JP4068404B2 - 基板処理システム、基板処理装置、基板処理方法、プログラム及び記録媒体 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に所定の処理を行う基板処理装置と、その基板処理装置からデータを収集するコンピュータとをネットワーク経由にて結合したネットワーク通信技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体や液晶ディスプレイなどの製品は、基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理などの一連の諸処理を施すことにより製造されている。従来より、これらの諸処理は複数の処理ユニットを組み込んだ基板処理装置において行われている。基板処理装置に設けられた搬送ロボットが各処理ユニットに基板を順次搬送し、各処理ユニットが基板に所定の処理を行うことによって該基板に一連の処理が施されるのである。
【０００３】
一方、半導体製品等の品質維持のため、各諸処理のまとまったプロセスの後に、基板の各種検査を行って品質確認を行うことが重要である。例えば、反応性イオンを使用したドライエッチング時にレジストが変質して生成されたポリマーが付着した基板を洗浄してポリマーを除去するポリマー除去装置がある。このようなポリマー除去装置においてポリマー除去洗浄処理を行った後には、電子顕微鏡や誘電率測定装置を使用してポリマーが十分に除去されているか否かを検査する。そして、検査の結果ポリマーが十分に除去されていないことが判明した場合には、その原因を調査して必要な措置、例えば処理ユニットの修理等を行う。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来、検査の結果処理に異常が生じていることが判明した場合であっても、その原因の特定が非常に困難であった。これは検査の結果判明した異常の内容に応じて作業者の経験から異常発生原因を調査していたためである。特に、近年、半導体等の微細化の進展にともなってその製造プロセスも著しく高度化しており、如何なる要因によって処理結果に異常が生じたのかを特定することが益々困難になりつつある。このため、一旦処理結果に異常が生じると、その原因究明に多大な時間を要することとなり、その結果半導体等の生産効率が大きく低下するという問題が生じていた。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、処理結果に異常が生じていることが判明したときに、その原因究明を容易に行うことができる基板処理技術を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置と、前記基板処理装置からデータを収集するコンピュータとがネットワーク経由にて結合された基板処理システムにおいて、複数の基板に前記所定の処理を行うときの前記複数の基板のそれぞれについての制御要素を一定間隔で検出したものを集積して得られる経時的変化を監視して収集する収集手段と、収集された前記複数の基板のそれぞれについての前記制御要素の経時的変化を蓄積する蓄積手段と、を備え、前記蓄積手段に、前記複数の基板のそれぞれと当該基板について収集された前記制御要素の経時的変化とを対応付けた状態にて当該制御要素の経時的変化を蓄積させる。
【０００８】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明にかかる基板処理システムにおいて、前記基板処理装置にて前記所定の処理が行われた基板の検査を行う検査機と、前記検査機による検査の結果処理異常であることが判明した基板に対応付けられた前記制御要素の経時的変化を前記蓄積手段から選択的に取得する取得手段と、をさらに備える。
また、請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明にかかる基板処理システムにおいて、前記収集手段に、前記複数の基板のそれぞれの処理工程ごとに当該基板についての制御要素の経時的変化を収集させる。
【０００９】
また、請求項４の発明は、請求項１から請求項３のいずれかの発明にかかる基板処理システムにおいて、前記基板処理装置に前記所定の処理を行うときに基板を回転させる回転機構を備え、前記制御要素に、基板の回転に関する制御要素を含ませている。
【００１０】
また、請求項５の発明は、請求項１から請求項３のいずれかの発明にかかる基板処理システムにおいて、前記基板処理装置は前記所定の処理を行うときに基板に処理液を供給する処理液供給機構を備え、前記制御要素に、基板に供給する処理液の供給条件に関する制御要素を含ませている。
【００１１】
また、請求項６の発明は、請求項１から請求項３のいずれかの発明にかかる基板処理システムにおいて、前記制御要素に、前記所定の処理を行うときの基板周辺の雰囲気に関する制御要素を含ませている。
【００１２】
また、請求項７の発明は、請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理システムにおいて、前記基板処理装置に前記所定の処理を行うときに空気圧にて作動する空気圧作動部と、前記空気圧作動部に送給する空気の流量を可変に調節して前記空気圧作動部の作動速度を規定する空気流量調整部と、を備え、前記制御要素に、前記所定の処理を行うときの前記空気圧作動部の作動速度に関する制御要素を含ませている。
【００１４】
また、請求項８の発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置において、複数の基板に前記所定の処理を行うときの前記複数の基板のそれぞれについての制御要素を一定間隔で検出したものを集積して得られる経時的変化を監視して収集する収集手段と、収集された前記複数の基板のそれぞれについての前記制御要素の経時的変化を蓄積する蓄積手段と、を備え、前記蓄積手段に、前記複数の基板のそれぞれと当該基板について収集された前記制御要素の経時的変化とを対応付けた状態にて当該制御要素の経時的変化を蓄積させる。
【００１６】
また、請求項９の発明は、請求項８の発明にかかる基板処理装置において、前記所定の処理が行われた基板の検査を行う検査部と、前記検査部による検査の結果処理異常であることが判明した基板に対応付けられた前記制御要素の経時的変化を前記蓄積手段から選択的に取得する取得手段と、をさらに備える。
また、請求項１０の発明は、請求項８または請求項９の発明にかかる基板処理装置において、前記収集手段に、前記複数の基板のそれぞれの処理工程ごとに当該基板についての制御要素の経時的変化を収集させる。
【００１７】
また、請求項１１の発明は、基板に所定の処理を行う基板処理方法において、複数の基板に前記所定の処理を行うときの前記複数の基板のそれぞれについての制御要素を一定間隔で検出したものを集積して得られる経時的変化を監視して収集する収集工程と、収集された前記複数の基板のそれぞれについての前記制御要素の経時的変化を蓄積する蓄積工程と、を備え、前記蓄積工程に、前記複数の基板のそれぞれと当該基板について収集された前記制御要素の経時的変化とを対応付けた状態にて当該制御要素の経時的変化を蓄積させる。
また、請求項１２の発明は、請求項１１の発明にかかる基板処理方法において、前記収集工程に、前記複数の基板のそれぞれの処理工程ごとに当該基板についての制御要素の経時的変化を収集させる。
【００１８】
また、請求項１３の発明は、基板処理装置が備えるコンピュータによって実行されることにより、前記基板処理装置が請求項８から請求項１０のいずれかに記載の基板処理装置として動作するプログラムである。
【００１９】
また、請求項１４の発明は、請求項１３に記載のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体である。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２１】
＜１．システム構成＞
図１は、本発明にかかる基板処理システムの一例を示す図である。この基板処理システムは、１台のホストコンピュータ１に３台の基板処理装置３が接続されるとともに、それら３台の基板処理装置３にさらに保守管理サーバ２が接続されて構成されており、例えば半導体製造工場内に実現される。３台の基板処理装置３は生産管理ネットワーク６を介してホストコンピュータ１に並列に接続されている。また、３台の基板処理装置３は保守管理ネットワーク７を介して保守管理サーバ２に並列に接続されている。３台の基板処理装置３のそれぞれと保守管理サーバ２とを接続する保守管理ネットワーク７にはデータ収集コントローラ４が介挿されている。本実施形態では、３台の基板処理装置３に１対１で対応して３台のデータ収集コントローラ４が接続され、それら３台のデータ収集コントローラ４が１台の保守管理サーバ２に接続されている。
【００２２】
また、図１の基板処理システムには、検査機５が組み込まれている。検査機５は、基板処理装置３とは別体に設けられている。検査機５は、ホストコンピュータ１および保守管理サーバ２のそれぞれと所定の回線を介して接続されている。さらに、ホストコンピュータ１は保守管理サーバ２と所定の回線を介して接続されている。
【００２３】
なお、本実施形態では基板処理装置３を３台設置しているが、これを１台としても良いし、２台以上としても良い。２台以上の基板処理装置３を設置した場合には、それらと１対１で対応して複数のデータ収集コントローラ４を設けるのが好ましいが、複数の基板処理装置３を１台のデータ収集コントローラ４に接続するようにしても良い。また、図１の基板処理システムを構成する各ネットワークおよび回線は有線であっても良いし、無線であっても良い。
【００２４】
次に、上記基板処理システムを構成する各構成要素について順次説明する。図２は、図１の基板処理システムの構成を示すブロック図である。
【００２５】
＜１−１．保守管理サーバ＞
保守管理サーバ２は、データ収集コントローラ４によって基板処理装置３から収集された各種データに基づいて基板処理装置３の保守管理やトラブルシューティングを担うサーバである。保守管理サーバ２のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、保守管理サーバ２は、各種演算処理を行うＣＰＵ２１、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ２２および各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭ２３をバスライン２９に接続して構成されている。
【００２６】
また、バスライン２９には、制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスク２４、各種情報の表示を行う表示部２５、作業者からの入力を受け付ける入力部２６および外部装置と通信を行う通信部２８が接続される。表示部２５としては例えば液晶ディスプレイやＣＲＴを使用することができる。入力部２６としては例えばキーボードやマウスを使用することが出来る。また、表示部２５および入力部２６を一体化したタッチパネルを適用するようにしても良い。
【００２７】
また、光ディスク、磁気ディスク、光磁気ディスク等の記録媒体から各種データの読み取りを行う読取装置をバスライン２９に接続するようにしても良い。保守管理サーバ２は、当該読取装置を介して記録媒体からプログラムを読出し、磁気ディスク２４に記憶することができる。また、他のサーバー等からプログラムをダウンロードして磁気ディスク２４に記憶することもできる。そして、ＣＰＵ２１が磁気ディスク２４に記憶されたプログラムに従って演算処理を実行することにより保守管理サーバ２としての各種動作が行われることとなる。すなわち、このプログラムに従ってＣＰＵ２１が演算処理を実行した結果として、保守管理サーバ２は保守管理サーバ２としての動作を行うのである。図１に示す取得部２１１は、ＣＰＵ２１が当該プログラムを実行することによって保守管理サーバ２内に実現される処理部であり、その動作内容については後述する。
【００２８】
＜１−２．ホストコンピュータ＞
図２には、図示の便宜上、ホストコンピュータ１の記載を省略しているが、ホストコンピュータ１はシステム全体の生産管理を担うコンピュータであり、各基板処理装置３のプロセス管理を行うとともに、基板処理装置３と検査機５との間の物流管理も行う。ホストコンピュータ１のハードウェアとしての構成も一般的なコンピュータと同様であり、その具体的な構成は保守管理サーバ２と同じである。但し、ホストコンピュータ１が実行するプログラムは保守管理サーバ２が実行するプログラムとは異なっており、ホストコンピュータ１のＣＰＵが専用のプログラムに従っての演算処理を実行した結果として、ホストコンピュータ１はホストコンピュータ１としての動作を行うこととなる。
【００２９】
＜１−３．データ収集コントローラ＞
データ収集コントローラ４は、基板処理装置３から種々のデータを収集する機能を有する一種のコンピュータである。データ収集コントローラ４のハードウェアとしての構成も一般的なコンピュータと同様である。すなわち、データ収集コントローラ４は、各種演算処理を行うＣＰＵ４１、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ４２および各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭ４３をバスライン４９に接続して構成されている。また、バスライン４９には、制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスク４４および保守管理ネットワーク７を介して基板処理装置３や保守管理サーバ２と通信を行う通信部４８が接続される。
【００３０】
また、光ディスク、磁気ディスク、光磁気ディスク等の記録媒体から各種データの読み取りを行う読取装置をバスライン４９に接続するようにしても良い。データ収集コントローラ４は、当該読取装置を介して記録媒体からプログラムを読出し、磁気ディスク４４に記憶することができる。また、他のサーバー等からプログラムをダウンロードして磁気ディスク４４に記憶することもできる。そして、ＣＰＵ４１が磁気ディスク４４に記憶されたプログラムに従って演算処理を実行することによりデータ収集コントローラ４としての各種動作が行われることとなる。すなわち、このプログラムに従ってＣＰＵ４１が演算処理を実行した結果として、データ収集コントローラ４はデータ収集コントローラ４としての動作を行うのである。図１に示すデータ収集部４４１は、ＣＰＵ４１が当該プログラムを実行することによってデータ収集コントローラ４内に実現される処理部であり、その動作内容については後述する。
【００３１】
＜１−４．基板処理装置＞
本実施形態における基板処理装置３は、基板からポリマーを除去するポリマー除去洗浄装置である。半導体装置等の製造工程においては、基板上に形成されたアルミニウムや銅等の金属膜およびシリコン酸化膜や低誘電率層間絶縁膜（Low-k膜）等の絶縁膜をパターン化されたレジスト膜をマスクとして気相中にてエッチングするドライエッチングが用いられている。ドライエッチングは、微細なパターンであっても確実に垂直方向の腐食を行える点で優れており、回路パターンの微細化が進展している今日においては重要なプロセスである。
【００３２】
しかしながら、例えばＲＩＥ（Reactive Ion Etching／反応性イオンエッチング）装置で使用する反応性イオンのパワーは極めて強いことから、エッチング対象の薄膜が十分に腐食される時点では、マスクであるレジストも半分以上消失しており、その一部が変質してポリマーとして基板に付着するのである。このポリマーは後続するレジスト除去工程では除去されないことから、レジスト除去工程を実行する前または後に、ポリマーを除去する洗浄処理が必要となるのである。基板処理装置３は、上記の如きドライエッチング時にレジストや薄膜に由来して生成された反応生成物であるポリマーの除去処理を行う装置である。
【００３３】
図３は、基板処理装置３の平面図である。基板処理装置３は、搬入搬出部ＩＤと、除去処理部ＲＭとを並べて配列した状態で有する。なお、図１に示した３台の基板処理装置３は全て同じ構成を有する。
【００３４】
搬入搬出部ＩＤは、未処理の基板Ｗを複数収容したキャリア（カセット）Ｃが載置される搬入部３１と、処理済みの基板Ｗを複数収容したキャリアＣが載置される搬出部３３と、受渡し部３５とを有する。
【００３５】
搬入部３１はテーブル状の載置台を有し、装置外の例えばＡＧＶ(Automatic Guided Vehicle)等の搬送機構によって２個のキャリアＣが当該載置台上に搬入される。キャリアＣは例えば２５枚の基板Ｗを水平姿勢にて互いに間隔を隔てて鉛直方向に積層配置した状態で保持する。搬出部３３もテーブル状の載置台を有し、該載置台に２個のキャリアＣが載置され、該２個のキャリアＣは装置外の搬送機構によって搬出される。
【００３６】
受渡し部３５は、搬入部３１、搬出部３３のキャリアＣの並び方向に沿って移動し、かつキャリアＣに対して基板Ｗを搬入、搬出する搬入搬出機構３７と、受渡し台３９とを有する。搬入搬出機構３７は、図示を省略する搬入搬出用アームを備え、水平方向に沿った移動の他に鉛直方向を軸とする回転動作や鉛直方向に沿った昇降動作や該搬入搬出用アームの進退動作を行うことができる。これにより、搬入搬出機構３７はキャリアＣに対して基板Ｗの搬出入を行うとともに、受渡し台３９に対して基板Ｗを授受する。
