KR20160022262A

KR20160022262A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Info

Publication number: KR20160022262A
Application number: KR1020150114530A
Authority: KR
Inventors: 유우지 다키모토
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2014-08-19
Filing date: 2015-08-13
Publication date: 2016-02-29
Also published as: KR102456823B1; US10474139B2; CN105374715A; TW201619725A; US20160054719A1; JP6316703B2; TWI663490B; JP2016042565A; CN105374715B

Abstract

[과제] 처리 유닛에 이상이 검출된 경우의 스루풋의 저하를 억제하는 것.
[해결수단] 실시형태에 따른 기판 처리 장치는, 처리 유닛과, 처리 유닛에 대하여 기판 처리를 실행시키는 제어부를 구비한다. 제어부는, 처리 유닛에 기판 처리를 실시시키는 것과, 기판 처리 후에 기판 표면 측정에 의해 검출된 이상의 내용을 포함하는 이상 검출 정보에 기초하여, 이상이 검출된 처리 유닛에 대하여 개선 처리를 실행시키고, 개선 처리는, 이상의 내용과 개선 처리를 대응시킨 개선 처리 정보로부터 특정된다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}

개시된 실시형태는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.

종래, 반도체 웨이퍼나 유리 기판 등의 기판을 처리하는 처리 유닛을 복수 구비하는 기판 처리 장치에서는, 각 처리 유닛의 동작 상황을 정기적으로 검사하는 것이 행해지고 있다.

예컨대, 특허문헌 1에는, 에칭액의 유량이나 온도 등을 감시함으로써, 각 처리 유닛의 동작 상황에 이상이 없는지를 판정하는 기술이 개시되어 있다. 이 특허문헌 1에 기재된 기술에서는, 처리 유닛의 동작 상황에 이상이 검출된 경우에, 데이터 베이스를 검색하여 근무 중의 오퍼레이터를 특정하고, 특정한 오퍼레이터에 대하여, 이상 내용 등을 포함한 정보를 전자 메일로 통지하는 것으로 하고 있다.

특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2005-064214호 공보

그러나, 전술한 종래 기술에서는, 개선 작업을 행하는 오퍼레이터가 현장에 도착하기까지 시간이 걸려 버리면, 개선 작업에 지연이 생기게 되고, 개선 작업이 지연된 분만큼 처리 유닛의 복구가 지연되어, 그동안 처리 유닛을 쓸 수 없어 기판 처리 장치의 가동률이 저하할 우려가 있다.

특히, 최근에는, 공장의 무인화가 진행되고 있어, 오퍼레이터가 현장에 도착하기까지의 시간이 길어져 오고 있다. 이 때문에, 오퍼레이터의 부재에 의한 처리 유닛의 복구의 지연을 어떻게 하여 억제할지가 과제의 하나로 되어 있다.

또한, 기판 처리 장치에서는, 특허문헌 1에 기재된 검사 방법 이외의 검사 방법으로서, 처리 유닛에 대하여 검사용의 모니터 웨이퍼를 반입하여 일련의 기판 처리를 실행시킨 후, 처리 후의 모니터 웨이퍼의 표면을 외부의 측정기를 이용하여 조사함으로써, 처리 유닛의 동작 상황을 검사하는 것이 행해지는 경우도 있다. 전술한 과제는, 이러한 검사를 행하는 경우에 있어서도 동일하게 생길 수 있다.

실시형태의 일양태는, 처리 유닛에 이상이 검출된 경우의 가동률의 저하를 억제할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

실시형태의 일양태에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 처리하는 처리 유닛과, 상기 처리 유닛에 대하여 기판 처리를 실행시키는 제어부를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 처리 유닛에 기판 처리를 실시시키는 것과, 상기 기판 처리 후에 기판 표면 측정에 의해 검출된 이상의 내용을 포함하는 이상 검출 정보에 기초하여, 이상이 검출된 처리 유닛에 대하여 개선 처리를 실행시키고, 상기 개선 처리는, 상기 이상의 내용과 상기 개선 처리를 대응시킨 개선 처리 정보로부터 특정된다.

실시형태의 일양태에 따르면, 처리 유닛에 이상이 검출된 경우의 스루풋의 저하를 억제할 수 있다.

도 1은 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 처리 유닛의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 3은 검사 처리의 개요 설명도이다.
도 4는 처리 유닛의 구체적 구성의 일례를 나타내는 도면이다.
도 5는 처리 유닛이 실행하는 일련의 기판 처리의 처리 순서를 나타내는 흐름도이다.
도 6은 개선 처리 정보의 일례를 나타내는 도면이다.
도 7은 검사 처리에 있어서 제어부가 실행하는 처리 순서의 일례를 나타내는 흐름도이다.
도 8은 검사 처리에 있어서 제어부가 실행하는 처리 순서의 다른 일례를 나타내는 흐름도이다.
도 9는 제2 실시형태에 따른 검사 처리의 개요 설명도이다.
도 10은 제2 실시형태에 따른 검사 처리에 있어서 제어부가 실행하는 처리 순서의 일례를 나타내는 흐름도이다.

이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원이 개시하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법의 실시형태를 상세하게 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시형태에 의해 본 발명이 한정되는 것이 아니다.

(제1 실시형태)

<1. 기판 처리 시스템의 개략 구성>

도 1은 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 도면이다. 이하에서는, 위치 관계를 명확하게 하기 위해, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 한다.

도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 반입출 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 인접하여 마련된다.

반입출 스테이션(2)은, 캐리어 배치부(11)와, 반송부(12)를 구비한다. 캐리어 배치부(11)에는, 복수매의 기판, 본 실시형태에서는 반도체 웨이퍼[이하 웨이퍼(W)]를 수평 상태로 수용하는 복수의 캐리어(C)가 배치된다.

반송부(12)는, 캐리어 배치부(11)에 인접하여 마련되고, 내부에 기판 반송 장치(13)와, 전달부(14)를 구비한다. 기판 반송 장치(13)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(13)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 수직축을 중심으로 하는 선회가 가능하며, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 캐리어(C)와 전달부(14) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.

처리 스테이션(3)은, 반송부(12)에 인접하여 마련된다. 처리 스테이션(3)은, 반송부(15)와, 복수의 처리 유닛(16)을 구비한다. 복수의 처리 유닛(16)은, 반송부(15)의 양측에 배열되어 마련된다.

반송부(15)는, 내부에 기판 반송 장치(17)를 구비한다. 기판 반송 장치(17)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(17)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 수직축을 중심으로 하는 선회가 가능하며, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 전달부(14)와 처리 유닛(16) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.

처리 유닛(16)은, 기판 반송 장치(17)에 의해 반송되는 웨이퍼(W) 에 대하여 미리 설정된 기판 처리를 행한다.

