CN115524921A

CN115524921A - 倍缩光罩外壳及其处置方法

Info

Publication number: CN115524921A
Application number: CN202210434807.0A
Authority: CN
Inventors: 许倍诚; 连大成; 李信昌
Original assignee: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Current assignee: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Priority date: 2021-08-30
Filing date: 2022-04-24
Publication date: 2022-12-27
Also published as: TW202314796A; US20230066653A1; TWI831314B

Abstract

一种倍缩光罩外壳及其处置方法，倍缩光罩外壳包括：包括一第一表面的一基座；一盖，该盖包括一第二表面且安置于该基座上，其中该基座及该盖在之间形成一内部空间以包括一倍缩光罩；及一弹性体或凝胶材料层，该弹性体或凝胶材料层安置于该第一表面及该第二表面中的至少一者上，其中该弹性体或凝胶材料层安置于该基座与该盖之间且接触该基座或该盖。

Description

倍缩光罩外壳及其处置方法

技术领域

本揭露关于一种倍缩光罩外壳及其处置方法。

背景技术

微影术设备将图案自图案化装置(例如，光罩)投影于设置于半导体基板上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。当光罩并不使用(或储存)或自储存器转移至微影术设备，诸如步进器或扫描仪时，光罩通过置放于罩幕壳体(舱)中而恰当地受到保护从而免受诸如灰尘或粒子的污染物影响。

发明内容

根据本揭露的一些实施例中，一种倍缩光罩外壳包含一基座、一盖及一弹性体或凝胶材料层。基座包括一第一表面。该盖包括一第二表面且安置于该基座上，其中该基座及该盖在之间形成一内部空间以包括一倍缩光罩。弹性体或凝胶材料层，该弹性体或凝胶材料层安置于该第一表面及该第二表面中的至少一者上，其中该弹性体或凝胶材料层安置于该基座与该盖之间且接触该基座或该盖。

根据本揭露的一些实施例中，一种处置倍缩光罩外壳的方法，包含以下步骤。提供一外部倍缩光罩外壳，该外部倍缩光罩外壳包括一外部基座及一外部盖，其中一第一弹性体或凝胶材料层安置于该外部基座上，且一第二弹性体或凝胶材料层安置于该外部盖上。提供一内部倍缩光罩外壳，该内部倍缩光罩外壳包括一内部基座及一内部盖，其中一第三弹性体或凝胶材料层安置于该内部基座上，且一第四弹性体或凝胶材料层安置于该内部盖上。将一倍缩光罩置放于该内部基座上；将该内部盖置放于该内部基座上，使得该第三弹性体或凝胶材料层接触该第四弹性体或凝胶材料层；将该内部倍缩光罩外壳置放于该外部基座上；将该外部盖置放于该外部基座上，使得该第一弹性体或凝胶材料层接触该第二弹性体或凝胶材料层。

根据本揭露的一些实施例中，一种处置倍缩光罩外壳的方法，包含以下步骤。提供一第一倍缩光罩外壳，该第一倍缩光罩外壳包括一第一基座及安置于该第一基座上的一第一盖，其中一第一弹性体或凝胶材料层安置于该第一基座及该第一盖中的至少一者上；分离该第一基座与该第一盖；将一倍缩光罩置放于该第一基座上；及通过将该第一盖置放于该第一基座上来封闭该第一倍缩光罩外壳，使得该第一弹性体或凝胶材料层安置于该第一基座与该第一盖之间，且接触该第一基座或该第一盖。

附图说明

本揭露的态样在与所附附图一起研读时自以下详细描述内容来最佳地理解。应注意，根据行业中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，各种特征的尺寸可为了论述清楚经任意地增大或减小。

图1A为根据本揭露的一些实施例构建的远紫外线(extreme ultraviolet，EUV)微影术系统的示意图，该微影术系统具有激光产生电浆(laser produced plasma，LPP)EUV辐射源设备；

图1B为根据本揭露的实施例的EUV微影术系统曝光工具的示意图；

图1C图示安设在置放于图1A的EUV微影术系统中的倍缩光罩上的示意性薄皮总成；

图2图示不同载物台(或台)与远紫外线微影术系统的布局的俯视图；

图3A为示意性分解视图，且图3B为图示EUV倍缩光罩舱的横截面图；

图4A为根据本揭露的实施例的图示包括涂布材料层的内部舱的示意图；

图4B图示图4A中箭头A的方向上内部舱盖的视图；

图4C图示图4A中箭头B的方向上内部舱基座的平面图；

图4D图示包括沿着左侧边缘的层及沿着周边区的底部边缘的内部舱盖的表面；

图4E图示包括沿着底部边缘的层及沿着周边区的右侧边缘的内部舱基座的表面；

图4F图示包括内部舱盖中沿着周边区的多个离散方位安置的层的内部舱盖的表面；

图4G图示包括沿着内部舱基座的周边区的多个离散方位安置的层的内部舱基座的表面；

图4H为根据本揭露的实施例的图示延伸小于盖的宽度的层的示意图；

图4I图示根据本揭露的实施例的仅涂布有层的内部舱基座的表面；

图4J图示根据本揭露的实施例的仅涂布有层的内部舱盖的表面；

图5图示根据本揭露的实施例的涂布有层的外部舱的外部基座及外部盖的表面；

图6图示根据本揭露的实施例的处置倍缩光罩外壳的方法的流程图。

【符号说明】

100:远紫外线(EUV)辐射源设备

101:远紫外线(EUV)微影术系统

105:腔室

110:激光产生电浆(LPP)收集器/收集器

115:靶材液滴产生器

120:液滴捕获器

130:第一缓冲器气体供应源

135:第二缓冲器气体供应源

140:出口

150:残渣收集机构或装置

160:输出端口

200:曝光工具

201:倍缩光罩处置系统

202:载入端口

204:非真空机器人(OVR)

205a:光学件

205b:光学件

205c:倍缩光罩

205d:减小投影光学件

205e:减小投影光学件

206:倍缩光罩背侧检测(RBI)载物台

208:条码读取器

210:真空机器人(IVR)

211:基板

212:真空库(IVL)

214:快速交换装置(RED)

216:倍缩光罩载物台(RS)

218:载入锁定腔室

250:示意性薄皮总成

252:薄皮

254:薄皮框架

256:图案化表面

258:污染物粒子

300:激发激光源设备

310:激光产生器

311:内部空间

313:外部边缘

320:激光导引光学件

330:聚焦设备

350:倍缩光罩舱

351:外部舱

352:外部盖

353:外部基座

354:内部舱

355:内部舱盖

356:内部舱基座

361:约束机构

365:经印刷或图案化表面

371:表面

373:表面

380:顶部部分

382:侧向部分

402:层

600:处置倍缩光罩外壳的方法

A:箭头

A1:光轴

B:箭头

BF:基座地板

DP:靶材液滴

DP1:减震器

DP2:减震器

LR2:激发激光

LR1:激光

MF:主地板

PP1:机架板

PP2:机架板

S610:操作

S620:操作

S630:操作

S640:操作

T:厚度

W:宽度

ZE:激发区域

具体实施方式

应理解，以下揭示内容提供用于实施本揭露的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件及配置的特定实施例或实例以简化本揭露。当然，这些组件及配置仅为实例且并非意欲为限制性的。举例而言，元件的尺寸不限于所揭示的范围或值，而是可取决于处理条件及/或装置的所要性质。此外，在以下描述中第一特征于第二特征上方或上的形成可包括第一及第二特征直接接触地形成的实施例，且亦可包括额外特征可经形成从而插入于第一特征与第二特征之间使得第一特征及第二特征可不直接接触的实施例。各种特征为了简单及清楚可以不同比例尺来任意地绘制。在所附附图中，一些层/特征可为了简单被省略。

另外，空间相对术语，诸如“……下面”、“下方”、“下部”、“……上方”、“上部”及类似者本文中可出于易于描述而使用以描述如诸图中图示的一个元素或特征与另一(些)元素或特征的关系。空间相对术语意欲涵盖装置的使用或操作中除了诸图中描绘的定向外的不同定向。装置可以其他方式定向(旋转90度或处于其他定向)，且本文中使用的空间相对描述词可同样经因此解译。此外，术语“由……制成”可意谓“包含”或“由……组成”。另外，在以下制造制程中，在所描述的操作中间可存在一或多个额外操作，且操作的次序可经改变。在本揭露中，片语“A、B及C中的至少一者”意谓A、B、C、A+B、A+C、B+C，或A+B+C中的一者，且并不意谓来自A的一者、来自B的一者及来自C的一者，除非以其他方式解释。

本揭露大体上是关于远紫外线(extreme ultraviolet，EUV)微影术系统及方法。本文中所揭示的实施例是针对用于运输且储存光罩或坯料基板的远紫外线(extremeultraviolet，EUV)倍缩光罩舱的改良式设计，且更具体而言是针对包括内部舱的EUV倍缩光罩舱，该内部舱经设计以减小归因于内部舱盖与内部舱基座之间的摩擦产生的粒子。因此，含有于EUV倍缩光罩舱内的光罩(倍缩光罩)至颗粒物质的暴露被减小，且远紫外线微影术系统(例如，曝光工具的)由颗粒物质的污染受到限制。

使用光微影术(例如，远紫外线光微影术或将13.5nm波长用于图案化的EUV光微影术)图案化的半导体晶片需要罩幕或光罩(亦被称作“倍缩光罩”)，该罩幕或光罩含有于标准化载体中从而传送至一洁净室中的不同位置或用于不同制程的不同洁净室。举例而言，坯料基板使用手动或机械方法在标准化载体中传送至不同方位或洁净室用于清洗及罩幕制造。所制造的罩幕亦在标准化载体内传送至不同方位或洁净室用于光微影术制程，或在使用之前或之后储存。罩幕载体(亦被称作罩幕容器、罩幕舱或罩幕盒)包括内部舱及外部舱内。内部舱接触坯料基板或罩幕，且包括内部舱盖及内部舱基座。内部舱的内部舱盖及内部舱基座经设计而以高准确度彼此拟合。

内部舱盖及内部舱基座由诸如铝合金的金属材料制成。铝合金包括例如铝-镁(Al-Mg)合金。虽然为紧固于内部舱内的罩幕或坯料基板提供所要求的支撑及保护，但铝合金构造使得内部舱重量轻且因此内部舱以手动方式或使用机器人设备相对容易地进行处置。然而，铝合金具有差的机械性质且可易于受到损害。为了改良内部舱的机械性质，铝合金结构涂布有镍、镍合金、钴，或钴合金。

用于涂层中的材料为相对硬的材料。内部舱盖与内部舱基座之间的接触例如在开启或封闭内部舱时引起内部舱盖与内部舱基座之间的摩擦。同时，处置内部舱的机器人设备可发生故障，从而使得内部舱倾斜，且借此使内部舱盖在内部舱基座上方滑动(且引起摩擦)。摩擦产生粒子，该些粒子可掉落于内部舱基座及/或紧固于内部舱基座上的罩幕或坯料基板上。这些粒子一般而言污染内部舱的环境及微影术系统的环境，且可损害罩幕或坯料基板上的图案或阻断EUV辐射，从而引起制造误差。罩幕或坯料基板在具有粒子的内部舱内的平移、旋转或摩擦可严重地损害罩幕或坯料基板。受到损害的罩幕增大生产成本、增大制造时间且要求昂贵的系统用于检查罩幕中的缺陷。

保护颗粒物不污染所关注物件(例如，罩幕)的需要在许多应用领域中被需要，该些应用包括诸如远紫外线微影术的半导体制造中的应用。微影术设备将图案自图案化装置(例如，光罩)投影于设置于半导体基板上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。由微影术设备使用以将图案投影于基板上的辐射波长判定可形成于该基板上的特征的最小大小。相较于熟知的光微影术设备(其可例如使用具有193nm的波长的电磁辐射)，使用远紫外线辐射的微影术设备可用以在基板上形成较小特征，远紫外线辐射是具有在范围4至20nm内的波长的电磁辐射。

图案化装置(光罩或倍缩光罩)由薄皮保护免受粒子污染物影响。虽然薄皮限制污染物到达倍缩光罩的印刷或图案化表面，但归因于内部舱盖与内部舱基座之间的摩擦产生的粒子(污染物)可仍进入EUV罩幕舱环境。这些粒子可行进脱离EUV罩幕舱且分散于微影术系统中，且污染微影术系统的环境并将缺陷引入至投影于半导体基板上的图案中。所要的是限制这些污染物的产生。应注意，尽管本文中参看EUV微影术系统来论述实施例，但实施例并不在此方面受限。根据本文中所论述的实施例，罩幕舱可用于其他类型的光微影术系统(例如，深紫外线(deep ultraviolet，DUV)微影术系统)中而不偏离本揭露的范畴。

