KR101734779B1 - 성막 방법 - Google Patents

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Abstract

복수의 기판을 적재 가능한 회전 테이블과, 제1 가스 공급부와, 제2 가스 공급부를 구비하는 성막 장치를 이용한 성막 방법으로서, 상기 제1 및 제2 가스 공급부로부터 산화 가스를 공급하여 상기 회전 테이블을 회전시키는 제1 공정과, 상기 제1 가스 공급부로부터 상기 소정의 원소를 포함하는 반응 가스를 공급하고, 상기 제2 가스 공급부로부터 상기 산화 가스를 공급하여 상기 회전 테이블을 회전시키고, 상기 기판 상에 상기 소정의 원소를 포함하는 산화막을 성막하는 제2 공정과, 상기 제1 및 제2 가스 공급부로부터 상기 산화 가스를 공급하여 상기 회전 테이블을 회전시키는 제3 공정을 포함한다.

Description

성막 방법{METHOD FOR DEPOSITING A FILM}
본원은, 2012년 12월 21일 출원된 일본 특허 출원 제2012-279920호를 우선권 주장의 기초 출원으로 하고 있고, 여기서 이에 기초하는 우선권을 주장하는 동시에, 그 전체 내용을 참조에 의해 삽입한다.
본 발명은, 성막 방법에 관한 것으로, 특히, 산화막 또는 질화막을 성막하는 성막 방법에 관한 것이다.
반도체 집적 회로(IC, Integrated Circuit)의 제조 공정에는, 반도체 웨이퍼 상에 박막을 성막하는 공정이 있다. 이 공정에 대해서는, IC의 가일층의 미세화의 관점으로부터, 웨이퍼면 내에서의 균일성의 향상이 요구되고 있다. 이와 같은 요망에 응하는 성막 방법으로서, 원자층 성막(ALD, Atomic Layer Deposition)법 또는 분자층 성막(MLD, Molecular Layer Deposition)법이라고 불리는 성막 방법이 기대되고 있다. ALD법에서는, 서로 반응하는 2종류의 반응 가스의 한쪽 반응 가스(반응 가스 A)를 웨이퍼 표면에 흡착시키고, 흡착시킨 반응 가스 A를 다른 쪽 반응 가스(반응 가스 B)로 반응시키는 사이클을 반복함으로써, 반응 생성물에 의한 박막이 웨이퍼 표면에 성막된다. ALD법은, 웨이퍼 표면으로의 반응 가스의 흡착을 이용하므로, 막 두께 균일성 및 막 두께 제어성이 우수하다고 하는 이점을 갖고 있다.
ALD법을 실시하는 성막 장치로서, 특허 제4661990호 기재의 이른바 회전 테이블식의 성막 장치가 있다. 이 성막 장치는, 진공 용기 내에 회전 가능하게 배치되고, 복수의 웨이퍼가 적재되는 회전 테이블과, 회전 테이블의 상방으로 구획되는 반응 가스 A의 공급 영역과 반응 가스 B의 공급 영역을 분리하는 분리 영역과, 반응 가스 A 및 반응 가스 B의 공급 영역에 대응하여 설치되는 배기구와, 이들의 배기구에 접속되는 배기 장치를 갖고 있다. 이와 같은 성막 장치에서는, 회전 테이블이 회전함으로써, 반응 가스 A의 공급 영역, 분리 영역, 반응 가스 B의 공급 영역 및 분리 영역을 웨이퍼가 통과하게 된다. 이에 의해, 반응 가스 A의 공급 영역에 있어서 웨이퍼 표면에 반응 가스 A가 흡착되고, 반응 가스 B의 공급 영역에 있어서 반응 가스 A와 반응 가스 B가 웨이퍼 표면에서 반응한다. 이로 인해, 성막 중에는 반응 가스 A 및 반응 가스 B를 전환할 필요는 없고, 계속해서 공급할 수 있다. 따라서, 배기/퍼지 공정이 불필요하게 되어, 성막 시간을 단축시킬 수 있다고 하는 이점이 있다.
상기의 회전 테이블식의 성막 장치를 이용해서 소정의 원소를 포함하는 산화막을 성막하는 경우, 반응 가스 A를 상술한 소정의 원소를 포함하는 반응 가스(예를 들어, 실리콘을 포함하는 실리콘계 가스 등)로 하고, 반응 가스 B를 오존 등의 산화 가스로 하면, 소정의 원소를 포함하는 산화막을 성막할 수 있다. 이 경우, 소정의 원소를 포함하는 가스(반응 가스 A)가 우선 웨이퍼의 표면에 흡착되고, 그 상태에서 산화 가스(반응 가스 B)가 공급되고, 웨이퍼의 표면상에서 반응 가스 A와 반응 가스 B가 반응하고, 소정의 원소를 포함하는 산화막의 분자층이 형성된다. 이와 같이, 소정의 원소를 포함하는 반응 가스가 우선 웨이퍼의 표면상에 흡착되고, 다음에 웨이퍼 표면상에서 산화 가스와 반응함으로써, 소정의 원소를 포함하는 산화막이 웨이퍼의 표면상에 성막된다.
본 발명의 실시예는, 신규 또한 유용한 성막 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 하나의 관점에 따르면, 성막 방법은, 챔버 내에 회전 가능하게 수용되고, 복수의 기판을 상면에 적재 가능한 적재부를 갖는 회전 테이블과,
상기 회전 테이블의 상기 상면의 상방에 있어서 구획되고, 상기 회전 테이블의 상기 상면을 향하여 가스를 공급하는 제1 가스 공급부를 갖는 제1 처리 영역과,
상기 회전 테이블의 둘레 방향을 따라서 상기 제1 처리 영역으로부터 이격하여 배치되고, 상기 회전 테이블의 상기 상면에 대하여 가스를 공급하는 제2 가스 공급부를 갖는 제2 처리 영역과,
상기 제1 처리 영역과 상기 제2 처리 영역 사이에 설치되고, 상기 회전 테이블의 상기 상면에 대하여 분리 가스를 공급하는 분리 가스 공급부와, 상기 분리 가스 공급부로부터의 상기 분리 가스를 상기 제1 처리 영역과 상기 제2 처리 영역으로 유도하는 좁은 공간을 상기 회전 테이블의 상기 상면에 대하여 형성하는 천장면을 갖는 분리 영역을 구비하는 성막 장치를 사용하여, 상기 복수의 기판 상에 소정의 원소를 포함하는 산화막을 성막하는 성막 방법으로서,
상기 제1 가스 공급부 및 상기 분리 가스 공급부로부터 상기 분리 가스를 공급하고, 상기 제2 가스 공급부로부터 산화 가스를 공급한 상태에서 상기 회전 테이블을 적어도 1회 회전시키는 제1 공정과,
상기 제1 가스 공급부로부터 상기 소정의 원소를 포함하는 반응 가스를 공급하고, 상기 제2 가스 공급부로부터 상기 산화 가스를 공급하고, 상기 분리 가스 공급부로부터 상기 분리 가스를 공급한 상태에서 상기 회전 테이블을 소정 횟수 회전시키고, 상기 기판 상에 상기 소정의 원소를 포함하는 산화막을 성막하는 제2 공정과,
상기 제1 가스 공급부 및 상기 분리 가스 공급부로부터 상기 분리 가스를 공급하고, 상기 제2 가스 공급부로부터 상기 산화 가스를 공급한 상태에서 상기 회전 테이블을 적어도 1회 회전시키는 제3 공정을 포함한다.
본 발명의 다른 하나의 관점에 따르면, 성막 방법은, 챔버 내에 회전 가능하게 수용되고, 복수의 기판을 상면에 적재 가능한 적재부를 갖는 회전 테이블과,
상기 회전 테이블의 상기 상면의 상방에 있어서 구획되고, 상기 회전 테이블의 상기 상면을 향하여 가스를 공급하는 제1 가스 공급부를 갖는 제1 처리 영역과,
상기 회전 테이블의 둘레 방향을 따라서 상기 제1 처리 영역으로부터 이격하여 배치되고, 상기 회전 테이블의 상기 상면에 대하여 가스를 공급하는 제2 가스 공급부를 갖는 제2 처리 영역과,
상기 제1 처리 영역과 상기 제2 처리 영역 사이에 설치되고, 상기 회전 테이블의 상기 상면에 대하여 분리 가스를 공급하는 분리 가스 공급부와, 상기 분리 가스 공급부로부터의 상기 분리 가스를 상기 제1 처리 영역과 상기 제2 처리 영역으로 유도하는 좁은 공간을 상기 회전 테이블의 상기 상면에 대하여 형성하는 천장면을 갖는 분리 영역을 구비하는 성막 장치를 사용하여, 상기 복수의 기판 상에 소정의 원소를 포함하는 질화막을 성막하는 성막 방법으로서,
상기 제1 가스 공급부 및 상기 분리 가스 공급부로부터 상기 분리 가스를 공급하고, 상기 제2 가스 공급부로부터 질화 가스를 공급한 상태에서 상기 회전 테이블을 적어도 1회 회전시키는 제1 공정과,
상기 제1 가스 공급부로부터 상기 소정의 원소를 포함하는 반응 가스를 공급하고, 상기 제2 가스 공급부로부터 상기 질화 가스를 공급하고, 상기 분리 가스 공급부로부터 상기 분리 가스를 공급한 상태에서 상기 회전 테이블을 소정 횟수 회전시키고, 상기 기판 상에 상기 소정의 원소를 포함하는 질화막을 성막하는 제2 공정과,
상기 제1 가스 공급부 및 상기 분리 가스 공급부로부터 상기 분리 가스를 공급하고, 상기 제2 가스 공급부로부터 상기 질화 가스를 공급한 상태에서 상기 회전 테이블을 적어도 1회 회전시키는 제3 공정을 포함한다.
