JP2018093121A - クリーニング方法 - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 233
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 74
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 159
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 51
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 30
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 22
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 3
- 238000004904 shortening Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 45
- 230000008569 process Effects 0.000 description 27
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CGRVKSPUKAFTBN-UHFFFAOYSA-N N-silylbutan-1-amine Chemical compound CCCCN[SiH3] CGRVKSPUKAFTBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N trifluorochlorine Chemical compound FCl(F)F JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
- C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C22/00—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
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- C23C22/06—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using aqueous solutions using aqueous acidic solutions with pH less than 6
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Abstract
【解決手段】一実施形態のクリーニング方法は、処理室内において基板を上面に載置可能な回転テーブルを、第1のクリーニング位置において回転させた状態で、前記回転テーブルの基板載置面の上方からクリーニングガスを供給する第1のクリーニング工程と、前記回転テーブルを、前記第1のクリーニング位置よりも下方である第2のクリーニング位置において回転させた状態で、前記回転テーブルの基板載置面の上方から前記クリーニングガスを供給する第2のクリーニング工程と、を含む。
【選択図】図6
Description
まず、本発明の実施形態に係るクリーニング方法が適用可能な成膜装置の一例について説明する。図1は、本発明の実施形態に係る成膜装置の概略断面図である。図2は、図1の成膜装置の真空容器内の構成を示す概略斜視図である。図3は、図1の成膜装置の真空容器内の構成を示す概略平面図である。なお、図2及び図3では、説明の便宜上、天板の図示を省略している。
次に、本発明の実施形態に係る成膜装置による成膜方法(成膜工程)について説明する。以下では、シリコン酸化膜を成膜する場合を例に挙げて説明する。
次に、本発明の実施形態に係るクリーニング方法について説明する。本発明の実施形態に係るクリーニング方法は、回転テーブル2の上下方向の位置を異ならせて行う2つのクリーニング工程(第1のクリーニング工程及び第2のクリーニング工程)を含む。第1のクリーニング工程は、真空容器1内において回転テーブル2を、第1のクリーニング位置において回転させた状態で、回転テーブル2の基板載置面の上方からクリーニングガスを供給する工程である。第2のクリーニング工程は、回転テーブル2を、第1のクリーニング位置よりも下方である第2のクリーニング位置において回転させた状態で、回転テーブル2の基板載置面の上方からクリーニングガスを供給する工程である。第1のクリーニング工程及び第2のクリーニング工程で使用するクリーニングガスは、同一のガスであってもよく、異なるガスであってもよい。
2 回転テーブル
2a 凹部
5 突出部
31 反応ガスノズル
32 反応ガスノズル
33 クリーニングガスノズル
51 分離ガス供給管
C 中心領域
D 分離領域
P1 第1の処理領域
P2 第2の処理領域
W ウエハ
Claims (19)
- 処理室内において基板を上面に載置可能な回転テーブルを、第1のクリーニング位置において回転させた状態で、前記回転テーブルの基板載置面の上方からクリーニングガスを供給する第1のクリーニング工程と、
