CN108149221A - 清洁方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够缩短清洁时间并进行均匀性高的清洁的清洁方法。一个实施方式的清洁方法包括以下工序：第一清洁工序，在处理室内在使上表面能够载置基板的旋转台在第一清洁位置旋转的状态下，从所述旋转台的基板载置面的上方供给清洁气体；以及第二清洁工序，在使所述旋转台在比所述第一清洁位置靠下方的第二清洁位置旋转的状态下，从所述旋转台的基板载置面的上方供给所述清洁气体。

Description

清洁方法
技术领域
本发明涉及一种清洁方法。
背景技术
在半导体装置等的制造中所使用的成膜装置中，不仅在基板的上表面堆积膜，在载置基板的旋转台的上表面、侧表面、下表面等也堆积膜。而且，当在旋转台的上表面、侧表面、下表面等堆积的膜的膜厚变厚时，堆积的膜剥落，产生微粒。因此，定期性地向处理室内供给清洁气体来去除在旋转台的上表面、侧表面、下表面等堆积的膜(例如参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2010-153805号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，在上述的方法中，供给清洁气体的喷嘴与旋转台之间的间隔狭小，因此从喷嘴供给的清洁气体的流速快，使得清洁气体大部分在去除堆积于旋转台的上表面的膜之前被排出。因此，去除在旋转台的上表面堆积的膜所需的清洁时间变长，另外，在旋转台的表面内去除堆积的膜的时间产生差异。
因此，在本发明的一个方式中，其目的在于，提供一种能够缩短清洁时间并进行均匀性高的清洁的清洁方法。
用于解决问题的方案
为了达成上述目的，本发明的一个方式所涉及的清洁方法包括以下工序：第一清洁工序，在处理室内在使上表面能够载置基板的旋转台在第一清洁位置旋转的状态下，从所述旋转台的基板载置面的上方供给清洁气体；以及第二清洁工序，在使所述旋转台在比所述第一清洁位置靠下方的第二清洁位置旋转的状态下，从所述旋转台的基板载置面的上方供给所述清洁气体。
发明的效果
根据公开的清洁方法，能够缩短清洁时间，进行均匀性高的清洁。
附图说明
图1是本发明的实施方式所涉及的成膜装置的概要截面图。
图2是示出图1的成膜装置的真空容器内的结构的概要立体图。
图3是示出图1的成膜装置的真空容器内的结构的概要俯视图。
图4是图1的成膜装置的沿着旋转台的同心圆的真空容器的概要截面图。
图5是用于说明图1的成膜装置的分离区域的概要截面图。
图6是示出本发明的实施方式的清洁方法的一例的时序图。
图7是用于说明图1的成膜装置的旋转台的升降动作的概要截面图(1)。
图8是用于说明图1的成膜装置的旋转台的升降动作的概要截面图(2)。
图9是示出本发明的实施方式的清洁方法的另一例子的时序图。
附图标记说明
1：真空容器；2：旋转台；2a：凹部；5：突出部；31：反应气体喷嘴；32：反应气体喷嘴；33：清洁气体喷嘴；51：分离气体供给管；C：中心区域；D：分离区域；P1：第一处理区域；P2：第二处理区域；W：晶圆。
具体实施方式
下面，参照附图来说明用于实施本发明的方式。此外，在本说明书和附图中，通过对实质上相同的结构标注相同的标记来省略重复的说明。
(成膜装置)
首先，对能够应用本发明的实施方式所涉及的清洁方法的成膜装置的一例进行说明。图1是本发明的实施方式所涉及的成膜装置的概要截面图。图2是示出图1的成膜装置的真空容器内的结构的概要立体图。图3是示出图1的成膜装置的真空容器内的结构的概要俯视图。此外，在图2和图3中，为了方便说明，省略顶板的图示。
参照图1至图3，成膜装置具备：扁平的真空容器1，其具有大致圆形的俯视形状；以及旋转台2，其设置于真空容器1内，在真空容器1的中心具有旋转中心。真空容器1为用于对在真空容器1的内部收纳的作为基板的半导体晶圆(以下称作“晶圆W”。)的上表面进行成膜处理的处理室。真空容器1具有：容器主体12，其具有有底的圆筒形状；以及顶板11，其经由例如O环等密封构件13以气密且可拆卸的方式配置于容器主体12的上表面。
