JP2022515489A

JP2022515489A - リソグラフィ装置内の粒子をその場で除去するための装置および方法

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Publication number: JP2022515489A
Application number: JP2021537787A
Authority: JP
Inventors: ロンバルド、ジェフリー、ジョン; オルブライト、ロナルド、ピーター; ホール、ダニエル、レスリー; ペレス－ファルコン、ビクター、アントニオ; ジャッジ、アンドリュー
Original assignee: ASML Holding NV
Current assignee: ASML Holding NV
Priority date: 2018-12-27
Filing date: 2019-12-12
Publication date: 2022-02-18
Also published as: WO2020136013A1; CN113227904A; US11550231B2; IL283815A; NL2024433A; US20220075277A1; KR20210102913A

Abstract

【解決手段】リソグラフィシステム内のクランプ構造のクランプ面上にある粒子状汚染物質を低減するための方法およびシステムが記載される。クリーニングレチクルなどの基板は、クランプ面に押しつけられる。クランプが生じる前後のいずれかにおいて、基板とクランプ面の間に温度差が設けられ、クランプ面から基板への粒子の移動が促進される。【選択図】図５

Description

［関連出願へのクロスリファレンス］
本出願は、２０１８年１２月２７日に出願された米国仮特許出願６２／７８５，３６９号の利益を主張し、その全体が参照により本書に組み込まれる。

［技術分野］
本開示は、リソグラフィ装置の内部でレチクル、マスクまたはウェハといったデバイスを保持するために使用するクランプ構造（例えば静電チャック）などのサポートの近傍から汚染を除去する方法およびシステムに関する。

リソグラフィ装置は、所望のパターンを半導体材料のウェハといった基板上に付与し、通常、基板のターゲット部分に付与する装置である。パターニングデバイスは、代替的にマスクまたはレチクルとも称され、ウェハの個々の層上に形成されるべき回路パターンを生成するために使用されうる。パターンの転写は、典型的に基板上に設けられる放射感受性材料（レジスト）の層への結像を介する。一般に、単一の基板は、連続的にパターニングされる隣接するターゲット部分のネットワークを含むであろう。

露光波長を短くすることにより印刷可能な最小サイズを縮小するため、約５ｎｍから約２０ｎｍの範囲内、例えば約１３ｎｍから約１４ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射が用いられる。このような放射は、極端紫外（ＥＵＶ）放射または軟Ｘ線放射と呼ばれる。採用しうる放射源は、例えば、レーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、または電子貯蔵リングにより提供されるシンクロトロン放射に基づく放射源を含む。

ＥＵＶ放射は、プラズマを用いて生成されてもよい。ＥＵＶ放射を生成するための放射システムは、燃料を励起してプラズマを提供するためのレーザと、プラズマを収容するためのソースコレクタモジュールとを含んでもよい。プラズマは、例えば、適切な燃料材料（例えば、Ｓｎ）の液滴、または、ＸｅガスもしくはＬｉ蒸気といった適切なガスもしくは蒸気の流れといった少量の燃料にレーザビームを向けることによって作成されてもよい。得られたプラズマは、出力放射、例えばＥＵＶ放射を放出し、放射コレクタを使用して収集される。放射コレクタは、鏡で構成された法線入射放射コレクタであり、放射を受けて放射をビームに集束させる。ソースコレクタモジュールは、プラズマを維持するための真空環境を提供するよう構成された包囲構造またはチャンバを含んでもよい。このような放射システムは、典型的にレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ；laser produced plasma）源と呼ばれる。レーザの使用も採用しうる代替的なシステムでは、放電の使用により形成されるプラズマによって放射が生成されてもよい（放電生成プラズマ（ＤＰＰ；discharge produced plasma）源）。いったん生成された放射は、パターニングデバイスを用いてパターン化され、ウェハの表面に運ばれる。

リソグラフィ装置内では、走査ステージ上にパターニングレチクルを保持するために、静電チャック（ＥＳＣ；electrostatic chuck）の形態となるクランプ構造が使用される。レチクルの粒子汚染（欠陥）は、ＥＵＶ技術において非常に重要なパラメータである。レチクルの汚染を軽減するために、レチクルステージの近くの体積は、いわゆるフラッシングによってクリーニングされうる。フラッシングは、レチクル領域に通常よりも多いガスの流れを提供し、粒子を放出（移動）させてＥＵＶシステムから除去することを含む。ただし、フラッシングは比較的遅いクリーニングプロセスであり、限られた効率しか有していない。

