KR20210148850A

KR20210148850A - 포토 마스크를 위한 세정 방법 및 장치

Info

Publication number: KR20210148850A
Application number: KR1020210008578A
Authority: KR
Inventors: 신-창 리; 페이-쳉 수; 하오-핑 쳉; 타-쳉 리엔
Original assignee: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
Priority date: 2020-05-28
Filing date: 2021-01-21
Publication date: 2021-12-08
Also published as: CN113253567A; DE102020132780A1; TWI790534B; US20240085781A1; KR102613748B1; US20220334468A1; US11852969B2; TW202144910A

Abstract

포토 마스크를 세정하는 방법에서, 패터닝된 표면이 아래를 향하도록 포토 마스크가 지지부 상에 배치되고, 접착 시트가 포토 마스크의 후면 표면의 에지들에 도포된다.

Description

포토 마스크를 위한 세정 방법 및 장치{CLEANING METHOD FOR PHOTO MASKS AND APPARATUS THEREFOR}

관련 출원

본 출원은 2020년 5월 28일에 출원된 미국 특허 가출원 제63/031,071호를 우선권으로 주장하며, 그 전체가 본원에 인용에 의해 포함된다.

리소그래피 장치는 패터닝 디바이스(예를 들어, 포토 마스크)로부터의 패턴을 반도체 기판 상에 제공된 방사선 민감성 물질(레지스트) 층 상으로 투사한다. 포토 마스크가 사용되지 않거나(보관되거나) 저장소로부터 스테퍼(stepper) 또는 스캐너와 같은 리소그래피 장치로 이송될 때, 포토 마스크는 마스크 케이스(포드)에 놓여짐으로써 먼지나 입자와 같은 오염으로부터 적절히 보호된다.

본 개시의 양상은 첨부한 도면들과 함께 읽을 때 하기의 상세한 설명으로부터 가장 잘 이해된다. 업계의 표준적 관행에 따라, 다양한 피처는 실제 크기대로 도시되지 않는 것이 주목된다. 실제로, 다양한 피처(feature)의 치수는 논의의 명료화를 위해 임의로 증가되거나 감소될 수 있다.
도 1은 본 개시의 일부 실시예에 따라 구성된 레이저 생성 플라즈마(laser produced plasma; LPP) EUV(extreme ultraviolet) 방사선원을 갖는 극자외선(EUV) 리소그래피 시스템의 개략도이다.
도 2는 본 개시의 실시예들에 따른 EUV 리소그래피 시스템 노광 도구의 개략도이다.
도 3은 마스크 포드 디바이스의 개략적인 단면도이다.
도 4는 마스크 포드 디바이스의 구속 지지부의 구성을 도시한다.
도 5는 포토 마스크가 구속 지지부와 접촉할 때의 구성을 도시한다.
도 6은 본 개시의 실시예에 따른 세정 디바이스 및 세정 동작의 구성을 도시한다.
도 7은 본 개시의 실시예에 따른 세정 디바이스 및 세정 동작의 구성을 도시한다.
도 8은 본 개시의 실시예에 따른 세정 디바이스 및 세정 동작의 구성을 도시한다.
도 9는 본 개시의 실시예에 따른 세정 디바이스의 구성을 도시한다.
도 10은 본 개시의 실시예에 따른 세정 디바이스 및 세정 동작의 구성을 도시한다.
도 11은 본 개시의 실시예에 따른 세정 디바이스 및 세정 동작의 구성을 도시한다.
도 12는 본 개시의 실시예에 따른 세정 동작의 디바이스의 수동 동작을 도시한다.
도 13a 및 도 13b는 본 개시의 실시예들에 따른 EUV 포토 마스크를 세정하는 프로세스 흐름을 도시한다.

하기의 개시는 본 발명의 상이한 피처들을 구현하기 위한 다수의 상이한 실시예들 또는 예시들을 제공한다는 것을 이해해야 한다. 컴포넌트 및 장치의 특정 실시예 또는 예시는 본 개시를 단순화하도록 이하에서 설명된다. 이들은 물론 예시일뿐 한정하려는 것이 아니다. 예를 들면, 요소의 치수는 개시된 범위 또는 값에 제한되지 않고, 프로세스 조건 및/또는 디바이스의 요구되는 특성에 종속될 수 있다. 또한, 이어지는 설명에서 제2 피처 상에 또는 위에 제1 피처의 형성은 제1 및 제2 피처가 직접 접촉하여 형성되는 실시예를 포함할 수 있고, 부가의 피처가 제1 및 제2 피처 사이에 형성될 수 있어, 제1 및 제2 피처가 직접 접촉하지 않을 수도 있는 실시예를 또한 포함할 수 있다. 다양한 피처는 간략함 및 명확성을 위해 상이한 크기로 임의로 도시될 수 있다. 첨부 도면에서, 일부의 층/피처는 단순화를 위해 생략될 수 있다.

또한, "밑에", "아래에", "하부에", "위에", "상부에" 등과 같은 공간적으로 상대적인 용어들은 도면들에서 도시되는 바와 같이 하나의 요소 또는 피처와 또 다른 요소(들) 또는 피처(들)간의 관계를 설명하도록 설명의 용이함을 위해 본 명세서에서 사용될 수 있다. 공간적 상대 용어는 도면에 도시되어 있는 배향에 추가하여 사용 또는 동작시에 디바이스의 상이한 배향을 포함하도록 의도된다. 디바이스는 달리 배향될 수 있으며(90도 회전 또는 다른 배향), 본 개시에서 사용되는 공간 관계 기술어도 그에 따라 유사하게 해석될 수 있다. 또한, 용어 "제조되는"은 "포함하는" 또는 "이루어진"을 의미할 수 있다. 또한, 다음의 제조 프로세스에서, 설명된 동작들 사이에 하나 이상의 추가적인 동작이 존재할 수 있으며, 동작들의 순서는 변경될 수 있다. 본 개시에서, 어구 "A, B, 및 C 중 적어도 하나"는 "A, B, C, A+B, A+C, B+C 또는 A+B+C"중 하나를 의미하고, 다르게 설명되지 않는다면, A로부터 하나, B로부터 하나, 그리고 C로부터 하나를 의미하지 않는다. 일 실시예를 사용해 설명된 물질, 구성, 치수 및/또는 동작은 다른 실시예에 적용될 수 있으며, 그에 대한 상세한 설명은 생략될 수 있다.

본 개시는 일반적으로 극자외선(EUV) 리소그래피 시스템 및 방법과 관련된다. 본 개시에 개시된 실시예는 극자외선(EUV) 포토 마스크를 세정하기 위한 개선된 방법 및 장치에 관한 것이다.

관심 대상(objects of interest)을 오염시키는 입자성 물질(즉, 먼지, 오물 등)로부터 보호해야 할 필요성은, 극자외선 리소그래피와 같은 반도체 제조에서의 응용을 포함하여 많은 응용 분야에서 요구된다. 리소그래피 장치는 패터닝 디바이스(예를 들어, 포토 마스크, 또는 레티클)로부터의 패턴을 반도체 기판 상에 제공된 방사선 민감성 물질(레지스트) 층 상으로 투사한다. 기판 상에 패턴을 투사하기 위해 리소그래피 장치에 의해 사용되는 방사선의 파장은, 그 기판 상에 형성될 수 있는 피처의 최소 크기를 결정한다. 4 nm 내지 20 nm 범위 내의 파장을 갖는 전자기 방사선인 극자외 방사선을 사용하는 리소그래피 장치는, (예를 들어, 193 nm의 파장을 갖는 전자기 방사선을 사용할 수 있는) 관련된 리소그래피 장치보다 기판 상에 더 작은 피처를 형성하는 데 사용될 수 있다.