旋转台2可旋转地设置在真空容器1内。旋转台2例如由石英形成。旋转台2的中心部固定于圆筒形状的芯部21。芯部21固定于沿铅垂方向延伸的旋转轴22的上端。旋转轴22贯通真空容器1的底部14，该旋转轴22的下端安装于驱动部23。驱动部23例如包括压力缸和步进电动机，通过使旋转轴22升降来使旋转台2升降，通过使旋转轴22绕铅垂轴旋转来使旋转台2旋转。旋转轴22和驱动部23收纳在上表面开口的筒状的壳体20内。设置于壳体20的上表面的凸缘部经由能够沿铅垂方向伸缩的波纹管16以气密的方式安装于真空容器1的底部14的下表面，维持壳体20的内部环境与外部环境之间的气密状态。在旋转台2升降的情况下，波纹管16与旋转台2的升降对应地进行伸缩，因此能够维持壳体20的内部环境与外部环境之间的气密状态。
如图2和图3所示，在旋转台2的上表面沿着旋转台2的旋转方向(周向)设置有能够载置多个(在图示的例子中为6张)晶圆W的圆形的凹部2a。此外，为了方便，在图3中只在一个凹部2a中示出晶圆W。凹部2a具有比晶圆W的直径稍大、例如大4mm的内径和与晶圆W的厚度大致相等的深度。因而，当晶圆W收纳于凹部2a时，晶圆W的表面与旋转台2的表面(不载置晶圆W的区域)为相同的高度。在凹部2a的底面形成有用于支承晶圆W的背面来使晶圆W升降的例如三个升降销所贯通的贯通孔(均未图示)。
如图2和图3所示，在旋转台2的上方，例如由石英形成的反应气体喷嘴31、32、清洁气体喷嘴33以及分离气体喷嘴41、42沿真空容器1的周向彼此隔开间隔地配置。在图示的例子中，从后述的搬送口15起沿顺时针方向(旋转台2的旋转方向)按分离气体喷嘴41、清洁气体喷嘴33、反应气体喷嘴31、分离气体喷嘴42以及反应气体喷嘴32的顺序排列有这些喷嘴。这些喷嘴31、32、33、41、42通过将作为各喷嘴31、32、33、41、42的基端部的气体导入端口31a、32a、33a、41a、42a(图3)固定于容器主体12的外周面，由此以从真空容器1的外周面导入真空容器1内且以沿着容器主体12的径向相对于旋转台2水平地延伸的方式安装。
在本发明的实施方式中，如图3所示，反应气体喷嘴31经由配管110、流量控制器120等来与第一反应气体的供给源130连接。反应气体喷嘴32经由配管111、流量控制器121等来与第二反应气体的供给源131连接。清洁气体喷嘴33经由配管112、流量控制器122等来与清洁气体的供给源132连接。分离气体喷嘴41、42经由均未图示的配管、流量控制阀等来与分离气体的供给源(未图示)连接。作为分离气体，能够使用氦(He)气体、氩(Ar)气体等稀有气体、氮(N2)气体等惰性气体。在本发明的实施方式中，举出使用N2气体的例子来进行说明。
在反应气体喷嘴31、32上沿着反应气体喷嘴31、32的长度方向例如以10mm的间隔排列有朝向旋转台2开口的多个气体喷出孔35(图4)。反应气体喷嘴31的下方区域为用于使第一反应气体吸附于晶圆W的第一处理区域P1。反应气体喷嘴32的下方区域为供给与在第一处理区域P1中吸附于晶圆W的第一反应气体发生反应的第二反应气体来生成反应生成物的分子层的第二处理区域P2。此外，反应生成物的分子层构成堆积(成膜)的膜。
第一反应气体可以为各种气体，但一般选择成为形成的膜的原料的原料气体，例如在形成二氧化硅膜的情况下，选择双(叔丁基氨基)硅烷(BTBAS)气体等含有硅的气体。
在第二反应气体中，只要为能够与第一反应气体发生反应来生成反应生成物的反应气体，则能够使用各种反应气体，例如在形成二氧化硅膜的情况下选择臭氧(O3)气体等氧化气体。
