CN114313545A - 工件容器系统 - Google Patents

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CN114313545A CN202110402342.6A CN202110402342A CN114313545A CN 114313545 A CN114313545 A CN 114313545A CN 202110402342 A CN202110402342 A CN 202110402342A CN 114313545 A CN114313545 A CN 114313545A
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邱铭乾
庄家和
薛新民
温星闵
林书弘
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Gudeng Precision Industrial Co Ltd
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Abstract

本文公开了包括存储组件的工件容器系统，所述存储组件包括座构件。所述座构件具有存储部分，所述存储部分限定通过其几何中心区域的纵向轴线，所述存储部分设置有工件接收区域，所述工件接收区域包含所述几何中心区域并且经配置以接收工件。该座构件具有一对侧翼部分，该对侧翼部分沿着该纵向轴线被设置在该存储部分的相反侧上，每个侧翼部分具有比该存储部分的厚度更薄的厚度。存储部分具有扩散诱导组件，所述扩散诱导组件在工件接收区域中且与所述几何中心区域错位。

Description

工件容器系统
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年9月30日提交的中国台湾专利申请号109134304及2021 年2月5日提交的美国专利申请号17/168207的权益，所述申请在此通过引用并入本文并且构成说明书的一部分。
技术领域
本案涉及用于存储、运输、航运和处理诸如光掩模、掩模版和晶片等易碎物体的容器，并且尤其涉及用于存储、运输、航运和处理掩模版的保持固持系统，该掩模版用于极紫外(extreme ultraviolet,EUV)光刻工艺的处理。
背景技术
在半导体行业中，随着工件容器(例如，光掩模/掩模版保持器掩模版固持器)有效载荷的精度要求的提高，工件容器得到了发展，以满足提高工件保护水平使其免受潜在环境危害的需求。
例如，新一代的掩模版(reticle)固持器有时设置有双盒结构，该双盒结构包括用于接收/储存掩模版的储存组件(例如，内盒单元)和用于容纳/ 运输该储存组件的运输组件(例如，外盒单元)。在运输期间，掩模版可被包装在存储组件内。出于存储目的，可将其中容纳掩模版的容器系统(例如，在大气环境下由机器人)运送至外开盒器。此后，该运输组件可以被该开盒器打开以便允许从中取出该储存组件。然后，内盒可以(例如，在真空环境下由机器人)被运送到真空掩模版库并且存储在其中。为了执行光刻工艺，当到达曝光设备内部的指定位置时，在使用包含被收容的掩模版进行后续曝光过程之前，就可以打开内盒。
然而，当使用该容器系统来储存/运输工件时，在该储存组件内部可能存在颗粒污染物、气相污染物(例如，废气或湿气)、或空气传播的分子污染物(airborne molecularcontaminants，AMC)。污染物可能不利地影响所接收的工件。因此，需要一种用于容器系统的污染控制机制。
附图说明
为了可以详细地理解本案的所述特征，可以通过参考实施例来对以上简要概述的本案进行更详细的描述，其中一些实施例在附图中示出。然而，应当注意，附图仅示出了本案的典型实施例，因此不应被认为是对其范围的限制，因为本案可以允许其他同等有效的实施例。
图1示出了根据本案的一些实施例的工件容器系统的示例性横截面图；
图2示出了根据本案的一些实施例的工件容器系统的等距视图；
图3示出了根据本案的一些实施例的座构件的等距分解视图；
图4a示出了根据本案的一些实施例的座构件的底视图；
图4b示出了根据本案的一些实施例的座构件的示例性横截面图；
图5a示出了根据本案的一些实施例的座构件的仰视图；
图5b示出了根据本案的一些实施例的座构件的示例性横截面视图；
图6a示出了根据本案的一些实施例的座构件的俯视图；
图6b示出了根据本案的一些实施例的座构件的示例性横截面视图；
图7示出了根据本案的一些实施例的座盖的等距分解视图；
图8a至图8e分别示出了根据本案的一些实施例的座构件的示意图；
图9a示出了根据本案的一些实施例的座构件的示意图；
图9b示出了根据本案的一些实施例的座构件的示例性横截面视图；
图10a至图10b分别示出了根据本案的一些实施例的座构件的示例性横截面图；
图11a至图11b分别示出了根据本案的一些实施例的座盖的示意图；
图12a至图12b分别示出了根据本案的一些实施例的座构件的示意图；并且
图13示出了根据本案的一些实施例的座构件的示意图。
然而，应当注意，附图仅示出了本案的示例性实施例，因此不应被认为是对其范围的限制，因为本案可以允许其他同等有效的实施例。
应该注意的是，这些附图旨在示出在某些示例实施例中使用的方法、结构和/或材料的一般特性，并且对以下提供的书面描述进行补充。然而，这些附图不是按比例绘制的，可能无法精确地反映任何给定实施例的精确结构或性能特性，并且不应被解释为限定或限制示例实施例所涵盖的值或特性的范围。例如，为了清楚起见，各层、区域和/或结构元件的相对厚度和定位可能被缩小或放大。在各个附图中使用相似或相同的附图标记旨在指示存在相似或相同的元件或特征。