クランプ構造は、いわゆる「レチクルスタンプ」によってもクリーニングでき、犠牲レチクルでありうるレチクルがクランプ構造に押しつけられ、その後、取り出される。ここで、および、他の箇所において、「クランプ構造に押しつける」という用語は、押すことがクランプ力によって生じる状況を包含することが理解されよう。このプロセスは、クランプ構造上の粒子をレチクルに移動させる。

以下は、実施の形態の基本的な理解を提供するために、一以上の実施の形態の簡略化された概要を提示する。この概要は、考えられる全ての実施の形態の広範な概略ではなく、全ての実施の形態の重要な要素を特定することを意図するものではなく、また、いずれかまたは全ての実施の形態の範囲を描写することを意図するものでもない。その唯一の目的は、後に提示されるより詳細な説明の前置きとして、一以上の実施の形態のいくつかの概念を簡略化された形態で提示することである。

ある態様によれば、クランプ構造と、クランプ構造と向かい合うように位置決めされるレチクルなどの物品との間に温度差が生成されるシステムが開示される。温度差は、クランプ構造ではなく物品を加熱することによって、クランプ構造ではなく物品を冷却することによって、物品ではなくクランプ構造を加熱することによって、物品ではなくクランプ構造を冷却することによって、または、物品およびクランプ構造の他の差動加熱／冷却によって生成されてもよい。

本発明のさらなる特徴および利点、ならびに本発明の様々な実施の形態の構造および動作は、添付の図面を参照して以下に詳細に説明される。本発明は、本書に記載の特定の実施の形態に限定されないことに留意されたい。このような実施の形態は、例示のみを目的として本書に提示される。追加の実施の形態は、本書に含まれる教示に基づけば、関連する技術分野の当業者には明らかとなるであろう。

本書に組み込まれて明細書の一部を形成する添付の図面は、本発明を説明するとともに、その記載とともに本発明の原理を説明し、関連する技術分野の当業者が本発明を実施可能となるのに役立つ。

本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置を示す図である。

ある実施の形態に係る、ＬＰＰソースコレクタモジュールを含む図１の装置をより詳細に示す図である。

ある実施の形態のある態様に係るクリーニング基板および温度差を用いるクランプ構造の表面をクリーニングするための構成を示す正確な縮尺ではない図である。

ある実施の形態のある態様に係るクリーニング基板および温度差を用いるクランプ構造の表面をクリーニングするための別の構成を示す正確な縮尺ではない図である。

本発明の特徴および利点は、全体を通して同様の参照符号が対応する要素を特定する図面と併せて解釈される場合に、以下に記載される詳細な説明からより明らかになるであろう。図面において、同様の参照符号は、一般に、同一、機能的に類似、および／または構造的に類似の要素を示す。

本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ一以上の実施の形態を開示する。開示される実施の形態は、単に本発明を例示するものである。本発明の範囲は、開示される実施の形態に限定されない。本発明は、本書に添付された請求項によって定義される。

記載される実施の形態、および本明細書における「一実施の形態」、「ある実施の形態」、「例示的な実施の形態」などへの言及は、記載される実施の形態が特定の特徴、構造、または特徴を含んでもよいことを示すが、全ての実施の形態が特定の特徴、構造、または特性を必ずしも含むとは限らない。さらに、そのような語句は、必ずしも同じ実施の形態を指すとは限らない。さらに、特定の特徴、構造、または特性がある実施の形態に関連して説明される場合、明示的に記載されているか否かに拘わらず、そのような特徴、構造、または特性を他の実施の形態に関連して達成することは当業者の知識の範囲内であることが理解されよう。

以下の説明および請求項において、「上」、「下」、「上部」、「下部」、「垂直」、「水平」などの用語が使用されるかもしれない。これらの用語は、相対的な向きを示すことを意図するにすぎず、特に明記されていない限り、重力に対する向きといった絶対的な向きを示すものではない。同様に、左、右、前、後などの用語は、単に相対的な向きを与えることを意図する。

実施の形態をより詳細に説明する前に、本発明の実施の形態が実装されうる例示的な環境を提示することが有益である。

図１は、本発明のある実施の形態に係るソースコレクタモジュールＳＯを含むリソグラフィ装置ＬＡＰを概略的に示す。この装置は、放射ビームＢ（例えばＥＵＶ放射）を調整するよう構成される照明システム（イルミネータ）ＩＬと；パターニングデバイス（例えばマスクまたはレチクル）ＭＡを支持するよう構築され、パターニングデバイスを正確に位置決めするよう構成される第１位置決め装置ＰＭに接続されるサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと；基板（例えば、レジストコートされたウェハ）Ｗを保持するよう構築され、基板を正確に位置決めするよう構成される第２位置決め装置ＰＷに接続される基板テーブル（例えば、ウェハテーブル）ＷＴと；パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されるパターンを基板Ｗの（例えば、一以上のダイを備える）ターゲット部分Ｃに投影するよう構成される投影システム（例えば、反射型投影システム）ＰＳとを備える。