또한 본 발명의 목적과 이점은, 일부는 명세서에 기재되고, 일부는 명세서보다 자명하다. 본 발명의 목적과 이점은 첨부한 클레임에서 특별히 지적되는 요소와 그 조합에 의해 실현되어 달성된다. 상기의 일반적인 기재와 하기의 상세한 설명은 예시로서 설명하는 것이며, 클레임된 본 발명을 한정적으로 하는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 성막 방법을 실시하는 데 바람직한 성막 장치를 도시하는 단면도이다.
도 2는 도 1의 성막 장치의 진공 용기 내의 구조를 도시하는 사시도이다.
도 3은 도 1의 성막 장치의 진공 용기 내의 구조를 도시하는 개략 상면이다.
도 4는 반응 가스 노즐 및 분리 가스 노즐을 포함하는 도 1의 성막 장치의 일부 단면도이다.
도 5는 천장면을 포함하는 도 1의 성막 장치의 다른 일부 단면이다.
도 6a와 도 6b는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 성막 방법의 일례를 나타낸 시퀀스도이다. 도 6a는, 제1 실시 형태에 따른 성막 방법의 일례의 시퀀스를, 회전 테이블(2)을 이용해서 도시한 도면이다. 도 6b는, 제1 실시 형태에 따른 성막 방법의 일례를, 타이밍차트를 이용해서 도시한 도면이다.
도 7은 비교예로서, 성막 방법의 일례를 나타낸 도면이다.
도 8a와 도 8b는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 성막 방법의 일례를 나타낸 시퀀스도이다. 도 8a는, 제2 실시 형태에 따른 성막 방법의 일례의 시퀀스를, 회전 테이블(2)을 이용해서 도시한 도면이다. 도 8b는, 제2 실시 형태에 따른 성막 방법의 일례를, 타이밍차트를 이용해서 도시한 도면이다.
상술한 회전 테이블식의 성막 장치를 사용하여, 상술한 바와 같은 성막 방법으로 소정의 원소를 포함하는 산화막을 복수의 웨이퍼 표면상에 성막하는 경우, 웨이퍼가 복수매 회전 테이블의 둘레 방향을 따라서 배치되어 있으므로, 반응 가스 A(원소 함유 가스) 및 반응 가스 B(산화 가스)를 동시에 공급하여 성막 공정을 개시하면, 원주 방향에 배치된 복수의 웨이퍼의 전부에 대해서 반응 가스 A로부터 공급이 개시된다고는 한정되지 않고, 반응 가스 A로부터 공급이 개시되는 웨이퍼와, 반응 가스 B로부터 공급이 개시되는 웨이퍼가 발생하게 된다. 그렇게 하면, 산화되고 나서 성막 공정이 개시되는 웨이퍼와, 산화되는 일 없이 다이렉트로 성막 공정이 개시되는 웨이퍼가 발생하게 되어, 복수의 웨이퍼간에서 균일한 성막을 행할 수 없어, 웨이퍼간의 성막의 불균형이 발생하게 된다고 하는 문제가 있었다.
또한, 성막 공정의 종료시에서도, 반응 가스 A 및 반응 가스 B의 공급이 동시에 정지되면, 반응 가스 A만이 공급되고, 표면에 반응 가스 A가 흡착된 상태로 성막 공정이 종료되는 웨이퍼와, 반응 가스 B도 공급되고, 표면에 산화막이 형성된 상태로 성막 공정이 종료되는 웨이퍼가 발생하게 되어, 역시 웨이퍼간에서 성막의 불균형이 발생하게 된다고 하는 문제가 있었다.
또한, 이러한 문제는 질화막의 성막 공정에서도, 마찬가지로 발생할 수 있는 문제이다.
이하, 도면을 참조하여, 본 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용의 설명을 행한다.
또한, 이하의 실시예 중, 하기의 부호는 전형적으로는 하기의 요소를 나타낸다.
1 : 챔버
2 : 회전 테이블
4 : 볼록 형상부
11 : 천장판
12 : 용기 본체
15 : 반송구
24 : 오목부(웨이퍼 적재부)
31, 32 : 반응 가스 노즐
41, 42 : 분리 가스 노즐
D : 분리 영역
P1 : 제1 처리 영역
P2 : 제2 처리 영역
H : 분리 공간
W : 웨이퍼
또한, 첨부의 전체 도면 중, 동일 또는 대응하는 부재 또는 부품에 대해서는, 동일 또는 대응하는 참조 부호를 부여하고, 중복되는 설명을 생략한다. 또한, 도면은, 부재 혹은 부품간의 상대비를 나타내는 것을 목적으로 하지 않고, 따라서, 구체적인 치수는, 이하의 한정적이 아닌 실시 형태에 비추어, 당업자에 의해 결정되어야 할 것이다.
[제1 실시 형태]
(성막 장치)
우선, 도 1 내지 도 3을 사용하여, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 성막 방법을 실시하는 데 바람직한 성막 장치에 대해서 설명한다.
도 1은, 본 발명의 실시 형태에 따른 성막 방법을 실시하는 데 바람직한 성막 장치를 도시하는 단면도이다. 도 2는, 도 1의 성막 장치의 진공 용기 내의 구조를 도시하는 사시도이다. 또한, 도 3은, 도 1의 성막 장치의 진공 용기 내의 구조를 도시하는 개략 상면이다.
도 1로부터 도 3까지를 참조하면, 제1 실시 형태에 따른 성막 장치는, 거의 원형의 평면 형상을 갖는 편평한 챔버(1)와, 이 챔버(1) 내에 설치되고, 챔버(1)의 중심에 회전 중심을 갖는 회전 테이블(2)을 구비하고 있다. 챔버(1)는, 바닥이 있는 원통 형상을 갖는 용기 본체(12)와, 용기 본체(12)의 상면에 대하여, 예를 들어 O링 등의 밀봉 부재(13)(도 1)를 통하여 기밀하게 착탈 가능하게 배치되는 천장판(11)을 갖고 있다.
회전 테이블(2)은, 중심부에서 원통 형상의 코어부(21)에 고정되고, 이 코어부(21)는, 연직 방향으로 신장하는 회전축(22)의 상단부에 고정되어 있다. 회전축(22)은, 챔버(1)의 저부(14)를 관통하고, 그 하단부가 회전축(22)(도 1)을 연직축 주위로 회전시키는 구동부(23)에 설치되어 있다. 회전축(22) 및 구동부(23)는, 상면이 개방된 통 형상의 케이스체(20) 내에 수납되어 있다. 이 케이스체(20)는, 그 상면에 설치된 플랜지 부분이 챔버(1)의 저부(14)의 하면에 기밀하게 설치되어 있고, 케이스체(20)의 내부 분위기가 외부 분위기로부터 격리된다.
또한, 챔버(1) 내의 외연부에는, 배기구(610)가 설치되고, 배기 포트(630)에 연통하고 있다. 배기 포트(630)는 압력 조정기(650)를 통하여, 진공 펌프(640)에 접속되고, 챔버(1) 내가, 배기구(610)로부터 배기 가능하게 구성되어 있다.
회전 테이블(2)의 표면에는, 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이 회전 방향(주위 방향)을 따라서 복수(도시의 예에서는 5매) 반도체 웨이퍼(이하 「웨이퍼」라고 함)(W)를 적재하기 위한 원형 형상의 오목부(24)가 형성되어 있다. 또한 도 3에는 편의상 1개의 오목부(24)에만 웨이퍼(W)를 나타낸다. 이 오목부(24)는 웨이퍼(W)의 직경(예를 들어 300㎜)보다도 약간(예를 들어 2㎜) 큰 내경과, 웨이퍼(W)의 두께와 거의 동등한 깊이를 갖고 있다. 따라서, 웨이퍼(W)를 오목부(24)에 적재하면, 웨이퍼(W)의 표면과 회전 테이블(2)의 표면[웨이퍼(W)가 적재되지 않는 영역]이 동일한 높이가 된다.
도 2 및 도 3은, 챔버(1) 내의 구조를 설명하는 도면이며, 설명의 편의상, 천장판(11)의 도시를 생략하고 있다. 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 회전 테이블(2)의 상방에는, 각각 예를 들어 석영으로 이루어지는 반응 가스 노즐(31), 반응 가스 노즐(32) 및 분리 가스 노즐(41, 42)이 배치되어 있다. 도시의 예에서는, 챔버(1)의 주위 방향으로 간격을 두고, 반송구(15)(후술)로부터 시계 방향[회전 테이블(2)의 회전 방향]으로 분리 가스 노즐(41), 반응 가스 노즐(31), 분리 가스 노즐(42) 및 반응 가스 노즐(32)의 순서로 배열되어 있다. 이들의 노즐(31, 32, 41 및 42)은, 각각의 기단부인 가스 도입 포트(31a, 32a, 41a 및 42a)(도 3)를 용기 본체(12)의 외주벽에 고정함으로써, 챔버(1)의 외주벽으로부터 챔버(1) 내에 도입되고, 용기 본체(12)의 반경 방향을 따라서 회전 테이블(2)에 대하여 평행하게 신장하도록 설치되어 있다.
반응 가스 노즐(31)에는, 제1 반응 가스가 저류되는 제1 반응 가스 공급원이 개폐 밸브나 유량 조정기(모두 도시되지 않음)를 통하여 접속되고, 반응 가스 노즐(32)에는, 제1 반응 가스와 반응하는 제2 반응 가스가 저류되는 제2 반응 가스 공급원이 개폐 밸브나 유량 조정기(모두 도시되지 않음)를 통하여 접속되어 있다.