또한, 기판 처리 시스템(1)은, 제어 장치(4)를 구비한다. 제어 장치(4)는, 예컨대 컴퓨터이며, 제어부(18)와 기억부(19)를 구비한다. 기억부(19)에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(18)는, 기억부(19)에 기억된 프로그램을 읽어내어 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다.

또한, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로서, 그 기억 매체로부터 제어 장치(4)의 기억부(19)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예컨대 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.

상기한 바와 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에서는, 우선, 반입출 스테이션(2)의 기판 반송 장치(13)가, 캐리어 배치부(11)에 배치된 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하고, 취출한 웨이퍼(W)를 전달부(14)에 배치한다. 전달부(14)에 배치된 웨이퍼(W)는, 처리 스테이션(3)의 기판 반송 장치(17)에 의해 전달부(14)로부터 취출되어, 처리 유닛(16)에 반입된다.

처리 유닛(16)에 반입된 웨이퍼(W)는, 처리 유닛(16)에 의해 처리된 후, 기판 반송 장치(17)에 의해 처리 유닛(16)으로부터 반출되어, 전달부(14)에 배치된다. 그리고, 전달부(14)에 배치된 처리 완료된 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(13)에 의해 캐리어 배치부(11)의 캐리어(C)에 복귀된다.

<2. 처리 유닛의 개략 구성>

다음에, 처리 유닛(16)의 구성에 대해서 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2는 처리 유닛(16)의 개략 구성을 나타내는 도면이다.

도 2에 나타내는 바와 같이, 처리 유닛(16)은, 챔버(20)와, 기판 유지 기구(30)와, 처리 유체 공급부(40)와, 회수컵(50)을 구비한다.

챔버(20)는, 기판 유지 기구(30)와 처리 유체 공급부(40)와 회수컵(50)을 수용한다. 챔버(20)의 천장부에는, FFU(Fan Filter Unit)(21)가 마련된다. FFU(21)는, 챔버(20) 내에 다운 플로우를 형성한다.

기판 유지 기구(30)는, 유지부(31)와, 지주부(32)와, 구동부(33)를 구비한다. 유지부(31)는, 웨이퍼(W)를 수평으로 유지한다. 지주부(32)는, 연직 방향으로 연장되는 부재이며, 기단부가 구동부(33)에 의해 회전 가능하게 지지되고, 선단부에 있어서 유지부(31)를 수평으로 지지한다. 구동부(33)는, 지주부(32)를 수직축 둘레로 회전시킨다. 이러한 기판 유지 기구(30)는, 구동부(33)를 이용하여 지주부(32)를 회전시킴으로써 지주부(32)에 지지된 유지부(31)를 회전시키고, 이에 의해, 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)를 회전시킨다.

처리 유체 공급부(40)는, 웨이퍼(W)에 대하여 처리 유체를 공급한다. 처리 유체 공급부(40)는, 처리 유체 공급원(70)에 접속된다.

회수컵(50)은, 유지부(31)를 둘러싸도록 배치되고, 유지부(31)의 회전에 의해 웨이퍼(W)로부터 비산하는 처리액을 포집한다. 회수컵(50)의 바닥부에는, 배액구(51)가 형성되어 있고, 회수컵(50)에 의해 포집된 처리액은, 이러한 배액구(51)로부터 처리 유닛(16)의 외부에 배출된다. 또한, 회수컵(50)의 바닥부에는, FFU(21)로부터 공급되는 기체를 처리 유닛(16)의 외부에 배출하는 배기구(52)가 형성된다.

<3. 검사 처리의 개요>

그런데, 기판 처리 시스템(1)에서는, 각 처리 유닛(16)에 제품 웨이퍼를 처리시키기 전에, 각 처리 유닛(16)의 동작 상황을 검사하는 검사 처리가 정기적으로 행해진다. 이 검사 처리의 개요에 대해서 도 3을 참조하여 설명한다. 도 3은 검사 처리의 개요 설명도이다. 또한, 도 3에서는, 모니터 웨이퍼의 흐름을 실선의 화살표로, 데이터의 흐름을 파선의 화살표로 각각 나타내고 있다.

또한, 여기서는, 모니터 웨이퍼를 이용하여 검사 처리를 행하는 경우의 예를 나타내지만, 검사 처리는, 모니터 웨이퍼가 아니라, 제품 웨이퍼를 이용하여 행해져도 좋다. 또한, 여기서는, 검사 처리가 정기적으로 행해지는 경우의 예를 나타내지만, 검사 처리는, 정기적으로가 아니라, 예컨대 처리 유닛의 메인터넌스 후 등 부정기적으로 행해져도 좋다.

도 3에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)이 설치되는 공장(100) 내에는, 기판 처리 시스템(1)이나 제어 장치(4) 외에, 측정기(5)가 설치된다. 측정기(5)는, 웨이퍼(W)의 표면(피처리면)의 상태를 측정하는 장치이다. 예컨대, 측정기(5)는, 웨이퍼(W)의 표면에 부착된 파티클수를 검출하는 파티클 카운터(501)나, 웨이퍼(W) 상에 형성된 막의 막 두께를 측정하는 막 두께 측정 장치(502) 등이다. 또한, 도 3에는 파티클 카운터(501)와 막 두께 측정 장치(502)를 나타내었지만, 공장(100) 내에는, 측정 항목에 따라 복수의 측정기(5)가 설치되어도 좋다.

또한, 공장(100)의 외부에는, 호스트 단말(6)이 설치된다. 호스트 단말(6)은, 예컨대 PC(Personal Computer)이며, 로컬 에리어 네트워크(LAN)나 인터넷이라고 하는 네트워크를 통해 측정기(5) 및 제어 장치(4)에 접속된다.

검사 처리에서는, 우선, 검사용의 모니터 웨이퍼를 각 처리 유닛(16)에 반입하고(S01), 각 처리 유닛(16)에 대하여 일련의 기판 처리를 실행시킨다. 계속해서, 처리 후의 모니터 웨이퍼를 기판 처리 시스템(1)으로부터 반출하여, 측정기(5)에 반입한다(S02). 측정기(5)는, 처리 후의 모니터 웨이퍼에 대하여, 파티클 측정이나 막 두께 측정 등의 표면 측정을 행하고, 그 측정 결과를 네트워크를 통해 호스트 단말(6)에 송신한다(S03).

계속해서, 호스트 단말(6)은, 측정기(5)로부터 측정 결과를 취득하면, 취득한 측정 결과에 기초하여, 각 처리 유닛(16)의 동작 상황의 양부를 판정한다. 본 실시형태에 있어서 호스트 단말(6)은, 막 두께 측정의 측정 결과에 기초하여 에칭 처리의 양부를 판정하고, 파티클 측정의 측정 결과에 기초하여 파티클 증가수의 양부를 판정하는 것으로 한다.

