WO2019021585A1 - 基板処理装置、及び基板処理装置の部品検査方法 - Google Patents

基板処理装置、及び基板処理装置の部品検査方法 Download PDF

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橋詰　彰夫
大輔 平田
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Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate. More specifically, the present invention relates to a substrate processing apparatus provided with a component inspection unit and a method of inspecting a component of the substrate processing apparatus.
  • the substrates referred to in the present specification include, for example, semiconductor wafers, substrates for liquid crystal displays, substrates for plasma displays, substrates for organic EL, substrates for optical disks, substrates for magnetic disks, substrates for magneto-optical disks, photomask substrates, Ceramic substrates, substrates for solar cells, etc. are included.
  • the components of these devices are coated with resin such as PTFE (polytetrafluoroethylene) or PFA (tetrafluoroethylene-perfluoroalkylvinylether copolymer) for the purpose of corrosion resistance by the chemical solution used for substrate processing.
  • resin such as PTFE (polytetrafluoroethylene) or PFA (tetrafluoroethylene-perfluoroalkylvinylether copolymer) for the purpose of corrosion resistance by the chemical solution used for substrate processing.
  • the inspection operation using the actual substrate is regularly performed conventionally, and the degree of deterioration of the part is measured by measuring the amount of particles and the like generated by the inspection operation, and an abnormality (coating peeling) is found.
  • measures such as replacement of parts and recoating process.
  • an imaging device is provided in the processing apparatus and an abnormality of a part is detected using an image obtained by imaging the target part, the apparatus is not immediately operated for inspection, and the immediacy is excellent. It is also possible to carry out an examination. However, it is difficult to detect minute pinholes and the like on the surface of parts of a device from an image, and it is difficult to appropriately detect an abnormality of a device part by such an inspection method.
  • the present invention provides a substrate processing apparatus using a processing liquid which can promptly remove an abnormality (resin peeling) in a component of the apparatus without reducing the operation rate of the apparatus.
  • the object is to provide a means by which it is possible to detect and respond.
  • the present invention adopts the following configuration.
  • the substrate processing apparatus is a substrate processing apparatus that performs substrate processing with a processing liquid, and has an inspection unit that inspects deterioration of a resin-coated metal component that constitutes the substrate processing apparatus.
  • the inspection means comprises a measuring means for measuring a predetermined metal concentration in the liquid in contact with the part to be inspected, and a comparison between the metal concentration measured by the measuring means and a predetermined threshold value.
  • degradation determination means for determining the degree of degradation.
  • the measuring means may measure the metal concentration in the drainage of the liquid.
  • the liquid may include an apparatus cleaning liquid for cleaning the inside of the substrate processing apparatus.
  • the liquid may contain the treatment liquid.
  • the substrate processing apparatus may further include a processing liquid tank for storing the processing liquid, and the measuring unit may be provided in the processing liquid tank.
  • the measuring unit may be provided in the processing liquid tank.
  • the substrate processing apparatus may be a batch-type apparatus, and the component to be inspected may be a lifter.
  • the lifter of a batch type apparatus is often exposed to a chemical solution, and when metals are eluted in the processing solution in the processing tank, the substrate is adversely affected on a lot basis, so that the present invention can perform regular and immediate inspection. More remarkable effects can be obtained by applying.
  • the substrate processing apparatus may be a single wafer processing apparatus, and the component to be inspected may be a spin chuck.
  • the spin chuck more specifically, the spin base, chuck pin
  • the resin coating on the part is peeled off
  • the substrate to be treated is adversely affected directly. Will be extended. For this reason, more remarkable effects can be obtained by applying the present invention which can perform regular and immediate inspections.
  • different thresholds may be set according to differences in apparatus conditions and processing conditions such as the specification of the substrate processing apparatus, the process of the substrate processing, the supply condition of the liquid, and the like. When these conditions are different, the degree of progress of deterioration of the resin coating is also different.
  • the optimal threshold value for each condition can be acquired, for example, as to the degree of deterioration of the sample member, and experimentally determined based on the data. By setting a threshold for each condition, it is possible to carry out an inspection with higher accuracy.
  • the measuring means may be a resistivity meter. Since it is only necessary to know whether (heavy) metal components are detected from the target liquid in the inspection, the metal in the liquid can be quickly and easily measured by measuring the conductivity of the liquid using a resistivity meter. It becomes possible to determine the presence or absence of a component.
  • the resistivity meter can be obtained by spacing electrodes in a liquid at a specific interval and measuring the electric resistance value of the liquid. The area of the electrodes and the distance between the electrodes are strictly set because they affect the magnitude of the value of the electrical resistance. As a method of measuring the metal concentration in the liquid, instead of measuring the specific resistance, the conductivity (or the electric conductivity) of the liquid may be measured.
  • the inspection apparatus further includes an output unit that outputs the degree of deterioration determined by the deterioration determination unit, and the output unit is configured such that the degree of deterioration determined by the deterioration determination unit exceeds a predetermined standard.
  • a warning signal may be output. According to such a configuration, it is possible to prevent continued use of an abnormal part in which resin peeling has occurred.
