JP2014053425A - マスク用ポッドおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】マスクの汚染を抑制できるマスク用ポッドを提供することにある。
【解決手段】内部ポッド１００Ａと、外部ポッド１００Ｂとを具備するマスク用ポッドが提供される。内部ポッド１００Ａは、主面Ｓ１を有するベース部１０１と、主面Ｓ１の周縁領域に設けられた複数の第１の凸部１０３と、主面Ｓ２を有するカバー部１０２と、主面Ｓ２の周縁領域に設けられた複数の第２の凸部１０４と、複数の第２の凸部１０４よりも内側の主面Ｓ２の領域に設けられた第１の枠状部材１０５とを備える。マスク２００が収納される場合、複数の第１の凸部１０３上にマスク２００がその表面を下にして載置され、マスク１００の裏面に、複数の第２の凸部１０４が接触するように、マスク１００上にカバー部１０２が配置される。
【選択図】 図２

Description

本発明の実施形態は、露光用のマスクが収納されるマスク用ポッドおよび半導体装置の製造方法に関する。

近年、微細なパターン転写を実現するために、波長が１３．５ｎｍ近傍の極端紫外線（ＥＵＶ）を用いたＥＵＶリソグラフィプロセスが提案されている。ＥＵＶリソグラフィプロセスでは、光反射型マスクが用いられる。この光反射型マスクはＥＵＶマスクとも呼ばれる。

ＥＵＶマスクは、フォトマスクと異なり、露光時に静電チャックでマスクを保持することが想定されている。そのため、ＥＵＶマスクのパターンが形成された面と反対の面（裏面）には導電膜が設けられている。

裏面上のパーティクルは、露光時に静電チャック機構により保持されるマスクの平坦性を悪化させて、パターンの位置ずれを引き起こす。そのため、ＥＵＶマスクの裏面の清浄度を保つことは重要である。しかも、ＥＵＶマスクは防塵膜（ペリクル）が無いため、より厳しいダスト管理が必要となる。そのため、ＥＵＶマスクの保存、運搬、輸送には二重格納容器が使用される。この二重格納容器は二重ポッドとも呼ばれる。

特開２００８−０２１７３０号公報

本発明の目的は、マスクの汚染を抑制できるマスク用ポッドおよび半導体装置の製造方法を提供することにある。

実施形態のマスク用ポッドはマスクを収納するものであり、内部ポッドと、前記内部ポッドを収納する外部ポッドとを備えている。前記内部ポッドは、第１の主面を有するベース部と、前記第１の主面の周縁領域に設けられた複数の第１の凸部と、第２の主面を有するカバー部と、前記第２の主面の周縁領域に設けられた複数の第２の凸部と、前記複数の第２の凸部よりも内側の前記第２の主面の領域に設けられた第１の枠状部材とを備えている。前記マスクが収納される場合、前記複数の第１の凸部上に前記マスクがその表面を下にして載置され、前記複数の第１の凸部上に載置された前記マスクの裏面に、前記複数の第２の凸部が接触するように、前記マスク上に前記カバー部が配置される。

実施形態の半導体装置の製造方法は、実施形態のマスク用ポッド内に収納されたマスクを取り出す工程を備えている。次に、前記取り出したマスクを用いて基板上のレジスト膜を露光する工程が行われる。次に、前記露光したレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程が行われる。そして、前記レジストパターンをマスクにして前記基板をエッチングする工程が行われる。