검사 처리에 이용되는 모니터 웨이퍼는, 예컨대 산화막 등의 막을 미리 결정된 막 두께로 형성하며, 미리 결정된 수의 파티클을 부착시킨 웨이퍼이다. 호스트 단말(6)은, 일련의 기판 처리 후의 모니터 웨이퍼의 막 두께의 측정 결과와 막 두께의 초기값을 비교함으로써, 에칭량이 규정의 범위 내인지의 여부를 판정한다. 그리고, 에칭량이 규정의 범위를 넘어 있는 경우, 호스트 단말(6)은, 그 처리 유닛(16)의 에칭 처리에 이상이 생겨 있다고 판정한다.

또한, 호스트 단말(6)은, 기판 처리 후의 모니터 웨이퍼의 파티클수의 측정 결과와 파티클수의 초기값을 비교함으로써, 파티클의 증가수가 규정의 범위 내인지의 여부를 판정한다. 그리고, 파티클의 증가수가 규정의 범위를 넘어 있는 경우, 호스트 단말(6)은, 그 처리 유닛(16)에 있어서 파티클이 발생하고 있다고 판정한다. 또한, 여기서는, 각 처리 유닛(16)의 동작 상황의 양부 판정을 호스트 단말(6)이 행하는 것으로 하였지만, 양부 판정은, 측정기(5)가 행하여도 좋다. 또한, 여기서는, 에칭 처리의 양부와 파티클 증가수의 양부를 판정하는 것으로 하였지만, 어느 한쪽만을 판정하는 것으로 하여도 좋다.

계속해서, 호스트 단말(6)은, 양부 판정의 결과, 어느 하나의 처리 유닛(16)에 있어서 이상이 검출된 경우, 이상이 검출된 처리 유닛(16)의 식별자(유닛 ID)와, 검출된 이상의 내용을 나타내는 식별자(이상 ID)를 포함하는 이상 검출 정보를 생성하여 제어 장치(4)에 송신한다(S04).

그리고, 제어 장치(4)는, 이상 검출 정보를 취득하면, 취득한 이상 검출 정보에 포함되는 유닛 ID를 참조함으로써 이상이 검출된 처리 유닛(16)을 특정하고, 특정한 처리 유닛(16)을 모니터 모드로 이행시킨다(S05).

여기서, 모니터 모드란, 제품 웨이퍼에 대한 일련의 기판 처리의 실행을 금지하는 모드이다. 이와 같이, 이상이 검출된 처리 유닛(16)을 모니터 모드로 이행시킴으로써, 제품 웨이퍼의 처리 불량을 미연에 방지할 수 있다.

또한, 본 실시형태에서는, 검사 처리의 결과, 이상이 검출된 처리 유닛(16)을 모니터 모드로 이행시키는 것으로 하지만, 이것에 한정되지 않고, 검사 처리를 개시하기 전에, 처리 유닛(16)을 모니터 모드로 이행시켜도 좋다. 이 경우에는, 검사 처리의 결과, 이상이 검출된 처리 유닛(16)에 대해서는 모니터 모드를 유지하고, 이상이 검출되지 않은 정상적인 처리 유닛(16)에 대해서는 모니터 모드를 해제하면 좋다.

여기서, 종래에 있어서는, 이상이 검출된 처리 유닛을 모니터 모드로 이행시킨 후, 오퍼레이터가 현장에 도착하여 개선 작업을 행하고, 그 후, 처리 유닛에 대하여 검사 처리를 재차 실시하여 이상이 검출되지 않은 경우에, 모니터 모드를 해제하고 있었다.

그러나, 이 방법에서는, 오퍼레이터가 현장에 도착하기까지 시간이 걸려 버리면, 개선 작업에 지연이 생기게 되어, 개선 작업이 지연된 분만큼 처리 유닛의 복구가 지연되어, 기판 처리 장치의 가동률이 저하할 우려가 있다. 특히, 최근에는, 공장의 무인화가 진행되고 있어, 오퍼레이터가 현장에 도착하기까지의 시간이 길어져 오고 있기 때문에, 오퍼레이터의 부재에 의한 가동률의 저하를 어떻게 하여 억제할지가 과제의 하나로 되어 있다.

그래서, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에서는, 이상이 검출된 처리 유닛(16)을 모니터 모드로 이행시킨 후, 호스트 단말(6)로부터 취득한 이상 검출 정보에 기초하여, 이상의 내용에 따른 개선 처리를 처리 유닛(16)에 대하여 실행시키는 것으로 하였다(S06). 이에 의해, 오퍼레이터의 유무에 상관없이 개선 처리를 실행할 수 있기 때문에, 기판 처리 시스템(1)의 가동률의 저하를 억제할 수 있다.

또한, 개선 처리는, 기억부(19)에 기억된 개선 처리 정보(191)에 따라 실행된다. 개선 처리 정보(191)나 개선 처리의 구체적인 내용에 대해서는 후술한다.

<4. 처리 유닛의 구체적 구성 및 기판 처리의 내용>

다음에, 본 실시형태에 따른 처리 유닛(16)의 구체적인 구성의 일례에 대해서 도 4를 참조하여 설명한다. 도 4는 처리 유닛(16)의 구체적 구성의 일례를 나타내는 도면이다.

도 4에 나타내는 바와 같이, 기판 유지 기구(30)가 구비하는 유지부(31)의 상면에는, 웨이퍼(W)를 측면으로부터 유지하는 척(311)이 마련된다. 웨이퍼(W)는, 이러한 척(311)에 의해 유지부(31)의 상면으로부터 약간 이격된 상태로 수평 유지된다.

또한, 처리 유체 공급부(40)는, 노즐(41)과, 노즐(41)을 수평으로 지지하는 아암(42)과, 아암(42)을 선회 및 승강시키는 선회 승강 기구(43)를 구비한다. 노즐(41)은, 밸브(61)를 통해 HF 공급원(71)에 접속된다. 또한, 노즐(41)은, 밸브(62)를 통해 DIW 공급원(72)에 접속된다. 처리 유체 공급부(40)는, HF 공급원(71)으로부터 공급되는 HF 또는 DIW 공급원(72)으로부터 공급되는 DIW를, 노즐(41)로부터 기판 유지 기구(30)에 유지된 웨이퍼(W)에 대하여 공급한다.

또한, HF는 플루오르화수소산이며, 일련의 기판 처리에 있어서 이용되는 에칭액의 일례이다. 또한, DIW는 상온(23도∼25도 정도)의 순수이며, 일련의 기판 처리에 있어서 이용되는 린스액의 일례이다. 또한, DIW는, 후술하는 척 세정, 노즐 세정, 컵 세정 및 챔버 세정에 있어서 이용되는 세정액의 일례이기도 하다.

