TW201619725A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於：抑制當處理單元檢測出異常時生產量的下降。 本發明之解決手段為：依實施態樣的基板處理裝置，包含處理單元，及對處理單元執行基板處理的控制部。控制部使處理單元實施基板處理，並基於異常檢測資訊，對檢測出異常的處理單元執行改善處理；該異常檢測資訊包含：在基板處理後，由基板表面測定檢測出之異常內容；改善處理係以改善處理資訊加以確定；該改善處理資訊，為使異常內容與改善處理對應之資訊。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明所揭露之實施態樣，係關於基板處理裝置及基板處理方法。
以往，在具備複數處理半導體晶圓、玻璃基板等基板處理單元之基板處理裝置中，定期檢查各處理單元的動作狀況。
例如，專利文獻1中揭露，藉由監視蝕刻液的流量、溫度等，以判定各處理單元的動作狀況是否有異常之技術。在此專利文獻1所記載的技術中係設定成，當在處理單元的動作狀況檢測到異常時，檢索資料庫以確定出執勤中的操作員，並對確定出的操作員，以電子郵件通知包含異常內容等資訊。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2005-064214號公報
[發明所欲解決之問題]
然而，上述先前技術中，若直至進行改善作業的操作員趕到現場，造成時間花費，會導致改善作業產生延遲，使處理單元的回復亦跟著「改善作業延遲的量」延遲，在這期間無法使用處理單元，有使基板處理裝置的運轉效率下降之虞。
尤其，近年來，隨著工廠的無人化進展，使得直至操作員趕到現場的時間變長。因此，「如何抑制由於操作員不在，而造成處理單元的回復延遲」，成為一個課題。
又，在基板處理裝置，作為專利文獻1所記載之檢查方法以外的檢查方法，亦包含以下之情形：在對於處理單元搬入檢查用之監測晶圓而執行一連串基板處理後，藉由使用外部的測定器檢驗處理後之監測晶圓的表面，以檢查處理單元的動作狀況。上述課題，同樣也會發生在進行這般檢查的場合。
實施態樣之一態樣的目的在於提供一種基板處理裝置及基板處理方法，其可以抑制在處理單元檢測到異常時之運轉效率下降。 [解決問題之方式]
依實施態樣之一態樣的基板處理裝置，包含：處理單元，用以處理基板；及控制部，使該處理單元執行基板處理；該控制部對該處理單元實施基板處理；基於異常檢測資訊，對於檢測出異常處理單元執行改善處理；該異常檢測資訊包含：在該基板處理後，由基板表面測定檢測的異常內容；該改善處理，係藉由改善處理資訊加以確定；該改善處理資訊，為使該異常內容與該改善處理相對應之資訊。 [發明之效果]
若依實施態樣之一態樣，可抑制於處理單元檢測出異常時之生產量下降。
以下，參照添付圖面，詳細說明本案所揭露之基板處理裝置及基板處理方法的實施態樣。又，本發明不限定於以下所示之實施態樣。
(第一實施態樣) ＜1、基板處理系統的概略構成＞ 圖1為表示依本實施態樣之基板處理系統的概略構成之圖式。以下，為了使位置關係明確，規定互相垂直的X軸、Y軸及Z軸，並將Z軸正方向定為鉛直向上的方向。
如圖1所示，基板處理系統1包含「搬入出站2」及「處理站3」。搬入出站2與處理站3係鄰接設置。
搬入出站2包含「載體載置部11」及「搬送部12」。在載體載置部11載置複數之載體C，該複數之載體C以水平狀態收容複數片基板，本實施態樣中，係半導體晶圓(以下稱作「晶圓W」)。
搬送部12鄰接載體載置部11而設置，於其內部具備「基板搬送裝置13」及「傳遞部14」。基板搬送裝置13具備晶圓固持機構，用以固持晶圓W。又，基板搬送裝置13能向水平方向及鉛直方向移動，並能以鉛直軸為中心旋轉；使用晶圓固持機構，在載體C與傳遞部14之間搬送晶圓W。
處理站3係鄰接搬送部12而設置。處理站3包含「搬送部15」及「複數之處理單元16」。複數之處理單元16，係於搬送部15的兩側並列而設置。
於搬送部15的內部，具備「基板搬送裝置17」。基板搬送裝置17具備晶圓固持機構，用以固持晶圓W。又，基板搬送裝置17能向水平方向及鉛直方向移動，並能以鉛直軸為中心旋轉；使用晶圓固持機構，在傳遞部14與處理單元16之間搬送晶圓W。
處理單元16，對於由基板搬送裝置17搬送之晶圓W，進行既定的基板處理。
又，基板處理系統1包含「控制裝置4」。控制裝置4例如為電腦，其包含「控制部18」及「儲存部19」。在儲存部19儲存「控制於基板處理系統1中執行的各種處理之程式」。控制部18，藉由讀取並執行儲存於儲存部19的程式，以控制基板處理系統1的動作。