【００３７】
除去処理部ＲＭは、搬入搬出部ＩＤに隣接して設けられ、基板Ｗを収容してポリマー等の反応生成物の除去処理を施す４つの枚葉式の除去処理ユニットＳＲと、受渡し台３９に対して基板Ｗを授受するとともに４つの除去処理ユニットＳＲに対して基板Ｗを授受する搬送ロボットＴＲ１を有している。
【００３８】
除去処理ユニットＳＲは搬入搬出部ＩＤのキャリアＣの並び方向と直交する方向において２つ並ぶことで除去処理ユニットＳＲの列を形成し、この除去処理ユニットＳＲの列が間隔を開けて合計２列、キャリアＣの並び方向に沿って並んでいる。そして、前記除去処理ユニットＳＲの列と列との間に挟み込まれた搬送路ＴＰ１に搬送ロボットＴＲ１が配置されている。
【００３９】
搬送ロボットＴＲ１は、搬送路ＴＰ１の長手方向（上述した除去処理ユニットＳＲの列の形成方向）に沿って走行し、４つの除去処理ユニットＳＲのそれぞれに対して基板Ｗを授受するとともに、受渡し台３９に対して基板Ｗを授受する。
【００４０】
図４は除去処理ユニットＳＲの構成を示す図である。除去処理ユニットＳＲは、１枚の基板Ｗを水平状態に保持して回転する基板保持部６１と、保持された基板Ｗの周囲を取り囲むカップ６２と、保持された基板Ｗに除去液を供給する除去液供給部６３と、保持された基板Ｗに純水を供給する純水供給部６４と、基板保持部６１に保持された状態の基板Ｗを収容するチャンバ６５とを有する。
【００４１】
チャンバ６５にはシャッタ５９（図１参照）が設けられており、該シャッタ５９は、搬送ロボットＴＲ１がチャンバ６５内に基板Ｗを搬入または搬出する場合には図示を省略する開閉機構によって開放され、それ以外のときは閉鎖されている。なお、チャンバ６５内は常に常圧の状態である。また、チャンバ６５内の雰囲気は不図示の排気機構によって、装置外の排気ダクトへ排出されている。このため、処理液のミストや蒸気などを含んだ雰囲気がチャンバ６５から漏出することが防止されている。
【００４２】
基板保持部６１は、チャンバ６５外に設けられたモータ６６と、モータ６６によって回転駆動されることで、鉛直方向に沿って配された軸を中心に回転するチャック６７とを有する。また、モータ６６には、モータ６６の回転速度を検出するモータ速度センサ３０ａと回転のトルクを検出するモータトルクセンサ３０ｂとが付設されている。モータ速度センサ３０ａとしては例えばエンコーダを適用することができ、モータトルクセンサ３０ｂとしては公知の種々のトルク計を適用することができる。
【００４３】
チャック６７は、真空吸着によって基板Ｗを略水平姿勢にて保持することができるいわゆるバキュームチャックである。チャック６７が基板Ｗを保持した状態にてモータ６６がチャック６７を回転させることにより、その基板Ｗも鉛直方向に沿った軸を中心にして水平面内にて回転する。そして、基板Ｗを回転させているときのモータ６６の回転速度およびトルクがモータ速度センサ３０ａおよびモータトルクセンサ３０ｂによってそれぞれ検出される。なお、チャック６７はいわゆるバキュームチャックに限定されるものではなく、端縁部を機械的に把持して基板Ｗを保持するいわゆるメカチャックであっても良い。
【００４４】
カップ６２は上面視略ドーナツ型で中央部にチャック６７が通過可能な開口を有している。また、カップ６２は回転する基板Ｗから飛散する液体（例えば除去液や純水）を捕集するとともに下部に設けられている排液口６８から捕集した液体を排出する。排液口６８にはドレン７０へ通ずるドレン配管６９が設けられ、該ドレン配管６９の途中にはドレン配管６９の管路を開閉するドレン弁７２が設けられている。なお、カップ６２は不図示の機構によって昇降する。
【００４５】
除去液供給部６３は、チャンバ６５外に設けられたモータ７３と、モータ７３の回動動作によって回動するアーム７４とアーム７４の先端に設けられ除去液を下方に向けて吐出する除去液ノズル７５と、例えば除去液を貯留する瓶にて構成される除去液供給源７６と、除去液供給源７６から除去液ノズル７５に向けて除去液を送給するポンプ７７とを備える。また、除去液ノズル７５と除去液源７６との間には管路が連通接続され、該管路には除去液バルブ１７６および除去液を浄化するフィルタ１７７が介挿されている。さらに、該管路の経路途中には流量計３０ｃおよび温度計３０ｄが介挿されている。流量計３０ｃおよび温度計３０ｄは、該管路を通過する除去液の流量および温度をそれぞれ検出する。
【００４６】
なお、モータ７３を昇降させることで除去液ノズル７５を昇降させる不図示の昇降手段が設けられている。また、このモータ７３を駆動することによって、除去液ノズル７５は基板Ｗの回転中心の上方の吐出位置とカップ６２外の待機位置との間で往復移動する。
【００４７】
ポンプ７７を作動させるとともに除去液バルブ１７６を開放することにより、除去液供給源７６から除去液ノズル７５に向けて除去液が送給され、除去液ノズル７５から除去液が吐出される。ここでの除去液はポリマーのみを選択的に除去するポリマー除去液であり、例えばジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド等、有機アミンを含む有機アミン系除去液、フッ化アンモンを含むフッ化アンモン系除去液、無機系の除去液が使用される。そして、除去液ノズル７５に向けて送給される除去液の流量および温度が流量計３０ｃおよび温度計３０ｄによってそれぞれ検出される。
【００４８】
純水供給部６４は、チャンバ６５外に設けられたモータ７８と、モータ７８の回動によって回動するアーム７９と、アーム７９の先端に設けられ純水を下方に向けて吐出する純水ノズル８１と、純水ノズル８１に純水を供給する純水源８２と、純水源８２から純水ノズル８１に向けて純水を送給するポンプ８３とを備える。また、純水ノズル８１と純水源８２との間には管路が連通接続され、該管路には純水バルブ８４が介挿されている。さらに、該管路の経路途中には流量計３０ｅが介挿されている。流量計３０ｅは、該管路を通過する純水の流量を検出する。
【００４９】
なお、モータ７８を昇降させることで純水ノズル８１を昇降させる不図示の昇降手段が設けられている。また、このモータ７８を駆動することによって、純水ノズル８１は基板Ｗの回転中心の上方の吐出位置とカップ６２外の待機位置との間で往復移動する。
【００５０】
ポンプ８３を作動させるとともに純水バルブ８４を開放することにより、純水源８２から純水ノズル８１に向けて純水が送給され、純水ノズル８１から純水が吐出される。そして、純水ノズル８１に向けて送給される純水の流量が流量計３０ｅによって検出される。
【００５１】
以上のような構成により、除去処理ユニットＳＲは、基板Ｗを回転させつつ該基板Ｗに除去液を供給し、その後純水を供給して除去液を洗い流すことによって該基板Ｗに付着したポリマー等の反応生成物を除去することができる。
【００５２】
ところで、基板処理装置３をシステム全体における通信管理の観点から見れば、図２に示すように、除去処理ユニットＳＲに各種センサ３０が接続され、それらセンサ３０が通信部３２から保守管理ネットワーク７を介してデータ収集コントローラ４と接続される構成とされている。ここでセンサ３０は、モータ速度センサ３０ａ、モータトルクセンサ３０ｂ、流量計３０ｃ、温度計３０ｄおよび流量計３０ｅの総称であり、以降それらを相互に区別する必要のないときは単にセンサ３０と称する。
【００５３】
図２に示す如き構成により、センサ３０によって検出されたモータ６６の回転速度等はデータ収集コントローラ４に伝達され、磁気ディスク４４内に格納されるのであるが、その詳細については後述する。
【００５４】
＜１−５．検査機＞
検査機５は、基板処理装置３におけるポリマー除去処理が終了した基板Ｗの検査を行う装置である。本実施形態の検査機５は、基板Ｗから十分にポリマーが除去されているか否かを検査する検査ユニット５１、例えば基板Ｗの表面の誘電率を測定する誘電率測定ユニットを搭載した装置である（図２）。すなわち、ポリマーが十分に除去されていないと残留しているポリマーによって基板Ｗの表面の絶縁膜の誘電率が上昇する。検査機５は、このような原理に基づく誘電率測定によって十分にポリマー除去がなされているか否かを検査する。また、検査ユニット５１は通信部５２を介して保守管理サーバ２および図外のホストコンピュータ１と接続されている。
【００５５】
なお、検査機５は基板Ｗの誘電率測定を行って検査データ（ここでは誘電率）を取得するのみであり、十分にポリマー除去がなされているか否かの判定は検査機５から検査データを受け取った保守管理サーバ２が行う。また、検査機５が誘電率測定装置に限定されるものでないことは勿論であり、例えば走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）等を適用するようにしても良い。検査機５を走査型電子顕微鏡とした場合には、検査データとして画像データを保守管理サーバ２に渡す。
【００５６】
＜２．処理内容＞
次に、上記構成を有する基板処理システムにおける処理内容について説明する。図５は、本発明にかかる基板処理システムにおける処理手順の一例を示す図である。
【００５７】
＜２−１．基板処理装置におけるポリマー除去処理＞
まず、ホストコンピュータ１からの指示によって基板処理装置３における基板処理が開始される（ステップＳ１）。本実施形態の基板処理はポリマー除去処理である。なお、ホストコンピュータ１は基板処理装置３に処理開始を指示するとともに、処理手順や条件を記述したフローレシピを基板処理装置３に渡す。
【００５８】
基板処理装置３における処理内容の概略は以下のようなものであり、主に除去液供給工程、純水供給工程、液切り工程によって構成されている。まず、未処理の基板Ｗ（多くの場合ドライエッチング後の基板）がキャリアＣに収容された状態で例えばＡＧＶによって搬入部３１に搬入される。この基板Ｗにはパターン化されたレジスト膜をマスクとしてドライエッチングが施されており、レジスト膜や絶縁膜に由来する反応生成物であるポリマーが付着している。
【００５９】
搬入部３１のキャリアＣから搬入搬出機構３７により基板Ｗが１枚取り出され、受渡し台３９に載置される。受渡し台３９に載置された基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１により持ち出され、４つの除去処理ユニットＳＲのうちのいずれか１つに搬入される。除去処理ユニットＳＲではシャッタ５９を開放して搬送ロボットＴＲ１が搬送してきた基板Ｗをチャック６７にて受け取り保持する。そして、シャッタ５９を閉鎖するとともに、チャック６７に保持された基板Ｗの周囲を取り囲む位置までカップ６２を上昇させ、ドレン弁７２を開放する。
【００６０】
次に、モータ６６を回転させて基板Ｗを回転させる。基板Ｗが所定の回転数に達すると除去液供給工程が実行される。除去液供給工程ではモータ７３によって待機位置にある除去液ノズル７５が吐出位置に回動移動する。そして、ポンプ７７を作動させるとともに除去液バルブ１７６を開放することにより、除去液ノズル７５から基板Ｗに除去液を供給する。基板Ｗの表面に供給された除去液は遠心力によって基板Ｗの外に落下してカップ６２にて集められ、ドレン配管６９を通過してドレン７０に排出される。所定時間、除去液を供給するとポンプ７７を停止するとともに除去液バルブ１７６を閉止し、除去液ノズル７５を待機位置に戻す。
【００６１】
この除去液供給工程では基板Ｗに供給された除去液が基板Ｗ上のポリマーに作用するため、基板上のポリマーは基板Ｗから剥離しやすくなる。このため、ポリマーは除去液の作用と基板Ｗの回転とにより、徐々に基板Ｗ上から除去されていく。
【００６２】
除去液供給工程が終了すると次に、純水供給工程が実行される。純水供給工程ではモータ７８によって待機位置にある純水ノズル８１が吐出位置に回動移動する。そして、ポンプ８３を作動させるとともに純水バルブ８４を開放することにより、純水ノズル８１から基板Ｗに純水を供給する。基板Ｗの表面に供給された純水は残留している除去液や剥離したポリマーとともに遠心力によって基板Ｗの外に落下してカップ６２にて集められ、ドレン配管６９を通じてドレン７０に排出される。所定時間、純水を供給すると純水バルブ８４を閉止し、純水ノズル８１を待機位置に戻す。
【００６３】
この純水供給工程では基板Ｗに供給された純水が除去液や剥離したポリマーなどを基板Ｗ上から洗い流す。このようにして、基板Ｗの表面からポリマーが洗浄除去される。
【００６４】
最後に液切り工程が実行される。液切り工程はいわゆるスピンドライの工程であり、モータ６６が基板Ｗを高速で回転させることにより、強力な遠心力によって基板Ｗ上にある液体を振切る。これにより、基板Ｗが回転乾燥され、一連のポリマー除去処理が完了する。
【００６５】
その後、モータ６６が停止するとともにカップ６２が基板Ｗの周辺位置から降下し、シャッタ５９が開放される。そして、搬送ロボットＴＲ１が除去処理ユニットＳＲからポリマー除去処理済みの基板Ｗを取り出し、搬入搬出部ＩＤの受渡し台３９に載置する。受渡し台３９に載置された基板Ｗは搬入搬出機構３７によって持ち出され、搬出部３３に載置されているキャリアＣに搬入される。
【００６６】
やがて、所定枚数の処理済基板ＷがキャリアＣに収納されると、そのキャリアＣがＡＧＶやＯＨＴ(over-head hoist transport)等によって検査機５に搬入される。検査機５は、キャリアＣに収納されている基板Ｗのうちの一部あるいは全数に対してポリマーが十分に除去がなされているか否かの検査（ここでは誘電率測定）を検査ユニット５１にて行う。
【００６７】
＜２−２．制御要素データの収集・蓄積＞
以上のようなポリマー除去処理から検査に至る処理工程において、何らかの処理を行うときの制御要素の経時的変化が収集されている。ここで「制御要素」とは、処理結果に影響を与える制御可能な要素のことであり、例えば除去液供給工程ではモータ６６の回転速度およびトルク並びに除去液ノズル７５に向けて送給される除去液の流量および温度等が相当し、純水供給工程ではモータ６６の回転速度およびトルク並びに純水ノズル８１に向けて送給される純水の流量等が相当する。また、「制御要素の経時的変化」とは、処理の経過時間に対する上記各制御要素の関係であり、いわば制御要素の時間プロファイルである。以下、このような制御要素の経時的変化の収集について説明を続ける。
【００６８】
図５のステップＳ１にて、基板処理装置３においてある基板Ｗについての基板処理が開始された後、基板処理装置３からデータ収集コントローラ４に向けた当該基板Ｗについての制御要素のデータ送信を開始する（ステップＳ２）。具体的には、例えば当該基板Ｗについての除去液供給工程が実行されているときに、モータ速度センサ３０ａが予め設定された一定間隔ごとにモータ６６の回転速度を検出し、その検出結果のデータが保守管理ネットワーク７を介して逐一データ収集コントローラ４に送信されるのである。
【００６９】
モータ回転速度以外の制御要素についても全く同様であり、例えば除去液供給工程が実行されているときには、モータトルクセンサ３０ｂ、流量計３０ｃ、温度計３０ｄが一定間隔ごとにモータ６６のトルク、除去液ノズル７５に向けて送給される除去液の流量、温度をそれぞれ検出し、その検出結果のデータが保守管理ネットワーク７を介して逐一データ収集コントローラ４に送信される。また、例えば純水供給工程が実行されているときには、モータ速度センサ３０ａ、モータトルクセンサ３０ｂ、流量計３０ｅが一定間隔ごとにモータ６６の回転速度、トルク、純水ノズル８１に向けて送給される純水の流量をそれぞれ検出し、その検出結果のデータが保守管理ネットワーク７を介して逐一データ収集コントローラ４に送信される。なお、制御要素の検出・送信は各処理工程の全期間の間行うようにしても良いし、各処理工程の中の一定時間のみ行うようにしても良い。また、制御要素の検出を行う間隔が短いほど詳細な制御要素の経時的変化を得ることができるのであるが取り扱うデータ量が増加して通信の負担も大きくなるため、それらのバランスを考慮して当該間隔を設定するようにすれば良い。
【００７０】
このように基板処理装置３においては１枚の基板Ｗについての各処理工程ごとに、センサ３０によって装置内の各制御要素が検出され、それがデータ収集コントローラ４に送信されるのである。そして、１枚の基板Ｗについての一連のポリマー除去処理が終了すると、制御要素のデータ送信は一旦終了する（ステップＳ３）。その後、搬入部３１に載置されたキャリアＣに収容された全基板Ｗについてのポリマー除去処理およびそれに伴うデータ送信が終了しているときには、ステップＳ４からステップＳ５に進み基板処理装置３における処理が終了する。一方、該キャリアＣに収容された全基板Ｗについてのポリマー除去処理およびそれに伴うデータ送信が終了していないときには、ステップＳ４からステップＳ１に戻り、新たな基板Ｗについての上記処理が開始される。すなわち、基板処理時の制御要素の検出・送信は基板Ｗごとに各処理工程について行われるのであり、搬入部３１に搬入されたキャリアＣに収納された複数の基板Ｗのそれぞれについて行われる。なお、基板処理装置３は４つの除去処理ユニットＳＲを備えており、実際には４つの除去処理ユニットＳＲで並列処理を行うため、基板処理装置３からデータ収集コントローラ４へ向けてのデータ送信は連続して行われることになるが、基板処理時の制御要素の検出・送信はあくまでも基板Ｗごとの処理工程ごとに行われるものである。
