CN113443253A - 容器系统 - Google Patents

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Abstract

本公开公开了一种容器系统，包括内基座，内基座被配置为接收工件，内基座包括对应于工件容纳区域的第一处理区域；围绕内基座的第一处理区域布置的第二处理区域；以及布置在第一处理区域和第二处理区域之间的边界区域处的工件支撑柱。

Description

容器系统
本申请要求于2020年3月24日提交的申请号为62/994242的美国临时专利申请的权益，该申请在此通过引用并入本文并且构成说明书的一部分。
技术领域
本公开涉及用于存储、运输、航运和处理诸如光掩模、掩模版和晶圆(wafer)等易碎物体的容器，并且尤其涉及用于存储、运输、航运和处理掩模版的固持系统，该掩模版用于极紫外(extreme ultraviolet,EUV)光刻工艺的处理。
背景技术
在半导体行业中，随着工件容器(例如，光掩模/掩模版固持器)有效载荷的精度要求的提高，工件容器得到了发展，以满足提高工件保护水平使其免受潜在环境危害的需求。
例如，新一代掩模版固持器有时具有一个双盒结构，该双盒结构包括用于容纳掩模版的内盒和用于容纳内盒的外盒。在运输过程中，掩模版可以被装在内盒的内部。为了执行光刻工艺，可以打开外盒以将内盒从中取出。然后，当到达曝光设备内部的指定位置时，在使用被收容的掩模版进行后续曝光过程之前，就可以打开内盒。
对于现代EUV光刻工艺，随着半导体装置的关键尺寸CD的缩放比例变得更加精确，对EUV掩模(例如，掩模版)的清洁处理的要求也变得更加严格。因此，对保持/存储工件的环境的控制以及用于清洁易碎工件存储环境的技术也变得重要。
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明要解决的技术问题是改善对保持/存储工件的环境的控制以及用于清洁易碎工件存储环境，对容器系统内敏感和易碎内容物提供保护。
技术方案
本发明提供了一种容器系统，所述容器系统具有内基座，所述内基座被配置为接收工件，所述内基座包括对应于工件容纳区域的第一处理区域，围绕所述内基座的所述第一处理区域地布置的第二处理区域，以及布置在所述第一处理区域和所述第二处理区域之间的边界区域处的工件支撑柱。
本发明提供了一种容器系统，所述容器系统包括：外基座，所述外基座包括支撑结构，所述外基座具有中空本体，所述中空本体包括被配置为支撑所述内基座的上平台和与所述上平台相对的下平台，其中，所述下平台具有排水孔图案，所述排水孔图案包围所述下平台的几何中心区域；以及被配置为接收工件的内基座，所述内基座包括对应于工件容纳区域的第一处理区域，围绕所述第一处理区域地布置的第二处理区域，以及布置在所述第一处理区域和所述第二处理区域之间的边界区域处的工件支撑柱。
有益效果
根据本发明，本发明的容器系统具有对应于工件容纳区域的处理区域。处理区域能改善对保持/存储工件的环境的控制。本容器系统实现了对容器系统中的内容物提供保护。
附图说明
为了可以详细地理解本公开的所述特征，可以通过参考实施例来对以上简要概述的本公开进行更详细的描述，其中一些实施例在附图中示出。然而，应当注意，附图仅示出了本公开的典型实施例，因此不应被认为是对其范围的限制，因为本公开可以允许其他同等有效的实施例。
图1示出了根据本公开的一些实施例的容器系统的示意性横截面图；
图2示出了根据本公开的一些实施例的未经疏水处理的表面上的液滴的示意性区域横截面图；
图3示出了根据本公开的一些实施例的经疏水处理的表面上的液滴的示意性区域横截面图；
图4示出了根据本公开的一些实施例的内基座的示意性平面图；
图5示出了根据本公开的一些实施例的内盖的示意图；
图6示出了根据本公开的一些实施例的容器系统的等距分解图；
图7示出了根据本公开的一些实施例的容器系统的示意性横截面图；
图8示出了根据本公开的一些实施例的容器系统的示意性区域横截面图；
图9和图10分别示出了根据本公开的一些实施例的容器系统的示意性区域横截面图；
图11示出了根据本公开的一些实施例的容器系统的示意性平面图；
图12示出了根据本公开的一些实施例的容器系统的示意性平面图；
图13示出了根据本公开的一些实施例的容器系统的示意图；以及
图14至图18分别示出了根据本公开的一些实施例的排水孔的横截面轮廓。
然而，应当注意，附图仅示出了本公开的示例性实施例，因此不应被认为是对其范围的限制，因为本公开可以允许其他同等有效的实施例。
应该注意的是，这些附图旨在示出在某些示例实施例中使用的方法、结构和/或材料的一般特性，并且对以下提供的书面描述进行补充。然而，这些附图不是按比例绘制的，可能无法精确地反映任何给定实施例的精确结构或性能特性，并且不应被解释为限定或限制示例实施例所涵盖的值或特性的范围。例如，为了清楚起见，各层、区域和/或结构元件的相对厚度和定位可能被缩小或放大。在各个附图中使用相似或相同的附图标记旨在指示存在相似或相同的元件或特征。
具体实施方式
现在将在下文中参考附图更充分地描述本公开，在附图中示出了本公开的示例性实施例。然而，本公开可以以许多不同的形式来实现，并且不应被理解为限于本文所述的示例性实施例。相反，提供这些示例性实施例使得本公开变得透彻且完整，并向本领域技术人员充分传达本公开的范围。在全文中，相同的附图标记指代相同的元件。
本文使用的术语仅用于描述特定示例性实施例，而非旨在限制本公开。如本文所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”也旨在包括复数形式，除非上下文另外明确指出。还将理解，在本文中使用时，术语“包括”、“包含”或“具有”指定存在所述特征、区域、整数、步骤、操作、元件和/或部件，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征、区域、整数、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组。
除非另有说明，否则本文中使用的全部术语(包括科技术语)的含义与本公开所属领域的普通技术人员通常所理解的含义相同。还将理解的是，术语(诸如在常用词典中定义的术语)应被解释为其含义与其在相关领域和本公开的上下文中的含义一致，并且不会在理想化或过于正式的意义上来解释，除非本文这样明确定义。
将结合附图1至18对示例性实施例进行描述。将参照附图对本公开进行详细描述，其中所描绘的元件不必按比例示出，并且其中相同或相似的元件通过几幅视图中相同或相似的附图标记或者相同或相似的术语表示。
图1示出了根据本公开的一些实施例的容器系统的示意性横截面图。为了说明的简单和清楚起见，示例性装置的一些细节/子部件未在本图中明确标记/示出。虚线框E1示出了根据本公开的一些实施例的容器系统的一部分的放大等距视图，该部分被封闭在图1的虚线框E2中。