또한, 처리 유닛(16)은, 챔버(20) 내에 노즐 버스(80)와 챔버 세정부(90)를 더 구비한다. 노즐 버스(80)는, 노즐 세정부의 일례이며, 노즐(41)을 세정하는 노즐 세정 처리에 이용된다. 구체적으로는, 노즐 버스(80)에는, 밸브(63)를 통해 DIW 공급원(73)이 접속되어 있고, DIW 공급원(73)으로부터 공급되는 DIW를 노즐(41)을 향하여 토출함으로써 노즐(41)을 세정한다. 노즐(41)의 세정에 사용된 세정수는, 배출로(81)를 통하여 외부로 배출된다.

또한, 노즐 버스(80)는, 더미 디스펜스부의 일례이기도 하다. 즉, 노즐 버스(80)에서는, 노즐(41)의 더미 디스펜스 처리도 행해진다. 더미 디스펜스 처리란, 예컨대 처리액의 열화를 방지하기 위해, 웨이퍼(W)에 처리액을 토출하지 않는 대기 중에 노즐(41)로부터 처리액을 적절하게 토출시키는 처리이다. 노즐(41)로부터 토출된 처리액은, 배출로(81)를 통하여 외부로 배출된다.

여기서는, 노즐 버스(80)가 노즐 세정부 및 더미 디스펜스부의 일례이며, 노즐 세정 처리 및 더미 디스펜스 처리의 양방이 노즐 버스(80)에 있어서 행해지는 경우의 예를 나타내었지만, 처리 유닛(16)은, 노즐 세정부와 더미 디스펜스부를 각각 구비하고 있어도 좋다.

챔버 세정부(90)는, 챔버(20)의 내벽을 세정하는 챔버 세정 처리에 이용된다. 챔버 세정부(90)는, 노즐(91)과, 노즐(91)을 수평으로 지지하는 아암(92)과, 아암(92)을 선회 및 승강시키는 선회 승강 기구(93)를 구비한다. 노즐(91)은, 밸브(64)를 통해 DIW 공급원(74)에 접속된다. 이러한 챔버 세정부(90)는, DIW 공급원(74)으로부터 공급되는 DIW를 노즐(91)로부터 챔버(20)의 내벽을 향하여 토출함으로써, 챔버(20)를 세정한다.

계속해서, 처리 유닛(16)이 실행하는 일련의 기판 처리의 일례에 대해서 도 5를 참조하여 설명한다. 도 5는 처리 유닛(16)이 실행하는 일련의 기판 처리의 처리 순서를 나타내는 흐름도이다.

또한, 처리 유닛(16)에 의한 일련의 기판 처리는, 제어 장치(4)가 구비하는 제어부(18)에 의해 제어된다. 제어부(18)는, 예컨대 CPU(Central Processing Unit)이며, 기억부(19)에 기억된 도시하지 않는 프로그램을 읽어내어 실행함으로써 처리 유닛(16)에 일련의 기판 처리를 실행시킨다. 또한, 제어부(18)는, 프로그램을 이용하지 않고 하드 웨어만으로 구성되어도 좋다.

도 5에 나타내는 바와 같이, 처리 유닛(16)에서는, 우선, 웨이퍼(W)의 반입 처리가 행해진다(단계 S101). 이러한 반입 처리에서는, 기판 반송 장치(17)(도 1 참조)가 유지부(31)의 도시하지 않는 지지핀 상에 웨이퍼(W)를 배치한 후, 척(311)이 웨이퍼(W)를 유지한다.

계속해서, 처리 유닛(16)에서는, 에칭 처리가 행해진다(단계 S102). 이러한 에칭 처리에서는, 우선, 구동부(33)가 유지부(31)를 회전시킴으로써, 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)를 미리 설정된 회전수로 회전시킨다. 계속해서, 처리 유체 공급부(40)의 노즐(41)이 웨이퍼(W)의 중앙 상방에 위치한다. 그 후, 밸브(61)가 소정 시간 개방됨으로써, HF 공급원(71)으로부터 공급되는 HF가 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)의 표면(피처리면)에 공급된다. 웨이퍼(W)에 공급된 HF는, 웨이퍼(W)의 회전에 따른 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 표면의 전체면에 확장된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 표면에 형성된 막이 HF에 의해 에칭된다.

계속해서, 처리 유닛(16)에서는, 웨이퍼(W)의 표면을 DIW로 씻는 린스 처리가 행해진다(단계 S103). 이러한 린스 처리에서는, 밸브(62)가 소정 시간 개방됨으로써, DIW 공급원(72)으로부터 공급되는 DIW가 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)의 표면에 공급되어, 웨이퍼(W)에 잔존하는 HF가 씻겨진다. 계속해서, 처리 유닛(16)에서는, 건조 처리가 행해진다(단계 S104). 이러한 건조 처리에서는, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 증속시킴으로써 웨이퍼(W) 상의 DIW를 털어내어 웨이퍼(W)를 건조시킨다.

또한, 단계 S103 및 단계 S104의 처리는, 기판 세정 처리의 일례이다. 여기서는, 린스 처리 후, 건조 처리를 행하는 것으로 하였지만, 린스 처리 후, 웨이퍼(W) 상의 DIW를 IPA(이소프로필알코올)로 치환하는 치환 처리를 행한 뒤에, 건조 처리를 행하여도 좋다.

계속해서, 처리 유닛(16)에서는, 반출 처리가 행해진다(단계 S105). 이러한 반출 처리에서는, 구동부(33)에 의한 웨이퍼(W)의 회전이 정지한 후, 웨이퍼(W)가 기판 반송 장치(17)(도 1 참조)에 의해 처리 유닛(16)으로부터 반출된다. 이러한 반출 처리가 완료하면, 1장의 웨이퍼(W)에 대한 일련의 기판 처리가 완료한다.

또한, 검사 처리에서는, 모니터 웨이퍼에 대하여 도 5에 나타내는 일련의 기판 처리가 실행되게 된다.

<5. 개선 처리 정보의 내용>

다음에, 기억부(19)에 기억되는 개선 처리 정보(191)의 일례에 대해서 도 6을 참조하여 설명한다. 도 6은 개선 처리 정보(191)의 일례를 나타내는 도면이다.

개선 처리 정보(191)는, 검사 처리에 의해 검출되는 이상의 내용과, 실행하여야 하는 개선 처리의 내용을 대응시킨 정보이다. 구체적으로는, 도 6에 나타내는 바와 같이, 개선 처리 정보(191)에는, 「이상 내용」 항목과 「개선 처리」 항목이 저장된다.

「이상 내용」 항목에는, 「종별」 항목과, 「레벨」 항목이 포함된다. 「종별」 항목은, 「파티클 발생」이나 「에칭 불량」 등의 이상의 종별을 나타내는 정보가 저장되는 항목이다. 또한, 「레벨」 항목은, 「Lv1」이나 「Lv2」 등, 종별마다의 이상의 정도를 나타내는 정보가 저장되는 항목이다. 예컨대, 「파티클 발생」의 「Lv1」은, 일련의 기판 처리 후의 모니터 웨이퍼의 파티클 증가수가 「1개∼50개」인 것을 나타내는 정보이며, 「파티클 발생」의 「Lv2」는, 일련의 기판 처리 후의 모니터 웨이퍼의 파티클 증가수가 「51개∼100개」인 것을 나타내는 정보이다. 또한, 「에칭 불량」에 대해서도 마찬가지로, 규정 범위로부터의 편차량이 적은 것부터 순서대로 「Lv1」, 「Lv2」와 같이 세분화된다.

