CN113227904A - 用于在光刻设备中原位去除粒子的设备和方法 - Google Patents

Abstract

描述了用于减少光刻系统中夹持结构的夹持面上的粒子污染物的方法和系统。诸如清洁用掩模版之类的衬底被压靠在夹持面上。在夹持发生之前或之后，所述衬底与所述夹持面之间建立温差，以促使粒子从所述夹持面转移到所述衬底。

Description

用于在光刻设备中原位去除粒子的设备和方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年12月27日提交的美国申请62/785,369的优先权，且该申请的全部内容以引用的方式而合并入本文中。

技术领域

本发明涉及用于从诸如夹持结构(例如，用于在光刻设备内保持诸如掩模版、掩模、或晶片之类的装置的静电卡盘)之类的支撑件附近去除污染物的方法和系统。

背景技术

光刻设备是将所期望的图案施加到诸如半导体材料的晶片的衬底上(通常施加到所述衬底的目标部分上)的机器。替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置可以用于生成待要形成于晶片的单层上的电路图案。典型地，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上完成图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分。

为了缩短曝光波长，并且因而减小最小可印制大小，使用波长在约5mm至约20nm范围内，例如在约13至约14nm范围内的电磁辐射。这种辐射被称为极紫外(EUV)辐射或软x射线辐射。可用的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源、或者基于由电子存储环所提供的同步加速器辐射的源。

EUV辐射可以使用等离子体来产生。用于产生EUV辐射的辐射系统可以包括：激光器，用于激发燃料以提供等离子体；和源收集器模块，用于容纳等离子体。等离子体可以例如通过将激光束在少量燃料(诸如适当燃料材料(例如锡)的液滴、或合适气体或蒸气(诸如Xe气体或Li蒸气之类)的流)处进行引导而形成。所形成的等离子体发射了输出辐射，例如EUV辐射，其通过使用辐射收集器而被收集。辐射收集器可以是镜像式法向入射辐射收集器，该辐射收集器接收辐射并且将辐射聚焦成一束。所述源收集器模块可以包括封闭结构或腔室，该封闭结构或腔室被布置成提供真空环境以支持所述等离子体。这种辐射源被典型地称为激光产生等离子体(LPP)源。在也可使用激光器的替代系统中，辐射可以由使用放电形成的等离子体产生-放电产生等离子体(DPP)源。一旦产生辐射，就使用图案形成装置对所述辐射进行图案化，且然后将所述辐射传送到晶片的表面。

呈静电卡盘(ESC)形式的夹持结构用于光刻设备中，例如，用以在扫描平台上保持图案化用掩模版。掩模版粒子污染(缺陷率)是EUV技术中的关键临界参数。为了减轻掩模版污染，可以通过所谓的冲洗来清洁用掩模版平台附近的体积。冲洗涉及在掩模版区域中提供高于正常的气流，以释放(去除)粒子并且将粒子从EUV系统中去除。然而，冲洗是相对缓慢的清洁过程，且具有有限效率。

所述夹持结构也可以由所谓的“掩模版压印”来清洁，其中掩模版(可以是牺牲掩模版)压靠在夹持结构上，且然后被取出。在这里和其它地方，将理解到，短语“压靠在夹持结构上”包括由夹紧力引起的按压的情况。这个过程使得夹持结构上的粒子转移到所述掩模版。

发明内容

以下呈现了一个或更多个实施例的简化概述，以便提供对实施例的基本理解。这一概述不是所有预期实施例的详尽综述，且不旨在示出所有实施例的关键或重要元件，也不旨在描绘任何或所有实施例的范围。其唯一目的是以简化的形式呈现一个或更多个实施例的一些构思，作为稍后呈现的更详细描述的序言。

根据一个方面，披露了一种系统，其中通过夹持结构和诸如被定位成面对所述夹持结构的掩模版之类的物品来产生温差。可以通过加热所述物品而不是所述夹持结构、通过冷却所述物品而不是所述夹持结构、通过加热所述夹持结构而不是所述物品、通过冷却所述夹持结构而不是所述物品、或通过物品和夹持结构的其它差别的加热/冷却来产生所述温差。

本发明的另外的特征和优点以及本发明的各实施例的结构和操作将参考附图在下文更详细地进行描述。注意到，本发明不限于本文描述的具体实施例。本文仅出于图示的目的来呈现这些实施例。基于本文包含的教导，相关领域的技术人员将明白另外的实施例。