第１の実施形態に係るマスク用ポッドの基本構成を示す分解図である。 第１の実施形態に係るマスク用ポッドの具体的構成の一例を模式的に示す断面図である。 第１の実施形態に係るマスク用ポッドを模式的に示す平面図である。 第１の実施形態に係るマスク用ポッドの内部ポッドの支持部および接触部を説明するための図である。 第１の実施形態に係るフレームおよびカバー部を具備する構造（内部カバー構造）の製造方法を説明するための断面図である。 図５に続く第１の実施形態に係る内部カバー構造の製造方法を説明するための断面図である。 第１の実施形態に係る内部カバー構造の変形例を説明するための平面図である。 第１の実施形態に係る内部カバー構造の他の変形例を説明するための平面図である。 第１の実施形態に係る内部カバー構造の他の製造方法を説明するための断面図である。 図９に続く第１の実施形態に係る内部カバー構造の他の製造方法を説明するための断面図である。 第１の実施形態に係る内部カバー構造のさらに別の製造方法を説明するための断面図である。 図１１に続く第１の実施形態に係る内部カバー構造のさらに別の製造方法を説明するための断面図である。 第２の実施形態に係るマスク用ポッドを模式的に示す断面図である。 第３の実施形態に係るマスク用ポッドを模式的に示す断面図である。 第４の実施形態に係るマスク用ポッドを模式的に示す断面図である。 第５の実施形態に係るマスク用ポッドの内部ポッドの要部を模式的に示す平面図である。 第５の実施形態に係るマスク用ポッドの内部ポッドの要部を模式的に示す平面図である。 第６の実施形態に係る半導体装置の製造方法の製造法を説明するためのフローチャートである。 実施形態の他のフレームを模式的に示す平面図である。 実施形態のさらに別のフレームを模式的に示す平面図である。

以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。

（第１の実施形態）
図１は、本実施形態に係るマスク用ポッドの基本構成を示す分解図である。

本実施形態のマスク用ポッド１００は、内部ポッド１００Ａおよび外部ポッド１００Ｂを含む二重ポッド構造を有する。

内部ポッド１００Ａは、マスク２００を収納するための、ベース部１０１およびカバー部１０２を備えている。本実施形態では、マスク２００がＥＵＶマスク（反射型マスク）の場合について説明する。

外部ポッド１００Ｂは、内部ポッド１００Ａを収納するための、ベース部１５１およびカバー部１５２を備えている。

図２は、本実施形態に係るマスク用ポッドの具体的構成の一例を模式的に示す断面図である。図３は、本実施形態に係るマスク用ポッドの平面図を示しており、より詳細には、内部ポッド１００Ａのカバー部１０２を模式的に示す平面図である。図２の断面図は、図３の平面図の破線２−２に沿った断面に対応する。

マスク２００の表面にはパターン面２０１が設けられている。マスク２００は、通常、図２に示すように、パターン面２０１を下にしてポッド内に収納される。パターン面２０１には、ウエハ等の基板上に形成されるデバイスパターンに対応するマスクパターンが形成されている。マスク２００の裏面の静電チャック領域には導電膜２０２が設けられている。導電膜２０２は、例えば、ＣｒＮ系の膜である。露光時には、露光装置の静電チャック機構に導電膜２０２が吸着することで、マスク２００は保持されることになる。

内部ポッド１００Ａは、上記の通り、ベース部１０１およびカバー部１０２を備えている。ベース部１０１は第１の主面Ｓ１を有し、カバー部１０２は第２の主面Ｓ２を有する。内部ポッド１００Ａは、さらに、第１の主面Ｓ１の周縁領域に設けられた複数の支持部（複数の第１の凸部）１０３と、第２の主面Ｓ２の周縁領域に設けられた複数の接触部（複数の第２の凸部）１０４と、第２の主面Ｓ２に設けられた枠状のフレーム（第１の枠状部材）１０５とを備えている。フレーム１０５は、複数の接触部１０４よりも内側に設けられている。したがって、フレーム１０５は複数の接触部１０４に接触しない。

内部ポッド１００Ａにマスク２００を収納する場合、複数の支持部１０３上にマスク２００は載置される。一般に、マスク２００の表面の検査保障領域（不図示）よりも外側の端部付近が、複数の支持部１０３によって支持されるように、複数の支持部１０３の位置は設計される。検査保証領域内に支持部１０３が存在すると、支持部３００により検査保証領域の汚染リスクが高くなるからである。

また、内部ポッド１００Ａにマスク２００を収納する場合、複数の接触部１０４はマスク２００の裏面に接触する。内部ポッド内部ポッド１００Ａを外部ポッド１００Ｂ内に閉じる場合、マスク用ポッド１００内が図示しない排気機構により真空排気され、複数の接触部１０４が押圧され、マスク２００が固定される。このように複数の接触部１０４は、押圧器具としての機能を有する。なお、図３には、４個の接触部１０４が示されているが、２個、３個または５個以上でも構わない。