한편, 「개선 처리」 항목은, 처리 유닛(16)에 실행시켜야 하는 개선 처리의 내용을 나타내는 정보가 저장되는 항목이다. 예컨대, 「개선 처리」 항목에는, 「이상 내용」 항목에 있어서의 「파티클 발생」의 「Lv1」과 대응시켜서, 「척 세정」이 저장되고, 「에칭 불량」의 「Lv1」과 대응시켜서, 「더미 디스펜스(Lv1)」가 저장된다.

또한, 「이상 내용」 항목은, 이상 검출 정보에 포함되는 이상 ID에 대응하는 것이며, 실제로는, 이상 ID와 동일한 ID가 저장된다. 또한, 「개선 처리」 항목에도, 실제로는, 개선 처리의 내용을 나타내는 식별자(개선 처리 ID)가 저장된다.

<6. 검사 처리에 있어서의 제어부의 구체적 동작>

다음에, 검사 처리에 있어서의 제어부(18)의 구체적 동작에 대해서 도 7을 참조하여 설명한다. 도 7은 검사 처리에 있어서 제어부(18)가 실행하는 처리 순서의 일례를 나타내는 흐름도이다.

도 7에 나타내는 바와 같이, 제어부(18)는, 호스트 단말(6)로부터 이상 검출 정보를 취득하였는지의 여부를 판정한다(단계 S201). 이 처리에 있어서, 이상 검출 정보를 취득하였다고 판정한 경우(단계 S201, Yes), 제어부(18)는, 취득한 이상 검출 정보에 포함되는 유닛 ID에 대응하는 처리 유닛(16)을 모니터 모드로 이행시킨다(단계 S202). 또한, 제어부(18)는, 단계 S202의 처리를 행한 후, 처리 유닛(16)을 모니터 모드로 이행시킨 취지의 통지를 호스트 단말(6)에 대하여 출력하여도 좋다.

이와 같이, 제어부(18)는, 호스트 단말(6)로부터 이상 검출 정보를 취득하였는지의 여부에 따라, 해당하는 처리 유닛(16)의 사용 가부를 판정한다. 그리고, 제어부(18)는, 이상 검출 정보를 취득한 경우에, 해당하는 처리 유닛(16)을 사용 불가라고 판정하여 모니터 모드로 이행시킨다. 또한, 이것에 한정되지 않고, 제어부(18)는, 취득한 이상 검출 정보의 내용에 따라 처리 유닛(16)의 사용 가부를 판정하도록 하여도 좋다.

계속해서, 제어부(18)는, 이상이 검출된 처리 유닛(16)에 대하여, 검출된 이상의 내용에 대응하는 개선 처리의 실행을 지시한다(단계 S203). 구체적으로는, 제어부(18)는, 개선 처리 정보(191)를 참조하여, 이상 검출 정보에 포함되는 이상 ID에 대응하는 개선 처리 ID를 특정하고, 특정한 개선 처리 ID에 대응하는 개선 처리를 처리 유닛(16)에 실행시킨다.

예컨대, 이상 ID가, 「파티클 발생」의 「Lv1」을 나타내는 경우, 제어부(18)는, 대응하는 개선 처리로서 「척 세정」의 개선 처리 ID를 개선 처리 정보(191)로부터 특정한다. 그리고, 제어부(18)는, 특정한 개선 처리 ID에 대응하는 「척 세정」을 해당하는 처리 유닛(16)에 실행시킨다. 「척 세정」은, 기판 유지 기구(30)가 구비하는 척(311)(도 4 참조)에 대하여, DIW 공급원(72)으로부터 공급되는 DIW를 노즐(41)로부터 토출함으로써, 척(311)에 부착된 오물을 제거하는 처리이다.

또한, 이상 ID가, 「파티클 발생」의 「Lv2」를 나타내는 경우, 제어부(18)는, 대응하는 개선 처리로서 「척 세정+노즐 세정」을 해당하는 처리 유닛(16)에 실행시킨다. 「척 세정+노즐 세정」은, 전술한 「척 세정」에 더하여 「노즐 세정」을 실행하는 처리이다. 「노즐 세정」은, 노즐 버스(80)를 이용하여 노즐(41)을 세정함으로써, 노즐(41)에 부착된 오물을 제거하는 처리이다.

또한, 이상 ID가, 「파티클 발생」의 「Lv3」을 나타내는 경우, 제어부(18)는, 대응하는 개선 처리로서 「척 세정+노즐 세정+컵 세정」을 해당하는 처리 유닛(16)에 실행시킨다. 「척 세정+노즐 세정+컵 세정」은, 전술한 「척 세정」 및 「노즐 세정」에 더하여 「컵 세정」을 실행하는 처리이다. 「컵 세정」은, 회수컵(50)에 대하여, DIW 공급원(72)으로부터 공급되는 DIW를 노즐(41)로부터 토출함으로써, 회수컵(50)에 부착된 오물을 제거하는 처리이다.

또한, 이상 ID가, 「파티클 발생」의 「Lv4」를 나타내는 경우, 제어부(18)는, 대응하는 개선 처리로서 「척 세정+노즐 세정+컵 세정+챔버 세정」을 해당하는 처리 유닛(16)에 실행시킨다. 「척 세정+노즐 세정+컵 세정+챔버 세정」은, 전술한 「척 세정」, 「노즐 세정」 및 「컵 세정」에 더하여 「챔버 세정」을 실행하는 처리이다. 「챔버 세정」은, 챔버 세정부(90)의 노즐(91)로부터 챔버(20)의 내벽을 향하여 DIW를 토출함으로써, 챔버(20)의 내벽에 부착된 오물을 제거하는 처리이다.

또한, 이상 ID가, 「에칭 불량」의 「Lv1」을 나타내는 경우, 제어부(18)는, 대응하는 개선 처리로서 「더미 디스펜스(Lv1)」를 해당하는 처리 유닛(16)에 실행시킨다. 또한, 이상 ID가, 「에칭 불량」의 「Lv2」를 나타내는 경우, 제어부(18)는, 대응하는 개선 처리로서 「더미 디스펜스(Lv2)」를 해당하는 처리 유닛(16)에 실행시킨다. 「더미 디스펜스(Lv1)」는, 더미 디스펜스 처리를 시간(T1)만큼 실행하는 처리이며, 「더미 디스펜스(Lv2)」는, 전술한 더미 디스펜스처리를 시간(T1)보다 긴 시간(T2)만큼 실행하는 처리이다. 바꾸어 말하면, 「더미 디스펜스(Lv2)」는, 「더미 디스펜스(Lv1)」보다 많은 처리액을 노즐(41)로부터 토출시키는 처리이다.