图1A为EUV微影术系统101的示意性且图解视图。EUV微影术系统101包括用以产生EUV光的EUV辐射源设备100、诸如扫描仪的曝光工具200，及激发激光源设备300。如图1A中所绘示，在一些实施例中，EUV辐射源设备100及曝光工具200安设于洁净室的主地板MF上，同时激发激光源设备300安设于定位于主地板下方的基座地板BF上。EUV辐射源设备100及曝光工具200中的每一者分别经由减震器DP1及DP2置放于机架板PP1及PP2上。EUV辐射源设备100及曝光工具200由耦接机构耦接至彼此，该耦接机构可包括聚焦单元。

微影术系统为远紫外线(extreme ultraviolet，EUV)微影术系统，该远紫外线微影术系统经设计以由EUV光(或EUV辐射)暴露蚀刻剂层。抗蚀剂层为对于EUV光敏感的材料。EUV微影术系统使用EUV辐射源设备100来产生EUV光，诸如具有范围为约1nm与约100nm的波长的EUV光。在一个特定实例中，EUV辐射源设备100产生EUV光，该EUV光具有中心为约13.5nm的波长。在本实施例中，EUV辐射源设备100利用激光产生电浆(laser-producedplasma，LPP)机制来产生EUV辐射。

曝光工具200包括诸如凸面/凹入/平坦镜面的各种反射光学组件、包括罩幕载物台的罩幕固持机构及晶圆固持机构。通过EUV辐射源设备100产生的EUV辐射EUV由反射光学组件导引于紧固在罩幕载物台上的罩幕上。在一些实施例中，罩幕载物台包括静电卡盘(electrostatic chuck、e-chuck)以紧固罩幕。因为气体分子吸收EUV光，所以EUV微影术图案化的微影术系统维持于真空或低压力环境以避免EUV强度损耗。

图1B为根据本揭露的实施例的曝光工具200的简化示意图，从而绘示经光阻剂涂布的基板211通过EUV光的图案化射束的曝光。曝光工具200为集成电路微影术工具，诸如步进器，扫描仪，步进及扫描系统，直写系统，例如通过EUV光射束照射诸如倍缩光罩205c的图案化光学件以产生图案化射束的具备一或多个光学件205a、205b的使用触点及/或近接罩幕等的装置，及用于将图案化射束投影于基板211上的一或多个减小投影光学件205d、205e。一或多个光学件205a、205b提供具有所要横截面形状及所要角形分布的EUV光束。倍缩光罩205c由薄皮保护，该薄皮由薄皮框架固持于适当位置。倍缩光罩205c反射且图案化EUV光束。

简洁地参看图1C，相对详细地图示安设于倍缩光罩205c上的示意性薄皮总成250。薄皮总成250包括薄皮252及薄皮框架254。倍缩光罩205c具有图案化表面256。薄皮框架254围绕薄皮252的周边部分且支撑薄皮252，且可移除地吸附至倍缩光罩205c。

薄皮252将污染物，例如污染物粒子258固持于距倍缩光罩205c的图案化表面256的一距离，使得污染物粒子258并非在EUV辐射射束的焦平面中，且因此不成像至基板211上(图1B)。

回看图1B，在自倍缩光罩反射之后，EUV光的图案化射束经提供至一或多个光学件205a、205b，且又投影至由机械总成(例如，基板载物台)固持的基板211上。在一些实施例中，一或多个光学件205a、205b将减小因数应用至辐射射束，从而形成具有特征的影像，该些特征小于倍缩光罩上的对应特征。机械总成可经提供用于在基板211与倍缩光罩205c之间产生控制相对移动。

EUV微影术系统可例如以扫描模式使用，其中卡盘及机械总成(例如，基板台)经同步扫描，同时赋予至辐射射束的图案经投影至基板211上(亦即，动态曝光)。基板台相对于卡盘的速率及方向由曝光工具200的缩倍及影像翻转特性来判定。入射于基板211上的EUV辐射的图案化射束包含辐射带。辐射带被称作曝光狭缝。在扫描曝光期间，基板台及卡盘的移动是使得曝光狭缝在基板211的曝光场上方行进。如图1B中进一步绘示，EUV工具包括EUV辐射源设备100，该EUV辐射源设备100包括腔室105中激发区域ZE发射EUV光的电浆，该激发区域ZE发射EUV光由收集器110沿着路径收集并反射至曝光工具200中以照射基板211。

如本文中所使用，术语“光学件”意谓经广泛建构以包括且并非有必要限于反射及/或透射入射光及/或对入射光操作的一或多个组件，且包括但不限于一或多个透镜、视窗、滤光器、楔形物、棱镜、棱镜光栅、光栅、透射纤维、校准器、漫射器、均质器、侦测器及其他仪器组件、孔、轴棱镜及镜面，该些镜面包括多层镜、正入射镜、临界入射镜、镜面反射器、漫射反射器及其组合。此外，除非以其他方式指定，否则术语“光学件”如本文中所使用并非意谓限于如下组件：单独地在一或多个特定波长范围内，诸如以EUV输出光波长、辐射激光波长、适合于度量衡的波长或任何其他特定波长操作。

在本揭露中，术语罩幕、光罩及倍缩光罩互换地使用。在本实施例中，罩幕为反射罩幕。罩幕的一个例示性结构包括具有合适材料，诸如低热膨胀材料的材料或熔融石英的基板。在各种实例中，材料包括经TiO2掺杂的SiO2，或具有低热膨胀系数的其他合适材料。罩幕包括沉积于基板上的多个反射多层。多个层包括多个膜对，诸如钼-硅(Mo/Si)膜对(例如，每一膜对中的硅层上方或下方的钼层)。替代地，多个层可包括钼-铍(Mo/Be)膜对，或可组态以高度反射EUV光的其他合适材料。罩幕可进一步包括安置于ML上用于保护的顶盖层，诸如钌(Ru)。罩幕进一步包括沉积于多个层上方的吸收层，诸如硼氮化钽(TaBN)层。吸收层经图案化以界定集成电路(integrated circuit，IC)的层。替代地，另一反射层可沉积于多个层上方，且经图案化以界定集成电路的层，借此形成EUV相转移罩幕。

在本实施例中，半导体基板为半导体晶圆，诸如硅晶圆或待图案化的其他类型的晶圆。本实施例中，半导体基板涂布有对EUV光敏感的抗蚀剂层。包括上文描述的那些的各种组件整合在一起且可操作以执行微影术曝光制程。

微影术系统可进一步包括其他模组，或整合有其他模组(或与其他模组耦接)。如图1A中所绘示，EUV辐射源设备100包括由腔室105围封的靶材液滴产生器115及LPP收集器110。靶材液滴产生器115产生多个靶材液滴DP。在一些实施例中，靶材液滴DP为锡(Sn)液滴。在一些实施例中，锡液滴各自具有约30微米(μm)的直径。在一些实施例中，锡液滴DP以约50个液滴/秒的速率产生，且以约70公尺/秒的速度引入至激发区域ZE中。其他材料亦可用于靶材液滴，例如含有液体材料的锡，该液体材料是诸如含有锡或锂(Li)的共晶合金。

