JPH11102884A

JPH11102884A - 基板処理装置および周辺部材の洗浄方法

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Publication number: JPH11102884A
Application number: JP9264067A
Authority: JP
Inventors: Akira Izumi; 昭泉
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1997-09-29
Filing date: 1997-09-29
Publication date: 1999-04-13
Anticipated expiration: 2017-09-29
Also published as: JP3876059B2

Abstract

(57)【要約】【課題】基板保持手段の周辺に設けられた周辺部材の洗
浄を良好に行うこと。【解決手段】ウエハＷを保持して回転するスピンチャッ
ク１の周囲には、スプラッシュガード８および処理カッ
プ２などの周辺部材が配置されている。これらの周辺部
材の洗浄を行う際、処理液ノズルＮＵ，ＮＬからは、周
辺部材に付着している汚染物質を洗浄液により洗浄する
ことができる物質に化学変化させるための洗浄補助液が
吐出される。したがって、その後に、処理液ノズルＮ
Ｕ，ＮＬから洗浄液を吐出させることにより、周辺部材
を効果的に洗浄できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、液
晶表示装置用ガラス基板およびＰＤＰ（プラズマ・ディ
スプレイ・パネル）用ガラス基板などの各種の被処理基
板に対して、枚葉あるいは複数枚一括で、処理を施すた
めの基板処理装置に関する。また、本発明は、基板を保
持する基板保持手段の周辺に配置される周辺部材を洗浄
する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造工程においては、半導
体ウエハ（以下単に「ウエハ」という。）に対して種々
の処理を施すための基板処理装置が用いられる。基板処
理装置には、ウエハを洗浄するための洗浄装置や、ウエ
ハの表面にレジスト液などを均一に塗布するためのスピ
ンコータなどがある。

【０００３】この種の基板処理装置は、処理カップ内
に、ウエハを保持して回転させるためのスピンチャック
と、このスピンチャックによって回転されるウエハに対
して処理液（薬液または純水）を供給する処理液ノズル
とを有している。処理ノズルから薬液をウエハに供給す
る場合には、ウエハの構成物質と薬液とが反応してでき
る反応生成物が生成され、この反応生成物は、スピンチ
ャックの回転により、周辺に飛散する。この飛散した反
応生成物は、処理カップなどの周辺部材の表面に付着す
る。また、ウエハに供給される処理液がレジスト液等の
高粘度の薬液である場合にも、その粘度の高さのため
に、飛散したレジスト液は処理カップなどの周辺部材の
表面に付着する。

【０００４】また、薬液を使わない場合であっても、基
板処理装置が配置される空間の雰囲気中の有機物が処理
カップに付着することを防止することはできず、反応生
成物や高粘度の薬液以外の汚染物質も処理カップに付着
することになる。処理カップなどの周辺部材に付着した
反応生成物、高粘度の薬液、または有機物等の汚染物質
は、スピンチャックから飛散する処理液などの飛散物が
その周辺部材に当たって跳ね返るときに、ウエハの表面
に運ばれて、ウエハ表面に再付着するおそれがある。こ
の再付着した汚染物質は、パーティクルとなり、ウエハ
を汚染して、半導体装置の歩留まりを低下させる。

【０００５】このような不具合を防止するために、従来
から、処理カップ内に洗浄用ノズルを設け、この洗浄用
ノズルから処理カップなど周辺部材の内壁面に向けて、
純水を吹き付けることにより、処理カップの洗浄が図ら
れている。しかし、この従来技術では、水溶性の汚染物
質の除去は可能であるが、たとえば、エッチング液とウ
エハの構成物質との反応生成物、レジスト液、または有
機物からなる汚染物質は、水には溶けにくいから、洗浄
効果が充分であるとは言えない。そのため、周辺部材の
表面には、汚染物質が蓄積されていくことになり、上述
の不具合を防止することが困難であった。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明の目的
は、上述の技術的課題を解決し、基板保持手段の周辺に
設けられた周辺部材の洗浄を良好に行える構成を備えた
基板処理装置を提供することである。また、本発明の他
の目的は、基板保持手段の周辺に設けられた周辺部材の
洗浄を良好に行うことができる洗浄方法を提供すること
である。