参考图1，示例性容器系统100包括外盒110和被配置为由外盒110容纳的内盒120。内盒120被配置为接收工件(例如，掩模版)。在所示的实施例中，内盒120包括第一基座(例如，内基座122)，该第一盖在其几何中心区域处限定了工件容纳区域122a。工件容纳区域122a被外围区域122b包围。内盒120还包括第一盖(例如，内盖121)，该第一盖被配置为与内基座122的外围区域122b建立接合，从而在封闭时配合地形成内部空间以容纳工件(例如，掩模版R1)。
为了对其敏感和易碎内容物提供彻底的保护，在一些实施例中，内盖121和内基座122可以具有电磁干扰(EMI)屏蔽特性。用于提供EMI屏蔽能力的合适材料可以包括诸如金属的导电材料。在一些实施例中，内基座和内盖基本上由金属制成。在一些实施例中，可以在内盒120的表面上设置金属涂层(例如铜或金)。在一些实施例中，内盖121和内基座122均由金属材料，例如铝制成。
如图1所示，示例性外盒110被配置为容纳内盒120。在所示的实施例中，外盒110包括第二基座(例如，外基座112)，第二基座被配置为容纳内基座122和第二盖(例如，外盖111)，该第二盖被配置为与外基座112接合(并覆盖内盒120)。在一些实施例中，外基座112和外盖111之一或两者可以具有静电荷消散特性。在一些实施例中，外盒110可以由与导电纤维混合的聚合物材料构成。例如，在一些实施例中，外盖111和外基座112之一或两者由嵌入碳纤维的树脂材料制成。
在一些实施例中，内盖121被配置为与内基座122的外围区域122b建立密封接合。在一些实施例中，内盖121可以配置为当外基座112和外盖111之间封闭时通过來自外盖111的压力与内基座122建立压接。在一些实施例中，内盖121和内基座122之间的压接可以通过基本为平面的金属-金属界面形成。一般来说，压接建立了密封外壳，该密封外壳防止灰尘和湿气通过内盒120的上下构件之间的接触界面进入内部空间。在一些实施例中，内盖121和内基座122之一或两者可以在各自的接合界面区域处设置有额外的密封元件(例如，密封垫圈或O形环)，以进一步增强阻断环境污染的能力。
在一些实施例中，内盒120可以设置有支撑元件(例如，工件支撑柱124)，该支撑元件布置在内基座122的顶面上以用于接收工件(例如，掩模版R1)。在一些实施例中，可以在内盖121的顶面上设置压紧单元(例如，压紧销141)以用于按压/保持工件。
在一些实施例中，外盒110可以包括布置在外基座112上的支撑结构190，该支撑结构被配置为支撑内盒120。在一些实施例中，外基座112和支撑结构190一体地形成。在一些实施例中，支撑结构190将被安装在外基座112的顶面上。所示的外盒110还设置有与内盒120的压紧销141对应布置的推动元件171。在一些实施例中，外盖111和推动元件171一体地形成为一个结构单元。在一些实施例中，推动元件171安装在外盖111的面对内盖121的表面上。当外盖111耦接至外基座112时，推动元件171推动压紧销141以按压/保持工件R1，从而在接收时限制工件的运动。
在一些实施例中，推动元件171和压紧销141还具有电荷消散特性。因此，当外盖111耦接到外基座112时，推动元件171推动压紧销141以按压工件R1，并建立从被接收的工件R1经过压紧销141和推动元件171到外盖111的电荷消散路径(在本图中由阴影箭头指示)。在一些工作情况下，外盖111可以接地，从而允许被接收的工件R上累积的电荷通过电荷消散路径消散到地。用于压紧销141的材料可以包括导电或静电消散材料，从而使压紧销141成为放电消散路径的一部分以能够通过其接地。在一些实施例中，压紧销141和推动元件171具有范围在约106至1011Ω的表面电阻值。在一些实施例中，压紧销141和推动元件171具有小于约105Ω的表面电阻值。
在一些实施例中，内盒120的工件支撑柱124和外盒110的支撑结构190还具有电荷消散特性。例如，工件支撑柱124和支撑结构190可以设置有电荷消散表面涂层。因此，当外盖111耦接到外基座112上(从而内基座122上的工件支撑柱124与工件R1建立接触)时，可以形成从被接收的工件R经过支撑元件124、内基座122和支撑结构190到外基座112的电荷消散路径(在本图中由阴影箭头指示)。在一些实施例中，外基座112可以接地，从而允许被接收的工件R1上累积的电荷(通过电荷消散路径)消散(到地)。在一些实施例中，内盒120的材料也可以包括导电或静电消散材料，从而使内盒120成为放电消散路径的一部分以能够通过其接地。在一些实施例中，工件支撑柱124和支撑结构190具有范围在约106至1011Ω的表面电阻值。在一些实施例中，工件支撑柱124和支撑结构190具有小于约105Ω的表面电阻值。
如图1所示，示例性系统具有第一可观察区域Z11，该第一可观察区域被限定在内基座122的工件容纳区域122a中以允许观察掩模版R1。在一些实施例中，第一观察区域Z11可以设置有包括信号透射结构(signal transmissive,例如，开口或信号透射构件)的窗口。例如，示例性内基座122包括布置在第一可观察区域Z11中的内部光学构件1221。在一些实施例中，内部光学构件1221可以由对于红外光、可见光或紫外光信号而言信号透射的材料制成。内部光学构件1221的合适材料可以包括玻璃(例如，石英玻璃)、丙烯酸、透明塑料或其他相当的材料。在所示的实施例中，内部光学构件1221可以包括一块石英玻璃，该石英玻璃嵌入式地布置在内基座122中(工件容纳区域122a中)。
在本实施例中，第一可观察区域Z11被相应地设计成允许在接收到掩模版R1时观察掩模版R1的第一识别特征(例如，一维或二维条形码)(在示意图中未明确示出)。在一些实施例中，掩模版R1的第一识别特征形成在面向第一可观察区域Z11中的窗口的表面上。
外基座112具有在其上限定的第二可观察区域Z12。第二可观察区域Z12被布置成与内盒120的第一可观察区域Z11可观察地对准。这样，可以通过透过第二可观察区域Z12和第一可观察区域Z11的光学扫描来实现对固持在容器系统100中的掩模版R1进行快速视觉识别或光学确认(例如掩模版R1的情况和第一识别特征)，而无需打开工件容器。因此，在半导体制造过程中可以减小盒打开的频率，这进而将敏感的精密工件在潜在的危险环境因素下的暴露最小化。
在所示的实施例中，外基座112具有中空本体，中空本体包括被配置为支撑内基座122的上平台112a和与上平台112b相对的下平台112b。在一些实施例中，示例性上平台112a和下平台112b都可以设置有基本水平的板的结构。示例性下平台112b被配置为密封上平台112a。在一些实施例中，下平台112b和上平台112a一体地形成。示例性第二可观察区域Z12设置有窗口，该窗口包括分别布置在上平台112a和下平台112b中的两个重叠的信号透射结构(例如，外部光学构件1121)。
在一些实施例中，嵌入上平台112a和/或下平台112a中的外部光学构件1121可以由对于红外光、可见光或紫外光而言信号透射的材料制成。外部光学构件1122的合适材料可以包括玻璃(例如，石英玻璃)、丙烯酸、透明塑料或相当的材料。在一些实施例中，对于一个或多个上述光谱范围中的光信号，外部光学构件1121的透射率值大于80％。取决于特定的应用需求，在一些实施例中，光学构件(例如，外部光学构件和/或内部光学构件)可以包括凹/凸面。
