TW202144910A - 清潔光遮罩的方法及清潔裝置 - Google Patents

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Abstract

在一種清潔光遮罩之方法中，將光遮罩放置於支撐件上，使得經圖案化表面面朝下，且將黏著片施加於該光遮罩之背面的邊緣。

Description

清潔光遮罩的方法及其設備
無
微影設備將圖案自圖案化裝置(例如，光遮罩)投射至設置於半導體基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。在光遮罩未使用(被儲存)或自儲存器轉移至微影設備(諸如步進機或掃描器)時，藉由將光遮罩放置於遮罩盒(艙)中而適當地保護光遮罩以免被諸如灰塵或微粒等污染物所污染。
無
應理解，以下揭示提供用於實施本揭示案之不同特徵的許多不同之實施例或實例。在下文描述組件及佈置之特定實施例或實例，以簡化本揭示案。當然，此些組件及佈置僅為示例且不意欲為限制性的。例如，元件之尺寸不限於所揭示之範圍或值，而是可取決於裝置之製程條件及/或所要性質。此外，在接下來之描述中第一特徵在第二特徵上方或之上形成可包括第一特徵與第二特徵直接接觸地形成之實施例，且亦可包括在第一特徵與第二特徵之間可形成額外特徵使得第一特徵與第二特徵可能不直接接觸的實施例。為了簡單及清楚起見，各種特徵可任意地按不同比例繪製。在附圖中，為簡單起見，可省去一些層/特徵。
另外，為便於描述，在本文可使用空間相關術語，諸如「下面」、「下方」、「下部」、「上方」、「上部」及類似者，來描述如圖中所示之一個元件或特徵與另一個(些)元件或特徵的關係。除了圖中繪示之取向之外，空間相關術語亦意欲涵蓋裝置在使用中或在操作中之不同取向。裝置可以其他方式取向(旋轉90度或採取其他取向)，且本文中使用之空間相關描述詞可同樣地相應地進行解釋。另外，術語「由……製成」可表示「包括」或「由……組成」。另外，在以下製造過程中，在所描述之操作之間可存在一或多個額外操作，且操作次序可改變。在本揭示案中，除非另外解釋，否則片語「A、B及C中之至少一者」表示A、B、C、A+B、A+C、B+C或A+B+C中之任一者，且不表示A中之一者、B中之一者及C中之一者。就一個實施例進行闡釋的材料、配置、尺寸及/或操作可應用於其他實施例，且可省去對其他實施例之詳細闡釋。
本揭示案大體上係關於極紫外(extreme ultraviolet；EUV)微影系統及方法。本文揭示之實施例係關於用於清潔極紫外(extreme ultraviolet；EUV)光遮罩的經改良之方法及設備。
在許多應用領域中需要防止顆粒物(亦即，灰塵、塵土等)污染相關物件，該些應用領域包括半導體製造中之應用，諸如極紫外微影。微影設備將圖案自圖案化裝置(例如，光遮罩或光罩)投射至設置於半導體基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。由微影設備使用來將圖案投射至基板上的輻射之波長決定了可在該基板上形成之特徵的最小尺寸。與相關微影設備(其可例如使用波長為193 nm之電磁輻射)相比，使用極紫外輻射(為波長在4 nm至20 nm之範圍內的電磁輻射)之微影設備可用於在基板上形成較小之特徵。
用薄膜保護圖案化裝置(光遮罩或光罩)不被微粒污染。薄膜位於遠離圖案化裝置處且在使用中在微影設備之焦平面外。由於薄膜在微影設備之焦平面外，因此落在薄膜上之污染微粒在微影設備中失焦。因此，污染微粒之圖像不會投射至基板上。若薄膜不存在，則落在圖案化裝置上之污染微粒將投射至基板上且將缺陷引入所投射圖案中。
具有或不具有薄膜之光遮罩在不使用時儲存於遮罩艙裝置中且遮罩艙裝置儲存於光遮罩庫(倉庫或儲存庫)中，且自光遮罩庫轉移至EUV微影設備(例如，EUV掃描器)。在本揭示案中，術語遮罩、光遮罩及光罩可互換使用。另外，術語抗蝕劑與光阻劑可互換使用。在一些實施例中，遮罩為反光遮罩。
第1圖示出根據本揭示案之一些實施例的具有雷射引發電漿(laser produced plasma；LPP) EUV輻射源之EUV微影系統的示意圖。EUV微影系統包括用於產生EUV輻射之EUV輻射源100 (EUV光源)、曝光裝置200 (諸如掃描器)及激發雷射源300。如第1圖中所示，在一些實施例中，EUV輻射源100及曝光裝置200安裝於清潔室之主層MF上，而激發雷射源300安裝於位於主層下方之底層BF中。EUV輻射源100及曝光裝置200中之每一者分別經由阻尼器DMP1及DMP2放置於台板PP1及PP2上方。EUV輻射源100與曝光裝置200藉由耦合機構而彼此耦合，該耦合機構可包括聚焦單元。在一些實施例中，微影系統包括EUV輻射源100及曝光裝置200。在一個特定實例中，EUV輻射源100產生具有中心處於約13.5 nm之波長的EUV光。在本實施例中，EUV輻射源100利用雷射引發電漿(laser-produced plasma；LPP)之機制來產生EUV輻射。