이와 같이, 기판 처리 시스템(1)에서는, 이상의 종별에 따라 개선 처리의 내용을 상이시키며, 동일 종별의 이상이라도, 그 레벨마다 개선 처리의 내용을 상이시키는 것으로 하였다. 구체적으로는, 이상의 레벨이 높아질수록, 개선 처리로서 실행시키는 처리의 종류를 늘리거나, 단일의 처리라도 처리 시간을 길게 하거나 하는 것으로 하였다. 이에 의해, 이상의 레벨에 따른 최적의 개선 처리를 처리 유닛(16)에 실행시킬 수 있다.

또한, 도 6에 나타내는 개선 처리 정보(191)는, 어디까지나 일례이며, 개선 처리의 내용이나 각 처리의 편성은, 도시된 것에 한정되지 않는다.

계속해서, 전술한 개선 처리를 끝내면, 제어부(18)는, 호스트 단말(6)에 대하여 재검사 요구를 출력한다(단계 S204). 재검사 요구는, 개선 처리를 실행시킨 처리 유닛(16)의 유닛 ID를 포함하며, 이 처리 유닛(16)에 대하여 검사 처리의 재실시를 요구하는 취지의 통지이다. 이와 같이, 호스트 단말(6)에 대하여 재검사 요구를 출력함으로써, 검사 처리가 재차 실시되기까지의 시간을 가급적 짧게 할 수 있다. 단계 S204의 처리를 끝낸 경우, 혹은, 단계 S201에 있어서 이상 검출 정보를 취득하지 않는 경우(단계 S201, No), 제어부(18)는, 검사 처리에 있어서의 일련의 처리 순서를 끝낸다.

또한, 그 후의 측정기(5)에 의한 재검사의 결과, 처리 유닛(16)에 재차 이상이 검출된 경우, 제어부(18)는, 이러한 처리 유닛(16)에 대하여, 재검사의 결과에 기초하여 재차 개선 처리를 행하여도 좋다. 이 경우, 제어부(18)는, 개선 처리의 재시도 횟수가 미리 설정된 임계값(예컨대, 3회)을 넘은 경우에는, 개선 처리 대신에 오퍼레이터에의 통지 처리를 행하여도 좋다. 통지 처리는, 예컨대, 이상이 검출된 처리 유닛(16)의 유닛 ID와, 이상의 내용을 나타내는 이상 ID를 포함한 이상 검출 정보를 오퍼레이터에 대하여 전자 메일로 통지하는 처리나, 기판 처리 시스템(1)에 마련된 디스플레이에 상기 이상 검출 정보의 내용을 표시하는 처리 등이다.

또한, 여기서는, 처리 유닛(16)에 이상이 검출된 경우에, 이상이 검출된 처리 유닛(16)에 대하여 반드시 개선 처리를 실시시키는 것으로 하였지만, 제어부(18)는, 검출된 이상의 레벨이 미리 설정된 레벨 이상인 경우에는, 처리 유닛(16)에 개선 처리를 실행시키는 일없이 오퍼레이터에의 통지 처리를 행하여도 좋다.

도 8은 검사 처리에 있어서 제어부(18)가 실행하는 처리 순서의 다른 일례를 나타내는 흐름도이다. 또한, 도 8에 나타내는 단계 S301∼S303은, 도 7에 나타내는 단계 S201∼S203의 처리와 동일하기 때문에, 설명을 생략한다.

도 8에 나타내는 바와 같이, 제어부(18)는, 개선 처리의 실행을 지시한 후(단계 S303), 개선 처리를 실행한 처리 유닛(16)의 모니터 모드를 해제하는 처리를 행하여도 좋다(단계 S304). 이에 의해, 처리 유닛(16)은, 제품 웨이퍼를 처리 가능한 상태가 되기 때문에, 기판 처리 시스템(1)의 가동률의 저하를 더욱 억제할 수 있다.

또한, 제어부(18)는, 도 7에 나타내는 처리 순서(단계 S201∼S204)를 실행하는 모드와, 도 8에 나타내는 처리 순서(단계 S301∼S304)를 실행하는 모드를 설정에 의해 변경 가능하게 하여도 좋다.

전술해 온 바와 같이, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)(「기판 처리 장치」의 일례에 상당)은, 처리 유닛(16)과, 제어부(18)를 구비한다. 처리 유닛(16)은, 웨이퍼(W)를 처리한다. 제어부(18)는, 처리 유닛(16)에 대하여 일련의 기판 처리를 실행시킨다. 또한, 제어부(18)는, 처리 유닛(16)에 의해 일련의 기판 처리가 실시된 모니터 웨이퍼에 대하여 실시되는 표면 측정에 의해 검출된 이상의 내용에 기초하여 처리 유닛(16)의 사용 가부를 판정하고, 사용 불가라고 판정한 경우에, 이상이 검출된 처리 유닛(16)에 대하여, 검출된 이상의 내용에 대응하는 개선 처리를 실행시킨다.

따라서, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에 따르면, 처리 유닛(16)에 이상이 검출된 경우의 가동률의 저하를 억제할 수 있다.

또한, 이하의 기능을 호스트 단말(6)에 갖게 하여도 좋다. 일련의 기판 처리가 실시된 모니터 웨이퍼에 대하여 실시되는 표면 측정에 의해 검출된 이상의 내용에 기초하여 처리 유닛(16)의 사용 가부를 판단하는 기능. 사용 불가라고 판단한 경우에, 취득한 상기 이상의 내용과 상기 기억부에 기억된 상기 개선 정보를 대응 지어 상기 개선 처리를 특정하는 기능. 이상이 검출된 처리 유닛(16)에 대하여, 검출된 이상의 내용에 대응하는 개선 처리를 실행시키는 요구를 기판 처리 장치의 제어부(18)에 보내는 기능. 그리고, 그 호스트 단말(6)로부터의 요구에 기초하여 기판 처리 장치의 제어부(18)가, 이상이 검출된 처리 유닛(16)에 대하여, 검출된 이상의 내용에 대응하는 개선 처리를 실행시켜도 좋다.

(제2 실시형태)

그런데, 전술한 제1 실시형태에서는, 측정기(5)가 기판 처리 시스템(1)의 외부에 마련되는 경우의 예에 대해서 설명하였지만, 측정기(5)는, 기판 처리 시스템(1)에 일체적으로 편입되어도 좋다. 제2 실시형태에서는, 기판 처리 시스템(1)에 측정기(5)를 편입한 경우의 검사 처리의 내용에 대해서 설명한다.

도 9는 제2 실시형태에 따른 검사 처리의 개요 설명도이다. 또한, 이하의 설명에서는, 이미 설명한 부분과 동일한 부분에 대해서는, 이미 설명한 부분과 동일한 부호를 붙이고, 중복하는 설명을 생략한다.