【００７１】
基板処理装置３から送信された制御要素のデータはデータ収集コントローラ４のデータ収集部４４１（図１参照）によって収集され（ステップＳ６）、磁気ディスク４４に格納される（ステップＳ７）。上述したように、１つのセンサ３０は基板Ｗごとに各処理工程について制御要素を一定間隔で検出しており、それが逐一データ収集コントローラ４に送信される。データ収集部４４１は、１つのセンサ３０によって基板Ｗごとの各処理工程において一定間隔で検出された制御要素を集積して１つのデータファイル４４５を作成し、そのデータファイル４４５を磁気ディスク４４に格納する（図２参照）。すなわち、データ収集部４４１は、基板処理装置３にてポリマー除去処理が行われる複数の基板Ｗのそれぞれについて制御要素を集積して１つのデータファイル４４５を作成し、そのデータファイル４４５を磁気ディスク４４に格納するのである。
【００７２】
例えば、ウェハＩＤ”A0001”を付された基板Ｗの除去液供給工程が実行されているときに、モータ速度センサ３０ａが一定間隔でモータ６６の回転速度を検出したデータがデータ収集部４４１によって集積され、ファイル名”VA0001.DEF”のデータファイル４４５として磁気ディスク４４に格納される。同様に、当該基板Ｗの除去液供給工程が実行されているときに、流量計３０ｃが一定間隔で除去液ノズル７５に向けて送給される除去液の流量を検出したデータもデータ収集部４４１によって集積され、ファイル名”JA0001.GHI”のデータファイル４４５として磁気ディスク４４に格納される。さらに、当該基板Ｗの純水供給工程が実行されているときに、モータ速度センサ３０ａが一定間隔でモータ６６の回転速度を検出したデータもデータ収集部４４１によって集積され、ファイル名”VA0001.FED”のデータファイル４４５として磁気ディスク４４に格納されるのである。
【００７３】
このようにして制御要素を一定間隔で検出したものを集積することにより、制御要素の経時的変化を得ることができる。制御要素の経時的変化の一例を図６に示す。この例は、除去液供給工程におけるモータ６６の回転速度の経時的変化である。すなわち、除去液供給処理の経過時間とモータ６６の回転速度との関係を示すモータ６６の回転速度の時間プロファイルであり、磁気ディスク４４に格納されたファイル名”VA0001.DEF”のデータファイル４４５の内容である。図６に示すように、当該データファイル４４５は時刻ｔ1から時刻ｔ2までの間のモータ６６の回転速度を監視・集積して経時的変化として記録したものである。
【００７４】
図５に戻り、データ収集部４４１は、基板処理装置３にてポリマー除去処理が行われる複数の基板Ｗのそれぞれについての制御要素の経時的変化を収集して個別のデータファイル４４５として磁気ディスク４４に格納するとともに、そのファイル名のテーブル登録を行う（ステップＳ８）。このときに、データ収集部４４１は、それら複数の基板Ｗのそれぞれと当該基板Ｗについての制御要素の経時的変化を収集したデータファイル４４５とを対応付けるようにしてテーブル登録を行う。具体的には、データ収集コントローラ４の磁気ディスク４４内に制御要素テーブル４４６が格納されており（図２参照）、データ収集部４４１は複数の基板ＷのそれぞれのウェハＩＤ（識別記号）と当該基板Ｗについての制御要素の経時的変化を収集したデータファイル４４５のファイル名とを対応付けて制御要素テーブル４４６への登録を行う。
【００７５】
図７は、制御要素テーブル４４６の一例を示す図である。同図に示すように、基板処理装置３にてポリマー除去処理が行われた複数の基板ＷのそれぞれのウェハＩＤの処理工程ごとに当該基板Ｗについての制御要素の経時的変化を収集したデータファイル４４５のファイル名を対応付けて制御要素テーブル４４６に登録されている。例えば、ウェハＩＤ”A0001”の基板Ｗの除去液供給工程には当該基板Ｗについてのモータ６６のトルク、回転速度、除去液流量、除去液温度のそれぞれの経時的変化を収集したデータファイル４４５のファイル名”TA0001.ABC”、”VA0001.DEF”、”JA0001.GHI”、”PA0001.MNO”が対応付けられている。また、ウェハＩＤ”A0001”の基板Ｗの純水供給工程には当該基板Ｗについてのモータ６６のトルク、回転速度、純水流量のそれぞれの経時的変化を収集したデータファイル４４５のファイル名”TA0001.CBA”、”VA0001.FED”、”WA0001.JKL”が対応付けられている。このようにして、基板処理装置３にてポリマー除去処理が行われた複数の基板Ｗのそれぞれと当該基板Ｗについて収集された制御要素の経時的変化とを対応付けた状態にて当該制御要素の経時的変化を磁気ディスク４４内に蓄積しているのである。なお、図７では、制御要素テーブル４４６にデータファイル４４５のファイル名のみを記載しているがデータファイル４４５の保存場所のパス名等を記載するようにしても良い。
【００７６】
＜２−３．蓄積された制御要素データの利用＞
既述したように、基板処理装置３におけるポリマー除去処理が終了した基板Ｗについては検査機５にてポリマーが十分に除去がなされているか否かの検査（誘電率測定）が行われる。そして、検査機５の検査ユニット５１が取得した検査データ（誘電率）は保守管理サーバ２に伝達される。なお、このときには検査データと検査対象基板ＷのウェハＩＤとが関連付けられた状態で保守管理サーバ２に伝達される。
【００７７】
保守管理サーバ２は、検査機５から送信された検査データに基づいて良否判定を行う（ステップＳ９）。具体的には、例えば誘電率が所定の値以上の場合はポリマーが十分に除去がなされていないため”不良”とし、該値未満の場合はポリマーが十分に除去されたものとして”良”とする。検査データはウェハＩＤと関連付けられた状態で検査機５から伝達されるため、保守管理サーバ２はいずれの基板Ｗの検査結果が”不良”であるか否かを認識することができる。基板Ｗの検査結果が”不良”である場合には、その基板Ｗについての処理に何らかの異常があったものとみなすことができる。
【００７８】
このような場合にはステップＳ１０からステップＳ１１に進み、保守管理サーバ２の取得部２１１（図１参照）が当該基板Ｗに対応付けられたデータファイル４４５を保守管理ネットワーク７を介してデータ収集コントローラ４の磁気ディスク４４から取得する。具体的には、例えば、ウェハＩＤ”A0001”の基板Ｗが”不良”であると判定された場合には、取得部２１１が制御要素テーブル４４６を参照してウェハＩＤ”A0001”に対応付けられたデータファイル４４５のファイル名を把握し、そのファイル名を有するデータファイル４４５、つまりファイル名”TA0001.ABC”、”VA0001.DEF”、”JA0001.GHI”、”PA0001.MNO”、”TA0001.CBA”、”VA0001.FED”、”WA0001.JKL”のデータファイル４４５を磁気ディスク４４からダウンロードする。
【００７９】
取得部２１１が取得したデータファイル４４５は一旦ＲＡＭ２３等に格納され、作業者からの入力操作に応じて表示部２５に表示される。例えば、作業者が入力部２６から除去液供給工程におけるモータ６６の回転速度の経時的変化を選択する旨の入力を行うと、表示部２５には図６に示したようなモータ６６の回転速度の時間プロファイルが表示される。
【００８０】
以上のように本実施形態では、基板処理装置３がポリマー除去処理を行うときの制御要素をセンサ３０が監視してその経時的変化をデータ収集部４４１が収集し、磁気ディスク４４内にデータファイル４４５として蓄積している。データファイル４４５の内容は図６の如き制御要素の時間プロファイルであり、処理時の制御要素の変動が記録として残されることとなる。このような制御要素の経時的変化は、処理異常が発生したときの原因究明や最適処理条件の調査に大きく貢献するのである。
【００８１】
従来より、基板処理装置には、処理動作に何らかの異常が生じたときに音や表示にて警告を発するアラーム発報機能が設けられている。例えば、モータ速度センサ３０ａが検出したモータ６６の回転速度が図６の速度Ｖ2を超えたり、速度Ｖ1未満になったりすると、アラームを発して作業者に動作異常を知らせていた。一方、モータ６６の回転速度がＶ1以上Ｖ2以下である場合には適正範囲内であるためアラーム発報がなされず、動作が正常に行われているものとされていた。
【００８２】
しかしながら、図６に示すように、適正範囲内であってもモータ６６の回転速度が一定ではなく時間とともに変動していることがある。従来このような適正範囲内での変動については把握することができなかったのであるが、本実施形態のようにすれば、このような制御要素の微妙な変動についても記録することができる。したがって、処理結果に異常が生じていることが判明したときに、その原因究明を容易に行うことができるのである。例えば、アラーム発報がなかったにも関わらず処理結果に異常が生じていたときに、作業者が各制御要素の経時的変化を確認したところ、モータ６６の回転速度が図６のように適正範囲内で微妙に変動していた場合には、それが処理異常の原因になっている可能性を推定することができる。その結果、従来のように作業者の経験に頼って処理異常の原因究明を行う場合に比較して極めて容易に原因究明を行うことができ、経験の少ない作業者であっても対処が可能となる。
【００８３】
特に、近年の半導体等の製造プロセスが著しく高度化した状況にあっては、各制御要素の適正範囲内での微妙な変動が処理結果に重大な影響を与えることも多く、処理時における制御要素の経時的変化の記録は処理異常の原因究明に非常に役立つものとなる。
【００８４】
また、そのような半導体等の製造プロセスが著しく高度化した状況においては、より精細な処理条件の最適化が要求されており、処理時における制御要素の経時的変化の記録はそのような処理条件の最適化にも役立つ。例えば、処理結果が特に良好であった基板Ｗについての制御要素の経時的変化を調査することにより、より好適な処理条件を把握することが可能となるのである。
【００８５】
また、本実施形態では、基板処理装置３にてポリマー除去処理が行われる複数の基板Ｗのそれぞれについてデータ収集部４４１が制御要素の経時的変化を収集するとともに、それら複数の基板Ｗのそれぞれと当該基板について収集された制御要素の経時的変化とを制御要素テーブル４４６にて対応付けた状態にて当該制御要素の経時的変化を磁気ディスク４４に蓄積している。このため、基板処理装置３にて処理された複数の基板Ｗと制御要素の経時的変化との対応付けが明確であり、処理結果が異常であった基板Ｗについての異常原因の究明や処理結果が極めて良好であった基板Ｗからの処理条件の最適化を容易に行うことができる。
【００８６】
さらに、本実施形態では、検査の結果処理異常であることが判明した基板Ｗに対応付けられた制御要素の経時的変化を保守管理サーバ２の取得部２１１が磁気ディスク４４から選択的に取得している。このため、検査の結果処理異常であることが判明したときに、作業者は当該基板Ｗに対応付けられた制御要素の経時的変化を保守管理サーバ２から迅速かつ容易に確認することができる。
【００８７】
＜３．変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。例えば、上記実施の形態においては、取得部２１１を保守管理サーバ２内に設けていたが、これをホストコンピュータ１に設けるようにしても良い。また、データ収集部４４１を保守管理サーバ２またはホストコンピュータ１に設けるようにしても良いし、データファイル４４５および／または制御要素テーブル４４６を保守管理サーバ２またはホストコンピュータ１内に格納するようにしても良い。
【００８８】
また、検査機５の検査ユニット５１が取得した検査データをホストコンピュータ１に伝達し、ホストコンピュータ１がその検査データに基づいて良否判定を行い、その結果を保守管理サーバ２に伝達するようにしても良い。
【００８９】
また、１つの基板処理装置３内にて上記実施形態の処理内容を実行するようにしても良い。図８は、本発明にかかる基板処理装置の構成の他の例を示すブロック図である。同図において、図８と同一の構成要素については同一の符号を付している。
【００９０】
通常、基板処理装置３には除去処理ユニットＳＲや搬送ロボットＴＲ１の制御を行うための制御ユニットとして機能するコンピュータが組み込まれている。すなわち基板処理装置３は、各種演算処理を行うＣＰＵ３０１、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ３０２、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭ３０３、制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスク３０４およびＣＤ−ＲＯＭドライブ３０８を備えており、これらはバスライン３０９に接続されている。
【００９１】
ＣＤ−ＲＯＭドライブ３０８は、上記の各処理（制御要素の収集・蓄積・取得）が記述されたプログラムが記録されたＣＤ−ＲＯＭ９１から当該処理プログラムを読み取る。ＣＤ−ＲＯＭドライブ３０８によってＣＤ−ＲＯＭ９１から読み出されたプログラムが基板処理装置３にインストールされＣＰＵ３０１によって実行されることにより、このＣＰＵ３０１が上記実施形態におけるデータ収集部４４１、取得部２１１と同様に機能して基板処理装置３が後述の処理を行う。なお、上記のプログラムは、例えばホストコンピュータ１等からネットワーク経由にてダウンロードしてインストールするようにしても良い。また、ＣＤ−ＲＯＭドライブ３０８に代えてＤＶＤドライブ等の他の記録媒体用ドライブを使用するようにしても良く、その場合は各記録媒体用ドライブに応じた記録媒体（例えばＤＶＤドライブの場合ＤＶＤ）にプログラムが記録される。
【００９２】
また、バスライン３０９には、各種情報の表示を行う表示部３２５および作業者からの入力を受け付ける入力部３２６も接続されている。表示部３２５および入力部３２６としては上記実施形態の表示部２５および入力部２６と同様のものを使用することができる。また、バスライン３０９には除去処理ユニットＳＲおよび各センサ３０も電気的に接続され、これらはＣＰＵ３０１によって管理されている。さらに、この基板処理装置３には検査ユニット５１が組み込まれている。検査ユニット５１は、例えば基板処理装置３の搬入搬出部ＩＤ内に設置され、バスライン３０９と電気的に接続されている。
【００９３】
図８の基板処理装置３は、上記実施形態において説明した一連の処理とほぼ同様の処理を装置内にて実行する。すなわち、基板処理装置３がポリマー除去処理を行うときの制御要素をセンサ３０が監視してその経時的変化をＣＰＵ３０１が収集し、磁気ディスク３０４内にデータファイル４４５として蓄積する。データファイル４４５の内容は図６の如き制御要素の時間プロファイルであり、処理時の制御要素の変動が記録として残されることとなる。なお、基板処理装置３におけるポリマー除去処理の内容は上記実施形態と全く同じであり、収集される制御要素の内容も上記実施形態と同じである。
【００９４】
そして、基板処理装置３にてポリマー除去処理が行われる複数の基板ＷのそれぞれについてＣＰＵ３０１が制御要素の経時的変化を収集するとともに、それら複数の基板Ｗのそれぞれと当該基板について収集された制御要素の経時的変化とを制御要素テーブル４４６にて対応付けた状態にて当該制御要素の経時的変化を磁気ディスク３０４に蓄積している。このため、基板処理装置３にて処理された複数の基板Ｗと制御要素の経時的変化との対応付けが明確であり、処理結果が異常であった基板Ｗについての異常原因の究明や処理結果が極めて良好であった基板Ｗからの処理条件の最適化を容易に行うことができる。なお、対応付けの具体的手法は上記実施形態と全く同じであり、制御要素テーブル４４６にてウェハＩＤとデータファイル４４５のファイル名とを関連付けている。
【００９５】
さらに、検査ユニット５１による検査の結果処理異常であることが判明した基板Ｗに対応付けられた制御要素の経時的変化をＣＰＵ３０１が磁気ディスク３０４から選択的に取得してＲＡＭ３０３に格納し、作業者からの入力操作に応じて表示部３２５に表示するようにしている。このため、検査の結果処理異常であることが判明したときに、作業者は当該基板Ｗに対応付けられた制御要素の経時的変化を表示部３２５から容易に確認することができる。
【００９６】
また、上記実施形態においては、制御要素を基板Ｗの回転に関する制御要素（モータの回転速度およびトルク）または基板Ｗに供給する処理液の供給条件に関する制御要素（除去液流量、除去液温度、純水流量）としていたが、これに限定されるものではない。例えば、処理時の基板Ｗ周辺の雰囲気に関する制御要素であっても良いし、空気圧によって作動する空気圧作動部の作動速度に関する制御要素であっても良い。これについて図９を参照しつつ説明する。
【００９７】
図９は、本発明にかかる基板処理装置に組み込まれるレジスト塗布処理ユニットの要部構成を示す図である。該基板処理装置は、上記の基板処理装置３における除去処理ユニットＳＲに代えて基板Ｗにレジスト塗布処理を行う図９のレジスト塗布処理ユニットおよび露光後の基板Ｗの現像処理を行う現像処理ユニットを組み込んだものである。そして、該基板処理装置は、図１の基板処理装置３に代えて上記の基板処理システム内に組み込まれるものである。
【００９８】