照明システムは、放射を方向付け、放射を成形し、または放射を制御するための屈折型、反射型、電磁気型、静電型あるいは他の形式の光学素子、またはこれらの任意の組み合わせといった各種光学素子を含んでもよい。

サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置のデザイン、および、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されるか否かといった他の条件に応じた方法でパターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式または他のクランプ技術を用いてパターニングデバイスを保持できる。サポート構造は、フレームまたはテーブルであってもよく、例えば必要に応じて固定式または可動式であってもよい。サポート構造は、例えば投影システムに対して、パターニングデバイスが所望の位置にあることを保証してもよい。

本書での「パターニングデバイス」の用語は、放射ビームの断面にパターンを付して基板のターゲット部分にパターンを生成するなどのために使用可能な任意のデバイスを参照するものとして広く解釈されるべきである。放射ビームに付されるパターンは、ターゲット部分に生成されるデバイス（集積回路など）の特定の機能層に対応してもよい。

パターニングデバイスは、透過型でもよいし、反射型でもよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、バイナリマスクやレベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク、さらに各種のハイブリッド型マスクが含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例は、マトリックス状に配列される小型のミラーを採用し、各ミラーは入射する放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜できる。傾斜されるミラーは、ミラーマトリックスにより反射される放射ビームにパターンを付与する。

照明システムなどの投影システムは、使用される露光放射や真空の使用といった他の要素について適切となるよう、屈折型、反射型、電磁気型、静電型等の様々な種類の光学要素もしくはその他の種類の光学要素、または、これらの組み合わせを含んでもよい。ＥＵＶ放射では、ガスが放射を吸収しすぎるため、真空の使用が望ましいかもしれない。したがって、真空壁および真空ポンプの助けを借りて、ビーム経路の全体に真空環境が提供されてもよい。

図示されるように、装置は反射型である（例えば反射型マスクを用いる）。リソグラフィ装置は、二つ（デュアルステージ）またはそれより多い基板テーブルＷＴ（および／または二以上のマスクテーブル）を有する形式であってもよい。このような「マルチステージ」の機械において、追加のテーブルが並行して用いられてもよく、準備工程が一以上のテーブルで実行される一方、一以上の他のテーブルが露光のために用いられてもよい。

図１を参照すると、イルミネータＩＬは、ソースコレクタモジュールＳＯから極端紫外放射ビームを受ける。ＥＵＶ光の生成方法は、ＥＵＶ範囲に一以上の輝線を持つキセノン、リチウムまたはスズなどの少なくとも一つの元素を有する材料をプラズマ状態に変換することを含むが、これに必ずしも限られない。このような方法の一つ、しばしばレーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と称されるものにおいて、必要なプラズマは、必要な輝線の元素を有する材料の液滴、蒸気またはクラスタといった燃料をレーザビームで照射することにより生成できる。ソースコレクタモジュールＳＯは、レーザビームを生成し、燃料を励起するためのレーザ（図１に示されない）を含むＥＵＶ放射システムの一部であってもよい。得られるプラズマは、ＥＵＶ放射などの放射を出射し、この放射は、ソースコレクタモジュール内に配置される放射コレクタを用いて集められる。レーザおよびソースコレクタモジュールＳＯは、例えばＣＯ_２レーザを用いて燃料励起用のレーザビームが提供される場合、別体であってもよい。

このような場合、放射ビームは、例えば適切な方向付けミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムの助けを借りて、レーザからソースコレクタモジュールＳＯへと通過する。他の場合、例えば、放射源が放電生成プラズマＥＵＶ発生器（しばしばＤＰＰ源と呼ばれる）である場合、放射源がソースコレクタモジュールの一体的な部分であってもよい。

イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタを備えてもよい。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ－アウタおよびσ－インナと呼ばれる）を調整できる。さらにイルミネータＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイスおよびファセット瞳ミラーデバイスなどの様々な他の要素を含んでもよい。イルミネータは、ビーム断面において所望の均一性および強度分布を有する放射ビームを調整するために用いられてもよい。

