DE102020132780A1

DE102020132780A1 - Reinigungsverfahren für fotomasken und apparat dafür

Info

Publication number: DE102020132780A1
Application number: DE102020132780.3A
Authority: DE
Inventors: Hsin-Chang Lee; Pei-Cheng Hsu; Hao-Ping Cheng; Ta-Cheng Lien
Original assignee: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Current assignee: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Priority date: 2020-05-28
Filing date: 2020-12-09
Publication date: 2021-12-02
Also published as: US11852969B2; TW202144910A; KR102613748B1; US20220334468A1; TWI790534B; CN113253567A; KR20210148850A; US20240085781A1

Abstract

Bei einem Verfahren zum Reinigen einer Fotomaske wird die Fotomaske auf einer Stütze platziert, dass eine strukturierte Oberfläche nach unten gerichtet ist, und ein Klebeblatt wird auf Ränder einer rückseitigen Oberfläche der Fotomaske aufgebracht.

Description

VERWANDTE ANMELDUNGEN
Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der am 28. Mai 2020 eingereichten vorläufige US-Patentanmeldung 63/031,071 , deren gesamter Inhalt durch Bezugnahme hierin aufgenommen wird.
HINTERGRUND
Ein lithographischer Apparat projiziert eine Struktur von einer Strukturierungsvorrichtung (z.B. einer Fotomaske) auf eine Schicht von strahlungsempfindlichem Material (Resist), die auf dem Halbleitersubstrat bereitgestellt ist. Wenn eine Fotomaske nicht verwendet (gelagert) oder von einem Speicher zu einem Lithographieapparat wie z.B. einem Stepper oder einem Scanner übertragen wird, wird die Fotomaske in geeigneter Weise vor Verunreinigungen wie Staub oder Partikeln geschützt, indem sie in einem Maskengehäuse (Pod, Kapsel) untergebracht wird.
Figurenliste
Aspekte der vorliegenden Offenbarung lassen sich am besten anhand der folgenden ausführlichen Beschreibung in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen verstehen. Es ist zu beachten, dass gemäß der branchenüblichen Praxis verschiedene Merkmale nicht maßstabsgetreu dargestellt sind. Tatsächlich können die Abmessungen der verschiedenen Merkmale zugunsten einer klaren Erläuterung willkürlich vergrößert oder verkleinert sein.

1 ist eine schematische Ansicht eines EUV-Lithographiesystems (extreme ultraviolet lithography system) mit einer LPP-EUV-Strahlungsquelle (laser produced plasma EUV radiation source), die gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung aufgebaut ist.
2 ist eine schematische Ansicht eines EUV-Lithographiesystem-Belichtungswerkzeugs gemäß Ausführungsformen der Offenbarung.
3 ist eine schematische Querschnittsansicht einer Maskenkapselvorrichtung.
4 zeigt eine Konfiguration der Haltestützen des Maskenkapselvorrichtung.
5 zeigt eine Konfiguration, wobei eine Fotomaske in Kontakt mit den Haltestützen ist.
6 zeigt eine Konfiguration einer Reinigungsvorrichtung und eines Reinigungsvorgangs gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung.
7 zeigt eine Konfiguration einer Reinigungsvorrichtung und eines Reinigungsvorgangs gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung.
8 zeigt eine Konfiguration einer Reinigungsvorrichtung und eines Reinigungsvorgangs gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung.
9 zeigt eine Konfiguration einer Reinigungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung.
10 zeigt eine Konfiguration einer Reinigungsvorrichtung und eines Reinigungsvorgangs gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung.
11 zeigt eine Konfiguration einer Reinigungsvorrichtung und eines Reinigungsvorgangs gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung.
12 zeigt einen manuellen Vorgangs eines Reinigungsvorgangs gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung.
13A und 13B zeigen Prozessabläufe von Reinigung einer EUV-Photomaske gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.

AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
Es ist zu verstehen, dass die folgende Offenbarung viele verschiedene Ausführungsformen und Beispiele für die Umsetzung verschiedener Merkmale der Erfindung bereitstellt. Zur Vereinfachung der vorliegenden Offenbarung werden im Folgenden bestimmte Ausführungsformen oder Beispiele von Komponenten und Anordnungen beschrieben. Diese sind natürlich nur Beispiele und sollen nicht einschränkend sein. Beispielsweise sind die Abmessungen der Elemente nicht auf den offenbarten Bereich oder die offenbarten Werte beschränkt, sondern können von den Prozessbedingungen und/oder den gewünschten Eigenschaften der Vorrichtung abhängen. Ferner kann die Ausbildung eines ersten Merkmals über oder auf einem zweiten Merkmal in der folgenden Beschreibung Ausführungsformen umfassen, bei denen das erste und das zweite Merkmal in direktem Kontakt ausgebildet sind, kann aber auch Ausführungsformen umfassen, bei denen zusätzliche Merkmale zwischen dem ersten und dem zweiten Merkmal ausgebildet sein können, so dass das erste und das zweite Merkmal nicht in direktem Kontakt stehen. Verschiedene Merkmale können der Einfachheit und Übersichtlichkeit halber willkürlich in unterschiedlichen Maßstäben gezeichnet sein. In den beiliegenden Zeichnungen können einige Schichten/Merkmale zur Vereinfachung weggelassen sein.
Des Weiteren können hier zur Vereinfachung der Beschreibung räumlich relative Begriffe wie „unter“, „unten“, „abwärts“, „über“, „oben“, „aufwärts“ und dergleichen verwendet werden, um die Beziehung eines Elements oder Merkmals zu einem anderen Element oder Merkmal wie in den Zeichnungen dargestellt zu beschreiben. Die räumlich relativen Begriffe sollen verschiedene Ausrichtungen der Vorrichtung während Benutzung oder Betrieb zusätzlich zu der in den Zeichnungen dargestellten Ausrichtung umfassen. Die Vorrichtung kann anders ausgerichtet sein (um 90 Grad gedreht oder in anderen Ausrichtungen), und die hier verwendeten räumlich relativen Bezeichnungen können ebenfalls entsprechend interpretiert werden. Ferner kann der Begriff „gebildet aus“ entweder „umfassend“ oder „bestehend aus“ bedeuten. Ferner kann es im folgenden Herstellungsverfahren einen oder mehrere zusätzliche Vorgänge zwischen den beschriebenen Vorgängen geben und die Reihenfolge der Arbeitsgänge kann geändert werden. In der vorliegenden Offenbarung bedeutet die Formulierung „mindestens eines von A, B und C“ entweder eines von A, B, C, A+B, A+C, B+C oder A+B+C und bedeutet nicht eines von A, eines von B und eines von C, sofern nicht anders angegeben. Materialien, Konfigurationen, Abmessungen und/oder Vorgänge, die anhand einer Ausführungsform erläutert werden, können auf andere Ausführungsformen angewendet werden und eine ausführliche Erläuterung derselben kann entfallen.
Die vorliegende Offenbarung betrifft allgemein ein EUV-Lithographiesystem und EUV-Lithographie-Verfahren. Die hier offenbarten Ausführungsformen betreffen ein verbessertes Verfahren und einen verbesserten Apparat zum Reinigen einer EUV-Fotomaske.
Die Notwendigkeit des Schutzes vor Partikeln (d.h. Staub, Schmutz usw.), die Objekte verunreinigen, ist in vielen Anwendungsbereichen erforderlich, einschließlich Anwendungen in der Halbleiterfertigung wie der Extrem-Ultraviolett-Lithographie. Ein lithographischer Apparat projiziert eine Struktur von einer Strukturierungsvorrichtung (z.B. einer Fotomaske oder einem Retikel) auf eine Schicht strahlungsempfindlichen Materials (Resist), die auf dem Halbleitersubstrat bereitgestellt wird. Die Wellenlänge der Strahlung, die von einem lithographischen Apparat verwendet wird, um eine Struktur auf ein Substrat zu projizieren, bestimmt die Mindestgröße der Merkmale, die auf diesem Substrat gebildet werden können. Ein lithographischer Apparat, die Extrem-Ultraviolett-Strahlung verwendet, d.h. elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge in einem Bereich von 4 bis 20 nm, kann verwendet werden, um kleinere Merkmale auf einem Substrat zu bilden als ein verwandter lithographischer Apparat (die z.B. elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge von 193 nm verwenden kann).
