TW202318100A - 基板容器及其相關的方法 - Google Patents

Abstract

本發明揭露一種光罩盒，包含：一基座，具有一朝上頂面、一朝下底面與一環繞該朝上頂面之朝上支撐面；以及一盒蓋，具有對應該朝上支撐面之一朝下支撐面，該基座與該盒蓋所界定的一容納空間用於容納一光罩，其特徵在於：該朝下底面具有至少一第一標記及至少一第二標記，該第一標記具有相對於一光源的一第一反射率，該第二標記具有相對於該光源的一第二反射率，該第一反射率和該第二反射率不相同；該朝上支撐面與該朝下支撐面各別的一平面度皆小於0.04毫米，以在該朝上支撐面與該朝下支撐面相接觸時於其間形成一密封；該朝上頂面設置具有過濾膜之擴散誘導組件，該擴散誘導組件位於該光罩朝向該朝上頂面的平面投影內，藉由該朝上支撐面與該朝下支撐面相接觸所形成的密封，在該容納空間與盒外之間有壓力差時，經由該擴散誘導組件增加盒內的對流。

Description

基板容器及其相關的方法

本發明是關於一種工件容器及其相關的方法，尤其是關於一種容納如光罩之工件的光罩盒以及相關的方法。

在半導體工業中，基於工件容器（例如，光罩固持器）的有效載荷精確度的要求的提高，工件容器也隨著發展，以滿足提高保護工件的水平使其免受潛在環境危害的需求。

例如，新一代的光罩（reticle）固持器有時設置有雙盒結構，該雙盒結構包括用於接收/儲存光罩的儲存元件（例如，內盒單元）和用於容納/運輸該儲存元件的運輸元件（例如，外盒單元）。 在運輸期間，光罩可被包裝在儲存組件內。 出於存儲目的，可將其中容納光罩的容器系統（例如，在大氣環境下由機器人）運送至外開盒器。 此後，該運輸元件可以被該開盒器打開以便允許從中取出該儲存元件。 然後，內盒可以（例如，在真空環境下由機器人）被運送到真空光罩庫並且存儲在其中。 為了執行光刻工藝，當到達曝光設備內部的指定位置時，在使用包含被收容的光罩進行後續曝光過程之前，就可以打開內盒。

然而，當使用該容器系統來儲存/運輸工件時，在該儲存元件內部可能存在顆粒污染物、氣相污染物（例如，廢氣或濕氣）、或空氣傳播的分子污染物（airborne molecular contaminants ，AMC）。 污染物可能不利地影響所接收的工件。

積體電路及其他半導體裝置的製造領域中，一個重要的製程步驟即為微影(photolithography)。一般而言，微影乃利用具有特定圖案的光罩使一晶圓表面選擇性地暴露至一輻射源以形成一蝕刻表面層。光罩通常為一非常平坦之透明石英，其包含欲被複製於晶圓上之圖案。為達到潔淨度與保護光罩的需求，需要仰賴光罩盒加以保護。

當光罩使用完畢後被收納至光罩盒中，此時光罩表面仍有能量殘餘的高溫以及清潔後殘餘的濕氣，為了降低光罩的溫度與濕度，通常會以潔淨的乾燥氣體灌入光罩盒中以對光罩降溫並帶走表面濕氣。然而，光罩表面與光罩盒之間的間隙極小，在目前的製程中，又通常以光罩的正面朝下置放於光罩盒的底座中，因此使得乾燥氣體難以通過光罩的正面與底座之間，無法有效去除光罩正面的高溫與濕氣。若光罩存放在高溫且過濕的環境中，長期下來，將損傷光罩的品質。

光學微影技術是將設計好的線路製作成具有特定形狀可透光之光罩，再將光罩上的圖案通過光源投影至晶圓上，以在晶圓上曝光顯影出特定的圖案。在光學微影過程中，任何附著在光罩的微粒，例如塵埃、粉塵或有機物等等，都會造成投影成像質量劣化。尤其是近年來的產業趨勢系朝向更小、更高邏輯密度之芯片發展，微影設備使用的光波長已經推進到極紫外光（Extreme Ultraviolet Light, EUV）範圍，對於光罩上的微粒數量、粒徑，以至於容置光罩的光罩容器內的潔淨度，都有著更為嚴苛的要求。

一般而言，半導體制程皆利用抗污染的光罩容器來存放及運輸光罩，以保持光罩的潔淨度，通常會要求存放光罩或其他半導體組件的容器的潔淨度符合機械標準接口（Standard Mechanical Interface, SMIF）的潔淨度要求。然而目前已知的光罩容器，即便是在受控制環境中，會因為空氣壓力變化，或因容器移動使內部空氣發生擾動，導致微粒移動到容器與光罩之間，甚至是移動附著至光罩上，無法有效地為光罩提供微粒及污染保護。

習知極紫外光光罩傳送盒包括一內盒組件以及一外盒組件，內盒組件用以容置一光罩，並且包括一下蓋及一上蓋。下蓋包括四個支撐件，用以支撐光罩。上蓋用以與下蓋對接，且上蓋設置有對應四個支撐件的四個壓抵單元，用以壓抵於光罩的表面。壓抵單元包括一壓抵件，該壓抵件具有一受壓部及一壓抵部，其中該受壓部外露於上蓋的頂面而用以接受來自外盒組件的外蓋的下壓支柱，該受壓部被下壓後，該壓抵部可穿出上蓋的底面而壓抵於光罩的表面。外盒組件用以容置內盒組件，並且包括一基座及一外蓋，基座具有複數支柱以支持內盒組件的下蓋，並用以與外蓋相互對接密封。外蓋內側底面具有對應四個壓抵單元的四個下壓支柱，用以與壓抵單元之壓抵件的受壓部發生面接觸。當收容光罩R的內盒組件容置於外盒組件內後，下壓支柱作用於壓抵單元之壓抵件的受壓部，可使壓抵單元與支撐件固持光罩。

然而，上述內盒組件有以下待解決的技術問題：其一，壓抵單元之壓抵件外露於上蓋的頂面且可穿出上蓋的底面，使上蓋增加微粒經由容置壓抵件的空間進入內腔汙染光罩的風險。其二，當收容光罩的內盒組件未置入外盒組件，上蓋的四個壓抵單元之壓抵件的壓抵部未穿出上蓋的底面，此時光罩未受壓抵單元與支撐件的固持，增加光罩R的任何位移或震動產生微粒的風險。其三，當收容光罩的內盒組件置於外盒組件的基座，外蓋蓋合過程容易使下壓支柱透過壓抵單元碰撞光罩，增加光罩的任何位移或震動產生微粒的風險。

在已知的技術中，如台灣公開第200304051號專利文獻就揭露了一種用於容置光罩的兩件式容器，即該容器是由一外盒和一內盒所構成，且內盒容置於外盒內，而光罩容置於內盒中。光罩在製程中的利用大多是在高真空環境下進行，因此容納光罩的容器在運送過程有機會在真空環境與大氣壓環境之間切換，或者將已抽真空的容器送到大氣壓環境下。為了避免容器內外壓力差導致氣流將微粒吹掃進入內腔放置光罩區域，容器在內腔與外部空間之間設置一過濾通道以過濾微粒。因此，容器在內腔與外部空間之間非過濾通道的密封可確保其內外壓力差不會導致氣流通過非過濾通道而將微粒吹掃進入光罩區域。該公開的技術揭露一種密封手段，其在內盒和外盒之間提供一顆粒密封裝置（如O型環），以及在外盒的盒蓋與基座的接觸面提供一氣密裝置（如另一O型環）。這些配置在真空環境下增加汙染進入光罩區域的困難性。該公開的技術揭露內盒具有一盒蓋和一基座，兩者定義用於容納光罩的容納空間，但盒蓋和基座的接觸面沒有配置O型環。換言之，內盒的密封僅是由盒蓋和基座所形成的接觸面所實現，但該公開技術並沒有揭露或教示如何定義或控制所述接觸面來實現有效的密封。

台灣公告第I391304號專利「光罩盒」，其指出先前技術的密封手段常以插入彈性材料製成的密封件來達成，但彈性材料自身即可能為一微粒源或污染源。此外，先前技術還有使用凹凸結構的配合來形成密封，且受到廣泛使用，但其缺點在於汙染顆粒或化學物易殘留於縫隙中。該公告專利提出一構造，可分別在門（或基座）與封蓋之周緣表面，使封蓋與門相配合時，該等表面相互貼靠而形成密封，以防止微粒自盒外環境中進入盒內空間，從而無需使用傳統之彈性體密封。該公告專利教示所述用於密封之表面具有一表面光潔度，且達0.50微吋的平均粗糙度（Ra）之表面光潔度為可接受的，較佳範圍自0.20至0.40 Ra。

然而，該公告專利用以界定表面光潔度的「平均粗糙度（Ra）」，在發明所屬技術領域具有通常知識者所熟知的通常知識，如范光照與張郭益編著於民國87年11月10日初版的「精密量測」一書中，第212頁記載「中心線平均粗糙度（Roughness average, Ra）係以粗糙度曲線的中心線為基準，以粗糙度偏差之絕對值的平均，來表示表面粗糙度的一種方法。」以及「圖8-3-1為中心線平均粗糙度之求法，即在樣本長度內量測點距離中心線偏差之算術平均值。」其中，該圖8-3-1如本案圖式圖35所示。由於在光罩盒的封蓋與門相嚙合時，該上下表面相互貼靠能否形成密封，在於該上下表面間所存在的間隙，該公告專利界定表面光潔度的「平均粗糙度（Ra）」僅是以一線段長度為基準的表面粗糙度之表示方法，難以在封蓋與門相互貼靠的大範圍面積用以界定該上下表面間所存在的間隙。換言之，該公告專利以平均粗糙度（Ra）之表面光潔度來界定光罩盒的封蓋與門相嚙合的該上、下表面為密封面是不具代表性。

在上述「精密量測」一書中討論表面組織的定義，任何工件不管其表面加工如何精密，加工完成之表面與理想面之間必定仍存有差異，而造成無法克服的差異的因素包含：因實際加工時所產生的低頻振動、機器振顫（chatter）、機器及工件撓曲（deflection）等因素所引起的低頻波形之波狀（Waviness）；以及因實際加工時的高頻因素（車削、銑製、研磨、噴砂、火焰等）所引起的高頻不規則表面之粗糙度（Roughness）。而粗糙度係以輪廓之波狀（呈曲線）為中心線（呈直線）所表示。所述中心線平均粗糙度（Ra）是以粗糙度曲線的中心線為基準，以粗糙度偏差之絕對值的平均，所以平均粗糙度（Ra）的值無法表達粗糙度偏差之最大值，且更小於波狀（Waviness）之振幅。因此，發明所屬技術領域具有通常知識者應知悉，工件表面因實際加工無法排除低頻因素與高頻因素的影響，使工件表面全部輪廓的組成必然包含波狀與粗糙度。是以，兩工件表面之間能否實施「形成一有效密封」的技術手段，先前技術僅揭露由小於波狀振幅之平均粗糙度（Ra）的數值界定「密封面」並不足以確保形成一密封之效果。

已知光罩盒的基座與盒蓋為金屬材質所製，雖可藉由研磨或拋光來提高金屬表面（或具有例如非電鍍鎳表面塗層）的表面光潔度，但依現有技術之研磨或拋光手段要達到0.5平均粗糙度（Ra）之表面光潔度，甚至在0.20至0.40 Ra範圍內之表面光潔度，其產品難以提高製造的良率（氣密性），且將大幅增加生產設備所需投入的成本。再者，如上所述，僅憑所述平均粗糙度（Ra）之數值作為產品界定「密封面」的設計目標，顯然無法確保其密封之效果。

此外，光罩盒於開啟使用時具有方向性，所以傳送光罩盒進入微影機臺時，除了要能偵測光罩盒所擺放的方向外，也會偵測其擺放位置，以避免影響微影製程時，導致曝光位置有所偏差。因此，為了確保光罩盒放置位置能夠精準對位，微影機臺會送出一光訊號至光罩盒的表面，再由感測器取得該光訊號的反射訊號，以進行識別。由於習知技術中，感測器會因為光罩盒表面為光滑平面或者受到光罩盒底部結構設計的影響，而導致該感測器對反射訊號的偵測不穩定，以致無法精準判斷光罩盒的特徵區域是否在正確的位置。一種習知技術採用十字標記標示於光罩盒表面，但當微影機臺所送出一光訊號以特定角度落於該光罩盒表面之立體結構面，則考量該感測器對反射訊號的偵測，將難以決定該十字標記在該立體結構面的設置位置。

因此，本發明針對上述所提諸多的技術問題進行改善，以提供一種能夠提供有效密封、精準標記與穩定固持的光罩盒以及光罩傳送盒。

以開啟機制而言，光罩盒大致上可分為前開式光罩盒或是上開式光罩盒。然而，無論是哪一種類型的開啟方式，光罩盒放置於製程設備的機台中（如黃光微影製程機台）時，光罩盒於機台中的擺放方向必須正確並且精準，以確保光罩盒在機台中可順利被打開，光罩亦不會偏離製程的路徑及位置。

已知專利公告第TWM496146號揭露一種具有標記之極紫外光光罩盒，其包含一盒體及提供於盒體上的至少一標記，且所述標記是以雷射雕刻所形成之標記。該標記對於一雷射光束而言具有一反射率。據此，一製程機台可搭載有一雷射探測機制，來識別光罩盒相對於該機台的方位。具體而言，機台可將一探測雷射光束打在所述標記上，並接收來自標記所反射的雷射光束，以確認光罩盒是否位於機台中的要求位置。

有鑑於已知或未來的半導體製程機台搭載了雷射探測或光學探測，有必要發展可提供光學識別標記的光罩盒，以滿足或創造製程中的各種需求。

目前極紫外光（EUV）製程中，所涉及的光罩需以專用的EUV 光罩內盒（inner pod）保護。光罩內盒的盒蓋與基座結合時，為了保持光罩位置，讓光罩無法在光罩內盒中位移，已知手段利用EUV光罩外盒（outer pod）收容光罩內盒時經由外加的力將內盒中的光罩夾持固定，並經由適當的機構安排以吸收過多之夾持力。因此，光罩內盒的保持銷組件即扮演重要的角色。

如台灣專利公開第201931007號揭露一種於光罩盒內盒的盒蓋配置保持銷組件，其可受到外盒盒蓋的一下壓平面接觸壓迫而垂直向下移動，進而以銷壓制光罩。在下壓平面壓制的情況中，保持銷組件略凸出保持銷組件蓋達一距離。在下壓平面壓制的情況中，保持銷的受壓部與保持銷組件蓋的頂面平行。此處的保持銷組件是一體成型的構件，且是以和外盒盒蓋直接接觸的方式提供壓制力道。

然而，應了解光罩盒的各構件仍會因無法避免的製造因素（如表面撓曲）而產生公差。以上述公開的光罩盒為例，公差可能存在於光罩盒的盒蓋厚度、基座厚度、保持銷的長度、保持銷受壓面平整度、光罩支撐柱的高度以及保持銷組件蓋的高度等。這些公差的累積可能會導致不理想的光罩固持（如無法以四個保持銷確實固持光罩），甚至影響光罩盒密封效果。問題可能會在於當光罩被容置於光罩盒中時將保持銷頂升，但由於保持銷和保持銷組件蓋等部件的公差累積導致被頂升的保持銷衝撞上方的蓋結構，從而一併將盒蓋抬升，使盒蓋與基座之間形成影響密封性的間隙。

有鑑於光罩的精密性，有必要發展可彌補所述構件公差的保持銷設計以滿足光罩的容置要求及光罩盒密封性。

為解決習知光罩盒無法有效去除光罩正面的高溫與濕氣的問題，本發明提出一種增加對流的光罩盒，其包含：一第一主體及一第二主體，該第一主體及該第二主體結合形成具有一容置空間的盒體，該容置空間用於容置一光罩，其中，該第一主體具有複數第一氣流通道，該等第一氣流通道貫穿該第一主體。其中更包括一過濾構件，該過濾構件設置於該複數第一氣流通道的側邊；該第一主體對應該光罩的正面且具有一第一對應區，該第一對應區更設有凹槽；該第二主體對應該光罩的底面且具有一第二對應區，該第二對應區設有複數第二氣流通道；該第二主體更具有複數第三氣流通道，設置於該第二主體的側邊。

為解決習知光罩盒無法有效去除光罩正面的高溫與濕氣的問題，本發明又提出一種增加對流的光罩盒，其包含：一第一主體及一第二主體，該第一主體及該第二主體結合形成具有一容置空間的盒體，該容置空間用於容置一光罩，其中，該第一主體對應該光罩的正面且具有一第一對應區，該第一對應區設有凹槽；該第對應區更設有複數第一氣流通道，該等第一氣流通道貫穿該第一主體；更包括一過濾構件，該過濾構件設置於該複數第一氣流通道的側邊；該第二主體對應該光罩的底面且具有一第二對應區，該第二對應區設有凹槽；該第二對應區更設有複數第二氣流通道；該第二主體更具有複數第三氣流通道，設置於該第二主體的側邊。

藉此，本發明的增加對流的光罩盒藉由在第一主體的光罩對應區設置複數氣流通道或凹槽，使得乾燥氣可輕易通過光罩的正面與底座之間，有效去除光罩正面的高溫與濕氣。因此，光罩的正面的濕度與溫度可經由氣流通道或凹槽而得以快速下降，讓光罩的正面保存於適當之環境，使光罩能得到最好的保護。

為改善微粒污染問題，提高容器的效力，本發明提供一種用來裝載工件的容器，例如容納光罩工件的光罩盒。

在此一方面，本發明提供了一種用來裝載工件的容器，包括：基座，其具有上表面，多個定位件設置在上表面並從上表面突出，所述上表面包括：承載面定義在所述上表面，當收到所述工件時，用來承載所述工件；周邊溝槽結構，其具有環形平面輪廓，其中所述周邊溝槽結構的底部低於所述承載面 ；以及第一接面，其中所述承載面、所述周邊溝槽結構、以及所述第一接面從所述上表面的中心向邊緣依序分佈，並且所述第一接面低於所述承載面，且所述周邊溝槽結構的底部低於所述第一接面。

在此一方面，本發明又提供了一種用來裝載工件的容器，包括：基座，其具有上表面及相對於所述上表面的下表面，其中所述基座的所述上表面包括：內區域，形成在所述基座的中央部分；以及外區域，圍繞所述內區域；定位結構，佈置在所述內區域周圍，其中所述定位結構包括：一雙定位件從所述上表面突出；支撐件，設置在所述雙定位件之間；以及導溝結構圍繞所述支撐件。

在此一方面，本發明再提供了一種容器，包括：基座，其具有多個角落；一雙定位件，設置在所述多個角落其中一者的周圍並從所述基座突出；支撐件，設置在所述雙定位件之間；以及 導溝結構，設置在所述支撐件周圍並具有弧形平面輪廓。

此外，發明人研究指出先前技術僅提升基座與盒蓋的接觸面的平均粗糙度（Ra）無法確保在該基座與盒蓋相接觸時於其間形成一密封。發明人進一步指出由於基座與盒蓋的加工表面存在波狀（Waviness），且波狀的振幅大於平均粗糙度（Ra），所以在該基座與盒蓋相接觸時能否於接觸面形成一密封在於上接觸面或下接觸面所存在的一最大高度（Rz，即最高和最低峰值的差距），接觸面的最大高度（Rz）會導致該等表面相接觸時於其間產生間隙，而形成氣流流通的通道，以致該盒蓋和基座間無法形成密封。再者，若無法控制加工表面的翹曲，在加工表面同樣會存在一最大高度（Rz）而在接觸面間產生間隙，形成氣流流通的通道。因此，本發明提供一種主要藉由光罩盒的盒蓋和基座間接觸面的「平面度」控制而實現有效密封之手段。

本發明所描述的「平面度」是指工件某一表面的一真實平面與一理想平面（如完美平面）之間的偏差。如圖36所示一工件之表面波狀（Waviness）之平面度的示意圖，根據「平面度」的定義，夾持該工件之真實平面（100）的兩個虛擬平行平面（101、102）之間的距離（d），即上下平面分別通過實際表面的最高點與最低點，距離（d）可表達真實平面（100）的最大高度（Rz）。真實平面（100） 為如圖所示意一工件（103）的表面，該表面存在因實際加工的低頻因素所形成的波狀，而具有特定程度的高低落差。另外，存在因實際加工的低頻因素所造成工件表面的撓曲，如圖37所示，根據「平面度」的定義，夾持一工件（203）的一真實平面（200）的兩個虛擬平面（201、202）之間的距離（d），尤其該真實平面（200）的範圍由特定長（L）寬（W）的一面積所決定，例如長寬各為100毫米所決定的正方形。可想而知，該面積的尺寸有可能決定上下兩個虛擬平面（201、202）的距離（d），也相對決定平面度的大小。同樣地，該距離（d）可表達真實平面（200）的最大高度（Rz）。

本發明主要在於提供一種用於容納一基板之容器，包含：一基座，具有一頂部水平面與至少一環繞該頂部水平面之第一支撐面；以及一盒蓋，用於環繞該基座的頂部水平面而與該基座之第一支撐面嚙合，藉以界定用於容納該基板之一容納空間，該盒蓋具有至少一過濾通道以及至少一環繞該容納空間之第二支撐面，該第二支撐面用以與該基座之第一支撐面配合，其中該基座之第一支撐面與該盒蓋之第二支撐面相較於該基座之頂部水平面有一致的傾斜度，且該基座之第一支撐面的一平面度與該盒蓋之第二支撐面各別的一平面度皆小於0.04毫米（mm），以在該第一支撐面與該第二支撐面相接觸時於其間形成一密封。

本發明另一目的在於提供一種用於容納一基板之容器，包含：一基座，具有一頂部水平面；以及一盒蓋，具有至少一過濾通道與一收容空間，其中該盒蓋與該基座相接觸時，該收容空間與該頂部水平面界定一用於容納該基板之容納空間，且於其間形成至少一環繞該容納空間之接觸面，以密封該容納空間，該接觸面具有一不超過0.08毫米之間距。

本發明又一目的在於提供一種用於容納一基板之容器，包含：一基座，具有一頂部水平面與至少一環繞該頂部水平面之第一支撐面；以及一盒蓋，具有至少一過濾通道、一底面與一環繞該底面之凸緣結構，該凸緣結構具有至少一環繞該底面之第二支撐面，且該第二支撐面的至少一部份用以與該基座之第一支撐面相接觸，致使該底面、該凸緣結構與該頂部水平面界定一用於容納該基板之容納空間，其中該第一支撐面的一平面度與該第二支撐面各別的一平面度皆小於0.04毫米（mm），得以密封該收容空間。