処理室であるチャンバ１０１の内部に、基板保持部１２０、カップ１２１、吐出ノズル１３０および気中濃度センサ３０ｆが設けられている。基板保持部１２０は、上記の基板保持部６１と同様のものであり、１枚の基板Ｗを水平状態に保持して回転する。カップ１２１は、基板保持部６１に保持される基板Ｗの周辺に配され、回転する基板Ｗから飛散した処理液を捕集して回収する。吐出ノズル１３０は、基板保持部６１に保持される基板Ｗの上面に対向して配置され、送給配管１３２を介してチャンバ１０１外のベローズポンプ１３１と連通接続されている。送給配管１３２にはフィルタ１３３が介挿されている。ベローズポンプ１３１から送り出されたレジストはフィルタ１３３によって浄化され、吐出ノズル１３０から基板保持部６１に保持された基板Ｗに向けて吐出される。気中濃度センサ３０ｆは、チャンバ１０１内であって基板保持部６１に保持された基板Ｗの周辺に配置され、当該基板Ｗの周辺のアンモニア濃度を検出する。
【００９９】
レジスト液を貯留するレジスト容器１１０とベローズポンプ１３１とは吸入配管１１５を介して連通接続されている。ベローズポンプ１３１は中空の伸縮自在のポンプであり、伸長するときに吸入配管１１５を介してレジスト容器１１０からレジストを吸入してベローズポンプ１３１内部に貯留する。そして、ベローズポンプ１３１が収縮すると、その内部に貯留されたレジストが送給配管１３２を介して吐出ノズル１３０に送給され、吐出ノズル１３０から基板Ｗに向けて吐出される。
【０１００】
ベローズポンプ１３１を伸縮させるのはエアシリンダ１４０である。エアシリンダ１４０はピストン１４１を備えており、ピストン１４１の先端部がベローズポンプ１３１に連結されている。エアシリンダ１４０の内部であってピストン１４１よりも一方側には空気管路１４２が連通接続され、他方側には空気管路１４３が連通接続されている。空気管路１４２および空気管路１４３は、それぞれがシリンダ動作切換弁１４４を介して圧縮空気源１４５に切り換え可能に流路接続されている。シリンダ動作切換弁１４４は、４つのポートを持つ２位置弁で構成され、それら４つのポートは、空気管路１４２，１４３、圧縮空気の供給路１４６および排気管路１４７にそれぞれ連通接続されている。
【０１０１】
また、空気管路１４２および空気管路１４３には、速度制御弁１４８および速度制御弁１４９がそれぞれ介挿されている。速度制御弁１４８，１４９はそれぞれ空気管路１４２，１４３を通過する空気の流量（エアシリンダ１４０に送給する空気の流量）を可変に調節してエアシリンダ１４０の作動速度を規定するいわゆるスピードコントローラである。速度制御弁１４８，１４９としては、電気信号を与えることによって通過する空気の流量を可変に調節するスピードコントローラを採用しても良いし、作業者の手動による調整作業によって通過する空気の流量を可変に調節するスピードコントローラを採用しても良い。
【０１０２】
空気管路１４２，１４３を交互に圧縮空気の供給路１４６と排気管路１４７とに接続するようにシリンダ動作切換弁１４４を作動させることにより、空気圧によりエアシリンダ１４０を作動させてベローズポンプ１３１を伸縮させ、レジスト容器１１０から吐出ノズル１３０にレジストを送り出し、基板Ｗにレジストを吐出するのである。すなわち、空気管路１４３と圧縮空気の供給路１４６とが接続されているときには、ピストン１４１が後退してベローズポンプ１３１が伸長し、レジスト容器１１０からレジストが吸入される。そして、空気管路１４２と圧縮空気の供給路１４６とが接続されているときには、ピストン１４１が前進してベローズポンプ１３１が収縮し、吐出ノズル１３０からレジストが吐出される。
【０１０３】
さらに、エアシリンダ１４０には速度センサ３０ｇが付設されている。速度センサ３０ｇは、エアシリンダ１４０の作動速度を検出する。速度センサ３０ｇは、エアシリンダ１４０の作動速度を直接検出するものであっても良いし、駆動距離が一定のエアシリンダ１４０の作動時間を検出してその作動速度を求めるものであっても良い。
【０１０４】
残余のシステムおよび装置の構成については、上記実施形態とほぼ同じである（図１〜図４参照）。但し、図９の基板処理装置はさらに露光後の基板Ｗを現像する現像処理ユニットを組み込んでいる。また、検査機５の検査ユニット５１はレジストの膜厚を測定するユニットまたはパターンの線幅を測定するユニットとすれば良い。
【０１０５】
図９のレジスト塗布処理ユニットは、基板保持部６１に保持した基板Ｗを回転させつつベローズポンプ１３１を伸縮させて吐出ノズル１３０からレジストを吐出することにより、該基板Ｗの表面に均一なレジスト塗布を行う。なお、図９のレジスト塗布処理ユニットを組み込んだ基板処理装置とデータ収集コントローラ４および保守管理サーバ２との間で行われるデータ通信の内容は上記実施形態と同様のものである。但し、センサ３０が監視してデータ収集部４４１が収集する制御要素は基板Ｗの周辺のアンモニア濃度およびエアシリンダ１４０の作動速度である。
【０１０６】
塗布するレジストがＡｒＦ光源等に対応した化学増幅型レジストの場合、酸触媒を加熱して反応を進めることにより高い感度を得る。このため、化学増幅型レジストを塗布した基板Ｗ周辺の雰囲気中のアルカリ成分は塗布処理後の現像処理結果に大きな影響を与える。また、エアシリンダ１４０の作動速度は、そのまま吐出ノズル１３０からのレジスト吐出速度につながり、レジスト膜厚に影響を与える。
【０１０７】
そこで、基板処理装置がレジスト塗布処理等を行うときの制御要素をセンサ３０（ここでは気中濃度センサ３０ｆおよび速度センサ３０ｇ）が監視してその経時的変化をデータ収集部４４１が収集し、磁気ディスク４４内にデータファイル４４５として蓄積する。データファイル４４５の内容は図６と同様であり、処理時の制御要素の変動が記録として残されることとなる。このような制御要素（基板Ｗの周辺のアンモニア濃度およびエアシリンダ１４０の作動速度）の経時的変化は、膜厚異常や線幅異常等の処理異常が発生したときの原因究明や最適処理条件の調査に上記実施形態と同様に大きく貢献するのである。
【０１０８】
また、上記実施形態と同様に、基板処理装置にて処理が行われる複数の基板Ｗのそれぞれについてデータ収集部４４１が制御要素の経時的変化を収集するとともに、それら複数の基板Ｗのそれぞれと当該基板について収集された制御要素の経時的変化とを制御要素テーブル４４６にて対応付けた状態にて当該制御要素の経時的変化を磁気ディスク４４に蓄積している。さらに、検査の結果処理異常であることが判明した基板Ｗに対応付けられた制御要素の経時的変化を保守管理サーバ２の取得部２１１が磁気ディスク４４から選択的に取得している。
【０１０９】
また、本発明にかかる基板処理装置は基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の装置のみならず、複数の基板Ｗを同時に処理するバッチ式の装置であっても良い。バッチ式の装置の場合は、基板処理装置にて処理が行われる複数のロット（一括処理される一組の基板Ｗ）のそれぞれについてデータ収集部４４１が制御要素の経時的変化を収集するとともに、それら複数のロットのそれぞれと当該ロットについて収集された制御要素の経時的変化とを制御要素テーブル４４６にて対応付けた状態にて当該制御要素の経時的変化を磁気ディスク４４に蓄積することとなる。
【０１１０】
また、本発明にかかる基板処理装置における処理対象は半導体基板に限定されるものではなく、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等を処理する装置であっても良い。さらに、本発明にかかる基板処理装置における処理内容もポリマー除去処理やレジスト塗布処理等に限定されるものではなく、洗浄処理やエッチング処理であっても良い。
【０１１１】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１の発明によれば、基板処理装置が複数の基板に所定の処理を行うときの複数の基板のそれぞれについての制御要素を一定間隔で検出したものを集積して得られる経時的変化を監視して収集するとともに、収集された複数の基板のそれぞれについての制御要素の経時的変化を蓄積するため、複数の基板のそれぞれについて処理時の制御要素の変動が記録として残されることとなり、処理結果に異常が生じていることが判明したときにその原因究明を容易に行うことができ、さらには最適処理条件の追求も容易に行うことができる。また、複数の基板のそれぞれと当該基板について収集された制御要素の経時的変化とを対応付けた状態にて当該制御要素の経時的変化を蓄積するため、基板処理装置にて処理された複数の基板と制御要素の経時的変化との対応付けが明確であり、処理結果が異常であった基板についての異常原因の究明や処理結果が極めて良好であった基板からの処理条件の最適化を容易に行うことができる。
【０１１３】
また、請求項２の発明によれば、検査の結果処理異常であることが判明した基板に対応付けられた制御要素の経時的変化を蓄積手段から選択的に取得するため、処理異常である基板に対応付けられた制御要素の経時的変化を迅速かつ容易に確認することができる。
また、請求項３の発明によれば、複数の基板のそれぞれについての処理工程ごとに当該基板についての制御要素の経時的変化を収集することができる。
【０１１４】
また、請求項４の発明によれば、制御要素が基板の回転に関する制御要素を含むため、処理結果に異常が生じていることが判明したときに基板の回転に起因した原因の究明を容易に行うことができる。
【０１１５】
また、請求項５の発明によれば、制御要素が基板に供給する処理液の供給条件に関する制御要素を含むため、処理結果に異常が生じていることが判明したときに基板に供給する処理液の供給条件に起因した原因の究明を容易に行うことができる。
【０１１６】
また、請求項６の発明によれば、制御要素が基板周辺の雰囲気に関する制御要素を含むため、処理結果に異常が生じていることが判明したときに基板周辺の雰囲気に起因した原因の究明を容易に行うことができる。
【０１１７】
また、請求項７の発明によれば、制御要素が空気圧作動部の作動速度に関する制御要素を含むため、処理結果に異常が生じていることが判明したときに空気圧作動部の作動速度に起因した原因の究明を容易に行うことができる。
【０１１９】
また、請求項８の発明によれば、基板処理装置が複数の基板に所定の処理を行うときの前記複数の基板のそれぞれについての制御要素を一定間隔で検出したものを集積して得られる経時的変化を監視して収集するとともに、収集された前記複数の基板のそれぞれについての制御要素の経時的変化を蓄積するため、複数の基板のそれぞれについて処理時の制御要素の変動が記録として残されることとなり、処理結果に異常が生じていることが判明したときにその原因究明を容易に行うことができ、さらには最適処理条件の追求も容易に行うことができる。また、複数の基板のそれぞれと当該基板について収集された制御要素の経時的変化とを対応付けた状態にて当該制御要素の経時的変化を蓄積するため、基板処理装置にて処理された複数の基板と制御要素の経時的変化との対応付けが明確であり、処理結果が異常であった基板についての異常原因の究明や処理結果が極めて良好であった基板からの処理条件の最適化を容易に行うことができる。
【０１２１】
また、請求項９の発明によれば、検査の結果処理異常であることが判明した基板に対応付けられた前記制御要素の経時的変化を前記蓄積手段から選択的に取得するため、処理異常である基板に対応付けられた制御要素の経時的変化を迅速かつ容易に確認することができる。
また、請求項１０の発明によれば、複数の基板のそれぞれについての処理工程ごとに当該基板についての制御要素の経時的変化を収集することができる。
【０１２２】
また、請求項１１の発明によれば、複数の基板に所定の処理を行うときの複数の基板のそれぞれについての制御要素を一定間隔で検出したものを集積して得られる経時的変化を監視して収集するとともに、収集された複数の基板のそれぞれについての制御要素の経時的変化を蓄積するため、複数の基板のそれぞれについて処理時の制御要素の変動が記録として残されることとなり、処理結果に異常が生じていることが判明したときにその原因究明を容易に行うことができ、さらには最適処理条件の追求も容易に行うことができる。また、複数の基板のそれぞれと当該基板について収集された制御要素の経時的変化とを対応付けた状態にて当該制御要素の経時的変化を蓄積するため、基板処理装置にて処理された複数の基板と制御要素の経時的変化との対応付けが明確であり、処理結果が異常であった基板についての異常原因の究明や処理結果が極めて良好であった基板からの処理条件の最適化を容易に行うことができる。
また、請求項１２の発明によれば、複数の基板のそれぞれについての処理工程ごとに当該基板についての制御要素の経時的変化を収集することができる。
【０１２３】
また、請求項１３の発明によれば、基板処理装置が備えるコンピュータにプログラムを実行させるだけで、その基板処理装置を請求項８から請求項１０のいずれかに記載の基板処理装置として動作させることができる。
【０１２４】
また、請求項１４の発明によれば、基板処理装置が備えるコンピュータに記録媒体を読み取らせてプログラムを実行させるだけで、その基板処理装置を請求項８から請求項１０のいずれかに記載の基板処理装置として動作させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる基板処理システムの一例を示す図である。
【図２】図１の基板処理システムの構成を示すブロック図である。
【図３】図１の基板処理システムの基板処理装置の平面図である。
【図４】図３の基板処理装置の除去処理ユニットの構成を示す図である。
【図５】図１の基板処理システムにおける処理手順の一例を示す図である。
【図６】制御要素の経時的変化の一例を示す図である。
【図７】制御要素テーブルの一例を示す図である。
【図８】本発明にかかる基板処理装置の構成の他の例を示すブロック図である。
【図９】本発明にかかる基板処理装置に組み込まれるレジスト塗布処理ユニットの要部構成を示す図である。
【符号の説明】
１ ホストコンピュータ
２ 保守管理サーバ
３ 基板処理装置
４ データ収集コントローラ
５ 検査機
７ 保守管理ネットワーク
３０ センサ
３０ａ モータ速度センサ
３０ｂ モータトルクセンサ
３０ｃ 流量計
３０ｄ 温度計
３０ｅ 流量計
３０ｆ 気中濃度センサ
３０ｇ 速度センサ
４４，３０４ 磁気ディスク
５１ 検査ユニット
９１ ＣＤ−ＲＯＭ
１３１ ベローズポンプ
１４０ エアシリンダ
１４８，１４９ 速度制御弁
２１１ 取得部
３０８ ＣＤ−ＲＯＭドライブ
４４１ データ収集部
４４５ データファイル
４４６ 制御要素テーブル
ＳＲ 除去処理ユニット
Ｗ 基板
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に所定の処理を行う基板処理装置と、その基板処理装置からデータを収集するコンピュータとをネットワーク経由にて結合したネットワーク通信技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体や液晶ディスプレイなどの製品は、基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理などの一連の諸処理を施すことにより製造されている。従来より、これらの諸処理は複数の処理ユニットを組み込んだ基板処理装置において行われている。基板処理装置に設けられた搬送ロボットが各処理ユニットに基板を順次搬送し、各処理ユニットが基板に所定の処理を行うことによって該基板に一連の処理が施されるのである。
【０００３】
一方、半導体製品等の品質維持のため、各諸処理のまとまったプロセスの後に、基板の各種検査を行って品質確認を行うことが重要である。例えば、反応性イオンを使用したドライエッチング時にレジストが変質して生成されたポリマーが付着した基板を洗浄してポリマーを除去するポリマー除去装置がある。このようなポリマー除去装置においてポリマー除去洗浄処理を行った後には、電子顕微鏡や誘電率測定装置を使用してポリマーが十分に除去されているか否かを検査する。そして、検査の結果ポリマーが十分に除去されていないことが判明した場合には、その原因を調査して必要な措置、例えば処理ユニットの修理等を行う。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来、検査の結果処理に異常が生じていることが判明した場合であっても、その原因の特定が非常に困難であった。これは検査の結果判明した異常の内容に応じて作業者の経験から異常発生原因を調査していたためである。特に、近年、半導体等の微細化の進展にともなってその製造プロセスも著しく高度化しており、如何なる要因によって処理結果に異常が生じたのかを特定することが益々困難になりつつある。このため、一旦処理結果に異常が生じると、その原因究明に多大な時間を要することとなり、その結果半導体等の生産効率が大きく低下するという問題が生じていた。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、処理結果に異常が生じていることが判明したときに、その原因究明を容易に行うことができる基板処理技術を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置と、前記基板処理装置からデータを収集するコンピュータとがネットワーク経由にて結合された基板処理システムにおいて、複数の基板に前記所定の処理を行うときの前記複数の基板のそれぞれについての制御要素を一定間隔で検出したものを集積して得られる経時的変化を監視して収集する収集手段と、収集された前記複数の基板のそれぞれについての前記制御要素の経時的変化を蓄積する蓄積手段と、を備え、前記蓄積手段に、前記複数の基板のそれぞれと当該基板について収集された前記制御要素の経時的変化とを対応付けた状態にて当該制御要素の経時的変化を蓄積させる。
