KR102257429B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 부품 검사 방법 - Google Patents

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다이스케 히라타
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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 처리액에 의해 기판 처리를 행하는 기판 처리 장치로서, 당해 기판 처리 장치를 구성하는 수지 코팅된 금속성 부품의 열화를 검사하는 검사 수단을 갖고 있으며, 상기 검사 수단은, 검사 대상의 부품에 접촉한 액체 중의 소정의 금속 농도를 계측하는 계측 수단과, 당해 계측 수단에 의해 계측된 금속 농도와 소정의 역치의 대비에 의해, 검사 대상의 부품의 열화의 정도를 판정하는 열화 판정 수단을 구비한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 부품 검사 방법
본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 보다 구체적으로는, 부품의 검사 수단을 구비한 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 부품을 검사하는 방법에 관한 것이다. 또한, 본 명세서에서 말하는 기판에는, 예를 들면, 반도체 웨이퍼, 액정 디스플레이용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, 유기EL용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크 기판, 세라믹 기판, 태양광 전지용 기판 등이 포함된다.
종래부터, 이런 종류의 장치로서, 처리액을 처리조에 저류하고, 기판을 유지하는 리프터를 이용하여, 기판을 당해 처리조에 침지하여 기판의 세정을 행하는 이른바 배치식 장치와, 기판을 수평으로 유지하여 회전시키고, 당해 회전하는 기판 표면에 노즐로부터 처리액을 토출하는, 이른바 매엽형 장치가 널리 알려져 있다(예를 들면, 특허 문헌 1, 특허 문헌 2).
이들 장치의 구성 부품에는, 기판 처리에 이용하는 약액에 의한 내식을 목적으로서, PTFE(폴리테트라플루오로에틸렌), PFA(테트라플루오로에틸렌·퍼플루오로알킬비닐에테르 공중합체) 등의 수지 코팅이 실시되어 있다. 예를 들면, 배치식 장치이면, 약액에 침지되는 리프터는 석영으로 이루어지는 부품 본체에, 금속제의 하지(프라이머)를 형성한 다음에 상기의 수지 코팅이 실시되어, 약액에 의한 부품 본체의 열화를 방지하고 있다. 또한, 매엽형 장치에 있어서도, 금속제의 부품(예를 들면, 스크러버 장치에 있어서의 티타늄 디스크 등)을 원인으로 하는 기판의 금속 오염의 방지, 파티클 발생의 방지 등을 목적으로 하여, 금속제 부품에 상기 수지 코팅이 실시되는 경우도 있다.
상기의 수지 코팅은 장기간 사용함으로써, 핀 홀 등의 이상이 발생하고, 이것을 원인으로 하여, 수지의 박리에 의한 파티클을 일으키거나, 수지 코팅 하의 금속(하지 부분을 포함한다)이 용출하여 금속 오염이 생기거나 한다는 문제가 있다.
이 때문에, 종래부터 정기적으로 실기판을 이용한 검사 운전을 행하여, 당해 검사 운전에 의해 생기는 파티클의 양 등을 계측함으로써 부품의 열화도를 측정하고, 이상(코팅 벗겨짐)이 발견되었을 경우에는, 부품의 교환, 재코팅 처리를 행하는 등의 대책이 이루어지고 있다.
그러나, 이러한 방법에서는, 검사를 위해서만 장치를 운전할 필요가 있으며, 장치 가동률이 저하하는 등의 문제가 있었다. 한편, 장치 가동률 저하의 억제를 위해서 검사 운전을 실시하는 간격을 길게 하면, 적시의 부품 이상의 검지가 곤란하게 되기 때문에, 실제로 장치 부품에 이상이 생기고 나서, 검사로 이상이 검출될 때까지의 사이에는, 부품에 이상이 있는 상태로 기판 처리가 행해져 버린다는 문제가 있다.
또한, 예를 들면, 처리 장치에 촬영 기기를 설치하고, 대상 부품을 촬영하여 얻어진 화상을 이용하여 부품의 이상을 검출하도록 하면, 검사용으로 장치를 운전하지 않고, 즉시성이 뛰어난 검사를 실시하는 것도 가능하다. 그러나, 장치의 부품 표면에 있어서의 미세한 핀 홀 등을 화상으로부터 검지하는 것은 곤란하며, 이러한 검사 수법에 의해 적절하게 장치 부품의 이상을 검출하는 것은 어렵다.
(특허 문헌 1) 일본국 특허공개 2002－96012호 공보 (특허 문헌 2) 일본국 특허공개 2003－92343호 공보
본 발명은 상기와 같은 문제를 감안하여, 처리액을 이용하는 기판 처리 장치에 있어서, 장치의 가동률을 저하시키지 않고, 장치의 구성 부품에 이상(수지 벗겨짐)이 생겼을 경우에는 신속하게 이것을 검지하여 대응하는 것이 가능하게 되는 수단을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 이하의 구성을 채용한다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 처리액에 의해 기판 처리를 행하는 기판 처리 장치로서, 당해 기판 처리 장치를 구성하는 수지 코팅된 금속성 부품의 열화를 검사하는 검사 수단을 갖고 있으며, 상기 검사 수단은, 검사 대상의 부품에 접촉한 액체 중의 소정의 금속 농도를 계측하는 계측 수단과, 당해 계측 수단에 의해 계측된 금속 농도와 소정의 역치의 대비에 의해, 검사 대상의 부품의 열화의 정도를 판정하는 열화 판정 수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 한다.
이와 같이, 검사 대상 부품에 접촉한 액체의 금속 농도를 계측하는 수단을 구비하는 장치 구성으로 함으로써, 반도체 처리를 행하는 통상의 처리의 흐름 중에서 부품의 검사를 행할 수 있으며, 일부러 검사 운전을 실시하지 않고 부품의 열화를 검사하는 것이 가능하게 된다. 이것에 의해, 장치의 가동률 향상에 기여할 수 있다. 또한, 검사에 있어서는 역치를 이용한 판정을 행하기 때문에, 오퍼레이터의 지식 레벨, 익숙도 등에 관계 없이, 균질하고 즉시성이 있는 검사를 실시할 수 있다.
또한, 상기 계측 수단은, 상기 액체의 배액 중의 상기 금속 농도를 계측하는 것이어도 된다. 이러한 구성이면, 배액의 유로에 금속 농도계를 설치함으로써, 예를 들면, 매엽형 장치이어도, 용이하게 장치 부품에 접촉한 액체의 금속 농도를 계측할 수 있다.
또한, 상기 액체에는, 상기 기판 처리 장치 내부를 세정하는 장치 세정액이 포함되어 있어도 된다. 이러한 구성이면, 기판 처리 장치의 세정을 행했을 때에도, 말하자면 겸사겸사 장치 부품의 검사를 행할 수 있으며, 장치의 가동률의 향상에 기여할 수 있다.
또한, 상기 액체에는, 상기 처리액이 포함되어 있어도 된다. 이러한 구성이면, 처리되는 기판에 금속 성분이 포함되지 않은 경우에는, 기판 처리를 위해서 장치를 가동하면서, 장치 부품의 검사를 행할 수 있으며, 장치의 가동률의 향상에 기여할 수 있다.