在一些实施例中，对于范围在600nm至950nm之间的波长，内部光学构件1221的反射率值比外部光学构件1121低。在一些实施例中，光学构件的相应波长范围可以在约630nm至930nm的范围内。在一些实施例中，外部光学构件1121对于上述波长范围的反射率值可以小于15％。在一些实施例中，内部光学构件1221对于上述波长范围的反射率值可以小于0.5％。在一些实施例中，内部光学构件1221还可以设置有抗反射涂层。在一些实施例中，内部光学构件1221还可以设置有具有EMI屏蔽特性的层。
在一些实施例中，内部光学构件1221可以密封地安装在第一可观察区域Z11中。例如，内部光学构件1221的构造可以包括围绕透光构件的密封构件(例如，O形环)。一般来说，内部光学构件1221的构造提供了能够充分防止灰尘和湿气通过光学构件与内基座之间的结构界面进入内部空间的密封外壳。在一些实施例中，光学构件1221可以被构造成实现气密级密封。
在对耐尘和/或防尘要求严格的一些实施例中，外基座112的第二可观察区域Z12中的外部光学构件1121可以设置有类似的密封机构。然而，在仅内部密封就足够的应用中，可以在不利用密封机构的情况下构造外部光学构件1121以减少结构复杂性、重量和成本问题。
在一些情况下，从残留在工件(例如，掩模版R1)上的化学溶液释放的挥发性气体可能引起对工件(例如，掩模版R1)的不利影响。在一些实施例中，可以将清洁气体净化后送入内盒(例如，内盒120)中以减轻不利影响。在一些实施例中，内盒(例如，内盒120)还可以设置有过滤器模块(例如，过滤器模块123)以保持净化后气体的清洁度。例如，内盖121包括过滤器模块123，该过滤器模块包括在其上形成有多个通孔123b的过滤器盖123a，以及夹在过滤器盖123a和内盖121之间的过滤片123c。在所示的实施例中，内盖121的几何中心区域形成有用于接收过滤器盖123a的凹入特征123d，以及穿过内盖121布置的多个孔123e。过滤器盖123a被配置为(例如，通过紧固件123f)安装在内盖121上，从而使穿过内盖121布置的孔123e与过滤器盖123a的通孔123b对准。在一些实施例中，过滤器模块123还可以设置有用于增强过滤器盖123a和内盖121之间的密封接合的密封构件(例如，环123g)。例如，过滤器模块123还包括密封环123g，该密封环123g布置在过滤器盖123a的外围和内盖121之间(例如，凹入特征123d的顶面)。在一些实施例中，过滤器盖123a的外围可以形成有用于容纳密封环123g的面朝下的环形凹槽。
在容器被清洗/清洁之后，水残留物可能留在外基座112的中空本体中。为了使水残留物从中空本体中流出，在一些实施例中，外基座(例如，外基座112)上设有排水孔。例如，外基座112的示例性下平台112b设置有多个排水孔112c。下平台112b中的排水孔112c允许残留水从中空本体中流出，从而减少了外盒基座中残留水的量，这可以缩短外盒110的烘烤时间。在一些实施例中，外基座的上表面(例如，上平台112a)没有排水孔，以便维持外盒基座和盖子之间的密封接合。
在一些情况下，容器系统被清洁(例如，清洗)之后，其表面上可能会有水残留物。水残留物可能吸引污物，从而增加了污染工件(例如，EUV掩模版)的可能性。通过改变内盒的表面特性，内盒在清洁后可以更容易地干燥。因此，可以减少清洁过程之后的烘烤/干燥时间。而且，内盒(例如，内盒120)的表面处理(例如，疏水处理)可以减少细粉尘的粘着并且使其更易于洗掉，从而提高了内盒的防尘能力。在一些实施例中，可以通过浸入碱性溶液(例如碳酸钾和氢氧化钠)、喷涂或蒸发含氟涂层、电镀或化学镀、或激光烧蚀进行表面特性改性来改变表面粗糙度，从而改变经处理的表面的亲水性和疏水性。
图2和图3分别示出了未经疏水处理(或经过亲水处理)的内盒的表面S1上的液滴d和根据本公开的一些实施例的内盒的疏水处理后的表面S2上的液滴d的示意性区域横截面图。在所示的实施例中，图2所示的润湿角a1(例如，小于50度)小于图3所示的润湿角a2(例如，大于50度)。对于在疏水处理后的表面(例如，S2)上的液滴，可以观察到较大的润湿角(例如，液滴的表面与接触面的轮廓之间的湿润角)。残留液滴的如此大的润湿角可以有助于缩短内盒(例如，内盒120)的烘烤时间。
另外，可以将内盒(例如，内盒120)划分为不同的区域，可以在这些区域上应用亲水性和疏水性的不同表面处理。这种布置可以防止由于环境条件的改变而引起的水冷凝而污染被接收的工件(例如，掩模版)。在一些实施例中，可以对内盖(例如，内盖121)和内基座(例如，内基座122)之一或两者进行整体表面处理。在一些实施例中，可以对内盖(例如，内盖121)和内基座(例如，内基座122)之一或两者进行部分/选择性的表面处理。例如，内盖的内表面(例如，在内盒闭合时内盖121的向内暴露的表面)和内基座的内表面(例如，在内盒闭合时内基座122的向内暴露的表面)可以接受亲水处理(例如，在与被接收的掩模版的法线投影对应的区域处)。在一些实施例中，可以对内盖和内基座之间的界面进行疏水处理。在一些实施例中，可以对内基座/内盖的剩余区域(例如，朝外/外表面)进行疏水处理。
图4示出了根据本公开的一些实施例的内基座的俯视图。图5示出了根据本公开的一些实施例的内盖的仰视图。为了说明的简单和清楚起见，示例性装置的一些细节/子部件未在本图中明确标记/示出。
参照图4，示例性内基座222包括对应于工件容纳区域222a的第一处理区域。例如，代表第一处理区域的阴影区域A21的表面积基本上等于示例性工件容纳区域222a的表面积。在一些实施例中，第一处理区域包括亲水处理区域。在由于环境条件变化(例如，设备故障)而发生水冷凝时，在工件容纳区域222a(例如，在所接收的掩模版的法线投影下的内部中央区域)中出现的水滴可以具有较小的润湿角(其转化为较低的总液滴高度)，从而降低了与存储的掩模版接触的可能性。在一些实施例中，第一处理区域(例如，阴影区域A21)可以布置成小于或大于工件容纳区域222a。
在一些实施例中，内基座(例如，内基座222)的内表面(例如，在外围区域222b处)进一步用第二表面处理进行处理。例如，内基座222包括围绕内基座的第一处理区域A21布置的第二处理区域222b(例如，外围区域)。在一些实施例中，第二处理区域A22包括疏水处理区域。进行了疏水处理的内基座222在清洁后可以更容易地干燥。在一些实施例中，可以进一步用疏水处理来处理内基座的外表面(例如，内基座222的向外曝露的表面)。
在所示的实施例中，内基座222的工件容纳区域222a大致布置在其几何中心区域处，并且进一步被环形凹槽222c包围。示例性第二处理区域A22被布置为完全包围环形凹槽222c。接受第一表面处理的工件容纳区域222a可以设置有大致平坦的表面。
