施形態によるドレインホールの断面プロファイルを示す図である。 図１１は、本開示のいくつかの実施形態による排水穴の断面プロファイルを示す図である。 図１２は、本開示のいくつかの実施形態による排水穴の断面プロファイルを示す図である。 図１３は、本開示のいくつかの実施形態による排水穴の断面プロファイルを示す図である。 図１４は、本開示のいくつかの実施形態による排水穴の断面プロファイルを示す図である。
本開示の列挙された特徴が詳細に理解され得るように、上記で簡単に要約された本開示のより具体的な説明は、実施形態を参照することによってなされ得る。実施形態のいくつかは、添付の図面に示されている。しかしながら、添付の図面は、本開示の典型的な実施形態のみを例示し、したがって、本開示の範囲を限定すると見なされるべきではないことに留意されたい。なぜなら、本開示は、同等に有効な他の実施形態を許容することができるからである。
しかしながら、添付の図面は、本開示の例示的な実施形態のみを示し、したがって、本開示は、他の同等に有効な実施形態を許容し得るので、本開示の範囲を限定すると見なされるべきではないことに留意されたい。
これらの図は、特定の例示的な実施形態において利用される方法、構造、及び／又は材料の一般的な特徴を示すこと、及び以下に提供される書面による説明を補足することを意図していることに留意されたい。しかしながら、これらの図面は、縮尺通りではなく、任意の所与の実施形態の正確な構造又は性能特性を正確に反映していない可能性があり、例示的な実施形態によって包含される値又は特性の範囲を定義又は限定するものと解釈されるべきではない。例えば、層、領域、及び／又は構造要素の相対的な厚さ及び配置は、明確にするために低減又は誇張され得る。様々な図面における類似又は同一の参照番号の使用は、類似又は同一の要素、又は類似又は同一の特徴の存在を示すことを意図している。
以下、本開示の例示的な実施形態が示されている添付の図面を参照して、本開示をより十分に説明する。しかしながら、本開示は、多くの異なる形態で具現化されてもよく、本明細書に記載された例示的な実施形態に限定されるものとして解釈されるべきではない。むしろ、これらの例示的な実施形態は、本開示が徹底的かつ十分であり、本開示の範囲を当業者に十分に伝えるように提供される。同様の参照番号は、全体を通して同様の要素を指す。
本明細書で使用される用語は、特定の例示的な実施形態を説明することのみを目的としており、本開示を限定することを意図するものではない。本明細書で使用される場合、単数形「ａ」、「ａ」及び「ｔｈｅ」は、文脈がそうでないことを明確に示さない限り、複数形も含むことを意図される。さらに、本明細書で使用される場合、「備える（comprises）」及び／又は「備える（comprising）」、「含む（includes）」及び／又は「含む（including）」、又は「有する（has）」及び／又は「有する（having）」という用語は、述べられた特徴、領域、整数、ステップ、操作、要素、及び/又は構成要素の存在を特定するが、1つ又は複数の他の機能、領域、整数、ステップ、操作、要素、構成要素、及び/又はそれらのグループの存在又は追加を妨げるものではないことが理解されよう。
別段の定義がない限り、本明細書で使用されるすべての用語（技術用語および科学用語を含む）は、本開示が属する技術分野の当業者によって一般に理解されるものと同じ意味を有する。さらに、一般的に使用される辞書で定義されるような用語は、関連技術及び本開示の文脈におけるそれらの意味と一致する意味を有するものとして解釈されるべきであり、本明細書中で明示的にそのように定義されない限り、理想化された又は過度に形式的な意味で解釈されないことが理解されよう。
以下、図１〜図１４の添付図面と併せて、例示的な実施形態について説明する。図面を参照して、本開示を詳細に説明するが、図示された要素は必ずしも一定の縮尺で示されておらず、同様又は類似の要素は、いくつかの図を通した同一又は類似の参照番号と、同一又は類似の用語とで示されている。
図１は、本開示のいくつかの実施形態による容器システムの概略断面図を示す。単純且つ明確に図示するために、例示的なデバイスのいくつかの詳細／サブ構成要素は、本図において明示的に符号を付与／図示されていない。点線のフレームＥ１は、図１の点線のフレームＥ２に囲まれている本開示のいくつかの実施形態による容器システムの一部の拡大等角図を示している。
図１を参照すると、例示的な容器システム１００は、外側ポッド１１０と、外側ポッド１１０によって受け入れられるように構成された内側ポッド１２０とを備える。内側ポッド１２０は、ワークピース（例えば、レチクル）を受け入れるように構成されている。図示された実施形態では、内側ポッド１２０は、その幾何学的中心領域にワークピース収容領域１２２ａを画定する第１のベース（例えば、内側ベース１２２）を含む。ワークピース収容領域１２２ａは、周辺領域１２２ｂによって囲まれている。内側ポッド１２０は、さらに、内側ベース１２２の周辺領域１２２ｂとの係合を確立するように構成された第１のカバー（例えば、内側カバー１２１）を含み、ワークピース（例えば、レチクルＲ１）を収容するための封入時に、協働して内部空間を形成する。
そのセンシティブで壊れやすい内容物に対する完全な保護を提供するために、いくつかの実施形態では、内側カバー１２１及び内側ベース１２２は、電磁干渉（ＥＭＩ）シールド特性を備えることができる。ＥＭＩシールド機能を提供するための適切な材料には、金属などの導電性材料が含まれていてもよい。いくつかの実施形態では、内側ベース及び内側カバーは、実質的に金属から作製されている。いくつかの実施形態では、金属コーティング（銅又は金など）が内側ポッド１２０の表面上に設けられ得る。いくつかの実施形態では、内側カバー１２１及び内側ベース１２２の両方が、アルミニウムなどの金属材料から作製されている。
図１に示すように、例示的な外側ポッド１１０は、内側ポッド１２０を収容するように構成される。図示された実施形態では、外側ポッド１１０は、内側ベース１２２を受け入れるように構成された第２のベース（例えば、外側ベース１１２）と、外側ベース１１２と係合する（かつ内側ポッド１２０を覆う）ように構成された第２のカバー（例えば、外側カバー１１１）とを含む。いくつかの実施態様において、外側ベース１１２及び外側カバー１１１の一方又は両方に静電荷散逸特性（static charge dissipation property）を持たせることができる。いくつかの実施形態では、外側ポッド１１０は、導電性繊維と混合されたポリマー材料から構成されてもよい。例えば、いくつかの実施形態では、外側カバー１１１及び外側ベース１１２の一方又は両方は、炭素繊維埋め込み樹脂材料から作製されている。
いくつかの実施形態では、内側カバー１２１は、内側ベース１２２の周辺領域１２２ｂとの封止係合を確立するように構成される。いくつかの実施形態において、内側カバー１２１は、外側ベース１１２と外側カバー１１１との間の封入時に、外側カバー１１１からの圧力を介して内側ベース１２２との押圧係合を確立するように構成されてもよい。いくつかの実施形態では、内側カバー１２１と内側ベース１２２との間の押圧係合は、実質的に平坦な金属対金属界面（planar metal to metal interface）を介して形成されてもよい。一般に、押圧係合は、内部ポッド１２０の上側部材と下側部材との間の接触界面を通って、塵埃や湿気が内部空間内に入るのを防止する密閉容器（sealing enclosure）を確立する。いくつかの実施形態では、内側カバー１２１及び内側ベース１２２の一方又は両方に、周囲の汚染物質に対する阻止能力をさらに強化するために、それぞれの係合界面領域に追加の封止要素（例えば、封止ガスケット又はＯリング）を設けることができる。
いくつかの実施形態では、内側ポッド１２０は、ワークピース（例えば、レチクルＲ１）を受け入れるために、内側ベース１２２の上面に配置された支持要素（例えば、ワークピース支持ポスト１２４）を備えていてもよい。いくつかの実施形態では、押圧ユニット（例えば、押さえピン１４１）が、ワークピースを押圧／保持するために、内側カバー１２１の上面に設けられてもよい。
いくつかの実施形態では、外側ポッド１１０は、内側ポッド１２０を支持するように構成された、外側ベース１１２上に配置された支持構造１９０を含むことができる。いくつかの実施形態では、外側ベース１１２及び支持構造１９０は、一体的に形成される。いくつかの実施形態では、支持構造１９０は、外側ベース１１２の上面に取り付けられる。図示された外側ポッド１１０は、内側ポッド１２０の押さえピン１４１に対応して配置された押圧要素１７１をさらに備えている。いくつかの実施態様において、外側カバー１１１及び押圧要素１７１は、１つの構造ユニットとして一体的に形成される。いくつかの実施態様において、押圧要素１７１は、内側カバー１２１に対向する外側カバー１１１の表面に取り付けられている。外側カバー１１１が外側ベース１１２に連結されると、押圧要素１７１は、押さえピン１４１を押してワークピースＲ１を押圧／保持し、これにより受け入れ時にワークピースの動きを制限する。