又，關聯的程式，係記錄於可由電腦讀取的儲存媒體，亦可自儲存媒體安裝至控制裝置4之儲存部19。作為可由電腦讀取的儲存媒體，例如包含硬碟(HD)、軟性磁碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)及記憶卡等。
如上述構成之基板處理系統1中，首先，搬入出站2之基板搬送裝置13，從載置於載體載置部11之載體C，將晶圓W取出，並將取出之晶圓W載置於傳遞部14。載置於傳遞部14之晶圓W，係藉由處理站3之基板搬送裝置17，從傳遞部14取出，並向處理單元16搬入。
向處理單元16搬入之晶圓W，在利用處理單元16處理後，藉由基板搬送裝置17從處理單元16搬出，並載置於傳遞部14。又，載置於傳遞部14之處理完畢的晶圓W，藉由基板搬送裝置13，返回載體載置部11之載體C。
＜2、處理單元的概略構成＞ 接著，就處理單元16之構成，參照圖2說明。圖2為表示處理單元16的概略構成之圖式。
如圖2所示，處理單元16包含：腔室20、基板固持機構30、處理流體供給部40及回收杯50。
腔室20，係用以收容：基板固持機構30、處理流體供給部40及回收杯50。在腔室20的頂棚部，設有「風機過濾機組(Fan Filter Unit，FFU)21」。風機過濾機組21，於腔室20內形成降流。
基板固持機構30包含：固持部31、支柱部32及驅動部33。固持部31，將晶圓W水平固持。支柱部32為在鉛直方向延伸的構件，其基端部係藉由驅動部33可旋轉地支持，於其前端部將固持部31水平支持。驅動部33，使支柱部32繞著鉛直軸旋轉。關聯的基板固持機構30，藉由使用驅動部33而使支柱部32旋轉，以使支持於支柱部32的固持部31旋轉，藉此，使固持於固持部31的晶圓W旋轉。
處理流體供給部40對晶圓W供給處理流體。處理流體供給部40連接於處理流體供給源70。
回收杯50係配置成包圍固持部31，藉由固持部31的旋轉，捕集自晶圓W飛散的處理液。在回收杯50的底部，形成排液口51；藉由回收杯50捕集之處理液，自關聯的排液口51向處理單元16的外部排出。又，在回收杯50的底部形成排氣口52，用以自風機過濾機組21將供給的氣體向處理單元16的外部排出。
＜3、檢查處理的概要＞ 此外，基板處理系統1中，在使製品晶圓於各處理單元16進行處理之前，會定期進行檢查處理，以檢查各處理單元16的動作狀況。就此檢查處理的概要，參照圖3說明。圖3為檢查處理的概要說明圖。又，圖3中，監測晶圓的流程係以實線箭頭表示，資料的流程係以虛線箭頭表示。
又，在此，雖然係以使用監測晶圓而進行檢查處理的情形為例表示，然而，檢查處理亦可不使用監測晶圓，而使用製品晶圓進行。又，在此，雖然係以定期進行檢查處理的情形為例表示，然而，檢查處理，亦可非定期進行，例如，亦可在處理單元的維護後等場合，不定期的進行。
如圖3所示，在設置有基板處理系統1的工廠100內，除基板處理系統1、控制裝置4之外，還設置有測定器5。測定器5，係用來測定晶圓W的表面(被處理面)狀態之裝置。例如，測定器5，為「顆粒計數器501，用以檢測附著於晶圓W表面的顆粒數」，或為「膜厚測定裝置502，用以測定形成於晶圓W上的膜之膜厚」等。又，雖然圖3中表示顆粒計數器501與膜厚測定裝置502，但在工廠100內，亦可因應測定項目，設置複數之測定器5。
又，在工廠100外部設置主機終端6。主機終端6，例如為個人電腦(Personal Computer，PC)，其透過區域網路(LAN)或網際網路(internet)等所謂的網路(network)，而連接至測定器5及控制裝置4。
在檢查處理，首先，將「檢查用之監測晶圓」搬入各處理單元16(S01)，而對各處理單元16執行一連串基板處理。接著，將處理後的監測晶圓自基板處理系統1搬出，並搬入測定器5(S02)。測定器5對於處理後的監測晶圓，進行顆粒測定、膜厚測定等表面測定，而將其測定結果透過網路傳送至主機終端6(S03)。
接著，主機終端6若從測定器5取得測定結果，便基於取得之測定結果，判定各處理單元16的動作狀況之良劣。本實施態樣中，主機終端6係設定為：基於膜厚測定的測定結果，判定蝕刻處理之良劣；基於顆粒測定的測定結果，判定顆粒增加數之良劣。
在檢查處理中使用的監測晶圓，例如為：在使氧化膜等膜以預先決定之膜厚形成的同時，附著預先決定之數目的顆粒之晶圓。主機終端6，藉由比較「一連串基板處理後之監測晶圓的膜厚之測定結果」與「膜厚的起始値」，而判定蝕刻量是否在規定的範圍內。又，當蝕刻量超過規定的範圍時，主機終端6會判定為：在此處理單元16的蝕刻處理，產生異常。