曝光裝置200包括各種反射光學組件，諸如凸面鏡/凹面鏡/平面鏡、包括遮罩台之遮罩固持機構，及晶圓固持機構，例如基板固持機構。藉由EUV輻射源100產生之EUV輻射藉由反射光學組件引導至固定於遮罩台上的遮罩上。在一些實施例中，遮罩台包括用於固定遮罩的靜電吸盤(e吸盤)。由於氣體分子吸收EUV光，因此將用於EUV微影圖案化之微影系統維持於真空或低壓環境中以避免EUV強度損失。參看第2圖來更詳細地描述曝光裝置200。在一些實施例中，將光罩轉移至曝光裝置200中。如所述，曝光裝置200維持於真空環境下，且光罩安裝於基板上方，其中光阻層設置於基板上。光罩具有安裝於光罩上方之薄膜。在將具有薄膜之光罩轉移至曝光裝置200之後，經由安裝固定件(框架)中之孔使光罩與薄膜之間的圍封空間中之氣壓與曝光裝置200之真空環境等壓。藉由光學組件引導由EUV輻射源100產生之EUV輻射以將遮罩投射至基板之光阻層上。在一些實施例中，在基板之光阻層上之遮罩曝光之後，將具有薄膜之光罩轉移至曝光裝置200外。在將具有薄膜之光罩轉移到曝光裝置200外之後，經由安裝夾具中之孔使光罩與薄膜之間的圍封空間中之氣壓與曝光裝置200外部之大氣壓等壓。
曝光裝置200包括投射光學模組，該投射光學模組用於將遮罩之圖案投射至上面塗佈有抗蝕劑之半導體基板上，該半導體基板固定於曝光裝置200之基板台上。投射光學模組大體上包括反射光學裝置。藉由投射光學模組收集自遮罩引導之EUV輻射(EUV光)，該EUV輻射攜載在遮罩上界定之圖案的圖像，藉此在抗蝕劑上形成圖像。
如第1圖中所示，EUV輻射源100包括藉由腔室105圍封之液滴產生器115及LPP收集鏡110。液滴產生器115產生複數個目標液滴DP，經由噴嘴117將該些目標液滴供應至腔室105中。在一些實施例中，目標液滴DP為錫(Sn)、鋰(Li)或Sn與Li之合金。在一些實施例中，目標液滴DP各自具有在約10微米(µm)至約100 µm之範圍內的直徑。例如，在一實施例中，目標液滴DP為錫液滴，該些液滴各自具有約10 µm、約25 µm、約50 µm之直徑，或在此些值之間的任何直徑。在一些實施例中，經由噴嘴117以約每秒50個液滴(亦即，約50 Hz之噴射頻率)至約每秒50,000個液滴(亦即，約50 kHz之噴射頻率)之範圍內的速率來供應目標液滴DP。例如，在一實施例中，以約50 Hz、約100 Hz、約500 Hz、約1 kHz、約10 kHz、約25 kHz、約50 kHz之噴射頻率或此些頻率之間的任何噴射頻率來供應目標液滴DP。在各種實施例中，目標液滴DP以約10米每秒(m/s)至約100m/s之範圍內的速度噴射穿過噴嘴117且噴射至激發區ZE (例如，目標液滴位置)。例如，在一實施例中，目標液滴DP之速度為約10 m/s、約25 m/s、約50 m/s、約75m/s、約100 m/s，或此些速度之間的任何速度。
藉由激發雷射源300產生之激發雷射束LR2為脈衝束。雷射束LR2之雷射脈衝由激發雷射源300產生。激發雷射源300可包括雷射產生器310、雷射引導光學裝置320及聚焦設備330。在一些實施例中，雷射產生器310包括具有在電磁光譜之紅外區中之波長的二氧化碳(CO2 )或摻釹釔鋁石榴石(Nd:YAG)雷射源。例如，在一實施例中，雷射源310之波長為9.4 µm或10.6 µm。藉由激發雷射源300產生之雷射光束LR0藉由雷射引導光學裝置320引導且藉由聚焦設備330聚焦至激發雷射束LR2中，該激發雷射束被引入至EUV輻射源100中。在一些實施例中，除了CO2 及Nd:YAG雷射之外，亦藉由以下各類雷射來產生雷射束LR2：氣體雷射，包括準分子氣體放電雷射、氦氖雷射、氮雷射、橫激大氣壓(transversely excited atmospheric；TEA)雷射、氬離子雷射、銅蒸氣雷射、KrF雷射或ArF雷射；或固態雷射，包括Nd:玻璃雷射、摻釔玻璃或陶瓷雷射或紅寶石雷射。在一些實施例中，亦藉由激發雷射源300來產生非離子化雷射束LR1，且亦藉由聚焦設備330來使雷射束LR1聚焦。