いくつかの実施形態では、押圧要素１７１及び押さえピン１４１は、電荷散逸特性をさらに備えている。したがって、外側カバー１１１が外側ベース１１２に連結されると、押圧要素１７１は、押さえピン１４１を押してワークピースＲ１を押圧し、受け入れたワークピースＲ１から、押さえピン１４１及び押圧要素１７１を通って外側カバー１１１へと続く電荷散逸経路（図中、影付き矢印で示す）を確立する。いくつかの動作シナリオでは、受け入れたワークピースＲ上に蓄積された電荷を、電荷散逸経路を通してグラウンドに散逸させることを可能にするために、外側カバー１１１を接地することができる。押さえピン１４１の材料には、導電性材料又は静電気拡散性（static dissipative）材料が含まれていてもよく、それによって、押さえピン１４１を電荷散逸経路の一部にして、そこでの接地を可能にする。いくつかの実施形態では、押さえピン１４１及び押圧要素１７１は、約１０６Ω〜１０１１Ωの範囲の表面抵抗値を備えている。いくつかの実施形態では、押さえピン１４１及び押圧要素１７１は、約１０５Ω未満の表面抵抗値を備えている。
いくつかの実施形態では、内側ポッド１２０のワークピース支持ポスト１２４及び外側ポッド１１０の支持構造１９０は、さらに、電荷散逸特性を備えている。例えば、ワークピース支持ポスト１２４及び支持構造１９０は、電荷散逸表面コーティングを備えていてもよい。従って、外側カバー１１１が外側ベース１１２に連結されると（従って、内側ベース１２２上のワークピース支持ポスト１２４がワークピースＲ１との接触を確立すると）、受け入れたワークピースＲから、支持ポスト１２４、内側ベース１２２及び支持構造１９０を通って外側ベース１１２へと続く電荷散逸経路（図中、影付き矢印で示す）が形成され得る。いくつかの実施形態では、外側ベース１１２は接地され、受け入れたワークピースＲ１上に蓄積された電荷の散逸を可能にする（電荷散逸経路を通して接地される）。いくつかの実施態様では、内側ポッド１２０の材料には、導電性材料又は静電気拡散性材料が含まれていてもよく、それにより、内側ポッド１２０を電荷散逸経路の一部にして、そこでの接地を可能にする。いくつかの実施形態では、ワークピース支持ポスト１２４及び支持構造１９０は、約１０６Ω〜１０１１Ωの範囲の表面抵抗値を有する。いくつかの実施形態では、ワークピース支持ポスト１２４及び支持構造１９０は、約１０５Ω未満の表面抵抗値を有する。
図１に示されるように、例示的なシステムは、レチクルＲ１の観察を可能にするために、内側ベース１２２のワークピース収容領域１２２ａに画定された第１の観察可能ゾーンＺ１１を有する。いくつかの実施形態では、第１の観察可能ゾーンＺ１１は、信号透過構造（例えば、開口部又は信号透過部材）を含むウィンドウを備えていてもよい。例えば、例示的な内側ベース１２２は、第１の観察可能ゾーンＺ１１に配置された内側光学部材１２２１を含む。いくつかの実施形態では、内側光学部材１２２１は、赤外光、可視光、又は紫外光の信号に対する信号透過材料から作製されていてもよい。内側光学部材１２２１の適切な材料には、ガラス（例えば、石英ガラス）、アクリル、透明プラスチック、又は他の同等の材料が含まれていてもよい。図示された実施形態では、内側光学部材１２２１には、内側ベース１２２（ワークピース収容領域１２２ａ内）に埋め込まれた石英ガラス片が含まれていてもよい。
本実施形態では、第１の観察可能ゾーンＺ１１は、レチクルＲ１を受け入れたときにレチクルＲ１の第１の識別特徴（例えば、一次元又は二次元のバーコード）の観察を可能にするように対応して設計される（第１の識別特徴は、概略図には明示的に示されていない）。いくつかの実施形態では、レチクルＲ１の第１の識別特徴は、第１の観察可能ゾーンＺ１１内のウィンドウに面する表面上に形成される。
外側ベース１１２は、その上に画定された第２の観察可能ゾーンＺ１２を有する。第２の観察可能ゾーンＺ１２は、内側ポッド１２０の第１の観察可能ゾーンＺ１１に観察可能に位置合わせされるように配置されている。従って、第２の観察可能ゾーンＺ１２及び第１の観察可能ゾーンＺ１１を光学的にスキャンすることによって、ワークピース容器を開ける必要なしに、容器システム１００内に保持されたレチクルＲ１の迅速な目視確認又は光学的確認（レチクルＲ１の状態及び第１の識別）を達成することができる。従って、ポッドが開く頻度は、半導体製造プロセス中に減少する可能性があり、これにより、センシティブな精密ワークピースが潜在的に危険な周囲要因に曝されるのを、最小限に抑制することができる。
図示された実施形態では、外側ベース１１２は、内側ベース１２２を支持するように構成された上部デッキ１１２ａと、上部デッキ１１２ａに対向する下部デッキ１１２ｂとを備える中空体を有する。いくつかの実施形態では、例示的な上部デッキ１１２ａ及び下部デッキ１１２ｂの両方は、実質的に水平なプレートの構造を備えていてもよい。例示的な下部デッキ１１２ｂは、上部デッキ１１２ａを封止するように構成される。いくつかの実施形態では、下部デッキ１１２ｂと上部デッキ１１２ａとが一体的に形成されている。例示的な第２の観察可能ゾーンＺ１２は、上部デッキ１１２ａ及び下部デッキ１１２ｂにそれぞれ配置された２つの重なり合う信号透過構造（例えば、外側光学部材１１２１）を含むウィンドウを備えている。
いくつかの実施形態では、上部デッキ１１２ａ及び／又は下部デッキ１１２ｂに埋め込まれた外側光学部材１１２１は、赤外光、可視光、又は紫外光に対する信号透過材料で作製されていてもよい。外側光学部材１１２１の適切な材料には、ガラス（例えば、石英ガラス）、アクリル、透明プラスチック、又は同等の材料が含まれていてもよい。いくつかの実施形態では、外側光学部材１１２１の透過率の値は、上述のスペクトル範囲のうちの１つ又は複数の光信号に対して８０％を超える。特定の適用要件に応じて、いくつかの実施形態では、光学部材（例えば、外側光学部材及び／又は内側光学部材）は、凹状／凸状表面を含んでいてもよい。
いくつかの実施形態では、内側光学部材１２２１は、６００ｎｍ〜９５０ｎｍの範囲の波長に関して、外側光学部材１１２１よりも低い反射率の値を有する。いくつかの実施形態では、光学部材の対応する波長範囲は、約６３０ｎｍ〜９３０ｎｍの範囲であってもよい。いくつかの実施形態では、上記の波長範囲に対する外側光学部材１１２１の反射率の値は、１５％未満であってもよい。いくつかの実施形態では、上記の波長範囲に対する内側光学部材１２２１の反射率の値は、０．５％未満であってもよい。いくつかの実施形態では、内側光学部材１２２１は、反射防止コーティングをさらに備えていてもよい。いくつかの実施形態では、内側光学部材１２２１は、ＥＭＩシールド特性を有する層をさらに備えていてもよい。
いくつかの実施形態では、内側光学部材１２２１は、第１の観察可能ゾーンＺ１１内に密封的に設置されてもよい。例えば、内側光学部材１２２１の構造は、光透過部材の周囲に封止部材（例えば、Ｏリング）を含んでもよい。一般に、内側光学部材１２２１の構造は、光学部材と内側ベースとの間の構造的界面を通って、塵埃や湿気が内部空間内に入り込むのを十分に防止することができる密閉容器（sealing enclosure）を提供する。いくつかの実施形態では、光学部材１２２１は、気密レベルの封止を達成するように構成されてもよい。
耐塵（dust-resisting）及び／又は防塵（dust-proofing）の要件が厳しいいくつかの実施形態では、外側ベース１１２の第２観察可能ゾーンＺ１２内の外側光学部材１１２１は、同様の封止機構を備えていてもよい。しかしながら、内部封止だけで十分である用途では、外側光学部材１１２１は、構造の複雑性、重量、及びコストの懸念を低減するために封止機構を利用せずに構成されてもよい。
いくつかのシナリオでは、ワークピース（例えば、レチクルＲ１）上の残留化学溶液から放出される揮発性ガスは、ワークピース（例えば、レチクルＲ１）に悪影響を与える可能性がある。いくつかの実施形態では、悪影響を軽減するために、クリーンなガスで内側ポッド（例えば、内側ポッド１２０）内をパージすることができる。いくつかの実施形態では、内側ポッド（例えば、内側ポッド１２０）は、パージされたガスのクリーン度を維持するために、フィルタモジュール（例えば、フィルタモジュール１２３）をさらに備えることができる。例えば、内側カバー１２１は、複数の貫通孔１２３ｂが形成されたフィルタカバー１２３ａと、フィルタカバー１２３ａと内側カバー１２１との間に挟まれたフィルタシート１２３ｃとを含むフィルタモジュール１２３を備える。図示された実施形態では、内側カバー１２１の幾何学的中心領域には、フィルタカバー１２３ａを受け入れる凹部特徴１２３ｄと、内側カバー１２１を貫通して配置された複数の孔１２３ｅとが形成されている。フィルタカバー１２３ａは、内側カバー１２１上に（例えば、留め具１２３ｆによって）取り付けられるように構成されており、これにより、内側カバー１２１を貫通して配置された孔１２３ｅをフィルタカバー１２３ａの貫通孔１２３ｂと位置合わせする。いくつかの実施形態では、フィルタモジュール１２３は、フィルタカバー１２３ａと内側カバー１２１との間の封止係合を強化するための封止部材（例えば、封止リング１２３ｇ）をさらに備えることができる。例えば、フィルタモジュール１２３は、フィルタカバー１２３ａの周辺部と内側カバー１２１との間（例えば、凹部特徴１２３ｄの上面）に配置された封止リング１２３ｇを更に備える。いくつかの実施態様において、フィルタカバー１２３ａの周辺部に、封止リング１２３ｇを収容するための下向きの環状溝を形成することができる。