【０００７】

【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板保持
手段の周辺に設けられた周辺部材と、上記基板保持手段
が基板を保持していないときに、上記周辺部材に対して
洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、上記周辺部材に付
着している汚染物質を上記洗浄液供給手段から供給され
る洗浄液によって洗浄可能な物質に化学変化させるため
の洗浄補助液を、上記基板保持手段が基板を保持してい
ないときに、上記周辺部材に供給する洗浄補助液供給手
段とを含むことを特徴とする基板処理装置である。

【０００８】上記の構成によれば、まず、洗浄補助液に
よって汚染物質が化学変化させられ、洗浄液による洗浄
が可能な物質とされる。そのうえで、洗浄液によって周
辺部材を洗浄すれば、周辺部材に付着した汚染物質を効
果的に取り除くことができる。これにより、汚染物質の
基板への再付着を防止できるので、基板を高品位に処理
できる。

【０００９】なお、周辺部材は、たとえば、基板を保持
して回転させるスピンチャックの周辺に設けられた部材
であってもよいし、基板が浸漬または収容される処理槽
やその処理槽を閉塞する蓋部材であってもよい。また、
洗浄補助液は、汚染物質を洗浄液に可溶な物質に変化さ
せるものであってもよいし、洗浄液により洗い流すこと
ができる流動性の物質に変化させるものであってもよ
い。

【００１０】請求項２記載の発明は、上記洗浄補助液
は、上記周辺部材に付着した汚染物質を水溶性の物質に
変化させることができる液体を含むことを特徴とする請
求項１記載の基板処理装置である。この構成によれば、
汚染物質が水溶性の物質に変化させられるので、洗浄液
として最も適当な純水を用いることができる。

【００１１】たとえば、洗浄補助液として、フッ酸を用
いれば、Ｈ₂ＳｉＯ₃（ケイ酸）やＳｉＯ₂などの水に
溶けない物質をＨ₂ＳｉＦ₆（フルオロケイ酸）などの
水溶性の物質に変化させることができるので、基板の酸
化物汚染を防止できる。また、洗浄補助液として塩酸を
用いれば、鉄、ニッケル、亜鉛、銅、アルミニウムなど
の金属をＡＣｌ（金属塩化物。Ａは、金属元素を表
す。）などの水溶性の物質に変化させることができるの
で、基板の金属汚染を防止できる。

【００１２】請求項３記載の発明は、上記洗浄補助液
は、上記周辺部材に付着した有機物を分解することがで
きる液体を含むことを特徴とする請求項１記載の基板処
理装置である。たとえば、洗浄補助液としてオゾン水や
過酸化水素水を用いれば、有機物を分解することができ
るので、基板の有機物汚染を防止できる。

【００１３】請求項４記載の発明は、上記基板保持手段
は、基板を保持した状態で回転するスピンチャックであ
り、上記周辺部材は、このスピンチャックからの飛散物
が付着する位置に配設された部材を含むことを特徴とす
る請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置で
ある。この構成によれば、スピンチャックの回転によ
り、スピンチャックからの飛散物が周辺部材に付着する
ことになるが、この付着物は、洗浄補助液および洗浄液
を用いることによって、効果的に除去できる。そのた
め、周辺部材に付着した汚染物質が、スピンチャックか
らの飛散物により飛ばされて基板に再付着するなどとい
った不具合を防止できる。

【００１４】また、スピンチャックの付近に洗浄補助液
や洗浄液を供給すれば、スピンチャックの回転によっ
て、それらを周辺部材に向けて効率よく飛散させること
ができる。請求項５記載の発明は、上記周辺部材は、上
記スピンチャックを取り囲むように設けられた基板周囲
部材を含み、上記洗浄補助液供給手段および洗浄液供給
手段は、この基板周囲部材に洗浄補助液および洗浄液
を、それぞれ供給可能であることを特徴とする請求項４
記載の基板処理装置である。

【００１５】この場合、基板周囲部材は、たとえば、基
板保持部材が収容される処理カップや、基板保持部材か
らの飛散物（処理液など）を受けるためのスプラッシュ
ガードであってもよい。請求項６記載の発明は、上記周
辺部材は、上記スピンチャックに保持された基板の上面
に対向する対向面を有する遮蔽板を含み、上記洗浄補助
液供給手段および洗浄液供給手段は、この遮蔽板の対向
面に洗浄補助液および洗浄液をそれぞれ供給可能である
ことを特徴とする請求項４または５に記載の基板処理装
置である。