또한, 상기 기판 처리 장치는, 상기 처리액을 저류하는 처리액조를 추가로 갖고 있으며, 상기 계측 수단은, 당해 처리액조 내에 설치되는 것이어도 된다. 이른바 배치형 기판 처리 장치에서는 처리조 안에 계측 수단을 설치해 두면, 실제로 처리되는 기판이 노출되는 환경의 금속 농도를 계측할 수 있으며, 보다 정확하게 처리 대상 기판으로의 영향을 고려한 검사를 행할 수 있다.
또한, 상기 기판 처리 장치는 배치식 장치이며, 상기 검사 대상의 부품은 리프터이어도 된다. 배치식 장치의 리프터는 약액에 노출되어 있는 경우가 많으며, 처리조 내의 처리액에 금속이 용출하면, 로트 단위로 기판에 악영향이 미치기 때문에, 정상적 및 즉시적인 검사가 가능한 본 발명을 적용함으로써, 보다 현저한 효과를 얻을 수 있다.
또한, 상기 기판 처리 장치는 매엽식 장치이며, 상기 검사 대상의 부품은 스핀 척이어도 된다. 매엽식 장치에서는 스핀 척(보다 구체적으로는 스핀 베이스, 척 핀)에 의해 처리 대상 기판을 지지하기 때문에, 당해 부품의 수지 코팅에 벗겨짐이 생겨 있으면, 처리 대상 기판에 직접적으로 악영향이 미치게 된다. 이 때문에, 정상적 및 즉시적인 검사가 가능한 본 발명을 적용함으로써, 보다 현저한 효과를 얻을 수 있다.
또한, 상기 역치는, 상기 기판 처리 장치의 사양, 상기 기판 처리의 프로세스, 상기 액체의 공급 조건 등 장치 조건이나 처리 조건의 차이에 따라서 다른 역치가 설정되어 있어도 된다. 이러한 조건이 다르면, 수지 코팅의 열화의 진행 정도도 달라지기 때문이다. 각각의 조건마다의 최적인 역치는, 예를 들면, 샘플 부재의 열화 정도에 대해서 데이터 취득하고, 당해 데이터를 바탕으로 실험적으로 확정하는 것이 가능하다. 각각의 조건마다 역치를 설정해 둠으로써, 보다 정밀도가 높은 검사를 실시할 수 있다.
또한, 상기 계측 수단은, 비저항계이어도 된다. 검사에 있어서는 대상의 액중으로부터 (중)금속 성분이 검출되는지 여부를 알 수 있으면 되기 때문에, 비저항계에 의해 액체의 도전성에 의거하는 측정을 행함으로써, 신속하고 용이하게 액 중의 금속 성분의 유무를 판정하는 것이 가능하게 된다. 비저항계란, 액체 중에 전극을 특정 간격 이격하여, 당해 액체의 전기 저항값을 측정함으로써 구할 수 있다. 전극의 면적이나, 전극을 이격하는 간격은, 전기 저항의 값의 대소에 영향을 주기 때문에, 엄밀하게 설정된다. 또한, 액체 중의 금속 농도를 측정하는 방법으로서, 비저항을 측정하는 대신에, 액체의 도전율(또는 전기 전도율)을 측정해도 된다.
상기 검사 장치는, 상기 열화 판정 수단에 의해 판정된 열화의 정도를 출력하는 출력 수단을 추가로 갖고 있으며, 상기 출력 수단은, 상기 열화 판정 수단에 의해 판정된 열화의 정도가 소정의 기준을 초과했을 경우에는, 경고 신호를 출력하는 것이어도 된다. 이러한 구성에 의하면, 수지 벗겨짐이 생긴 정상적이지 않은 부품을 계속 사용하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 부품 검사 방법은, 처리액에 의해 기판 처리를 행하는 기판 처리 장치를 구성하는, 수지 코팅된 부품의 열화를 검사하는 방법으로서, 액체를 장치 중에 공급하여, 당해 액체를 검사 대상의 부품에 접촉시키는 액체 공급 단계와, 당해 검사 대상의 부품에 접촉시킨 액체 중의 소정의 금속 농도를 계측하는 계측 단계와, 당해 계측된 금속 농도에 대한 소정의 역치에 의거하여, 검사 대상의 부품의 열화의 정도를 판정하는 열화 판정 단계를 갖고 있으며, 상기의 각 단계가, 상기 기판 처리 장치에 의한 기판 처리의 공정 내에 있어서 실시되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 부품 검사 방법에 있어서의 상기 역치는, 상기 기판 처리 장치의 사양, 상기 기판 처리의 프로세스, 상기 액체의 공급 조건 중 적어도 하나를 포함하는 계측 조건의 차이에 따라서 설정되어 있어도 된다.
또한, 상기 부품 검사 방법은, 상기 열화 판정 단계에 있어서 판정된 부품의 열화의 정도를 출력하는 판정 결과 출력 단계를 추가로 갖고 있어도 되고, 또한, 상기 열화 판정 단계에 있어서 판정된 열화의 정도가 소정의 기준을 초과했을 경우에는 경고 신호를 출력하는 경고 단계를 추가로 갖고 있어도 된다.
또한, 상기 계측 단계에 있어서의 상기 소정의 금속 농도의 계측은, 상기 액체 중의 비저항을 계측함으로써 행해지는 것이어도 된다.
또한, 상기 부품 검사 방법은, 상기의 각 단계가, 로트 단위로의 기판 처리 전 및/또는 후에 실시되는 것이어도 된다. 이러한 검사 방법에 의하면, 로트 단위로의 기판 처리 동안의 대기 시간에 있어서, 부품의 검사를 실시할 수 있기 때문에, 기판 처리 장치의 가동률의 향상에 기여할 수 있다.
또한, 상기 부품 검사 방법은, 상기의 각 단계가, 한 기판의 처리를 끝낼 때마다 실시되는 것이어도 된다. 이와 같이 기판마다 부품의 검사를 실시하도록 하면, 수지 벗겨짐이 생긴 정상적이지 않은 부품을 이용하여 기판의 처리를 실시하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 부품 검사 방법은, 상기의 각 단계가, 기판 처리 중에 실시되는 것이어도 된다. 이와 같이, 기판 처리 중에 검사를 실시하도록 하면, 기판 처리의 루틴 중에 장치의 부품 검사도 실시할 수 있기 때문에, 매우 효율적으로 부품의 검사를 실시할 수 있으며, 장치 가동률의 향상에 기여할 수 있다.
또한, 상기 부품 검사 방법에 있어서의 상기 액체는, 상기 기판 처리에 이용되는 처리액, 및/또는, 상기 기판 처리 장치 내부를 세정하는 장치 세정액이어도 된다.
본 발명에 의하면, 처리액을 이용하는 기판 처리 장치에 있어서, 장치의 가동률을 저하시키지 않고, 장치의 구성 부품에 이상(수지 벗겨짐)이 생겼을 경우에는 신속하게 이것을 검지하여 대응하는 것이 가능하게 된다.
도 1은, 실시예 1에 따른 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 개략도이다.
도 2는, 실시예 1의 처리조의 주요부 구성을 나타내는 개략 정면도이다.
도 3은, 실시예 1에 따른 기반 처리 장치의 부분 평면도이다.
도 4는, 실시예 1의 제어 장치의 기능을 나타내는 블럭도이다.
도 5는, 처리액의 금속 농도와 비저항치의 상관관계를 나타내는 그래프이다.
도 6은, 실시예 1에 있어서 검사 기준을 설정할 때의 처리의 흐름을 나타내는 플로차트이다.