容器が洗浄／清掃された後、残留水が、外側ベース１１２の中空体内に残留している可能性がある。残留水が中空体から流出することを可能にするために、いくつかの実施形態では、外側ベース（例えば、外側ベース１１２）に排水穴が設けられる。例えば、外側ベース１１２の例示的な下部デッキ１１２ｂは、複数の排水穴１１２ｃを備えている。下部デッキ１１２ｂ内の排水穴１１２ｃは、残留水が中空体から流出することを可能にし、それによって、外側ポッドのベース内の残留水の量を減少させて、外側ポッド１１０の焼成時間を短縮することができる。いくつかの実施態様では、外側ポッドのベースと蓋との間の封止係合を維持するために、外側ベースの上面（例えば、上部デッキ１１２ａ）には排水穴がない。
いくつかのシナリオでは、容器システムが清掃された（例えば、洗浄された）後、容器システムの表面に水が残留する可能性がある。残留水は、汚れを引きつける可能性があるため、ワークピース（例えば、ＥＵＶレチクル）の汚染の可能性が高くなる。内側ポッドの表面特性を変更することによって、内側ポッドは、清掃後により容易に乾燥させることができる。したがって、清浄化処理（cleansing process）後の焼成／乾燥時間を短縮することができる。さらに、内側ポッド（例えば、内側ポッド１２０）の表面処理（例えば、疎水化処理）は、微細な塵埃の付着を低減し、それらを洗い流しやすくし、それによって、内側ポッドの防塵（dust-proofing）能力を高めることができる。いくつかの実施形態では、表面特性の変更は、アルカリベースの溶液（炭酸カリウム及び水酸化ナトリウムなど）への浸漬、フッ素含有コーティングの噴霧又は蒸着、電気めっきや無電解めっき、又は表面粗さを変えるためのレーザアブレーションによって行うことができ、それによって処理された表面の親水性及び疎水性を変更する。
図２ａ及び図２ｂは、それぞれ、本開示のいくつかの実施形態による、疎水化処理なし（又は、親水化処理あり）の内側ポッドの表面Ｓ１上の液滴ｄの概略的な部分断面図と、内側ポッドの疎水化処理された表面Ｓ２上の液滴ｄの概略的な部分断面図とを示す。図示された実施形態では、図２ａに示す濡れ角ａ１（例えば、５０°未満）は、図２ｂに示す濡れ角ａ２（例えば、５０°を超える）よりも小さい。疎水化処理された表面（例えば、Ｓ２）上の液滴について、大きな濡れ角（例えば、液体の表面と接触面の輪郭との間の角度）が観察され得る。残留液滴のこのような大きな濡れ角は、内側ポッド（例えば、内側ポッド１２０）の焼成時間を短縮するのに役立ち得る。
さらに、内側ポッド（例えば、内側ポッド１２０）は、異なる領域に分割されてもよく、その上に、親水化及び疎水化の異なる表面処理が施されてもよい。このような構成は、周囲条件の変化によって引き起こされる結露によって生じる、受け入れたワークピース（例えば、レチクル）への汚染を防止することができる。いくつかの実施形態では、内側カバー（例えば、内側カバー１２１）及び内側ベース（例えば、内側ベース１２２）の一方又は両方は、その全体が表面処理されてもよい。いくつかの実施形態では、内側カバー（例えば、内側カバー１２１）及び内側ベース（例えば、内側ベース１２２）の一方又は両方は、部分的に／選択的に表面処理されてもよい。例えば、内側カバーの内面（例えば、内側ポッドの閉鎖時の内側カバー１２１の内側に露出した表面）及び内側ベースの内面（例えば、内側ポッドの閉鎖時の内側ベース１２２の内側に露出した表面）は、（例えば、受け入れたレチクルの通常の投影に対応する領域で）親水化処理されてもよい。いくつかの実施形態では、内側カバーと内側ベースとの間の界面は、疎水化処理されてもよい。いくつかの実施形態では、内側ベース／内側カバーの残りの領域（例えば、外側に面する表面／外表面）は、疎水化処理されてもよい。
図２ｃは、本開示のいくつかの実施形態による内側ベースの上面図を示す。図２ｄは、本開示のいくつかの実施形態による内側カバーの底面図を示す。説明を簡単かつ明確にするために、例示的なデバイスのいくつかの詳細／サブコンポーネントは、本図において明示的に符号を付与／図示されていない。
図２ｃを参照すると、例示的な内側ベース２２２は、ワークピース収容領域２２２ａに対応する第１の処理領域を含む。例えば、第１の処理領域を表す影付きの領域Ａ２１は、例示的なワークピース収容領域２２２ａの表面積と実質的に等しい表面積を有する。いくつかの実施形態では、第１の処理領域は、親水化処理領域を含む。周囲条件の変化（例えば、装置の誤作動）による水の結露が発生すると、ワークピース収容領域２２２ａ（例えば、受け入れたレチクルの通常の投影下の内側中央領域）で発生した水滴は、より小さな濡れ角（換言すれば、より低い全体的な液滴高さ）を有する可能性があり、したがって、保管されているレチクルに接触する可能性が低減される。いくつかの実施形態では、第１の処理領域（例えば、影付きの領域Ａ２１）は、ワークピース収容領域２２２ａよりも小さくても大きくてもよい。
いくつかの実施形態では、内側ベース（例えば、内側ベース２２２）の内面（例えば、周辺領域２２２ｂ）は、第２の表面処理でさらに処理される。例えば、内側ベース２２２は、内側ベースの第１の処理領域Ａ２１の周りに配置された第２の処理領域２２２ｂ（例えば、周辺領域）を含む。いくつかの実施形態では、第２の処理領域Ａ２２は、疎水化処理領域を含む。なお、疎水化処理が施された内側ベース２２２は、清掃後、より容易に乾燥させることができる。いくつかの実施形態では、内側ベースの外面（例えば、内側ベース２２２の外面）は、疎水化処理でさらに処理されてもよい。
図示された実施形態では、内側ベース２２２のワークピース収容領域２２２ａは、内側ベース２２２の幾何学的中心領域に概ね配置され、環状凹部２２２ｃによってさらに取り囲まれている。例示的な第２の処理領域Ａ２２は、環状凹部２２２ｃを完全に取り囲むように配置されている。第１の表面処理を受けるワークピース収容領域２２２ａは、実質的に平坦な表面を備えていてもよい。
内側ベース２２２は、ワークピースの横方向の動きを制限するように構成されたワークピース支持ポスト２２４を更に備えていてもよい。いくつかの実施形態では、ワークピース支持ポスト２２４は、第１の処理領域２２２ａと第２の処理領域２２２ｂとの間の境界領域（例えば、環状凹部２２２ｃ）に配置される。いくつかの実施態様において、境界領域は、環状凹部２２２ｃとワークピース収容領域２２２ａとの間の境界（例えば、図２ｃに示される影付きの領域Ａ２１の輪郭）によって画定されてもよい。いくつかの実施形態では、第２の処理は、環状凹部２２２ｃにさらに適用される。いくつかの実施形態では、内側ベース２２２とワークピース支持ポスト２２４との間の領域（例えば、ポストが取り付けられる内側ベースの領域）は、疎水化処理されない。
図２ｄを参照すると、例示的な内側カバー２２１は、内側ベース（例えば、内側ベース２２２）に適合するように構成される。内側カバー２２１は、内側ベースのワークピース収容領域（例えば、ワークピース収容領域２２２ａ）に対応する第１処理領域２２１ａを含む。いくつかの実施形態では、第１の処理領域２２１ａは、親水化処理領域を含む。図示された実施形態では、第１の処理領域は、フィルタモジュール２２３（内側カバーの幾何学的中心領域に配置されるように示されている）を避けて配置される。いくつかの実施形態では、第１の処理領域は、フィルタモジュール２２３を避けて配置される親水化処理領域を含む。いくつかの実施形態では、フィルタモジュール２２３は、表面処理（例えば、疎水化処理）することができる。例えば、フィルタカバー（例えば、図１に示されるフィルタカバー１２３ａ）は、それを疎水性にするために、全体的に又は部分的に表面処理され得る。いくつかの実施形態では、内側カバー２２１は、内側カバー２２１の第１の処理領域２２１ａの周りに配置された第２の処理領域２２２ｂをさらに含む。いくつかの実施形態では、第２の処理領域は、疎水化処理領域を含む。いくつかの実施形態では、内側カバーの外面（例えば、内側カバー２２１の外面）は、疎水化処理でさらに処理されてもよい。
いくつかの実施形態では、内側カバーには、内側カバーの第２の処理領域に配置された押さえピン２４１をさらに備えている（例えば、押えピン２４１は、内側カバー２２１の上面に配置されている）。いくつかの実施形態では、押さえピン２４１自体を、第２の処理（疎水化処理）で処理することができる。