패터닝 디바이스(포토 마스크 또는 레티클)는 펠리클에 의한 입자 오염으로부터 보호된다. 펠리클은 패터닝 디바이스로부터 멀리 떨어져 있으며 사용중인 리소그래피 장치의 초점면(focal plane) 밖에 있다. 펠리클이 리소그래피 장치의 초점면 밖에 있기 때문에, 펠리클 상에 떨어진(land) 오염 입자는 리소그래피 장치에서 초점이 맞지 않는다. 결과적으로 오염 입자의 이미지는 기판 상에 투사되지 않는다. 펠리클이 존재하지 않으면 패터닝 디바이스 상에 떨어진 오염 입자가 기판 상에 투사되고 투사된 패턴에 결함이 발생할 것이다.

펠리클을 갖거나 갖지 않은 포토 마스크는 마스크 포드 디바이스에 저장되고, 마스크 포드 디바이스는 사용되지 않을 때 포토 마스크 라이브러리(스토커(stocker) 또는 스토리지)에 저장되고, 포토 마스크 라이브러리로부터 EUV 리소그래피 장치(예를 들어, EUV 스캐너)로 이송된다. 본 개시에서, 마스크, 포토 마스크 및 레티클이라는 용어는 상호 교환적으로 사용된다. 또한, 레지스트와 포토 레지스트라는 용어는 같은 의미로 사용된다. 일부 실시예에서, 마스크는 반사 마스크이다.

도 1은 본 개시의 일부 실시예에 따라 레이저 생성 플라즈마(laser produced plasma; LPP) EUV 방사선원을 갖는 EUV 리소그래피 시스템의 개략도를 도시한다. EUV 리소그래피 시스템은 EUV 방사선을 생성하기 위한 EUV 방사선원(100)(EUV 광원), 스캐너와 같은 노광 디바이스(200) 및 여기 레이저원(300)을 포함한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 일부 실시예에서 EUV 방사선원(100) 및 노광 디바이스(200)는 클린룸의 메인 플로어(main floor; MF) 상에 설치되는 한편, 여기 레이저원(300)은 메인 플로어 아래에 위치한 베이스 플로어(base floor; BF)에 설치된다. 각각의 EUV 방사선원(100) 및 노광 디바이스(200)는 각각 댐퍼(DMP1 및 DMP2)를 통해 받침대 플레이트(PP1 및 PP2) 위에 배치된다. EUV 방사선원(100)과 노광 디바이스(200)는 포커싱 유닛을 포함할 수 있는 결합 기구(coupling mechanism)에 의해 서로 결합된다. 일부 실시예에서, 리소그래피 시스템은 EUV 방사선원(100) 및 노광 디바이스(200)를 포함한다. 하나의 특정한 예에서, EUV 방사선원(100)은 약 13.5nm에서 집중되는 파장을 갖는 EUV 광을 생성한다. 본 실시예에서, EUV 방사선원(100)은 EUV 방사선을 생성하기 위해 레이저 생성 플라즈마(laser-produced plasma; LPP)의 기구를 이용한다.

노광 디바이스(200)는 볼록/오목/평면 거울, 마스크 스테이지를 포함하는 마스크 고정 기구, 예를 들면, 기판 고정 기구와 같은 웨이퍼 고정 기구와 같은 다양한 반사 광학 컴포넌트를 포함한다. EUV 방사선원(100)에 의해 생성된 EUV 방사선은 반사 광학 컴포넌트에 의해 마스크 스테이지 상에 고정된 마스크 상으로 안내된다. 일부 실시예에서, 마스크 스테이지는 마스크를 고정시키는(secure) 정전 척(electrostatic chuck; e-chuck)을 포함한다. 가스 분자가 EUV 광을 흡수하기 때문에 EUV 리소그래피 패터닝을 위한 리소그래피 시스템은 EUV 강도 손실을 방지하기 위해 진공 또는 저압 환경에서 유지된다. 노광 디바이스(200)는 도 2를 참조하여 보다 상세히 설명된다. 일부 실시예에서, 레티클은 노광 디바이스(200)로 전달된다. 언급된 바와 같이, 노광 디바이스(200)는 진공 환경 하에서 유지되며, 포토 레지스트 층이 기판 상에 배치되면서 레티클은 기판 위에 장착된다. 레티클은 레티클 위에 장착된 펠리클을 갖는다. 펠리클을 갖는 레티클을 노광 디바이스(200)로 이송한 후, 레티클과 펠리클 사이의 인클로저(enclosure) 내의 공기압은 장착 고정구(mounting fixture)(프레임)의 홀(hole)을 통해 노광 디바이스(200)의 진공 환경과 동일하게 된다. EUV 방사선원(100)에 의해 생성된 EUV 방사선은 기판의 포토 레지스트 층 상에 마스크를 투사하도록 광학 컴포넌트에 의해 지향된다. 일부 실시예에서, 기판의 포토 레지스트 층 상에 마스크를 노광한 후, 펠리클을 갖는 레티클이 노광 디바이스(200) 밖으로 이송된다. 펠리클을 갖는 레티클을 노광 디바이스(200) 밖으로 이송한 후, 레티클과 펠리클 사이의 인클로저 내의 기압은 장착 고정구의 홀을 통해 노광 디바이스(200) 외부의 대기압과 동일하게 된다.

노광 디바이스(200)는 노광 디바이스(200)의 기판 스테이지 상에 고정되어 레지스트가 위에 코팅된 반도체 기판 상으로 마스크의 패턴을 이미징하기 위한 투사 광학 모듈을 포함한다. 투사 광학 모듈은 일반적으로 반사 광학을 포함한다. 마스크 상에 규정된 패턴의 이미지를 전달하는, 마스크로부터 지향된 EUV 방사선(EUV 광)은 투사 광학 모듈에 의해 수집되어 레지스트 상에 이미지를 형성한다.

도 1에 도시된 바와 같이, EUV 방사선원(100)은 챔버(105)에 의해 둘러싸인 액적 생성기(115) 및 LPP 수집기 거울(110)을 포함한다. 액적 생성기(115)는 노즐(117)을 통해 챔버(105)로 공급되는 복수의 타겟 액적(droplet; DP)을 생성한다. 일부 실시예에서, 타겟 액적 DP는 주석(Sn), 리튬(Li) 또는 Sn과 Li의 합금이다. 일부 실시예에서, 타겟 액적 DP는 각각 약 10 마이크론(㎛) 내지 약 100 ㎛ 범위의 직경을 갖는다. 예를 들어, 실시예에서, 타겟 액적 DP는 각각 약 10㎛, 약 25㎛, 약 50㎛, 또는 이들 값 사이의 임의의 직경을 갖는 주석 액적이다. 일부 실시예에서, 타겟 액적 DP는 초당 약 50개의 액적(즉, 약 50Hz의 방출 주파수(ejection-frequency)) 내지 초당 약 50,000개의 액적(즉, 약 50kHz의 방출 주파수) 범위의 속도로 노즐(117)을 통해 공급된다. 예를 들어, 실시예에서, 타겟 액적 DP는 약 50Hz, 약 100Hz, 약 500Hz, 약 1kHz, 약 10kHz, 약 25kHz, 약 50kHz 또는 이들 주파수들 사이의 임의의 방출-주파수로 공급된다. 다양한 실시예에서, 타겟 액적 DP는 노즐(117)을 통해 약 10 미터/초(m/s) 내지 약 100m/s 범위의 속도로 여기 영역(zone of excitation; ZE)(예를 들어, 타겟 액적 위치) 내로 방출된다. 예를 들어, 실시예에서, 타겟 액적(DP)은 약 10m/s, 약 25m/s, 약 50m/s, 약 75m/s, 약 100m/s, 또는 이 속도들 사이의 임의의 속도를 갖는다.