一般に、マスク２００の裏面の静電チャック領域（導電膜２０２）よりも外側の端部付近に、複数の接触部１０４が接触するように、複数の接触部１０４は設計される。フレーム１０５も静電チャック領域よりも外側に位置するように設計される。このように接触部１０４およびフレーム１０５は、静電チャックによるマスク２００の保持に支障が生じないように設計される。

フレーム１０５は、例えば、アウトガスを発生しない材料で構成される。一般に、内部ポッド１００Ａの主材料には、アウトガスを発生しないが材料が使用される。そのため、例えば、内部ポッド１００Ａの主材料と同じ材料がフレーム１０５に使用される。アウトガスを発生しない材料としては、例えば、アルミニウムがある。

内部ポッド１００Ａにマスク２００が収納されている状態では、図４に示すように、ベース部１０１の上面とマスク２００の表面との間の隙間Ｌ１（支持部１０３の高さ）は非常に狭く（低く）、例えば、隙間Ｌ１は、マスク２００が収納される際に挟まれた空気が置換されない程度の大きさである。隙間Ｌ１の値は、例えば、０．１ｍｍのオーダーである。

このように隙間Ｌ１は非常に狭いので、マスク２００の収納前にベース部１０１の上面が清浄な状態に保たれていれば、マスク２００の表面が汚染されたり、汚染源（欠陥）が移動してマスク２００が汚染されることはないと考えられる。

内部ポッド１００Ａにマスク２００が収納されている状態では、図４に示すように、カバー部１０２の下面とマスク２００の裏面との間の隙間Ｌ２（接触部１０４の高さ）は、隙間Ｌ１に比べると一般的には広い（高い）。

マスク２００の収納時、接触部１０４はマスク２００に押圧され、マスク２００に力が掛かる。マスク２００に掛かる力が小さい場合、マスク用ポッドの急な動きに対して接触部１０４がマスク２００上を滑り、接触部１０４とマスク２００との間に一時的に大きな摩擦が生じると、マスク汚染の原因となるパーティクルが発生することがある。

この発生したパーティクルは、マスク用ポッド内の空気の乱流や圧力変化によって、マスク２００上を移動して、マスク２００の裏面に到達して、検査保証領域等を汚染することがある。マスク用ポッドの急な動きは、運搬や郵送時のみならず、地震等の影響で保存時においても発生する可能性がある。

逆に、マスク２００に掛かる力が大きすぎる場合、ポッドの運搬や郵送時の振動などによって、接触部１０４とマスク２００との間にある一定上の大きさの摩擦が連続的に生じると、検査保証領域等の汚染の原因となるパーティクルが発生したり、または、マスク２００が損傷することがある。

一般に、接触部１０４によりマスク２００に掛かる力（押圧力）が、マスク２００を汚染しない程度の適度な大きさとなるように、マスク用ポッドの構造を設計することは難しい。

本実施形態のマスク用ポッドは、カバー部１０２の複数の接触部１０４の内側には、マスク２００に接触しない程度の厚さを有するフレーム１０５が設けられている。接触部１０４（発塵源）に起因して発生したパーティクルは、フレーム１０５により、マスク２００の裏面の中心側に侵入することを妨げられる。そのため、マスク２００の裏面の静電チャック領域の汚染は抑制される。これにより、露光時に静電チャック機構により保持されるマスクの平坦性は確保され、パターンの位置ずれは抑制される。

本実施形態の場合、フレーム１０５は、静電チャック領域（導電膜２０２）の外側に位置するので、静電チャック領域内にパーティクルが侵入することを効果的に抑制することができる。その結果、高清浄な導電膜２０２を有するマスク２００を用いて露光プロセスを行えるようになる。

このようにマスク２００の裏面へのパーティクルの侵入を抑制できることから、マスク２００の裏面から表面へのパーティクルの侵入も抑制できる。これにより、マスクの表面（例えば、検査保証領域）の汚染を抑制できるようになる。

したがって、本実施形態のマスク用ポッドを用いることにより、保存、運搬および輸送時に発生するパーティクルによる、マスクの汚染を抑制できるようになる。

本発明者らの鋭意研究によれば、フレーム１０５を設けることにより、パーティクルによる検査保証領域等の致命的な汚染を抑制できることが明らかになった。フレーム１０５は複雑な構造である必要はないので、容易に実装できる。そのため、マスク２００に掛かる力が適度な大きさとなるように、マスク用ポッドの構造を設計する必要がなくなり、設計上の制限は緩和される。