도 7은, 실시예 1에 있어서, 부품의 열화를 판정하는 처리를 실시하는 타이밍의 일례를 나타내는 플로차트이다.
도 8은, 실시예 1에 있어서, 부품의 열화를 판정하는 처리를 실시하는 타이밍의 일례를 나타내는 플로차트이다.
도 9는, 실시예 2에 따른 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 개략도이다.
도 10은, 실시예 2의 제어 장치의 기능을 나타내는 블럭도이다.
도 11은, 실시예 2에 있어서 검사 기준을 설정할 때의 처리의 흐름을 나타내는 플로차트이다.
도 12는, 실시예 2에 있어서, 부품의 열화를 판정하는 처리를 실시하는 타이밍의 일례를 나타내는 플로차트이다.
이하에 도면을 참조하여, 이 발명을 실시하기 위한 형태를, 실시예에 의거하여 예시적으로 상세하게 설명한다. 단, 이 실시예에 기재되어 있는 구성 부품의 치수, 재질, 형상, 그 상대 배치 등은, 특별히 기재가 없는 한은, 이 발명의 범위를 그들만으로 한정하는 취지의 것은 아니다.
＜실시예 1＞
도 1은 본 실시예의 기판 처리 장치(100)를 나타내는 개략 단면도, 도 2는 기판 처리 장치(100)의 처리조(110)의 주요부 구성을 나타내는 개략 정면도이다. 기판 처리 장치(100)는, 처리액을 처리조(110)에 저류하여, 기판(W)을 유지하는 리프터(130)를 이용하여, 기판을 당해 처리조(110)에 침지하여 기판(W)의 세정 처리 등을 행하는 이른바 배치형 장치이다. 기판 처리 장치(100)에는, 반송 로봇(도시하지 않음)에 의해, 복수의 기판(W)(이하, 한묶음의 복수의 기판(W)을 로트라고도 한다)이 장치 내외로 반입출된다. 또한, 기판 처리 장치(100)는, 처리액마다 다른 처리조를 이용하는 다층식 장치이어도 되고, 기판(W)을 처리조 내에 유지한 채로 처리액을 교체 가능한 단층식 장치이어도 된다.
도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치(100)는, 침지조(111) 및 오버플로조(112)를 구비하는 처리조(110)와, 처리조 내에 배치되는 처리액 토출 노즐(120)과, 처리액 공급원(125)과, 리프터(130)와, 배액 회수부(150) 및 제어 장치(160)를 구비하고 있다. 그리고, 침지조(111) 내에는, 비저항계(140)가 설치되어 있다.
처리액 토출 노즐(120)은, 침지조(111)의 바닥부 양측의 각각에 설치되어, 침지조(111) 내에 각종 약액이나 순수 등의 처리액을 공급하는 노즐이다. 처리액 토출 노즐(120)은, 처리조(110)의 길이 방향을 따라서 연장되는 원통형의 노즐이며, 복수의 토출 구멍을 구비하고 있다. 또한, 처리액 토출 노즐(120)은, 처리조(110) 외부의 처리액 공급원(125)에 접속되어 있으며, 소정의 처리액이 처리액 공급원(125)으로부터 공급된다. 또한, 처리액 토출 노즐(120)에는, 복수의 토출 구멍을 대신하여, 1개의 슬릿형의 토출구를 설치하도록 해도 된다.
또한, 기판 처리에 이용되는 약액으로서는, 예를 들면, SPM(황산과 과산화수소수의 혼합액), 오존과수(오존, 과산화수소수의 혼합액), SC1(암모니아수와 과산화수소수의 혼합액), SC2(염산과 과산화수소수의 혼합액), HF(불화수소산), H3PO4(인산), FPM(불화수소산과 과산화수의 혼합액), FOM(불화수소산과 오존과수의 혼합액) 등을 들 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서는, 「처리액」의 단어는, 약액과 순수를 포함하는 의미로 이용된다. 또한, 성막 처리를 위한 포토레지스트액 등의 도포액, 불필요한 막을 제거하기 위한 약액, 에칭을 위한 약액 등도 「처리액」에 포함한다.
처리액 공급원(125)으로부터 공급된 처리액은, 처리액 토출 노즐(120)의 토출 구멍으로부터 침지조(111) 내에 토출된다. 여기서, 토출 구멍은 침지조(111)의 중앙 바닥부를 향하여 설치되어 있으며, 양측의 처리액 토출 노즐(120)로부터 토출된 처리액은 침지조(111)의 바닥벽과 평행하게 흐르고, 곧 침지조(111) 바닥부 중앙에서 충돌하고, 그 후 침지조(111)의 중앙부 근방에 상방을 향한 처리액의 흐름을 형성하게 된다. 그리고, 처리액 토출 노즐(120)로부터 공급된 처리액은 침지조(111)의 상부로부터 흘러 넘치도록 되어 있으며, 흘러 넘친 처리액은 오버플로조(112) 바닥부와 연락하고 있는 배액 회수부(150)에 회수된다.
리프터(130)는, 침지조(111)에 저류되어 있는 처리액에 기판(W)을 침지시키기 위한 부품이다. 리프터(130)는, 승강 구동원(131)과, 리프터 아암(132)과, 리프터 아암에 접속되는 판부(133), 판부(133)에 캔틸레버형으로 설치되고, 기판(W)을 유지하는 3개의 기판 유지 부재(1개의 중앙 유지 부재(134)와, 2개의 측방 유지 부재(135A, 135B))를 구비하고 있다. 이 중, 중앙 유지 부재(134)는, 수평 방향으로 상하면이 위치하는 자세(이하, 입(立)자세라고도 한다)로 유지된 기판(W)의 중앙으로부터 연직 하방에 위치하는 기판 바깥 가장자리와 접하여 기판을 유지하는 것이다. 측방 유지 부재(135A, 135B)는, 입자세로 유지된 기판(W)의 바깥 가장자리를 따라서, 중앙 유지 부재(134)를 중간으로 하고, 그 양측방에 중앙 유지 부재(134)로부터 균등한 거리의 위치에 배치된다. 그리고, 중앙 유지 부재(134)의 상단과, 측방 유지 부재(135A, 135B)의 하단은, 상하 방향으로 소정의 간격이 생기도록 배치되어 있다.
도 3은, 리프터(130)의 판부(133) 및 상기 3개의 기판 유지 부재의 개략 평면도이다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 기판 유지 부재의 각각은, 기판(W)의 바깥 가장자리부가 꼭 끼워져 기판(W)을 입자세로 유지하는 복수의 홈이 길이 방향으로 소정 간격으로 배치되어 있는 빗살부(K)를 구비하고 있다.
또한, 리프터 아암(132), 판부(133), 각 기판 유지 부재(134, 135A, 135B)는, 승강 구동원(131)에 의해 연직 방향으로 일체적으로 승강 가능하게 되어 있다. 이것에 의해, 리프터(130)는 3개의 기판 유지 부재에 의해 소정 간격으로 평행하게 배열되어 유지된 복수의 기판(W)을, 침지조(111)에 저류된 처리액에 침지하는 위치와, 처리조(110)의 상방이며 반송 로봇과의 기판 수도(受渡)를 행하는 위치의 사이에서 승강시킬 수 있다. 또한, 승강 구동원(131)에는, 볼나사 기구, 벨트 기구, 에어 실린더 등의 공지의 여러 가지 기구를 채용할 수 있다.