【００１６】この構成によれば、遮蔽板を洗浄すること
ができるので、この遮蔽板から基板上への汚染物質の落
下を防止できる。また、スピンチャックの回転軸を挿通
する処理液ノズルを設けた場合、この処理液ノズルから
洗浄補助液や洗浄液を吐出させることにより、遮蔽板を
洗浄できる。すなわち、基板に処理液を供給するための
処理液ノズルを、洗浄補助液供給手段や洗浄液供給手段
と兼用できる。

【００１７】請求項７記載の発明は、上記スピンチャッ
クが回転する回転軸とほぼ平行な回転軸を中心に、上記
遮蔽板を回転させる遮蔽板回転駆動部をさらに含むこと
を特徴とする請求項６記載の基板処理装置である。この
構成によれば、遮蔽板の回転により、この遮蔽板に付着
した液体を遠心力により振り切ることができる。これに
より、基板への液滴の落下を防止できる。

【００１８】また、遮蔽板により、洗浄補助液や洗浄液
が基板周囲部材に効率的に導かれるので、基板周囲部材
を効率よく洗浄できる。請求項８記載の発明は、上記周
辺部材は、移動可能に設けられており、この周辺部材を
移動させる駆動手段をさらに含むことを特徴とする請求
項１ないし７のいずれかに記載の基板処理装置である。

【００１９】この構成によれば、周辺部材を移動させる
ことによって、周辺部材の表面を隈無く均一に洗浄でき
る。請求項９記載の発明は、基板を保持する基板保持手
段の周辺に設けられた周辺部材に付着した汚染物質を、
基板保持手段に基板が保持されていない期間に、所定の
洗浄液による洗浄が可能な物質に化学変化させ、その
後、基板保持手段に基板が保持されていない期間に、上
記周辺部材に対して上記所定の洗浄液を供給することに
よって、上記周辺部材を洗浄することを特徴とする周辺
部材の洗浄方法である。

【００２０】この発明によれば、請求項１記載の発明と
同様な効果を得ることができる。請求項１０記載の発明
は、基板保持手段の周辺に設けられた周辺部材と、この
周辺部材に付着している汚染物質を流動性の物質に化学
変化させるための洗浄補助液を、基板保持手段に基板が
保持されていない期間に上記周辺部材に供給する洗浄補
助液供給手段とを含むことを特徴とする基板処理装置で
ある。

【００２１】また、請求項１１記載の発明は、基板を保
持する基板保持手段の周辺に設けられた周辺部材に対し
て、上記基板保持手段に基板が保持されていない期間
に、上記周辺部材に付着した汚染物質を流動性の物質に
化学変化させるための洗浄補助液を供給することを特徴
とする周辺部材の洗浄方法である。これらの発明によれ
ば、洗浄補助液によって汚染物質を流動性の物質に化学
変化させることができるので、汚染物質を効果的に除去
することができる。

【００２２】流動性の物質は、たとえば、炭酸ガスなど
の気体であってもよいし、液体であってもよい。汚染物
質が気体に変化する場合には、その後に、洗浄液によっ
て周辺部材を洗浄する必要はない。汚染物質が、液体に
変化する場合には、必要に応じて、洗浄液によってその
液体を洗浄してもよい。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下では、本発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、この
発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を示す断面
図である。この基板処理装置は、被処理基板としてのウ
エハＷを回転しながら、洗浄するための装置である。

【００２４】この基板処理装置、ウエハＷを水平に保持
し、その保持したウエハＷの中心を通る鉛直軸まわりに
高速に回転するスピンチャック１と、このスピンチャッ
ク１を取り囲むように設けられた円筒状の処理カップ２
とを備えている。スピンチャック１は、モータＭ１から
の回転力が、プーリ２１，２２，およびベルト２３を介
して伝達される中空の回転軸１１と、この回転軸１１の
上端に固定された円板状のスピンベース１２と、このス
ピンベース１２の周縁部において周方向に間隔を開けて
立設された複数の把持ピン１３とを有している。処理カ
ップ２の底面部は、中央部が盛り上がっていて、その下
面側には、モータＭ１やなどを収容した収容空間３が形
成されている。