具体实施方式
现在将在下文中参考附图更充分地描述本案，在附图中示出了本案的示例性实施例。然而，本案可以以许多不同的形式来实现，并且不应被理解为限于本文所述的示例性实施例。相反，提供这些示例性实施例使得本案变得透彻且完整，并向本领域技术人员充分传达本案的范围。在全文中，相同的附图标记指代相同的元件。
本文使用的术语仅用于描述特定示例性实施例，而非旨在限制本公开。如本文所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”也旨在包括复数形式，除非上下文另外明确指出。还将理解，在本文中使用时，术语“包括”、“包含”或“具有”指定存在所述特征、区域、整数、步骤、操作、元件和/或部件，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征、区域、整数、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组。
除非另有说明，否则本文中使用的全部术语(包括科技术语)的含义与本公开所属领域的普通技术人员通常所理解的含义相同。还将理解的是，术语(诸如在常用词典中定义的术语)应被解释为其含义与其在相关领域和本公开的上下文中的含义一致，并且不会在理想化或过于正式的意义上来解释，除非本文这样明确定义。
将结合附图1至13对示例性实施例进行描述。将参照附图对本公开进行详细描述，其中所描绘的元件不必按比例示出，并且其中相同或相似的元件通过几幅视图中相同或相似的附图标记或者相同或相似的术语表示。
图1示出了根据本案的一些实施例的工件容器系统的示例性横截面图。为了说明的简单和清楚起见，该示例性设备的一些细节/子构件未在本图中明确地标记/示出。
参照图1，示例性工件容器系统100包括被配置成用于在其中储存工件(例如，掩模版)的内盒(例如，储存组件120)以及经配置以用于容纳储存组件120的外盒(例如，运输组件110)。
在示出的实施例中，存储组件120包括座构件122和座盖121，座盖121 被配置为接合座构件122，以便在封闭时配合地形成用于容纳工件(例如，掩模版R1)的内部空间。
示例性座构件122被配置成接收/支撑所存储的工件。座构件122包括存储部125，该存储部125设置有用于接收工件的工件接收表面(例如工件容纳区域122a)。在所示实施例中，座构件122还设置有布置在存储部分125的顶面上用于支撑掩模版R1的支撑元件(例如，支撑柱124)。座构件122还被配置为通过半导体设备的机械臂从一个室传送到另一个室。例如，座构件122进一步包括被布置在存储部分125的相反侧上的一对侧翼部分126。在当前的截面图中，侧翼部分126具有比存储部分125 薄的厚度。这种厚度差在座构件122的边缘部分附近产生台阶轮廓。该对阶梯状轮廓被配置为用作与具有叉状结构的机器人臂的接触界面。这样的布置允许座构件122由叉状臂侧向地保持和竖直地支撑。
在一些情形中，所存储的工件可以是半导体基板(例如，极紫外光刻掩模版R1)。掩模版R1的功能表面(即，其上限定有掩模布局图案的面向下的表面)需要被保持没有污染物，以便防止在光刻工艺期间对表面的损坏或投影到光致抗蚀剂层上的图像的变形。
为了保护敏感且易碎的工件免受存储组件120外部的颗粒/污染物的影响，座构件122与座盖121之间的接合可以配置有一定程度的气密性。此外，为了提供对其敏感且易碎的内容的充分保护，座盖121和座构件122可以设置有电磁干扰(electromagneticinterference，EMI)屏蔽特性。用于提供EMI屏蔽能力的合适材料可包括诸如金属的导电材料。在一些实施例中，座构件122和座盖121大致由诸如铝的金属制成。在一些实施例中，可以在储存组件120的表面的选择性区域上进一步提供表面处理如金属涂层(如铜或金)、疏水性和/或亲水性处理。
除了上述颗粒污染物之外，在该密封的储存组件内部可以存在气相污染物或空气传播的分子污染物(airborne molecular contaminants，AMC)。即使存储组件可密封地接合，在处理过程期间，当工件从容器系统移除且更换时，仍然存在空气进入系统的可能性。例如，可以在储存组件120内部发现空气中的湿气。在合适的露点温度下，一些湿气将从空气中冷凝出来并且可以沉积到掩模版R1上。气相或蒸气污染的其他来源(例如NH3(氨) 和SO2(二氧化硫))是在光掩模生命周期期间由掩模版/容器清洁操作产生的溶剂残余物。这些化学品中的一部分和湿气可促进由石英制成的掩模版上的雾/析出物(haze)的形成。掩模版R1的图案化表面上的雾/析出物的形成和/或水蒸汽的聚集可能干扰光学器件，这可导致在光刻工艺期间转移在半导体晶圆上的图案的畸变(distortion)。
示例性内盒120设有一个或多个扩散诱导组件(例如，组件127、128和 129)，其允许从内盒120减少或去除气相污染物或空气传播分子污染物。例如，这些扩散诱导元件的提供允许湿气从该储存组件内部扩散至外部环境(例如，当该储存组件内部的湿度显著大于在环境中的湿度时，或者当该系统用干净的干燥空气吹扫时)。
内部湿气可以经由一个或多个扩散诱导元件扩散出内盒120。因此，可以减轻掩模版上的水沉积或雾/析出物形成。在一些实施方式中，扩散诱导元件可包括多个形成在存储组件盖/基座上的通孔/通道/端口，其使得内盒的内部和外部之间能够流体连通。在一些实施方式中，扩散诱导组件还可包括过滤元件，该过滤元件经配置以防止颗粒污染物从中通过。