여기 레이저원(300)에 의해 생성된 여기 레이저 빔(LR2)은 펄싱된 빔(pulsed beam)이다. 레이저 빔(LR2)의 레이저 펄스는 여기 레이저원(300)에 의해 생성된다. 여기 레이저원(300)은 레이저 발생기(310), 레이저 안내 광학 장치(laser guide optics)(320) 및 포커싱 장치(330)를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 레이저 생성기(310)는 이산화탄소(CO₂) 또는 전자기 스펙트럼의 적외선 영역에서의 파장을 가진 네오디뮴-도핑된 이트륨 알루미늄 가넷(Nd:YAG) 레이저원을 포함한다. 예를 들어, 레이저원(310)은 실시예에서 9.4 ㎛ 또는 10.6 ㎛의 파장을 갖는다. 여기 레이저원(300)에 의해 생성된 레이저 광빔(LR0)은 레이저 안내 광학 장치(320)에 의해 안내되고, 포커싱 장치(330)에 의해, EUV 방사선원(100) 내로 도입되는 여기 레이저 빔(LR2)에 포커싱된다. 일부 실시예에서, CO₂ 및 Nd:YAG 레이저에 추가하여, 레이저 빔(LR2)은 엑시머 가스 방전 레이저, 헬륨-네온 레이저, 질소 레이저, 횡으로 여기된 대기(transversely excited atmospheric; TEA) 레이저, 아르곤 이온 레이저, 구리 증기 레이저, KrF 레이저 또는 ArF 레이저를 포함하는 가스 레이저; Nd:유리 레이저, 이테르븀 도핑된 유리 또는 세라믹 레이저, 또는 루비 레이저를 포함하는 고상 레이저에 의해 생성된다. 일부 실시예에서, 비이온화 레이저 빔(LR1)은 또한, 여기 레이저원(300)에 의해 생성되고 레이저 빔(LR1)은 또한 포커싱 장치(330)에 의해 포커싱된다.

일부 실시예에서, 여기 레이저 빔(LR2)은 예열(pre-heat) 레이저 펄스 및 주(main) 레이저 펄스를 포함한다. 이러한 실시예에서, 예열 레이저 펄스(본 개시에서 교체 가능하게 "사전-펄스(pre-pulse)로 지칭됨)는, 주어진 타겟 액적을 가열(또는 예열)하여 다수의 더 작은 액적을 갖는 저밀도 타겟 풀룸(low-density target plume)을 생성하는데 사용되며, 이 풀룸은 이후에 주 레이저(주 펄스)로부터의 펄스에 의해 가열(또는 재가열)되어, 예열 레이저 펄스가 사용되지 않을 때에 비해 증가된 EUV 광 방출을 생성한다.

다양한 실시예에서, 예열 레이저 펄스는 약 100 ㎛ 이하의 스폿 크기를 갖고, 주 레이저 펄스는 약 150 ㎛ 내지 약 300 ㎛ 범위 내의 스폿 크기를 갖는다. 일부 실시예에서, 예열 레이저 및 주 레이저 펄스는 약 10 ns 내지 약 50 ns 범위의 펄스 지속 시간 및 약 1 kHz 내지 약 100 kHz 범위의 펄스 주파수를 갖는다. 다양한 실시예에서, 예열 레이저 및 주 레이저는 약 1 킬로와트(kW) 내지 약 50kW 범위의 평균 전력을 갖는다. 여기 레이저 빔(LR2)의 펄스 주파수는 일 실시예에서 타겟 액적(DP)의 방출 주파수와 일치한다.

레이저 빔(LR2)은 창(windows)(또는 렌즈)을 통해 여기 영역(ZE) 내로 지향된다. 창은 레이저 빔에 실질적으로 투명한 적절한 물질을 채택한다. 레이저 펄스의 생성은 노즐(117)을 통한 타겟 액적(DP)의 방출과 동기화된다. 타겟 액적이 여기 영역을 통과할 때 사전 펄스는 타겟 액적을 가열하여 저밀도 타겟 풀룸으로 변환한다. 사전 펄스와 주 펄스 사이의 지연이 제어되어 타겟 풀룸이 형성되고 최적의 크기와 지오메트리로 확장된다. 다양한 실시예에서, 사전 펄스 및 주 펄스는 동일한 펄스 지속 시간 및 피크 전력을 갖는다. 주 펄스가 타겟 풀룸을 가열할 때 고온 플라즈마가 생성된다. 플라즈마는 수집기 거울(110)에 의해 수집된 EUV 방사선을 방출한다. EUV 수집기 미러인 수집기 미러(110)는 노광 디바이스(200)를 통해 수행되는 리소그래피 노광 공정을 위해 EUV 방사선을 더 반사하고 집속시킨다. 레이저 펄스와 상호 작용하지 않는 액적 DP는 액적 포획기(85)에 의해 포착된다.

도 2는 본 개시의 일부 실시예들에 따른 EUV 리소그래피(EUV lithography; EUVL) 노광 도구의 개략도이다. 도 2의 EUVL 노광 도구는 패터닝된 EUV 광빔으로, 토 레지스트 코팅된 기판, 즉, 타겟 반도체 기판(210)을 노광시키는 것을 보여주는 노광 디바이스(200)를 포함한다. 노광 디바이스(200)는, 레티클과 같은 패터닝 광학부(patterning optic), 예를 들어, 반사 마스크(205c)를 EUV 광빔으로 조명하여 패터닝된 빔을 생성하기 위한 하나 이상의 광학 장치(205a, 205b)와, 타겟 반도체 기판(210) 상으로 패터닝된 빔을 투사하기 위한 하나 이상의 감소 투사 광학 장치(reduction projection optics)(205d, 205e)가 제공된, 스테퍼, 스캐너, 스텝 및 스캔 시스템, 직접 기록 시스템, 접촉 및/또는 근접 마스크 등을 사용하는 디바이스와 같은 집적 회로 리소그래피 도구이다. 타겟 반도체 기판(210)과 패터닝 광학부, 예를 들어, 반사 마스크(205c) 사이의 제어된 상대 이동을 생성하기 위해 기계 조립체(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 추가로 도시된 바와 같이, 도 2의 EUVL 노광 도구는, 타겟 반도체 기판(210)을 조사(irradiate)하기 위해 수집기 미러(110)에 의해 노광 디바이스로 수집되고 노광 디바이스(200) 내로 반사되는 EUV 광을 챔버(105)에서 방출하는, 여기 ZE 영역에서의 플라즈마 풀룸(23)을 포함하는 EUV 방사선원(100)을 더 포함한다. 일부 실시예에서, 마스크 포드 디바이스(10)는 RSP200 포드와 같은 표준 기계 인터페이스(Standard Mechanical Interface; SMIF) 표준에 따라 설계되고 제조된다.

도 3은 EUV 포토 마스크(12)가 저장되는 마스크 포드 디바이스(10)의 구성을 도시한다. EUV 포토 마스크(12)는 기판(12)-1, 실리콘과 몰리브덴의 복수의 교번 층의 다층 Mo/Si 스택(12-2), 캡핑 층(12-3), 흡수재층(12-4) 및 기판(12-1)의 후면 상에 형성된 후면 전도성 층(12-5)을 포함한다.

