CN113253567A - 用于光掩模的清洁方法及其装置 - Google Patents

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CN113253567A CN202110130691.7A CN202110130691A CN113253567A CN 113253567 A CN113253567 A CN 113253567A CN 202110130691 A CN202110130691 A CN 202110130691A CN 113253567 A CN113253567 A CN 113253567A
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Abstract

本申请涉及用于光掩模的清洁方法及其装置。在清洁光掩模的方法中，将光掩模放置在支撑件上，使得经图案化的表面朝下，并且将粘合剂片施加到光掩模的背面表面的边缘。

Description

用于光掩模的清洁方法及其装置
技术领域
本公开涉及用于光掩模的清洁方法及其装置。
背景技术
光刻装置将图案从图案化器件(例如，光掩模)投影到设置在半导体衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。当光掩模不被使用(被存储)或从存储装置转移到光刻装置(例如，步进器或扫描仪)时，可以通过将光掩模放置在掩模盒(容器(pod))中，来适当地保护光掩模免受诸如灰尘或颗粒之类的污染。
发明内容
根据本公开的第一方面，提供了一种清洁光掩模的方法，包括：将所述光掩模放置在支撑件上，使得所述光掩模的经图案化的表面朝下；以及将粘合剂片施加到所述光掩模的背面表面的边缘。
根据本公开的第二方面，提供了一种清洁光掩模的方法，包括：将所述光掩模装载到内部容器中；将所述内部容器装载到外部容器中；打开所述外部容器；打开所述内部容器，使得所述光掩模放置在所述内部容器的下盖之上，其中所述光掩模的经图案化的表面朝下；以及在所述光掩模放置在所述内部容器的下盖之上时，将粘合剂片施加到所述光掩模的背面表面的边缘。
根据本公开的第三方面，提供了一种用于从EUV光掩模的背面的边缘去除颗粒的清洁设备，所述清洁设备包括：第一主体，粘合剂带缠绕所述第一主体；第二主体，所述粘合剂带的一端附接到所述第二主体；以及
驱动机构，用于旋转所述第二主体，其中，所述粘合剂带由硅树脂、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物、或苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯共聚物中的一者制成。
附图说明
当结合附图阅读时，根据以下详细描述可以最好地理解本公开的各方面。注意，根据行业中的标准实践，各种特征未按比例绘制。实际上，为了讨论的清楚起见，各种特征的尺寸可以任意增大或减小。
图1是根据本公开的一些实施例构造的具有激光产生等离子体(LPP)极紫外(EUV)辐射源的EUV光刻系统的示意图。
图2是根据本公开的实施例的EUV光刻系统曝光工具的示意图。
图3是掩模容器设备的示意横截面视图。
图4示出了掩模容器设备的约束支撑件的配置。
图5示出了当光掩模与约束支撑件接触时的配置。
图6示出了根据本公开的实施例的清洁设备和清洁操作的配置。
图7示出了根据本公开的实施例的清洁设备和清洁操作的配置。
图8示出了根据本公开的实施例的清洁设备和清洁操作的配置。
图9示出了根据本公开的实施例的清洁设备的配置。
图10示出了根据本公开的实施例的清洁设备和清洁操作的配置。
图11示出了根据本公开的实施例的清洁设备和清洁操作的配置。
图12示出了根据本公开的实施例的清洁操作的手动操作。
图13A和图13B示出了根据本公开的实施例的清洁EUV光掩模的工艺流程。
具体实施方式
应当理解，下面的公开内容提供了用于实现本发明的不同特征的许多不同的实施例或示例。下文描述了组件和布置的具体实施例或示例以简化本公开。当然，这些仅是示例而不意图是限制性的。例如，元件的尺寸不限于所公开的范围或值，而是可以取决于器件的工艺条件和/或期望特性。此外，在下面的说明中，在第二特征上方或之上形成第一特征可以包括以直接接触的方式形成第一特征和第二特征的实施例，并且还可以包括可在第一特征和第二特征之间形成附加特征，使得第一特征和第二特征可以不直接接触的实施例。为了简单和清楚起见，可以以不同比例任意绘制各种特征。在附图中，为了简化，可以省略一些层/特征。