由激发激光源设备300产生的激发激光LR2为脉冲激光。在一些实施例中，激发层包括预加热激光及主激光。预加热激光脉冲用以加热(或预加热)靶材液滴以产生低密度靶材羽流，该低密度靶材羽流由主激光脉冲随后加热(或重新加热)，从而产生EUV光的增大的发射。在各种实施例中，预加热激光脉冲具有约100μm或以下的点大小，且主激光脉冲具有约200至300μm的点大小。

激光脉冲LR2由激发激光源设备300产生。激发激光源设备300可包括激光产生器310、激光导引光学件320及聚焦设备330。在一些实施例中，激光产生器310包括二氧化碳(CO2)或掺杂有钕的钇铝石榴石(Nd:YAG)激光源。由激光产生器310产生的激光LR1由激光导引光学件320导引，且由聚焦设备330聚焦至激发激光LR2中，且接着引入至EUV辐射源设备100中。

激光LR2经由视窗(或透镜)导引至激发区域ZE中。视窗采用对于激光射束大体透明的合适材料。脉冲激光的产生与靶材液滴的产生同步。随着靶材液滴移动通过激发区域，预脉冲加热靶材液滴且将靶材液滴变换成低密度靶材羽流。预脉冲与主脉冲之间的延迟经控制以允许靶材羽流形成且扩展至最佳大小及几何形状。当主脉冲加热靶材羽流时，产生高温度电浆。电浆发射EUV辐射EUV，该EUV辐射通过收集器110收集。收集器110具有反射且聚焦EUV辐射用于光微影术曝光制程的反射表面。在一些实施例中，液滴捕获器120与靶材液滴产生器115相对地安设。液滴捕获器120用于捕获额外靶材液滴。举例而言，一些靶材液滴可由激光脉冲故意漏失。

收集器110包括恰当涂层材料及形状以充当镜用EUV收集、反射及聚焦。在一些实施例中，收集器110经设计以具有椭圆体几何形状。在一些实施例中，收集器110的涂层材料类似于EUV罩幕的反射多层。在一些实例中，收集器110的涂层材料包括多个层(诸如多个Mo/Si膜对)，且可进一步包括涂布于多个层上以大体上反射EUV光的顶盖层(诸如，Ru)。在一些实施例中，收集器110可进一步包括经设计以使所导引的激光射束有效地散射至收集器110上的光栅结构。举例而言，氮化硅层涂布于收集器110上，且经图案化以在一些实施例中具有光栅图案。

在此类EUV辐射源设备中，由激光应用引起的电浆产生实体残渣，诸如液滴的离子、气体及原子，以及所要EUV辐射。有必要的是防止材料积聚于收集器110上，且又防止实体残渣脱离腔室105且进入曝光工具200。

如图1A中所绘示，在一些实施例中，缓冲器气体经由收集器110中的孔自第一缓冲器气体供应源130供应，脉冲激光由该孔递送至锡液滴中。在一些实施例中，缓冲器气体为H2、He、Ar、N2或另一惰性气体。在某些实施例中，使用H2，此是由于由缓冲器气体的离子化产生的H自由基可用于清洗用途。缓冲器气体亦可经由一或多个第二缓冲器气体供应源135朝向收集器110及/或围绕收集器110的边缘提供。另外，腔室105包括一或多个气体出口140，使得缓冲器气体经排气至腔室105外部。

氢气对于EUV辐射具有低吸收。到达收集器110的涂布表面的氢气与液滴的金属进行化学反应，从而形成氢化物，例如金属氢化物。当锡(Sn)用作液滴时，形成为EUV产生制程的气态副产物的锡烷(SnH4)。气态SnH4接着经由出口140泵汲出。然而，难以将所有气态SnH4自腔室排气且防止SnH4进入曝光工具200。

为了捕捉SnH4或其他残渣，一或多个残渣收集机构或装置150用于腔室105中。如图1A中所绘示，一或多个残渣收集机构或装置150沿着光轴A1在激发区域ZE与EUV辐射源设备100的输出端口160之间安置。

图2图示根据实施例的倍缩光罩处置系统201的不同载物台(或台)的布局。在一些实施例中，倍缩光罩处置系统201用于远紫外线(extreme ultraviolet，EUV)微影术系统中。倍缩光罩处置系统201结合曝光工具200(图1B)使用，从而收纳且储存倍缩光罩205c，该倍缩光罩205c接着提供至曝光工具200从而暴露至EUV辐射射束。如所图示，倍缩光罩处置系统201包括载入端口202、非真空机器人(out of vacuum robot，OVR)204、倍缩光罩背侧检测(reticle backside inspection，RBI)载物台206、条码读取器208、真空机器人(in-vacuum robot，IVR)210、真空库(in-vacuum library，IVL)212、快速交换装置(rapidexchange device，RED)214及倍缩光罩载物台(reticle stage，RS)216(例如，包括倍缩光罩205c)。载入端口202及非真空机器人(out of vacuum robot，OVR)204定位于环境压力环境中，同时倍缩光罩背侧检测(reticle backside inspection，RBI)载物台206、条码读取器208、真空机器人(in-vacuum robot，IVR)210、真空库(in-vacuum library，IVL)212、快速交换装置(rapid exchange device，RED)214及倍缩光罩载物台(reticle stage，RS)216定位于真空环境中。真空环境与周围压力环境之间的存取由载入锁定腔室218控制。举例而言，载入锁定腔室218定位于非真空机器人(out of vacuum robot，OVR)204与真空库(in-vacuum library，IVL)212之间。

载入端口202充当至倍缩光罩处置系统201的入口点，倍缩光罩(例如，图1B中的倍缩光罩205c)经由入口点被引入至倍缩光罩处置系统201中。在实施例中，包括薄皮252的倍缩光罩205c包封于洁净滤光器舱(clean filter pod，CFP)中，该舱又围封于亦称作倍缩光罩标准制造接口(“reticle standard manufacturing interface，SMIF”)舱或RSP的倍缩光罩载体中。倍缩光罩标准制造接口舱准许例如在周围环境中在倍缩光罩处置系统201外部处置且运输倍缩光罩205c。倍缩光罩标准制造接口舱经塑形且设定大小以(或以其他方式用以)收纳于载入端口202中。