清洁气体喷嘴33为在进行清洁时使用的气体喷嘴。与反应气体喷嘴31、32同样地，在清洁气体喷嘴33上沿着清洁气体喷嘴33的长度方向例如以10mm的间隔排列有朝向旋转台2开口的多个气体喷出孔(未图示)。在图示的例子中，清洁气体喷嘴33向第一处理区域P1供给清洁气体。此外，清洁气体喷嘴33也可以设置于能够向第二处理区域P2供给清洁气体的位置。另外，也可以设置于能够向第一处理区域P1供给清洁气体的位置和能够向第二处理区域P2供给清洁气体的位置。清洁气体可以为各种气体，例如在去除二氧化硅膜的情况下，选择三氟化氯(ClF3)、三氟化氮(NF3)等氟系的气体。另外，也可以将这些气体进行组合。
参照图2和图3，在真空容器1内设置有两个凸状部4。凸状部4与分离气体喷嘴41、42一起构成分离区域D，因此该凸状部4以朝向旋转台2突出的方式安装于顶板11的下表面。另外，凸状部4具有顶部被切断为圆弧状的扇型的俯视形状，在本发明的实施方式中以内圆弧与突出部5(后述)连结且外圆弧沿着真空容器1的容器主体12的内周面的方式进行配置。
图4是图1的成膜装置的沿着旋转台的同心圆的真空容器的概要截面图，示出从反应气体喷嘴31到反应气体喷嘴32的沿着旋转台2的同心圆的真空容器1的截面。此外，在图4中，为了方便说明而省略了晶圆W的图示。
如图4所示，在顶板11的下表面安装有凸状部4。因此，在真空容器1内存在作为凸状部4的下表面的平坦且低的顶面44(第一顶面)以及位于该顶面44的周向的两侧的比顶面44高的顶面45(第二顶面)。顶面44具有顶部被切断为圆弧状的扇形的俯视形状。另外，如图4所示，在凸状部4的周向的中央形成以沿径向延伸的方式形成的槽部43，分离气体喷嘴42收纳在槽部43内。在另一个凸状部4也同样地形成槽部43，分离气体喷嘴41收纳在槽部43内。另外，在高的顶面45的下方的空间分别设置有反应气体喷嘴31、32。这些反应气体喷嘴31、32与顶面45分离地设置在晶圆W的附近。此外，如图4所示，在高的顶面45的下方的右侧的空间481设置有反应气体喷嘴31，在高的顶面45的下方的左侧的空间482设置反应气体喷嘴32。
另外，在收纳于凸状部4的槽部43的分离气体喷嘴41、42上沿着分离气体喷嘴41、42的长度方向例如以10mm的间隔排列有朝向旋转台2开口的多个气体喷出孔42h(图4)。
顶面44与旋转台2相对而形成有狭隘的空间即分离空间H。当从分离气体喷嘴42的气体喷出孔42h供给N2气体时，N2气体经过分离空间H而朝向空间481和空间482流动。此时，分离空间H的容积比空间481和482的容积小，因此能够利用N2气体来使分离空间H的压力比空间481和482的压力高。即，在空间481和482之间形成压力高的分离空间H。另外，从分离空间H向空间481和482流出的N2气体作为与来自第一处理区域P1的第一反应气体和来自第二处理区域P2的第二反应气体相对的反向气流发挥功能。因而，来自第一处理区域P1的第一反应气体和来自第二处理区域P2的第二反应气体被分离空间H分离。由此，抑制第一反应气体和第二反应气体在真空容器1内相混合而发生反应。
此外，优选的是，考虑成膜时的真空容器1内的压力、旋转台2的旋转速度、分离气体的供给量等来将顶面44相对于旋转台2的上表面的高度h1设定为适于使分离空间H的压力比空间481、482的压力高的高度。
另一方面，在顶板11的下表面设置有将固定旋转台2的芯部21的外周包围的突出部5(图2和图3)。突出部5在本发明的实施方式中与凸状部4的旋转中心侧的部位连续，该突出部5的下表面形成为与顶面44相同的高度。
之前参照的图1为沿着图3的I-I'线剖开的截面图，示出设置有顶面45的区域。另一方面，图5是示出设置有顶面44的区域的截面图。如图5所示，在扇型的凸状部4的周缘部(真空容器1的外缘侧的部位)形成有以与旋转台2的外端面相向的方式弯曲为L字型的弯曲部46。弯曲部46与凸状部4同样地抑制反应气体从分离区域D的两侧侵入，从而抑制第一反应气体与第二反应气体的混合。扇型的凸状部4设置于顶板11，顶板11能够从容器主体12拆下，因此在弯曲部46的外周面与容器主体12之间具有些微的间隙。弯曲部46的内周面与旋转台2的外端面之间的间隙以及弯曲部46的外周面与容器主体12之间的间隙例如设定为与顶面44相对于旋转台2的上表面的高度相同的尺寸。