此外，为了便于描述，本文中可能使用了空间相关术语(例如，“下方”、“之下”、“低于”、“以上”、“上部”等)，以描述图中所示的一个要素或特征相对于另外(一个或多个)要素或(一个或多个)特征的关系。这些空间相关术语意在涵盖器件在使用或工作中除了图中所示朝向之外的不同朝向。器件可能以其他方式定向(旋转90度或处于其他朝向)，并且本文中所用的空间相关描述符同样可被相应地解释。另外，术语“由...制成”可以表示“包括”或“由...组成”。此外，在随后的制造工艺中，在所描述的操作之间可以存在一个或多个附加操作，并且可以改变操作的顺序。在本公开中，短语“A、B和C之一”是指“A、B和/或C”(A、B、C、A和B、A和C、B和C、或A、B和C)，并且除非另有说明，否则不表示一个元素来自A、一个元素来自B并且一个元素来自C。如关于一个实施例解释的材料、配置、工艺和/或尺寸可以用于其他实施例，并且可以省略其详细描述。
本公开总体上涉及极紫外(EUV)光刻系统和方法。本文所公开的实施例涉及用于清洁极紫外(EUV)光掩模的改进的方法和装置。
在许多应用(包括半导体制造中的应用，例如极端紫外光刻)领域中，需要保护感兴趣的对象免受颗粒物质(即，灰尘、污物等)污染。光刻装置将图案从图案化器件(例如，光掩模或分划板(reticle))投影到设置在半导体衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。光刻装置用来将图案投影到衬底上的辐射的波长决定了能够在该衬底上形成的特征的最小尺寸。与相关的光刻装置(其可以例如使用波长为193nm的电磁辐射)相比，使用极端紫外辐射(其是波长在4-20nm范围内的电磁辐射)的光刻装置可以用于在衬底上形成更小的特征。
图案化器件(光掩模或分划板)被薄膜(pellicle)保护而免受颗粒污染。薄膜远离图案化器件，并且在使用中的光刻装置的焦平面之外。因为薄膜在光刻装置的焦平面之外，所以落在薄膜上的污染颗粒在光刻装置中不聚焦。因此，污染颗粒的图像不会投影到衬底上。如果不存在薄膜，则落在图案化器件上的污染颗粒将被投影到衬底上，并且将引入缺陷到所投影的图案中。
当不被使用和从光掩模库转移到EUV光刻装置(例如，EUV扫描仪)时，具有或不具有薄膜的光掩模被存储在光掩模容器设备中，并且光掩模容器设备被存储在光掩模库(储料器或存储装置)中。在本公开中，术语掩模、光掩模和分划板可互换使用。另外，术语抗蚀剂和光致抗蚀剂可互换使用。在一些实施例中，掩模是反射掩模。
图1示出了根据本公开的一些实施例的具有激光产生等离子体(LPP)EUV辐射源的EUV光刻系统的示意图。EUV光刻系统包括：EUV辐射源100(EUV光源)，用于生成EUV辐射；曝光设备200，例如扫描仪；和激发激光源300。如图1所示，在一些实施例中，EUV辐射源100和曝光设备200安装在清洁室的主层MF(main floor)上，而激发激光源300安装在位于主层之下的基底层BF(base floor)中。EUV辐射源100和曝光设备200各自分别经由阻尼器DMP1和DMP2放置在基座板PP1和PP2之上。EUV辐射源100和曝光设备200通过耦合机构彼此耦合，该耦合机构可以包括聚焦单元。在一些实施例中，光刻系统包括EUV辐射源100和曝光设备200。在一个特定示例中，EUV辐射源100生成具有以约13.5nm为中心的波长的EUV光。在本实施例中，EUV辐射源100利用激光产生等离子体(LPP)的机制来生成EUV辐射。
曝光设备200包括：各种反射光学组件，例如，凸面镜/凹面镜/平面镜；掩模保持机构，包括掩模台；以及晶圆保持机构，例如衬底保持机构。由EUV辐射源100生成的EUV辐射被反射光学组件引导到固定在掩模台上的掩模上。在一些实施例中，掩模台包括静电吸盘(e-chuck)，用于固定掩模。因为气体分子吸收EUV光，所以用于EUV光刻图案化的光刻系统保持在真空或低压环境中，以避免EUV强度损失。针对图2更详细地描述了曝光设备200。在一些实施例中，分划板被转移到曝光设备200中。如上所述，曝光设备200保持在真空环境下，并且分划板安装在衬底之上，其中光致抗蚀剂层设置在衬底上。分划板具有安装在分划板之上的薄膜。在将具有薄膜的分划板转移到曝光设备200中之后，分划板和薄膜之间的围场内的气压通过安装夹具(框架)中的孔与曝光设备200的真空环境相等。由EUV辐射源100生成的EUV辐射被光学组件引导，以将掩模投影到衬底的光致抗蚀剂层上。在一些实施例中，在掩模曝光到衬底的光致抗蚀剂层上之后，将具有薄膜的分划板转移到曝光设备200之外。在将具有薄膜的分划板转移到曝光设备200之外之后，分划板和薄膜之间的围场内的气压通过安装夹具中的孔与曝光设备200外部的大气压相等。
曝光设备200包括投影光学模块，用于将掩模的图案成像到半导体衬底上，该半导体衬底具有涂覆在其上的抗蚀剂并且固定在曝光设备200的衬底台上。投影光学模块通常包括反射光学器件。从掩模导出的EUV辐射(EUV光)(其携带在掩模上限定的图案的图像)被投影光学模块收集，从而在抗蚀剂上形成图像。