여기서, 제1 반응 가스는, 금속 원소 또는 반도체 원소를 포함하는 가스인 것이 바람직하고, 산화물 또는 질화물로 되었을 때에, 산화막 또는 질화막으로서 사용될 수 있는 것이 선택된다. 제2 반응 가스는 금속 원소 또는 반도체 원소와 반응하여, 금속 산화물 또는 금속 질화물, 혹은 반도체 산화물 또는 반도체 질화물을 생성할 수 있는 산화 가스 또는 질화 가스가 선택된다. 구체적으로는, 제1 반응 가스는, 금속 원소(또는 반도체 원소)를 포함하는 유기 금속(또는 반도체) 가스인 것이 바람직하다. 또한, 제1 반응 가스로서는, 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 흡착성을 갖는 가스인 것이 바람직하다. 제2 반응 가스로서는, 웨이퍼(W)의 표면에 흡착되는 제1 반응 가스와 산화 반응 또는 질화 반응이 가능하고, 반응 화합물을 웨이퍼(W)의 표면에 퇴적시킬 수 있는 산화 가스 또는 질화 가스인 것이 바람직하다.
구체적으로는, 예를 들어, 제1 반응 가스로서는, 하프늄 원소를 포함하는 반응 가스이며, 산화막으로서 HfO(총칭적으로 「HfO」라고 칭하고, HfO2를 포함해도 좋음)를 형성하는 테트라키스디메틸아미노하프늄(이하, 「TDMAH」라고 칭함)이나, 티탄 원소를 포함하는 반응 가스이며, 질화막으로서 TiN을 형성하는 TiCl4 등이어도 좋다. 또한, 제2 반응 가스로서는, 산화 가스로서 예를 들어 오존 가스(O3)가 사용되어도 좋고, 질화 가스로서 예를 들어 암모니아 가스(NH3)가 사용되어도 좋다.
또한, 분리 가스 노즐(41, 42)에는, Ar나 He 등의 희가스나 질소(N2) 가스 등의 불활성 가스의 공급원이 개폐 밸브나 유량 조정기(모두 도시되지 않음)를 통하여 접속되어 있다. 본 실시 형태에서는, 불활성 가스로서 N2 가스가 사용된다.
도 4는, 반응 노즐(31, 32) 및 분리 가스를 포함하는 도 1의 성막 장치의 일부 단면도이다. 도 4에 도시하는 바와 같이, 반응 가스 노즐(31, 32)에는, 회전 테이블(2)을 향하여 하방으로 개방되는 복수의 가스 토출 구멍(33)이, 반응 가스 노즐(31, 32)의 길이 방향을 따라서, 예를 들어 10㎜의 간격으로 배열되어 있다. 도 3에 도시하는 바와 같이, 반응 가스 노즐(31)의 하방 영역은, 제1 반응 가스를 웨이퍼(W)에 흡착시키기 위한 제1 처리 영역(P1)이 된다. 반응 가스 노즐(32)의 하방 영역은, 제1 처리 영역(P1)에 있어서 웨이퍼(W)에 흡착된 제1 반응 가스를 산화 또는 질화시키는 제2 처리 영역(P2)이 된다. 또한, 분리 가스 노즐(41, 42)의 하방 영역은, 제1 처리 영역(P1)과 제2 처리 영역(P2)을 분리하고, 제1 반응 가스와 제2 반응 가스의 혼합을 방지하는 분리 영역(D)이 된다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 챔버(1) 내에는 2개의 볼록 형상부(4)가 형성되어 있다. 볼록 형상부(4)는 정상부가 원호 형상으로 절단된 대략 부채형의 평면 형상을 갖고, 본 실시 형태에서는, 내원호가 돌출부(5)(후술)에 연결하고, 외원호가, 챔버(1)의 용기 본체(12)의 내주면을 따르도록 배치되어 있다.
도 4는, 반응 가스 노즐(31)로부터 반응 가스 노즐(32)까지 회전 테이블(2)의 동심원을 따른 챔버(1)의 단면을 도시하고 있다. 도시하는 바와 같이, 볼록 형상부(4)는 천장판(11)의 이면에 설치되어 있다. 이로 인해, 챔버(1) 내에는, 볼록 형상부(4)의 하면인 평탄한 낮은 천장면(44)(제1 천장면)과, 이 천장면(44)의 주위 방향 양측에 위치하는, 천장면(44)보다도 높은 천장면(45)(제2 천장면)이 존재하고 있다.
또한, 도 4에 도시하는 바와 같이, 볼록 형상부(4)에는 주위 방향 중앙에서 홈부(43)가 형성되어 있고, 홈부(43)는 회전 테이블(2)의 반경 방향을 따라서 연장되어 있다. 홈부(43)에는 분리 가스 노즐(42)이 수용되어 있다. 또 하나의 볼록 형상부(4)에도 마찬가지로 홈부(43)가 형성되고, 여기에 분리 가스 노즐(41)이 수용되어 있다. 또한, 도 4에 있어서, 분리 가스 노즐(42)에 형성되는 가스 토출 구멍(42h)이 도시되어 있다. 가스 토출 구멍(42h)은, 분리 가스 노즐(42)의 길이 방향을 따라서 소정의 간격(예를 들어 10㎜)을 두고 복수개 형성되어 있다. 또한, 가스 토출 구멍의 개구경은 예를 들어 0.3 내지 1.0㎜이다. 도시를 생략하지만, 분리 가스 노즐(41)에도 마찬가지로 가스 토출 구멍이 형성되어 있다.
높은 천장면(45)의 하방의 공간에는, 반응 가스 노즐(31, 32)이 각각 설치되어 있다. 이들의 반응 가스 노즐(31, 32)은, 천장면(45)으로부터 이격하여 웨이퍼(W)의 근방에 설치되어 있다. 또한, 설명의 편의상, 도 4에 있어서, 반응 가스 노즐(31)이 설치되는, 높은 천장면(45)의 하방을 공간(481)에서 나타내고, 반응 가스 노즐(32)이 설치되는, 높은 천장면(45)의 하방을 공간(482)에서 나타낸다.
낮은 천장면(44)은, 협애한 공간인 분리 공간(H)을 회전 테이블(2)에 대하여 형성하고 있다. 분리 가스 노즐(42)로부터 N2 가스가 공급되면, 이 N2 가스는 분리 공간(H)을 통하여 공간(481) 및 공간(482)을 향하여 흐른다. 이 때, 분리 공간(H)의 용적은 공간(481 및 482)의 용적보다도 작으므로, N2 가스에 의해 분리 공간(H)의 압력을 공간(481 및 482)의 압력에 비해 높게 할 수 있다. 즉, 공간(481 및 482) 사이에서, 분리 공간(H)은 압력 장벽을 제공한다. 그와 같이, 분리 공간(H)으로부터 공간(481 및 482)으로 흘러나오는 N2 가스는, 제1 영역(P1)으로부터의 제1 반응 가스와, 제2 영역(P2)으로부터의 제2 반응 가스(산화 가스 또는 질화 가스)에 대한 카운터 플로우로서 기능한다. 따라서, 제1 영역(P1)으로부터의 제1 반응 가스와, 제2 영역(P2)으로부터의 제2 반응 가스가, 분리 공간(H)에 의해 분리된다. 따라서, 챔버(1) 내에서 제1 반응 가스와 산화 가스 또는 질화 가스가 혼합되어 반응하는 것이 억제된다.
또한, 회전 테이블(2)의 상면에 대한 천장면(44)의 높이 h1은, 성막시의 챔버(1) 내의 압력, 회전 테이블(2)의 회전 속도, 공급하는 분리 가스(N2 가스)의 공급량 등을 고려하고, 분리 공간(H)의 압력을 공간(481 및 482)의 압력에 비해 높게 하는 데 적합한 높이로 설정하는 것이 바람직하다.
다시 도 1 내지 도 3을 참조하면, 천장판(11)의 하면에는, 회전 테이블(2)을 고정하는 코어부(21)의 외주를 둘러싸도록 돌출부(5)가 설치되어 있다. 이 돌출부(5)는, 본 실시 형태에서는, 볼록 형상부(4)에 있어서의 회전 중심측의 부위와 연속되어 있고, 그 하면이 천장면(44)과 동일한 높이로 형성되어 있다.
앞서 참조한 도 1은, 도 3의 I-I'선을 따른 단면도이며, 천장면(45)이 설치되어 있는 영역을 나타내고 있는 한편, 도 5는, 천장면(44)이 설치되어 있는 영역을 나타내는 일부 단면도이다. 도 5에 도시하는 바와 같이, 대략 부채형의 볼록 형상부(4)의 주연부[챔버(1)의 외연측의 부위]에는, 회전 테이블(2)의 외측 단부면에 대향하도록 L자형으로 굴곡하는 굴곡부(46)가 형성되어 있다. 이 굴곡부(46)는 회전 테이블(2)과 용기 본체(12)의 내주면 사이의 공간을 통하여, 공간(481) 및 공간(482) 사이에서 가스가 유통되는 것을 억제한다. 부채형의 볼록 형상부(4)는 천장판(11)에 설치되고, 천장판(11)이 용기 본체(12)로부터 제거할 수 있게 되어 있으므로, 굴곡부(46)의 외주면과 용기 본체(12) 사이에는 약간 간극이 있다. 굴곡부(46)의 내주면과 회전 테이블(2)의 외측 단부면의 간극 및 굴곡부(46)의 외주면과 용기 본체(12)의 간극은, 예를 들어 회전 테이블(2)의 상면에 대한 천장면(44)의 높이와 마찬가지의 치수로 설정되어 있다.
다시 도 3을 참조하면, 회전 테이블(2)과 용기 본체의 내주면 사이에서, 공간(481)과 연통하는 제1 배기구(610)와, 공간(482)과 연통하는 제2 배기구(620)가 형성되어 있다. 제1 배기구(610) 및 제2 배기구(620)는, 도 1에 도시하는 바와 같이 각각 배기관(630)을 통하여 진공 배기 수단인 예를 들어 진공 펌프(640)에 접속되어 있다.