在一些实施中，相邻于载入端口202为RSP库。在一些实施例中，倍缩光罩标准制造接口舱由载入端口202置放于RSP库中。RSP库为针对各自包括倍缩光罩的多个倍缩光罩标准制造接口舱的贮藏或储存。当需要特定倍缩光罩时，自RSP库撷取含有所要求倍缩光罩的倍缩光罩标准制造接口舱。

在一些实施例中，非真空机器人(out of vacuum robot，OVR)204撷取倍缩光罩标准制造接口舱，该标准制造接口舱含有所要求的倍缩光罩从而提供倍缩光罩至载入锁定腔室218。在一些实施例中，非真空机器人(out of vacuum robot，OVR)204亦用以开启倍缩光罩标准制造接口舱且移除包括倍缩光罩的洁净滤光器舱。真空泵连接至载入锁定腔室218，且在载入锁定腔室218内部形成真空环境。载入锁定腔室218由用于控制载入锁定腔室218中的压力的两个阀包夹。载入锁定腔室218提供处于环境压力的倍缩光罩处置系统201的载物台与处于真空的倍缩光罩处置系统201的载物台之间的接口，使得远紫外线微影术罩幕可在真空压力条件与真空条件之间传送。

倍缩光罩背侧检测(reticle backside inspection，RBI)载物台206相邻于载入锁定腔室218定位，且包括装备以量测且清洗倍缩光罩205c的背侧，从而限制倍缩光罩205c的背侧上的粒子。在实施例中，倍缩光罩背侧检测(reticle backside inspection，RBI)载物台206包括以下各者中的一或多者：用于侦测倍缩光罩205c的背侧上的粒子的光学系统、用于量测粒子的大小的量测系统、用于清洗倍缩光罩205c的背侧的清洗系统，及用于检测倍缩光罩205c的背侧的检测系统。倍缩光罩205c在附接至卡盘时保持为非常平坦的。因此，亦重要的是防止相对大的粒子(例如，1μm)或较小粒子层迁移至倍缩光罩205c的背侧，该背侧为倍缩光罩205c的接触卡盘的表面。背侧上的粒子可使倍缩光罩205c失真，且引起聚焦及叠对误差。背侧粒子亦可在曝光期间迁移至紧固倍缩光罩205c的支撑结构，且引起由支撑结构固持的所有后续倍缩光罩的类似问题。条码读取器208识别倍缩光罩205c及形成于上面的图案。

真空机器人(in-vacuum robot，IVR)210相邻于载入锁定腔室218定位，且操作以将倍缩光罩205c(或根据具体状况，包括洁净滤光器舱或洁净滤光器舱的倍缩光罩标准制造接口在由非真空机器人204移除情况下)自载入锁定腔室218运输至真空库(in-vacuumlibrary，IVL)212从而在使用之前临时储存倍缩光罩205c。在一些实施例中，当需要特定倍缩光罩时，真空机器人(in-vacuum robot，IVR)210自真空库(in-vacuum library，IVL)212撷取所要倍缩光罩，且将倍缩光罩提供至快速交换装置(rapid exchange device，RED)214。在一些其他实施例中，快速交换装置(rapid exchange device，RED)214自真空库(in-vacuum library，IVL)212撷取所要倍缩光罩。

在使用微影术设备制造集成电路期间，不同倍缩光罩用以产生不同电路图案以形成于集成电路的不同层上。因此，在制造集成电路的不同层期间，必须改变不同倍缩光罩。快速交换装置(rapid exchange device，RED)214(亦被称作倍缩光罩交换装置)用以在最小可能时间量中在微影术制程期间改变倍缩光罩。

倍缩光罩载物台216包括支撑结构，该支撑结构例如为用于在微影术制程期间将倍缩光罩205c紧固于适当位置的卡盘。薄皮252定位于倍缩光罩205c上方，从而保护倍缩光罩205c不受粒子、灰尘、损害及/或污染影响。

图3A为倍缩光罩舱350的透视图的分解视图。图3B为倍缩光罩舱350的示意性横截面图。由倍缩光罩舱350，例如SMIF舱将倍缩光罩(例如，倍缩光罩205c)储存、运输且载入至微影术系统中。倍缩光罩舱350为包括一者在另一者内部的两个舱，该两个舱保护倍缩光罩不受污染影响。倍缩光罩舱350具有围封内部舱的外部舱。内部舱直接固持倍缩光罩。包括倍缩光罩的双舱经提供至倍缩光罩处置系统201(图2)。在接收到时，倍缩光罩处置系统201初始地开启外部舱以撷取包括倍缩光罩的内部舱。含有倍缩光罩的内部舱经临时储存，直至倍缩光罩被需要以供使用。

如所图示，倍缩光罩205c储存于内部舱354中。内部舱354包括内部舱基座356及内部舱盖355。倍缩光罩205c面向下储存于内部舱354中。更具体而言，倍缩光罩205c的经印刷或图案化表面365(亦被称作前部面)面向内部舱基座356，且倍缩光罩205c的背侧表面367面向内部舱盖355。为了图示清楚，薄皮并未绘示于图案化表面365上方。然而，应注意，薄皮(例如，薄皮252)安设于一或多个约束机构361内的倍缩光罩205c上。内部舱基座356包括一或多个约束机构361以减小倍缩光罩205c的滑动或移动，且借此将倍缩光罩205c紧固于内部舱354中。替代地或另外，内部舱盖355包括一或多个约束机构361以将倍缩光罩205c紧固于适当位置。借助于实例，约束机构361包括夹钳、槽、销、固定区块及弹簧。内部舱盖355耦接至内部舱基座356以界定倍缩光罩舱350的内部空间311或内部环境。倍缩光罩205c定位于内部舱基座356与内部舱盖355之间的内部空间311中。

参看图3B，内部舱盖355包括大体水平的顶部部分380及通常自顶部部分380垂直延伸且形成顶部部分380的边缘(侧壁)或轮缘的侧向部分382。如所图示，侧向部分382具有水平(或径向)宽度W，且表面371形成内部舱盖355的侧向部分382的下表面(或其至少一部分)。表面373形成内部舱基座356的上表面(或其至少一部分)。当内部舱盖355定位于内部舱基座356上方时，表面371及表面373面向彼此。当内部舱盖355定位于内部舱基座356上时，表面371及表面373彼此接触。

在一些实施例中，内部舱盖355且内部舱基座356由经涂布镍的铝合金制成。在一些实施例中，镍涂层为Ni-P或Ni-Cr。Ni-P或Ni-Cr粒子可由内部舱盖355及内部舱基座356接触的方位中的摩擦产生。若摩擦产生的粒子掉落于内部舱基座356上的倍缩光罩205c上，则粒子在倍缩光罩205c用于光微影术时可引起遮蔽影像误差。