本發明更一目的在於提供一種用於容納一基板之容器，包含：一基座，具有一頂部水平面；以及一盒蓋，具有至少一過濾通道與一收容空間，其中該盒蓋與該基座相接觸時，該收容空間與該頂部水平面界定一用於容納該基板之容納空間，且於該盒蓋與該基座之間形成至少一環繞該容納空間之接觸面，以密封該容納空間，其中該接觸面具有一間距，且當該過濾通道封閉時，該接觸面的間距決定該容納空間與該容器之外部空間之間達到一100Pa以上的壓力差。

本發明再一目的在於提供一種用於容納一基板之容器，包含：一基座，具有一頂部水平面；以及一盒蓋，具有至少一過濾通道與一收容空間，其中該盒蓋與該基座相接觸時，該收容空間與該頂部水平面界定一用於容納該基板之容納空間，且於該盒蓋與該基座之間形成至少一環繞該容納空間之接觸面，其中該接觸面具一間距，且當該容納空間為真空，且當該容器的一外部空間處於氣體回升時，該接觸面的間距決定進入該容納空間的氣流至少有90%是經由該過濾通道。

本發明尚一目的在於提供一種控制一容器之進氣分流方法，該容器包含一具有一頂部水平面之基座；以及一具有至少一過濾通道之盒蓋，該盒蓋與該基座相接觸時界定一容納空間，該方法包含：於該基座與該盒蓋間形成至少一環繞該容納空間之接觸面，該接觸面具一間距；以及當該過濾通道封閉時，控制該接觸面的間距以決定該容納空間與該容器之一外部空間之間達到一100Pa以上的壓力差，使當該容納空間為真空，且當該容器處於氣體回升時，該容納空間的進氣流至少有90%是經由未封閉的該過濾通道。

有鑑於未來半導體製程機台搭載雷射探測或光學探測，而需要發展光學識別標記的光罩盒，本發明提供一種光罩盒，包含一基座及與該基座結合的一盒蓋。該基座的一底面具有至少一第一標記及至少一第二標記，該第一標記具有相對於一光源的一第一反射率，該第二標記具有相對於該光源的一第二反射率，該第一反射率和該第二反射率不相同，且該第一反射率和該第二反射率不同於該底面其他區域的反射率。

在此一具體實施例中，該基座的底面具有三個第一標記，該等第一標記的其中一個位於該底面的一中心軸上，而另兩個第一標記分別位於該中心軸的兩側，該基座的底面具有一第二標記，該第二標記位於該中心軸的兩側的其中一側。

在此一具體實施例中，該底面具有與該中心軸垂直的一橫軸，該橫軸該底面劃分成一第一區域和一第二區域，且除了位於該中心軸與該橫軸交點上的第一標記，另兩個第一標記位於該第一區域，而該第二標記位於該第二區域。

在此一具體實施例中，該等第一標記為圓形標記，該第二標記為圓形標記，該等第一標記的直徑大於該第二標記的直徑。

在此一具體實施例中，該第二標記的圓心與該中心軸定義一橫向偏移距離，該第二標記的圓心與該橫軸定義一縱向偏移距離，且該橫向偏移距離小於該縱向偏移距離。

在一此具體實施例中，該橫向偏移距離為18毫米，該縱向偏移距離為58毫米。

在一此具體實施例中，該光源為具有特定波長的雷射光束。

在一此具體實施例中，該至少一第一標記具有一第一表面粗糙度，該至少一第二標記具有一第二表面粗糙度，該第一表面粗糙度不同於該第二表面粗糙度，且該第一表面粗糙度和該第二表面粗糙度均不同於該底面其他區域的表面粗糙度。

本發明另一目的在於提供一種識別光罩盒的方法，其中所述光罩盒具有一基座，該基座的一底面具有至少一第一標記及至少一第二標記，該第一標記具有相對於一光源的一第一反射率，該第二標記具有相對於該光源的一第二反射率，該第一反射率和該第二反射率不相同，且該第一反射率和該第二反射率不同於該底面其他區域的反射率。該方法包含：將所述光罩盒放置於提供有探測光源的一製程機台；將探測光源分別打在該至少一第一標記和該至少一第二標記上；讀取來自該至少一第一標記的一第一反射光和該至少一第二標記的一第二反射光，以關聯出至少一第一訊息及至少一第二訊息，其中該至少一第一訊息指示該光罩盒的放置是否正確，該至少一第二訊息指示該光罩盒的一識別。

在此一具體實施例中，所述探測光源為特定波長的雷射光束。

在此一具體實施例中，所述讀取來自該至少一第一標記的至少一第一反射光和該至少一第二標記的至少一第二反射光，包含讀取該至少第一反射光所對應的至少一第一電壓值和該至少一第二反射光對應的至少一第二電壓值，且該至少一第一電壓值不同於該至少一第二電壓值。

在此一具體實施例中，該至少一第一電壓值介於4.8至5.2伏特，該至少一第二電壓值低於4伏特。

在此一具體實施例中，所述識別包含該光罩盒或光罩的型號或版本。

本發明又一目的在於提供一種識別光罩盒的方法，包含：於一光罩盒的一基座的一底面提供至少一第一標記及至少一第二標記，該第一標記具有相對於一光源的一第一反射率，該第二標記具有相對於該光源的一第二反射率，該第一反射率和該第二反射率不相同，且該第一反射率和該第二反射率不同於該底面其他區域的反射率，其中該第二反射率與該光罩盒的一識別有關；將所述光罩盒放置於提供有探測光源的一製程機台；將探測光源分別打在該至少一第一標記和該至少一第二標記上；及讀取來自該至少一第一標記的一第一反射光和該至少一第二標記的一第二反射光，以關聯出至少一第一訊息及至少一第二訊息，其中該至少一第一訊息指示該光罩盒的放置是否正確，該至少一第二訊息指示該光罩盒的識別。

在此一具體實施例中，該至少一第一標記及該至少一第二標記是由雷射雕刻形成於該基座的底面上。

為了彌補構件公差的保持銷設計以滿足光罩的容置要求及光罩盒密封性，本發明提供一種光罩盒，其具有一盒蓋及提供於該盒蓋的一或多個銷組件。該銷組件包含：一可動部，配置成可相對於該盒蓋的一頂部垂直地移動；及一彈性部，配置成使該可動部介於該彈性部和該盒蓋的頂部之間。當該光罩盒未容置一光罩時，該盒蓋的頂部決定該可動部位於一第一水平，且當該光罩盒容置該光罩時，該彈性部配合該可動部使該可動部固持該光罩而位於一第二水平，該第二水平高於該第一水平。

本發明另一目的在於提供一種光罩盒，其具有一盒蓋及提供於該盒蓋的一或多個銷組件。該銷組件包含：一可動部，配置成可相對於該盒蓋的一頂部垂直地移動，包含一帽部和一銷，該銷穿設於該盒蓋的一孔內且凸伸出該盒蓋的一下表面；及一蓋部，設置於該盒蓋的一外側，以限制該可動部的該帽部能抵達的一最高水平。當該光罩盒容置一光罩時，該銷抵持於該光罩的一上表面，且當該帽部直接地或間接地受一外力時，該帽部作用於該銷，促使該銷固持該光罩。

本發明尚一目的在於提供一種於一光罩盒內固持一光罩的方法，該光罩盒包含一盒蓋及一基座，其中該盒蓋提供有一或多個銷組件，該銷組件包含：一銷與一帽部。該方法包含：配置該銷可相對於該盒蓋的一孔垂直地移動且凸伸出該盒蓋的一下表面；配置一蓋部於該盒蓋的一外側，以限制該帽部能抵達的一最高水平；將一光罩容置於該光罩盒中，使該銷抵持於該光罩的一上表面而向上移動；使該帽部直接地或間接地接受一外力，促使該帽部作用於該銷，使該銷固持該光罩，以穩固該光罩在該光罩盒中。

本發明一方面提供了一種包括儲存組件的工件容器系統，所述儲存組件包括座構件。 所述座構件具有儲存部份，所述儲存部份限定通過其幾何中心區域的縱向軸線，所述儲存部份設置有工件接收區域，所述工件接收區域包含所述幾何中心區域並且經配置以接收工件。 該座構件具有一對側翼部分，該對側翼部分沿著該縱向軸線被佈置在該儲存部份的相反側上，每個側翼部分具有比該儲存部份的厚度更薄的厚度。 儲存部份設置有擴散誘導組件，擴散誘導組件位在工件接收區域中且與所述幾何中心區域錯位。

因此，本發明另一方面提供了一種包括儲存組件的工件容器系統，該儲存組件包括座構件和座蓋。 所述座構件限定工件接收區域，所述工件接收區域包含其幾何中心區域，所述工件接收區域經配置以接收具有圖案區域的基板。 座構件上設有下擴散誘導組件，所述下擴散誘導組件在基底的圖案區域的平面投影內且與所述幾何中心區域錯位。 該座蓋被配置以在其工件接收區域周圍的周邊區域處接合該座構件，經配置以配合地形成用於容納該基底的封閉件。

以下圖1至圖13及其標號與段落說明為本發明解決習知光罩盒無法有效去除光罩正面的高溫與濕氣的實施方式。

如圖1所示，本發明第一實施例之增加對流的光罩盒100，其包含：一第一主體1及一第二主體2。該第一主體1及該第二主體2結合形成具有一容置空間S的盒體，容置空間S用於容置一光罩R。

參考圖10，光罩R分為正面R1及背面R2，第一主體1(圖10中為第一主體1c)係為對應於光罩R的正面R1，即與光罩R的正面R1相向；第二主體2係為對應於光罩R的背面R2，即與光罩R的背面R2相向。在本實施例中，第一主體1為位於下方的底座，第二主體2為位於上方的蓋體（上下方向以重力方向作為區分）；然而本發明不限於此，若在一個製程中的光罩R為正面R1朝上置放，則第一主體1可為位於上方的蓋體，第二主體2可為位於下方的底座。

第一主體1具有一第一對應區11，第一對應區11設有複數第一氣流通道3，這些第一氣流通道3貫穿第一主體1。第一對應區11指的是光罩R在投影方向上對應第一主體1的區域，即為光罩R的正上方或正下方。較佳地，光罩對應區位於第一主體1的中央部分，第一氣流通道3設置於第一主體1的相對中心位置。

藉由在第一主體1的光罩對應區設置複數第一氣流通道3，使得光罩R的正面R1的濕度與溫度可經由第一氣流通道3而得以快速下降，讓光罩R的正面R1保存於適當之環境，使光罩R能得到最好的保護。

進一步地，如圖1所示，第一主體1之第一種態樣為：第一氣流通道3為複數圓形通孔，這些通孔彼此聚集並成群地分布於第一主體1的光罩對應區。然而本發明不限於此，例如圖2所示，第一主體1a還可以有第二種態樣：第一氣流通道3為複數方形通孔。

進一步地，如圖3所示，第一主體1b之第三種態樣為：第一氣流通道3’為複數通槽。這些通槽呈同心的圓弧狀排列。

進一步地，如圖4所示，第一主體1c之第四種態樣為：第一主體1c的光罩對應區更設有凹槽4。如圖10所示，凹槽4可以增加光罩R的正面R1與第一主體1c之間的距離，使氣流更好通過光罩R的正面R1與第一主體1c之間的間隙，加速帶走光罩R的溫度與濕度。在本態樣中，凹槽4為十字形凹槽，然而本發明不限於此，例如圖5所示，第一主體1d還可以有第五種態樣：凹槽4為圓形凹槽；又如圖6所示，第一主體1e可以有第六種態樣：凹槽4為圓形凹槽與長條形凹槽的組合。

進一步地，如圖7所示，第二主體2a對應光罩R的底面且具有一第二對應區21。有別於圖1的第二主體2的第一種態樣（表面無第二氣流通道5），第二主體2a具有第二種態樣：第二對應區21設有貫穿第二主體2a的複數第二氣流通道5及凹槽6。而如圖8所示，第二主體2b具有第三種態樣。然而本發明不限於此，第二主體可以為具有第二氣流通道5及/或凹槽6，並且可以為各種形態並與各種態樣的第一主體任意組合。例如第二氣流通道5亦可以為圓孔、方孔或通槽，凹槽6可以為十字形、圓形或其他幾何圖形。

進一步地，如圖9及圖10所示，本發明的增加對流的光罩盒100更包括一過濾構件7，設置於第一主體1的第一氣流通道3中及/或設置於第二主體2的第二氣流通道5中。過濾構件7用以過濾氣體，使外界的塵粒不會經由第一氣流通道3或第二氣流通道5進入容置空間S中。過濾構件7例如是濾膜，利用鎖附、卡扣等方式設置於第一氣流通道3及/或第二氣流通道5中。

進一步地，如圖1所示，第二主體2更具有複數第三氣流通道23，設置於第二主體2的側邊22。第三氣流通道23可進一步加強氣體對流，加速帶走光罩R的溫度與濕度。

本發明又提出第二實施例。如圖11所示，本發明提出一種增加對流的光罩盒200，其包含：一第一主體8及一第二主體9，第一主體8及第二主體9結合形成具有一容置空間S的盒體，容置空間S用於容置一光罩R。

第一主體8及第二主體9的定義與第一實施例的增加對流的光罩盒100相同。第一主體8對應光罩R的正面且具有一第一對應區81，第一對應區81設有凹槽4。在本實施例中，以凹槽4取代了第一實施例的第一氣流通道3，而只具有單獨的凹槽4。在本態樣中（第七態樣），凹槽4為十字形凹槽。然而本發明不限於此，例如圖12所示，第一主體8a還可以有第八種態樣：凹槽4為圓形凹槽；又如圖13所示，第一主體8b可以有第九種態樣：凹槽4為圓形凹槽與長條形凹槽的組合。

藉由在第一主體8的第一對應區81設置凹槽4，使得氣流可以在光罩R的正面與第一主體8之間容易流通，讓光罩R的正面的濕度與溫度可得以快速下降，因此光罩R可保存於適當之環境，使光罩R能得到最好的保護。

進一步地，本實施例的增加對流的光罩盒200的第一主體8的第一對應區81更可設有複數第一氣流通道3，這些第一氣流通道3貫穿第一主體8。同時設有凹槽4及複數第一氣流通道3的態樣即如第一實施例的圖4至圖6所示，故不再重複贅述。第一氣流通道3的態樣可以為圓孔、方孔或通槽。亦可以設置過濾構件7於第一氣流通道3中。

進一步地，本實施例的增加對流的光罩盒200的第二主體9的第二對應區更可設有凹槽6及複數第二氣流通道5，其實施態樣如同第一實施例的圖7至圖8所示，故不再重複贅述。

進一步地，如圖11所示，第二主體9更具有複數第三氣流通道93，設置於第二主體9的側邊92。第三氣流通道93可進一步加強氣體對流，加速帶走光罩R的溫度與濕度。此外，另參閱各圖可知，光罩盒第二主體9所具有的複數第二氣流通道5及複數第三氣流通道93與第一主體8所具有的複數第一氣流通道3之間亦可達成氣體對流。

以下圖14至圖34及其標號與段落說明為本發明改善微粒污染問題，提高容器的效力的實施方式。

在一些實施例中的極紫外光光罩容器（例如，容器系統1），其中包含基座（例如，內基座21） 及蓋子 （例如，內蓋子22）。在一些實施例中，在基座上至少具有連續環狀的溝槽結構，用於捕獲或容置微粒。在其他一些實施例中，在基座上至少具有連續圓狀的溝槽結構，用於捕獲或容置微粒。有助 於降低微粒污染到承載面和極紫外光光罩之間的區域。將詳細參考以詳細說明本發明的實施例的內容和特徵，其示例在附圖中示出。此外，本發明實施例之圖式，並未依照實際尺寸比例繪製，其中並已省略或簡化部分組件，藉以清楚顯示本發明之特點。

請參照第1圖，其示出了根據本發明的一些實施例的極紫外光光罩容器的爆炸圖。極紫外光光罩容器1用於容設工件R（例如，極紫外光光罩）。極紫外光光罩容器1包括外盒總成10及內盒總成20。外盒總成10 包括相互配合之上部分11 及下部分12 ，藉以界定出容置空間13，用以容置內盒總成20。

在一些實施例中，外盒總成10的上部分11和下部分12大致上為四邊形，其中包括但不限矩形。當兩者對接時可以形成氣密狀態，用以區別外盒總成10外部與容置空間13。上部分11及下部分12可以包括一或多個氣閥（圖式中未繪示），並且對應在氣閥處設置有如濾紙等過濾材料，用以供氣體進入或離開容置空間13時保持氣體之潔淨。上部分11可以包括多個導位件（圖式中未繪示），用以於上部分11及下部分12對接時導正兩者之相對位置，或者導正內盒總成20的位置。下部分12可以包括多個支撐件（圖式中未繪示），用以固持內盒總成20。此些組件及結構可以視需求配置，本發明並不多加以限制。

請同時參照第1圖及第2圖，第2圖繪示第1圖中基座之立體圖。本實施例之內盒總成20包括基座21 以及蓋子 22。基座21具有上表面210及周圍壁215。上表面210系為基座21之面朝蓋子22之表面，設有凸出之多個定位件214。周圍壁215 系為基座21之側壁，連接並且圍繞於上表面210。

多個定位件214系與基座21由不同材質製成，例如基座21由鋁或其他金屬或合金製成，多個定位件 214 由如耐磨塑料等低微粒產生材料所製成。在一些實施例，定位件214可以例如是以鎖固的方式固定在基座21上，並且突出於上表面210。定位件214可以對應於矩形之工件R的四個角落配置， 在一些實施例，且各定位件214可具有導引斜面，用來導正工件R的位置。經由定位件214的配置，可以在基座21上定義出用來放置極紫外光光罩R的光罩承載位置23。然而，定位件214的結構、數量、固定方式以及配置方式並不以第2圖所顯示者為限；只要是可以在基座21上定義出光罩承載位置23者，均屬本發明可應用之定位件214。

基座21之上表面210包括承載面211（例如，上表面 210的內區域）、溝槽212及第一接面213（例如，上表面 210的外區域）。在一些實施例，承載面211、溝槽212及第一接面213依序由上表面210之內側朝周圍壁215配置。即，承載面211位於上表面210的中央附近，第一接面213位於上表面210的外區域，溝槽212位於承載面211及第一接面213的中間。工件R是用來設置在光罩承載位置23，藉以被承載在承載面211上。溝槽212具連續環狀結構，且溝槽212之底部低於承載面211。 本實施例中，承載面211大致上為平整的水平面，溝槽212完整連續地圍繞於承載面211，形成一個全周式的溝槽212，而如第2圖所示，第一接面213完整連續地圍繞於溝槽212外。

請同時參照第2圖及第3圖，第3圖繪示第1圖之內盒總成及極紫外光光罩的部分側視剖面圖。第3圖所示為部分之內盒總成20以及容置於其內的工件R，第3圖之左側為靠近承載面211中央的位置，而第3圖之右側則為內盒總成20之邊緣（也就是靠近周圍壁215的位置）。上表面210由中央而外（第3圖的由左而右）依序配置為承載面211、溝槽212及第一接面213。第一接面213低於承載面211，溝槽212之底部又低於第一接面213。溝槽212為下凹結構以及底部位於最低位置。對於溝槽212之底部而言，溝槽212連接於承載面211的側牆高度，高於溝槽212連接於第一接面213的側牆高度。各側壁通過一個尖角連接到溝槽212的底部。 或至少具有很小的彎曲的拐角。

溝槽212之設計系可用來捕獲或容置微粒。當位於溝槽212內的微粒被氣流揚起時，會受到溝槽212連接承載面211之側牆所阻擋，不容易移動到承載面211上，避免微粒移動到承載面211與工件R之間，可以降低承載面211上的微粒污染。另一個好處是，考慮到實際在製造上第一接面213及第二接面223之氣密效果有可能因為生產問題（如表面處理失誤）導致其平整面氣密性不足夠。因此，縱使前述的情況發生了，基於本實施例溝槽212之兩邊側壁具有高低落差的特性，如第一接面213及第二接面223未能達到符合要求的氣密程度，第一接面213及第二接面223會間接形成一個極微小的導引通道，將微粒主動引導至溝槽212內容置，避免進入承載面211與工件R之間的區域。

請參照第4圖，其繪示第3圖之基座上具有阻隔件時之側視剖面圖。本實施例之基座21可以包括一阻隔件217，設置於溝槽212內（例如，阻隔件217是在溝槽 212的底表面上） 。由阻隔件217之底部至阻隔件217之一頂端，其高度至少要約略高於溝槽212連接於第一接面213的側牆高度，使得蓋子22與基座21對接時，阻隔件217之頂端緊密接觸於第二接面223。如此系可有效阻擋微粒進入承載面211與工件R之間的區域。在一些實施例，阻隔件217系為連續環狀結構，以連續地設置於溝槽212內。在一些實施例，阻隔件217系為連續圓狀結構，以連續地設置於溝槽212內。

請同時參照第2圖及第5圖，第5圖繪示第2圖之基座之側視剖面圖。第5圖是第2圖之基座21沿剖面線A-A’之剖面示意。 在一些實施例，基座21的上表面210更包括與溝槽212相連通的至少一容槽216。在圖示的實施例中，容槽216之底部低於溝槽212之底部，且在平行於承載面211之方向延伸， 容槽216之寬度大於溝槽212之寬度。容槽216為更進一步之下凹結構，且具有較為寬廣的面積，可以用來捕獲或容置微粒。微粒除了會被留置在溝槽212內，微粒更可以被留置在容槽216內。

接下來對於本實施例內盒總成20之蓋子22進行說明，請同時參照第6圖及第7圖，第6圖繪示第1圖之上蓋的立體圖，第7圖繪示第1圖之蓋子之另一視角的立體圖。蓋子22用以與基座21對接，並且具有凹腔221及第二接面223。本實施例中，第一接面213及第二接面223是平整的表面或具有相對較小粗糙度的平整表面，並且當彼此接觸時能夠彼此配合以提供密封。

本實施例中，蓋子22具有降級面222，位於凹腔221與第二接面223之間，且降級面222與第二接面223位於不同水平面上，用以與基座21之上表面210之間形成一間隙；進一步來說，所述降級面222與第二接面223位於不同水平面上系指位於互相平行的兩個水平面之上。如第3圖所示，降級面222與上表面210之承載面211之間形成間隙，讓基座21的溝槽212部分（未完全）被第二接面223覆蓋。當基座21與蓋子22對接時，通過沈降、流動或被氣流帶動移動的微粒進入溝槽212或容槽216內，使其被捕獲或容置於溝槽212或容槽216內。