Die Strukturierungsvorrichtung (Fotomaske oder Retikel) wird durch ein Pellikel vor Partikelverunreinigungen geschützt. Das Pellikel wird von der Strukturierungsvorrichtung beabstandet angeordnet und liegt außerhalb der Fokusebene eines verwendeten lithographischen Apparats. Da sich das Pellikel außerhalb der Fokusebene des lithographischen Apparats befindet, sind Kontaminationspartikel, die auf dem Pellikel landen, außerhalb des Fokus in dem lithographischen Apparat. Folglich werden die Bilder der Verunreinigungspartikel nicht auf das Substrat projiziert. Wäre das Pellikel nicht vorhanden, würde ein Kontaminationspartikel, das auf der Strukturierungsvorrichtung landet, auf das Substrat projiziert werden und einen Defekt in die projizierte Struktur einbringen.
Die Fotomaske mit einem oder ohne ein Pellikel wird in einer Maskenkapselvorrichtung aufbewahrt und die Maskenkapselvorrichtung wird in einer Fotomaskenbibliothek (Lager oder Speicher) aufbewahrt, wenn sie nicht verwendet wird, und von der Fotomaskenbibliothek an einen EUV-Lithographieapparat (z.B. einen EUV-Scanner) übertragen. In der vorliegenden Offenbarung werden die Begriffe Maske, Fotomaske und Retikel austauschbar verwendet. Ferner werden die Begriffe Resist und Photoresist austauschbar verwendet. In einigen Ausführungsformen ist die Maske eine reflektierende Maske.
1 zeigt eine schematische Ansicht eines EUV-Lithographiesystems mit einer LPP-EUV-Strahlungsquelle (lasererzeugtes Plasma-EUV-Strahlungsquelle) gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. Das EUV-Lithographiesystem umfasst eine EUV-Strahlungsquelle 100 (eine EUV-Lichtquelle) zur Erzeugung von EUV-Strahlung, eine Belichtungsvorrichtung 200, wie z.B. einen Scanner, und eine Anregungslaserquelle 300. Wie in 1 dargestellt, sind in einigen Ausführungsformen die EUV-Strahlungsquelle 100 und die Belichtungsvorrichtung 200 auf einem Hauptboden MF eines Reinraums installiert, wobei die Anregungslaserquelle 300 in einem Basisboden BF installiert ist, der unter dem Hauptboden angeordnet ist. Die EUV-Strahlungsquelle 100 und die Belichtungsvorrichtung 200 sind über Dämpfer DMP1 und DMP2 über Sockelplatten PP1 und PP2 angeordnet. Die EUV-Strahlungsquelle 100 und die Belichtungsvorrichtung 200 sind über einen Kopplungsmechanismus miteinander gekoppelt, der eine Fokussiereinheit enthalten kann. In einigen Ausführungsformen umfasst ein Lithographiesystem die EUV-Strahlungsquelle 100 und die Belichtungsvorrichtung 200. In einem besonderen Beispiel erzeugt die EUV-Strahlungsquelle 100 ein EUV-Licht mit einer Wellenlänge, die bei etwa 13,5 nm zentriert ist. In der vorliegenden Ausführungsform nutzt die EUV-Strahlungsquelle 100 einen Mechanismus des lasererzeugten Plasmas (LPP) zur Erzeugung der EUV-Strahlung.
Die Belichtungsvorrichtung 200 umfasst verschiedene reflektierende optische Komponenten, wie z.B. konvexe/konkave/ebene Spiegel, einen Maskenhaltemechanismus, der einen Maskentisch aufweist, und einen Waferhaltermechanismus, z.B. einen Substrathaltemechanismus. Die EUV-Strahlung, die von der EUV-Strahlungsquelle 100 erzeugt wird, wird durch die reflektierenden optischen Komponenten auf eine Maske gelenkt, die auf dem Maskentisch befestigt ist. In einigen Ausführungsformen umfasst der Maskentisch eine elektrostatische Spannvorrichtung (E-Chuck) zur Befestigung der Maske. Da Gasmoleküle EUV-Licht absorbieren, wird das Lithographiesystem für die EUV-Lithographie-Strukturierung in einer Vakuum- oder Niederdruckumgebung gehalten, um EUV-Intensitätsverluste zu vermeiden. Die Belichtungsvorrichtung 200 wird mit Bezug auf 2 ausführlich erläutert. In einigen Ausführungsformen wird ein Retikel in die Belichtungsvorrichtung 200 transportiert. Wie vorstehend erwähnt, wird die Belichtungsvorrichtung 200 in einer Vakuumumgebung gehalten und das Retikel wird über einem Substrat montiert, wobei eine Fotoresistschicht auf dem Substrat angeordnet ist. Das Retikel umfasst ein Pellikel, das über dem Retikel montiert ist. Nach dem Transport der des Retikels mit dem Pellikel in die Belichtungsvorrichtung 200 wird der Luftdruck in dem Einschluss zwischen dem Retikel und dem Pellikel durch die Löcher in der Montagehalterung (dem Rahmen) an die Vakuumumgebung der Belichtungsvorrichtung 200 angeglichen. Die EUV-Strahlung, die von der EUV-Strahlungsquelle 100 erzeugt wird, wird durch die optischen Komponenten gelenkt, um die Maske auf die Fotoresistschicht des Substrats zu projizieren. In einigen Ausführungsformen wird, nach der Belichtung der Maske auf der Fotoresistschicht des Substrats, das Retikel mit dem Pellikel aus der Belichtungsvorrichtung 200 transportiert. Nach dem Transport des Retikels mit dem Pellikel aus der Belichtungsvorrichtung 200 wird der Luftdruck in dem Einschluss zwischen dem Retikel und dem Pellikel durch die Löcher in der Montagehalterung an den atmosphärischen Druck außerhalb der Belichtungsvorrichtung 200 angeglichen.
Die Belichtungsvorrichtung 200 umfasst ein Projektionsoptikmodul zum Abbilden der Struktur der Maske auf ein Halbleitersubstrat mit einem darauf beschichteten Resist, das auf einem Substrattisch der Belichtungsvorrichtung 200 befestigt ist. Das Projektionsoptikmodul umfasst generell eine reflektierende Optik. Die EUV-Strahlung (EUV-Licht), die von der Maske ausgeht und das Abbild der auf der Maske definierten Struktur trägt, wird von dem Projektionsoptikmodul aufgefangen, wodurch ein Abbild auf dem Resist gebildet wird.