도 9에 나타내는 바와 같이, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1A)은, 측정기(5)를 내장한다. 측정기(5)는, 예컨대 기판 처리 시스템(1A)의 처리 스테이션(3)(도 1 참조)에 배치된다. 또한, 제2 실시형태에 따른 제어 장치(4A)는, 로컬 에리어 네트워크(LAN)나 인터넷이라고 하는 네트워크를 통해 측정기(5)에 접속된다.

제2 실시형태에 따른 검사 처리에서는, 우선, 검사용의 모니터 웨이퍼를 각 처리 유닛(16)에 반입하고, 각 처리 유닛(16)에 대하여 일련의 기판 처리를 실행시킨다(S31). 계속해서, 일련의 기판 처리 후의 모니터 웨이퍼를 처리 유닛(16)으로부터 반출하여, 측정기(5)에 반입한다(S32). 측정기(5)는, 일련의 기판 처리 후의 모니터 웨이퍼에 대하여, 파티클 측정이나 막 두께 측정 등의 표면 측정을 행하고, 그 측정 결과를 제어 장치(4A)에 송신한다(S33).

계속해서, 제어 장치(4A)의 제어부(18A)는, 측정기(5)로부터 측정 결과를 취득하면, 취득한 측정 결과에 기초하여, 각 처리 유닛(16)의 동작 상황의 양부를 판정한다. 또한, 이 양부 판정은, 측정기(5)가 행하여도 좋다.

계속해서, 제어부(18A)는, 판정의 결과, 어느 하나의 처리 유닛(16)에 있어서 이상이 검출된 경우, 이상이 검출된 처리 유닛(16)의 유닛 ID와, 검출된 이상의 내용을 나타내는 이상 ID를 포함하는 이상 검출 정보를 생성한다. 그리고, 제어부(18A)는, 생성한 이상 검출 정보에 기초하여, 해당하는 처리 유닛(16)을 모니터 모드로 이행시킨 뒤에(S34), 제1 실시형태에 있어서 전술한 개선 처리를 처리 유닛(16)에 실시시킨다(S35).

다음에, 제2 실시형태에 따른 검사 처리에 있어서의 제어부(18A)의 구체적 동작에 대해서 도 10을 참조하여 설명한다. 도 10은 제2 실시형태에 따른 검사 처리에 있어서 제어부(18A)가 실행하는 처리 순서의 일례를 나타내는 흐름도이다.

도 10에 나타내는 바와 같이, 제어부(18A)는, 측정기(5)로부터 측정결과를 취득하면(단계 S401), 어느 하나의 처리 유닛(16)에 있어서 이상이 검출되었는지의 여부를 판정한다(단계 S402). 그리고, 제어부(18A)는, 어느 하나의 처리 유닛(16)에 있어서 이상이 검출된 경우(단계 S402, Yes), 이상이 검출된 처리 유닛(16)을 사용 불가라고 판정하고, 이상이 검출된 처리 유닛(16)의 유닛 ID와, 이상의 내용을 나타내는 이상 ID를 포함한 이상 검출 정보를 생성한다(단계 S403).

계속해서, 제어부(18A)는, 이상 검출 정보에 포함되는 유닛 ID에 대응하는 처리 유닛(16)을 모니터 모드로 이행시킨 뒤에(단계 S404), 해당하는 처리 유닛(16)에 대하여 개선 처리의 실행을 지시한다(단계 S405). 또한, 단계 S404 및 단계 S405의 처리는, 도 7에 나타내는 단계 S202 및 단계 S203의 처리와 동일하다.

계속해서, 제어부(18A)는, 개선 처리가 완료한 후, 개선 처리를 실행시킨 처리 유닛(16)에 대해서 검사 처리를 재차 실행한다(단계 S406). 구체적으로는, 제어부(18A)는, 개선 처리를 실행시킨 처리 유닛(16)에 대하여 모니터 웨이퍼를 반입하여, 일련의 기판 처리를 실행시킨다. 계속해서, 제어부(18A)는, 처리 유닛(16)으로부터 모니터 웨이퍼를 반출하여 측정기(5)에 반입하고, 측정기(5)에 대하여 모니터 웨이퍼의 표면 측정을 행하게 한다.

계속해서, 제어부(18A)는, 측정기(5)로부터 측정 결과를 취득하여(단계 S407), 재검사 처리를 행한 어느 하나의 처리 유닛(16)에 있어서 이상이 검출되었는지의 여부를 판정한다(단계 S408). 그리고, 제어부(18A)는, 이상이 검출되지 않은 처리 유닛(16)에 대해서는(단계 S408, No), 모니터 모드를 해제하는 처리를 행하고(단계 S409), 이상이 검출된 처리 유닛(16)이 존재하는 경우에는(단계 S408, Yes), 통지 처리를 행한다(단계 S410). 제어부(18A)는, 통지 처리로서, 예컨대, 이상이 검출된 처리 유닛(16)의 유닛 ID와, 이상의 내용을 나타내는 이상 ID를 포함한 이상 검출 정보를 오퍼레이터에 대하여 전자 메일로 통지하는 처리나, 기판 처리 시스템(1A)에 마련된 디스플레이에 상기 이상 검출 정보의 내용을 표시하는 처리 등을 한다.

단계 S409 또는 단계 S410의 처리를 끝내었을 때, 혹은, 단계 S402에 있어서 모든 처리 유닛(16)에 이상이 검출되지 않은 경우(단계 S402, No), 제어부(18A)는, 제2 실시형태에 따른 검사 처리에 있어서의 일련의 처리 순서를 끝낸다.

이와 같이, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1A)에서는, 측정기(5)를 내장하여, 이상 검출 정보의 생성이나 재검사 처리 혹은 모니터 모드 해제 처리 등을 호스트 단말(6)에 상관없이 실행하는 것으로 하였다. 이 때문에, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1A)에 따르면, 처리 유닛(16)에 이상이 검출된 경우의 가동률의 저하를 더욱 억제할 수 있다.

추가적인 효과나 변형예는, 당업자에 의해 용이하게 도출할 수 있다. 이 때문에, 본 발명의 보다 광범한 양태는, 이상과 같이 나타낸 또한 서술한 특정 상세 및 대표적인 실시형태에 한정되는 것이 아니다. 따라서, 첨부된 특허 청구의 범위 및 그 균등물에 의해 정의되는 총괄적인 발명의 개념의 정신 또는 범위로부터 일탈하는 일없이, 여러가지 변경이 가능하다.