在一些實施例中，激發雷射束LR2包括預熱雷射脈衝及主雷射脈衝。在此類實施例中，使用預熱雷射脈衝(本文中可互換地稱為「預脈衝」)來加熱(或預熱)給定之目標液滴以產生具有多個較小液滴的低密度目標羽狀流，隨後藉由來自主雷射之脈衝(主脈衝)來加熱(或再次加熱)該目標羽狀流，藉此與在不使用預熱雷射脈衝時相比，產生EUV光之增強發射。
在各種實施例中，預熱雷射脈衝之點尺寸為約100 µm或更小，且主雷射脈衝之點尺寸在約150 µm至約300 µm之範圍內。在一些實施例中，預熱雷射及主雷射脈衝之脈衝持續時間在約10 ns至約50 ns之範圍內且脈衝頻率在約1 kHz至約100 kHz之範圍內。在各種實施例中，預熱雷射及主雷射之平均功率在約1千瓦(kW)至約50 kW之範圍內。在一實施例中，激發雷射束LR2之脈衝頻率與目標液滴DP之噴射頻率匹配。
將雷射束LR2引導穿過窗(或透鏡)進入激發區ZE中。窗採用實質上能透過雷射束之合適材料。使雷射脈衝產生與目標液滴DP經由噴嘴117噴射同步。在目標液滴移動通過激發區時，預脈衝加熱目標液滴且將其轉變為低密度目標羽狀流。控制預脈衝與主脈衝之間的延遲以允許目標羽狀流形成且擴展為最佳之尺寸及幾何形狀。在各種實施例中，預脈衝及主脈衝具有相同之脈衝持續時間及峰值功率。當主脈衝加熱目標羽狀流時，產生高溫電漿。該電漿發射EUV輻射，藉由收集鏡110收集該EUV輻射。收集鏡110 (亦即，EUV收集鏡)進一步對EUV輻射反射且聚焦以用於經由曝光裝置200執行之微影曝光製程。不與雷射脈衝相互作用之液滴DP藉由液滴捕集器85捕獲。
第2圖示出根據本揭示案之一些實施例的EUV微影(EUV lithography；EUVL)曝光工具的示意圖。第2圖之EUVL曝光工具包括曝光裝置200，該曝光裝置示出使用EUV光之經圖案化束對塗佈有光阻劑之基板(亦即，目標半導體基板210)曝光。曝光裝置200為積體電路微影工具，諸如步進機、掃描器、步進與掃描系統、直寫系統、使用接觸及/或接近遮罩之裝置等，該積體電路微影工具具有(例如)用於用EUV光之束照射圖案化光學裝置(諸如光罩，例如反射遮罩205c)以產生經圖案化之束的一或多個光學裝置205a、205b及用於將經圖案化之束投射至目標半導體基板210上的一或多個縮減投射光學裝置205d、205e。可提供用於使目標半導體基板210與圖案化光學裝置(例如，反射遮罩205c)之間產生受控之相對移動的機械總成(未圖示)。如進一步所示，第2圖之EUVL曝光工具進一步包括EUV輻射源100，該EUV輻射源包括在腔室105中發射EUV光之激發區ZE處的電漿羽狀流23，該電漿羽狀流藉由收集鏡110收集且反射至曝光裝置200中以照射目標半導體基板210。在一些實施例中，遮罩艙裝置10係根據標準機械介面(Standard Mechanical Interface；SMIF)標準來設計及製造，諸如RSP200艙。
第3圖示出EUV光遮罩12儲存於其中的遮罩艙裝置10之配置。EUV光遮罩12包括基板12-1、多個交替之矽層與鉬層組成之多層Mo/Si堆疊12-2、覆蓋層12-3、吸收層12-4及形成於基板12-1之背面上的背面導電層12-5。
在一些實施例中，基板12-1由低熱膨脹材料形成。在一些實施例中，基板為低熱膨脹玻璃或石英，諸如熔融矽石或熔融石英。在一些實施例中，低熱膨脹玻璃基板能透射處於可見波長、在可見光譜附近之一部分紅外波長(近紅外)及一部分紫外波長之光。在一些實施例中，低熱膨脹玻璃基板吸收極紫外波長及在極紫外附近之深紫外波長。在一些實施例中，基板10之尺寸為152 mm × 152 mm (或150 mm × 150 mm)，具有約20 mm之厚度。基板12-1之形狀為正方形或矩形。
在一些實施例中，Mo/Si多層堆疊12-1包括約30個各為矽層及鉬層之交替層至約60個各為矽層及鉬層之交替層。在某些實施例中，形成約40個至約50個各為矽層及鉬層之交替層。在一些實施例中，對於相關波長(例如，13.5 nm)，反射率高於約70%。每一矽層及鉬層厚約2 nm至約10 nm。在一些實施例中，矽層與鉬層具有大致相同之厚度。在其他實施例中，矽層與鉬層具有不同厚度。在一些實施例中，每一矽層之厚度為約4 nm，且每一鉬層之厚度為約3 nm。
在一些實施例中，覆蓋層12-3設置於Mo/Si多層12-2上方以防止多層堆疊12-2之氧化。在一些實施例中，覆蓋層12-3由釕、釕合金(例如，RuNb、RuZr、RuZrN、RuRh、RuNbN、RuRhN、RuV或RuVN)或釕基氧化物(例如，RuO2 、RuNbO、RiVO或RuON)製成，具有約2 nm至約10 nm之厚度。