Wie in 1 dargestellt, umfasst die EUV-Strahlungsquelle 100 einen Tröpfchengenerator 115 und einen LPP-Kollektorspiegel 110, die in einer Kammer 105 eingeschlossen sind. Der Tröpfchengenerator 115 erzeugt mehrere Zieltröpfchen DP, die durch eine Düse 117 in die Kammer 105 zugeführt werden. In einigen Ausführungsformen sind die Zieltröpfchen DP Zinn (Sn), Lithium (Li) oder eine Legierung von Sn und Li. In einigen Ausführungsformen weisen die Zieltröpfchen DP jeweils einen Durchmesser in einem Bereich von etwa 10 Mikrometer (µm) bis etwa 100 µm auf. In einer Ausführungsform sind die Zieltröpfchen DP beispielsweise Zinntröpfchen, die jeweils einen Durchmesser von etwa 10 µm, etwa 25 µm, etwa 50 µm oder einen beliebigen Durchmesser zwischen diesen Werten haben. In einigen Ausführungsformen werden die Zieltröpfchen DP durch die Düse 117 mit einer Rate im Bereich von etwa 50 Tröpfchen pro Sekunde (d.h. einer Ausstoßfrequenz von etwa 50 Hz) bis etwa 50.000 Tröpfchen pro Sekunde (d.h. einer Ausstoßfrequenz von etwa 50 kHz) zugeführt. In einer Ausführungsform werden die Zieltröpfchen DP beispielsweise mit einer Ausstoßfrequenz von etwa 50 Hz, etwa 100 Hz, etwa 500 Hz, etwa 1 kHz, etwa 10 kHz, etwa 25 kHz, etwa 50 kHz oder einer beliebigen Ausstoßfrequenz zwischen diesen Frequenzen zugeführt. In verschiedenen Ausführungsformen werden die Zieltropfen DP durch die Düse 117 und in eine Anregungszone ZE (z.B. eine Zieltropfenposition) mit einer Geschwindigkeit von etwa 10 Metern pro Sekunde (m/s) bis etwa 100 m/s ausgestoßen. Beispielsweise weisen die Zieltropfen DP in einer Ausführungsform eine Geschwindigkeit von etwa 10 m/s, etwa 25 m/s, etwa 50 m/s, etwa 75m/s, etwa 100 m/s oder eine beliebige Geschwindigkeit zwischen diesen Geschwindigkeiten auf.
Der Anregungslaserstrahl LR2, der von der Anregungslaserquelle 300 erzeugt wird, ist ein gepulster Strahl. Die Laserpulse des Laserstrahls LR2 werden von der Anregungslaserquelle 300 erzeugt. Die Anregungslaserquelle 300 kann einen Lasergenerator 310, eine Laserführungsoptik 320 und einen Fokussierapparat 330 umfassen. In einigen Ausführungsformen umfasst der Lasergenerator 310 eine Kohlendioxid (CO₂)- oder eine Neodymdotierte Yttrium-Aluminium-Granat- (Nd:YAG) Laserquelle mit einer Wellenlänge in einem infraroten Bereich des elektromagnetischen Spektrums. Beispielsweise weist die Laserquelle 310 in einer Ausführungsform eine Wellenlänge von 9,4 µm oder 10,6 µm auf. Der Laserlichtstrahl LRo, der von der Anregungslaserquelle 300 erzeugt wird, wird durch die Laserführungsoptik 320 geführt und durch den Fokussierapparat 330 in den Anregungslaserstrahl LR2 fokussiert, der in die EUV-Strahlungsquelle 100 eingeführt wird. In einigen Ausführungsformen wird der Laserstrahl LR2 erzeugt, zusätzlich zu CO2- und Nd:YAG-Lasern, durch einen Gaslaser einschließlich eines Excimer-Gasentladungslasers, Helium-Neon-Lasers, Stickstoff-Lasers, transversal angeregten atmosphärischen (TEA) Lasers, ArgonIonen-Lasers, Kupferdampflasers, KrF-Lasers oder ArF-Lasers, oder einen Festkörperlaser einschließlich Nd:Glas-Laser, Ytterbium-dotierter Glas- oder Keramik-Laser oder RubinLaser. In einigen Ausführungsformen wird auch ein nicht-ionisierender Laserstrahl LR1 von der Anregungslaserquelle 300 erzeugt und der Laserstrahl LR1 wird auch durch den Fokussierapparat 330 fokussiert.
In einigen Ausführungsformen umfasst der Anregungslaserstrahl LR2 einen Vorheizlaserimpuls und einen Hauptlaserimpuls. In solchen Ausführungsformen wird der Vorheizlaserimpuls (hierin austauschbar als „Vorimpuls“ bezeichnet) verwendet, um ein bestimmtes Zieltröpfchen zu heizen (oder vorzuheizen), um eine Zielfahne mit niedriger Dichte mit mehreren kleineren Tröpfchen zu erzeugen, die anschließend durch einen Impuls des Hauptlasers (Hauptimpuls) geheizt (oder wiedererhitzt) wird, wodurch eine erhöhte Emission von EUV-Licht im Vergleich dazu erzeugt wird, wenn kein Vorheizlaserimpuls verwendet wird.
In verschiedenen Ausführungsformen weisen die Vorheizlaserpulse eine Spotgröße von etwa 100 µm oder weniger auf und die Hauptlaserpulse weisen eine Spotgröße von etwa 150 µm bis etwa 300 µm auf. In einigen Ausführungsformen weisen der Vorheizlaser und die Hauptlaserpulse eine Pulsdauer von etwa 10 ns bis etwa 50 ns und eine Pulsfrequenz von etwa 1 kHz bis etwa 100 kHz auf. In verschiedenen Ausführungsformen weisen der Vorheizlaser und der Hauptlaser eine mittlere Leistung von etwa 1 Kilowatt (kW) bis etwa 50 kW auf. In einer Ausführungsform ist die Pulsfrequenz des Anregungslaserstrahls LR2 auf die Ausstoßfrequenz der Zieltropfen DP abgestimmt.
Der Laserstrahl LR2 wird durch Fenster (oder Linsen) in die Anregungszone ZE geleitet. Die Fenster setzen ein geeignetes Material ein, das im Wesentlichen transparent für die Laserstrahlen ist. Die Erzeugung der Laserimpulse ist mit dem Ausstoß der Zieltröpfchen DP durch die Düse 117 synchronisiert. Während sich die Zieltröpfchen durch die Anregungszone bewegen, heizen die Vorimpulse die Zieltröpfchen und wandeln sie in Zielfahnen niedriger Dichte um. Eine Verzögerung zwischen dem Vorimpuls und dem Hauptimpuls wird gesteuert, damit sich die Zielfahne bilden und sich auf eine optimale Größe und Geometrie ausdehnen kann. In verschiedenen Ausführungsformen weisen der Vorimpuls und der Hauptimpuls die gleiche Impulsdauer und maximale Leistungsaufnahme auf. Wenn der Hauptimpuls die Zielfahne erhitzt, wird ein Hochtemperaturplasma erzeugt. Das Plasma emittiert EUV-Strahlung, die von dem Kollektorspiegel 110 aufgefangen wird. Der Kollektorspiegel 110, der ein EUV-Kollektorspiegel ist, reflektiert und fokussiert die EUV-Strahlung weiter für die Lithographie-Belichtungsprozesse, die durch die Belichtungsvorrichtung 200 durchgeführt werden. Ein Tröpfchen DP, das nicht mit den Laserimpulsen wechselwirkt, wird von dem Tröpfchenfänger 85 aufgefangen.
2 zeigt eine schematische Ansicht eines EUV-Lithographie-Belichtungswerkzeugs (EUVL-Belichtungswerkzeugs) gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. Das EUVL-Belichtungswerkzeug von 2 umfasst die Belichtungsvorrichtung 200, die die Belichtung eines mit Photoresist beschichteten Substrats, eines Ziel-Halbleitersubstrats 210, mit einem strukturierten Strahl von EUV-Licht zeigt. Die Belichtungsvorrichtung 200 ist ein Integrierte-Schaltung-Lithographiewerkzeug, wie z.B. ein Stepper, Scanner, Step-and-Scan-System, Direktschreibsystem, eine Vorrichtung, die eine Kontakt- und/oder Proximity-Maske verwendet, usw., das ausgestattet ist mit einer oder mehreren Optiken 205a, 205b, um z.B. eine Strukturierungsoptik, wie z.B. ein Retikel, z.B. eine Reflexionsmaske 205c, mit einem Strahl von EUV-Licht zu beleuchten, um einen strukturierten Strahl zu erzeugen, und einer oder mehreren Verkleinerungsprojektionsoptiken 205d, 205e, um den strukturierten Strahl auf das Ziel-Halbleitersubstrat 210 zu projizieren. Eine mechanische Baugruppe (nicht dargestellt) kann bereitgestellt sein, um eine kontrollierte Relativbewegung zwischen dem Ziel-Halbleitersubstrat 210 und der Strukturierungsoptik, z.B. einer reflektierenden Maske 205c, zu erzeugen. Wie ferner gezeigt, umfasst das EUVL-Belichtungswerkzeug von 2 ferner die EUV-Strahlungsquelle 100, die eine Plasmafahne 23 in der Anregungszone ZE aufweist, die EUV-Licht in der Kammer 105 emittiert, das von einem Kollektorspiegel 110 aufgefangen und in die Belichtungsvorrichtung 200 reflektiert wird, um das Ziel-Halbleitersubstrat 210 zu bestrahlen. In einigen Ausführungsformen ist die Maskenkapselvorrichtung 10 gemäß den SMIF-Standards (Standard Mechanical Interface Standards), z.B. RSP200-Pod, ausgestaltet und hergestellt.