기판(12-1)은 일부 실시예에서 저 열팽창 물질로 형성된다. 일부 실시예에서, 기판은 용융 실리카 또는 용융 석영과 같은 저 열팽창 유리 또는 석영이다. 일부 실시예에서, 저 열팽창 유리 기판은 가시 광선 파장, 가시 광선 스펙트럼에 가까운 적외선(근적외선) 파장의 부분, 및 자외선 파장의 부분에서 광을 투과시킨다. 일부 실시예에서, 저 열팽창 유리 기판은 극자외선 파장 및 극자외선 근처의 심자외선 파장을 흡수한다. 일부 실시예에서, 기판(10)의 크기는 약 20mm의 두께를 갖는 152mm × 152mm(또는 150mm × 150mm)이다. 기판(12-1)의 형상은 정사각형 또는 직사각형이다.

일부 실시예에서, Mo/Si 다층 스택(12-1)은 실리콘 및 몰리브덴 각각의 약 30개의 교번 층 내지 실리콘 및 몰리브덴 각각의 약 60개의 교번 층을 포함한다. 특정 실시예에서, 실리콘 및 몰리브덴 각각의 약 40개 내지 약 50개의 교번 층이 형성된다. 일부 실시예에서, 반사율은 관심 파장, 예를 들어, 13.5nm에 대해 약 70%보다 높다. 실리콘과 몰리브덴의 각 층은 두께가 약 2nm 내지 약 10nm이다. 일부 실시예에서, 실리콘 및 몰리브덴의 층은 거의 동일한 두께이다. 다른 실시예에서, 실리콘 및 몰리브덴의 층은 상이한 두께이다. 일부 실시예에서, 각 실리콘 층의 두께는 약 4nm이고 각 몰리브덴 층의 두께는 약 3nm이다.

캡핑 층(12-3)은 일부 실시예에서 다층 스택(12-2)의 산화를 방지하기 위해 Mo/Si 다층(12-2) 위에 배치된다. 일부 실시예에서, 캡핑 층(12-3)은, 약 2 nm 내지 약 10 nm의 두께를 갖는, 루테늄, 루테늄 합금(예를 들면, RuNb, RuZr, RuZrN, RuRh, RuNbN, RuRhN, RuV 또는 RuVN) 또는 루테늄 기반 산화물(예를 들면, RuO₂, RuNbO, RiVO 또는 RuON)로 제조된다.

흡수재층(12-4)은 캡핑층(12-3) 위에 배치되고 그 안에 회로 패턴이 형성된다. 일부 실시예에서, 흡수재층(25)은 Ta-기반 물질이다. 일부 실시예에서, 흡수재층(12-4)은 약 25 nm 내지 약 100 nm의 두께를 갖는 TaN, TaO, TaB, TaBO 또는 TaBN으로 제조된다. 특정 실시예에서, 흡수재층(12)은 약 50 nm 내지 약 75 nm 범위의 두께를 갖는다. 다른 실시예에서, 흡수재층(12-4)은 CrN, CrO 및/또는 CrON과 같은 Cr 기반 물질을 포함한다. 일부 실시예에서, 흡수재층(12-4)은 Cr, CrO 또는 CrON의 다층 구조물을 갖는다. 일부 실시예에서, 반사 방지 층(도시되지 않음)은 흡수재층(12-4) 위에 선택적으로 배치된다. 반사 방지층은 일부 실시예에서 실리콘 산화물로 제조되고, 약 2nm 내지 약 10nm의 두께를 갖는다. 다른 실시예에서, 약 12 nm 내지 약 18 nm 범위의 두께를 갖는 TaBO 층이 반사 방지층으로 사용된다. 일부 실시예에서, 반사 방지층의 두께는 약 3 nm 내지 약 6 nm이다.

일부 실시예에서, 후면 전도성 층(12-5)은 TaB(탄탈 붕소화물) 또는 다른 Ta 기반 전도성 물질로 제조된다. 다른 실시예에서, 후면 전도성 층(45)은 Cr 기반 전도성 물질(CrN 또는 CrON)로 제조된다. 일부 실시예에서, 후면 전도성 층(45)의 두께는 약 50 nm 내지 약 400 nm 범위 내이다. 다른 실시예에서, 후면 전도성 층(45)은 약 50 nm 내지 약 100 nm의 두께를 가진다. 특정 실시예들에 있어, 두께는 약 65 nm 내지 약 75 nm의 범위 내이다.

마스크 포드 디바이스(10)는 외부 포드(15) 및 외부 포드(15)에 의해 둘러싸인 내부 포드(16)를 포함한다. 외부 포드(15)는 상부 케이스(15-1) 및 하부 케이스(15-2)를 포함하고, 내부 포드는 상부 커버(16-1) 및 하부 커버(16-2)를 포함한다. 도 3에 도시된 바와 같이, EUV 포토 마스크(12)는 내부 포드가 아래로 향하도록 배치된다(흡수재층은 하부 커버(16-2)쪽으로 아래로 향함). 설명의 명확성을 위해 펠리클은 패터닝된 표면(흡수재층) 위에 설치된 것으로 도시되지 않았다. 그러나, 포토 마스크(12) 위에 펠리클이 설치되어 있음에 유의해야한다.

내부 포드(16)의 하부 커버(16-2)는 포토 마스크(12)의 전면을 지지하는 하나 이상의 지지부(16-3)를 포함하고, 내부 포드(16)의 상부 커버(16-1)는 하나 이상의 구속 지지부(16-4)를 포함하여 포토 마스크(12)의 후면을 지지한다. 일부 실시예에서, 포토 마스크의 후면으로부터의 뷰인 도 4에 도시된 바와 같이, 4개의 구속 지지부(16-4)는 포토 마스크(12)의 4개의 코너를 지지한다.

도 5는 상부 커버(16-2)가 닫히고 구속 지지부(16-4)가 포토 마스크(12)와 접촉할 때의 단면도를 도시한다. 도 5는 도 3과 달리 거꾸로되어 있음에 유의한다.

EUV 포토 마스크(12) 및 마스크 포드 디바이스는 특정 형상 및 치수를 갖는다. 예를 들어, 4개의 코너는 약 2mm에서 약 3mm의 반경으로 둥글고, 도 5에 도시된 바와 같이 주 표면과 측부면 사이의 에지는 약 0.2mm에서 약 0.6mm의 양만큼 모따기된다. 모따기 각도는 도 5에 표시된 대로 약 45도이다. 대조적으로, 구속 지지부(16-4)는 포토 마스크의 모따기된 에지가 접촉하는 경사면을 갖지만, 도 5에 도시된 바와 같이 34.4도의 각도를 갖는다. 각도의 차이로 인해 포토 마스크의 모따기된 코너가 구속 지지부(16-4)를 손상시키거나 파고 들어(dig into) 입자(18)를 생성할 수 있다. 이러한 입자는 EUV 리소그래피 장치에서 마스크 스테이지에 장착될 때 포토 마스크(12)의 평탄도에 영향을 미칠 수 있다. 포토 마스크를 세정하기 위해, 에어 블로어나 클리닝 와이퍼가 사용되었으나, 이들은 포토 마스크의 평평한 표면에서만 입자를 제거할 수 있다. 따라서 포토 마스크(12)의 에지나 후면에 있는 입자를 효과적으로 제거할 필요가 있다.

