JP4466811B2 - 露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
露光装置及びデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4466811B2 JP4466811B2 JP2002525906A JP2002525906A JP4466811B2 JP 4466811 B2 JP4466811 B2 JP 4466811B2 JP 2002525906 A JP2002525906 A JP 2002525906A JP 2002525906 A JP2002525906 A JP 2002525906A JP 4466811 B2 JP4466811 B2 JP 4466811B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure apparatus
- buffer
- mask
- opening
- reticle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/66—Containers specially adapted for masks, mask blanks or pellicles; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
- G03F7/70741—Handling masks outside exposure position, e.g. reticle libraries
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70933—Purge, e.g. exchanging fluid or gas to remove pollutants
Description
技術分野
本発明は、露光装置及びデバイス製造方法に係り、更に詳しくは、半導体素子、液晶表示素子等の電子デバイスを製造するリソグラフィ工程で用いられる露光装置及び該露光装置を用いるデバイス製造方法に関する。
背景技術
従来より、半導体素子、液晶表示素子等の電子デバイスを製造するリソグラフィ工程では、ステップ・アンド・リピート方式の縮小投影露光装置、あるいはステップ・アンド・スキャン方式の走査型投影露光装置（いわゆるスキャニング・ステッパ）などの露光装置が主として用いられている。
ところで、半導体素子の高集積化に伴い露光対象のパターンの線幅が微細化しており、装置内へのパーティクル（塵）等の侵入を防止するのみならず、搬送中のマスク（レチクルを含む）等への塵の付着等も防止する必要がある。このため、最近の露光装置では、マスクを気密状態で搬送するための密閉型のマスクコンテナ、例えばＳＭＩＦ（Standard Mechanical Interface）ポッドと呼ばれるボトムオープンタイプのマスクコンテナを搭載できるものが多い。
この一方、半導体素子等は、十数層以上の層の回路パターンが基板上に重ね合せて形成されるため、各層の露光に用いられる十数枚以上のマスクを用意する必要がある。
ＳＭＩＦポッドとしては、マスク１枚用（シングルポッド）と６枚用（マルチポッド）の２種類のものが知られている。従って、マルチポッドを３個以上搭載すれば、１８枚のマスクを露光装置内に搬入し、ストックすることが可能である。
しかしながら、従来の露光装置では、装置の構成上の理由（露光装置本体が収容されるチャンバ内部の空きスペースの問題）から殆どの装置が、マルチポッドのみであれば最大で２個、シングルポッドを含めても最大で３個しか搭載できない。また、マスクの管理に関する技術的な問題から、従来は、ＳＭＩＦポッドに入っていたマスクは、元のポッドに必ず戻る運用が採用されていた。このため、ＳＭＩＦポッドのみを用いかつ自動搬送により、露光に必要な十分な枚数のマスクを露光装置内に搬入し、ストックすることは困難であった。このような理由により、従来は、露光工程の進行状況に応じてＳＭＩＦポッドをオペレータが手作業にて交換する必要があった。
なお、複数個のマルチポッドを搭載可能な露光装置であっても、全てのマルチポッドをマスクの交換時間が短くなるように配置することは難しく、結果的に露光装置のスループット低下を招いてしまう。
本発明は、かかる事情の下になされたもので、その第１の目的は、オペレータの手作業によるマスクコンテナの交換作業を不要とする新たな露光装置を提供することにある。
本発明の第２の目的は、高集積度のデバイスの生産性の向上を図ることができるデバイス製造方法を提供することにある。
発明の開示
本発明の第１の観点からすると、マスクステージ上に載置されたマスクのパターンを基板に転写する露光装置本体と；前記露光装置本体を収容するとともに、前記マスクを特定枚数収容可能な密閉型のマスクコンテナの搬出入ポートが少なくとも１つ設けられたチャンバと；前記搬出入ポートから前記マスクステージに至るマスク搬送経路の途中に配置され、前記マスクコンテナに収容可能な前記特定枚数よりも多い所定枚数のマスクをストック可能でかつ出し入れが可能なバッファと；前記搬出入ポートと前記バッファと前記マスクステージとの三者間で前記マスクを搬送するマスク搬送系と；を備える露光装置が提供される。
ここで、搬出入ポートとは、専らマスクの搬入に用いられる搬入ポートと専らマスクの搬出に用いられる搬出ポートとを有するもの、及びマスクの搬入及びマスクの搬出の両方の目的で用いられるポートのいずれをも含む。
これによれば、密閉型のマスクコンテナの搬出入ポートからマスクステージに至るマスク搬送経路の途中に、マスクを複数枚ストック可能でかつ出し入れが可能なバッファが配置されている。このため、チャンバにマスクコンテナの搬出入ポートが１つしかなく、マスクコンテナを１台しか搬入できない場合であっても、その搬出入ポートにマスクコンテナを数回搬入し、その搬入の都度、マスク搬送系によりマスクコンテナからマスクをバッファ内に搬入することにより、バッファ内にマスクを最大限収容しておくことができる。従って、露光に必要な十分な枚数のマスクを装置内に常時持たせることが可能になる。また、この場合、マスク搬送系が、搬出入ポートとバッファとマスクステージとの三者間でマスクを搬送するので、オペレータの手作業によるマスクコンテナの交換作業は不要となる。また、バッファを必ずしもマスクステージの近傍に配置する必要もない。
この場合において、前記バッファが設置される空間の外部から前記バッファ内への汚染物質の侵入を抑制する抑制機構を、更に備えることとすることができる。
本明細書において、「汚染物質」とは、パーティクル（塵や埃）だけでなく、例えば露光用照明光を減衰させる、あるいは露光用照明光が透過又は反射する光学素子を曇らせる不純物（水あるいは水蒸気、イオン、有機物など）も含む概念である。
また、「汚染物質の侵入を抑制する」とは、通常の意味における抑制、すなわち抑え止めることの他、阻止をも含む概念である。従って、抑制機構は、その方法を問わず、バッファが設置される空間の外部から前記バッファ内への汚染物質の侵入量を結果的に減少させる、あるいは汚染物質の進入量を零にするものであれば良く、その構成等は特に限定されない。
上述の抑制機構を備える場合には、抑制機構によりバッファ内への汚染物質の侵入が抑制されるので、例えばバッファ内にマスクを長期間ストックする場合などに、そのマスクに対する汚染物質の付着を防止あるいは効果的に抑制することができる。クリーンルームはそのクリーン度が高いほどランニングコストが高くなる。このため、マスクコンテナとして搬送中のマスクの汚染防止が可能なＳＭＩＦポッド等の密閉型のコンテナを使用する場合には、ランニングコストを低減する観点からクリーンルーム内（チャンバ外）のクリーン度をチャンバ内のクリーン度より低く設定することが多い。このような場合に有効である。
本発明の露光装置では、前記バッファ内にクリーンなガスを供給可能なガス供給機構を、更に備えることとすることができる。かかる場合には、ガス供給機構により適宜バッファ内にクリーンなガスを供給することにより、例えばバッファ内にマスクを長期間ストックする場合などに、そのマスクに対する汚染物質の付着を防止あるいは効果的に抑制することができる。上述と同様に、マスクコンテナとして搬送中のマスクの汚染防止が可能なＳＭＩＦポッド等の密閉型のコンテナを使用する場合に、特に有効である。
本発明の露光装置では、前記ガス供給機構は、前記バッファ内に前記クリーンなガスを常時供給することとしても良いし、あるいはバッファ内をクリーンなガスで満たしてほぼ密閉しておくようにしても良い。
本発明の露光装置では、前記ガス供給機構を備えている場合に、前記チャンバに設けられた開閉可能な開閉部を更に備えることとすることができる。この場合、開閉部の開閉と無関係に常時ガス供給機構によりバッファ内にクリーンなガスを供給しても良いし、また、開閉部が開放されている間のみ、ガス供給機構によりバッファ内にクリーンなガスを供給しても良い。あるいは、開閉部の開放前にバッファ内をクリーンなガスで満たしてほぼ密閉状態とするようにしても良い。
本発明の露光装置では、前記ガス供給機構と開閉部とを備えている場合に、前記バッファは、開閉可能な開閉機構を有し、前記ガス供給機構は、少なくとも前記開閉機構の開放時に前記クリーンなガスを前記バッファ内に供給することとすることができる。すなわち、ガス供給機構は、開閉機構の開閉とは無関係にクリーンなガスを常時バッファ内に供給しても良いし、開閉機構の開放中のみ、クリーンなガスをバッファ内に供給しても良い。特に、後者では、開閉機構が閉じられている間は、バッファ内をクリーンなガスで満たしてほぼ密閉状態にしても良い。
本発明の露光装置では、前記ガス供給機構と開閉部とを備えている場合に、前記バッファは、開閉可能な開閉機構を有し、前記ガス供給機構は、前記開閉部と前記開閉機構との両方が開放されている間のみ、前記クリーンなガスを前記バッファ内に供給することとしても良い。
本発明の露光装置では、前記ガス供給機構を備えている場合に、前記バッファは、開閉可能でその閉状態で前記バッファの内部をほぼ気密状態にする開閉機構を有することとすることができる。この場合、前記ガス供給機構は、前記開閉機構が開放されている間だけ、前記バッファ内にクリーンなガスを供給することとすることができる。この場合において、前記開閉機構が閉じられている間は、前記バッファ内は、前記クリーンなガスで満たされていることとしても良い。
本発明の露光装置では、前記ガス供給機構を備え、更に前記バッファが前記開閉機構を有する場合に、前記バッファに対する前記マスクの出し入れの度毎に、前記開閉機構を開閉する制御装置を更に備えることとすることができるし、あるいは前記チャンバ内のクリーン度に応じて前記開閉機構を開閉する制御装置を更に備えることとすることもできる。前者の場合には、バッファの開閉機構は、制御装置により、通常時は閉じられており、バッファ内に対するマスクの搬入の間、及びバッファ内のマスクの搬出の間だけ開放される。従って、バッファ内へのパーティクル等の汚染物質の混入を極力防止することができる。一方、後者の場合には、制御装置により、チャンバ内のクリーン度に応じて前記開閉機構が開閉されるので、チャンバ内のクリーン度が低く、内部気体中のパーティクルや不純物などの汚染物質の含有率が高い間は開閉機構の閉鎖状態が維持され、チャンバ内のクリーン度が上昇して内部気体中の汚染物質の含有率が低下すると開閉機構が開放状態となる。
本発明の露光装置では、前記バッファは、その内部を外気と遮断可能な開閉機構を有することとすることができる。チャンバ内を外気に対して陽圧とすることにより、通常、チャンバ内への外気の混入、従って外気中のパーティクルなどの汚染物質の混入を防止することができるが、何らかの理由によりチャンバ内の陽圧が維持されない状態が生じることがある。かかる場合であっても、開閉機構がバッファの内部を外気から遮断するので、バッファ内への外気の混入に伴う汚染物質のマスクへの付着が防止される。
この場合において、前記チャンバに設けられた開閉可能な開閉部と；前記開閉部の開閉状態に応じて前記開閉機構を制御する制御装置と；を更に備えることとすることができる。かかる場合には、制御装置は、例えば、少なくとも開閉部の開放時には、バッファの内部を外気から遮断するように開閉機構を制御することができる。例えば、チャンバ内の露光装置本体のメンテナンスを行うため等の理由により、開閉部が開放されるときがあるが、かかる場合であっても、開閉機構によってバッファの内部が外気から遮断されるので、チャンバ内への外気の混入に伴う汚染物質のマスクへの付着が防止される。
この場合において、開閉機構としては種々の構造、タイプのものが使用できるが、例えば前記開閉機構は、前記開閉部の開放時に、前記バッファに設けられた前記マスクの出し入れ口を閉鎖する気体の高速流れから成る遮蔽膜であることとすることができる。
本発明の露光装置では、前記バッファは、その内部を外気と遮断可能な開閉機構を有する場合に、前記チャンバ内のクリーン度に応じて前記開閉機構を制御する制御装置を更に備えることとすることができるし、あるいは前記バッファに対する前記マスクの出し入れの度毎に、前記開閉機構を開閉する制御装置を更に備えることとすることもできる。
なお、開閉機構はバッファの少なくとも一端面に形成されるものに限らず、パーティクルや不純物などを含む雰囲気からマスクをほぼ隔離できればその構成は任意で良く、例えば少なくとも一方向からクリーンなガスを流してマスクをほぼクリーンなガスで覆うものでも構わない。
本発明の露光装置では、前記バッファは単一空間内に複数枚のマスクが収納されるものでも良いし、バッファ内を区切って複数の空間を形成して各空間内に少なくとも１枚のマスクが収納されるものでも良い。
本発明の露光装置では、前記搬出入ポートと前記バッファとの間のマスク搬送経路の途中に配置され、前記マスク上の異物の付着状況の検査を行う異物検査装置を更に備えることとすることができる。本発明の露光装置では、搬送系により密閉型のマスクコンテナの搬出入ポートからバッファを一旦経由してマスクステージにマスクが搬送される。このため、マスクは外気に対して隔離した状態でチャンバ内に搬入されると共にチャンバ内でも同様に外気に触れることがない状態で搬送される。従って、チャンバ内でマスクに前述の汚染物質が付着するのが効果的に抑制されている。このため、バッファに搬入するのに先立って異物検査装置により異物検査を一度だけ行うだけで足りる。
この場合において、前記搬出入ポートと前記バッファとの間のマスク搬送経路の途中に配置され、前記マスクに付された該マスクに関する情報を読み取る読取装置を更に備えることとすることができる。かかる場合には、読み取り装置で読み取られた各マスクの情報に基づいてマスクを個別に管理することができるので、例えば異物検査装置の検査の結果が良好なマスクのみをバッファ内に搬入し、検査の結果が不良であったマスクをバッファ内の搬入することなく、マスクコンテナ内の空いている場所に戻すようなマスクの管理を行っても何らの不都合も生じない。すなわち、例えば、複数のマスクコンテナを搬出入可能なチャンバの構成を採用した場合に、マスクをチャンバに搬入された際に収容されていたマスクコンテナに必ずしも戻す必要はなく、別のマスクコンテナに戻すような運用が可能になる。この場合、異物検査の結果が不良とされたマスクをマスクコンテナ内に収納した状態で一旦搬出し、同一種類のマスクを再度搬入することにより、結果的に、常にバッファ内のマスクがその後のプロセスに対応したものとなるようにすることも可能となる。
本発明の露光装置では、前記マスクコンテナの搬出入ポートは、前記マスクコンテナを複数個設置可能であり、前記バッファに収容可能な前記所定枚数は、前記複数個のマスクコンテナに収容可能なマスク数よりも多いこととすることができる。
この場合において、前記バッファが設置される空間の外部から前記バッファ内への汚染物質の侵入を抑制する抑制機構を、更に備えることとすることができる。あるいは、前記バッファ内にクリーンなガスを供給可能なガス供給機構を、更に備えることとすることができる。あるいは、前記バッファは、その内部を外気と遮断可能な開閉機構を有することとすることができる。あるいは、前記バッファは単一空間内に複数枚のマスクが収納されるものであることとすることができる。あるいは、前記バッファは、各空間内に少なくとも１枚のマスクが収納される複数の空間を備えることとすることができる。あるいは、前記搬出入ポートと前記バッファとの間のマスク搬送経路の途中に配置され、前記マスク上の異物の付着状況の検査を行う異物検査装置を更に備えることとすることができる。
また、リソグラフィ工程において、本発明の露光装置を用いて露光を行うことにより、長期に渡って汚染物質がマスクに付着するのを防止することができ、露光精度の低下等を効果的に抑制することができる。これにより高集積度のデバイスを歩留まり良く生産することができ、その生産性の向上を図ることができる。従って、本発明の第２の観点からすると、本発明の露光装置を用いるデバイス製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明の一実施形態に係る露光装置の外観を示す概略斜視図である。
図２は、図１の本体チャンバを−Ｙ方向から＋Ｙ方向に見てかつ一部破砕して示す側面図である。
図３は、図１の本体チャンバをＸＹ面に平行な面に沿って断面しかつ一部省略して示す断面図である。
図４は、図１の露光装置で用いられるバッファを示す斜視図である。
図５は、図１の露光装置の制御系の構成を簡略化して示すブロック図である。
図６は、バッファの変形例を示す図である。
図７Ａ〜図７Ｃは、バッファの変形例を示す図である。
図８は、本発明に係るデバイス製造方法の実施形態を説明するためのフローチャートである。
図９は、図８のステップ２０４における処理を示すフローチャートである。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明の一実施形態を図１〜図５に基づいて説明する。図１には、一実施形態に係る露光装置の概略斜視図が示されている。
この露光装置１０は、クリーン度がクラス１００〜１０００程度のクリーンルーム内に設置されている。この露光装置１０は、クリーンルームの床面Ｆ上に配置され、その内部に後述する露光装置本体を収容するチャンバとしてのエンバイロメンタル・チャンバ（以下、「本体チャンバ」と呼ぶ）１２、この本体チャンバ１２の長手方向（図１におけるＸ軸方向）の−側（＋Ｘ側）に所定の間隔を隔てて床面Ｆ上に配置された露光用光源（露光光源）としてのレーザ装置１４、及び本体チャンバ１２内の露光装置本体とレーザ装置１４とを光学的に接続するとともにその少なくとも一部にビームマッチングユニットと呼ばれる光軸調整用の光学系を含む引き回し光学系１６等を備えている。
前記レーザ装置１４としては、例えば波長２４８ｎｍのパルス光を発振するＫｒＦエキシマレーザ装置あるいは波長１９３ｎｍのパルス光を発振するＡｒＦエキシマレーザ装置などの紫外パルスレーザ光源が用いられている。レーザ装置１４には、レーザ制御装置１４４（図１では図示せず、図５参照）が併設されており、このレーザ制御装置１４４では、後述する主制御装置５０（図１では図示せず、図５参照）からの指示に応じて、射出されるパルス紫外光の発振中心波長及びスペクトル半値幅の制御、パルス発振のトリガ制御、レーザチャンバ内のガスの制御等を行うようになっている。
本体チャンバ１２の図１における−Ｙ側の側壁には、開閉部としての２つの開閉扉１８Ａ，１８ＢがＸ軸方向に所定間隔を隔てて設けられている。これらの開閉扉１８Ａ，１８Ｂとしては、観音開きの扉が用いられている。一方の開閉扉１８Ａは、主として後述する露光装置本体のメンテナンス時等に開閉される。また、他方の開閉扉１８Ｂは、主としてウエハ搬送系やマスク搬送系としてのレチクル搬送系（これについては後述する）などのメンテナンス時等に開閉される。
また、図示は省略されているが、本体チャンバ１２の図１における＋Ｘ側及び＋Ｙ側の側壁にも、開閉扉１８Ａ，１８Ｂと同様の構造の開閉扉が設けられている。本体チャンバ１２内の露光装置本体は、このように、３方向からメンテナンスが可能な構造となっている。この場合、本体チャンバ１２の＋Ｘ側のメンテナンスエリアは、露光装置本体とレーザ装置１４とのメンテナンスエリアとを兼ねている。
なお、開閉部は、本体チャンバ１２に設けられた開閉扉の他、単に脱着可能な本体チャンバのパネルなども含み、本体チャンバと開口などを介して他の装置（コータ・デベロッパなど）又はユニット（ウエハローダ、レチクルローダなど）が接続される場合には、その開口をも概念として含む。要は、開閉部は、クリーンルーム内の雰囲気に対し本体チャンバ内部を隔離しあるいはその隔離状態を解除できるものであれば、如何なる構成をも含む。
前記引き回し光学系１６は、本体チャンバ１２が設置された床面Ｆ下方の床下にその大部分が配設されている。通常、クリーンルームの床部は、地面に所定間隔で植設された多数の柱と、これらの柱の上に矩形のメッシュ状の床部材をマトリクス状に敷き詰めて作られている。従って、床部材の数枚とこれらの床部材下方の柱とを取り除くことにより、引き回し光学系１６の床下配置は容易に実現できる。
なお、レーザ装置１４を、本体チャンバ１２が設置されるクリーンルームよりクリーン度が低い別の部屋（サービスルーム）に設置しても良く、この場合には、これに応じて引き回し光学系１６の構成を変更すれば良い。
本体チャンバ１２の−Ｘ側の側壁の＋Ｙ方向端部近傍の位置には、床上概略９００ｍｍの高さ位置にＦＯＵＰ搬出入ポート２０が設けられている。ここで、ＦＯＵＰ搬出入ポート２０を、床面から概略９００ｍｍと設定しているのは、１２インチサイズのウエハの場合、オペレータがＰＧＶ（手動型搬送車）によりフロントオープニングユニファイドポッド（Front Opening Unified Pod：以下、「ＦＯＵＰ」と略述する）２４を運んで来て、装置に対して搬入したり搬出したりするマニュアル作業を前提とすると、人間工学的観点から床面から概略９００ｍｍ程度とするのが最も望ましいとされているからである。ここで、ＦＯＵＰ２４は、ウエハを複数枚上下方向に所定間隔を隔てて収納するとともに、一方の面のみに開口部が設けられ、該開口部を開閉する扉（蓋）を有する開閉型のコンテナ（密閉型のウエハカセット）であって、例えば特開平８−２７９５４６号公報に開示される搬送コンテナと同様のものである。
このＦＯＵＰ２４内からウエハを取り出すためには、本体チャンバ１２のＦＯＵＰ搬出入ポート２０の内部側（＋Ｘ側）に設けられた不図示の隔壁にＦＯＵＰ２４を押し付けて、その隔壁に形成された開口部を介してＦＯＵＰ２４の扉を開閉する必要がある。そのため、本実施形態では、上記隔壁の＋Ｘ側の部分（本体チャンバ１２の内部）にＦＯＵＰ２４の扉の開閉装置（オープナ）が配置されている。この開閉装置によるＦＯＵＰ２４の扉の開閉は、ＦＯＵＰ２４の内部を外気と遮断した状態で行われるようになっている。かかる詳細は、上記特開平８−２７９５４６号公報等に開示されており、本実施形態においても、同様にして行われる。
本体チャンバ１２のＦＯＵＰ搬出入ポート２０が設けられた部分の−Ｙ側の上方部分には、凹部が形成されている。この凹部の底部（すなわち、該凹部部分に相当する本体チャンバ１２の天井部）に、マスクコンテナの搬出入ポート２２Ａ，２２ＢがＹ軸方向に沿って所定間隔で配置されている。これらの搬出入ポート２２Ａ，２２Ｂに対して後述する天井搬送系によってマスクとしてのレチクルがマスクコンテナとしてのレチクルキャリア２８1，２８2内にそれぞれ収納された状態で搬入される。また、後述する天井搬送系によってレチクルがレチクルキャリア２８1，２８2内にそれぞれ収納された状態で搬出入ポー卜２２Ａ，２２Ｂから搬出される。