【０００８】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明にかかる基板処理システムにおいて、前記基板処理装置にて前記所定の処理が行われた基板の検査を行う検査機と、前記検査機による検査の結果処理異常であることが判明した基板に対応付けられた前記制御要素の経時的変化を前記蓄積手段から選択的に取得する取得手段と、をさらに備える。
また、請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明にかかる基板処理システムにおいて、前記収集手段に、前記複数の基板のそれぞれの処理工程ごとに当該基板についての制御要素の経時的変化を収集させる。
【０００９】
また、請求項４の発明は、請求項１から請求項３のいずれかの発明にかかる基板処理システムにおいて、前記基板処理装置に前記所定の処理を行うときに基板を回転させる回転機構を備え、前記制御要素に、基板の回転に関する制御要素を含ませている。
【００１０】
また、請求項５の発明は、請求項１から請求項３のいずれかの発明にかかる基板処理システムにおいて、前記基板処理装置は前記所定の処理を行うときに基板に処理液を供給する処理液供給機構を備え、前記制御要素に、基板に供給する処理液の供給条件に関する制御要素を含ませている。
【００１１】
また、請求項６の発明は、請求項１から請求項３のいずれかの発明にかかる基板処理システムにおいて、前記制御要素に、前記所定の処理を行うときの基板周辺の雰囲気に関する制御要素を含ませている。
【００１２】
また、請求項７の発明は、請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理システムにおいて、前記基板処理装置に前記所定の処理を行うときに空気圧にて作動する空気圧作動部と、前記空気圧作動部に送給する空気の流量を可変に調節して前記空気圧作動部の作動速度を規定する空気流量調整部と、を備え、前記制御要素に、前記所定の処理を行うときの前記空気圧作動部の作動速度に関する制御要素を含ませている。
【００１４】
また、請求項８の発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置において、複数の基板に前記所定の処理を行うときの前記複数の基板のそれぞれについての制御要素を一定間隔で検出したものを集積して得られる経時的変化を監視して収集する収集手段と、収集された前記複数の基板のそれぞれについての前記制御要素の経時的変化を蓄積する蓄積手段と、を備え、前記蓄積手段に、前記複数の基板のそれぞれと当該基板について収集された前記制御要素の経時的変化とを対応付けた状態にて当該制御要素の経時的変化を蓄積させる。
【００１６】
また、請求項９の発明は、請求項８の発明にかかる基板処理装置において、前記所定の処理が行われた基板の検査を行う検査部と、前記検査部による検査の結果処理異常であることが判明した基板に対応付けられた前記制御要素の経時的変化を前記蓄積手段から選択的に取得する取得手段と、をさらに備える。
また、請求項１０の発明は、請求項８または請求項９の発明にかかる基板処理装置において、前記収集手段に、前記複数の基板のそれぞれの処理工程ごとに当該基板についての制御要素の経時的変化を収集させる。
【００１７】
また、請求項１１の発明は、基板に所定の処理を行う基板処理方法において、複数の基板に前記所定の処理を行うときの前記複数の基板のそれぞれについての制御要素を一定間隔で検出したものを集積して得られる経時的変化を監視して収集する収集工程と、収集された前記複数の基板のそれぞれについての前記制御要素の経時的変化を蓄積する蓄積工程と、を備え、前記蓄積工程に、前記複数の基板のそれぞれと当該基板について収集された前記制御要素の経時的変化とを対応付けた状態にて当該制御要素の経時的変化を蓄積させる。
また、請求項１２の発明は、請求項１１の発明にかかる基板処理方法において、前記収集工程に、前記複数の基板のそれぞれの処理工程ごとに当該基板についての制御要素の経時的変化を収集させる。
【００１８】
また、請求項１３の発明は、基板処理装置が備えるコンピュータによって実行されることにより、前記基板処理装置が請求項８から請求項１０のいずれかに記載の基板処理装置として動作するプログラムである。
【００１９】
また、請求項１４の発明は、請求項１３に記載のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体である。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２１】
＜１．システム構成＞
図１は、本発明にかかる基板処理システムの一例を示す図である。この基板処理システムは、１台のホストコンピュータ１に３台の基板処理装置３が接続されるとともに、それら３台の基板処理装置３にさらに保守管理サーバ２が接続されて構成されており、例えば半導体製造工場内に実現される。３台の基板処理装置３は生産管理ネットワーク６を介してホストコンピュータ１に並列に接続されている。また、３台の基板処理装置３は保守管理ネットワーク７を介して保守管理サーバ２に並列に接続されている。３台の基板処理装置３のそれぞれと保守管理サーバ２とを接続する保守管理ネットワーク７にはデータ収集コントローラ４が介挿されている。本実施形態では、３台の基板処理装置３に１対１で対応して３台のデータ収集コントローラ４が接続され、それら３台のデータ収集コントローラ４が１台の保守管理サーバ２に接続されている。
【００２２】
また、図１の基板処理システムには、検査機５が組み込まれている。検査機５は、基板処理装置３とは別体に設けられている。検査機５は、ホストコンピュータ１および保守管理サーバ２のそれぞれと所定の回線を介して接続されている。さらに、ホストコンピュータ１は保守管理サーバ２と所定の回線を介して接続されている。
【００２３】
なお、本実施形態では基板処理装置３を３台設置しているが、これを１台としても良いし、２台以上としても良い。２台以上の基板処理装置３を設置した場合には、それらと１対１で対応して複数のデータ収集コントローラ４を設けるのが好ましいが、複数の基板処理装置３を１台のデータ収集コントローラ４に接続するようにしても良い。また、図１の基板処理システムを構成する各ネットワークおよび回線は有線であっても良いし、無線であっても良い。
【００２４】
次に、上記基板処理システムを構成する各構成要素について順次説明する。図２は、図１の基板処理システムの構成を示すブロック図である。
【００２５】
＜１−１．保守管理サーバ＞
保守管理サーバ２は、データ収集コントローラ４によって基板処理装置３から収集された各種データに基づいて基板処理装置３の保守管理やトラブルシューティングを担うサーバである。保守管理サーバ２のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、保守管理サーバ２は、各種演算処理を行うＣＰＵ２１、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ２２および各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭ２３をバスライン２９に接続して構成されている。
【００２６】
また、バスライン２９には、制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスク２４、各種情報の表示を行う表示部２５、作業者からの入力を受け付ける入力部２６および外部装置と通信を行う通信部２８が接続される。表示部２５としては例えば液晶ディスプレイやＣＲＴを使用することができる。入力部２６としては例えばキーボードやマウスを使用することが出来る。また、表示部２５および入力部２６を一体化したタッチパネルを適用するようにしても良い。
【００２７】
また、光ディスク、磁気ディスク、光磁気ディスク等の記録媒体から各種データの読み取りを行う読取装置をバスライン２９に接続するようにしても良い。保守管理サーバ２は、当該読取装置を介して記録媒体からプログラムを読出し、磁気ディスク２４に記憶することができる。また、他のサーバー等からプログラムをダウンロードして磁気ディスク２４に記憶することもできる。そして、ＣＰＵ２１が磁気ディスク２４に記憶されたプログラムに従って演算処理を実行することにより保守管理サーバ２としての各種動作が行われることとなる。すなわち、このプログラムに従ってＣＰＵ２１が演算処理を実行した結果として、保守管理サーバ２は保守管理サーバ２としての動作を行うのである。図１に示す取得部２１１は、ＣＰＵ２１が当該プログラムを実行することによって保守管理サーバ２内に実現される処理部であり、その動作内容については後述する。
【００２８】
＜１−２．ホストコンピュータ＞
図２には、図示の便宜上、ホストコンピュータ１の記載を省略しているが、ホストコンピュータ１はシステム全体の生産管理を担うコンピュータであり、各基板処理装置３のプロセス管理を行うとともに、基板処理装置３と検査機５との間の物流管理も行う。ホストコンピュータ１のハードウェアとしての構成も一般的なコンピュータと同様であり、その具体的な構成は保守管理サーバ２と同じである。但し、ホストコンピュータ１が実行するプログラムは保守管理サーバ２が実行するプログラムとは異なっており、ホストコンピュータ１のＣＰＵが専用のプログラムに従っての演算処理を実行した結果として、ホストコンピュータ１はホストコンピュータ１としての動作を行うこととなる。
【００２９】
＜１−３．データ収集コントローラ＞
データ収集コントローラ４は、基板処理装置３から種々のデータを収集する機能を有する一種のコンピュータである。データ収集コントローラ４のハードウェアとしての構成も一般的なコンピュータと同様である。すなわち、データ収集コントローラ４は、各種演算処理を行うＣＰＵ４１、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ４２および各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭ４３をバスライン４９に接続して構成されている。また、バスライン４９には、制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスク４４および保守管理ネットワーク７を介して基板処理装置３や保守管理サーバ２と通信を行う通信部４８が接続される。
【００３０】
また、光ディスク、磁気ディスク、光磁気ディスク等の記録媒体から各種データの読み取りを行う読取装置をバスライン４９に接続するようにしても良い。データ収集コントローラ４は、当該読取装置を介して記録媒体からプログラムを読出し、磁気ディスク４４に記憶することができる。また、他のサーバー等からプログラムをダウンロードして磁気ディスク４４に記憶することもできる。そして、ＣＰＵ４１が磁気ディスク４４に記憶されたプログラムに従って演算処理を実行することによりデータ収集コントローラ４としての各種動作が行われることとなる。すなわち、このプログラムに従ってＣＰＵ４１が演算処理を実行した結果として、データ収集コントローラ４はデータ収集コントローラ４としての動作を行うのである。図１に示すデータ収集部４４１は、ＣＰＵ４１が当該プログラムを実行することによってデータ収集コントローラ４内に実現される処理部であり、その動作内容については後述する。
【００３１】
＜１−４．基板処理装置＞
本実施形態における基板処理装置３は、基板からポリマーを除去するポリマー除去洗浄装置である。半導体装置等の製造工程においては、基板上に形成されたアルミニウムや銅等の金属膜およびシリコン酸化膜や低誘電率層間絶縁膜（Low-k膜）等の絶縁膜をパターン化されたレジスト膜をマスクとして気相中にてエッチングするドライエッチングが用いられている。ドライエッチングは、微細なパターンであっても確実に垂直方向の腐食を行える点で優れており、回路パターンの微細化が進展している今日においては重要なプロセスである。
【００３２】
しかしながら、例えばＲＩＥ（Reactive Ion Etching／反応性イオンエッチング）装置で使用する反応性イオンのパワーは極めて強いことから、エッチング対象の薄膜が十分に腐食される時点では、マスクであるレジストも半分以上消失しており、その一部が変質してポリマーとして基板に付着するのである。このポリマーは後続するレジスト除去工程では除去されないことから、レジスト除去工程を実行する前または後に、ポリマーを除去する洗浄処理が必要となるのである。基板処理装置３は、上記の如きドライエッチング時にレジストや薄膜に由来して生成された反応生成物であるポリマーの除去処理を行う装置である。
【００３３】
図３は、基板処理装置３の平面図である。基板処理装置３は、搬入搬出部ＩＤと、除去処理部ＲＭとを並べて配列した状態で有する。なお、図１に示した３台の基板処理装置３は全て同じ構成を有する。
【００３４】
搬入搬出部ＩＤは、未処理の基板Ｗを複数収容したキャリア（カセット）Ｃが載置される搬入部３１と、処理済みの基板Ｗを複数収容したキャリアＣが載置される搬出部３３と、受渡し部３５とを有する。
【００３５】
搬入部３１はテーブル状の載置台を有し、装置外の例えばＡＧＶ(Automatic Guided Vehicle)等の搬送機構によって２個のキャリアＣが当該載置台上に搬入される。キャリアＣは例えば２５枚の基板Ｗを水平姿勢にて互いに間隔を隔てて鉛直方向に積層配置した状態で保持する。搬出部３３もテーブル状の載置台を有し、該載置台に２個のキャリアＣが載置され、該２個のキャリアＣは装置外の搬送機構によって搬出される。
【００３６】
受渡し部３５は、搬入部３１、搬出部３３のキャリアＣの並び方向に沿って移動し、かつキャリアＣに対して基板Ｗを搬入、搬出する搬入搬出機構３７と、受渡し台３９とを有する。搬入搬出機構３７は、図示を省略する搬入搬出用アームを備え、水平方向に沿った移動の他に鉛直方向を軸とする回転動作や鉛直方向に沿った昇降動作や該搬入搬出用アームの進退動作を行うことができる。これにより、搬入搬出機構３７はキャリアＣに対して基板Ｗの搬出入を行うとともに、受渡し台３９に対して基板Ｗを授受する。
【００３７】
除去処理部ＲＭは、搬入搬出部ＩＤに隣接して設けられ、基板Ｗを収容してポリマー等の反応生成物の除去処理を施す４つの枚葉式の除去処理ユニットＳＲと、受渡し台３９に対して基板Ｗを授受するとともに４つの除去処理ユニットＳＲに対して基板Ｗを授受する搬送ロボットＴＲ１を有している。
【００３８】
除去処理ユニットＳＲは搬入搬出部ＩＤのキャリアＣの並び方向と直交する方向において２つ並ぶことで除去処理ユニットＳＲの列を形成し、この除去処理ユニットＳＲの列が間隔を開けて合計２列、キャリアＣの並び方向に沿って並んでいる。そして、前記除去処理ユニットＳＲの列と列との間に挟み込まれた搬送路ＴＰ１に搬送ロボットＴＲ１が配置されている。
【００３９】
搬送ロボットＴＲ１は、搬送路ＴＰ１の長手方向（上述した除去処理ユニットＳＲの列の形成方向）に沿って走行し、４つの除去処理ユニットＳＲのそれぞれに対して基板Ｗを授受するとともに、受渡し台３９に対して基板Ｗを授受する。
【００４０】
図４は除去処理ユニットＳＲの構成を示す図である。除去処理ユニットＳＲは、１枚の基板Ｗを水平状態に保持して回転する基板保持部６１と、保持された基板Ｗの周囲を取り囲むカップ６２と、保持された基板Ｗに除去液を供給する除去液供給部６３と、保持された基板Ｗに純水を供給する純水供給部６４と、基板保持部６１に保持された状態の基板Ｗを収容するチャンバ６５とを有する。
【００４１】
チャンバ６５にはシャッタ５９（図１参照）が設けられており、該シャッタ５９は、搬送ロボットＴＲ１がチャンバ６５内に基板Ｗを搬入または搬出する場合には図示を省略する開閉機構によって開放され、それ以外のときは閉鎖されている。なお、チャンバ６５内は常に常圧の状態である。また、チャンバ６５内の雰囲気は不図示の排気機構によって、装置外の排気ダクトへ排出されている。このため、処理液のミストや蒸気などを含んだ雰囲気がチャンバ６５から漏出することが防止されている。
【００４２】
基板保持部６１は、チャンバ６５外に設けられたモータ６６と、モータ６６によって回転駆動されることで、鉛直方向に沿って配された軸を中心に回転するチャック６７とを有する。また、モータ６６には、モータ６６の回転速度を検出するモータ速度センサ３０ａと回転のトルクを検出するモータトルクセンサ３０ｂとが付設されている。モータ速度センサ３０ａとしては例えばエンコーダを適用することができ、モータトルクセンサ３０ｂとしては公知の種々のトルク計を適用することができる。
【００４３】