吸收層12-4設置於覆蓋層12-3上方，且在其中形成電路圖案。在一些實施例中，吸收層25為Ta基材料。在一些實施例中，吸收層12-4由TaN、TaO、TaB、TaBO或TaBN製成，具有約25 nm至約100 nm之厚度。在某些實施例中，吸收層12-4之厚度為約50 nm至約75 nm。在其他實施例中，吸收層12-4包含Cr基材料，諸如CrN、CrO及/或CrON。在一些實施例中，吸收層12-4具有CrN、CrO及/或CrON之多層結構。在一些實施例中，抗反射層(未圖示)視情況地設置於吸收層12-4上方。在一些實施例中，抗反射層由氧化矽製成，且厚度為約2 nm至約10 nm。在其他實施例中，將厚度在約12 nm至約18 nm之範圍內的TaBO層用作抗反射層。在一些實施例中，抗反射層之厚度為約3 nm至約6 nm。
在一些實施例中，背面導電層12-5由TaB (硼化鉭)或其他Ta基導電材料製成。在其他實施例中，背面導電層45由Cr基導電材料(CrN或CrON)製成。在一些實施例中，背面導電層45之厚度在約50 nm至約400 nm之範圍內。在其他實施例中，背面導電層45之厚度為約50 nm至約100 nm。在某些實施例中，厚度係在約65 nm至約75 nm之範圍內。
遮罩艙裝置10包括外艙15及藉由外艙15圍封之內艙16。外艙15包括上殼15-1及底殼15-2，且內艙包括上蓋16-1及底蓋16-2。如第3圖中所示，EUV光遮罩12面朝下放置於內艙中(吸收層面朝底蓋16-2)。為了便於說明，薄膜未示出為安裝於經圖案化之表面(吸收層)上方。然而，請注意，薄膜安裝於光遮罩12上方。
內艙16之底蓋16-2包括用於支撐光遮罩12之正面的一或多個支撐件16-3，且內艙16之上蓋16-1包括用於支撐光遮罩12之背面的一或多個約束支撐件16-4。在一些實施例中，如第4圖中所示，該圖為自光遮罩之背面觀看的視圖，四個約束支撐件16-4支撐光遮罩12之四個角。
第5圖示出在上蓋16-2閉合且約束支撐件16-4與光遮罩12接觸時的截面圖。請注意，第5圖為倒置的，不同於第3圖。
EUV光遮罩12及遮罩艙裝置具有特定之形狀及尺寸。例如，如第5圖中所示，四個角為圓形的，具有約2 mm至約3 mm之半徑，且主表面與側表面之間的邊被斜切掉之量為約0.2 mm至約0.6 mm。如第5圖中所示，斜切角為約45度。相比之下，如第5圖中所示，約束支撐件16-4具有與光遮罩之斜切邊緣接觸的傾斜表面，但具有34.4度之角。由於角度之差異，光遮罩之斜切角可能會損壞或戳到約束支撐件16-4中，而產生微粒18。在光遮罩安裝於EUV微影設備中之遮罩台上時，此類微粒可能會影響光遮罩12之平面度。為了清潔光遮罩，已使用鼓風機或清潔擦拭器，但其可僅自光遮罩之平坦表面移除微粒。因此，需要自光遮罩12之邊緣或背面有效地移除微粒。
根據本揭示案之實施例，使用如第6圖中所示之清潔裝置20A來移除光遮罩12之邊緣或背面上的微粒。在一些實施例中，如第6圖中所示，清潔裝置20A包括附接至主體24A或24B之黏著或黏性片或帶22。在一些實施例中，黏著片22包括彈性體或膠性材料。在一些實施例中，黏著片22由矽酮、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯共聚物或任何其他合適之黏著材料製成。
在一些實施例中，黏著片22設置於主體24A或24B之至少一個主表面上。在一些實施例中，主體24A具有立方體形狀，且黏著片22附接至主體24A之平坦主表面。在其他實施例中，主體24B具有至少一個彎曲表面(凸的或凹的)，黏著片22附接於該彎曲表面上。另外，在一些實施例中，操縱手柄28 (參見第9圖)經由桿26附接至主體24。如第6圖中所示，清潔裝置20A之黏著片22自光遮罩12之背面施加於光遮罩12之背面的斜切邊緣。
在一些實施例中，藉由打開或移除上蓋16-1將光遮罩12放置於底蓋16-2之支撐件16-3上，且在其他實施例中，光遮罩12放置於另一個支撐桌或台上。如第6圖中所示，藉由將清潔裝置20沿著及/或跨越光遮罩12之邊緣滑動來移除光遮罩12之邊緣上的微粒。在一些實施例中，黏著片22之主表面相對於光遮罩12之背面傾斜了在約0度至約90度之範圍內的角度θ。在其他實施例中，角度θ係在約30度至約75度之範圍內，且在某些實施例中，角度θ係在約40度至約50度之範圍內。在一些實施例中，清潔裝置20A係手動地操作，且在其他實施例中，係機械地操作。藉由調整該角度，可清潔正面及側面處之斜切邊緣。在一些實施例中，不藉由清潔裝置20A來處理背面處之斜切邊緣。