放射ビームＢは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されるパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによりパターン化される。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡで反射された後、放射ビームＢは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃに合焦させる投影システムＰＳを通過する。第２位置決め装置ＰＷおよび位置センサＰＳ２（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは静電容量センサ）の助けを借りて、基板テーブルＷＴは、放射ビームＢの経路上に異なるターゲット部分Ｃが位置するように正確に移動されることができる。同様に、第１位置決め装置ＰＭおよび別の位置センサＰＳ１は、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを正確に位置決めするために用いることができる。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１，Ｍ２および基板アライメントマークＰ１，Ｐ２を用いてアライメントされてもよい。

図示される装置は、いくつかのモードの少なくとも一つにて使用できる。例えば、ステップモードにて、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴが本質的に静止状態に維持される間、放射ビームに付与されるパターン全体がターゲット部分Ｃに１回で投影される（つまり、単一静的露光）。基板テーブルＷＴは、その後、異なるターゲット部分Ｃを露光できるようにするため、Ｘ方向および／またはＹ方向にシフトされる。

スキャンモードでは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴが同期してスキャンされる間、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃに投影される（つまり、単一動的露光）。サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの縮小および像反転特性によって決定されうる。

別のモードでは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴがプログラマブルパターニングデバイスを保持して本質的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴが移動またはスキャンされる間、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃに投影される。このモードでは、一般にパルス放射源が使用され、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの各移動後、またはスキャン中の連続する放射パルスの合間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述した形式のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用できる。

上述したモードの使用の組み合わせおよび／または変形が使用されてもよいし、完全に異なるモードの使用が使用されてもよい。

図２は、ソースコレクタモジュールＳＯ、照明システムＩＬおよび投影システムＰＳを含むリソグラフィ装置ＬＡＰをより詳細に示す。ソースコレクタモジュールＳＯは、ソースコレクタモジュールの包囲構造２内にて真空環境を維持できるように構築および構成される。

レーザ４は、燃料供給装置８（時々、燃料ストリーム生成器とも呼ばれる）から提供されるキセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）、またはリチウム（Ｌｉ）といった燃料の体積内に、レーザエネルギーをレーザビーム６を介して蓄積させるよう構成される。燃料内でのレーザエネルギーの蓄積は、数十電子ボルト（ｅＶ）の電子温度を有する高電離プラズマ１０をプラズマ形成位置１２にて生成する。これらのイオンの脱励起および再結合中に生成される高エネルギー放射は、プラズマ１０から放出され、近法線入射放射コレクタ１４によって収集および合焦される。レーザ４および燃料供給装置８（および／またはコレクタ１４）は、一体的に放射源、具体的にはＥＵＶ放射源を構成するとみなすことができる。ＥＵＶ放射源は、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）放射源と称されてもよい。

第２レーザ（不図示）が設けられてもよく、第２レーザは、レーザビーム６が入射する前に燃料の体積を事前に加熱ないし調整するよう構成されてもよい。この手法を使用するＬＰＰ源は、デュアルレーザパルス（ＤＬＰ；dual laser pulsing）放射源と称されてもよい。

図示されていないが、燃料ストリーム生成器は、一般に、プラズマ形成位置１２に向かう軌道に沿って、例えば液滴の形態で、燃料の流れを方向付けるよう構成されるノズルを備えるか、または、ノズルと接続される。

放射コレクタ１４によって反射される放射Ｂは、仮想ソース点１６に合焦される。仮想ソース点１６は、一般に中間焦点と呼ばれる。ソースコレクタモジュールＳＯは、中間焦点１６が包囲構造２の開口１８またはその近傍に位置するように構成される。仮想ソース点１６は、放射放出プラズマ１０の像である。

つづいて、放射Ｂは、照明システムＩＬを通過する。照明システムは、パターニングデバイスＭＡにて放射ビームＢの所望の角度分布を提供するとともに、パターニングデバイスＭＡにて放射強度の所望の均一性を提供するよう構成されるファセットフィールドミラーデバイス２０およびファセット瞳ミラーデバイス２２を含んでもよい。サポート構造ＭＴによって保持されるパターニングデバイスＭＡにて放射のビームが反射すると、パターンビーム２４が形成され、パターンビーム２４は、投影システムＰＳによって、反射要素２６、２８を介して、ウェハステージまたは基板テーブルＷＴによって保持される基板Ｗ上に結像される。

一般に、示されるものよりも多くの要素が、照明システムＩＬおよび投影システムＰＳに存在してもよい。さらに、図示されるものよりも多くのミラーが存在してもよく、例えば、図２に示されるものとは異なる追加の反射要素が投影システムＰＳに存在してもよい。