チャック６７は、真空吸着によって基板Ｗを略水平姿勢にて保持することができるいわゆるバキュームチャックである。チャック６７が基板Ｗを保持した状態にてモータ６６がチャック６７を回転させることにより、その基板Ｗも鉛直方向に沿った軸を中心にして水平面内にて回転する。そして、基板Ｗを回転させているときのモータ６６の回転速度およびトルクがモータ速度センサ３０ａおよびモータトルクセンサ３０ｂによってそれぞれ検出される。なお、チャック６７はいわゆるバキュームチャックに限定されるものではなく、端縁部を機械的に把持して基板Ｗを保持するいわゆるメカチャックであっても良い。
【００４４】
カップ６２は上面視略ドーナツ型で中央部にチャック６７が通過可能な開口を有している。また、カップ６２は回転する基板Ｗから飛散する液体（例えば除去液や純水）を捕集するとともに下部に設けられている排液口６８から捕集した液体を排出する。排液口６８にはドレン７０へ通ずるドレン配管６９が設けられ、該ドレン配管６９の途中にはドレン配管６９の管路を開閉するドレン弁７２が設けられている。なお、カップ６２は不図示の機構によって昇降する。
【００４５】
除去液供給部６３は、チャンバ６５外に設けられたモータ７３と、モータ７３の回動動作によって回動するアーム７４とアーム７４の先端に設けられ除去液を下方に向けて吐出する除去液ノズル７５と、例えば除去液を貯留する瓶にて構成される除去液供給源７６と、除去液供給源７６から除去液ノズル７５に向けて除去液を送給するポンプ７７とを備える。また、除去液ノズル７５と除去液源７６との間には管路が連通接続され、該管路には除去液バルブ１７６および除去液を浄化するフィルタ１７７が介挿されている。さらに、該管路の経路途中には流量計３０ｃおよび温度計３０ｄが介挿されている。流量計３０ｃおよび温度計３０ｄは、該管路を通過する除去液の流量および温度をそれぞれ検出する。
【００４６】
なお、モータ７３を昇降させることで除去液ノズル７５を昇降させる不図示の昇降手段が設けられている。また、このモータ７３を駆動することによって、除去液ノズル７５は基板Ｗの回転中心の上方の吐出位置とカップ６２外の待機位置との間で往復移動する。
【００４７】
ポンプ７７を作動させるとともに除去液バルブ１７６を開放することにより、除去液供給源７６から除去液ノズル７５に向けて除去液が送給され、除去液ノズル７５から除去液が吐出される。ここでの除去液はポリマーのみを選択的に除去するポリマー除去液であり、例えばジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド等、有機アミンを含む有機アミン系除去液、フッ化アンモンを含むフッ化アンモン系除去液、無機系の除去液が使用される。そして、除去液ノズル７５に向けて送給される除去液の流量および温度が流量計３０ｃおよび温度計３０ｄによってそれぞれ検出される。
【００４８】
純水供給部６４は、チャンバ６５外に設けられたモータ７８と、モータ７８の回動によって回動するアーム７９と、アーム７９の先端に設けられ純水を下方に向けて吐出する純水ノズル８１と、純水ノズル８１に純水を供給する純水源８２と、純水源８２から純水ノズル８１に向けて純水を送給するポンプ８３とを備える。また、純水ノズル８１と純水源８２との間には管路が連通接続され、該管路には純水バルブ８４が介挿されている。さらに、該管路の経路途中には流量計３０ｅが介挿されている。流量計３０ｅは、該管路を通過する純水の流量を検出する。
【００４９】
なお、モータ７８を昇降させることで純水ノズル８１を昇降させる不図示の昇降手段が設けられている。また、このモータ７８を駆動することによって、純水ノズル８１は基板Ｗの回転中心の上方の吐出位置とカップ６２外の待機位置との間で往復移動する。
【００５０】
ポンプ８３を作動させるとともに純水バルブ８４を開放することにより、純水源８２から純水ノズル８１に向けて純水が送給され、純水ノズル８１から純水が吐出される。そして、純水ノズル８１に向けて送給される純水の流量が流量計３０ｅによって検出される。
【００５１】
以上のような構成により、除去処理ユニットＳＲは、基板Ｗを回転させつつ該基板Ｗに除去液を供給し、その後純水を供給して除去液を洗い流すことによって該基板Ｗに付着したポリマー等の反応生成物を除去することができる。
【００５２】
ところで、基板処理装置３をシステム全体における通信管理の観点から見れば、図２に示すように、除去処理ユニットＳＲに各種センサ３０が接続され、それらセンサ３０が通信部３２から保守管理ネットワーク７を介してデータ収集コントローラ４と接続される構成とされている。ここでセンサ３０は、モータ速度センサ３０ａ、モータトルクセンサ３０ｂ、流量計３０ｃ、温度計３０ｄおよび流量計３０ｅの総称であり、以降それらを相互に区別する必要のないときは単にセンサ３０と称する。
【００５３】
図２に示す如き構成により、センサ３０によって検出されたモータ６６の回転速度等はデータ収集コントローラ４に伝達され、磁気ディスク４４内に格納されるのであるが、その詳細については後述する。
【００５４】
＜１−５．検査機＞
検査機５は、基板処理装置３におけるポリマー除去処理が終了した基板Ｗの検査を行う装置である。本実施形態の検査機５は、基板Ｗから十分にポリマーが除去されているか否かを検査する検査ユニット５１、例えば基板Ｗの表面の誘電率を測定する誘電率測定ユニットを搭載した装置である（図２）。すなわち、ポリマーが十分に除去されていないと残留しているポリマーによって基板Ｗの表面の絶縁膜の誘電率が上昇する。検査機５は、このような原理に基づく誘電率測定によって十分にポリマー除去がなされているか否かを検査する。また、検査ユニット５１は通信部５２を介して保守管理サーバ２および図外のホストコンピュータ１と接続されている。
【００５５】
なお、検査機５は基板Ｗの誘電率測定を行って検査データ（ここでは誘電率）を取得するのみであり、十分にポリマー除去がなされているか否かの判定は検査機５から検査データを受け取った保守管理サーバ２が行う。また、検査機５が誘電率測定装置に限定されるものでないことは勿論であり、例えば走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）等を適用するようにしても良い。検査機５を走査型電子顕微鏡とした場合には、検査データとして画像データを保守管理サーバ２に渡す。
【００５６】
＜２．処理内容＞
次に、上記構成を有する基板処理システムにおける処理内容について説明する。図５は、本発明にかかる基板処理システムにおける処理手順の一例を示す図である。
【００５７】
＜２−１．基板処理装置におけるポリマー除去処理＞
まず、ホストコンピュータ１からの指示によって基板処理装置３における基板処理が開始される（ステップＳ１）。本実施形態の基板処理はポリマー除去処理である。なお、ホストコンピュータ１は基板処理装置３に処理開始を指示するとともに、処理手順や条件を記述したフローレシピを基板処理装置３に渡す。
【００５８】
基板処理装置３における処理内容の概略は以下のようなものであり、主に除去液供給工程、純水供給工程、液切り工程によって構成されている。まず、未処理の基板Ｗ（多くの場合ドライエッチング後の基板）がキャリアＣに収容された状態で例えばＡＧＶによって搬入部３１に搬入される。この基板Ｗにはパターン化されたレジスト膜をマスクとしてドライエッチングが施されており、レジスト膜や絶縁膜に由来する反応生成物であるポリマーが付着している。
【００５９】
搬入部３１のキャリアＣから搬入搬出機構３７により基板Ｗが１枚取り出され、受渡し台３９に載置される。受渡し台３９に載置された基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１により持ち出され、４つの除去処理ユニットＳＲのうちのいずれか１つに搬入される。除去処理ユニットＳＲではシャッタ５９を開放して搬送ロボットＴＲ１が搬送してきた基板Ｗをチャック６７にて受け取り保持する。そして、シャッタ５９を閉鎖するとともに、チャック６７に保持された基板Ｗの周囲を取り囲む位置までカップ６２を上昇させ、ドレン弁７２を開放する。
【００６０】
次に、モータ６６を回転させて基板Ｗを回転させる。基板Ｗが所定の回転数に達すると除去液供給工程が実行される。除去液供給工程ではモータ７３によって待機位置にある除去液ノズル７５が吐出位置に回動移動する。そして、ポンプ７７を作動させるとともに除去液バルブ１７６を開放することにより、除去液ノズル７５から基板Ｗに除去液を供給する。基板Ｗの表面に供給された除去液は遠心力によって基板Ｗの外に落下してカップ６２にて集められ、ドレン配管６９を通過してドレン７０に排出される。所定時間、除去液を供給するとポンプ７７を停止するとともに除去液バルブ１７６を閉止し、除去液ノズル７５を待機位置に戻す。
【００６１】
この除去液供給工程では基板Ｗに供給された除去液が基板Ｗ上のポリマーに作用するため、基板上のポリマーは基板Ｗから剥離しやすくなる。このため、ポリマーは除去液の作用と基板Ｗの回転とにより、徐々に基板Ｗ上から除去されていく。
【００６２】
除去液供給工程が終了すると次に、純水供給工程が実行される。純水供給工程ではモータ７８によって待機位置にある純水ノズル８１が吐出位置に回動移動する。そして、ポンプ８３を作動させるとともに純水バルブ８４を開放することにより、純水ノズル８１から基板Ｗに純水を供給する。基板Ｗの表面に供給された純水は残留している除去液や剥離したポリマーとともに遠心力によって基板Ｗの外に落下してカップ６２にて集められ、ドレン配管６９を通じてドレン７０に排出される。所定時間、純水を供給すると純水バルブ８４を閉止し、純水ノズル８１を待機位置に戻す。
【００６３】
この純水供給工程では基板Ｗに供給された純水が除去液や剥離したポリマーなどを基板Ｗ上から洗い流す。このようにして、基板Ｗの表面からポリマーが洗浄除去される。
【００６４】
最後に液切り工程が実行される。液切り工程はいわゆるスピンドライの工程であり、モータ６６が基板Ｗを高速で回転させることにより、強力な遠心力によって基板Ｗ上にある液体を振切る。これにより、基板Ｗが回転乾燥され、一連のポリマー除去処理が完了する。
【００６５】
その後、モータ６６が停止するとともにカップ６２が基板Ｗの周辺位置から降下し、シャッタ５９が開放される。そして、搬送ロボットＴＲ１が除去処理ユニットＳＲからポリマー除去処理済みの基板Ｗを取り出し、搬入搬出部ＩＤの受渡し台３９に載置する。受渡し台３９に載置された基板Ｗは搬入搬出機構３７によって持ち出され、搬出部３３に載置されているキャリアＣに搬入される。
【００６６】
やがて、所定枚数の処理済基板ＷがキャリアＣに収納されると、そのキャリアＣがＡＧＶやＯＨＴ(over-head hoist transport)等によって検査機５に搬入される。検査機５は、キャリアＣに収納されている基板Ｗのうちの一部あるいは全数に対してポリマーが十分に除去がなされているか否かの検査（ここでは誘電率測定）を検査ユニット５１にて行う。
【００６７】
＜２−２．制御要素データの収集・蓄積＞
以上のようなポリマー除去処理から検査に至る処理工程において、何らかの処理を行うときの制御要素の経時的変化が収集されている。ここで「制御要素」とは、処理結果に影響を与える制御可能な要素のことであり、例えば除去液供給工程ではモータ６６の回転速度およびトルク並びに除去液ノズル７５に向けて送給される除去液の流量および温度等が相当し、純水供給工程ではモータ６６の回転速度およびトルク並びに純水ノズル８１に向けて送給される純水の流量等が相当する。また、「制御要素の経時的変化」とは、処理の経過時間に対する上記各制御要素の関係であり、いわば制御要素の時間プロファイルである。以下、このような制御要素の経時的変化の収集について説明を続ける。
【００６８】
図５のステップＳ１にて、基板処理装置３においてある基板Ｗについての基板処理が開始された後、基板処理装置３からデータ収集コントローラ４に向けた当該基板Ｗについての制御要素のデータ送信を開始する（ステップＳ２）。具体的には、例えば当該基板Ｗについての除去液供給工程が実行されているときに、モータ速度センサ３０ａが予め設定された一定間隔ごとにモータ６６の回転速度を検出し、その検出結果のデータが保守管理ネットワーク７を介して逐一データ収集コントローラ４に送信されるのである。
【００６９】
モータ回転速度以外の制御要素についても全く同様であり、例えば除去液供給工程が実行されているときには、モータトルクセンサ３０ｂ、流量計３０ｃ、温度計３０ｄが一定間隔ごとにモータ６６のトルク、除去液ノズル７５に向けて送給される除去液の流量、温度をそれぞれ検出し、その検出結果のデータが保守管理ネットワーク７を介して逐一データ収集コントローラ４に送信される。また、例えば純水供給工程が実行されているときには、モータ速度センサ３０ａ、モータトルクセンサ３０ｂ、流量計３０ｅが一定間隔ごとにモータ６６の回転速度、トルク、純水ノズル８１に向けて送給される純水の流量をそれぞれ検出し、その検出結果のデータが保守管理ネットワーク７を介して逐一データ収集コントローラ４に送信される。なお、制御要素の検出・送信は各処理工程の全期間の間行うようにしても良いし、各処理工程の中の一定時間のみ行うようにしても良い。また、制御要素の検出を行う間隔が短いほど詳細な制御要素の経時的変化を得ることができるのであるが取り扱うデータ量が増加して通信の負担も大きくなるため、それらのバランスを考慮して当該間隔を設定するようにすれば良い。
【００７０】
このように基板処理装置３においては１枚の基板Ｗについての各処理工程ごとに、センサ３０によって装置内の各制御要素が検出され、それがデータ収集コントローラ４に送信されるのである。そして、１枚の基板Ｗについての一連のポリマー除去処理が終了すると、制御要素のデータ送信は一旦終了する（ステップＳ３）。その後、搬入部３１に載置されたキャリアＣに収容された全基板Ｗについてのポリマー除去処理およびそれに伴うデータ送信が終了しているときには、ステップＳ４からステップＳ５に進み基板処理装置３における処理が終了する。一方、該キャリアＣに収容された全基板Ｗについてのポリマー除去処理およびそれに伴うデータ送信が終了していないときには、ステップＳ４からステップＳ１に戻り、新たな基板Ｗについての上記処理が開始される。すなわち、基板処理時の制御要素の検出・送信は基板Ｗごとに各処理工程について行われるのであり、搬入部３１に搬入されたキャリアＣに収納された複数の基板Ｗのそれぞれについて行われる。なお、基板処理装置３は４つの除去処理ユニットＳＲを備えており、実際には４つの除去処理ユニットＳＲで並列処理を行うため、基板処理装置３からデータ収集コントローラ４へ向けてのデータ送信は連続して行われることになるが、基板処理時の制御要素の検出・送信はあくまでも基板Ｗごとの処理工程ごとに行われるものである。
【００７１】
基板処理装置３から送信された制御要素のデータはデータ収集コントローラ４のデータ収集部４４１（図１参照）によって収集され（ステップＳ６）、磁気ディスク４４に格納される（ステップＳ７）。上述したように、１つのセンサ３０は基板Ｗごとに各処理工程について制御要素を一定間隔で検出しており、それが逐一データ収集コントローラ４に送信される。データ収集部４４１は、１つのセンサ３０によって基板Ｗごとの各処理工程において一定間隔で検出された制御要素を集積して１つのデータファイル４４５を作成し、そのデータファイル４４５を磁気ディスク４４に格納する（図２参照）。すなわち、データ収集部４４１は、基板処理装置３にてポリマー除去処理が行われる複数の基板Ｗのそれぞれについて制御要素を集積して１つのデータファイル４４５を作成し、そのデータファイル４４５を磁気ディスク４４に格納するのである。
【００７２】
例えば、ウェハＩＤ”A0001”を付された基板Ｗの除去液供給工程が実行されているときに、モータ速度センサ３０ａが一定間隔でモータ６６の回転速度を検出したデータがデータ収集部４４１によって集積され、ファイル名”VA0001.DEF”のデータファイル４４５として磁気ディスク４４に格納される。同様に、当該基板Ｗの除去液供給工程が実行されているときに、流量計３０ｃが一定間隔で除去液ノズル７５に向けて送給される除去液の流量を検出したデータもデータ収集部４４１によって集積され、ファイル名”JA0001.GHI”のデータファイル４４５として磁気ディスク４４に格納される。さらに、当該基板Ｗの純水供給工程が実行されているときに、モータ速度センサ３０ａが一定間隔でモータ６６の回転速度を検出したデータもデータ収集部４４１によって集積され、ファイル名”VA0001.FED”のデータファイル４４５として磁気ディスク４４に格納されるのである。
【００７３】
このようにして制御要素を一定間隔で検出したものを集積することにより、制御要素の経時的変化を得ることができる。制御要素の経時的変化の一例を図６に示す。この例は、除去液供給工程におけるモータ６６の回転速度の経時的変化である。すなわち、除去液供給処理の経過時間とモータ６６の回転速度との関係を示すモータ６６の回転速度の時間プロファイルであり、磁気ディスク４４に格納されたファイル名”VA0001.DEF”のデータファイル４４５の内容である。図６に示すように、当該データファイル４４５は時刻ｔ1から時刻ｔ2までの間のモータ６６の回転速度を監視・集積して経時的変化として記録したものである。
【００７４】