회전 테이블(2)과 챔버(1)의 저부(14) 사이의 공간에는, 도 1 및 도 5에 도시하는 바와 같이 가열 수단인 히터 유닛(7)이 설치되고, 회전 테이블(2)을 통하여 회전 테이블(2) 상의 웨이퍼(W)가, 공정 레시피로 결정된 온도(예를 들어 450℃)로 가열된다. 회전 테이블(2)의 주연부 부근의 하방측에는, 회전 테이블(2)의 하방의 공간에 가스가 침입하는 것을 억제하기 위해, 링 형상의 커버 부재(71)가 설치되어 있다. 도 5에 도시하는 바와 같이, 이 커버 부재(71)는 회전 테이블(2)의 외연부 및 외연부보다도 외주측을 하방측으로부터 면하도록 설치된 내측 부재(71a)와, 이 내측 부재(71a)와 챔버(1)의 내벽면 사이에 설치된 외측 부재(71b)를 구비하고 있다. 외측 부재(71b)는 볼록 형상부(4)의 외연부에 형성된 굴곡부(46)의 하방에서, 굴곡부(46)와 근접하여 설치되고, 내측 부재(71a)는 회전 테이블(2)의 외연부 하방(및 외연부보다도 약간 외측의 부분의 하방)에 있어서, 히터 유닛(7)을 전체 둘레에 걸쳐서 둘러싸고 있다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 히터 유닛(7)이 배치되어 있는 공간보다도 회전 중심 근방의 부위에 있어서의 저부(14)는, 회전 테이블(2)의 하면의 중심부 부근에 있어서의 코어부(21)에 접근하도록 상방측으로 돌출되어 돌출부(12a)를 이루고 있다. 이 돌출부(12a)와 코어부(21) 사이는 좁은 공간으로 되어 있다. 또한, 저부(14)를 관통하는 회전축(22)의 관통 구멍의 내주면과 회전축(22)의 간극이 좁아져 있어, 이들 좁은 공간은 케이스체(20)에 연통하고 있다. 그리고 케이스체(20)에는 퍼지 가스인 N2 가스를 좁은 공간 내에 공급하여 퍼지하기 위한 퍼지 가스 공급관(72)이 설치되어 있다. 또한, 챔버(1)의 저부(14)에는 히터 유닛(7)의 하방에 있어서 주위 방향으로 소정의 각도 간격으로, 히터 유닛(7)의 배치 공간을 퍼지하기 위한 복수의 퍼지 가스 공급관(73)이 설치되어 있다[도 5에는 하나의 퍼지 가스 공급관(73)을 나타냄]. 또한, 히터 유닛(7)과 회전 테이블(2) 사이에는, 히터 유닛(7)이 설치된 영역에의 가스의 침입을 억제하기 위해, 외측 부재(71b)의 내주벽[내측 부재(71a)의 상면]으로부터 돌출부(12a)의 상단부 사이를 주위 방향에 걸쳐서 덮는 덮개 부재(7a)가 설치되어 있다. 덮개 부재(7a)는 예를 들어 석영으로 제조할 수 있다.
퍼지 가스 공급관(72)으로부터 N2 가스를 공급하면, 이 N2 가스는 회전축(22)의 관통 구멍의 내주면과 회전축(22)의 간극과, 돌출부(12a)와 코어부(21) 사이의 간극을 통하여, 회전 테이블(2)과 덮개 부재(7a) 사이의 공간을 흐르고, 제1 배기구(610) 또는 제2 배기구(620)(도 3)로부터 배기된다. 또한, 회전 퍼지 가스 공급관(73)으로부터 N2 가스를 공급하면, 이 N2 가스는 히터 유닛(7)이 수용되는 공간으로부터, 덮개 부재(7a)와 내측 부재(71a) 사이의 간극(도시 생략)을 통하여 유출되고, 제1 배기구(610)또는 제2 배기구(620)(도 3)로부터 배기된다. 이들 N2 가스의 흐름에 의해, 챔버(1)의 중앙 하방의 공간과, 회전 테이블(2)의 하방의 공간을 통하여, 공간(481) 및 공간(482) 내의 가스가 혼합되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 챔버(1)의 천장판(11)의 중심부에는 분리 가스 공급관(51)이 접속되어 있고, 천장판(11)과 코어부(21) 사이의 공간(52)에 분리 가스인 N2 가스를 공급하도록 구성되어 있다. 이 공간(52)에 공급된 분리 가스는, 돌출부(5)와 회전 테이블(2)의 좁은 간극(50)을 통하여 회전 테이블(2)의 웨이퍼 적재 영역측의 표면을 따라서 주연부를 향하여 토출된다. 공간(50)은 분리 가스에 의해 공간(481) 및 공간(482)보다도 높은 압력으로 유지될 수 있다. 따라서, 공간(50)에 의해, 제1 처리 영역(P1)에 공급되는 제1 반응 가스와, 제2 처리 영역(P2)에 공급되는 제2 반응 가스가, 중심 영역(C)을 지나서 혼합되는 것이 억제된다. 즉, 공간(50)[또는 중심 영역(C)]은 분리 공간(H)[또는 분리 영역(D)]과 마찬가지로 기능할 수 있다.
또한, 챔버(1)의 측벽에는, 도 2, 도 3에 도시하는 바와 같이, 외부의 반송 아암(10)과 회전 테이블(2) 사이에서 기판인 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 반송구(15)가 형성되어 있다. 이 반송구(15)는 도시하지 않은 게이트 밸브에 의해 개폐된다. 또한 회전 테이블(2)에 있어서의 웨이퍼 적재 영역인 오목부(24)는 이 반송구(15)에 면하는 위치에서 반송 아암(10)과의 사이로 웨이퍼(W)의 전달이 행해지지므로, 회전 테이블(2)의 하방측에서 전달 위치에 대응하는 부위에, 오목부(24)를 관통하여 웨이퍼(W)를 이면으로부터 들어올리기 위한 전달용의 승강 핀 및 그 승강 기구(모두 도시하지 않음)가 설치되어 있다.
또한, 본 실시 형태에 따른 성막 장치에는, 도 1에 도시하는 바와 같이, 장치 전체의 동작의 컨트롤을 행하기 위한 컴퓨터로 이루어지는 제어부(100)가 설치되어 있고, 이 제어부(100)의 메모리 내에는, 제어부(100)의 제어 하에, 후술하는 성막 방법을 성막 장치에 실시시키는 프로그램이 저장되어 있다. 이 프로그램은 후술하는 성막 방법을 실행하도록 스텝군이 짜여져 있고, 하드 디스크, 컴팩트 디스크, 광자기 디스크, 메모리 카드, 플렉시블 디스크 등의 매체(102)에 기억되어 있고, 소정의 판독 장치에 의해 기억부(101)에 판독되어, 제어부(100) 내에 인스톨된다.
(성막 방법)
다음에, 도 1 내지 도 5에 있어서 설명한 성막 장치를 이용한 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 성막 방법에 대해서 설명한다.
도 6a와 도 6b는, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 성막 방법의 일례를 나타낸 시퀀스도이다. 도 6a는, 제1 실시 형태에 따른 성막 방법의 일례의 시퀀스를, 회전 테이블(2)을 이용해서 도시한 도면이며, 도 6b는, 제1 실시 형태에 따른 성막 방법의 일례를, 타이밍차트를 이용해서 도시한 도면이다.
도 6a에 있어서, 회전 테이블(2)과, 제1 처리 영역(P1) 및 반응 가스 노즐(31)과, 제2 처리 영역(P2) 및 반응 가스 노즐(32)과, 분리 영역(D) 및 분리 노즐(41, 42)이 간략적으로 도시되어 있다. 제1 실시 형태에 따른 성막 방법에서는, 산화하프늄(총칭적으로 「HfO」라고 칭하고, HfO2를 포함해도 된다. 이하, 다른 산화막 및 질화막에 대해서도 필요에 따라서 총칭적으로 약기함)의 성막을 행하는 산화막 형성 공정의 예에 대해서 설명한다. HfO는, 높은 유전율을 갖는 이른바 High-K막으로서 이용되고 있는 막이다.
도 6a, 도 6b에 도시된 성막 공정을 실시하기 전에, 웨이퍼(W)가 챔버(1) 내에 반입되고, 회전 테이블(2) 상에 적재될 필요가 있다. 그로 인해서는, 우선, 도시하지 않은 게이트 밸브를 개방하고, 반송 아암(10)에 의해 반송구(15)(도 3)를 통하여 웨이퍼(W)를 회전 테이블(2)의 오목부(24) 내에 전달한다. 이 전달은, 오목부(24)가 반송구(15)에 면하는 위치에 정지했을 때에 오목부(24)의 저면의 관통 구멍을 통하여 챔버(1)의 저부측으로부터 도시되지 않는 승강 핀이 승강함으로써 행해진다. 이와 같은 웨이퍼(W)의 전달을, 회전 테이블(2)을 간헐적으로 회전시켜 행하고, 회전 테이블(2)의 5개의 오목부(24) 내에 각각 웨이퍼(W)를 적재한다.
계속해서 게이트 밸브를 폐쇄하고, 진공 펌프(640)에 의해 챔버(1)를 최저 도달 진공도까지 배기한다. 이 상태로부터, 이하와 같이 도 6a, 도 6b에 도시하는 성막 공정을 실시한다.