附图说明

附图并入本文中并构成说明书的部分，图示了本发明，并与说明书一起进一步用于解释本发明的原理并使相关领域的技术人员能够制造和使用本发明。

图1示出了根据本发明的实施例的光刻设备。

图2是根据实施例的包括LPP源收集器模块的图1的设备的更详细视图。

图3是根据实施例的一个方面的用于使用清洁用基底和温差来清洁夹持结构表面的布置的非比例视图。

图4是根据实施例的一个方面的用于使用清洁用基底和温差来清洁夹持结构表面的另一布置的非比例视图。

图5是根据实施例的一个方面的用于使用清洁用基底和温差来清洁夹持结构表面的另一布置的非比例视图。

图6是根据实施例的一个方面的用于使用清洁用基底和温差来清洁夹持结构表面的另一布置的非比例视图。

图7是根据实施例的一个方面的用于使用清洁用基底和温差来清洁夹持结构表面的另一布置的非比例视图。

图8是根据实施例的一个方面的用于使用清洁用基底和温差来清洁夹持结构表面的另一布置的非比例视图。

图9是根据实施例的一个方面的用于使用清洁用基底和温差来清洁夹持结构表面的另一布置的非比例视图。

图10是根据实施例的一个方面的用于使用清洁用基底和温差来清洁夹持结构表面的另一布置的非比例视图。

图11是根据实施例的一个方面的用于使用清洁用基底和温差来清洁夹持结构表面的另一布置的非比例视图。

通过下面结合附图给出的详细描述，本发明的特征和优点将变得更加清楚，其中，相同的附图标记始终表示相应的元件。在附图中，相似的附图标记通常表示相同的、功能类似的、和/或结构类似的元件。

具体实施方式

本说明书公开了包括本发明特征的一个或更多个实施例。所公开的实施例仅仅举例说明了本发明。本发明的范围不限于所公开的实施例。本发明由所附权利要求限定。

所描述的实施例以及说明书中对“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的参考指示所描述的实施例可包括特定的特征、结构或特性，但每个实施例可能不一定包括所述特定的特征、结构或特性。而且，这些短语不一定指的是相同的实施例。此外，当结合实施例描述特定的特征、结构或特性时，应理解，无论是否被明确描述，结合其它实施例实现这样的特征、结构或特性都在本领域技术人员的知识范围内结合。

在下面的描述中以及在权利要求中，可以使用术语“上”、“下”、“顶部”、“底部”、“竖直”、“水平”以及类似术语。除非另有说明，否则这些术语旨在仅示出相对方向，而不是任何绝对方向，诸如相对于重力的方向。类似地，诸如左、右、前、后等的术语旨在仅给出相对的方向。

在更为详细地描述实施例之前，提出一个可以实施本发明的实施例的示例环境是有指导意义的。

图1示意性地示出了根据本发明实施例的光刻设备LAP，包括：源收集器模块SO。所述设备包括：照射系统(照射器)，所述照射系统被配置成调节辐射束B(例如EUV辐射)；支撑结构(例如掩模台)MT，所述支撑结构被构造为用以支撑图案形成装置(例如掩模或掩模版)MA并且连接至第一定位装置PM，所述第一定位装置PM被配置为准确地定位所述图案形成装置；衬底台(例如晶片台)WT，所述衬底台被构造为保持衬底(例如抗蚀剂涂覆的晶片)W，并且连接至第二定位装置PW，所述第二定位装置PW配置为准确地定位所述衬底；以及投影系统(例如反射投影透镜系统)PS，所述投影系统被配置成将由图案形成装置MA赋予辐射束PB的图案投射到衬底W的目标部分C(例如，包括一个或更多个管芯)上。

照射系统可包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件，或其任何组合，用于引导、成形或控制辐射。

所述支撑结构MT以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如例如图案形成装置是否保持在真空环境中等其它条件的方式保持图案形成装置MA。所述支撑结构能够采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置(例如相对于投影系统)位于所期望的位置上。

术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。被赋予辐射束的图案可以与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，诸如集成电路。

所述图案形成装置可以是透射型的或反射型的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程LCD面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜能够单独地倾斜，以便沿不同的方向反射入射的辐射束。被倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。