図５に戻り、データ収集部４４１は、基板処理装置３にてポリマー除去処理が行われる複数の基板Ｗのそれぞれについての制御要素の経時的変化を収集して個別のデータファイル４４５として磁気ディスク４４に格納するとともに、そのファイル名のテーブル登録を行う（ステップＳ８）。このときに、データ収集部４４１は、それら複数の基板Ｗのそれぞれと当該基板Ｗについての制御要素の経時的変化を収集したデータファイル４４５とを対応付けるようにしてテーブル登録を行う。具体的には、データ収集コントローラ４の磁気ディスク４４内に制御要素テーブル４４６が格納されており（図２参照）、データ収集部４４１は複数の基板ＷのそれぞれのウェハＩＤ（識別記号）と当該基板Ｗについての制御要素の経時的変化を収集したデータファイル４４５のファイル名とを対応付けて制御要素テーブル４４６への登録を行う。
【００７５】
図７は、制御要素テーブル４４６の一例を示す図である。同図に示すように、基板処理装置３にてポリマー除去処理が行われた複数の基板ＷのそれぞれのウェハＩＤの処理工程ごとに当該基板Ｗについての制御要素の経時的変化を収集したデータファイル４４５のファイル名を対応付けて制御要素テーブル４４６に登録されている。例えば、ウェハＩＤ”A0001”の基板Ｗの除去液供給工程には当該基板Ｗについてのモータ６６のトルク、回転速度、除去液流量、除去液温度のそれぞれの経時的変化を収集したデータファイル４４５のファイル名”TA0001.ABC”、”VA0001.DEF”、”JA0001.GHI”、”PA0001.MNO”が対応付けられている。また、ウェハＩＤ”A0001”の基板Ｗの純水供給工程には当該基板Ｗについてのモータ６６のトルク、回転速度、純水流量のそれぞれの経時的変化を収集したデータファイル４４５のファイル名”TA0001.CBA”、”VA0001.FED”、”WA0001.JKL”が対応付けられている。このようにして、基板処理装置３にてポリマー除去処理が行われた複数の基板Ｗのそれぞれと当該基板Ｗについて収集された制御要素の経時的変化とを対応付けた状態にて当該制御要素の経時的変化を磁気ディスク４４内に蓄積しているのである。なお、図７では、制御要素テーブル４４６にデータファイル４４５のファイル名のみを記載しているがデータファイル４４５の保存場所のパス名等を記載するようにしても良い。
【００７６】
＜２−３．蓄積された制御要素データの利用＞
既述したように、基板処理装置３におけるポリマー除去処理が終了した基板Ｗについては検査機５にてポリマーが十分に除去がなされているか否かの検査（誘電率測定）が行われる。そして、検査機５の検査ユニット５１が取得した検査データ（誘電率）は保守管理サーバ２に伝達される。なお、このときには検査データと検査対象基板ＷのウェハＩＤとが関連付けられた状態で保守管理サーバ２に伝達される。
【００７７】
保守管理サーバ２は、検査機５から送信された検査データに基づいて良否判定を行う（ステップＳ９）。具体的には、例えば誘電率が所定の値以上の場合はポリマーが十分に除去がなされていないため”不良”とし、該値未満の場合はポリマーが十分に除去されたものとして”良”とする。検査データはウェハＩＤと関連付けられた状態で検査機５から伝達されるため、保守管理サーバ２はいずれの基板Ｗの検査結果が”不良”であるか否かを認識することができる。基板Ｗの検査結果が”不良”である場合には、その基板Ｗについての処理に何らかの異常があったものとみなすことができる。
【００７８】
このような場合にはステップＳ１０からステップＳ１１に進み、保守管理サーバ２の取得部２１１（図１参照）が当該基板Ｗに対応付けられたデータファイル４４５を保守管理ネットワーク７を介してデータ収集コントローラ４の磁気ディスク４４から取得する。具体的には、例えば、ウェハＩＤ”A0001”の基板Ｗが”不良”であると判定された場合には、取得部２１１が制御要素テーブル４４６を参照してウェハＩＤ”A0001”に対応付けられたデータファイル４４５のファイル名を把握し、そのファイル名を有するデータファイル４４５、つまりファイル名”TA0001.ABC”、”VA0001.DEF”、”JA0001.GHI”、”PA0001.MNO”、”TA0001.CBA”、”VA0001.FED”、”WA0001.JKL”のデータファイル４４５を磁気ディスク４４からダウンロードする。
【００７９】
取得部２１１が取得したデータファイル４４５は一旦ＲＡＭ２３等に格納され、作業者からの入力操作に応じて表示部２５に表示される。例えば、作業者が入力部２６から除去液供給工程におけるモータ６６の回転速度の経時的変化を選択する旨の入力を行うと、表示部２５には図６に示したようなモータ６６の回転速度の時間プロファイルが表示される。
【００８０】
以上のように本実施形態では、基板処理装置３がポリマー除去処理を行うときの制御要素をセンサ３０が監視してその経時的変化をデータ収集部４４１が収集し、磁気ディスク４４内にデータファイル４４５として蓄積している。データファイル４４５の内容は図６の如き制御要素の時間プロファイルであり、処理時の制御要素の変動が記録として残されることとなる。このような制御要素の経時的変化は、処理異常が発生したときの原因究明や最適処理条件の調査に大きく貢献するのである。
【００８１】
従来より、基板処理装置には、処理動作に何らかの異常が生じたときに音や表示にて警告を発するアラーム発報機能が設けられている。例えば、モータ速度センサ３０ａが検出したモータ６６の回転速度が図６の速度Ｖ2を超えたり、速度Ｖ1未満になったりすると、アラームを発して作業者に動作異常を知らせていた。一方、モータ６６の回転速度がＶ1以上Ｖ2以下である場合には適正範囲内であるためアラーム発報がなされず、動作が正常に行われているものとされていた。
【００８２】
しかしながら、図６に示すように、適正範囲内であってもモータ６６の回転速度が一定ではなく時間とともに変動していることがある。従来このような適正範囲内での変動については把握することができなかったのであるが、本実施形態のようにすれば、このような制御要素の微妙な変動についても記録することができる。したがって、処理結果に異常が生じていることが判明したときに、その原因究明を容易に行うことができるのである。例えば、アラーム発報がなかったにも関わらず処理結果に異常が生じていたときに、作業者が各制御要素の経時的変化を確認したところ、モータ６６の回転速度が図６のように適正範囲内で微妙に変動していた場合には、それが処理異常の原因になっている可能性を推定することができる。その結果、従来のように作業者の経験に頼って処理異常の原因究明を行う場合に比較して極めて容易に原因究明を行うことができ、経験の少ない作業者であっても対処が可能となる。
【００８３】
特に、近年の半導体等の製造プロセスが著しく高度化した状況にあっては、各制御要素の適正範囲内での微妙な変動が処理結果に重大な影響を与えることも多く、処理時における制御要素の経時的変化の記録は処理異常の原因究明に非常に役立つものとなる。
【００８４】
また、そのような半導体等の製造プロセスが著しく高度化した状況においては、より精細な処理条件の最適化が要求されており、処理時における制御要素の経時的変化の記録はそのような処理条件の最適化にも役立つ。例えば、処理結果が特に良好であった基板Ｗについての制御要素の経時的変化を調査することにより、より好適な処理条件を把握することが可能となるのである。
【００８５】
また、本実施形態では、基板処理装置３にてポリマー除去処理が行われる複数の基板Ｗのそれぞれについてデータ収集部４４１が制御要素の経時的変化を収集するとともに、それら複数の基板Ｗのそれぞれと当該基板について収集された制御要素の経時的変化とを制御要素テーブル４４６にて対応付けた状態にて当該制御要素の経時的変化を磁気ディスク４４に蓄積している。このため、基板処理装置３にて処理された複数の基板Ｗと制御要素の経時的変化との対応付けが明確であり、処理結果が異常であった基板Ｗについての異常原因の究明や処理結果が極めて良好であった基板Ｗからの処理条件の最適化を容易に行うことができる。
【００８６】
さらに、本実施形態では、検査の結果処理異常であることが判明した基板Ｗに対応付けられた制御要素の経時的変化を保守管理サーバ２の取得部２１１が磁気ディスク４４から選択的に取得している。このため、検査の結果処理異常であることが判明したときに、作業者は当該基板Ｗに対応付けられた制御要素の経時的変化を保守管理サーバ２から迅速かつ容易に確認することができる。
【００８７】
＜３．変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。例えば、上記実施の形態においては、取得部２１１を保守管理サーバ２内に設けていたが、これをホストコンピュータ１に設けるようにしても良い。また、データ収集部４４１を保守管理サーバ２またはホストコンピュータ１に設けるようにしても良いし、データファイル４４５および／または制御要素テーブル４４６を保守管理サーバ２またはホストコンピュータ１内に格納するようにしても良い。
【００８８】
また、検査機５の検査ユニット５１が取得した検査データをホストコンピュータ１に伝達し、ホストコンピュータ１がその検査データに基づいて良否判定を行い、その結果を保守管理サーバ２に伝達するようにしても良い。
【００８９】
また、１つの基板処理装置３内にて上記実施形態の処理内容を実行するようにしても良い。図８は、本発明にかかる基板処理装置の構成の他の例を示すブロック図である。同図において、図８と同一の構成要素については同一の符号を付している。
【００９０】
通常、基板処理装置３には除去処理ユニットＳＲや搬送ロボットＴＲ１の制御を行うための制御ユニットとして機能するコンピュータが組み込まれている。すなわち基板処理装置３は、各種演算処理を行うＣＰＵ３０１、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ３０２、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭ３０３、制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスク３０４およびＣＤ−ＲＯＭドライブ３０８を備えており、これらはバスライン３０９に接続されている。
【００９１】
ＣＤ−ＲＯＭドライブ３０８は、上記の各処理（制御要素の収集・蓄積・取得）が記述されたプログラムが記録されたＣＤ−ＲＯＭ９１から当該処理プログラムを読み取る。ＣＤ−ＲＯＭドライブ３０８によってＣＤ−ＲＯＭ９１から読み出されたプログラムが基板処理装置３にインストールされＣＰＵ３０１によって実行されることにより、このＣＰＵ３０１が上記実施形態におけるデータ収集部４４１、取得部２１１と同様に機能して基板処理装置３が後述の処理を行う。なお、上記のプログラムは、例えばホストコンピュータ１等からネットワーク経由にてダウンロードしてインストールするようにしても良い。また、ＣＤ−ＲＯＭドライブ３０８に代えてＤＶＤドライブ等の他の記録媒体用ドライブを使用するようにしても良く、その場合は各記録媒体用ドライブに応じた記録媒体（例えばＤＶＤドライブの場合ＤＶＤ）にプログラムが記録される。
【００９２】
また、バスライン３０９には、各種情報の表示を行う表示部３２５および作業者からの入力を受け付ける入力部３２６も接続されている。表示部３２５および入力部３２６としては上記実施形態の表示部２５および入力部２６と同様のものを使用することができる。また、バスライン３０９には除去処理ユニットＳＲおよび各センサ３０も電気的に接続され、これらはＣＰＵ３０１によって管理されている。さらに、この基板処理装置３には検査ユニット５１が組み込まれている。検査ユニット５１は、例えば基板処理装置３の搬入搬出部ＩＤ内に設置され、バスライン３０９と電気的に接続されている。
【００９３】
図８の基板処理装置３は、上記実施形態において説明した一連の処理とほぼ同様の処理を装置内にて実行する。すなわち、基板処理装置３がポリマー除去処理を行うときの制御要素をセンサ３０が監視してその経時的変化をＣＰＵ３０１が収集し、磁気ディスク３０４内にデータファイル４４５として蓄積する。データファイル４４５の内容は図６の如き制御要素の時間プロファイルであり、処理時の制御要素の変動が記録として残されることとなる。なお、基板処理装置３におけるポリマー除去処理の内容は上記実施形態と全く同じであり、収集される制御要素の内容も上記実施形態と同じである。
【００９４】
そして、基板処理装置３にてポリマー除去処理が行われる複数の基板ＷのそれぞれについてＣＰＵ３０１が制御要素の経時的変化を収集するとともに、それら複数の基板Ｗのそれぞれと当該基板について収集された制御要素の経時的変化とを制御要素テーブル４４６にて対応付けた状態にて当該制御要素の経時的変化を磁気ディスク３０４に蓄積している。このため、基板処理装置３にて処理された複数の基板Ｗと制御要素の経時的変化との対応付けが明確であり、処理結果が異常であった基板Ｗについての異常原因の究明や処理結果が極めて良好であった基板Ｗからの処理条件の最適化を容易に行うことができる。なお、対応付けの具体的手法は上記実施形態と全く同じであり、制御要素テーブル４４６にてウェハＩＤとデータファイル４４５のファイル名とを関連付けている。
【００９５】
さらに、検査ユニット５１による検査の結果処理異常であることが判明した基板Ｗに対応付けられた制御要素の経時的変化をＣＰＵ３０１が磁気ディスク３０４から選択的に取得してＲＡＭ３０３に格納し、作業者からの入力操作に応じて表示部３２５に表示するようにしている。このため、検査の結果処理異常であることが判明したときに、作業者は当該基板Ｗに対応付けられた制御要素の経時的変化を表示部３２５から容易に確認することができる。
【００９６】
また、上記実施形態においては、制御要素を基板Ｗの回転に関する制御要素（モータの回転速度およびトルク）または基板Ｗに供給する処理液の供給条件に関する制御要素（除去液流量、除去液温度、純水流量）としていたが、これに限定されるものではない。例えば、処理時の基板Ｗ周辺の雰囲気に関する制御要素であっても良いし、空気圧によって作動する空気圧作動部の作動速度に関する制御要素であっても良い。これについて図９を参照しつつ説明する。
【００９７】
図９は、本発明にかかる基板処理装置に組み込まれるレジスト塗布処理ユニットの要部構成を示す図である。該基板処理装置は、上記の基板処理装置３における除去処理ユニットＳＲに代えて基板Ｗにレジスト塗布処理を行う図９のレジスト塗布処理ユニットおよび露光後の基板Ｗの現像処理を行う現像処理ユニットを組み込んだものである。そして、該基板処理装置は、図１の基板処理装置３に代えて上記の基板処理システム内に組み込まれるものである。
【００９８】
処理室であるチャンバ１０１の内部に、基板保持部１２０、カップ１２１、吐出ノズル１３０および気中濃度センサ３０ｆが設けられている。基板保持部１２０は、上記の基板保持部６１と同様のものであり、１枚の基板Ｗを水平状態に保持して回転する。カップ１２１は、基板保持部６１に保持される基板Ｗの周辺に配され、回転する基板Ｗから飛散した処理液を捕集して回収する。吐出ノズル１３０は、基板保持部６１に保持される基板Ｗの上面に対向して配置され、送給配管１３２を介してチャンバ１０１外のベローズポンプ１３１と連通接続されている。送給配管１３２にはフィルタ１３３が介挿されている。ベローズポンプ１３１から送り出されたレジストはフィルタ１３３によって浄化され、吐出ノズル１３０から基板保持部６１に保持された基板Ｗに向けて吐出される。気中濃度センサ３０ｆは、チャンバ１０１内であって基板保持部６１に保持された基板Ｗの周辺に配置され、当該基板Ｗの周辺のアンモニア濃度を検出する。
【００９９】
レジスト液を貯留するレジスト容器１１０とベローズポンプ１３１とは吸入配管１１５を介して連通接続されている。ベローズポンプ１３１は中空の伸縮自在のポンプであり、伸長するときに吸入配管１１５を介してレジスト容器１１０からレジストを吸入してベローズポンプ１３１内部に貯留する。そして、ベローズポンプ１３１が収縮すると、その内部に貯留されたレジストが送給配管１３２を介して吐出ノズル１３０に送給され、吐出ノズル１３０から基板Ｗに向けて吐出される。
【０１００】
ベローズポンプ１３１を伸縮させるのはエアシリンダ１４０である。エアシリンダ１４０はピストン１４１を備えており、ピストン１４１の先端部がベローズポンプ１３１に連結されている。エアシリンダ１４０の内部であってピストン１４１よりも一方側には空気管路１４２が連通接続され、他方側には空気管路１４３が連通接続されている。空気管路１４２および空気管路１４３は、それぞれがシリンダ動作切換弁１４４を介して圧縮空気源１４５に切り換え可能に流路接続されている。シリンダ動作切換弁１４４は、４つのポートを持つ２位置弁で構成され、それら４つのポートは、空気管路１４２，１４３、圧縮空気の供給路１４６および排気管路１４７にそれぞれ連通接続されている。
【０１０１】
また、空気管路１４２および空気管路１４３には、速度制御弁１４８および速度制御弁１４９がそれぞれ介挿されている。速度制御弁１４８，１４９はそれぞれ空気管路１４２，１４３を通過する空気の流量（エアシリンダ１４０に送給する空気の流量）を可変に調節してエアシリンダ１４０の作動速度を規定するいわゆるスピードコントローラである。速度制御弁１４８，１４９としては、電気信号を与えることによって通過する空気の流量を可変に調節するスピードコントローラを採用しても良いし、作業者の手動による調整作業によって通過する空気の流量を可変に調節するスピードコントローラを採用しても良い。