搬出入ポート２２Ａ、２２Ｂのほぼ真上に位置するクリーンルームの天井部には、レチクルをレチクルキャリア内に収納した状態で搬送するＯＨＶ（Over Head Vehicle）あるいはＯＨＴ（Over Head Transfer）と呼ばれる天井搬送系（以下、「ＯＨＶ」と呼ぶ）２６の軌道であるガイドレールＨｒがＹ軸方向に沿って延設（敷設）されている。
ここで、レチクルキャリア２８1，２８2としては、レチクルを複数枚上下方向に所定間隔を隔てて収納可能なボトムオープンタイプの密閉型のコンテナであるＳＭＩＦ（Standard Mechanical Interface）ポッドが用いられている。なお、このレチクルキャリア２８1，２８2については、更に後述する。
図２には、図１の本体チャンバ１２を−Ｙ方向から＋Ｙ方向に見てかつ一部破砕した側面図が示されている。また、図３には、本体チャンバ１２のＸＹ面に平行な面に沿う断面図が一部省略して示されている。以下、これら図２及び図３に基づいて本体チャンバ１２の内部の構成各部について説明する。
本体チャンバ１２内には、図２及び図３に示されるように、露光装置本体３０、マスク搬送系としてのレチクル搬送系３２、異物検査装置３４及び不図示のウエハ搬送系等が収容されている。
前記露光装置本体３０は、図２に示されるように、レーザ装置１４からのパルス紫外光によりレチクルＲを照明する照明ユニットＩＬＵ、レチクルＲを保持するマスクステージとしてのレチクルステージＲＳＴ、レチクルＲから射出される照明光（パルス紫外光）をウエハＷ上に投射する投影光学系ＰＬ、及びウエハＷを保持する基板ステージとしてのウエハステージＷＳＴ等を備えている。さらに、露光装置本体３０は、レチクルステージＲＳＴ、投影光学系ＰＬ及びウエハステージＷＳＴ等を保持する本体コラム３６等を備えている。
前記照明ユニットＩＬＵは、例えば、照明系ハウジング４０と、該照明系ハウジング４０内に所定の位置関係で配置された、可変減光器、ビーム整形光学系、オプティカルインテグレータ（フライアイレンズ、ロッド型（内面反射型）インテグレータ、あるいは回折光学素子など）、集光光学系、振動ミラー、照明系開口絞り板、リレーレンズ系、レチクルブラインド、メインコンデンサレンズ、ミラー及びレンズ系等を備え、レチクルステージＲＳＴ上に保持されたレチクルＲ上の所定の照明領域（Ｙ軸方向に直線的に伸びたスリット状又は矩形状の照明領域）を均一な照度分布で照明する。ここで、レチクルＲに照射される矩形スリット状の照明光は、図２中の投影光学系ＰＬの円形投影視野の中央にＹ軸方向（非走査方向）に細長く延びるように設定され、その照明光のＸ軸方向（走査方向）の幅はほぼ一定に設定されている。
照明ユニットＩＬＵとしては、例えば、特開平１−２５９５３３号公報及びこれに対応する米国特許第５，３０７，２０７号等に開示されるものと同様の構成のものが用いられる。本国際出願で指定した指定国又は選択した選択国の国内法令が許す限りにおいて、上記公報及び米国特許の開示を援用して本明細書の記載の一部とする。
前記本体コラム３６は、ベースプレートＢＰ上に設けられた複数本（ここでは４本）の支持部材４２及び各支持部材４２上部にそれぞれ固定された防振ユニット４４を介してほぼ水平に支持された鏡筒定盤４６と、この鏡筒定盤４６の下面から下方に吊り下げられた吊り下げコラム４８と、鏡筒定盤４６上に設けられた支持コラム５２とを備えている。
前記防振ユニット４４は、支持部材４２それぞれの上部に直列（又は並列）に配置された内圧が調整可能なエアマウントとボイスコイルモータとを含んで構成されている。防振ユニット４４によって、ベースプレートＢＰ及び支持部材４２を介して鏡筒定盤４６に伝わる床面Ｆからの微振動がマイクロＧレベルで絶縁されるようになっている。
前記鏡筒定盤４６は鋳物等で構成されており、その中央部に平面視（上方から見て）円形の開口が形成され、その内部に投影光学系ＰＬがその光軸方向をＺ軸方向として上方から挿入されている。投影光学系ＰＬの鏡筒部の外周部には、該鏡筒部に一体化されたフランジＦＬＧが設けられ、該フランジＦＬＧを介して投影光学系ＰＬが鏡筒定盤４６に対して取り付けられている。
前記吊り下げコラム４８は、ウエハベース定盤５４と、該ウエハベース定盤５４をほぼ水平に吊り下げ支持する４本の吊り下げ部材５６とを備えている。
また、支持コラム５２は、鏡筒定盤４６の上面に投影光学系ＰＬを取り囲んで植設された４本の脚５８と、これらの脚５８によってほぼ水平に支持されたレチクルベース定盤６０とを備えている。また、鏡筒定盤４６の上面には、照明ユニットＩＬＵの一部を下方から支持する不図示の支持部材が設けられている。
前記レチクルステージＲＳＴは、支持コラム５２を構成する前記レチクルベース定盤６０上に配置されている。レチクルステージＲＳＴは、例えばリニアモータ等を含むレチクルステージ駆動系６２（図１では図示せず、図５参照）によって駆動され、レチクルＲをレチクルベース定盤６０上でＸ軸方向に大きなストロークで直線駆動するとともに、本実施形態では少なくともＹ軸方向とθｚ方向（Ｚ軸回りの回転方向）に関しても微小駆動が可能な構成となっている。
前記レチクルステージＲＳＴの一部には、その位置や移動量を計測するための位置検出装置であるレチクルレーザ干渉計６４からの測長ビームを反射する移動鏡６５が取り付けられている。レチクルレーザ干渉計６４は、レチクルベース定盤６０に固定され、投影光学系ＰＬの上端部側面に固定された固定鏡Ｍｒを基準として、レチクルステージＲＳＴのＸＹ面内の位置（θｚ回転を含む）を例えば、０．５〜１ｎｍ程度の分解能で検出するようになっている。なお、レチクルステージＲＳＴの端面を鏡面加工して反射面（前述の移動鏡６５の反射面に相当）を形成しても良い。
レチクルレーザ干渉計６４によって計測されるレチクルステージＲＳＴ（即ちレチクルＲ）の位置情報（又は速度情報）は主制御装置５０に送られる（図５参照）。主制御装置５０は、基本的にはレチクルレーザ干渉計６４から出力される位置情報（或いは速度情報）が指令値（目標位置、目標速度）と一致するようにレチクルステージ駆動系６２を制御する。
前記投影光学系ＰＬとしては、ここでは、物体面（レチクルＲ）側と像面（ウエハＷ）側の両方がテレセントリックで円形の投影視野を有し、石英やホタル石を光学硝材とした屈折光学素子（レンズ素子）のみから成る１／４、１／５又は１／６縮小倍率の屈折光学系が使用されている。このため、レチクルＲにパルス紫外光が照射されると、レチクルＲ上の回路パターン領域のうちのパルス紫外光によって照明された部分からの結像光束が投影光学系ＰＬに入射し、その回路パターンの部分倒立像がパルス紫外光の各パルス照射の度に投影光学系ＰＬの像面側の円形視野の中央にスリット状または矩形状（多角形）に制限されて結像される。これにより、投影された回路パターンの部分倒立像は、投影光学系ＰＬの結像面に配置されたウエハＷ上の複数のショット領域のうちの１つのショット領域表面のレジスト層に縮小転写される。
前記ウエハステージＷＳＴは、前述した吊り下げコラム４８を構成するウエハベース定盤５４上に配置され、例えばリニアモータ等を含むウエハステージ駆動系６６（図２では図示せず、図５参照）によってＸＹ面内で自在に駆動されるようになっている。
ウエハステージＷＳＴの上面に、ウエハホルダ６８を介してウエハＷが真空吸着等によって固定されている。ウエハステージＷＳＴのＸＹ位置及び回転量（ヨーイング量、ローリング量、ピッチング量）は、投影光学系ＰＬの鏡筒下端に固定された参照鏡Ｍｗを基準としてウエハステージＷＳＴの一部に固定された移動鏡７０の位置変化を計測するウエハレーザ干渉計７２によって所定の分解能、例えば０．５〜１ｎｍ程度の分解能でリアルタイムに計測される。このウエハレーザ干渉計７２の計測値は、主制御装置５０に供給されるようになっている（図５参照）。なお、ウエハステージＷＳＴの端面を鏡面加工して反射面（前述の移動鏡７０の反射面に相当）を形成しても良い。
前記一方のレチクルキャリア２８1は、図２に示されるように、レチクルＲを上下方向に所定間隔で収納する複数段（ここでは、６段）の収納棚が一体的に設けられたキャリア本体７４と、このキャリア本体７４に上方から嵌合するカバー７６と、キャリア本体７４の底壁に設けられカバー７６をロックする不図示のロック機構とを備えている。
他方のレチクルキャリア２８2も、レチクルキャリア２８1と同様に構成されている。
レチクルキャリア２８1，２８2の構造に対応して、レチクルキャリア２８1，２８2が搬入される搬出入ポート２２Ａ，２２Ｂ（図１、図３参照）には、図２に示されるように、レチクルキャリア２８1，２８2のキャリア本体７４より一回り大きな開口７８1、７８2（但し、図２における紙面奥側の開口７８2は図示省略）がＹ軸方向に所定間隔を隔てて設けられている。
一方の開口７８1は、通常は、図２に示される開閉装置８０Ａを構成する開閉部材８２によって閉塞されている。この開閉部材８２は、搬出入ポート２２Ａに搬入されるレチクルキャリア（例えばレチクルキャリア２８1）のキャリア本体７４の底面を真空吸引あるいはメカニカル連結して係合するとともに、そのキャリア本体７４に設けられた不図示のロック機構を解除する不図示の係合・ロック解除機構を備えている。
開閉装置８０Ａは、開閉部材８２と、該開閉部材８２がその上端面に固定されＺ軸方向を軸方向とする駆動軸８４と、該駆動軸８４を上下方向に（Ｚ軸方向）に駆動する駆動機構８６とを備えている。この開閉装置８０Ａでは、開閉部材８２の係合・ロック解除機構により、ロック機構を解除するとともに、キャリア本体７４を係合した後、開閉部材８２を下方に所定量移動することにより、本体チャンバ１２の内部と外部とを隔離した状態で、複数枚のレチクルを保持したキャリア本体７４をカバー７６から分離させることができる。この開閉装置８０Ａは、主制御装置５０によって制御されるようになっている（図５参照）。
他方の開口７８2は、通常は、前述した開閉装置８０Ａと同様の開閉装置８０Ｂ（図５参照）を構成する開閉部材によって閉塞されている。また、搬出入ポート２２Ｂに搬入されたレチクルキャリア（例えばレチクルキャリア２８2）を構成するキャリア本体とカバーとを開閉装置８０Ｂによって上述と同様にして分離させることができる。この開閉装置８０Ｂは、主制御装置５０によって制御されるようになっている（図５参照）。
本体チャンバ１２内の開閉装置８０Ａ，８０Ｂの＋Ｘ側に、多関節ロボット（以下、「ロボット」と略述する）８８が配置されている。このロボット８８は、伸縮及びＸＹ面内での回転が自在のアーム９０と、このアーム９０を駆動する駆動部９２とを備えている。このロボット８８は、Ｚ軸方向に延設された支柱ガイド９４に沿って上下動するＹＺ断面がＬ字状のスライダ９６の上面に搭載されている。従って、ロボット８８のアーム９０は、伸縮及びＸＹ面内での回転に加え、上下動も可能となっている。なお、スライダ９６の上下動は、該スライダ９６に一体的に設けられた不図示の可動子と支柱ガイド９４の内部にＺ軸方向に延設された不図示の固定子とから成るＺ軸リニアモータ９８（図５参照）によって行われる。
前記支柱ガイド９４は、図２及び図３を総合するとわかるように、本体チャンバ１２内でＹ軸方向に延設されたＹガイド１００の上方に配置されている。支柱ガイド９４は、その下端面に固定されたスライダ１０２と一体的にＹガイド１００に沿って移動する。すなわち、スライダ１０２には不図示の可動子が設けられており、該可動子とともにＹ軸リニアモータ１０４（図５参照）を構成する不図示の固定子がＹガイド１００に設けられている。Ｙ軸リニアモータ１０４によって、支柱ガイド９４と一体でロボット８８がＹ軸方向に駆動される。
本実施形態では、ロボット８８の駆動部９２、Ｚ軸リニアモータ９８及びＹ軸リニアモータ１０４等が、主制御装置５０によって制御される（図５参照）。
また、本体チャンバ１２内の前述した支持コラム５２を構成するレチクルベース定盤６０から−Ｘ側に所定距離隔てた位置には、レチクルステージＲＳＴ上へのロードに先立ってレチクルＲを一時的に載置する中間受け渡し部１０６が配置されている。この中間受け渡し部１０６は、不図示の支持部材を介して水平に支持されたテーブル１０８と、該テーブル１０８上に設けられた複数本の支持ピン（図示省略）とによって構成されている。
また、中間受け渡し部１０６とレチクルベース定盤６０との＋Ｙ側には、図３に示されるように、Ｘ軸方向に伸びるＸガイド１１０が設けられている。このＸガイド１１０には、上下動・スライド機構１１２（図２及び図３では図示せず、図５参照）によってＸガイド１１０に沿ってＸ軸方向に駆動されるとともに上下方向にも所定範囲内で駆動されるアームから成るレチクルローダ１１４が設けられている。レチクルローダ１１４は、上下動・スライド機構１１２を介して主制御装置５０によって制御され（図５参照）、中間受け渡し部１０６とレチクルステージＲＳＴとの間でレチクルＲを搬送する。
なお、レチクルローダ１１４としてロードアームとアンロードアームとを設け、中間受け渡し部１０６とレチクルステージＲＳＴとの間で行われるレチクル交換に要する時間を短縮するようにしても良い。
また、Ｙガイド１００の＋Ｙ側端部の上方には、レチクルＲ上又はペリクル上に付着した異物（主としてパーティクル）の有無とその大きさを調べるための前述した異物検査装置３４が配置されている。この異物検査装置３４としては、例えば小さなスポット状にしたレーザ光をレチクルＲ上又はペリクル上に照射し、その反射光を受光して本来あるべきパターンか異物かを判断するものが用いられる。この異物検査装置３４では、ロボット８８によって搬入されたレチクルＲのパターン面とその反対側の面（ガラス面と呼ぶ）とを同時に検査し、その検査結果（例えば、その異物の転写可能性の情報を含む）を主制御装置５０に送る（図５参照）とともに、不図示のディスプレイ上にマップの形式で表示する。主制御装置５０は、異物検査結果が良好であったレチクルＲのみをロボット８８のアーム９０を介して後述するバッファ１１６内に搬入する。一方、主制御装置５０は、異物検査結果が不良であったレチクルＲについては、次に搬出される予定となっているレチクルキャリア（例えばレチクルキャリア２８1，２８2の所定の一方）内の空いている収納棚に搬入するようになっている。
なお、上記説明では、異物検査装置３４はレチクルＲのパターン面とガラス面とを検査面として異物の有無や大きさなどを判定するものとしたが、レチクルＲの少なくともパターン面にペリクルが設けられるときは、そのペリクルの表面のみを、あるいはレチクルＲのパターン面とガラス面との少なくとも一方とともに検査面として同様に検査を行うようにしても良い。
ここで、異物検査結果が良好であるとは、転写可能性のある異物がレチクルＲ上に付着していない状態をいい、異物検査結果が不良であるとは、転写可能性のある異物がレチクルＲ上に付着している状態を意味する。
上述のように、本実施形態では、レチクルＲは、本体チャンバ１２に搬入された際に収容されていたレチクルキャリアに必ずしも戻されるとは限らず、別のレチクルキャリアに戻されることがある。このようなレチクルＲの管理を実現するため、本実施形態では、異物検査装置３４に搬入されるレチクルＲの搬送経路の途中にバーコードリーダ１１８が配置され、該バーコードリーダ１１８によって各レチクルに付設された該レチクルに関する情報が記録されたバーコードが読み取られるようになっている。このバーコードリーダ１１８で読み取られた各レチクルの情報は、主制御装置５０に送られ、該主制御装置５０では、このレチクル情報に基づいてレチクルを個別に管理している。
なお、バーコードリーダ１１８は搬出入ポート２２Ａ，２２Ｂとバッファ１１６との間に設けても良い。また、レチクルに関する情報の記録は、バーコードに限らず、２次元コード又は文字や数字などを用いて行っても良く、かかる場合にはそれに応じた読み取り装置をバーコードリーダに代えて設ければ良い。
図１に戻り、本体チャンバ１２内部の−Ｘ側端部かつＹ軸方向の中央部近傍の位置で、前述したＦＯＵＰ搬出入ポート２０を介して搬入されるＦＯＵＰ２４の収容スペースの斜め上方には、バッファ１１６が配置されている。この場合、ＦＯＵＰ２４の収容スペースとバッファ１１６が配置された空間とは、不図示の隔壁により仕切られている。この隔壁の下方に不図示のウエハ搬送系が配置されている。
前記バッファ１１６としては、ここでは、レチクルを複数枚（例えば１４枚）収容可能で出し入れが可能な密閉式のものが用いられている。これを更に詳述すると、バッファ１１６は、図４に拡大して示されるように、土台部１２０と、この土台部１２０上に固定された一方の面（前面）が開口した箱型のバッファ本体ケース１２２と、該バッファ本体ケース１２２の背面に取り付けられたエア噴出機構１２４と、バッファ本体ケース１２２の内部空間に上下方向に所定間隔で設けられた１４段の収納棚１２６と、バッファ本体ケース１２２の前面を開閉する開閉機構としての開閉ドア１２８とを備えている。
前記エア噴出機構１２４は、バッファ本体ケース１２２の背面を閉塞する所定厚さの中空の直方体状のケース（筐体）を有している。このケースのバッファ本体ケース１２２との隔壁には、所定間隔で多数の噴き出し口（図示省略）が形成されている。エア噴出機構１２４を構成するケース内にはその上壁に接続された給気管１３０を介してドライエアが供給されるようになっている。このドライエアは、例えば工場内に設置された大型の空気タンク（図示省略）からポンプ１３２（図５参照）によって供給されるようになっている。この場合、空気タンクから給気管１３０に至るドライエアの給気経路には、ＨＥＰＡフィルタあるいはＵＬＰＡフィルタ等のパーティクル除去用のエアフィルタが設けられており、このエアフィルタによってパーティクルが除去されたクリーンなドライエアがエア噴出機構１２４を介してバッファ本体ケース１２２内に供給されるようになっている。ポンプ１３２のオン・オフは、主制御装置５０によって制御される（図５参照）。
すなわち、本実施形態では、空気タンク、ポンプ１３２、給気管１３０を含む給気経路及びエア噴出機構１２４によって、バッファ１１６内、より正確にはバッファ本体ケース１２２内に、クリーンなガスとしてのクリーンエアを供給可能なガス供給機構１３４が構成されており、このガス供給機構１３４によるクリーンエアの供給・停止が主制御装置５０によって制御されるようになっている（図５参照）。
なお、上記の空気タンクからのクリーンエアの供給に限らず、例えば本体チャンバ１２内の空調のため、空調装置によって本体チャンバ１２に供給される空気の供給路に分岐路を設け、その分岐路を介してその空気をエア噴出機構１２４に送り込むようにしても良い。この場合も、エア噴出機構１２４に送り込まれる空気は、エアフィルタを経由したものであることが望ましい。
なお、クリーンルーム内の空気は、塵以外にイオンや有機物などの不純物を含むので、ケミカルフィルタを設けて不純物を除去した化学的にクリーンな空気を送ることが好ましい。また、ドライエアの代わりに窒素又はヘリウムなどの不活性ガスを用いても良い。
前記開閉ドア１２８は、図４及び図５に示されるドア開閉機構１３６によって開閉される。このドア開閉機構１３６は、バッファ本体ケース１２２の＋Ｙ側の側壁の＋Ｘ側の端部に固定されたＺ軸方向に伸びる軸受け部材１３８と、この軸受け部材１３８に回転可能に支持されたＺ軸方向に伸びる支軸（回転軸）１４０と、軸受け部材１３８の下端に固定されたモータボックス１４２とを備えている。これを更に詳述すると、軸受け部材１３８は、円筒状部材の上端及び下端の一部を除く残りの部分を切除して、その切除部分の断面形状が、中心角２４０°の２／３円弧状とされた部材から成り、この軸受け部材１３８の上端部及び下端部にそれぞれ設けられた軸受けを介して支軸１４０が支持されている。この場合、この支軸１４０に開閉ドア１２８が固定されているので、開閉ドア１２８は、支軸１４０を中心に約１２０°の範囲内で回動が可能になっている。モータボックス１４２には、ロータリ・モータ及び該モータの回転を減速して支軸１４０に伝達する減速機構が内蔵されている。そして、ロータリ・モータが主制御装置５０によって制御され、開閉ドア１２８の開閉が行われる。このように、実際にはロータリ・モータを介して開閉ドア１２８の開閉が制御されるが、以下においては、便宜上ドア開閉機構１３６が主制御装置５０によって制御され、開閉ドア１２８の開閉が行われるものとして説明する。
ここで、開閉ドア１２８の閉状態で、開閉ドア１２８が接触するバッファ本体ケース１２２の接触面には、不図示のガスケット等のシーリング部材が設けられており、開閉ドア１２８の閉状態では、バッファ本体ケース１２２の内部は気密状態となるようになっている。
図５には、本実施形態の露光装置１０の制御系の構成が簡単に示されている。この制御系は、ワークステーション（又はマイクロコンピュータ）から成る制御装置としての主制御装置５０を中心として構成されている。主制御装置５０は、これまでに説明した各種の制御を行う他、装置全体を統括的に制御する。
次に、本実施形態の露光装置１０におけるレチクルの一連の搬送動作及び露光動作について概略的に説明する。
前提として、レチクルキャリア２８2が搬出入ポート２２Ｂに搬入され、かつ該レチクルキャリア２８2内のレチクルは、全てバッファ１１６内に収容されており、また、レチクルキャリア２８2を構成するキャリア本体７４は、搬出入ポート２２Ｂの下方で開閉装置８０Ｂを構成する開閉部材８２によって支持されているものとする。また、以下においては、説明の煩雑化を避けるために、レチクルを各部間で受け渡す際のバキュームのオン・オフに関する記載については、その説明を省略する。
ａ． まず、主制御装置５０の指示に応じ、例えば、ＯＨＶ２６によりレチクルＲを６枚収納したレチクルキャリア２８1が搬出入ポート２２Ａに搬入される。このレチクルキャリア２８1の搬出入ポート２２Ａへの搬入を確認すると、主制御装置５０では、開閉装置８０Ａを構成する駆動機構８６を介して駆動軸８４を所定量上方に駆動し、開閉部材８２をレチクルキャリア２８1のキャリア本体７４に係合させるとともに、係合・ロック解除機構によりレチクルキャリア２８1のロック機構を解除する。そして、主制御装置５０では、駆動機構８６を介して駆動軸８４を所定量下方に駆動する。これにより、キャリア本体７４を係合した開閉部材８２が駆動軸８４と一体で下方に所定量移動し、本体チャンバ１２の内部と外部とを隔離した状態で、レチクルキャリア２８1の底部が開放される。すなわち、レチクルＲを保持したキャリア本体７４がカバー７６から分離される。図２には、このキャリア本体７４がカバー７６から分離した状態が示されている。このとき、ロボット８８は、開閉装置８０Ａにほぼ対向する位置に待機している。
ｂ． 次に、主制御装置５０では、ロボット８８の駆動部９２を介してアーム９０を開閉部材８２上に支持されているキャリア本体７４の最下段の収納棚に保持されたレチクルＲの下方に挿入する。次いで、主制御装置５０では、Ｚ軸リニアモータ９８を介してロボット８８を僅かに上昇駆動する。これにより、アーム９０によってレチクルＲが下方から支持される。
ｃ． 次に、主制御装置５０では、駆動部９２を介してアーム９０を縮めて、レチクルＲをキャリア本体７４から取り出すとともに、Ｙ軸リニアモータ１０４を制御してロボット８８を異物検査装置３４の前方まで移動する。この移動の途中で、バーコードリーダ１１８によりアーム９０に保持されたレチクルＲに関する情報が読み取られ、その情報が異物検査装置３４の制御系及び主制御装置５０に送られる。
ｄ． 次いで、主制御装置５０では、ロボット８８の駆動部９２を介してアーム９０を異物検査装置３４内に侵入させ、そのアーム９０に保持されたレチクルＲを異物検査装置３４に渡した後、アーム９０を異物検査装置３４の外部に退避させる。これにより、異物検査装置３４内でレチクルＲの異物検査が行われ、その検査結果が不図示のディスプレイに表示されるとともに、主制御装置５０に伝えられる。ここでは、説明を簡略化するため、異物検査の結果は良好であったものとする。