如图1所示，EUV辐射源100包括由腔室105包围的液滴生成器115和LPP收集器镜110。液滴生成器115生成多个目标液滴DP，其通过喷嘴117被供应到腔室105中。在一些实施例中，目标液滴DP是锡(Sn)、锂(Li)、或Sn和Li的合金。在一些实施例中，目标液滴DP各自具有在约10微米(μm)至约100μm的范围内的直径。例如，在实施例中，目标液滴DP是锡液滴，每个锡液滴的直径为约10μm、约25μm、约50μm、或这些值之间的任何直径。在一些实施例中，目标液滴DP以从约每秒50个液滴(即，约50Hz的喷射频率)到约每秒50,000个液滴(即，约50kHz的喷射频率)的范围内的速率通过喷嘴117被供应。例如，在实施例中，目标液滴DP以下列喷射频率被供应：约50Hz、约100Hz、约500Hz、约1kHz、约10kHz、约25kHz、约50kHz、或这些频率之间的任何喷射频率。在各种实施例中，目标液滴DP以从约每秒10米(m/s)到约100m/s的范围内的速度通过喷嘴117被喷射并且进入到激发区域ZE(例如，目标液滴位置)中。例如，在实施例中，目标液滴DP的速度为约10m/s、约25m/s、约50m/s、约75m/s、约100m/s、或这些速度之间的任何速度。
由激发激光源300生成的激发激光束LR2是脉冲束。激光束LR2的激光脉冲由激发激光源300生成。激发激光源300可以包括激光发生器310、激光引导光学器件320和聚焦装置330。在一些实施例中，激光发生器310包括二氧化碳(CO2)或掺钕钇铝石榴石(Nd:YAG)激光源，其波长在电磁光谱的红外区域内。例如，在实施例中，激光发生器310具有9.4μm或10.6μm的波长。由激发激光源300生成的激光束LR0被激光引导光学器件320引导，并且被聚焦装置330聚焦为激发激光束LR2，该激发激光束LR2被引入到EUV辐射源100中。在一些实施例中，除了CO2和Nd:YAG激光器之外，激光束LR2还由下列项生成：气体激光器，包括准分子气体放电激光器、氦氖激光器、氮气激光器、横向激发大气(TEA)激光器、氩离子激光器、铜蒸气激光器、KrF激光器、或ArF激光器；或固态激光器，包括Nd:玻璃激光器、掺镱玻璃或陶瓷激光器、或红宝石激光器。在一些实施例中，激发激光源300还生成非电离激光束LR1，并且聚焦装置330也聚焦激光束LR1。
在一些实施例中，激发激光束LR2包括预热激光脉冲和主激光脉冲。在这样的实施例中，预热激光脉冲(在本文中可互换地称为预脉冲)用于加热(或预热)给定目标液滴，以创建具有多个较小液滴的低密度目标羽流(plume)，其随后被来自主激光的脉冲(主脉冲)加热(或重新加热)，从而生成增加的EUV光发射(与未使用预热激光脉冲时相比)。
在各种实施例中，预热激光脉冲的光斑尺寸为约100μm或更小，并且主激光脉冲的光斑尺寸在约150μm至约300μm的范围内。在一些实施例中，预热激光器和主激光器脉冲的脉冲持续时间在约10ns至约50ns的范围内，并且脉冲频率在约1kHz至约100kHz的范围内。在各种实施例中，预热激光器和主激光器的平均功率在从约1千瓦(kW)至约50kW的范围内。在实施例中，激发激光束LR2的脉冲频率与目标液滴DP的喷射频率相匹配。
激光束LR2被引导穿过窗口(或透镜)进入激发区域ZE。窗户采用对激光束基本透明的合适材料。激光脉冲的生成与目标液滴DP通过喷嘴117的喷射同步。随着目标液滴移动穿过激发区域，预脉冲加热目标液滴并且将其转变为低密度目标羽流。控制预脉冲和主脉冲之间的延迟，以允许目标羽流形成并且扩展到最佳尺寸和几何形状。在各种实施例中，预脉冲和主脉冲具有相同的脉冲持续时间和峰值功率。当主脉冲加热目标羽流时，生成高温等离子体。等离子体发射EUV辐射，该EUV辐射被收集器镜110收集。收集器镜110(EUV收集器镜)进一步反射并且聚焦EUV辐射，以用于通过曝光设备200执行的光刻曝光工艺。液滴捕获器85捕获未与激光脉冲相互作用的液滴。
图2示出了根据本公开的一些实施例的EUV光刻(EUVL)曝光工具的示意图。图2的EUVL曝光工具包括曝光设备200，该曝光设备200示出了利用经图案化的EUV光束对涂覆有光致抗蚀剂的衬底(目标半导体衬底210)的曝光。曝光设备200是集成电路光刻工具(例如，步进器、扫描仪、步进和扫描系统、直接写入系统、使用接触和/或接近掩模的设备等)，其具有下列组件：一个或多个光学器件205a、205b，例如用于利用EUV光束照射图案化光学器件(例如分划板，例如反射掩模205c)，以产生经图案化的光束；以及一个或多个缩小投影光学器件205d、205e，用于将经图案化的光束投影到目标半导体衬底210上。可以提供机械组件(未示出)，以用于在目标半导体衬底210和图案化光学器件(例如，反射掩模205c)之间生成受控相对运动。如进一步示出的，图2的EUVL曝光工具还包括EUV辐射源100，该EUV辐射源100包括在激发区域ZE处的等离子体羽流23，该等离子体羽流23在腔室105中发射EUV光，该EUV光被收集器镜110收集并反射到曝光设备200中以照射目标半导体衬底210。在一些实施例中，根据标准机械接口(SMIF)标准(例如，RSP200容器)来设计和制造掩模容器设备10。
图3示出了其中存储有EUV光掩模12的掩模容器设备10的配置。EUV光掩模12包括衬底12-1、硅和钼的多个交替层的多层Mo/Si堆叠12-2、帽盖层12-3、吸收体层12-4、和形成在衬底12-1的背面上的背面导电层12-5。
在一些实施例中，衬底12-1由低热膨胀材料形成。在一些实施例中，衬底是低热膨胀玻璃或石英，例如熔融硅石或熔融石英。在一些实施例中，低热膨胀玻璃衬底透射下列波长处的光：可见光波长、靠近可见光谱的一部分红外波长(近红外)、和一部分紫外波长。在一些实施例中，低热膨胀玻璃衬底吸收极紫外波长和靠近极紫外的深紫外波长。在一些实施例中，衬底10的尺寸是152mm×152mm(或150mm×150mm)，厚度为约20mm。衬底12-1的形状是正方形或矩形。
在一些实施例中，Mo/Si多层堆叠12-2包括从各自为硅和钼的约30个交替层到各自为硅和钼的约60个交替层。在某些实施例中，形成各自为硅和钼的约40至约50个交替层。在一些实施例中，对于感兴趣的波长(例如，13.5nm)，反射率高于约70％。硅和钼的每一层的厚度为约2nm至约10nm。在一些实施例中，硅和钼的层具有大约相同的厚度。在其他实施例中，硅和钼的层具有不同的厚度。在一些实施例中，每个硅层的厚度为约4nm，并且每个钼层的厚度为约3nm。
在一些实施例中，帽盖层12-3设置在Mo/Si多层12-2之上，以防止多层堆叠12-2的氧化。在一些实施例中，帽盖层12-3由钌、钌合金(例如，RuNb、RuZr、RuZrN、RuRh、RuNbN、RuRhN、RuV、或RuVN)、或钌基氧化物(例如，RuO2、RuNbO、RiVO、或RuON)制成，其厚度为约2nm至约10nm。
吸收体层12-4设置在帽盖层12-3之上，并且在其中形成电路图案。在一些实施例中，吸收体层25是Ta基材料。在一些实施例中，吸收体层12-4由厚度为约25nm至约100nm的TaN、TaO、TaB、TaBO、或TaBN制成。在某些实施例中，吸收体层12-4的厚度在从约50nm至约75nm的范围内。在其他实施例中，吸收体层12-4包括Cr基材料，例如CrN、CrO、和/或CrON。在一些实施例中，吸收体层12-4具有Cr、CrO或CrON的多层结构。在一些实施例中，抗反射层(未示出)可选地设置在吸收体层12-4之上。在一些实施例中，抗反射层由氧化硅制成，并且厚度为约2nm至约10nm。在其他实施例中，厚度在从约12nm至约18nm的范围内的TaBO层被用作抗反射层。在一些实施例中，抗反射层的厚度为约3nm至约6nm。
在一些实施例中，背面导电层12-5由TaB(硼化钽)或其他Ta基导电材料制成。在其他实施例中，背面导电层45由Cr基导电材料(CrN或CrON)制成。在一些实施例中，背面导电层45的厚度在约50nm至约400nm的范围内。在其他实施例中，背面导电层45的厚度为约50nm至约100nm。在某些实施例中，厚度在约65nm至约75nm的范围内。
掩模容器设备10包括外部容器15和被外部容器15包围的内部容器16。外部容器15包括上壳体15-1和下壳体15-2，并且内部容器16包括上盖16-1和下盖16-2。如图3所示，EUV光掩模12朝下放置在内部容器中(吸收体层朝下面对下盖16-2)。为了图示的清楚起见，薄膜没有被示出安装在经图案化的表面(吸收体层)之上。然而，应当注意，薄膜安装在光掩模12之上。
内部容器16的下盖16-2包括一个或多个支撑件16-3，用于支撑光掩模12的正表面，并且内部容器16的上盖16-1包括一个或多个约束支撑件16-4，用于支撑光掩模12的背面。在一些实施例中，如图4所示，从光掩模的背表面看，四个约束支撑件16-4支撑光掩模12的四个角。
图5示出了当上盖16-2关闭并且约束支撑件16-4与光掩模12接触时的横截面视图。注意，与图3不同，图5是颠倒的。
EUV光掩模12和掩模容器设备具有特定的形状和尺寸。例如，四个角是圆角，具有约2mm至约3mm的半径，并且主表面和侧表面之间的边缘被斜切约0.2mm至约0.6mm的量，如图5所示。斜切角度为约45度，如图5所示。相比之下，约束支撑件16-4具有与光掩模的斜切边缘接触的倾斜表面，其具有34.4度的角度，如图5所示。由于角度不同，光掩模的斜切角可能损坏或挖入约束支撑件16-4，从而产生颗粒18。当安装在EUV光刻装置中的掩模台上时，这种颗粒会影响光掩模12的平坦度。为了清洁光掩模，已经使用了鼓风机或清洁擦拭器，但是它们只能从光掩模的平坦表面上去除颗粒。因此，有必要有效地从光掩模12的边缘或背面去除颗粒。