本書に記載の実施の形態は、極端紫外（ＥＵＶ）リソグラフィ装置内に含まれる、多数の異なるリソグラフィツールにおける汚染制御に使用されてもよい。ＥＵＶレチクルは、本質的に反射型であるため、汚染に対して非常に脆弱であり、マニュアルでの手順を用いてクリーニングすることが困難である。

現在、クランプ構造をクリーニング／スタンプする方法は、一般にツール内の雰囲気条件で実行される。開示される実施の形態の一態様によれば、クランプ構造から物品への粒子の移動を促進するために温度差が生成される。物品がレチクルである場合、温度差は、レチクルのクリーニング／スタンププロセスの間、クランプ構造からレチクルへの粒子の移動を促進する。材料上の粒子の接着特性は温度に依存し、一方の基板の温度を他方に対して変更することで、粒子が表面に付着する力の強さを増加または低減できる。関わる粒子に応じて、レチクルを加熱／冷却すること、クランプ構造を加熱／冷却すること、または、これらのいくつかの組み合わせが望ましいかもしれない。

温度差は、多数の方法のいずれかにて、生成および／または維持されてもよい。以下の実施例では、物品がレチクルであるが、実施例は、クランプ構造の表面のクリーニングが望まれる他の状況に適用されてもよいことが理解されよう。例えば、高周波信号、例えば、ＭＨｚ周波数信号は、レチクルステージクランプ構造を通じて駆動され、クランプ構造上のレチクルの有無に拘わらず、クランプ構造の加熱を誘起できる。その後、レチクルは、加熱されていない条件でクランプ構造に導入されるであろう。

このような構成が図３に示される。リソグラフィ装置は、例えば、機械式、真空式、静電式または他のクランプ技術を用いてレチクルを保持するよう構成されるサポート構造（例えば、レチクルテーブル）３２からなるクランプ構造３０を含む。サポート構造３２は、レチクルの対応する部分を支持するよう構成される作業面３４を有する。作業面３４は、バールの群を備えてもよく、その場合、図３は、バールの一つを示すものとみなされてもよい。

図３に示されるように、作業面３４は、粒子３６で汚染されている可能性がある。粒子を除去するために、犠牲レチクルであってもよいクリーニング基板３８がクランプ構造３０上に装填される。ある例として、クリーニング基板３８は、本書にてクリーニングレチクルと称されるが、他の種類の基板が使用されてもよいことが理解されよう。作業面３４の上部とクリーニングレチクル３８の下部との間の圧縮力は、クランプ構造３０が静電チャックの場合には静電力であり、作業面３４の上部からクリーニングレチクル３８の下部への粒子３６の移動を生じさせる。その後、クリーニングレチクル３８は、離れる方向に移動し、汚染粒子３６を一緒に運ぶ。

図３には、クランプ構造３０の温度を制御するためのモジュール４０およびレチクル３８の温度を制御するためのモジュール４２も示される。両方のモジュールが存在してもよいし、一方のモジュールのみが存在してもよい。モジュールは、冷却モジュールであってもよいし、加熱モジュールであってもよく、一方のモジュールが加熱モジュールであり、他方のモジュールが冷却モジュールであってもよい。モジュール４０は、クランプ構造３０と熱的に接続され、言い換えれば、クランプ構造３０とモジュール４０の間で熱が流れうるように構成される。熱は、伝導、対流および輻射を含む、多数のメカニズムのうちのいずれかひとつによって流れてもよい。同様に、モジュール４２は、レチクル３８と熱的に接続され、言い換えれば、レチクル３８とモジュール４２の間で熱が流れうるように構成される。繰り返しになるが、熱は、伝導、対流および輻射を含む、多数のメカニズムのうちのいずれかひとつによって流れてもよい。モジュール４０およびモジュール４０は、制御ユニット５０の制御下で動作する。

別の例として、図４に示されるように、例えばＲＦ成分を有する信号は、クランプ構造の加熱を誘起するために、レチクルステージクランプ構造３０を通じて駆動されうる。高周波結合ユニット５２は、制御ユニット５０の制御下において、クランプ構造３０に高周波エネルギーを結合させる。クランプ構造３０へのエネルギーの結合を促進するために、クランプ構造３０にインピーダンスが含まれてもよい。ＲＦ成分は、レチクルが構造上にクランプされる間、クランプ構造３０とレチクル３８の界面での加熱を誘起するために、レチクルステージクランプ構造３０を通じて駆動されることができる。代替的に、または、追加的に、ＲＦ信号は、加熱されていないレチクルを導入する前に、および／または、レチクルを取り外す際に、クランプ構造を加熱するために用いることができる。