在一些實施例中，黏著片22之厚度係在約1 mm至約5 mm之範圍內。在一些實施例中，可用新黏著片來替換黏著片22。
在一些實施例中，主體24A、24B由彈性材料(諸如橡膠或海綿)製成。在黏著片施加於光遮罩12時，主體24A、24B之彈性材料可對黏著片22施加適當之壓力，如此提高了微粒移除效率。當黏著片21具有足夠之彈性時，主體24A、24B可由非彈性材料(諸如玻璃、塑膠、陶瓷或金屬)製成。
第7圖示出根據本揭示案之一實施例的清潔裝置及清潔操作的配置。就以上實施例進行闡釋的材料、配置、尺寸及/或操作可應用於以下實施例，且可省去對以下實施例之詳細闡釋。
在一些實施例中，如第7圖中所示，清潔裝置20B包括附接至主體24C之黏著或黏性片或帶22。在一些實施例中，黏著片22包括彈性體或膠性材料。在一些實施例中，黏著片22由矽酮、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯共聚物或任何其他合適之黏著材料製成。在一些實施例中，主體24C具有圓柱形形狀，黏著片22捲繞在該圓柱形形狀上。另外，在一些實施例中，操縱手柄28 (參見第9圖)經由桿26附接至主體24。
如第7圖中所示，清潔裝置20B之黏著片22自光遮罩12之背面施加於光遮罩12之背面的斜切邊緣。在一些實施例中，手動地或機械地使主體24C沿著桿26之軸線性地移動。
第8圖示出根據本揭示案之一實施例的清潔裝置及清潔操作的配置。就以上實施例進行闡釋的材料、配置、尺寸及/或操作可應用於以下實施例，且可省去對以下實施例之詳細闡釋。
在一些實施例中，如第8圖中所示，清潔裝置20C為旋轉類型的，其中具有黏著片22之主體24C繞著桿26之軸旋轉。在一些實施例中，如第9圖中所示，藉由設置於手柄28中之驅動機構27 (諸如馬達)使該桿旋轉。在一些實施例中，如第7圖中所示，驅動機構27亦使桿26以往復方式線性地移動。在一些實施例中，桿26之移動速度及方向為可調的。在一些實施例中，桿26為可撓性的且可彎曲以適應光遮罩12之斜切邊緣。在一些實施例中，驅動機構27亦經由桿26對主體施加振動。在一些實施例中，該振動處於超音波範圍內，且在其他實施例中，該振動為約1 Hz至10 kHz。
第10圖示出根據本揭示案之一實施例的清潔裝置及清潔操作的配置。就以上實施例進行闡釋的材料、配置、尺寸及/或操作可應用於以下實施例，且可省去對以下實施例之詳細闡釋。
第10圖示出根據本揭示案之另一實施例的清潔裝置。在一些實施例中，在第10圖中所示之清潔裝置20D中，黏著片或帶22A捲繞在第一桿或主體26-1上，且黏著片或帶22A之一端附接至第二桿或主體26-2，使得藉由使第二桿或主體26-2旋轉，黏著片或帶22A自第一桿或主體26-1釋離且捲繞在第二桿或主體26-2上。將黏著片或帶22A施加於光遮罩12之邊緣以移除微粒。將黏著片或帶22A的用過之部分轉移至第二桿或主體26-2，因此黏著片或帶22A的新的且未用過之部分可施加於光遮罩12的下一個清潔部分。
在一些實施例中，第二桿或主體26-2之旋轉或黏著片或帶22A之移動為連續的。在其他實施例中，第二桿或主體26-2之旋轉或黏著片或帶22A之移動為逐步進行的。例如，在清潔了光遮罩12的四條邊中之一個邊緣之後，藉由第二桿或主體26-2之旋轉移動來更新黏著片或帶22A。在其他實施例中，在一定時間間隔之後更新黏著片或帶22A。
在一些實施例中，類似於第9圖，至少第二桿或主體26-2耦接至驅動機構27 (諸如馬達)，以控制第二桿或主體26-2之旋轉操作。在其他實施例中，第一桿或主體26-1亦經由一或多個齒輪耦接至另一馬達或同一個馬達。在一些實施例中，旋轉速度為可調的。在一些實施例中，驅動機構27亦經由桿26對主體施加振動。在一些實施例中，該振動處於超音波範圍內，且在其他實施例中，該振動為約1 Hz至10 kHz。
在一些實施例中，黏著片或帶22A之主表面相對於光遮罩12之背面傾斜了在約0度至約90度之範圍內的角度θ’。在其他實施例中，角度θ’係在約30度至約75度之範圍內，且在某些實施例中，角度θ’係在約40度至約50度之範圍內。藉由調整該角度，可清潔正面及側面處之斜切邊緣。在一些實施例中，不藉由清潔裝置20D來處理背面處之斜切邊緣。