又，主機終端6，藉由比較「基板處理後之監測晶圓的顆粒數之測定結果」與「顆粒數的起始値」，判定顆粒的增加數是否在規定的範圍內。又，當顆粒的增加數超過規定的範圍時，主機終端6會判定為：在此處理單元16產生顆粒。又，在此，雖將各處理單元16的動作狀況之良劣判定以「主機終端6」進行，但良劣判定亦可由「測定器5」進行。又，雖然在此係判定「蝕刻處理的良劣」及「顆粒增加數的良劣」，但亦可設定為僅判定其中任何一方。
接著，當良劣判定的結果，於任一處理單元16檢測出異常時，主機終端6生成包含「檢測出異常的處理單元16之標誌符(單元ID)」及「表示檢測出的異常內容之標誌符(異常ID)」的異常檢測資訊，並傳送到控制裝置4(S04)。
又，若控制裝置4取得異常檢測資訊，便藉由參照取得之異常檢測資訊中包含的單元ID，而對檢測出異常的處理單元16加以確定，並將確定出之處理單元16轉變為監測模式(S05)。
在此，所謂監測模式，係指「禁止對於製品晶圓執行一連串基板處理」之模式。如此，藉由使檢測出異常之處理單元16轉變為監測模式，可防範製品晶圓之處理不良於未然。
又，雖然在本實施態樣中，檢查處理的結果，將檢測出異常之處理單元16轉變為監測模式；然而，不限於此，亦可在開始檢查處理前，將處理單元16轉變為監測模式。此時，檢查處理的結果，針對檢測出異常之處理單元16，維持監測模式，針對未檢測出異常的正常處理單元16，解除監測模式即可。
在此，於以往，在使檢測出異常之處理單元轉變為監測模式後，操作員趕到現場進行改善作業，其後，當對處理單元再度實施檢查處理而檢測出異常時，解除監測模式。
然而，此方法中，若直至操作員趕到現場，造成時間花費，會導致改善作業產生延遲，使處理單元的回復亦跟著「改善作業延遲的量」延遲，而有使基板處理裝置的運轉效率下降之虞。尤其，近年來，隨著工廠的無人化進展，使得直至操作員趕到現場的時間變長，因此，「如何抑制由於操作員不在，而造成運轉效率下降」，成為一個課題。
在此，依本實施態樣之基板處理系統1中，在使檢測出異常之處理單元16轉變為監測模式後，基於自主機終端6取得之異常檢測資訊，對處理單元16執行因應異常內容之改善處理(S06)。藉此，由於無論有無操作員皆可執行改善處理，故可抑制基板處理系統1的運轉效率下降。
又，改善處理，係依照「儲存於儲存部19的改善處理資訊191」而執行。關於改善處理資訊191、改善處理的具體內容，將於後述。
＜4、處理單元的具體構成及基板處理的內容＞ 接著，就依本實施態樣之處理單元16的具體構成之一例，參照圖4說明。圖4為表示處理單元16的具體構成之一例的圖式。
如圖4所示，在基板固持機構30所具備之固持部31的頂面，設置有從側面固持晶圓W的夾頭311。藉由關聯的夾頭311，在從固持部31的頂面僅稍微分離之狀態下，水平固持晶圓W。
又，處理流體供給部40，具備：噴嘴41、水平支持噴嘴41之臂42、使臂42旋轉及升降之旋轉升降機構43。噴嘴41，經由閥61連接於氫氟酸(HF)供給源71。又，噴嘴41，經由閥62連接於去離子水(Deionized Water，DIW)供給源72。處理流體供給部40從噴嘴41對於固持於基板固持機構30的晶圓W，供給「自氫氟酸供給源71供給之氫氟酸」或「自去離子水供給源72供給之去離子水」。
又，氫氟酸為氟酸，為一連串基板處理中使用的蝕刻液之一例。又，去離子水為常溫(大約23～25度)的純水，為一連串基板處理中使用的沖洗液之一例。又，去離子水，為後述之夾頭清洗、噴嘴清洗、杯清洗及腔室清洗中使用的清洗液之一例。
又，處理單元16，於腔室20內進而具備噴嘴槽80及腔室清洗部90。噴嘴槽80為噴嘴清洗部之一例，使用於清洗噴嘴41之噴嘴清洗處理。具體而言，在噴嘴槽80，經由閥63連接去離子水供給源73，藉由將「自去離子水供給源73供給之去離子水」向噴嘴41噴出，以清洗噴嘴41。在噴嘴41的清洗上使用之清洗水，係通過排出路81向外部排出。
又，噴嘴槽80為虛擬注液部之一例。亦即，在噴嘴槽80，亦可進行噴嘴41之虛擬注液處理。所謂虛擬注液處理，係指：例如，為了防止處理液劣化，於未向晶圓W噴出處理液之待命中，自噴嘴41適當噴出處理液之處理。自噴嘴41噴出之處理液，係通過排出路81向外部排出。
在此，雖然係以噴嘴槽80為噴嘴清洗部及虛擬注液部之一例，而於噴嘴槽80進行「噴嘴清洗處理」及「虛擬注液處理」兩者之情形為例表示，然而，處理單元16亦可分別具備「噴嘴清洗部」及「虛擬注液部」。
腔室清洗部90係用於清洗腔室20的內壁之腔室清洗處理。腔室清洗部90包含：噴嘴91、水平支噴嘴91之臂92、使臂92旋轉及升降之旋轉升降機構93。噴嘴91，透過閥64連接於去離子水供給源74。關聯的腔室清洗部90，係藉由將「自去離子水供給源74供給之去離子水」從噴嘴91向腔室20的內壁噴出，以清洗腔室20。
接著，就處理單元16所執行之一連串基板處理的一例，參照圖5說明。圖5為表示處理單元16所執行之一連串基板處理的處理程序之流程圖。