前記回転テーブルを、前記第1のクリーニング位置よりも下方である第2のクリーニング位置において回転させた状態で、前記回転テーブルの基板載置面の上方から前記クリーニングガスを供給する第2のクリーニング工程と、
を含む、
クリーニング方法。 - 前記第1のクリーニング工程の後、前記第2のクリーニング工程を行う、
請求項1に記載のクリーニング方法。 - 前記第1のクリーニング工程の後であって、前記第2のクリーニング工程の前に、前記回転テーブルを、前記第1のクリーニング位置から前記第2のクリーニング位置に移動させながら回転させた状態で、前記回転テーブルの基板載置面の上方から前記クリーニングガスを供給する第3のクリーニング工程を含む、
請求項2に記載のクリーニング方法。 - 前記第2のクリーニング工程の後、前記第1のクリーニング工程を行う、
請求項1に記載のクリーニング方法。 - 前記第2のクリーニング工程の後であって、前記第1のクリーニング工程の前に、前記回転テーブルを、前記第2のクリーニング位置から前記第1のクリーニング位置に移動させながら回転させた状態で、前記回転テーブルの基板載置面の上方から前記クリーニングガスを供給する第4のクリーニング工程を含む、
請求項4に記載のクリーニング方法。 - 前記第1のクリーニング工程と前記第2のクリーニング工程とを交互に繰り返す、
請求項1に記載のクリーニング方法。 - 前記第1のクリーニング工程の後に、前記回転テーブルを、前記第1のクリーニング位置から前記第2のクリーニング位置に移動させながら回転させた状態で、前記回転テーブルの基板載置面の上方から前記クリーニングガスを供給する第3のクリーニング工程と、
前記第2のクリーニング工程の後に、前記回転テーブルを、前記第2のクリーニング位置から前記第1のクリーニング位置に移動させながら回転させた状態で、前記回転テーブルの基板載置面の上方から前記クリーニングガスを供給する第4のクリーニング工程と、
を含み、
前記第1のクリーニング工程、前記第3のクリーニング工程、前記第2のクリーニング工程及び前記第4のクリーニング工程をこの順番に繰り返す、
請求項1に記載のクリーニング方法。 - 前記クリーニングガスは、ClF3ガスを含む、
請求項1乃至7のいずれか一項に記載のクリーニング方法。 - 処理室内において基板を上面に載置可能な回転テーブルと、回転テーブルの上方に回転テーブルの回転方向に沿って互いに離間して配置された第1の処理領域及び第2の処理領域と、第1の処理領域及び第2の処理領域との間に配置された分離領域と、が設けられ、前記分離領域に前記処理室内の天井面の側から下方に向かって突出する突出部が設けられて前記第1の処理領域及び前記第2の処理領域よりも低い天井面が形成され、前記第1の処理領域及び/又は前記第2の処理領域にクリーニングガス、前記分離領域にパージガスが供給可能な成膜装置を用いたクリーニング方法であって、
前記回転テーブルを、第1のクリーニング位置において回転させた状態で、前記回転テーブルの基板載置面の上方からクリーニングガスを供給する第1のクリーニング工程と、
前記回転テーブルを、前記第1のクリーニング位置よりも下方である第2のクリーニング位置において回転させた状態で、前記回転テーブルの基板載置面の上方から前記クリーニングガスを供給する第2のクリーニング工程と、
を含む、
クリーニング方法。 - 前記第1の処理領域と前記第2の処理領域との雰囲気を分離するために前記処理室内の中心部に位置し、前記回転テーブルの基板載置面に分離ガスを供給する分離ガス供給管が設けられた中心領域を有し、
前記第2のクリーニング工程は、前記中心領域から供給される分離ガスの流量を前記第1のクリーニング工程よりも小さくした状態で行う工程である、
請求項9に記載のクリーニング方法。 - 前記第1の処理領域に第1の反応ガス、前記第2の処理領域に第2の反応ガス、前記分離領域にパージガスを供給した状態で前記回転テーブルを回転させることにより、前記第1の反応ガスと前記第2の反応ガスとの反応生成物を基板に成膜する成膜工程を有し、
前記成膜工程を繰り返すことにより、前記回転テーブルの上面に所定の膜厚の膜が成膜されたときに前記第1のクリーニング工程及び前記第2のクリーニング工程を行う、
請求項9又は10に記載のクリーニング方法。 - 前記所定の膜は、シリコン酸化膜である、
請求項11に記載のクリーニング方法。 - 前記第1のクリーニング工程の後、前記第2のクリーニング工程を行う、
請求項9乃至12のいずれか一項に記載のクリーニング方法。 - 前記第1のクリーニング工程の後であって、前記第2のクリーニング工程の前に、前記回転テーブルを、前記第1のクリーニング位置から前記第2のクリーニング位置に移動させながら回転させた状態で、前記回転テーブルの基板載置面の上方から前記クリーニングガスを供給する第3のクリーニング工程を含む、
請求項13に記載のクリーニング方法。 - 前記第2のクリーニング工程の後、前記第1のクリーニング工程を行う、
請求項9乃至12のいずれか一項に記載のクリーニング方法。 - 前記第2のクリーニング工程の後であって、前記第1のクリーニング工程の前に、前記回転テーブルを、前記第2のクリーニング位置から前記第1のクリーニング位置に移動させながら回転させた状態で、前記回転テーブルの基板載置面の上方から前記クリーニングガスを供給する第4のクリーニング工程を含む、