비저항계(140)는 액체의 비저항치를 계측하는 센서를 구비하고 있으며, 당해 센서가, 침지조(111)에 처리액이 공급되었을 때에 당해 처리액에 접촉 가능하게(바람직하게는 침지되도록), 침지조(111)의 내벽에 설치된다. 비저항계(140)는 시판품을 포함하여 기지의 기술을 이용할 수 있는데, 특히 센서 부분은, 내약품성, 내열성이 뛰어난 소재인 것이 바람직하다.
상기의 구성에 있어서, 비저항계(140)에 의해, 처리액 중의 비저항치가 계측되고, 당해 계측된 값은, 제어 장치(160)의 신호 처리부(162)에 입력된다. 또한, 후술과 같이, 처리액 중의 비저항치와 금속(이온) 농도의 사이에는 강한 상관관계가 있기 때문에, 비저항치를 취득함으로써, 액체 중의 금속 성분의 양을 파악할 수 있다.
배액 회수부(150)는, 침지조(111)로부터 오버플로조(112)로 흘러 넘친 처리액을 회수한다. 배액 회수부(150)에 회수된 배액은, 정화 처리된 후, 처리액 공급원(125)으로 보내져 순환 사용된다. 혹은, 배액의 정화 처리를 행하지 않고, 장치 외로 배출하도록 구성해도 된다.
제어 장치(160)의 하드웨어로서의 구성은 일반적인 컴퓨터와 동일하다. 즉, 키보드 등의 입력부, 모니터 등의 출력부, CPU(Central Processing Unit), ROM(Read only memory), RAM(Random access memory) 및 대용량 기억 장치 등을 구비하는 구성으로 되어 있다. 제어 장치(160)의 CPU가 소정의 처리 프로그램을 실행함으로써, 기판 처리 장치(100)의 반송 로봇, 처리액 토출 노즐(120), 리프터(130) 등의 각 동작 기구가 제어되고, 기판 처리 장치(100)에 있어서의 처리가 행해진다.
이상 설명한 기판 처리 장치(100)를 구성하는 각 부품 중, 적어도 처리액(및 당해 처리액의 증기)과 접촉하는 것, 예를 들면, 리프터(130)의 각부 및 침지조(111) 등에는, 약액에 의한 침식을 억제하기 위해서 수지 코팅이 실시되어 있으며, 표면에 코팅층을 갖고 있다. 당해 코팅의 하지로서 금속이 이용되고 있다. 코팅이 열화했을 경우, 생긴 간극에 처리액이 침입할 수 있다. 또한, 코팅막이 얇아지거나 코팅막 표면에 블리스터가 생김으로써 처리액이 하지에 침투하기 쉬워진다. 이 때문에, 약액에 의한 침식에 의해 코팅이 벗겨지거나, 표면에 블리스터가 생기는 등 했을 경우에는, 하지의 금속 성분이 처리액 중에 용출하여, 기판의 금속 오염이 발생하게 된다.
또한, 코팅에 이용되는 수지로서는, 예를 들면, PCTFE(폴리클로로트리플루오로에틸렌), ECTFE(클로로트리플루오로에틸렌·에틸렌 공중합체), PFA(테트라플루오로에틸렌·퍼플루오로알킬비닐에테르 공중합체), PTFE(폴리테트라플루오로에틸렌) 등을 들 수 있다.
계속하여, 제어 장치(160)의 부품 검사에 따른 기능에 대해 설명한다. 도 4는 비저항계(140) 및 제어 장치(160)의 부품 검사에 따른 기능을 나타내는 블럭도이다. 도 4에 나타내는 판정부(161)는, 제어 장치(160)의 CPU가 소정의 처리 프로그램을 실행함으로써 제어 장치(160) 내에 실현되는 기능 처리부이다. 상세한 것에 대해서는 후술하는데, 판정부(161)는 비저항계에 의해 산출된 비저항치에 의거하여, 기판 처리 장치(100)를 구성하는 수지 코팅층을 갖는 부품에 대한 이상 유무 판정 처리(즉, 부품의 검사)를 행한다.
검사 기준 기억부(163)는, 상기의 RAM 또는 자기 디스크로 구성되어 있으며, 판정부(161)에 의한 판정에 이용되는 판정 역치를, 처리 장치의 사양, 처리액의 종류, 처리액의 공급 조건 등의 조건마다에 따른 양태로 기억한다.
출력부(164)는 검사 결과를 포함하는 각종의 정보를 출력한다. 정보의 출력처는, 전형적으로는 모니터 등의 표시 장치이지만, 인쇄 장치에 대해서 정보를 출력하거나, 스피커로부터 메시지나 경보를 출력하거나, 사용자의 단말에 전자 메일 등으로 메시지를 송신하거나, 외부의 컴퓨터에 대해서 정보를 송신하거나 해도 된다.
(열화 판정 처리 방법에 대해)
다음으로, 상기 판정부(161)에 의한 부품의 열화 판정 처리에 대해 설명한다. 상술한 바와 같이, 판정부(161)는, 검사 대상 부품에 이상(수지 벗겨짐)이 있는지 여부에 대해서, 비저항계(140)에 의해 취득되는 처리액의 비저항치에 의거하여 검사를 행한다. 즉, 처리액 중에 금속 성분이 용출하면, 처리액의 금속 이온 농도가 상승하고, 이것에 따라서, 처리액의 비저항치가 감소한다. 이러한, 금속 이온 농도와, 비저항치의 상관관계에 대한 구체예를 다음에 나타낸다.
도 5는, 처리액의 금속 이온 농도와, 비저항치의 관계성을 나타내는 그래프이다. 세로축은 금속 이온 농도를, 가로축은 비저항치를 각각 나타내고 있다. 도 5로부터도 분명한 바와 같이, 처리액 중의 금속 농도가 높아질수록, 비저항치가 낮아진다. 도 5에 예시되는 처리액의 금속 이온 농도와, 비저항치의 관계성을 나타내는 데이터 또는 관계식을 미리 파악해 둠으로써, 측정한 비저항치로부터 처리액 중의 금속 이온 농도의 값을 추정하는 것이 가능하다.
본 실시예에 있어서 검사 대상이 되는 리프터(130)를 예로, 추가로 설명한다. 상기한 바와 같이, 리프터(130)에는 수지 코팅이 실시되어 있는데, 당해 코팅은 약액에 의해 서서히 열화하여, 수지 코팅층의 표면이 물집형으로 곳곳에 나타나는 현상(블리스터)이 발생한다. 또한, 수지 코팅이 벗겨져 버린 부분에 대해서는, 코팅의 하지로서 이용되는 금속 부분(프라이머)이 표출한다. 이러한 상태가 되면, 리프터(130)가 처리액에 침지되었을 때에, 당해 처리액 중에 프라이머의 성분이 용출하고, 처리액의 금속 이온 농도가 상승한다. 그러면, 그것에 반비례하여 처리액의 비저항치가 감소한다.
이상으로부터, 금속 이온 농도와, 비저항치의 상관관계에 의거하여, 미리 허용되는 금속 이온 농도에 대응한 비저항치의 역치를 설정해 두어, 비저항계(140)에 의해 취득되는 비저항치와, 당해 역치의 대비에 의해, 수지 코팅된 부품의 이상을 검출(이상의 유무를 판정)하도록 하면 된다.
