KR20090015629A - 기판처리장치 및 방법 - Google Patents
기판처리장치 및 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20090015629A KR20090015629A KR1020070080115A KR20070080115A KR20090015629A KR 20090015629 A KR20090015629 A KR 20090015629A KR 1020070080115 A KR1020070080115 A KR 1020070080115A KR 20070080115 A KR20070080115 A KR 20070080115A KR 20090015629 A KR20090015629 A KR 20090015629A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- processing
- processing unit
- unit
- dummy
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02019—Chemical etching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/60—Substrates
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
Claims (6)
- 로트를 구성하는 복수의 기판을 수납한 카세트를 구비하는 카세트부;상기 기판에 소정의 공정 처리를 수행하는 처리부;상기 카세트부로부터 상기 기판을 취출하여 상기 처리부에 투입하고, 상기 처리부 내에서 상기 기판을 순차적으로 이송시키며, 공정 처리된 상기 기판을 상기 카세트부에 반출하는 반송부; 및상기 처리부에 상기 기판을 투입함과 동시에 더미 디스펜스 수행 명령을 전송하고, 상기 더미 디스펜스의 수행 조건에 부합시 상기 처리부에서 선행 로트의 가장 마지막 기판의 공정 처리 중에 더미 디스펜스를 수행하도록 하는 제어부를 포함하는 기판처리장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 처리부는 상기 기판에 소정의 약액을 처리하기 위한 약액처리유닛을 포함하는 기판처리장치.
- 제 2 항에 있어서, 상기 약액처리유닛은,기판을 지지하는 스핀 헤드;상기 스핀 헤드를 회전시키는 스핀 모터;노즐을 통해 상기 기판에 소정의 약액을 공급하는 노즐 펌프; 및상기 스핀 모터의 구동을 제어함과 동시에 상기 제어부의 더미 디스펜스 수행 명령에 따라 상기 노즐 펌프의 구동을 제어하는 컨트롤러를 포함하는 기판처리장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 더미 디스펜스의 수행 조건 판단은, 처리기판 카운트수, 로트 간 시간간격, 레시피 중에서 최저 처리매수, 레시피 중에서 프로세스 레시피 변경시 중 어느 하나와 상기 처리부의 동작을 규정하는 레시피에 기초하여 상기 더미 디스펜스의 실행타이밍을 결정하는 기판처리장치.
- (a)처리부에 기판을 투입하면서 더미 디스펜스의 수행 명령을 전송하는 단계;(b)상기 처리부가 선행 로트의 가장 마지막 기판을 처리 중인지를 판단하는 단계;(c)상기 처리부가 선행 로트의 가장 마지막 기판을 처리 중일 경우, 현재 사용중인 노즐인지를 판단하는 단계;(d)사용중인 노즐이 아닐 경우, 상기 처리부가 더미 디스펜스의 수행 조건에 부합하는지를 판단하는 단계; 및(e)상기 더미 디스펜스의 수행 조건에 부합하는 경우, 상기 처리부가 선행 로트의 가장 마지막 기판의 공정 처리 중에 더미 디스펜스를 수행하도록 하는 단계 를 포함하는 기판처리방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 (d)단계에서, 상기 더미 디스펜스의 수행 조건 판단은, 처리기판 카운트수, 로트 간 시간간격, 레시피 중에서 최저 처리매수, 레시피 중에서 프로세스 레시피 변경시 중 어느 하나와 상기 처리부의 동작을 규정하는 레시피에 기초하여 상기 더미 디스펜스의 실행타이밍을 결정하는 기판처리방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070080115A KR100885284B1 (ko) | 2007-08-09 | 2007-08-09 | 기판처리장치 및 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070080115A KR100885284B1 (ko) | 2007-08-09 | 2007-08-09 | 기판처리장치 및 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090015629A true KR20090015629A (ko) | 2009-02-12 |
KR100885284B1 KR100885284B1 (ko) | 2009-02-23 |
Family
ID=40685169
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070080115A KR100885284B1 (ko) | 2007-08-09 | 2007-08-09 | 기판처리장치 및 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100885284B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160022262A (ko) * | 2014-08-19 | 2016-02-29 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0736141B2 (ja) * | 1988-02-12 | 1995-04-19 | セイコー電子工業株式会社 | 低消費電力携帯情報器 |
JP3862596B2 (ja) * | 2002-05-01 | 2006-12-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法 |
KR20060003262A (ko) * | 2004-07-05 | 2006-01-10 | 삼성전자주식회사 | 이동 가능한 포토레지스트 디스펜스 시스템 |
-
2007
- 2007-08-09 KR KR1020070080115A patent/KR100885284B1/ko active IP Right Grant
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160022262A (ko) * | 2014-08-19 | 2016-02-29 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100885284B1 (ko) | 2009-02-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101535317B1 (ko) | 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 | |
KR101058662B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP3862596B2 (ja) | 基板処理方法 | |
KR101404950B1 (ko) | 기판 액 처리 장치, 기판 액 처리 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 | |
US10656524B2 (en) | Substrate processing apparatus including transport device | |
JP2002184671A (ja) | 基板処理システム及び基板処理方法 | |
KR101381330B1 (ko) | 처리 장치 및 처리 장치의 운전 방법 | |
JP2009021275A (ja) | 基板処理装置 | |
JP6313671B2 (ja) | 基板処理装置のためのスケジュール作成方法および基板処理装置 | |
JP2008072016A (ja) | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 | |
JP4941570B2 (ja) | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 | |
JP6951269B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理装置の制御装置、基板処理装置の制御方法、プログラムを格納した記憶媒体 | |
JP2010045190A (ja) | 加熱システム、塗布、現像装置及び塗布、現像方法並びに記憶媒体 | |
KR100885284B1 (ko) | 기판처리장치 및 방법 | |
JP2010171295A (ja) | 処理液供給システムにおける液切れ制御方法 | |
JP2011091334A (ja) | 基板処理装置 | |
US7597491B2 (en) | Apparatus for and method of processing substrate | |
JP4886669B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP7446920B2 (ja) | 液処理方法及び液処理装置 | |
KR101410592B1 (ko) | 도포, 현상 장치, 그 방법 및 기억 매체 | |
JP2008210956A (ja) | 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム | |
JPH10261613A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2014135381A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR101935942B1 (ko) | 기판 처리 장치, 그 제어 방법, 그리고 반도체 제조 설비 | |
JP2010109102A (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130218 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140218 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150206 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160204 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170131 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180131 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190130 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200109 Year of fee payment: 12 |