与照射系统类似，投影系统可以包括多种类型的光学部件，例如折射型、反射型、电磁型、静电型、或其它类型的光学部件，或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用真空之类的其它因素所适合的。可以期望将真空用于EUV辐射，因为气体可能会吸收太多的辐射。因此借助于真空壁和真空泵可以在整个束路径上提供真空环境。

如这里所描绘的，所述设备属于反射类型(例如，采用反射型掩模)。光刻设备可以是具有两个(双平台)或更多个衬底台(和/或两个或更多个掩模台)的类型。在这种“多平台”机器中，可以并行地使用额外的台，或者在一个或更多个台上执行准备步骤，而同时使用一个或更多个其它台用于曝光。

参照图1，所述照射器IL接收来自源收集器模块SO的极紫外线辐射束。用于产生EUV光的方法包括但不必限于将材料转换为等离子体状态，等离子状态的该材料具有在EUV范围内具备一个或更多个发射线的至少一种元素(例如氙、锂或锡)。在一种这样的方法中，通常称为激光产生等离子体(“LPP”)，所需的等离子体可以通过利用激光束来照射燃料而产生，燃料诸如是具有所需的线发射元素的材料的液滴、流或簇。所述源收集器模块SO可以是包括用于提供激光束并且激发燃料的激光器(图1中未示出)的EUV辐射系统的一部分。所形成的等离子体发射输出辐射，例如通过使用设置在源收集器模块内的辐射收集器而收集的EUV辐射。激光器和源收集器模块可以是分立的实体，例如当使用CO₂激光器来提供用于燃料激发的激光束时。

在这种情况下，借助于包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统，将所述辐射束从激光器传到源收集器模块。在其它情况下，源可以是源收集器模块的组成部分，例如当源是放电产生的等离子体EUV发生器时，通常称为DPP源。

所述照射器IL可以包括用于调整辐射束的角强度分布的调节器。通常，至少可以调整所述照射器的光瞳平面中的强度分布的外部径向范围及/或内部径向范围(通常分别称为σ-外部和σ-内部)。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，诸如琢面场和光瞳反射镜装置。所述照射器IL可以用于调节辐射束，以在其横截面中具有期望的均匀性和强度分布。

所述辐射束B入射到被保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且由所述图案形成装置来图案化。在正在从所述图案形成装置(例如掩模)MA反射之后，所述辐射束B传递穿过所述投影系统PS，所述投影系统PS将所述束聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位装置PW和位置传感器PS2(例如，干涉仪器件、线性编码器、或电容传感器)，可以准确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位在辐射束B的路径中。类似地，第一定位装置PM和另一位置传感器PS1可用于相对于辐射束B的路径准确地定位所述图案形成装置(例如，掩模)MA。可以使用掩模对准标记Ml、M2和衬底对准标记Pl、P2来对准图案形成装置(例如，掩模)MA和衬底W。

所描绘的设备可以用于若干模式中的至少一种。例如，在步进模式中，在使支撑结构(例如，掩模台)MT和衬底台WT保持基本上静止的同时，将被赋予至辐射束的整个图案一次性投影至目标部分C上(即，单次静态曝光)。接着，使衬底台WT在X和/或Y方向上移位，使得可以曝光不同的目标部分C。

在扫描模式中，在将被赋予至辐射束的图案投影至目标部分C上时，同步地扫描所述支撑结构(例如，掩模台)MT和衬底台WT(即，单次动态曝光)。可以通过投影系统PS的放大率(缩小率)和图像反转特性来确定衬底台WT相对于支撑结构(例如，掩模台)MT的速度和方向。

在另一模式中，在将被赋予至辐射束的图案投影至目标部分C上时，使支撑结构(例如，掩模台)MT保持大致静止，从而保持可编程图案形成装置，并且移动或扫描衬底台WT。在这种模式中，通常运用脉冲辐射源，并且在衬底台WT的每次移动之后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要来更新可编程图案形成装置。这种操作模式可以易于应用于利用可编程图案形成装置(诸如，可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术。

也可以采用上述使用模式或完全不同的使用模式的组合和/或变化。

图2更详细地示出了光刻设备LAP，包括源收集器模块SO、照射系统IL、和投影系统PS。源收集器模块SO被构造和布置成使得可以在源收集器模块的围封结构2中维持真空环境。