  • the component inspection method of a substrate processing apparatus is a method of inspecting the deterioration of a resin-coated component that constitutes a substrate processing apparatus that performs substrate processing with a processing liquid, and supplies a liquid to the apparatus.
  • the threshold value in the component inspection method may be set according to a difference in measurement condition including at least one of the specification of the substrate processing apparatus, the process of the substrate processing, and the supply condition of the liquid. Good.
  • the part inspection method may further include a determination result output step of outputting the degree of deterioration of the part determined in the deterioration determination step, and further, the deterioration determined in the deterioration determination step
  • the method may further comprise a warning step of outputting a warning signal if the degree exceeds a predetermined reference.
  • the measurement of the predetermined metal concentration in the measurement step may be performed by measuring a specific resistance in the liquid.
  • each of the steps may be performed before and / or after substrate processing on a lot basis. According to such an inspection method, it is possible to inspect a part in a standby time between substrate processing in lot units, which can contribute to improvement in the operation rate of the substrate processing apparatus.
  • each step may be performed each time processing of one substrate is completed.
  • the inspection of the parts is performed for each substrate in this manner, it is possible to prevent the processing of the substrate using the abnormal parts in which the resin peeling has occurred.
  • each step may be performed during substrate processing.
  • component inspection of the apparatus can also be performed during the substrate processing routine, so that component inspection can be performed very efficiently. It can contribute to the improvement of the operation rate.
  • the liquid in the component inspection method may be a processing liquid used for the substrate processing and / or an apparatus cleaning liquid for cleaning the inside of the substrate processing apparatus.
  • the substrate processing apparatus using the processing liquid if any abnormality (resin peeling) occurs in the component of the apparatus without lowering the operation rate of the apparatus, this is promptly detected and dealt with. Is possible.
  • FIG. 1 is a schematic view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to a first embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic front view showing the main configuration of the processing tank of the first embodiment.
  • FIG. 3 is a partial plan view of the substrate processing apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a block diagram showing the function of the control device of the first embodiment.
  • FIG. 5 is a graph showing the correlation between the metal concentration of the treatment liquid and the specific resistance value.
  • FIG. 6 is a flowchart showing the flow of processing when setting an inspection reference in the first embodiment.
  • FIG. 7 is a flowchart illustrating an example of timing when the process of determining deterioration of a part is performed in the first embodiment.
  • FIG. 8 is a flowchart illustrating an example of timing when the process of determining deterioration of a part is performed in the first embodiment.
  • FIG. 9 is a schematic view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to a second embodiment.
  • FIG. 10 is a block diagram showing the function of the control device of the second embodiment.
  • FIG. 11 is a flowchart illustrating the flow of processing when setting an inspection reference in the second embodiment.
  • FIG. 12 is a flowchart illustrating an example of timing when the process of determining deterioration of a part is performed in the second embodiment.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment
  • FIG. 2 is a schematic front view showing the main part configuration of the processing tank 110 of the substrate processing apparatus 100
  • the substrate processing apparatus 100 is a so-called batch-type apparatus for storing the processing liquid in the processing tank 110 and immersing the substrate in the processing tank 110 using the lifter 130 for holding the substrate W to perform cleaning processing of the substrate W and the like. It is.
  • a plurality of substrates W hereinafter, a group of a plurality of substrates W are also referred to as a lot
  • the substrate processing apparatus 100 may be a multilayer type apparatus using different processing baths for each processing liquid, or a single-layer type apparatus capable of exchanging the processing liquid while holding the substrate W in the processing bath. It may be.
  • the substrate processing apparatus 100 includes a processing tank 110 including a dip tank 111 and an overflow tank 112, a processing liquid discharge nozzle 120 disposed in the processing tank, and a processing liquid supply source 125. , A lifter 130, a drainage recovery unit 150, and a control device 160. And in the immersion tank 111, the resistivity meter 140 is installed.
  • the treatment liquid discharge nozzles 120 are provided on both sides of the bottom of the immersion tank 111, and supply the treatment liquid such as various chemical solutions and pure water into the immersion tank 111.
  • the treatment liquid discharge nozzle 120 is a cylindrical nozzle extending along the longitudinal direction of the treatment tank 110, and includes a plurality of discharge holes. Further, the treatment liquid discharge nozzle 120 is connected to the treatment liquid supply source 125 outside the treatment tank 110, and a predetermined treatment liquid is supplied from the treatment liquid supply source 125.
  • the treatment liquid discharge nozzle 120 may be provided with one slit-shaped discharge port instead of the plurality of discharge holes.
  • processing liquid is used in the meaning including a chemical solution and pure water.
  • processing solution includes a coating solution such as a photoresist solution for film formation, a chemical solution for removing an unnecessary film, a chemical solution for etching, and the like.
  • the processing liquid supplied from the processing liquid supply source 125 is discharged from the discharge holes of the processing liquid discharge nozzle 120 into the immersion tank 111.