内部舱354紧固地含有于外部舱351内。在一些实施例中，外部舱为倍缩光罩标准制造接口(“reticle standard manufacturing interface，SMIF”)舱(RSP)内。外部舱351包括外部基座353及外部盖352。类似于内部舱盖355及内部舱基座356，外部基座353耦接至外部盖352，从而将内部舱354有效地包夹于外部基座353与外部盖352之间。内部舱354牢固地停置于外部基座353上，其中外部盖352通过外部基座353封闭。

内部舱354及外部舱351以促进其开启、封闭及一般操纵的方式来设计。举例而言，内部舱354及外部舱351经设计以包括机械臂处置凸缘、插销孔、销、输送带轨道、端效器排斥体积、次级侧机械臂处置凸缘及主要侧机械臂处置凸缘、用于倍缩光罩对准及数据矩阵识别的特征、定位销(registration pin)特征、与运动学耦合销配合的特征，及类似者。

本揭露的实施例是针对内部舱，该内部舱包括内部舱盖及内部舱基座的表面上的涂层。涂层限制内部舱盖与内部舱基座之间的摩擦。因此，内部舱盖与内部舱基座的表面的剥离经最小化，且产生的粒子被减少。

图4A为根据本揭露的实施例的图示包括涂布材料层402的内部舱354的示意图。为了图示，内部舱盖355及内部舱基座356绘示为彼此分离的。

为了重量控制，内部舱盖355及内部舱基座356由诸如铝合金的金属材料制成。铝合金，例如铝-镁(Al-Mg)合金具有差的机械性质，且可易于受到损害。为了改良机械性质，内部舱盖355及内部舱基座356部分或完全涂布有比铝合金硬的材料，例如，包括Ni-P或Ni-Cr的镍涂层。在其他个例中，内部舱盖355及内部舱基座356涂布有铬(Cr)。Ni-P或Ni-Cr粒子可由内部舱盖355与内部舱基座356接触之处的摩擦产生。若摩擦产生的粒子掉落于内部舱基座356上的倍缩光罩205c上，则粒子在罩幕用于光微影术时可引起遮蔽影像误差。

在一些实施例中，为了限制由摩擦产生的粒子的形成且防止纳米规模罩幕图案中的影像误差，内部舱盖355及内部舱基座356的表面371及373(包括Ni、Ni-P或Cr)涂布有相较于Ni涂层更软的挠性材料，例如弹性体层402。在其他实施例中，层402包括凝胶材料或海绵类型材料。弹性体及凝胶材料具有挠性及弹性。这些材料可易于拉伸，但在力或应力经移除时返回至其初始形状。因此，当内部舱盖355及内部舱基座356的表面371及373彼此接触时，层402限制粒子的产生。弹性体的实例包括天然橡胶、苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物、聚异戊二烯、聚丁二烯、乙烯丙烯橡胶、乙烯丙烯二烯橡胶、硅橡胶弹性体、氟橡胶、聚氨酯弹性体及丁腈橡胶。然而，为软且挠性的其他类型的弹性体亦是在本揭露的范畴内。在一些实施例中，凝胶材料包括明胶。

在一些实施例中，内部舱基座356及内部舱盖355上的层402由相同弹性体或凝胶材料制成。在其他实施例中，内部舱基座356及内部舱盖355上的层402由不同弹性体或凝胶材料制成。

图4B图示图4A中箭头A的方向上内部舱盖355的视图。图4C图示图4A中箭头B的方向上内部舱基座356的平面图。在一些实施例中，且如图4A及图4B中所图示，层402涂布于表面371上，且形成内部舱盖355的周边。如图4A及图4C中所图示，层402亦沿着内部舱基座356的周边区涂布于表面373上。如所图示，表面373上的层402与内部舱基座356的外部边缘313平齐。在一些实施例中，表面373上的层402与内部舱基座356的外部边缘313隔开。

在一些实施例中，替代内部舱盖355的整个周边区，层402涂布于周边区的仅一部分上。层402接着沿着内部舱基座356的周边区在数个部分中涂布于表面373上，使得当内部舱盖355置放于内部舱基座356上时，内部空间311经界定、由层402包围。换言之，内部舱盖355及内部舱基座356上的层402彼此互补。

图4D图示包括沿着左侧边缘的层402及沿着周边区的底部边缘的内部舱盖355的表面371。图4E图示包括沿着底部边缘的层402及沿着周边区的右侧边缘的内部舱基座356的表面373。因此，参看图4A中内部舱盖355及内部舱基座356的定向，内部舱盖355及内部舱基座356上的层402彼此互补，且当内部舱盖355置放于内部舱基座356上时，层402协作地界定围封倍缩光罩205c的内部空间311。

图4F图示内部舱盖355的表面371，该表面371包括沿着内部舱盖355的周边区的多个离散方位安置的层402。图4G图示内部舱基座356的表面373，该表面373包括沿着内部舱基座356的周边区的多个离散方位安置的层402。因此，层402形成交错/互锁图案。当内部舱盖355置放于内部舱基座356上时，内部舱盖355中的每一层402在内部舱基座356上在层402内、相邻于层402收纳。因此，参看图4A中内部舱盖355及内部舱基座356的定向，当内部舱盖355置放于内部舱基座356上时，层402协作地界定围封倍缩光罩205c的内部空间311。

在图4A及图4B中，层402图示为延伸达表面371的整个宽度W。然而，在其他实施例中，层402延伸小于表面371的宽度W。

图4H为根据本揭露的实施例的图示延伸小于表面371的宽度W的层402的示意图。

在一些实施中，层402可移除地附接至内部舱盖355及内部舱基座356的表面。因此，例如，在损害状况下或当不同材料的层402将安设于表面上时，易于替换层402。层402可作为旋涂涂布涂覆。在一些实施例中，层402的厚度T(图4A)是在约100nm至约5μm的范围内，且在其他实施例中是在约500nm至约1μm的范围内。在一些实施例中，内部舱盖355的层402及内部舱基座356上层402的厚度相同。在其他实施例中，厚度不同。在一些实施例中，内部舱盖355上的层402及内部舱基座356上的层402具有互补厚度轮廓。举例而言，参看图4A，内部舱盖355上的层402的厚度自内部舱盖355的左端至内部舱盖355的右端减低(例如，渐变厚度梯度)。因此，层402在左端处最厚，且在右端处最薄。以互补方式，内部舱基座356上的层402在右端处最厚，且在左端处最薄。因此，当内部舱盖355置放于内部舱基座356上时，内部舱盖355大体上调平(水平)。