在一些實施例中，如第11圖中所示，第10圖中所示之角度θ’及第6圖至第8圖中所示之角度θ可藉由安裝夾具30來調整或改變。在一些實施例中，安裝夾具30包括：具有弧形部分之底板，該弧形部分可為底板之外周邊或形成於底板中之弧形狹槽；及沿著該弧形部分移動之可移動板32。可移動部分32耦接至清潔裝置20或20A，且藉由使可移動板32沿著弧形部分移動，可改變角度θ’或θ。
在一些實施例中，安裝夾具30包括一或多個馬達、齒輪或用於改變角度θ’或θ之任何其他機構。另外，安裝夾具30亦用以改變整個清潔裝置(黏著片)相對於光遮罩12之位置。
在一些實施例中，安裝夾具30附接或可附接至艙安裝裝置40。如第3圖中所示，將EUV光遮罩安裝於內艙16上，且將內艙16安裝於外艙15上，且將內艙自外艙卸下，且將光遮罩自內艙卸下。在一些實施例中，此些安裝及卸下操作藉由艙安裝裝置40執行。在一些實施例中，將光遮罩安裝於內艙16上及將光遮罩自內艙16卸下之操作藉由與用於將內艙16安裝於外艙15上及將內艙16自外艙15卸下之操作的艙安裝裝置不同的艙安裝裝置執行。
在一些實施例中，在將上蓋16-4自內艙移除以暴露光遮罩12之背面之後，將清潔裝置施加於光遮罩12之背面的斜切邊緣。當安裝夾具30附接至艙安裝裝置40時，清潔光遮罩12之斜切邊緣係有效的。在一些實施例中，藉由使用被程式設計為控制安裝夾具30及清潔裝置20及20A的一或多個控制電路來機械地及自動地執行清潔。
在其他實施例中，安裝夾具30附接或可附接至用於清潔目的之另一獨立台。
在一些實施例中，如第12圖中所示，將黏著片22B手動地施加於光遮罩12之背面的斜切邊緣。
在一些實施例中，清潔裝置包括主體28及具有框架形狀及傾斜表面之可撓性支撐件，且黏著片或帶附接於傾斜表面(施加表面)上。該傾斜表面具有傾斜角θ，在一些實施例中，該傾斜角為約40度至50度，且在某一實施例中，角θ為45度。在一些實施例中，可撓性支撐件具有比黏著片大或小之可撓性。在一些實施例中，可撓性支撐件包括橡膠、海綿、聚合物或其他合適材料。在一些實施例中，黏著片之厚度係在約0.5 mm至約5 mm之範圍內，且在約1 mm至約3 mm之範圍內。
在使用中，將清潔裝置自上方施加於光遮罩12之背面，使得黏著片接觸光遮罩12之斜切邊緣。將清潔裝置壓到光遮罩12上，使得可撓性支撐件變形。藉由重複對清潔裝置之按壓及拆卸，清潔光遮罩12之邊緣。在一些實施例中，清潔裝置12在自光遮罩12拆卸之後旋轉90度或180度。在將清潔裝置壓到光遮罩上期間，可施加如上所述之振動。在一些實施例中，可撓性主體由用於膠帶之材料製成，且由矽酮、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯共聚物或任何其他合適之黏著材料製成。在此類情況下，膠帶並非必要的。在一些實施例中，藉由自動機械結構將清潔裝置施加於光遮罩12。
第13A圖及第13B圖示出根據本揭示案之實施例的清潔EUV光遮罩之過程流程。
在第13A圖中，在EUV光遮罩用於EUV微影設備中之後，將EUV光遮罩自EUV微影設備卸下。在一些實施例中，在真空狀態下將EUV光遮罩載入至內艙中。隨後，將內艙自真空設備卸下，且載入至遮罩艙裝置之外艙中。隨後，將遮罩艙裝置裝載於艙拆卸裝置上，且移除外艙及內艙。在一些實施例中，在光遮罩載入於內艙中之前，移除薄膜。隨後，在一些實施例中，對光遮罩進行清潔操作。在一些實施例中，清潔操作包括藉由濕及/或乾清潔來清潔整個光遮罩。在一些實施例中，清潔操作包括如上所述清潔光遮罩之背面的斜切邊緣。在清潔操作之後，將光遮罩載入於遮罩庫或倉庫中。
在第13B圖中，在使用EUV光遮罩時，將光遮罩自遮罩庫或倉庫卸下且隨後對其進行清潔操作。在一些實施例中，清潔操作包括藉由濕及/或乾清潔來清潔整個光遮罩。在一些實施例中，清潔操作包括如上所述清潔光遮罩之背面的斜切邊緣。在清潔操作之前，若薄膜未安裝於光遮罩上方，則薄膜安裝於光遮罩上方。隨後，將光遮罩載入於內艙中，且將內艙載入於外艙中，且將遮罩艙裝置轉移至EUV微影設備。在真空狀態下將內艙自外艙移除，且將內艙轉移至微影設備。在EUV微影設備中，光遮罩在真空下自內艙卸下，且置於EUV微影設備之遮罩台上。
根據本揭示案之實施例，黏著片或帶可有效地移除EUV光遮罩之背面之斜切邊緣上的微粒。由於黏著片或帶之成本相對較低，因此可壓低清潔成本。雖然闡釋了用於EUV光遮罩之清潔方法，但本揭示案之清潔方法可應用於清潔任何類型之光遮罩，例如，用於深UV微影或UV微影之光遮罩，或不具有斜切邊緣之光遮罩。
應理解，在本文中不一定論述了所有優點，所有實施例或實例不要求特定優點，且其他實施例或實例可提供不同之優點。