又，由處理單元16執行的一連串基板處理，係由「控制裝置4所具備的控制部18」加以控制。控制部18，例如為中央處理單元(Central Processing Unit，CPU)，其藉由讀取並執行「儲存於儲存部19未圖示之程式」，在處理單元16執行一連串基板處理。又，控制部18亦可不使用程式而僅以硬體構成。
如圖5所示，在處理單元16，首先，進行晶圓W的搬入處理(步驟S101)。在關聯的搬入處理，當基板搬送裝置17(參照圖1)將晶圓W載置於「固持部31之未圖示的支持銷」後，夾頭311會將晶圓W固持。
接著，在處理單元16，進行蝕刻處理(步驟S102)。在關聯的蝕刻處理，首先，藉由驅動部33使固持部31旋轉，以將「固持於固持部31的晶圓W」依「預先設定之轉速」旋轉。接著，處理流體供給部40的噴嘴41移至晶圓W的中央上方位置。其後，藉由以既定時間開放閥61，以將「自氫氟酸供給源71供給之氫氟酸」從噴嘴41供給至晶圓W的表面(被處理面)。向晶圓W供給的氫氟酸，藉由「伴隨晶圓W之旋轉的離心力」，擴散至晶圓W之全表面。藉此，利用氫氟酸，蝕刻「形成於晶圓W表面的膜」。
接著，在處理單元16進行，將晶圓W表面以去離子水沖洗之沖洗處理(步驟S103)。在關聯的沖洗處理，藉由以既定時間開放閥62，以將「自去離子水供給源72供給之去離子水」從噴嘴41供給到晶圓W表面，並洗去殘留於晶圓W的氫氟酸。接著，在處理單元16進行乾燥處理(步驟S104)。在關聯的乾燥處理，藉由使晶圓W的旋轉速度加速，甩去晶圓W上的去離子水，而使晶圓W乾燥。
又，在步驟S103及步驟S104之處理，為基板清洗處理之一例。在此，雖然係設定為在沖洗處理後進行乾燥處理，然而，在沖洗處理後，亦可在進行完將晶圓W上的去離子水置換為異丙醇(isopropyl alcohol，IPA)之置換處理後，再進行乾燥處理。
接著，在處理單元16進行搬出處理(步驟S105)。在關聯的搬出處理，在停止「由驅動部33所進行之晶圓W的旋轉」後，藉由基板搬送裝置17(參照圖1)將晶圓W從處理單元16搬出。若完成關聯的搬出處理，便完成對於1片晶圓W之一連串基板處理。
又，在檢查處理，變為對於「監測晶圓」執行如圖5所示之一連串基板處理。
＜5、改善處理資訊的內容＞ 接著，就儲存於儲存部19的改善處理資訊191之一例，參照圖6說明。圖6為表示改善處理資訊191之一例的圖式。
改善處理資訊191為：使「由檢查處理所檢測的異常內容」與「應該執行之改善處理內容」相對應之資訊。具體而言，如圖6所示，在改善處理資訊191儲存「異常內容」項目與「改善處理」項目。
在「異常內容」項目中，包含「種類」項目及「等級(Level，Lv)」項目。「種類」項目，係儲存表示「顆粒產生」、「蝕刻不良」等異常種類的資訊之項目。又，「等級」項目，係儲存「Lv1(等級1)」、「Lv2(等級2)」等，表示各個種類之異常程度的資訊之項目。例如，「顆粒產生」為「Lv1」，係表示：在一連串基板處理後，監測晶圓的顆粒增加數為「1～50個」的資訊；而「顆粒產生」為「Lv2」，係表示：在一連串基板處理後，監測晶圓的顆粒增加數為「51～100個」的資訊。又，就「蝕刻不良」亦同樣地，由「自規定範圍之偏差量」為少之順序，而細分化為比如「Lv1」、「Lv2」。
一方面，「改善處理」項目，係儲存表示「應該於處理單元16執行之改善處理內容」的資訊之項目。例如，在「改善處理」項目中，與「異常內容」項目中的「顆粒產生」為「Lv1」相對應，儲存「夾頭清洗」；而與「蝕刻不良」為「Lv1」相對應，儲存「虛擬注液(Lv1)」。
又，「異常內容」項目係對應於「包含於異常檢測資訊之異常ID」，實際上，係與異常ID儲存相同的ID。又，在「改善處理」項目中，實際上，亦儲存表示改善處理的內容之標誌符(改善處理ID)。
＜6、檢查處理中的控制部之具體動作＞ 接著，就檢查處理中的控制部18之具體動作，參照圖7說明。圖7為表示於檢查處理控制部18所執行的處理程序之一例的流程圖。
如圖7所示，控制部18判定，是否從主機終端6取得了異常檢測資訊(步驟S201)。於此處理，當判定為取得了異常檢測資訊時(步驟S201：是)，控制部18，使與「包含於取得之異常檢測資訊中的單元ID」對應之處理單元16，轉變為監測模式(步驟S202)。又，控制部18亦可在進行完步驟S202之處理後，對於主機終端6輸出「已使處理單元16轉變監測模式之主旨的通知」。
如此，控制部18，藉由「是否從主機終端6取得了異常檢測資訊」，來判定該處理單元16可否使用。又，當控制部18取得了異常檢測資訊時，判定該處理單元16不可使用，而使其轉變為監測模式。又，不限於此，控制部18亦可因應取得之異常檢測資訊的內容，來判定處理單元16可否使用。