容器主体12的内周面在分离区域D处如图5所示以与弯曲部46的外周面接近方式形成为垂直面，在除了分离区域D以外的区域处如图1所示例如从与旋转台2的外端面相向的部位连续到底部14地向外方侧凹陷。下面，为了方便说明，将具有大致矩形的截面形状的凹陷的部分记为排气区域。具体地说，将与第一处理区域P1连通的排气区域记为第一排气区域E1，将与第二处理区域P2连通的区域记为第二排气区域E2。如图1至图3所示，在第一排气区域E1和第二排气区域E2的底部分别形成有第一排气口61和第二排气口62。第一排气口61和第二排气口62如图1所示那样分别经由排气管63来与作为真空排气单元的例如真空泵64连接。另外，在真空泵64与排气管63之间设置有压力控制器65。
如图1和图5所示，在旋转台2与真空容器1的底部14之间的空间设置有作为加热单元的加热器单元7，旋转台2上的晶圆W经由旋转台2被加热到由程序制程决定的温度。在旋转台2的周缘附近的下方侧设置有环状的外罩构件71(图5)。由此，能够将从旋转台2的上方空间到第一排气区域E1、第二排气区域E2的环境和放置有加热器单元7的环境划分来抑制气体侵入旋转台2的下方区域。外罩构件71具备内侧构件71a和外侧构件71b，其中，该内侧构件71a设置为从下方侧与旋转台2的外缘部和比外缘部靠外周侧的位置相面对，该外侧构件71b设置在内侧构件71a与真空容器1的内周面之间。外侧构件71b在分离区域D以在形成于凸状部4的外缘部的弯曲部46的下方接近弯曲部46的方式设置。内侧部材71a在旋转台2的外缘部下方(以及比外缘部稍微靠外侧的部分的下方)在整个周向连续地包围加热器单元7。
比配置有加热器单元7的空间靠旋转中心侧的部位处的底部14以接近旋转台2的下表面的中心部附近的芯部21的方式向上方侧突出而形成突出部12a。突出部12a与芯部21之间为狭小的空间，另外贯通底部14的旋转轴22的贯通孔的内周面与旋转轴22之间的间隙狭小，这些狭小的空间与壳体20连通。而且，在壳体20设置有用于向狭小的空间内供给作为吹扫气体的N2气体来进行吹扫的吹扫气体供给管72。另外，在真空容器1的底部14，在加热器单元7的下方沿周向以规定的角度间隔设置用于对加热器单元7的配置空间进行吹扫的多个吹扫气体供给管73(在图5中示出一个吹扫气体供给管73)。另外，为了抑制气体侵入设置有加热器单元7的区域而在加热器单元7与旋转台2之间设置盖构件7a，该盖构件7a从外侧构件71b的内周面(内侧构件71a的上表面)起沿整个周向将该盖构件7a与突出部12a的上端部之间连续地覆盖。盖构件7a例如由石英形成。
另外，在真空容器1的顶板11的中心部连接有分离气体供给管51，构成为向顶板11与芯部21之间的空间52供给作为分离气体的N2气体。经由突出部5与旋转台2之间的狭小的空间50沿着旋转台2的晶圆载置区域侧的上表面来朝向周缘喷出供给到空间52的分离气体。空间50能够利用分离气体来维持为比空间481和空间482高的压力。因而，利用空间50来抑制向第一处理区域P1供给的BTBAS气体与向第二处理区域P2供给的O3气体经过中心区域C而相混合。即，空间50(或中心区域C)能够与分离空间H(或分离区域D)同样地发挥功能。
并且，如图2和图3所示，在真空容器1的侧壁形成有用于在外部的搬送臂10(图3)与旋转台2之间进行晶圆W的交接的搬送口15。搬送口15通过未图示的闸阀被开闭。另外，旋转台2中的作为晶圆载置区域的凹部2a在与搬送口15相向的位置处与搬送臂10之间进行晶圆W的交接。因此，在旋转台2的下方侧，在与交接位置对应的部位设置有用于贯通凹部2a来从背面举起晶圆W的交接用的升降销及其升降机构(均未图示)。
另外，在本发明的实施方式所涉及的成膜装置中，如图1所示，设置有用于对装置整体的动作进行控制的由计算机构成的控制部100。在控制部100的存储器内保存有在控制部100的控制之下使成膜装置实施后述的清洁方法的程序。关于程序，以执行后述的清洁方法的方式组成步骤群。程序存储于硬盘、光盘、光磁盘、存储卡、软盘等介质102，利用规定的读取装置将该程序读入到存储部101并安装于控制部100内。