図５および図６は、本実施形態のフレーム１０５およびカバー部１０２を具備する構造（内部カバー構造）の製造方法を説明するための断面図である。この製造方法では、図５に示すように、フレーム１０５を形成し、その後、図６に示すように、フレーム１０５を溶接等によりカバー部１０２に固定する。

図５では、完成形の一つのフレーム１０５を形成したが、図７に示すように、未完成の２つに分割されたフレーム１０５ａ，１０５ｂを形成し、その後、カバー部上でフレーム１０５ａ，１０５ｂを溶接等により一体化しても構わない。さらに、図８に示すように、４つに分割されたフレーム１０５ｃ，１０５ｄ，１０５ｅ，１０５ｆを形成しても構わない。ウエハ（マスク）の大口径化に伴い、フレームは大きくなる。この場合、完成形の一つのフレーム１０５を一度に形成することが困難な場合もあるが、上記の通りに、フレームを分割形成することで、そのような困難は解消される。

図９および図１０は、本実施形態の内部カバー構造の他の製造方法を説明するための断面図である。この製造方法では、図９に示すように、カバー部１０２上にフレーム材料１０５Ｍ（例えばアルミニウム）を堆積し、その後、フレーム１０５Ｍをエッチングにより加工して、図１０に示すように、フレーム１０５を形成する。フレーム１０５Ｍの堆積は、例えば、スパッタリング法またはＣＶＤ法で行うことができる。

図１１および図１２は、本実施形態の内部カバー構造のさらに別の製造方法を説明するための断面図である。この製造方法では、図１１に示すように、カバー部１０２の表面に溝１０６を形成し、その後、図１２に示すように、溝１０６内にフレーム１０５を差し込む。この製造方法によれば、溶接を用いずにカバー部１０２にフレーム１０５を固定することができる。

（第２の実施形態）
図１３は、第２の実施形態に係るマスク用ポッドを模式的に断面図である。なお、以下の図において、既出の図と対応する部分には既出の図と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。

本実施形態が第１の実施形態と異なる点は、第２のフレーム１０５'をさらに具備していることにある。

第２のフレーム１０５'は、マスク２００のパターン面２０１よりも外側に位置し、かつ、複数の支持部１０３よりも内側の領域に位置するように、ベース部１０１の主面Ｓ１上に設けられている。

複数の支持部１０３上にマスク２００がその表面を下にして載置された場合に、第２のフレーム１０５'は、マスク２００の表面に接触しないことが望ましい。接触によるパーティクル等の発生を抑制するためである。

第２のフレーム１０５'は、第１のフレーム１０５と同様に、例えば、アウトガスを発生しない材料で構成される。

本実施形態によれば、支持部１０３（発塵源）に起因して発生したパーティクルは、第２のフレーム１０５'により、マスク２００の表面の中心側に侵入することを妨げられ、マスク２００のパターン面２０１の汚染は抑制される。

したがって、本実施形態によれば、マスク２００の裏面および裏面の両方に対してパーティクルの侵入を効果的に抑制することができるようになる。

なお、第１および第２のフレーム１０５，１０５'の一方だけをアウトガスを発生しない材料で構成しても構わない。

（第３の実施形態）
図１４は、第３の実施形態に係るマスク用ポッドを模式的に断面図である。

本実施形態が第１の実施形態と異なる点は、マスク２００の外周を取り囲む部材（囲み部材）１０７をさらに具備していることにある。

囲い部材１０７は、第２の主面Ｓ２の複数の接触部１０４の外側に設けられている。

囲い部材１０７を具備することにより、マスク２００の表面および裏面にパーティクル等のパーティクル（異物）が侵入することをより効果的に抑制することができるようになる。

（第４の実施形態）
図１５は、第４の実施形態に係るマスク用ポッドを模式的に断面図である。

本実施形態が第２の実施形態と異なる点は、囲み部材１０７をさらに具備していることにある。

囲い部材１０７を具備することにより、第３の実施形態と同様に、マスク２００の裏面および裏面にパーティクル（異物）が侵入することをより効果的に抑制することができるようになる。