接著，控制部18對於檢測出異常之處理單元16，指示「對應於檢測出的異常內容」之改善處理的執行(步驟S203)。具體而言，控制部18係參照改善處理資訊191，以確定出對應於「包含於異常檢測資訊中的異常ID」之改善處理ID，並於處理單元16執行「與確定出的改善處理ID對應之改善處理」。
例如，當異常ID表示「顆粒產生」為「Lv1」時，作為對應之改善處理，控制部18由改善處理資訊191確定出「夾頭清洗」之改善處理ID。又，控制部18於該處理單元16執行：與確定出之改善處理ID對應之「夾頭清洗」。「夾頭清洗」係對於基板固持機構30所具備的夾頭311(參照圖4)，藉由從噴嘴41噴出「自去離子水供給源72供給之去離子水」，以除去附著於夾頭311的污漬之處理。
又，當異常ID表示「顆粒產生」為「Lv2」時，作為對應之改善處理，控制部18於該處理單元16執行「夾頭清洗＋噴嘴清洗」。「夾頭清洗＋噴嘴清洗」係於上述「夾頭清洗」加上執行「噴嘴清洗」之處理。「噴嘴清洗」係藉由使用噴嘴槽80清洗噴嘴41，以除去附著於噴嘴41的污漬之處理。
又，當異常ID表示「顆粒產生」為「Lv3」時，作為對應之改善處理，控制部18於該處理單元16執行「夾頭清洗＋噴嘴清洗＋杯清洗」。「夾頭清洗＋噴嘴清洗＋杯清洗」係於上述「夾頭清洗」及「噴嘴清洗」加上執行「杯清洗」之處理。「杯清洗」係藉由從噴嘴41對於回收杯50噴出「自去離子水供給源72供給之去離子水」，以除去附著於回收杯50的污漬之處理。
又，當異常ID表示「顆粒產生」為「Lv4」時，作為對應之改善處理，控制部18於該處理單元16執行「夾頭清洗＋噴嘴清洗＋杯清洗＋腔室清洗」。「夾頭清洗＋噴嘴清洗＋杯清洗＋腔室清洗」係於上述「夾頭清洗」、「噴嘴清洗」及「杯清洗」加上執行「腔室清洗」之處理。「腔室清洗」係藉由從「腔室清洗部90的噴嘴91」向「腔室20的內壁」噴出去離子水，而除去附著於腔室20內壁的污漬之處理。
又，當異常ID表示「蝕刻不良」為「Lv1」時，作為對應之改善處理，控制部18於該處理單元16執行「虛擬注液(Lv1)」。又，當異常ID表示「蝕刻不良」為「Lv2」時，作為對應之改善處理，控制部18於該處理單元16執行「虛擬注液(Lv2)」。「虛擬注液(Lv1)」係執行虛擬注液處理「時間T1」之處理；而「虛擬注液(Lv2)」係執行上述虛擬注液處理比「時間T1」更長的「時間T2」之處理。換言之，「虛擬注液(Lv2)」係比「虛擬注液(Lv1)」從噴嘴41噴出更多處理液之處理。
如此，在基板處理系統1，當因應異常種類而使改善處理的內容不同的同時，即使為同一種類的異常，亦對於其每個等級，使改善處理的內容不同。具體而言，係設定成：隨著異常的等級變得愈高，作為改善處理，會增加執行之處理的種類，或是，即使為單一處理，亦會增長處理時間。藉此，可在處理單元16執行因應異常的等級之最適當的改善處理。
又，圖6所示之改善處理資訊191畢竟也只是一例，改善處理的內容、各處理之組合並不限定於圖式。
接著，若結束上述改善處理，則控制部18，對於主機終端6輸出再檢查要求(步驟S204)。「再檢查要求」包含「使改善處理執行之處理單元16的單元ID」，其係對於「此處理單元16」要求「檢查處理之再實施」的主旨之通知。如此，藉由對於主機終端6輸出「再檢查要求」，可以盡可能地縮短直到「再度實施檢查處理」為止之時間。當結束步驟S204之處理時，或是，當於步驟S201未取得異常檢測資訊時(步驟S201：否)，控制部18結束檢查處理中的一連串處理程序。
又，其後之由測定器5進行再檢查的結果，當於處理單元16再度檢測出異常時，控制部18亦可基於再檢查的結果，對於關聯的處理單元16進行再度改善處理。此時，控制部18在改善處理之「再試次數」超過預先設定之閾値(例如，3次)時，亦可代替「改善處理」而改為向操作員進行通報處理。例如，通報處理係『以電子郵件對操作員通知包含「檢測出異常之處理單元16的單元ID」及「表示異常內容之異常ID」的異常檢測資訊』之處理，或是，係『在「設置於基板處理系統1之顯示器」顯示上述異常檢測資訊的內容』之處理等。
又，雖然在此係設定成，當於處理單元16檢測出異常時，對於檢測出異常之處理單元16必然實施改善處理；然而，當控制部18檢測出的異常的等級在既定等級以上時，亦可不在處理單元16執行改善處理，而向操作員進行通報處理。
圖8係表示於檢查處理控制部18所執行之處理程序的另一例之流程圖。又，由於圖8所示之步驟S301～S303，係與圖7所示之步驟S201～S203的處理相同，故省略說明。
如圖8所示，控制部18在指示出「改善處理之執行」後(步驟S303)，亦可進行解除「執行過改善處理之處理單元16的監測模式」之處理(步驟S304)。藉此，由於處理單元16變成可處理製品晶圓的狀態，可以進而抑制基板處理系統1的運轉效率之下降。