또한, 부품에 이상이 있다고 판정되었을 경우에는, 출력부(164)로부터 경고를 발보하도록 하면 된다. 이와 같이 함으로써, 정상적이지 않은 부품을 계속 사용하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 출력부(164)로부터 발하는 경고란, 모니터에 표시되는 에러 화면이어도 되고, 스피커로부터 내는 알람이어도 되며, 경보 램프의 명멸 등이어도 된다.
도 6은, 이러한 판정 기준(역치)을 설정할 때의 처리의 흐름을 나타내는 플로차트이다. 도 6에 나타내는 바와 같이, 장치를 신규로 가동할 때 또는 부품을 신품으로 교환했을 때에, 침지조(111)에 처리액을 저류하고 그 안에 리프터(130)를 침지하여, 그 상태로 비저항계(140)에 의해 침지조(111)에 저류되어 있는 처리액의 비저항치를 계측한다(단계(S101)). 비저항계(140)로부터 비저항치를 취득한 제어 장치(160)는, 검사 기준 기억부(163)에, 당해 비저항치의 데이터를 초기 비저항치로서 보존한다(단계(S102)).
그리고, 당해 초기 비저항치에 의거하여, 소정의 마진을 줄인 값을, 수지 벗겨짐 역치로 하여, 검사 기준 기억부(163)에 등록한다(단계(S103)).
그런데, 처리액으로부터 얻어지는 비저항치가, 초기 비저항치에 가까운 값일수록 대상 부품의 메탈 용출의 정도는 작게 된다. 이 때문에, 예를 들면, 경보를 발생시키고 나서 부품의 교환 등의 대응을 행할 때까지 시간적 여유를 갖게 하고 싶은 등의 경우는, 수지 벗겨짐 역치는 비교적 초기 비저항치에 가까운 값으로 설정해 두면 된다.
(검사 실시의 타이밍)
계속하여, 부품의 이상 판정(즉 검사)의 실시의 타이밍에 대해 설명한다. 기판 처리 장치(100)에 있어서의 기판(W)의 통상의 동작의 개략은, 반송 로봇이 외부로부터 수취(受取)한 미처리 기판(W)의 로트를 리프터(130)에 재치(載置)하고, 이것을 처리액이 저류된 침지조(111)에 소정 시간 침지한 후에, 반송 로봇이 수취하여, 처리가 끝난 로트를 반출하여 외부로 되돌린다는 것이다. 이 때문에, 이하에서 나타내는 바와 같이, 여러 가지 타이밍으로 검사를 실시할 수 있다.
도 7은 부품의 이상 판정 처리를 실시하는 타이밍의 일례를 나타내는 플로차트이다. 도 7에 나타내는 바와 같이, 우선 기판 처리 장치(100)에 있어서, 로트 단위로의 기판 처리를 개시하기 전의 아이들 타임에, 침지조(111)에 처리액을 저류하여, 기판을 싣지 않은 리프터(130)를 침지한다(단계(S111)). 그 상태에 있어서, 비저항계(140)에 의해 처리액 중의 비저항치를 계측하여, 제어 장치(160)에 당해 값을 입력한다(단계(S112)). 다음으로, 판정부(161)가, 검사 기준 기억부(163)에 보존되어 있는 역치와 취득된 비저항치를 비교하여(단계(S113)), 당해 비저항치가 역치를 밑돌지 않은 경우에는, 1로트분의 기판 처리를 실시한다(S114). 한편, 단계(S113)에 있어서, 비저항치가 역치를 밑돌고 있는 경우에는, 출력부(164)로부터 부품의 이상을 알리는 경고 신호를 발신한다(단계(S115)).
도 8은, 부품의 이상 판정 처리를 실시하는 타이밍의 다른 예를 나타내는 플로차트이다. 도 8에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치(100)에 있어서, 1로트분의 기판 처리 종료한 후에, 침지조(111)에 처리액을 저류하여, 리프터(130)를 침지한다(단계(S121, S122)). 그 상태에 있어서, 비저항계(140)에 의해 처리액 중의 비저항치를 계측하여, 제어 장치(160)에 당해 값을 입력한다(단계(S123)). 다음으로, 판정부(161)가, 검사 기준 기억부(163)에 보존되어 있는 역치와 취득된 비저항치를 비교하여(단계(S124)), 당해 비저항치가 역치를 밑돌지 않은 경우에는, 그대로 본 플로를 종료한다. 한편, 단계(S124)에 있어서, 비저항치가 역치를 밑돌고 있는 경우에는, 출력부(164)로부터 부품의 이상을 알리는 경고 신호를 발신한다(단계(S125)). 이와 같은 타이밍으로 검사를 행함으로써, 이미 처리가 끝난 로트에 대해서, 지장이 있는지 여부(불량의 발생 정도)를 검증하는 것도 가능하게 된다.
또한, 로트 단위로의 기판 처리의 간격이 길게 비는 등의 경우에는, 만약을 위해서 로트 단위로의 기판 처리 전과 후의 어느 쪽의 타이밍에서도 부품의 이상 판정 처리를 실시하도록 해도 된다. 또한, 처리하는 기판에 금속 성분이 포함되어 있는 경우, 기판 처리 전 또는 후에 부품의 판정 처리함으로써, 기판 처리 중에 부품의 판정 처리하는 것보다 높은 정밀도로 이상 판정 처리를 실시할 수 있다. 기판에 금속 성분이 포함되어 있는 경우에는, 처리액 중에 금속의 용출이 확인되었다 하더라도, 부품의 금속이 용출한 것인지, 기판의 금속이 용출한 것인지의 구별이 되지 않기 때문에, 기판 처리 중의(기판의 처리에 이용한 처리액에 의한) 부품의 이상 판정을 행하는 것은 곤란하기 때문이다.
또한, 기판에 금속 성분이 포함되지 않은 경우에는, 기판 처리의 실행 중에 있어서도 부품의 이상 판정 처리가 가능하다. 즉, 기판에 금속 성분이 포함되지 않은 경우에는, 실제로 기판(W)을 재치한 상태로 리프터(130)를, 처리액이 저류된 침지조(111)에 침지하여, 기판의 세정 처리를 실시하고 있는 도중에 당해 처리액의 비저항치를, 비저항계(140)로 계측한다.
이상 설명한 바와 같은 실시예 1의 구성에 의해, 수지 코팅을 실시한 부품을 이용한 기판 처리 장치에 있어서, 기판 처리의 대기 시간에 상기 부품의 이상(수지 벗겨짐)을 검사할 수 있으며, 장치의 가동률을 향상시키는 것이 가능하게 된다. 또한, 장치를 구성하는 부품에 열화가 생겼을 경우에는, 신속하게 이것을 검지하여 대응하는 것이 가능하게 된다.
(변형예)
또한, 상기 실시예 1에 있어서는, 비저항계(140)는, 처리조(110)의 침지조(111)에 설치되어 있었는데, 이것 이외의 장소에 비저항계(140)를 설치하는 것도 가능하다. 예를 들면, 처리조(110)의 오버플로조(112)의 바닥부에 설치하는 것이어도 되고, 배액 회수부(150) 내에 설치하는 것이어도 된다. 즉, 검사 대상의 부품에 접촉한 액체 중의 비저항치를 계측할 수 있는 구성으로 되어 있으면 된다.