（第５の実施形態）
図１６および図１７は、第５の実施形態に係るマスク用ポッドの内部ポッドの要部を模式的に平面図である。

本実施形態が第１−第４の実施形態と異なる点は、フレーム１０５'ａ，１０５'ｂが閉じていない構造（開曲線構造）を有することにある。

図１６は、一箇所に切り目があるフレーム１０５'ａを示し、図１７は、二箇所に切り目があるフレーム１０５'ａを示している。パーティクルは、接触部１０４で発生するので、接触部１０４の近傍に切り目がなければ、実施形態の効果（マスクの汚染抑制）は得られる。図１６および図１７は、辺の中央に切り目がある構造を示している。この構造は接触部１０４から離れたところに切り目があるので、接触部１０４で発生するパーティクルの影響は受けにくい。

（第６の実施形態）
図１８は、第６の実施形態に係る半導体装置の製造方法の製造法を説明するためのフローチャートである。

まず、実施形態のマスク用ポッド内に収納されたマスクを取り出す（ステップＳ１）。 次に、前記取り出したマスクを用いて基板上のレジスト膜を例えばＥＵＶ光により露光する（ステップＳ２）。

前記基板は、例えば、半導体基板を含む。半導体基板は、例えば、シリコン基板や、ＳＯＩ基板である。上記レジスト膜は周知の方法により基板上に形成されたものである。

次に、露光したレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する（ステップＳ３）。

次に、前記レジストパターンをマスクにして前記基板をエッチングする（ステップＳ４）。その結果、微細パターンが形成される。

ここで、上記レジスト膜の下地（基板の最上層）がポリシリコン膜や金属膜の場合、微細な電極パターンや配線パターンなどが形成される。上記レジスト膜の下地（基板の最上層）が絶縁膜の場合、微細なコンタクトホールパターンやゲート絶縁膜などが形成される。上記レジスト膜の下地が上記半導体基板の場合、微細な素子分離溝（ＳＴＩ）などが形成される。

以上述べたステップＳ１−Ｓ４を繰り返して必要な微細パターンを形成し、半導体装置を製造する。

なお、上記の実施形態では、マスク２００がＥＵＶマスク（反射型マスク）の場合について説明したが、本発明はＥＵＶマスク以外のマスクにも適用可能である。

また、上記の実施形態では、フレーム数は１であるが、例えば、図１９に示すように、フレーム数を２にして、二重構造のフレームを採用しても構わない。

また、上記の実施形態では、フレーム形状は輪郭が矩形の帯状であるが、例えば、図２０に示すように、フレーム形状は輪郭が円形の帯状でも構わない。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

Ｓ１…第１の主面、Ｓ２…第２の主面、１００…マスク用ポッド、１００Ａ…内部ポッド、１００Ｂ…外部ポッド、１０１…内部ポッドのベース部、１０２…内部ポッドのカバー部、１０３…支持部（第１の凸部）、１０４…接触部（第２の凸部）、１０５，１０５ａ〜１０５ｆ…フレーム（第１の枠状部材）、１０５Ｍ…フレーム材料、１０５'…フレーム（第２の枠状部材）、１０６…溝、１０７…囲み部材、１５１…外部ポッドのベース部、１５２…外部ポッドのカバー部。

Claims (12)