通過沈降、流動或被氣流帶動移動的微粒進入溝槽212或容槽216內，使其被捕獲或容置於溝槽212或容槽216內。 這些導位塊224是以特定的方式設置于蓋子 22，使得蓋子 22與基座21對接時，導位塊224可以朝基座21延伸。朝向基座21延伸的導位塊224系用以彈性接觸於基座21之周緣215（如第3圖所示）。當基座21及蓋子 22進行對接時，導位塊224可以協助導正基座21與蓋子 22的相對位置，讓兩者可以正確對接。在本實施例中，導位塊224可以以對應于蓋子22的四個角的方式配置。然而，導位塊224的數量和佈置不限於圖19及20所示的實施例。在形式上，朝向外殼21延伸並在外殼22和位置21之間耦合時彈性接觸周圍壁215的其他形式的組件在這裡可以用作引導位塊224。

本實施例之上蓋22設有多個彈性件225，對應於定位件214之位置而配置。當蓋子22與基座21對接時，以及內盒總成20容置於外盒總成10內時，彈性件225用以接觸並施以壓力於工件R （例如，極紫外光光罩）。 彈性件225有助於限制工件R在垂直方向上的移動，從而防止了工件R的移動，從而抑制了結構部件之間的摩擦產生的污染物/微粒。實際上，可以在外盒總成10的上部分11的內表面上佈置幾個突出組件（圖中未示出），這些突出組件可以與彈性件225的位置相對應地佈置。當內盒總成20容納在外盒總成10的容置空間13中時，突出組件可以分別壓在彈性件225的一端上。彈性件225的另一端接觸並因此按下工件R。突出組件的結構和構造不限於本示例性實施例中所示。

本實施例之上蓋22設有進氣口226，並且對應在進氣口226設置有過濾材料。進氣口226用以供氣體進入凹腔221內，當透過進氣口226的氣體噴流進入凹腔221時，可以帶動在凹腔 221的微粒朝向位於承載面211外圍的溝槽212移動，以讓微粒被捕獲或容置於溝槽212或容槽216內。

請參照第8圖，其繪示依照本發明一實施例之承載面、溝槽及第一接面之示意圖，如第1-3圖所示。依照本發明前述實施例之極紫外光光罩容器1，基座21之上表面210的承載面211、溝槽212及第一接面213，依序由上表面210之內側朝周緣215配置，在圖標的實施例中，溝槽212完整連續地圍繞承載面211，第一接面213完整連續地圍繞溝槽212，且在基座21形成一個全周式的溝槽212。然而本發明並不以此為限制。例如，在一些實施例中，可以利用小於完全封閉的溝槽圖案，例如以在基座21上容納附加的器件特徵。

請參照第9圖，其繪示依照本發明另一實施例之承載面、溝槽及第一接面之示意圖。依據第9圖實施例之極紫外光光罩容器的基座31，其上表面310的承載面311、溝槽312及第一接面313，依序由上表面310之內側朝周緣315配置。上表面310包括多個溝槽312，各自為連續環狀結構。在一些實施例，上表面310包括多個溝槽312，各自為連續圓狀結構。 多個溝槽312佈置在承載面311和第一接面313之間，並且每個溝槽312分別圍繞多個定位件314的位置，靠近基座31的一個角。溝槽312之底部低於第一接面313以及承載面311，形成下凹結構。各自連續環狀的溝槽312，因為圍繞定位件314配置，可以捕獲或容置對應所述處產生之微粒。此外，當位於溝槽312內的微粒被氣流揚起時，會受到溝槽312之側牆所阻擋，不容易移動到承載面311上，可以減緩承載面311上的微粒污染，可以減緩承載面311上的微粒污染， 降低工件R受到微粒污染的機會。

根據本發明前述實施例之極紫外光光罩容器，用以容設極紫外光光罩。極紫外光光罩容器包括外盒總成及內盒總成，外盒總成包括相互配合之上部分及下部分，藉以界定出容置空間，用以容置內盒總成。內盒總成包括基座以及蓋子。基座具有上表面及周圍壁，上表面設有凸出之多個定位件，用以界定出光罩承載位置。周圍壁連接且圍繞上表面。上表面包括承載面、溝槽及第一接面。極紫外光光罩用以設置於光罩承載位置，藉以被承載在承載面上。在一些實施例，溝槽具連續環狀結構，其底部低於承載面。在其他一些實施例中，溝槽具連續圓狀結構，其底部低於承載面。 承載面、溝槽及第一接面依序由上表面之內側朝周圍壁配置。 蓋子用以與基座對接，並且具有凹腔及第二接面。凹腔用以容納光罩，第二接面與第一接面相配合，用以形成密封狀態。溝槽可以捕獲或容置微粒，減緩極紫外光光罩收到微粒的污染的問題。

圖23 示出了根據本發明的一些實施例的基座的透視圖。基座1001包括上表面及與上表面相對的下表面。基座1001的上表面可以包括內區域1011及外區域1013。在一些實施例，內區域1011相對於外區域1013基本上是平面的。圖23中的P線用於示出內區域1011和外區域1013之間的劃分。

基座1001設置有多個定位結構。多個定位結構可以放置在內區域1011內。各個定位結構包括一雙定位件1014、佈置在所述雙定位件1014之間的支撐件1031、以及圍繞所述雙定位件1014和支撐件1031的導溝結構1032。

所述雙定位件1014用於將工件R（例如，光罩）的一角定位在光罩容器中。所述雙定位件1014分別從內區域1011的表面突出。在一些實施例，支撐件1031的高度（距基座的下表面的高度）可以小於多個定位件1014的高度（距基座的下表面的高度）。在一些實施例，支撐件1031可以與內區域1011基本共平面。在一些實施例，支撐件1031的高度可以大於內區域1011的高度。然而，支撐件1031從內區域1011突出並不妨礙工件R在基座1001內的穩定性。

導溝結構1032的壁具有環形（圓形）的平面輪廓，其圍繞一雙定位件1014和支撐件1031。導溝結構1032具有被壁包圍的底部。在一些實施例，導槽結構1032的最靠近內區域1011的部分壁具有弧形（圓形）的平面輪廓，所述形狀將引導侵入微粒子（例如，抽真空到基座中）返回基座之外。在一些實施例，導溝結構1032的壁可以由彼此連續連接的多個弧形部分形成。引導溝槽結構1032的底部距基座的下表面的高度可以小於距基座的下表面的內區域1011的高度。在一些實施例，當將蓋子設置在基座上時，蓋子（例如，圖14所示的蓋子22）的外區域可以與基座1001的外區域1013物理接觸。

圖24 示出了根據本發明的一些實施例的基座的透視圖。基座1101包括上表面及與上表面相對的下表面。基座1101的上表面可以包括內區域1111及外區域1113。在一些實施例，內區域1111高於外區域1113。

基座1101設置有多個定位結構。多個定位結構可以放置在內部區域1111內。各個定位結構包括一雙定位件1114、佈置在所述雙定位件1114之間的支撐件1131、以及圍繞所述雙定位件1114和支撐件1131的導溝結構1132。

所述雙定位件1114用於將工件R（例如，光罩）的一角定位在光罩容器中。 所述雙定位件1114分別從內區域1111的表面突出。在一些實施例，支撐件1131距基座下表面的高度可小於多個定位件1114距基座下表面的高度。在一些實施例，支撐件1131可以與內區域1111基本共平面。在一些實施例，支撐件1131的高度可以大於內區域1111的高度。然而，支撐件1131從內區域1111突出並不妨礙工件R在基座1101內的穩定性。

導溝結構1132的壁具有環形（圓形）的平面輪廓，其圍繞一雙定位件1114和支撐件1131。導溝結構1132具有被壁包圍的底部。在一些實施例，導槽結構1132的最靠近內區域1111的部分壁具有弧形（圓形）的平面輪廓，所述形狀將引導侵入微粒子返回基座之外。在一些實施例，導溝結構1132的壁可以由彼此連續連接的多個弧形部分形成。引導溝槽結構1132的底部距基座的下表面的高度可以小於距基座的下表面的內區域1111的高度。引導溝槽結構1132的底部距基座的下表面的高度可以小於距基座的下表面的外區域1113的高度。在一些實施例，當將蓋子設置在基座上時，蓋子（例如，圖14所示的蓋子22）的外區域可以與基座1101的外區域1113物理接觸。

圖25 示出了根據本發明的一些實施例的基座的透視圖。基座1201包括上表面及與上表面相對的下表面。基座1201的上表面可以包括內區域1211及外區域1213。在一些實施例，內區域1211相對於外區域1213基本上是平面的。在其他一些實施例中，內區域1211高於外區域1213。

基座1201設置有多個定位結構。多個定位結構設置在外區域1213及內區域1211之間。各個定位結構包括一雙定位件1214、佈置在所述雙定位件1214之間的支撐件1231、以及圍繞所述雙定位件1214和支撐件1231的導溝結構1232。

所述雙定位件1214用於將工件R的一角定位在光罩容器中。 所述雙定位件1214分別從內區域1211的表面突出。在一些實施例，支撐件1231距基座下表面的高度可小於多個定位件1214距基座下表面的高度。在一些實施例，支撐件1231可以與內區域1211基本共平面。在一些實施例，支撐件1231的高度可以大於內區域1211的高度。然而，支撐件1231從內區域1211突出並不妨礙工件R在基座1201內的穩定性。

導溝結構1232的壁具有環形（圓形）的平面輪廓，其圍繞一雙定位件1214及支撐件1231。導溝結構1232具有被壁包圍的底部。在一些實施例，導槽結構1232的最靠近內區域1211的部分壁具有弧形（圓形）的平面輪廓，所述形狀將引導侵入微粒子（例如，抽真空到基座中）返回基座之外。引導溝槽結構1232的底部距基座的下表面的高度可以小於內區域1211距基座的下表面的高度。

在一些實施例，底座1201更包括佈置在內區域1211和外區域1213之間的周邊溝槽結構1212。在一些實施例，周邊溝槽結構1212具有封閉的平面環形輪廓。在一些實施例，多個定位結構沿著周邊溝槽結構1212形成。在一些實施例，周邊溝槽結構1212與導溝結構1232相交。在一些實施例，周邊溝槽結構1212與導溝結構1232相連。圖25中的周邊溝槽結構1212示出了內區域1211和外區域1213之間的邊界劃分。在一些實施例，外區域1213的一部分的寬度W1大於外區域1213的另一部分的寬度W2。舉例來說，由於外圍溝槽結構1212的平面輪廓，外區域1213在不同部分處可能具有不同的寬度。在一些實施例，周邊溝槽結構1212的一部分向著基座1201的中央縮進。在一些實施例，當將蓋子設置在基座上時，蓋子的外區域可以與基座1201的外區域1213物理接觸。

圖26 示出了根據本發明的一些實施例的基座的透視圖。基座1301包括上表面及與上表面相對的下表面。基座1301的上表面可以包括內區域1311及外區域1313。 在一些實施例，內區域1311相對於外區域1313基本上是平面的。在其他一些實施例中，內區域1311高於外區域1313。

基座1301設置有多個定位結構。多個定位結構可以放置在內部區域1311內。各個定位結構包括一雙定位件1314、佈置在所述雙定位件1314之間的支撐件1331、以及圍繞所述雙定位件1314和支撐件1331的導溝結構1332。所述雙定位件1314用於將工件R（例如，光罩）的一角定位在光罩容器中。 所述雙定位件1314分別從內區域1311的表面突出。

在一些實施例，支撐件1331距基座下表面的高度可小於多個定位件1314距基座下表面的高度。在一些實施例，支撐件1331可以與內區域1311基本共平面。在一些實施例，支撐件1331的高度可以大於內部區域1311的高度。然而，支撐件1331從內部區域1311突出並不妨礙工件R在基座1301內的穩定性。

導溝結構1332的壁具有環形（圓形）的平面輪廓，其圍繞一雙定位件1314和支撐件1331。導溝結構1332具有被壁包圍的底部。在一些實施例，導槽結構1332的最靠近內區域1311的部分壁具有弧形（圓形）的平面輪廓，所述形狀將引導侵入微粒子（例如，抽真空到基座中）返回基座之外。導溝結構1332的底部距基座的下表面的高度可以小於距基座的下表面的內區域1311的高度。

在一些實施例， 基座 1301 更包括佈置在內區域1311和外區域1313之間的周邊溝槽結構 1312。在一些實施例，周邊溝槽結構 1312 具有環形平面輪廓。圖26中的周邊溝槽結構 1312作為內區域1311和外區域1313之間的結構劃分。 此外，導溝結構1332與周邊溝槽結構1312相距一定距離。在一些實施例，當將蓋子設置在基座上時，蓋子的外區域可以與基座1301的外區域1313物理接觸。

圖27A-27D示出了根據本發明的一些實施例的基座的透視圖。以與圖23中的實施例相同的方式，圖27A、27B及27D中的圖示公開了佈置在內部區域1411A、1411B、1411D內的定位結構。每個定位結構包括一雙定位件（例如，1414A、1414B及1414D）、支撐件（例如，1431A、1431B及1431D）位於一雙定位件1414A、1414B及1414D之間以及導溝結構（例如，1432A、1432B 及1432D ）圍繞一雙定位件和支撐件。特別地，圖27A、27B及27D中的實施例示出了導溝結構1432A、1432B及1432D的平面佈局。

例如，在圖27A中，導溝結構1432A具有W形結構。

另一個示例，在圖27B中，導溝結構1432B具有U形結構。

在圖27D中，導溝結構1432D具有V形結構。 支撐件1431A、1431B及1431D以及內區域1411A、1411B、1411D的一部分形成屏障，所述屏障防止微粒子在導溝結構1432A，1432B和1432D內連續循環。

在圖27A、27B及27D所示的實施例中，定位件1414A、1414B及1414D可以設置在緩衝區域中（例如，圖28A / B所示的緩衝邊緣1536）。在一些實施例，緩衝邊緣位於內區域1411A、1411B、1411D中。在一些實施例，緩衝邊緣的高度（例如，邊緣表面與基座下表面之間的距離）小於內區域1411A、1411B、1411D的高度。在一些實施例中，緩衝邊緣的高度可以大於導溝結構1432A、1432B及1432D的下表面的高度。

另一方面，圖27C示出了位於內區域1411C內的定位結構。定位結構包括一雙定位件1414C，佈置在一雙定位件1414C之間的支撐件1431C以及僅圍繞支撐件1431C的導溝結構1432C。一雙定位件1414C的底部位於基座的上表面。在一些實施例，導溝結構1432C具有圓形的平面形狀。在其他一些實施例中，離內區域中央最近的導槽結構1432C的壁部分呈弧形（圓形），以引導粒子分離工件。

圖27E示出了根據本發明的一些實施例的圖27C中沿著B-B’線的基座的剖面圖。在一些實施例，定位件1414C的頂部輪廓朝著工件R的位置下降，以在放置期間引導工件R。

在所示的實施例中，支撐件1431C和定位件1414C之間的導溝結構1432C具有氣體通道面積X。在一些實施例，導溝結構1432C的截面積X不小於預定閾值。例如，在一些實施例中，支撐件1431C（例如，在支撐件1431C的中央區域的頂表面下方）與定位件1414C之一之間的截面積（例如，位於工件R下方的陰影區域X） 具有足夠的間隙閾值。一方面，在突出構件之間（並且在工件R下方）溝槽間隙有足夠大的橫截面可以促進感應圍繞支撐件1431C的氣流，並促進在拐角區域產生渦流。因此，在容器系統運行期間，從而增強微粒捕獲。在一些實施例中，支撐件1431與一個定位件1414之間的截面積X不小於25mm ²。

參照圖27F，在一些實施例中，相對於支撐件的中央軸線而定圍繞支撐件（例如，構件1431C）的溝槽間隙區域。例如，從支撐件1431C的中央軸線的一側而定引導溝槽區域（例如，面積X'）。在一些實施例，從支撐件1431C的橫截面中央線開始的截面積X'不小於25mm ²。根據設計規則調整每個突出構件（例如，構件1431C，1414C）的高度，寬度和分隔間距，以實現足夠的氣體通道尺寸，從而確保有效的氣流感應和微粒收集能力。

圖28A 示出了根據本發明的一些實施例的基座的透視圖。基座包括上表面及與上表面相對的下表面。基座1501的上表面可以包括內區域1511及外區域1513。在一些實施例，內區域1511與外區域1513基本平面。在其他一些實施例中，內區域1511高於外區域1513。

基座1501包括多個定位結構。各個定位結構包括一雙定位件1514、佈置在所述雙定位件1514之間的支撐件1531、以及圍繞支撐件1531的導溝結構1532。所述雙定位件1514用於將工件R（例如，光罩）的一角定位在光罩容器中。 所述雙定位件1514從基座 1501的上表面突出。

在一些實施例，定位結構還包括形成在導溝結構1532周圍的緩衝邊緣1536。在一些實施例，定位結構的緩衝邊緣1536低於內區域1511。在一些實施例，一雙定位件1514從緩衝邊緣1536突出。在一些實施例，定位結構的緩衝邊緣1536相對於外區域1513基本共面。

在一些實施例，支撐件1531距其基座下表面的高度小於定位件1514距其基座下表面的高度。在一些實施例，支撐件1531相對於內區域1511基本上平面。在一些實施例，支撐件1531的高度大於內區域1511的高度。但是，支撐件1531從內區域1511突出並不妨礙工件R在基座1501中的穩定性。

導溝結構1532的壁具有環形（圓形）的平面輪廓，其圍繞支撐件1531。導溝結構1532具有被壁包圍的底部。在一些實施例，導槽結構1532的最靠近內區域1511的部分壁具有弧形（圓形）的平面輪廓，所述形狀將引導侵入微粒子（例如，抽真空到基座中）返回基座之外。導溝結構1532的底部距基座1501的下表面的高度可以小於距基座1501的下表面的內區域1511的高度。

在一些實施例，基座 1501 更包括佈置在內區域1511和外區域1513之間的周邊溝槽結構 1512。在一些實施例，周邊溝槽結構 1512 具有環形平面輪廓。圖28A中的周邊溝槽結構 1512作為區域1511和外區域1513之間的結構劃分。在一些實施例，多個定位結構可以設置在內區域1511和周邊溝槽結構1512之間。此外，導溝結構1532與周邊溝槽結構1512相距一定距離。在一些實施例，當蓋子放置在基座上時，蓋子的外區域與外區域1513物理接觸。

在一些實施例，周邊溝槽結構 1512 的平面形狀可以類似於基座 1501的平面形狀。在示例性實施例中，基座1501的平面形狀可以是四邊形，例如正方形或矩形。因此，周邊溝槽結構 1512的平面形狀可以是四邊形，例如正方形或矩形。在其他一些實施例中，周邊溝槽結構 1512的平面形狀可以被輪廓化為基座1501的平面形狀。

圖28B示出了根據本發明的一些實施例的沿著C-C’線的基座的剖面圖。在一些實施例，一雙定位件1514的頭部形狀朝著工件R的位置傾斜，以在放置期間引導工件R。在一些實施例，在一些實施例，導溝結構1532的底部的高度及周邊溝槽結構1512的底部的高度基本相同。在一些實施例，內區域1511及支撐件1531的高度基本相同。在一些實施例，內區域1511的高度大於定位結構的緩衝邊緣1536、外區域1513、導溝結構1532的底部及周邊溝槽結構1512的高度。在一些實施例，定位結構的緩衝邊緣1536及外區域1513的高度大於導溝結構1532底部及周邊溝槽結構1512底部的高度。

在所示的實施例中，圍繞支撐件1531的導溝結構1532及圍繞每個定位件1514的緩衝邊緣1536彼此流體連通地佈置，並共同產生樓梯截面輪廓。在一些實施例，支撐件1531（例如，在支撐件1531的中央區域的頂表面下方）與一個定位件1514之間的截面積（例如，位於工件R下方的區域）具有足夠的間隙閾值。一方面，在突出構件之間（並且在工件R下方）溝槽間隙有足夠大的橫截面可以促進感應圍繞支撐件1531的氣流，並促進在拐角區域產生渦流。因此，在容器系統運行期間，從而增強微粒捕獲。在一些實施例，在一些實施例中，支撐件1531與一個定位件1514之間的截面積不小於25mm ²。

圖29 示出了根據本發明的一些實施例的基座的透視圖。基座包括上表面及與上表面相對的下表面。基座1601的上表面可以包括內區域1611及外區域1613。在一些實施例，內區域1611與外區域1613基本平面。在其他一些實施例中，內區域1611高於外區域1613。

基座 1601 包括多個定位結構。各個定位結構包括一雙定位件1614、佈置在所述雙定位件1614之間的支撐件1631、以及圍繞支撐件1631的導溝結構1632。所述雙定位件1614用於將工件R的一角定位在光罩容器中。 所述雙定位件1614從基座 1601的上表面突出。

在一些實施例，定位結構還包括形成在導溝結構1632周圍的緩衝邊緣1636。在一些實施例，定位結構的緩衝邊緣1636低於內區域1611。在一些實施例，定位結構的緩衝邊緣1636相對於外區域1613基本共面。在一些實施例，一雙定位件1614從緩衝邊緣1636突出。在一些實施例，支撐件1631距其基座下表面的高度小於定位件1614距其基座下表面的高度。在一些實施例，支撐件1631相對於內區域1611基本上平面。在一些實施例，支撐件1631的高度大於內區域1611的高度。但是，支撐件1631從內部區域1611突出並不妨礙工件R在基座1601中的穩定性。

導溝結構1632的壁具有環形（圓形）的平面輪廓，其圍繞支撐件1631。導溝結構1632具有被壁包圍的底部。在一些實施例，導槽結構1632的最靠近內區域1611的部分壁具有弧形（圓形）的平面輪廓，所述形狀將引導侵入微粒子（例如，抽真空到基座中）返回基座之外。導溝結構1632的底部距基座1601的下表面的高度可以小於距基座1601的下表面的內區域1611的高度。在一些實施例，基座 1601 更包括佈置在內區域1611及外區域1613之間的周邊溝槽結構 1612。在一些實施例，周邊溝槽結構 1612 具有環形平面輪廓。

圖29中的周邊溝槽結構1612提供了內區域1611及外區域1613之間的物理劃分。在一些實施例，多個定位結構可以設置在內區域1611和周邊溝槽結構1612之間。此外，導溝結構1632的一部分可以與周邊溝槽結構1612相交。在一些實施例，導溝結構1632的一部分與周邊溝槽結構1612鄰接。在一些實施例，當蓋子放置在基座上時，蓋子的外區域與外區域1613物理接觸。

在一些實施例，周邊溝槽結構 1612 的平面形狀可以於基座 1601的平面形狀不同。在示例性實施例中，基座1601的平面形狀可以是四邊形，例如正方形或矩形。然而，周邊溝槽結構1612的平面形狀可以是多邊形形狀，以防止存在尖角。以此方式，減少了粒子被困在周邊溝槽結構1612的角落中的可能性。