ｅ． 主制御装置５０では、上記の異物検査の結果が良好であることを確認すると、ロボット８８の駆動部９２を介してアーム９０を異物検査装置３４内に侵入させ、異物検査の終了したレチクルＲを取り出すとともに、Ｚ軸リニアモータ９８を介してロボット８８を、図２中に仮想線８８’で示される位置の近傍まで上昇駆動する。
ｆ． 上記のロボット８８の上昇と並行して、主制御装置５０では、ドア開閉機構１３６を介してバッファ１１６の開閉ドア１２８を開けると同時に、ガス供給機構１３４を構成するポンプ１３２をオンにする。これにより、ガス噴出機構１２４からバッファ本体ケース１２２内へのドライエアの供給が開始される。
ｇ． 次いで、主制御装置５０では、駆動部９２を介してアーム９０を旋回及び伸縮させて、レチクルＲを支持したアーム９０をバッファ本体ケース１２２内の所定の空いている段の収納棚１２６の上方に侵入させた後、ロボット８８を僅かに下降してレチクルＲをその収納棚に渡す。
ｈ． その後、主制御装置５０では、ロボット８８の駆動部９２を介してアーム９０をバッファ本体ケース１２２外に退避した後、ドア開閉機構１３６を介してバッファ１１６の開閉ドア１２８を閉鎖すると同時に、ガス供給機構１３４を構成するポンプ１３２をオフにする。これにより、ガス噴出機構１２４からバッファ本体ケース１２２内へのドライエアの供給が停止される。
ｉ． その後、主制御装置５０では、ロボット８８を開閉装置８０Ａにほぼ対向する位置に移動した後、上記のｂ．〜ｈ．の動作を繰り返す。この際、異物検査の結果がいずれのレチクルについても良好である場合には、レチクルキャリア２８1内のレチクルがバッファ１１６内に順次搬入される。
ｊ． この一方、主制御装置５０では、異物検査の結果が不良とされたレチクルについては、バッファ１１６に搬入することなく、ロボット８８によりレチクルキャリア２８2のキャリア本体７４に搬入する。これは、パーティクルが付着したレチクルがレチクルステージＲＳＴ上に搬送されて露光不良が発生するのを未然に防止するため、及びレチクルキャリア２８2の方がレチクルキャリア２８1より先に搬出されるためである。また、異物検査の結果が不良であると判断されたレチクルの情報は、主制御装置５０によりＯＨＶ２６等を含む外部搬送系を制御する制御装置に通知され、その制御装置によって、それらの不良と判断されたレチクルと同一のパターンが形成された別のレチクルが順次用意され、残りの第１３枚目のレチクルと第１４枚目のレチクルを搬送するための別のレチクルキャリア（便宜上、レチクルキャリア２８3と呼ぶ）に順次収容されるようになっている。
なお、オペレータがディスプレイの画面を見て、不良と判断されたレチクルと同一のパターンが形成された別のレチクルを搬送系のマニュアル操作により順次レチクルキャリア２８3内に収容することも可能である。
ｋ． そして、レチクルキャリア２８1内の全てのレチクルの搬出が終了すると、主制御装置５０では、前述した手順と逆の手順で、開閉装置８０Ｂを用いてレチクルキャリア２８2を構成するキャリア本体７４をカバー７６と一体化し、ＯＨＶ２６による搬出のために待機する。
ｌ． そして、ＯＨＶ２６によりレチクルキャリア２８2が搬出入ポート２２Ｂから搬出されると、主制御装置５０からの指示に応じて、ＯＨＶ２６によってレチクルキャリア２８3が搬出入ポート２２Ｂに搬入される。
なお、オペレータが手作業により、レチクルキャリア２８3を搬出入ポート２２Ｂに搬入することは可能である。
ｍ． その後、上記と同様の手順に従ってレチクルキャリア２８3内のレチクルが順次バッファ本体ケース１２２内に搬入される。
このようにして、バッファ本体ケース１２２内には、当初から予定していた露光に用いられる１４種類のレチクルＲがストックされる。
そして、実際に露光を行う際には、その露光に先立って、バッファ１１６内のレチクルＲが次のようにしてレチクルステージＲＳＴ上に搬入される。
ｎ． まず、主制御装置５０では、Ｚ軸リニアモータ９８を介してロボット８８を、図２中に仮想線８８’で示される位置の近傍まで上昇駆動する。
上記のロボット８８の上昇と並行して、主制御装置５０では、ドア開閉機構１３６を介してバッファ１１６の開閉ドア１２８を開くと同時に、ガス供給機構１３４を構成するポンプ１３２をオンにする。これにより、エア噴出機構１２４からバッファ本体ケース１２２内へのドライエア供給が開始される。
ｏ． 次いで、主制御装置５０では、駆動部９２を介してアーム９０を旋回及び伸縮させて、アーム９０をバッファ本体ケース１２２内の所定の収納棚１２６の下方に侵入させた後、ロボット８８を僅かに上昇駆動する。これにより、レチクルＲが収納棚１２６からアーム９０に移載される。その後、主制御装置５０では、ロボット８８の駆動部９２を介してアーム９０によりレチクルＲをバッファ本体ケース１２２外に搬出した後、ドア開閉機構１３６を介してバッファ１１６の開閉ドア１２８を閉鎖すると同時に、ガス供給機構１３４を構成するポンプ１３２をオフにする。これにより、エア噴出機構１２４からバッファ本体ケース１２２内へのドライエアの供給が停止される。
ｐ． 次に、主制御装置５０では、Ｚ軸リニアモータ９８を介してロボット８８を図２中の仮想線８８”で示される位置まで下降駆動するとともに、駆動部９２を介してアーム９０を旋回及び伸縮させて、レチクルＲを中間受け渡し部１０６に載置する（図３の仮想線９０’参照）。その後、主制御装置５０では、ロボット８８の駆動部９２を介してアーム９０を中間受け渡し部１０６から退避させた後、上下動・スライド機構１１２を介してレチクルローダ１１４を、−Ｘ方向の移動限界位置まで移動させるとともに、上方に微少駆動する。これにより、中間受け渡し部１０６に載置されたレチクルＲがレチクルローダ１１４に移載される。
ｑ． 次に、主制御装置５０では、レチクルＲを保持したレチクルローダ１１４を上下動・スライド機構１１２を介して＋Ｘ方向の移動限界位置まで移動し、ローディングポジションにあるレチクルステージＲＳＴ上にレチクルＲを搬送する。図３には、このレチクルＲの搬送途中にあるレチクルローダ１１４が示されている。そして、主制御装置５０では、上下動・スライド機構１１２を介してレチクルローダ１１４を下方に微少駆動後、−Ｘ方向に所定量駆動してレチクルローダ１１４をレチクルベース定盤６０上から退避させる。
このようにしてレチクルＲのレチクルステージＲＳＴ上へのロードが行われる。
そして、レチクルＲのレチクルステージＲＳＴ上へのロードが完了すると、主制御装置５０では、オペレータの指示に応じてウエハＷ上の各ショット領域を適正露光量（目標露光量）で走査露光するための各種の露光条件を設定する。
次いで、主制御装置５０では、不図示のレチクル顕微鏡及び不図示のオフアクシス・アライメントセンサ等を用いたレチクルアライメント、ベースライン計測等を所定の手順で行い、その後、アライメントセンサを用いたウエハＷのファインアライメント（ＥＧＡ（エンハンスト・グローバル・アライメント）等）を行って、ウエハＷ上の複数のショット領域の配列座標を求める。
なお、上記のレチクルアライメント、ベースライン計測等の準備作業については、例えば特開平４−３２４９２３号公報及びこれに対応する米国特許第５２４３１９５号に詳細に開示され、また、これに続くＥＧＡについては、特開昭６１−４４４２９号公報及びこれに対応する米国特許第４，７８０，６１７号等に詳細に開示されており、本国際出願で指定した指定国又は選択した選択国の国内法令が許す限りにおいて、上記各公報並びにこれらに対応する上記米国特許における開示を援用して本明細書の記載の一部とする。
このようにして、ウエハＷの露光のための準備動作が終了すると、主制御装置５０では、アライメント結果に基づいてウエハレーザ干渉計７２の計測値をモニタしつつウエハステージ駆動系６６を制御してウエハＷの第１ショットの露光のための走査開始位置（加速開始位置）にウエハステージＷＳＴを移動する。
そして、主制御装置５０では、レチクルステージ駆動系６２及びウエハステージ駆動系６６を介してレチクルステージＲＳＴとウエハステージＷＳＴとのＸ軸方向の走査を開始する。両ステージＲＳＴ、ＷＳＴがそれぞれの目標走査速度に達すると、パルス紫外光によってレチクルＲのパターン領域が照明され始め、走査露光が開始される。
この走査露光の開始に先立って、レーザ制御装置１４４によりレーザ装置１４の発光は開始されているが、主制御装置５０によってレチクルブラインド装置を構成する可動ブラインドの各可動ブレードの移動がレチクルステージＲＳＴの移動と同期制御されているため、レチクルＲ上のパターン領域外へのパルス紫外光の照射が防止されている。
そして、レチクルＲのパターン領域の異なる領域がパルス紫外光で逐次照明され、パターン領域全面に対する照明が完了することにより、ウエハＷ上の第１ショットの走査露光が終了する。これにより、レチクルＲのパターンが投影光学系ＰＬを介して第１ショットに縮小転写される。
このようにして、第１ショットの走査露光が終了すると、主制御装置５０によりウエハステージ駆動系６２を介してウエハステージＷＳＴがＸ、Ｙ軸方向にステップ移動され、第２ショットの露光のため走査開始位置（加速開始位置）に移動される。このステッピングの際に、主制御装置５０ではウエハステージＷＳＴの位置（ウエハＷの位置）を検出するウエハレーザ干渉計７２の計測値に基づいてウエハステージＷＳＴのＸ、Ｙ、θｚ、θｘ及びθｙ方向の位置変位をリアルタイムに計測する。この計測結果に基づき、主制御装置５０ではウエハステージ駆動系６６を制御してウエハステージＷＳＴのＸＹ位置変位が所定の状態になるようにウエハステージＷＳＴの位置を制御する。
そして、主制御装置５０では第２ショットに対して上記と同様の走査露光を行う。
このようにして、ウエハＷ上のショットの走査露光と次ショット露光のためのステッピング動作とが繰り返し行われ、ウエハＷ上の露光対象ショットの全てにレチクルＲのパターンが順次転写される。
一方、レチクルステージＲＳＴ上にロードされたレチクルＲを用いた露光が終了すると、前述したレチクルのロード時と逆の手順でレチクルＲがバッファ１１６内に戻される。
その後は、主制御装置５０では、露光に用いるレチクルＲを必要に応じて、前述と同様の手順で、バッファ１１６内から取り出し、レチクルステージ上にロードして露光を行い、露光終了後に、前述と同様にしてバッファ１１６内に戻す。
これまでの説明から明らかなように、本実施形態では、開閉装置８０Ａ，８０Ｂ、ロボット８８、Ｚ軸リニアモータ９８、Ｙ軸リニアモータ１０４、レチクルローダ１１４及び上下動・スライド機構１１２によって、搬出入ポート２２Ａ，２２Ｂとバッファ１１６とレチクルステージＲＳＴとの三者間でマスクとしてのレチクルを搬送するマスク搬送系としてのレチクル搬送系３２が構成されている。
以上説明したように、本実施形態の露光装置１０では、長期に渡って露光に必要な枚数のレチクルＲをバッファ１１６内にストックしておくことができる。また、上記のレチクル搬送系３２が、搬出入ポート２２Ａ，２２Ｂとバッファ１１６とレチクルステージＲＳＴとの三者間でレチクルを搬送するので、オペレータの手作業によるレチクルキャリア（マスクコンテナ）の交換作業は不要である。また、バッファ１１６を必ずしもレチクルステージＲＳＴの近傍に配置する必要もない。
また、開閉ドア１２８の閉状態では、バッファ１１６内（バッファ本体ケース１２２内）は外部に対して気密状態を維持できるので、外から外気とともにパーティクル及び不純物等の汚染物質がバッファ１１６内に混入してレチクルＲに付着するのを防止することができる。また、レチクルＲをバッファ１１６に対して出し入れするときには、必然的に開閉ドア１２８が開放されるが、開閉ドア１２８の開放と同時に主制御装置５０によりクリーンなドライエアがガス供給機構１３４を介してバッファ１１６内に供給され、開閉ドア１２８が開状態である間は、ドライエアが常時バッファ１１６内に供給され続ける。このため、レチクルをバッファ１１６に対して出し入れするときにおいてもパーティクルなどの汚染物質がレチクルに付着するのを効果的に防止することができる。
但し、露光装置本体３０が収容される本体チャンバ１２の内部は、通常不図示の空調装置によって所定の目標温度、目標圧力にほぼ維持されるとともに、クリーン度がクラス１レベルに維持されている。しかも、通常は本体チャンバ１２内は、外部に対して陽圧となっているので、外部から外気とともにパーティクルなどの汚染物質が混入するおそれはない。従って、バッファ１１６は必ずしも密閉構造にする必要はない。同様の理由により、上述したガス供給機構１３４も必ずしも設けなくても良い。
しかしながら、露光装置本体３０やレチクル搬送系３２等のメンテナンスのときなどには、広い面積の開閉扉１８Ａ，１８Ｂ等が開放され、その際に、外気が本体チャンバ１２内に混入して本体チャンバ１２内のクリーン度が低下するのは避けられない。
本実施形態の露光装置１０では、バッファ１１６が密閉式であるとともに、レチクルの出し入れの際のみに開閉ドア１２８が開放されるようになっているので、仮にメンテナンス時に本体チャンバ１２内のクリーン度が低下しても、バッファ１１６内のレチクルにパーティクルなどの汚染物質が付着するのをほぼ確実に防止することができる。
また、本実施形態の露光装置１０では、上述のようにして、密閉型のレチクルキャリア２８1，２８2内に収容した状態でレチクルＲが本体チャンバ１２の搬出入ポート２２Ａ，２２Ｂに搬入され、本体チャンバ１２の内部を外気と隔離した状態でレチクルＲが本体チャンバ１２内に取り込まれる。また、本体チャンバ１２内は、クリーン度がクラス１程度に維持されているので、本体チャンバ１２内でレチクルにパーティクルなどの汚染物質が付着するのを効果的に抑制することができる。
従って、本実施形態の露光装置１０では、露光精度を低下させる程度のレチクルに対するパーティクルなどの汚染物質の付着を長期にわたって防止することができるので、そのレチクルを用いた高精度な露光が長期に渡って可能となる。
また、前述の如く、本体チャンバ１２内でレチクルにパーティクルや不純物などの汚染物質が付着するのを効果的に抑制できるので、バッファ１１６に搬入するのに先立って異物検査を行うだけで十分であり、度々異物検査を行わなくても良い。結果的に、異物検査を含む制御シーケンスを簡略化することができる。勿論、異物検査を所定のインターバルで行うようにしても良いが、この場合にも、そのインターバルを広めに設定することが可能である。
なお、本体チャンバ１２内に異物検査装置３４を設けなくても良く、例えば本体チャンバ１２の外部で異物検査が行われたレチクルをそのまま密閉型のレチクルキャリアに収納して本体チャンバ１２内に搬入するようにしても良い。
なお、上記実施形態では、バッファ１１６の開閉ドア１２８の開閉は、レチクルの出し入れの際にのみ行う場合について説明したが、本発明がこれに限定されないことは勿論である。例えば、主制御装置５０では、通常時は、バッファ１１６の開閉ドア１２８を常時オープンにしておき、本体チャンバ１２の開閉扉１８Ａ，１８Ｂ等が開放されたとき、これを検知して直ちに開閉ドア１２８を閉じるようにしても良い。これは、開閉扉１８Ａ，１８Ｂ等の開放を検知するセンサを開閉扉１８Ａ，１８Ｂ又は本体チャンバ１２の何れかに取り付けておき、そのセンサの出力に基づいて主制御装置５０が開閉扉１８Ａ，１８Ｂの開放を検知するようにすることにより実現できる。
あるいは、主制御装置５０では、本体チャンバ１２内の空気清浄度をチェックし、空気清浄度が所定値より高い間は、バッファ１１６の開閉ドア１２８を「開」状態、空気清浄度が所定値より低い間は、バッファ１１６の開閉ドア１２８を「閉」状態に制御することとしても良い。これは、例えばパーティクルチェックセンサを本体チャンバ１２内に配置し、このセンサの出力に基づいて主制御装置５０が本体チャンバ１２内の空気清浄度を検知することにより実現できる。また、このようにすると、例えば、メンテナンスの際に、本体チャンバ１２の開閉扉１８Ａ，１８Ｂ等が開放され、メンテナンスが終了してこれらの扉が閉じられた後、本体チャンバ１２内の空調が再開された場合に、本体チャンバ１２内の空気清浄度が所定値以上になると、自動的にバッファ１１６の扉が開放されることとなる。
なお、空気清浄度ではなく不純物濃度を検出しても良いし、あるいは扉が閉じられた後に所定時間だけ経過するまではバッファ１１６の開放を禁止するだけでも良い。
なお、上記実施形態のバッファ１１６において、開閉ドア１２８とともに、あるいは開閉ドア１２８に代えて、本体チャンバ１２の開閉扉１８Ａ，１８Ｂ等の開放時に、バッファ１１６に設けられたレチクルの出し入れ口を閉鎖する、鉛直下向きに流れる気体の高速流れから成る遮蔽膜、例えば鉛直下向きに流れる空気の高速流れから成る遮蔽膜、すなわちエアカーテンを開閉機構として用いても良い。このような気体の高速流れから成る遮蔽膜によると、バッファ１１６内に対する外気の混入を排除でき、熱の移動をも防止することができるので、バッファ１１６内のレチクルにパーティクルなどの汚染物質が付着するのを防止ないしは効果的に抑制することができる。主制御装置５０では、本体チャンバ１２の扉の開閉に応じて、又は本体チャンバ１２内の空気の清浄度に応じてエアカーテンのオン、オフを制御することとしても良い。
また、バッファ１１６として、開放型のバッファを用いる場合には、ガス供給機構１３４からバッファ内に常時クリーンな（パーティクル等を殆ど含まないという意味に加え、化学的にもクリーンな）ガス、例えばドライエアが供給されるようにすることが望ましい。このようにすることにより、本体チャンバ１２内に必要枚数のレチクルをストックできるとともに、メンテナンス時等に本体チャンバ１２の扉が開放された場合であっても、バッファ内にパーティクルなどの汚染物質が混入するのを効果的に抑制することができる。
なお、開閉扉１８Ａ，１８Ｂの開閉と無関係に常時ガス供給機構１３４によりバッファ１１６内にクリーンなガスを供給しても良いし、あるいはバッファ１１６内をクリーンなガスで満たしてほぼ密閉しておくようにしても良い。また、開閉扉１８Ａ，１８Ｂが開放されている間のみ、ガス供給機構１３４によりバッファ１１６内にクリーンなガスを供給しても良いし、あるいはその開放前にバッファ１１６内をクリーンなガスで満たしてほぼ密閉状態とするようにしても良い。いずれの場合にも、バッファ１１６内にレチクルを長期間ストックする場合などに、そのレチクルに対する汚染物質の付着を防止あるいは効果的に抑制することができる。
また、ガス供給機構１３４は、開閉ドア１２８の開放中のみ、クリーンなガスをバッファに供給しても良いし、開閉ドア１２８の開閉とは無関係にクリーンなガスを供給し続けても良い。特に、前者では、開閉ドア１２８が閉じられている間は、バッファ１１６内をクリーンなガスで満たしてほぼ密閉状態にしても良い。また、開閉扉１８Ａ，１８Ｂの少なくとも一方と開閉ドア１２８とが同時に開放されている間のみ、クリーンなガスを供給しても良い。
本実施形態では、これまで説明した種々の手段により、バッファが設置される空間の外部からバッファ内への汚染物質の侵入を抑制しており、その意味で、これまでに説明した種々の手段により、本発明に係る抑制機構を構成することができるが、抑制機構はこれらに限定されるものではない。例えば、バッファのケースを一方の面が開口した箱型部材で形成し、その開口部の少なくとも一部をマスク（レチクルを含む概念である）の出し入れ口とする場合などに、この出し入れ口を開閉するシャッタ、望ましくは高速で開閉する高速シャッタによって抑制機構を構成することができる。また、開口部の一部をマスクの出し入れ口とする場合に、その出し入れ口の周囲の領域にエアフィルタを配置することにより、そのエアフィルタによって抑制機構を構成することもできる。なお、開口部の一部をマスクの出し入れ口とする場合には、バッファのケース内のマスクの保持部を上下動可能な構成としても良い。このように、抑制機構は、その方法を問わず、バッファが設置される空間の外部から前記バッファ内への汚染物質の侵入量を結果的に減少させる、あるいは汚染物質の進入量を零にするものであれば良く、その構成等は特に限定されない。かかる抑制機構を備える場合には、抑制機構によりバッファ内への汚染物質の侵入が抑制されるので、例えばバッファ内にマスクを長期間ストックする場合などに、そのマスクに対する汚染物質の付着を防止あるいは効果的に抑制することができる。
なお、上記実施形態で説明した本体チャンバやバッファその他の部分の構成は、一例であって本発明がこれに限定されないことは勿論である。例えば、露光装置本体３０を収容する本体チャンバ１２にマスクコンテナ（レチクルキャリア）の搬出入ポートが１つしか設けられていなくても良い。この場合には、本体チャンバ１２に対してはレチクルキャリアを１台しか搬入できないが、その搬出入ポートにレチクルキャリアを数回搬入し、その搬入の都度、レチクル搬送系３２によりレチクルキャリアからレチクルをバッファ１１６内に搬入することにより、バッファ１１６内にレチクルを最大限収容しておくことができる。従って、露光に必要な十分な枚数のレチクルを装置内に常時持たせることが可能になる。
また、上記実施形態では本体チャンバ１２内に露光装置本体３０、レチクル搬送系３２、及びウエハ搬送系（図示省略）を配置するものとしたが、例えば本体チャンバを複数に仕切って露光装置本体、レチクル搬送系、ウエハ搬送系を別々に収容しても良いし、あるいは複数のチャンバにそれぞれ露光装置本体、レチクル搬送系、ウエハ搬送系などを収容しても良い。
また、上記実施形態では、バッファ１１６が、図４に示されるように、−側でのみ開く開閉ドア１２８を有する場合について説明したが、これに代えて、観音開きのドアをバッファ本体ケース１２２の開口面に設けても良い。
あるいは、図６に示されるようなバッファ２１６を用いても良い。このバッファ２１６は、上下方向に所定間隔を隔てて配置された複数段（例えば１４段）のマスク収納棚１２６’がその内部に設けられたバッファ本体ケース１２２’と、バッファ本体ケース１２２’の背面に固定されたエア噴出機構１２４’と、バッファ本体ケース１２２’下面に固定された土台部１２０’と、該土台部１２０’に上方向から着脱可能な底面が開口した中空箱型のカバー１５０とを備えている。カバー１５０が土台部１２０’に装着された「閉」状態ではその内部に閉空間が形成され、カバー１５０が土台部１２０’から離脱した「開」状態ではその開度に応じた段数のマスク収納棚１２６’が開放されるようになっている。
この場合において、土台部１２０’及びバッファ本体ケース１２２’が固定で、これに対してカバー１５０が上下方向に移動して、バッファ本体ケース１２２’を上方から蓋をする構造を採用しても良く、あるいは、カバー１５０が固定で、これに対して土台部１２０’及びバッファ本体ケース１２２’の全体が上下に移動する構造を採用しても良い。後者の場合において、マスクの収納枚数が６枚程度で良い場合には、前述したレチクルキャリア（ＳＭＩＦポッド）をバッファとして用いることも可能である。勿論、図６の場合と上下を反対にした構造のバッファを用いることも可能である。
また、上記実施形態では１つのバッファを設けるものとしたが、２つ以上のバッファを設けても良い。
上記実施形態及び図６の変形例では、単一空間内に複数枚のレチクルが収納されるバッファを用いる場合について説明したが、これに限らず、レチクルを個別に収納する複数のレチクルケースを出し入れ可能な複数段の棚を備えたレチクルライブラリを設け、このレチクルライブラリと前記レチクルケースのそれぞれとによって、バッファを構成しても良い。