激光器4被布置成经由激光束6将激光能量淀积到从燃料供应8(有时被称为燃料流发生器)所提供的一定体积燃料中，诸如氙(Xe)、锡(Sn)或锂(Li)。激光能量淀积到燃料中在等离子体形成部位12处产生了高度电离的等离子体10，其电子温度为几十电子伏特(eV)。在这些离子的去激发和再结合过程中产生的高能辐射从等离子体10发射，由近正入射辐射收集器14收集和聚焦。激光器4和燃料供应8(和/或收集器14)可以一起被视为包括辐射源，特别是EUV辐射源。EUV辐射源可以被称为激光产生等离子体(LPP)辐射源。

可以设置第二激光器(未示出)，所述第二激光器被配置为在激光束6入射到所述一定体积燃料上之前预热或以其它方式预处理所述一定体积燃料。使用这种方法的LPP源可以称为双激光脉冲(DLP)源。

尽管未示出，所述燃料流发生器通常将包括喷嘴或与喷嘴连接，所述喷嘴被配置成沿着朝向等离子体形成部位12的轨迹引导燃料流(例如呈液滴的形式)。

由辐射收集器14反射的辐射B被聚焦在虚源点16处。虚源点16通常被称为中间焦点，并且所述源收集器模块SO被布置成使得中间焦点16位于围封结构2中的开口18处或附近。虚源点16是辐射发射等离子体10的图像。

随后，辐射B穿过照射系统IL，照射系统IL可以包括琢面场反射镜装置20和琢面光瞳反射镜装置22，其被布置成用以在图案形成装置MA处提供辐射束B的期望角分布，以及在图案形成装置MA处提供期望的辐射强度均匀性。当辐射束在由支撑结构MT所保持的图案形成装置MA处反射时，形成图案化束24，并且图案化光束24由投影系统PS经由反射元件26、28成像到由晶片台或衬底台WT所保持的衬底W上。

照射系统IL和投影系统PS中通常可以存在比所示更多的元件。此外，可能存在比图中所示更多的反射镜，例如，投影系统PS中可能存在比图2中所示更多的反射元件。

如本文所述的实施例可用于许多不同的光刻工具中(包括在极紫外(EUV)光刻装置中)的污染控制。EUV掩模版具有反射性，非常容易受到污染，并且很难使用手动工序进行清洁。

目前，夹持结构清洁/压印的方法通常在工具内的环境条件下进行。根据所披露实施例的一个方面，产生温差以促进粒子从所述夹持结构转移到物品。在物品是掩模版的情况下，在掩模版清洁/压印过程期间，所述温差促进粒子从所述夹持结构转移到所述掩模版。粒子在材料上的粘附性能依赖于温度，并且改变一个衬底相对于另一衬底的温度可以增加或减少粒子附着在表面上的力的强度。依赖于所涉及的粒子，可能需要加热/冷却所述掩模版、加热/冷却所述夹持结构、或这些的一些组合。

可以通过多种方式中的任一种来产生和/或维持所述温差。在下面的示例中，所述物品是掩模版，但是应该理解，示例可以适用于期望对夹持结构表面进行清洁的其它情形。例如，在夹持结构上有或没有掩模版的情况下，射频信号(例如，MHZ频率信号)可以被驱动穿过所述掩模版平台夹持结构，以在夹持结构中引起加热。然后在未被加热的条件下，所述掩模版将会被引入到所述夹持结构。

这种布置如图3所示。所述光刻设备包括由支撑结构(例如，掩模版平台)32构成的夹持结构30，所述支撑结构32被配置成使用例如机械、真空、静电或其它夹持技术来保持所述掩模版。所述支撑结构32具有被配置成支撑所述掩模版的对应部分的工作表面34。所述工作表面34可以设置有一组突节，在这种情况下，图3可以被视为示出所述突节中的一个突节。

如图3所示，工作表面34可能被粒子36污染。为了去除粒子，清洁用基底38(其可以是牺牲掩模版)被装载到所述夹持结构30上。例如，清洁用基底38在本文中将被称为清洁用掩模版，但是应理解，可以使用其它类型的衬底。在工作表面34的顶部与清洁用掩模版38的底部之间的压缩力，在夹持结构30是静电卡盘的情况下可以是静电力，使粒子36从工作表面34的顶部转移到清洁用掩模版38的底部。然后移开所述清洁用掩模版38，随所述清洁用掩模版带走污染物36。

