JP6096955B2 - 成膜方法 - Google Patents
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Description
前記回転テーブルの前記上面の上方において区画され、前記回転テーブルの前記上面に向けてガスを供給する第1のガス供給部を有する第1の処理領域と、
前記回転テーブルの周方向に沿って前記第1の処理領域から離間して配置され、前記回転テーブルの前記上面に対してガスを供給する第2のガス供給部を有する第2の処理領域と、
前記第1の処理領域と前記第2の処理領域との間に設けられ、前記回転テーブルの前記上面に対して分離ガスを供給する分離ガス供給部と、該分離ガス供給部からの前記分離ガスを前記第1の処理領域と前記第2の処理領域へ導く狭い空間を前記回転テーブルの前記上面に対して形成する天井面とを有する分離領域と、を備える成膜装置を用いて、前記複数の基板上に所定の元素を含む窒化膜を成膜する成膜方法であって、
前記第1のガス供給部及び前記分離ガス供給部から前記分離ガスを供給し、前記第2のガス供給部から窒化ガスを供給した状態で前記回転テーブルを少なくとも1回回転させる第1の工程と、
前記第1のガス供給部から前記所定の元素を含む反応ガスを供給し、前記第2のガス供給部から前記窒化ガスを供給し、前記分離ガス供給部から前記分離ガスを供給した状態で前記回転テーブルを所定回数回転させ、前記基板上に前記所定の元素を含む窒化膜を成膜する第2の工程と、
前記第1のガス供給部及び前記分離ガス供給部から前記分離ガスを供給し、前記第2のガス供給部から前記窒化ガスを供給した状態で前記回転テーブルを少なくとも1回回転させる第3の工程と、
前記第1の工程、前記第2の工程及び前記第3の工程を各々1回だけ行った後、前記複数の基板を前記チャンバから搬出する搬出工程と、を含む。
(成膜装置)
まず、図1乃至図3を用いて、本発明の実施形態1に係る成膜方法を実施するのに好適な成膜装置について説明する。
次に、図1乃至図5において説明した成膜装置を用いた本発明の実施形態1に係る成膜方法について説明する。
図8は、本発明の実施形態2に係る成膜方法の一例を示したシーケンス図である。図8(A)は、実施形態2に係る成膜方法の一例のシーケンスを、回転テーブル2を用いて示した図であり、図8(B)は、実施形態2に係る成膜方法の一例を、タイミングチャートを用いて示した図である。なお、図8(A)において、反応ガスノズル31、32から供給されるガスが図6(A)と異なっているが、その他の構成要素は図6(A)と同様であるので、同様の構成要素に同一の参照符号を付してその説明を省略する。
2 回転テーブル
4 凸状部
11 天板
12 容器本体
15 搬送口
24 凹部(ウエハ載置部)
31、32 反応ガスノズル
41、42 分離ガスノズル
D 分離領域
P1 第1の処理領域
P2 第2の処理領域
H 分離空間
W ウエハ
Claims (8)
- チャンバ内に回転可能に収容され、複数の基板を上面に載置可能な載置部を有する回転テーブルと、
前記回転テーブルの前記上面の上方において区画され、前記回転テーブルの前記上面に向けてガスを供給する第1のガス供給部を有する第1の処理領域と、
前記回転テーブルの周方向に沿って前記第1の処理領域から離間して配置され、前記回転テーブルの前記上面に対してガスを供給する第2のガス供給部を有する第2の処理領域と、
前記第1の処理領域と前記第2の処理領域との間に設けられ、前記回転テーブルの前記上面に対して分離ガスを供給する分離ガス供給部と、該分離ガス供給部からの前記分離ガスを前記第1の処理領域と前記第2の処理領域へ導く狭い空間を前記回転テーブルの前記上面に対して形成する天井面とを有する分離領域と、を備える成膜装置を用いて、前記複数の基板上に所定の元素を含む窒化膜を成膜する成膜方法であって、
前記第1のガス供給部及び前記分離ガス供給部から前記分離ガスを供給し、前記第2のガス供給部から窒化ガスを供給した状態で前記回転テーブルを少なくとも1回回転させる第1の工程と、
前記第1のガス供給部から前記所定の元素を含む反応ガスを供給し、前記第2のガス供給部から前記窒化ガスを供給し、前記分離ガス供給部から前記分離ガスを供給した状態で前記回転テーブルを所定回数回転させ、前記基板上に前記所定の元素を含む窒化膜を成膜する第2の工程と、
前記第1のガス供給部及び前記分離ガス供給部から前記分離ガスを供給し、前記第2のガス供給部から前記窒化ガスを供給した状態で前記回転テーブルを少なくとも1回回転させる第3の工程と、
前記第1の工程、前記第2の工程及び前記第3の工程を各々1回だけ行った後、前記複数の基板を前記チャンバから搬出する搬出工程と、を含む成膜方法。 - 前記所定回数は、所望の膜厚の前記所定の元素を含む窒化膜を成膜するのに必要な回転数である請求項1に記載の成膜方法。
- 前記窒化ガスは、アンモニアガスである請求項1又は2に記載の成膜方法。
- 前記所定の元素は、金属元素又は半導体元素である請求項1乃至3のいずれか一項に記載の成膜方法。
- 前記金属元素は、ハフニウム、ジルコニウム、アルミニウム、チタン、ストロンチウムのいずれか1つであり、
前記半導体元素は、シリコンである請求項4に記載の成膜方法。 - 前記分離ガスは、窒素ガスである請求項1乃至5のいずれか一項に記載の成膜方法。
- 前記第1の工程の前及び前記第3の工程の後に、前記第1のガス供給部から不活性ガスを供給するとともに、前記第2のガス供給部及び前記分離ガス供給部から前記分離ガスを供給した状態で前記回転テーブルを回転させる工程を更に有する請求項1乃至6のいずれか一項に記載の成膜方法。
- 前記不活性ガスは、前記分離ガスと同じガスである請求項7に記載の成膜方法。
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