(成膜方法)
接着，对基于本发明的实施方式所涉及的成膜装置进行的成膜方法(成膜工序)进行说明。下面，举出形成二氧化硅膜的情况为例来进行说明。
首先，在使旋转台2旋转以使凹部2a处于与搬送口15(图2和图3)相向的位置之后打开闸阀(未图示)。接着，利用搬送臂10来经由搬送口15向真空容器1内搬入晶圆W。晶圆W被升降销(未图示)接受，在搬送臂10从真空容器1抽出之后，利用由升降机构(未图示)进行驱动的升降销使晶圆W向凹部2a下降。重复六次上述一系列的动作，将六张晶圆W载置于对应的凹部2a。
接着，从分离气体喷嘴41、42供给N2气体，还从分离气体供给管51和吹扫气体供给管72、73供给N2气体，并且利用真空泵64和压力控制器65(图1)将真空容器1内维持为预先设定的压力。另外，以规定速度使旋转台2例如向顺时针(图3的箭头A的方向)旋转。旋转台2被加热器单元7加热到预先规定的温度，由此载置于旋转台2的晶圆W被加热。在晶圆W被加热并维持为规定温度之后，从反应气体喷嘴31向第一处理区域P1供给BTBAS气体，从反应气体喷嘴32向第二处理区域P2供给O3气体。
在晶圆W经过反应气体喷嘴31的下方的第一处理区域P1时，BTBAS分子吸附于晶圆W的表面。另外，在晶圆W经过反应气体喷嘴32的下方的第二处理区域P2时，O3分子吸附于晶圆W的表面，由此BTBAS分子被O3氧化。因而，当晶圆W通过旋转台2的旋转一次穿过第一处理区域P1和第二处理区域P2这两者时，在晶圆W的表面形成氧化硅的一层分子层(或两层以上的分子层)。接着，晶圆W交替多次经过第一处理区域P1和第二处理区域P2，具有规定膜厚的二氧化硅膜堆积于晶圆W的表面。在堆积了具有规定膜厚的二氧化硅膜后，使BTBAS气体和O3气体的供给停止，使旋转台2的旋转停止。然后，通过与搬入动作相反的动作来利用搬送臂10将晶圆W从真空容器1搬出，结束成膜过程。
像这样，在成膜工序中能够在晶圆W的表面形成BTBAS气体与O3气体的反应生成物即二氧化硅膜。
另外，在成膜工序中，不仅晶圆W的表面暴露于气体，旋转台2的上表面、侧表面、下表面等也暴露于气体，因此不仅在晶圆W的表面形成二氧化硅膜等反应生成物，在旋转台2的上表面、侧表面、下表面等也形成二氧化硅膜等反应生成物。而且，当形成于旋转台2的上表面、侧表面、下表面等的二氧化硅膜等反应生成物的膜厚变厚时，反应生成物剥落，成为微粒。当这样在真空容器1内产生微粒时，微粒进入形成于晶圆W的表面的二氧化硅膜的膜，膜质量下降。
因此，一般的是，在旋转台2的上表面形成了规定膜厚的反应生成物的情况下、在形成于晶圆W的二氧化硅膜的膜中包含的微粒超过了规定量的情况下、在经过了规定连续运转时间等情况下，进行清洁。
然而，在供给清洁气体的喷嘴与旋转台之间的间隔狭小的情况下，从喷嘴供给的清洁气体的流速快，清洁气体大部分在去除堆积于旋转台的上表面的膜之前被排出。因此，去除堆积于旋转台的上表面的膜所需的清洁时间变长，另外，在旋转台的表面内去除堆积的膜的时间产生差异。
下面对能够缩短清洁时间并且进行均匀性高的清洁的本发明的实施方式所涉及的清洁方法进行说明。
(清洁方法)
接着，对本发明的实施方式所涉及的清洁方法进行说明。本发明的实施方式所涉及的清洁方法包括使旋转台2的上下方向的位置不同来进行的两个清洁工序(第一清洁工序和第二清洁工序)。第一清洁工序为在真空容器1内使旋转台2在第一清洁位置旋转的状态下从旋转台2的基板载置面的上方供给清洁气体的工序。第二清洁工序为使旋转台2在比第一清洁位置靠下方的第二清洁位置旋转的状态下从旋转台2的基板载置面的上方供给清洁气体的工序。在第一清洁工序和第二清洁工序中使用的清洁气体既可以为相同的气体也可以为不同的气体。
下面，举出在使用前述的成膜方法形成了二氧化硅膜时去除堆积于旋转台2的上表面、侧表面、下表面等的二氧化硅膜等反应生成物的情况为例来进行说明。图6是示出本发明的实施方式的清洁方法的一例的时序图。图7和图8是用于说明图1的成膜装置的旋转台的升降动作的概要截面图，图7是示出使旋转台上升时的状态，图8是示出使旋转台下降时的状态。