虽然存储组件120的盖单元(例如，盖构件121)的面向顶部的表面是上扩散诱导元件(例如，被布置在所接收的工件上方的扩散诱导元件129) 的方便位置，安装在顶部的扩散构件在某些应用中可能不能提供足够水平的湿度提取(humidity extraction)效率(特别是在工件的底面周围的区域处)。
例如，在一些实施例中，在装配时，座构件122的顶面与所容纳的工件的底面之间的间隔不大于0.3mm。窄间隔可能不利于工件下方的气流诱导。因此，工件下方的诸如湿气的气相污染物可能难以通过工件上方朝向顶部安装的扩散构件行进。
为了进一步提高扩散效率，示例性实施例的座构件122配置有被布置在工件下方的下扩散诱导元件127。这种布置有利于工件下方的湿气的扩散以有效地提取。
在所示出的实施例中，该运输组件110包括经配置以容纳该座构件122的外基座112和经配置以接合该外基座112(并且覆盖该储存组件120)的外盖111。在一些实施例中，外基座112和外盖111中的任一者或两者可以具有静电荷耗散特性，以允许释放积聚在所存储的工件或存储组件上的电荷。例如，在一些实施方式中，外盒110可以由与导电纤维混合的聚合物材料配置。在一些实施例中，外盖111和外基座112中的一者或两者由嵌入碳纤维的树脂材料制成。
在一些实施方式中，外盒110还可具有一个或多个气体入口端口(未示出)，其经配置以允许來自气体源的干净干燥空气(clean dry air，CDA)、额外的CDA或干燥惰性气体(例如氮气)的进入。在一些实施方式中，外盒110还可以设置有一个或多个气体出口端口，其经配置以允许减少或去除外盒110内的气体。在一些实施例中，该气体入口和/或出口端口可以进一步配置有阀，该阀经配置以控制这些端口内部的流体流动。
在一些实施例中，按压单元(例如，压紧销141)可以设置在座盖121的顶面上以用于按压/固持工件。示例性外盒110还设有推动元件171，该推动元件171设置成对应于存储组件120的压紧销141。当外盖111耦接至外基座112时，推动元件171推动压紧销141以按压/保持工件R1，从而限制工件在接收时的移动。
在示出的实施方式中，推动元件171被配置为在压紧销141的暴露部分(例如，压紧销141的顶面)处推动压紧销141。在示出的实施方式中，压力接收表面的暴露部分的投影面积的宽度小于推动元件的投影面积的宽度。
在一些实施例中，推动元件171和压紧销141还具有电荷消散特性。因此，当外盖111耦接到外基座112时，推动元件171推动压紧销141以按压工件R1，并建立从被接收的工件R1经过压紧销141和推动元件171到外盖 111的电荷消散路径(在本图中由阴影箭头指示)。在一些工作情况下，外盖111可以接地，从而允许被接收的工件R1上累积的电荷通过电荷消散路径消散到地。用于压紧销141的材料可以包括导电或静电消散材料，从而使压紧销141成为放电消散路径的一部分以能够通过其接地。在一些实施例中，压紧销141和推动元件171具有范围在约106至1011Ω的表面电阻值。在一些实施例中，压紧销141和推动元件171具有小于约105Ω的表面电阻值。
在示出的实施方式中，外盒110进一步包括布置在外部基部112上的支撑结构190，该支撑结构经配置以支撑存储组件120。支撑结构190可以与外基座112一体地形成或安装在外基座112上。在一些实施例中，存储组件120的支撑元件124和外盒110的支撑结构190进一步具有电荷耗散特性。因此，当外盖111耦接至外基座112(并且因此座构件122上的支撑元件124与工件R1建立接触)时，电荷耗散路径(在本图中由阴影箭头指示)可由所接收的工件R1形成，通过支撑元件124、座构件122和支撑结构190，到达外基座112。在一些实施例中，支撑元件124和支撑结构190具有在从约106至1011Ω的范围内的表面电阻值。在一些实施例中，支撑元件124和支撑结构190具有小于约105Ω的表面电阻值。
如图1所示，示例性系统具有被限定在座构件122的工件容纳区域122a 中的第一可观察区Z11，以允许掩模版R1的观察。在一些实施例中，第一观察区Z11可以配置有窗口，该窗口包括信号透射(signal transmissive) 结构(例如，开口或信号透射构件)。例如，示例性座位构件122包括布置在第一可观察区Z11中的内部光学构件1221。在一些实施方式中，内部光学构件1221可以由相对于红外光、可见光或紫外光信号而言信号透射的材料制成。内部光学构件1221的合适材料可包括玻璃(例如，石英玻璃)、丙烯酸、透明塑料或其他相当的材料。在图示的实施例中，内部光学构件1221可以包括一块石英玻璃，该石英玻璃嵌入式地布置在内基座 122中(工件容纳区域122a中)。
在所示实施例中，第一可观察区域Z11被相应地设计成允许在接收到掩模版R1时观察掩模版R1的识别特征(例如，一维或二维条形码)(在示意图中未明确示出)。在一些实施例中，掩模版R1的识别特征形成在面向第一可观察区域Z11中的窗口的表面上且可通过第一可观察区域Z11观察。
在所示实施例中，外基座112具有在其上限定的第二可观察区域Z12。第二可观察区域Z12被布置为与存储组件120的第一可观察区域Z11可观察地对准。这样，固持在容器系统100中的掩模版R1的快速视觉识别或光学确认(诸如掩模版R1状态和识别)可通过光学扫描通过第二可观察区域Z12和第一可观察区域Z11来实现，而不需要打开外盒。因此，在半导体制造过程中，可以降低容器打开的频率，这进而使敏感的精密工件对潜在危险的环境因素下的暴露最小化。