3 zeigt eine Konfiguration einer Maskenkapselvorrichtung 10, in der eine EUV-Photomaske 12 gespeichert ist. Die EUV-Photomaske 12 umfasst ein Substrat 12-1, einen mehrschichtigen Mo/Si-Stapel 12-2 aus mehreren abwechselnden Schichten von Silizium und Molybdän, eine Deckschicht 12-3, eine Absorberschicht 12-4 und eine rückseitige leitfähige Schicht 12-5, die auf der Rückseite des Substrats 12-1 gebildet ist.
Das Substrat 12-1 ist in einigen Ausführungsformen aus einem Material mit niedriger Wärmeausdehnung gebildet. In einigen Ausführungsformen ist das Substrat ein Glas oder Quarz mit niedriger thermischer Ausdehnung, wie z.B. aufgeschmolzene Silica oder aufgeschmolzener Quarz. In einigen Ausführungsformen ist das Glassubstrat mit niedriger Wärmeausdehnung durchlässig für Licht mit Wellenlängen im Sichtbaren, mit Wellenlängen teilweise im infraroten Bereich nahe dem Sichtbaren (nahes Infrarot) und mit Wellenlängen teilweise im ultravioletten Bereich. In einigen Ausführungsformen absorbiert das Glassubstrat mit niedriger thermischer Ausdehnung Extrem-Ultraviolett-Wellenlängen und tiefe ultraviolette Wellenlängen nahe dem Extrem-Ultraviolett. In einigen Ausführungsformen beträgt die Größe des Substrats 10 152 mm × 152 mm (oder 150 mm × 150 mm) mit einer Dicke von etwa 20 mm. Die Form des Substrats 12-1 ist quadratisch oder rechteckig.
In einigen Ausführungsformen umfasst der Mo/Si-Mehrschichtstapel 12-1 etwa 30 bis etwa 60 abwechselnde Schichten von Silizium und Molybdän. In bestimmten Ausführungsformen werden etwa 40 bis etwa 50 abwechselnde Schichten von Silizium und Molybdän gebildet. In einigen Ausführungsformen ist die Reflexion höher als etwa 70 % für relevante Wellenlängen, z.B. 13,5 nm. Jede Schicht von Silizium und Molybdän ist etwa 2 nm bis etwa 10 nm dick. In einigen Ausführungsformen sind die Schichten von Silizium und Molybdän etwa gleich dick. In anderen Ausführungsformen haben die Schichten von Silizium und Molybdän unterschiedliche Dicken. In einigen Ausführungsformen beträgt die Dicke jeder Siliziumschicht etwa 4 nm und die Dicke jeder Molybdänschicht etwa 3 nm.
Die Deckschicht 12-3 ist in einigen Ausführungsformen über der Mo/Si-Mehrschicht 12-2 angeordnet, um die Oxidation des Mehrschichtstapels 12-2 zu verhindern. In einigen Ausführungsformen ist die Deckschicht 12-3 aus Ruthenium, einer Rutheniumlegierung (z.B. RuNb, RuZr, RuZrN, RuRh, RuNbN, RuRhN, RuV oder RuVN) oder einem Oxid auf Rutheniumbasis (z.B. RuO2, RuNbO, RiVO oder RuON) gebildet, mit einer Dicke von etwa 2 nm bis etwa 10 nm.
Die Absorberschicht 12-4 ist über der Deckschicht 12-3 angeordnet, und Schaltungsstrukturen sind darin ausgebildet. In einigen Ausführungsformen ist die Absorberschicht 25 ein Material auf Ta-Basis. In einigen Ausführungsformen besteht die Absorberschicht 12-4 aus TaN, TaO, TaB, TaBO oder TaBN mit einer Dicke von etwa 25 nm bis etwa 100 nm. In bestimmten Ausführungsformen reicht die Dicke der Absorberschicht 12-4 von etwa 50 nm bis etwa 75 nm. In anderen Ausführungsformen enthält die Absorberschicht 12-4 ein Material auf Cr-Basis, wie CrN, CrO und/oder CrON. In einigen Ausführungsformen hat die Absorberschicht 12-4 eine mehrschichtige Struktur von Cr, CrO oder CrON. In einigen Ausführungsformen ist eine Antireflexionsschicht (nicht dargestellt) optional über der Absorberschicht 12-4 angeordnet. Die Antireflexionsschicht ist in einigen Ausführungsformen aus einem Siliziumoxid gebildet und hat eine Dicke von etwa 2 nm bis etwa 10 nm. In anderen Ausführungsformen wird eine TaBO-Schicht mit einer Dicke in einem Bereich von etwa 12 nm bis etwa 18 nm als die Antireflexionsschicht verwendet. In einigen Ausführungsformen beträgt die Dicke der Antireflexionsschicht von etwa 3 nm bis etwa 6 nm.
In einigen Ausführungsformen ist die rückseitige leitfähige Schicht 12-5 aus TaB (Tantalborid) oder einem anderen leitfähigen Material auf Ta-Basis gebildet. In anderen Ausführungsformen ist die rückseitige leitfähige Schicht 45 aus einem leitfähigen Material auf Cr-Basis (CrN oder CrON) gebildet. Die Dicke der rückseitigen leitfähigen Schicht 45 beträgt in einigen Ausführungsformen etwa 50 nm bis etwa 400 nm. In anderen Ausführungsformen weist die rückseitige leitfähige Schicht 45 eine Dicke von etwa 50 nm bis etwa 100 nm auf. In bestimmten Ausführungsformen beträgt die Dicke etwa 65 nm bis etwa 75 nm.
Die Maskenkapselvorrichtung 10 umfasst eine äußere Kapsel 15 und eine innere Kapsel 16, die von der äußeren Kapsel 15 eingeschlossen ist. Die äußere Kapsel 15 umfasst ein oberes Gehäuse 15-1 und ein unteres Gehäuse 15-2 und die innere Kapsel umfasst eine obere Abdeckung 16-1 und eine untere Abdeckung 16-2. Wie in 3 gezeigt, wird die EUV-Fotomaske 12 mit der Oberseite nach unten in die innere Kapsel gelegt (die Absorberschicht zeigt nach unten zu der unteren Abdeckung 16-2). Zwecks der Übersichtlichkeit der Darstellung ist das Pellikel nicht über der strukturierten Oberfläche (Absorberschicht) installiert dargestellt. Es ist jedoch zu beachten, dass ein Pellikel über der Fotomaske 12 installiert ist.
Die untere Abdeckung 16-2 der inneren Kapsel 16 umfasst eine oder mehrere Stützen 16-3, um die Vorderfläche der Fotomaske 12 zu stützen, und die obere Abdeckung 16-1 des der inneren Kapsel 16 umfasst eine oder mehrere Haltestützen 16-4, um die Rückseite der Fotomaske 12 zu stützen. Wie in 4 gezeigt, die eine Ansicht von der Rückseite der Fotomaske ist, stützen einigen Ausführungsformen vier Haltestützen 16-4 die vier Ecken der Fotomaske 12.