当层402的厚度小于约100nm时，层归因于内部舱盖355及内部舱基座356的移动而易于受到损害。当层402的厚度大于约5nm时，层402可刚性过大(挠性较低)，且归因于内部舱盖355及内部舱基座356的移动可存在增大的摩擦。

在本揭露的一些实施例中，层402的弹性体或凝胶经选择以允许内部舱盖355及内部舱基座356在彼此上方平滑地滑动。因此，内部舱盖355与内部舱基座356之间的摩擦被减小。

在一些实施例中，且如图4I中所图示，仅内部舱基座356的表面373涂布有层402，且内部舱盖355无层402。在一些实施例中，且如图4J中所图示，仅内部舱盖355的表面371涂布有层402，且内部舱基座356无层402。

在一些其他实施例中，除了内部舱盖355及/或内部舱基座356外，当置放于外部基座353上的外部盖352涂布有涂布材料的层402时，外部舱351的外部基座353及/或外部盖352的表面彼此接触。图5图示涂布有层402的外部舱351的外部基座353及外部盖352的表面。在一些其他实施例中，仅外部基座353的表面或仅外部盖352的表面并非两者涂布有层402。应注意，在其他实施例中，外部舱351的表面上的层402及内部舱354的表面上的层402包括不同材料。在其他实施例中，外部舱351的表面及内部舱354的表面上的层402包括不同材料。

应注意，尽管实施例揭示安置于内部舱354及外部舱351的表面上的单一层402，但实施例不限于此，且其他实施例包括安置于表面上的多个层402。举例而言，多个层402可包括堆叠于彼此上方的多个层402。多个层402可包括相同材料层或不同材料层。

图6图示根据一些实施例的处置倍缩光罩外壳的方法600的流程图。应理解，额外操作可在图6中论述的制程之前、期间且之后提供，且下文描述的操作中的一些针对方法的额外实施例可被替换或消除。操作/制程的次序可为可互换的，且操作/制程中的至少一些可以不同序列执行。至少两个或两个以上操作/制程可时间上重叠或几乎同时地执行。

方法600包括提供第一倍缩光罩外壳的操作S610，该第一倍缩光罩外壳包括第一基座及安置于第一基座上的第一盖。第一弹性体或凝胶材料层安置于第一基座及第一盖中的至少一者上。在操作S620处，第一基座及第一盖经分离。在操作S630中，将倍缩光罩置放于第一基座上。在操作S640中，通过将第一盖置放于该第一基座上来封闭第一倍缩光罩外壳，使得第一弹性体或凝胶材料层安置于第一基座与第一盖之间，且接触第一基座或第一盖。

本揭露的实施例是针对减小归因于内部舱盖355与内部舱基座356之间的摩擦产生的粒子。通过减小所产生的粒子，EUV微影术系统101、倍缩光罩处置系统201及/或其他关联组件的污染被减小。

应理解，并非所有优势本文中有必要予以论述，对于所有实施例或实例不要求特定优势，且其他实施例或实例可给予不同优势。

根据本揭露的一些实施例，一种倍缩光罩外壳包括：包括一第一表面的一基座；一盖，该盖包括一第二表面且安置于该基座上，其中该基座及该盖在之间形成一内部空间，该内部空间包括一倍缩光罩；及一弹性体或凝胶材料层，该弹性体或凝胶材料层安置于该第一表面及该第二表面中的至少一者上。该弹性体或凝胶材料层安置于该基座与该盖之间且接触该基座或该盖。在一实施例中，该弹性体或凝胶材料层安置于该第一表面或该第二表面的一周边区的仅一部分中。在一实施例中，该弹性体或凝胶材料层安置于仅该第一表面上。在一实施例中，该弹性体或凝胶材料层安置于仅该第二表面上。在一实施例中，该弹性体或凝胶材料层以一交错图案安置于该第一表面及该第二表面上。在一实施例中，该弹性体或凝胶材料层覆盖该第二表面的一整个宽度。在一实施例中，该弹性体或凝胶材料层部分覆盖该第二表面的一宽度的仅一部分。在一实施例中，该层包括一弹性体，该弹性体包括选自由以下各者组成的群的一或多者：天然橡胶、苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物、聚异戊二烯、聚丁二烯、乙烯丙烯橡胶、乙醇丙烯二烯橡胶、硅树脂弹性体、氟橡胶、聚氨酯弹性体，及丁腈橡胶。在一实施例中，该第一表面及该第二表面各自包括该弹性体或凝胶材料层。在一实施例中，该第一表面及该第二表面上的该些层各自包括一相同材料。在一实施例中，该第一表面及该第二表面上的该些层包括不同材料。

根据本揭露的一些实施例，一种处置倍缩光罩的方法包括：提供一外部倍缩光罩外壳，该外部倍缩光罩外壳包括一外部基座及一外部盖；提供一内部倍缩光罩外壳，该内部倍缩光罩外壳包括一内部基座及一内部盖；及将一倍缩光罩置放于该内部基座上。一第一弹性体或凝胶材料层安置于该外部基座上，且一第二弹性体或凝胶材料层安置于该外部盖上。一第三弹性体或凝胶材料层安置于该内部基座上，且一第四弹性体或凝胶材料层安置于该内部盖上。该方法进一步包括：将一倍缩光罩置放于该内部基座上。该方法进一步包括：将该内部盖置放于该内部基座上，使得该第三弹性体或凝胶材料层接触该第四弹性体或凝胶材料层；将该内部倍缩光罩外壳置放于该外部基座上；及将该外部盖置放于该外部基座上，使得该第一弹性体或凝胶材料层接触该第二弹性体或凝胶材料层。在一实施例中，该第一弹性体或凝胶材料层、该第二弹性体或凝胶材料层、该第三弹性体或凝胶材料层及该第四弹性体或凝胶材料层各自包括一相同材料。在一实施例中，该第一弹性体或凝胶材料层、该第二弹性体或凝胶材料层、该第三弹性体或凝胶材料层及该第四弹性体或凝胶材料层中的至少一者包括不同于剩余层的一材料。