別の例として、図５に示されるように、クランプ構造３０への冷却剤、例えば冷却水の流れ（供給源５６からカプラ５４に向かう）をバルブ５８によって低減させる、または、無効にする間、クランプ構造３０の加熱を誘起するために、ＥＵＶ光をクランプ構造に当ててもよい。その後、レチクル３８は、加熱されていない条件でクランプ構造に導入されてもよい。また、冷却水の温度を上昇させて加熱を生じさせてもよい。

別の例として、図６に示されるように、ＥＵＶ光を吸収するための高吸収コーティング６０をレチクル３８上に配置することができ、これによってレチクル３８の温度が増加する。この加熱は、レチクル３８がクランプ構造３０上にある間になされてもよい。温度勾配は、レチクル３８とクランプ構造３０の間の有限の熱抵抗によって駆動されるであろう。

さらに別の例として、図７に示されるように、レチクル３８の裏側にある裏側ガス分配システム７０からなどのガスの流れは、ＥＵＶ光がレチクル３８に集束されている間、制御ユニット５０によってオフにできる。この加熱は、クランプ構造３０上にレチクル３８がある間に実行できる。温度勾配は、レチクル３８とクランプ構造３０の間の有限の熱抵抗によって駆動されるであろう。

別の例として、図８に示されるように、レチクル３８の近くの流れは、制御ユニット５０の制御下にあるヒータ８０によってシステムの外部で加熱された後、レチクル３８の前面を流れることができる。温度勾配は、この方法でレチクル３８を加熱することにより誘起されるであろうが、クランプ構造３０によっては誘起されないであろう。

別の例として、図９に示されるように、冷却水供給装置９２からレチクルステージ３０への冷却水を低減またはオフにした後、レチクルステージ９０で熱を発生させるためにレチクルステージモータ９４を作動させることができる。温度勾配は、レチクルステージ３０を加熱することにより誘起されるであろう。

別の例として、図１０に示されるように、クランプ構造３０は、クランプ構造３０内の局所温度を制御するために、作業面３４内に設けられる抵抗ヒータ１００を備えることができる。作業面がバールの群を備える場合、抵抗ヒータは、一以上のバール内に配置されることができる。

別の例として、図１１に示されるように、専用のレチクル３８は、バッテリで駆動される抵抗ヒータまたはバッテリで駆動される冷却器といった内部温度制御モジュール１１０を備えることができる。

レチクル３８の裏側、つまり、クランプ構造３０と対向するレチクル３０の表面は、クリーニングを促進するためのポリマーコーティングを備えてもよい。典型的に、このようなポリマーの接着特性は、温度の関数として増加した後、急激に低下する。上述の加熱および冷却システムは、粒子状汚染物質の最適な接着のためのポリマーコーティングの温度を制御するために使用できる。