いくつかの実施形態では、内側ベース２２２及び内側カバー２２１は、実質的に金属から作製されている。さらに、疎水化処理領域は、約１０１１Ω未満の表面抵抗値を備えている。例えば、内側ポッドの疎水性コーティングは、静電荷散逸能力を維持するために１μｍ未満に保たれる。いくつかの実施形態では、疎水化処理領域上の疎水性層は、約１μｍ未満の厚さを有する。フィルタカバーの疎水性コーティングの厚さが１μｍ未満である場合に、フィルタカバーの導電率に対するコーティングの効果を受け入れることができる。いくつかの実施形態では、フィルタカバー（例えば、フィルタカバー１２３ａ）がフッ素含有コーティングで疎水化処理されている場合、フィルタカバーの疎水性コーティングの厚さは、約５μｍ〜６０μｍであってもよい。いくつかの実施態様において、内側ベースの支持ポストは、電荷散逸特性を備えている。
図３は、本開示のいくつかの実施形態による容器システムの等角分解図を示す。説明を簡単かつ明確にするために、例示的なデバイスのいくつかの詳細／サブコンポーネントは、本図において明示的に符号を付与されていない。
例示的な容器システム３００は、外側ポッド３１０と、その中に配置されるように構成された内側ポッド３２０とを備える。内部ポッド３２０は、ワークピース（例えば、レチクル）を受け入れるように構成される。内側ポッド３２０は、内側ベース３２２と内側カバー３２１とを含む。内側ベース３２２は、周辺領域３２２ｂによって取り囲まれるワークピース収容領域３２２ａを画定する。内側カバー３２１は、内側ベース３２２の周辺領域３２２ｂとの係合を確立するように構成され、それにより、ワークピース（例えば、レチクルＲ３）を収容するための封入時に、内部空間を協働的に画定する。
外側ポッド３１０は、内側ポッド３２０を収容するように構成される。図示された実施形態では、外側ポッド３１０は、内側ベース３２２を受け入れるように構成された外側ベース３１２と、外側ベース３１２と係合して内側ポッド３２０を覆うように構成された外側カバー３１１とを含む。
いくつかの実施形態では、内側カバー３２１は、内側ベース３２２の周辺領域３２２ｂとの封止係合を確立するように構成されてもよい。例えば、内側カバー３２１は、外側ベース３１２と外側カバー３１１との間の係合時に、外側カバー３１１によって押圧されるように構成することができる。
いくつかの実施形態では、内側カバー３２１及び内側ベース３２２は電磁干渉（ＥＭＩ）シールド特性を備えているので、ワークピース（例えばレチクルＲ３）への悪影響を低減することができる。いくつかの実施形態では、内側カバー３２１及び内側ベース３２２の適切な材料及び構造は、先の実施形態で説明したものに対応し得る。図示された実施形態では、内側カバー３２１及び内側ベース３２２の両方は、例えばコンピュータ数値制御（ＣＮＣ）機械加工技術を用いてアルミニウムから作製されている。
例示的な内側ポッド３２０は、フィルタモジュール３２３を備え、さらに、ワークピース（例えば、レチクルＲ３）を受け入れるために内側ベース３２２の上面に配置された４つのワークピース支持ポスト（例えば、３２４）と、ワークピース（例えば、レチクルＲ３）を押圧／保持するために内側カバー３２１の上面に配置された４つの押圧ユニット３４０（各々は押さえピン３４１を含む）とを含む。
例示的な外側ポッド３１０は、外側ベース３１２上に配置された３つの支持構造３９０と、内側ポッド３２０の４つの押さえピン３４１に対応して配置された４つの押圧要素３７１とを含む。外側カバー３１１が外側ベース３１２に連結されると、４つの押圧要素３７１が押さえピン３４１を押して、ワークピースＲ３の４つの角を押圧／保持する。本図に示すように、第１の観察可能ゾーンＺ３１は、内側ベース３２２のワークピース収容領域３２２ａ内に画定され、レチクルＲ３の観察を可能にする。図示された実施形態では、内側ベース３２２は、第１の観察可能ゾーンＺ３１に埋め込まれた２つの内側光学部材３２２１、３２２２を含む。
図示された実施形態では、内側ベース３２２は、その底面に第３の識別特徴Ｉ３を備える。いくつかの実施形態では、第３の識別特徴Ｉ３は、クイックレスポンスコード（ＱＲコード（登録商標））などの２次元バーコードを含むことができる。いくつかの実施形態では、第３の識別特徴Ｉ３は、外側ポッド３１０に対する内側ポッド３２０の向きを示すための視覚的な図形特徴であってもよい。例えば、第３の識別特徴Ｉ３は、非対称パターンを含むことができる。
外側ベース３１２は、内側ポッド３２０を受け入れると、外側ベース３１２上に画定されて、内側ポッド３２０の第１の観察可能ゾーンＺ３１に観察可能に位置合わせされた、第２の観察可能ゾーンＺ３２を有する。従って、第２の観察可能ゾーンＺ３２及び第１の観察可能ゾーンＺ３１をスキャンすることにより、容器システム３００内に保持されたレチクルＲ３の情報（レチクルＲ３の条件又は状態（condition or status）とその第１の識別Ｉ１など）の確認を簡単に達成することができ、それによって、外側ポッド３１０を開けなければならない回数を減らすことができる。外側光学部材３１２１を通して内側ポッド３２０の第３の識別特徴Ｉ３をスキャンし、内側ポッド３２０の向きを識別するために、スキャナＳ（図４に示される）が設けられてもよい。向きを微調整するために、その後の調整が行われてもよい。
図示された実施形態では、外側ベース３１２は、第２の観察可能ゾーンＺ３２に埋め込まれた外側光学部材３１２１を有する。いくつかの実施形態では、外側光学部材３１２１は、赤外光、可視光、又は紫外光に対して光学的に透過性の材料から作製されてもよい。いくつかの実施形態では、外側光学部材３１２１の透過率の値は、８０％より大きい。外側光学部材３１２１の適切な材料は、先の実施形態で説明した外側光学部材の材料と同等であり得る。
いくつかの実施形態では、内側光学部材３２２１（及び／又は３２２２）は、６００ｎｍ〜９５０ｎｍの範囲の波長に関して、外側光学部材３１２１よりも低い反射率の値を有する。いくつかの実施形態では、光学部材の対応する波長範囲は、約６３０ｎｍ〜９３０ｎｍの範囲であってもよい。いくつかの実施形態では、対応する波長範囲に対する外側光学部材３１２１の反射率の値は、約１５％未満であってもよい。いくつかの実施形態では、対応する波長範囲に対する内側光学部材３２２１の反射率の値は、約０．５％未満であってもよい。いくつかの実施形態では、内側光学部材３２２１（及び／又は３２２２）は、反射防止コーティングをさらに備えることができる。反射防止コーティングに起因して、内側光学部材３２２１の反射率の値が低下してもよい。
いくつかの実施形態では、２つの内側光学部材３２２１、３２２２は、第１の観察可能ゾーンＺ３１内に密封的に設置されてもよい。いくつかの実施形態では、２つの内側光学部材３２２１、３２２２は、赤外光、可視光、又は紫外光に対して光学的に透過性の材料から作製されてもよい。いくつかの実施形態では、２つの内側光学部材３２２１、３２２２の適切な材料は、先の実施形態で説明したものと同等である。いくつかの実施形態では、例示的な外側光学部材３１２１は、第２の観察可能ゾーンＺ３２内に密封的に設置されてもよい。
いくつかの実施形態では、内側ベースの第１の観察可能ゾーンにおけるウィンドウの数は、第２の観察可能ゾーンにおけるウィンドウの数よりも多い。例えば、図示された実施形態では、第１の観察可能ゾーンＺ３１には、２つのウィンドウ （例えば、２つの内側光学部材３２２１、３２２２）が設けられており、第２の観察可能ゾーンＺ３２内のウィンドウ（例えば、外側光学部材３１２１）の数は１つである。
内側ベース３２２は、第１の処理領域（例えば、図３に影付きの領域で示す親水性領域）と、第１の処理領域の周囲に配置された第２の処理領域（例えば、疎水性領域）とを備えている。ワークピース支持ポスト３２４は、第１の処理領域と第２の処理領域との間の境界領域に配置されている。例示的な第１の処理領域（例えば、影付きの領域）は、内側光学部材３２２１、３２２２の上面を含む。いくつかの実施形態では、内側光学部材３２２１、３２２２の底面には、疎水化処理が施される。
図４及び図５は、それぞれ、本開示のいくつかの実施形態によるレチクル保持システムの断面図及び部分断面図を示す。説明を簡単かつ明確にするために、例示的なデバイスのいくつかの詳細／サブコンポーネントは、本図において明示的に符号を付与されていない。いくつかの実施形態では、図５は、図４に示す点線のボックスＤ内の部分の部分断面図であってもよい。
図４は、内側ベース４２２上のワークピース収容領域４２２ａ内に受け入れられているワークピース（例えば、レチクルＲ４）を示す。内側ベース４２２の周辺領域４２２ｂは、内側カバー４２１と押圧係合されていることが示されている。いくつかの実施形態では、ワークピース収容領域４２２ａは、その幾何学的中心領域に概ね配置され、周辺領域４２２ｂによって囲まれ得る。図示された実施形態では、レチクルＲ４は、第１の識別特徴Ｉ１（例えば、２次元バーコード）と、第１の識別特徴Ｉ１の近くに配置されたペリクルＰと、それらの間に配置されたペリクルフレームＰＦとを含む。第２の識別特徴Ｉ２（図５に示す）は、ペリクルフレームＰＦ上に配置される。スキャナＳは、外側光学部材４１２１を介して第１の識別特徴Ｉ１を読み取るために提供されてもよい。ペリクルＰ及びペリクルフレームＰＦの一部は、外側光学部材４１２１及び内側光学部材４２２１を通して（例えば、干渉計を介して）観察／検査され得る。