圖30示出了根據本發明的一些實施例的基座的透視圖. 基座1701包括上表面及與上表面相對的下表面。基座1701的上表面可以包括內區域1711及外區域1713。在一些實施例，內區域1711與外區域1713基本平面。在其他一些實施例中，內區域1711高於外區域1713。

基座 1701 包括多個定位結構。各個定位結構包括一雙定位件1714、佈置在所述雙定位件1714之間的支撐件1731、以及圍繞支撐件1731的導溝結構1732。所述雙定位件1714用於將工件R（例如，光罩）的一角定位在光罩容器中。所述雙定位件1714從基座 1701的上表面突出。在一些實施例，定位結構還包括形成在導溝結構1732周圍的緩衝邊緣1736。在一些實施例，定位結構的緩衝邊緣1736低於內區域1711。在一些實施例，定位結構的緩衝邊緣1736相對於外區域1713基本共面。在一些實施例，一雙定位件1714從緩衝邊緣1736突出。在一些實施例，支撐件1731距其基座1701下表面的高度小於定位件1714距其基座1701下表面的高度。在一些實施例，支撐件1731相對於內區域1711基本上平面。在一些實施例，支撐件1731的高度大於內區域1711的高度。 但是，支撐件1731從內區域1711突出並不妨礙工件R在基座1701中的穩定性。

導溝結構1732的壁具有環形（圓形）的平面輪廓，其圍繞支撐件1731。導溝結構1732具有被壁包圍的底部。在一些實施例，導槽結構1732的最靠近內區域1711的部分壁具有弧形（圓形）的平面輪廓，所述形狀將引導侵入微粒子（例如，抽真空到基座中）返回基座之外。導溝結構1732的底部距基座1701的下表面的高度可以小於距基座1701的下表面的內區域1711的高度。在一些實施例，基座 1701 更包括佈置在內區域1711和外區域1713之間的周邊溝槽結構 1712。在一些實施例，周邊溝槽結構 1712 具有環形平面輪廓。

圖30中的周邊溝槽結構1712提供了內區域1711及外區域1713之間的物理劃分。在一些實施例，多個定位結構可以設置在內區域1711和周邊溝槽結構1712之間。此外，導溝結構1732的一部分可以與周邊溝槽結構1712相交。在一些實施例，導溝結構1732的一部分與周邊溝槽結構1712鄰接。在一些實施例，當蓋子放置在基座上時，蓋子的外區域與外區域1713物理接觸。

在一些實施例，周邊溝槽結構 1712 的平面形狀可以於基座 1701的平面形狀不同。在示例性實施例中，基座1701的平面形狀可以是四邊形，例如正方形或矩形。然而，周邊溝槽結構1712的平面形狀可以是多邊形形狀，以防止存在尖角。以此方式，減少了粒子被困在周邊溝槽結構1712的角落中的可能性。

圖31示出了根據本發明的一些實施例的基座的透視圖。基座1801包括上表面及與上表面相對的下表面。基座1801的上表面可以包括內區域1811及外區域1813。在一些實施例，內區域1811與外區域1813基本平面。在其他一些實施例中，內區域1811高於外區域1813。

基座 1801 包括多個定位結構。各個定位結構包括一雙定位件1814、佈置在所述雙定位件1814之間的支撐件1831、以及圍繞支撐件1831的導溝結構1832。所述雙定位件1814用於將工件R的一角定位在容器中。所述雙定位件1814從基座 1801的上表面突出。在一些實施例，定位結構還包括形成在導溝結構1832周圍的緩衝邊緣1836。在一些實施例，定位結構的緩衝邊緣1836低於內區域1811。以這種方式，在定位結構的緩衝邊緣1836和內部區域1811之間形成了壁1837。壁1837具有弧形（圓形）的平面輪廓，用於防止微粒污染工件R。壁1837的弧形（圓形）形狀將局部氣體流動方向引導出基座 1801。在一些實施例，定位結構的緩衝邊緣1836相對於外區域1813基本共面。在一些實施例，一雙定位件1814從緩衝邊緣1836突出。在一些實施例，支撐件1831距其基座1801下表面的高度小於定位件1814距其基座1801下表面的高度。在一些實施例，支撐件1831相對於內區域1811基本上平面。在一些實施例，支撐件1831的高度大於內區域1811的高度。但是，支撐件1831從內區域1811突出並不妨礙工件R在基座1801中的穩定性。

導溝結構1832的壁具有環形（圓形）的平面輪廓，其圍繞支撐件1831。導溝結構1832具有被壁包圍的底部。在一些實施例，導槽結構1832的最靠近內區域1811的部分壁具有弧形（圓形）的平面輪廓，以與壁1837相同的方式，所述形狀將引導侵入微粒子（例如，抽真空到基座中）返回基座之外。導溝結構1832的底部距基座1801的下表面的高度可以小於內區域1811距基座1801的下表面的高度。在一些實施例，基座 1801 更包括佈置在內區域1811和外區域1813之間的周邊溝槽結構 1812。在一些實施例，周邊溝槽結構 1812 具有環形平面輪廓。圖31中的周邊溝槽結構1812提供了內區域1811及外區域1813之間的物理劃分。

在一些實施例，多個定位結構可以設置在內區域1811和周邊溝槽結構1812之間。此外，導溝結構1832的一部分可以與周邊溝槽結構1812相交。在一些實施例，導溝結構1832的一部分與周邊溝槽結構1812鄰接。在一些實施例，當蓋子放置在基座上時，蓋子的外區域與外區域1813物理接觸。在一些實施例，周邊溝槽結構 1812 的平面形狀可以於基座 1801的平面形狀不同。在示例性實施例中，基座1801的平面形狀可以是四邊形，例如正方形或矩形。 然而，周邊溝槽結構1812的平面形狀可以是多邊形形狀，以防止存在尖角。以此方式，減小了粒子被困在周邊溝槽結構1812的角落中的可能性。

圖32示出了根據本發明的一些實施例的基座的透視圖。基座1901包括上表面及與上表面相對的下表面。基座1901的上表面可以包括內區域1911及外區域1913。在一些實施例，內區域1911與外區域1913基本平面。在其他一些實施例中，內區域1911高於外區域1913。

基座 1901 包括多個定位結構。各個定位結構包括一雙定位件1914、佈置在所述雙定位件1914之間的支撐件1931、以及圍繞支撐件1931的導溝結構1932。所述雙定位件1914用於將工件R的一角定位在容器中。所述雙定位件1914從基座 1901的上表面突出。在一些實施例，定位結構還包括形成在導溝結構1932周圍的緩衝邊緣1936。在一些實施例，定位結構的緩衝邊緣1936低於內區域1911。以這種方式，在定位結構的緩衝邊緣1936和內部區域1911之間形成了壁1937。壁1937具有環形（圓形）的平面輪廓，用於防止微粒污染工件R。壁1937的圓形形狀將局部氣體流動方向引導出基座 1901。在示例性實施例中，壁1937形成為具有弧形輪廓。在一些實施例，定位結構的緩衝邊緣1936相對於外區域1913基本共面。在一些實施例，一雙定位件1914從緩衝邊緣1936突出。在一些實施例，支撐件1931距其基座1901下表面的高度小於定位件1914距其基座1901下表面的高度。 在一些實施例，支撐件1931相對於內區域1911基本上平面。在一些實施例，支撐件1931的高度大於內區域1911的高度。但是，支撐件1931從內區域1911突出並不妨礙工件R在基座1901中的穩定性。

導溝結構1932的壁具有環形（圓形）的平面輪廓，其圍繞支撐件1931。導溝結構1932具有被壁包圍的底部。在一些實施例，導槽結構1932的最靠近內區域1911的部分壁具有弧形（圓形）的平面輪廓，所述形狀將引導侵入微粒子（例如，抽真空到基座中）返回基座之外。導溝結構1932的底部距基座1901的下表面的高度可以小於距基座1901的下表面的內區域1911的高度。在一些實施例，基座1901更包括佈置在內區域1911和外區域1913之間的周邊溝槽結構1912。

圖32中的周邊溝槽結構1912提供了內區域1911及外區域1913之間的物理劃分。在一些實施例，周邊溝槽結構1912具有環形平面輪廓。在一些實施例，多個定位結構可以設置在內區域1911和周邊溝槽結構1912之間。此外，導溝結構1932與周邊溝槽結構1912之間有一定距離。在一些實施例，當蓋子放置在基座上時，蓋子的外區域與外區域1913物理接觸。在一些實施例，周邊溝槽結構1912的平面形狀可以類似於基座1901的平面形狀。在示例性實施例中，基座1901的平面形狀可以是四邊形，例如正方形或矩形。然而，周邊溝槽結構1912的平面形狀可以是四邊形，例如正方形或矩形。

圖33示出了根據本發明的一些實施例的基座的透視圖。基座2001包括上表面及與上表面相對的下表面。基座2001的上表面可以包括內區域2011及外區域2013。在一些實施例，內區域2011與外區域2013基本平面。在其他一些實施例中，內區域2011高於外區域2013。

基座2001包括多個定位結構。各個定位結構包括一雙定位件2014、佈置在所述雙定位件2014之間的支撐件2031、以及圍繞支撐件2031的導溝結構2032。所述雙定位件2014用於將工件R的一角定位在光罩容器中。所述雙定位件2014從基座 2001的上表面突出。在一些實施例，定位結構還包括形成在導溝結構2032周圍的緩衝邊緣2036。在一些實施例，定位結構的緩衝邊緣2036低於內區域2011。以這種方式，在定位結構的緩衝邊緣2036和內部區域2011之間形成了壁2037。壁2037具有弧形（圓形）的平面輪廓，用於防止微粒污染工件R。壁2037的弧形（圓形）形狀將局部氣體流動方向引導出基座 2001。在一些實施例，定位結構的緩衝邊緣2036相對於外區域2013基本共面。在一些實施例，一雙定位件2014從緩衝邊緣2036突出。在一些實施例，支撐件2031距其基座2001下表面的高度小於定位件2014距其基座2001下表面的高度。在一些實施例，支撐件2031相對於內區域2011基本上平面。在一些實施例，支撐件2031的高度大於內區域2011的高度。但是，支撐件2031從內區域2011突出並不妨礙工件R在基座2001中的穩定性。

導溝結構2032的壁具有環形（圓形）的平面輪廓，其圍繞支撐件2031。導溝結構2032具有被壁包圍的底部。在一些實施例，導槽結構2032的最靠近內區域2011的部分壁具有弧形（圓形）的平面輪廓，以與壁2037相同的方式，所述形狀將引導侵入微粒子（例如，抽真空到基座中）返回基座之外。導溝結構2032的底部距基座2001的下表面的高度可以小於距基座2001的下表面的內區域2011的高度。

在一些實施例，基座 2001 更包括佈置在內區域2011和外區域2013之間的周邊溝槽結構 2012。在一些實施例，周邊溝槽結構 2012 具有環形平面輪廓。圖33中的周邊溝槽結構2012提供了內區域2011及外區域2013之間的物理劃分。在一些實施例，多個定位結構可以設置在內區域2011和周邊溝槽結構2012之間。此外，導溝結構2032的一部分可以與周邊溝槽結構2012相交。在一些實施例，導溝結構2032的一部分與周邊溝槽結構2012鄰接。此外，導溝結構2032與周邊溝槽結構2012之間有一定距離。定位結構的緩衝邊緣2036佈置在導溝結構2032及內區域2011之間。在一些實施例，當蓋子放置在基座上時，蓋子的外區域與外區域2013物理接觸。

在一些實施例，周邊溝槽結構 2012 的平面形狀可以於基座 2001的平面形狀不同。在示例性實施例中，基座2001的平面形狀可以是四邊形，例如正方形或矩形。 然而，周邊溝槽結構2012的平面形狀可以是環形形狀，以防止存在尖角。以此方式，減小了粒子被困在周邊溝槽結構2012的角落中的可能性。

圖34示出了根據本發明的一些實施例的基座的透視圖。基座2101包括上表面及與上表面相對的下表面。基座2101的上表面可以包括內區域2111及外區域2113。在一些實施例，內區域2111與外區域2113基本平面。在其他一些實施例中，內區域2111高於外區域2113。基座 2101 包括多個定位結構。定位結構可以具有橢圓形的平面形狀。

各個定位結構包括一雙定位件2114、佈置在所述雙定位件2114之間的支撐件2131、以及圍繞支撐件2131的導溝結構2132。 所述雙定位件2114用於將工件R的一角定位在光罩容器中。所述雙定位件2114從基座 2101的上表面突出。在一些實施例，定位結構還包括形成在導溝結構2132周圍的緩衝邊緣2136。在一些實施例，定位結構的緩衝邊緣2136低於內區域2111。 以這種方式，在定位結構的緩衝邊緣2136和內部區域2111之間形成了壁2137。壁2137具有弧形（圓形）的平面輪廓，用於防止微粒污染工件R。壁2137的弧形（圓形）形狀將局部氣體流動方向引導出基座 2101。在一些實施例，定位結構的緩衝邊緣2136相對於外區域2113基本共面。在一些實施例，一雙定位件2114從緩衝邊緣2136突出。在一些實施例，支撐件2131距其基座2101下表面的高度小於定位件2114距其基座2101下表面的高度。在一些實施例，支撐件2131相對於內區域2111基本上平面。在一些實施例，支撐件2131的高度大於內區域2111的高度。但是，支撐件2131從內區域2111突出並不妨礙工件R在基座2101中的穩定性。

導溝結構2132的壁具有環形（圓形）的平面輪廓，其圍繞支撐件2131。導溝結構2132具有被壁包圍的底部。在一些實施例，導槽結構2132的最靠近內區域2111的部分壁具有弧形（圓形）的平面輪廓，以與壁2137相同的方式，所述形狀將引導侵入微粒子（例如，抽真空到基座中）返回基座之外。導溝結構2132的底部距基座2101的下表面的高度可以小於距基座2101的下表面的內區域2111的高度。在一些實施例，基座 2101 更包括佈置在內區域2111及外區域2113之間的周邊溝槽結構 2112。在一些實施例，周邊溝槽結構 2112 具有環形平面輪廓。

圖34中的周邊溝槽結構2112提供了內區域2111及外區域2113之間的物理劃分。在一些實施例，多個定位結構可以設置在內區域2111及周邊溝槽結構2112之間。此外，導溝結構2132的一部分可以與周邊溝槽結構2112相交。在一些實施例，導溝結構2132的一部分與周邊溝槽結構2112鄰接。此外，導溝結構2132及內區域2111之間有一定距離。定位結構的緩衝邊緣2136佈置在導溝結構2132及內區域2111之間。在一些實施例，當蓋子放置在基座上時，蓋子的外區域與外區域2113物理接觸。

在一些實施例，周邊溝槽結構 2112 的平面形狀可以於基座 2101的平面形狀不同。在示例性實施例中，基座2101的平面形狀可以是四邊形，例如正方形或矩形。然而，周邊溝槽結構2112的平面形狀可以是環形形狀，以防止存在尖角。以此方式，減小了粒子被困在周邊溝槽結構2112的角落中的可能性。

在以上所述實施例中，基座的組件可以彼此互換。在實施例中，最接近於基座中央形成的導槽結構的壁可以被構造成具有弧形（圓形）的平面輪廓，以將微粒子引導出基座。在一些實施例，導溝結構具有環形（圓形），其中只有支撐件被導溝結構包圍。在一些實施例，導溝結構由連續連接的多個弧形壁形成，其中支撐件和一雙定位件被導溝結構包圍。在一些實施例，導溝結構形成在基座的內部區域內。在一些實施例，導溝結構形成在基座的內區域及外區域之間。在一些實施例，導溝結構與內區域之間具有一定距離，其中在導溝結構與基座的內區域之間設置有緩衝邊緣。在其他一些實施例中，導溝結構與周邊溝槽結構之間具有一定距離，其中在導溝結構與周邊溝槽結構之間設置有緩衝邊緣。以與導溝結構相同的方式，實施例中的周邊溝槽結構的形狀也是可互換的。在一些實施例中，周邊溝槽結構遵循基座的形狀。在一些實施例，周邊溝槽結構的平面形狀可以是四邊形，例如正方形或矩形。在其他一些實施例中，周邊溝槽結構 的平面形狀可以是多邊形形狀。在其他實施例中 ，周邊溝槽結構的平面形狀可以是環形形狀，以防止存在可能導致微粒滯留的尖角。在其他實施例中，周邊溝槽結構的平面形狀與基座的平面形狀相符。在另外的實施例中，周邊溝槽結構的部分向著基座的中央凹進。

有鑒於前述揭露內容，本發明的一種用來裝載工件的容器，包括：基座，其具有上表面，多個定位件設置在上表面並從上表面突出，所述上表面包括：承載面定義在所述上表面，當收到所述工件時，用來承載所述工件；周邊溝槽結構，其具有環形平面輪廓，其中所述周邊溝槽結構的底部低於所述承載面 ；以及第一接面，其中所述承載面、所述周邊溝槽結構、以及所述第一接面從所述上表面的中心向邊緣依序分佈，並且所述第一接面低於所述承載面，且所述周邊溝槽結構的底部低於所述第一接面。

在一些實施例中，具有所述環形平面輪廓的所述周邊溝槽結構圍繞所述承載面。

在一些實施例中，具有所述環形平面輪廓的所述周邊溝槽結構圍繞所述多個定位件中一雙定位件。

在一些實施例中，所述基座更包括：支撐件位於所述多個定位件中一雙定位件之間；以及導溝結構環繞所述支撐件。

在一些實施例中，所述導溝結構圍繞所述雙定位件延伸。

在一些實施例中，所述導溝結構設置在所述承載面與所述周邊溝槽結構之間。

在一些實施例中，所述導溝結構設置在所述第一接面和所述承載面之間，並與所述周邊溝槽結構相交。

在一些實施例中，所述導溝結構的最接近所述承載面的壁的一部分是弧形的。

本發明的另一種用來裝載工件的容器，包括：基，其座具有上表面及相對於所述上表面的下表面，其中所述基座的所述上表面包括：內區域，形成在所述基座的中央部分；以及外區域，圍繞所述內區域；定位結構，佈置在所述內區域周圍，其中所述定位結構包括：一雙定位件從所述上表面突出；支撐件，設置在所述雙定位件之間；以及導溝結構圍繞所述支撐件。

在一些實施例中，所述外區域距所述下表面的高度不大於所述內區域距所述下表面的高度。

在一些實施例中，所述基座的所述上表面更包括：周邊溝槽結構設置在所述內區域和所述外區域之間；其中，所述周邊溝槽結構的底部距所述基座的所述下表面的高度小於所述外區域距所述下表面的高度及所述內區域距所述下表面的高度。

在一些實施例中，所述導溝結構設置在所述內區域和所述周邊溝槽結構之間。

在一些實施例中，所述導溝結構與所述周邊溝槽結構相交。

在一些實施例中，所述導溝結構進一步延伸圍繞所述雙定位件。

在一些實施例中，所述導溝結構周圍所述支撐件具有弧形的平面輪廓。

本發明的另一種容器，包括：基座，其具有多個角落；一雙定位件，設置在所述多個角落其中一者的周圍並從所述基座突出；支撐件，設置在所述雙定位件之間；以及 導溝結構，設置在所述支撐件周圍並具有弧形平面輪廓。

在一些實施例中，所述基座的內區域的高度大於所述基座的外區域的高度。

在一些實施例中，所述雙定位件從所述基座的所述外區域突出。

在一些實施例中，所述導溝結構形成在所述基座的所述外區域中。

在一些實施例中，所述的容器更包括緩衝邊緣設置在所述導溝結構及所述內區域之間。

以下圖35至圖44及其標號與段落說明為本發明提供光罩盒的盒蓋和基座間接觸面有效密封的實施方式。以下實施例說明使用的詞彙「一接觸面」係指「一上接觸面」與「一下接觸面」接觸之平面，由於本發明的實施例所探討上接觸面或下接觸面是指一工件的真實表面，並非是一理想平面，因此，「一上接觸面」與「一下接觸面」具有「一平面度」表達真實表面的一最大高度（Rz），而「一接觸面」具有由「一上接觸面」與「一下接觸面」的各別平面度所決定的一間隙或一間距。

圖38A例示一用於容納一基板之容器（300），特別是指光罩盒。在本發明的一種實施例中，容器（300）適於作為一光罩傳送盒的內盒組件。該容器（300）包含一基座（310）及一盒蓋（320）。基座（310）具有一頂部水平面（311）與至少一環繞該頂部水平面（311）之第一支撐面（312），其中頂部水平面（311）為一平面，適於供一基板（如光罩）放置於其上方。頂部水平面（311）還提供多個支撐組件（313），每一支撐組件（313）有用於限制基板側面的支柱和用於支撐基板底面的凸點（圖中省略未示），其通常位於兩個支柱之間。如圖所示，第一支撐面（312）為一環狀平面並鄰接頂部水平面（311）的外周圍。第一支撐面（312）主要為連續且朝上的表面，以便與盒蓋（320）的對應表面接觸。

盒蓋（320）具有一第二支撐面（322），該第二支撐面（322）用於環繞基座（310）的頂部水平面（311）而與第一支撐面（312）嚙合，盒蓋（320）具有一收容空間，其與頂部水平面（311）界定用於容納基板之一容納空間。所述嚙合包含上下表面的接觸或凹凸結構或互補結構的結合。雖然未顯示盒蓋（320）的其他視角，但本領域技術者應可瞭解盒蓋（320）至少有一向下延伸的環狀部分，使得基座（310）和盒蓋（320）結合時，盒蓋（320）的向下延伸的環狀部分會接觸基座（310）並圍繞其頂部水平面（311），該第二支撐面（322）為環狀部分的下表面。在一實施例中，盒蓋（320）可具有至少一過濾通道（321）以及至少一環狀第二支撐面（322）。第二支撐面（322）用以與基座（310）之第一支撐面（312）配合。第二支撐面（322）的輪廓基本上與第一支撐面（312）大致相符，第二支撐面（322）的面積可略大或略小於第一支撐面（312）的面積。

當基座（310）與盒蓋（320）嚙合時，第一支撐面（312）與第二支撐面（322）會彼此接觸。如圖38B所示，基座（310）與盒蓋（320）相接觸，且根據沿著容器（300）邊緣的一剖面（CS1）可見相接觸的基座（310）與盒蓋（320）之間形成一接觸面（701）。視覺上，接觸面（701）是一條直線。然如圖37所示，加工過程中的低頻因素會導致基座（310）與盒蓋（320）的第一支撐面（312）與第二支撐面（322）分別產生撓曲。因此，實際上剖面（CS1）所呈現的接觸面（701）可能並非是完美的直線。關於撓曲的表面如何達成有效密封，將於後續段落說明。此外，同樣參考圖38B，當容器（300）以另一個位置的剖面（CS2）呈現時，可觀察相接觸的第一支撐面（312）與第二支撐面（322）的其他關係，其細節將於後續段落說明。