在所示的实施例中，外基座112具有中空本体，中空本体包括被配置为支撑内基座122的上平台112a和与上平台112a相对的下平台112b。在一些实施例中，示例性上平台112a和下平台112b都可以设置有基本水平的板的结构。示例性下平台112b被配置为密封上平台112a。在一些实施例中，下平台112b和上平台112a一体地形成。示例性第二可观察区域Z12设置有窗口，该窗口包括分别布置在上平台112a和下平台112b中的两个重叠的信号透射结构(例如，外部光学构件1121)。
在一些实施例中，嵌入上平台112a和/或下平台112b中的外部光学构件 1121可以由对于红外光、可见光或紫外光而言信号透射的材料制成。外部光学构件1122的合适材料可以包括玻璃(例如，石英玻璃)、丙烯酸、透明塑料或相当的材料。在一些实施例中，对于一个或多个上述光谱范围中的光信号，外部光学构件1121的透射率值大于80％。取决于特定的应用需求，在一些实施例中，光学构件(例如，外部光学构件和/或内部光学构件)可以包括凹/凸面。
在一些实施例中，对于范围在600nm至950nm之间的波长，内部光学构件1221的反射率值比外部光学构件1121低。在一些实施例中，光学构件的相应波长范围可以在约630nm至930nm的范围内。在一些实施例中，外部光学构件1121对于上述波长范围的反射率值可以小于15％。在一些实施例中，内部光学构件1221对于上述波长范围的反射率值可以小于0.5％。在一些实施例中，内部光学构件1221还可以设置有抗反射涂层。在一些实施例中，内部光学构件1221还可以设置有具有EMI屏蔽特性的层。
在对耐尘和/或防尘要求严格的一些实施例中，外基座112的第二可观察区域Z12中的外部光学构件1121可以设置有类似的密封机构。然而，在仅内部密封就足够的应用中，可以在不利用密封机构的情况下构造外部光学构件1121以减少结构复杂性、重量和成本问题。
在一些实施例中，外基座的整个底面可以被设计成充当第二观察区。例如，外部光学构件可以占据外部基座的整个底部。
图2示出了根据本案的一些实施例的工件容器系统的等距视图。
参照图2，示例性存储组件220包括座构件222和座盖221，座构件222 和座盖221经配置以配合地形成用于容纳基板(例如，掩模版R2)的内部空间。在所示出的实施例中，座构件222具有基本矩形的轮廓，该轮廓限定了穿过其几何中心区域C的纵向轴线L2。座构件222包括存储部分 225和一对沿纵向轴线L2延伸的侧翼部分226。示例性侧翼部分226具有减小的厚度(即，比存储部分225的厚度薄)。在所示实施例中，示例性座构件222的顶面限定工件容纳区域和围绕工件容纳区域的周边区域 222b。用于座盖221和座构件222的适合的材料和/或涂层可以与上述实施例中描述的那些类似。
在一些实施例中，座盖221可以被配置成在封闭时通过来自外盒(例如，运输组件110)的压力建立与座构件222的按压接合。例如，座盖221与座构件222之间的按压接合是通过基本平面的金属与金属界面形成的。在所示实施例中，金属界面建立在座构件222的周边区域222b上。总体上，该按压接合建立了一个密封外壳，该密封外壳防止灰尘和湿气通过该存储组件220的上下部构件之间的接触界面进入该内部空间中。在一些实施例中，座盖和座构件中的任一者或两者可在相应的接合界面区域处设置有附加的密封元件(例如，密封垫圈或O形环)，以进一步增强针对环境污染的阻断能力。
下扩散诱导元件设置在座构件222的存储部分225且在工件接收区域中，并且被配置为允许从存储组件的内部提取工件R2下方的气相污染物。一般期望可以有效地减少所接收的掩模版R2的图案区域P下方的气相污染物。在所示实施例中，下扩散诱导组件形成有布置在工件R2的图案区域P 的平面投影内的多个扩散端口组件227a。
扩散端口组件227a在存储部分225上的放置位置可以考虑不同因素，例如重量分布、结构完整性和装置构件的整体重量限制。一方面，示例性扩散端口组件227a被放置在座构件222上的工件接收区域中，但是与其几何中心区域(例如，区域C)错位。扩散端口组件的偏离放置允许中心区域的材料保持完整，由此，可以更好地保持座构件222的整体结构完整性 (例如，抵抗在机器加工期间的热膨胀、翘曲等)，并且质量分布可保持更靠近其几何中心而有更好的整体平衡。此外，示例性扩散端口组件的位置避开其他预先指定的功能构件，例如窗口和基板支撑机构。在一些实施例中，几何中心区域C具有约25至30mm的宽度/半径。
在示出的实施方式中，座盖221的侧壁221a设置有多个空气流动通道228 以及被布置以覆盖空气流动通道228的至少一个过滤器构件228a。
在清洁(例如，洗涤)容器系统之后，在其表面上可能存在水残留。残留的水可能吸引污垢，因此增加了污染所接收的工件的可能性。通过改变存储组件的表面特性，在清洁之后可以更容易地干燥存储组件。因此，可以减少由于清洁之后的烘烤/干燥过程引起的停工时间。此外，存储组件220 的表面处理(例如，疏水处理)可以减少细粉尘的粘附并且使得更容易将它们洗掉，从而增加存储组件的防尘能力。
储存组件(例如，储存组件220)可被分成不同的区域，在所述不同的区域上应用亲水性和疏水性的不同表面处理。在一些实施例中，可以部分地 /选择性地或完全地对座盖221和座构件222之一或两者进行表面处理。例如，在一些实施例中，座盖221和座构件222的内表面(例如，在内盒闭合时向内暴露的表面)可以(例如，在对应于所接收的工件的正投影的区域处)接收亲水处理，而其余区域保持未经处理或经疏水处理。
在某些实施例中，座构件222的工件容纳区域222a是用第一类型处理处理的。在一些实施例中，第一类型处理区域包括亲水性处理区域。当由于环境条件变化(例如，设备故障)而发生水冷凝时，工件容纳区域222a (例如，所接收的掩模版的正投影下的内部中心区域)中出现的水滴可产生较小的润湿角(其转换成较低的总液滴高度)，因此，降低了与存储的掩模版冷凝接触的可能性。
