JP2010533796A - 圧力制御された遠隔プラズマ源による洗浄率の改善 - Google Patents
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Abstract
【課題】 大面積基体処理チャンバを洗浄するための方法を提供する。
【解決手段】 チャンバ容積が大きくなるにつれて、驚くべきことに、洗浄条件の規模を単純に拡大しても、さらされたチャンバ表面からシリコンを事実上洗浄することができないことがわかった。さらされたチャンバ表面上の望ましくないシリコン堆積物は、ソーラーパネルの形成において汚染につながることがあり得る。チャンバを摂氏約１５０度と２５０度の間の温度に維持しつつチャンバの圧力を約１０トール以上に上げると、プラズマ洗浄の有効性が高められて、シリコン堆積物がチャンバから除去される。高圧と低温の組み合わせにより、ソーラーパネル製造の基板処理能力を犠牲にすることなく基板汚染を低減させることができる。
【選択図】 図３
【解決手段】 チャンバ容積が大きくなるにつれて、驚くべきことに、洗浄条件の規模を単純に拡大しても、さらされたチャンバ表面からシリコンを事実上洗浄することができないことがわかった。さらされたチャンバ表面上の望ましくないシリコン堆積物は、ソーラーパネルの形成において汚染につながることがあり得る。チャンバを摂氏約１５０度と２５０度の間の温度に維持しつつチャンバの圧力を約１０トール以上に上げると、プラズマ洗浄の有効性が高められて、シリコン堆積物がチャンバから除去される。高圧と低温の組み合わせにより、ソーラーパネル製造の基板処理能力を犠牲にすることなく基板汚染を低減させることができる。
【選択図】 図３
Description
発明の分野
[0001]本発明の実施形態は、一般的には、プラズマ増強型化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）チャンバのような大面積基板処理チャンバを洗浄するための方法に関する。
[0001]本発明の実施形態は、一般的には、プラズマ増強型化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）チャンバのような大面積基板処理チャンバを洗浄するための方法に関する。
関連技術の説明
[0002]ソーラーパネルの製造において、ソーラーパネルサイズを大きくする要求が増え続けている。ソーラーパネルは、現在、大面積基板から製造されている。ソーラーパネルサイズと基板サイズが大きくなるのに伴い、チャンバサイズも大きくなり続けている。残念なことに、チャンバサイズが大きくなるほど、シリコンが堆積するチャンバ内の面積数も大きくなる。
[0002]ソーラーパネルの製造において、ソーラーパネルサイズを大きくする要求が増え続けている。ソーラーパネルは、現在、大面積基板から製造されている。ソーラーパネルサイズと基板サイズが大きくなるのに伴い、チャンバサイズも大きくなり続けている。残念なことに、チャンバサイズが大きくなるほど、シリコンが堆積するチャンバ内の面積数も大きくなる。
[0003]ソーラーパネルの形成中、チャンバ内のさらされた領域上にシリコンが堆積されることになる。チャンバのさらされた領域に堆積されるシリコンが有効に除去されない場合には、シリコンは、剥がれ落ち、堆積される後の層或いはチャンバ内で処理される次の基板を汚染することになる。チャンバを洗浄することによって、シリコン汚染を低減させることができる。
[0004]それ故、当該技術において大面積基板処理チャンバの効果的な洗浄法が求められている。
[0005]本発明は、一般的には、大面積基板処理チャンバを洗浄するための方法を含む。チャンバ容積が大きくなるにつれて、驚くべきことに、洗浄条件の規模を単純に拡大しても、さらされたチャンバ表面からシリコンを有効に洗浄することができないことがわかった。さらされたチャンバ表面上の望ましくないシリコン堆積物は、ソーラーパネルの形成において汚染につながる場合がある。チャンバを摂氏約１５０度と２５０度の間の温度に維持しつつチャンバの圧力を約１０トール以上に上げると、プラズマ洗浄の有効性が高められて、シリコン堆積物がチャンバから除去される。高圧と低温の組み合わせにより、ソーラーパネル製造の基板処理能力を犠牲にすることなく基板汚染を低減させることができる。
[0006]一実施形態において、チャンバの洗浄方法が開示される。この方法は、遠隔プラズマ源に洗浄ガスを流すステップと、遠隔プラズマ源においてプラズマに点火するステップと、処理チャンバにプラズマを導入するステップと、プラズマでチャンバを洗浄するステップと、を含む。チャンバは、約１０トール以上の圧力に維持され、表面積が約５０,０００平方センチメートル以上の基板を受容する大きさであってもよい。