＜실시예 2＞
다음으로, 본 발명의 제2의 실시예에 대해 설명한다. 도 9는, 본 실시예에 따른 기판 처리 장치(200)의 구성을 나타내는 개략 단면도이다. 기판 처리 장치(200)는, 반도체 용도의 기판(W)을 1장씩 처리하는, 이른바 매엽식의 스프레이식 세정 장치이다. 원형의 실리콘 기판(W)을 고속 회전시켜, 약액 및 순수의 액적을 당해 기판(W)에 스프레이형으로 분무하여, 기판(W) 상의 파티클 등을 제거한다.
도 9에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치(200)는, 상자형의 챔버(210) 내에, 주된 요소로서 기판(W)을 수평으로 유지하는 스핀 척(220)과, 스핀 척(220)에 유지된 기판(W)의 상면에 처리액의 액적을 공급하기 위한 처리액 노즐(230)과, 스핀 척(220)의 주위를 둘러싸는 컵(240)을 구비하고 있다. 또한 이 밖에도, 제어 장치(260)와, 도시하지 않지만, 챔버(210)에 기판(W)을 반입출하는 반송 로봇을 구비하고 있다.
챔버(210)는, 연직 방향을 따라서 외주를 둘러싸는 측벽(211), 측벽(211)에 의해 둘러싸인 공간의 상측을 닫는 천정(212) 및 하측을 닫는 마루(213)를 구비한다. 측벽(211), 천정(212) 및 마루(213)에 의해 둘러싸인 공간이 기판(W)의 처리 공간이 된다. 또한, 챔버(210)의 측벽(211)의 일부에는, 챔버(210)에 대해서 반송 로봇이 기판(W)을 반입출하기 위한 반입출구 및 그 반입출구를 개폐하는 셔터가 설치되어 있다(도시 생략).
챔버(210)의 천정(212)에는, 공기를 청정화하여 챔버(210) 내의 처리 공간에 공급하기 위한 팬 필터 유닛(214)이 설치되어 있다. 팬 필터 유닛(214)은, 기판 처리 장치(200)가 설치되는 클린룸 내의 공기를 취입(取入)하여 챔버(210) 내로 송출하기 위한 팬 및 필터를 구비하고 있으며, 챔버(210) 내의 처리 공간에 청정화된 공기의 다운 플로를 형성한다. 그리고, 팬 필터 유닛(214)에 의해 보내진 공기는, 챔버(210)의 하방, 예를 들면, 측벽(211)의 일부이며, 마루(213)의 근방에 설치된 배기 덕트(215)로부터 장치 외로 배출된다.
스핀 척(220)은, 연직 방향을 따라서 연장되는 회전축(224)의 상단에 고정된 원판 형상의 스핀 베이스(221)를 구비하고, 당해 스핀 베이스(221)의 하방에는 회전축(224)을 회전시키는 스핀 모터(222)가 설치된다. 스핀 모터(222)는, 회전축(224)을 개재하여 스핀 베이스(221)를 수평면 상에 있어서 회전시킨다. 또한, 스핀 모터(222)의 구동은, 제어 장치(260)에 의해 행해진다. 또한, 스핀 모터(222) 및 회전축(224)의 주위를 둘러싸도록 커버 부재(223)가 설치된다. 당해 커버 부재(223)의 상단은 스핀 베이스(221)의 바로 아래에 위치하며, 하단은 챔버(210)의 마루(213)에 고정되어 있다.
상기 스핀 베이스(221)는, 티타늄제의 디스크이며, 표면을 PCTFE, ECTFE, PFA, PTFE 등의 수지에 의해 코팅되어 있다. 스핀 베이스(221)의 상면은, 유지해야 할 기판(W)의 하면의 전체 면과 대향하도록 되어 있으며, 스핀 베이스(221)의 외경은, 스핀 척(220)에 유지되는 원형의 기판(W)의 지름보다 약간 크게 되어 있다. 그리고, 스핀 베이스(221)의 상면의 주연부에는 복수(본 실시예에서는 6개)의 척 핀(226)이 상방으로 돌출되도록 하여 설치되어 있다. 복수의 척 핀(226)은, 원형의 기판(W)의 외주원에 대응하는 원둘레 상을 따라서 균등한 간격을 두고(본 실시예에서는 60°의 간격으로) 배치되어 있다.
복수의 척 핀(226)은, 기판(W)의 주연을 측방으로부터 파지함으로써 기판(W)을 스핀 베이스(221)의 상방에서 그 상면에 근접한 수평 자세로 유지할 수 있다. 스핀 척(220)이 기판(W)을 유지한 상태로 스핀 모터(222)가 회전축(224)을 회전시킴으로써, 기판(W)의 중심을 통과하는 연직 방향을 따른 회전축선(X) 주위에 기판(W)을 회전시킬 수 있다.
스핀 척(220)을 둘러싸는 컵(240)은, 원통형의 외벽(241)과, 외벽(241)의 내방으로부터 스핀 척(220)을 둘러싸는 스플래시 가드(242)와, 스플래시 가드(242)를 연직 방향으로 승강시키는 가드 승강 유닛(도시 생략)과, 배액 회수부(245)를 구비한다. 외벽(241)은, 챔버(210)의 마루(213)에 고정되어 있으며, 스플래시 가드(242)는, 컵(240)의 외벽(241)에 대해서 승강 가능하게 설치된다.
배액 회수부(245)는, 컵(240)의 바닥부에 설치되어 있으며, 컵(240) 외의 처리액 회수 기구(도시 생략)에 접속된다. 그리고, 배액 회수부(245) 내에는 비저항계(250)가 배치되어 있다. 비저항계(250)는, 배액 회수부(245)에 회수된, 처리액 또는 후술의 챔버 내 세정액의 비저항치를 계측하여, 당해 값을 제어 장치(260)에 입력한다.
스플래시 가드(242)는, 회전축선(X)을 향하여 비스듬한 상방으로 연장되는 테이퍼형의 측면을 갖는 통형의 경사부(243)와, 경사부(243)의 하단부로부터 하방으로 연장되는 원통형의 안내부(244)를 구비한다. 경사부(243)의 상단은, 기판(W) 및 스핀 베이스(221)보다 큰 내경을 갖는 원환형으로 되어 있으며, 스플래시 가드(242)의 상단(242a)에 상당한다.
가드 승강 유닛은, 스플래시 가드(242)의 상단(242a)이 기판(W)보다 하방에 위치하는 하위치와, 스플래시 가드(242)의 상단(242a)이 기판(W)보다 상방에 위치하는 상위치의 사이에서, 스플래시 가드(242)를 승강시킨다(도 1에 있어서는, 스플래시 가드(242)는 상위치에 배치되어 있다). 또한, 이러한 승강 기구로서는, 예를 들면, 볼나사 기구나 에어 실린더 등의 공지의 여러 가지 기구를 채용할 수 있기 때문에, 상세한 설명은 생략한다.
스플래시 가드(242)는, 기판(W)의 세정 처리 중(즉, 기판(W)이 회전 중)에 상위치에 배치되고, 기판(W)으로부터 그 주위에 비산하는 처리액을 그 내주면으로 받아 낸다. 기판(W)의 세정 처리가 행해지지 않는 동안은, 스플래시 가드(242)는 하위치에서 대기 상태가 되고, 이 때에, 반송 로봇(도시 생략)과 스핀 척(220)의 사이에서 기판(W)의 수도가 행해진다. 또한, 스플래시 가드(242)에 의해 받아 내지는 등 하여, 컵 바닥부에 집적된 처리액은, 배액 회수부(245)를 개재하여 컵(240)으로부터 배출된다.