【００２５】回転軸１１には、処理液供給管５が挿通し
ており、この処理液供給管３の先端部は、ウエハＷの下
面中央に向けて処理液（薬液や純水）を供給するための
下処理ノズルＮＬをなしている。処理液供給管５には、
薬液供給弁６を介して薬液（フッ酸、硫酸、塩酸、硝
酸、燐酸、酢酸、アンモニアまたは過酸化水素水など）
を供給でき、また、純水供給弁７を介して純水を供給す
ることができるようになっている。したがって、薬液供
給弁６および純水供給弁７を開閉することにより、ウエ
ハＷの下面に薬液や純水を選択的に供給することができ
る。

【００２６】スピンチャック１の側方には、このスピン
チャック１を取り囲むように、スプラッシュガード８が
設けられている。このスプラッシュガード８は、スピン
チャック１に保持されたウエハＷの中心を通る鉛直線に
関してほぼ回転対称な形状を有している。そして、この
スプラッシュガード８は、エアシリンダなどを含む昇降
駆動機構１０（駆動手段）によって昇降される支持部材
９により支持されて、上下動されるようになっている。
スピンチャック１と図示しない搬送ロボットとの間でウ
エハＷの受け渡しをする際には、スプラッシュガード８
は、その上端縁が、スピンチャック１におけるウエハ保
持高さよりも低くなるように、退避高さに下降される。
そして、スピンチャック１を回転させて、ウエハＷに処
理を施すときには、スピンチャック１から飛散する処理
液を受けることができる処理高さ（図１に示す高さ）に
上昇させられる。

【００２７】スピンチャック１の上方には、ウエハＷの
上面に臨む水平な対向面１５ａを有する円板状の遮蔽板
１５が設けられている。この遮蔽板１５は、昇降駆動機
構２０によって上下動されるようになっており、ウエハ
Ｗの表面に近接した下降位置（図１に示す位置）におい
て、ウエハＷの上面の空間を制限する働きを有してい
る。

【００２８】遮蔽板１５の中央付近からは、上方に向け
て、中空の回転軸１６が一体的に形成されており、この
回転軸１６の内部の空洞は、不活性ガスとしてのＮ₂ガ
スをウエハＷの上面に導くための、ガス供給路１７を形
成している。このガス供給路１７には、ガス供給弁１８
を介して、Ｎ₂ガスを供給できるようになっている。ガ
ス供給路１７には、また、ウエハＷの上面に供給すべき
処理液（薬液または純水）を導く処理液供給管２５が挿
通しており、この処理液供給管２５の先端（下端）は、
ウエハＷの上面の中央に処理液を供給するための上処理
液ノズルＮＵを形成している。処理液供給管２５には、
薬液供給弁２６を介して薬液を供給することができ、ま
た、純水供給弁２７を介して純水を供給することができ
るようになっている。

【００２９】回転軸１６に関連して、中空モータＭ２
（遮蔽板回転駆動部）が配置されており、この中空モー
タＭ２によって回転軸１６が回転される。図２は、上記
の基板処理装置の一部の電気的構成を示すブロック図で
ある。この基板処理装置は、各部の制御のための制御部
３０を備えている。制御部３０は、たとえば、ＣＰＵ、
ＲＯＭおよびＲＡＭを有している。そして、ＲＯＭに記
憶されているか、またはハードディスク装置などの記録
媒体からＲＡＭにロードされたプログラムに基づいて、
基板処理装置の各部の動作を制御する。

【００３０】この制御部３０は、処理液供給管５に接続
された薬液供給弁６および純水供給弁７、処理液供給管
２５に接続された薬液供給弁２６および純水供給弁２
７、ならびにガス供給路１７に接続されたガス供給弁１
８の開閉制御を行う。また、制御部３０は、スピンチャ
ック１に回転力を与えるモータＭ１、遮蔽板１５を回転
させるための中空モータＭ２、スプラッシュガード８を
上下動させるための昇降駆動機構１０、および遮蔽板１
５を上下動させるための昇降駆動機構２０の動作を制御
する。

【００３１】ウエハＷの洗浄を行う際には、制御部３０
は、スピンチャック１に図外の搬送ロボットからウエハ
Ｗが受け渡された後、昇降駆動機構１０を制御してスプ
ラッシュガード８を処理高さに導き、そして、モータＭ
１を付勢して、スピンチャック１を回転させる。さらに
制御部３０は、薬液供給弁６，２６を開成して、ウエハ
Ｗの上面および下面に薬液を供給してウエハＷの表面に
対して薬液洗浄処理を施す。その後、制御部３０は、薬
液供給弁６，２６を閉じ、純水供給弁７，２７を開成し
て、ウエハＷの上面および下面に純水を供給する。これ
により、ウエハＷの表面の薬液が洗い流される。