図７Ａ〜図７Ｃには、このようなレチクルライブラリを構成要素とする各種のバッファの変形例が、それぞれ示されている。この内、図７Ａでは、前面に開閉可能な扉１４６がヒンジを介して取り付けられたレチクルケース１４８がレチクルライブラリ１５２の各収納段の棚に収納されるとともに、各レチクルケース１４８には、空圧継手１５４を介してクリーンエアの供給管１６２が接続されている。この場合、各レチクルケース１４８の内部は、扉１４６の閉鎖状態では、気密状態ではなく、半密閉状態となるようになっている。各レチクルケース１４８の内部には、レチクルＲが個別に収納されており、このレチクルＲの出し入れは、扉１４６の開放時に、アーム９０によって行われる。
また、図７Ｂでは、図７Ａと同様のレチクルケース１４８を複数収納するレチクルライブラリ１５２の上面及び側面が枠１５６で覆われ、その枠１５６の背面に前述したエア噴出機構１２４と同様のエア噴出機構１６０が設けられている。この場合、枠１５６とエア噴出機構１６０の筐体とによって一方の面（レチクルステージ側の面）が開口した箱が構成されている。この場合、エア噴出機構１６０によって箱の内部全体に渡ってクリーンエアが供給されている。この場合、各レチクルケース１４８に対するレチクルの出し入れは、扉１４６の開放時に、アーム９０によって行われる。
図７Ｃでは、図７Ｂと同様に、レチクルケースを複数収納するレチクルライブラリ１５２の上面及び側面が枠１５６で覆われ、その枠１５６の背面に前述したエア噴出機構１２４と同様のエア噴出機構１６０が設けられている。但し、この場合、レチクルケースとして、上下分離型のレチクルケース１４８’が用いられている。この場合、各レチクルケース１４８’内部からレチクルＲを取り出すには、レチクルケース１４８’をアーム９０と同様の搬送アーム９０ａによって取り出し、所定の分離位置まで搬送し、その位置でレチクルケースを上下に分離した後、アーム９０によって搬送する。
上述した図７Ａ〜図７Ｃの変形例では、いずれの場合にも、緊急時、例えばレチクルの自動搬送系が停止した場合、露光装置が故障により停止した場合などに、オペレータが個別にレチクル（レチクルケース）を取り出すことができるという利点がある。但し、図７Ａの場合には、各空圧継手を介して接続されたエア配管を容易に取り外せるようにしておくことが望ましく、また、図７Ｂ、図７Ｃの場合は、エア供給機構１６０を容易に取り外せるようにしておくことが望ましい。
また、バッファは、複数枚のレチクルを必ずしも上下方向に並べて収容するタイプでなくても良い。このように本発明の露光装置で用いられるバッファの構成はどのような構成であっても良く、要は、マスク（レチクル）を複数枚ストック可能でかつ出し入れが可能であれば良い。
なお、上記実施形態では、マスクコンテナとしてＳＭＩＦのマルチポッド（６枚用）を用いる場合について説明したが、これに限らず、シングルポッド（１枚用）を用いても良く、あるいはＦＯＵＰタイプのレチクルキャリア（マスクコンテナ）を用いても良い。
また、上記実施形態では、ガス供給機構１３４からクリーンなガスとしてドライエアをバッファ内に供給する場合について説明したが、クリーンなガスとして窒素その他のガスを供給することも可能である。同様に、前述したエアカーテンを、窒素ガス等を用いて形成しても良い。ＡｒＦエキシマレーザを光源とする露光装置の場合には、露光光の透過率低下防止のため、露光光の光路中の空気を窒素ガス等で置換することがあるが、このような場合に、クリーンなガスとして窒素その他のガスを供給することが望ましい。
また、上記実施形態のレチクルの搬送系の構成は一例であって、これに限らず、任意の構成を採用することができる。例えば、中間受け渡し部１０６を設けることなく、バッファ１１６とレチクルステージＲＳＴとの間でレチクルをスライダ機構のみで搬送することとしても良い。また、ＯＨＶを必ずしも用いる必要はなく、オペレータがマニュアルにてレチクル交換を行なうようにすることも可能である。
また、バッファ１１６の収納枚数がプロセスで使用するレチクルの枚数よりも少ないとき、あるいは複数のプロセスを時系列に行うときなどは、その後に使用されるレチクルがバッファ１１６内に収納されていないことがある。このような場合、使用済みで当分の間使用する予定のないレチクルをバッファ１１６から搬出して、その後に使用されるレチクルと交換する作業を前述した露光処理などと並行して実行するようにしても良い。例えば、プロセスプログラムに基づいて、バッファ内に常に優先順位が高い（使用順序が早い）ものから順に収納し、先に収納したレチクルを用いた露光が終了した段階で、そのレチクルをバッファから搬出し、バッファ内に最後に収納されたレチクルの直後に用いられるレチクルを搬入するようにして、常に、バッファ内のレチクルがその後のプロセスに対応したものとなるように最新の状態に更新することとすれば良い。
なお、上記実施形態では、ステップ・アンド・スキャン方式の走査型投影露光装置に本発明が適用された場合について説明したが、これに限らず、マスクと基板とを静止した状態でマスクのパターンを基板に転写するとともに、基板を順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート型の露光装置にも、本発明は好適に適用できる。また、本発明は、投影光学系を用いることなくマスクと基板とを密接させてマスクのパターンを基板に転写するプロキシミティ露光装置にも適用することができる。
また、本発明は、半導体製造用の露光装置に限らず、液晶表示素子などを含むディスプレイの製造に用いられる、デバイスパターンをガラスプレート上に転写する露光装置、薄膜磁気ヘッドの製造に用いられるデバイスパターンをセラミックウエハ上に転写する露光装置、及び撮像素子（ＣＣＤなど）、マイクロマシン、ＤＮＡチップなどの製造に用いられる露光装置などにも適用することができる。
また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、ＤＵＶ（遠紫外）光やＶＵＶ（真空紫外）光などを用いる露光装置では一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、ホタル石、フッ化マグネシウム、又は水晶などが用いられる。
本発明の露光装置では、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）のみならず、超高圧水銀ランプを光源として用いても良い。この場合、ｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）等の輝線を露光用照明光として用いれば良い。また、光源としてＦ2レーザ（１５７ｎｍ）、Ａｒ2レーザを用いても良く、あるいは金属蒸気レーザやＹＡＧレーザを用い、これらの高調波を露光用照明光としても良い。あるいは、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（Ｅｒ）（又はエルビウムとイッテルビウム（Ｙｂ）の両方）がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を、露光用照明光として用いても良い。
また、投影光学系の倍率は縮小系のみならず等倍および拡大系のいずれでも良い。また、投影光学系として屈折系に限らず、反射屈折系又は反射系の光学系を用いることは可能である。
半導体デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたレチクルを製作するステップ、シリコン材料からウエハを製作するステップ、前述した実施形態の露光装置によりレチクルのパターンをウエハに転写するステップ、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）、検査ステップ等を経て製造される。以下にデバイス製造方法について更に詳述する。
《デバイス製造方法》
図８には、デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン、ＤＮＡチップ等）の製造例のフローチャートが示されている。図８に示されるように、まず、ステップ２０１（設計ステップ）において、デバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップ２０２（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ２０３（ウエハ製造ステップ）において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
次に、ステップ２０４（ウエハ処理ステップ）において、ステップ２０１〜ステップ２０３で用意したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップ２０５（デバイス組立ステップ）において、ステップ２０４で処理されたウエハを用いてデバイス組立を行う。このステップ２０５には、ダイシング工程、ボンディング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。
最後に、ステップ２０６（検査ステップ）において、ステップ２０５で作製されたデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にデバイスが完成し、これが出荷される。
図９には、半導体デバイスの場合における、上記ステップ２０４の詳細なフロー例が示されている。図９において、ステップ２１１（酸化ステップ）においてはウエハの表面を酸化させる。ステップ２１２（ＣＶＤステップ）においてはウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ２１３（電極形成ステップ）においてはウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ２１４（イオン打込みステップ）においてはウエハにイオンを打ち込む。以上のステップ２１１〜ステップ２１４それぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップ２１５（レジスト形成ステップ）において、ウエハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップ２１６（露光ステップ）において、上記実施形態で説明した露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに転写する。次に、ステップ２１７（現像ステップ）においては露光されたウエハを現像し、ステップ２１８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップ２１９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
以上説明した本実施形態のデバイス製造方法を用いれば、露光工程（ステップ２１６）において上記実施形態の露光装置１０などの本発明の露光装置が用いられるので、長期に渡って汚染物質がマスクに付着するのを防止することができ、露光精度の低下等を効果的に抑制することができる。これにより高集積度のデバイスを歩留まり良く生産することができ、その生産性の向上を図ることができる。
産業上の利用可能性
本発明の露光装置は、半導体素子、液晶表示素子等の電子デバイスを製造するリソグラフィ工程において、基板上にマスクのパターンを精度良く転写するのに適している。また、本発明のデバイス製造方法は、高集積度の電子デバイスを歩留まり良く製造するのに適している。
本発明は、露光装置及びデバイス製造方法に係り、更に詳しくは、半導体素子、液晶表示素子等の電子デバイスを製造するリソグラフィ工程で用いられる露光装置及び該露光装置を用いるデバイス製造方法に関する。
背景技術
従来より、半導体素子、液晶表示素子等の電子デバイスを製造するリソグラフィ工程では、ステップ・アンド・リピート方式の縮小投影露光装置、あるいはステップ・アンド・スキャン方式の走査型投影露光装置（いわゆるスキャニング・ステッパ）などの露光装置が主として用いられている。
ところで、半導体素子の高集積化に伴い露光対象のパターンの線幅が微細化しており、装置内へのパーティクル（塵）等の侵入を防止するのみならず、搬送中のマスク（レチクルを含む）等への塵の付着等も防止する必要がある。このため、最近の露光装置では、マスクを気密状態で搬送するための密閉型のマスクコンテナ、例えばＳＭＩＦ（Standard Mechanical Interface）ポッドと呼ばれるボトムオープンタイプのマスクコンテナを搭載できるものが多い。
この一方、半導体素子等は、十数層以上の層の回路パターンが基板上に重ね合せて形成されるため、各層の露光に用いられる十数枚以上のマスクを用意する必要がある。
ＳＭＩＦポッドとしては、マスク１枚用（シングルポッド）と６枚用（マルチポッド）の２種類のものが知られている。従って、マルチポッドを３個以上搭載すれば、１８枚のマスクを露光装置内に搬入し、ストックすることが可能である。
しかしながら、従来の露光装置では、装置の構成上の理由（露光装置本体が収容されるチャンバ内部の空きスペースの問題）から殆どの装置が、マルチポッドのみであれば最大で２個、シングルポッドを含めても最大で３個しか搭載できない。また、マスクの管理に関する技術的な問題から、従来は、ＳＭＩＦポッドに入っていたマスクは、元のポッドに必ず戻る運用が採用されていた。このため、ＳＭＩＦポッドのみを用いかつ自動搬送により、露光に必要な十分な枚数のマスクを露光装置内に搬入し、ストックすることは困難であった。このような理由により、従来は、露光工程の進行状況に応じてＳＭＩＦポッドをオペレータが手作業にて交換する必要があった。
なお、複数個のマルチポッドを搭載可能な露光装置であっても、全てのマルチポッドをマスクの交換時間が短くなるように配置することは難しく、結果的に露光装置のスループット低下を招いてしまう。
本発明は、かかる事情の下になされたもので、その第１の目的は、オペレータの手作業によるマスクコンテナの交換作業を不要とする新たな露光装置を提供することにある。
本発明の第２の目的は、高集積度のデバイスの生産性の向上を図ることができるデバイス製造方法を提供することにある。
発明の開示
本発明の第１の観点からすると、マスクステージ上に載置されたマスクのパターンを基板に転写する露光装置本体と；前記露光装置本体を収容するとともに、前記マスクを特定枚数収容可能な密閉型のマスクコンテナの搬出入ポートが少なくとも１つ設けられたチャンバと；前記搬出入ポートから前記マスクステージに至るマスク搬送経路の途中に配置され、前記マスクコンテナに収容可能な前記特定枚数よりも多い所定枚数のマスクをストック可能でかつ出し入れが可能なバッファと；前記搬出入ポートと前記バッファと前記マスクステージとの三者間で前記マスクを搬送するマスク搬送系と；を備える露光装置が提供される。
ここで、搬出入ポートとは、専らマスクの搬入に用いられる搬入ポートと専らマスクの搬出に用いられる搬出ポートとを有するもの、及びマスクの搬入及びマスクの搬出の両方の目的で用いられるポートのいずれをも含む。
これによれば、密閉型のマスクコンテナの搬出入ポートからマスクステージに至るマスク搬送経路の途中に、マスクを複数枚ストック可能でかつ出し入れが可能なバッファが配置されている。このため、チャンバにマスクコンテナの搬出入ポートが１つしかなく、マスクコンテナを１台しか搬入できない場合であっても、その搬出入ポートにマスクコンテナを数回搬入し、その搬入の都度、マスク搬送系によりマスクコンテナからマスクをバッファ内に搬入することにより、バッファ内にマスクを最大限収容しておくことができる。従って、露光に必要な十分な枚数のマスクを装置内に常時持たせることが可能になる。また、この場合、マスク搬送系が、搬出入ポートとバッファとマスクステージとの三者間でマスクを搬送するので、オペレータの手作業によるマスクコンテナの交換作業は不要となる。また、バッファを必ずしもマスクステージの近傍に配置する必要もない。
この場合において、前記バッファが設置される空間の外部から前記バッファ内への汚染物質の侵入を抑制する抑制機構を、更に備えることとすることができる。
本明細書において、「汚染物質」とは、パーティクル（塵や埃）だけでなく、例えば露光用照明光を減衰させる、あるいは露光用照明光が透過又は反射する光学素子を曇らせる不純物（水あるいは水蒸気、イオン、有機物など）も含む概念である。
また、「汚染物質の侵入を抑制する」とは、通常の意味における抑制、すなわち抑え止めることの他、阻止をも含む概念である。従って、抑制機構は、その方法を問わず、バッファが設置される空間の外部から前記バッファ内への汚染物質の侵入量を結果的に減少させる、あるいは汚染物質の進入量を零にするものであれば良く、その構成等は特に限定されない。
上述の抑制機構を備える場合には、抑制機構によりバッファ内への汚染物質の侵入が抑制されるので、例えばバッファ内にマスクを長期間ストックする場合などに、そのマスクに対する汚染物質の付着を防止あるいは効果的に抑制することができる。クリーンルームはそのクリーン度が高いほどランニングコストが高くなる。このため、マスクコンテナとして搬送中のマスクの汚染防止が可能なＳＭＩＦポッド等の密閉型のコンテナを使用する場合には、ランニングコストを低減する観点からクリーンルーム内（チャンバ外）のクリーン度をチャンバ内のクリーン度より低く設定することが多い。このような場合に有効である。
本発明の露光装置では、前記バッファ内にクリーンなガスを供給可能なガス供給機構を、更に備えることとすることができる。かかる場合には、ガス供給機構により適宜バッファ内にクリーンなガスを供給することにより、例えばバッファ内にマスクを長期間ストックする場合などに、そのマスクに対する汚染物質の付着を防止あるいは効果的に抑制することができる。上述と同様に、マスクコンテナとして搬送中のマスクの汚染防止が可能なＳＭＩＦポッド等の密閉型のコンテナを使用する場合に、特に有効である。
本発明の露光装置では、前記ガス供給機構は、前記バッファ内に前記クリーンなガスを常時供給することとしても良いし、あるいはバッファ内をクリーンなガスで満たしてほぼ密閉しておくようにしても良い。
本発明の露光装置では、前記ガス供給機構を備えている場合に、前記チャンバに設けられた開閉可能な開閉部を更に備えることとすることができる。この場合、開閉部の開閉と無関係に常時ガス供給機構によりバッファ内にクリーンなガスを供給しても良いし、また、開閉部が開放されている間のみ、ガス供給機構によりバッファ内にクリーンなガスを供給しても良い。あるいは、開閉部の開放前にバッファ内をクリーンなガスで満たしてほぼ密閉状態とするようにしても良い。
本発明の露光装置では、前記ガス供給機構と開閉部とを備えている場合に、前記バッファは、開閉可能な開閉機構を有し、前記ガス供給機構は、少なくとも前記開閉機構の開放時に前記クリーンなガスを前記バッファ内に供給することとすることができる。すなわち、ガス供給機構は、開閉機構の開閉とは無関係にクリーンなガスを常時バッファ内に供給しても良いし、開閉機構の開放中のみ、クリーンなガスをバッファ内に供給しても良い。特に、後者では、開閉機構が閉じられている間は、バッファ内をクリーンなガスで満たしてほぼ密閉状態にしても良い。
本発明の露光装置では、前記ガス供給機構と開閉部とを備えている場合に、前記バッファは、開閉可能な開閉機構を有し、前記ガス供給機構は、前記開閉部と前記開閉機構との両方が開放されている間のみ、前記クリーンなガスを前記バッファ内に供給することとしても良い。
本発明の露光装置では、前記ガス供給機構を備えている場合に、前記バッファは、開閉可能でその閉状態で前記バッファの内部をほぼ気密状態にする開閉機構を有することとすることができる。この場合、前記ガス供給機構は、前記開閉機構が開放されている間だけ、前記バッファ内にクリーンなガスを供給することとすることができる。この場合において、前記開閉機構が閉じられている間は、前記バッファ内は、前記クリーンなガスで満たされていることとしても良い。
本発明の露光装置では、前記ガス供給機構を備え、更に前記バッファが前記開閉機構を有する場合に、前記バッファに対する前記マスクの出し入れの度毎に、前記開閉機構を開閉する制御装置を更に備えることとすることができるし、あるいは前記チャンバ内のクリーン度に応じて前記開閉機構を開閉する制御装置を更に備えることとすることもできる。前者の場合には、バッファの開閉機構は、制御装置により、通常時は閉じられており、バッファ内に対するマスクの搬入の間、及びバッファ内のマスクの搬出の間だけ開放される。従って、バッファ内へのパーティクル等の汚染物質の混入を極力防止することができる。一方、後者の場合には、制御装置により、チャンバ内のクリーン度に応じて前記開閉機構が開閉されるので、チャンバ内のクリーン度が低く、内部気体中のパーティクルや不純物などの汚染物質の含有率が高い間は開閉機構の閉鎖状態が維持され、チャンバ内のクリーン度が上昇して内部気体中の汚染物質の含有率が低下すると開閉機構が開放状態となる。
本発明の露光装置では、前記バッファは、その内部を外気と遮断可能な開閉機構を有することとすることができる。チャンバ内を外気に対して陽圧とすることにより、通常、チャンバ内への外気の混入、従って外気中のパーティクルなどの汚染物質の混入を防止することができるが、何らかの理由によりチャンバ内の陽圧が維持されない状態が生じることがある。かかる場合であっても、開閉機構がバッファの内部を外気から遮断するので、バッファ内への外気の混入に伴う汚染物質のマスクへの付着が防止される。
この場合において、前記チャンバに設けられた開閉可能な開閉部と；前記開閉部の開閉状態に応じて前記開閉機構を制御する制御装置と；を更に備えることとすることができる。かかる場合には、制御装置は、例えば、少なくとも開閉部の開放時には、バッファの内部を外気から遮断するように開閉機構を制御することができる。例えば、チャンバ内の露光装置本体のメンテナンスを行うため等の理由により、開閉部が開放されるときがあるが、かかる場合であっても、開閉機構によってバッファの内部が外気から遮断されるので、チャンバ内への外気の混入に伴う汚染物質のマスクへの付着が防止される。
この場合において、開閉機構としては種々の構造、タイプのものが使用できるが、例えば前記開閉機構は、前記開閉部の開放時に、前記バッファに設けられた前記マスクの出し入れ口を閉鎖する気体の高速流れから成る遮蔽膜であることとすることができる。
本発明の露光装置では、前記バッファは、その内部を外気と遮断可能な開閉機構を有する場合に、前記チャンバ内のクリーン度に応じて前記開閉機構を制御する制御装置を更に備えることとすることができるし、あるいは前記バッファに対する前記マスクの出し入れの度毎に、前記開閉機構を開閉する制御装置を更に備えることとすることもできる。
なお、開閉機構はバッファの少なくとも一端面に形成されるものに限らず、パーティクルや不純物などを含む雰囲気からマスクをほぼ隔離できればその構成は任意で良く、例えば少なくとも一方向からクリーンなガスを流してマスクをほぼクリーンなガスで覆うものでも構わない。
本発明の露光装置では、前記バッファは単一空間内に複数枚のマスクが収納されるものでも良いし、バッファ内を区切って複数の空間を形成して各空間内に少なくとも１枚のマスクが収納されるものでも良い。
本発明の露光装置では、前記搬出入ポートと前記バッファとの間のマスク搬送経路の途中に配置され、前記マスク上の異物の付着状況の検査を行う異物検査装置を更に備えることとすることができる。本発明の露光装置では、搬送系により密閉型のマスクコンテナの搬出入ポートからバッファを一旦経由してマスクステージにマスクが搬送される。このため、マスクは外気に対して隔離した状態でチャンバ内に搬入されると共にチャンバ内でも同様に外気に触れることがない状態で搬送される。従って、チャンバ内でマスクに前述の汚染物質が付着するのが効果的に抑制されている。このため、バッファに搬入するのに先立って異物検査装置により異物検査を一度だけ行うだけで足りる。