在一些实施例中，该座构件的内表面进一步用第二类型表面处理来处理。例如，座构件222具有配置在工件收容区域222a的周围的第二处理区域 (例如外围区域)。在一些实施例中，第二类型处理区域包括疏水性处理区域。设置有疏水处理的座构件222在清洁之后可以更容易地干燥。在一些实施例中，座构件222的外表面(例如，在内盒闭合时向外暴露的表面) 也可以用疏水处理来处理。
在一些实施例中，座构件222和座盖221基本由金属制成。此外，疏水处理区域的表面电阻值小于约1011Ω。例如，在该储存组件上的疏水涂层可以保持低于1um以维持静电荷消散能力。在一些实施例中，疏水处理区域上的疏水层具有小于约1um的厚度。
图3是根据本案的一些实施例示出的座构件的等距分解视图。为了说明的简单和清楚起见，该示例性设备的一些细节/子构件未在本图中明确地标记。
在所示出的实施例中，座构件322包括主体322a，该主体具有储存部分 325，该储存部分限定穿过其几何中心区域C的纵向轴线L3。主体322a 进一步包括沿着纵向轴线L3延伸的一对侧翼部分326，每个侧翼部分具有减小的厚度(即，比存储部分325的厚度薄)。在前述实施例中描述的材料、表面处理和/或涂覆布置可以被应用于示例性座构件322。
示例性座构件322包括被布置在主体322a的底面上的多个扩散端口组件 327a。在所示出的实施例中，扩散端口组件327a包括被布置成穿过主体 322a的多个端口327b以及经配置以覆盖这些端口327b的过滤膜327c。在所示实施例中，扩散端口组件327a还设置有过滤器盖(例如，过滤器盖327d)，该过滤器盖经配置以固持过滤膜327c。示例性过滤器盖327d 由穿孔板制成，该穿孔板设置有与过滤膜327c相当的平面区域。在一些实施例中，过滤器盖可通过卡扣配合组件(例如，具有如图13所示的闩锁构件1327d)紧固在座构件322的底面上。在所示实施例中，扩散端口组件327a还设置有盖固持构件327e(诸如螺丝)，该盖固持构件经配置以将过滤器盖327d紧固在座构件322的底面上。
座构件322的主体322a上的扩散端口组件327a的配置可以考虑各种因素，例如座构件322的外表面(例如，底面)在组装时的总体平坦度。例如，示例性过滤器盖327d经配置以被嵌入主体322a中，使得过滤器盖327d 的面向外的表面不从座构件322的底面突出。在所示出的实施例中，扩散端口组件327a在座构件322的主体322a的底面上配置有凹入特征327f，该凹入特征被配置以容纳过滤器盖327d。在一些实施例中，凹入特征327f 还用作重量剃削措施，其起到减小主体322a的总质量的作用。
用于座构件的材料可考虑各种因素，诸如其暴露于的周围环境(例如，暴光装置内部的条件)。一方面，常规的过滤器构件经常包含某些基础材料 (例如，特氟纶/PTFE)。然而，在某些精密的应用(例如，EUV光刻工艺)中，将过滤元件中的某些内容物暴露于极端环境条件(例如，EUV 发射)可能导致对制造工艺有害的不期望的副产物(例如，废气)的产生。在一些实施例中，该下过滤膜(例如，过滤膜327c)基本不含氟成分。在一些实施例中，该过滤膜可以基本由金属材料(如镍)制成。在一些实施例中，该金属过滤膜可以通过电铸工艺来制造。在一些实施例中，过滤器盖和盖紧固件也基本不含氟成分。用于过滤器盖和盖紧固件的合适材料可以是金属，例如铝。
如本图中所示，座构件322在存储部分325内具有第一可观察区域Z31以允许观察所接收的基板。在所示实施例中，座构件322包括嵌入在第一可观察区域Z31中的两个内部光学构件3221、3222。在一些实施例中，内部光学构件3221/3222可以密封地安装在第一可观察区域Z31中。例如，内部光学构件3221/3222的配置可包括在透光构件周围的密封构件(例如，O形环)。通常，内部光学构件3221/3222的配置提供密封的外壳，该密封外壳能够充分地防止灰尘和湿气通过光学构件和座构件之间的结构界面进入内部空间。在一些实施例中，光学构件3221/3222可以经配置以实现气密级密封。在一些实施例中，两个内部光学构件3221、3222的合适材料可与前述实施例中描述的那些材料相当。
图4a根据本案的一些实施例示出了的座构件的仰视图。图4b根据本案的一些实施例示出了座构件的示例性横截面图。图4b可以是沿着图4a中所示的A-A的示例性横截面视图。为了说明的简单和清楚起见，该示例性设备的一些细节/子构件未在本图中明确地标记。
在示出的实施方式中，座构件422被配置为接收具有图案区域P和护膜 P4的掩模版R4。在当前视图中，座构件422的示例性存储部分425设置有槽(例如，重量剃削区域4220)，该槽被配置为容纳所接收的掩模版 R4的护膜P4。重量剃削区域4220与图案区域P和护膜P4的投影相对应地布置。在所示实施例中，扩散端口组件427a布置在重量剃削区域4220。这种布置允许抽出或去除存储组件内的图案区域P和护膜P4下方的气体，从而减轻护膜P4上的水冷凝和/或雾/析出物形成。此外，座构件422设置有基本平坦的底面。在当前的截面图中，过滤器盖427d和盖固持构件427e 在组装时保持与座构件422的外表面(例如，底面422c)基本齐平。
在一些实施方式中，多个扩散端口组件中的至少一个扩散端口组件布置在储存部分的几何中心区域C周围的相应象限区域(例如，区域I、II、III、 IV)。例如，示例性座构件422被示出为具有两个垂直平分线L41、L42，这两个垂直平分线将座构件422基本分成四个象限区域I、II、III、IV。示例性座构件422包括分别布置在四个象限区中的四个扩散端口组件427a。这种布局布置可以有助于在保持结构完整性的同时保持存储部分 425的更好的整体平衡。均匀且对称的分布布局还可帮助产生更均匀的扩散效果。