【００３２】その後、制御部３０は、純水供給弁７，２
７を閉じ、ガス供給弁１８を開成する。少なくともこの
ガス供給弁１８が開成されるときまでに、遮蔽板１５
は、ウエハＷの近傍の高さまで下降されている。よっ
て、ガス供給弁１８からのガスの供給により、ウエハＷ
の表面は、不活性ガス雰囲気中で、速やかに水切り乾燥
が行われる。ウエハＷの周囲を不活性ガス雰囲気として
いることにより、空気中の酸素とウエハＷの構成物質で
あるケイ素との反応に起因するウォータマークの発生が
防止される。また、スピンチャック１の高速回転による
水切り乾燥中は、遮蔽板１５も中空モータＭ２によって
回転駆動され、これにより、遮蔽板１５の対向面１５ａ
に付着した水滴は、遠心力によって速やかに排除され
る。したがって、遮蔽板１５から水滴がウエハＷに落下
することがない。

【００３３】たとえば、ウエハＷの表面の不要なシリコ
ン酸化膜を除去する場合には、薬液としてフッ酸が用い
られる。この場合、洗浄に伴う化学反応により、Ｈ₂Ｓ
ｉＦ ₆などの水溶性の反応生成物の他、Ｈ₂ＳｉＯ₃等
のケイ酸やＳｉＯ₂などのように、純水に対して不溶性
の反応生成物が生じる。また、Ｈ₂ＳｉＦ₆などの水に
溶解する反応生成物も、さらに酸化されれば、Ｈ₂Ｓｉ
Ｏ₃やＳｉＯ₂などの水に対して不溶性の物質に変化す
る。

【００３４】これらの反応生成物は、処理カップ２、ス
プラッシュガード８および遮蔽板１５などのスピンチャ
ック１の周辺部材に付着して蓄積され、そのまま残され
れば結晶化することになる。そこで、上記の反応生成物
に代表される汚染物質を除去するために、この実施形態
においては、ウエハＷがスピンチャック１に保持されて
いない期間、たとえば、１ロットのウエハに対する処理
前や処理後またはメンテナンス時には、制御部３０は、
必要に応じて、スプラッシュガード８や処理カップ２に
付着した汚染物質を除去するための周辺部材洗浄処理を
実行する。

【００３５】具体的には、制御部３０は、モータＭ１を
付勢してスピンチャック１を回転させるとともに、昇降
駆動機構２０を制御して遮蔽板１５を下降位置に制御
し、さらに、中空モータＭ２を付勢して、遮蔽板１５を
回転させる。この状態で、制御部３０は、薬液供給弁
６，２６を開成して、上下の処理液ノズルＮＵ，ＮＬか
ら薬液を吐出させる。すなわち、フッ酸を用いてウエハ
Ｗの表面のシリコン酸化膜を除去するための洗浄処理を
行った後には、フッ酸が洗浄補助液として処理液ノズル
ＮＵ，ＮＬから吐出される。つまり、この場合、処理液
ノズルＮＵ，ＮＬは、洗浄補助液供給手段として機能し
ている。

【００３６】処理液ノズルＮＵ，ＮＬからそれそれ吐出
された薬液は、スピンチャック１のスピンベース１２と
遮蔽板１５との中間位置付近で衝突し、周囲に飛散す
る。この飛散した薬液は、一部は、遮蔽板１５の対向面
１５ａに付着し、また一部は、スピンベース１２などに
付着し、さらに一部は、把持ピン１３などに付着し、残
りの部分は、遮蔽板１５とスピンベース１２との間の空
間を通って、周囲に飛び出し、スプラッシュガード８の
内表面に衝突する。また、遮蔽板１５およびスピンベー
ス１２はいずれも回転駆動されているので、これらの表
面に付着した薬液もまた、遠心力によって、結局は、周
囲に飛び出し、スプラッシュガード８の内表面に衝突す
ることになる。