如图6所示，本发明的实施方式的清洁方法包括第一吹扫工序、第一清洁工序、第二清洁工序以及第二吹扫工序，按该顺序进行这些工序。此外，也可以省略第一吹扫工序和第二吹扫工序。
首先，在第一吹扫工序中，在旋转台2的凹部2a没有载置晶圆W的状态下，利用驱动部23使旋转台2向up(上)位置移动，从分离气体喷嘴41、42、分离气体供给管51以及吹扫气体供给管72、73供给N2气体。此时，利用真空泵64和压力控制器65将真空容器1内维持为预先设定的压力。由此，真空容器1内成为N2气体环境。
接着，在第一清洁工序中，如图7所示，在将旋转台2维持在up位置的状态下使旋转台2以规定速度旋转，从清洁气体喷嘴33向第一处理区域P1供给ClF3气体。在经过第一时间T1之后，使ClF3气体的供给停止。能够根据在旋转台2的上表面、侧表面、下表面等堆积的反应生成物的膜厚来确定第一时间T1。
接着，在第二清洁工序中，如图8所示，利用驱动部23使旋转台2向down(下)位置移动，使旋转台2在down位置以规定速度旋转，从清洁气体喷嘴33向第一处理区域P1供给ClF3气体。down位置为比up位置靠下方的位置。在经过第二时间T2之后，使ClF3气体的供给停止。能够根据在旋转台2的上表面、侧表面、下表面等堆积的反应生成物的膜厚来确定第二时间T2。
接着，在第二吹扫工序中，在将旋转台2维持在down位置的状态下，从分离气体喷嘴41、42、分离气体供给管51以及吹扫气体供给管72、73供给N2气体。此时，利用真空泵64和压力控制器65来将真空容器1内维持为预先设定的压力。在经过规定时间之后，使来自分离气体喷嘴41、42、分离气体供给管51以及吹扫气体供给管72、73的N2气体的供给停止，结束清洁处理。
在本发明的实施方式所涉及的清洁方法中，在旋转台2的上下方向的位置不同的两个位置(up位置和down位置)，向真空容器1内供给清洁气体来进行旋转台2的上表面、侧表面、下表面等的清洁。在up位置处，旋转台2的上表面与清洁气体喷嘴33之间的间隔狭小，因此能够提高从清洁气体喷嘴33供给的ClF3气体的流速来缩短停留于旋转台2的上表面的时间。由此，能够提高在旋转台2的侧表面和下表面堆积的二氧化硅膜等反应生成物的蚀刻速度。在down位置处，旋转台2的上表面与清洁气体喷嘴33之间的间隔大，因此能够降低从清洁气体喷嘴33供给的ClF3气体的流速来使停留时间增长。由此，能够提高在旋转台2的上表面堆积的二氧化硅膜等反应生成物的蚀刻速度。这样，在up位置处能够高效地去除在旋转台2的侧表面和下表面堆积的二氧化硅膜等反应生成物，且在down位置处能够高效地去除在旋转台2的上表面堆积的二氧化硅膜等反应生成物。其结果是，能够缩短清洁时间，进行均匀性高的清洁。
另外，优选的是，基于在旋转台2的上表面堆积的二氧化硅膜等反应生成物的堆积量和在旋转台2的侧表面和/或下表面堆积的二氧化硅膜等反应生成物的堆积量来决定第一时间T1与第二时间T2的比率。具体地说，在堆积于旋转台2的上表面的二氧化硅膜等反应生成物的堆积量比堆积于旋转台2的侧表面和/或下表面的二氧化硅膜等反应生成物的堆积量多的情况下，优选为使第二时间T2比第一时间T1长。相对于此，在堆积于旋转台2的侧表面和/或下表面的二氧化硅膜等反应生成物的堆积量比堆积于旋转台2的上表面的二氧化硅膜等反应生成物的堆积量多的情况下，优选为使第一时间T1比第二时间T2长。
另外，优选的是，第二清洁工序中使从分离气体供给管51供给的N2气体的流量小于第一清洁工序中从分离气体供给管51供给的N2气体的流量。由此，从旋转台2的中心区域C朝向第一排气区域E1、第二排气区域E2流动的清洁气体的流速低。因此，清洁气体停留于旋转台2的上表面的时间长，能够高效地去除在旋转台2的上表面堆积的二氧化硅膜等反应生成物。