[0007]他の実施形態において、ソーラーセルの製造方法が開示される。この方法は、第一チャンバ内で約５０,０００平方センチメートル以上の表面積を有する第一基板の上に第一シリコン膜を堆積させるステップを含む。この方法は、また、第一チャンバから第一基板を取り出すステップと、第一チャンバを洗浄するステップと、第一チャンバに第二基板を導入するステップと、第二基板の上に第二シリコン膜を堆積させるステップと、を含む。洗浄するステップは、第一チャンバを洗浄ガスで約１０トール以上の圧力でプラズマ洗浄する工程を含む。
[0008]他の実施形態において、シリコン堆積チャンバの洗浄方法が開示される。この方法は、チャンバに洗浄ガスプラズマを導入するステップであって、チャンバが、約５０，０００ｃｍ２以上の表面積を有する基板を受容するように適合された基板受容面を持ち且つ約１０トール以上の圧力に維持され、プラズマが、フッ素基を含んでいる、前記ステップと、フッ素基とチャンバ上に堆積されたシリコンとを反応させて、シリコンを除去するステップと、を含む。
[0009]本発明の上記特徴が詳細に理解され得るように、上で簡単にまとめた本発明のより具体的な説明は、実施形態によって参照することができ、その一部が添付の図面に示されている。しかしながら、添付の図面は本発明の典型的な実施形態のみを示しているので、本発明の範囲を制限するものとみなされるべきでなく、本発明が他の等しく有効な実施形態を含んでもよいことは留意すべきである。
図１は、本発明の一実施形態による処理装置の概略断面図である。
図２は、本発明の一実施形態による単接合型ソーラーセルの概略図である。
図３は、本発明の一実施形態によるデュアルタンデム型ソーラーセルの概略図である。
[0013]理解を容易にするために、図に共通な同一要素を示すのに可能であれば同一符号が用いられている。一実施形態に開示される要素は、個々に引用することなく他の実施形態においても便宜的に用いられてもよいことは意図されている。
[0014]本発明は、一般的には、大面積基板処理チャンバを洗浄するための方法を含む。チャンバ容積が大きくなるにつれて、驚くべきことに、洗浄条件の規模を単純に拡大しても、さらされたチャンバ表面からシリコンを事実上洗浄することができないことがわかった。さらされたチャンバ表面上の望ましくないシリコン堆積物は、ソーラーパネルの形成において汚染につながる場合がある。チャンバを摂氏約１５０度と２５０度の間の温度に維持しつつチャンバの圧力を約１０トール以上に上げると、プラズマ洗浄の有効性が高められて、シリコン堆積物がチャンバから除去される。高圧と低温の組み合わせにより、ソーラーパネル製造の基板処理能力を犠牲にすることなく基板汚染を低減させることができる。
[0015]ＡＫＴ Ａｍｅｒｉｃａ社、ＡｐｐｌｉｅｄＭａｔｅｒｉａｌｓ社、サンタクララ、カリフォルニア州の子会社から入手できるＰＥＣＶＤチャンバに関して本発明を以下に例示的に説明する。本発明が物理気相堆積(ＰＶＤ)チャンバを含むＲＦ電流を用いてガスをプラズマに生成させることを必要とすることになる任意のチャンバに等しく適用できることは理解すべきである。また、以下に記載される本発明がＰＥＣＶＤチャンバや他の販売業者によって製造される他のチャンバに等しく適用できることも理解すべきである。
[0016]図１は、本発明の一実施形態による処理装置１００の概略断面図である。装置１００は、ＰＥＣＶＤチャンバ１０２である。サセプタ１０６は、チャンバ１０２の底部１０４と結合した接地ストラップ１２６で接地されていてもよい。基板１０８は、サセプタ１０６上に配置されていてもよく、チャンバ１０２内のシャワーヘッド１１０の反対側にあってもよい。シャワーヘッド１１０は、ブラケット１１４によってチャンバ１０２内で支持されていてもよい。基板１０８は、スリットバルブ１１８を通ってチャンバ１０２へ挿入され、リフトピン１４２に配置されていてもよい。次に、サセプタ１０６が基板１０８と接するように上げられてもよい。サセプタ１０６は、アクチュエータ１２２によってステム１２０上に上げられてもよい。真空ポンプ１２４がチャンバ１０２を排気してもよい。