1 기판 처리 시스템
2 반입출 스테이션
3 처리 스테이션
4 제어 장치
5 측정기
6 호스트 단말
16 처리 유닛
18 제어부
19 기억부
20 챔버
30 기판 유지 기구
40 처리 유체 공급부
41 노즐
50 회수컵
71 HF 공급원
72∼74 DIW 공급원
80 노즐 버스
90 챔버 세정부
100 공장
191 개선 처리 정보
311 척

Claims

기판을 처리하는 처리 유닛과,
상기 처리 유닛에 대하여 기판 처리를 실행시키는 제어부
를 구비하고,
상기 제어부는,
상기 처리 유닛에 기판 처리를 실시시키는 것과,
상기 기판 처리 후에 기판 표면 측정에 의해 검출된 이상의 내용을 포함하는 이상 검출 정보에 기초하여, 이상이 검출된 처리 유닛에 대하여 개선 처리를 실행시키고,
상기 개선 처리는, 상기 이상의 내용과 상기 개선 처리를 대응시킨 개선 처리 정보로부터 특정되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제1항에 있어서, 상기 개선 처리 정보는,
상기 이상의 내용으로서, 이상의 정도를 나타내는 정보를 이상의 종별마다 포함하고, 각 종별에 있어서의 이상의 정도마다, 실행하여야 하는 상기 개선 처리가 대응되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제1항에 있어서, 상기 개선 처리 정보를 기억하는 기억부를 구비하고,
상기 제어부는,
상기 이상의 내용을 포함한 상기 이상 검출 정보를 네트워크를 통해 취득하고, 취득한 상기 이상의 내용과 상기 기억부에 기억된 상기 개선 정보를 대응시켜서, 상기 개선 처리가 특정되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제1항에 있어서, 상기 개선 처리 정보를 기억하는 기억부를 구비하고,
상기 제어부는,
상기 이상의 내용을 포함한 상기 이상 검출 정보를 네트워크를 통해 취득하고,
상기 이상의 내용을 기초로, 상기 처리 유닛을 사용할 수 있는지 할 수 없는지를 판단하며,
상기 처리 유닛을 사용할 수 없다고 판단했을 때에,
취득한 상기 이상의 내용과 상기 기억부에 기억된 상기 개선 정보를 대응시켜서, 상기 개선 처리가 특정되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제1항에 있어서, 상기 제어부는,
상기 개선 처리를 네트워크를 통해 취득하고,
상기 개선 처리를, 이상이 검출된 처리 유닛에 대하여 실행시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제어부는,
상기 이상이 검출된 처리 유닛에 대하여 상기 개선 처리를 실행시킨 후, 상기 개선 처리를 실행한 처리 유닛에 대하여 상기 기판 처리를 재차 실행시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제어부는,
상기 이상이 검출된 처리 유닛을, 제품 기판에 대한 상기 기판 처리의 실행을 금지하는 모니터 모드로 이행시키고, 상기 이상이 검출된 처리 유닛에 대하여 상기 개선 처리를 실행시킨 후, 상기 처리 유닛의 상기 모니터 모드를 해제하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제어부는,
상기 이상이 검출된 처리 유닛을, 제품 기판에 대한 상기 기판 처리의 실행을 금지하는 모니터 모드로 이행시키고,
상기 이상이 검출된 처리 유닛에 대하여 상기 개선 처리를 실행시킨 후, 상기 개선 처리를 실행한 처리 유닛에 대하여 상기 기판 처리를 재차 실행시키며,
상기 처리 유닛을 사용할 수 있다고 판단했을 때에,
상기 처리 유닛의 상기 모니터 모드를 해제하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 표면 측정을 실시하는 측정기를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리 유닛은,
상기 기판을 유지하여 회전시키는 기판 유지 기구와,
미리 설정된 처리액을 토출하는 노즐
을 구비하고,
상기 제어부는,
상기 이상의 내용이, 파티클의 발생인 경우에, 상기 개선 처리로서, 상기 이상이 검출된 처리 유닛에 대하여, 상기 노즐로부터 상기 기판 유지 기구를 향하여 세정액을 토출하여 상기 기판 유지 기구를 세정하는 처리를 실행시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리 유닛은,
상기 기판을 유지하여 회전시키는 기판 유지 기구와,
미리 설정된 처리액을 토출하는 노즐과,
상기 노즐을 세정하는 노즐 세정부
를 구비하고,
상기 제어부는,
상기 이상의 내용이, 파티클의 발생인 경우에, 상기 개선 처리로서, 상기 이상이 검출된 처리 유닛에 대하여, 상기 노즐 세정부를 이용하여 상기 노즐을 세정하는 처리를 실행시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리 유닛은,
상기 기판을 유지하여 회전시키는 기판 유지 기구와,
미리 설정된 처리액을 토출하는 노즐과,
상기 기판 유지 기구에 유지된 기판의 주위를 둘러싸며, 상기 기판으로부터 비산하는 처리액을 회수하는 회수컵
을 구비하고,
상기 제어부는,
상기 이상의 내용이, 파티클의 발생인 경우에, 상기 개선 처리로서, 상기 이상이 검출된 처리 유닛에 대하여, 상기 노즐로부터 상기 회수컵을 향하여 세정액을 토출하여 상기 회수컵을 세정하는 처리를 실행시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리 유닛은,
상기 기판을 유지하여 회전시키는 기판 유지 기구와,
미리 설정된 처리액을 토출하는 노즐과,
상기 기판 유지 기구 및 상기 노즐을 수용하는 챔버
를 구비하고,
상기 제어부는,
상기 이상의 내용이, 파티클의 발생인 경우에, 상기 개선 처리로서, 상기 이상이 검출된 처리 유닛에 대하여, 상기 노즐로부터 상기 챔버의 내벽을 향하여 세정액을 토출하여 상기 챔버의 내벽을 세정하는 처리를 실행시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리 유닛은,
상기 기판을 유지하여 회전시키는 기판 유지 기구와,
에칭액을 토출하는 노즐과,
상기 노즐로부터 토출되는 에칭액을 받아 배출하는 더미 디스펜스부
를 구비하고,
상기 제어부는,
상기 이상의 내용이, 에칭 불량인 경우에, 상기 개선 처리로서, 상기 이상이 검출된 처리 유닛에 대하여, 상기 노즐로부터 상기 더미 디스펜스부에 상기 에칭액을 토출하는 더미 디스펜스 처리를 실행시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
기판을 처리하는 처리 유닛과,
상기 처리 유닛에 대하여 기판 처리를 실행시키는 제어부
를 구비한 기판 처리 장치에 있어서의 기판 처리 방법으로서,
기판을 처리하는 처리 유닛으로 기판 처리를 행하는 기판 처리 공정과,
상기 기판 처리 공정 후에 실시되는 기판 표면 측정에 의해 검출된 이상의 내용을 포함하는 이상 검출 정보에 기초한 개선 처리를 행하는 개선 처리 공정을 포함하고,
상기 개선 처리 공정은, 이상이 검출된 처리 유닛에 대하여 실행되며,
상기 개선 처리는, 상기 이상의 내용과 상기 개선 처리를 대응시킨 개선 처리 정보로부터 특정되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.