例示的な外側ベース４１２は、内側ベース４２２を支持するように構成された上部デッキ４１２ａと、上部デッキ４１２ａに対向する下部デッキ４１２ｂとを備える中空体を有し、下部デッキ４１２ｂは、複数の排水穴４１２ｃを有する排水穴パターンを備えている。下部デッキ４１２ｂ内の排水穴４１２ｃは、残留水が中空体から流出することを可能にするように構成され、それにより外側ベース４１２内の残留水の量を低減する。
図示された実施形態では、２つの外側光学部材４１２１は、それぞれ、外側ベース４１２の上部デッキ４１２ａ及び下部デッキ４１２ｂに取り付けられている。２つの外側光学部材４１２１は、内側光学部材４２２１と位置合わせして配置されている。
いくつかの実施形態では、内側ポッド４２０は、先の実施形態と同様の第１の処理領域及び第２の処理領域をさらに備えることができる。ワークピース支持ポスト（現在の断面図には示されていない）は、第１の処理領域と第２の処理領域との間の境界領域にさらに配置されてもよい。
図５を参照すると、図示された実施形態において、第１の観察可能ゾーンＺ５１の配置は、ワークピース（例えば、レチクルＲ５）の第１の識別特徴Ｉ１、ペリクルフレームＰＦの第２の識別特徴Ｉ２、ペリクルフレームＰの一部、及びレチクルＲ５を受け入れたときのペリクルフレームＰＦの一部が観察できるように、対応して設計されている。
内側ベース５２２のワークピース収容領域５２２ａは、周辺領域５２２ｂの厚さＴ５２２ｂよりも小さい厚さＴ５２２ａを有するその断面における段差プロファイル５２２ｓを含む。図示された実施形態では、レチクルＲ５の周囲は、段差プロファイル５２２ｓの上方に支持され、一方、ペリクルＰ及びペリクルＰＦは、段差プロファイル５２２ｓによって投影的に取り囲まれて配置されている。いくつかの実施態様において、段差プロファイル５２２ｓは、（例えば、本図に示されるｚ方向に沿って）投影的に外側光学部材５１２１と重なっていてもよい。
いくつかの実施形態では、ワークピースＲ５の状態（例えば、ワークピースＲ５（例えば、レチクル）の存在、そのシリアル番号、向き）は、レチクル保持システムを開ける必要なしに、外側光学部材５１２１及び内側光学部材（例えば、現在の断面図に表示された部材５２２１）を通してスキャナＳにより識別されてもよい。また、内側ベース５２２の第３の識別特徴Ｉ３をスキャンして、内側ポッドのシリアル番号及び状態を識別することができる。
いくつかの実施態様において、外側ベース５１２の厚さＴ１（例えば、上部デッキ５１２ａの上面と下部デッキ５１２ｂの下面との間の距離）は、１６ｍｍから２３ｍｍの範囲であり、内側ポッド５２０の厚さＴ２は、１５ｍｍから２３ｍｍの範囲である。いくつかの実施形態において、Ｔ１とＴ２との間の比は、約０．５〜１．６の範囲であり得る。いくつかの実施形態では、この比は、約０．８〜１．２の範囲であり得る。
図６ａは、本開示のいくつかの実施形態による容器システムの部分断面図を示す。説明を簡単かつ明確にするために、例示的なデバイスのいくつかの詳細／サブコンポーネントは、本図において明示的に符号を付与されていない。いくつかの実施形態では、図６ａは、図４に示す点線のボックスＤ内の部分の部分断面図であってもよい。
図示された実施形態では、押さえピン６４１は、ワークピースを押さえるように構成された押圧部６４１１と、押圧部とは反対側の受圧部６４１２と、それらの間に配置された肩部６４１３とを備えている。肩部６４１３は、他の２つの部分６４１２、６４１１よりも幅広に構成されている。受圧面６４１２ａは、受圧部６４１２によって画定されている。図示された実施形態では、受圧面６４１２ａは、押圧部６４１１の反対側に配置された平坦面である。いくつかの実施形態では、押さえピン６４１は、例えば耐食性（erosion-resistance）ポリマーから一体的に形成された単一構造とすることができる。ポリマー材料は、パーティクルを発生させる可能性を低減するだけでなく、十分な構造強度を提供することもでき、したがって、それに加えられる外力の適切な伝達を可能にする。いくつかの実施形態では、押さえピン６４１は、複数のサブ構成要素からなる複合ユニットであってもよい。
図示されたシナリオでは、内側カバー６２１は、内側ベース６２２に連結されている。内側カバー６２１は、内側ベース６２２の周辺部に弾性的に接触し、内側ポッドの閉鎖中に位置合わせ／ガイドを提供するガイド部材６３５をさらに備えている。図６ａはさらに、制限キャップ６４２が、押さえピン６４１の肩部６４１３を覆う（それによって制限する）ことを示す。さらに、貫通孔６３０ａは、押さえピン６４１が貫通孔６３０ａを通って落下せず、むしろ制限キャップ６４２と内側カバー６２１との間に閉じ込められるように、肩部６４１３よりも狭くなるように構成される。図示された実施形態では、押さえピン６４１（例えば、肩部６４１３）は、第１の位置（例えば、肩部６４１３が制限キャップ６４２に物理的に接触する位置）で、内側カバー６２１上に配置された弾性要素６４３によって支持される。このような位置では、押さえピン６４１は、弾性要素６４３及び制限キャップ６４２によって制限される。いくつかの実施形態では、押さえピン６４１の肩部６４１３は、肩部６４１３が弾性要素６４３によって支持されるときに、制限キャップ６４２に接触しないように設計されてもよい。
弾性要素６４３の圧縮性により、押さえピン６４１は、ワークピース（例えば、レチクルＲ）に向かって移動することができる。換言すれば、押さえピン６４１は、内側カバー６２１上で垂直に（例えば、図６ａに示すｚ軸に沿って）移動可能である。一方、押さえピン６４１の押圧部６４１１は、貫通孔６３０ａを通って内側カバー６２１を貫通して配置されており、受け入れたワークピース（例えばレチクルＲ）を押圧するように構成されている。押さえピン６４１は、第１の位置にあるときにワークピース（例えばレチクルＲ）に接触するように図示されているが、いくつかのシナリオでは、押さえピン６４１は、第１の位置にあるときにワークピース（例えばレチクルＲ）に接触しなくてもよい。
制限キャップ６４２によって画定されるウィンドウ６４２ａ（例えば、開口）は、受圧部６４１２の受圧面６４１２ａを露出させ、それによって、受圧面６４１２ａの露出された部分が、押圧要素６７１（例えば、図１に示される要素１７１などの外側ポッドの外側カバー上に配置される）から下向きの圧力を受けることを可能にする。いくつかの実施態様において、受圧部は、ウィンドウ６４２ａを通って上方に（例えば、図６ａに示されるｚ軸に沿って）延在する。例えば、図示された実施形態では、受圧部６４１２は、ウィンドウ６４２ａを通り、制限キャップ６４２の上面６４２１を越えて上方に延在する。ここでは、受圧面６４１２ａは、上面６４２１よりも距離ｄだけ高い。
押圧要素６７１は、押さえピン６４１が受け入れたワークピース（例えば、レチクルＲ）に圧力をかけることができるように、押さえピン６４１をその露出部分（例えば、図６ａに示される受圧面６４１２ａ）で押圧するように構成されている。いくつかのシナリオでは、閉鎖中に外側カバー（例えば、図１に示される外側カバー１１１）が外側ベース上に配置されるときに、押圧要素６７１の押圧面６７１ａが、受圧部６４１２を押圧することができる。受圧部６４１２の上面（例えば、図６ａに示される受圧面６４１２ａ）は、押圧面６７１ａとの面接触する平坦な面であることが図示されている。外側カバーが外側ベースに向かって移動するにつれて、押圧面６７１ａが押さえピン６４１を押し下げ続け、押さえピン６４１がレチクルＲを押圧し続ける。より面積が大きい押圧面６７１ａ（例えば、押圧面６７１ａの横方向の投影が受圧部６４１２を完全に覆う）は、受圧部６４１２の上面との均一な面接触を確保するのに役立つ。このように、押さえピン６４１は、垂直方向に対して直接下向きに押圧されてもよいので、傾いた押さえピン６４１の問題を軽減することができる。一方、弾性要素６４３は、押さえピン６４１が押圧されている間、緩衝を提供する。
いくつかの実施形態では、押圧要素６７１は、さらに、制限キャップ６４２の上面６４２１に物理的に接触するように構成される。図６ａに示される断面では、受圧面６４１２ａの露出部分の投影領域（すなわち、投影線が互いに平行であり、例えばｚ軸に沿って延在する、平面上への平行な投影）の幅Ｗ２は、押圧要素６７１の幅（例えば、図６ａに示されるＷ１）よりも小さい。このような配置の下では、制限キャップ６４２の上面６４２１は、制限面として機能することができる。すなわち、押圧要素６７１が受け入れたレチクルＲに向かって移動されると、押圧要素６７１が制限キャップ６４２の制限面（例えば、上面）６４２１に物理的に接触したときに、その下向きの動きを終了させることができる。したがって、押さえピン６４１は、既に説明した第１の位置よりも低い第２の位置（図６ｂに示される）に到達する。いくつかの実施形態では、制限キャップ６４２の材料は、押圧要素よりも高い構造強度を有していてもよい。例えば、制限キャップ６４２の材料には、金属、合金、又は同様の材料が含まれていてもよい。従って、ワークピース（例えば、レチクルＲ）に加えられる圧力は、設計された閾値内に制限され、こうしてワークピース（例えば、レチクルＲ）は過度に加圧されないように保護され得る。図示された実施形態では、受圧面６４１２ａが、押さえピン６４１の移動距離（すなわち、第１の位置と第２の位置との間の距離）でもある距離ｄだけ、制限キャップ６４２の上面６４２１よりも高い高さに配置される。