[0017]ガスは、ガス供給源１３２からシャワーヘッド１１０に供給されてもよい。ガスは、遠隔プラズマ源１３０を通過してもよく、そこで、ガスが洗浄のためにエネルギが与えられてプラズマに生成されても又は単にチャンバ１０２を通過してもよい。ＲＦ電源１２８から印加されたＲＦ電流によってチャンバ１０２内でガスがプラズマに点火されてもよい。ガスは、最初は、リッド１１２とシャワーヘッド１１０の上流側１３８の間に配置されたプレナム１３６に供給される。ガスは、プレナム内でほぼ一様に分配され、次に、上流側の１３８と下流側１４０の間に伸びるシャワーヘッド１１０におけるガス通路１１６を通過してもよい。一実施形態において、ガス通路１１６は、中空陰極キャビティを備えていてもよい。
[0018]図２は、本発明の一実施形態による単接合型ソーラーセル２００の概略図である。ソーラーセル（太陽電池）２００は、基板２０２の上にｐドープ半導体層２０４と、真性半導体層２０６とｎドープ半導体層２０８とを堆積させることによって行われてもよい。基板２０２が太陽２１０に向くように、ソーラーセル２００は、完成時に、上に反転させる。ソーラーセル２００の半導体材料は、シリコンを含んでいてもよい。一実施形態において、シリコンは、アモルファスシリコンを含む。他の実施形態において、シリコンは、微結晶シリコンを含む。更に他の実施形態において、シリコンは、ポリシリコンを含む。
[0019]図３は、本発明の一実施形態によるデュアルタンデム型ソーラーセル３００の概略図である。ソーラーセル３００は、太陽３０２に向いている、基板３０４の上に第一セル３０６、次に、第一セル３０６の上に第２セル３０８を堆積させることによって形成されてもよい。第一セル３０６は、ｐドープ半導体層３１０と、真性半導体層３１２と、ｎドープ半導体層３１４とを備えていてもよい。第２セル３０８は、ｐドープ半導体層３１６と、真性半導体層３１８と、ｎドープ半導体層３２０とを備えていてもよい。
[0020]ソーラーセル３００のための半導体材料は、シリコンを含んでもよい。一実施形態において、シリコンは、アモルファスシリコンを含む。他の実施形態において、シリコンは、微結晶シリコンを含む。更に他の実施形態において、シリコンは、ポリシリコンを含む。第一セル３０６は、真性半導体層３１２としてアモルファスシリコンを含んでもよく、第２セル３０８は、真性半導体層３１８として微結晶シリコンを含んでもよい。このように、各セル３０６、３０８が異なる二つのセル３０６、３０８を含むことから、ソーラーセル３００はデュアルタンデム型ソーラーセル３００である。
[0021]本発明の説明はデュアルタンデム型ソーラーセルに関するものであるが、本発明は、同じ半導体材料を双方の真性半導体層に利用してデュアルソーラーセルに等しく適用できる。更に、本発明は単接合型ソーラーセルとデュアルタンデム型ソーラーセルを参照して記載されているが、他のソーラーセル構造も本開示によって意図されている。例えば、セルがほぼ同一か又は異なる三つ以上のセルを有するソーラーセルが意図されている。
[0022]ソーラーセルを製造するために、種々の層は、共通のチャンバ内で又は個別のチャンバ内で堆積させてもよい。いずれかの予想される展開においても、続いて処理される基板に対する汚染が関係することになる。従って、チャンバは、各堆積の間に洗浄されてもよい。或はまた、チャンバは、必要な場合に洗浄してもよい。
[0023]より小さなチャンバにおいて(即ち、表面積が５０,０００ｃｍ２以下の基板を受容するように適合された基板受容面を有するチャンバ)、プラズマが遠隔で生成され、低圧(即ち、約３００ミリトール〜約５００ミリトール)に維持されるチャンバに供給してもよい。しかしながら、より大きなチャンバ(即ち、表面積が５０,０００ｃｍ２以上の基板を受容するように適合された基板受容面を有するチャンバ)について、驚くべきことに、３００-５００ミリトールでチャンバが有効に洗浄されない場合があることがわかった。
[0024]プラズマ洗浄中の高圧(即ち、約１０トール以上)は、洗浄されるチャンバ構成要素がプラズマにさらされる滞留時間を増加させることになる。滞留時間の増加は、チャンバのさらされた領域がより長い時間洗浄プラズマにさらされることから、洗浄後にチャンバ内に残存する汚染物質の量を減少させることになる。さらされたチャンバ構成要素は、プラズマにさらされることがより長くなるほど、プラズマと反応する汚染物質の量が多くなり(即ち、プラズマによってエッチングされ)、さらされたチャンバ構成要素から除去される。一実施形態において、圧力は、最大が約１５トールであってもよい。他の実施形態において、圧力は、１０トールと１５のトールの間であってもよい。チャンバの圧力は、チャンバ内のサセプタの下に配置された圧力計で正確に測定されてもよい。