在图3中也示出了用于控制所述夹持结构30的温度的模块40和用于控制所述掩模版38的温度的模块42。可以存在这两个模块或者只存在一个模块。这些模块可以是冷却模块，也可以是加热模块；或者一个模块可以是加热模块而另一个模块可以是冷却模块。模块40与所述夹持结构30热连通，即，所述模块40被布置成使得热可以在夹持结构30与模块40之间流动。所述热可以通过包括传导、对流和辐射的多种机制中的任一机制流动。类似地，所述模块42与掩模版38热连通，即，所述模块42被布置成使得热可以在所述掩模版38与所述模块42之间流动。此外，热可以通过包括传导、对流和辐射的多种机制中的任一机制流动。模块40和模块40在控制单元50的控制下操作。

作为另一示例，如图4所示，具有例如RF分量即射频分量的信号，可以被驱动穿过掩模版平台夹持结构30以在所述夹持结构30中引发加热。射频耦合单元52在所述控制单元50的控制下将射频能量耦合到所述夹持结构30中。可以在所述夹持结构30中包括阻抗以促使将能量耦合到所述夹持结构30中。RF分量可以被驱动通过掩模版平台夹持结构30，同时掩模版被夹持到该结构上以在所述夹持结构30与所述掩模版38之间的界面处引发加热。替代地，或者另外，RF信号可以用于在引入未被加热的掩模版之前、和/或在释放掩模版时加热所述夹持结构。

作为另一示例，如图5所示，当冷却剂(例如冷却水)到夹持结构30(从所述源56到耦合器54)的流动被阀58减少或禁用以在所述夹持结构30中引发加热时，EUV光可以被施加至夹持结构30。然后所述掩模版38可以在未被加热的条件下被引入至夹持结构30。此外，冷却水的温度可能会升高，从而导致加热。

作为另一示例，如图6所示，可以在掩模版38上放置高吸收涂层60以吸收EUV光，从而增加所述掩模版38的温度。可以在掩模版38位于夹持结构30上时进行此加热。将由所述掩模版38与所述夹持结构30之间的有限热阻来驱动温度梯度。

作为又一示例，如图7所示，当EUV光被聚焦到掩模版38上时，可以由控制单元50关闭气流(诸如来自掩模版38背侧上的背侧气体分配系统70的气流)。当掩模版38位于所述夹持结构30上时，可以执行该加热。将由所述掩模版38与所述夹持结构30之间的有限热阻来驱动所述温度梯度。

作为另一示例，如图8所示，在控制单元50的控制下，掩模版38附近的流体可以由加热器80从所述系统的外部加热，且然后流过所述掩模版38的前侧。将通过以这种方式加热所述掩模版38而不是所述夹持结构30来引发所述温度梯度。

作为另一示例，如图9所示，可以减少或关闭从冷却水供应件92到掩模版平台30的冷却水，且然后可以操作掩模版平台马达94以在掩模版平台90中产生热。将通过加热所述掩模版平台30来引发温度梯度。

作为另一示例，如图10所示，所述夹持结构30可以设置有位于工作表面34内的电阻加热器100，以控制所述夹持结构30中的局部温度。在工作表面设置有一组突节的情况下，电阻加热器可以位于一个或更多个突节中。

作为另一示例，如图11所示，专用掩模版38可以设置有内部温度控制模块110，诸如电池驱动的电阻加热器或电池驱动的冷却器。

所述掩模版38的背侧，即掩模版38的面向夹持结构30的表面，可以设置有聚合物涂层以便于清洁。通常，这种聚合物的粘附性质作为温度的函数而增加，且然后迅速地下降。上述加热和冷却系统可以用于控制所述聚合物涂层的温度，以供实现粒子污染物的最佳粘附。