実施の形態は、さらに以下の項を用いて記述されてもよい。
（項１）クリーニング基板と、
前記クリーニング基板を固定するよう構成されるクランプ構造と、
前記クリーニング基板および前記クランプ構造の一方と熱的に接続され、前記クリーニング基板と前記クランプ構造の間に温度差を生じさせるよう構成される温度制御ユニットと、を備える装置。
（項２）前記クリーニング基板は、クリーニングレチクルである、項１に記載の装置。
（項３）前記温度制御ユニットは、前記クリーニングレチクルと熱的に接続される、項２に記載の装置。
（項４）前記温度制御ユニットは、前記クランプ構造と熱的に接続される、項２に記載の装置。
（項５）前記温度制御ユニットは、前記クリーニングレチクルと熱的に接続され、
前記クランプ構造と熱的に接続される第２温度制御ユニットをさらに備える、項２に記載の装置。
（項６）前記温度制御ユニットは、高周波エネルギーを前記クランプ構造に結合させるためのモジュールである、項２に記載の装置。
（項７）前記クランプ構造に選択可能に結合される冷却剤の供給源をさらに備え、
前記クランプ構造は、放射によって選択可能に暖められるよう構成され、
前記温度制御ユニットは、前記冷却剤の供給源と前記クランプ構造の間の結合を制御するためのバルブを備える、項２に記載の装置。
（項８）前記放射は、ＥＵＶ放射である、項７に記載の装置。
（項９）前記温度制御ユニットは、前記クランプ構造から離れて対向する前記クリーニングレチクルの表面上にある放射吸収コーティングを備え、
前記クリーニングレチクルの前記表面は、放射が選択可能に照射されるよう構成される、項２に記載の装置。
（項１０）前記暖める放射は、ＥＵＶ放射である、項９に記載の装置。
（項１１）前記クランプ構造から離れて対向する前記クリーニングレチクルの表面を横切るガスの流れを選択可能に生じさせるためのガスシステムをさらに備え、
前記温度制御ユニットは、前記ガスシステムを制御して前記ガスの流量を変更するためのモジュールを備える、項２に記載の装置。
（項１２）前記温度制御ユニットは、前記ガスシステムを制御して前記ガスの流れを実質的に停止させるためのモジュールを備える、項１１に記載の装置。
（項１３）前記クランプ構造と対向する前記クリーニングレチクルの表面を横切るガスの流れを選択可能に生じさせるためのガスシステムをさらに備え、
前記温度制御ユニットは、前記ガスを加熱するためのモジュールを備える、項２に記載の装置。
（項１４）前記クリーニングレチクルを支持するためのレチクルステージと、前記レチクルステージを駆動するための少なくとも一つのモータと、前記レチクルステージに選択可能に結合される冷却剤の供給源と、をさらに備え、
前記温度制御ユニットは、前記少なくとも一つのモータを動作させて熱を生成するためのモジュールと、前記冷却剤の供給源と前記レチクルステージの間の結合を制御するためのバルブとを備える、項２に記載の装置。
（項１５）前記温度制御ユニットは、前記クランプ構造内にある少なくとも一つの抵抗ヒータを備える、項２に記載の装置。
（項１６）前記クランプ構造は、複数の突起表面形状を備えるクランプ面を備え、
前記温度制御ユニットは、前記複数の突起表面形状の少なくとも一部にある少なくとも一つの抵抗ヒータを備える、項１５に記載の装置。
（項１７）前記温度制御ユニットは、前記クリーニングレチクル内の少なくとも一つの抵抗ヒータを備える、項２に記載の装置。
（項１８）前記クリーニングレチクルは、前記抵抗ヒータに電気的に接続されるバッテリを備える、項１７に記載の装置。
（項１９）前記温度制御ユニットは、前記クリーニングレチクル内の少なくとも一つの電気的冷却素子を備える、項２に記載の装置。
（項２０）前記クリーニングレチクルは、前記電気的冷却素子に電気的に接続されるバッテリを備える、項１９に記載の装置。
（項２１）リソグラフィシステム内のクランプ面から粒子状汚染物質を除去する方法であって、
前記クランプ面に隣接してクリーニングレチクルを位置決めするステップと、
前記クリーニングレチクルを前記クランプ面に押しつける力を生成するステップと、
前記クリーニングレチクルを前記クランプ面から離れるように移動させるステップと、を備え、
前記クリーニングレチクルと前記クランプ面の間に温度差が設けられる、方法。
（項２２）前記温度差は、前記力を生成するステップの後に設けられる、項２１に記載の方法。
（項２３）前記温度差は、前記力を生成するステップの前に設けられる、項２１に記載の方法。
（項２４）前記クランプ面は、静電チャックのクランプ面であり、前記力を生成するステップは、前記静電チャックに電圧を加えることを備える、項２１に記載の方法。

本書ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用を例として説明しているが、本書に説明したリソグラフィ装置は他の用途にも適用可能であるものと理解されたい。他の用途としては、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどがある。当業者であれば、このような代替的な用途の文脈において、本書の「レチクル」の用語の任意の使用は、より一般的な用途である「基板」または「ターゲット部分」のそれぞれと同義であるとみなされてもよい。本書で参照される基板は、露光の前または後に処理されてもよく、トラック（一般にレジストの層を基板に適用して露光されたレジストを現像するツール）、計測ツール、および／または、検査ツールで処理されてもよい。適用可能であれば、本書の開示は、このような基板処理ツールまたはその他の基板処理ツールに適用されてもよい。さらに、例えば多層ＩＣを作製するために、基板が２回以上処理されてもよく、本書で使用される基板という用語は、複数の処理された層を既に含む基板を指してもよい。

発明の概要および要約ではなく、発明の詳細な説明が請求項の解釈に用いられることが意図されることが理解されよう。発明の概要および要約は、発明者によって考えられる本発明の例示的な実施の形態の一以上を記載しうるものであり、その全てを記載するものではないため、本発明および添付の特許請求の範囲をいかなる方法によっても限定することを意図しない。

本発明は、特定の機能およびそれらの関係性の実装を説明する機能ブロックの助けを借りて上述された。これらの機能ブロックの境界は、説明の便宜上、本書では恣意的に定義されている。特定の機能およびそれらの関係性が適切に実行される限り、代替的な境界を定義できる。