[0025]ソーラーセルを備える種々の層は、摂氏約２５０度未満の温度で堆積されてもよい。摂氏２５０度より大きい温度で、ｐドープ半導体層とｎドープ半導体層を含んでもよいドーパントは、真性半導体層のような隣接の層に拡散することになる。ドーパントが隣接の層に拡散する時に、ソーラーセルは故障する。従って、ソーラーセルの各層の堆積は、摂氏約２５０度未満の温度で堆積させるのがよい。
[0026]所望の処理能力を維持するために、洗浄は、堆積温度以下の温度で行われてもよい。洗浄の温度が堆積温度より高い場合には、チャンバは、処理のために基板をチャンバに配置する前に冷却することが必要かもしれない。冷却の追加は、処理時間を増加させるので、処理能力を低下させることになる。同様に、洗浄の温度が堆積温度より低い場合には、チャンバは、処理のために基板をチャンバに配置する前に加熱されることが必要かもしれない。堆積された膜が層全体に実質的に均一な性質を有することを確実にするようにほぼ一定の堆積温度を維持することが好ましい場合がある。従って、洗浄が堆積温度より低い温度で行われる場合には、その中に基板を配置する前にチャンバを予熱することが必要かもしれない。追加の加熱は、基板処理能力を低下させることになる。
[0027]チャンバを洗浄するためのプラズマは、遠隔プラズマ源において遠隔で生成されてもよい。プラズマは、ＮＦ３、ＳＦ６、Ｆ２、又はこれらの組み合わせのようなフッ素ベースのエッチングガスを含んでいてもよい。更に、Ａｒ、Ｎ２Ｏ、及びこれらの組合わせのような一つ以上の添加ガスを存在させてもよい。酸素ガスがチャンバのさらされた領域に堆積される半導体材料を酸化するので、洗浄効率を変えることができることから、Ｏ２ガスは供給されないことが好ましい。
[0028]遠隔プラズマ源に印加される電力は、最大が約２５ｋＷであってもよい。一実施形態において、電力は、約２０ｋＷであってもよい。遠隔プラズマ源へ電力は、ガス流量と圧力の関数であってもよい。一実施形態において、フッ素ベースのエッチングガスは、約３０ｓｌｍ(即ち、毎分標準リットル)の流量を有してもよい。添加ガスは、最大が約３０ｓｌｍの流量で供給してもよい。フッ素ベースのガスと添加ガスの比は、約４：１〜約１：１であってもよい。一実施形態において、洗浄プロセスは、約６０秒〜約１２０秒の間続く。
[0029]大容積処理チャンバ(即ち、表面積が約５０,０００ｃｍ２以上の基板を受容するように適合された基板受容面を有する処理チャンバ)については、高圧(即ち、約１０トールより大きい)は、処理チャンバを有効に洗浄することが必要であり得る。驚くべきことに、低容積処理チャンバ(即ち、表面積が約５０,０００ｃｍ２未満の基板を受容するように適合された基板受容面を有する処理チャンバ)に充分である、低圧洗浄(即ち、約３００ミリトール〜約５００ミリトール)は、大容積処理チャンバを事実上洗浄することができない。
比較例１-１０
[0030]表Ｉは、低圧(即ち、約３００ミリトール〜約５００ミリトール)で種々の処理チャンバを洗浄する結果を示す表である。各々の比較例について、シリコン堆積プロセスがチャンバ内で行われた後にチャンバを洗浄した。種々の処理チャンバは、各々が各実施例に列挙される基板サイズを有する基板を受容するように適合された基板受容面を有する。各チャンバについて、二つの洗浄比較例を示す。各チャンバに対し第一洗浄例(実施例１Ａのように“Ａ”で設計される)は、３００ミリトールのチャンバ圧と摂氏２００度のチャンバ温度で行った。洗浄は、６０秒間行った。各チャンバに対し第二洗浄比較例(比較例１Ｂのように“Ｂ”によって設計される)は、５００ミリトールのチャンバ圧と摂氏２００度のチャンバ温度で行った。洗浄は、６０秒間行った。
比較例１Ａ及び比較例１Ｂ
[0031]表面積が約１,６００ｃｍ２の基板を受容するように適合された基板受容面を有する処理チャンバを、摂氏２００度の処理温度で６０秒間洗浄ガスプラズマにさらした。比較例１Ａにおいて、圧力は、３００ミリトールであった。比較例１Ｂにおいて、圧力は、５００ミリトールであった。比較例１Ａと比較例１Ｂの双方において、洗浄された処理チャンバの百分率は、９０パーセントを超え、１０パーセント未満の汚染物質が処理チャンバ内に残存した。
比較例２Ａ及び比較例２Ｂ
[0032]表面積が約４,３００ｃｍ２の基板を受容するように適合された基板受容面を有する処理チャンバを、摂氏２００度の処理温度で６０秒間洗浄ガスプラズマにさらした。比較例２Ａにおいて、圧力は、３００ミリトールであった。比較例２Ｂにおいて、圧力は、５００ミリトールであった。比較例２Ａと比較例２Ｂの双方において、洗浄された処理チャンバの百分率は、９０パーセントを超え、１０パーセント未満の汚染物質が処理チャンバ内に残存した。
比較例３Ａ及び比較例３Ｂ
[0033]表面積が約５,５００ｃｍ２の基板を受容するように適合された基板受容面を有する処理チャンバを、摂氏２００度の処理温度で６０秒間洗浄ガスプラズマにさらした。比較例３Ａにおいて、圧力は、３００ミリトールであった。比較例３Ｂにおいて、圧力は、５００ミリトールであった。比較例３Ａと比較例３Ｂの双方において、洗浄された処理チャンバの百分率は、９０パーセントを超え、１０パーセント未満の汚染物質が処理チャンバ内に残存した。
比較例４Ａ及び比較例４Ｂ
[0034]表面積が約１０,０００ｃｍ２の基板を受容するように適合された基板受容面を有する処理チャンバを、摂氏２００度の処理温度で６０秒間洗浄ガスプラズマにさらした。比較例４Ａにおいて、圧力は、３００ミリトールであった。比較例４Ｂにおいて、圧力は、５００ミリトールであった。比較例４Ａと比較例４Ｂの双方において、洗浄された処理チャンバの百分率は、９０パーセントを超え、１０パーセント未満の汚染物質が処理チャンバ内に残存した。
比較例５Ａ及び比較例５Ｂ
[0035]表面積が約１５,０００ｃｍ２の基板を受容するように適合された基板受容面を有する処理チャンバを、摂氏２００度の処理温度で６０秒間洗浄ガスプラズマにさらした。比較例５Ａにおいて、圧力は、３００ミリトールであった。比較例５Ｂにおいて、圧力は、５００ミリトールであった。比較例５Ａと比較例５Ｂの双方において、洗浄された処理チャンバの百分率は、９０パーセントを超え、１０パーセント未満の汚染物質が処理チャンバ内に残存した。
比較例６Ａ及び比較例６Ｂ
[0036]表面積が約２０,０００ｃｍ２の基板を受容するように適合された基板受容面を有する処理チャンバを、摂氏２００度の処理温度で６０秒間洗浄ガスプラズマにさらした。比較例６Ａにおいて、圧力は、３００ミリトールであった。比較例６Ｂにおいて、圧力は、５００ミリトールであった。比較例６Ａと比較例６Ｂの双方において、洗浄された処理チャンバの百分率は、９０パーセントを超え、１０パーセント未満の汚染物質が処理チャンバ内に残存した。
比較例７Ａ及び比較例７Ｂ
[0037]表面積が約２５,０００ｃｍ２の基板を受容するように適合された基板受容面を有する処理チャンバを、摂氏２００度の処理温度で６０秒間洗浄ガスプラズマにさらした。比較例７Ａにおいて、圧力は、３００ミリトールであった。比較例７Ｂにおいて、圧力は、５００ミリトールであった。比較例７Ａと比較例７Ｂの双方において、洗浄された処理チャンバの百分率は、９０パーセントを超え、１０パーセント未満の汚染物質が処理チャンバ内に残存した。
比較例８Ａ及び比較例８Ｂ
[0038]表面積が約４０,０００ｃｍ２の基板を受容するように適合された基板受容面を有する処理チャンバを、摂氏２００度の処理温度で６０秒間洗浄ガスプラズマにさらした。比較例８Ａにおいて、圧力は、３００ミリトールであった。比較例８Ｂにおいて、圧力は、５００ミリトールであった。比較例８Ａと比較例８Ｂの双方において、洗浄された処理チャンバの百分率は、９０パーセントを超え、１０パーセント未満の汚染物質が処理チャンバ内に残存した。
比較例９Ａ及び比較例９Ｂ
[0039]表面積が約５０,０００ｃｍ２の基板を受容するように適合された基板受容面を有する処理チャンバを、摂氏２００度の処理温度で６０秒間洗浄ガスプラズマにさらした。比較例９Ａにおいて、圧力は、３００ミリトールであった。比較例９Ｂにおいて、圧力は、５００ミリトールであった。比較例９Ａと比較例９Ｂの双方において、洗浄された処理チャンバの百分率は、わずかに約７５パーセントであり、２５パーセントもの汚染物質が処理チャンバ内に残存した。
比較例１０Ａ及び比較例１０Ｂ
[0040]表面積が約６０,０００ｃｍ２の基板を受容するように適合された基板受容面を有する処理チャンバを、摂氏２００度の処理温度で６０秒間洗浄ガスプラズマにさらした。比較例１０Ａにおいて、圧力は、３００ミリトールであった。比較例１０Ｂにおいて、圧力は、５００ミリトールであった。比較例１０Ａと比較例１０Ｂの双方において、洗浄された処理チャンバの百分率は、わずかに約５０パーセントであり、５０パーセントもの汚染物質が処理チャンバ内に残存した。
比較例１Ａ及び比較例１Ｂ
[0031]表面積が約１,６００ｃｍ２の基板を受容するように適合された基板受容面を有する処理チャンバを、摂氏２００度の処理温度で６０秒間洗浄ガスプラズマにさらした。比較例１Ａにおいて、圧力は、３００ミリトールであった。比較例１Ｂにおいて、圧力は、５００ミリトールであった。比較例１Ａと比較例１Ｂの双方において、洗浄された処理チャンバの百分率は、９０パーセントを超え、１０パーセント未満の汚染物質が処理チャンバ内に残存した。
比較例２Ａ及び比較例２Ｂ
[0032]表面積が約４,３００ｃｍ２の基板を受容するように適合された基板受容面を有する処理チャンバを、摂氏２００度の処理温度で６０秒間洗浄ガスプラズマにさらした。比較例２Ａにおいて、圧力は、３００ミリトールであった。比較例２Ｂにおいて、圧力は、５００ミリトールであった。比較例２Ａと比較例２Ｂの双方において、洗浄された処理チャンバの百分率は、９０パーセントを超え、１０パーセント未満の汚染物質が処理チャンバ内に残存した。
比較例３Ａ及び比較例３Ｂ
[0033]表面積が約５,５００ｃｍ２の基板を受容するように適合された基板受容面を有する処理チャンバを、摂氏２００度の処理温度で６０秒間洗浄ガスプラズマにさらした。比較例３Ａにおいて、圧力は、３００ミリトールであった。比較例３Ｂにおいて、圧力は、５００ミリトールであった。比較例３Ａと比較例３Ｂの双方において、洗浄された処理チャンバの百分率は、９０パーセントを超え、１０パーセント未満の汚染物質が処理チャンバ内に残存した。
比較例４Ａ及び比較例４Ｂ
[0034]表面積が約１０,０００ｃｍ２の基板を受容するように適合された基板受容面を有する処理チャンバを、摂氏２００度の処理温度で６０秒間洗浄ガスプラズマにさらした。比較例４Ａにおいて、圧力は、３００ミリトールであった。比較例４Ｂにおいて、圧力は、５００ミリトールであった。比較例４Ａと比較例４Ｂの双方において、洗浄された処理チャンバの百分率は、９０パーセントを超え、１０パーセント未満の汚染物質が処理チャンバ内に残存した。
比較例５Ａ及び比較例５Ｂ
[0035]表面積が約１５,０００ｃｍ２の基板を受容するように適合された基板受容面を有する処理チャンバを、摂氏２００度の処理温度で６０秒間洗浄ガスプラズマにさらした。比較例５Ａにおいて、圧力は、３００ミリトールであった。比較例５Ｂにおいて、圧力は、５００ミリトールであった。比較例５Ａと比較例５Ｂの双方において、洗浄された処理チャンバの百分率は、９０パーセントを超え、１０パーセント未満の汚染物質が処理チャンバ内に残存した。
比較例６Ａ及び比較例６Ｂ
[0036]表面積が約２０,０００ｃｍ２の基板を受容するように適合された基板受容面を有する処理チャンバを、摂氏２００度の処理温度で６０秒間洗浄ガスプラズマにさらした。比較例６Ａにおいて、圧力は、３００ミリトールであった。比較例６Ｂにおいて、圧力は、５００ミリトールであった。比較例６Ａと比較例６Ｂの双方において、洗浄された処理チャンバの百分率は、９０パーセントを超え、１０パーセント未満の汚染物質が処理チャンバ内に残存した。
比較例７Ａ及び比較例７Ｂ
[0037]表面積が約２５,０００ｃｍ２の基板を受容するように適合された基板受容面を有する処理チャンバを、摂氏２００度の処理温度で６０秒間洗浄ガスプラズマにさらした。比較例７Ａにおいて、圧力は、３００ミリトールであった。比較例７Ｂにおいて、圧力は、５００ミリトールであった。比較例７Ａと比較例７Ｂの双方において、洗浄された処理チャンバの百分率は、９０パーセントを超え、１０パーセント未満の汚染物質が処理チャンバ内に残存した。
比較例８Ａ及び比較例８Ｂ
[0038]表面積が約４０,０００ｃｍ２の基板を受容するように適合された基板受容面を有する処理チャンバを、摂氏２００度の処理温度で６０秒間洗浄ガスプラズマにさらした。比較例８Ａにおいて、圧力は、３００ミリトールであった。比較例８Ｂにおいて、圧力は、５００ミリトールであった。比較例８Ａと比較例８Ｂの双方において、洗浄された処理チャンバの百分率は、９０パーセントを超え、１０パーセント未満の汚染物質が処理チャンバ内に残存した。
比較例９Ａ及び比較例９Ｂ
[0039]表面積が約５０,０００ｃｍ２の基板を受容するように適合された基板受容面を有する処理チャンバを、摂氏２００度の処理温度で６０秒間洗浄ガスプラズマにさらした。比較例９Ａにおいて、圧力は、３００ミリトールであった。比較例９Ｂにおいて、圧力は、５００ミリトールであった。比較例９Ａと比較例９Ｂの双方において、洗浄された処理チャンバの百分率は、わずかに約７５パーセントであり、２５パーセントもの汚染物質が処理チャンバ内に残存した。
比較例１０Ａ及び比較例１０Ｂ