又，控制部18亦作為可藉由設定而改變「執行圖7所示的處理程序(步驟S201～S204)之模式」及「執行圖8所示的處理程序(步驟S301～S304)之模式」。
如上所述，依第一實施態樣之基板處理系統1(相當於「基板處理裝置」之一例)，包含「處理單元16」及「控制部18」。處理單元16，處理晶圓W。控制部18，對於處理單元16執行一連串基板處理。又，控制部18基於『藉由對於「由處理單元16施加過一連串基板處理之監測晶圓」實施之表面測定，而檢測出的異常內容』，來判定可否使用處理單元16，並在判定出「不可使用」時，對檢測出異常之處理單元16，執行與檢測出的異常內容對應之改善處理。
從而，藉由依第一實施態樣之基板處理系統1，可以抑制在處理單元16檢測出異常時之運轉效率的下降。
又，亦可於主機終端6具有以下功能。基於『藉由對於「施加過一連串基板處理監測晶圓」實施之表面測定，而檢測出之異常內容』，判斷處理單元16可否使用之功能。當判斷出不可使用時，使「取得之該異常內容」與「儲存於該儲存部之該改善資訊」相對應，而確定出該改善處理之功能。對於檢測出異常之處理單元16，使執行「對應於檢測出的異常內容之改善處理」的要求，出現在「基板處理裝置的控制部18」之功能。又，基板處理裝置的控制部18亦可基於「來自此主機終端6的要求」，對於檢測出異常之處理單元16，執行對應於檢測出的異常內容之改善處理。
(第二實施態樣) 此外，雖然在上述第一實施態樣，係就測定器5設置於基板處理系統1的外部時的例子說明，然而，測定器5亦可一體地內建於基板處理系統1。在第二實施態樣，係就將測定器5內建於基板處理系統1時之檢查處理的內容說明。
圖9係依第二實施態樣之檢查處理的概要說明圖。又，在以下說明，對於與已說明過的部分相同的部分，係賦予與已說明過的部分相同的符號，而省略重複說明。
如圖9所示，依第二實施態樣之基板處理系統1A，內建測定器5。測定器5，例如係配置於基板處理系統1A的處理站3(參照圖1)。又，依第二實施態樣之控制裝置4A，係透過區域網路(LAN)或網際網路(internet)等所謂的網路(network)，而連接至測定器5。
在依第二實施態樣之檢查處理，首先，將檢查用之監測晶圓搬入各處理單元16，並對於各處理單元16執行一連串基板處理(S31)。接著，將一連串基板處理後之監測晶圓自處理單元16搬出，並搬入測定器5(S32)。測定器5對於一連串基板處理後的監測晶圓，進行顆粒測定、膜厚測定等表面測定，並將其測定結果傳送到控制裝置4A(S33)。
接著，若控制裝置4A的控制部18A從測定器5取得測定結果，便基於取得之測定結果，判定各處理單元16的動作狀況之良劣。又，此良劣判定亦可在測定器5進行。
接著，當判定的結果，於任一處理單元16檢測出異常時，控制部18A生成包含「檢測出異常之處理單元16的單元ID」及「表示檢測出的異常內容之異常ID」之異常檢測資訊。又，控制部18A在基於生成之異常檢測資訊，而使該處理單元16轉變成監測模式後(S34)，並於處理單元16實施第一實施態樣中的上述改善處理(S35)。
接著，就依第二實施態樣之檢查處理中的控制部18A之具體動作，參照圖10說明。圖10係表示於依第二實施態樣之檢查處理控制部18A所執行之處理程序的一例之流程圖。
如圖10所示，若控制部18A自測定器5取得了測定結果(步驟S401)，便會判定任一處理單元16中是否檢測出異常(步驟S402)。又，當控制部18A，於任一處理單元16檢測出異常時(步驟S402：是)，判定檢測出異常之處理單元16不可使用，並生成包含「檢測出異常之處理單元16的單元ID」及「表示異常內容的異常ID」之異常檢測資訊(步驟S403)。
接著，控制部18A，在使「與包含於異常檢測資訊之單元ID對應的處理單元16」轉變成監測模式後(步驟S404)，對該處理單元16指示「改善處理之執行」(步驟S405)。又，步驟S404及步驟S405的處理，係與圖7所示的步驟S202及步驟S203的處理相同。
接著，控制部18A，在完成了改善處理後，針對執行過改善處理的處理單元16，再度執行檢查處理(步驟S406)。具體而言，控制部18A對於執行過改善處理處理單元16搬入監測晶圓，並使一連串基板處理執行。接著，控制部18A自處理單元16搬出監測晶圓，並搬入測定器5，而對測定器5進行監測晶圓之表面測定。