본 개시의 실시예들에 따르면, 도 6에 도시된 바와 같은 세정 디바이스(20A)는 포토 마스크(12)의 에지 또는 후면 상의 입자를 제거하기 위해 사용된다. 일부 실시예에서, 세정 디바이스(20A)는 도 6에 도시된 바와 같이 본체(24A 또는 24B)에 부착된 접착 또는 점착 시트 또는 테이프(22)를 포함한다. 일부 실시예에서, 접착 시트(22)는 탄성 중합체 또는 젤라틴 물질을 포함한다. 일부 실시예에서, 접착 시트(22)는 실리콘, 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체, 스티렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 공중합체, 또는 임의의 다른 적합한 접착 물질로 제조된다.

일부 실시예에서, 접착 시트(22)는 본체(24A 또는 24B)의 적어도 하나의 주 표면 상에 배치된다. 일부 실시예에서, 본체(24A)는 직육면체 형상을 갖고, 접착 시트(22)는 본체(24A)의 주 평면에 부착된다. 다른 실시예에서, 본체(24B)는 접착 시트(22)가 부착되는 적어도 하나의 곡면(볼록 또는 오목)을 갖는다. 또한, 일부 실시예에서 핸들링 그립(28)(도 9 참조)은 로드(rod)(26)를 통해 본체(24)에 부착된다. 도 6에 도시된 바와 같이, 세정 디바이스(20A)의 접착 시트(22)는 포토 마스크(12)의 후면으로부터 포토 마스크(12)의 후면의 모따기된 에지에 도포된다.

일부 실시예에서, 포토 마스크(12)는 상부 커버(16-1)를 개방 또는 제거함으로써 하부 커버(16-2)의 지지부(16-3) 상에 배치되고, 다른 실시예에서, 포토 마스크(12)는 또 다른 지지 테이블 또는 스테이지 상에 배치된다. 포토 마스크(12)의 에지 상의 입자는 도 6에 도시된 바와 같이 포토 마스크(12)의 에지를 따라 그리고/또는 에지를 가로 질러 세정 디바이스(20)를 슬라이딩함으로써 제거된다. 일부 실시예에서, 접착 시트(22)의 주 표면은 약 0도 내지 약 90도 범위의 각도 θ만큼 포토 마스크(12)의 후면에 대해 경사진다. 다른 실시예에서, 각도 θ는 약 30도 내지 약 75도의 범위 내이고, 특정 실시예에서, 각도 θ는 약 40도 내지 약 50도 범위 내이다. 세정 디바이스(20A)는 일부 실시예에서 수동으로 동작되고, 다른 실시예에서 기계적으로 동작된다. 각도를 조정하여 전면과 후면의 모따기된 에지가 세정될 수 있다. 일부 실시예에서, 후면의 모따기된 에지는 세정 디바이스(20A)에 의해 처리되지 않는다.

일부 실시예에서, 접착 시트(22)의 두께는 약 1 mm 내지 약 5 mm 범위 내이다. 일부 실시예에서, 접착 시트(22)는 새로운 접착 시트로 교체될 수 있다.

일부 실시예에서, 본체(24A, 24B)는 고무 또는 스폰지와 같은 탄성 물질로 제조된다. 본체(24A, 24B)의 탄성 물질은 포토 마스크(12)에 도포될 때 접착 시트(22)에 적절한 압력을 인가할 수 있으며, 이는 입자 제거 효율을 향상시킨다. 접착 시트(21)가 충분한 탄성을 갖는 경우, 본체(24A, 24B)는 유리, 플라스틱, 세라믹 또는 금속과 같은 비탄성 물질로 제조될 수 있다.

도 7은 본 개시의 실시예에 따른 세정 디바이스 및 세정 동작의 구성을 도시한다. 상기 실시예를 사용해 설명된 물질, 구성, 치수 및/또는 동작은 하기 실시예에 적용될 수 있으며, 그에 대한 상세한 설명은 생략될 수 있다.

일부 실시예에서, 도 7에 도시된 바와 같이, 세정 디바이스(20B)는 본체(24C)에 부착된 접착제 또는 점착 시트 또는 테이프(22)를 포함한다. 일부 실시예에서, 접착 시트(22)는 탄성 중합체 또는 젤라틴 물질을 포함한다. 일부 실시예에서, 접착 시트(22)는 실리콘, 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체, 스티렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 공중합체, 또는 임의의 다른 적합한 접착 물질로 제조된다. 일부 실시예에서, 본체(24C)는 접착 시트(22)가 그 주위를 둘러싸는 원통형 형상을 갖는다. 또한, 일부 실시예에서 핸들링 그립(28)(도 9 참조)은 로드(26)를 통해 본체(24)에 부착된다.

도 7에 도시된 바와 같이, 세정 디바이스(20B)의 접착 시트(22)는 포토 마스크(12)의 후면으로부터 포토 마스크(12)의 후면의 모따기된 에지에 도포된다. 일부 실시예에서, 본체(24C)는 수동으로 또는 기계적으로 로드(26)의 축을 따라 선형으로 이동된다.

도 8은 본 개시의 실시예에 따른 세정 디바이스 및 세정 동작의 구성을 도시한다. 상기 실시예를 사용해 설명된 물질, 구성, 치수 및/또는 동작은 하기 실시예에 적용될 수 있으며, 그에 대한 상세한 설명은 생략될 수 있다.

일부 실시예에서, 도 8에 도시된 바와 같이, 세정 디바이스(20C)는 회전형이고, 접착 시트(22)를 갖는 본체(24C)가 로드(26)의 축 주위로 회전한다. 일부 실시예에서, 도 9에 도시된 바와 같이, 로드는 그립(28)에 배치된 모터와 같은 구동 기구(driving mechanism)(27)에 의해 회전된다. 일부 실시예에서, 구동 기구(27)는 또한 도 7에 도시된 바와 같이 왕복 방식으로 로드(26)를 선형으로 이동시킨다. 일부 실시예에서, 로드(26)의 이동의 속도 및 방향은 조정 가능하다. 일부 실시예에서, 로드(26)는 가요성이고 포토 마스크(12)의 모따기된 에지에 맞도록 구부러질 수 있다. 일부 실시예에서, 구동 기구(27)는 또한 로드(26)를 통해 본체에 진동을 가한다. 진동은 일부 실시예에서 초음파 범위 내이고, 다른 실시예에서 진동은 약 1Hz 내지 10kHz이다.

도 10은 본 개시의 실시예에 따른 세정 디바이스 및 세정 동작의 구성을 도시한다. 상기 실시예를 사용해 설명된 물질, 구성, 치수 및/또는 동작은 하기 실시예에 적용될 수 있으며, 그에 대한 상세한 설명은 생략될 수 있다.

도 10은 본 개시의 또 다른 실시예에 따른 세정 디바이스를 도시한다. 일부 실시예에서, 도 10에 도시된 세정 디바이스(20D)에서, 접착 시트 또는 테이프(22A)는 제1 로드 또는 본체(26-1) 주위에 감겨지고, 접착 시트 또는 테이프(22A)의 일단이 제2 로드 또는 본체(26)에 부착되어, 제2 로드 또는 본체(26-2)를 회전시킴으로써 접착 시트 또는 테이프(22A)가 제1 로드 또는 본체(26-1)로부터 분리되고(released) 제2 로드 또는 본체(26-2) 주위에 감겨진다. 접착 시트 또는 테이프(22A)는 입자를 제거하기 위해 포토 마스크(12)의 에지에 도포된다. 접착 시트 또는 테이프(22A)의 사용된 부분은 제2 로드 또는 본체(26-2)로 이송되고, 따라서 접착 시트 또는 테이프(22A)의 새롭고 신선한(fresh) 부분이 포토 마스크(12)의 다음 세정 부분에 도포될 수 있다.