根据本公开的实施例，如图6所示的清洁设备20A用于去除光掩模12的边缘或背面上的颗粒。在一些实施例中，清洁设备20A包括附接到主体24A或24B的粘合剂或粘性片或带22，如图6所示。在一些实施例中，粘合剂片22包括弹性体或凝胶状材料。在一些实施例中，粘合剂片22由硅树脂、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯共聚物、或任何其他合适的粘合剂材料制成。
在一些实施例中，粘合剂片22设置在主体24A或24B的至少一个主表面上。在一些实施例中，主体24A具有长方体形状，并且粘合剂片22附接到主体24A的主平坦表面。在其他实施例中，主体24B具有至少一个弯曲表面(凸面或凹面)，粘合剂片22附接到该弯曲表面。此外，在一些实施例中，操纵柄28(参见图9)通过杆26附接到主体24。如图6所示，清洁设备20A的粘合剂片22从光掩模12的背面被施加到光掩模12的背面的斜切边缘。
在一些实施例中，通过打开或移除上盖16-1来将光掩模12放置在下盖16-2的支撑件16-3上，并且在其他实施例中，光掩模12放置在另一个支撑桌或台上。通过沿着和/或横跨光掩模12的边缘滑动清洁设备20来去除光掩模12的边缘上的颗粒，如图6所示。在一些实施例中，粘合剂片22的主表面相对于光掩模12的背表面倾斜在约0度至约90度的范围内的角度θ。在其他实施例中，角度θ在约30度至约75度的范围内，并且在某些实施例中，角度θ在约40度至约50度的范围内。在一些实施例中，清洁设备20A是手动操作的，而在其他实施例中，清洁设备20A是机械操作的。通过调整角度，可以清洁正面和侧面处的斜切边缘。在一些实施例中，清洁设备20A不处理背面处的斜切边缘。
在一些实施例中，粘合剂片22的厚度在约1mm至约5mm的范围内。在一些实施例中，粘合剂片22可用新的粘合剂片替换。
在一些实施例中，主体24A、24B由弹性材料制成，例如橡胶或海绵。在粘合剂片22被施加到光掩模12时，主体24A、24B的弹性材料可以向粘合剂片22施加适当的压力，这提高了颗粒去除效率。当粘合剂片22具有足够的弹性时，主体24A、24B可以由非弹性材料制成，例如玻璃、塑料、陶瓷或金属。
图7示出了根据本公开的实施例的清洁设备和清洁操作的配置。利用上述实施例解释的材料、配置、尺寸和/或操作可以应用于下列实施例，并且可以省略其详细说明。
在一些实施例中，如图7所示，清洁设备20B包括附接到主体24C上的粘合剂或粘性片或带22。在一些实施例中，粘合剂片22包括弹性体或凝胶状材料。在一些实施例中，粘合剂片22由硅树脂、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯共聚物、或任何其他合适的粘合剂材料制成。在一些实施例中，主体24C具有圆柱形形状，粘合剂片22围绕该圆柱形形状。此外，在一些实施例中，操纵柄28(参见图9)通过杆26附接到主体24。
如图7所示，清洁设备20B的粘合剂片22从光掩模12的背面被施加到光掩模12的背面的斜切边缘。在一些实施例中，主体24C沿着杆26的轴线手动或机械地线性移动。
图8示出了根据本公开的实施例的清洁设备和清洁操作的配置。利用上述实施例解释的材料、配置、尺寸和/或操作可以应用于下列实施例，并且可以省略其详细说明。
在一些实施例中，如图8所示，清洁设备20C是旋转型的，其中具有粘合剂片22的主体24C围绕杆26的轴线旋转。在一些实施例中，如图9所示，杆26通过设置在操纵柄28中的驱动机构27(例如，电动机)旋转。在一些实施例中，驱动机构27还以往复方式线性地移动杆26，如图7所示。在一些实施例中，杆26的移动的速度和方向是可调节的。在一些实施例中，杆26是柔性的，并且可以弯曲以适应光掩模12的斜切边缘。在一些实施例中，驱动机构27还通过杆26将振动施加到主体。在一些实施例中，振动在超声范围内，并且在其他实施例中，振动为约1Hz至10kHz。
图10示出了根据本公开的实施例的清洁设备和清洁操作的配置。利用上述实施例解释的材料、配置、尺寸和/或操作可以应用于下列实施例，并且可以省略其详细说明。
图10示出了根据本公开的另一实施例的清洁设备。在一些实施例中，在图10所示的清洁设备20D中，粘合剂片或带22A缠绕在第一杆或主体26-1上，并且粘合剂片或带22A的一端附接至第二杆或主体26-2，使得通过旋转第二杆或主体26-2，粘合剂片或带22A从第一杆或主体26-1上剥离并且缠绕在第二杆或主体26-2上。粘合剂片或带22A被施加到光掩模12的边缘以去除颗粒。粘合剂片或带22A的使用过的部分被转移到第二杆或主体26-2，并且因此粘合剂片或带22A的新的和新鲜的部分可以被施加到光掩模12的下一个清洁部分。
在一些实施例中，第二杆或主体26-2的旋转或粘合剂片或带22A的移动是连续的。在其他实施例中，第二杆或主体26-2的旋转或粘合剂片或带22A的移动是逐步的。例如，在清洁了光掩模12的四个侧面的一个边缘之后，粘合剂片或带22A通过第二杆或主体26-2的旋转移动被刷新。在其他实施例中，粘合剂片或带22A在一定时间间隔之后被刷新。