【００３７】スプラッシュガード８の内表面に衝突した
薬液は、さらに、飛び散って処理カップ２の内表面にス
プレーされた後に、この処理カップ２の底面に導かれ
る。そして、排液配管１９を通って廃棄または回収され
る。このようにして、遮蔽板１５、スピンベース１２、
把持ピン１３、スプラッシュガード８および処理カップ
２の各表面にフッ酸を供給すると、これらの表面のＨ₂
ＳｉＯ₃やＳｉＯ₂などの物質は、揮発性のＳｉＦ₄や
水溶性のＨ₂ＳｉＦ ₆（フルオロケイ酸）などに化学変
化する。

【００３８】そこで、次に、制御部３０は、薬液供給弁
６，２６を閉じ、純水供給弁７，２７を開成する。これ
により、処理液ノズルＮＵ，ＮＬから吐出された純水
は、薬液の場合と同じく、遮蔽板１５、スピンベース１
２、把持ピン１３、スプラッシュガード８および処理カ
ップ２の表面に供給される。これにより、これらの表面
に存在する水溶性の物質は、洗い流されて、排液配管１
９を通って廃棄される。この場合、処理液ノズルＮＵ，
ＮＬは、洗浄液としての純水を供給する洗浄水供給手段
として機能することになる。

【００３９】その後は、制御部３０は、純水供給弁７，
２７を閉じ、必要に応じてモータＭ１および中空モータ
Ｍ２の回転を継続してスピンチャック１および遮蔽板１
５の水切り乾燥をした後、モータＭ１，Ｍ２を停止す
る。こうして、周辺部材の洗浄が達成される。なお、周
辺部材洗浄処理中において、薬液や純水が処理液ノズル
ＮＵ，ＮＬから吐出されている期間に、昇降駆動機構１
０を制御して、スプラッシュガード８を上下動させるよ
うにしてもよい。これにより、遮蔽板１５とスピンベー
ス１２との間を通って導かれる薬液または純水により、
スプラッシュガード８の内面を走査できるので、スプラ
ッシュガード８の内面の全域を均一に洗浄することがで
きる。また、処理カップ２への跳ね返りの態様が変化す
るから、処理カップ２の内面の洗浄効果も併せて改善さ
れる。

【００４０】以上のようにこの実施形態によれば、洗浄
補助液としてのフッ酸を周辺部材に供給して汚染物質を
水に可溶な物質に化学変化させ、その上で周辺部材を水
洗いするようにしている。そのため、汚染物質を効果的
に除去することができ、これにより、汚染物質のウエハ
Ｗへの再付着を防止できる。次に、この発明の第２の実
施形態について説明する。この実施形態の説明では、上
述の図１および図２を再び参照する。

【００４１】この第２の実施形態では、スピンチャック
１の周辺の周辺部材の表面の金属汚染の除去が図られ
る。金属汚染は、ウエハＷの表面に形成された金属膜
（たとえば、鉄、ニッケル、亜鉛、銅、アルミニウムな
ど）から生じる場合もあり、また、処理用の薬液中に含
まれる金属イオンが周辺部材に付着して生じる場合もあ
る。たとえば、ウエハＷの表面の金属汚染を除去するた
めに、薬液として、処理液ノズルＮＵ，ＮＬから塩酸を
供給するとすると、周辺部材には、除去された金属、金
属塩（ＦｅＣｌx など）および金属酸化物などの金属汚
染物質が付着する。また、一度使用された塩酸を回収し
て再利用する場合には、再利用される塩酸中には金属イ
オンが含まれているから、この金属イオンが周辺部材の
金属汚染源となる場合もある。

【００４２】そこで、この実施形態においては、スピン
チャック１にウエハＷが保持されていない期間に、上記
の金属汚染物質を周辺部材から除去するための周辺部材
洗浄処理が行われる。すなわち、洗浄補助液として、処
理液ノズルＮＵ，ＮＬから、塩酸が供給される。その他
の動作は、第１の実施形態における周辺部材洗浄処理と
同様である。したがって、遮蔽板１５、スピンベース１
２、把持ピン１３、スプラッシュガード８および処理カ
ップ２などの周辺部材に、塩酸が供給され、これらの表
面の金属汚染物質が溶解させられる。

【００４３】その後、処理液ノズルＮＵ，ＮＬから純水
が供給されることにより、溶解した金属汚染物質が洗い
流されて除去されることになる。なお、ウエハＷの表面
の金属汚染の除去には、フッ酸やアンモニア過水が用い
られる場合がある。この場合に、洗浄補助液として塩酸
を用いるのであれば、図１において二点鎖線で示すよう
に、洗浄補助液用弁４１，４２を介して処理液供給管
５，２５にウエハＷの処理用の薬液とは異なる種類の洗
浄補助液を供給できるようにしておけばよい。これによ
り、制御部３０が、周辺部材洗浄処理時において、洗浄
補助液用弁４１，４２を開成することにより、ウエハＷ
の処理時とは異なる種類の洗浄補助液を用いて、汚染物
質を溶解させることができる。