일부 실시예에서, 제2 로드 또는 본체(26-2)의 회전 또는 접착 시트 또는 테이프(22A)의 이동은 연속적이다. 다른 실시예에서, 제2 로드 또는 본체(26-2)의 회전 또는 접착 시트 또는 테이프(22A)의 이동은 단계적 방식이다. 예를 들어, 포토 마스크(12)의 4개의 측부의 하나의 에지가 세정된 후, 접착 시트 또는 테이프(22A)는 제2 로드 또는 본체(26-2)의 회전 운동에 의해 리프레시(refresh)된다. 다른 실시예에서, 접착 시트 또는 테이프(22A)는 시간 간격 후에 리프레시된다.

일부 실시예에서, 도 9와 유사하게, 적어도 제2 로드 또는 본체(26-2)는 제2 로드 또는 본체(26-2)의 회전 동작을 제어하기 위해 모터와 같은 구동 기구(27)에 결합된다. 다른 실시예에서, 제1 로드 또는 본체(26-1)는 또한 하나 이상의 기어를 통해 또 다른 모터 또는 동일한 모터에 결합된다. 일부 실시예에서, 회전 속도는 조정 가능하다. 일부 실시예에서, 구동 기구(27)는 또한 로드(26)를 통해 본체에 진동을 인가한다. 진동은 일부 실시예에서 초음파 범위 내이고, 다른 실시예에서 진동은 약 1Hz 내지 10kHz이다.

일부 실시예에서, 접착 시트 또는 테이프(22A)의 주 표면은 약 0도 내지 약 90도 범위의 각도 θ'만큼 포토 마스크(12)의 후면에 대해 경사진다. 다른 실시예에서, 각도 θ'는 약 30도 내지 약 75도의 범위 내이고, 특정 실시예에서, 각도 θ'는 약 40도 내지 약 50도의 범위 내이다. 각도를 조정하여 전면과 측부면의 모따기된 에지가 세정될 수 있다. 일부 실시예에서, 후면의 모따기된 에지는 세정 디바이스(20D)에 의해 처리되지 않는다.

일부 실시예에서, 도 10에 도시된 각도 θ' 및 도 6 내지 8에 도시된 각도 θ는 도 11에 도시된 바와 같이 장착 지그(30)에 의해 조정되거나 변경될 수 있다. 일부 실시예에서, 장착 지그(30)는 베이스 플레이트의 외주(outer periphery) 또는 베이스 플레이트에 형성된 아치형 슬릿일 수 있는 원호 부분을 갖는 베이스 플레이트, 및 원호 부분을 따라 이동하는 가동(movable) 플레이트(32)를 포함한다. 가동부(movable portion)(32)는 세정 디바이스(20 또는 20A)에 결합되며, 가동 판(32)을 원호 부분을 따라 이동시킴으로써 각도 θ' 또는 θ가 변경될 수 있다.

일부 실시예에서, 장착 지그(30)는 각도 θ' 또는 θ를 변경하기 위한 하나 이상의 모터, 기어 또는 임의의 다른 기구를 포함한다. 더 나아가, 장착 지그(30)는 또한, 포토 마스크(12)에 대해 전체 세정 디바이스(접착 시트)의 위치를 변경하도록 구성된다.

일부 실시예에서, 장착 지그(30)는 포드 장착 디바이스(40)에 부착되거나 부착될 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 내부 포드(16) 상에 EUV 포토 마스크가 장착되고, 외부 포드(15) 상에 내부 포드(16)가 장착되고, 내부 포드는 외부 포드로부터 분리되며, 포토 마스크는 내부 포드로부터 분리된다. 일부 실시예에서, 이러한 장착 및 분리 동작은 포드 장착 디바이스(40)에 의해 수행된다. 일부 실시예에서, 내부 포드(16) 상에서 그리고 내부 포드(16)로부터의 포토 마스크의 장착 및 분리 동작은, 외부 포드(15) 상에서 그리고 외부 포드(15)로부터 내부 포드(16)의 장착 및 분리 동작을 위해 포드 장착 디바이스와는 상이한 포드 장착 디바이스에 의해 수행된다.

일부 실시예에서, 상부 커버(16-4)가 내부 포드로부터 제거되어 포토 마스크(12)의 후면을 노출시킨 후, 세정 디바이스가 포토 마스크(12)의 후면의 모따기된 에지에 적용된다. 장착 지그(30)가 포드 장착 디바이스(40)에 부착될 때, 포토 마스크(12)의 모따기된 에지를 세정하는 것이 효율적이다. 일부 실시예에서, 세정은 장착 지그(30) 및 세정 디바이스(20 및 20A)를 제어하도록 프로그래밍된 하나 이상의 제어 회로를 사용하여 기계적으로 그리고 자동으로 수행된다.

다른 실시예에서, 장착 지그(30)는 세정용으로 사용되는 또 다른 독립 스테이지에 부착되거나 부착될 수 있다.

일부 실시예에서, 도 12에 도시된 바와 같이, 접착 시트(22B)는 포토 마스크(12)의 후면의 모따기된 에지에 수동으로 도포된다.

일부 실시예에서, 세정 디바이스는 본체(28) 및 프레임 형상 및 경사면을 갖는 가요성 지지부를 포함하고, 접착 시트 또는 테이프가 경사면(도포기 표면) 상에 부착된다. 경사면은 일부 실시예에서 약 40도 내지 50도인 경사각(θ)을 갖고, 특정 실시예에서 각도(θ)는 45도이다. 일부 실시예에서, 가요성 지지부는 접착 시트보다 더 크거나 더 작은 가요성을 갖는다. 일부 실시예에서, 가요성 지지부는 고무, 스폰지, 중합체, 또는 다른 적절한 물질을 포함한다. 일부 실시예에서, 접착 시트의 두께는 약 0.5 mm 내지 약 5 mm 범위 내이고, 약 1 mm 내지 약 3 mm 범위 내이다.

사용시, 세정 디바이스는 접착 시트가 포토 마스크(12)의 모따기된 에지와 접촉하도록 위에서부터 포토 마스크(12)의 후면에 적용된다. 세정 디바이스는 가요성 지지부가 변형되도록 포토 마스크(12)에 대해 가압된다. 세정 디바이스의 가압 및 분리를 반복함으로써 포토마스크(12)의 에지가 세정된다. 일부 실시예에서, 세정 디바이스(12)는 포토 마스크(12)로부터 분리된 후 90도 또는 180도만큼 회전된다. 상기 설명된 바와 같은 진동은 세정 디바이스를 포토 마스크에 대해 가압하는 동안 인가될 수 있다. 일부 실시예에서, 가요성 본체는 접착 테이프용 물질로 제조되며, 실리콘, 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체, 스티렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 공중합체, 또는 임의의 다른 적합한 접착 물질로 제조된다. 이러한 경우에는 접착 테이프가 필요하지 않다. 일부 실시예에서, 세정 디바이스는 자동화된 기계 구조물에 의해 포토 마스크(12)에 적용된다.

도 13a 및 도 13b는 본 개시의 실시예들에 따른 EUV 포토 마스크를 세정하는 프로세스 흐름을 도시한다.