在上述的实施方式所涉及的清洁方法中，举出在第一清洁工序中在up位置进行清洁、接着在第二清洁工序中在down位置进行清洁的情况为例来进行了说明，但并不限定于此。
图9是示出本发明的实施方式的清洁方法的另一例子的时序图。
在本发明的实施方式所涉及的清洁方法中，可以如图9的(a)所示那样在第二清洁工序之后进行第一清洁工序。此外，第一清洁工序为在将旋转台2维持在up位置的状态下进行清洁的工序。另外，第二清洁工序为在将旋转台2维持在down位置的状态下进行清洁的工序。
另外，例如也可以如图9的(b)所示那样在第一清洁工序之后且第二清洁工序之前进行第三清洁工序。此外，第三清洁工序为在使旋转台2从up位置向down位置下降的同时进行清洁的工序。
另外，例如也可以如图9的(c)所示那样在第二清洁工序之后且第一清洁工序之前进行第四清洁工序。此外，第四清洁工序为在使旋转台2从down位置向up位置上升的同时进行清洁的工序。
另外，例如也可以如图9的(d)所示那样交替重复进行第一清洁工序和第二清洁工序。
另外，例如也可以如图9的(e)所示那样按照第一清洁工序、第三清洁工序、第二清洁工序以及第四清洁工序的顺序重复进行这些工序。
以上对用于实施本发明的方式进行了说明，但上述内容并不对发明的内容进行限定，在本发明的范围内能够进行各种变形和改良。
在上述的实施方式中，举出形成的膜为二氧化硅膜的情况为例来进行了说明，但在形成其它膜的情况下也能够应用本发明的实施方式所涉及的清洁方法。
在上述的实施方式中，举出对载置在旋转台2上的多张晶圆W统一进行成膜处理的半分批式的成膜装置为例来进行了说明，但不限定于此。例如，既可以为由载置于晶圆舟的多张晶圆W构成一批并以一批为单位进行成膜处理的分批式的成膜装置，也可以为逐张地进行成膜处理的单片式的成膜装置。

Claims (19)

1.一种清洁方法，包括以下工序：
第一清洁工序，在处理室内在使上表面能够载置基板的旋转台在第一清洁位置旋转的状态下，从所述旋转台的基板载置面的上方供给清洁气体；以及
第二清洁工序，在使所述旋转台在比所述第一清洁位置靠下方的第二清洁位置旋转的状态下，从所述旋转台的基板载置面的上方供给所述清洁气体。
2.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，
在所述第一清洁工序之后进行所述第二清洁工序。
3.根据权利要求2所述的清洁方法，其特征在于，
在所述第一清洁工序之后且所述第二清洁工序之前包括第三清洁工序，在该第三清洁工序中，在使所述旋转台一边从所述第一清洁位置向所述第二清洁位置移动一边进行旋转的状态下，从所述旋转台的基板载置面的上方供给所述清洁气体。
4.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，
在所述第二清洁工序之后进行所述第一清洁工序。
5.根据权利要求4所述的清洁方法，其特征在于，
在所述第二清洁工序之后且所述第一清洁工序之前包括第四清洁工序，在该第四清洁工序中，在使所述旋转台一边从所述第二清洁位置向所述第一清洁位置移动一边进行旋转的状态下，从所述旋转台的基板载置面的上方供给所述清洁气体。
6.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，
交替重复进行所述第一清洁工序和所述第二清洁工序。
7.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，包括以下工序：
第三清洁工序，该第三清洁工序在所述第一清洁工序之后，在使所述旋转台一边从所述第一清洁位置向所述第二清洁位置移动一边进行旋转的状态下，从所述旋转台的基板载置面的上方供给所述清洁气体；以及
第四清洁工序，该第四清洁工序在所述第二清洁工序之后，在使所述旋转台一边从所述第二清洁位置向所述第一清洁位置移动一边进行旋转的状态下，从所述旋转台的基板载置面的上方供给所述清洁气体，