도 6a의 Step1에 있어서, 대기 공정이 행해진다. 대기 공정에서는, 분리 가스 노즐(41, 42)로부터 분리 가스인 N2 가스를 소정의 유량으로 토출하고, 분리 가스 공급관(51) 및 퍼지 가스 공급관(72, 72)(도 1 참조)으로부터도 N2 가스를 소정의 유량으로 토출한다. 또한, 반응 가스 노즐(31, 32)로부터도 N2 가스를 소정의 유량으로 토출한다. 즉, 모든 노즐(31, 32, 41, 42)로부터 N2 가스를 토출한다. 이에 의해, 챔버(1) 내의 분위기는, N2 분위기가 된다. 이에 수반하여, 압력 조정기(650)에 의해 챔버(1) 내를 미리 설정한 처리 압력으로 조정한다. 계속해서, 회전 테이블(2)을 시계 방향으로 소정의 회전 속도로 회전시키면서, 히터 유닛(7)에 의해 웨이퍼(W)를 예를 들어 50℃로부터 650℃까지의 범위의 온도로 가열한다. 이에 의해, 성막 공정 개시의 준비가 갖추어진 대기 상태가 된다. 또한, 회전 테이블(2)의 회전 속도는, 용도에 따라, 예를 들어 1rpm 내지 240rpm의 범위에서 가변으로 할 수 있지만, 본 실시 형태에 따른 성막 방법에서는, 6rpm의 회전 속도로 회전 테이블(2)을 회전시키는 예를 들어 설명한다.
또한, 본 실시 형태에서는, 분리 노즐(41, 42)뿐만 아니라, 반응 가스 노즐(31, 32)로부터도 N2 가스를 퍼지하고 있지만, 예를 들어, 반응 가스 노즐(31, 32)로부터, Ar 가스나 He 가스 등의 희가스를 공급하도록 해도 좋다. 이 점은, 분리 노즐(41, 42)에 대해서도 마찬가지이며, 용도에 따라서 원하는 불활성 가스를 선택할 수 있다.
Step2에서는, 산화 가스ㆍ프리 플로우 공정이 행해진다. 산화 가스ㆍ프리 플로우 공정에서는, 제1 처리 영역(P1)의 반응 가스 노즐(31) 및 분리 가스 노즐(41, 42)로부터는 계속적으로 N2 가스가 공급되지만, 제2 처리 영역(P2)의 반응 가스 노즐(32)로부터는, 산화 가스로서 O3 가스가 공급된다. 그리고, 적어도 1회 웨이퍼(W)가 회전하는 동안은, 이 상태를 계속한다. 또한, 웨이퍼(W)는, Step1로부터 연속적으로 소정의 회전 속도로 회전하고 있고, 본 실시 형태에서는, 6rpm으로 회전하고 있다. 산화 가스ㆍ프리 플로우 공정은, 웨이퍼(W)의 표면의 전체를 산화 가스에 노출시키는 공정이며, 웨이퍼(W)에 기초로서 얇은 산화막을 성막하는 처리이다. 이에 의해, 복수의 웨이퍼(W)의 각각에 O3 가스가 공급되어 산화 처리되고, 복수의 웨이퍼(W)를 거의 동일한 상태로 할 수 있다. 또한, 적어도 1회 회전시키는 것은, O3 가스는 반응 가스 노즐(32)만으로부터 공급되어 있고, 공급 개시시의 위치에 상관없이 복수매의 모든 웨이퍼(W)의 표면에 O3 가스를 공급하기 위해서는, 최저 1회전시키고, 반드시 반응 가스 노즐(32)의 하방을 통과시킬 필요가 있기 때문이다.
도 6b에 도시하는 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 성막 방법의 산화 가스ㆍ프리 플로우에서는, 6rpm의 회전 속도로, 10초간 O3 가스를 공급한다. 따라서, 본 실시 형태에 따른 성막 방법의 산화 가스ㆍ프리 플로우에서는, 6(회전)/60(초)×10(초)=1회전분, 회전 테이블(2)을 회전시킨다.
또한, O3 가스의 공급은, 산화를 최저한으로 하는 제약이 있는 공정이 아니면, 웨이퍼(W)를 복수회 회전시켜 행해도 아무런 문제는 없으므로, O3 가스를 공급한 상태에서 웨이퍼(W)를 1회보다 많게 회전시켜도 좋다. 예를 들어, 산화 가스ㆍ프리 플로우에 있어서, 웨이퍼(W)를 2 내지 3회 회전시켜도 좋고, 1.5회전 등, 끝수가 나오는 회전수이어도 좋다.
Step3에서는, HfO 성막 공정이 행해진다. HfO 성막 공정에서는, 웨이퍼(W)에 대해, 반응 가스 노즐(31)로부터 TDMAH 가스를 공급하고, 반응 가스 노즐(32)로부터 O3 가스를 공급한다. 즉, HfO 성막 공정에서는 TDMAH 가스와 O3 가스가 동시에 공급된다. 단, 이들의 가스는 분리 영역(D)에 의해 분리되어, 챔버(1) 내에서 서로 혼합되는 일은 거의 없다.
TDMAH 가스와 O3 가스가 동시에 공급될 때에, 회전 테이블(2)의 회전에 의해 웨이퍼(W)가 제1 처리 영역(P1)을 통과하면, Step2에 있어서 얇은 산화막이 성막된 웨이퍼(W)의 표면에 TDMAH 가스가 흡착된다. 계속해서, 제2 처리 영역(P2)을 통과하면, 웨이퍼(W)의 표면에 흡착된 TDMAH 가스가 O3 가스에 의해 산화되고, 웨이퍼(W)의 표면에 HfO막(HfO의 분자층)이 성막된다. 이하, 원하는 막 두께를 갖는 HfO막이 성막될 때까지 소정의 횟수만큼 회전 테이블(2)을 회전시킨다. 그리고, TDMAH 가스와 O3 가스의 공급을 정지함으로써, HfO 성막 공정이 종료된다.
또한, 도 6b에 도시하는 바와 같이, Step3의 HfO 성막 공정은, O3 가스의 공급은 산화 가스ㆍ프리 플로우로부터 계속해서 행해지는 동시에, 본 공정에서 TDMAH 가스가 공급됨으로써 행해진다. 회전 테이블(2)의 회전 속도는 6rpm으로 유지되고, 10초간에 1회전하는 성막 사이클을, 필요에 따라서 n회 반복함으로써 행해진다. 회전 테이블(2)의 회전수(n)는, HfO 성막 공정에서 성막하는 HfO막의 막 두께의 두께에 따라서 정해져도 좋지만, 예를 들어, 1 내지 50회의 범위 내의 소정의 회전수(n)로 설정되어도 좋고, 1 내지 30회의 범위 내의 소정의 회전수(n)로 설정되어도 좋다.
Step4에서는, 산화 가스ㆍ포스트 플로우 공정이 행해진다. 산화 가스ㆍ포스트 플로우 공정에서는, 도 6a에 도시하는 바와 같이, 제1 처리 영역(P1)에 설치된 반응 가스 노즐(31) 및 분리 영역(D)에 설치된 분리 가스 노즐(41, 42)로부터 N2 가스가 공급되고, 제2 처리 영역(P2)에 설치된 반응 가스 노즐(32)로부터는 O3 가스가 공급된다. 이 상태에서 적어도 1회 회전 테이블(2)이 회전하고, 회전 테이블(2)에 적재된 복수의 웨이퍼(W)의 전부가 O3 가스에 노출된다. 이에 의해, 제2 처리 영역(P2)을 통과한 지점에서 Step3의 HfO 성막 공정이 종료된 웨이퍼(W)라도, 산화 가스ㆍ포스트 플로우 공정에서 반드시 제2 처리 영역(P2)을 통과하고, 산화 처리가 행해진 상태로 성막 공정을 종료할 수 있다.
또한, 도 6b에 도시하는 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 성막 방법의 산화 가스ㆍ포스트 플로우 공정에서는, 회전 속도 6rpm을 유지한 상태에서 회전 테이블(2)이 10초간 회전하여, 산화 가스ㆍ프리 플로우 공정과 마찬가지로, 1회 회전 테이블(2)을 회전시키고 있다. 이와 같이, 산화 가스ㆍ프리 플로우 공정과 산화 가스ㆍ포스트 플로우 공정에서의 회전 테이블(2)의 회전수를 동일한 수로 해도 좋다.
Step5에서는, 도 6a에 도시하는 바와 같이, 대기 공정이 행해진다. 대기 공정에서는, 반응 가스 노즐(31, 32) 및 분리 가스 노즐(41, 42)의 모든 노즐(31, 32, 41, 42)로부터, N2 가스가 공급되고, 챔버(1) 내가 N2 가스로 충족된다. 그리고, 대기 공정을 소정 시간 계속하면, 챔버(1)에의 N2 가스의 공급이 정지되는 동시에, 회전 테이블(2)의 회전이 정지된다. 그 후는, 챔버(1) 내에 웨이퍼(W)를 반입하였을 때의 수순과 역의 수순에 의해, 챔버(1) 내로부터 웨이퍼(W)가 반출된다. 이에 따라 HfO 성막 공정이 종료된다.
도 6b에 도시하는 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 성막 방법에서는, HfO 성막 공정 전후에 산화 가스ㆍ프리 플로우 공정 및 산화 가스ㆍ포스트 플로우 공정을 설정하고, 반응 가스로서 O3 가스만을 공급하는 공정을 설정하고 있다. 이에 의해, 회전 테이블(2) 상에 원주 방향을 따라서 배치된 복수의 웨이퍼(W)에 있어서, O3 가스에 노출되는 일 없이 TDMAH 가스가 공급되는 웨이퍼(W)가 존재하지 않게 되어, 복수의 웨이퍼(W)간의 성막을 균일화할 수 있다.