5 zeigt eine Querschnittsansicht, wenn die obere Abdeckung 16-2 geschlossen ist und die Haltestützen 16-4 in Kontakt mit der Fotomaske 12 sind. Es ist zu beachten, dass 5 im Gegensatz zu 3 auf dem Kopf steht.
Eine EUV-Fotomaske 12 und die Maskenkapselvorrichtung weisen eine bestimmte Form und Abmessung auf. Beispielsweise sind die vier Ecken mit einem Radius von etwa 2 mm bis etwa 3 mm abgerundet und der Rand zwischen der Hauptoberfläche und der Seitenfläche ist um etwa 0,2 mm bis etwa 0,6 mm abgeschrägt, wie in 5 gezeigt. Der abgeschrägte Winkel beträgt etwa 45 Grad, wie in 5 dargestellt. Im Gegensatz dazu weisen die Haltestützen 16-4 eine geneigte Oberfläche auf, an der der abgeschrägte Rand der Fotomaske anliegt, allerdings mit einem Winkel von 34,4 Grad, wie in 5 dargestellt. Aufgrund des unterschiedlichen Winkels kann die abgeschrägte Ecke der Fotomaske die Haltevorrichtung 16-4 beschädigen oder sich diese eingraben, was ein Partikel 18 erzeugt. Ein solches Partikel kann die Ebenheit der Fotomaske 12 beeinträchtigen, wenn sie auf einem Maskentisch in einem EUV-Lithographieapparat montiert ist. Um die Fotomaske zu reinigen, wurden bisher ein Luftgebläse oder ein Reinigungswischer verwendet, die das Partikel allerdings nur von der flachen Oberfläche der Fotomaske entfernen können. Daher ist es erforderlich, die Partikel von dem Rand oder der Rückseite der Fotomaske 12 effektiv zu entfernen.
Gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird eine Reinigungsvorrichtung 20A wie in 6 gezeigt verwendet, um die Partikel am Rand oder auf der Rückseite der Fotomaske 12 zu entfernen. In einigen Ausführungsformen umfasst die Reinigungsvorrichtung 20A ein klebendes oder klebriges Blatt oder Band 22, das an einem Körper 24A oder 24B angebracht ist, wie in 6 dargestellt. In einigen Ausführungsformen umfasst das Klebeblatt 22 ein Elastomer oder ein gelatineartiges Material. In einigen Ausführungsformen ist das Klebeblatt 22 aus Silikon, einem Styrol-Ethylen-Butylen-Styrol-Copolymer, einem Styrol-Ethylen-Propylen-Styrol-Copolymer oder einem anderen geeigneten Klebematerial gebildet.
In einigen Ausführungsformen ist das Klebeblatt 22 auf mindestens einer Hauptfläche des Körpers 24A oder 24B angeordnet. In einigen Ausführungsformen weist der Körper 24A eine Quaderform auf und das Klebeblatt 22 ist an einer flachen Hauptfläche des Körpers 24A angebracht. In anderen Ausführungsformen weist der Körper 24B mindestens eine gekrümmte Oberfläche (konvex oder konkav) auf, an der das Klebeblatt 22 angebracht ist. Ferner ist in einigen Ausführungsformen ein Haltegriff 28 (siehe 9) über eine Stange 26 an dem Körper 24 angebracht. Wie in 6 dargestellt, wird das Klebeblatt 22 der Reinigungsvorrichtung 20A von der Rückseite der Fotomaske 12 auf den abgeschrägten Rand der Rückseite der Fotomaske 12 aufgebracht.
In einigen Ausführungsformen wird die Fotomaske 12 durch Öffnen oder Entfernen der oberen Abdeckung 16-1 auf den Stützen 16-3 der unteren Abdeckung 16-2 angeordnet; in anderen Ausführungsformen wird die Fotomaske 12 auf einem anderen Trägertisch oder einem Podest angeordnet. Die Partikel an dem Rand der Fotomaske 12 werden entfernt, indem die Reinigungsvorrichtung 20 entlang der Ränder der Fotomaske 12 und/oder über diese gleitet, wie in 6 gezeigt. In einigen Ausführungsformen ist die Hauptoberfläche des Klebeblatts 22 um einen Winkel θ von etwa o Grad bis etwa 90 Grad relativ zu der Rückseite der Fotomaske 12 geneigt. In anderen Ausführungsformen beträgt der Winkel θ etwa 30 Grad bis etwa 75 Grad und in bestimmten Ausführungsformen beträgt der Winkel θ etwa 40 Grad bis etwa 50 Grad. Die Reinigungsvorrichtung 20A wird in einigen Ausführungsformen manuell und in anderen Ausführungsformen mechanisch bedient. Durch Einstellen des Winkels kann der abgeschrägte Rand an der Vorderfläche und an der Seitenfläche gereinigt werden. In einigen Ausführungsformen wird der abgeschrägte Rand an der Rückseite nicht von der Reinigungsvorrichtung 20A behandelt.
In einigen Ausführungsformen beträgt die Dicke des Klebeblatts 22 etwa 1 mm bis etwa 5 mm. In einigen Ausführungsformen ist das Klebeblatt 22 austauschbar durch ein neues Klebeblatt.
In einigen Ausführungsformen ist der Körper 24A, 24B aus einem elastischen Material wie z.B. Gummi oder Schwamm gebildet. Das elastische Material des Körpers 24A, 24B kann einen angemessenen Druck auf das Klebeblatt 22 ausüben, wenn auf die Fotomaske 12 aufgebracht, was die Wirksamkeit der Partikelentfernung verbessert. Wenn das Klebeblatt 21 eine ausreichende Elastizität aufweist, kann der Körper 24A, 24B aus einem nichtelastischen Material wie z.B. Glas, Kunststoff, Keramik oder Metall gebildet werden.
7 zeigt eine Konfiguration einer Reinigungsvorrichtung und eines Reinigungsvorgangs gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Die Materialien, die Konfiguration, die Abmessungen und/oder die Vorgänge, die bei den obigen Ausführungsformen erläutert sind, können auf die folgenden Ausführungsformen angewendet werden und eine ausführliche Erläuterung derselben kann entfallen.
In einigen Ausführungsformen umfasst eine Reinigungsvorrichtung 20B ein Klebeblatt oder ein Klebeband 22, das an einen Körper 24C angebracht wird, wie in 7 gezeigt. In einigen Ausführungsformen enthält das Klebeblatt 22 ein Elastomer oder ein gelatineartiges Material. In einigen Ausführungsformen ist das Klebeblatt 22 aus Silikon, einem Styrol-Ethylen-Butylen-Styrol-Copolymer, einem Styrol-Ethylen-Propylen-Styrol-Copolymer oder einem anderen geeigneten Klebematerial gebildet. In einigen Ausführungsformen weist der Körper 24C eine zylindrische Form auf, die von dem Klebeblatt 22 umwickelt ist. Ferner ist in einigen Ausführungsformen ein Haltegriff 28 (siehe 9) über eine Stange 26 an dem Körper 24 angebracht.
Wie in 7 dargestellt, wird das Klebeblatt 22 der Reinigungsvorrichtung 20B von der Rückseite der Fotomaske 12 auf den abgeschrägte Rand der Rückseite der Fotomaske 12 aufgebracht. In einigen Ausführungsformen wird der Körper 24C manuell oder mechanisch linear entlang der Achse der Stange 26 bewegt.
8 zeigt eine Konfiguration einer Reinigungsvorrichtung und eines Reinigungsvorgangs gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Materialien, Konfigurationen, Abmessungen und/oder Vorgänge, die bei den obigen Ausführungsformen erläutert sind, können auf die folgenden Ausführungsformen angewendet werden und eine ausführliche Erläuterung derselben kann entfallen.