还可以使用以下方面来描述实施例：

1.一种设备，包括：

清洁用基底；

夹持结构，所述夹持结构被配置成固定所述清洁用基底；以及

温度控制单元，所述温度控制单元与所述清洁用基底和所述夹持结构中的一个热连通，并且被配置成在所述清洁用基底和所述夹持结构之间引发温差。

2.根据方面1所述的设备，其中所述清洁用基底是清洁用掩模版。

3.根据方面2所述的设备，其中所述温度控制单元与所述清洁用掩模版热连通。

4.根据方面2所述的设备，其中所述温度控制单元与所述夹持结构热连通。

5.根据方面2所述的设备，其中所述温度控制单元与所述清洁用掩模版热连通，并且所述温度控制单元还包括与所述夹持结构热连通的第二温度控制单元。

6.根据方面2所述的设备，其中所述温度控制单元是用于将射频能量耦合到所述夹持结构中的模块。

7.根据方面2所述的设备，还包括冷却剂源，所述冷却剂源能够选择性地联接到所述夹具，并且其中所述夹具被布置成能够选择性地由辐射加热，所述温度控制单元包括用于控制所述冷却剂源与所述夹持结构之间的联接的阀。

8.根据方面7所述的设备，其中所述辐射是EUV辐射。

9.根据方面2所述的设备，其中所述温度控制单元包括位于所述清洁用掩模版的背离所述夹持结构的表面上的辐射吸收涂层，并且其中所述清洁用掩模版的表面被布置成能够选择性地受到辐射照射。

10.根据方面9所述的设备，其中加热辐射是EUV辐射。

11.根据方面2所述的设备，还包括气体系统，所述气体系统用于能够选择性地使气体流动跨越所述清洁用掩模版的背离所述夹持结构的表面，且其中所述温度控制单元包括用于控制所述气体系统以改变气体的流量的模块。

12.根据方面11所述的设备，其中所述温度控制单元包括用于控制上升气体系统以基本上阻止气体的流动的模块。

13.根据方面2所述的设备，还包括气体系统，所述气体系统用于能够选择性地使气体流动跨越所述清洁用掩模版的朝向所述夹持结构的表面，且其中所述温度控制单元包括用于加热所述气体的模块。

14.根据方面2所述的设备，还包括用于支撑所述清洁用掩模版的掩模版平台、用于驱动掩模版平台的至少一个马达，以及能够选择性地联接到所述掩模版平台的冷却剂源，其中所述温度控制单元包括用于操作所述至少一个马达以产生热的模块和用于控制所述冷却剂源与所述掩模版平台之间的联接的阀。

15.根据方面2所述的设备，其中所述温度控制单元包括所述夹持结构内的至少一个电阻加热器。

16.根据方面15所述的设备，其中所述夹持结构包括夹持表面，所述夹持表面包括多个凸起表面特征，并且其中所述温度控制单元包括位于所述多个凸起表面特征中的至少一些凸起表面特征中的至少一个电阻加热器。

17.根据方面2所述的设备，其中所述温度控制单元包括所述清洁用掩模版内的至少一个电阻加热器。

18.根据方面17所述的设备，其中所述清洁用掩模版包括电联接至所述电阻加热器电池。

19.根据方面2所述的设备，其中所述温度控制单元包括所述清洁用掩模版内的至少一个电冷却元件。

20.根据方面19所述的设备，其中清洁用掩模版包括电联接至所述电冷却元件电池。

21.一种从光刻系统中的夹持面去除粒子污染物的方法，所述方法包括以下步骤：

邻近于所述夹持面定位清洁用掩模版；

产生将所述清洁用掩模版压靠于所述夹持面上的力；以及

将所述清洁用掩模版从夹持面移开；

其中在所述清洁用掩模版与所述夹持面之间建立温差。

22.根据方面21所述的方法，其中在所述力产生步骤之后建立所述温差。

23.根据方面21所述的方法，其中在所述力产生步骤之前建立所述温差。

24.根据方面21所述的方法，其中所述夹持面是静电卡盘的夹持面，并且其中所述力产生步骤包括使所述静电卡盘通电。

虽然可以在本文对光刻设备在IC的制造中的使用进行了具体参考，但是，应该理解，本文所述的光刻设备可以具有其它应用，诸如集成光学系统的制造、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域技术人员将了解，在这种替代应用的情境下，本文使用的任何术语“掩模版”可以被认为分别与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。本文所指的衬底可以在曝光之前或之后例如在涂覆显影系统(一种典型地将抗蚀剂层施加到衬底上并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检查工具中进行处理。在可应用的情况下，可以将本文的公开内容应用于这种和其它衬底处理工具中。另外，所述衬底可以被处理一次以上，例如用于产生多层IC，使得本文使用的术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。