【０１０２】
空気管路１４２，１４３を交互に圧縮空気の供給路１４６と排気管路１４７とに接続するようにシリンダ動作切換弁１４４を作動させることにより、空気圧によりエアシリンダ１４０を作動させてベローズポンプ１３１を伸縮させ、レジスト容器１１０から吐出ノズル１３０にレジストを送り出し、基板Ｗにレジストを吐出するのである。すなわち、空気管路１４３と圧縮空気の供給路１４６とが接続されているときには、ピストン１４１が後退してベローズポンプ１３１が伸長し、レジスト容器１１０からレジストが吸入される。そして、空気管路１４２と圧縮空気の供給路１４６とが接続されているときには、ピストン１４１が前進してベローズポンプ１３１が収縮し、吐出ノズル１３０からレジストが吐出される。
【０１０３】
さらに、エアシリンダ１４０には速度センサ３０ｇが付設されている。速度センサ３０ｇは、エアシリンダ１４０の作動速度を検出する。速度センサ３０ｇは、エアシリンダ１４０の作動速度を直接検出するものであっても良いし、駆動距離が一定のエアシリンダ１４０の作動時間を検出してその作動速度を求めるものであっても良い。
【０１０４】
残余のシステムおよび装置の構成については、上記実施形態とほぼ同じである（図１〜図４参照）。但し、図９の基板処理装置はさらに露光後の基板Ｗを現像する現像処理ユニットを組み込んでいる。また、検査機５の検査ユニット５１はレジストの膜厚を測定するユニットまたはパターンの線幅を測定するユニットとすれば良い。
【０１０５】
図９のレジスト塗布処理ユニットは、基板保持部６１に保持した基板Ｗを回転させつつベローズポンプ１３１を伸縮させて吐出ノズル１３０からレジストを吐出することにより、該基板Ｗの表面に均一なレジスト塗布を行う。なお、図９のレジスト塗布処理ユニットを組み込んだ基板処理装置とデータ収集コントローラ４および保守管理サーバ２との間で行われるデータ通信の内容は上記実施形態と同様のものである。但し、センサ３０が監視してデータ収集部４４１が収集する制御要素は基板Ｗの周辺のアンモニア濃度およびエアシリンダ１４０の作動速度である。
【０１０６】
塗布するレジストがＡｒＦ光源等に対応した化学増幅型レジストの場合、酸触媒を加熱して反応を進めることにより高い感度を得る。このため、化学増幅型レジストを塗布した基板Ｗ周辺の雰囲気中のアルカリ成分は塗布処理後の現像処理結果に大きな影響を与える。また、エアシリンダ１４０の作動速度は、そのまま吐出ノズル１３０からのレジスト吐出速度につながり、レジスト膜厚に影響を与える。
【０１０７】
そこで、基板処理装置がレジスト塗布処理等を行うときの制御要素をセンサ３０（ここでは気中濃度センサ３０ｆおよび速度センサ３０ｇ）が監視してその経時的変化をデータ収集部４４１が収集し、磁気ディスク４４内にデータファイル４４５として蓄積する。データファイル４４５の内容は図６と同様であり、処理時の制御要素の変動が記録として残されることとなる。このような制御要素（基板Ｗの周辺のアンモニア濃度およびエアシリンダ１４０の作動速度）の経時的変化は、膜厚異常や線幅異常等の処理異常が発生したときの原因究明や最適処理条件の調査に上記実施形態と同様に大きく貢献するのである。
【０１０８】
また、上記実施形態と同様に、基板処理装置にて処理が行われる複数の基板Ｗのそれぞれについてデータ収集部４４１が制御要素の経時的変化を収集するとともに、それら複数の基板Ｗのそれぞれと当該基板について収集された制御要素の経時的変化とを制御要素テーブル４４６にて対応付けた状態にて当該制御要素の経時的変化を磁気ディスク４４に蓄積している。さらに、検査の結果処理異常であることが判明した基板Ｗに対応付けられた制御要素の経時的変化を保守管理サーバ２の取得部２１１が磁気ディスク４４から選択的に取得している。
【０１０９】
また、本発明にかかる基板処理装置は基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の装置のみならず、複数の基板Ｗを同時に処理するバッチ式の装置であっても良い。バッチ式の装置の場合は、基板処理装置にて処理が行われる複数のロット（一括処理される一組の基板Ｗ）のそれぞれについてデータ収集部４４１が制御要素の経時的変化を収集するとともに、それら複数のロットのそれぞれと当該ロットについて収集された制御要素の経時的変化とを制御要素テーブル４４６にて対応付けた状態にて当該制御要素の経時的変化を磁気ディスク４４に蓄積することとなる。
【０１１０】
また、本発明にかかる基板処理装置における処理対象は半導体基板に限定されるものではなく、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等を処理する装置であっても良い。さらに、本発明にかかる基板処理装置における処理内容もポリマー除去処理やレジスト塗布処理等に限定されるものではなく、洗浄処理やエッチング処理であっても良い。
【０１１１】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１の発明によれば、基板処理装置が複数の基板に所定の処理を行うときの複数の基板のそれぞれについての制御要素を一定間隔で検出したものを集積して得られる経時的変化を監視して収集するとともに、収集された複数の基板のそれぞれについての制御要素の経時的変化を蓄積するため、複数の基板のそれぞれについて処理時の制御要素の変動が記録として残されることとなり、処理結果に異常が生じていることが判明したときにその原因究明を容易に行うことができ、さらには最適処理条件の追求も容易に行うことができる。また、複数の基板のそれぞれと当該基板について収集された制御要素の経時的変化とを対応付けた状態にて当該制御要素の経時的変化を蓄積するため、基板処理装置にて処理された複数の基板と制御要素の経時的変化との対応付けが明確であり、処理結果が異常であった基板についての異常原因の究明や処理結果が極めて良好であった基板からの処理条件の最適化を容易に行うことができる。
【０１１３】
また、請求項２の発明によれば、検査の結果処理異常であることが判明した基板に対応付けられた制御要素の経時的変化を蓄積手段から選択的に取得するため、処理異常である基板に対応付けられた制御要素の経時的変化を迅速かつ容易に確認することができる。
また、請求項３の発明によれば、複数の基板のそれぞれについての処理工程ごとに当該基板についての制御要素の経時的変化を収集することができる。
【０１１４】
また、請求項４の発明によれば、制御要素が基板の回転に関する制御要素を含むため、処理結果に異常が生じていることが判明したときに基板の回転に起因した原因の究明を容易に行うことができる。
【０１１５】
また、請求項５の発明によれば、制御要素が基板に供給する処理液の供給条件に関する制御要素を含むため、処理結果に異常が生じていることが判明したときに基板に供給する処理液の供給条件に起因した原因の究明を容易に行うことができる。
【０１１６】
また、請求項６の発明によれば、制御要素が基板周辺の雰囲気に関する制御要素を含むため、処理結果に異常が生じていることが判明したときに基板周辺の雰囲気に起因した原因の究明を容易に行うことができる。
【０１１７】
また、請求項７の発明によれば、制御要素が空気圧作動部の作動速度に関する制御要素を含むため、処理結果に異常が生じていることが判明したときに空気圧作動部の作動速度に起因した原因の究明を容易に行うことができる。
【０１１９】
また、請求項８の発明によれば、基板処理装置が複数の基板に所定の処理を行うときの前記複数の基板のそれぞれについての制御要素を一定間隔で検出したものを集積して得られる経時的変化を監視して収集するとともに、収集された前記複数の基板のそれぞれについての制御要素の経時的変化を蓄積するため、複数の基板のそれぞれについて処理時の制御要素の変動が記録として残されることとなり、処理結果に異常が生じていることが判明したときにその原因究明を容易に行うことができ、さらには最適処理条件の追求も容易に行うことができる。また、複数の基板のそれぞれと当該基板について収集された制御要素の経時的変化とを対応付けた状態にて当該制御要素の経時的変化を蓄積するため、基板処理装置にて処理された複数の基板と制御要素の経時的変化との対応付けが明確であり、処理結果が異常であった基板についての異常原因の究明や処理結果が極めて良好であった基板からの処理条件の最適化を容易に行うことができる。
【０１２１】
また、請求項９の発明によれば、検査の結果処理異常であることが判明した基板に対応付けられた前記制御要素の経時的変化を前記蓄積手段から選択的に取得するため、処理異常である基板に対応付けられた制御要素の経時的変化を迅速かつ容易に確認することができる。
また、請求項１０の発明によれば、複数の基板のそれぞれについての処理工程ごとに当該基板についての制御要素の経時的変化を収集することができる。
【０１２２】
また、請求項１１の発明によれば、複数の基板に所定の処理を行うときの複数の基板のそれぞれについての制御要素を一定間隔で検出したものを集積して得られる経時的変化を監視して収集するとともに、収集された複数の基板のそれぞれについての制御要素の経時的変化を蓄積するため、複数の基板のそれぞれについて処理時の制御要素の変動が記録として残されることとなり、処理結果に異常が生じていることが判明したときにその原因究明を容易に行うことができ、さらには最適処理条件の追求も容易に行うことができる。また、複数の基板のそれぞれと当該基板について収集された制御要素の経時的変化とを対応付けた状態にて当該制御要素の経時的変化を蓄積するため、基板処理装置にて処理された複数の基板と制御要素の経時的変化との対応付けが明確であり、処理結果が異常であった基板についての異常原因の究明や処理結果が極めて良好であった基板からの処理条件の最適化を容易に行うことができる。
また、請求項１２の発明によれば、複数の基板のそれぞれについての処理工程ごとに当該基板についての制御要素の経時的変化を収集することができる。
【０１２３】
また、請求項１３の発明によれば、基板処理装置が備えるコンピュータにプログラムを実行させるだけで、その基板処理装置を請求項８から請求項１０のいずれかに記載の基板処理装置として動作させることができる。
【０１２４】
また、請求項１４の発明によれば、基板処理装置が備えるコンピュータに記録媒体を読み取らせてプログラムを実行させるだけで、その基板処理装置を請求項８から請求項１０のいずれかに記載の基板処理装置として動作させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる基板処理システムの一例を示す図である。
【図２】図１の基板処理システムの構成を示すブロック図である。
【図３】図１の基板処理システムの基板処理装置の平面図である。
【図４】図３の基板処理装置の除去処理ユニットの構成を示す図である。
【図５】図１の基板処理システムにおける処理手順の一例を示す図である。
【図６】制御要素の経時的変化の一例を示す図である。
【図７】制御要素テーブルの一例を示す図である。
【図８】本発明にかかる基板処理装置の構成の他の例を示すブロック図である。
【図９】本発明にかかる基板処理装置に組み込まれるレジスト塗布処理ユニットの要部構成を示す図である。
【符号の説明】
１ ホストコンピュータ
２ 保守管理サーバ
３ 基板処理装置
４ データ収集コントローラ
５ 検査機
７ 保守管理ネットワーク
３０ センサ
３０ａ モータ速度センサ
３０ｂ モータトルクセンサ
３０ｃ 流量計
３０ｄ 温度計
３０ｅ 流量計
３０ｆ 気中濃度センサ
３０ｇ 速度センサ
４４，３０４ 磁気ディスク
５１ 検査ユニット
９１ ＣＤ−ＲＯＭ
１３１ ベローズポンプ
１４０ エアシリンダ
１４８，１４９ 速度制御弁
２１１ 取得部
３０８ ＣＤ−ＲＯＭドライブ
４４１ データ収集部
４４５ データファイル
４４６ 制御要素テーブル
ＳＲ 除去処理ユニット
Ｗ 基板
Claims (14)
- 基板に所定の処理を行う基板処理装置と、前記基板処理装置からデータを収集するコンピュータとがネットワーク経由にて結合された基板処理システムであって、
複数の基板に前記所定の処理を行うときの前記複数の基板のそれぞれについての制御要素を一定間隔で検出したものを集積して得られる経時的変化を監視して収集する収集手段と、
収集された前記複数の基板のそれぞれについての前記制御要素の経時的変化を蓄積する蓄積手段と、
を備え、
前記蓄積手段は、前記複数の基板のそれぞれと当該基板について収集された前記制御要素の経時的変化とを対応付けた状態にて当該制御要素の経時的変化を蓄積することを特徴とする基板処理システム。 - 請求項１記載の基板処理システムにおいて、
前記基板処理装置にて前記所定の処理が行われた基板の検査を行う検査機と、
前記検査機による検査の結果処理異常であることが判明した基板に対応付けられた前記制御要素の経時的変化を前記蓄積手段から選択的に取得する取得手段と、
をさらに備えることを特徴とする基板処理システム。 - 請求項１または請求項２に記載の基板処理システムにおいて、
前記収集手段は、前記複数の基板のそれぞれの処理工程ごとに当該基板についての制御要素の経時的変化を収集することを特徴とする基板処理システム。 - 請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理システムにおいて、
前記基板処理装置は前記所定の処理を行うときに基板を回転させる回転機構を備え、
前記制御要素は、基板の回転に関する制御要素を含むことを特徴とする基板処理システム。 - 請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理システムにおいて、
前記基板処理装置は前記所定の処理を行うときに基板に処理液を供給する処理液供給機構を備え、
前記制御要素は、基板に供給する処理液の供給条件に関する制御要素を含むことを特徴とする基板処理システム。 - 請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理システムにおいて、
前記制御要素は、前記所定の処理を行うときの基板周辺の雰囲気に関する制御要素を含むことを特徴とする基板処理システム。 - 請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理システムにおいて、
前記基板処理装置は前記所定の処理を行うときに空気圧にて作動する空気圧作動部と、
前記空気圧作動部に送給する空気の流量を可変に調節して前記空気圧作動部の作動速度を規定する空気流量調整部と、
を備え、
前記制御要素は、前記所定の処理を行うときの前記空気圧作動部の作動速度に関する制御要素を含むことを特徴とする基板処理システム。 - 基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
複数の基板に前記所定の処理を行うときの前記複数の基板のそれぞれについての制御要素を一定間隔で検出したものを集積して得られる経時的変化を監視して収集する収集手段と、
収集された前記複数の基板のそれぞれについての前記制御要素の経時的変化を蓄積する蓄積手段と、
を備え、
前記蓄積手段は、前記複数の基板のそれぞれと当該基板について収集された前記制御要素の経時的変化とを対応付けた状態にて当該制御要素の経時的変化を蓄積することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項８記載の基板処理装置において、
前記所定の処理が行われた基板の検査を行う検査部と、
前記検査部による検査の結果処理異常であることが判明した基板に対応付けられた前記制御要素の経時的変化を前記蓄積手段から選択的に取得する取得手段と、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項８または請求項９に記載の基板処理装置において、
前記収集手段は、前記複数の基板のそれぞれの処理工程ごとに当該基板についての制御要素の経時的変化を収集することを特徴とする基板処理装置。 - 基板に所定の処理を行う基板処理方法であって、
複数の基板に前記所定の処理を行うときの前記複数の基板のそれぞれについての制御要素を一定間隔で検出したものを集積して得られる経時的変化を監視して収集する収集工程と、
収集された前記複数の基板のそれぞれについての前記制御要素の経時的変化を蓄積する蓄積工程と、
を備え、
前記蓄積工程は、前記複数の基板のそれぞれと当該基板について収集された前記制御要素の経時的変化とを対応付けた状態にて当該制御要素の経時的変化を蓄積することを特徴とする基板処理方法。 - 請求項１１記載の基板処理方法において、
前記収集工程は、前記複数の基板のそれぞれの処理工程ごとに当該基板についての制御要素の経時的変化を収集することを特徴とする基板処理方法。 - 基板処理装置が備えるコンピュータによって実行されることにより、前記基板処理装置が請求項８から請求項１０のいずれかに記載の基板処理装置として動作することを特徴とするプログラム。
- 請求項１３に記載のプログラムを記録してあることを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
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