在一些实施例中，类似于图9，至少第二杆或主体26-2耦合至驱动机构27(例如，电动机)，以控制第二杆或主体26-2的旋转操作。在其他实施例中，第一杆或主体26-1也通过一个或多个齿轮耦合至另一电动机或同一电动机。在一些实施例中，转速是可调节的。在一些实施例中，驱动机构27还通过杆26将振动施加到主体。在一些实施例中，振动在超声范围内，并且在其他实施例中，振动为约1Hz至10kHz。
在一些实施例中，粘合剂片或带22A的主表面相对于光掩模12的背表面倾斜在约0度至约90度的范围内的角度θ’。在其他实施例中，角度θ’在从约30度到约75度的范围内，并且在某些实施例中，角度θ’在从约40度到约50度的范围内。通过调整角度，可以清洁正面和侧面处的斜切边缘。在一些实施例中，清洁设备20D不处理背面处的斜切边缘。
在一些实施例中，图10所示的角度θ’和图6-图8所示的角度θ可以通过如图11所示的安装夹具30来调节或改变。在一些实施例中，安装夹具30包括：底板31，具有弧形部分，该弧形部分可以是底板的外周或在底板上形成的拱形狭缝；以及可移动板32，其沿着弧形部分移动。可移动板32耦合到清洁设备20或20A，并且通过沿着弧形部分移动可移动板32，可以改变角度θ’或θ。
在一些实施例中，安装夹具30包括一个或多个电动机、齿轮或任何其他机构，用于改变角度θ’或θ。此外，安装夹具30还被配置为改变整个清洁设备(粘合剂片)相对于光掩模12的位置。
在一些实施例中，安装夹具30附接至或可附接至容器安装装置40。如图3所示，EUV光掩模被安装在内部容器16上并且内部容器16被安装在外部容器15上，并且内部容器从外部容器上被拆卸下来并且光掩模从内部容器上被拆卸下来。在一些实施例中，这些安装和拆卸操作由容器安装设备40执行。在一些实施例中，与用于内部容器16在外部容器15上的安装和拆卸操作的容器安装设备相比，光掩模在内部容器16上的安装和拆卸操作是由不同的容器安装设备执行的。
在一些实施例中，在将上盖16-1从内部容器移除以暴露出光掩模12的背面之后，将清洁设备施加到光掩模12的背面的斜切边缘。在安装夹具30附接到容器安装设备40时，有效地清洁光掩模12的斜切边缘。在一些实施例中，清洁是通过使用被编程为控制安装夹具30以及清洁设备20和20A的一个或多个控制电路来机械地和自动地执行的。
在其他实施例中，安装夹具30附接到或可附接到用于清洁目的的另一个独立平台。
在一些实施例中，如图12所示，粘合剂片22B被手动地施加到光掩模12的背面的斜切边缘。
在一些实施例中，清洁设备包括主体柔性支撑件，具有框架形状和倾斜表面，并且粘合剂片或带附接在倾斜表面(施加器表面)上。在一些实施例中，倾斜表面具有约40度至50度的倾斜角θ，并且在某些实施例中，角度θ为45度。在一些实施例中，柔性支撑件具有比粘合剂片更大或更小的柔性。在一些实施例中，柔性支撑件包括橡胶、海绵、聚合物、或其他合适的材料。在一些实施例中，粘合剂片的厚度在约0.5mm至约5mm的范围内，并且在约1mm至约3mm的范围内。
在使用中，清洁设备从上方被施加到光掩模12的背面，使得粘合剂片接触光掩模12的斜切边缘。清洁设备被按压在光掩模12上，使得柔性支撑件变形。通过重复按压和分离清洁设备，可以清洁光掩模12的边缘。在一些实施例中，在从光掩模12上分离之后，清洁设备旋转90度或180度。在将清洁设备按压在光掩模上期间，可以施加如上所述的振动。在一些实施例中，柔性主体由用于粘合剂带的材料制成，并且由硅树脂、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯共聚物、或任何其他合适的粘合剂材料制成。在这种情况下，不需要粘合剂。在一些实施例中，清洁设备通过自动机械结构被施加到光掩模12。
图13A和图13B示出了根据本公开的实施例的清洁EUV光掩模的工艺流程。
在图13A中，在EUV光刻装置中使用EUV光掩模之后，从EUV光刻装置中卸载EUV光掩模。在一些实施例中，EUV光掩模在真空状态下被装载到内部容器中。然后，内部容器从真空装置上卸载下来，并且被装载到掩模容器设备的外部容器中。然后，掩模容器设备被装载到容器拆卸设备上，并且外部容器和内部容器被移除。在一些实施例中，在将光掩模装载到内部容器中之前，去除薄膜。然后，在一些实施例中，对光掩模进行清洁操作。在一些实施例中，清洁操作包括通过湿法和/或干法清洁来清洁整个光掩模。在一些实施例中，清洁操作包括如上所述的清洁光掩模的背面的斜切边缘。在清洁操作之后，光掩模被装载到光掩模库或光掩模储料器中。