도 7은, 비교예로서, 종래의 성막 방법의 일례를 나타낸 도면이다. 도 7에 도시하는 바와 같이, 종래의 성막 방법에서는, Step1의 대기 공정으로부터, 직접 Step2의 HfO 성막 공정에 들어간다. 여기서, HfO 성막 공정의 개시 시점에 있어서, 제1 처리 영역(P1)보다 하류측의 분리 영역(D) 내와, 제2 처리 영역(P2) 내에 있는 웨이퍼(W)는 O3 가스에 노출되어 산화 처리되고 나서 제1 처리 영역(P1)에 들어가지만, 제2 처리 영역(P2)의 하류측에 있는 분리 영역(D) 내와, 제1 처리 영역(P1) 내에 있는 웨이퍼(W)는, 직접 TDMAH 가스의 공급을 받게 된다. 이에 의해, 복수의 웨이퍼(W)간끼리, 기초의 산화막이 성막된 상태로 HfO 성막이 개시되는 것과, 기초의 산화막이 성막되지 않는 상태에서 HfO 성막이 개시되는 것의 양쪽이 발생하게 되어, 복수의 웨이퍼(W)간의 균일한 성막을 행할 수 없을 우려가 있다. 또한, HfO 성막 종료시에서도, 그대로 Step3의 대기 공정에 들어가므로, TDMAH 가스만 공급되고, 표면에 흡착된 TDMAH 가스가 산화되지 않아, HfO막이 되는 일 없이 그대로 성막 공정을 종료하는 웨이퍼(W)가 발생하게 된다.
따라서, 본 실시 형태에 따른 성막 방법에서는, 도 6a와 도 6b에 있어서 설명한 바와 같이, 산화 가스ㆍ프리 플로우 공정과 산화 가스ㆍ포스트 플로우 공정을 설정하고, 복수매의 모든 웨이퍼(W)에 대해서, 기초의 산화막을 형성하고 나서 HfO 성막을 행한다. 이에 의해, TDMAH 가스의 흡착만 행해지고, 산화 처리는 행해지지 않고 용기(1)로부터 반출되어 버리는 웨이퍼(W)가 발생하는 것을 방지하여, 모든 웨이퍼(W)에 균일하게 HfO막을 성막할 수 있다.
또한, 도 6a와 도 6b에서는, 회전 테이블(2)의 회전 속도를 6rpm으로 하고, 산화 가스ㆍ프리 플로우 공정 및 산화 가스ㆍ포스트 플로우 공정에서의 회전 테이블(2)의 회전수를 1회전으로 한 예를 들어 설명하였지만, 이들의 설정은, 산화 가스ㆍ프리 플로우 공정 및 산화 가스ㆍ포스트 플로우 공정에서의 회전 테이블(2)의 회전수를 1회전 이상으로만 하면, 용도에 따라서 다양하게 변경할 수 있다.
또한, 도 6a와 도 6b에서는, High-K막인 HfO막의 성막 공정을 예로 들어 설명하였지만, 반응 가스 노즐(31)로부터 공급되는 반응 가스를 용도에 따라서 다양하게 변경하면, 원하는 산화막을 성막할 수 있다.
또한, 산화 가스에 대해서도, 도 6a와 도 6b에서는, O3 가스를 이용한 예를 들어 설명하였지만, 다양한 산화 가스를 사용할 수 있고, 예를 들어, 물(H2O), 산소, 라디칼 산소 등의 가스를 이용하도록 해도 좋다.
예를 들어, 제1 처리 영역(P1)에 설치된 반응 가스 노즐(31)로부터 Zr 함유 유기 금속 가스의 일종인 테트라키스ㆍ에틸메틸ㆍ아미노지르코늄(TEMAZ) 가스를 공급하고, 제2 처리 영역(P2)에 설치된 반응 가스 노즐(32)로부터 O3 가스를 공급하고, 산화지르코늄(ZrO, ZrO2를 포함해도 좋음)막을 성막하도록 해도 좋다.
마찬가지로, 제1 처리 영역(P1)에 설치된 반응 가스 노즐(31)로부터 트리메틸알루미늄(TMA) 가스를 공급하고, 제2 처리 영역(P2)에 설치된 반응 가스 노즐(32)로부터 O3 가스를 공급하고, 산화알루미늄(AlO, Al2O3을 포함해도 좋음)막을 성막하도록 해도 좋다.
또한, 반응 가스 노즐(31)로부터 스트론튬비스테트라메틸헵탄디오나토(Sr(THD)2) 가스를 공급하고, 반응 가스 노즐(32)로부터 O3 가스를 공급하고, 산화스트론튬(SrO)막을 성막하도록 해도 좋다.
마찬가지로, 반응 가스 노즐(31)로부터 티타늄메틸펜탄디오나토비스테트라메틸헵탄디오나토[(Ti(MPD)(THD)] 가스를 공급하고, 반응 가스 노즐(32)로부터 O3 가스를 공급하고, 산화티탄(TiO, TiO2를 포함해도 좋음)막을 성막하도록 해도 좋다.
또한, 반응 가스 노즐(31)로부터 유기 아미노실란계 재료로서 예를 들어, 비스터셜부틸아미노실란(BTBAS) 가스를 공급하고, 반응 가스 노즐(32)로부터 O3 가스를 공급하고, 산화실리콘(SiO, SiO2를 포함해도 좋음)막을 성막하도록 해도 좋다.
마찬가지로, 반응 가스 노즐(31)로부터 비스터셜부틸아미노실란(BTBAS) 가스를 공급하고, 반응 가스 노즐(32)로부터 O3 가스를 공급하고, 산화실리콘(SiO)막을 성막하도록 해도 좋다.
이와 같이, 산화막에 포함되는 원소는, 하프늄, 지르코늄, 알루미늄, 티탄, 스트론튬 등의 금속 원소라도 좋고, 실리콘 등의 반도체 원소라도 좋다.
여기서, 도 6a와 도 6b의 설명에서는, 산화 가스ㆍ프리 플로우 공정과 산화 가스ㆍ포스트 플로우 공정을 동일한 회전 테이블(2)의 회전수, 즉 동일 공정 시간으로 한 예를 들어 설명하였지만, 예를 들어, 산화 가스ㆍ포스트 플로우 공정의 공정 시간을 산화 가스ㆍ프리 플로우 공정의 공정 시간보다도 길게 하는 설정으로 해도 좋다. 상술한 여러 가지의 성막 공정 중, 산화 가스ㆍ포스트 플로우 공정의 산화 가스의 공급에, 단순히 복수의 웨이퍼(W)간의 성막을 균일하게 하기 위해서 뿐만 아니라, 성막 후의 막질 개선의 역할을 담당하게 하고자 하는 경우도 있다. 즉, 소정의 산화막의 성막 후에, 막에 더욱 산화 가스를 공급하고, 충분한 산화를 행함으로써 성막 후의 산화막의 막질을 높이고 싶은 경우도 있다. 그와 같은 경우에는, 산화 가스ㆍ포스트 플로우 공정에 충분한 시간을 부여하여, 막질 개선 공정도 겸하는 성막 공정으로 해도 좋다. 예를 들어, 상술한 예에서는, 실리콘 산화막을 성막하는 경우에는, 회전 테이블(2)의 회전 속도를 120rpm으로 하고, 산화 가스ㆍ프리 플로우 공정을 6초로 하여 12회전시키고, 산화 가스ㆍ포스트 플로우 공정을 30초로 하여 60회전시키는 성막 공정으로 해도 좋다. 실리콘 산화막의 경우, 막 내의 실리콘에 산소가 도달하여 반응을 충분히 행하게 하는 것이 바람직하고, 산화 가스ㆍ포스트 플로우 공정에 충분한 시간을 소비함으로써, 실리콘 산화막의 막질을 향상시킬 수 있다.
이와 같이, 산화 가스ㆍ프리 플로우 공정과 산화 가스ㆍ포스트 플로우 공정에서의 웨이퍼(W)의 회전수, 즉 동일 회전 속도의 경우에서의 공정 시간은 동일하게 할 필요는 없고, 용도에 따라서 적절한 회전수 또는 공정 시간을 설정할 수 있다. 그리고, 산화 가스ㆍ포스트 플로우 공정에서, 산화 가스를 균일하게 공급할 뿐만 아니라, 성막된 산화막의 막질 개선도 행하도록 회전 테이블(2)의 회전수 또는 공정 시간을 설정해도 좋다.
[제2 실시 형태]
도 8a와 도 8b는, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 성막 방법의 일례를 나타낸 시퀀스도이다. 도 8a는, 제2 실시 형태에 따른 성막 방법의 일례의 시퀀스를, 회전 테이블(2)을 이용해서 도시한 도면이며, 도 8b는, 제2 실시 형태에 따른 성막 방법의 일례를, 타이밍차트를 이용해서 도시한 도면이다. 또한, 도 8a에 있어서, 반응 가스 노즐(31, 32)로부터 공급되는 가스가 도 6a와 다르지만, 그 밖의 구성 요소는 도 6a와 마찬가지이므로, 마찬가지의 구성 요소에 동일한 참조 번호를 부여하여 그 설명을 생략한다.
제2 실시 형태에 따른 성막 방법에서는, 웨이퍼(W) 상에 질화막을 성막하는 예에 대해서 설명하고, 특히, TiN막을 성막하는 예를 들어 설명한다. 또한, 제2 실시 형태에 따른 성막 방법도, 제1 실시 형태에 따른 성막 방법으로 설명한 성막 장치를 이용해서 성막할 수 있으므로, 사용되는 성막 장치의 설명은 생략한다.