처리액 노즐(230)은, 노즐 아암(232)의 선단에 노즐 헤드(231)를 장착하여 구성되어 있다. 노즐 아암(232)의 기단측은 노즐 기대(基台)(도시 생략)에 연결되어 있으며, 노즐 기대는 모터(도시 생략)에 의해 연직 방향을 따른 축의 주위에서 회동 가능하게 구성되어 있다. 노즐 기대가 회동함으로써, 처리액 노즐(230)은 스핀 척(220)의 상방의 처리액 토출 위치와 컵(240)보다 외측의 대기 위치의 사이에서 수평 방향을 따라서 원호형으로 이동한다.
상면 처리액 노즐(230)에는, 처리액(예를 들면, SPM) 및 압축 가스가 공급되도록 구성되어 있으며, 기액 혼합의 액적을 노즐 헤드(231)로부터 스핀 척(220)에 유지된 기판(W)을 향하여 분출한다. 또한, 노즐 기대의 회동에 의해, 처리액 노즐(230)은 스핀 베이스(221)의 상면 상방에서 요동 가능하게 되어 있으며, 요동하면서 기판(W)에 액적을 분출할 수 있다.
비저항계(250)는 액체의 비저항치를 계측하는 센서를 구비하고 있으며, 당해 센서가, 배액 회수부(245) 내에 액체가 회수되었을 때에 당해 액체 중에 접촉 가능하게(바람직하게는 침지되도록) 설치된다.
상기의 구성에 의해, 비저항계(250)에 의해, 배액 중의 비저항치가 계측되고, 당해 계측된 값은, 제어 장치(260)에 입력된다. 또한, 액 중의 비저항치와 금속(이온) 농도의 사이에는 강한 상관관계가 있기 때문에, 비저항치를 취득함으로써, 배액 중의 금속 성분의 양을 파악할 수 있다.
제어 장치(260)의 하드웨어로서의 구성은 일반적인 컴퓨터와 동일하다. 즉, 키보드 등의 입력부, 모니터 등의 출력부, CPU, ROM, RAM 및 대용량 기억 장치 등을 구비하는 구성으로 되어 있다. 제어 장치(260)의 CPU가 소정의 처리 프로그램을 실행함으로써, 기판 처리 장치(200)의 각 동작 기구가 제어 장치(260)에 제어되고, 기판 처리 장치(200)에 있어서의 처리가 행해진다.
계속하여, 제어 장치(260)의 부품 검사에 따른 기능에 대해 설명한다. 도 10은 비저항계(250) 및 제어 장치(260)의 부품 검사에 따른 기능을 나타내는 블럭도이다. 도 10에 나타내는 판정부(261)는, 제어 장치(260)의 CPU가 소정의 처리 프로그램을 실행함으로써 제어 장치(260) 내에 실현되는 기능 처리부이다. 상세한 것에 대해서는 후술하는데, 판정부(261)는 비저항계에 의해 산출된 비저항치에 의거하여, 기판 처리 장치(200)를 구성하는 수지 코팅층을 갖는 부품에 대한 이상 유무 판정 처리(즉, 부품의 검사)를 행한다.
검사 기준 기억부(263)는, 상기의 RAM 또는 자기 디스크로 구성되어 있으며, 판정부(261)에 의한 판정에 이용되는 판정 역치를, 처리 장치의 사양, 처리액의 종류, 처리액의 공급 조건 등의 조건마다에 따른 양태로 기억한다.
출력부(264)는 검사 결과를 포함하는 각종의 정보를 출력한다. 정보의 출력처는, 전형적으로는 모니터 등의 표시 장치인데, 인쇄 장치에 대해서 정보를 출력하거나, 스피커로부터 메시지나 경보를 출력하거나, 사용자의 단말에 전자 메일 등으로 메시지를 송신하거나, 외부의 컴퓨터에 대해서 정보를 송신하거나 해도 된다.
(열화 판정 처리 방법에 대해)
다음으로, 상기 판정부(261)에 의한 부품의 열화 판정 처리에 대해 설명한다. 상술한 바와 같이, 판정부(261)는, 검사 대상 부품에 이상(수지 벗겨짐)이 있는지 여부에 대해서, 비저항계(250)에 의해 취득되는 처리액의 비저항치에 의거하여 검사를 행한다. 즉, 처리액 중에 금속 성분이 용출하면, 처리액의 금속 이온 농도가 상승하고, 이것에 반비례하여, 처리액의 비저항치가 감소한다.
본 실시예에 있어서 검사 대상이 되는 스핀 베이스(221)를 예로, 추가로 설명한다. 상기와 같이, 스핀 베이스(221)는 티타늄제이며 표면에 수지 코팅이 실시되어 있는데, 당해 코팅은 약액에 의해 서서히 열화하여, 수지 코팅이 벗겨지는 현상이 발생한다. 그러면, 코팅이 벗겨진 부분으로부터, 티타늄(즉, 금속 성분)이 표출한다. 이러한 상태가 되면, 스핀 베이스(221)에 처리액이 접촉했을 때에, 당해 처리액 중에 금속 성분이 용출하여, 처리액의 금속 이온 농도가 상승한다. 그러면, 그것에 반비례하여 처리액의 비저항치가 감소한다.
이상으로부터, 금속 이온 농도와, 비저항치의 상관관계에 의거하여, 미리 허용되는 금속 이온 농도에 대응한 비저항치의 역치를 설정해 두고, 비저항계(250)에 의해 취득되는 비저항치와, 소정의 역치의 대비에 의해, 수지 코팅된 부품의 이상을 검출(이상의 유무를 판정)하도록 하면 된다.
또한, 부품에 이상이 있다고 판정되었을 경우에는, 출력부(264)로부터 경고를 발보하도록 하면 된다. 이와 같이 함으로써, 정상적이지 않은 부품을 계속 사용하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 출력부(264)로부터 발하는 경고란, 모니터에 표시되는 에러 화면이어도 되고, 스피커로부터 내는 알람이어도 되며, 경보 램프의 명멸 등이어도 된다.
도 11은, 이러한 판정 기준(역치)을 설정할 때의 처리의 흐름을 나타내는 플로차트이다. 도 11에 나타내는 바와 같이, 장치를 신규로 가동할 때 또는 부품을 신품으로 교환했을 때에는, 챔버(210) 내를 세정액으로 세정하는 챔버 세정 레시피를 실행한다(단계(S201)). 이 때에, 스핀 베이스(221)에도 세정액이 충분히 흘러 들어가도록 해 둔다. 챔버 세정에 이용된 세정액은, 컵(240) 내의 배액 회수부(245)를 개재하여 회수되기 때문에, 그 때에, 비저항계(250)에 의해 배액 회수부(245)를 통과하는 배액의 비저항치를 계측한다(단계(S202)). 비저항계(250)로부터 비저항치를 취득한 제어 장치(260)는, 검사 기준 기억부(263)에, 당해 비저항치의 데이터를 초기 비저항치로서 보존한다(단계(S203)).
그리고, 당해 초기 비저항치에 의거하여, 허용되는 오차의 분을 공제한 값을, 수지 벗겨짐 역치로서, 검사 기준 기억부(263)에 등록한다(단계(S204)).