内基座222可以进一步设置有工件支撑柱224，该工件支撑柱224被配置为限制工件的横向运动。在一些实施例中，工件支撑柱224被布置在第一处理区域222a与第二处理区域222b之间的边界区域(例如，环形凹槽222c)处。在一些实施例中，边界区域可以由环形凹槽222c与工件容纳区域222a之间的边界(例如，图4所示的阴影区域A21的轮廓)限定。在一些实施例中，进一步在环形凹槽222c中应用第二处理。在一些实施例中，内基座222与工件支撑柱224之间的区域(例如，内基座的安装了柱的区域)未进行疏水处理。
参照图5，示例性内盖221被配置为与内基座(例如，内基座222)匹配。内盖221包括第一处理区域221a，该第一处理区域221a对应于内基座的工件容纳区域(例如，工件容纳区域222a)。在一些实施例中，第一处理区域221a包括亲水处理区域。在所示的实施例中，第一处理区域避开过滤器模块223(示出为布置在内盖的几何中心区域处)。在一些实施例中，第一处理区域包括避开过滤器模块223的亲水处理区域。在一些实施例中，能够对过滤器模块223进行表面处理(例如，疏水表面处理)。例如，能够对过滤器盖(例如，图1所示的过滤器盖123a)整体或部分进行表面处理以使其疏水。在一些实施例中，内盖221还包括围绕内盖221的第一处理区域221a布置的第二处理区域221b。在一些实施例中，第二处理区域包括疏水处理区域。在一些实施例中，可以进一步用疏水处理来处理内盖的外表面(例如，内盖222的外部表面)。
在一些实施例中，内盖进一步设置有布置在内盖的第二处理区域中的压紧销241(例如，压紧销241布置在内盖221的顶面上)。在一些实施例中，压紧销241本身可以用第二处理进行处理。
在一些实施例中，内基座222和内盖221基本上由金属制成。此外，疏水处理区域的表面电阻值小于约1011Ω。例如，内盖上的疏水涂层保持在1um以下，以保持静电荷消散能力。在一些实施例中，疏水处理区域上方的疏水层的厚度小于约1um。当过滤器盖上的疏水涂层的厚度小于1um时，可以接受涂层对过滤器盖的静电传导性的影响。在一些实施例中，当过滤器盖(例如，过滤器盖123a)用含氟涂层进行疏水处理时，过滤器盖的疏水涂层的厚度可以为约5um-60um。在一些实施例中，内基座的支撑柱具有电荷消散特性。
图6示出了根据本公开的一些实施例的容器系统的等距分解图。为了说明的简单和清楚起见，示例性装置的一些细节/子部件未在本图中明确标记。
示例性容器系统300包括外盒310和被配置为布置在外盒中的内盒320。内盒320被配置为接收工件(例如，掩模版)。内盒320包括内基座322和内盖321。内基座322限定工件容纳区域322a，其被外围区域322b包围。内盖321被配置为与内基座322的外围区域322b建立接合，从而在封闭时配合地限定内部空间以容纳工件(例如，掩模版R3)。
外盒310被配置为容纳内盒320。在所示的实施例中，外盒310包括被配置为容纳内基座322的外基座312，以及被配置为与外基座312接合并覆盖内盒320的外盖311。
在一些实施例中，内盖321可以被配置为与内基座322的外围区域322b建立密封接合。例如，内盖321可以被配置为当在外基座312和外盖311之间接合时被外盖311按压。
在一些实施例中，内盖321和内基座322可以具有电磁干扰(EMI)屏蔽特性，从而减少对工件(例如，掩模版R3)的不利影响。在一些实施例中，内盖321和内基座322的合适材料和构造可以与之前的实施例中描述的相当。在所示的实施例中，内盖321和内基座322均使用例如计算机数控(CNC)加工技术由铝制成。
示例性内盒320设置有过滤器模块323，并且还包括布置在内基座322的顶面上以用于接收工件(例如，掩模版R3)的四个工件支撑柱(例如，324)，以及布置在内盖321的顶面上以用于按压/保持工件(例如，掩模版R3)的四个按压单元340(每个单元包括压紧销341)。
示例性外盒310包括布置在外基座312上的三个支撑结构390和四个推动元件371，四个推动元件371位置对应于内盒320的四个压紧销341。当外盖311耦接至外基座312时，四个推动元件371推动压紧销341以按压/保持工件R3的四个角。如本图所示，第一可观察区域Z31限定在内基座322的工件容纳区域322a中以允许观察掩模版R3。在所示的实施例中，内基座322包括嵌入第一可观察区域Z31中的两个内部光学构件3221、3222。
在所示的实施例中，内基座322在其底侧包括第三识别特征I3。在一些实施例中，第三识别特征I3可以包括诸如快速响应码(QR码)的二维条形码。在一些实施例中，第三识别特征I3可以是用于指示内盒320相对于外盒310的方位的视觉图形特征。例如，第三识别特征I3可以包括不对称图案。
外基座312具有在其上限定的第二可观察区域Z32，该第二可观察区域在接收到外盒310时与内盒320的第一可观察区域Z31对准。这样，可以简单地通过透过第二可观察区域Z32和第一可观察区域Z31扫描来实现对固持在容器系统300中的掩模版R3的信息(诸如掩模版R3的情况或状态及其第一识别I1特征)的确认，从而减少了必须打开外盒310的次数。可以提供扫描仪S(图7所示)以通过外部光学构件3121扫描内盒320的第三识别特征I3，以便识别内盒320的方位。可以进行后续调整以微调该方位。
在所示的实施例中，外基座312具有嵌入第二可观察区域Z32中的外部光学构件3121。在一些实施例中，外部光学构件3121可以由对于红外光、可见光或紫外光而言透光的材料制成。在一些实施例中，外部光学构件3121的透射率值大于80％。外部光学构件3121的合适材料可以与之前的实施例中描述的外部光学构件的材料相当。
在一些实施例中，对于范围在600nm至950nm之间的波长，内部光学构件3221(和/或3222)的反射率值比外部光学构件3121低。在一些实施例中，光学构件的相应波长范围可以在约630nm至930nm的范围内。在一些实施例中，外部光学构件3121对于相应波长范围的反射率值可以小于约15％。在一些实施例中，内部光学构件3221对于相应波长范围的反射率值可以小于约0.5％。在一些实施例中，内部光学构件3221(和/或3222)还可以设置有抗反射涂层。抗反射涂层有助于使内部光学构件3221具有低反射率值。
在一些实施例中，两个内部光学构件3221、3222可以密封地安装在第一可观察区域Z31中。在一些实施例中，两个内部光学构件3221、3222可以由对于红外光，可见光或紫外光而言透光的材料制成。在一些实施例中，两个内部光学构件3221、3222的合适材料可以与之前的实施例中描述的材料相当。在一些实施例中，示例性外部光学构件3121可以密封地安装在第二可观察区域Z32中。
在一些实施例中，内基座的第一可观察区域中的窗口的数量大于第二可观察区域中的窗口的数量。例如，在所示的实施例中，第一可观察区域Z31设置有两个窗口(例如，两个内部光学构件3221、3222)；第二可观察区域Z32中窗口(例如，外部光学构件3121)的数量为一个。
内基座322设置有第一处理区域(例如，图6中的阴影区域指示的亲水区域)和围绕第一处理区域布置的第二处理区域(例如，疏水区域)。工件支撑柱324布置在第一处理区域和第二处理区域之间的边界区域处。示例性第一处理区域(例如，阴影区域)包括内部光学构件3221、3222的顶面。在一些实施例中，内部光学构件3221、3222的底面被进行疏水处理。