应当了解，具体实施方式部分而不是发明内容和摘要部分旨在用于解释权利要求。发明内容和摘要部分可以阐述由发明人所预期的一个或更多个但不是所有的本发明的示例性实施例，因此，并不旨在以任何方式限制本发明和所附权利要求。

上面已经借助于示出具体功能及其关系的实施方式的功能构建块描述了本发明。为了便于描述，本文随意地定义了这些功能构建块的边界。只要适当地执行具体功能及其关系，就可以定义替代边界。

具体实施例的前述描述将如此充分地揭示本发明的一般性质，在不背离本发明的整体构思且不进行过度实验的情况下，其它人可以通过应用本领域技术范围内的知识容易地针对各种应用修改和/或调适这些具体实施例。因此，基于本文展示的教导和指导，这些调适和修改旨在落入所公开实施例的等同方案的含义和范围内。应理解，本文的措辞或术语是出于描述而非限制的目的，使得本说明书的术语或措辞将由技术人员根据所述教导和指导来解释。

Claims (20)

1.一种设备，包括：

清洁用基底；

夹持结构，所述夹持结构被配置成固定所述清洁用基底；和

温度控制单元，所述温度控制单元与所述清洁用基底和所述夹持结构中的一个热连通，并且被配置成在所述清洁用基底和所述夹持结构之间引发温差。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述清洁用基底是清洁用掩模版。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述温度控制单元与所述清洁用掩模版热连通。

4.根据权利要求2所述的设备，其中所述温度控制单元与所述夹持结构热连通。

5.根据权利要求2所述的设备，其中所述温度控制单元与所述清洁用掩模版热连通，并且所述设备还包括与所述夹持结构热连通的第二温度控制单元。

6.根据权利要求2所述的设备，其中所述温度控制单元是用于将射频能量耦合到夹持结构中的模块。

7.根据权利要求2所述的设备，还包括冷却剂源，所述冷却剂源能够选择性地联接到所述夹具，并且其中所述夹具被布置成能够选择性地由辐射加热，所述温度控制单元包括用于控制所述冷却剂源与所述夹持结构之间的联接的阀。

8.根据权利要求7所述的设备，其中所述辐射是EUV辐射。

9.根据权利要求2所述的设备，其中所述温度控制单元包括位于所述清洁用掩模版的背离所述夹持结构的表面上的辐射吸收涂层，并且其中所述清洁用掩模版的所述表面被布置成能够选择性地受到辐射照射。

10.根据权利要求9所述的设备，其中加热辐射是EUV辐射。

11.根据权利要求2所述的设备，还包括气体系统，所述气体系统用于能够选择性地促使气体流动跨越所述清洁用掩模版的背离所述夹持结构的表面，且其中所述温度控制单元包括用于控制所述气体系统以改变气体的流量的模块。

12.根据权利要求11所述的设备，其中所述温度控制单元包括用于控制所述气体系统以基本上阻止气体的流动的模块。

13.根据权利要求2所述的设备，还包括气体系统，所述气体系统用于能够选择性地使气体流动跨越所述清洁用掩模版的面向所述夹持结构的表面，且其中所述温度控制单元包括用于加热所述气体的模块。

14.根据权利要求2所述的设备，还包括用于支撑所述清洁用掩模版的掩模版平台、用于驱动所述掩模版平台的至少一个马达，以及能够选择性地联接到所述掩模版平台的冷却剂源，其中所述温度控制单元包括用于操作所述至少一个马达以产生热的模块和用于控制所述冷却剂源与所述掩模版平台之间的联接的阀。

15.根据权利要求2所述的设备，其中所述温度控制单元包括位于所述夹持结构内的至少一个电阻加热器。

16.根据权利要求15所述的设备，其中所述夹持结构包括夹持表面，所述夹持表面包括多个凸起表面特征，并且其中所述温度控制单元包括位于所述多个凸起表面特征中的至少一些凸起表面特征中的至少一个电阻加热器。

17.根据权利要求2所述的设备，其中所述温度控制单元包括位于所述清洁用掩模版内的至少一个电阻加热器。

18.根据权利要求17所述的设备，其中所述清洁用掩模版包括电联接至所述电阻加热器的电池。

19.根据权利要求2所述的设备，其中所述温度控制单元包括位于所述清洁用掩模版内的至少一个电冷却元件。

20.根据权利要求19所述的设备，其中所述清洁用掩模版包括电联接至所述电冷却元件的电池。

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