In einigen Ausführungsformen, wie in 8 gezeigt, ist die Reinigungsvorrichtung 20C ein Rotationstyp, bei dem sich der Körper 24C samt dem Klebeblatt 22 um die Achse der Stange 26 dreht. In einigen Ausführungsformen, wie in 9 dargestellt, wird die Stange durch einen Antriebsmechanismus 27 wie z.B. einen Motor gedreht, der in dem Haltegriff 28 angeordnet ist. In einigen Ausführungsformen bewegt der Antriebsmechanismus 27 die Stange 26 auch linear hin und her, wie in 7 dargestellt. In einigen Ausführungsformen sind die Geschwindigkeit und die Richtungen der Bewegung der Stange 26 einstellbar. In einigen Ausführungsformen ist die Stange 26 flexibel und kann biegsam sein, um sich den abgeschrägten Ränder der Fotomaske 12 anzupassen. In einigen Ausführungsformen übt der Antriebsmechanismus 27 über die Stange 26 auch Vibrationen auf den Körper aus. In einigen Ausführungsformen liegt die Vibration in Ultraschallbereich und in anderen Ausführungsformen beträgt die Vibration etwa 1 Hz bis 10 kHz.
10 zeigt eine Konfiguration einer Reinigungsvorrichtung und eines Reinigungsvorgangs gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Die Materialien, die Konfiguration, die Abmessungen und/oder die Vorgänge, die bei den obigen Ausführungsformen erläutert sind, können auf die folgenden Ausführungsformen angewendet werden, und eine ausführliche Erläuterung derselben kann entfallen.
10 zeigt eine Reinigungsvorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. In der in 10 dargestellten Reinigungsvorrichtung 20D ist ein Klebeband oder ein Klebeband 22A einigen Ausführungsformen um eine erste Stange oder einen ersten Körper 26-1 gewickelt und ein Ende des Klebeblatts oder des Klebebandes 22A ist an einer zweiten Stange oder einem zweiten Körper 26-2 befestigt, so dass durch Drehen der zweiten Stange oder des zweiten Körpers 26-2 das Klebeblatt oder das Klebeband 22A von der ersten Stange oder dem ersten Körper 26-1 gelöst und um die zweite Stange oder den zweiten Körper 26-2 gewickelt wird. Das Klebeblatt oder das Klebeband 22A wird auf den Rand der Fotomaske 12 aufgebracht, um Partikel zu entfernen. Der verwendete Teil des Klebeblatts oder des Klebebands 22A wird auf die zweite Stange oder den zweiten Körper 26-2 übertragen, so dass ein neuer und frischer Teil des Klebeblatts oder des Klebebands 22A auf den nächsten zu reinigenden Teil der Fotomaske 12 aufgebracht werden kann.
In einigen Ausführungsformen ist die Drehung der zweiten Stange oder des zweiten Körpers 26-2 oder die Bewegung des Klebeblatts oder des Klebebandes 22A kontinuierlich. In anderen Ausführungsformen erfolgt die Drehung der zweiten Stange oder des zweiten Körpers 26-2 oder die Bewegung des Klebeblatts oder des Klebebands 22A schrittweise. Beispielsweise, nachdem der eine Rand der vier Seiten der Fotomaske 12 gereinigt wird, wird das Klebeblatt oder das Klebeband 22A durch die Drehbewegung der zweiten Stange oder des zweiten Körpers 26-2 erneuert. In anderen Ausführungsformen wird das Klebeblatt oder das Klebeband 22A nach einem Zeitintervall erneuert.
In einigen Ausführungsformen, ähnlich wie in 9, ist zumindest die zweite Stange oder der zweite Körper 26-2 mit einem Antriebsmechanismus 27 wie z.B. einem Motor gekoppelt, um den Rotationsbetrieb der zweiten Stange oder des zweiten Körpers 26-2 zu steuern. In anderen Ausführungsformen ist auch die erste Stange oder der erste Körper 26-1 über ein oder mehrere Getriebe mit einem anderen Motor oder demselben Motor gekoppelt. In einigen Ausführungsformen ist die Rotationsgeschwindigkeit einstellbar. In einigen Ausführungsformen wendet der Antriebsmechanismus 27 ferner Vibrationen über die Stange 26 auf den Körper an. In einigen Ausführungsformen liegt die Vibration in Ultraschallbereich; in anderen Ausführungsformen beträgt die Vibration etwa 1 Hz bis 10 kHz.
In einigen Ausführungsformen ist die Hauptoberfläche des Klebeblatts oder des Klebebands 22A um einen Winkel θ' von etwa 0 Grad bis etwa 90 Grad relativ zu der Rückseite der Fotomaske 12 geneigt. In anderen Ausführungsformen beträgt der Winkel θ' etwa 30 Grad bis etwa 75 Grad und in bestimmten Ausführungsformen beträgt der Winkel θ' etwa 40 Grad bis etwa 50 Grad. Durch Einstellen des Winkels kann der abgeschrägte Rand an der Vorderfläche und der Seitenfläche gereinigt werden. In einigen Ausführungsformen wird der abgeschrägte Rand an der Rückseite nicht durch die Reinigungsvorrichtung 20D behandelt.
In einigen Ausführungsformen können der Winkel θ' wie in 10 gezeigte und der Winkel θ wie in 6-8 gezeigte durch eine Montagevorrichtung 30 wie in 11 gezeigt eingestellt oder geändert werden. In einigen Ausführungsformen umfasst die Montagevorrichtung 30 eine Grundplatte mit einem Bogenabschnitt, der ein Außenumfang der Grundplatte oder ein bogenförmiger Schlitz in der Grundplatte sein kann, und eine bewegliche Platte 32, die sich entlang des Bogenabschnitts bewegt. Der bewegliche Abschnitt 32 ist mit der Reinigungsvorrichtung 20 oder 20A gekoppelt und der Winkel θ' oder θ kann durch Bewegen der beweglichen Platte 32 entlang des Bogenabschnitts verändert werden.
In einigen Ausführungsformen umfasst die Montagevorrichtung 30 einen oder mehrere Motoren, Getriebe oder einen anderen Mechanismus zur Änderung des Winkels θ' oder θ. Ferner ist die Montagevorrichtung 30 eingerichtet, die Position der gesamten Reinigungsvorrichtung (des Klebeblatts) relativ zu der Fotomaske 12 zu verändern.
In einigen Ausführungsformen ist die Montagevorrichtung 30 an einer Kapselmontagevorrichtung 40 angebracht oder anbringbar. Wie in 3 gezeigt, wird eine EUV-Fotomaske auf der inneren Kapsel 16 montiert und die innere Kapsel 16 wird auf der äußeren Kapsel 15 montiert; und die innere Kapsel wird von der äußeren Kapsel entnommen und die Fotomaske wird von der inneren Kapsel entnommen. In einigen Ausführungsformen werden diese Montage- und Entnahmevorgänge von einer Kapselmontagevorrichtung 40 durchgeführt. In einigen Ausführungsformen werden die Montage- und Entnahmevorgänge der Fotomaske auf und von der inneren Kapsel 16 durch eine andere Kapselmontagevorrichtung durchgeführt als die Kapselmontagevorrichtung für die Montage- und Entnahmevorgänge der inneren Kapsel 16 auf und von der äußeren Kapsel 15.
In einigen Ausführungsformen wird, nachdem die obere Abdeckung 16-4 von der inneren Kapsel entfernt wird, um die Rückseite der Fotomaske 12 freizulegen, die Reinigungsvorrichtung auf den abgeschrägten Rand der Rückseite der Fotomaske 12 aufgebracht. Wenn die Montagevorrichtung 30 an die Kapselmontagevorrichtung 40 angebracht wird, kann der abgeschrägte Rand der Fotomaske 12 wirkungsvoll gereinigt werden. In einigen Ausführungsformen wird die Reinigung mechanisch und automatisch durchgeführt, indem eine oder mehrere Steuerschaltungen verwendet werden, die zur Steuerung der Montagevorrichtung 30 und der Reinigungsvorrichtung 20 und 20A programmiert sind.