图7和图8分别示出了根据本公开的一些实施例的掩模版固持系统的横截面图和区域横截面图。为了说明的简单和清楚起见，示例性装置的一些细节/子部件未在本图中明确标记。在一些实施例中，图8可以是在图7所示的虚线框D中截取的区域横截面图。
图7示出了在内基座422上方的工件容纳区域422a中接收的工件(例如，掩模版R4)。内基座422的外围区域422b被示出为与内盖421压接。在一些实施例中，工件容纳区域422a可以大致布置在其几何中心区域处并且被外围区域422b包围。在所示的实施例中，掩模版R4包括第一识别特征I1(例如，二维条形码)，靠近第一识别特征I1布置的防护膜P以及布置在二者之间的防护膜框架PF。第二识别特征I2(如图8所示)设置在防护膜框架PF上。可以提供扫描仪S以通过外部光学构件4121读取第一识别特征I1。可以通过外部光学构件4121和内部光学构件4221(例如，经由干涉仪)观察/检查防护膜P和防护膜框架PF的一部分。
示例性的外基座412具有中空本体，该中空本体包括被配置为支撑内基座422的上平台412a和与上平台412a相对的下平台422b，下平台412b设置有排水孔图案，该排水孔图案具有多个排水孔412c。下平台412b中的排水孔412c被配置为允许残留水从中空本体中流出，从而减少了外基座412中残留水的量。
在所示的实施例中，两个外部光学构件4121分别安装在外基座412的上平台412a和下平台412b中。两个外部光学构件4121与内部光学构件4121对齐布置。
在一些实施例中，内盒420还可以设置有与之前的实施例相当的第一处理区域和第二处理区域。工件支撑柱(在当前的视图中未示出)可以进一步布置在第一处理区域和第二处理区域之间的边界区域处。
参照图8，在所示的实施例中，第一可观察区域Z51的布置被相应地设计成允许在接收掩模版R5时观察工件(例如，掩模版R5)的第一识别特征I1、防护膜框架PF的第二识别特征I2、防护膜P的一部分、以及防护膜框架PF的一部分。
内基座522的工件容纳区域522a在其横截面中包括台阶轮廓522s，该台阶轮廓的厚度T522a小于外围区域522b的厚度T522b。在所示的实施例中，掩模版R5的外围被支撑在台阶轮廓522s的上方，而防护膜框架PF布置成在投影上被台阶轮廓522s包围。在一些实施例中，台阶轮廓522s可以在投影上(例如，沿着本图中所示的z方向)与外部光学构件5121重叠。
在一些实施例中，可以透过外部光学构件5121和内部光学构件(例如，从当前截面图可视的构件5221)利用扫描仪S来识别工件R5的状态(例如，工件R5(例如，掩模版)的存在、其序列号、其方位)，而无需打开掩模版固持系统。同样，可以扫描522的第三识别特征I3以识别内盒的序列号和状态。
在一些实施例中，外基座512的厚度T1(例如，上平台512a的上表面和下平台512b的下表面之间的距离)的范围为16mm至23mm，并且内盒520的厚度T2的范围为15mm至23mm。在一些实施例中，T1和T2之间的比率可以在约0.5至1.6的范围内。在一些实施例中，该比率可以在约0.8至1.2的范围内。
图9示出了根据本公开的一些实施例的的容器系统的区域横截面图。为了说明的简单和清楚起见，示例性装置的一些细节/子部件未在本图中明确标记。在一些实施例中，图9可以是在图7所示的虚线框D中截取的区域横截面图。
在所示的实施例中，压紧销641设置有被配置为按压工件的按压部6411、与按压部相对的压力接收部6412以及布置在二者之间的肩部6413。肩部6413被配置为比其他两个部6412、6411宽。由压力接收部6412限定了压力接收面6412a。在所示的实施例中，压力接收面6412a是与按压部6411相对布置的平坦表面。在一些实施例中，压紧销641可以是由例如耐腐蚀性聚合物制成的一体形成的整体结构。聚合材料不但可以降低产生颗粒的可能性，而且可以提供足够的结构强度，从而可以适当地传递在其上施加的外力。在一些实施例中，压紧销641可以是由多个子部件制成的复合单元。
在所示的情况下，内盖624耦接到内基座622。内盖624还设置有引导构件635，该引导构件弹性地接触内基座622的外围，并且在内盒闭合期间提供对准/引导。图9还示出了限位盖642覆盖(从而限制)压紧销641的肩部6413。此外，通孔630a被配置为比肩部6413窄，使得压紧销641不经由通孔630a掉落，而是被限制在限位盖642和内盖624之间。在所示的实施例中，压紧销641(例如，肩部6413)由设置在内盖624上的弹性元件643支撑在第一位置(例如，肩部6413与限位盖642物理接触的位置)。在这样的位置，压紧销641被弹性元件643和限位盖642限制。在一些实施例中，压紧销641的肩部6413可以按如下方式设计：肩部6413由弹性元件643支撑时不接触限位盖642。
由于弹性元件643的可压缩性，允许压紧销641朝着工件(例如，掩模版R)移动。换而言之，压紧销641可在内盖624上垂直地(例如，沿着图9所示的z轴)移动。同时，压紧销641的按压部6411被示出为经由通孔630a穿过内盖624布置并且被配制成按压被接收的工件(例如，掩模版R)。压紧销641在图中被示为在第一位置处时接触工件(例如，掩模版R)，然而，在一些情况下，压紧销641在第一位置时可以不接触工件(例如，掩模版R)。
由限位盖642限定的窗口642a(例如，开口)暴露出压力接收部6412的压力接收面6412a，从而允许压力接收面6412a的暴露部分接收来自推动元件671(例如，布置在外盒的外盖上，如图1所示的元件171)的向下压力。在一些实施例中，压力接收部通过窗口642a向上(例如，沿着图9所示的z轴)延伸。例如，在所示的实施例中，压力接收部6412通过窗口642a向上延伸超过限位盖642的顶面6421，其中，压力接收面6412a比顶面6421高出距离d。
推动元件671被配置为在压紧销的暴露部分(例如，图9中所示的压力接收面6412a)处推动压紧销641，使得压紧销641可以在被接收的工件(例如，掩模版R)上施加压力。在一些情况下，当外盖(例如，图1中所示的外盖111)在闭合期间设置在外基座上时，推动元件671的推动表面671a可以推动压力接收部6412。压力接收部6412的上表面(例如，图9所示的压力接收面6412a)被示出为用于与推动表面671a形成面面接触的平坦表面。随着外盖朝着外基座移动，推动表面671a继续向下推动压紧销641，使得压紧销641继续按压在掩模版R上。具有较大面积的推动表面671a(例如，其横向投影完全覆盖压力接收部6412)有助于确保与压力接收部6412的上表面的均匀面面接触。这样，可以相对于垂直方向直接向下按压压紧销641，因此能够缓解压紧销641倾斜的问题。同时，在按压压紧销641的同时，弹性元件643提供缓冲。