(검사 실시의 타이밍)
계속하여, 부품의 이상 판정(즉, 검사)의 실시의 타이밍에 대해 설명한다. 도 12는 부품의 이상 판정 처리를 실시하는 타이밍의 일례를 나타내는 플로차트이다. 도 12에 나타내는 바와 같이, 우선 기판 처리 장치(200)에 있어서 기판 처리를 개시하기 전에, 챔버 세정 레시피를 실행하여(단계(S211)), 비저항계(250)에 의해 당해 세정액의 배액의 비저항치를 계측한다(단계(S212)). 그리고 판정부(261)가, 계측된 비저항치와, 검사 기준 기억부(263)에 보존되어 있는 역치를 비교하여(단계(S213)), 역치를 밑돌지 않는 경우에는, 기판 처리를 실시한다(단계(S214)). 그리고, 1장의 기판 처리가 종료되면, 다시 단계(S211)로 돌아와, 그 처리를 반복한다(단계(S215)). 한편, 단계(S133)에 있어서, 계측된 비저항치가 역치를 밑돌고 있는 경우에는, 출력부(264)로부터 부품의 열화를 알리는 경고 신호를 발신한다(단계(S216)).
또한, 기판 한 장마다 검사를 실시하는 것이 아니라, 기판의 로트 단위의 처리의 전후에, 부품의 이상 판정 처리를 실시하는 것도 가능하다. 즉, 기판 처리 장치(200)에 있어서, 로트 단위로의 기판 처리를 개시하기 전의 아이들 타임에, 챔버 세정 레시피를 실행하여, 세정 배액의 비저항치를 계측한다. 그리고, 제어 장치(160)의 판정부(161)가, 검사 기준 기억부(163)에 보존되어 있는 역치와 취득된 비저항치를 비교하여, 당해 비저항치가 역치를 밑돌지 않는 경우에는, 1로트분의 기판 처리를 실시한다. 한편, 비저항치가 역치를 밑돌고 있는 경우에는, 출력부(164)로부터 부품의 이상을 알리는 경고 신호를 발신한다.
또한, 처리 대상의 기판(W)에 금속 성분이 포함되지 않은 경우에는, 기판 처리의 실행 중에 있어서도 부품의 이상 판정 처리가 가능하다.
＜그 외＞
또한, 상기의 각 실시예는, 본 발명을 예시적으로 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 상기의 구체적인 양태에는 한정되지 않는다. 본 발명은, 그 기술적 사상의 범위 내에서 여러 가지 변형이 가능하다. 예를 들면, 상기의 실시예 1과 실시예 2의 기술은 각각 조합하거나, 바꿔 넣거나 하여 이용할 수 있다. 구체적으로는, 상기의 각 실시예에서는, 장치에 배치되는 비저항계는 하나였지만, 복수 비저항계를 이용하여, 여러 가지 개소의 비저항치를 계측하도록 해도 된다. 이와 같이 함으로써, 보다 정밀도가 높은 검사를 실시할 수 있다.
또한, 검사를 위한 역치의 설정에 있어서는, 검사 대상 부품의 종류, 검사 대상 부품이 배치되는 장소, 장치의 용도(이용되는 약액) 등의 검사 조건의 차이에 따라서 데이터 테이블을 이용하여 설정하도록 해도 된다.
100, 200···기판 처리 장치
110···처리조
120···처리액 토출 노즐
130···리프터
140, 250···비저항계
150, 245···배액 회수부
160, 260···제어 장치
210···챔버
220···스핀 척
230···처리액 노즐
240···컵
W···기판
K···빗살부

Claims (19)

  1. 처리액에 의해 기판 처리를 행하는 기판 처리 장치로서,
    당해 기판 처리 장치를 구성하는 수지 코팅된 금속성 부품의 열화를 검사하는 검사 수단을 갖고 있으며,
    상기 검사 수단은, 검사 대상의 부품에 접촉한 액체 중의 소정의 금속 농도를 계측하는 계측 수단과,
    당해 계측 수단에 의해 계측된 금속 농도와 소정의 역치의 대비에 의해, 검사 대상의 부품의 열화의 정도를 판정하는 열화 판정 수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 계측 수단은, 상기 액체의 배액 중의 상기 금속 농도를 계측하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 액체에는, 상기 기판 처리 장치 내부를 세정하는 장치 세정액을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 액체에는, 상기 처리액을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는, 상기 처리액을 저류하는 처리액조를 추가로 갖고 있으며,
    상기 계측 수단은, 당해 처리액조 내에 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는 배치식 장치이며, 상기 검사 대상의 부품은 리프터인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는 매엽식 장치이며, 상기 검사 대상의 부품은 스핀 척인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 소정의 역치는, 상기 기판 처리 장치의 사양, 상기 기판 처리의 프로세스, 상기 액체의 공급 조건 중 적어도 하나를 포함하는 계측 조건의 차이에 따라서 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 계측 수단은, 비저항계인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 열화 판정 수단에 의해 판정된 열화의 정도를 출력하는 출력 수단을 추가로 갖고 있으며,
    상기 출력 수단은, 상기 열화 판정 수단에 의해 판정된 열화의 정도가 소정의 기준을 초과했을 경우에는, 경고 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 처리액에 의해 기판 처리를 행하는 기판 처리 장치를 구성하는, 수지 코팅된 부품의 열화를 검사하는 방법으로서,
    액체를 장치 중에 공급하여, 당해 액체를 검사 대상의 부품에 접촉시키는 액체 공급 단계와,
    당해 검사 대상의 부품에 접촉시킨 액체 중의 소정의 금속 농도를 계측하는 계측 단계와,
    당해 계측된 금속 농도에 대한 소정의 역치에 의거하여, 검사 대상의 부품의 열화의 정도를 판정하는 열화 판정 단계를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 부품 검사 방법.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 소정의 역치는, 상기 기판 처리 장치의 사양, 상기 기판 처리의 프로세스, 상기 액체의 공급 조건 중 적어도 하나를 포함하는 계측 조건의 차이에 따라서 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 부품 검사 방법.
  13. 청구항 11 또는 청구항 12에 있어서,
    상기 열화 판정 단계에 있어서 판정된 부품의 열화의 정도를 출력하는 판정 결과 출력 단계를 추가로 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 부품 검사 방법.
  14. 청구항 11 또는 청구항 12에 있어서,
    상기 열화 판정 단계에 있어서 판정된 열화의 정도가 소정의 기준을 초과했을 경우에는 경고 신호를 출력하는 경고 단계를 추가로 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 부품 검사 방법.
  15. 청구항 11 또는 청구항 12에 있어서,
    상기 계측 단계에 있어서의 상기 소정의 금속 농도의 계측은, 상기 액체 중의 비저항을 계측함으로써 행해지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 부품 검사 방법.
  16. 청구항 11 또는 청구항 12에 있어서,
    상기의 각 단계가, 로트 단위로의 상기 기판 처리 전 및/또는 후에 실시되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 부품 검사 방법.
  17. 청구항 11 또는 청구항 12에 있어서,
    상기의 각 단계가, 하나의 상기 기판 처리를 끝낼 때마다 실시되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 부품 검사 방법.
  18. 청구항 11 또는 청구항 12에 있어서,
    상기의 각 단계가, 기판 처리 중에 실시되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 부품 검사 방법.
  19. 청구항 11 또는 청구항 12에 있어서,
    상기 액체는, 상기 기판 처리에 이용되는 처리액, 및/또는, 상기 기판 처리 장치 내부를 세정하는 장치 세정액인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 부품 검사 방법.
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