接著，控制部18A自測定器5取得測定結果(步驟S407)，並於進行過「再檢查處理」之任一處理單元16，判定是否檢測出異常(步驟S408)。又，控制部18A針對未檢測出異常的處理單元16(步驟S408：否)，進行解除監測模式之處理(步驟S409)，當檢測出異常之處理單元16存在時(步驟S408：是)，進行通報處理(步驟S410)。作為通報處理，例如，控制部18A進行『以電子郵件對操作員通知包含了「檢測出異常之處理單元16的單元ID」及「表示異常內容的異常ID」的異常檢測資訊』之處理；或是進行『在「設置於基板處理系統1A的顯示器」顯示上述異常檢測資訊內容』之處理等。
當完成步驟S409或是步驟S410之處理時，或是，當於步驟S402在所有處理單元16未檢測出異常時(步驟S402：否)，控制部18A結束依第二實施態樣之檢查處理中的一連串處理程序。
如此，在依第二實施態樣之基板處理系統1A中設定為：內建測定器5，而無需依靠主機終端6，便可執行「異常檢測資訊的生成」、「再檢查處理或是監測模式解除處理」等。因此，藉由依第二實施態樣之基板處理系統1A，可進而抑制在處理單元16檢測出異常時之運轉效率的下降。
本發明進一步的效果或變形例，可由通常知識者容易地推導出來。因此，本發明之更為廣範的態樣，並不限定於如上述表示及記載之特定的細節及代表的實施態樣。從而，只要不超過由申請專利範圍及其均等物所定義之總括的發明概念之精神或範圍，可進行各種改變。
1,1A‧‧‧基板處理系統
2‧‧‧搬入出站
3‧‧‧處理站
4,4A‧‧‧控制裝置
5‧‧‧測定器
6‧‧‧主機終端
11‧‧‧載體載置部
12‧‧‧搬送部
13‧‧‧基板搬送裝置
14‧‧‧傳遞部
15‧‧‧搬送部
16‧‧‧處理單元
17‧‧‧基板搬送裝置
18,18A‧‧‧控制部
19‧‧‧儲存部
20‧‧‧腔室
21‧‧‧風機過濾機組
30‧‧‧基板固持機構
31‧‧‧固持部
32‧‧‧支柱部
33‧‧‧驅動部
311‧‧‧夾頭
40‧‧‧處理流體供給部
41‧‧‧噴嘴
42‧‧‧臂
43‧‧‧旋轉升降機構
50‧‧‧回收杯
51‧‧‧排液口
52‧‧‧排氣口
501‧‧‧顆粒計數器
502‧‧‧膜厚測定裝置
61～64‧‧‧閥
70‧‧‧處理流體供給源
71‧‧‧氫氟酸(HF)供給源
72～74‧‧‧去離子水(DIW)供給源
80‧‧‧噴嘴槽
81‧‧‧排出路
90‧‧‧腔室清洗部
91‧‧‧噴嘴
92‧‧‧臂
93‧‧‧旋轉升降機構
100‧‧‧工廠
191‧‧‧改善處理資訊
C‧‧‧載體
W‧‧‧晶圓
S01～S04，S101～S105，S201～S204，S301～S304，S401～S410‧‧‧步驟
S201~S204‧‧‧步驟
【圖1】圖1為表示依本實施態樣之基板處理系統的概略構成之圖式。 【圖2】圖2為表示處理單元的概略構成之圖式。 【圖3】圖3為檢查處理的概要說明圖。 【圖4】圖4為表示處理單元之具體構成的一例之圖式。 【圖5】圖5為表示執行處理單元之一連串基板處理的處理程序之流程圖。 【圖6】圖6為表示改善處理資訊的一例之圖式。 【圖7】圖7為表示檢查處理中由控制部所執行之處理程序的一例之流程圖。 【圖8】圖8為表示檢查處理中由控制部所執行之處理程序的另一例之流程圖。 【圖9】圖9為依第二實施態樣之檢查處理的概要說明圖。 【圖10】圖10為表示依第二實施態樣之檢查處理中由控制部所執行之處理程序的一例之流程圖。
S201~S204‧‧‧步驟

Claims (15)

  1. 一種基板處理裝置，包含： 處理單元，用以處理基板；及 控制部，使該處理單元執行基板處理； 該控制部， 使該處理單元實施基板處理； 並基於異常檢測資訊，對檢測出異常的處理單元執行改善處理；該異常檢測資訊包含：在該基板處理後，藉由基板表面測定檢測出之異常內容； 該改善處理，係由改善處理資訊加以確定；該改善處理資訊，為使該異常內容與該改善處理相對應之資訊。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中， 該改善處理資訊中之該異常內容，係於每個異常種類包含表示異常的程度之資訊，並對於「在各個種類中之異常的程度」，使「應該執行的該改善處理」與其相對應。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中， 更包含儲存部，用以儲存該改善處理資訊； 該控制部透過網路取得包含有該異常內容之該異常檢測資訊， 並使取得之該異常內容與儲存於該儲存部之該改善資訊相對應，以確定出該改善處理。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中， 更包含儲存部，用以儲存該改善處理資訊； 該控制部透過網路取得包含有該異常內容之該異常檢測資訊， 並基於該異常內容，而判斷是否可以使用該處理單元； 當判斷為無法使用該處理單元時，使取得之該異常內容與儲存於該儲存部的該改善資訊相對應，以確定出該改善處理。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中， 該控制部透過網路取得該改善處理， 並對於檢測出異常的處理單元，執行該改善處理。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之基板處理裝置，其中， 該控制部在對該檢測出異常的處理單元執行過該改善處理後，對於執行過該改善處理之處理單元，再度執行該基板處理。