請求項15に記載のクリーニング方法。 - 前記第1のクリーニング工程と前記第2のクリーニング工程とを交互に繰り返す、
請求項9乃至12のいずれか一項に記載のクリーニング方法。 - 前記第1のクリーニング工程の後に、前記回転テーブルを、前記第1のクリーニング位置から前記第2のクリーニング位置に移動させながら回転させた状態で、前記回転テーブルの基板載置面の上方から前記クリーニングガスを供給する第3のクリーニング工程と、
前記第2のクリーニング工程の後に、前記回転テーブルを、前記第2のクリーニング位置から前記第1のクリーニング位置に移動させながら回転させた状態で、前記回転テーブルの基板載置面の上方から前記クリーニングガスを供給する第4のクリーニング工程と、
を含み、
前記第1のクリーニング工程、前記第3のクリーニング工程、前記第2のクリーニング工程及び前記第4のクリーニング工程をこの順番に繰り返す、
請求項9乃至12のいずれか一項に記載のクリーニング方法。 - 前記クリーニングガスは、ClF3ガスを含む、
請求項9乃至18のいずれか一項に記載のクリーニング方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016237074A JP6749225B2 (ja) | 2016-12-06 | 2016-12-06 | クリーニング方法 |
US15/825,611 US10648076B2 (en) | 2016-12-06 | 2017-11-29 | Cleaning method and film deposition apparatus executing the cleaning method for uniformly cleaning rotary table |
KR1020170164222A KR102170612B1 (ko) | 2016-12-06 | 2017-12-01 | 클리닝 방법 |
TW106142334A TWI695442B (zh) | 2016-12-06 | 2017-12-04 | 清潔方法 |
CN201711277807.XA CN108149221B (zh) | 2016-12-06 | 2017-12-06 | 清洁方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016237074A JP6749225B2 (ja) | 2016-12-06 | 2016-12-06 | クリーニング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018093121A true JP2018093121A (ja) | 2018-06-14 |
JP6749225B2 JP6749225B2 (ja) | 2020-09-02 |
Family
ID=62240866
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016237074A Active JP6749225B2 (ja) | 2016-12-06 | 2016-12-06 | クリーニング方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10648076B2 (ja) |
JP (1) | JP6749225B2 (ja) |
KR (1) | KR102170612B1 (ja) |
CN (1) | CN108149221B (ja) |
TW (1) | TWI695442B (ja) |
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JP2020010001A (ja) * | 2018-07-12 | 2020-01-16 | 東京エレクトロン株式会社 | クリーニング方法及び基板処理装置 |
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JP6956660B2 (ja) * | 2018-03-19 | 2021-11-02 | 東京エレクトロン株式会社 | クリーニング方法及び成膜装置 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20180064983A (ko) | 2018-06-15 |
KR102170612B1 (ko) | 2020-10-27 |
JP6749225B2 (ja) | 2020-09-02 |
US20180155829A1 (en) | 2018-06-07 |
CN108149221A (zh) | 2018-06-12 |
US10648076B2 (en) | 2020-05-12 |
TWI695442B (zh) | 2020-06-01 |
TW201832306A (zh) | 2018-09-01 |
CN108149221B (zh) | 2021-06-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190520 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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