도 8a, 도 8b에 도시된 성막 공정을 실시하기 전에, 웨이퍼(W)를 챔버(1) 내에 반입하여 회전 테이블(2) 상에 적재하므로, 도시하지 않은 게이트 밸브를 개방하고, 반송 아암(10)에 의해 반송구(15)(도 3)를 통하여 웨이퍼(W)를 회전 테이블(2)의 오목부(24) 내에 전달한다. 이를 반복하여, 회전 테이블(2)의 5개의 오목부(24) 내에 각각 웨이퍼(W)를 적재한다. 계속해서 게이트 밸브를 폐쇄하고, 진공 펌프(640)에 의해 챔버(1)를 최저 도달 진공도까지 배기한다. 이 상태로부터, 이하와 같이 도 8a, 도 8b에 도시하는 성막 공정을 실시한다. 또한, 이러한 반입 공정은, 제1 실시 형태와 마찬가지이므로, 그 상세한 설명을 생략한다.
도 8a의 Step1에 있어서, 대기 공정이 행해진다. 대기 공정에서는, 분리 가스 노즐(41, 42)로부터 분리 가스인 N2 가스를 소정의 유량으로 토출하고, 분리 가스 공급관(51) 및 퍼지 가스 공급관(72, 72)(도 1 참조)으로부터도 N2 가스를 소정의 유량으로 토출한다. 그 밖의 상세한 점은, 도 8a와 마찬가지이므로, 그 설명을 생략한다. 또한, 반응 노즐(31, 32)로부터도 N2 가스를 소정의 유량으로 토출한다. 또한, 회전 테이블(2)의 회전 속도는, 용도에 따라, 예를 들어 1rpm 내지 240rpm의 범위에서 가변으로 할 수 있지만, 본 실시 형태에 따른 성막 방법에서는, 240rpm의 회전 속도로 회전 테이블(2)을 회전시키는 예를 들어 설명한다.
Step2에서는, 질화 가스ㆍ프리 플로우 공정이 행해진다. 질화 가스ㆍ프리 플로우 공정에서는, 제1 처리 영역(P1)의 반응 가스 노즐(31) 및 분리 가스 노즐(41, 42)로부터는 계속적으로 N2 가스가 공급되지만, 제2 처리 영역(P2)의 반응 가스 노즐(32)로부터는, 질화 가스로서 NH3 가스가 공급된다. 그리고, 적어도 1회 웨이퍼(W)가 회전하는 동안은, 이 상태를 계속한다. 또한, 웨이퍼(W)는, Step1로부터 연속적으로 소정의 회전 속도로 회전하고 있고, 본 실시 형태에서는, 240rpm으로 회전하고 있다. 질화 가스ㆍ프리 플로우 공정은, 웨이퍼(W)의 표면의 전체를 질화 가스에 노출시키는 공정이며, 웨이퍼(W)에 기초로서 얇은 질화막을 성막하는 처리이다. 이에 의해, 복수의 웨이퍼(W)의 각각에 NH3 가스가 공급되어 질화 처리되고, 복수의 웨이퍼(W)를 거의 동일한 상태로 할 수 있다. 또한, 적어도 1회 회전시키는 것은, NH3 가스는 반응 가스 노즐(32)만으로부터 공급되어 있고, 공급 개시시의 위치에 상관없이 복수매의 모든 웨이퍼(W)의 표면에 NH3 가스를 공급하기 위해서는, 최저 1회전시키고, 반드시 반응 가스 노즐(32)의 하방을 통과시킬 필요가 있기 때문이다.
도 8b에 도시하는 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 성막 방법의 질화 가스ㆍ프리 플로우에서는, 240rpm의 회전 속도로, 5초간 NH3을 공급한다. 따라서, 본 실시 형태에 따른 성막 방법의 질화 가스ㆍ프리 플로우에서는, 240(회전)/60(초)×5(초)=20회전분, 회전 테이블(2)을 회전시킨다.
여기서, NH3 가스의 공급은, 질화를 최저한으로 하는 제약이 있는 공정이 아니면, 웨이퍼(W)를 복수회 회전시켜 행해도 아무런 문제는 없으므로, NH3 가스를 공급한 상태에서, 웨이퍼(W)를 본 실시 형태와 같이 수십회 회전시켜도 좋다. 반대로, 질화 가스ㆍ프리 플로우에 있어서, 웨이퍼(W)를 0.4초만 회전시켜 회전수를 1회로 해도 좋고, 10.5회전과 같이 끝수가 나오는 회전수라도 좋다.
Step3에서는, TiN 성막 공정이 행해진다. TiN막 성막 공정에서는, 웨이퍼(W)에 대해, 반응 가스 노즐(31)로부터 TiCl4 가스를 공급하고, 반응 가스 노즐(32)로부터 NH3 가스를 공급한다. 즉, TiN 성막 공정에서는 TiCl4 가스와 NH3 가스가 동시에 공급된다. 단, 이들의 가스는 분리 영역(D)에 의해 분리되어, 챔버(1) 내에서 서로 혼합되는 일은 거의 없다.
TiCl4 가스와 NH3 가스가 동시에 공급될 때에, 회전 테이블(2)의 회전에 의해 웨이퍼(W)가 제1 처리 영역(P1)을 통과하면, Step2에 있어서 얇은 질화막이 성막된 웨이퍼(W)의 표면에 TiCl4 가스가 흡착된다. 계속해서, 제2 처리 영역(P2)을 통과하면, 웨이퍼(W)의 표면에 흡착된 TiCl4 가스가 NH3 가스에 의해 질화되고, 웨이퍼(W)의 표면에 TiN막(TiN의 분자층)이 성막된다. 이하, 원하는 막 두께를 갖는 TiN막이 성막될 때까지 소정의 횟수만큼 회전 테이블(2)을 회전시킨다. 회전 테이블(2)의 회전수는, 예를 들어, 성막하는 막 두께에 따라서, 1 내지 50회의 범위의 소정 횟수로 설정되어도 좋고, 1 내지 30회의 범위의 소정 횟수로 설정되어도 좋다. 그리고, TiCl4 가스와 NH3 가스의 공급을 정지함으로써, TiN 성막 공정이 종료된다.
또한, 도 8b에 도시하는 바와 같이, Step3의 TiN 성막 공정은, NH3 가스의 공급은 질화 가스ㆍ프리 플로우로부터 계속해서 행해지는 동시에, 본 공정에서 TiCl4 가스가 공급됨으로써 행해진다. 회전 테이블(2)의 회전 속도는 240rpm으로 유지되고, 0.25초간에 1회전하는 성막 사이클을, 필요에 따라서 n회 반복함으로써 행해진다.
Step4에서는, 질화 가스ㆍ포스트 플로우 공정이 행해진다. 질화 가스ㆍ포스트 플로우 공정에서는, 도 8a에 도시하는 바와 같이, 제1 처리 영역(P1)에 설치된 반응 가스 노즐(31) 및 분리 영역(D)에 설치된 분리 가스 노즐(41, 42)로부터 N2 가스가 공급되고, 제2 처리 영역(P2)에 설치된 반응 가스 노즐(32)로부터는 NH3 가스가 공급된다. 이 상태에서 적어도 1회 회전 테이블(2)이 회전하고, 회전 테이블(2)에 적재된 복수의 웨이퍼(W)의 전부가 NH3 가스에 노출된다. 이에 의해, 제2 처리 영역(P2)을 통과한 지점에서 Step3의 TiN 성막 공정이 종료된 웨이퍼(W)라도, 질화 가스ㆍ포스트 플로우 공정에서 반드시 제2 처리 영역(P2)을 통과하고, 질화 처리가 행해진 상태로 성막 공정을 종료할 수 있다.
또한, 도 8b에 도시하는 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 성막 방법의 질화 가스ㆍ포스트 플로우 공정에서는, 회전 속도 240rpm을 유지한 상태에서 회전 테이블(2)이 5초간 회전하고, 질화 가스ㆍ프리 플로우 공정과 마찬가지로, 20회 회전 테이블(2)을 회전시키고 있다. 이와 같이, 질화 가스ㆍ프리 플로우 공정과 질화 가스ㆍ포스트 플로우 공정에서의 회전 테이블(2)의 회전수를 동일한 수로 해도 좋다.
Step5에서는, 도 8a에 도시하는 바와 같이, 대기 공정이 행해진다. 대기 공정에서는, 반응 가스 노즐(31, 32) 및 분리 가스 노즐(41, 42)의 모든 노즐(31, 32, 41, 42)로부터, N2 가스가 공급되고, 챔버(1) 내가 N2 가스로 충족된다. 그리고, 대기 공정을 처리 시간 계속하면, 챔버(1)에의 N2 가스의 공급이 정지되는 동시에, 회전 테이블(2)의 회전이 정지된다. 그 후는, 챔버(1) 내에 웨이퍼(W)를 반입하였을 때의 수순과 역의 수순에 의해, 챔버(1) 내로부터 웨이퍼(W)가 반출된다. 이에 의해 TiN 성막 공정이 종료된다.
도 8b에 도시하는 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 성막 방법에서는, TiN 성막 공정 전후에 질화 가스ㆍ프리 플로우 공정 및 질화 가스ㆍ포스트 플로우 공정을 설정하고, NH3 가스만을 공급하는 공정을 설정하고 있다. 이에 의해, 회전 테이블(2) 상에 원주 방향을 따라서 배치된 복수의 웨이퍼(W)에 있어서, NH3 가스에 노출되는 일 없이 TiCl4 가스가 공급되는 웨이퍼(W)가 존재하지 않게 되어, 복수의 웨이퍼(W)간의 성막을 균일화할 수 있다.
즉, 본 실시 형태에 따른 성막 방법에서는, 도 8a와 도 8b에 있어서 설명한 바와 같이, 질화 가스ㆍ프리 플로우 공정과 질화 가스ㆍ포스트 플로우 공정을 설정하고, 복수매의 모든 웨이퍼(W)에 대해서, 기초의 질화막을 형성하고 나서 TiN 성막을 행하는 동시에, TiCl4 가스의 흡착만 행해지고, 질화 처리는 행해지지 않아 반출되어 버리는 웨이퍼(W)가 발생하는 것을 방지하여, 모든 웨이퍼(W)에 균일하게 TiN막을 성막할 수 있다.