いくつかの実施態様において、受圧面６４１２ａの露出部分の投影面積は、押圧要素６７１の投影面積よりも小さい。例えば、図６ａに示される押圧面６７１ａの面積は、受圧部６４１２の上面（例えば、受圧面６４１２ａ）の面積よりも大きい。
いくつかの実施態様において、弾性要素６４３がさらに、押さえピン６４１と内側カバー６２１との間にある程度の気密性を提供するように構成されてもよい。例えば、弾性要素６４３は、内側カバー６２１によって画定される貫通孔６３０ａを取り囲む環状構造を有し、それによって押さえピン６４１と内側カバー６２１との間にある程度の気密性を提供する。いくつかの実施形態では、弾性要素６４３はＯリングであってもよい。
図６ｂは、本開示のいくつかの実施形態による、第２の位置にある押さえピンの断面図を示す。いくつかの実施形態では、外側カバーが外側ベースに連結されると、押さえピンが押し下げられ、第２の位置に維持される。図示された実施形態では、押圧要素６７１の押圧面６７１ａは、同時に、押さえピン６４１の受圧部６４１２と制限キャップ６４２の制限面６４２１とに物理的に接触する。さらに、ワークピース（例えば、レチクルＲ）は、押さえピン６４１によって（例えば、その上面の角領域を）押圧されている。従って、ワークピース（例えば、レチクルＲ）は、その下側がワークピース支持ポスト６２４によって適切に支持されて、実質的に水平な向きにしっかりと保持され得る。
図示された実施形態では、押圧要素６７１が制限面６４２１に（例えば、ポッド閉鎖状態で）物理的に接触すると、制限キャップ６４２の上面（例えば、制限面６４２１）と、受圧部６４１２の上面（例えば、受圧面６４１２ａ）の露出部分とは、実質的に同一平面上にある。しかしながら、他の実施形態では、実質的に同一平面上にある代わりに、（例えば、ポッド閉鎖状態で）押圧要素が制限面に物理的に接触するときに、受圧面及び制限面の一方が、他方よりも受け入れたレチクルの近くに配置されてもよい。
いくつかの実施形態では、内側ポッド６２０は、先の実施形態と同様の第１の処理領域及び第２の処理領域をさらに備えることができる。ワークピース支持ポスト６２４は、第１の処理領域と第２の処理領域との間の境界領域にさらに配置されてもよい。
図７は、本開示のいくつかの実施形態によるレチクル保持システムの平面図を示す。説明を簡単かつ明確にするために、例示的なデバイスのいくつかの詳細／サブコンポーネントは、本図において明示的に符号を付与/図示されていない。例えば、図７には内側カバー及び外側カバーは示されていない。
図示された実施形態では、２つの内側光学部材７２２１、７２２２の一方は、他方よりも大きな平面領域を備えている。例えば、図示された平面図から、内側光学部材７２２１は、内側光学部材７２２２よりも大きな面積を有している。
図示された実施形態では、内側光学部材７２２１は、ペリクルＰ、ペリクルフレームＰＦの第２の識別特徴Ｉ２、及びペリクルフレームＰＦの一部への同時光学アクセスを可能にするために、より大きな平面領域で設計されている。一方、内側光学部材７２２２は、第１の識別特徴Ｉ１の観察を可能にするために、より小さな平面領域を備えている。一方、外側光学部材７１２１は、２つの内側光学部材７２２１、７２２２と観測可能に位置合わせされ、それにより、ペリクルＰ、ペリクルフレームＰＦの第２の識別特徴Ｉ２及びペリクルフレームＰＦの一部、及びそれを介した第１の識別特徴Ｉ１の観察が可能になる。
図示された実施形態では、外側光学部材７１２１は、第３の識別特徴Ｉ３の観察を可能にするように構成されている。このように、レチクルＲ７、ペリクルＰ、ペリクルフレームＰＦ、識別特徴Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３の状態などの情報の確認は、外側光学部材７１２１を通して観察することによって達成され得る。それによって、外側ポッドを開ける必要がある回数を減らすことができる。
いくつかの実施形態では、外側光学部材は、一対の内側光学部材と投影的に重なる場合がある。図示された実施形態では、２つの内側光学部材７２２１、７２２２は、外側光学部材７１２１と完全に重なり合う（例えば、投影的に覆われる）ように配置されている。このような実施形態では、外側光学部材の平面面積は、２つの内側光学部材の平面面積と等しいか、又はそれよりも大きい。例えば、図示した平面図では、外側光学部材７１２１の平面面積は、２つの内側光学部材７２２１、７２２２の平面面積よりも大きい。いくつかの実施形態では、２つの内側光学部材のいくつかの部分は、外側光学部材と重ならない場合がある。このような実施形態では、外側光学部材の平面面積は、２つの内側光学部材の平面面積よりも小さくてもよい。
図示された実施形態では、内部光学部材７２２１、７２２２は、第３の識別特徴Ｉ３の近くに配置されている。このような配置は、重なり合う外側光学部材７１２１の平面面積を減少させ、したがって、外側ベース７１２の構造的な強度を向上させる。いくつかの実施形態では、内側光学部材及び第３の識別特徴は、互いに離間して配置されてもよい。そのような実施形態では、外側ベース７１２は、第３の識別特徴Ｉ３及び内側光学部材７２２１、７２２２にそれぞれ位置が対応する追加の外側光学部材（図示せず）を有していてもよい。
いくつかの実施形態では、外側ベースの底面全体が、第２の観察可能ゾーンとして機能するように設計されてもよい。例えば、外側光学部材は、外側ベースの底部全体を占めてもよい。
図示された平面図では、外側光学部材７１２１は、実質的に矩形の平面プロファイルを有する。第３の識別特徴Ｉ３は、外側光学部材７１２１の矩形プロファイルの長さ方向ＤＬに沿って２つの内側光学部材７２２１、７２２２の間に配置されている。いくつかの実施形態では、内側光学部材７２２１、７２２２及び外側光学部材７１２１の平面プロファイルは、１つ又は複数の丸みを帯びた部分を含むことができる。
光学部材（例えば、外側光学部材７１２１）の配置位置、材料、及び平面プロファイルは、重量分布、構造的完全性、及び装置構成要素の全体的重量制限などのさまざまな要因を考慮に入れることができる。本実施形態に示されるように、外側光学部材７１２１は、外側ベース７１２の幾何学的中心に向かって配置される。例えば、外側光学部材７１２１の幾何学的中心は、一般に、ｘ方向及びｙ方向の両方で、外側ベース７１２の中心からその外縁までの距離の半分の範囲内に配置される。このようなレイアウト構成は、構造的な一体性を維持しながら、外側ベース７１２の全体的なバランスをより良く維持するのに役立つであろう。さらに、そのような配置構成は、封止及びラッチ機構などの他の機能構成要素のために、ベース部材（例えば、外側ベース７１２）の周辺領域を確保するのに役立つ場合がある。
図示された実施形態では、外側光学部材７１２１の幾何学的中心７１２１ｃから外側ベース７１２の対称軸Ａ１までの距離Ｄは、外側ベース７１２の矩形プロファイルの長さＬの３０％よりも短い。いくつかの実施態様において、距離Ｄは、外側ベース７１２の矩形プロファイルの幅Ｗの３０％より短くてもよい。いくつかの実施態様において、距離Ｄは約７６ｍｍであってもよく、長さＬは約２７０ｍｍであってもよく、幅Ｗは約２６０ｍｍであってもよい。
いくつかの実施態様では、幾何学的中心７１２１ｃから外側ベース７１２の対称軸Ａ２までの距離は、外側ベース７１２の矩形プロファイルの長さＬ及び／又は幅Ｗの３０％よりも短い。
さらに、光学部材（例えば、外側光学部材７１２１）の配置構成は、支持機構などの他の機能構成要素のために、ベース部材（例えば、外側ベース７１２）の中央領域を確保するのに役立つ場合がある。本実施形態に示されるように、外側光学部材７１２１は、外側ベース７１２の幾何学的中心を投影的にオフセットする。
図示された実施形態では、外側光学部材７１２１の幾何学的中心７１２１ｃから外側ベース７１２の対称軸Ａ１までの距離Ｄは、外側ベース７１２の矩形プロファイルの長さＬ及び／又は幅Ｗの１０％よりも長い。いくつかの実施形態では、幾何学的中心７１２１ｃから対称軸Ａ２までの距離は、長さＬ及び／又は幅Ｗの１０％よりも長い。いくつかの実施形態では、幾何学的中心７１２１ｃは、外側ベース７１２の中央領域に配置されてもよい。
図示された実施形態では、内側ベース７２２は、第１の観察可能ゾーン（例えば、図３に示す第１の観察可能ゾーンＺ３１）の外側に配置された追加の内側光学部材（例えば、光ポート７２ａ）をさらに備える。同様に、外側ベースは、内側ポッドの追加の光ポート７２ａに対応して配置された追加の外側光学部材をさらに備えることができる。例えば、追加の外側光学部材は、追加の内側光学部材７２ａと観察可能に位置合わせした状態で、対応するように配置されてもよい。いくつかの実施形態では、外側光学部材（例えば、光ポート７１２１）の数は、内側光学部材（例えば、ポート７２２１、７２２２、７２ａ）の数よりも少ない。