【００４４】次に、この発明の第３の実施形態について
説明する。この実施形態では、周辺部材に付着した有機
物汚染の除去が図られる。周辺部材の有機物汚染は、周
辺部材が大気にさらされる以上は避けることができな
い。たとえば、基板処理装置は、通常、クリーンルーム
内に設置されて用いられるが、クリーンルーム内に作業
員が入り込めば、作業員の身体から生じる有機物による
汚染は避けることができない。また、クリーンルームに
は、外気がフィルタに通されたうえで導入されるが、ガ
ス状の有機物はフィルタによっては除去できないから、
クリーンルーム内に入り込むことになる。さらには、ウ
エハＷの処理の残渣中に、有機物が含まれている場合も
ある。

【００４５】これらの有機物汚染は、たとえば、オゾン
水（超純水にオゾンを溶かし込んだ液体）や過酸化水素
水などの酸化性の薬液を洗浄補助液として用いることに
より、除去できる。そこで、制御部３０は、スピンチャ
ック１にウエハＷが保持されていない期間に、第１およ
び第２実施形態に関連して説明した場合と同様に、周辺
部材洗浄処理を実行する。この場合に、制御部３０は、
洗浄補助液供給弁４１，４２を開成し、オゾン水や過酸
化水素水などの洗浄補助液を処理液ノズルＮＵ，ＮＬか
ら吐出させる。これにより、遮蔽板１５、スピンベース
１２、把持ピン１３、スプラッシュガード８および処理
カップ２などの周辺部材に洗浄補助液が供給され、これ
らに付着している有機物汚染物質が炭酸ガスに化学変化
する。これにより、有機物汚染を除去することができ
る。

【００４６】この後、洗浄補助液を除去する目的で処理
液ノズルＮＵ，ＮＬから純水を吐出させるようにしても
よいが、この実施形態では汚染物質は炭酸ガスとなって
除去されるので、この純水の吐出は必ずしも必要ではな
い。この発明の３つの実施形態について説明したが、こ
の発明が他の形態で実施し得ることはいうまでもない。
たとえば、上記の第１の実施形態において、不要なシリ
コン酸化膜を除去するためにフッ酸を用いているが、バ
ッファドフッ酸を代わりに用いてもよい。

【００４７】また、上記の実施形態では、１ロットのウ
エハの処理の前もしくは後またはメンテナンス時に周辺
部材洗浄処理を行うこととしているが、たとえば、１枚
のウエハＷの処理後または処理前に、周辺部材洗浄処理
を行うようにしてもよい。たとえば、薬液や純水による
ウエハＷの処理後すみやかに周辺部材洗浄処理を実行す
ることにより、薬液に起因する汚染物質が周辺部材に強
固に付着するよりも前に、この汚染物質を除去すること
ができるので、周辺部材の清浄度をさらに向上させるこ
とができる。

【００４８】また、上述の実施形態では、ウエハＷを１
枚ずつ処理する枚葉型基板処理装置を例に挙げたが、こ
の発明は、複数枚（たとえば２５枚ないし５０枚）のウ
エハを一括して処理するバッチ式基板処理装置に対して
も適用可能である。この場合、複数枚のウエハが一括し
て浸漬または収容される処理槽や、その処理槽を閉塞す
るための蓋部材等が典型的な周辺部材となる。そこで、
この処理槽の側壁面に、スプレーノズルを設け、このス
プレーノズルから、洗浄補助液や洗浄液（純水など）を
処理槽の内表面に向けて吐出するようにすればよい。ま
た、蓋部材の近傍にスプレーノズルを設け、蓋部材に向
けて洗浄補助液や洗浄液（純水など）を吐出するように
すれば良い。

【００４９】さらに、上述の実施形態においては、ウエ
ハＷを処理するための処理液ノズルＮＵ，ＮＬが洗浄補
助液供給手段および洗浄液供給手段を兼ねているが、た
とえば、スピンチャック１のスピンベース１２の下面や
処理カップ２またはスプラッシュガード８の内壁面に向
けて、洗浄補助液や洗浄液を供給するための専用のノズ
ルを処理液ノズルＮＵ，ＮＬとは別に設けてもよい。