根據圖38B剖面（CS2），基座（310）的第一支撐面（312）與盒蓋（320）的第二支撐面（322）可為不同傾斜度設計。在一實施例中，基座（310）的第一支撐面（312）與盒蓋（320）的第二支撐面（322）相較於頂部水平面（311）有一致的傾斜度。例如，第一支撐面（312）為一水平面，則第二支撐面（322）亦為一水平面，如圖39B、圖39Ｃ所示。或者，在另一實施例中，第一支撐面（312）是朝著頂部水平面（311）向下傾斜，則第二支撐面（322）亦是如此，如圖39D、圖39Ｅ所示。在本發明的一種較佳實施例中，為了實現基座（310）與盒蓋（320）之間具有一有效密封性，第一支撐面（312）和第二支撐面（322）分別具有一平面度，且兩者各別的平面度皆小於0.04毫米（mm），以在第一支撐面（312）與第二支撐面（322）相接觸時於其間形成一密封。較佳地，所述平面度介於1微米至0.04毫米之間。所述平面度可經由已知方法量測而得，在此不多贅述。在本發明的進一步實施例中，當第一支撐面（312）和第二支撐面（322）各別的平面度皆小於0.04毫米（mm）時，第一支撐面（312）和第二支撐面（322）相接觸所形成環形接觸面的徑向寬度至少維持3毫米（mm）以上。

在本發明的實施例中，藉由控制第一支撐面（312）與第二支撐面（322）各別的平面度，可獲得基座（310）與盒蓋（320）之間具有一有效密封性。當基座（310）與盒蓋（320）之間接觸面的有效密封性越好，本發明容器（300）封閉該過濾通道（321）並處於真空環境的氣體回升時，可使容器（300）的內外壓差越大，而讓未封閉該過濾通道（321）的容器（300）處於氣體回升時，使更多氣體通過該過濾通道（321）。特別是，當所述平面度介於1微米至0.04毫米之間，基座（310）與盒蓋（320）之間所獲得一有效密封性，可使本發明容器（300）在真空環境的氣體回升期間，該容納空間的進氣流至少有90%是經由未封閉的該過濾通道（321），或者該容納空間的進氣流低於10%是經過該第一支撐面（312）與該第二支撐面（322）之間的間距Ｇ或其他視窗間隙、盒蓋（320）關於壓抵單元之間隙等。由於其他視窗間隙、盒蓋（320）關於壓抵單元之間隙通常藉由密封環增加氣密，因此，所述該容納空間的進氣流低於10%主要是經過該第一支撐面（312）與該第二支撐面（322）之間的間距Ｇ。

為了評估第一支撐面（312）與第二支撐面（322）各別的平面度，可使本發明容器（300）的該容納空間的進氣流至少有90%是經由未封閉的該過濾通道（321），本發明提供一測試方式，如圖43所示。一腔體（800）可視為一極紫外光曝光機的內外交換室的腔體。經由控制一閥（801）開啟且控制一閥（802）關閉，使該腔體（800）可獲得氣體回升。經由控制一閥（801）關閉且控制一閥（802）開啟，使該腔體（800）可獲得抽真空。本發明的測試方式以相同的一抽真空/氣體回升曲線控制閥（801、802），以監控本發明容器（300）置於該腔體（800）內，該容器（300）的容納空間的壓力Pinside與該腔體（800）的壓力Poutside之壓力差。當該容納空間為真空，且該腔體（800）獲得氣體回升期間，壓力Pinside小於壓力Poutside。而在該腔體（800）獲得抽真空期間，壓力Pinside大於壓力Poutside。

在過濾通道（321）未封閉的情況中，本發明容器（300）置於該腔體（800）內，該過濾通道（321）為容器（300）的容納空間主要的流體通道。在過濾通道（321）封閉的情況中，本發明容器（300）置於該腔體（800）內，容器（300）的容納空間與容器（300）的一外部空間僅經由如前述的第一支撐面（312）與第二支撐面（322）之間的間距Ｇ為主要的流體通道，而容器（300）的其他視窗間隙與盒蓋（320）關於壓抵單元之間隙所形成的流體通道可被忽略或被視為可控且可預期的影響。在本發明提供的一種測試方式中，本發明容器（300）的該過濾通道（321）未被封閉且被置於該腔體（800）內，使用相同的一抽真空/氣體回升曲線控制閥（801、802），以監控該壓力P _inside與該壓力P _outside之壓力差，透過每秒抽氣/進氣與壓力變化，求得該壓力P _inside與該壓力P _outside之壓力差是否達到100Pa以上。當該腔體（800）內抽真空使該壓力P _outside達500Pa後，將基座（310）與盒蓋（320）接觸嚙合，使該腔體（800）進入氣體回升期間，觀察該壓力P _inside與該壓力P _outside之壓力差達到100Pa以上，將可確保該腔體（800）在氣體回升期間，該容納空間的進氣流至少有90%是經由未封閉的該過濾通道（321），或者該容納空間的進氣流低於10%是經過該第一支撐面（312）與該第二支撐面（322）之間的間距Ｇ。

在本發明的較佳實施例中，當該第一支撐面（312）與該第二支撐面（322）之平面度介於1微米至0.04毫米之間，可使本發明容器（300）在真空環境的氣體回升期間，該容納空間的進氣流至少有90%是經由未封閉的該過濾通道（321），或者該容納空間的進氣流低於10%是經過該第一支撐面（312）與該第二支撐面（322）之間的間距Ｇ。在本發明的進一步實施例中，較佳地，第一支撐面（312）與第二支撐面（322）還分別進一步具有一面粗糙度（Sa），且所述面粗糙度（Sa）介於13至100奈米之間，可以增進基座（310）與盒蓋（320）之間的有效密封性，並使本發明容器（300）在真空環境的氣體回升期間，該容納空間的進氣流至少有90%-95%是經由未封閉的該過濾通道（321），或者該容納空間的進氣流低於5%-10%是經過該第一支撐面（312）與該第二支撐面（322）之間的間距Ｇ。

應瞭解，本發明所達成的有效密封性並非指不會有任何氣體突破由第一支撐面（312）與第二支撐面（322）所形成之密封，而是指在特定環境中本發明容器（300）可具備前述特定條件的密封，以符合某些製程或設備的需求。

圖39A顯示基座和盒蓋間接觸面的一實施例之示意圖。在本發明的此一實施例中，如圖38A所示基座（310）與盒蓋（320）之間形成一環狀接觸面（701），該接觸面（701）環繞基座（310）的一頂部水平面（311），其中該接觸面（701）的下接觸面（第一支撐面（312））與上接觸面（第二支撐面（322））相較於頂部水平面（311））有一致的傾斜度。該接觸面（701）具有一間距G，如第十一B圖所示的局部放大圖。較佳地，該接觸面（701）的間距G不超過0.08毫米，可據以實現本發明的所述有效密封性，且該接觸面（701）的上接觸面與下接觸面分別進一步具有一面粗糙度（Sa），且所述面粗糙度（Sa）介於13至100奈米之間，可以增進基座（310）與盒蓋（320）之間的有效密封性。

圖39B顯示沿圖39A所示剖面線A-A，基座（310）與盒蓋（320）接觸面之剖面圖。基於圖39A所示實施例，本發明基座（310）有不同的實施態樣，如圖39C至圖39E。接觸面（701）可平行於頂部水平面（311），或相較於頂部水平面（311）呈傾斜狀。本發明基座（310）在頂部水平面（311）的周圍形成一環狀溝槽（700），使該環狀溝槽（700）介於頂部水平面（311）與接觸面（701）之間，該溝槽（700）用於捕獲從接觸面（701）的外部空間進入間距G的微塵顆粒，俾使微塵顆粒在達到頂部水平面（311）之前落於該溝槽700的底部。

第七A圖顯示基座和盒蓋間接觸面的另一實施例之示意圖。在本發明的此一實施例中，基座（310）與盒蓋（320）之間形成兩個環狀接觸面（701、702），以環繞基座（310）的一頂部水平面（311），其中，基座（310）在兩個環狀接觸面（701、702）之間形成一環狀溝槽（400），環狀溝槽（400）的作用效果相同於圖39C至圖39E所示環狀溝槽（700）。基於圖40A所示實施例的剖面線B-B，本發明基座（310）有不同的實施態樣，如圖40B至圖40D。該接觸面（701、702）的下接觸面與上接觸面相較於頂部水平面（311））有一致的傾斜度，例如：圖40B所示該接觸面（701、702）與頂部水平面（311）位於相同高度；圖40C所示該接觸面（701、702）與頂部水平面（311）位於不同高度，且接觸面（702）與頂部水平面（311）之間形成一環狀溝槽（700），以增加捕捉顆粒的機會；圖40D所示該接觸面（701、702）彼此位於不同高度，且接觸面（702）與頂部水平面（311）之間形成一環狀溝槽（700），以增加捕捉顆粒的機會。較佳地，該等接觸面（701、702）的至少其中之一的間距G不超過0.08毫米，可據以實現本發明的所述有效密封性，且該等接觸面（701、702）的上接觸面與下接觸面分別進一步具有一面粗糙度（Sa），且所述面粗糙度（Sa）介於13至100奈米之間，可以增進基座（310）與盒蓋（320）之間的有效密封性。

圖41A顯示基座和盒蓋間接觸面的再一實施例之示意圖。在本發明的此一實施例中，基座（310）與盒蓋（320）之間形成兩個環狀接觸面（701、702），以環繞基座（310）的一頂部水平面（311），其中，基座（310）在兩個環狀接觸面（701、702）之間形成一環狀溝槽（400），兩個環狀接觸面（701、702）彼此不在相同高度，環狀溝槽（400）的作用效果相同於第六C圖至第六E圖所示環狀溝槽（700）。基於圖41A所示實施例的剖面線C-C，本發明基座（310）有不同的實施態樣，如圖41B至圖41D。該接觸面（701、702）的下接觸面與上接觸面相較於頂部水平面（311）有一致的傾斜度，例如：圖41B所示該接觸面（702）與頂部水平面（311）位於相同高度，該接觸面（701）與頂部水平面（311）平行且位於不同高度；圖41C所示該接觸面（701）與頂部水平面（311）平行且位於不同高度，且接觸面（702）相較於頂部水平面（311）呈傾斜狀；圖41D所示該接觸面（702）與頂部水平面（311）位於不同高度，且接觸面（701）相較於頂部水平面（311）呈傾斜狀。較佳地，該等接觸面（701、702）的至少其中之一的間距G不超過0.08毫米，可據以實現本發明的所述有效密封性，且該等接觸面（701、702）的上接觸面與下接觸面分別進一步具有一面粗糙度（Sa），且所述面粗糙度（Sa）介於13至100奈米之間，可以增進基座（310）與盒蓋（320）之間的有效密封性。

圖42A顯示基座和盒蓋間接觸面的又一實施例之示意圖。在本發明的此一實施例中，基座（310）與盒蓋（320）之間形成三個環狀接觸面（701、702、703），且彼此連續相鄰接以環繞基座（310）的一頂部水平面（311）。基於圖42A所示實施例的剖面線D-D，本發明基座（310）具有如圖42B所示的結構，其中基座（310）在頂部水平面（311）與接觸面（703）之間形成一環狀溝槽（700），以捕捉從接觸面（701）的外部空間進入間距G的微塵顆粒。該等接觸面（701、702、703）的下接觸面與上接觸面相較於頂部水平面（311））有一致的傾斜度，彼此呈互補結構。較佳地，該等接觸面（701、702、703）的至少其中之一的間距G不超過0.08毫米，可據以實現本發明的所述有效密封性，且該等接觸面（701、702、703）的上接觸面與下接觸面分別進一步具有一面粗糙度（Sa），且所述面粗糙度（Sa）介於13至100奈米之間，可以增進基座（310）與盒蓋（320）之間的有效密封性。

針對圖39A至圖42B所示實施例，本領域技術者仍應能夠瞭解第一支撐面（312）的結構可以被適用於第二支撐面（322），以實現至少一或多個接觸面，甚至可位在不同的水平面及高度，以便確保盒蓋與基座嚙合時所有第一支撐面能夠與所有第二支撐面相接觸。

圖44A是根據圖38B剖面（CS1）的範圍示意基座（310）與盒蓋（320）結合的情況下藉由一平面度的選擇達成有效密封。如圖所示，在細微的觀察中，基座（310）和盒蓋（320）可能因撓曲因素而並非完全接觸，即第一支撐面（312）和第二支撐面（322）再端點處呈現接觸，但第一支撐面（312）和第二支撐面（322）分別於靠近中點處呈略微凹陷，進而形成撓曲所導致的間隙。根據本發明所提供的平面度實施例，舉例而言，當第一支撐面（312）和第二支撐面（322）的平面度各別為0.015毫米時，即便存在由撓曲導致的間隙，基座（310）與盒蓋（320）結合可達有效密封。

圖44B是根據圖38B剖面（CS2）所呈現的第一支撐面（312）與第二支撐面（322）間接觸的局部放大示意圖。由於第一支撐面（312）與第二支撐面（322）的實際加工的低頻因素所造成表面的波狀，使第一支撐面（312）與第二支撐面（322）之間的接觸面存在間距G。應了解，此處的波狀與前述撓曲不同。本發明提出的平面度控制，即在容器存在撓曲或波狀間距時仍能達成有效密封。請參考圖44C所示，同樣是根據圖38B剖面（CS2）分別顯示基座（310）之第一支撐面（312）與盒蓋（320）之第二支撐面（322）的平面度之示意圖。根據平面度的定義，基座（310）之第一支撐面（312）的平面度為d1 ，盒蓋（320）之第二支撐面（322）的平面度為d2。當基座（310）與盒蓋（320）嚙合時，第一支撐面（312）與第二支撐面（322）形成的接觸面具有一變化的間距G，且間距G小於等於（d1+d2）。因此，在一實施例中，當兩者各別的平面度皆小於0.04毫米（mm）時，所述間距G不會超過0.08毫米，可據以實現本發明的所述有效密封性。在進一步實施例中，當第一支撐面（312）和第二支撐面（322）各別的平面度皆小於0.04毫米（mm）時，第一支撐面（312）和第二支撐面（322）各別的表面粗糙度小於0.2微米（μm）。

根據上述實施例說明，在容器的基座和盒蓋是單憑平面接觸的方式達到氣密的情況，尤其是金屬對金屬的表面接觸，所涉表面的平面度及/或粗糙度（Sa）是由本發明所提出的手段來規範。因此，所涉表面形成之密封，使進入容器的容納空間的整體氣流中至少有90%是經由盒蓋的過濾通道，而有10%以下是經由接觸面之間的間距。這樣的程度在所需製程環境中足以被視為是有效且成功的密封。

以下圖45至圖47及其標號與段落說明為本發明提供光罩盒具有光學識別標記的實施方式。

圖45顯示一光罩盒的爆炸圖。所述光罩盒可以是極紫外光之光罩盒，包含一外盒（100）及一內盒（110）。外盒（100）具有一盒蓋（101）和一基座（102），其可結合以容置內盒（110）。內盒（110）具有一盒蓋（111）和一基座（112），其配置成收容一光罩（120）。

外盒（100）和內盒（110）還可具有更多的細節，但本文在此省略，僅描述本發明相關的部分。雖然未顯示及描述，但本領域技術者應可了解，在某些配置中，光罩盒的外盒（100）的盒蓋（101）內側可提供有限位柱，基座（102）可提供有抽氣閥，而內盒（111）的盒蓋（111）可提供有過濾通道，內盒（112）的基座（112）可定義光罩容置區域。

圖46例示本發明光罩盒的仰視圖。更具體地，此為光罩盒中的內盒仰視圖。該視圖呈現簡化後內盒基座的一底面（200）以及屬於盒改部分的一對握持部（210）。該對握持部（210）提供手部抓握，使盒蓋可從基座抬起，使光罩露出。在光罩內盒放置於製程機台的情況中，底面（200）會與機台的一承載面接觸或耦接。某些類型的機台在承載面上提供有探測光源及對應的讀取單元，其可實現光學相關的測量或識別。

本發明於基座的底面（200）提供有可相容於所述光學識別的多個標記。如圖所示之實施例，底面（200）提供有三個第一標記（201）及一第二標記（202）。所述第一標記（201）是用於光罩盒基座（112）於一機台中的水平狀態確認，所述第二標記（202）是用於光罩盒或光罩版本的確認。這些第一標記（201）的其中一個大致上位於底面（200）的中央，具體地是位於底面（200）的一中央軸（203）上。中央軸（203）是沿著Y方向的軸，且可將底面（200）劃分為對稱的兩半部（200A、200B）。

位於中央軸（203）上的該第一標記（201）還定義了沿著X方向的一橫軸（204），其和中央軸（203）為相互垂直。橫軸（204）還將底面（200）劃分成一第一區域（200’）和一第二區域（200”）。除了位於中央軸（203）上的該第一標記（201），另兩個第一標記（201）則共同位於第一區域（200’）中，但分別位於兩半部（200A、200B）。如圖所示，分別位於兩半部（200A、200B）的第一標記（201）與中央軸（203）定義一橫向偏移距離，與橫軸（204）定義一縱向偏移距離，其中橫向偏移距離大於縱向偏移距離。換言之，位於兩半部（200A、200B）的第一標記（201）相對較靠近橫軸（204）。

第二標記（202）位於該底面（200）第二區域（200”）的其中一半部（200A）。第二標記（202）的中心與中央軸（203）也定義一橫向偏移距離（D1），與橫軸（204）定義一縱向偏移距離（D2），其中橫向偏移距離（D1）小於縱向偏移距離（D2），使得第二標記（202）相對較接近中央軸（203），且第二標記（202）相對較接近位於中央軸（203）上的第一標記（201）。

如圖示實施例，第一標記（201）和第二標記（202）大致上為圓形標記，且第二標記（202）的直徑小於第一標記（201）的直徑。應了解，底面（200）不是完全的平面，為了避免結構干擾，第一標記（201）和第二標記（202）的形狀可被裁切而非完整的圓形。可替代地，因底面（200）不是完全的平面，第一標記（201）和第二標記（202）可位於不同的高度表面，但從仰視圖仍可見標記為圓形。

在一實施例中，中央軸（203）上的第一標記（201）可位於底面（200）的正中央，意即通過該第一標記（201）的中央軸（203）和橫軸（204）可將底面（200）等分地劃分，使兩半部（200A、200B）面積相等，第一區域（200’）和第二區域（200”）面積相等。較佳地，第二標記（202）為直徑16毫米或更大的圓形，第二標記（202）的圓心與中央軸（203）之間的橫向偏移距離（D1）為18毫米，與橫軸（204）之間的縱向偏移距離（D2）則為58毫米。

當然，第二標記（202）不僅限於圖示的形狀和涵蓋範圍。在可能的實施例中，第二標記（202）也可涵蓋第二區域（200”）的兩半部（200A、200B），或者涵蓋第一和第二區域（200’、200”）。

所述第一標記（201）和第二標記（202）是經由特殊表面加工處理而形成於底面（200）上，且所述加工處理使第一標記（201）和第二標記（202）分別具有第一反射率和第二反射率。應了解，所述「反射率」是只針對特定光源（如特定波長的雷射光束）的反射率。以金屬製成的內盒基座為例，第一標記（201）和第二標記（202）可以是由雷射表面加工處理而形成，或者由化學處理的方式與金屬表面發生反應。甚至，第一標記（201）和第二標記（202）可以是經由貼附其他材質的薄膜所形成。因此，第一標記（201）和第二標記（202）的第一反射率和第二反射率是不同於基座底面（200）的反射率。

更具體地，所述標記可為銀龍貼紙、不同材質、顏色之貼紙；或者將銀、鋁、銅等等材質，以電鍍、蒸鍍、無電解鍍層、焊接、鑲嵌、超音波融貼方式使異質附著在標記預定區，使反射率上升或下降；或是用奈米碳管塗料方式降低反射率。

上述反射率差異的觀察，可至少以特定波長的雷射光分別打在第一標記（201）、第二標記（202）及底座（200）的其他區域，並在對應的反射方向讀取反射數值。例如，以某一功率的雷射光束打在第一標記（201）上並在反射方向上測得反射光的功率為六成，則代表第一標記（201）的針對該光源的反射率為60%。以製程機台而言，反射光的讀取數值可轉換為一電壓值，且不同反射率的標記所對應讀取電壓值也不同。

在一實施例中，所述標記的反射率是由其表面粗糙度所決定。前述雷射加工處理即在將基座原本的表面粗糙化，使機台的探測光源打到該粗糙表面時無法規律地被反射，進而降低光源的反射率。例如，第一標記（201）和第二標記（202）分別具有第一表面粗糙度和第二表面粗糙度，且第一粗糙度不同於第二表面粗糙度，也不同於底面（200）的其他區域表面粗糙度。為了避免經由第一標記（201）和第二標記（202）反射的光相互干擾而影響數值讀取，本發明提出的第二標記（202）與中央軸（203）上的第一標記（201）之間具有特定的關係，藉此確保機台在讀取標記的反射光時不存在相互干擾。

在某些實施例中，盒蓋的該對握持部（210）的朝下表面亦可提供有額外的第三標記（203），其可供機台判斷基座上方是否有盒蓋存在，或識別盒蓋的方位。

本發明還提供識別光罩盒的方法，其中所述光罩盒的基座提供有前述第一標記（201）和第二標記（202）。配合圖47A和圖47B示意將一內盒（300）放置在一製程機台（310）的承載面上方。該方法包含將所述光罩盒放置於提供有多個探測光源（311、312、313、314）的製程機台（310），其中探測光源是特定波長的雷射光源，每個探測光源還包含一光探測器。

該方法包含將探測光源（311、312、313、314）的探測光分別打在第一標記（201）和第二標記（202）上。如圖所示，探測光源（311、312、313、314）的安排剛好對應底座（200）的第一標記（201）和第二標記（202）。實際上，探測光可以稍微傾斜打在標記上，使反射光也微呈傾斜。在某些實施例中，探測光源（311、312、313、314）可經由導光組件將探測光打在這些標記上。這些探測光源（311、312、313、314）可具有相同的光源參數。或者，對應第一標記（201）的探測光源（311、312、313）可不同於對應第二標記（202）的探測光源（314）。

該方法包含，由機台（310）讀取來自第一標記（201）的一第一反射光和第二標記（202）的一第二反射光，以分別關聯出一第一訊息及一第二訊息。舉例而言，當機台的光探測器可將反射光轉換為一電壓值，則第一反射光對應一第一電壓值，第二反射光對應一第二電壓值。根據第一標記（201）和第二標記（202）的反射率差異，第一電壓值和第二電壓值也不同。