在所示出的实施例中，座构件422包括配置有两个内部光学构件4221、 4222的第一观察区Z41。内部光学构件4222具有比内部光学构件4221更大的平面面积。在当前的截面图中，具有较大平面面积的内部光学构件 4222被布置为在投影上与所接收的掩模版R4、护膜P4和护膜框架PF重叠。对诸如所接收的掩模版R4、护膜P4和护膜框架PF的条件、状态和/或标识的信息的确认，可简单地经由通过外部可观察区(例如，图1中所示的第二观察区Z12)和第一可观察区Z41来扫描/观察得以实现，从而减少了外盒必须被打开的次数。在一些实施例中，座构件422的底面可进一步设置视觉图形特征(未示出)，视觉图形特征布置在两个内部光学构件 4221、4222之间。可视图形特征可以包括二维条形码，例如表示内盒的身份的快速响应码(QR码)和用于指示存储组件的方位的非对称图案。
在当前截面图中，示例性扩散端口427b设置有基本均匀的宽度。然而，扩散端口的横截面配置可考虑许多因素，诸如流过其中的空气的方向。例如，具有向下逐渐减小的宽度的扩散端口可促进空气的向外流动。相反，具有向下逐渐增加的宽度的扩散端口可促进空气的向内流动。在一些实施方式中，扩散端口可以具有朝上/下的锥形横截面轮廓。
图5a是根据本案的一些实施例示出的座构件的底视图。图5b是根据本案的一些实施例示出的座构件的示例性横截面图。图5b可以是沿图5a中所示的V-V的示例性横截面视图。为了说明的简单和清楚起见，该示例性设备的一些细节/子构件未在本图中明确地标记。
除了内部气体的扩散的均匀性之外，可以考虑装置构件的重量分布、结构完整性以及整体重量限制。在仰视图中，座构件522包括设有多个重量剃削区域5220的存储部分525，所述多个重量剃削区域5220分别布置在座构件522的几何中心区域C周围的每个象限区域。如图5b所示，重量剃削区域5220中的示例性座构件522的厚度T51比几何中心区域C中的厚度(即，厚度T52)薄。过滤器盖527d和盖固持构件527e在组装时保持与座构件522的外表面522c基本齐平。
这种布局布置可以有助于保持座构件的主体的更好的整体平衡，同时维持结构完整性和整体重量限制。在一些实施例中，这些扩散端口组件中的至少一个扩散端口组件被布置在对应的重量剃削区域5220。例如，座构件 522包括分别布置在重量剃削区域5220中的四个扩散端口组件527a。
图6a是根据本案的一些实施例示出的座构件的俯视图。图6b是根据本案的一些实施例示出的座构件的示例性横截面图。图6b可以是沿图6a中所示的VI-VI的示例性横截面视图。
在图6a中，座构件622设置有工件接收区域622a和围绕工件接收区域 622a的周边区域622b。周边区域622b的顶面被配置为形成与座盖的表面对表面接触以便建立气密密封。在一些情形中，气密密封可能由于工艺变化问题(诸如表面处理误差)而不能达到期望的水平。污染物如颗粒因此可能会进入储存组件。
在所示出的实施例中，座构件622进一步配置有沟槽结构622e，该沟槽结构具有封闭工件接收区域622a的平面环形轮廓。进入存储组件的颗粒污染物可以被困或捕获在沟槽结构622e内。
在当前俯视图中，座构件622设置有多个定位结构624，所述多个定位结构624在所述工件接收区域622a的相应转角周围突出地布置。示例性沟槽结构622e包括分别包围这些定位结构624的多个引导沟槽区段622g。在所示出的实施例中，限定这些引导沟槽区段622g的壁622w在平面轮廓呈圆滑形的轮廓。在一些实施例中，引导沟槽结构的壁622w的最靠近内部区域(例如，工件接收区域622a)的部分具有圆滑的平面轮廓，该圆滑的平面轮廓被配置成用于引导侵入(例如，被抽吸到基座中)的颗粒离开座构件622。在一些实施例中，引导沟槽结构的壁可由彼此连续连接的多个弧形部分的组合构成。
在当前的截面视图中，座构件622的存储部分625在工件接收区域622a 内配置有重量剃削区域6220。重量剃削区域6220具有与基板R6的图案区域P的投影相对应地布置的槽。在当前的俯视图中，该座构件配置有布置在重量剃削区域6220(由阴影区域指示)中的四个扩散端口组件。
图7是根据本案的一些实施例的座盖的等距分解视图。
在所示出的实施例中，座盖721配置有上扩散诱导组件729。示例性上扩散诱导组件729包括穿过座盖721布置的多个端口729b、上过滤膜729c 和设置有穿孔板的过滤器盖729d。在一些实施例中，上过滤膜729c具有与下过滤膜(例如，图3中所示的过滤膜327)实质上不同的材料组成。例如，上过滤膜729c可以包括基于织物的材料，并且下过滤膜(例如，过滤膜329c)基本不含氟成分。
在示出的实施方式中，上扩散诱导组件729进一步设置有用于增强过滤器盖729d与座盖721之间的密封接合的密封件。例如，过滤器模块729还包括设置在过滤器盖729d的周边与座盖721之间的密封环729g。在一些实施例中，过滤器盖729d的周边可以形成用于容纳密封环729g的面向下的环形凹槽。
在一些实施例中，上扩散诱导组件729被布置成与下扩散诱导组件(例如，扩散端口组件527a)投影地重叠。
图8a至图8e是根据本案的各种实施方式分别示出的座构件的示意图。
形成在座构件上的扩散端口的形状、大小和布置不需要受到限制，只要扩散端口组件与座构件的中心区域错位即可。例如，图8a和图8b中所示的示例性扩散端口设置有在平面轮廓呈圆滑形的轮廓。然而，图8c和图8d 中的扩散端口具有细长的平面轮廓。图8d中的细长扩散端口设置有曲率。图8e中的扩散端口具有矩形平面轮廓。