根據本揭示案之一些實施例，在一種清潔光遮罩之方法中，將該光遮罩放置於支撐件上，使得經圖案化表面面朝下，且將黏著片施加於該光遮罩之背面的邊緣。在之前或以下實施例中之一或多者中，該光遮罩之該背面的該些邊緣為斜切邊緣。在之前或以下實施例中之一或多者中，該黏著片由矽酮製成。在之前或以下實施例中之一或多者中，該黏著片由苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物或苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯共聚物製成。在之前或以下實施例中之一或多者中，該黏著片附接至主體。在之前或以下實施例中之一或多者中，該主體由彈性材料製成。在之前或以下實施例中之一或多者中，施加該黏著片包括在該黏著片與該些邊緣接觸時移動該主體。在之前或以下實施例中之一或多者中，該移動包括線性移動。
根據本揭示案之另一態樣，在一種清潔光遮罩之方法中，將光遮罩載入於內艙中，將內艙載入於外艙中，打開外艙，打開內艙，使得將光遮罩放置於該內艙之底蓋上方，其中經圖案化表面面朝下，且在光遮罩放置於內艙之底蓋上方時，將黏著片施加於光遮罩之背面的邊緣。在之前或以下實施例中之一或多者中，黏著片附接至主體之表面，且主體藉由桿耦接至手柄，且在施加黏著片之過程中，操作該手柄以清潔光遮罩之背面的邊緣。在之前或以下實施例中之一或多者中，該主體具有圓柱形形狀，且黏著片捲繞在該主體上。在之前或以下實施例中之一或多者中，施加該黏著片包括使該主體旋轉。在之前或以下實施例中之一或多者中，該主體具有彎曲表面，且黏著片附接至該彎曲表面。在之前或以下實施例中之一或多者中，施加該黏著片包括對該主體施加振動。在之前或以下實施例中之一或多者中，該振動係在超音波範圍內。在之前或以下實施例中之一或多者中，不藉由黏著片清潔經圖案化表面之邊緣。
根據本揭示案之另一態樣，一種用於自EUV光遮罩之背面的邊緣移除微粒之清潔裝置包括：第一主體，膠帶捲繞在該第一主體上；第二主體，該膠帶之一端附接至該第二主體；及驅動機構，用於使該第二主體旋轉。該膠帶由以下各者中之一者製成：矽酮；苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物；或苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯共聚物。在之前或以下實施例中之一或多者中，該清潔裝置進一步包括安裝夾具，該安裝夾具用以改變該膠帶之表面與該光遮罩之背面之間的角度。在之前或以下實施例中之一或多者中，該安裝夾具附接至遮罩艙安裝-拆卸裝置。在之前或以下實施例中之一或多者中，該驅動機構用以調整該第二主體之旋轉速度。
前文概述了若干實施例或實例之特徵，使得熟習此項技術者可更好地理解本揭示案之態樣。熟習此項技術者將瞭解，其可容易地使用本揭示案作為依據來設計或修改用於實現相同目的及/或達成本文中介紹之實施例或實例之相同優點的其他方法及結構。熟習此項技術者亦將認識到，此類等效構造不脫離本揭示案之精神及範疇，且熟習此項技術者可在不脫離本揭示案之精神及範疇的情況下於此進行各種改變、替代及更改。
10:遮罩艙裝置 12:EUV光遮罩 12-1:基板 12-2:多層堆疊 12-3:覆蓋層 12-4:吸收層 12-5:背面導電層 15:外艙 15-1:上殼 15-2:底殼 16:內艙 16-1:上蓋 16-2:底蓋 16-3:支撐件 16-4:約束支撐件 18:微粒 2;20A;20B;20C;20D:清潔裝置 22;22A;22B:黏著片或帶 23:電漿羽狀流 24;24A;24B;24C:主體 26:桿 26-1:第一桿或主體 26-2:第二桿或主體 27:驅動機構 28:手柄 32:可移動板 85:液滴捕集器 100:EUV輻射源 105:腔室 115:液滴產生器 117:噴嘴 200:曝光裝置 205a;205b; 205d;205e:光學裝置 205c:反射遮罩 210:目標半導體基板 300:激發雷射源 310:雷射產生器 320:雷射引導光學裝置 330:聚焦設備 BF:底層 DMP1;DMP2:阻尼器 DP:目標液滴 LR0:雷射光束 LR1:非離子化雷射束 LR2:激發雷射束 MF:主層 PP1;PP2:台板 ZE:激發區