도 13a에서, EUV 포토 마스크가 EUV 리소그래피 장치에 사용된 후, EUV 포토 마스크는 EUV 리소그래피 장치로부터 언로딩된다. 일부 실시예에서, EUV 포토 마스크는 진공 상태에서 내부 포드에 로딩된다. 그 다음, 내부 포드는 진공 장치로부터 언로딩되고 마스크 포드 디바이스의 외부 포드에 로딩된다. 이후, 마스크 포드 디바이스는 포드 분리 디바이스 상에 로딩되고, 외부 포드 및 내부 포드가 제거된다. 일부 실시예에서, 포토 마스크가 내부 포드에 로딩되기 전에 펠리클이 제거된다. 그 후, 일부 실시예에서 포토 마스크는 세정 동작을 거친다. 일부 실시예에서, 세정 동작은 습식 세정 및/또는 건식 세정에 의해 전체 포토 마스크를 세정하는 것을 포함한다. 일부 실시예에서, 세정 동작은 위에서 설명된 바와 같이 포토 마스크의 후면의 모따기된 에지를 세정하는 것을 포함한다. 세정 동작 후, 포토 마스크는 마스크 라이브러리 또는 마스크 스토커에 로딩된다.

도 13b에서, EUV 포토 마스크가 사용되는 경우, 포토 마스크는 마스크 라이브러리 또는 스토커로부터 언로딩된 후 세정 동작을 거친다. 일부 실시예에서, 세정 동작은 습식 세정 및/또는 건식 세정에 의해 전체 포토 마스크를 세정하는 것을 포함한다. 일부 실시예에서, 세정 동작은 위에서 설명된 바와 같이 포토 마스크의 후면의 모따기된 에지를 세정하는 것을 포함한다. 세척 동작 후, 펠리클이 포토 마스크 위에 장착되지 않은 경우 펠리클이 포토 마스크 위에 장착된다. 그 다음, 포토 마스크가 내부 포드에 로딩되고, 내부 포드가 외부 포드에 로딩되며, 마스크 포드 디바이스는 EUV 리소그래피 장치로 이송된다. 내부 포드는 진공 상태에서 외부 포드로부터 제거되고, 내부 포드는 리소그래피 장치로 이송된다. EUV 리소그래피 장치에서, 진공 상태에서 포토 마스크가 내부 포드로부터 언로딩되고, EUV 리소그래피 장치의 마스크 스테이지 상에 놓인다(set on).

본 개시의 실시예에 따라, 접착 시트 또는 테이프는 EUV 포토 마스크의 후면의 모따기된 에지 상의 입자를 효과적으로 제거할 수 있다. 접착 시트 또는 테이프는 상대적으로 저렴하기 때문에 세정 비용이 억제될 수 있다. EUV 포토 마스크를 위한 세정 방법이 설명되었지만, 본 개시의 세정 방법은 임의의 유형의 포토 마스크, 예를 들어, 딥(deep) UV 리소그래피 또는 UV 리소그라피를 위한 포토 마스크 또는 모따기된 에지가 없는 포토 마스크의 세정에 적용될 수 있다.

모든 장점들이 기본적으로 본 개시에 논의된 것은 아니며 모든 실시예 또는 예시에 대해 특정 장점이 요구되는 것이 아니며, 다른 실시예 또는 예시가 상이한 장점들을 제공할 수 있는 것으로 이해될 것이다.

본 개시의 일부 실시예에 따라, 포토 마스크를 세정하는 방법에서, 패터닝된 표면이 아래를 향하도록 포토 마스크가 지지부 상에 배치되고, 접착 시트는 포토 마스크의 후면 표면의 에지에 도포된다. 전술된 또는 후술된 실시예 중 하나 이상에서, 포토 마스크의 후면 표면의 에지는 모따기된 에지이다. 전술된 또는 후술된 실시예 중 하나 이상에서, 접착 시트는 실리콘으로 제조된다. 전술된 또는 후술된 실시예 중 하나 이상에서, 접착 시트는 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체 또는 스티렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 공중합체로 제조된다. 전술된 또는 후술된 실시예 중 하나 이상에서, 접착 시트는 본체에 부착된다. 전술된 또는 후술된 실시예 중 하나 이상에서, 본체는 탄성 물질로 제조된다. 전술된 또는 후술된 실시예 중 하나 이상에서, 접착 시트를 도포하는 단계는 접착 시트가 에지와 접촉하는 동안 본체를 이동시키는 단계를 포함한다. 전술된 또는 후술된 실시예 중 하나 이상에서, 이동시키는 단계는 선형 이동을 포함한다.

본 개시의 또 다른 양상에 따라, 포토 마스크를 세정하는 방법에서, 포토 마스크가 내부 포드에 로딩되고, 내부 포드가 외부 포드에 로딩되고, 외부 포드가 개방되고, 패터닝된 표면이 아래를 향하면서 포토 마스크가 내부 포드의 하부 커버 위에 배치되도록 내부 포드가 개방되며, 포토 마스크가 내부 포드의 하부 커버 위에 배치되는 동안, 접착 시트가 포토 마스크의 후면 표면의 에지에 도포된다. 전술된 또는 후술된 실시예 중 하나 이상에서, 접착 시트는 본체의 표면에 부착되고, 본체는 로드에 의해 그립에 결합되며, 접착 시트를 도포할 때 그립이 동작되어 포토 마스크의 후면 표면의 에지를 세정한다. 전술된 또는 후술된 실시예 중 하나 이상에서, 본체는 원통형 형상을 가지며 접착 시트는 본체 주위를 둘러싼다. 전술된 또는 후술된 실시예 중 하나 이상에서, 접착 시트를 도포하는 단계는 본체를 회전시키는 단계를 포함한다. 전술된 또는 후술된 실시예 중 하나 이상에서, 본체는 곡면을 갖고 접착 시트는 곡면에 부착된다. 전술된 또는 후술된 실시예 중 하나 이상에서, 접착 시트를 적용하는 단계는 본체에 진동을 인가하는 단계를 포함한다. 전술된 또는 후술된 실시예 중 하나 이상에서, 진동은 초음파 범위 내이다. 전술된 또는 후술된 실시예 중 하나 이상에서, 패터닝된 표면의 에지는 접착 시트에 의해 세정되지 않는다.

본 개시의 또 다른 양상에 따라, EUV 포토 마스크의 후면의 에지로부터 입자를 제거하기 위한 세정 디바이스는, 접착 테이프가 감겨진 제1 본체; 접착 테이프의 단부가 부착되는 제2 본체; 및 제2 본체를 회전시키는 구동 기구를 포함한다. 접착 테이프는 실리콘, 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체 또는 스티렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 공중합체 중 하나로 제조된다. 전술된 또는 후술된 실시예 중 하나 이상에서, 세정 디바이스는 접착 테이프의 표면과 포토 마스크의 후면 사이의 각도를 변경하도록 구성된 장착 지그를 더 포함한다. 전술된 또는 후술된 실시예 중 하나 이상에서, 장착 지그는 마스크 포드 장착-분리 디바이스에 부착된다. 전술된 또는 후술된 실시예 중 하나 이상에서, 구동 기구는 제2 본체의 회전 속도를 조정하도록 구성된다.

이상의 설명은 당업자가 본 개시의 양상들을 잘 이해할 수 있도록 여러 실시예 또는 예시의 피처들의 개요를 설명한 것이다. 당업자는, 자신이 본 명세서에서 소개된 실시예 또는 예시의 동일한 목적을 수행하고 그리고/또는 동일한 이점을 달성하기 위한 다른 프로세스와 구조물을 설계하고 수정하기 위한 기초로서 본 발명 개시를 쉽게 이용할 수 있다는 것을 인식해야 한다. 또한, 당업자는 이러한 등가의 구성이 본 개시의 취지 및 범위를 벗어나지 않으며, 본 개시의 취지 및 범위를 벗어나지 않고 다양한 변화, 대체 및 변경을 이룰 수 있음을 알아야 한다.