在一些实施例中，推动元件671还被配置为与限位盖642的顶面6421物理接触。在图9所示的横截面中，压力接收面6412a的暴露部分的投影区域(即，平面上的平行投影，其中投影线彼此平行并且沿着例如z轴延伸)的宽度W2小于推动元件671的宽度(例如，图9所示的W1)。在这种布置下，限位盖642的顶面6421可以用作限位面。即，在推动元件671朝着被接收的掩模版R移动的情况下，当推动元件671与限位盖642的限位面(例如，顶面)6421物理接触时，可以终止其向下运动。因此，压紧销641到达第二位置(如图10所示)，该第二位置比之前所述的第一位置低。在一些实施例中，限位盖642的材料可以具有比推动元件更高的结构强度。例如，限位盖642的材料可以包括金属、合金或类似的材料。因此，可以将施加到工件(例如，掩模版R)上的压力限制在设计的阈值内，从而防止工件(例如，掩模版R)被过度加压。在所示的实施例中，压力接收面6412a被布置在比限位盖642的顶面6421高出距离d的高度处，该距离也是压紧销641的行进距离(即，第一位置和第二位置之间的距离)。
在一些实施例中，压力接收面6412a的暴露部分的投影面积小于推动元件671的投影面积。例如，图9所示的推动表面671a的面积大于压力接收部6412的上表面(例如，压力接收面6412a)的面积。
在一些实施例中，弹性元件643还可以被配置为在压紧销641和内盖624之间提供一定程度的气密性。例如，弹性元件643具有环形结构，该环形结构包围内盖624限定的通孔630a，从而在压紧销641和内盖624之间提供了一定程度的气密性。在一些实施例中，弹性元件643可以是O形环。
图10示出了根据本公开的一些实施例的处于第二位置处的压紧销的横截面图。在一些实施例中，当外盖耦接到外基座时，压紧销被压下并保持在第二位置。在所示的实施例中，推动元件671的推动表面671a同时与压紧销641的压力接收部6412和限位盖642的限位面6421物理接触。此外，工件(例如，掩模版R)(例如，在其上表面的拐角区域处)被压紧销641按压。因此，工件(例如掩模版R)可以在其下侧由工件支撑柱624适当地支撑，同时被牢固地保持在基本水平的方位。
在所示的实施例中，当推动元件671(例如，在盒闭合状态下)与限位面6421物理接触时，限位盖642的顶面(例如，限位面6421)和压力接收部6412的上表面(例如，压力接收面6412a)的暴露部分基本共面。然而，在其他实施例中，代替基本共面，当推动元件(例如，在盒闭合状态下)与限位面物理接触时，压力接收面和限位面的其中一个可以布置成比另一个更靠近被接收的掩模版。
在一些实施例中，内盒620还可以设置有与之前的实施例相当的第一处理区域和第二处理区域。工件支撑柱624还可以布置在第一处理区域和第二处理区域之间的边界区域处。
图11示出了根据本公开的一些实施例的掩模版固持系统的平面图。为了说明的简单和清楚起见，示例性装置的一些细节/子部件未在本图中明确标记/示出。例如，在图11中未示出内盖和外盖。
在所示的实施例中，两个内部光学构件7221、7222的其中一个具有比另一个更大的平面面积。例如，从所示的平面图来看，内部光学构件7221具有比内部光学构件7222更大的面积。
在所示的实施例中，内部光学构件7221被设计成具有更大的平面面积，以同步地允许光接入到(concurrent optical access to)防护膜P、防护膜框架PF的第二识别特征I2和防护膜框架PF的一部分。另一方面，内部光学构件7222具有较小的平面面积以允许观察第一识别特征I1。同时，外部光学构件7121与两个内部光学构件7221、7222可观察到地对准，从而使得能够通过其观察防护膜P、防护膜框架PF的第二识别特征I2、防护膜框架PF的一部分以及第一识别特征I1。
在所示的实施例中，外部光学构件7121被配置为允许观察第三识别特征I3。这样，可以通过透过外部光学构件7121观察来实现对诸如掩模版R7的情况、防护膜P、防护膜框架PF以及识别特征I1、I2、I3等信息的确认，从而减少必须打开外盒的次数。
在一些实施例中，外部光学构件可以与一对内部光学构件在投影上重叠。在所示的实施例中，两个内部光学构件7221、7222被布置成被外部光学构件7121完全重叠(例如，在投影上覆盖)。在这样的实施例中，外部光学构件的平面面积等于或大于两个内部光学构件的平面面积。例如，在所示的平面图中，外部光学构件7121的平面面积大于两个内部光学构件7221、7222的平面面积。在一些实施例中，两个内部光学构件的某些部分可以不与外部光学构件重叠。在这样的实施例中，外部光学构件的平面面积可以小于两个内部光学构件的平面面积。
在所示的实施例中，内部光学构件7221、7222被布置在第三识别特征I3附近。这种布置减小了重叠的外部光学构件7121的平面面积，从而增强了外基座712的结构强度。在一些实施例中，内部光学构件和第三识别特征可以彼此间隔开布置。在这样的实施例中，外基座712可以具有在位置上分别对应于第三识别特征I3和内部光学构件7221、7222的额外外部光学构件(未示出)。
在一些实施例中，外基座的整个底面可以被设计成充当第二观察区。例如，外部光学构件可占据外基座的整个底部。
在所示的平面图中，外部光学构件7121具有基本矩形的平面轮廓。第三识别特征I3沿着外部光学构件7121的矩形轮廓的长度方向DL布置在两个内部光学构件7221、7222之间。在一些实施例中，内部光学构件7221、7222和外部光学构件7121的平面轮廓可包括一个或多个圆弧部分。
光学构件(例如，光学构件7121)的放置位置、材料和平面轮廓可以考虑各种因素，例如装置部件的重量分布、结构完整性和整体重量限制。如本实施例所示，外部光学构件7121朝向外基座712的几何中心布置。例如，外部光学构件7121的几何中心在x方向和y方向上大致布置在从外基座712的中心到其外边缘的距离的一半以内。这样的布局布置可以帮助在维持外基座的结构完整性的同时保持外基座712更好的整体平衡。而且，这样的位置布置可以帮助保留基座构件(例如，外基座712)的外围区域以用于其他功能部件，例如密封和闩锁机构。
在所示的实施例中，从外部光学构件7121的几何中心7121c到外基座712的对称轴线A1的距离D比外基座712的矩形轮廓的长度L的30％短。在一些实施例中，距离D可以比外基座712的矩形轮廓的宽度W的30％短。在一些实施例中，距离D可以为约76mm；长度L可以为约270mm；宽度W可以为约260mm。
在一些实施例中，从外基座712的几何中心7121c到对称轴线A2的距离比外基座712的矩形轮廓的长度L和/或宽度W的30％短。
此外，光学构件(例如，光学构件7121)的位置布置可以帮助保留基座构件(例如，外基座712)的中心区域以用于其他功能部件，例如支撑机构。如本实施例所示，外部光学构件7121在投影上偏离外基座712的几何中心。
在所示的实施例中，从外部光学构件7121的几何中心7121c到外基座712的对称轴线A1的距离D比外基座712的矩形轮廓的长度L和/或宽度W的10％短。在一些实施例中，从几何中心7121c到对称轴A2的距离比长度L和/或宽度W的10％长。在一些实施例中，几何中心7121c可以布置在外基座712的中心区域。