In anderen Ausführungsformen ist die Montagevorrichtung 30 an einem anderen unabhängigen Tisch angebracht oder anbringbar, der zum Zweck der Reinigung verwendet wird.
In einigen Ausführungsformen, wie in 12 gezeigt, wird ein Klebeblatt 22B manuell auf den abgeschrägte Rand der Unterseite der Fotomaske 12 aufgebracht.
In einigen Ausführungsformen umfasst die Reinigungsvorrichtung einen Körper 28 und einen flexible Stütze mit einer Rahmenform und einer geneigten Oberfläche und ein Klebeblatt oder ein Klebeband wird an der geneigten Oberfläche (Anwendungsoberfläche) angebracht. Die geneigte Oberfläche weist einen Neigungswinkel θ auf, der in einigen Ausführungsformen etwa 40 Grad bis 50 Grad beträgt, und der Winkel θ beträgt in einer bestimmten Ausführungsform 45 Grad. In einigen Ausführungsformen weist der flexible Träger eine größere oder kleinere Flexibilität als das Klebeblatt auf. In einigen Ausführungsformen enthält der flexible Träger Gummi, Schwamm, Polymer oder ein anderes geeignetes Material. In einigen Ausführungsformen beträgt die Dicke des Klebeblatts etwa 0,5 mm bis etwa 5 mm und beträgt etwa 1 mm bis etwa 3 mm.
Während Betrieb wird die Reinigungsvorrichtung von oben auf die Rückseite der Fotomaske 12 aufgebracht, so dass das Klebeblatt die abgeschrägten Ränder der Fotomaske 12 kontaktiert. Die Reinigungsvorrichtung wird an die Fotomaske 12 gepresst, so dass die flexible Stütze verformt wird. Durch wiederholtes Pressen und Ablösen der Reinigungsvorrichtung wird der Rand der Fotomaske 12 gereinigt. In einigen Ausführungsformen wird die Reinigungsvorrichtung 12 nach dem Lösen von der Fotomaske 12 um 90 oder 180 Grad gedreht. Vibrationen können wie oben beschrieben während des Pressens der Reinigungsvorrichtung an die Fotomaske angewendet werden. In einigen Ausführungsformen ist der flexible Körper aus den Materialien für das Klebeband gebildet und ist aus Silikon, einem Styrol-Ethylen-Butylen-Styrol-Copolymer, einem Styrol-Ethylen-Propylen-Styrol-Copolymer oder einem anderen geeigneten Klebematerial gebildet. In einem solchen Fall ist ein Klebstoff nicht erforderlich. In einigen Ausführungsformen wird die Reinigungsvorrichtung durch eine automatisierte mechanische Struktur an die Fotomaske 12 angebracht.
13A und 13B zeigen einen Prozessablauf der Reinigung einer EUV-Photomaske gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
In 13A wird die EUV-Fotomaske nach der Verwendung in einem EUV-Lithographieapparat aus dem EUV-Lithographieapparat entladen. In einigen Ausführungsformen wird die EUV-Photomaske in einer Vakuumumgebung in eine innere Kapsel geladen. Dann wird die innere Kapsel aus dem Vakuumapparat entladen und in eine äußere Kapsel der Maskenkapselvorrichtung geladen. Dann wird die Maskenkapselvorrichtung auf eine Kapselentnahmevorrichtung geladen und die äußere Kapsel und die innere Kapsel werden entfernt. In einigen Ausführungsformen wird das Pellikel entfernt, bevor die Fotomaske in die innere Kapsel geladen wird. In einigen Ausführungsformen wird die Fotomaske dann einem Reinigungsvorgang unterzogen. In einigen Ausführungsformen umfasst der Reinigungsvorgang die Reinigung der gesamten Fotomaske durch eine Nass- und/oder Trockenreinigung. In einigen Ausführungsformen umfasst der Reinigungsvorgang die Reinigung der abgeschrägten Ränder der Rückseite der Fotomaske wie oben erläutert. Nach dem Reinigungsvorgang wird die Fotomaske in eine Maskenbibliothek oder ein Maskenlager geladen.
In 13B wird, wenn eine EUV-Fotomaske verwendet wird, die Fotomaske der Maskenbibliothek oder dem Lager entnommen und dann dem Reinigungsvorgang unterzogen. In einigen Ausführungsformen umfasst der Reinigungsvorgang die Reinigung der gesamten Fotomaske durch eine Nass- und/oder Trockenreinigung. In einigen Ausführungsformen umfasst der Reinigungsvorgang das Reinigen der abgeschrägten Ränder auf der Rückseite der Fotomaske wie oben erläutert. Nach dem Reinigungsvorgang wird, falls kein Pellikel über der Fotomaske montiert wurde, ein Pellikel über der Fotomaske montiert. Dann wird die Fotomaske in eine innere Kapsel und die innere Kapsel in eine äußere Kapsel geladen; und die Maskenkapselvorrichtung wird zu einem EUV-Lithographieapparat transportiert. Die innere Kapsel wird in einer Vakuumumgebung aus der äußeren Kapsel entfernt und die innere Kapsel wird in den Lithographieapparat transportiert. In dem EUV-Lithographieapparat wird die Fotomaske unter Vakuum aus der inneren Kapsel entladen und auf einen Maskentisch des EUV-Lithographieapparats platziert.
Gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann ein Klebeblatt oder ein Klebeband Partikel an abgeschrägten Rändern der Rückseite einer EUV-Fotomaske wirkungsvoll entfernen. Da das Klebeblatt oder das Klebeband relativ kostengünstig ist, können die Kosten für die Reinigung gesenkt werden. Obwohl hierin Reinigungsverfahren für eine EUV-Fotomaske erläutert sind, kann das Reinigungsverfahren der vorliegenden Offenbarung auf die Reinigung jeder Art von Fotomaske angewendet werden, z.B. Fotomasken für tiefe UV-Lithographie oder UV-Lithographie oder eine Fotomaske ohne abgeschrägte Ränder.
Es ist zu verstehen, dass hierin nicht alle Vorteile notwendigerweise erörtert sind, kein bestimmter Vorteil für alle Ausführungsformen oder Beispiele erforderlich ist und andere Ausführungsformen oder Beispiele andere Vorteile bieten können.
Gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird, in einem Verfahren zum Reinigen einer Fotomaske, die Fotomaske so auf einem Träger platziert, dass eine strukturierte Oberfläche nach unten gerichtet ist, und ein Klebeblatt wird auf Ränder einer rückseitigen Oberfläche der Fotomaske aufgebracht. In einer oder mehreren der vorstehenden oder nachfolgenden Ausführungsformen sind die Ränder der rückseitigen Oberfläche der Fotomaske abgeschrägt. In einer oder mehreren der vorhergehenden oder nachfolgenden Ausführungsformen ist das Klebeblatt aus Silikon gebildet. In einer oder mehreren der vorhergehenden oder nachfolgenden Ausführungsformen ist das Klebeblatt aus einem Styrol-Ethylen-Butylen-Styrol-Copolymer oder einem Styrol-Ethylen-Propylen-Styrol-Copolymer gebildet. In einer oder mehreren der vorstehenden oder nachfolgenden Ausführungsformen ist das Klebeblatt an einem Körper angebracht. In einer oder mehreren der vorstehenden oder nachfolgenden Ausführungsformen ist der Körper aus einem elastischen Material gebildet. In einer oder mehreren der vorstehenden oder nachfolgenden Ausführungsformen umfasst das Aufbringen des Klebeblatts das Bewegen des Körpers, während das Klebeblatt in Kontakt mit den Rändern ist. In einer oder mehreren der vorstehenden oder nachfolgenden Ausführungsformen umfasst das Bewegen eine lineare Bewegung.
Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird, in einem Verfahren zum Reinigen einer Fotomaske, die Fotomaske in eine innere Kapsel geladen, die innere Kapsel wird in eine äußere Kapsel geladen, die äußere Kapsel wird geöffnet, die innere Kapsel wird so geöffnet, dass die Fotomaske über einer unteren Abdeckung der inneren Kapsel platziert wird, wobei eine strukturierte Oberfläche nach unten gerichtet ist, und ein Klebeblatt wird auf die Ränder einer rückseitigen Oberfläche der Fotomaske aufgebracht, während die Fotomaske über der unteren Abdeckung der inneren Kapsel platziert ist. In einer oder mehreren der vorstehenden oder nachfolgenden Ausführungsformen ist ein Klebeblatt an einer Oberfläche eines Körpers angebracht und der Körper ist über eine Stange mit einem Griff gekoppelt und der Greifer wird beim Aufbringen des Klebeblatts betätigt, um die Ränder der rückseitigen Oberfläche der Fotomaske zu reinigen. In einer oder mehreren der vorstehenden oder nachfolgenden Ausführungsformen weist der Körper eine zylindrische Form auf und das Klebeblatt umwickelt den Körper. In einer oder mehreren der vorstehenden oder nachfolgenden Ausführungsformen umfasst das Aufbringen des Klebeblatts das Drehen des Körpers. In einer oder mehreren der vorstehenden oder nachfolgenden Ausführungsformen weist der Körper eine gekrümmte Oberfläche auf und das Klebeblatt ist an der gekrümmten Oberfläche angebracht. In einer oder mehreren der vorstehenden oder nachfolgenden Ausführungsformen umfasst das Aufbringen des Klebeblatts Ausüben von Vibration auf den Körper. In einer oder mehreren der vorstehenden oder nachfolgenden Ausführungsformen liegt die Vibration in einem Ultraschallbereich. In einer oder mehreren der vorstehenden oder nachfolgenden Ausführungsformen werden die Ränder einer strukturierten Oberfläche nicht durch das Klebeblatt gereinigt.
Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Offenbarung umfasst eine Reinigungsvorrichtung zum Entfernen eines Partikels von einem Rand einer Rückseite einer EUV-Fotomaske: einen ersten Körper, der von einem Klebeband umwickelt ist, einen zweiten Körper, an dem ein Ende des Klebebandes befestigt ist, und einen Antriebsmechanismus zum Drehen des zweiten Körpers. Das Klebeband ist aus einem von Silikon, einem Styrol-Ethylen-Butylen-Styrol-Copolymer oder einem Styrol-Ethylen-Propylen-Styrol-Copolymer gebildet. In einer oder mehreren der vorstehenden oder nachfolgenden Ausführungsformen umfasst die Reinigungsvorrichtung ferner eine Montagevorrichtung eingerichtet zum Ändern eines Winkels zwischen einer Oberfläche des Klebebands und der Rückseite der Fotomaske. In einer oder mehreren der vorstehenden oder nachfolgenden Ausführungsformen ist die Montagevorrichtung an einer Maskenkapsel-Montage-Entnahme-Vorrichtung angebracht. In einer oder mehreren der vorstehenden oder nachfolgenden Ausführungsformen ist der Antriebsmechanismus eingerichtet, eine Drehgeschwindigkeit des zweiten Körpers einzustellen.
Vorstehend sind Merkmale mehrerer Ausführungsformen oder Beispiele umrissen, damit der Fachmann die Aspekte der vorliegenden Offenbarung besser verstehen kann. Der Fachmann sollte erkennen, dass die vorliegende Offenbarung ohne weiteres als Grundlage für die Entwicklung oder Modifizierung anderer Verfahren und Strukturen verwendet werden kann, um die gleichen Zwecke zu erfüllen und/oder die gleichen Vorteile der hier vorgestellten Ausführungsformen oder Beispiele zu erzielen. Der Fachmann sollte ferner erkennen, dass solche äquivalenten Konstruktionen nicht vom Geist und Umfang der vorliegenden Offenbarung abweichen, und dass verschiedene Änderungen, Substitutionen und Abwandlungen hierin vorgenommen werden können, ohne vom Geist und Umfang der vorliegenden Offenbarung abzuweichen.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

US 63/031071 [0001]

Claims

Verfahren zum Reinigen einer Fotomaske, umfassend: Platzieren der Fotomaske auf einem Träger so, dass eine strukturierte Oberfläche der Fotomaske nach unten gerichtet ist; und Aufbringen eines Klebeblatts auf Ränder einer rückseitigen Oberfläche der Fotomaske.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Ränder der rückseitigen Oberfläche der Fotomaske abgeschrägte Ränder sind.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Klebeblatt aus Silikon gebildet ist.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Klebeblatt aus einem Styrol-Ethylen-Butylen-Styrol-Copolymer oder einem Styrol-Ethylen-Propylen-Styrol-Copolymer gebildet ist.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Klebeblatt an einen Körper angebracht wird.
Verfahren nach Anspruch 5, wobei der Körper aus einem elastischen Material gebildet ist.
Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, wobei das Aufbringen des Klebeblatts umfasst: Bewegen des Körpers, während das Klebeblatt in Kontakt mit den Rändern ist.
Verfahren nach Anspruch 7, wobei das Bewegen eine lineare Bewegung umfasst.
Verfahren zum Reinigen einer Fotomaske, umfassend: Laden der Fotomaske in eine innere Kapsel; Laden der inneren Kapsel in eine äußere Kapsel; Öffnen der äußeren Kapsel; Öffnen der inneren Kapsel, so dass die Fotomaske über einer unteren Abdeckung der inneren Kapsel platziert wird, wobei eine strukturierte Oberfläche der Fotomaske nach unten gerichtet ist; und Aufbringen eines Klebeblatts auf Ränder einer rückseitigen Oberfläche der Fotomaske, während die Fotomaske über der unteren Abdeckung der inneren Kapsel platziert ist.
Verfahren nach Anspruch 9, wobei: ein Klebeblatt an einer Oberfläche eines Körpers angebracht ist und ein Körper über eine Stange mit einem Griff gekoppelt ist, und das Aufbringen des Klebeblatts umfasst: - Betätigen des Griffs, um die Ränder der rückseitigen Oberfläche der Fotomaske zu reinigen.
Verfahren nach Anspruch 10, wobei der Körper eine zylindrische Form aufweist und das Klebeblatt den Körper umwickelt.
Verfahren nach Anspruch 11, wobei das Aufbringen des Klebeblatts umfasst: Drehen des Körpers.
Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, wobei der Körper eine gekrümmte Oberfläche aufweist und das Klebeblatt an der gekrümmten Oberfläche angebracht ist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 13, wobei das Aufbringen des Klebeblatts umfasst: Ausüben von Vibration auf den Körper.
Verfahren nach Anspruch 14, wobei die Vibration in einem Ultraschallbereich liegt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 15, wobei die Ränder der strukturierten Oberfläche der Fotomaske nicht durch das Klebeblatt gereinigt werden.
Reinigungsvorrichtung zum Entfernen eines Partikels von einem Rand einer Rückseite einer EUV-Fotomaske, wobei die Reinigungsvorrichtung umfasst: einen ersten Körper, um den ein Klebeband gewickelt ist; einen zweiten Körper, an dem ein Ende des Klebebandes angebracht ist; und einen Antriebsmechanismus zum Drehen des zweiten Körpers, wobei das Klebeband aus einem von Silikon, einem Styrol-Ethylen-Butylen-Styrol-Copolymer oder einem Styrol-Ethylen-Propylen-Styrol-Copolymer gebildet ist.
Reinigungsvorrichtung nach Anspruch 17, ferner umfassend eine Montagevorrichtung, die eingerichtet ist, einen Winkel zwischen einer Oberfläche des Klebebands und der Rückseite der Fotomaske zu ändern.
Reinigungsvorrichtung nach Anspruch 18, wobei die Montagevorrichtung an einer Maskenkapsel-Montage-Entnahme-Vorrichtung angebracht ist.
Reinigungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 19, wobei der Antriebsmechanismus eingerichtet ist, eine Rotationsgeschwindigkeit des zweiten Körpers einzustellen.