1. 内部ポッドと、前記内部ポッドを収納する外部ポッドとを具備してなる、マスクが収納されるマスク用ポッドであって、
   前記内部ポッドは、
   第１の主面を有するベース部と、
   前記第１の主面の周縁領域に設けられた複数の第１の凸部と、
   第２の主面を有するカバー部と、
   前記第２の主面の周縁領域に設けられた複数の第２の凸部と、
   前記複数の第２の凸部よりも内側の前記第２の主面の領域に設けられた第１の枠状部材と、
   前記複数の第１の凸部よりも内側の前記第１の主面に設けられた第２の枠状部材とを具備してなり、
   前記第１の凸部の高さは、前記第２の凸部の高さよりも低く、
   前記第１の枠状部材および前記第２の枠状部材の少なくとも一方は、アウトガスを発生しない材料で構成され、
   前記マスクの前記表面にはパターンが設けられ、前記マスクの前記裏面には静電チャック領域が設けられ、
   前記マスクが収納される場合、
   前記複数の第１の凸部上に前記マスクがその表面を下にして載置され、
   前記複数の第１の凸部上に載置された前記マスクの裏面に、前記複数の第２の凸部が接触するように、前記マスク上に前記カバー部が配置され、
   前記複数の第１の凸部上に載置された前記マスクの裏面に、前記複数の第２の凸部が接触した場合に、前記第１の枠状部材は、前記マスクの前記裏面に接触せず、
   前記複数の第１の凸部上に載置された前記マスクの裏面に、前記複数の第２の凸部が接触した状態で、前記第１の枠状部材は、前記静電チャック領域よりも外側に位置し、
   前記複数の第１の凸部上に前記マスクがその表面を下にして載置された場合に、前記第２の枠状部材は、前記マスクの前記表面に接触しないことを特徴とするマスク用ポッド。
2. 内部ポッドと、前記内部ポッドを収納する外部ポッドとを具備してなる、マスクが収納されるマスク用ポッドであって、
   前記内部ポッドは、
   第１の主面を有するベース部と、
   前記第１の主面の周縁領域に設けられた複数の第１の凸部と、
   第２の主面を有するカバー部と、
   前記第２の主面の周縁領域に設けられた複数の第２の凸部と、
   前記複数の第２の凸部よりも内側の前記第２の主面の領域に設けられた第１の枠状部材とを具備してなり、
   前記マスクが収納される場合、
   前記複数の第１の凸部上に前記マスクがその表面を下にして載置され、
   前記複数の第１の凸部上に載置された前記マスクの裏面に、前記複数の第２の凸部が接触するように、前記マスク上に前記カバー部が配置されることを特徴とするマスク用ポッド。
3. 前記複数の第１の凸部上に載置された前記マスクの裏面に、前記複数の第２の凸部が接触した場合に、前記第１の枠状部材は、前記マスクの前記裏面に接触しないことを特徴とする請求項２に記載のマスク用ポッド。
4. 前記マスクの前記表面にはパターンが設けられ、前記マスクの前記裏面には静電チャック領域が設けられ、
   前記複数の第１の凸部上に載置された前記マスクの裏面に、前記複数の第２の凸部が接触した状態で、前記第１の枠状部材は、前記静電チャック領域よりも外側に位置することを特徴とする請求項２または３に記載のマスク用ポッド。
5. 前記複数の第１の凸部よりも内側の前記第１の主面に設けられた第２の枠状部材をさらに具備してなることを特徴とする請求項２に記載のマスク用ポッド。
6. 前記複数の第１の凸部上に載置された前記マスクの表面に、前記複数の第１の凸部が接触した状態で、前記第２の枠状部材は、前記マスクの前記表面の検査保証領域よりも外側に位置することを特徴とする請求項５に記載のマスク用ポッド。
7. 前記複数の第１の凸部上に前記マスクがその表面を下にして載置された場合に、前記第２の枠状部材は、前記マスクの前記表面に接触しないことを特徴とする請求項６に記載のマスク用ポッド。
8. 前記第１の凸部の高さは、前記第２の凸部の高さよりも低いことを特徴とする請求項２ないし７のいずれか１項に記載のマスク用ポッド。
9. 前記第１の枠状部材および前記第２の枠状部材の少なくとも一方は、アウトガスを発生しない材料で構成されていることを特徴とする請求項２ないし８のいずれか１項に記載のマスク用ポッド。
10. 前記アウトガスを発生しない材料は、前記内部ポッドの主材料と同じであることを特徴とする請求項９に記載のマスク用ポッド。
11. 前記アウトガスを発生しない材料は、アルミニウムであることを特徴とする請求項１０に記載のマスク用ポッド。
12. 請求項１ないし１１のいずれか１項に記載のマスク用ポッド内に収納されたマスクを取り出す工程と、
    前記取り出したマスクを用いて基板上のレジスト膜を露光する工程と、
    前記露光したレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程と、
    前記レジストパターンをマスクにして前記基板をエッチングする工程と
    を具備してなる半導体装置の製造方法。

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