JP6739370B2 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6739370B2 JP6739370B2 JP2017017034A JP2017017034A JP6739370B2 JP 6739370 B2 JP6739370 B2 JP 6739370B2 JP 2017017034 A JP2017017034 A JP 2017017034A JP 2017017034 A JP2017017034 A JP 2017017034A JP 6739370 B2 JP6739370 B2 JP 6739370B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- nozzle
- reaction gas
- separation
- substrate processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 63
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 40
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 178
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 64
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 50
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 45
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 45
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 45
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 20
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 15
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 11
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
第1実施形態に係る基板処理装置の一例について説明する。図1は、第1実施形態に係る基板処理装置の概略断面図である。図2は、図1の基板処理装置の概略斜視図である。図3は、図1の基板処理装置の真空容器内の構成を示す概略平面図である。
第2実施形態に係る基板処理装置の一例について説明する。図6は、第2実施形態に係る基板処理装置の概略断面図である。
2 回転テーブル
312 ガス供給管
316 シリコン含有ガス供給源
612 排気配管
616 真空ポンプ
80 エゼクタポンプ
80d 駆動ポート
80e 排気ポート
80s 吸引ポート
Claims (5)
- 処理室と、
前記処理室内に設けられ、表面に基板を載置可能な回転テーブルと、
前記回転テーブルの表面に第1の反応ガスを供給する第1のノズルと、
前記回転テーブルの回転方向に沿って前記第1のノズルと離間して設けられ、前記回転テーブルの表面に前記第1の反応ガスと反応して反応生成物を生成する第2の反応ガスを供給する第2のノズルと、
前記回転テーブルの前記回転方向における前記第1のノズルと前記第2のノズルとの間に設けられ、前記第1の反応ガスと前記第2の反応ガスとを分離する分離ガスを供給する分離ガスノズルと、
排気配管を介して前記第1のノズルから供給されるガスを排気する真空排気手段と、
前記排気配管と連通する吸引ポートと、前記処理室と連通する排気ポートと、駆動ガスを供給するための駆動ポートと、を有するエゼクタポンプと、
を備える、
基板処理装置。 - 前記第1のノズルにガス供給管を介して前記第1の反応ガスを供給する反応ガス供給源を更に有し、
前記排気ポートは、前記ガス供給管に接続されている、
請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記回転テーブルの回転方向に沿って前記第1のノズルと前記第2のノズルとの間に設けられた第3のノズルを更に有し、
前記排気ポートは、前記第3のノズルに接続されている、
請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記分離ガスノズルに前記分離ガスを供給する分離ガス供給源を更に有し、
前記駆動ポートは、前記分離ガス供給源に接続されている、
請求項1乃至3のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記第1の反応ガスは、シリコン含有ガスであり、
前記第2の反応ガスは、酸素含有ガスである、
請求項1乃至4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017017034A JP6739370B2 (ja) | 2017-02-01 | 2017-02-01 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017017034A JP6739370B2 (ja) | 2017-02-01 | 2017-02-01 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018125437A JP2018125437A (ja) | 2018-08-09 |
JP6739370B2 true JP6739370B2 (ja) | 2020-08-12 |
Family
ID=63109017
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017017034A Active JP6739370B2 (ja) | 2017-02-01 | 2017-02-01 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6739370B2 (ja) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5950165A (ja) * | 1982-09-16 | 1984-03-23 | Sony Corp | 減圧反応装置 |
JPS5964516A (ja) * | 1982-10-01 | 1984-04-12 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | アモルフアスシリコン膜生成方法 |
JP2004006511A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-01-08 | Toppan Printing Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP5651317B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2015-01-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体製造装置及び温調方法 |
JP5712879B2 (ja) * | 2011-09-22 | 2015-05-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び基板処理装置 |
JP2014132540A (ja) * | 2013-01-07 | 2014-07-17 | Kowa Dennetsu Keiki:Kk | プラズマ表面処理装置 |
-
2017
- 2017-02-01 JP JP2017017034A patent/JP6739370B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018125437A (ja) | 2018-08-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6478847B2 (ja) | 基板処理装置 | |
TWI579954B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
TWI506159B (zh) | 成膜裝置 | |
US10604839B2 (en) | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and method of processing substrate | |
JP5823922B2 (ja) | 成膜方法 | |
JP5093078B2 (ja) | 成膜装置 | |
JP2010126797A (ja) | 成膜装置、半導体製造装置、これらに用いられるサセプタ、プログラム、およびコンピュータ可読記憶媒体 | |
KR102170612B1 (ko) | 클리닝 방법 | |
KR20170072805A (ko) | 성막 방법 및 성막 장치 | |
JP6723135B2 (ja) | 保護膜形成方法 | |
KR20110097663A (ko) | 진공 배기용의 볼 밸브 및 진공 배기 장치 | |
KR101649783B1 (ko) | 성막 방법 | |
JP6710149B2 (ja) | 基板処理装置 | |
US20190271077A1 (en) | Film deposition method and film deposition apparatus | |
US10458016B2 (en) | Method for forming a protective film | |
JP5913079B2 (ja) | 成膜方法 | |
JP2015070095A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP6739370B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6308030B2 (ja) | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 | |
JP6096588B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP6096955B2 (ja) | 成膜方法 | |
CN210167329U (zh) | 密封构造以及处理装置 | |
US20240060170A1 (en) | Film deposition apparatus and film deposition method | |
JP6906439B2 (ja) | 成膜方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190620 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200326 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200421 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200623 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200721 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6739370 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |