TWI695442B - 清潔方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種可縮短清潔時間來進行均勻性高的清潔之清潔方法。
一實施型態之清潔方法包含有：第1清潔工序，係使可在處理室內將基板載置於上面之旋轉台在第1清潔位置處旋轉之狀態下，從該旋轉台的基板載置面上方來供應清潔氣體；及第2清潔工序，係使該旋轉台在較該第1清潔位置要下方處，即第2清潔位置處旋轉之狀態下，從該旋轉台的基板載置面上方來供應該清潔氣體。

Description

清潔方法
本發明關於一種清潔方法。
在使用於半導體裝置等的製造之成膜裝置中，不僅是基板的上面，且亦會有膜沉積在基板所載置之旋轉台的上面、側面、下面等。然後，若沉積在旋轉台的上面、側面、下面等之膜的膜厚變厚，則所沉積的膜便會剝落而產生微粒。於是，會對處理室內定期地供應清潔氣體，來將沉積在旋轉台的上面、側面、下面等之膜去除(例如參閱專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2010-153805號公報
然而，上述方法中，由於供應清潔氣體之噴嘴與旋轉台的間隔狹窄，故從噴嘴所供應之清潔氣體的流速很快，使得很多的清潔氣體會在將沉積在旋轉台上面的膜去除之前便被排出。於是，將沉積在旋轉台上面的膜加以去除的所需清潔時間便會變長，又，將旋轉台的面內所沉積之膜加以去除的時間會產生差異。
因此，本發明一樣態中，其目的為提供一種可縮短清潔時間來進行均勻性高的清潔之清潔方法。
為達成上述目的，本發明一樣態之清潔方法包含有：第1清潔工序，係使可在處理室內將基板載置於上面之旋轉台在第1清潔位置處旋轉之狀 態下，從該旋轉台的基板載置面上方來供應清潔氣體；以及第2清潔工序，係使該旋轉台在較該第1清潔位置要下方處，即第2清潔位置處旋轉之狀態下，從該旋轉台的基板載置面上方來供應該清潔氣體。
依據所揭示之清潔方法，便可縮短清潔時間來進行均勻性高的清潔。
1‧‧‧真空容器
2‧‧‧旋轉台
2a‧‧‧凹部
5‧‧‧突出部
31‧‧‧反應氣體噴嘴
32‧‧‧反應氣體噴嘴
33‧‧‧清潔氣體噴嘴
51‧‧‧分離氣體供應管
C‧‧‧中心區域
D‧‧‧分離區域
P1‧‧‧第1處理區域
P2‧‧‧第2處理區域
W‧‧‧晶圓
圖1為本發明實施型態相關之成膜裝置的概略剖視圖。
圖2係顯示圖1之成膜裝置的真空容器內構成之概略立體圖。
圖3係顯示圖1之成膜裝置的真空容器內構成之概略俯視圖。
圖4係沿著圖1之成膜裝置的旋轉台同心圓之真空容器的概略剖視圖。
圖5係用以說明圖1之成膜裝置的分離區域之概略剖視圖。
圖6係顯示本發明實施型態的清潔方法一例之時序圖。
圖7係用以說明圖1之成膜裝置的旋轉台升降動作之概略剖視圖(1)。
圖8係用以說明圖1之成膜裝置的旋轉台升降動作之概略剖視圖(2)。
圖9係顯示本發明實施型態的清潔方法其他例之時序圖。
以下，針對用以實施本發明之型態，參閱圖式來加以說明。此外，在本說明書及圖式中，針對實質相同的構成則賦予相同的符號而省略重複說明。
(成膜裝置)
首先，針對可應用本發明實施型態相關的清潔方法之成膜裝置一例來加以說明。圖1為本發明實施型態相關之成膜裝置的概略剖視圖。圖2係顯示圖1之成膜裝置的真空容器內構成之概略立體圖。圖3係顯示圖1之成膜裝置的真空容器內構成之概略俯視圖。此外，圖2及圖3中，為了便於說明，而省略頂板的圖示。
參閱圖1至圖3，成膜裝置係具備有具有大致呈圓形的平面形狀之扁平 的真空容器1；以及設置於真空容器1內，而於真空容器1的中心具有旋轉中心之旋轉台2。真空容器1係用以對內部所收納之基板(即半導體晶圓，以下稱作「晶圓W」。)的上面進行成膜處理之處理室。真空容器1係具備有具有有底的圓筒形狀之容器本體12；以及可透過例如O型環等密封組件13而相對於容器本體12的上面來氣密地裝卸所配置之頂板11。
旋轉台2係可旋轉地設置於真空容器1內。旋轉台2係由例如石英所形成。旋轉台2係以中心部而被固定在圓筒形狀的芯部21。芯部21係被固定在延伸於鉛直方向之旋轉軸22的上端。旋轉軸22係貫穿真空容器1的底部14，且下端被安裝在驅動部23。驅動部23係包含有例如空壓缸與步進馬達，而藉由使旋轉軸22升降來讓旋轉台2升降，並且藉由使旋轉軸22繞鉛直軸旋轉來讓旋轉台2旋轉。旋轉軸22及驅動部23係收納在上面呈開口之筒狀殼體20內。殼體20係其上面所設置之凸緣部會透過可於鉛直方向伸縮之伸縮管16而氣密地被安裝在真空容器1之底部14的下面，來維持殼體20的內部氛圍與外部氛圍之氣密狀態。當旋轉台2升降的情況，由於伸縮管16會對應於旋轉台2的升降而伸縮，故可維持殼體20的內部氛圍與外部氛圍之氣密狀態。
旋轉台2的上面如圖2及圖3所示，係沿著旋轉台2的旋轉方向(圓周方向)而設置有可載置複數(圖示之例中為6片)晶圓W之圓形的凹部2a。此外，圖3中為了方便，而僅於1個凹部2a顯示出晶圓W。凹部2a係具有較晶圓W的直徑稍大(例如4mm)的內徑，與大致相等於晶圓W的厚度之深度。於是，當晶圓W被收納在凹部2a時，則晶圓W的表面與旋轉台2的表面(未載置有晶圓W之區域)便會成為相同高度。凹部2a的底面係形成有可供用以支撐晶圓W內面來使晶圓W升降的例如3根升降銷貫穿之貫穿孔(皆未圖示)。
旋轉台2的上方，如圖2及圖3所示，係於真空容器1的圓周方向相距間隔而配置有例如由石英所形成之反應氣體噴嘴31、32、清潔氣體噴嘴33及分離氣體噴嘴41、42。圖示之範例中，係從後述的搬送口15於順時針方向(旋轉台2的旋轉方向)依序配列有分離氣體噴嘴41、清潔氣體噴嘴 33、反應氣體噴嘴31、分離氣體噴嘴42及反應氣體噴嘴32。該等噴嘴31、32、33、41、42係藉由將各噴嘴31、32、33、41、42的基端部(即氣體導入埠31a、32a、33a、41a、42a(圖3))固定在容器本體12的外周面，而從真空容器1的外周面被導入至真空容器1內，並沿著容器本體12的徑向相對於旋轉台2水平地延伸般來加以安裝。
本發明之實施型態中，如圖3所示，反應氣體噴嘴31係透過配管110、流量控制器120等而連接於第1反應氣體的供應源130。反應氣體噴嘴32係透過配管111、流量控制器121等而連接於第2反應氣體的供應源131。清潔氣體噴嘴33係透過配管112、流量控制器122等而連接於清潔氣體的供應源132。分離氣體噴嘴41、42皆係透過圖中未顯示之配管、流量控制閥等而連接於分離氣體的供應源(圖中未顯示)。分離氣體可使用氦(He)氣或氬(Ar)氣等稀有氣體或氮(N2)氣等非活性氣體。本發明之實施型態中，係舉使用N2氣體為例來加以說明。
朝向旋轉台2呈開口之複數氣體噴出孔35(圖4)係沿著反應氣體噴嘴31、32的長度方向而以例如10mm的間隔配列在反應氣體噴嘴31、32。反應氣體噴嘴31的下方區域會成為用以讓第1反應氣體吸附在晶圓W之第1處理區域P1。反應氣體噴嘴32的下方區域則會成為用以供應會與在第1處理區域P1處吸附於晶圓W的第1反應氣體反應之第2反應氣體，來生成反應生成物的分子層之第2處理區域P2。此外，反應生成物的分子層便構成了所沉積(成膜)之膜。
第1反應氣體雖可為各種氣體，但一般來說係選擇會成為所成膜的膜原料之原料氣體，例如成膜出矽氧化膜的情況係選擇二(特丁胺基)矽烷(BTBAS)氣體等含矽氣體。
第2反應氣體只要是能夠與第1反應氣體反應來生成反應生成物之反應氣體，則可使用各種反應氣體，例如成膜出矽氧化膜的情況係選擇臭氧(O3)氣體等氧化氣體。
清潔氣體噴嘴33係在進行清潔之際所使用的氣體噴嘴。清潔氣體噴嘴33係與反應氣體噴嘴31、32相同地，朝向旋轉台2呈開口之複數氣體噴出 孔(圖中未顯示)乃沿著清潔氣體噴嘴33的長度方向而以例如10mm的間隔加以配列。圖示之範例中，清潔氣體噴嘴33會對第1處理區域P1供應清潔氣體。此外，清潔氣體噴嘴33亦可設置於可對第2處理區域P2供應清潔氣體之位置處。又，亦可設置於可對第1處理區域P1供應清潔氣體之位置及可對第2處理區域P2供應清潔氣體之位置。清潔氣體可為各種氣體，例如去除矽氧化膜的情況，係選擇氟化氯(ClF3)、三氟化氮(NF3)等氟系氣體。又，亦可將該等氣體加以組合。
參閱圖2及圖3，真空容器1內係設置有2個凸狀部4。由於凸狀部4係與分離氣體噴嘴41、42一同構成分離區域D，因此係朝向旋轉台2突出般地安裝在頂板11的下面。又，凸狀部4係具有頂部被裁切成圓弧狀的扇型平面形狀，在本發明之實施型態中，內圓弧係連結於突出部5(後述)，而外圓弧係沿著真空容器1之容器本體12的內周面所加以配置。
圖4為沿著圖1之成膜裝置的旋轉台同心圓之真空容器的概略剖視圖，係顯示從反應氣體噴嘴31至反應氣體噴嘴32來沿著旋轉台2的同心圓之真空容器1的剖面。此外，圖4中為了便於說明，而省略晶圓W的圖示。
如圖4所示，頂板11的下面係安裝有凸狀部4。因此，真空容器1內便會存在有為凸狀部4的下面之平坦的低頂面44(第1頂面)，與位在該頂面44的圓周方向兩側而較頂面44要高之頂面45(第2頂面)。頂面44係具有頂部被裁切成圓弧狀的扇型平面形狀。又，如圖4所示，凸狀部4係在圓周方向的中央處形成有延伸於徑向般所形成之溝部43，而將分離氣體噴嘴42收納在溝部43內。另一凸狀部4亦同樣地形成有溝部43，而將分離氣體噴嘴41收納在溝部43內。又，高頂面45的下方空間係分別設置有反應氣體噴嘴31、32。該等反應氣體噴嘴31、32係自頂面45分離而設置在晶圓W的附近。此外，如圖4所示，高頂面45下方的右側空間481係設置有反應氣體噴嘴31，而高頂面45下方的左側空間482則設置有反應氣體噴嘴32。
又，朝向旋轉台2呈開口之複數氣體噴出孔42h(圖4)係沿著分離氣體噴嘴41、42的長度方向而以例如10mm的間隔配列在凸狀部4的溝部43 所收納之分離氣體噴嘴41、42。
頂面44係相對於旋轉台2而形成有為狹窄空間之分離空間H。當從分離氣體噴嘴42的氣體噴出孔42h供應N2氣體時，N2氣體便會通過分離空間H而朝向空間481及空間482流動。此時，由於分離空間H的容積小於空間481及482的容積，因此便可藉由N2氣體來使分離空間H的壓力較空間481及482的壓力為高。亦即，空間481及482之間會形成有壓力高的分離空間H。又，從分離空間H朝空間481及482流出的N2氣體會相對於來自第1處理區域P1的第1反應氣體與來自第2處理區域P2的第2反應氣體來作為對向流而作用。於是，來自第1處理區域P1的第1反應氣體與來自第2處理區域P2的第2反應氣體便會因分離空間H而被分離。藉此，便可抑制第1反應氣體與第2反應氣體在真空容器1內混合而發生反應。
此外，頂面44相對於旋轉台2的上面之高度h1較佳宜考量成膜時的真空容器1內壓力、旋轉台2的旋轉速度、分離氣體的供應量等，而設定為使分離空間H的壓力較空間481、482的壓力為高之適當高度。
另一方面，頂板11的下面係設置有圍繞著固定旋轉台2之芯部21的外周之突出部5(圖2及圖3)。突出部5在本發明之實施型態中，係與凸狀部4處之旋轉中心側的部位呈連續，其下面係形成為與頂面44相同高度。
先前所參閱之圖1係沿著圖3的I-I’線之剖視圖，係顯示設置有頂面45之區域。另一方面，圖5係顯示設置有頂面44之區域的剖視圖。如圖5所示，扇型凸狀部4的周緣部(真空容器1的外緣側部位)係形成有對向於旋轉台2的外端面般而呈L字型彎曲之彎曲部46。彎曲部46係與凸狀部4同樣地，會抑制反應氣體從分離區域D的兩側侵入，來抑制第1反應氣體與第2反應氣體的混合。扇型凸狀部4係設置在頂板11，由於可將頂板11自容器本體12卸下，故彎曲部46的外周面與容器本體12之間便會存在有微小間隙。彎曲部46的內周面與旋轉台2的外端面之間隙，以及彎曲部46的外周面與容器本體12之間隙係設定為例如與頂面44相對於旋轉台2的上面之高度為相同尺寸。
容器本體12的內周面雖在分離區域D處，係如圖5所示般地與彎曲部 46的外周面接近而形成為垂直面，但在分離區域D以外的區域處，則係如圖1所示般地，例如，從與旋轉台2的外端面呈對向之部位橫跨底部14而朝外方側凹陷。以下，為了便於說明，便將具有大致呈矩形的剖面形狀之凹陷部分記載為排氣區域。具體來說，係將連通於第1處理區域P1之排氣區域記載為第1排氣區域E1，而將連通於第2處理區域P2之區域記載為第2排氣區域E2。第1排氣區域E1及第2排氣區域E2的底部如圖1至圖3所示，係分別形成有第1排氣口61及第2排氣口62。第1排氣口61及第2排氣口62如圖1所示，係分別透過排氣管63而連接於為真空排氣機構之例如真空幫浦64。又，真空幫浦64與排氣管63之間係設置有壓力控制器65。
旋轉台2與真空容器1的底部14之間的空間如圖1及圖5所示，係設置有為加熱機構之加熱器單元7，而透過旋轉台2來將旋轉台2上的晶圓W加熱至製程配方所決定的溫度。旋轉台2之周緣附近的下方側係設置有環狀的罩組件71(圖5)。藉此，便可將從旋轉台2的上方空間至第1排氣區域E1、第2排氣區域E2之氛圍與設置有加熱器單元7之氛圍加以區劃，來抑制氣體朝旋轉台2的下方區域侵入。罩組件71係具備有從下方側面臨旋轉台2的外緣部及較外緣部要外周側般所設置之內側組件71a，以及設置於內側組件71a與真空容器1的內周面之間之外側組件71b。外側組件71b係在分離區域D中凸狀部4的外緣部所形成之彎曲部46的下方處，而接近彎曲部46所設置。內側組件71a則係在旋轉台2的外緣部下方(以及較外緣部要稍靠外側之部分的下方)處，遍布整周地圍繞加熱器單元7。
較配置有加熱器單元7之空間更靠旋轉中心側的部位處之底部14係接近旋轉台2下面的中心部附近處之芯部21般地朝上方側突出而構成了突出部12a。突出部12a與芯部21之間係成為狹窄空間，又，貫穿底部14之旋轉軸22之貫穿孔的內周面與旋轉軸22之間隙會變得狹窄，該等狹窄空間係連通於殼體20。然後，殼體20係設置有用以將為吹淨氣體之N2氣體供應至狹窄空間內來加以吹淨之吹淨氣體供應管72。又，真空容器1的底部14係設置有在加熱器單元7的下方處，而於圓周方向以特定的角度間隔來 將加熱器單元7的配置空間加以吹淨之複數吹淨氣體供應管73(圖5中係顯示一個吹淨氣體供應管73)。又，為了抑制氣體朝設置有加熱器單元7之區域侵入，加熱器單元7與旋轉台2之間係設置有遍布圓周方向而覆蓋外側組件71b的內周面(內側組件71a的上面)至突出部12a的上端部之間之蓋組件7a。蓋組件7a係由例如石英所形成。
又，真空容器1之頂板11的中心部係連接有分離氣體供應管51，而構成為會對頂板11與芯部21之間的空間52供應為分離氣體之N2氣體。被供應至空間52之分離氣體會透過突出部5與旋轉台2的狹窄空間50，而沿著旋轉台2之晶圓載置區域側的上面朝向周緣被噴出。空間50可藉由分離氣體而被維持在較空間481及空間482要高之壓力。於是，藉由空間50，則被供應至第1處理區域P1之BTBAS氣體與被供應至第2處理區域P2之O3氣體便會被抑制通過中心區域C而混合。亦即，空間50(或中心區域C)可發揮與分離空間H(或分離區域D)同樣的功能。
再者，真空容器1的側壁如圖2及圖3所示，係形成有用以在外部的搬送臂10(圖3)與旋轉台2之間進行晶圓W的傳遞之搬送口15。搬送口15係藉由閘閥(圖中未顯示)而開閉。又，旋轉台2中之晶圓載置區域，即凹部2a係在對向於搬送口15之位置處，而在與搬送臂10之間進行晶圓W的傳遞。因此，旋轉台2的下方側處在對應於傳遞位置之部位係設置有貫穿凹部2a來將晶圓W從內面抬舉之傳遞用的升降銷及其升降機構(皆未圖示)。
又，本發明實施型態相關的成膜裝置如圖1所示，係設置有用以進行裝置整體動作的控制之電腦所構成的控制部100。控制部100的記憶體內係儲存有在控制部100的控制下，使成膜裝置實施後述清潔方法之程式。程式係包含有執行後述清潔方法之步驟群。程式係被記憶在硬碟、光碟、磁光碟、記憶卡、軟碟等之媒體102，且藉由特定的讀取裝置而被讀入記憶部101，並安裝在控制部100內。
(成膜方法)
接下來，針對本發明實施型態相關之成膜裝置的成膜方法(成膜工序)來加以說明。以下，係舉成膜出矽氧化膜的情況為例來加以說明。
首先，使凹部2a成為對向於搬送口15(圖2及圖3)之位置般來使旋轉台2旋轉後，打開閘閥(圖中未顯示)。接著，藉由搬送臂10而透過搬送口15來將晶圓W朝真空容器1內搬入。晶圓W係藉由升降銷(圖中未顯示)來收取，當搬送臂10自真空容器1退出後，則會藉由以升降機構(圖中未顯示)來驅動之升降銷而朝凹部2a被降下。重複上述一連串的動作6次，來將6片晶圓W載置於相對應的凹部2a。
接著，從分離氣體噴嘴41、42供應N2氣體，且亦從分離氣體供應管51及吹淨氣體供應管72、73來供應N2氣體，並且，藉由真空幫浦64及壓力控制器65(圖1)來將真空容器1內維持在預先設定的壓力。又，使旋轉台2以特定的速度而例如繞順時針(圖3之箭頭A方向)地旋轉。旋轉台2會藉由加熱器單元7而預先被加熱至特定的溫度，藉此，旋轉台2所載置之晶圓W便會受到加熱。當晶圓W被加熱而維持在特定的溫度後，從反應氣體噴嘴31來對第1處理區域P1供應BTBAS氣體，且從反應氣體噴嘴32來對第2處理區域P2供應O3氣體。
當晶圓W通過反應氣體噴嘴31下方的第1處理區域P1時，BTBAS分子會吸附在晶圓W的表面。又，當晶圓W通過反應氣體噴嘴32下方的第2處理區域P2時，藉由O3分子會吸附在晶圓W的表面，則BTBAS分子便會因O3而被氧化。於是，藉由旋轉台2的旋轉，當晶圓W通過第1處理區域P1及第2處理區域P2兩者一次，則晶圓W的表面便會形成有一層氧化矽的分子層(或2層以上的分子層)。接下來，使晶圓W交互地通過第1處理區域P1及第2處理區域P2複數次，而於晶圓W的表面沉積具有特定膜厚的矽氧化膜。當沉積有具有特定膜厚的矽氧化膜後，便停止BTBAS氣體及O3氣體的供應，且停止旋轉台2的旋轉。然後，藉由和搬入動作相反的動作，而藉由搬送臂10來將晶圓W從真空容器1搬出，便結束成膜製程。
如此般地，成膜工序中，便可於晶圓W的表面成膜出為BTBAS氣體與O3氣體的反應生成物之矽氧化膜。
然而成膜工序中，由於氣體不僅是晶圓W的表面，且亦會曝露在旋轉 台2的上面、側面、下面等，故不僅是晶圓W的表面，且旋轉台2的上面、側面、下面等亦會成膜有矽氧化膜等反應生成物。然後，若成膜於旋轉台2的上面、側面、下面等之矽氧化膜等反應生成物的膜厚變厚，則反應生成物便會剝落而成為微粒。如上所述般地，若真空容器1內產生微粒，則成膜於晶圓W表面之矽氧化膜的膜中便會含有微粒，而導致膜質降低。
於是，當旋轉台2的上面成膜有特定膜厚的反應生成物之情況、成膜於晶圓W之矽氧化膜膜中所含的微粒超過特定量之情況、或經過特定的連續運轉時間之情況等，一般來說便會進行清潔。
然而，當供應清潔氣體之噴嘴與旋轉台的間隔狹窄之情況，由於從噴嘴所供應之清潔氣體的流速很快，故會有很多的清潔氣體在將沉積在旋轉台上面的膜去除之前便被排出。於是，將沉積在旋轉台上面的膜加以去除的所需清潔時間便會變長，又，在旋轉台的面內來去除所沉積之膜的時間會產生差異。
以下，便針對可縮短清潔時間來進行均勻性高的清潔之本發明實施型態相關的清潔方法來加以說明。
(清潔方法)
接下來，針對本發明實施型態相關的清潔方法加以說明。本發明實施型態相關的清潔方法係包含有使旋轉台2上下方向的位置相異來進行之2個清潔工序(第1清潔工序及第2清潔工序)。第1清潔工序係在真空容器1內使旋轉台2在第1清潔位置處旋轉之狀態下，從旋轉台2的基板載置面上方來供應清潔氣體之工序。第2清潔工序係使旋轉台2在較第1清潔位置要下方之第2清潔位置處旋轉之狀態下，從旋轉台2的基板載置面上方來供應清潔氣體之工序。第1清潔工序及第2清潔工序中所使用之清潔氣體可為相同的氣體，或是相異的氣體。
以下，係例舉使用前述成膜方法來成膜出矽氧化膜時，將沉積在旋轉台2的上面、側面、下面等之矽氧化膜等反應生成物加以去除的情況來加以說明。圖6係顯示本發明實施型態的清潔方法一例之時序圖。圖7及圖8係用以說明圖1之成膜裝置的旋轉台升降動作之概略剖視圖，圖7係顯示 使旋轉台上升時的狀態，圖8係顯示使旋轉台下降時的狀態。
如圖6所示，本發明實施型態的清潔方法係包含有第1吹淨工序、第1清潔工序、第2清潔工序及第2吹淨工序，且依序進行該等工序。此外，亦可省略第1吹淨工序及第2吹淨工序。
首先，第1吹淨工序中，係在晶圓W尚未被載置於旋轉台2的凹部2a之狀態下，藉由驅動部23來使旋轉台2朝up位置移動，並從分離氣體噴嘴41、42、分離氣體供應管51及吹淨氣體供應管72、73來供應N2氣體。此時，係藉由真空幫浦64及壓力控制器65來將真空容器1內維持在預先設定的壓力。藉此，則真空容器1內便會成為N2氣體氛圍。
接著，第1清潔工序中，如圖7所示，係使旋轉台2維持在up位置之狀態下以特定的速度旋轉，並從清潔氣體噴嘴33來對第1處理區域P1供應ClF3氣體。經過第1時間T1後，便停止ClF3氣體的供應。第1時間T1可對應於旋轉台2的上面、側面、下面等所沉積之反應生成物的膜厚來設定。
接著，第2清潔工序中，如圖8所示，係藉由驅動部23來使旋轉台2朝down位置移動，而在down位置處以特定的速度旋轉，並從清潔氣體噴嘴33來對第1處理區域P1供應ClF3氣體。down位置為較up位置要下方之位置。經過第2時間T2後，便停止ClF3氣體的供應。第2時間T2可對應於旋轉台2的上面、側面、下面等所沉積之反應生成物的膜厚來設定。
接著，第2吹淨工序中，係使旋轉台2維持在down位置之狀態下，從分離氣體噴嘴41、42、分離氣體供應管51及吹淨氣體供應管72、73來供應N2氣體。此時，係藉由真空幫浦64及壓力控制器65來將真空容器1內維持在預先設定的壓力。經過特定時間後，便停止來自分離氣體噴嘴41、42、分離氣體供應管51及吹淨氣體供應管72、73之N2氣體的供應，而結束清潔處理。
本發明實施型態相關的清潔方法中，係在旋轉台2的上下方向位置相異之2個位置(up位置及down位置)處，對真空容器1內供應清潔氣體來進行旋轉台2的上面、側面、下面等之清潔。在up位置處，由於旋轉台2之 上面與清潔氣體噴嘴33的間隔狹窄，故可提高從清潔氣體噴嘴33所供應之ClF3氣體的流速來縮短滯留在旋轉台2上面的時間。藉此，便可提高旋轉台2的側面及下面所沉積之矽氧化膜等反應生成物的蝕刻速度。而在down位置處，由於旋轉台2之上面與清潔氣體噴嘴33的間隔寬廣，故可降低從清潔氣體噴嘴33所供應之ClF3氣體的流速來延長滯留時間。藉此，便可提高旋轉台2的上面所沉積之矽氧化膜等反應生成物的蝕刻速度。如此般地，便可在up位置處有效率地去除旋轉台2的側面及下面所沉積之矽氧化膜等反應生成物，並且，在down位置處有效率地去除旋轉台2的上面所沉積之矽氧化膜等反應生成物。其結果，便可縮短清潔時間來進行均勻性高的清潔。
又，較佳宜依據旋轉台2的上面所沉積之矽氧化膜等反應生成物的沉積量與旋轉台2的側面及/或下面所沉積之矽氧化膜等反應生成物的沉積量，來決定第1時間T1與第2時間T2的比率。具體來說，若旋轉台2的上面所沉積之矽氧化膜等反應生成物的沉積量多於旋轉台2的側面及/或下面所沉積之矽氧化膜等反應生成物的沉積量之情況，較佳宜使第2時間T2較第1時間T1要來得長。相對於此，若旋轉台2的側面及/或下面所沉積之矽氧化膜等反應生成物的沉積量多於旋轉台2的上面所沉積之矽氧化膜等反應生成物的沉積量之情況，較佳則使第1時間T1要第2時間T2要來得長。
又，第2清潔工序中，較佳係使從分離氣體供應管51所供應之N2氣體的流量較第1清潔工序要來得小。藉此，則從旋轉台2的中心區域C朝向第1排氣區域E1、第2排氣區域E2流動之清潔氣體的流速便會變低。於是，清潔氣體滯留在旋轉台2上面的時間便會變長，可更有效率地去除旋轉台2的上面所沉積之矽氧化膜等反應生成物。
上述實施型態相關之清潔方法中，雖已例舉在第1清潔工序中於up位置處進行清潔，接著在第2清潔工序中於down位置處進行清潔的情況來加以說明，但並未限定於此。
圖9係顯示本發明實施型態的清潔方法其他例之時序圖。
本發明實施型態相關的清潔方法中，例如圖9(a)所示，亦可在第2清潔 工序後來進行第1清潔工序。此外，第1清潔工序係使旋轉台2維持在up位置之狀態來進行清潔之工序。又，第2清潔工序係使旋轉台2維持在down位置之狀態來進行清潔之工序。
又，例如圖9(b)所示，亦可在第1清潔工序後，且為第2清潔工序前來進行第3清潔工序。此外，第3清潔工序係使旋轉台2一邊從up位置朝down位置下降一邊進行清潔之工序。
又，例如圖9(c)所示，亦可在第2清潔工序後，且為第1清潔工序前來進行第4清潔工序。此外，第4清潔工序係使旋轉台2一邊從down位置朝up位置上升一邊進行清潔之工序。
又，例如圖9(d)所示，亦可交互地重複進行第1清潔工序與第2清潔工序。
又，例如圖9(e)所示，亦可依序來重複進行第1清潔工序、第3清潔工序、第2清潔工序及第4清潔工序。
以上，雖已針對用以實施本發明之型態來加以說明，但上述內容並未限定發明的內容，可在本發明之範圍內做各種變形及改良。
上述實施型態中，雖已例舉所成膜之膜為矽氧化膜的情況來加以說明，但亦可將本發明實施型態相關的清潔方法應用在成膜其他膜的情況。
上述實施型態中，雖已例舉針對旋轉台2上所載置之複數片晶圓W來總括地進行成膜處理之半批次式成膜裝置加以說明，但未限定於此。例如，亦可為藉由晶舟所載置之多片晶圓W來構成1個批次，而以1個批次單位來進行成膜處理之批次式成膜裝置，或是1片片地進行成膜處理之枚葉片式成膜裝置。

Claims (16)

  1. 一種清潔方法，係依序實施以下工序：第1清潔工序，係使可在處理室內將基板載置於上面之旋轉台在第1清潔位置處旋轉之狀態下，從該旋轉台的基板載置面上方來供應清潔氣體；以及第3清潔工序，係一邊使該旋轉台從該第1清潔位置移動至較該第1清潔位置要下方處的第2清潔位置一邊旋轉之狀態下，從該旋轉台的基板載置面上方來供應該清潔氣體；第2清潔工序，係使該旋轉台在該第2清潔位置處旋轉之狀態下，從該旋轉台的基板載置面上方來供應該清潔氣體。
  2. 一種清潔方法，係依序實施以下工序：第2清潔工序，係使可在處理室內將基板載置於上面之旋轉台在較第1清潔位置要下方處，即第2清潔位置處旋轉之狀態下，從該旋轉台的基板載置面上方來供應清潔氣體；第4清潔工序，係一邊使該旋轉台從該第2清潔位置移動至該第1清潔位置一邊旋轉之狀態下，從該旋轉台的基板載置面上方來供應該清潔氣體；以及第1清潔工序，係使該旋轉台在該第1清潔位置處旋轉之狀態下，從該旋轉台的基板載置面上方來供應該清潔氣體。
  3. 如申請專利範圍第1項之清潔方法，其係交互地重複該第1清潔工序與該第2清潔工序。
  4. 一種清潔方法，係依序重複以下工序：第1清潔工序，係使可在處理室內將基板載置於上面之旋轉台在第1清潔位置處旋轉之狀態下，從該旋轉台的基板載置面上方來供應清潔氣體；第3清潔工序，係使該旋轉台一邊從該第1清潔位置移動至較該第1清潔位置要下方處的第2清潔位置一邊旋轉之狀態下，從該旋轉台的基板載置面上方來供應該清潔氣體； 第2清潔工序，係使該旋轉台在該第2清潔位置處旋轉之狀態下，從該旋轉台的基板載置面上方來供應該清潔氣體；以及第4清潔工序，係使該旋轉台一邊從該第2清潔位置移動至該第1清潔位置一邊旋轉之狀態下，從該旋轉台的基板載置面上方來供應該清潔氣體。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之清潔方法，其中該清潔氣體係包含ClF3氣體。
  6. 一種清潔方法，係使用下述成膜裝置之清潔方法，該成膜裝置係設置有可在處理室內將基板載置於上面之旋轉台；沿著該旋轉台的旋轉方向而相互分離配置在該旋轉台的上方之第1處理區域與第2處理區域；以及配置於該第1處理區域與該第2處理區域之間之分離區域；該分離區域係設置有從該處理室內的頂面側朝向下方突出之突出部，而形成有較該第1處理區域及該第2處理區域要低的頂面；並且，可對該第1處理區域及/或該第2處理區域供應清潔氣體，對該分離區域供應吹淨氣體；該清潔方法包含有：第1清潔工序，係使該旋轉台在第1清潔位置處旋轉之狀態下，從該旋轉台的基板載置面上方來供應清潔氣體；以及第2清潔工序，係使該旋轉台在較該第1清潔位置要下方處，即第2清潔位置處旋轉之狀態下，從該旋轉台的基板載置面上方來供應該清潔氣體。
  7. 如申請專利範圍第6項之清潔方法，其中該成膜裝置具有中心區域，係為了分離該第1處理區域與該第2處理區域的氛圍而位在該處理室內的中心部，設置有對該旋轉台的基板載置面供應分離氣體之分離氣體供應管；該第2清潔工序係在從該中心區域所供應之分離氣體的流量會小於該第1清潔工序之狀態下所進行之工序。
  8. 如申請專利範圍第6或7項之清潔方法，其具有成膜工序，係在對該第1處理區域供應第1反應氣體，對該第2處理區域供應第2反應氣體， 對該分離區域供應吹淨氣體之狀態下來使該旋轉台旋轉，以於基板成膜出該第1反應氣體與該第2反應氣體的反應生成物；當藉由重複該成膜工序而於該旋轉台的上面成膜出特定膜厚的膜時，便進行該第1清潔工序及該第2清潔工序。
  9. 如申請專利範圍第8項之清潔方法，其中該特定的膜為矽氧化膜。
  10. 如申請專利範圍第6或7項之清潔方法，其係在該第1清潔工序後進行該第2清潔工序。
  11. 如申請專利範圍第10項之清潔方法，其包含有第3清潔工序，係在該第1清潔工序後，且為該第2清潔工序前，一邊使該旋轉台從該第1清潔位置移動至該第2清潔位置一邊旋轉之狀態下，從該旋轉台的基板載置面上方來供應該清潔氣體。
  12. 如申請專利範圍第6或7項之清潔方法，其係在該第2清潔工序後進行該第1清潔工序。
  13. 如申請專利範圍第12項之清潔方法，其包含有第4清潔工序，係在該第2清潔工序後，且為該第1清潔工序前，一邊使該旋轉台從該第2清潔位置移動至該第1清潔位置一邊旋轉之狀態下，從該旋轉台的基板載置面上方來供應該清潔氣體。
  14. 如申請專利範圍第6或7項之清潔方法，其係交互地重複該第1清潔工序與該第2清潔工序。
  15. 如申請專利範圍第6或7項之清潔方法，其包含有：第3清潔工序，係在該第1清潔工序後，使該旋轉台一邊從該第1清潔位置移動至該第2清潔位置一邊旋轉之狀態下，從該旋轉台的基板載置面上方來供應該清潔氣體；以及第4清潔工序，係在該第2清潔工序後，使該旋轉台一邊從該第2清潔位置移動至該第1清潔位置一邊旋轉之狀態下，從該旋轉台的基板載置面上方來供應該清潔氣體；依序重複該第1清潔工序、該第3清潔工序、該第2清潔工序及該第4清潔工序。
  16. 如申請專利範圍第6或7項之清潔方法，其中該清潔氣體係包含ClF3氣體。
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