當第一標記（201）的光探測器讀取的第一電壓值落在預定範圍，則所述第一訊息指示該光罩盒的放置是否正確。當第二標記（202）的光探測器讀取的第二電壓值落在預定範圍，則所述第二訊息指示該光罩盒的一識別。例如，與第一標記（201）有關的第一電壓值預定範圍為4.8至5.2伏特，與第二標記（202）有關的第二電壓值預定範圍為低於4.0伏特，但不為零。所述「訊息」是指機台所傳達的一判斷結果。

所述識別包含該光罩盒的型號或光罩版本。例如，機台可將探測的第二電壓值關聯於一預定的光罩盒識別列表，該列表可儲存於機台的存取的儲存空間且包含第二電壓數值所對應的光罩盒或光罩資訊，像是型號或版本等。

根據上述實施例說明， 本發明提供一種可供機台識別光罩盒資訊的光罩盒以及一種識別這種光罩盒的方法，使得原本就提供有雷射探測機制的製程機台能夠進一步識別光罩盒的相關資訊，增進製程的數據管理。

以下圖48至圖55及其標號與段落說明為本發明提供光罩盒具有保持銷組件及使用該保持銷組件固持光罩的實施方式。

圖48顯示一光罩盒的爆炸圖。所述光罩盒可以是極紫外光之光罩盒，包含一外盒（100）及一內盒（110）。應了解，「外盒」和「內盒」的用語是為了說明兩者在空間上的關係，而一般所述「光罩盒」可以是指外盒或內盒，其應依上下文來判斷。外盒（100）具有一盒蓋（101）和一基座（102），其可結合以容置內盒（110）。內盒（110）具有一盒蓋（111）和一基座（112），其配置成收容一光罩（120）。內盒（110）的盒蓋（111）提供有複數個銷組件，其配置成可經由內盒（110）的盒蓋（111）外側與外盒（100）的盒蓋（101）內側互動，藉此令銷組件於盒蓋（111）的內側施力。銷組件的更多細節及可能性將於後續描述。

此外，外盒（100）和內盒（110）還可具有更多的細節，但本文在此省略，僅描述本發明相關的部分。雖然未顯示及描述，但本領域技術者應可了解，在某些配置中，光罩盒的外盒（100）的盒蓋（101）內側可提供有感測器，基座（102）可提供有氣閥，而內盒（111）的盒蓋（111）可提供有氣體過濾通道，內盒（112）的基座（112）可定義光罩容置區域。

圖49A及圖49B均為根據圖48中顯示的虛線平面所形成的剖面圖，其中圖49A圖49B例示光罩盒容置有光罩（R）的銷組件。

圖49A顯示光罩盒的盒蓋（111）與基座（112）結合的情況，但未容置光罩。盒蓋（111）具有厚度較薄的一頂部（113）及圍繞頂部（113）且厚度相對較大的覆蓋部。盒蓋（111）主要以覆蓋部結合基座（112）的一朝上表面，使內盒（110）中形成一有效封閉或半封閉的光罩容置空間。基座（112）提供有複數個支撐組件，如圖49A例示每一支撐組件包含一支撐銷（114）及兩個限位銷（115）。這些支撐組件可定義一光罩容置區域，並將光罩略微頂升於基座（112）的上方。

盒蓋（111）提供有複數個銷組件，如可於靠近盒蓋（111）的四個角分別提供銷組件。剖面圖僅顯示單一個銷組件。銷組件主要位於盒蓋（111）的頂部（113）。銷組件包含一蓋部（200）、一彈性部（201）及一可動部（202）。

同時參閱圖49A和圖50A。蓋部（200）具有較薄的一頂部和頂部周圍相對較厚的壁部。頂部基本上是一平面，璧部具有一對固定孔（2001），其允許已知的固定手段將蓋部（200）固定至盒蓋（111）的頂部（113）外側上安裝位置，使蓋部（200）的頂部、壁部和盒蓋頂部（113）定義出一容置空間以容置彈性部（201）和可動部（202）的部分。蓋部（200）與盒蓋頂部（113）之間可提供氣密手段。蓋部（200）的高度可經由適當選擇使蓋部（200）和彈性部（201）之間具有微小間隙。

同時參閱圖49A和圖50B。彈性部（201）具有一套筒（2011）和自其兩側橫向延伸的一對固定翼（2012）。套筒（2011）具有一頂部及壁部，且套筒（2011）的下方未封閉。套筒（2011）頂部還形成有一凹槽（2013）以放置一第一磁鐵（M1）。固定翼（2012）自套筒（2011）的壁部延伸且也具有和安裝孔（2001）相對的安裝孔（2014）。如圖49A所示，彈性部（201）的固定翼（2012）的一部分被夾持於蓋部（200）和盒蓋的頂部（113）之間。套筒（2011）的尺寸可經由選擇而使套筒（2011）與蓋部（200）之間形成間隙，此間隙應足以允許套筒（2011）某些程度的變形，例如縱向和橫向的變形。

同時參閱圖49A和圖50C。可動部（202）具有一帽部（2021）和一銷（2022）。帽部（2021）具有一較寬的徑向尺寸，銷（2022）自帽部（2021）的下方延伸並穿過盒蓋頂部（113）的一銷孔而凸伸於頂面（113）內側。如圖所示，當光罩盒未容置光罩時，彈性部（201）與位於第一水平（L1）的可動部（202）之間具有一間隙。帽部（2021）容置於彈性部（201）和盒蓋的頂部（113）之間，且帽部（2021）的體積略小於套筒（2011）的容積，使帽部（2021）可於套筒（2011）中縱向垂直移動，此亦決定銷（2022）的凸伸程度。盒蓋的頂部（113）還可形成有嚙合帽部（2021）底部的凸環。

在本實施例中，彈性部（201）可決定可動部（202）可抵達的一最高水平，而盒蓋（111）的頂部（113）則決定可動部（201）能抵達的一最低水平（未容置光罩）。在其他實施例中，所述最高水平亦可由蓋部（200）決定。如圖49A和圖49B所示的彈性部（201）的套筒（2011）雖然可彈性變形，但套筒（2011）的內側頂部限制可動部（202）的上方可移動範圍。如圖所示，套筒（2011）的內側頂部還形成有一凸起用於抵觸可動部（202）的帽部（2021）。可替代地，蓋部（200）的頂部亦可用於限制可動部（202）的上方可移動範圍。

圖49A顯示，未容置有光罩的情況，可動部（202）因自身重量而以帽部（2021）坐落於頂部（113），且銷（2022）的末端位於如圖示虛線的第一水平（L1）。圖49B顯示，容置有光罩的情況，光罩厚度導致銷（2022）被頂升至另一較高的第二水平（L2），使帽部（2021）離開頂部（113）並朝彈性部（201）的頂部移動但不一定會接觸。可動部（202）仍有可能是可移動的狀態，意即被頂升的可動部（202）至彈性部（201）的頂面之間仍有微小間隙，光罩也尚未被夾持。在可能的情況中，被頂升的可動部（202）柔性接觸彈性部（201）的頂部，而使套筒（2011）略微變形，但彈性部（201）與蓋部（200）之間仍具有微小間隙或兩者呈柔性接觸。圖49A中彈性部（201）與可動件（202）之間的間隙可大致上與圖49B中的兩個水平（L1、L2）之間的差距相等。

圖51例示一光罩外盒的盒蓋（如圖48盒蓋101）結合於光罩盒的情況。盒蓋（101）的內側提供有對應各銷組件的複數個壓制部（400），其末端具有一第二磁鐵（M2），使壓制部（400）末端靠近或接觸對應的銷組件時，第二磁鐵（M2）和銷組件中的第一磁鐵（M1）為相當程度的靠近。第一磁鐵（M1）的極性與第二磁鐵（M2）的極性相同，因而靠近的兩個磁鐵產生互斥效果，迫使彈性部（201）向下方變形而推動可動部（202）往較低水平移動。銷（2022）施加壓力於光罩上表面，形成確實夾持光罩的效果。在可能的配置中，銷（2022）亦可施加壓力於光罩的邊緣。

圖52例示本發明的另一實施例，其中蓋部（200）與可動部（202）和前述實施例相似，惟移除前述彈性部（201）且可動部（202）的帽部放置有第一磁鐵。本實施例提供另一彈性部（500），其固定於可動部（202）和光罩盒盒蓋（111）的頂部（113）之間，提供一縱向上的變形。在此安排下，蓋部（200）的頂部決定可動部（202）能抵達的一最高水平，彈性部（500）決定可動部（202）能抵達的一最低水平。具體而言，彈性部（500）為一環型彈性部且連接於蓋部（200）內側的一連接部（501），如環形彈性部的剖面具有缺口用於配合所述連接部（501）。

以如圖51帶有第二磁鐵（M2）的壓制部（400）靠近圖52的銷組件，可動部（202）被迫朝較低水平移動並使彈性部（500）變性。彈性部（500）的變形可緩衝可動部（202）的朝下施力，避免光罩上表面承受過多壓力。

上述實施例例示了本發明銷組件藉由複合材質，即硬質件、磁鐵和彈性材質，所提供的非接觸式（間接式）壓制。以下本發明銷組件實施例例示接觸式（直接式）壓制。

圖53A及圖53B為本發明銷組件的其他實施例，均為根據圖48中顯示的虛線平面所形成的剖面圖，其中圖53A例示光罩盒未容置光罩時的銷組件，圖53B例示光罩盒容置有光罩的銷組件。

圖53A顯示光罩盒的盒蓋（111）與基座（112）結合的情況，但未容置光罩。盒蓋（111）具有厚度較薄的一頂部（113）及圍繞頂部（113）且厚度相對較大的覆蓋部。盒蓋（111）主要以覆蓋部結合基座（112）的一朝上表面，使內盒（110）中形成一有效封閉或半封閉的光罩容置空間。基座（112）提供有複數個支撐組件，如圖53A例示每一支撐組件包含一支撐銷（114）及兩個限位銷（115）。這些支撐組件可定義一光罩容置區域，並將光罩略微頂升於基座（112）的上方。

盒蓋（111）提供有複數個銷組件，如可於靠近盒蓋（111）的四個角分別提供銷組件。剖面圖僅顯示單一個銷組件。銷組件主要位於盒蓋（111）的頂部（113）。銷組件包含一蓋部（600）、一彈性部（601）及一可動部（602）。

同時參閱圖53A和圖54A。蓋部（600）具有較薄的一頂部和頂部周圍相對較厚的壁部。頂部基本上是一平面，壁部具有一對固定孔（6001），其允許已知的固定手段將蓋部（600）固定至盒蓋（111）的頂部（113）外側上安裝位置，使蓋部（600）的頂部、壁部和盒蓋的頂部（113）定義出一容置空間以容置彈性部（601）和可動部（602）的部分。所述容置空間因蓋部（600）形成於頂部中央的一孔（6002）而未封閉，意即容置空間與蓋部（600）的外側相通。蓋部（600）的高度及孔（6002）的尺寸可經由適當選擇使蓋部（600）和彈性部（601）之間具有微小間隙。

同時參閱圖53A和圖53B。彈性部（601）具有一套筒（6011）和自其兩側橫向延伸的一對固定翼（6012）。套筒（6011）具有一頂部及壁部，且套筒（6011）的下方未封閉。套筒（6011）頂部還形成有一凸塊（6013），其尺寸略小於孔（6002）的尺寸。固定翼（6012）自套筒（6011）的壁部延伸且也具和安裝孔（6001）相對的安裝孔（6014）。如圖53A所示，彈性部（601）的固定翼（6012）的一部分被夾持於蓋部（600）和盒蓋頂部（113）之間。套筒（6011）的尺寸可經由選擇而使套筒（6011）與蓋部（600）之間形成間隙，此間隙應足以允許套筒（6011）某些程度的變形，例如縱向和橫向的變形。此外，凸塊（6013）自蓋部（600）的孔（6002）而暴露，尤其凸塊（6013）在未施加任何外力的情況下凸出蓋部（600）頂部的朝上平面。圖示凸塊（6013）具有一朝上平面，但亦可為斜面或曲面。凸塊（6013）的周圍還可形成有多個支撐塊（6015），其用於抵接蓋部（600）的內側以穩固套筒（6011）的容置。應注意，蓋部（600）與固定翼（6012）之間仍應提供有適當的氣密手段，以避免空氣經由孔（6002）進入光罩盒。

同時參閱圖53A和圖54C。可動部（602）具有一帽部（6021）和一銷（6022）。帽部（6021）具有一較寬的徑向尺寸，銷（6022）自帽部（6021）的下方延伸並穿過盒蓋頂部（113）的一銷孔而凸伸於頂面（113）內側。如圖所示，當光罩盒未容置光罩時，彈性部（601）與位於第一水平（L1）的可動部（602）之間具有一間隙。此外當光罩盒未容置光罩（R）時，銷（6022）凸伸出頂部（113）下表面的一凸出量至少大於光罩盒所容置的光罩（R）之上表面與盒蓋頂部（113）的下表面之間的一距離。帽部（6021）容置於彈性部（201）和盒蓋的頂部（113）之間，且帽部（6021）的體積略小於套筒（6011）的容積，使帽部（6021）可於套筒（6011）中縱向垂直移動，此亦決定銷（6022）的凸伸程度。盒蓋頂部（113）還可形成有嚙合帽部（6021）底部的凸環。可動部（602）相對於彈性部（601）可以是使用硬度相對較高的材質。

在本實施例中，彈性部（601）可決定可動部（602）可抵達的一最高水平，而盒蓋（111）的頂部（113）則決定可動部（602）能抵達的一最低水平。在其他實施例中，所述最高水平亦可由蓋部（600）決定。如圖53A和圖53B所示的彈性部（601）的套筒（6011）雖然可彈性變形，但套筒（6011）的內側頂部仍限制可動部（602）的上方可移動範圍。如圖所示，套筒（6011）的內側頂部還形成有一凸起用於抵觸可動部（602）的帽部（6021）。

圖53A顯示，未容置有光罩的情況，可動部（602）因自身重量而以帽部（6021）坐落於頂部（113），且銷（2022）的末端位於如圖示虛線的第一水平（L1）。圖53B顯示，容置有光罩的情況，光罩厚度導致銷（6022）被頂升至另一較高的水平（L2），使帽部（6021）離開頂部（113）並朝彈性部（601）的頂部移動但不一定會接觸。可動部（602）仍有可能是可移動的狀態，意即被頂升的可動部（602）至彈性部（601）的頂面之間仍有微小間隙，光罩也尚未被夾持。在可能的情況中，被頂升的可動部（602）柔性接觸彈性部（601）的頂部，而使套筒（6011）略微變形，凸塊（6013）亦略微被頂升。圖53A中彈性部（601）與可動件（602）之間的間隙可大致上與圖53B中的兩個水平（L1、L2）之間的差距相等。

同樣在圖53B中還例示一光罩外盒的盒蓋（如圖48盒蓋101）結合於光罩盒的情況。盒蓋（101）的內側提供有對應各銷組件的複數個壓制部（604），其末端具有一朝下平坦表面，使壓制部（604）末端靠近或接觸對應的銷組件時，平坦表面會接觸並踩壓銷組件中暴露的凸塊（6013）。彈性部（601）因受壓制部（604）施力而變形，迫使彈性部（601）向下方推動可動部（602）往較低水平移動。銷（6022）施加壓力於光罩上表面，形成確實夾持光罩的效果。在可能的配置中，銷（6022）亦可施加壓力於光罩的邊緣。

在其他可能的實施例中，壓制部（604）的末端並非一定示平坦表面。壓制部（604）末端的結構可配合蓋部（600）的孔（6002）的尺寸而略微伸入蓋部（600）。凸塊（6013）也非得凸出蓋部（600）的頂部表面，凸塊（6013）可低於孔（6002）的水平。或者，蓋部（600）的高度可超過凸塊（6013）之上。

圖55例示本發明銷組件的又一實施例，包含一蓋部（800）、一第一彈性部（801）、一可動部（802）及一第二彈性部（803）。蓋部（800）類似於圖54A的蓋部（600）。第一彈性部（801）位於蓋部（800）的頂部與可動部（802）的帽部之間，並且第一彈性部（801）同時接觸蓋部（800）的頂部與可動部（802）的帽部。第二彈性部（803）位於可動部（802）與盒蓋頂部（113）之間，且同時接觸可動部（802）與盒蓋頂部（113）。

第一彈性部（801）的頂部形成有一凸塊，其可經由蓋部（800）的孔而暴露並凸出於蓋部（800）頂部的表面。第一彈性部（801）的側部可形成有支撐塊（8011）或支撐環，其類似於圖54B的支撐塊（6015），用於抵觸蓋部（800）的內側以穩固可動部（802）。第一彈性部（801）可先連接至可動部（802）的帽部後，接著裝上蓋部（800）而完成接觸。具體而言，第二彈性部（803）可為一O型環，可動部（802）的帽部下方可形成有適合的結構來匹配第二彈性部（803）。藉此，蓋部（800）和第一彈性部（801）可決定可動部（802）被光罩頂升時能抵達的一最高水平，第二彈性部（803）可決定可動部（802）被前述壓制部踩壓時能抵達的一最低水平。在其他可能的實施例中，第一彈性部（801）可提供有如前述的第一磁鐵（M1），第一彈性部（801）的凸塊可低於蓋部（800）的整體高度。

前述實施例分別提供有各自獨立的彈性部（201、601）和可動部（202、602），也有相互連接的彈性部（801）和可動部（802）。儘管如此，在其他可能的實施例及解釋中，彈性部可視為是可動部的帽部的一部份。換言之，彈性部的部分或整體亦可視為是整個可動部的一部份。因此，施力於可動部的帽部，其意義相當於施力於所述彈性部。

前述實施例所描述的彈性部是由彈性或軟性材質所形成，主要用於吸收來自壓制部給予的過多壓力。彈性部的材質可用硬度較小之材料，如蕭氏硬度介於20至80度的範圍。可替代地，改變結構特徵來達成，如形成孔隙或中空結構。

根據上述實施例說明， 本發明至少提供了複合材質的銷組件，能賦予光罩或基板容置的效果帶來更多的彈性。

以下圖56至圖68及其標號與段落說明為本發明解決習知光罩盒無法有效去除光罩正面的高溫與濕氣的另一些實施方式。

圖56示出了根據本發明的一些實施例的工件容器系統的示例性橫截面圖。 為了說明的簡單和清楚起見，該示例性設備的一些細節/子構件未在本圖中明確地標記/示出。

參照圖56，示例性工件容器系統100包括被配置成用於在其中儲存工件（例如，光罩）的內盒（例如，儲存組件120）以及經配置以用於容納儲存組件120的外盒（例如，運輸組件110）。

在示出的實施例中，儲存組件120包括座構件122和座蓋121，座蓋121被配置為接合座構件122，以便在封閉時配合地形成用於容納工件（例如，光罩R ₁）的內部空間。

示例性座構件122被配置成接收/支撐所存儲的工件。 座構件122包括儲存部份125，該儲存部份125設置有用於接收工件的工件接收表面（例如工件容納區域122a）。 在所示實施例中，座構件122還設置有佈置在儲存部分125的頂面上用於支撐光罩R ₁的支撐元件（例如，支撐柱124）。 座構件122還被配置為通過半導體設備的機械臂從一個室傳送到另一個室。 例如，座構件122進一步包括被佈置在儲存部分125的相反側上的一對側翼部分126。 在當前的截面圖中，側翼部分126具有比儲存部分125薄的厚度。 這種厚度差在座構件122的邊緣部分附近產生台階輪廓。 該對階梯狀輪廓被配置為用作與具有叉狀結構的機器人臂的接觸介面。 這樣的布置允許座構件122由叉狀臂側向地保持和豎直地支撐。

在一些情形中，所存儲的工件可以是半導體基板（例如，極紫外光刻光罩R1）。 光罩R ₁的功能表面（即，其上限定有光罩布局圖案的面向下的表面）需要被保持沒有污染物，以便防止在光刻工藝期間對表面的損壞或投影到光阻層上的圖像的變形。

為了保護敏感且易碎的工件免受儲存組件120外部的顆粒/污染物的影響，座構件122與座蓋121之間的接合可以配置有一定程度的氣密性。 此外，為了提供對其敏感且易碎的內容的充分保護，座蓋121和座構件122可以設置有電磁干擾（electromagnetic interference ，EMI）遮罩特性。 用於提供EMI遮罩能力的合適材料可包括諸如金屬的導電材料。 在一些實施例中，座構件122和座蓋121大致由諸如鋁的金屬製成。 在一些實施例中，可以在儲存組件120的表面的選擇性區域上進一步提供表面處理如金屬塗層（如銅或金）、疏水性和/或親水性處理。

除了上述顆粒污染物之外，在該密封的儲存組件內部可能存在氣相污染物或空氣傳播的分子污染物（airborne molecular contaminants ，AMC）。 即使儲存組件可密封地接合，在處理過程期間，當工件從容器系統移除且更換時，仍然存在空氣進入系統的可能性。 例如，可以在儲存組件120內部發現空氣中的濕氣。 在合適的露點溫度下，一些濕氣將從空氣中冷凝出來並且可以沉積到光罩R ₁上。 氣相或蒸氣污染的其他來源（例如NH ₃（氨）和SO ₂（二氧化硫））是在光罩生命週期期間由光罩/容器清潔操作產生的溶劑殘餘物。 這些化學品中的一部分和濕氣可促進由石英製成的光罩上的霧/析出物（haze）的形成。 光罩R ₁的圖案化表面上的霧/析出物的形成和/或水蒸汽的聚集可能干擾光學器件，這可導致在光刻工藝期間轉移在半導體晶圓上的圖案的畸變（distortion）。

示例性內盒120設有一個或多個擴散誘導組件（例如，組件127、128和129），其允許從內盒120減少或去除氣相污染物或空氣傳播分子污染物。 例如，這些擴散誘導組件允許濕氣從該儲存組件內部擴散至外部環境（例如，當該儲存組件內部的濕度顯著大於在環境中的濕度時，或者當該系統用乾淨的乾燥空氣吹掃時）。

內部濕氣可以經由一個或多個擴散誘導組件擴散出內盒120。 因此，可以減輕光罩上的水沉積或霧/析出物形成。 在一些實施方式中，擴散誘導組件可包括多個形成在儲存組件蓋/基座上的通孔/通道/埠，其使得內盒的內部和外部之間能夠流體連通。 在一些實施方式中，擴散誘導組件還可包括過濾元件，該過濾元件經配置以防止顆粒污染物從中通過。