特定の実施の形態についての前述の説明は、本発明の一般的な性質を十分に明らかにするものであり、他の人々は、当技術分野の知識を適用することにより、本発明の一般的な概念から逸脱することなく、過度の実験を行うことなく、そのような特定の実施の形態を様々な用途のために容易に変更および／または適応することができる。したがって、このような適応および変更は、本明細書に示された教示および案内に基づいて、開示された実施の形態の意味および等価物の範囲内にあることが意図される。本書の語句または用語は、説明を目的とし、限定を目的とするものではなく、本明細書の語句または用語は、教示および案内の観点から当業者によって解釈されるべきであることを理解されたい。

Claims

クリーニング基板と、
前記クリーニング基板を固定するよう構成されるクランプ構造と、
前記クリーニング基板および前記クランプ構造の一方と熱的に接続され、前記クリーニング基板と前記クランプ構造の間に温度差を生じさせるよう構成される温度制御ユニットと、を備える装置。
前記クリーニング基板は、クリーニングレチクルである、請求項１に記載の装置。
前記温度制御ユニットは、前記クリーニングレチクルと熱的に接続される、請求項２に記載の装置。
前記温度制御ユニットは、前記クランプ構造と熱的に接続される、請求項２に記載の装置。
前記温度制御ユニットは、前記クリーニングレチクルと熱的に接続され、
前記クランプ構造と熱的に接続される第２温度制御ユニットをさらに備える、請求項２に記載の装置。
前記温度制御ユニットは、高周波エネルギーを前記クランプ構造に結合させるためのモジュールである、請求項２に記載の装置。
前記クランプ構造に選択可能に結合される冷却剤の供給源をさらに備え、
前記クランプ構造は、放射によって選択可能に暖められるよう構成され、
前記温度制御ユニットは、前記冷却剤の供給源と前記クランプ構造の間の結合を制御するためのバルブを備える、請求項２に記載の装置。
前記放射は、ＥＵＶ放射である、請求項７に記載の装置。
前記温度制御ユニットは、前記クランプ構造から離れて対向する前記クリーニングレチクルの表面上にある放射吸収コーティングを備え、
前記クリーニングレチクルの前記表面は、選択可能に放射が照射されるよう構成される、請求項２に記載の装置。
前記暖める放射は、ＥＵＶ放射である、請求項９に記載の装置。
前記クランプ構造から離れて対向する前記クリーニングレチクルの表面を横切るガスの流れを選択可能に生じさせるためのガスシステムをさらに備え、
前記温度制御ユニットは、前記ガスシステムを制御して前記ガスの流量を変更するためのモジュールを備える、請求項２に記載の装置。
前記温度制御ユニットは、前記ガスシステムを制御して前記ガスの流れを実質的に停止させるためのモジュールを備える、請求項１１に記載の装置。
前記クランプ構造と対向する前記クリーニングレチクルの表面を横切るガスの流れを選択可能に生じさせるためのガスシステムをさらに備え、
前記温度制御ユニットは、前記ガスを加熱するためのモジュールを備える、請求項２に記載の装置。
前記クリーニングレチクルを支持するためのレチクルステージと、前記レチクルステージを駆動するための少なくとも一つのモータと、前記レチクルステージに選択可能に結合される冷却剤の供給源と、をさらに備え、
前記温度制御ユニットは、前記少なくとも一つのモータを動作させて熱を生成するためのモジュールと、前記冷却剤の供給源と前記レチクルステージの間の結合を制御するためのバルブとを備える、請求項２に記載の装置。
前記温度制御ユニットは、前記クランプ構造内にある少なくとも一つの抵抗ヒータを備える、請求項２に記載の装置。
前記クランプ構造は、複数の突起表面形状を備えるクランプ面を備え、
前記温度制御ユニットは、前記複数の突起表面形状の少なくとも一部にある少なくとも一つの抵抗ヒータを備える、請求項１５に記載の装置。
前記温度制御ユニットは、前記クリーニングレチクル内の少なくとも一つの抵抗ヒータを備える、請求項２に記載の装置。
前記クリーニングレチクルは、前記抵抗ヒータに電気的に接続されるバッテリを備える、請求項１７に記載の装置。
前記温度制御ユニットは、前記クリーニングレチクル内の少なくとも一つの電気的冷却素子を備える、請求項２に記載の装置。
前記クリーニングレチクルは、前記電気的冷却素子に電気的に接続されるバッテリを備える、請求項１９に記載の装置。