根据本揭露的一些实施例，一种处置倍缩光罩的方法包括：提供一第一倍缩光罩外壳，该第一倍缩光罩外壳包括一第一基座及安置于该第一基座上的一第一盖，其中一第一弹性体或凝胶材料层安置于该第一基座及该第一盖中的至少一者上；分离该第一基座与该第一盖；将一倍缩光罩置放于该第一基座上；及通过将该第一盖置放于该第一基座上来封闭该第一倍缩光罩外壳，使得该第一弹性体或凝胶材料层安置于该第一基座与该第一盖之间，且接触该第一基座或该第一盖。在一实施例中，该第一倍缩光罩外壳围封于一第二倍缩光罩外壳中，该第二倍缩光罩外壳包括一第二基座及一第二盖，且该方法包括：分离该第二倍缩光罩外壳的该第二基座与该第二盖；及自该第二倍缩光罩外壳移除该第一倍缩光罩外壳。在一实施例中，一第二弹性体或凝胶材料层安置于该第二倍缩光罩外壳的该第二基座及该第二盖中的至少一者上，且该方法进一步包括：将该经封闭的第一倍缩光罩外壳置放于该第二倍缩光罩外壳的该第二基座上；及通过将该第二盖置放于该第二基座上来封闭该第二倍缩光罩外壳，使得该第二弹性体或凝胶材料层安置于该第二基座与该第二盖之间，且接触该第二基座或该第二盖。在一实施例中，该第一弹性体或凝胶材料层及该第二弹性体或凝胶材料层中的至少一者包括一弹性体，该弹性体包括选自由以下各者组成的群的一或多者：天然橡胶、苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物、聚异戊二烯、聚丁二烯、乙烯丙烯橡胶、乙醇丙烯二烯橡胶、硅树脂弹性体、氟橡胶、聚氨酯弹性体，及丁腈橡胶。在一实施例中，该第一弹性体或凝胶材料层及该第二弹性体或凝胶材料层包括一相同材料或不同材料。在一实施例中，该第一弹性体或凝胶材料层及该第二弹性体或凝胶材料层具有一相同厚度或不同厚度。在一实施例中，该第一盖及该第一基座各自包括该第一弹性体或凝胶材料层。在一实施例中，将该倍缩光罩置放于该第一基座上的步骤包括以下步骤：将该倍缩光罩置放于该第一基座上的一或多个第一约束机构上，且封闭该第一倍缩光罩外壳的步骤包括以下步骤：将该第一盖置放于该第一基座上，使得该第一盖上的一或多个第二约束机构接触该倍缩光罩，借此将该倍缩光罩紧固于该第一倍缩光罩外壳中。

前述内容概述若干实施例或实例的特征，使得熟习此项技术者可更佳地理解本揭露的态样。熟习此项技术者应了解，其可易于使用本揭露作为用于设计或修改用于实施本文中引入的实施例或实例的相同目的及/或达成相同优势的其他制程及结构的基础。熟习此项技术者亦应认识到，此类等效构造并不偏离本揭露的精神及范畴，且此类等效构造可在本文中进行各种改变、取代及替代而不偏离本揭露的精神及范畴。

Claims

1.一种倍缩光罩外壳，其特征在于，包含：

包括一第一表面的一基座；

一盖，该盖包括一第二表面且安置于该基座上，其中该基座及该盖在之间形成一内部空间以包括一倍缩光罩；及

一弹性体或凝胶材料层，该弹性体或凝胶材料层安置于该第一表面及该第二表面中的至少一者上，其中该弹性体或凝胶材料层安置于该基座与该盖之间且接触该基座或该盖。

2.如权利要求1所述的倍缩光罩外壳，其特征在于，其中该弹性体或凝胶材料层安置于该第一表面或该第二表面的一周边区的仅一部分中。

3.如权利要求1所述的倍缩光罩外壳，其特征在于，其中该弹性体或凝胶材料层以一交错图案安置于该第一表面及该第二表面上。

4.如权利要求1所述的倍缩光罩外壳，其特征在于，其中该弹性体或凝胶材料层覆盖该第二表面的一整个宽度。

5.如权利要求1所述的倍缩光罩外壳，其特征在于，其中该弹性体或凝胶材料层部分覆盖该第二表面的一宽度的仅一部分。

6.一种处置倍缩光罩外壳的方法，其特征在于，包含以下步骤：

提供一外部倍缩光罩外壳，该外部倍缩光罩外壳包括一外部基座及一外部盖，其中一第一弹性体或凝胶材料层安置于该外部基座上，且一第二弹性体或凝胶材料层安置于该外部盖上；

提供一内部倍缩光罩外壳，该内部倍缩光罩外壳包括一内部基座及一内部盖，其中一第三弹性体或凝胶材料层安置于该内部基座上，且一第四弹性体或凝胶材料层安置于该内部盖上；

将一倍缩光罩置放于该内部基座上；

将该内部盖置放于该内部基座上，使得该第三弹性体或凝胶材料层接触该第四弹性体或凝胶材料层；

将该内部倍缩光罩外壳置放于该外部基座上；及

将该外部盖置放于该外部基座上，使得该第一弹性体或凝胶材料层接触该第二弹性体或凝胶材料层。

7.一种处置倍缩光罩外壳的方法，其特征在于，包含以下步骤：

提供一第一倍缩光罩外壳，该第一倍缩光罩外壳包括一第一基座及安置于该第一基座上的一第一盖，其中一第一弹性体或凝胶材料层安置于该第一基座及该第一盖中的至少一者上；

分离该第一基座与该第一盖；

将一倍缩光罩置放于该第一基座上；及

通过将该第一盖置放于该第一基座上来封闭该第一倍缩光罩外壳，使得该第一弹性体或凝胶材料层安置于该第一基座与该第一盖之间，且接触该第一基座或该第一盖。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，其中该第一倍缩光罩外壳围封于一第二倍缩光罩外壳中，该第二倍缩光罩外壳包括一第二基座及一第二盖，且该方法包含以下步骤：

分离该第二倍缩光罩外壳的该第二基座与该第二盖；及

自该第二倍缩光罩外壳移除该第一倍缩光罩外壳。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，其中一第二弹性体或凝胶材料层安置于该第二倍缩光罩外壳的该第二基座及该第二盖中的至少一者上，且该方法进一步包含以下步骤：

将该经封闭的第一倍缩光罩外壳置放于该第二倍缩光罩外壳的该第二基座上；及

通过将该第二盖置放于该第二基座上来封闭该第二倍缩光罩外壳，使得该第二弹性体或凝胶材料层安置于该第二基座与该第二盖之间，且接触该第二基座或该第二盖。

10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，其中将该倍缩光罩置放于该第一基座上的步骤包括以下步骤：

将该倍缩光罩置放于该第一基座上的一或多个第一约束机构上，且封闭该第一倍缩光罩外壳的步骤包括以下步骤：

将该第一盖置放于该第一基座上，使得该第一盖上的一或多个第二约束机构接触该倍缩光罩，借此将该倍缩光罩紧固于该第一倍缩光罩外壳中。