  7. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之基板處理裝置，其中， 該控制部使該檢測出異常之處理單元，轉變為「禁止對製品基板執行該基板處理之監測模式」，並在對該檢測出異常的處理單元執行過該改善處理後，解除該處理單元之該監測模式。
  8. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之基板處理裝置，其中， 該控制部，使該檢測出異常的處理單元，轉變為「禁止對製品基板執行該基板處理之監測模式」； 在對該檢測出異常的處理單元執行過該改善處理後，對於執行過該改善處理的處理單元再度執行該基板處理；並在判斷為可以使用該處理單元時，解除該處理單元之該監測模式。
  9. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之基板處理裝置，其中， 更包含測定器，用以實施該表面測定。
  10. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之基板處理裝置，其中， 該處理單元，包含： 基板固持機構，用以固持該基板並使其旋轉；及 噴嘴，用以噴出預先設定之處理液； 該控制部，在該異常內容為「產生顆粒」時，該改善處理係為：對該檢測出異常的處理單元，執行自該噴嘴向該基板固持機構噴出清洗液以清洗該基板固持機構之處理。
  11. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之基板處理裝置，其中， 該處理單元，包含： 基板固持機構，用以固持該基板並使其旋轉； 噴嘴，用以噴出預先設定之處理液；以及 噴嘴清洗部，用以清洗該噴嘴； 該控制部，在該異常內容為「產生顆粒」時，該改善處理係為：對該檢測出異常的處理單元，執行使用該噴嘴清洗部以清洗該噴嘴之處理。
  12. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之基板處理裝置，其中， 該處理單元，包含： 基板固持機構，用以固持該基板並使其旋轉； 噴嘴，用以噴出預先設定之處理液；以及 回收杯，其包圍固持於該基板固持機構的基板之周圍，並回收自該基板飛散之處理液； 該控制部，在該異常內容為「產生顆粒」時，該改善處理係為：對該檢測出異常的處理單元，執行自該噴嘴向該回收杯噴出清洗液以清洗該回收杯之處理。
  13. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之基板處理裝置，其中， 該處理單元，包含： 基板固持機構，用以固持該基板並使其旋轉； 噴嘴，用以噴出預先設定之處理液；以及 腔室，用以收容該基板固持機構及該噴嘴； 該控制部，在該異常內容為「產生顆粒」時，該改善處理係為：對該檢測出異常的處理單元，執行自該噴嘴向該腔室的內壁噴出清洗液以清洗該腔室的內壁之處理。
  14. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之基板處理裝置，其中， 該處理單元，包含： 基板固持機構，用以固持該基板並使其旋轉； 噴嘴，用以噴出蝕刻液；以及 虛擬注液部，用以接受而排出自該噴嘴噴出之蝕刻液； 該控制部，在該異常內容為「蝕刻不良」時，該改善處理係為：對該檢測出異常的處理單元，執行自該噴嘴向該虛擬注液部噴出該蝕刻液之虛擬注液處理。
  15. 一種基板處理方法，使用於基板處理裝置中； 該基板處理裝置，包含： 處理單元，用以處理基板；及 控制部，用以使該處理單元執行基板處理； 該基板處理方法，包含以下步驟： 基板處理步驟，在處理基板之處理單元，進行基板處理；及 改善處理步驟，基於異常檢測資訊進行改善處理；該異常檢測資訊包含藉由在該基板處理步驟後所實施之基板表面測定所檢測得之異常內容； 該改善處理步驟，係對檢測出異常的處理單元執行； 該改善處理，係藉由改善處理資訊加以確定；該改善處理資訊，係為使該異常內容與該改善處理相對應之資訊。
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