또한, 도 8a와 도 8b에서는, 회전 테이블(2)의 회전 속도를 240rpm으로 하고, 질화 가스ㆍ프리 플로우 공정 및 질화 가스ㆍ포스트 플로우 공정에서의 회전 테이블(2)의 회전수를 240회전으로 한 예를 들어 설명하였지만, 이들의 설정은, 질화 가스ㆍ프리 플로우 공정 및 질화 가스ㆍ포스트 플로우 공정에서의 회전 테이블(2)의 회전수를 1회전 이상으로만 하면, 용도에 따라서 다양하게 변경할 수 있다. 예를 들어, 회전 테이블(2)의 회전 속도를 120rpm으로 설정해도 좋다.
또한, 도 8a와 도 8b에 도시한 성막 공정은, 다른 질화막의 성막에도 사용할 수 있고, 예를 들어, 제1 처리 영역(P1)의 반응 가스 노즐(31)로부터 공급하는 가스를 TDMAH 가스, 제2 처리 영역(P2)의 반응 가스 노즐(32)로부터 공급하는 가스를 NH3 가스로 하고, HfN막을 성막해도 좋다.
마찬가지로, 제1 처리 영역(P1)에 설치된 반응 가스 노즐(31)로부터 Zr 함유 유기 금속 가스의 일종인 테트라키스ㆍ에틸메틸ㆍ아미노지르코늄(TEMAZ) 가스를 공급하고, 제2 처리 영역(P2)에 설치된 반응 가스 노즐(32)로부터 NH3 가스를 공급하고, 질화지르코늄(ZrN)막을 성막하도록 해도 좋다.
마찬가지로, 제1 처리 영역(P1)에 설치된 반응 가스 노즐(31)로부터 트리메틸알루미늄(TMA) 가스를 공급하고, 제2 처리 영역(P2)에 설치된 반응 가스 노즐(32)로부터 NH3 가스를 공급하고, 질화알루미늄(AlN)막을 성막하도록 해도 좋다.
또한, 반응 가스 노즐(31)로부터 스트론튬비스테트라메틸헵탄디오나토(Sr(THD)2) 가스를 공급하고, 반응 가스 노즐(32)로부터 NH3 가스를 공급하고, 2질화3스트론튬(N2Sr3)막을 성막하도록 해도 좋다.
또한, 반응 가스 노즐(31)로부터 비스터셜부틸아미노실란(BTBAS) 가스를 공급하고, 반응 가스 노즐(32)로부터 NH3 가스를 공급하고, 질화실리콘(SiN)막을 성막하도록 해도 좋다.
마찬가지로, 반응 가스 노즐(31)로부터 유기 아미노실란 가스계 재료, 예를 들어, 비스터셜부틸아미노실란(BTBAS)과, 무기 재료, 예를 들어, 디클로로실란(SiH2Cl2) 등을 공급하고, 반응 가스 노즐(32)로부터 NH3 가스를 공급하고, 질화실리콘(Si3N4를 포함해도 좋음)막을 성막하도록 해도 좋다.
이와 같이, 제2 실시 형태에 따른 성막 방법에서는, 다양한 원소를 포함하는 질화막을 성막할 수 있다. 예를 들어, 질화막에 포함되는 원소는, 하프늄, 지르코늄, 알루미늄, 티탄, 스트론튬 등의 금속 원소일 수도 있고, 실리콘 등의 반도체 원소이어도 좋다.
이와 같이, 제2 실시 형태에 따른 성막 방법에 따르면, 복수의 웨이퍼(W) 상에 균일하게 질화막을 성막할 수 있다.
본 발명에 따르면, 복수의 웨이퍼간의 성막의 균일성을 향상시킬 수 있다.
이상, 성막 방법의 설명을 행한 것은 설명을 다해 실시예의 이해를 촉진하고, 기술을 더욱 진척시키는 데 도움이 되도록 기재한 것이다. 따라서, 실시 형태에 나타낸 요건에 성막 방법으로 한정되는 것은 아니다. 또한, 실시 형태에서의 예시는 그 장단점을 의미하는 것은 아니다. 성막 방법을 기재하였지만, 발명의 취지로부터 벗어나지 않는 범위에서 다종 다양한 변경, 치환, 개변이 가능하다.

Claims (8)

  1. 챔버 내에 회전 가능하게 수용되고, 복수의 기판을 상면에 적재 가능한 적재부를 갖는 회전 테이블과,
    상기 회전 테이블의 상기 상면의 상방에 있어서 구획되고, 상기 회전 테이블의 상기 상면을 향하여 가스를 공급하는 제1 가스 공급부를 갖는 제1 처리 영역과,
    상기 회전 테이블의 둘레 방향을 따라서 상기 제1 처리 영역으로부터 이격하여 배치되고, 상기 회전 테이블의 상기 상면에 대하여 가스를 공급하는 제2 가스 공급부를 갖는 제2 처리 영역과,
    상기 제1 처리 영역과 상기 제2 처리 영역 사이에 설치되고, 상기 회전 테이블의 상기 상면에 대하여 분리 가스를 공급하는 분리 가스 공급부와, 상기 분리 가스 공급부로부터의 상기 분리 가스를 상기 제1 처리 영역과 상기 제2 처리 영역으로 유도하는 좁은 공간을 상기 회전 테이블의 상기 상면에 대하여 형성하는 천장면을 갖는 분리 영역을 구비하는 성막 장치를 사용하여, 상기 복수의 기판 상에 미리 결정된 원소를 포함하는 질화막을 성막하는 성막 방법으로서,
    상기 제1 가스 공급부 및 상기 분리 가스 공급부로부터 상기 분리 가스를 공급하고, 상기 제2 가스 공급부로부터 질화 가스를 공급한 상태에서 상기 회전 테이블을 적어도 1회 회전시키는 제1 공정과,
    상기 제1 가스 공급부로부터 상기 미리 결정된 원소를 포함하는 반응 가스를 공급하고, 상기 제2 가스 공급부로부터 상기 질화 가스를 공급하고, 상기 분리 가스 공급부로부터 상기 분리 가스를 공급한 상태에서 상기 회전 테이블을 미리 결정된 횟수로 회전시키고, 상기 기판 상에 상기 미리 결정된 원소를 포함하는 질화막을 성막하는 제2 공정과,
    상기 제1 가스 공급부 및 상기 분리 가스 공급부로부터 상기 분리 가스를 공급하고, 상기 제2 가스 공급부로부터 상기 질화 가스를 공급한 상태에서 상기 회전 테이블을 적어도 1회 회전시키는 제3 공정과,
    상기 제1 공정, 상기 제2 공정 및 상기 제3 공정을 각각 1회만 행한 후, 상기 복수의 기판을 상기 챔버로부터 반출하는 반출 공정을 포함하는, 성막 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 미리 결정된 횟수는, 원하는 막 두께의 상기 미리 결정된 원소를 포함하는 질화막을 성막하는 데 필요한 회전수인, 성막 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 질화 가스는, 암모니아 가스인, 성막 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 미리 결정된 원소는, 금속 원소 또는 반도체 원소인, 성막 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 금속 원소는, 하프늄, 지르코늄, 알루미늄, 티탄, 스트론튬 중 어느 하나이며, 상기 반도체 원소는, 실리콘인, 성막 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 분리 가스는, 질소 가스인, 성막 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 공정 전 및 상기 제3 공정 후에, 상기 제1 가스 공급부로부터 불활성 가스를 공급하는 동시에, 상기 제2 가스 공급부 및 상기 분리 가스 공급부로부터 상기 분리 가스를 공급한 상태에서 상기 회전 테이블을 회전시키는 공정을 더 갖는, 성막 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 불활성 가스는, 상기 분리 가스와 동일한 가스인, 성막 방법.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6115244B2 (ja) * 2013-03-28 2017-04-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP6667412B2 (ja) * 2016-09-30 2020-03-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6906439B2 (ja) 2017-12-21 2021-07-21 東京エレクトロン株式会社 成膜方法
JP7098677B2 (ja) * 2020-03-25 2022-07-11 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010080924A (ja) * 2008-08-29 2010-04-08 Tokyo Electron Ltd 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及び記憶媒体
JP2011210872A (ja) * 2010-03-29 2011-10-20 Tokyo Electron Ltd 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0293071A (ja) * 1988-09-29 1990-04-03 Toshiba Corp 薄膜の形成方法
US6869641B2 (en) * 2002-07-03 2005-03-22 Unaxis Balzers Ltd. Method and apparatus for ALD on a rotary susceptor
KR100521380B1 (ko) * 2003-05-29 2005-10-12 삼성전자주식회사 박막 증착 방법
US7413982B2 (en) * 2006-03-29 2008-08-19 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
JP5113705B2 (ja) * 2007-10-16 2013-01-09 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム
JP4661990B2 (ja) * 2008-06-27 2011-03-30 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法、基板処理装置及び記憶媒体
US20090324826A1 (en) * 2008-06-27 2009-12-31 Hitoshi Kato Film Deposition Apparatus, Film Deposition Method, and Computer Readable Storage Medium
JP5625624B2 (ja) * 2010-08-27 2014-11-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
JP5599350B2 (ja) * 2011-03-29 2014-10-01 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び成膜方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010080924A (ja) * 2008-08-29 2010-04-08 Tokyo Electron Ltd 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及び記憶媒体
JP2011210872A (ja) * 2010-03-29 2011-10-20 Tokyo Electron Ltd 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体

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