いくつかの実施形態では、内側ベース（例えば、内側ベース７２２）は、ワークピース収容領域７２２ａに対応する第１の処理領域を含む。例えば、第１の処理領域を表す影付き領域Ａ７１は、受け入れたワークピース（レチクルＲ７）の表面積と実質的に等しい表面積を有する。本図に示されるように、例示的な内側ベース７２２のワークピース収容領域７２２ａは、概ねその幾何学的中心に配置される。
いくつかの実施形態では、内側ベース（例えば、内側ベース７２２）の内面（例えば、周辺領域７２２ｂ）は、第２の表面処理でさらに処理される。例えば、内側ベース７２２は、内側ベースの第１の処理領域の周りに配置された第２の処理領域Ａ７２を含む。いくつかの実施形態では、第２の処理領域は、疎水化処理領域を含む。
内側ベース７２２は、ワークピースを支持し、ワークピースの横方向の動きを制限するように構成されたワークピース支持ポスト７２４をさらに備えていてもよい。いくつかの実施形態では、ワークピース支持ポスト７２４は、第１の処理領域Ａ７１と第２の処理領域Ａ７２との間の境界領域に配置される。いくつかの実施形態では、境界領域は、影付きの領域Ａ７１（例えば、第１の処理領域）の輪郭によって画定されてもよい。
図８は、本開示のいくつかの実施形態による容器システムの底面図を示す。説明を簡単かつ明確にするために、例示的なデバイスのいくつかの詳細／サブコンポーネントは、本図において明示的に符号を付与/図示されていない。いくつかの実施形態では、図８に示される構造配置は、外側ベース（例えば、外側ベース１１２（図１）、３１２（図３）、４１２（図４）、５１２（図５）、及び／又は７１２（図７））の底面図に相当する。
容器が洗浄／清掃された後、いくらかの残留水が外側ベース８１２の中空体内に残る可能性がある。残留水が中空体から流出することを可能にするために、いくつかの実施形態では、外側カバー（例えば、図１に示す外側カバー１１１）に適合するように構成された外側ベース（例えば、外側ベース８１２）に排水穴が設けられる。したがって、外側ベースの乾燥・焼成時間を短縮することができ、これにより設備の稼働率及び省エネルギー性を向上させることができる。また、外側ポッド内に水が残留する可能性を低減し、残留水が装置を汚染する可能性を低減する。例えば、例示的な外側ベース８１２は、上部デッキ（例えば、図１に示される上部デッキ１１２ａ）及び対向する下部デッキ８１２ｂを備える中空体を有し、下部デッキ８１２ｂは、複数の排水穴８１２ｃを有する排水穴パターン８１２ｇを備えている。下部デッキ８１２ｂの排水穴８１２ｃは、残留水が中空体から流出することを可能にし、それによって、外側ポッドのベース内の残留水の量を減少させ、これにより外側ポッド（例えば、図１に示される外側ポッド１１０）の焼成時間を短縮することができる。
いくつかの実施形態では、１つ又は複数の機械部品（ラッチ機構など）を中空体の内部に収容することができる。ただし、外側ポッドを清掃する際には、機械部分（ラッチ機構など）の周囲に水が溜まりやすい傾向がある。例えば、外側ベース８１２の幾何学的中心領域は、ラッチ機構を備えていてもよく、残留水が滞留しやすい領域であってもよい。いくつかの実施形態では、排水穴（例えば、排水穴８１２ｃ）は、中空体内の残留水をより速く乾燥させることができるように、外側ベース８１２の幾何学的中心領域の近く／周囲に配置することができる。例えば、細長い構造を有する例示的な排水穴８１２ｃのうちの６つは、外側ベース８１２の幾何学的中心領域を取り囲むように配置されている。例示的な排水穴パターン８１２ｇは、外側ベース８１２の幾何学的中心領域を避ける二重Ｈ配列をさらに含む。いくつかの実施態様では、二重Ｈ配列は、一対の長手方向部分８１２Ｌと、それら長手方向部分８１２Ｌの間に配置された横方向部分８１２Ｔとを含む。いくつかの実施態様では、二重Ｈ配列の２つの長手方向部分８１２Ｌの間の距離Ｄ８と外側ベースの幅Ｗ８との比は、約３０％から約３５％の範囲である。
排水効率は、排水溝（例えば、排水穴８１２ｃ）の面積／サイズに関連する。いくつかの実施形態では、追加の排水溝領域を追加することにより、効率がさらに向上するであろうが、排水穴パターンの大きな投影面積は、下部デッキ８１２ｂの構造的完全性を犠牲にする可能性がある。いくつかの実施形態では、十分な排水効果を達成しながら外側ベース８１２の構造強度を維持することができるように、排水穴パターンの投影面積と外側ベース８１２の面積との間の比率は、１０％以下である。
図９は、本開示のいくつかの実施形態による容器システムの底面図を示す。説明を簡単かつ明確にするために、例示的なデバイスのいくつかの詳細／サブコンポーネントは、本図において明示的に符号を付与/図示されていない。いくつかの実施形態では、図９に示される構造配置は、外側ベース（例えば、外側ベース１１２（図１）、３１２（図３）、４１２（図４）、５１２（図５）、及び／又は７１２（図７））の底面図に相当する。
いくつかの実施態様では、外側ベースは、排水溝（排水穴）及び検査ウィンドウ （下部ウィンドウ ）を含む。排水溝は光透過要素を備えていないが、ウィンドウ には光透過要素（ガラスなど）が含まれている。いくつかの実施形態では、排水穴９１２ｃの位置決めは、外側ベースの検査ウィンドウ （例えば、外側光学部材９１２１）の位置、及びねじ穴（複数可）の位置を避けてもよい。いくつかの実施形態では、外側ベースの側面に、さらに排水穴を設けることができる。
排水穴のサイズ、アスペクト比、及び平面プロファイルは、上述の実施形態と異なる場合がある。いくつかの実施態様では、排水溝（排水穴）は、長方形、円形／楕円形、又は両端に円弧を有する長方形の輪郭であってもよい。いくつかの実験結果によれば、個々の排水溝（排水穴）に対して、円形／湾曲した端部を有する矩形プロファイルが理想的な排水能力を提供する。実験結果はまた、細長いパターンプロファイルを有する排水スロット／溝は、円形プロファイルを有するものより優れた排水効率を提供することを示している。いくつかの実施形態では、排水穴パターンは、複数のスロットを含み、各スロットは鋭い角を有さない。丸い端部を有するスロット（例えば、排水穴９１２ｃ）は、水の凝集を低減し得る。排水穴９１２ｃの断面プロファイルは、傾斜面又は曲面であってもよい。
図１０〜図１４は、それぞれ、本開示のいくつかの実施形態による排水穴の断面プロファイルを示す。
複数の排水穴は、例えば、垂直、傾斜又は湾曲など、異なる断面プロファイルを備えていてもよい。図１０に示される下部デッキ１０１２ｂの例示的な排水穴１０１２ｃは、実質的に一定の幅を備えている。図１１に示す排水穴１１１２ｃは、曲面を備え、徐々に下向きに減少する幅を有する。いくつかの実施態様では、排水穴１１１２ｃは、凹状の断面プロファイルをさらに備えている。図１２に示す排水穴１２１２ｃは、凸状の断面プロファイルを備えている。図１３の排水穴１３１２ｃの断面プロファイルは、徐々に下向きに減少する幅を備えたテーパ形状を有する。図１４の排水穴１４１２ｃの断面プロファイルは、徐々に下向きに増加する幅を備えたテーパ形状を有する。
したがって、本開示の一態様は、ワークピースを受け入れるように構成された内側ベースを備える容器システムを提供し、内側ベースは、ワークピース収容領域に対応する第１の処理領域と、内側ベースの第１の処理領域の周りに配置された第２の処理領域と、第１の処理領域と第２の処理領域との間の境界領域に配置されたワークピース支持ポストとを含む。
本開示のいくつかの実施形態では、容器システムは、内側ベースに適合するように構成された内側カバーをさらに備える。内側カバーは、内側カバーのワーク収容領域に対応する第１の処理領域と、内側カバーの第１の処理領域の周りに配置された第２の処理領域と、内側カバーの第２の処理領域に配置された押さえピンとを備え、押さえピンは電荷散逸特性を備えている。
本開示のいくつかの実施形態では、内側ベース及び内側カバーは、実質的に金属から作製されており、第１の処理領域は親水化処理領域を含み、第２の処理領域は疎水化処理領域を含む。
本開示のいくつかの実施形態では、疎水化処理領域は、約１０１１Ω未満の表面抵抗値を備える。
本開示のいくつかの実施形態では、疎水化処理領域上の疎水性層が、約１μｍ未満の厚さを有する。
本開示のいくつかの実施形態では、内側カバーは、内側カバーの幾何学的中心領域に配置されたフィルタモジュールを含み、親水化処理領域は、フィルタモジュールを避けて配置される。
本開示のいくつかの実施形態では、容器システムは、内側カバーを覆うように構成された外側カバーをさらに備え、外側カバーは、押さえピンがワークピースを押圧するように、押さえピンの露出部分で押さえピンを押圧するように構成された押圧要素を備え、内側カバーの押さえピンは、内側カバーを貫通して配置され、受け入れたワークピースを押圧するように構成された押圧部と、押圧部の反対側に配置された受圧面とを備え、受圧面の露出部分の投影領域の幅は、押圧要素の投影領域の幅よりも小さい。