[0040]表面積が約６０,０００ｃｍ２の基板を受容するように適合された基板受容面を有する処理チャンバを、摂氏２００度の処理温度で６０秒間洗浄ガスプラズマにさらした。比較例１０Ａにおいて、圧力は、３００ミリトールであった。比較例１０Ｂにおいて、圧力は、５００ミリトールであった。比較例１０Ａと比較例１０Ｂの双方において、洗浄された処理チャンバの百分率は、わずかに約５０パーセントであり、５０パーセントもの汚染物質が処理チャンバ内に残存した。
[0041]表面積が約５０,０００ｃｍ２の基板を受容するように適合された基板受容面を有するチャンバについて、チャンバから洗浄されるシリコンの百分率は、９０パーセントより大きかった。しかしながら、表面積が約５０,０００ｃｍ２以上の基板を受容するように適合された基板受容面を有するチャンバについて、チャンバから洗浄されるシリコンの百分率は、９０パーセント未満であった。従って、表面積が約５０,０００ｃｍ２未満の基板を受容するように適合された基板受容面を有するチャンバを洗浄するように用いられる洗浄条件は、表面積が約５０,０００ｃｍ２以上の基板を受容するように適合された基板受容面を有するチャンバを洗浄するのに有効であり得なかった。
実施例１-実施例２
実施例１-実施例２
[0042]表面積が約５０,０００ｃｍ２以上の基板を受容するように適合された基板受容面を有する処理チャンバの圧力を上げることによって、処理チャンバは、有効に洗浄することができる。表ＩＩは、表面積が約５０,０００ｃｍ２以上の基板を受容するように適合された基板受容面を有する処理チャンバを洗浄する結果を示す表である。各チャンバについて、二つの洗浄実施例を示す。各チャンバに対する第一洗浄実施例(実施例１Ａのように“Ａ”によって設計される)は、１０トールのチャンバ圧と摂氏２００度のチャンバ温度で行った。洗浄は、６０秒間行った。各チャンバに対する第二洗浄実施例(実施例１Ｂのように“Ｂ”によって設計される)は、１５トールのチャンバ圧と摂氏２００度のチャンバ温度で行った。洗浄は、６０秒間行った。表ＩＩに示されるように、チャンバから洗浄されるシリコンのパーセントは９０パーセントより大きかった。
実施例１Ａ及び実施例１Ｂ
[0043]表面積が約５０,０００ｃｍ２の基板を受容するように適合された基板受容面を有する処理チャンバを、摂氏２００度の処理温度で６０秒間洗浄ガスプラズマにさらした。実施例１Ａにおいて、圧力は、１０トールであった。実施例１Ｂにおいて、圧力は、１５トールであった。実施例１Ａと実施例１Ｂの双方において、洗浄された処理チャンバの百分率は、９０パーセントを超え、１０パーセント未満の汚染物質が処理チャンバ内に残存した。
実施例２Ａ及び実施例２Ｂ
[0044]表面積が約６０,０００ｃｍ２の基板を受容するように適合された基板受容面を有する処理チャンバを、摂氏２００度の処理温度で６０秒間洗浄ガスプラズマにさらした。実施例２Ａにおいて、圧力は、１０トールであった。実施例２Ｂにおいて、圧力は、１５トールであった。実施例２Ａと実施例２Ｂの双方において、洗浄された処理チャンバの百分率は、９０パーセントを超え、１０パーセント未満の汚染物質が処理チャンバ内に残存した。
実施例１Ａ及び実施例１Ｂ
[0043]表面積が約５０,０００ｃｍ２の基板を受容するように適合された基板受容面を有する処理チャンバを、摂氏２００度の処理温度で６０秒間洗浄ガスプラズマにさらした。実施例１Ａにおいて、圧力は、１０トールであった。実施例１Ｂにおいて、圧力は、１５トールであった。実施例１Ａと実施例１Ｂの双方において、洗浄された処理チャンバの百分率は、９０パーセントを超え、１０パーセント未満の汚染物質が処理チャンバ内に残存した。
実施例２Ａ及び実施例２Ｂ
[0044]表面積が約６０,０００ｃｍ２の基板を受容するように適合された基板受容面を有する処理チャンバを、摂氏２００度の処理温度で６０秒間洗浄ガスプラズマにさらした。実施例２Ａにおいて、圧力は、１０トールであった。実施例２Ｂにおいて、圧力は、１５トールであった。実施例２Ａと実施例２Ｂの双方において、洗浄された処理チャンバの百分率は、９０パーセントを超え、１０パーセント未満の汚染物質が処理チャンバ内に残存した。
[0045]表面積が約５０,０００ｃｍ２の基板を受容するように適合された基板受容面を有する処理チャンバのための洗浄特性を比較すると(即ち、それぞれ表ＩＩの実施例１Ａ、１Ｂ、２Ａ、２Ｂと表Ｉの実施例９Ａ、９Ｂ、１０Ａ、１０Ｂ)、処理条件の唯一の差は、圧力である。しかしながら、高圧下で洗浄される処理チャンバは、より効果的に洗浄された。実際に、高圧条件下で洗浄される大きなチャンバ(即ち、表面積が約５０,０００ｃｍ２以上の基板を受容するように適合された基板受容面を有する処理チャンバ)は、より小さなチャンバ(即ち、表面積が約５０,０００ｃｍ２未満の基板を受容するように適合された基板受容面を有するチャンバ)が低圧条件下で洗浄されたように効果的に洗浄された。従って、大面積チャンバは、高圧(即ち、約１０トール以上)を用いることによって有効に洗浄することができる。