실시예들

실시예 1. 포토 마스크를 세정하는 방법에 있어서,

포토 마스크의 패터닝된 표면이 아래를 향하도록 포토 마스크를 지지부 상에 배치하는 단계; 및

포토 마스크의 후면 표면의 에지들에 접착 시트를 도포하는 단계

를 포함하는, 포토 마스크를 세정하는 방법.

실시예 2. 실시예 1에 있어서,

포토 마스크의 후면 표면의 에지들은 모따기된(chamfered) 에지들인 것인, 포토 마스크를 세정하는 방법.

실시예 3. 실시예 1에 있어서,

접착 시트는 실리콘으로 제조되는 것인, 포토 마스크를 세정하는 방법.

실시예 4. 실시예 1에 있어서,

접착 시트는 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체 또는 스티렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 공중합체로 제조되는 것인, 포토 마스크를 세정하는 방법.

실시예 5. 실시예 1에 있어서,

접착 시트는 본체에 부착되는 것인, 포토 마스크를 세정하는 방법.

실시예 6. 실시예 5에 있어서,

본체는 탄성 물질로 제조되는 것인, 포토 마스크를 세정하는 방법.

실시예 7. 실시예 5에 있어서,

접착 시트를 도포하는 단계는 접착 시트가 에지들과 접촉하는 동안 본체를 이동시키는 단계를 포함하는 것인, 포토 마스크를 세정하는 방법.

실시예 8. 실시예 7에 있어서,

이동시키는 단계는 선형 이동을 포함하는 것인, 포토 마스크를 세정하는 방법.

실시예 9. 포토 마스크를 세정하는 방법에 있어서,

포토 마스크를 내부 포드(inner pod)에 로딩하는 단계;

내부 포드를 외부 포드에 로딩하는 단계;

외부 포드를 개방하는 단계;

포토 마스크의 패터닝된 표면이 아래를 향하면서 포토 마스크가 내부 포드의 하부 커버 위에 배치되도록 내부 포드를 개방하는 단계; 및

포토 마스크가 내부 포드의 하부 커버 위에 배치되는 동안, 포토 마스크의 후면 표면의 에지들에 접착 시트를 도포하는 단계

를 포함하는, 포토 마스크를 세정하는 방법.

실시예 10. 실시예 9에 있어서,

접착 시트가 본체의 표면에 부착되고, 본체가 로드(rod)에 의해 그립(grip)에 결합되며,

접착 시트를 도포하는 단계는 그립을 동작하여 포토 마스크의 후면 표면의 에지들을 세정하는 단계를 포함하는 것인, 포토 마스크를 세정하는 방법.

실시예 11. 실시예 10에 있어서,

본체는 원통형 형상이고 접착 시트는 본체를 둘러싸는 것인, 포토 마스크를 세정하는 방법.

실시예 12. 실시예 11에 있어서,

접착 시트를 도포하는 단계는 본체를 회전시키는 단계를 포함하는 것인, 포토 마스크를 세정하는 방법.

실시예 13. 실시예 10에 있어서,

본체는 곡면을 갖고, 접착 시트는 곡면에 부착되는 것인, 포토 마스크를 세정하는 방법.

실시예 14. 실시예 10에 있어서,

접착 시트를 도포하는 단계는 진동(vibration)을 본체에 인가하는 단계를 포함하는 것인, 포토 마스크를 세정하는 방법.

실시예 15. 실시예 14에 있어서,

진동은 초음파 범위 내인 것인, 포토 마스크를 세정하는 방법.

실시예 16. 실시예 9에 있어서,

포토 마스크의 패터닝된 표면의 에지들은 접착 시트에 의해 세정되지 않는 것인, 포토 마스크를 세정하는 방법.

실시예 17. EUV 포토 마스크의 후면의 에지로부터 입자를 제거하기 위한 세정 디바이스에 있어서,

접착 테이프가 감겨진 제1 본체;

접착 테이프의 단부가 부착되는 제2 본체; 및

제2 본체를 회전시키는 구동 기구(driving mechanism)

를 포함하고,

접착 테이프는 실리콘, 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체 또는 스티렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 공중합체 중 하나로 제조되는 것인, 세정 디바이스.

실시예 18. 실시예 17에 있어서,

접착 테이프의 표면과 포토 마스크의 후면 사이의 각도를 변경하도록 구성된 장착 지그(mounting jig)를 더 포함하는, 세정 디바이스.

실시예 19. 실시예 18에 있어서,

장착 지그는 마스크 포드 장착-분리 디바이스(mask pod mounting-dismounting device)에 부착되는 것인, 세정 디바이스.

실시예 20. 실시예 17에 있어서,

구동 기구는 제2 본체의 회전 속도를 조정하도록 구성되는 것인, 세정 디바이스.

Claims

포토 마스크를 세정하는 방법에 있어서,
상기 포토 마스크의 패터닝된 표면이 아래를 향하도록 상기 포토 마스크를 지지부 상에 배치하는 단계; 및
상기 포토 마스크의 후면 표면의 에지들에 접착 시트를 도포하는 단계
를 포함하는, 포토 마스크를 세정하는 방법.
제1항에 있어서,
상기 포토 마스크의 상기 후면 표면의 상기 에지들은 모따기된(chamfered) 에지들인 것인, 포토 마스크를 세정하는 방법.
제1항에 있어서,
상기 접착 시트는 실리콘으로 제조되는 것인, 포토 마스크를 세정하는 방법.
제1항에 있어서,
상기 접착 시트는 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체 또는 스티렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 공중합체로 제조되는 것인, 포토 마스크를 세정하는 방법.
제1항에 있어서,
상기 접착 시트는 본체에 부착되는 것인, 포토 마스크를 세정하는 방법.
포토 마스크를 세정하는 방법에 있어서,
상기 포토 마스크를 내부 포드(inner pod)에 로딩하는 단계;
상기 내부 포드를 외부 포드에 로딩하는 단계;
상기 외부 포드를 개방하는 단계;
상기 포토 마스크의 패터닝된 표면이 아래를 향하면서 상기 포토 마스크가 상기 내부 포드의 하부 커버 위에 배치되도록 상기 내부 포드를 개방하는 단계; 및
상기 포토 마스크가 상기 내부 포드의 상기 하부 커버 위에 배치되는 동안, 상기 포토 마스크의 후면 표면의 에지들에 접착 시트를 도포하는 단계
를 포함하는, 포토 마스크를 세정하는 방법.
EUV 포토 마스크의 후면의 에지로부터 입자를 제거하기 위한 세정 디바이스에 있어서,
접착 테이프가 감겨진 제1 본체;
상기 접착 테이프의 단부가 부착되는 제2 본체; 및
상기 제2 본체를 회전시키는 구동 기구(driving mechanism)
를 포함하고,
상기 접착 테이프는 실리콘, 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체 또는 스티렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 공중합체 중 하나로 제조되는 것인, 세정 디바이스.
제7항에 있어서,
상기 접착 테이프의 표면과 상기 포토 마스크의 상기 후면 사이의 각도를 변경하도록 구성된 장착 지그(mounting jig)를 더 포함하는, 세정 디바이스.
제8항에 있어서,
상기 장착 지그는 마스크 포드 장착-분리 디바이스(mask pod mounting-dismounting device)에 부착되는 것인, 세정 디바이스.
제7항에 있어서,
상기 구동 기구는 상기 제2 본체의 회전 속도를 조정하도록 구성되는 것인, 세정 디바이스.