在結合附圖閱讀時，自以下詳細說明將能最好地理解本揭示案之態樣。請注意，根據業界之標準做法，各種特徵未按比例繪製。實際上，為了便於討論，各種特徵之尺寸可任意地增大或減小。 第1圖為根據本揭示案之一些實施例建構的具有雷射引發電漿(laser produced plasma；LPP)極紫外(extreme ultraviolet；EUV)輻射源之EUV微影系統的示意圖。 第2圖為根據本揭示案之實施例的EUV微影系統曝光工具的示意圖。 第3圖為遮罩艙裝置之示意性截面圖。 第4圖示出遮罩艙裝置之約束支撐件的配置。 第5圖示出在光遮罩與約束支撐件接觸時之配置。 第6圖示出根據本揭示案之一實施例的清潔裝置及清潔操作的配置。 第7圖示出根據本揭示案之一實施例的清潔裝置及清潔操作的配置。 第8圖示出根據本揭示案之一實施例的清潔裝置及清潔操作的配置。 第9圖示出根據本揭示案之一實施例的清潔裝置的配置。 第10圖示出根據本揭示案之一實施例的清潔裝置及清潔操作的配置。 第11圖示出根據本揭示案之一實施例的清潔裝置及清潔操作的配置。 第12圖示出根據本揭示案之一實施例的清潔操作之手動操作。 第13A圖及第13B圖示出根據本揭示案之實施例的清潔EUV光遮罩的過程流程。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
12:EUV光遮罩
16-2:底蓋
16-3:支撐件
20D:清潔裝置
22A:黏著片或帶
26-1:第一桿或主體
26-2:第二桿或主體

Claims (20)

  1. 一種清潔一光遮罩之方法，該方法包括以下步驟： 將該光遮罩放置於一支撐件上，使得該光遮罩之一經圖案化表面面朝下；及 將一黏著片施加於該光遮罩之一背面的複數個邊緣。
  2. 如請求項1所述之方法，其中該光遮罩之該背面的該些邊緣為斜切邊緣。
  3. 如請求項1所述之方法，其中該黏著片由矽酮製成。
  4. 如請求項1所述之方法，其中該黏著片由苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物或苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯共聚物製成。
  5. 如請求項1所述之方法，其中該黏著片附接至一主體。
  6. 如請求項5所述之方法，其中該主體由一彈性材料製成。
  7. 如請求項5所述之方法，其中該施加該黏著片包括在該黏著片與該些邊緣接觸時移動該主體。
  8. 如請求項7所述之方法，其中該移動包括一線性移動。
  9. 一種清潔一光遮罩之方法，該方法包括以下步驟： 將該光遮罩載入於一內艙中； 將該內艙載入於一外艙中； 打開該外艙； 打開該內艙，使得將該光遮罩放置於該內艙之一底蓋上方，其中該光遮罩之一經圖案化表面面朝下；及 在該光遮罩放置於該內艙之該底蓋上方時，將一黏著片施加於該光遮罩之一背面的複數個邊緣。
  10. 如請求項9所述之方法，其中： 該黏著片附接至一主體之一表面，且該主體藉由一桿耦接至一手柄，且 施加該黏著片包括操作該手柄以清潔該光遮罩之該背面的該些邊緣。
  11. 如請求項10所述之方法，其中該主體具有一圓柱形形狀，且該黏著片捲繞在該主體上。
  12. 如請求項11所述之方法，其中該施加該黏著片包括使該主體旋轉。
  13. 如請求項10所述之方法，其中該主體具有一彎曲表面，且該黏著片附接至該彎曲表面。
  14. 如請求項10所述之方法，其中該施加該黏著片包括對該主體施加振動。
  15. 如請求項14所述之方法，其中該振動係在一超音波範圍內。
  16. 如請求項9所述之方法，其中不藉由該黏著片清潔該光遮罩之該經圖案化表面的邊緣。
  17. 一種用於自一EUV光遮罩之一背面的一邊緣移除一微粒之清潔裝置，該清潔裝置包括： 一第一主體，一膠帶捲繞在該第一主體上； 一第二主體，該膠帶之一端附接至該第二主體；及 一驅動機構，用於使該第二主體旋轉， 其中該膠帶由以下各者中之一者製成：矽酮；苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物；或苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯共聚物。
  18. 如請求項17所述之清潔裝置，該清潔裝置進一步包括一安裝夾具，該安裝夾具配置以改變該膠帶之一表面與該光遮罩之該背面之間的一角度。
  19. 如請求項18所述之清潔裝置，其中該安裝夾具附接至一遮罩艙安裝-拆卸裝置。
  20. 如請求項17所述之清潔裝置，其中該驅動機構配置以調整該第二主體之一旋轉速度。
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