この場合において、前記搬出入ポートと前記バッファとの間のマスク搬送経路の途中に配置され、前記マスクに付された該マスクに関する情報を読み取る読取装置を更に備えることとすることができる。かかる場合には、読み取り装置で読み取られた各マスクの情報に基づいてマスクを個別に管理することができるので、例えば異物検査装置の検査の結果が良好なマスクのみをバッファ内に搬入し、検査の結果が不良であったマスクをバッファ内の搬入することなく、マスクコンテナ内の空いている場所に戻すようなマスクの管理を行っても何らの不都合も生じない。すなわち、例えば、複数のマスクコンテナを搬出入可能なチャンバの構成を採用した場合に、マスクをチャンバに搬入された際に収容されていたマスクコンテナに必ずしも戻す必要はなく、別のマスクコンテナに戻すような運用が可能になる。この場合、異物検査の結果が不良とされたマスクをマスクコンテナ内に収納した状態で一旦搬出し、同一種類のマスクを再度搬入することにより、結果的に、常にバッファ内のマスクがその後のプロセスに対応したものとなるようにすることも可能となる。
本発明の露光装置では、前記マスクコンテナの搬出入ポートは、前記マスクコンテナを複数個設置可能であり、前記バッファに収容可能な前記所定枚数は、前記複数個のマスクコンテナに収容可能なマスク数よりも多いこととすることができる。
この場合において、前記バッファが設置される空間の外部から前記バッファ内への汚染物質の侵入を抑制する抑制機構を、更に備えることとすることができる。あるいは、前記バッファ内にクリーンなガスを供給可能なガス供給機構を、更に備えることとすることができる。あるいは、前記バッファは、その内部を外気と遮断可能な開閉機構を有することとすることができる。あるいは、前記バッファは単一空間内に複数枚のマスクが収納されるものであることとすることができる。あるいは、前記バッファは、各空間内に少なくとも１枚のマスクが収納される複数の空間を備えることとすることができる。あるいは、前記搬出入ポートと前記バッファとの間のマスク搬送経路の途中に配置され、前記マスク上の異物の付着状況の検査を行う異物検査装置を更に備えることとすることができる。
また、リソグラフィ工程において、本発明の露光装置を用いて露光を行うことにより、長期に渡って汚染物質がマスクに付着するのを防止することができ、露光精度の低下等を効果的に抑制することができる。これにより高集積度のデバイスを歩留まり良く生産することができ、その生産性の向上を図ることができる。従って、本発明の第２の観点からすると、本発明の露光装置を用いるデバイス製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明の一実施形態に係る露光装置の外観を示す概略斜視図である。
図２は、図１の本体チャンバを−Ｙ方向から＋Ｙ方向に見てかつ一部破砕して示す側面図である。
図３は、図１の本体チャンバをＸＹ面に平行な面に沿って断面しかつ一部省略して示す断面図である。
図４は、図１の露光装置で用いられるバッファを示す斜視図である。
図５は、図１の露光装置の制御系の構成を簡略化して示すブロック図である。
図６は、バッファの変形例を示す図である。
図７Ａ〜図７Ｃは、バッファの変形例を示す図である。
図８は、本発明に係るデバイス製造方法の実施形態を説明するためのフローチャートである。
図９は、図８のステップ２０４における処理を示すフローチャートである。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明の一実施形態を図１〜図５に基づいて説明する。図１には、一実施形態に係る露光装置の概略斜視図が示されている。
この露光装置１０は、クリーン度がクラス１００〜１０００程度のクリーンルーム内に設置されている。この露光装置１０は、クリーンルームの床面Ｆ上に配置され、その内部に後述する露光装置本体を収容するチャンバとしてのエンバイロメンタル・チャンバ（以下、「本体チャンバ」と呼ぶ）１２、この本体チャンバ１２の長手方向（図１におけるＸ軸方向）の−側（＋Ｘ側）に所定の間隔を隔てて床面Ｆ上に配置された露光用光源（露光光源）としてのレーザ装置１４、及び本体チャンバ１２内の露光装置本体とレーザ装置１４とを光学的に接続するとともにその少なくとも一部にビームマッチングユニットと呼ばれる光軸調整用の光学系を含む引き回し光学系１６等を備えている。
前記レーザ装置１４としては、例えば波長２４８ｎｍのパルス光を発振するＫｒＦエキシマレーザ装置あるいは波長１９３ｎｍのパルス光を発振するＡｒＦエキシマレーザ装置などの紫外パルスレーザ光源が用いられている。レーザ装置１４には、レーザ制御装置１４４（図１では図示せず、図５参照）が併設されており、このレーザ制御装置１４４では、後述する主制御装置５０（図１では図示せず、図５参照）からの指示に応じて、射出されるパルス紫外光の発振中心波長及びスペクトル半値幅の制御、パルス発振のトリガ制御、レーザチャンバ内のガスの制御等を行うようになっている。
本体チャンバ１２の図１における−Ｙ側の側壁には、開閉部としての２つの開閉扉１８Ａ，１８ＢがＸ軸方向に所定間隔を隔てて設けられている。これらの開閉扉１８Ａ，１８Ｂとしては、観音開きの扉が用いられている。一方の開閉扉１８Ａは、主として後述する露光装置本体のメンテナンス時等に開閉される。また、他方の開閉扉１８Ｂは、主としてウエハ搬送系やマスク搬送系としてのレチクル搬送系（これについては後述する）などのメンテナンス時等に開閉される。
また、図示は省略されているが、本体チャンバ１２の図１における＋Ｘ側及び＋Ｙ側の側壁にも、開閉扉１８Ａ，１８Ｂと同様の構造の開閉扉が設けられている。本体チャンバ１２内の露光装置本体は、このように、３方向からメンテナンスが可能な構造となっている。この場合、本体チャンバ１２の＋Ｘ側のメンテナンスエリアは、露光装置本体とレーザ装置１４とのメンテナンスエリアとを兼ねている。
なお、開閉部は、本体チャンバ１２に設けられた開閉扉の他、単に脱着可能な本体チャンバのパネルなども含み、本体チャンバと開口などを介して他の装置（コータ・デベロッパなど）又はユニット（ウエハローダ、レチクルローダなど）が接続される場合には、その開口をも概念として含む。要は、開閉部は、クリーンルーム内の雰囲気に対し本体チャンバ内部を隔離しあるいはその隔離状態を解除できるものであれば、如何なる構成をも含む。
前記引き回し光学系１６は、本体チャンバ１２が設置された床面Ｆ下方の床下にその大部分が配設されている。通常、クリーンルームの床部は、地面に所定間隔で植設された多数の柱と、これらの柱の上に矩形のメッシュ状の床部材をマトリクス状に敷き詰めて作られている。従って、床部材の数枚とこれらの床部材下方の柱とを取り除くことにより、引き回し光学系１６の床下配置は容易に実現できる。
なお、レーザ装置１４を、本体チャンバ１２が設置されるクリーンルームよりクリーン度が低い別の部屋（サービスルーム）に設置しても良く、この場合には、これに応じて引き回し光学系１６の構成を変更すれば良い。
本体チャンバ１２の−Ｘ側の側壁の＋Ｙ方向端部近傍の位置には、床上概略９００ｍｍの高さ位置にＦＯＵＰ搬出入ポート２０が設けられている。ここで、ＦＯＵＰ搬出入ポート２０を、床面から概略９００ｍｍと設定しているのは、１２インチサイズのウエハの場合、オペレータがＰＧＶ（手動型搬送車）によりフロントオープニングユニファイドポッド（Front Opening Unified Pod：以下、「ＦＯＵＰ」と略述する）２４を運んで来て、装置に対して搬入したり搬出したりするマニュアル作業を前提とすると、人間工学的観点から床面から概略９００ｍｍ程度とするのが最も望ましいとされているからである。ここで、ＦＯＵＰ２４は、ウエハを複数枚上下方向に所定間隔を隔てて収納するとともに、一方の面のみに開口部が設けられ、該開口部を開閉する扉（蓋）を有する開閉型のコンテナ（密閉型のウエハカセット）であって、例えば特開平８−２７９５４６号公報に開示される搬送コンテナと同様のものである。
このＦＯＵＰ２４内からウエハを取り出すためには、本体チャンバ１２のＦＯＵＰ搬出入ポート２０の内部側（＋Ｘ側）に設けられた不図示の隔壁にＦＯＵＰ２４を押し付けて、その隔壁に形成された開口部を介してＦＯＵＰ２４の扉を開閉する必要がある。そのため、本実施形態では、上記隔壁の＋Ｘ側の部分（本体チャンバ１２の内部）にＦＯＵＰ２４の扉の開閉装置（オープナ）が配置されている。この開閉装置によるＦＯＵＰ２４の扉の開閉は、ＦＯＵＰ２４の内部を外気と遮断した状態で行われるようになっている。かかる詳細は、上記特開平８−２７９５４６号公報等に開示されており、本実施形態においても、同様にして行われる。
本体チャンバ１２のＦＯＵＰ搬出入ポート２０が設けられた部分の−Ｙ側の上方部分には、凹部が形成されている。この凹部の底部（すなわち、該凹部部分に相当する本体チャンバ１２の天井部）に、マスクコンテナの搬出入ポート２２Ａ，２２ＢがＹ軸方向に沿って所定間隔で配置されている。これらの搬出入ポート２２Ａ，２２Ｂに対して後述する天井搬送系によってマスクとしてのレチクルがマスクコンテナとしてのレチクルキャリア２８1，２８2内にそれぞれ収納された状態で搬入される。また、後述する天井搬送系によってレチクルがレチクルキャリア２８1，２８2内にそれぞれ収納された状態で搬出入ポー卜２２Ａ，２２Ｂから搬出される。
搬出入ポート２２Ａ、２２Ｂのほぼ真上に位置するクリーンルームの天井部には、レチクルをレチクルキャリア内に収納した状態で搬送するＯＨＶ（Over Head Vehicle）あるいはＯＨＴ（Over Head Transfer）と呼ばれる天井搬送系（以下、「ＯＨＶ」と呼ぶ）２６の軌道であるガイドレールＨｒがＹ軸方向に沿って延設（敷設）されている。
ここで、レチクルキャリア２８1，２８2としては、レチクルを複数枚上下方向に所定間隔を隔てて収納可能なボトムオープンタイプの密閉型のコンテナであるＳＭＩＦ（Standard Mechanical Interface）ポッドが用いられている。なお、このレチクルキャリア２８1，２８2については、更に後述する。
図２には、図１の本体チャンバ１２を−Ｙ方向から＋Ｙ方向に見てかつ一部破砕した側面図が示されている。また、図３には、本体チャンバ１２のＸＹ面に平行な面に沿う断面図が一部省略して示されている。以下、これら図２及び図３に基づいて本体チャンバ１２の内部の構成各部について説明する。
本体チャンバ１２内には、図２及び図３に示されるように、露光装置本体３０、マスク搬送系としてのレチクル搬送系３２、異物検査装置３４及び不図示のウエハ搬送系等が収容されている。
前記露光装置本体３０は、図２に示されるように、レーザ装置１４からのパルス紫外光によりレチクルＲを照明する照明ユニットＩＬＵ、レチクルＲを保持するマスクステージとしてのレチクルステージＲＳＴ、レチクルＲから射出される照明光（パルス紫外光）をウエハＷ上に投射する投影光学系ＰＬ、及びウエハＷを保持する基板ステージとしてのウエハステージＷＳＴ等を備えている。さらに、露光装置本体３０は、レチクルステージＲＳＴ、投影光学系ＰＬ及びウエハステージＷＳＴ等を保持する本体コラム３６等を備えている。
前記照明ユニットＩＬＵは、例えば、照明系ハウジング４０と、該照明系ハウジング４０内に所定の位置関係で配置された、可変減光器、ビーム整形光学系、オプティカルインテグレータ（フライアイレンズ、ロッド型（内面反射型）インテグレータ、あるいは回折光学素子など）、集光光学系、振動ミラー、照明系開口絞り板、リレーレンズ系、レチクルブラインド、メインコンデンサレンズ、ミラー及びレンズ系等を備え、レチクルステージＲＳＴ上に保持されたレチクルＲ上の所定の照明領域（Ｙ軸方向に直線的に伸びたスリット状又は矩形状の照明領域）を均一な照度分布で照明する。ここで、レチクルＲに照射される矩形スリット状の照明光は、図２中の投影光学系ＰＬの円形投影視野の中央にＹ軸方向（非走査方向）に細長く延びるように設定され、その照明光のＸ軸方向（走査方向）の幅はほぼ一定に設定されている。
照明ユニットＩＬＵとしては、例えば、特開平１−２５９５３３号公報及びこれに対応する米国特許第５，３０７，２０７号等に開示されるものと同様の構成のものが用いられる。本国際出願で指定した指定国又は選択した選択国の国内法令が許す限りにおいて、上記公報及び米国特許の開示を援用して本明細書の記載の一部とする。
前記本体コラム３６は、ベースプレートＢＰ上に設けられた複数本（ここでは４本）の支持部材４２及び各支持部材４２上部にそれぞれ固定された防振ユニット４４を介してほぼ水平に支持された鏡筒定盤４６と、この鏡筒定盤４６の下面から下方に吊り下げられた吊り下げコラム４８と、鏡筒定盤４６上に設けられた支持コラム５２とを備えている。
前記防振ユニット４４は、支持部材４２それぞれの上部に直列（又は並列）に配置された内圧が調整可能なエアマウントとボイスコイルモータとを含んで構成されている。防振ユニット４４によって、ベースプレートＢＰ及び支持部材４２を介して鏡筒定盤４６に伝わる床面Ｆからの微振動がマイクロＧレベルで絶縁されるようになっている。
前記鏡筒定盤４６は鋳物等で構成されており、その中央部に平面視（上方から見て）円形の開口が形成され、その内部に投影光学系ＰＬがその光軸方向をＺ軸方向として上方から挿入されている。投影光学系ＰＬの鏡筒部の外周部には、該鏡筒部に一体化されたフランジＦＬＧが設けられ、該フランジＦＬＧを介して投影光学系ＰＬが鏡筒定盤４６に対して取り付けられている。
前記吊り下げコラム４８は、ウエハベース定盤５４と、該ウエハベース定盤５４をほぼ水平に吊り下げ支持する４本の吊り下げ部材５６とを備えている。
また、支持コラム５２は、鏡筒定盤４６の上面に投影光学系ＰＬを取り囲んで植設された４本の脚５８と、これらの脚５８によってほぼ水平に支持されたレチクルベース定盤６０とを備えている。また、鏡筒定盤４６の上面には、照明ユニットＩＬＵの一部を下方から支持する不図示の支持部材が設けられている。
前記レチクルステージＲＳＴは、支持コラム５２を構成する前記レチクルベース定盤６０上に配置されている。レチクルステージＲＳＴは、例えばリニアモータ等を含むレチクルステージ駆動系６２（図１では図示せず、図５参照）によって駆動され、レチクルＲをレチクルベース定盤６０上でＸ軸方向に大きなストロークで直線駆動するとともに、本実施形態では少なくともＹ軸方向とθｚ方向（Ｚ軸回りの回転方向）に関しても微小駆動が可能な構成となっている。
前記レチクルステージＲＳＴの一部には、その位置や移動量を計測するための位置検出装置であるレチクルレーザ干渉計６４からの測長ビームを反射する移動鏡６５が取り付けられている。レチクルレーザ干渉計６４は、レチクルベース定盤６０に固定され、投影光学系ＰＬの上端部側面に固定された固定鏡Ｍｒを基準として、レチクルステージＲＳＴのＸＹ面内の位置（θｚ回転を含む）を例えば、０．５〜１ｎｍ程度の分解能で検出するようになっている。なお、レチクルステージＲＳＴの端面を鏡面加工して反射面（前述の移動鏡６５の反射面に相当）を形成しても良い。
レチクルレーザ干渉計６４によって計測されるレチクルステージＲＳＴ（即ちレチクルＲ）の位置情報（又は速度情報）は主制御装置５０に送られる（図５参照）。主制御装置５０は、基本的にはレチクルレーザ干渉計６４から出力される位置情報（或いは速度情報）が指令値（目標位置、目標速度）と一致するようにレチクルステージ駆動系６２を制御する。
前記投影光学系ＰＬとしては、ここでは、物体面（レチクルＲ）側と像面（ウエハＷ）側の両方がテレセントリックで円形の投影視野を有し、石英やホタル石を光学硝材とした屈折光学素子（レンズ素子）のみから成る１／４、１／５又は１／６縮小倍率の屈折光学系が使用されている。このため、レチクルＲにパルス紫外光が照射されると、レチクルＲ上の回路パターン領域のうちのパルス紫外光によって照明された部分からの結像光束が投影光学系ＰＬに入射し、その回路パターンの部分倒立像がパルス紫外光の各パルス照射の度に投影光学系ＰＬの像面側の円形視野の中央にスリット状または矩形状（多角形）に制限されて結像される。これにより、投影された回路パターンの部分倒立像は、投影光学系ＰＬの結像面に配置されたウエハＷ上の複数のショット領域のうちの１つのショット領域表面のレジスト層に縮小転写される。
前記ウエハステージＷＳＴは、前述した吊り下げコラム４８を構成するウエハベース定盤５４上に配置され、例えばリニアモータ等を含むウエハステージ駆動系６６（図２では図示せず、図５参照）によってＸＹ面内で自在に駆動されるようになっている。
ウエハステージＷＳＴの上面に、ウエハホルダ６８を介してウエハＷが真空吸着等によって固定されている。ウエハステージＷＳＴのＸＹ位置及び回転量（ヨーイング量、ローリング量、ピッチング量）は、投影光学系ＰＬの鏡筒下端に固定された参照鏡Ｍｗを基準としてウエハステージＷＳＴの一部に固定された移動鏡７０の位置変化を計測するウエハレーザ干渉計７２によって所定の分解能、例えば０．５〜１ｎｍ程度の分解能でリアルタイムに計測される。このウエハレーザ干渉計７２の計測値は、主制御装置５０に供給されるようになっている（図５参照）。なお、ウエハステージＷＳＴの端面を鏡面加工して反射面（前述の移動鏡７０の反射面に相当）を形成しても良い。
前記一方のレチクルキャリア２８1は、図２に示されるように、レチクルＲを上下方向に所定間隔で収納する複数段（ここでは、６段）の収納棚が一体的に設けられたキャリア本体７４と、このキャリア本体７４に上方から嵌合するカバー７６と、キャリア本体７４の底壁に設けられカバー７６をロックする不図示のロック機構とを備えている。
他方のレチクルキャリア２８2も、レチクルキャリア２８1と同様に構成されている。
レチクルキャリア２８1，２８2の構造に対応して、レチクルキャリア２８1，２８2が搬入される搬出入ポート２２Ａ，２２Ｂ（図１、図３参照）には、図２に示されるように、レチクルキャリア２８1，２８2のキャリア本体７４より一回り大きな開口７８1、７８2（但し、図２における紙面奥側の開口７８2は図示省略）がＹ軸方向に所定間隔を隔てて設けられている。
一方の開口７８1は、通常は、図２に示される開閉装置８０Ａを構成する開閉部材８２によって閉塞されている。この開閉部材８２は、搬出入ポート２２Ａに搬入されるレチクルキャリア（例えばレチクルキャリア２８1）のキャリア本体７４の底面を真空吸引あるいはメカニカル連結して係合するとともに、そのキャリア本体７４に設けられた不図示のロック機構を解除する不図示の係合・ロック解除機構を備えている。
開閉装置８０Ａは、開閉部材８２と、該開閉部材８２がその上端面に固定されＺ軸方向を軸方向とする駆動軸８４と、該駆動軸８４を上下方向に（Ｚ軸方向）に駆動する駆動機構８６とを備えている。この開閉装置８０Ａでは、開閉部材８２の係合・ロック解除機構により、ロック機構を解除するとともに、キャリア本体７４を係合した後、開閉部材８２を下方に所定量移動することにより、本体チャンバ１２の内部と外部とを隔離した状態で、複数枚のレチクルを保持したキャリア本体７４をカバー７６から分離させることができる。この開閉装置８０Ａは、主制御装置５０によって制御されるようになっている（図５参照）。
他方の開口７８2は、通常は、前述した開閉装置８０Ａと同様の開閉装置８０Ｂ（図５参照）を構成する開閉部材によって閉塞されている。また、搬出入ポート２２Ｂに搬入されたレチクルキャリア（例えばレチクルキャリア２８2）を構成するキャリア本体とカバーとを開閉装置８０Ｂによって上述と同様にして分離させることができる。この開閉装置８０Ｂは、主制御装置５０によって制御されるようになっている（図５参照）。
本体チャンバ１２内の開閉装置８０Ａ，８０Ｂの＋Ｘ側に、多関節ロボット（以下、「ロボット」と略述する）８８が配置されている。このロボット８８は、伸縮及びＸＹ面内での回転が自在のアーム９０と、このアーム９０を駆動する駆動部９２とを備えている。このロボット８８は、Ｚ軸方向に延設された支柱ガイド９４に沿って上下動するＹＺ断面がＬ字状のスライダ９６の上面に搭載されている。従って、ロボット８８のアーム９０は、伸縮及びＸＹ面内での回転に加え、上下動も可能となっている。なお、スライダ９６の上下動は、該スライダ９６に一体的に設けられた不図示の可動子と支柱ガイド９４の内部にＺ軸方向に延設された不図示の固定子とから成るＺ軸リニアモータ９８（図５参照）によって行われる。
前記支柱ガイド９４は、図２及び図３を総合するとわかるように、本体チャンバ１２内でＹ軸方向に延設されたＹガイド１００の上方に配置されている。支柱ガイド９４は、その下端面に固定されたスライダ１０２と一体的にＹガイド１００に沿って移動する。すなわち、スライダ１０２には不図示の可動子が設けられており、該可動子とともにＹ軸リニアモータ１０４（図５参照）を構成する不図示の固定子がＹガイド１００に設けられている。Ｙ軸リニアモータ１０４によって、支柱ガイド９４と一体でロボット８８がＹ軸方向に駆動される。
本実施形態では、ロボット８８の駆動部９２、Ｚ軸リニアモータ９８及びＹ軸リニアモータ１０４等が、主制御装置５０によって制御される（図５参照）。
また、本体チャンバ１２内の前述した支持コラム５２を構成するレチクルベース定盤６０から−Ｘ側に所定距離隔てた位置には、レチクルステージＲＳＴ上へのロードに先立ってレチクルＲを一時的に載置する中間受け渡し部１０６が配置されている。この中間受け渡し部１０６は、不図示の支持部材を介して水平に支持されたテーブル１０８と、該テーブル１０８上に設けられた複数本の支持ピン（図示省略）とによって構成されている。
また、中間受け渡し部１０６とレチクルベース定盤６０との＋Ｙ側には、図３に示されるように、Ｘ軸方向に伸びるＸガイド１１０が設けられている。このＸガイド１１０には、上下動・スライド機構１１２（図２及び図３では図示せず、図５参照）によってＸガイド１１０に沿ってＸ軸方向に駆動されるとともに上下方向にも所定範囲内で駆動されるアームから成るレチクルローダ１１４が設けられている。レチクルローダ１１４は、上下動・スライド機構１１２を介して主制御装置５０によって制御され（図５参照）、中間受け渡し部１０６とレチクルステージＲＳＴとの間でレチクルＲを搬送する。
なお、レチクルローダ１１４としてロードアームとアンロードアームとを設け、中間受け渡し部１０６とレチクルステージＲＳＴとの間で行われるレチクル交換に要する時間を短縮するようにしても良い。
また、Ｙガイド１００の＋Ｙ側端部の上方には、レチクルＲ上又はペリクル上に付着した異物（主としてパーティクル）の有無とその大きさを調べるための前述した異物検査装置３４が配置されている。この異物検査装置３４としては、例えば小さなスポット状にしたレーザ光をレチクルＲ上又はペリクル上に照射し、その反射光を受光して本来あるべきパターンか異物かを判断するものが用いられる。この異物検査装置３４では、ロボット８８によって搬入されたレチクルＲのパターン面とその反対側の面（ガラス面と呼ぶ）とを同時に検査し、その検査結果（例えば、その異物の転写可能性の情報を含む）を主制御装置５０に送る（図５参照）とともに、不図示のディスプレイ上にマップの形式で表示する。主制御装置５０は、異物検査結果が良好であったレチクルＲのみをロボット８８のアーム９０を介して後述するバッファ１１６内に搬入する。一方、主制御装置５０は、異物検査結果が不良であったレチクルＲについては、次に搬出される予定となっているレチクルキャリア（例えばレチクルキャリア２８1，２８2の所定の一方）内の空いている収納棚に搬入するようになっている。