在所示的实施例中，内基座722还包括布置在第一可观察区域(例如，图6所示的第一可观察区域Z31)外部的额外的内部光学构件(例如，光学端口72a)。同样地，外基座还可以设置有与内盒的额外光学端口72a对应地布置的额外外部光学构件。例如，额外外部光学构件可以与额外内部光学构件72a以可观察的对齐的方式对应地布置。在一些实施例中，外部光学构件(例如，光学端口7121)的数量小于内部光学构件(例如，端口7221、7222、72a)的数量。
在一些实施例中，内基座(例如，内基座722)包括对应于工件容纳区域722a的第一处理区域。例如，代表第一处理区域的阴影区域A71的表面积基本上等于被接收的工件(掩模版R7)的表面积。如本图所示，示例性内基座722的工件容纳区域722a大致布置在其几何中心。
在一些实施例中，内基座(例如，内基座722)的内表面(例如，外围区域722b)进一步用第二表面处理进行处理。例如，内基座722包括围绕内基座的第一处理区域布置的第二处理区域A72。在一些实施例中，第二处理区域包括疏水处理区域。
内基座722还可以设置有工件支撑柱724，该工件支撑柱被配置为支撑工件并限制工件的横向运动。在一些实施例中，工件支撑柱724被布置在第一处理区域A71与第二处理区域A72之间的边界区域处。在一些实施例中，边界区域可以由阴影区域A71(例如，第一处理区域)的轮廓限定。
图12示出了根据本公开的一些实施例的容器系统的仰视图。为了说明的简单和清楚起见，示例性装置的一些细节/子部件未在本图中明确标记/示出。在一些实施例中，图12中所示的结构布置可与外基座(例如，外基座112、312、412、512和/或712)的仰视图相当。
在容器被清洗/清洁之后，一些水残留物可留在外基座812的中空本体中。为了使水残留物从中空本体中流出，在一些实施例中，被配制成与外盖(例如，图1所示的外盖111)匹配的外基座(例如，外基座812)上设置有排水孔。因此，可以减少外基座的干燥/烘烤时间，从而提高设备利用率并促进节能。这还减少了水残留在外盒中的可能性，因此降低了残留水对设备造成污染的可能性。例如，示例性外基座812具有中空本体，该中空本体包括上平台(例如，图1所示的上平台112a)和相对的下平台812b，下平台812b设置有排水孔图案812g，该排水孔图案具有多个排水孔812c。下平台812b中的排水孔812c允许残留水从中空本体中流出，从而减少了外盒基座中残留水的量，这可以缩短外盒(例如，图1所示的外盒110)的烘烤时间。
在一些实施例中，一个或多个机械部(例如闩锁机构)可以容纳在中空本体内部。但是，在清洁外盒时，水的累积趋于围绕机械部(例如闩锁机构)。例如，外基座812的几何中心区域可以设置有闩锁机构，并且可能是残留水趋于停留的区域。在一些实施例中，排水孔(例如，排水孔812c)可以被布置成靠近/围绕外基座812的几何中心区域，使得中空本体内的残留水可以更快地干燥。例如，具有细长结构的示例性排水孔812c中的六个被布置成包围外基座812的几何中心区域。示例性排水孔图案812g还包括避开外基座812的几何中心区域的双H型布置。在一些实施例中，双H型布置包括一对纵向部分812L和布置在纵向部分812L之间的横向部分812T。在一些实施例中，双H型布置的两个纵向部分812L之间的距离D8与外基座的宽度W8之间的比率的范围在约30％至约35％。
排水效率与排水沟(例如，排水孔812c)的面积/大小有关。在一些实施例中，增加额外的排水沟面积将会进一步提高效率，但是，排水孔图案具有大投影面积可能会牺牲下平台812b的结构完整性。在一些实施例中，排水孔图案的投影面积与外基座812的面积之间的比率不大于10％，使得可以在获得充分的排水效果的同时保持外基座812的结构强度。
图13示出了根据本公开的一些实施例的容器系统的仰视图。为了说明的简单和清楚起见，示例性装置的一些细节/子部件未在本图中明确标记/示出。在一些实施例中，图13中所示的结构布置可与外基座(例如，外基座112、312、412、512和/或712)的仰视图相当。
在一些实施例中，外基座包括排水沟(排水孔)和检查窗口(底部窗口)。排水沟不具有透光元件，而窗口包括透光元件(例如玻璃)。在一些实施例中，排水孔912c的定位可以避开检查窗口(例如，外部光学构件9121)和外基座的(一个或多个)螺孔的位置。在一些实施例中，外基座的侧面还可以设置有排水孔。
排水孔的尺寸、纵横比和平面轮廓可以与上述实施例不同。在一些实施例中，排水沟(排水孔)可以是矩形、圆形/椭圆形或在两端具有圆弧的矩形轮廓。根据一些实验结果，对于单个排水沟(排水孔)，具有圆形/弯曲端部的矩形轮廓提供理想的排水能力。实验结果还表明，具有细长图案轮廓的排水狭槽/槽比具有圆形轮廓的排水狭槽/槽具有更好的排水效率。在一些实施例中，排水孔图案包括多个狭槽，其中每个狭槽没有尖角。具有圆弧端部的狭槽(例如，排水孔912c)可以减少水的聚集。排水孔912c的横截面轮廓可以是倾斜的或弯曲的表面。
图14至图18分别示出了根据本公开的一些实施例的排水孔的横截面轮廓。
排水孔可以具有不同的横截面轮廓，例如垂直的、倾斜的或弯曲的轮廓。图14所示的下平台1012b的示例性排水孔1012c具有基本不变的宽度。图15所示的排水孔1112c具有弯曲表面并且宽度逐渐向下减小。在一些实施例中，排水孔1112c还具有凹入的横截面轮廓。图16所示的排水孔1212c具有凸出的横截面轮廓。图17中的排水孔1312c的横截面轮廓具有锥形轮廓，该锥形轮廓的宽度逐渐向下减小。图18中的排水孔1412c的横截面轮廓具有锥形轮廓，该锥形轮廓的宽度逐渐向下增大。
因此，本公开的一方面提供了一种容器系统，包括内基座，该内基座被配置为接收工件，内基座包括对应于工件容纳区域的第一处理区域；围绕内基座的第一处理区域布置的第二处理区域；以及布置在第一处理区域和第二处理区域之间的边界区域处的工件支撑柱。
在本公开的一些实施例中，容器系统还包括内盖，该内盖被配置为与内基座匹配。内盖包括对应于内盖的工件容纳区域的第一处理区域；围绕内盖的第一处理区域布置的第二处理区域；以及布置在内盖的第二处理区域中的压紧销，其中，压紧销具有电荷消散特性。
在本公开的一些实施例中，其中，内基座和内盖基本上由金属制成；其中，第一处理区域包括亲水处理区域；以及其中，第二处理区域包括疏水处理区域。
在本公开的一些实施例中，疏水处理区域具有小于约1011Ω的表面电阻值。
在本公开的一些实施例中，疏水处理区域上方的疏水层的厚度小于约1um。
在本公开的一些实施例中，其中，内盖包括布置在其几何中心区域处的过滤器模块；并且，其中，亲水区域避开过滤器模块。
在本公开的一些实施例中，容器系统还包括外盖，该外盖被配置为覆盖内盖。外盖包括推动元件，该推动元件被配制成在压紧销的暴露部分处推动压紧销，使得压紧销按压工件。内盖的压紧销包括穿过内盖布置的压紧部，该压紧部被配置为按压被接收的工件；以及与压紧部相对的压力接收面。压力接收面的暴露部分的投影区域的宽度小于推动元件的宽度。