雖然儲存組件120的蓋單元（例如，蓋構件121）的面向頂部的表面是上擴散誘導組件（例如，被佈置在所接收的工件上方的擴散誘導組件129）的方便的設置位置，安裝在頂部的擴散構件在某些應用中可能不能提供足夠水準的濕度提取（humidity extraction）效率（特別是在工件的底面周圍的區域處）。

例如，在一些實施例中，在裝配時，座構件122的頂面與所容納的工件的底面之間的間隔不大於0.3 mm。 窄間隔可能不利於工件下方的氣流誘導。 因此，工件下方的諸如濕氣的氣相污染物可能難以通過工件上方朝向頂部安裝的擴散構件行進。

為了進一步提高擴散效率，示例性實施例的座構件122配置有被佈置在工件下方的下擴散誘導組件127。 這種佈置有利於工件下方的濕氣的擴散，以利有效地提取。

在所示出的實施例中，該運輸組件110包括經配置以容納該座構件122的外基座112和經配置以接合該外基座112（並且覆蓋該儲存組件120）的外蓋111。 在一些實施例中，外基座112和外蓋111中的任一者或兩者可以具有靜電荷耗散特性，以允許釋放積聚在所存儲的工件或儲存組件上的電荷。 例如，在一些實施方式中，外盒110可以由與導電纖維混合的聚合物材料配置。 在一些實施例中，外蓋111和外基座112中的一者或兩者由嵌入碳纖維的樹脂材料製成。

在一些實施方式中，外盒110還可具有一個或多個氣體入口埠（未示出），其經配置以允許來自氣體源的乾淨乾燥空氣（clean dry air ，CDA）、額外的CDA或乾燥惰性氣體（例如氮氣）的進入。 在一些實施方式中，外盒110還可以設置有一個或多個氣體出口埠，其經配置以允許減少或去除外盒110內的氣體。 在一些實施例中，該氣體入口和/或出口埠可以進一步配置有閥，該閥經配置以控制這些埠內部的流體流動。

在一些實施例中，按壓單元（例如，壓緊銷141）可以設置在座蓋121的頂面上以用於按壓/固持工件。 示例性外盒110還設有推動元件171，該推動元件171設置成對應於儲存組件120的壓緊銷141。 當外蓋111耦接至外基座112時，推動元件171推動壓緊銷141以按壓/保持工件R ₁，從而限制工件在接收時的移動。

在示出的實施方式中，推動元件171被配置為在壓緊銷141的暴露部分（例如，壓緊銷141的頂面）處推動壓緊銷141。 在示出的實施方式中，壓力接收表面的暴露部分的投影面積的寬度小於推動元件的投影面積的寬度。

在一些實施例中，推動元件171和壓緊銷141還具有電荷消散特性。 因此，當外蓋111耦接到外基座112時，推動元件171推動壓緊銷141以按壓工件R ₁，並建立從被接收的工件R ₁經過壓緊銷141和推動元件171到外蓋111的電荷消散路徑（在本圖中由陰影箭頭指示）。 在一些工作情況下，外蓋111可以接地，從而允許被接收的工件R ₁上累積的電荷通過電荷消散路徑消散到地。 用於壓緊銷141的材料可以包括導電或靜電消散材料，從而使壓緊銷141成為放電消散路徑的一部分以能夠通過其接地。 在一些實施例中，壓緊銷141和推動元件171具有範圍在約10 ⁶至10 ¹¹Ω的表面電阻值。 在一些實施例中，壓緊銷141和推動元件171具有小於約10 ⁵Ω的表面電阻值。

在示出的實施方式中，外盒110進一步包括佈置在外部基部112上的支撐結構190，該支撐結構經配置以支撐儲存組件120。 支撐結構190可以與外基座112一體地形成或安裝在外基座112上。 在一些實施例中，儲存組件120的支撐元件124和外盒110的支撐結構190進一步具有電荷耗散特性。 因此，當外蓋111耦接至外基座112（並且因此座構件122上的支撐元件124與工件R ₁建立接觸）時，電荷耗散路徑（在本圖中由陰影箭頭指示）可由所接收的工件R ₁形成，通過支撐元件124、座構件122和支撐結構190，到達外基座112。 在一些實施例中，支撐元件124和支撐結構190具有在從約10 ⁶至10 ¹¹Ω的範圍內的表面電阻值。 在一些實施例中，支撐元件124和支撐結構190具有小於約10 ⁵Ω的表面電阻值。

如圖56所示，示例性系統具有被限定在座構件122的工件容納區域122a中的第一可觀察區Z ₁₁，以允許光罩R ₁的觀察。 在一些實施例中，第一觀察區Z ₁₁可以配置有視窗，該視窗包括信號透射（signal transmissive）結構（例如，開口或信號透射構件）。 例如，示例性座位構件122包括佈置在第一可觀察區Z ₁₁中的內部光學構件1221。 在一些實施方式中，內部光學構件1221可以由相對於紅外光、可見光或紫外光信號而言信號透射的材料製成。 內部光學構件1221的合適材料可包括玻璃（例如，石英玻璃）、丙烯酸、透明塑膠或其他相當的材料。 在圖示的實施例中，內部光學構件1221可以包括一塊石英玻璃，該石英玻璃嵌入式地佈置在內基座122中（工件容納區域122a中）。

在所示實施例中，第一可觀察區域Z ₁₁被相應地設計成允許在接收到光罩R ₁時觀察光罩R ₁的識別特徵（例如，一維或二維條碼）（在示意圖中未明確示出）。 在一些實施例中，光罩R ₁的識別特徵形成在面向第一可觀察區域Z ₁₁中的視窗的表面上且可通過第一可觀察區域Z ₁₁觀察。

在所示實施例中，外基座112具有在其上限定的第二可觀察區域Z ₁₂。 第二可觀察區域Z ₁₂被佈置為與儲存組件120的第一可觀察區域Z ₁₁可觀察地對準。 這樣，固持在容器系統100中的光罩R ₁的快速視覺識別或光學確認（諸如光罩R ₁狀態和識別）可通過光學掃描通過第二可觀察區域Z ₁₂和第一可觀察區域Z ₁₁來實現，而不需要打開外盒。 因此，在半導體製造過程中，可以降低容器打開的頻率，這進而使敏感的精密工件對潛在危險的環境因素下的暴露最小化。

在所示的實施例中，外基座112具有中空本體，中空本體包括被配置為支撐內基座122的上平臺112a和與上平臺112a相對的下平臺112b。 在一些實施例中，示例性上平臺112a和下平臺112b都可以設置有基本水平的板的結構。 示例性下平臺112b被配置為密封上平臺112a。 在一些實施例中，下平臺112b和上平臺112a一體地形成。 示例性第二可觀察區域Z ₁₂設置有視窗，該視窗包括分別佈置在上平臺112a和下平臺112b中的兩個重疊的信號透射結構（例如，外部光學構件1121）。

在一些實施例中，嵌入上平臺112a和/或下平臺112a中的外部光學構件1121可以由對於紅外光、可見光或紫外光而言信號透射的材料製成。 外部光學構件1121的合適材料可以包括玻璃（例如，石英玻璃）、丙烯酸、透明塑膠或相當的材料。 在一些實施例中，對於一個或多個上述光譜範圍中的光信號，外部光學構件1121的透射率值大於80%。 取決於特定的應用需求，在一些實施例中，光學構件（例如，外部光學構件和/或內部光學構件）可以包括凹/凸面。

在一些實施例中，對於範圍在600nm至950nm之間的波長，內部光學構件1221的反射率值比外部光學構件1121低。 在一些實施例中，光學構件的相應波長範圍可以在約630nm至930nm的範圍內。 在一些實施例中，外部光學構件1121對於上述波長範圍的反射率值可以小於15%。 在一些實施例中，內部光學構件1221對於上述波長範圍的反射率值可以小於0.5%。 在一些實施例中，內部光學構件1221還可以設置有抗反射塗層。 在一些實施例中，內部光學構件1221還可以設置有具有EMI遮罩特性的層。

在對耐塵和/或防塵要求嚴格的一些實施例中，外基座112的第二可觀察區域Z ₁₂中的外部光學構件1121可以設置有類似的密封機構。 然而，在僅內部密封就足夠的應用中，可以在不利用密封機構的情況下構造外部光學構件1121以減少結構複雜性、重量和成本問題。

在一些實施例中，外基座的整個底面可以被設計成充當第二觀察區。 例如，外部光學構件可以佔據外部基座的整個底部。

圖57示出了根據本發明的一些實施例的工件容器系統的等距視圖。

參照圖57，示例性儲存組件220包括座構件222和座蓋221，座構件222和座蓋221經配置以配合地形成用於容納基板（例如，光罩R ₂）的內部空間。 在所示出的實施例中，座構件222具有基本矩形的輪廓，該輪廓限定了穿過其幾何中心區域C的縱向軸線L2。 座構件222包括儲存部分225和一對沿縱向軸線L ₂延伸的側翼部分226。 示例性側翼部分226具有減小的厚度（即，比儲存部分225的厚度薄）。 在所示實施例中，示例性座構件222的頂面限定工件容納區域和圍繞工件容納區域的周邊區域222b。 用於座蓋221和座構件222的適合的材料和/或塗層可以與上述實施例中描述的那些類似。

在一些實施例中，座蓋221可以被配置成在封閉時通過來自外盒（例如，運輸組件110）的壓力建立與座構件222的按壓接合。 例如，座蓋221與座構件222之間的按壓接合是通過基本平面的金屬與金屬介面形成的。 在所示實施例中，金屬介面建立在座構件222的周邊區域222b上。 總體上，該按壓接合建立了一個密封外殼，該密封外殼防止灰塵和濕氣通過該儲存組件220的上下部構件之間的接觸介面進入該內部空間中。 在一些實施例中，座蓋和座構件中的任一者或兩者可在相應的接合介面區域處設置有附加的密封元件（例如，密封墊圈或O形環），以進一步增強針對環境污染的阻斷能力。

下擴散誘導組件設置在座構件222的儲存部分225且在工件接收區域中，並且被配置為允許從儲存組件的內部提取工件R ₂下方的氣相污染物。 一般期望可以有效地減少所接收的光罩R ₂的圖案區域P下方的氣相污染物。 在所示實施例中，下擴散誘導組件形成有佈置在工件R ₂的圖案區域P的平面投影內的多個擴散端口組件227a。

擴散端口組件227a在儲存部分225上的放置位置可以考慮不同因素，例如重量分佈、結構完整性和裝置構件的整體重量限制。 一方面，示例性擴散端口組件227a被放置在座構件222上的工件接收區域中，但是與其幾何中心區域（例如，區域C）錯位。 擴散端口組件的偏離放置允許中心區域的材料保持完整，由此，可以更好地保持座構件222的整體結構完整性（例如，抵抗在機器加工期間的熱膨脹、翹曲等），並且質量分佈可保持更靠近其幾何中心而有更好的整體平衡。 此外，示例性擴散端口組件的位置避開其他預先指配的功能構件，例如視窗和基板支撐機構。 在一些實施例中，幾何中心區域C具有約25至30mm的寬度/半徑。

在示出的實施方式中，座蓋221的側壁221a設置有多個空氣流動通道228以及被佈置以覆蓋空氣流動通道228的至少一個過濾構件228a。

在清潔（例如，洗滌）容器系統之後，在其表面上可能存在水殘留。 殘留的水可能吸引污垢，因此增加了污染所接收的工件的可能性。 通過改變儲存組件的表面特性，在清潔之後可以更容易地乾燥儲存組件。 因此，可以減少由於清潔之後的烘烤/乾燥過程引起的停工時間。 此外，儲存組件220的表面處理（例如，疏水處理）可以減少細粉塵的粘附並且更容易將它們洗掉，從而增加儲存組件的防塵能力。

儲存組件（例如，儲存組件220）可被分成不同的區域，在所述不同的區域上應用親水性和疏水性的不同表面處理。 在一些實施例中，可以部分地/選擇性地或完全地對座蓋221和座構件222之一或兩者進行表面處理。 例如，在一些實施例中，座蓋221和座構件222的內表面（例如，在內盒閉合時向內暴露的表面）可以（例如，在對應於所接收的工件的正投影的區域處）接收親水處理，而其餘區域保持未經處理或經疏水處理。

在某些實施例中，座構件222的工件容納區域222a是用第一類型處理方式處理的。  在一些實施例中，第一類型處理區域包括親水性處理區域。 當由於環境條件變化（例如，設備故障）而發生水冷凝時，工件容納區域222a（例如，所接收的光罩的正投影下的內部中心區域）中出現的水滴可產生較小的潤濕角（其轉換成較低的總液滴高度），因此，降低了與存儲的光罩冷凝接觸的可能性。

在一些實施例中，該座構件的內表面進一步用第二類型表面處理來處理。 例如，座構件222具有配置在工件收容區域222a的周圍的第二處理區域（例如週邊區域）。 在一些實施例中，第二類型處理區域包括疏水性處理區域。 設置有疏水處理的座構件222在清潔之後可以更容易地乾燥。 在一些實施例中，座構件222的外表面（例如，在內盒閉合時向外暴露的表面）也可以用疏水處理來處理。

在一些實施例中，座構件222和座蓋221基本由金屬製成。 此外，疏水處理區域的表面電阻值小於約10 ¹¹Ω。 例如，在該儲存組件上的疏水塗層可以保持低於1 um以維持靜電荷消散能力。 在一些實施例中，疏水處理區域上的疏水層具有小於約1um的厚度。

圖58是根據本發明的一些實施例示出的座構件的等距分解視圖。 為了說明的簡單和清楚起見，該示例性設備的一些細節/子構件未在本圖中明確地標記。

在所示出的實施例中，座構件322包括主體322a，該主體具有儲存部分325，該儲存部分限定穿過其幾何中心區域C的縱向軸線L _{3 。}主體322a進一步包括沿著縱向軸線L ₃延伸的一對側翼部分326，每個側翼部分具有減小的厚度（即，比儲存部分325的厚度薄）。 在前述實施例中描述的材料、表面處理和/或塗覆佈置可以被應用於示例性座構件322。

示例性座構件322包括被佈置在主體322a的底面上的多個擴散端口組件327a。 在所示出的實施例中，擴散端口組件327a包括被佈置成穿過主體322a的多個埠327b以及經配置以覆蓋這些埠327b的過濾膜327c。 在所示實施例中，擴散端口組件327a還設置有過濾器蓋（例如，過濾器蓋327d），該過濾器蓋經配置以固持過濾膜327c。 示例性過濾器蓋327d由穿孔板製成，該穿孔板設置有與過濾膜327c相當的平面區域。 在一些實施例中，過濾器蓋可通過卡扣配合元件（例如，具有如圖68所示的閂鎖構件1327d）緊固在座構件322的底面上。 在所示實施例中，擴散端口組件327a還設置有蓋固持構件327e（諸如螺絲），該蓋固持構件經配置以將過濾器蓋327d緊固在座構件322的底面上。

座構件322的主體322a上的擴散端口組件327a的配置可以考慮各種因素，例如座構件322的外表面（例如，底面）在組裝時的總體平坦度。 例如，示例性過濾器蓋327d經配置以被嵌入主體322a中，使得過濾器蓋327d的面向外的表面不從座構件322的底面突出。 在所示出的實施例中，擴散端口組件327a在座構件322的主體322a的底面上配置有凹入特徵327f，該凹入特徵被配置以容納過濾器蓋327d。 在一些實施例中，凹入特徵327f還用作重量剃削措施，其起到減小主體322a的總質量的作用。

用於座構件的材料可考慮各種因素，諸如其暴露於的周圍環境（例如，暴光裝置內部的條件）。 一方面，常規的過濾器構件經常包含某些基礎材料（例如，特氟綸/PTFE）。 然而，在某些精密的應用（例如，EUV光刻工藝）中，將過濾元件中的某些內容物暴露於極端環境條件（例如，EUV發射）可能導致對製造工藝有害的不期望的副產物（例如，廢氣）的產生。 在一些實施例中，該下過濾膜（例如，過濾膜327c）基本不含氟成分。 在一些實施例中，該過濾膜可以基本由金屬材料（如鎳）製成。 在一些實施例中，該金屬過濾膜可以通過電鑄工藝來製造。 在一些實施例中，過濾器蓋和蓋緊固件也基本不含氟成分。 用於過濾器蓋和蓋緊韌體的合適材料可以是金屬，例如鋁。

如本圖中所示，座構件322在儲存部分325內具有第一可觀察區域Z ₃₁以允許觀察所接收的基板。 在所示實施例中，座構件322包括嵌入在第一可觀察區域Z ₃₁中的兩個內部光學構件3221、3222。 在一些實施例中，內部光學構件3221/3222可以密封地安裝在第一可觀察區域Z ₃₁中。 例如，內部光學構件3221/3222的配置可包括在透光構件周圍的密封構件（例如，O形環）。 通常，內部光學構件3221/3222的配置提供密封的外殼，該密封外殼能夠充分地防止灰塵和濕氣通過光學構件和座構件之間的結構介面進入內部空間。 在一些實施例中，光學構件3221/3222可以經配置以實現氣密級密封。 在一些實施例中，兩個內部光學構件3221、3222的合適材料可與前述實施例中描述的那些材料相當。

圖59a根據本發明的一些實施例示出了的座構件的仰視圖。 圖59b根據本發明的一些實施例示出了座構件的示例性橫截面圖。 圖59b可以是沿著圖59a中所示的A-A的示例性橫截面視圖。 為了說明的簡單和清楚起見，該示例性設備的一些細節/子構件未在本圖中明確地標記。

在示出的實施方式中，座構件422被配置為接收具有圖案區域P和護膜P ₄的光罩R ₄。 在當前視角中，座構件422的示例性儲存部分425設置有槽（例如，重量剃削區域4220），該槽被配置為容納所接收的光罩R ₄的護膜P _{4 。}重量剃削區域4220與圖案區域P和護膜P ₄的投影相對應地佈置。 在所示實施例中，擴散端口組件427a佈置在重量剃削區域4220。 這種布置允許抽出或去除儲存組件內的圖案區域P和護膜P ₄下方的氣體，從而減輕護膜P ₄上的水冷凝和/或霧/析出物形成。 此外，座構件422設置有基本平坦的底面。 在當前的截面圖中，過濾器蓋427d和蓋固持構件427e在組裝時保持與座構件422的外表面（例如，底面422c）基本齊平。

在一些實施方式中，多個擴散端口組件中的至少一個擴散端口組件佈置在儲存部分的幾何中心區域C周圍的相應象限區域（例如，區域I、II、III、IV）。 例如，示例性座構件422被示出為具有兩個垂直平分線L ₄₁、L ₄₂，這兩個垂直平分線將座構件422基本分成四個象限區域I、II、III、IV。 示例性座構件422包括分別佈置在四個象限區中的四個擴散端口組件427a。 這種佈局佈置可以有助於在保持結構完整性的同時保持儲存部分425的更好的整體平衡。 均勻且對稱的分佈佈局還可幫助產生更均勻的擴散效果。

在所示出的實施例中，座構件422包括配置有兩個內部光學構件4221、4222的第一觀察區Z ₄₁。 內部光學構件4222具有比內部光學構件4221更大的平面面積。 在當前的截面圖中，具有較大平面面積的內部光學構件4222被佈置為在投影上與所接收的光罩R ₄、護膜P ₄和護膜框架PF重疊。 對諸如所接收的光罩R ₄、護膜P ₄和護膜框架PF的條件、狀態和/或標識的資訊的確認，可簡單地經由通過外部可觀察區（例如，圖56中所示的第二觀察區Z ₁₂）和第一可觀察區Z ₄₁來掃描/觀察得以實現，從而減少了外盒必須被打開的次數。 在一些實施例中，座構件422的底面可進一步設置視覺圖形特徵（未示出），視覺圖形特徵佈置在兩個內部光學構件4221、4222之間。 可視圖形特徵可以包括二維條碼，例如表示內盒的身份的快速回應碼（QR碼）和用於指示儲存組件的方位的非對稱圖案。

在當前截面圖中，示例性擴散埠427b設置有基本均勻的寬度。 然而，擴散埠的橫截面配置可考慮許多因素，諸如流過其中的空氣的方向。 例如，具有向下逐漸減小的寬度的擴散埠可促進空氣的向外流動。 相反，具有向下逐漸增加的寬度的擴散埠可促進空氣的向內流動。 在一些實施方式中，擴散埠可以具有朝上/下的錐形橫截面輪廓。

圖60a是根據本發明的一些實施例示出的座構件的底視圖。 圖60b是根據本發明的一些實施例示出的座構件的示例性橫截面圖。 圖60b可以是沿圖60a中所示的V-V的示例性橫截面視圖。 為了說明的簡單和清楚起見，該示例性設備的一些細節/子構件未在本圖中明確地標記。

除了內部氣體的擴散的均勻性之外，可以考慮裝置構件的重量分佈、結構完整性以及整體重量限制。 在仰視圖中，座構件522包括設有多個重量剃削區域5220的儲存部分525，所述多個重量剃削區域5220分別佈置在座構件522的幾何中心區域C周圍的每個象限區域。 如圖60b所示，重量剃削區域5220中的示例性座構件522的厚度T ₅₁比幾何中心區域C中的厚度（即，厚度T ₅₂）薄。 過濾器蓋527d和蓋固持構件527e在組裝時保持與座構件522的外表面522c基本齊平。

這種佈局佈置可以有助於保持座構件的主體的更好的整體平衡，同時維持結構完整性和整體重量限制。 在一些實施例中所述擴散端口組件中的至少一個擴散端口組件被佈置在對應的重量剃削區域5220。 例如，座構件522包括分別佈置在重量剃削區域5220中的四個擴散端口組件527a。

圖61a是根據本發明的一些實施例示出的座構件的俯視圖。 圖61b是根據本發明的一些實施例示出的座構件的示例性橫截面圖。 圖61b可以是沿圖61a中所示的VI-VI的示例性橫截面視圖。

在圖61a中，座構件622設置有工件接收區域622a和圍繞工件接收區域622a的周邊區域622b。 周邊區域622b的頂面被配置為形成與座蓋的表面對表面接觸以便建立氣密密封。 在一些情形中，氣密密封可能由於工藝變化問題（諸如表面處理誤差）而不能達到期望的水準。 污染物如顆粒因此可能會進入儲存組件。

在所示出的實施例中，座構件622進一步配置有溝槽結構622e，該溝槽結構具有封閉工件接收區域622a的平面環形輪廓。 進入儲存組件的顆粒污染物可以被困或捕獲在溝槽結構622e內。