なお、上記説明では、異物検査装置３４はレチクルＲのパターン面とガラス面とを検査面として異物の有無や大きさなどを判定するものとしたが、レチクルＲの少なくともパターン面にペリクルが設けられるときは、そのペリクルの表面のみを、あるいはレチクルＲのパターン面とガラス面との少なくとも一方とともに検査面として同様に検査を行うようにしても良い。
ここで、異物検査結果が良好であるとは、転写可能性のある異物がレチクルＲ上に付着していない状態をいい、異物検査結果が不良であるとは、転写可能性のある異物がレチクルＲ上に付着している状態を意味する。
上述のように、本実施形態では、レチクルＲは、本体チャンバ１２に搬入された際に収容されていたレチクルキャリアに必ずしも戻されるとは限らず、別のレチクルキャリアに戻されることがある。このようなレチクルＲの管理を実現するため、本実施形態では、異物検査装置３４に搬入されるレチクルＲの搬送経路の途中にバーコードリーダ１１８が配置され、該バーコードリーダ１１８によって各レチクルに付設された該レチクルに関する情報が記録されたバーコードが読み取られるようになっている。このバーコードリーダ１１８で読み取られた各レチクルの情報は、主制御装置５０に送られ、該主制御装置５０では、このレチクル情報に基づいてレチクルを個別に管理している。
なお、バーコードリーダ１１８は搬出入ポート２２Ａ，２２Ｂとバッファ１１６との間に設けても良い。また、レチクルに関する情報の記録は、バーコードに限らず、２次元コード又は文字や数字などを用いて行っても良く、かかる場合にはそれに応じた読み取り装置をバーコードリーダに代えて設ければ良い。
図１に戻り、本体チャンバ１２内部の−Ｘ側端部かつＹ軸方向の中央部近傍の位置で、前述したＦＯＵＰ搬出入ポート２０を介して搬入されるＦＯＵＰ２４の収容スペースの斜め上方には、バッファ１１６が配置されている。この場合、ＦＯＵＰ２４の収容スペースとバッファ１１６が配置された空間とは、不図示の隔壁により仕切られている。この隔壁の下方に不図示のウエハ搬送系が配置されている。
前記バッファ１１６としては、ここでは、レチクルを複数枚（例えば１４枚）収容可能で出し入れが可能な密閉式のものが用いられている。これを更に詳述すると、バッファ１１６は、図４に拡大して示されるように、土台部１２０と、この土台部１２０上に固定された一方の面（前面）が開口した箱型のバッファ本体ケース１２２と、該バッファ本体ケース１２２の背面に取り付けられたエア噴出機構１２４と、バッファ本体ケース１２２の内部空間に上下方向に所定間隔で設けられた１４段の収納棚１２６と、バッファ本体ケース１２２の前面を開閉する開閉機構としての開閉ドア１２８とを備えている。
前記エア噴出機構１２４は、バッファ本体ケース１２２の背面を閉塞する所定厚さの中空の直方体状のケース（筐体）を有している。このケースのバッファ本体ケース１２２との隔壁には、所定間隔で多数の噴き出し口（図示省略）が形成されている。エア噴出機構１２４を構成するケース内にはその上壁に接続された給気管１３０を介してドライエアが供給されるようになっている。このドライエアは、例えば工場内に設置された大型の空気タンク（図示省略）からポンプ１３２（図５参照）によって供給されるようになっている。この場合、空気タンクから給気管１３０に至るドライエアの給気経路には、ＨＥＰＡフィルタあるいはＵＬＰＡフィルタ等のパーティクル除去用のエアフィルタが設けられており、このエアフィルタによってパーティクルが除去されたクリーンなドライエアがエア噴出機構１２４を介してバッファ本体ケース１２２内に供給されるようになっている。ポンプ１３２のオン・オフは、主制御装置５０によって制御される（図５参照）。
すなわち、本実施形態では、空気タンク、ポンプ１３２、給気管１３０を含む給気経路及びエア噴出機構１２４によって、バッファ１１６内、より正確にはバッファ本体ケース１２２内に、クリーンなガスとしてのクリーンエアを供給可能なガス供給機構１３４が構成されており、このガス供給機構１３４によるクリーンエアの供給・停止が主制御装置５０によって制御されるようになっている（図５参照）。
なお、上記の空気タンクからのクリーンエアの供給に限らず、例えば本体チャンバ１２内の空調のため、空調装置によって本体チャンバ１２に供給される空気の供給路に分岐路を設け、その分岐路を介してその空気をエア噴出機構１２４に送り込むようにしても良い。この場合も、エア噴出機構１２４に送り込まれる空気は、エアフィルタを経由したものであることが望ましい。
なお、クリーンルーム内の空気は、塵以外にイオンや有機物などの不純物を含むので、ケミカルフィルタを設けて不純物を除去した化学的にクリーンな空気を送ることが好ましい。また、ドライエアの代わりに窒素又はヘリウムなどの不活性ガスを用いても良い。
前記開閉ドア１２８は、図４及び図５に示されるドア開閉機構１３６によって開閉される。このドア開閉機構１３６は、バッファ本体ケース１２２の＋Ｙ側の側壁の＋Ｘ側の端部に固定されたＺ軸方向に伸びる軸受け部材１３８と、この軸受け部材１３８に回転可能に支持されたＺ軸方向に伸びる支軸（回転軸）１４０と、軸受け部材１３８の下端に固定されたモータボックス１４２とを備えている。これを更に詳述すると、軸受け部材１３８は、円筒状部材の上端及び下端の一部を除く残りの部分を切除して、その切除部分の断面形状が、中心角２４０°の２／３円弧状とされた部材から成り、この軸受け部材１３８の上端部及び下端部にそれぞれ設けられた軸受けを介して支軸１４０が支持されている。この場合、この支軸１４０に開閉ドア１２８が固定されているので、開閉ドア１２８は、支軸１４０を中心に約１２０°の範囲内で回動が可能になっている。モータボックス１４２には、ロータリ・モータ及び該モータの回転を減速して支軸１４０に伝達する減速機構が内蔵されている。そして、ロータリ・モータが主制御装置５０によって制御され、開閉ドア１２８の開閉が行われる。このように、実際にはロータリ・モータを介して開閉ドア１２８の開閉が制御されるが、以下においては、便宜上ドア開閉機構１３６が主制御装置５０によって制御され、開閉ドア１２８の開閉が行われるものとして説明する。
ここで、開閉ドア１２８の閉状態で、開閉ドア１２８が接触するバッファ本体ケース１２２の接触面には、不図示のガスケット等のシーリング部材が設けられており、開閉ドア１２８の閉状態では、バッファ本体ケース１２２の内部は気密状態となるようになっている。
図５には、本実施形態の露光装置１０の制御系の構成が簡単に示されている。この制御系は、ワークステーション（又はマイクロコンピュータ）から成る制御装置としての主制御装置５０を中心として構成されている。主制御装置５０は、これまでに説明した各種の制御を行う他、装置全体を統括的に制御する。
次に、本実施形態の露光装置１０におけるレチクルの一連の搬送動作及び露光動作について概略的に説明する。
前提として、レチクルキャリア２８2が搬出入ポート２２Ｂに搬入され、かつ該レチクルキャリア２８2内のレチクルは、全てバッファ１１６内に収容されており、また、レチクルキャリア２８2を構成するキャリア本体７４は、搬出入ポート２２Ｂの下方で開閉装置８０Ｂを構成する開閉部材８２によって支持されているものとする。また、以下においては、説明の煩雑化を避けるために、レチクルを各部間で受け渡す際のバキュームのオン・オフに関する記載については、その説明を省略する。
ａ． まず、主制御装置５０の指示に応じ、例えば、ＯＨＶ２６によりレチクルＲを６枚収納したレチクルキャリア２８1が搬出入ポート２２Ａに搬入される。このレチクルキャリア２８1の搬出入ポート２２Ａへの搬入を確認すると、主制御装置５０では、開閉装置８０Ａを構成する駆動機構８６を介して駆動軸８４を所定量上方に駆動し、開閉部材８２をレチクルキャリア２８1のキャリア本体７４に係合させるとともに、係合・ロック解除機構によりレチクルキャリア２８1のロック機構を解除する。そして、主制御装置５０では、駆動機構８６を介して駆動軸８４を所定量下方に駆動する。これにより、キャリア本体７４を係合した開閉部材８２が駆動軸８４と一体で下方に所定量移動し、本体チャンバ１２の内部と外部とを隔離した状態で、レチクルキャリア２８1の底部が開放される。すなわち、レチクルＲを保持したキャリア本体７４がカバー７６から分離される。図２には、このキャリア本体７４がカバー７６から分離した状態が示されている。このとき、ロボット８８は、開閉装置８０Ａにほぼ対向する位置に待機している。
ｂ． 次に、主制御装置５０では、ロボット８８の駆動部９２を介してアーム９０を開閉部材８２上に支持されているキャリア本体７４の最下段の収納棚に保持されたレチクルＲの下方に挿入する。次いで、主制御装置５０では、Ｚ軸リニアモータ９８を介してロボット８８を僅かに上昇駆動する。これにより、アーム９０によってレチクルＲが下方から支持される。
ｃ． 次に、主制御装置５０では、駆動部９２を介してアーム９０を縮めて、レチクルＲをキャリア本体７４から取り出すとともに、Ｙ軸リニアモータ１０４を制御してロボット８８を異物検査装置３４の前方まで移動する。この移動の途中で、バーコードリーダ１１８によりアーム９０に保持されたレチクルＲに関する情報が読み取られ、その情報が異物検査装置３４の制御系及び主制御装置５０に送られる。
ｄ． 次いで、主制御装置５０では、ロボット８８の駆動部９２を介してアーム９０を異物検査装置３４内に侵入させ、そのアーム９０に保持されたレチクルＲを異物検査装置３４に渡した後、アーム９０を異物検査装置３４の外部に退避させる。これにより、異物検査装置３４内でレチクルＲの異物検査が行われ、その検査結果が不図示のディスプレイに表示されるとともに、主制御装置５０に伝えられる。ここでは、説明を簡略化するため、異物検査の結果は良好であったものとする。
ｅ． 主制御装置５０では、上記の異物検査の結果が良好であることを確認すると、ロボット８８の駆動部９２を介してアーム９０を異物検査装置３４内に侵入させ、異物検査の終了したレチクルＲを取り出すとともに、Ｚ軸リニアモータ９８を介してロボット８８を、図２中に仮想線８８’で示される位置の近傍まで上昇駆動する。
ｆ． 上記のロボット８８の上昇と並行して、主制御装置５０では、ドア開閉機構１３６を介してバッファ１１６の開閉ドア１２８を開けると同時に、ガス供給機構１３４を構成するポンプ１３２をオンにする。これにより、ガス噴出機構１２４からバッファ本体ケース１２２内へのドライエアの供給が開始される。
ｇ． 次いで、主制御装置５０では、駆動部９２を介してアーム９０を旋回及び伸縮させて、レチクルＲを支持したアーム９０をバッファ本体ケース１２２内の所定の空いている段の収納棚１２６の上方に侵入させた後、ロボット８８を僅かに下降してレチクルＲをその収納棚に渡す。
ｈ． その後、主制御装置５０では、ロボット８８の駆動部９２を介してアーム９０をバッファ本体ケース１２２外に退避した後、ドア開閉機構１３６を介してバッファ１１６の開閉ドア１２８を閉鎖すると同時に、ガス供給機構１３４を構成するポンプ１３２をオフにする。これにより、ガス噴出機構１２４からバッファ本体ケース１２２内へのドライエアの供給が停止される。
ｉ． その後、主制御装置５０では、ロボット８８を開閉装置８０Ａにほぼ対向する位置に移動した後、上記のｂ．〜ｈ．の動作を繰り返す。この際、異物検査の結果がいずれのレチクルについても良好である場合には、レチクルキャリア２８1内のレチクルがバッファ１１６内に順次搬入される。
ｊ． この一方、主制御装置５０では、異物検査の結果が不良とされたレチクルについては、バッファ１１６に搬入することなく、ロボット８８によりレチクルキャリア２８2のキャリア本体７４に搬入する。これは、パーティクルが付着したレチクルがレチクルステージＲＳＴ上に搬送されて露光不良が発生するのを未然に防止するため、及びレチクルキャリア２８2の方がレチクルキャリア２８1より先に搬出されるためである。また、異物検査の結果が不良であると判断されたレチクルの情報は、主制御装置５０によりＯＨＶ２６等を含む外部搬送系を制御する制御装置に通知され、その制御装置によって、それらの不良と判断されたレチクルと同一のパターンが形成された別のレチクルが順次用意され、残りの第１３枚目のレチクルと第１４枚目のレチクルを搬送するための別のレチクルキャリア（便宜上、レチクルキャリア２８3と呼ぶ）に順次収容されるようになっている。
なお、オペレータがディスプレイの画面を見て、不良と判断されたレチクルと同一のパターンが形成された別のレチクルを搬送系のマニュアル操作により順次レチクルキャリア２８3内に収容することも可能である。
ｋ． そして、レチクルキャリア２８1内の全てのレチクルの搬出が終了すると、主制御装置５０では、前述した手順と逆の手順で、開閉装置８０Ｂを用いてレチクルキャリア２８2を構成するキャリア本体７４をカバー７６と一体化し、ＯＨＶ２６による搬出のために待機する。
ｌ． そして、ＯＨＶ２６によりレチクルキャリア２８2が搬出入ポート２２Ｂから搬出されると、主制御装置５０からの指示に応じて、ＯＨＶ２６によってレチクルキャリア２８3が搬出入ポート２２Ｂに搬入される。
なお、オペレータが手作業により、レチクルキャリア２８3を搬出入ポート２２Ｂに搬入することは可能である。
ｍ． その後、上記と同様の手順に従ってレチクルキャリア２８3内のレチクルが順次バッファ本体ケース１２２内に搬入される。
このようにして、バッファ本体ケース１２２内には、当初から予定していた露光に用いられる１４種類のレチクルＲがストックされる。
そして、実際に露光を行う際には、その露光に先立って、バッファ１１６内のレチクルＲが次のようにしてレチクルステージＲＳＴ上に搬入される。
ｎ． まず、主制御装置５０では、Ｚ軸リニアモータ９８を介してロボット８８を、図２中に仮想線８８’で示される位置の近傍まで上昇駆動する。
上記のロボット８８の上昇と並行して、主制御装置５０では、ドア開閉機構１３６を介してバッファ１１６の開閉ドア１２８を開くと同時に、ガス供給機構１３４を構成するポンプ１３２をオンにする。これにより、エア噴出機構１２４からバッファ本体ケース１２２内へのドライエア供給が開始される。
ｏ． 次いで、主制御装置５０では、駆動部９２を介してアーム９０を旋回及び伸縮させて、アーム９０をバッファ本体ケース１２２内の所定の収納棚１２６の下方に侵入させた後、ロボット８８を僅かに上昇駆動する。これにより、レチクルＲが収納棚１２６からアーム９０に移載される。その後、主制御装置５０では、ロボット８８の駆動部９２を介してアーム９０によりレチクルＲをバッファ本体ケース１２２外に搬出した後、ドア開閉機構１３６を介してバッファ１１６の開閉ドア１２８を閉鎖すると同時に、ガス供給機構１３４を構成するポンプ１３２をオフにする。これにより、エア噴出機構１２４からバッファ本体ケース１２２内へのドライエアの供給が停止される。
ｐ． 次に、主制御装置５０では、Ｚ軸リニアモータ９８を介してロボット８８を図２中の仮想線８８”で示される位置まで下降駆動するとともに、駆動部９２を介してアーム９０を旋回及び伸縮させて、レチクルＲを中間受け渡し部１０６に載置する（図３の仮想線９０’参照）。その後、主制御装置５０では、ロボット８８の駆動部９２を介してアーム９０を中間受け渡し部１０６から退避させた後、上下動・スライド機構１１２を介してレチクルローダ１１４を、−Ｘ方向の移動限界位置まで移動させるとともに、上方に微少駆動する。これにより、中間受け渡し部１０６に載置されたレチクルＲがレチクルローダ１１４に移載される。
ｑ． 次に、主制御装置５０では、レチクルＲを保持したレチクルローダ１１４を上下動・スライド機構１１２を介して＋Ｘ方向の移動限界位置まで移動し、ローディングポジションにあるレチクルステージＲＳＴ上にレチクルＲを搬送する。図３には、このレチクルＲの搬送途中にあるレチクルローダ１１４が示されている。そして、主制御装置５０では、上下動・スライド機構１１２を介してレチクルローダ１１４を下方に微少駆動後、−Ｘ方向に所定量駆動してレチクルローダ１１４をレチクルベース定盤６０上から退避させる。
このようにしてレチクルＲのレチクルステージＲＳＴ上へのロードが行われる。
そして、レチクルＲのレチクルステージＲＳＴ上へのロードが完了すると、主制御装置５０では、オペレータの指示に応じてウエハＷ上の各ショット領域を適正露光量（目標露光量）で走査露光するための各種の露光条件を設定する。
次いで、主制御装置５０では、不図示のレチクル顕微鏡及び不図示のオフアクシス・アライメントセンサ等を用いたレチクルアライメント、ベースライン計測等を所定の手順で行い、その後、アライメントセンサを用いたウエハＷのファインアライメント（ＥＧＡ（エンハンスト・グローバル・アライメント）等）を行って、ウエハＷ上の複数のショット領域の配列座標を求める。
なお、上記のレチクルアライメント、ベースライン計測等の準備作業については、例えば特開平４−３２４９２３号公報及びこれに対応する米国特許第５２４３１９５号に詳細に開示され、また、これに続くＥＧＡについては、特開昭６１−４４４２９号公報及びこれに対応する米国特許第４，７８０，６１７号等に詳細に開示されており、本国際出願で指定した指定国又は選択した選択国の国内法令が許す限りにおいて、上記各公報並びにこれらに対応する上記米国特許における開示を援用して本明細書の記載の一部とする。
このようにして、ウエハＷの露光のための準備動作が終了すると、主制御装置５０では、アライメント結果に基づいてウエハレーザ干渉計７２の計測値をモニタしつつウエハステージ駆動系６６を制御してウエハＷの第１ショットの露光のための走査開始位置（加速開始位置）にウエハステージＷＳＴを移動する。
そして、主制御装置５０では、レチクルステージ駆動系６２及びウエハステージ駆動系６６を介してレチクルステージＲＳＴとウエハステージＷＳＴとのＸ軸方向の走査を開始する。両ステージＲＳＴ、ＷＳＴがそれぞれの目標走査速度に達すると、パルス紫外光によってレチクルＲのパターン領域が照明され始め、走査露光が開始される。
この走査露光の開始に先立って、レーザ制御装置１４４によりレーザ装置１４の発光は開始されているが、主制御装置５０によってレチクルブラインド装置を構成する可動ブラインドの各可動ブレードの移動がレチクルステージＲＳＴの移動と同期制御されているため、レチクルＲ上のパターン領域外へのパルス紫外光の照射が防止されている。
そして、レチクルＲのパターン領域の異なる領域がパルス紫外光で逐次照明され、パターン領域全面に対する照明が完了することにより、ウエハＷ上の第１ショットの走査露光が終了する。これにより、レチクルＲのパターンが投影光学系ＰＬを介して第１ショットに縮小転写される。
このようにして、第１ショットの走査露光が終了すると、主制御装置５０によりウエハステージ駆動系６２を介してウエハステージＷＳＴがＸ、Ｙ軸方向にステップ移動され、第２ショットの露光のため走査開始位置（加速開始位置）に移動される。このステッピングの際に、主制御装置５０ではウエハステージＷＳＴの位置（ウエハＷの位置）を検出するウエハレーザ干渉計７２の計測値に基づいてウエハステージＷＳＴのＸ、Ｙ、θｚ、θｘ及びθｙ方向の位置変位をリアルタイムに計測する。この計測結果に基づき、主制御装置５０ではウエハステージ駆動系６６を制御してウエハステージＷＳＴのＸＹ位置変位が所定の状態になるようにウエハステージＷＳＴの位置を制御する。
そして、主制御装置５０では第２ショットに対して上記と同様の走査露光を行う。
このようにして、ウエハＷ上のショットの走査露光と次ショット露光のためのステッピング動作とが繰り返し行われ、ウエハＷ上の露光対象ショットの全てにレチクルＲのパターンが順次転写される。
一方、レチクルステージＲＳＴ上にロードされたレチクルＲを用いた露光が終了すると、前述したレチクルのロード時と逆の手順でレチクルＲがバッファ１１６内に戻される。
その後は、主制御装置５０では、露光に用いるレチクルＲを必要に応じて、前述と同様の手順で、バッファ１１６内から取り出し、レチクルステージ上にロードして露光を行い、露光終了後に、前述と同様にしてバッファ１１６内に戻す。
これまでの説明から明らかなように、本実施形態では、開閉装置８０Ａ，８０Ｂ、ロボット８８、Ｚ軸リニアモータ９８、Ｙ軸リニアモータ１０４、レチクルローダ１１４及び上下動・スライド機構１１２によって、搬出入ポート２２Ａ，２２Ｂとバッファ１１６とレチクルステージＲＳＴとの三者間でマスクとしてのレチクルを搬送するマスク搬送系としてのレチクル搬送系３２が構成されている。
以上説明したように、本実施形態の露光装置１０では、長期に渡って露光に必要な枚数のレチクルＲをバッファ１１６内にストックしておくことができる。また、上記のレチクル搬送系３２が、搬出入ポート２２Ａ，２２Ｂとバッファ１１６とレチクルステージＲＳＴとの三者間でレチクルを搬送するので、オペレータの手作業によるレチクルキャリア（マスクコンテナ）の交換作業は不要である。また、バッファ１１６を必ずしもレチクルステージＲＳＴの近傍に配置する必要もない。
また、開閉ドア１２８の閉状態では、バッファ１１６内（バッファ本体ケース１２２内）は外部に対して気密状態を維持できるので、外から外気とともにパーティクル及び不純物等の汚染物質がバッファ１１６内に混入してレチクルＲに付着するのを防止することができる。また、レチクルＲをバッファ１１６に対して出し入れするときには、必然的に開閉ドア１２８が開放されるが、開閉ドア１２８の開放と同時に主制御装置５０によりクリーンなドライエアがガス供給機構１３４を介してバッファ１１６内に供給され、開閉ドア１２８が開状態である間は、ドライエアが常時バッファ１１６内に供給され続ける。このため、レチクルをバッファ１１６に対して出し入れするときにおいてもパーティクルなどの汚染物質がレチクルに付着するのを効果的に防止することができる。
但し、露光装置本体３０が収容される本体チャンバ１２の内部は、通常不図示の空調装置によって所定の目標温度、目標圧力にほぼ維持されるとともに、クリーン度がクラス１レベルに維持されている。しかも、通常は本体チャンバ１２内は、外部に対して陽圧となっているので、外部から外気とともにパーティクルなどの汚染物質が混入するおそれはない。従って、バッファ１１６は必ずしも密閉構造にする必要はない。同様の理由により、上述したガス供給機構１３４も必ずしも設けなくても良い。
しかしながら、露光装置本体３０やレチクル搬送系３２等のメンテナンスのときなどには、広い面積の開閉扉１８Ａ，１８Ｂ等が開放され、その際に、外気が本体チャンバ１２内に混入して本体チャンバ１２内のクリーン度が低下するのは避けられない。
本実施形態の露光装置１０では、バッファ１１６が密閉式であるとともに、レチクルの出し入れの際のみに開閉ドア１２８が開放されるようになっているので、仮にメンテナンス時に本体チャンバ１２内のクリーン度が低下しても、バッファ１１６内のレチクルにパーティクルなどの汚染物質が付着するのをほぼ確実に防止することができる。
また、本実施形態の露光装置１０では、上述のようにして、密閉型のレチクルキャリア２８1，２８2内に収容した状態でレチクルＲが本体チャンバ１２の搬出入ポート２２Ａ，２２Ｂに搬入され、本体チャンバ１２の内部を外気と隔離した状態でレチクルＲが本体チャンバ１２内に取り込まれる。また、本体チャンバ１２内は、クリーン度がクラス１程度に維持されているので、本体チャンバ１２内でレチクルにパーティクルなどの汚染物質が付着するのを効果的に抑制することができる。
従って、本実施形態の露光装置１０では、露光精度を低下させる程度のレチクルに対するパーティクルなどの汚染物質の付着を長期にわたって防止することができるので、そのレチクルを用いた高精度な露光が長期に渡って可能となる。
また、前述の如く、本体チャンバ１２内でレチクルにパーティクルや不純物などの汚染物質が付着するのを効果的に抑制できるので、バッファ１１６に搬入するのに先立って異物検査を行うだけで十分であり、度々異物検査を行わなくても良い。結果的に、異物検査を含む制御シーケンスを簡略化することができる。勿論、異物検査を所定のインターバルで行うようにしても良いが、この場合にも、そのインターバルを広めに設定することが可能である。