在本公开的一些实施例中，容器系统还包括被配制成与外盖匹配并容纳内基座的外基座，该外基座设置有排水孔图案。
在本公开的一些实施例中，外基座具有中空本体，该中空本体包括被构造成支撑内基座的上平台和与上平台相对的下平台，下平台设置有排水孔图案。
在本公开的一些实施例中，排水孔图案具有双H型布置，该布置避开了外基座的几何中心区域。
因此，本公开的另一方面提供了一种容器系统，该容器系统包括外基座和内基座。外基座包括支撑结构，外基座具有中空本体，该中空本体包括被配制成支撑内基座的上平台和与上平台相对的下平台，下平台设置有排水孔图案，排水孔图案包围下平台的几何中心区域。内基座被配置为接收工件，内基座包括对应于工件容纳区域的第一处理区域；围绕第一处理区域布置的第二处理区域；以及布置在第一处理区域和第二处理区域之间的边界区域处的工件支撑柱。
在本公开的一些实施例中，排水孔图案具有双H型布置，该布置避开了外基座的几何中心区域。
在本公开的一些实施例中，双H型布置包括一对纵向部分和布置在纵向部分之间的横向部分。
在本公开的一些实施例中，双H型布置的纵向部分之间的距离与外基座的宽度之间的比率的范围在30％至35％。
在本公开的一些实施例中，排水孔图案的投影面积与外基座的面积之间的比率不大于10％。
在本公开的一些实施例中，排水孔图案包括多个狭槽，其中，每个狭槽没有尖角。
在本公开的一些实施例中，内基座具有：工件容纳区域，该工件容纳区域大致布置在内基座的几何中心并被外围区域包围；以及第一可观察区域，该第一可观察区域限定在工件容纳区域中，相应地布置以允许观察工件。外基座具有在其上限定的第二可观察区域，在容纳内基座时，第二可观察区域与内基座的第一可观察区域可观察地对准。
在本公开的一些实施例中，内基座的第一可观察区域中的窗口的数量大于第二可观察区域中的窗口的数量。
在本公开的一些实施例中，内基座基本上由金属制成；内基座的支撑柱具有电荷消散特性。
在本公开的一些实施例中，第一处理区域包括亲水处理区域；第二处理区包括疏水处理区域。
以上示出和描述的实施例仅是示例而已。因此，没有示出和描述很多这样的细节。虽然在前面的描述中已经陈述了本技术的许多特征和优点，以及结构和功能的细节，但是本公开仅是说明性的，并且可以在原则范围内对细节进行变化，尤其是部件的形状、尺寸和布置等事项，达到并包括由权利要求中所使用的术语的广泛普遍含义所确定的完整范围。因此，将会理解，可以在权利要求的范围内修改上述实施例。

Claims (20)

1.一种容器系统，其特征在于：所述容器系统包括：
内基座，所述内基座被配置为接收工件，所述内基座包括
对应于工件容纳区域的第一处理区域，
围绕所述内基座的所述第一处理区域地布置的第二处理区域，以及
布置在所述第一处理区域和所述第二处理区域之间的边界区域处的工件支撑柱。
2.根据权利要求1所述的容器系统，其特征在于：所述容器系统还包括：
内盖，所述内盖被配置为与所述内基座匹配，所述内盖包括
对应于所述内盖的所述工件容纳区域的第一处理区域，
围绕所述内盖的所述第一处理区域地布置的第二处理区域，以及
布置在所述内盖的所述第二处理区域中的压紧销，其中，所述压紧销具有电荷消散特性。
3.根据权利要求2所述的容器系统，其特征在于，所述内基座和所述内盖基本上由金属制成；其中，所述内基座的所述第一处理区域包括亲水处理区域；以及其中，所述内基座的所述第二处理区域包括疏水处理区域。
4.根据权利要求3所述的容器系统，其特征在于，所述疏水处理区域具有小于约1011Ω的表面电阻值。
5.根据权利要求4所述的容器系统，其特征在于，所述疏水处理区域上方的疏水层具有小于约1um的厚度。
6.根据权利要求2所述的容器系统，其特征在于，所述内盖包括布置在其几何中心区域处的过滤器模块；以及所述内盖的所述第一处理区域避开所述过滤器模块。
7.根据权利要求2所述的容器系统，其特征在于：还包括：
外盖，所述外盖被配置为覆盖所述内盖，所述外盖包括推动元件，所述推动元件被配置为在所述压紧销的暴露部分处推动所述压紧销，使得所述压紧销按压所述工件；以及
所述内盖的所述压紧销包括
穿过所述内盖布置的按压部，所述按压部被配置为按压被接收的工件和与所述按压部相对布置的压力接收面；以及
所述压力接收面的所述暴露部分的投影区域的宽度小于所述推动元件的宽度。
8.根据权利要求7所述的容器系统，其特征在于：还包括：
外基座，所述外基座被配置为与所述外盖匹配并容纳所述内基座，其中，所述外基座具有排水孔图案。
9.根据权利要求8所述的容器系统，其特征在于，所述外基座具有中空本体，所述中空本体包括被配置为支撑所述内基座的上平台和与所述上平台相对的下平台，其中，所述下平台具有所述排水孔图案。
10.根据权利要求8或9所述的容器系统，其特征在于，所述排水孔图案具有避开所述外基座的几何中心区域的双H型布置。
11.一种容器系统，其特征在于：所述容器系统包括：
外基座，所述外基座包括支撑结构，所述外基座具有中空本体，所述中空本体包括被配置为支撑所述内基座的上平台和与所述上平台相对的下平台，
其中，所述下平台具有排水孔图案，所述排水孔图案包围所述下平台的几何中心区域；以及
被配置为接收工件的内基座，所述内基座包括
对应于工件容纳区域的第一处理区域，
围绕所述第一处理区域地布置的第二处理区域，以及
布置在所述第一处理区域和所述第二处理区域之间的边界区域处的工件支撑柱。
12.根据权利要求11所述的容器系统，其特征在于：所述排水孔图案具有避开所述外基座的所述几何中心区域的双H型布置。
13.根据权利要求12所述的容器系统，其特征在于，所述双H型布置包括一对纵向部分和布置在所述纵向部分之间的横向部分。
14.根据权利要求13所述的容器系统，其特征在于，所述双H型布置的所述纵向部分之间的距离与所述外基座的宽度之间的比率的范围在30％至35％。
15.根据权利要求11所述的容器系统，其特征在于，所述排水孔图案的投影面积与所述外基座的面积之间的比率不大于10％。
16.根据权利要求11或12所述的容器系统，其特征在于，所述排水孔图案包括多个狭槽，其中，所述狭槽中的每个狭槽没有尖角。
17.根据权利要求11所述的容器系统，其特征在于，所述内基座具有：
工件容纳区域，所述工件容纳区域大致布置在所述内基座的几何中心并且被外围区域包围，以及
第一可观察区域，所述第一可观察区域被限定在所述工件容纳区域中，相应地被布置以允许观察所述工件；
其中，所述外基座具有在其上被限定的第二可观察区域，在容纳所述内基座时，所述第二可观察区域与所述内基座的所述第一可观察区域可观察地对准。
18.根据权利要求17所述的容器系统，其特征在于，所述内基座的所述第一可观察区域中的窗口的数量大于所述第二可观察区域中的窗口的数量。
19.根据权利要求11所述的容器系统，其特征在于，所述内基座基本上由金属制成；以及所述内基座的所述工件支撑柱具有电荷消散特性。
20.根据权利要求11所述的容器系统，其特征在于，所述第一处理区域包括亲水处理区域；以及所述第二处理区域包括疏水处理区域。
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