[0046]上記は本発明の実施形態に関するものであるが、本発明の他の多くの実施形態が本発明の基本範囲から逸脱せずに構成されてもよく、本発明の範囲は以下の特許請求の範囲によって決定される。
１００…処理装置、１０２…ＰＥＣＶＤチャンバ、１０６…サスセプタ、１０８…基板、１１０…シャワーヘッド、１１２…リッド、１１４…ブラケット、１１６…ガス通路、１２２…アクチュエータ、１２４…真空ポンプ、１２６…接地ストラアップ、１２８…ＲＦ電源、１３０…遠隔プラズマ源、１３２…ガス源、１３６…プレナム、１３８…上流側、１４０…下流側、１４２…リフトピン、２００…単接合型ソーラーセル、２０２…基板、２０４…ｐドープ半導体層、２０８…ｎドープ半導体層、２１０…太陽、３００…ソーラーセル、３０２…太陽、３０６…第一セル、３０８…第二セル、３１０…ｐドープ半導体層、３１２…真性半導体層、３１４…ｎドープ半導体層、３１６…ｐドープ半導体層、３１８…真性半導体層。
Claims (15)
- チャンバの洗浄方法であって、
遠隔プラズマ源に洗浄ガスを流すステップと、
該遠隔プラズマ源においてプラズマに点火するステップと、
表面積が約５０,０００平方センチメートル以上の基板を受容する大きさの処理チャンバに該プラズマを導入するステップであって、該チャンバが約１０トール以上の圧力に維持されるステップと、
該プラズマで該チャンバを洗浄するステップと、
を含む、前記方法。 - 該洗浄ガスが、ＮＦ３とＮ２Ｏを約４：１〜約１：１のＮＦ３とＮ２Ｏの流量比で含む、請求項１に記載の方法。
- 該洗浄ガスが、ＮＦ３、Ｆ２、ＳＦ６、及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる少なくとも一つのガスを含む、請求項１に記載の方法。
- 該チャンバの温度が、洗浄中、摂氏約１７５度と摂氏約２２５度の間にある、請求項１に記載の方法。
- 該圧力が、約１０トールと約１５トールの間にある、請求項１に記載の方法。
- ソーラーセルの製造方法であって、
第一チャンバ内で第一基板の上に第一シリコン膜を堆積させるステップであって、該基板が約５０,０００平方センチメートル以上の表面積を有する、前記ステップと、
該第一チャンバから該第一基板を取り出すステップと、
該第一チャンバを洗浄するステップであって、該洗浄するステップが、該第一チャンバを洗浄ガスで約１０トール以上の圧力でプラズマ洗浄する工程を含む、前記ステップと、
該第一チャンバに第二基板を導入するステップと、
該第二基板の上に第二シリコン膜を堆積させるステップと、
を含む、前記方法。 - 該ソーラーセルが、単接合型ソーラーセルを備えている、請求項６に記載の方法。
- 該ソーラーセルが、タンデム接合型ソーラーセルを備えている、請求項６に記載の方法。
- 該洗浄ガスが、ＮＦ３とＮ２Ｏを約４：１〜約１：１のＮＦ３とＮ２Ｏの流量比で含む、請求項６に記載の方法。
- 該洗浄ガスが、ＮＦ３、Ｆ２、ＳＦ６、及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる少なくとも一つのガスを含む、請求項６に記載の方法。
- 該チャンバの温度が、洗浄中、摂氏約１７５度と摂氏約２２５度の間にある、請求項６に記載の方法。
- 該圧力が、約１０トールと約１５トールの間にある、請求項６に記載の方法。
- シリコン堆積チャンバの洗浄方法であって、
該チャンバに洗浄ガスプラズマを導入するステップであって、該チャンバが、約５０，０００ｃｍ２以上の面積を有する基板を受容するように適合された基板受容面を持ち且つ約１０トール以上の圧力に維持され、該プラズマが、フッ素基を含んでいる、前記ステップと、
フッ素基と該チャンバ上に堆積されたシリコンとを反応させて、該シリコンを除去するステップと、
を含む、前記方法。 - 該チャンバの温度が、該反応中、摂氏約１７５度と摂氏約２２５度の間にある、請求項１３に記載の方法。
- 該圧力が、約１０トールと約１５トールの間にある、請求項１３に記載の方法。
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2008
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