なお、本体チャンバ１２内に異物検査装置３４を設けなくても良く、例えば本体チャンバ１２の外部で異物検査が行われたレチクルをそのまま密閉型のレチクルキャリアに収納して本体チャンバ１２内に搬入するようにしても良い。
なお、上記実施形態では、バッファ１１６の開閉ドア１２８の開閉は、レチクルの出し入れの際にのみ行う場合について説明したが、本発明がこれに限定されないことは勿論である。例えば、主制御装置５０では、通常時は、バッファ１１６の開閉ドア１２８を常時オープンにしておき、本体チャンバ１２の開閉扉１８Ａ，１８Ｂ等が開放されたとき、これを検知して直ちに開閉ドア１２８を閉じるようにしても良い。これは、開閉扉１８Ａ，１８Ｂ等の開放を検知するセンサを開閉扉１８Ａ，１８Ｂ又は本体チャンバ１２の何れかに取り付けておき、そのセンサの出力に基づいて主制御装置５０が開閉扉１８Ａ，１８Ｂの開放を検知するようにすることにより実現できる。
あるいは、主制御装置５０では、本体チャンバ１２内の空気清浄度をチェックし、空気清浄度が所定値より高い間は、バッファ１１６の開閉ドア１２８を「開」状態、空気清浄度が所定値より低い間は、バッファ１１６の開閉ドア１２８を「閉」状態に制御することとしても良い。これは、例えばパーティクルチェックセンサを本体チャンバ１２内に配置し、このセンサの出力に基づいて主制御装置５０が本体チャンバ１２内の空気清浄度を検知することにより実現できる。また、このようにすると、例えば、メンテナンスの際に、本体チャンバ１２の開閉扉１８Ａ，１８Ｂ等が開放され、メンテナンスが終了してこれらの扉が閉じられた後、本体チャンバ１２内の空調が再開された場合に、本体チャンバ１２内の空気清浄度が所定値以上になると、自動的にバッファ１１６の扉が開放されることとなる。
なお、空気清浄度ではなく不純物濃度を検出しても良いし、あるいは扉が閉じられた後に所定時間だけ経過するまではバッファ１１６の開放を禁止するだけでも良い。
なお、上記実施形態のバッファ１１６において、開閉ドア１２８とともに、あるいは開閉ドア１２８に代えて、本体チャンバ１２の開閉扉１８Ａ，１８Ｂ等の開放時に、バッファ１１６に設けられたレチクルの出し入れ口を閉鎖する、鉛直下向きに流れる気体の高速流れから成る遮蔽膜、例えば鉛直下向きに流れる空気の高速流れから成る遮蔽膜、すなわちエアカーテンを開閉機構として用いても良い。このような気体の高速流れから成る遮蔽膜によると、バッファ１１６内に対する外気の混入を排除でき、熱の移動をも防止することができるので、バッファ１１６内のレチクルにパーティクルなどの汚染物質が付着するのを防止ないしは効果的に抑制することができる。主制御装置５０では、本体チャンバ１２の扉の開閉に応じて、又は本体チャンバ１２内の空気の清浄度に応じてエアカーテンのオン、オフを制御することとしても良い。
また、バッファ１１６として、開放型のバッファを用いる場合には、ガス供給機構１３４からバッファ内に常時クリーンな（パーティクル等を殆ど含まないという意味に加え、化学的にもクリーンな）ガス、例えばドライエアが供給されるようにすることが望ましい。このようにすることにより、本体チャンバ１２内に必要枚数のレチクルをストックできるとともに、メンテナンス時等に本体チャンバ１２の扉が開放された場合であっても、バッファ内にパーティクルなどの汚染物質が混入するのを効果的に抑制することができる。
なお、開閉扉１８Ａ，１８Ｂの開閉と無関係に常時ガス供給機構１３４によりバッファ１１６内にクリーンなガスを供給しても良いし、あるいはバッファ１１６内をクリーンなガスで満たしてほぼ密閉しておくようにしても良い。また、開閉扉１８Ａ，１８Ｂが開放されている間のみ、ガス供給機構１３４によりバッファ１１６内にクリーンなガスを供給しても良いし、あるいはその開放前にバッファ１１６内をクリーンなガスで満たしてほぼ密閉状態とするようにしても良い。いずれの場合にも、バッファ１１６内にレチクルを長期間ストックする場合などに、そのレチクルに対する汚染物質の付着を防止あるいは効果的に抑制することができる。
また、ガス供給機構１３４は、開閉ドア１２８の開放中のみ、クリーンなガスをバッファに供給しても良いし、開閉ドア１２８の開閉とは無関係にクリーンなガスを供給し続けても良い。特に、前者では、開閉ドア１２８が閉じられている間は、バッファ１１６内をクリーンなガスで満たしてほぼ密閉状態にしても良い。また、開閉扉１８Ａ，１８Ｂの少なくとも一方と開閉ドア１２８とが同時に開放されている間のみ、クリーンなガスを供給しても良い。
本実施形態では、これまで説明した種々の手段により、バッファが設置される空間の外部からバッファ内への汚染物質の侵入を抑制しており、その意味で、これまでに説明した種々の手段により、本発明に係る抑制機構を構成することができるが、抑制機構はこれらに限定されるものではない。例えば、バッファのケースを一方の面が開口した箱型部材で形成し、その開口部の少なくとも一部をマスク（レチクルを含む概念である）の出し入れ口とする場合などに、この出し入れ口を開閉するシャッタ、望ましくは高速で開閉する高速シャッタによって抑制機構を構成することができる。また、開口部の一部をマスクの出し入れ口とする場合に、その出し入れ口の周囲の領域にエアフィルタを配置することにより、そのエアフィルタによって抑制機構を構成することもできる。なお、開口部の一部をマスクの出し入れ口とする場合には、バッファのケース内のマスクの保持部を上下動可能な構成としても良い。このように、抑制機構は、その方法を問わず、バッファが設置される空間の外部から前記バッファ内への汚染物質の侵入量を結果的に減少させる、あるいは汚染物質の進入量を零にするものであれば良く、その構成等は特に限定されない。かかる抑制機構を備える場合には、抑制機構によりバッファ内への汚染物質の侵入が抑制されるので、例えばバッファ内にマスクを長期間ストックする場合などに、そのマスクに対する汚染物質の付着を防止あるいは効果的に抑制することができる。
なお、上記実施形態で説明した本体チャンバやバッファその他の部分の構成は、一例であって本発明がこれに限定されないことは勿論である。例えば、露光装置本体３０を収容する本体チャンバ１２にマスクコンテナ（レチクルキャリア）の搬出入ポートが１つしか設けられていなくても良い。この場合には、本体チャンバ１２に対してはレチクルキャリアを１台しか搬入できないが、その搬出入ポートにレチクルキャリアを数回搬入し、その搬入の都度、レチクル搬送系３２によりレチクルキャリアからレチクルをバッファ１１６内に搬入することにより、バッファ１１６内にレチクルを最大限収容しておくことができる。従って、露光に必要な十分な枚数のレチクルを装置内に常時持たせることが可能になる。
また、上記実施形態では本体チャンバ１２内に露光装置本体３０、レチクル搬送系３２、及びウエハ搬送系（図示省略）を配置するものとしたが、例えば本体チャンバを複数に仕切って露光装置本体、レチクル搬送系、ウエハ搬送系を別々に収容しても良いし、あるいは複数のチャンバにそれぞれ露光装置本体、レチクル搬送系、ウエハ搬送系などを収容しても良い。
また、上記実施形態では、バッファ１１６が、図４に示されるように、−側でのみ開く開閉ドア１２８を有する場合について説明したが、これに代えて、観音開きのドアをバッファ本体ケース１２２の開口面に設けても良い。
あるいは、図６に示されるようなバッファ２１６を用いても良い。このバッファ２１６は、上下方向に所定間隔を隔てて配置された複数段（例えば１４段）のマスク収納棚１２６’がその内部に設けられたバッファ本体ケース１２２’と、バッファ本体ケース１２２’の背面に固定されたエア噴出機構１２４’と、バッファ本体ケース１２２’下面に固定された土台部１２０’と、該土台部１２０’に上方向から着脱可能な底面が開口した中空箱型のカバー１５０とを備えている。カバー１５０が土台部１２０’に装着された「閉」状態ではその内部に閉空間が形成され、カバー１５０が土台部１２０’から離脱した「開」状態ではその開度に応じた段数のマスク収納棚１２６’が開放されるようになっている。
この場合において、土台部１２０’及びバッファ本体ケース１２２’が固定で、これに対してカバー１５０が上下方向に移動して、バッファ本体ケース１２２’を上方から蓋をする構造を採用しても良く、あるいは、カバー１５０が固定で、これに対して土台部１２０’及びバッファ本体ケース１２２’の全体が上下に移動する構造を採用しても良い。後者の場合において、マスクの収納枚数が６枚程度で良い場合には、前述したレチクルキャリア（ＳＭＩＦポッド）をバッファとして用いることも可能である。勿論、図６の場合と上下を反対にした構造のバッファを用いることも可能である。
また、上記実施形態では１つのバッファを設けるものとしたが、２つ以上のバッファを設けても良い。
上記実施形態及び図６の変形例では、単一空間内に複数枚のレチクルが収納されるバッファを用いる場合について説明したが、これに限らず、レチクルを個別に収納する複数のレチクルケースを出し入れ可能な複数段の棚を備えたレチクルライブラリを設け、このレチクルライブラリと前記レチクルケースのそれぞれとによって、バッファを構成しても良い。
図７Ａ〜図７Ｃには、このようなレチクルライブラリを構成要素とする各種のバッファの変形例が、それぞれ示されている。この内、図７Ａでは、前面に開閉可能な扉１４６がヒンジを介して取り付けられたレチクルケース１４８がレチクルライブラリ１５２の各収納段の棚に収納されるとともに、各レチクルケース１４８には、空圧継手１５４を介してクリーンエアの供給管１６２が接続されている。この場合、各レチクルケース１４８の内部は、扉１４６の閉鎖状態では、気密状態ではなく、半密閉状態となるようになっている。各レチクルケース１４８の内部には、レチクルＲが個別に収納されており、このレチクルＲの出し入れは、扉１４６の開放時に、アーム９０によって行われる。
また、図７Ｂでは、図７Ａと同様のレチクルケース１４８を複数収納するレチクルライブラリ１５２の上面及び側面が枠１５６で覆われ、その枠１５６の背面に前述したエア噴出機構１２４と同様のエア噴出機構１６０が設けられている。この場合、枠１５６とエア噴出機構１６０の筐体とによって一方の面（レチクルステージ側の面）が開口した箱が構成されている。この場合、エア噴出機構１６０によって箱の内部全体に渡ってクリーンエアが供給されている。この場合、各レチクルケース１４８に対するレチクルの出し入れは、扉１４６の開放時に、アーム９０によって行われる。
図７Ｃでは、図７Ｂと同様に、レチクルケースを複数収納するレチクルライブラリ１５２の上面及び側面が枠１５６で覆われ、その枠１５６の背面に前述したエア噴出機構１２４と同様のエア噴出機構１６０が設けられている。但し、この場合、レチクルケースとして、上下分離型のレチクルケース１４８’が用いられている。この場合、各レチクルケース１４８’内部からレチクルＲを取り出すには、レチクルケース１４８’をアーム９０と同様の搬送アーム９０ａによって取り出し、所定の分離位置まで搬送し、その位置でレチクルケースを上下に分離した後、アーム９０によって搬送する。
上述した図７Ａ〜図７Ｃの変形例では、いずれの場合にも、緊急時、例えばレチクルの自動搬送系が停止した場合、露光装置が故障により停止した場合などに、オペレータが個別にレチクル（レチクルケース）を取り出すことができるという利点がある。但し、図７Ａの場合には、各空圧継手を介して接続されたエア配管を容易に取り外せるようにしておくことが望ましく、また、図７Ｂ、図７Ｃの場合は、エア供給機構１６０を容易に取り外せるようにしておくことが望ましい。
また、バッファは、複数枚のレチクルを必ずしも上下方向に並べて収容するタイプでなくても良い。このように本発明の露光装置で用いられるバッファの構成はどのような構成であっても良く、要は、マスク（レチクル）を複数枚ストック可能でかつ出し入れが可能であれば良い。
なお、上記実施形態では、マスクコンテナとしてＳＭＩＦのマルチポッド（６枚用）を用いる場合について説明したが、これに限らず、シングルポッド（１枚用）を用いても良く、あるいはＦＯＵＰタイプのレチクルキャリア（マスクコンテナ）を用いても良い。
また、上記実施形態では、ガス供給機構１３４からクリーンなガスとしてドライエアをバッファ内に供給する場合について説明したが、クリーンなガスとして窒素その他のガスを供給することも可能である。同様に、前述したエアカーテンを、窒素ガス等を用いて形成しても良い。ＡｒＦエキシマレーザを光源とする露光装置の場合には、露光光の透過率低下防止のため、露光光の光路中の空気を窒素ガス等で置換することがあるが、このような場合に、クリーンなガスとして窒素その他のガスを供給することが望ましい。
また、上記実施形態のレチクルの搬送系の構成は一例であって、これに限らず、任意の構成を採用することができる。例えば、中間受け渡し部１０６を設けることなく、バッファ１１６とレチクルステージＲＳＴとの間でレチクルをスライダ機構のみで搬送することとしても良い。また、ＯＨＶを必ずしも用いる必要はなく、オペレータがマニュアルにてレチクル交換を行なうようにすることも可能である。
また、バッファ１１６の収納枚数がプロセスで使用するレチクルの枚数よりも少ないとき、あるいは複数のプロセスを時系列に行うときなどは、その後に使用されるレチクルがバッファ１１６内に収納されていないことがある。このような場合、使用済みで当分の間使用する予定のないレチクルをバッファ１１６から搬出して、その後に使用されるレチクルと交換する作業を前述した露光処理などと並行して実行するようにしても良い。例えば、プロセスプログラムに基づいて、バッファ内に常に優先順位が高い（使用順序が早い）ものから順に収納し、先に収納したレチクルを用いた露光が終了した段階で、そのレチクルをバッファから搬出し、バッファ内に最後に収納されたレチクルの直後に用いられるレチクルを搬入するようにして、常に、バッファ内のレチクルがその後のプロセスに対応したものとなるように最新の状態に更新することとすれば良い。
なお、上記実施形態では、ステップ・アンド・スキャン方式の走査型投影露光装置に本発明が適用された場合について説明したが、これに限らず、マスクと基板とを静止した状態でマスクのパターンを基板に転写するとともに、基板を順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート型の露光装置にも、本発明は好適に適用できる。また、本発明は、投影光学系を用いることなくマスクと基板とを密接させてマスクのパターンを基板に転写するプロキシミティ露光装置にも適用することができる。
また、本発明は、半導体製造用の露光装置に限らず、液晶表示素子などを含むディスプレイの製造に用いられる、デバイスパターンをガラスプレート上に転写する露光装置、薄膜磁気ヘッドの製造に用いられるデバイスパターンをセラミックウエハ上に転写する露光装置、及び撮像素子（ＣＣＤなど）、マイクロマシン、ＤＮＡチップなどの製造に用いられる露光装置などにも適用することができる。
また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、ＤＵＶ（遠紫外）光やＶＵＶ（真空紫外）光などを用いる露光装置では一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、ホタル石、フッ化マグネシウム、又は水晶などが用いられる。
本発明の露光装置では、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）のみならず、超高圧水銀ランプを光源として用いても良い。この場合、ｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）等の輝線を露光用照明光として用いれば良い。また、光源としてＦ2レーザ（１５７ｎｍ）、Ａｒ2レーザを用いても良く、あるいは金属蒸気レーザやＹＡＧレーザを用い、これらの高調波を露光用照明光としても良い。あるいは、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（Ｅｒ）（又はエルビウムとイッテルビウム（Ｙｂ）の両方）がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を、露光用照明光として用いても良い。
また、投影光学系の倍率は縮小系のみならず等倍および拡大系のいずれでも良い。また、投影光学系として屈折系に限らず、反射屈折系又は反射系の光学系を用いることは可能である。
半導体デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたレチクルを製作するステップ、シリコン材料からウエハを製作するステップ、前述した実施形態の露光装置によりレチクルのパターンをウエハに転写するステップ、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）、検査ステップ等を経て製造される。以下にデバイス製造方法について更に詳述する。
《デバイス製造方法》
図８には、デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン、ＤＮＡチップ等）の製造例のフローチャートが示されている。図８に示されるように、まず、ステップ２０１（設計ステップ）において、デバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップ２０２（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ２０３（ウエハ製造ステップ）において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
次に、ステップ２０４（ウエハ処理ステップ）において、ステップ２０１〜ステップ２０３で用意したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップ２０５（デバイス組立ステップ）において、ステップ２０４で処理されたウエハを用いてデバイス組立を行う。このステップ２０５には、ダイシング工程、ボンディング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。
最後に、ステップ２０６（検査ステップ）において、ステップ２０５で作製されたデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にデバイスが完成し、これが出荷される。
図９には、半導体デバイスの場合における、上記ステップ２０４の詳細なフロー例が示されている。図９において、ステップ２１１（酸化ステップ）においてはウエハの表面を酸化させる。ステップ２１２（ＣＶＤステップ）においてはウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ２１３（電極形成ステップ）においてはウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ２１４（イオン打込みステップ）においてはウエハにイオンを打ち込む。以上のステップ２１１〜ステップ２１４それぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップ２１５（レジスト形成ステップ）において、ウエハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップ２１６（露光ステップ）において、上記実施形態で説明した露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに転写する。次に、ステップ２１７（現像ステップ）においては露光されたウエハを現像し、ステップ２１８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップ２１９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
以上説明した本実施形態のデバイス製造方法を用いれば、露光工程（ステップ２１６）において上記実施形態の露光装置１０などの本発明の露光装置が用いられるので、長期に渡って汚染物質がマスクに付着するのを防止することができ、露光精度の低下等を効果的に抑制することができる。これにより高集積度のデバイスを歩留まり良く生産することができ、その生産性の向上を図ることができる。
産業上の利用可能性
本発明の露光装置は、半導体素子、液晶表示素子等の電子デバイスを製造するリソグラフィ工程において、基板上にマスクのパターンを精度良く転写するのに適している。また、本発明のデバイス製造方法は、高集積度の電子デバイスを歩留まり良く製造するのに適している。
Claims (34)
- マスクステージ上に載置されたマスクのパターンを基板に転写する露光装置本体と；
前記露光装置本体を収容するとともに、前記マスクを特定枚数収容可能な密閉型のマスクコンテナの搬出入ポートが少なくとも１つ設けられたチャンバと；
前記搬出入ポートから前記マスクステージに至るマスク搬送経路の途中に配置され、前記マスクコンテナに収容可能な前記特定枚数よりも多い所定枚数のマスクをストック可能でかつ出し入れが可能なバッファと；
前記搬出入ポートと前記バッファと前記マスクステージとの三者間で前記マスクを搬送するマスク搬送系と；を備える露光装置。 - 請求項１に記載の露光装置において、
前記バッファが設置される空間の外部から前記バッファ内への汚染物質の侵入を抑制する抑制機構を、更に備えることを特徴とする露光装置。 - 請求項１に記載の露光装置において、
前記バッファ内にクリーンなガスを供給可能なガス供給機構を、更に備えることを特徴とする露光装置。 - 請求項３に記載の露光装置において、
前記ガス供給機構は、前記バッファ内に前記クリーンなガスを常時供給することを特徴とする露光装置。 - 請求項３に記載の露光装置において、
前記チャンバに設けられた開閉可能な開閉部を更に備えることを特徴とする
露光装置。 - 請求項５に記載の露光装置において、
前記ガス供給機構は、前記開閉部が開放されている間のみ、前記バッファ内にクリーンなガスを供給することを特徴とする露光装置。 - 請求項５に記載の露光装置において、
前記バッファは、開閉可能な開閉機構を有し、
前記ガス供給機構は、少なくとも前記開閉機構の開放時に前記クリーンなガスを前記バッファ内に供給することを特徴とする露光装置。 - 請求項７に記載の露光装置において、
前記ガス供給機構は、前記バッファ内に前記クリーンなガスを常時供給することを特徴とする露光装置。 - 請求項７に記載の露光装置において、
前記ガス供給機構は、前記開閉機構の開放中のみ、前記クリーンなガスを前記バッファ内に供給することを特徴とする露光装置。 - 請求項９に記載の露光装置において、
前記開閉機構が閉じられている間は、前記バッファ内は、前記クリーンなガスで満たしてほぼ密閉状態とされていることを特徴とする露光装置。 - 請求項５に記載の露光装置において、
前記バッファは、開閉可能な開閉機構を有し、
前記ガス供給機構は、前記開閉部と前記開閉機構との両方が開放されている間のみ、前記クリーンなガスを前記バッファ内に供給することを特徴とする露光装置。 - 請求項３に記載の露光装置において、
前記バッファは、開閉可能でその閉状態で前記バッファの内部をほぼ気密状態にする開閉機構を有していることを特徴とする露光装置。 - 請求項１２に記載の露光装置において、
前記ガス供給機構は、前記開閉機構が開放されている間だけ、前記バッファ内にクリーンなガスを供給することを特徴とする露光装置。 - 請求項１３に記載の露光装置において、