图9a是根据本案的一些实施例示出的座构件的示意图。图9b是根据本案的一些实施例示出的座构件的示例性横截面图。图9b可以是沿着图9a中所示的IX-IX的示例性横截面视图。
在一些实施例中，该座构件的扩散诱导组件可以进一步配置有一个或多个空气引导通道，该一个或多个空气引导通道在接合时流体地连接相邻的扩散端口组件。例如，图9a中所示的示例性座构件922配置有具有交叉平面轮廓的凹槽结构9270。凹部结构9270的四个端部布置成与四个扩散端口组件927a投影地重叠。
在图9b中，存储在座构件922上的掩模版R9被座盖921覆盖。座盖921 与座构件922接合。座构件922设有多个扩散端口927b和过滤膜927c。在当前的截面图中，底面(设置有图案区域)Rp和凹槽结构9270共同限定将相邻的扩散端口927b流体连接的通道。这种布置允许通过邻近的扩散端口组件927a提取或减少通道内的气相污染物(例如湿气)。
图10a至图10b是根据本案的一些实施例分别示出的座构件的示意图。
该扩散诱导元件的空气引导通道的形状、大小和布置不需要受到限制，只要该空气引导通道与相邻扩散端口组件处于流体连接即可。例如，在图 10a中，座构件1022设置有具有圆形平面轮廓的凹槽结构10270。凹槽结构10270的外围区域与扩散端口组件1027a重叠。在图10b所示的实施例中，座构件设置有三个凹槽结构10270。
图11a和11b是根据本案的一些实施例分别示出的示例性座盖的示意图。
在一些实施例中，座盖的上扩散诱导元件可以进一步配置有与下扩散诱导元件的空气引导通道相似的空气引导通道。例如，图11a和11b中所示的座盖1121的上扩散诱导元件1127配置有一个或多个凹槽结构11270，该一个或多个凹槽结构与扩散端口组件1127a投影地重叠。
图12a至图12b分别是根据本案的一些实施例示出的座构件的示意图。
在图12a中，座构件1222的下扩散诱导元件1227设置有三个凹槽结构 12270。在图12b所示的实施例中，下扩散诱导组件1227设置有一个凹槽结构12270。
因此，本文的一个方面提供了一种包括存储组件的工件容器系统，所述存储组件包括座构件。所述座构件具有存储部分，所述存储部分限定通过其几何中心区域的纵向轴线，所述存储部分设置有工件接收区域，所述工件接收区域包含所述几何中心区域并且经配置以接收工件。该座构件具有一对侧翼部分，该对侧翼部分沿着该纵向轴线被布置在该存储部分的相反侧上，每个侧翼部分具有比该存储部分的厚度更薄的厚度。所述存储部分设置有扩散诱导组件，所述扩散诱导组件位在所述工件接收区域中且与所述几何中心区域偏移。
在一些实施例中，所述工件接收区域经配置以接收具有图案区域的基板。扩散诱导组件设置在图案区域的平面投影内。
在一些实施例中，所述扩散诱导组件包括多个扩散端口组件，所述多个扩散端口组件布置在所述存储部分的几何中心区域且在所述工件接收区域周围。
在一些实施例中，扩散端口组件包括过滤器盖和盖固持构件。过滤器盖和盖固持构件在组装时保持与座构件的外表面基本齐平。
在一些实施例中，所述扩散端口组件还包括过滤膜，所述过滤膜经配置以由所述过滤器盖保持。该过滤膜基本不含氟成分。
在一些实施例中，这些扩散端口组件中的至少一个扩散端口组件被布置在该储存部分的几何中心区域周围的对应象限域。
在一些实施例中，该座构件的存储部分配置有多个重量剃削区域，这些重量剃削区域被分别布置在该几何中心区域周围的每一个象限区域。重量剃削区域中的座构件的厚度比几何中心区域中的薄。扩散端口组件分别布置在重量剃削区域。
在一些实施例中，该座构件的存储部分配置有与该图案区域的一个投影相对应地布置的一个重量剃削区域。扩散端口组件布置在重量剃削区域。
在一些实施例中，所述座构件具有沟槽结构，所述沟槽结构具有封闭所述工件接收区域的平面环形轮廓。
在一些实施例中，座构件进一步设置有多个定位结构，所述多个定位结构在工件接收区域的相应转角周围突出地布置。沟槽结构包括多个引导沟槽段，所述多个引导沟槽段分别围绕所述定位结构。
因此，本案的一个方面提供了一种包括存储组件的工件容器系统，该存储组件包括座构件和座盖。所述座构件限定工件接收区域，所述工件接收区域包含所述工件接收区域的几何中心区域，所述工件接收区域经配置以接收具有图案区域的基板。所述座构件设有下扩散诱导组件，所述下扩散诱导组件在基底的图案区域的平面投影内且与所述几何中心区域错位。该座盖被配置以在其工件接收区域周围的周边区域处接合该座构件，经配置以配合地形成用于容纳该基底的封闭件。
在一些实施例中，该下扩散诱导组件包括扩散多个端口组件，多个所述扩散端口组件在该工件接收区域中被布置在所述几何中心区域周围。
在一些实施例中，扩散端口组件包括过滤器盖、被经配置以由过滤器盖保持的下过滤膜和盖固持构件。过滤器盖和盖固持构件在组装时保持与座构件的外表面基本齐平。
在一些实施例中，该下过滤膜基本不含氟成分。
在一些实施例中，座盖设置有与下扩散诱导元件投影地重叠的上扩散诱导元件。上扩散诱导组件具有上过滤膜，该上过滤膜具有与下过滤膜基本不同的材料组成。
在一些实施例中，该上过滤膜包括一种基于织物的材料。该下过滤膜包括一种金属材料。
在一些实施方式中，扩散端口组件中的至少一个扩散端口组件布置在该几何中心区域周围的相应的象限区域。
在一些实施例中，座构件设置有多个重量剃削区域，所述多个重量剃削区域分别设置在围绕该几何中心区域周围的每个象限区域。重量剃削区域中的座构件的厚度比几何中心区域中的厚度薄。扩散端口组件分别布置在重量剃削区域。
在一些实施例中，座构件设置有与基板的图案区域的投影相对应地布置的重量剃削区域。扩散端口组件布置在重量剃削区域。
在一些实施例中，该系统进一步包括一个运输组件，该运输组件被配置成用于封闭该储存组件同时使得能够对该储存组件的座构件进行光学观察。
以上示出和描述的实施例仅是示例而已。因此，没有示出和描述很多这样的细节。虽然在前面的描述中已经陈述了本技术的许多特征和优点，以及结构和功能的细节，但是本案仅是说明性的，并且可以在原则范围内对细节进行变化，尤其是部件的形状、尺寸和布置等事项，达到并包括由权利要求中所使用的术语的广泛普遍含义所确定的完整范围。因此，将会理解，可以在权利要求的范围内修改上述实施例。

Claims (20)

1.一种工件容器系统，其特征在于，所述工件容器系统包括：
储存组件，所述储存组件包括：
座构件，所述座构件具有：
储存部分，所述储存部分限定穿过其几何中心区域的纵向轴线、配备有工件接收区域，所述工件接收区域包含所述几何中心区域并且经配置以用于接收工件，和
一对侧翼部分，所述侧翼部分沿着所述纵向轴线被布置在所述存储部分的相反侧上，每个所述侧翼部分具有比所述存储部分的厚度更薄的厚度，
其中，所述存储部分具有扩散诱导组件，所述扩散诱导组件位于所述工件接收区域中且与所述几何中心区域错位。
2.根据权利要求1所述的工件容器系统，其特征在于，
所述工件接收区域经配置以接收具有图案区域的基板；并且
其中，所述扩散诱导组件被设置在所述图案区域的平面投影内。
3.根据权利要求2所述的工件容器系统，其特征在于，其中，所述扩散诱导组件包括多个扩散端口组件，所述多个扩散端口组件布置在所述工件接收区域中且在所述储存部分的所述几何中心区域周围。
4.根据权利要求3所述的工件容器系统，其特征在于，所述扩散端口组件包括过滤器盖和盖固持构件，其中，所述过滤器盖和所述盖固持构件在组装时保持与所述座构件的外表面基本齐平。
5.根据权利要求4所述的工件容器系统，其特征在于，所述扩散端口组件进一步包括过滤膜，所述过滤膜经配置以由所述过滤器盖固持，其中所述过滤膜不含氟成分。
6.根据权利要求3所述的工件容器系统，其特征在于，所述扩散端口组件中的至少一个扩散端口组件被布置在所述存储部分的所述几何中心区域周围的相应象限区域。
7.根据权利要求6所述的工件容器系统，其特征在于，所述座构件的存储部分设置有多个重量剃削区域，所述多个重量剃削区域分别被布置在所述几何中心区域周围的每个所述象限区域，
其中，所述座构件在所述重量剃削区域中的厚度比在所述几何中心区域中的厚度薄，其中，所述扩散端口组件分别设置在所述重量剃削区域。
8.根据权利要求6所述的工件容器系统，其特征在于，
所述座构件的存储部分设置有与所述图案区域的投影相对应地布置的重量剃削区域，其中，所述扩散端口组件布置在所述重量剃削区域。
9.根据权利要求2所述的容器系统，其特征在于，所述座构件设置有沟槽结构，所述沟槽结构具有封闭所述工件接收区域的平面环形轮廓。
10.根据权利要求9所述的容器系统，其特征在于，
所述座构件进一步设置有多个定位结构，所述多个定位结构在所述工件接收区域的相应转角周围突出地布置，
其中，所述沟槽结构包括多个引导沟槽段，所述多个引导沟槽段分别围绕所述定位结构。
11.一种工件容器系统，其特征在于，所述工件容器系统包括：
储存组件，所述储存组件包括：
座构件，所述座构件限定工件接收区域，所述工件接收区域包含其几何中心区域，所述座构件构经配置以接收具有图案区域的基板，
其中，所述座构件设有下扩散诱导组件，所述下扩散诱导组件在所述基板的所述图案区域的平面投影内且与所述几何中心区域错位；和
座盖，所述座盖经配置以在围绕所述座构件的所述工件接收区域的周边区域处接合所述座构件，所述座盖经配置以配合地形成用于容纳所述基板的封闭件。
12.根据权利要求11所述的工件容器系统，其特征在于，所述下扩散诱导组件包括多个扩散端口组件，所述扩散端口组件布置在所述工件接收区域中且在所述几何中心区域周围。
13.根据权利要求12所述的工件容器系统，
其特征在于，所述扩散端口组件包括过滤器盖、经配置以由所述过滤器盖固持的下过滤膜以及盖固持构件，
其中，所述过滤器盖和所述盖固持构件在组装时保持与所述座构件的外表面基本齐平。
14.根据权利要求13所述的工件容器系统，
其特征在于，所述下过滤膜基本不含氟成分。
15.根据权利要求14所述的工件容器系统，
其特征在于，所述座盖设置有与所述下扩散诱导组件投影地重叠的上扩散诱导元件，
其中，所述上扩散诱导组件设置有上过滤膜，所述上过滤膜具有与所述下过滤膜不同的材料组成。
16.根据权利要求15所述的工件容器系统，其特征在于，所述上过滤膜包括基于织物的材料，其中所述下过滤膜包括金属材料。
17.根据权利要求12所述的工件容器系统，其特征在于，所述扩散端口组件中的至少一个扩散端口组件被布置在所述几何中心区域周围的相应的象限区域。
18.根据权利要求17所述的工件容器系统，其特征在于，所述座构件设置有多个重量剃削区域，所述多个重量剃削区域分别设置在所述几何中心区域周围的每个所述象限区域，其中，所述座构件在所述重量剃削区域中的厚度比在所述几何中心区域中的厚度薄，其中，所述扩散端口组件分别设置在所述重量剃削区域。
19.根据权利要求17所述的工件容器系统，其特征在于，所述座构件设置有与基板的图案区域的投影相对应地布置的重量剃削区域，其中，所述扩散端口组件布置在所述重量剃削区域。
20.根据权利要求11所述的工件容器系统，其特征在于，所述系统进一步包括运输组件，所述运输组件经配置以封闭所述储存组件，同时使得能够对所述储存组件的座构件进行光学观察。
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