【００５０】さらに、上述の実施形態においては、ウエ
ハの洗浄を行う装置を例にとったが、この発明は、液晶
表示装置用ガラス基板などの他の任意の種類の被処理基
板を処理する装置に適用できる。また、処理の種類も洗
浄に限定されるものではなく、たとえば、レジストの塗
布、現像処理または剥膜処理等の処理液を用いて基板に
処理を施す装置にも適用することができる。

【００５１】その他、特許請求の範囲に記載された事項
の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構
成を示す断面図である。

【図２】上記基板処理装置の電気的構成を示すブロック
図である。

【符号の説明】

１スピンチャック２処理カップ５処理液供給管６薬液供給弁７純水供給弁８スプラッシュガード１０昇降駆動機構１５遮蔽板１８ガス供給弁２０昇降駆動機構２５処理液供給管２６薬液供給弁２７純水供給弁ＮＵ上処理液ノズルＮＬ下処理液ノズルＭ１モータＭ２中空モータ３０制御部４１洗浄補助液用弁４２洗浄補助液用弁

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板保持手段の周辺に設けられた周辺部材
と、上記基板保持手段が基板を保持していないときに、上記
周辺部材に対して洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、上記周辺部材に付着している汚染物質を上記洗浄液供給
手段から供給される洗浄液によって洗浄可能な物質に化
学変化させるための洗浄補助液を、上記基板保持手段が
基板を保持していないときに、上記周辺部材に供給する
洗浄補助液供給手段とを含むことを特徴とする基板処理
装置。
【請求項２】上記洗浄補助液は、上記周辺部材に付着し
た汚染物質を水溶性の物質に変化させることができる液
体を含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装
置。
【請求項３】上記洗浄補助液は、上記周辺部材に付着し
た有機物を分解することができる液体を含むことを特徴
とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項４】上記基板保持手段は、基板を保持した状態
で回転するスピンチャックであり、上記周辺部材は、このスピンチャックからの飛散物が付
着する位置に配設された部材を含むことを特徴とする請
求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】上記周辺部材は、上記スピンチャックを取
り囲むように設けられた基板周囲部材を含み、上記洗浄補助液供給手段および洗浄液供給手段は、この
基板周囲部材に洗浄補助液および洗浄液を、それぞれ供
給可能であることを特徴とする請求項４記載の基板処理
装置。
【請求項６】上記周辺部材は、上記スピンチャックに保
持された基板の上面に対向する対向面を有する遮蔽板を
含み、上記洗浄補助液供給手段および洗浄液供給手段は、この
遮蔽板の対向面に洗浄補助液および洗浄液をそれぞれ供
給可能であることを特徴とする請求項４または５に記載
の基板処理装置。
【請求項７】上記スピンチャックが回転する回転軸とほ
ぼ平行な回転軸を中心に、上記遮蔽板を回転させる遮蔽
板回転駆動部をさらに含むことを特徴とする請求項６記
載の基板処理装置。
【請求項８】上記周辺部材は、移動可能に設けられてお
り、この周辺部材を移動させる駆動手段をさらに含むことを
特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の基板処
理装置。
【請求項９】基板を保持する基板保持手段の周辺に設け
られた周辺部材に付着した汚染物質を、基板保持手段に
基板が保持されていない期間に、所定の洗浄液による洗
浄が可能な物質に化学変化させ、その後、基板保持手段
に基板が保持されていない期間に、上記周辺部材に対し
て上記所定の洗浄液を供給することによって、上記周辺
部材を洗浄することを特徴とする周辺部材の洗浄方法。
【請求項１０】基板保持手段の周辺に設けられた周辺部
材と、この周辺部材に付着している汚染物質を流動性の物質に
化学変化させるための洗浄補助液を、基板保持手段に基
板が保持されていない期間に上記周辺部材に供給する洗
浄補助液供給手段とを含むことを特徴とする基板処理装
置。
【請求項１１】基板を保持する基板保持手段の周辺に設
けられた周辺部材に対して、上記基板保持手段に基板が
保持されていない期間に、上記周辺部材に付着した汚染
物質を流動性の物質に化学変化させるための洗浄補助液
を供給することを特徴とする周辺部材の洗浄方法。