前記開閉機構が閉じられている間は、前記バッファ内は、前記クリーンなガスで満たされていることを特徴とする露光装置。 - 請求項１２に記載の露光装置において、
前記バッファに対する前記マスクの出し入れの度毎に、前記開閉機構を開閉する制御装置を更に備えることを特徴とする露光装置。 - 請求項１２に記載の露光装置において、
前記チャンバ内のクリーン度に応じて前記開閉機構を開閉する制御装置を更に備えることを特徴とする露光装置。 - 請求項１に記載の露光装置において、
前記バッファは、その内部を外気と遮断可能な開閉機構を有することを特徴とする露光装置。 - 請求項１７に記載の露光装置において、
前記チャンバに設けられた開閉可能な開閉部と；
前記開閉部の開閉状態に応じて前記開閉機構を制御する制御装置と；を更に備えることを特徴とする露光装置。 - 請求項１８に記載の露光装置において、
前記開閉機構は、前記開閉部の開放時に、前記バッファに設けられた前記マスクの出し入れ口を閉鎖する気体の高速流れから成る遮蔽膜であることを特徴とする露光装置。 - 請求項１７に記載の露光装置において、
前記チャンバ内のクリーン度に応じて前記開閉機構を制御する制御装置を更に備えることを特徴とする露光装置。 - 請求項１７に記載の露光装置において、
前記バッファに対する前記マスクの出し入れの度毎に、前記開閉機構を開閉する制御装置を更に備えることを特徴とする露光装置。 - 請求項１に記載の露光装置において、
前記バッファは単一空間内に複数枚のマスクが収納されるものであることを特徴とする露光装置。 - 請求項１に記載の露光装置において、
前記バッファは、各空間内に少なくとも１枚のマスクが収納される複数の空間を備えることを特徴とする露光装置。 - 請求項１に記載の露光装置において、
前記搬出入ポートと前記バッファとの間のマスク搬送経路の途中に配置され、前記マスク上の異物の付着状況の検査を行う異物検査装置を更に備えることを特徴とする露光装置。 - 請求項２４に記載の露光装置において、
前記搬出入ポートと前記バッファとの間のマスク搬送経路の途中に配置され、前記マスクに付された該マスクに関する情報を読み取る読取装置を更に備えることを特徴とする露光装置。 - リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、
前記リソグラフィ工程では、請求項１〜２５のいずれか一項に記載の露光装置を用いて露光を行うことを特徴とするデバイス製造方法。 - 請求項１に記載の露光装置において、
前記マスクコンテナの搬出入ポートは、前記マスクコンテナを複数個設置可能であり、
前記バッファに収容可能な前記所定枚数は、前記複数個のマスクコンテナに収容可能なマスク数よりも多いことを特徴とする露光装置。 - 請求項２７に記載の露光装置において、
前記バッファが設置される空間の外部から前記バッファ内への汚染物質の侵入を抑制する抑制機構を、更に備えることを特徴とする露光装置。 - 請求項２７に記載の露光装置において、
前記バッファ内にクリーンなガスを供給可能なガス供給機構を、更に備えることを特徴とする露光装置。 - 請求項２７に記載の露光装置において、
前記バッファは、その内部を外気と遮断可能な開閉機構を有することを特徴とする露光装置。 - 請求項２７に記載の露光装置において、
前記バッファは単一空間内に複数枚のマスクが収納されるものであることを特徴とする露光装置。 - 請求項２７に記載の露光装置において、
前記バッファは、各空間内に少なくとも１枚のマスクが収納される複数の空間を備えることを特徴とする露光装置。 - 請求項２７に記載の露光装置において、
前記搬出入ポートと前記バッファとの間のマスク搬送経路の途中に配置され、前記マスク上の異物の付着状況の検査を行う異物検査装置を更に備えることを特徴とする露光装置。 - リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、
前記リソグラフィ工程では、請求項２７〜３３のいずれか一項に記載の露光装置を用いて露光を行うことを特徴とするデバイス製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000269521 | 2000-09-06 | ||
| JP2000269521 | 2000-09-06 | ||
| PCT/JP2001/007740 WO2002021583A1 (fr) | 2000-09-06 | 2001-09-06 | Aligneur et procede de fabrication de dispositif |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2002021583A1 JPWO2002021583A1 (ja) | 2004-01-15 |
| JP4466811B2 true JP4466811B2 (ja) | 2010-05-26 |
Family
ID=18756113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002525906A Expired - Fee Related JP4466811B2 (ja) | 2000-09-06 | 2001-09-06 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20040017556A1 (ja) |
| JP (1) | JP4466811B2 (ja) |
| KR (1) | KR20030029926A (ja) |
| CN (1) | CN1592948A (ja) |
| AU (1) | AU2001284459A1 (ja) |
| WO (1) | WO2002021583A1 (ja) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3977214B2 (ja) * | 2002-09-17 | 2007-09-19 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
| JP4326784B2 (ja) | 2002-11-11 | 2009-09-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 生産システム |
| US6829035B2 (en) * | 2002-11-12 | 2004-12-07 | Applied Materials Israel, Ltd. | Advanced mask cleaning and handling |
| US20130248734A1 (en) * | 2012-03-21 | 2013-09-26 | John Robert Berry | Air purification system |
| KR20060007211A (ko) * | 2004-07-19 | 2006-01-24 | 삼성전자주식회사 | 노광 시스템 |
| KR100656182B1 (ko) * | 2004-08-16 | 2006-12-12 | 두산디앤디 주식회사 | 유기박막 소자의 양산 제작용 선형의 증착 공정 장치와 기판 이송 장치 |
| US7206652B2 (en) * | 2004-08-20 | 2007-04-17 | International Business Machines Corporation | Method and system for intelligent automated reticle management |
| KR100735027B1 (ko) * | 2006-01-03 | 2007-07-03 | 삼성전자주식회사 | 레티클 식별장치와 이를 구비한 노광설비 및 노광방법 |
| US7591624B2 (en) * | 2006-01-09 | 2009-09-22 | International Business Machines Corporation | Reticle storage pod (RSP) transport system utilizing FOUP adapter plate |
| JP5007053B2 (ja) * | 2006-02-23 | 2012-08-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 試料搬送システム、試料搬送方法、プログラムおよび記録媒体 |
| JP4966693B2 (ja) * | 2007-02-28 | 2012-07-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 試料搬送装置及び方法 |
| US8556564B2 (en) * | 2007-06-26 | 2013-10-15 | Siemens Healthcare Diagnostics Inc. | Mobile sample storage and retrieval unit for a laboratory automated sample handling worksystem |
| JP4992668B2 (ja) * | 2007-10-31 | 2012-08-08 | 旭硝子株式会社 | 容器交換装置および容器交換方法 |
| JP5386137B2 (ja) * | 2008-10-06 | 2014-01-15 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 試料測定装置 |
| CN101825841B (zh) * | 2010-03-30 | 2012-07-04 | 东莞宏威数码机械有限公司 | 掩膜存储清洗系统 |
| US9164399B2 (en) * | 2012-01-10 | 2015-10-20 | Hermes-Microvision, Inc. | Reticle operation system |
| US9385019B2 (en) | 2012-06-21 | 2016-07-05 | Globalfoundries Inc. | Overhead substrate handling and storage system |
| JP2014157190A (ja) | 2013-02-14 | 2014-08-28 | Toshiba Corp | 基板収納容器及び露光装置 |
| CN103713472B (zh) * | 2013-12-18 | 2016-03-30 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种自动安装掩模板系统 |
| CN105093836B (zh) * | 2014-05-06 | 2017-08-29 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | Euv光刻装置及其曝光方法 |
| CN105807574B (zh) * | 2014-12-30 | 2018-03-02 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 掩模传输装置、曝光装置及掩模传输方法 |
| JP6742189B2 (ja) | 2016-08-04 | 2020-08-19 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、及び物品製造方法 |
| DE102017213861A1 (de) * | 2017-08-09 | 2019-02-14 | Krones Ag | Behälterbehandlungsanlage |
| US10714364B2 (en) * | 2017-08-31 | 2020-07-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus and method for inspecting wafer carriers |
| KR20210081597A (ko) * | 2019-12-24 | 2021-07-02 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 성막 시스템 및 전자 디바이스 제조방법 |
| CN114280891B (zh) * | 2020-09-28 | 2023-02-03 | 长鑫存储技术有限公司 | 光刻设备 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4999671A (en) * | 1986-07-11 | 1991-03-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Reticle conveying device |
| US6473157B2 (en) * | 1992-02-07 | 2002-10-29 | Nikon Corporation | Method of manufacturing exposure apparatus and method for exposing a pattern on a mask onto a substrate |
| US6048655A (en) * | 1992-02-07 | 2000-04-11 | Nikon Corporation | Method of carrying and aligning a substrate |
| US5498118A (en) * | 1992-02-07 | 1996-03-12 | Nikon Corporation | Apparatus for and method of carrying a substrate |
| JP3031790B2 (ja) * | 1992-12-10 | 2000-04-10 | キヤノン株式会社 | 半導体製造装置 |
| US5559584A (en) * | 1993-03-08 | 1996-09-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
| JPH07245332A (ja) * | 1994-03-04 | 1995-09-19 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法ならびに半導体装置 |
| JPH10154646A (ja) * | 1996-11-22 | 1998-06-09 | Nikon Corp | 搬送装置 |
| JPH11204396A (ja) * | 1998-01-08 | 1999-07-30 | Canon Inc | 半導体製造システムおよびデバイス製造方法 |
| US6466838B1 (en) * | 1998-05-14 | 2002-10-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor exposure apparatus and device manufacturing method using the same |
| JP2000188318A (ja) * | 1998-12-22 | 2000-07-04 | Canon Inc | デバイス製造装置 |
| TW446858B (en) * | 1999-04-21 | 2001-07-21 | Asm Lithography Bv | Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using such a lithographic projection apparatus, and device made by such a method of manufacturing |
| JP4365934B2 (ja) * | 1999-05-10 | 2009-11-18 | キヤノン株式会社 | 露光装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法 |
| JP3513437B2 (ja) * | 1999-09-01 | 2004-03-31 | キヤノン株式会社 | 基板管理方法及び半導体露光装置 |
-
2001
- 2001-09-06 JP JP2002525906A patent/JP4466811B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-09-06 KR KR10-2003-7003305A patent/KR20030029926A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-09-06 CN CNA018180043A patent/CN1592948A/zh active Pending
- 2001-09-06 AU AU2001284459A patent/AU2001284459A1/en not_active Abandoned
- 2001-09-06 WO PCT/JP2001/007740 patent/WO2002021583A1/ja active Application Filing
-
2003
- 2003-03-06 US US10/379,718 patent/US20040017556A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20030029926A (ko) | 2003-04-16 |
| AU2001284459A1 (en) | 2002-03-22 |
| WO2002021583A9 (fr) | 2003-01-23 |
| JPWO2002021583A1 (ja) | 2004-01-15 |
| WO2002021583A1 (fr) | 2002-03-14 |
| US20040017556A1 (en) | 2004-01-29 |
| CN1592948A (zh) | 2005-03-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4466811B2 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
| US6842221B1 (en) | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method | |
| JP4564742B2 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
| US6791661B2 (en) | Gas replacement method and apparatus, and exposure method and apparatus | |
| US20040223132A1 (en) | Mask exchanging method and exposure apparatus | |
| US20060156927A1 (en) | Filter apparatus, exposure apparatus, and device-producing method | |
| KR100588121B1 (ko) | 마스크 또는 기판 이송방법, 상기 방법에 적합한저장박스, 디바이스 또는 장치 및 상기 방법을 포함하는디바이스제조방법 | |
| JP2003228163A (ja) | 不活性ガス置換方法及び装置、露光装置、レチクル保管庫、レチクル検査装置、レチクル搬送ボックス、デバイスの製造方法 | |
| WO2000051172A1 (fr) | Systeme de sensibilisation, systeme de gravure optique et procede de convoyage, procede de production d'un dispositif, et dispositif y relatif | |
| JP2006032808A (ja) | 位置ずれ検出装置、マスク搬送システム及び露光装置 | |
| TW587197B (en) | Mask safekeeping apparatus, exposure apparatus and manufacturing method of device | |
| JP2006351863A (ja) | 物体搬送装置及び露光装置 | |
| JP2003045931A (ja) | 露光装置 | |
| JPWO2005038887A1 (ja) | 環境制御装置、デバイス製造装置、デバイス製造方法、露光装置 | |
| JP2004063934A (ja) | 収納装置、露光装置、清掃処理方法及び露光方法 | |
| JP4154380B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
| JP2008147280A (ja) | 露光装置 | |
| JP2004354656A (ja) | 光洗浄装置及び光洗浄方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 | |
| JPWO2002093626A1 (ja) | 露光方法及び装置、並びに基板の搬送方法及び装置 | |
| JP2000195779A (ja) | 露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 | |
| JP2003163251A (ja) | 搬送装置及び露光装置 | |
| WO2002067303A1 (fr) | Systeme d'exposition, dispositif d'exposition et procede de production du dispositif | |
| JP2006134944A (ja) | 露光装置 | |
| JP2000311850A (ja) | 露光装置及びリソグラフィシステム、並びにデバイス製造方法及びデバイス | |
| JP2007165778A (ja) | 露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080826 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100203 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100216 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130305 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130305 Year of fee payment: 3 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130305 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130305 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130305 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140305 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |