JP7351331B2 - シリコンウェーハの枚葉式スピン洗浄乾燥方法 - Google Patents
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前記スピンテーブルの回転速度と前記気中パーティクル量との関係に基づいて、スピン乾燥中の 前記スピンテーブルの最大の回転速度を決定する第2工程と、を含む枚葉式スピン洗浄乾燥装置のスピンテーブル回転速度決定方法。
前記スピン乾燥中のスピンテーブルの回転速度が、前記スピン洗浄中のスピンテーブルの回転速度よりも大きく、かつ、
前記スピン乾燥中のスピンテーブルの回転速度が<1>~<4>記載のスピンテーブルの回転速度決定方法により決定されるスピンテーブルの最大の回転速度以下である、枚葉式スピン洗浄乾燥方法。
図1は、本発明の実施の形態1に適用可能な枚葉式スピン洗浄乾燥装置1の側面図である。この一例による枚葉式スピン洗浄乾燥装置1は、シリコンウェーハ2を載置するスピンテーブル3と、スピンテーブル3を回転させる回転軸4部分と、シリコンウェーハ2をスピンテーブル3と離間して保持するための支持ピン5と、シリコンウェーハ2上にガスを供給する給気口6と、給気口6の手前に配置されるフィルタ7と、ガスを排出する排気口(図示せず)と、回転したシリコンウェーハ2から降り飛ばされる洗浄後の薬液を補足するスピンカップ9とを備えている。
スピンテーブル3は、枚葉式スピン洗浄乾燥装置1において、シリコンウェーハ2を保持し、回転させる台である。スピンテーブル3は、軽量で耐薬品性に優れた材料、例えば、塩化ビニルで構成することが望ましく、具体的には、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)、PVC(ポリ塩化ビニル)、PEEK(ポリエーテルエーテルケトン)、PBN(ポリブチレンナフタレート)等の樹脂材料で構成することができる。
次に上記の枚葉式スピン洗浄乾燥装置1を用いた一般的な洗浄方法について説明する。まず、シリコンウェーハ2をスピンテーブル3に載置する。そして、薬液処理、超音波洗浄又は二流体洗浄などの物理力による洗浄処理及び純水による置換処理を含むスピン洗浄し、その後、スピン乾燥でシリコンウェーハ上に残留した液を飛散させる。
以下、図1を参照しつつ、本発明に従うスピンテーブル3の回転速度決定方法の実施形態について説明する。この方法は、枚葉式スピン洗浄乾燥装置1内においてスピンテーブル3の回転時における枚葉式スピン洗浄乾燥装置1内の気中パーティクル11量を評価する工程と、スピンテーブル3の回転速度と気中パーティクル11量との関係に基づいて、スピン乾燥中のスピンテーブル3の最大の回転速度を決定する工程と、を含む。以下、各構成及び各工程の詳細を順次説明する。
枚葉式スピン洗浄乾燥装置内1の気中パーティクル11量の評価工程は、公知のパーティクルカウンター12を用いて実施することができる。気中パーティクル11量の評価は、スピンテーブルの回転時に装置内で測定すればよく、パーティクルカウンター12のプローブ13を装置内部に配置すればよい。また、測定のタイミングとしては、実際に行われる枚葉式スピン洗浄乾燥プロセスに先立って行ってもよく、枚葉式スピン洗浄乾燥プロセスの最中に行ってもよい。ここで、「実際に行われる枚葉式スピン洗浄乾燥プロセス」とは、実際にシリコンウェーハ2がスピンテーブル3上に載置され、実際に枚葉式スピン洗浄乾燥プロセスが行われることをいう。本発明者らはスピンテーブル3の回転速度が大きい程、測定される気中パーティクルの量も多くなることを知見した。
続けて、スピンテーブルの最大の回転速度を決定する工程では、スピンテーブル3の回転速度と前記気中パーティクル11量との関係に基づいて、スピン乾燥中のスピンテーブル3の回転速度を決定する。特に、気中パーティクル11量が、パーティクルカウンター12の検出限界となるスピンテーブル3の回転速度を、スピン乾燥中のスピンテーブル3の最大の回転速度に決定することが好ましい。このとき、気中パーティクル11量はスピンテーブル3の回転速度の変化に即座に応答するため、スピンテーブル3の回転速度を変更した一連の評価は連続的に行うことができる。また、同様の理由により、実際の枚葉式スピン洗浄乾燥プロセスの最中に、気中パーティクル量を評価しつつ、スピン乾燥中のスピンテーブル3の最大の回転速度を決定し、一連のプロセスの中でスピン洗浄乾燥を行う事もできる。また、スピン乾燥中の枚葉式スピン洗浄乾燥装置1内の気中パーティクル11量が多くなれば、そのスピン乾燥を経たシリコンウェーハ2の表面欠陥増加数も増加する。
内容積が0.18m3、ファンフィルタユニットの供給風量が8m3である枚葉式スピン洗浄乾燥装置において、チャンバーの排気量を8m3/minとした。パーティクルカウンター(リオン社製:エアーパーティクルカウンター KC-24)にプローブを接続して枚葉式スピン洗浄乾燥装置の内部の気中パーティクル量を測定したところ、0個/cfとなっていることを確認した。
各回転速度における気中パーティクル量測定結果を図2に示す。測定結果からは、回転速度が小さくなるほど、測定される気中パーティクルの数量も低減した。そして、スピンテーブルの回転速度が1200rpm以下において、パーティクルカウンターの検出限界となり、評価される気中パーティクル量は0個/cfを示した。枚葉式スピン洗浄乾燥装置内におけるスピンテーブルの回転速度と気中パーティクル量との関係を評価した。図2より、スピンテーブルの回転速度と気中パーティクル量とは、ほぼ比例関係にあることが分かる。この原因は、スピンテーブルの回転によって上昇気流が発生し、回転機構の駆動部で発生したパーティクルや洗浄後の残留ミストが排気側から巻き上がるためと考えられる。上昇気流は、スピンテーブルの回転によって攪拌された空気が遮蔽板14の下部の空間で局所的に飽和したときにスピンカップと遮蔽板14の隙間から吹き出すことで発生すると考えられる。また、スピンテーブルの回転速度が1200rpm以下において気中パーティクル量が0個/cfとなった理由については、スピンテーブルの回転速度の低下に伴い上昇気流が弱まり、巻き上がりが減少したためと考えられる。
<<確認試験1>>
まず、直径が300mmの、表面が清浄なシリコンウェーハを25枚準備した。次に、この表面が清浄なシリコンウェーハ全てにおいて、スピン洗浄乾燥前の表面欠陥量を評価するために、粒径120nm以上の表面欠陥を測定するシリコンウェーハ表面欠陥検査装置(KLA―Tencor社製Surfscan SP2)によるパーティクル測定を行った。
つぎに、比較の確認試験として、スピン乾燥中のスピンテーブルの回転速度を1000rpmに設定し、その他の条件は、確認試験1と同様の試験を行った。
スピン洗浄および乾燥を行った後の粒径120nm以上の表面欠陥増加数を、スピン乾燥中のスピンテーブルの回転速度1500rpmと1000rpmの2水準で比較して図3に示す。図3より、スピン乾燥中のスピンテーブル回転速度が小さい1000rpmの表面欠陥増加数が回転速度1500rpmの表面欠陥増加数の半分以下であることが分かった。この結果について、スピンテーブルの回転速度が1500rpmでは、実験1で評価されたように枚葉式スピン洗浄乾燥装置内の気中パーティクル量が多いため、表面欠陥増加数が比較的多くなったものと考えられる。一方、スピンテーブルの回転速度が1000rpmでは、装置内の気中パーティクルの量がほぼ0個/cfのため、表面欠陥増加数が少なくなったものと考えられる。
2 シリコンウェーハ
3 スピンテーブル
4 回転軸
5 支持ピン
6 給気口
7 ファンフィルタユニット
9 スピンカップ
10 駆動部
11 気中パーティクル
12 パーティクルカウンター
13 プローブ
14 遮蔽板
15 チャンバー
Claims (4)
- スピン洗浄と、引き続くスピン乾燥とを含む枚葉式スピン洗浄乾燥方法において、
前記スピン乾燥中のスピンテーブルの回転速度が、前記スピン洗浄中のスピンテーブルの回転速度よりも大きく、かつ、
前記スピン乾燥中のスピンテーブルの回転速度が、
枚葉式スピン洗浄乾燥装置のスピンテーブルの回転時における枚葉式スピン洗浄乾燥装置内の気中パーティクル量を評価する第1工程と、
前記スピンテーブルの回転速度と前記気中パーティクル量との関係に基づいて、スピン乾燥中の前記スピンテーブルの最大の回転速度を決定する第2工程と、を含む枚葉式スピン洗浄乾燥装置のスピンテーブル回転速度決定方法により決定されるスピンテーブルの最大の回転速度以下であり、
前記第2工程において、前記スピン乾燥中の前記スピンテーブルの最大の回転速度を、前記気中パーティクル量の検出限界となる回転速度とする、
枚葉式スピン洗浄乾燥方法。 - 前記スピン乾燥中のスピンテーブルの回転速度を、800rpmよりも大きく、かつ、1200rpm以下とする、請求項1に記載の枚葉式スピン洗浄乾燥方法。
- 前記第1工程及び第2工程が、実際に行われる枚葉式スピン洗浄乾燥プロセスに先立って行われる、請求項1又は2に記載の枚葉式スピン洗浄乾燥方法。
- 前記第1工程及び第2工程が、実際に行われる枚葉式スピン洗浄乾燥プロセスの最中に行われる、請求項1又は2に記載の枚葉式スピン洗浄乾燥方法。
Priority Applications (1)
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JP2021178345A JP7351331B2 (ja) | 2021-10-29 | 2021-10-29 | シリコンウェーハの枚葉式スピン洗浄乾燥方法 |
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JP2019134124A (ja) | 2018-02-02 | 2019-08-08 | 信越半導体株式会社 | ウェーハ洗浄処理装置及びウェーハ洗浄方法 |
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