按照所述第一清洁工序、所述第三清洁工序、所述第二清洁工序以及所述第四清洁工序的顺序重复进行这些工序。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的清洁方法，其特征在于，
所述清洁气体包括ClF3气体。
9.一种清洁方法，在该清洁方法中使用成膜装置，该成膜装置在处理室内设置有：旋转台，其上表面能够载置基板；第一处理区域和第二处理区域，所述第一处理区域和第二处理区域在旋转台的上方沿着旋转台的旋转方向彼此隔开距离地配置；以及分离区域，其配置在第一处理区域和第二处理区域之间，该成膜装置在所述分离区域设置有从所述处理室内的顶面一侧朝向下方突出的突出部来形成比所述第一处理区域和所述第二处理区域低的顶面，该成膜装置能够向所述第一处理区域和/或所述第二处理区域供给清洁气体，向所述分离区域供给吹扫气体，所述清洁方法包括以下工序：
第一清洁工序，在使所述旋转台在第一清洁位置旋转的状态下，从所述旋转台的基板载置面的上方供给清洁气体；以及
第二清洁工序，在使所述旋转台在比所述第一清洁位置靠下方的第二清洁位置旋转的状态下，从所述旋转台的基板载置面的上方供给所述清洁气体。
10.根据权利要求9所述的清洁方法，其特征在于，
所述成膜装置具有中心区域，该中心区域位于所述处理室内的中心部，用以将所述第一处理区域与所述第二处理区域的环境分离，在该中心区域设置有向所述旋转台的基板载置面供给分离气体的分离气体供给管，
所述第二清洁工序为在使从所述中心区域供给的分离气体的流量小于所述第一清洁工序的从所述中心区域供给的分离气体的流量的状态下进行的工序。
11.根据权利要求9或10所述的清洁方法，其特征在于，
具有成膜工序，在该成膜工序中，通过在向所述第一处理区域供给第一反应气体、向所述第二处理区域供给第二反应气体、向所述分离区域供给吹扫气体的状态下使所述旋转台旋转，来在基板形成所述第一反应气体与所述第二反应气体的反应生成物的膜，
在通过重复进行所述成膜工序而在所述旋转台的上表面形成了规定膜厚的膜时，进行所述第一清洁工序和所述第二清洁工序。
12.根据权利要求11所述的清洁方法，其特征在于，
形成的膜为二氧化硅膜。
13.根据权利要求9至12中的任一项所述的清洁方法，其特征在于，
在所述第一清洁工序之后进行所述第二清洁工序。
14.根据权利要求13所述的清洁方法，其特征在于，
在所述第一清洁工序之后且所述第二清洁工序之前包括第三清洁工序，在该第三清洁工序中，在使所述旋转台一边从所述第一清洁位置向所述第二清洁位置移动一边进行旋转的状态下，从所述旋转台的基板载置面的上方供给所述清洁气体。
15.根据权利要求9至12中的任一项所述的清洁方法，其特征在于，
在所述第二清洁工序之后进行所述第一清洁工序。
16.根据权利要求15所述的清洁方法，其特征在于，
在所述第二清洁工序之后且所述第一清洁工序之前包括第四清洁工序，在该第四清洁工序中，在使所述旋转台一边从所述第二清洁位置向所述第一清洁位置移动一边进行旋转的状态下，从所述旋转台的基板载置面的上方供给所述清洁气体。
17.根据权利要求9至12中的任一项所述的清洁方法，其特征在于，
交替重复进行所述第一清洁工序和所述第二清洁工序。
18.根据权利要求9至12中的任一项所述的清洁方法，其特征在于，包括以下工序：
第三清洁工序，在所述第一清洁工序之后，在使所述旋转台一边从所述第一清洁位置向所述第二清洁位置移动一边进行旋转的状态下，从所述旋转台的基板载置面的上方供给所述清洁气体；以及
第四清洁工序，在所述第二清洁工序之后，在使所述旋转台一边从所述第二清洁位置向所述第一清洁位置移动一边进行旋转的状态下，从所述旋转台的基板载置面的上方供给所述清洁气体，
按照所述第一清洁工序、所述第三清洁工序、所述第二清洁工序以及所述第四清洁工序的顺序重复进行这些工序。
19.根据权利要求9至18中的任一项所述的清洁方法，其特征在于，
所述清洁气体包括ClF3气体。
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