本開示のいくつかの実施形態では、容器システムは、外側カバーに適合し、内側ベースを受け入れるように構成された外側ベースをさらに備え、外側ベースは、排水穴パターンを備えている。
本開示のいくつかの実施態様において、外側ベースは、内側ベースを支持するように構成された上部デッキと、上部デッキに対向する下部デッキとを備える中空体を有し、下部デッキは、排水穴パターンを備えている。
本開示のいくつかの実施形態では、排水穴パターンは、外側ベースの幾何学的中心領域を避けて配置された二重Ｈ配列を有する。
したがって、本開示の別の態様は、外側ベース及び内側ベースを備える容器システムを提供する。外側ベースは、支持構造を備え、内側ベースを支持するように構成された上部デッキと、上部デッキに対向する下部デッキとを備える中空体を有し、下部デッキは排水穴パターンを備え、排水穴パターンが下部デッキの幾何学的中心領域を取り囲む。内側ベースは、ワークピースを受け入れるように構成され、ワークピース収容領域に対応する第１の処理領域と、第１の処理領域の周りに配置された第２の処理領域と、第１の処理領域と第２の処理領域との間の境界領域に配置されたワークピース支持ポストとを含む。
本開示のいくつかの実施形態では、排水穴パターンは、外側ベースの幾何学的中央領域を避けて配置された二重Ｈ配列を有する。
本開示のいくつかの実施形態では、二重Ｈ配列は、一対の長手方向部分と、一対の長手方向部分の間に配置された横方向部分とを含む。
本開示のいくつかの実施形態では、二重Ｈ配列の一対の長手方向部分間の距離と外側ベースの幅との間の比率が、３０％から３５％までの範囲である。
本開示のいくつかの実施態様では、排水穴パターンの投影面積と外側ベースの面積との間の比率が、１０％以下である。
本開示のいくつかの実施形態では、排水穴パターンは、複数のスロットを備え、複数のスロットの各々は、鋭い角を有さない。
本開示のいくつかの実施形態では、内側ベースは、概ねその幾何学的中心に配置され、周辺領域によって取り囲まれたワークピース収容領域と、ワークピースの観察を可能にするように対応して配置されたワークピース収容領域内に画定された第１の観察可能ゾーンと、を有し、外側ベースは、内側ベースを受け入れたときに内側ベースの第１の観察可能ゾーンに観察可能に位置合わせされ、外側ベース上に画定された第２の観察可能ゾーンを有する。
本開示のいくつかの実施形態では、内側ベースの第１の観察可能ゾーンにおけるウィンドウの数が、第２の観察可能ゾーンにおけるウィンドウの数よりも多い。
本開示のいくつかの実施形態では、内側ベースは、実質的に金属から作製されており、内側ベースの支持ポストは、電荷散逸特性を備えている。
本開示のいくつかの実施形態では、第１の処理領域は、親水化処理領域を含み、第２の処理領域は、疎水化処理領域を含む。
上記に図示され、説明された実施形態は、単なる例示である。したがって、そのような詳細の多くは図示も説明もされていない。本技術の多くの特徴及び利点が、構造及び機能の詳細と共に前述の説明で述べられたとしても、開示は例示にすぎず、詳細について、特に、部品の形状、サイズ、及び配置に関して、原則の範囲内で、即ち、特許請求の範囲で使用される用語の広い一般的な意味によって確立された全範囲にまで、及び全範囲を含めて、変更を加えることができる。したがって、上述の実施形態は、特許請求の範囲内で変更され得ることが理解されよう。

Claims (20)

  1. ワークピースを受け入れるように構成された内側ベースを含み、
    前記内側ベースは、ワークピース収容領域に対応する第１の処理領域と、前記内側ベースの前記第１の処理領域の周りに配置された第２の処理領域と、前記第１の処理領域と前記第２の処理領域との間の境界領域に配置されたワークピース支持ポストとを含む、
    容器システム。
  2. 前記内側ベースに適合するように構成された内側カバーをさらに備え、
    前記内側カバーは、前記内側カバーの前記ワークピース収容領域に対応する第１の処理領域と、前記内側カバーの前記第１の処理領域の周りに配置された第２の処理領域と、前記内側カバーの前記第２の処理領域に配置された押さえピンとを備え、
    前記押さえピンは、電荷散逸特性を備えている、
    請求項１に記載の容器システム。
  3. 前記内側ベース及び前記内側カバーは、実質的に金属から作製されており、
    前記内側ベースの前記第１の処理領域は、親水化処理領域を含み、
    前記内側ベースの前記第２の処理領域は、疎水化処理領域を含む、
    請求項２に記載の容器システム。
  4. 前記疎水化処理領域は、約１０１１Ω未満の表面抵抗値を備える、請求項３に記載の容器システム。
  5. 前記疎水化処理領域上の疎水性層が、約１μｍ未満の厚さを有する、請求項４に記載の容器システム。
  6. 前記内側カバーは、前記内側カバーの幾何学的中心領域に配置されたフィルタモジュールを含み、
    前記内側カバーの前記第１の処理領域は、前記フィルタモジュールを避けて配置される、
    請求項２に記載の容器システム。
  7. 前記内側カバーを覆うように構成された外側カバーをさらに備え、
    前記外側カバーは、前記押さえピンが前記ワークピースを押圧するように、前記押さえピンの露出部分で前記押さえピンを押圧するように構成された押圧要素を備え、
    前記内側カバーの前記押さえピンは、前記内側カバーを貫通して配置され、受け入れたワークピースを押圧するように構成された押圧部と、前記押圧部の反対側に配置された受圧面とを備え、
    前記受圧面の露出部分の投影領域の幅は、前記押圧要素の投影領域の幅よりも小さい、
    請求項２に記載の容器システム。
  8. 前記外側カバーに適合し、前記内側ベースを受け入れるように構成された外側ベースをさらに備え、
    前記外側ベースは、排水穴パターンを備えている、
    請求項７に記載の容器システム。
  9. 前記外側ベースは、前記内側ベースを支持するように構成された上部デッキと、前記上部デッキに対向する下部デッキとを備える中空体を有し、
    前記下部デッキは、前記排水穴パターンを備えている、
    請求項８に記載の容器システム。
  10. 前記排水穴パターンは、前記外側ベースの幾何学的中心領域を避けて配置された二重Ｈ配列を有する、請求項８又は請求項９に記載の容器システム。
  11. 支持構造を備えた外側ベースであって、内側ベースを支持するように構成された上部デッキと、前記上部デッキに対向する下部デッキとを備える中空体を有し、前記下部デッキは排水穴パターンを備え、前記排水穴パターンが前記下部デッキの幾何学的中心領域を取り囲む、前記外側ベースと、
    ワークピースを受け入れるように構成された内側ベースであって、ワークピース収容領域に対応する第１の処理領域と、前記第１の処理領域の周りに配置された第２の処理領域と、前記第１の処理領域と前記第２の処理領域との間の境界領域に配置されたワークピース支持ポストとを含む、前記内側ベースと、
    を備える容器システム。
  12. 前記排水穴パターンは、前記外側ベースの幾何学的中央領域を避けて配置された二重Ｈ配列を有する、請求項１１に記載の容器システム。
  13. 前記二重Ｈ配列は、一対の長手方向部分と、前記一対の長手方向部分の間に配置された横方向部分とを含む、請求項１２に記載の容器システム。
  14. 前記二重Ｈ配列の前記一対の長手方向部分間の距離と前記外側ベースの幅との間の比率が、３０％から３５％までの範囲である、請求項１３に記載の容器システム。
  15. 前記排水穴パターンの投影面積と前記外側ベースの面積との間の比率が、１０％以下である、請求項１１に記載の容器システム。
  16. 前記排水穴パターンは、複数のスロットを備え、
    前記複数のスロットの各々は、鋭い角を有さない、
    請求項１１又は請求項１２に記載の容器システム。
  17. 前記内側ベースは、概ねその幾何学的中心に配置され、周辺領域によって取り囲まれたワークピース収容領域と、前記ワークピースの観察を可能にするように対応して配置された前記ワークピース収容領域内に画定された第１の観察可能ゾーンと、を有し、
    前記外側ベースは、前記内側ベースを受け入れたときに前記内側ベースの前記第１の観察可能ゾーンに観察可能に位置合わせされ且つ前記外側ベース上に画定された第２の観察可能ゾーンを有する、
    請求項１１に記載の容器システム。
  18. 前記内側ベースの前記第１の観察可能ゾーンにおけるウィンドウの数が、前記第２の観察可能ゾーンにおけるウィンドウの数よりも多い、請求項１７に記載の容器システム。
  19. 前記内側ベースは、実質的に金属から作製されており、
    前記内側ベースの前記ワークピース支持ポストは、電荷散逸特性を備えている、
    請求項１１に記載の容器システム。
  20. 前記第１の処理領域は、親水化処理領域を含み、
    前記第２の処理領域は、疎水化処理領域を含む、
    請求項１１に記載の容器システム。
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