在图13B中，当使用EUV光掩模时，将光掩模从掩模库或储料器中卸载，并且然后进行清洁操作。在一些实施例中，清洁操作包括通过湿法和/或干法清洁来清洁整个光掩模。在一些实施例中，清洁操作包括如上所述的清洁光掩模的背面的斜切边缘。在清洁操作之后，如果未在光掩模上安装薄膜，则在光掩模上安装薄膜。然后，将光掩模装载到内部容器中，并且将内部容器装载到外部容器中，并且将掩模容器设备转移到EUV光刻装置中。在真空状态下将内部容器从外部容器中取出，并且将内部容器转移到光刻装置中。在EUV光刻装置中，在真空下将光掩模从内部容器中卸载，并且将光掩模放置在EUV光刻装置的掩模台上。
根据本公开的实施例，粘合剂片或带可以有效地去除EUV光掩模的背面的斜切边缘上的颗粒。因为粘合剂片或带的成本相对较低，所以可以抑制清洁成本。尽管解释了用于EUV光掩模的清洁方法，但是本公开的清洁方法可以应用于清洁任何类型的光掩模，例如，用于深UV光刻或UV光刻的光掩模，或不具有斜切边缘的光掩模。
将理解的是，在本文中并非必须讨论所有优点，对于所有实施例或示例不需要特定的优点，并且其他实施例或示例可以提供不同的优点。
根据本公开的一些实施方式，在一种清洁光掩模的方法中，将光掩模放置在支撑体上，使得经图案化的表面朝下，并且将粘合剂片施加到光掩模的背面表面的边缘。在前述或以下实施例中的一个或多个中，光掩模的背面表面的边缘是斜切边缘。在前述或以下实施例中的一个或多个中，粘合剂片由硅树脂制成。在前述或以下实施例中的一个或多个中，粘合剂片由苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物、或苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯共聚物制成。在前述或以下实施例中的一个或多个中，将粘合剂片粘附至身体。在前述或以下实施例中的一个或多个中，主体由弹性材料制成。在前述或以下实施例中的一个或多个中，施加粘合剂片包括：在粘合剂片与边缘接触时，移动主体。在前述或以下实施例中的一个或多个中，移动包括线性运动。
根据本公开的另一方面，在一种清洁光掩模的方法中，将光掩模装载到内部容器中，将内部容器装载到外部容器中，打开外部容器，打开内部容器，使得光掩模放置在内部容器的下盖之上，其中经图案化的表面朝下，并且在光掩模放置在内部容器的下盖之上时，将粘合剂片施加到光掩模的背面表面的边缘。在前述或以下实施例中的一个或多个中，粘合剂片附接到主体的表面，并且主体通过杆耦合到柄，并且在施加粘合剂片时，操作柄以清洁光掩模的背面表面的边缘。在前述或以下实施例中的一个或多个中，主体具有圆柱形形状，并且粘合剂片围绕主体。在前述或以下实施例中的一个或多个中，施加粘合剂片包括：旋转主体。在前述或以下实施例中的一个或多个中，主体具有弯曲表面，并且粘合剂片附接到弯曲表面。在前述或以下实施例中的一个或多个中，施加粘合剂片包括：对主体施加振动。在前述或以下实施例中的一个或多个中，振动在超声范围内。在前述或以下实施例中的一个或多个中，经图案化的表面的边缘未被粘合剂片清洁。
根据本公开的另一方面，一种用于从EUV光掩模的背面的边缘去除颗粒的清洁设备，包括：第一主体，粘合剂带缠绕该第一主体；第二主体，粘合剂带的一端附接到该第二主体；以及驱动机构，用于旋转第二主体。粘合剂带由硅树脂、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物、或苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯共聚物中的一者制成。在前述或以下实施例中的一个或多个中，清洁设备还包括安装夹具，被配置为改变粘合剂带的表面与光掩模的背面之间的角度。在前述或以下实施例中的一个或多个中，安装夹具附接到掩模容器安装拆卸设备。在前述或以下实施例中的一个或多个中，驱动机构被配置为调整第二主体的旋转速度。
前述内容概述了若干实施例或示例的特征，从而本领域技术人员可以更好地理解本公开的各个方面。本领域技术人员应当理解，他们可以容易地使用本公开作为设计或修改其他工艺和结构的基础，以实现与这里引入的实施例或示例相同的目的和/或达到相同的优点。本领域技术人员还应当认识到，这些等同构造并不脱离本公开的精神和范围，并且它们可以在不脱离本公开的精神和范围的情况下进行各种改变、替代和变更。
示例1.一种清洁光掩模的方法，包括：将所述光掩模放置在支撑件上，使得所述光掩模的经图案化的表面朝下；以及将粘合剂片施加到所述光掩模的背面表面的边缘。
示例2.根据示例1所述的方法，其中，所述光掩模的背面表面的边缘是斜切边缘。
示例3.根据示例1所述的方法，其中，所述粘合剂片由硅树脂制成。
示例4.根据示例1所述的方法，其中，所述粘合剂片由苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物、或苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯共聚物制成。
示例5.根据示例1所述的方法，其中，所述粘合剂片附接到主体。
示例6.根据示例5所述的方法，其中，所述主体由弹性材料制成。