在當前俯視圖中， 座構件622設置有多個定位結構624，所述多個定位結構624在所述工件接收區域622a的相應轉角周圍突出地佈置。 示例性溝槽結構622e包括分別包圍這些定位結構624的多個引導溝槽區段622g。 在所示出的實施例中，定義所述引導溝槽區段622g的壁622w在平面輪廓呈圓滑形的輪廓。 在一些實施例中，引導溝槽結構的壁622w的最靠近內部區域（例如，工件接收區域622a）的部分具有圓滑的平面輪廓，該圓滑的平面輪廓被配置成用於引導侵入（例如，被抽吸到基座中）的顆粒離開座構件622。 在一些實施例中，引導溝槽結構的壁可由彼此連續連接的多個弧形部分的組合構成。

在當前的截面視圖中，座構件622的儲存部分625在工件接收區域622a內配置有重量剃削區域6220。 重量剃削區域6220具有與基板R ₆的圖案區域P的投影相對應地佈置的槽。 在當前的俯視圖中，該座構件配置有佈置在重量剃削區域6220（由陰影區域指示）中的四個擴散端口組件。

圖62是根據本發明的一些實施例的座蓋的等距分解視圖。

在所示出的實施例中，座蓋721配置有上擴散誘導組件729。 示例性上擴散誘導組件729包括穿過座蓋721佈置的多個埠729b、上過濾膜729c和設置有穿孔板的過濾器蓋729d。 在一些實施例中，上過濾膜729c具有與下過濾膜（例如，圖58中所示的過濾膜327）實質上不同的材料組成。 例如，上過濾膜729c可以包括基於織物的材料，並且下過濾膜（例如，過濾膜329c）基本不含氟成分。

在示出的實施方式中，上擴散誘導組件729進一步設置有用於增強過濾器蓋729d與座蓋721之間的密封接合的密封件。 例如，過濾模組（例如上擴散誘導組件729）還包括設置在過濾器蓋729d的周邊與座蓋721之間的密封環729g。 在一些實施例中，過濾器蓋729d的周邊可以形成用於容納密封環729g的面向下的環形凹槽。

在一些實施例中，上擴散誘導組件729被佈置成與下擴散誘導組件（例如，擴散端口組件527a）投影地重疊。

圖63a至圖63e是根據本發明的各種實施方式分別示出的座構件的示意圖。

形成在座構件上的擴散埠的形狀、大小和佈置不需要受到限制，只要擴散端口組件與座構件的中心區域錯位即可。 例如，圖63a和圖63b中所示的示例性擴散埠設置有在平面輪廓呈圓滑形的輪廓。 然而，圖63c和圖63d中的擴散埠具有細長的平面輪廓。 圖63d中的細長擴散埠設置有曲率。 圖63e中的擴散埠具有矩形平面輪廓。

圖64a是根據本發明的一些實施例示出的座構件的示意圖。 圖64b是根據本發明的一些實施例示出的座構件的示例性橫截面圖。 圖64b可以是沿著圖64a中所示的IX-IX的示例性橫截面視圖。

在一些實施例中，該座構件的擴散誘導組件可以進一步配置有一個或多個空氣引導通道，該一個或多個空氣引導通道在接合時流體地連接相鄰的擴散端口組件。 例如，圖64a中所示的示例性座構件922配置有具有交叉平面輪廓的凹槽結構9270。 凹部結構9270的四個端部佈置成與四個擴散端口組件927a投影地重疊。

在圖64b中，存儲在座構件922上的光罩R ₉被座蓋921覆蓋。 座蓋921與座構件922接合。 座構件922設有多個擴散埠927b和過濾膜927c。 在當前的截面圖中，底面（設置有圖案區域）R _p和凹槽結構9270共同限定將相鄰的擴散埠927b流體連接的通道。 這種布置允許通過鄰近的擴散端口組件927a提取或減少通道內的氣相污染物（例如濕氣）。

圖65a至圖65b是根據本發明的一些實施例分別示出的座構件的示意圖。

該擴散誘導組件的空氣引導通道的形狀、大小和佈置不需要受到限制，只要該空氣引導通道與相鄰擴散端口組件處於流體連接即可。 例如，在圖65a中，座構件1022設置有具有圓形平面輪廓的凹槽結構10270。 凹槽結構10270的週邊區域與擴散端口組件1027a重疊。 在圖65b所示的實施例中，座構件設置有三個凹槽結構10270。

圖66a和圖66b是根據本發明的一些實施例分別示出的示例性座蓋的示意圖。

在一些實施例中，座蓋的上擴散誘導組件可以進一步配置有與下擴散誘導組件的空氣引導通道相似的空氣引導通道。 例如，圖66a和圖66b中所示的座蓋1121的上擴散誘導組件1127配置有一個或多個凹槽結構11270，該一個或多個凹槽結構與擴散端口組件1127a投影地重疊。

圖67a至圖67b分別是根據本發明的一些實施例示出的座構件的示意圖。

在圖67a中，座構件1222的下擴散誘導組件1227設置有三個凹槽結構12270。 在圖67b所示的實施例中，下擴散誘導組件1227設置有一個凹槽結構12270。

因此，本文的一個方面提供了一種包括儲存組件的工件容器系統，所述儲存組件包括座構件。 所述座構件具有儲存部分，所述儲存部分限定通過其幾何中心區域的縱向軸線，所述儲存部分設置有工件接收區域，所述工件接收區域包含所述幾何中心區域並且經配置以接收工件。 該座構件具有一對側翼部分，該對側翼部分沿著該縱向軸線被佈置在該儲存部分的相反側上，每個側翼部分具有比該儲存部分的厚度更薄的厚度。 所述儲存部分設置有擴散誘導組件，其位在工件接收區域中且與所述幾何中心區域錯位。

在一些實施例中，所述工件接收區域經配置以接收具有圖案區域的基板。 擴散誘導組件設置在圖案區域的平面投影內。

在一些實施例中，所述擴散誘導組件包括多個擴散端口組件，所述多個擴散端口組件佈置在所述工件接收區域中且在所述儲存部分的幾何中心區域周圍。

在一些實施例中，擴散端口組件包括過濾器蓋和蓋固持構件。 過濾器蓋和蓋固持構件在組裝時保持與座構件的外表面基本齊平。

在一些實施例中，所述擴散端口組件還包括過濾膜，所述過濾膜經配置以由所述過濾器蓋保持。 該過濾膜基本不含氟成分。

在一些實施例中，這些擴散端口組件中的至少一個擴散端口組件被佈置在該儲存部分的幾何中心區域周圍的對應象限域。

在一些實施例中，該座構件的儲存部分配置有多個重量剃削區域，這些重量剃削區域被分別佈置在該幾何中心區域周圍的每一個象限區域。 重量剃削區域中的座構件的厚度比幾何中心區域中的薄。 擴散端口組件分別佈置在重量剃削區域。

在一些實施例中，該座構件的儲存部分配置有與該圖案區域的一個投影相對應地佈置的一個重量剃削區域。 擴散端口組件佈置在重量剃削區域。

在一些實施例中，所述座構件具有溝槽結構，所述溝槽結構具有封閉所述工件接收區域的平面環形輪廓。

在一些實施例中，座構件進一步設置有多個定位結構，所述多個定位結構在工件接收區域的相應轉角周圍突出地佈置。 溝槽結構包括多個引導溝槽段，所述多個引導溝槽段分別圍繞所述定位結構。

因此，本發明的一個方面提供了一種包括儲存組件的工件容器系統，該儲存組件包括座構件和座蓋。 所述座構件限定工件接收區域，所述工件接收區域包含所述工件接收區域的幾何中心區域，所述工件接收區域經配置以接收具有圖案區域的基板。所述座構件設有下擴散誘導組件，下擴散誘導組件在基底的圖案區域的平面投影內且與所述幾何中心區域錯位。 該座蓋被配置以在其工件接收區域周圍的周邊區域處接合該座構件，經配置以配合地形成用於容納該基底的封閉件。

在一些實施例中，該下擴散誘導組件包括多個擴散端口組件，所述上擴散誘導組件在該工件接收區域中被佈置在該幾何中心區域周圍。

在一些實施例中，擴散端口組件包括過濾器蓋、被經配置以由過濾器蓋保持的下過濾膜、及蓋固持構件。 過濾器蓋和蓋固持構件在組裝時保持與座構件的外表面基本齊平。

在一些實施例中，該下過濾膜基本不含氟成分。

在一些實施例中，座蓋設置有與下擴散誘導組件投影地重疊的上擴散誘導組件。 上擴散誘導組件具有上過濾膜，該上過濾膜具有與下過濾膜基本不同的材料組成。

在一些實施例中，該上過濾膜包括一種基於織物的材料。 該下過濾膜包括一種金屬材料。

在一些實施方式中，擴散端口組件中的至少一個擴散端口組件佈置在所述幾何中心區域周圍的相應的象限區域。

在一些實施例中，座構件設置有多個重量剃削區域，所述多個重量剃削區域分別設置在所述幾何中心區域周圍的每個象限區域。 重量剃削區域中的座構件的厚度比幾何中心區域中的的厚度薄。 擴散端口組件分別佈置在重量剃削區域。

在一些實施例中，座構件設置有與基板的圖案區域的投影相對應地佈置的重量剃削區域。 擴散端口組件佈置在重量剃削區域。

在一些實施例中，該系統進一步包括運輸組件，該運輸組件被配置成用於封閉該儲存組件同時允許對該儲存組件的座構件進行光學觀察。

圖1至圖13所使用之符號說明 100:增加對流的光罩盒 200:增加對流的光罩盒 1:第一主體 11:第一對應區 1a:第一主體 1b:第一主體 1c:第一主體 1d:第一主體 1e:第一主體 2:第二主體 21:第二對應區 22:側邊 23:第三氣流通道 2a:第二主體 2b:第二主體 3:第一氣流通道 3’:第一氣流通道 4:凹槽 5:第二氣流通道 6:凹槽 7:過濾構件 8:第一主體 81:第一對應區 8a:第一主體 8b:第一主體 9:第二主體 92:側邊 93:第三氣流通道 R:光罩 R1:正面 R2:背面 S:容置空間 圖14至圖34所使用之符號說明 R:工件 1:容器 10:外盒總成 11:上部分 12:下部分 13:容置空間 20:內盒總成 21、31、1001、1101、1201、1301、1501、1601、1701、1801、1901、2001、2101:基座 210、310:上表面 211、311:承載面 212、312:溝槽 213、313:第一接面 214、314、1014、1114、1214、1314、1414A、1414B、1414C、1414D、1514、1614、1714、1814、1914、2014、2114:定位件 215:周圍壁 216:容槽 217:阻隔件 22:蓋子 221:凹腔 222:降級面 223:第二接面 224:導位塊 225:彈性件 226:進氣口 23:光罩承載位置 1011、1111、1211、1311、1411A、1411B、1411C、1411D、1511、1611、1711、1811、1911、2011、2111:內區域 1013、1113、1213、1313、1513、1613、1713、1813、1913、2013、2113:外區域 1031、1131、1231、1331、1431A、1431B、1431C、1431D、1531、1631、1731、1831、1931、2031、2131:支撐件 1032、1132、1232、1332、1432A、1432B、1432C、1432D、1532、1632、1732、1832、1932、2032、2132:導溝結構 1212、1312、1512、1612、1712、1812、1912、2012、2112:周邊溝槽結構 1536、1636、1736、1836、1936、2036、2136:緩衝邊緣 1837、1937、2037、2137:壁 圖35至圖44所使用之符號說明 200:真實平面 201、202:虛擬平面 203:工件 300:容器 310:基座 311:頂部水平面 312:第一支撐面 313:支撐組件 320:盒蓋 321:過濾通道 322:第二支撐面 d1、d2:平面度 400:環狀溝槽 700:環狀溝槽 701、702:環狀接觸面 800:腔體 801、802:閥 P _outside、P _inside:壓力 d:距離 L:長 W:寬 G:間距 R:光罩 CS1、CS2:剖面 圖45至圖47所使用之符號說明 100:外盒 101:盒蓋 102:基座 110:內盒 111:盒蓋 112:基座 120:光罩 200:底面 200A、200B:半部 200’:第一區域 200”:第二區域 201:第一標記 202:第二標記 203:中央軸 204:橫軸 210:握持部 300:內盒 310:製程機台 311、312、313、314:探測光源 D1:橫向偏移距離 D2:縱向偏移距離 圖48至圖55所使用之符號說明 100:外盒 101:盒蓋 102:基座 110:內盒 111:盒蓋 112:基座 113:頂部 114:支撐銷 115:限位銷 120:光罩 200:蓋部 2001:固定孔 201:彈性部 2011:套筒 2012:固定翼 2013:凹槽 2014:安裝孔 202:可動部 2021:帽部 2022:銷 400:壓制部 500:彈性部 501:連接部 600:蓋部 6001:固定孔 6002:孔 601:彈性部 6011:套筒 6012:固定翼 6013:凸塊 6014:安裝孔 6015:支撐塊 6013:凸塊 602:可動部 6021:帽部 6022:銷 604:壓制部 800:蓋部 801:第一彈性部 8011:支撐塊 802:可動部 803:第二彈性部 M1:第一磁鐵 M2:第二磁鐵 L1:水平 L2:水平 R:光罩 圖56至圖68所使用之符號說明 100:工件容器系統 110:運輸組件 111:外蓋 112:外基座 112a:上平臺 112b:下平臺 1121:外部光學構件 Z12:第二觀察區 120:儲存組件 121:座蓋 122:座構件 122a:工件容納區域 1221:內部光學構件 124:支撐柱 125:儲存部份 126:側翼部份 127:組件 128:組件 129:組件 141:壓緊銷 171:推動元件 190:支撐結構 R1:光罩 Zl1:第一觀察區 220:儲存組件 221:座蓋 222:座構件 222:座構件 C:幾何中心區域 322:座構件 224:支撐柱 225:儲存部份 226:側翼部份 222a:工件容納區域 222b:周邊區域 P:圖案區域 L2:縱向軸線 322a:主體 3221:內部光學組件 3222:內部光學組件 327a:擴散端口組件 327b:埠 327c:過濾膜 327d:過濾器蓋 327e:蓋固持構件 Z31:第一觀察區 422:座構件 I、II、III、IV:象限區域 L41:垂直平分線 L42:垂直平分線4220:重量剃削區域 427a:擴散端口組件 P4:護膜 PF:護膜框架 R4:光罩 522:座構件 5220:重量剃削區域 527a:擴散端口組件 T51:厚度 T52:厚度 622:座構件 624:定位結構 622a:工件接收區域 622e:溝槽結構 622g:引導溝槽區段 729:上擴散誘導組件 729b:埠 729:上過濾膜 729d:過濾器蓋

圖1係為根據本發明第一實施例之增加對流的光罩盒之立體示意圖。 圖2係為根據本發明第一實施例之第一主體之第二種態樣示意圖。 圖3係為根據本發明第一實施例之第一主體之第三種態樣示意圖。 圖4係為根據本發明第一實施例之第一主體之第四種態樣示意圖。 圖5係為根據本發明第一實施例之第一主體之第五種態樣示意圖。 圖6係為根據本發明第一實施例之第一主體之第六種態樣示意圖。 圖7係為根據本發明第一實施例之第二主體之第二種態樣示意圖。 圖8係為根據本發明第一實施例之第二主體之第三種態樣示意圖。 圖9係為根據本發明第一實施例之過濾構件之示意圖。 圖10係為根據本發明第一實施例之增加對流的光罩盒之剖面示意圖。 圖11係為根據本發明第二實施例之增加對流的光罩盒之立體示意圖。 圖12係為根據本發明第二實施例之第一主體之第八種態樣示意圖。 圖13係為根據本發明第二實施例之第一主體之第九種態樣示意圖。 圖14示出了根據本發明的一些實施例的極紫外光光罩容器的爆炸圖。 圖15示出了根據本發明的一些實施例的圖14中基座的透視圖。 圖16示出了根據本發明的一些實施例的圖14中內盒總成及極紫外光光罩的剖面圖。 圖17示出了根據本發明的一些實施例的圖16中基座上具有阻隔件時的剖面圖。 圖18示出了根據本發明的一些實施例的圖15中基座的剖面圖。 圖19示出了根據本發明的一些實施例的圖14中蓋子的透視圖。 圖20示出了根據本發明的一些實施例的圖14中蓋子的另一個透視圖。 圖21示出了根據本發明的一些實施例的圖14-16中承載面、溝槽及第一接面的透視圖。 圖22示出了根據本發明的一些實施例的承載面、溝槽及第一接面的透視圖。 圖23示出了根據本發明的一些實施例的基座的透視圖。 圖24示出了根據本發明的一些實施例的基座的透視圖。 圖25示出了根據本發明的一些實施例的基座的透視圖。 圖26示出了根據本發明的一些實施例的基座的透視圖。 圖27A-27D示出了根據本發明的一些實施例的基座的透視圖。 圖27E示出了根據本發明的一些實施例的沿著B-B’線的基座的剖面圖。 圖27F示出了根據本發明的一些實施例的沿著B-B’線的基座的剖面圖。 圖28A示出了根據本發明的一些實施例的基座的透視圖。 圖28B示出了根據本發明的一些實施例的沿著C-C’線的基座的剖面圖。 圖29示出了根據本發明的一些實施例的基座的透視圖。 圖30示出了根據本發明的一些實施例的基座的透視圖。 圖31示出了根據本發明的一些實施例的基座的透視圖。 圖32示出了根據本發明的一些實施例的基座的透視圖。 圖33示出了根據本發明的一些實施例的基座的透視圖。 圖34示出了根據本發明的一些實施例的基座的透視圖。 圖35為計算中心線平均粗糙度（Ra）之步驟示意圖。 圖36為一工件之表面波狀（Waviness）之平面度的示意圖。 圖37為另一工件之表面撓曲之平面度的示意圖。 圖38A顯示一基板容器（如光罩盒）的立體分解圖。 圖38B顯示盒蓋和基座結合的邊緣剖面圖。 圖39A顯示基座和盒蓋間接觸面的一實施例之示意圖。 圖39B至圖39E顯示基於圖39A所示實施例，沿剖面綫A-A，基座和盒蓋間各種態樣接觸面之剖面圖。 圖40A顯示基座和盒蓋間接觸面的另一實施例之示意圖。 圖40B至圖40D顯示基於圖40A所示實施例，沿剖面綫B-B，基座和盒蓋間各種態樣接觸面之剖面圖。 圖41A顯示基座和盒蓋間接觸面的再一實施例之示意圖。 圖41B至圖41D顯示基於圖41A所示實施例，沿剖面綫C-C，基座和盒蓋間各種態樣接觸面之剖面圖。 圖42A顯示基座和盒蓋間接觸面的又一實施例之示意圖。 圖42B顯示基於圖42A所示實施例，沿剖面綫D-D，基座和盒蓋間接觸面之剖面圖。 圖43例示基板容器的內外壓力測試方式。 圖44A示意盒蓋和基座結合的接觸面因撓曲而呈現的間隙。 圖44B顯示基座和盒蓋相接觸時其間產生波狀間隙之放大示意圖。 圖44C顯示分別顯示基座之第一支撐面與盒蓋之第二支撐面的平面度之示意圖（基座和盒蓋未結合）。 圖45為一光罩盒的爆炸圖。 圖46為本發明光罩盒的仰視圖。 圖47A及圖47B分別示意本發明光罩盒位於一製程機台中多個標記和探測光源的關係。 圖48為光罩外盒和容置於其中的光罩盒分解圖。 圖49A及圖49B為根據圖48虛線平面的剖面圖，分別例示本發明銷組件的一實施例及其有無容置光罩的狀態。 圖50A至圖50C分別顯示前述銷組件實施例的各部件。 圖51例示前述銷組件實施例與光罩外盒的互動。 圖52例示本發明銷組件的另一實施例。 圖53A及圖53B為根據圖48虛線平面的剖面圖，分別例示本發明銷組件的再一實施例及其有無容置光罩的狀態。 圖54A至圖54C分別顯示前述銷組件實施例的各部件。 圖55例示本發明銷組件的又一實施例。 圖56示出了根據本發明的一些實施例的工件容器系統的示例性橫截面圖; 圖57示出了根據本發明的一些實施例的工件容器系統的等距視圖; 圖58示出了根據本發明的一些實施例的座構件的等距分解視圖; 圖59a示出了根據本發明的一些實施例的座構件的底視圖; 圖59b示出了根據本發明的一些實施例的座構件的示例性橫截面圖; 圖60a示出了根據本發明的一些實施例的座構件的仰視圖; 圖60b示出了根據本發明的一些實施例的座構件的示例性橫截面視圖; 圖61a示出了根據本發明的一些實施例的座構件的俯視圖; 圖61b示出了根據本發明的一些實施例的座構件的示例性橫截面視圖; 圖62示出了根據本發明的一些實施例的座蓋的等距分解視圖; 圖63a至圖63e分別示出了根據本發明的一些實施例的座構件的示意圖; 圖64a示出了根據本發明的一些實施例的座構件的示意圖; 圖64b示出了根據本發明的一些實施例的座構件的示例性橫截面視圖; 圖65a至圖65b分別示出了根據本發明的一些實施例的座構件的示例性橫截面圖; 圖66a至圖66b分別示出了根據本發明的一些實施例的座蓋的示意圖; 圖67a至圖67b分別示出了根據本發明的一些實施例的座構件的示意圖;及 圖68示出了根據本發明的一些實施例的座構件的示意圖。

100:增加對流的光罩盒

1:第一主體

11:第一對應區

2:第二主體

22:側邊

23:第三氣流通道

3:第一氣流通道

R:光罩

R1:正面

R2:背面

S:容置空間

Claims (1)

1. 一種光罩盒，包含： 一基座，具有一朝上頂面與一環繞該朝上頂面之朝上支撐面，該朝上頂面設置複數個支撐銷與複數個限位銷；以及 一盒蓋，具有對應該朝上支撐面之一朝下支撐面，該盒蓋設置複數個銷組件，該銷組件配置成可相對於該盒蓋垂直地移動，致使該等銷組件與該等支撐銷彼此配合用於固持一光罩於該基座與該盒蓋所界定的一容納空間中； 其特徵在於： 該朝下底面具有至少一第一標記及至少一第二標記，該第一標記具有相對於一光源的一第一反射率，該第二標記具有相對於該光源的一第二反射率，該第一反射率和該第二反射率不相同，分別用於關聯該光罩盒在一製程機台內的一放置訊息與關聯該光罩盒的一識別訊息； 該朝上支撐面與該朝下支撐面各別的一平面度皆小於0.04毫米，以在該朝上支撐面與該朝下支撐面相接觸時於其間形成一密封； 該朝上頂面設置具有過濾膜之擴散誘導組件，該擴散誘導組件位於該光罩朝向該朝上頂面的平面投影內，藉由該朝上支撐面與該朝下支撐面相接觸所形成的密封，在該容納空間與盒外之間有壓力差時，經由該擴散誘導組件增加盒內的對流。

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