示例7.根据示例5所述的方法，其中，施加所述粘合剂片包括：在所述粘合剂片与所述边缘接触时，移动所述主体。
示例8.根据示例7所述的方法，其中，所述移动包括线性运动。
示例9.一种清洁光掩模的方法，包括：将所述光掩模装载到内部容器中；将所述内部容器装载到外部容器中；打开所述外部容器；打开所述内部容器，使得所述光掩模放置在所述内部容器的下盖之上，其中所述光掩模的经图案化的表面朝下；以及在所述光掩模放置在所述内部容器的下盖之上时，将粘合剂片施加到所述光掩模的背面表面的边缘。
示例10.根据示例9所述的方法，其中：
粘合剂片附接到主体的表面，并且主体通过杆耦合到柄，并且
施加所述粘合剂片包括：操作所述柄以清洁所述光掩模的背面表面的边缘。
示例11.根据示例10所述的方法，其中，所述主体具有圆柱形形状，并且所述粘合剂片围绕所述主体。
示例12.根据示例11所述的方法，其中，施加所述粘合剂片包括：旋转所述主体。
示例13.根据示例10所述的方法，其中，所述主体具有弯曲表面，并且所述粘合剂片附接到所述弯曲表面。
示例14.根据示例10所述的方法，其中，施加所述粘合剂片包括：对所述主体施加振动。
示例15.根据示例14所述的方法，其中，所述振动在超声范围内。
示例16.根据示例9所述的方法，其中，所述光掩模的经图案化的表面的边缘未被所述粘合剂片清洁。
示例17.一种用于从EUV光掩模的背面的边缘去除颗粒的清洁设备，所述清洁设备包括：第一主体，粘合剂带缠绕所述第一主体；第二主体，所述粘合剂带的一端附接到所述第二主体；以及驱动机构，用于旋转所述第二主体，其中，所述粘合剂带由硅树脂、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物、或苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯共聚物中的一者制成。
示例18.根据权利要求17所述的清洁设备，还包括：安装夹具，被配置为改变所述粘合剂带的表面与所述光掩模的背面之间的角度。
示例19.根据权利要求18所述的清洁设备，其中，所述安装夹具附接到掩模容器安装拆卸设备。
示例20.根据权利要求17所述的清洁设备，其中，所述驱动机构被配置为调整所述第二主体的旋转速度。

Claims (10)

1.一种清洁光掩模的方法，包括：
将所述光掩模放置在支撑件上，使得所述光掩模的经图案化的表面朝下；以及
将粘合剂片施加到所述光掩模的背面表面的边缘。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光掩模的背面表面的边缘是斜切边缘。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述粘合剂片由硅树脂制成。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述粘合剂片由苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物、或苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯共聚物制成。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述粘合剂片附接到主体。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述主体由弹性材料制成。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，施加所述粘合剂片包括：在所述粘合剂片与所述边缘接触时，移动所述主体。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述移动包括线性运动。
9.一种清洁光掩模的方法，包括：
将所述光掩模装载到内部容器中；
将所述内部容器装载到外部容器中；
打开所述外部容器；
打开所述内部容器，使得所述光掩模放置在所述内部容器的下盖之上，其中所述光掩模的经图案化的表面朝下；以及
在所述光掩模放置在所述内部容器的下盖之上时，将粘合剂片施加到所述光掩模的背面表面的边缘。
10.一种用于从EUV光掩模的背面的边缘去除颗粒的清洁设备，所述清洁设备包括：
第一主体，粘合剂带缠绕所述第一主体；
第二主体，所述粘合剂带的一端附接到所述第二主体；以及
驱动机构，用于旋转所述第二主体，
其中，所述粘合剂带由硅树脂、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物、或苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯共聚物中的一者制成。
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