  • the discharge holes are provided toward the central bottom of the immersion tank 111, and the processing liquid discharged from the processing liquid discharge nozzles 120 on both sides flows parallel to the bottom wall of the immersion tank 111, and eventually the bottom of the immersion tank 111. It collides at the center, and then a flow of the processing liquid directed upward is formed near the central portion of the immersion tank 111. Then, the treatment liquid supplied from the treatment liquid discharge nozzle 120 overflows from the upper portion of the immersion tank 111, and the overflowing treatment liquid is collected in the drainage recovery unit 150 in communication with the bottom of the overflow tank 112. Be done.
  • the lifter 130 is a component for immersing the substrate W in the processing liquid stored in the immersion tank 111.
  • the lifter 130 is provided in a cantilever shape on the elevation driving source 131, the lifter arm 132, the plate portion 133 connected to the lifter arm, and the plate portion 133, and three substrate holding members (one for holding the substrate W A central holding member 134 and two side holding members 135A, 135B) are provided.
  • the central holding member 134 holds the substrate in contact with the outer edge of the substrate W positioned vertically downward from the center of the substrate W held in a posture in which the upper and lower surfaces are positioned in the horizontal direction (hereinafter also referred to as a standing posture). It is.
  • the side holding members 135A and 135B are disposed at equal distances from the center holding member 134 on both sides along the outer edge of the substrate W held in the upright position, with the center holding member 134 in between.
  • the upper end of the central holding member 134 and the lower ends of the side holding members 135A and 135B are arranged so as to have a predetermined interval in the vertical direction.
  • FIG. 3 is a schematic plan view of the plate portion 133 of the lifter 130 and the three substrate holding members. As shown in FIG. 3, in each of the substrate holding members, a plurality of grooves for holding the substrate W in a standing posture, in which the outer edge portion of the substrate W is fitted, are provided with a plurality of grooves at predetermined intervals in the longitudinal direction. Have.
  • the lifter arm 132, the plate portion 133, and the substrate holding members 134, 135A, and 135B can be integrally lifted and lowered in the vertical direction by the lifting and lowering drive source 131.
  • the lifter 130 immerses the plurality of substrates W held in parallel by the three substrate holding members at predetermined intervals in the processing liquid stored in the immersion tank 111, and the upper side of the processing tank 110. It can be raised and lowered between a position where substrate transfer with the transfer robot is performed.
  • various known mechanisms such as a ball screw mechanism, a belt mechanism, an air cylinder and the like can be adopted as the elevation drive source 131.
  • the resistivity meter 140 is provided with a sensor for measuring the specific resistance value of the liquid, and the sensor can be brought into contact with the treatment liquid (desirably so as to be immersed when the treatment liquid is supplied to the immersion tank 111). ), Installed on the inner wall of the immersion tank 111.
  • a known technique including a commercially available product can be used for the resistivity meter 140, in particular, it is desirable that the sensor part be a material having excellent chemical resistance and heat resistance.
  • the specific resistance value in the processing liquid is measured by the resistivity meter 140, and the measured value is input to the signal processing unit 162 of the control device 160.
  • the amount of metal component in the liquid can be grasped by acquiring the specific resistance value. can do.
  • the drainage recovery unit 150 recovers the treatment liquid overflowing from the immersion tank 111 into the overflow tank 112.
  • the drainage collected in the drainage collection unit 150 is subjected to purification processing, and then sent to the treatment liquid supply source 125 to be circulated and used.
  • the apparatus may be configured to be discharged out of the apparatus without performing the purification process of the drainage.
  • the hardware configuration of the control device 160 is similar to that of a general computer. That is, an input unit such as a keyboard, an output unit such as a monitor, a central processing unit (CPU), a read only memory (ROM), a random access memory (RAM), a mass storage device, and the like are provided.
  • the CPU of the control device 160 executes a predetermined processing program to control each operation mechanism such as the transfer robot of the substrate processing apparatus 100, the processing liquid discharge nozzle 120, and the lifter 130, and the processing in the substrate processing apparatus 100 is performed. .
  • the substrate processing apparatus 100 includes those that come in contact with the processing liquid (and the vapor of the processing liquid), for example, each part of the lifter 130 and the immersion tank 111 etc.
  • a resin coating is applied for this purpose and has a coating layer on the surface. Metal is used as a base of the coating. If the coating is degraded, the processing solution may intrude into the resulting gap. In addition, the coating film becomes thin or blisters are formed on the surface of the coating film, so that the treatment liquid can easily penetrate the base. For this reason, when the coating is peeled off or blisters are generated on the surface due to the corrosion by the chemical solution, the metal component of the base is eluted in the processing solution, and the metal contamination of the substrate occurs.
  • PCTFE polychlorotrifluoroethylene
  • ECTFE chloro trifluoroethylene ⁇ ethylene copolymer
  • PFA tetrafluoroethylene ⁇ perfluoroalkyl vinyl ether copolymer
  • PTFE Polytetrafluoroethylene
  • FIG. 4 is a block diagram showing functions related to component inspection of the resistivity meter 140 and the controller 160.
  • the determination unit 161 illustrated in FIG. 4 is a functional processing unit implemented in the control device 160 by the CPU of the control device 160 executing a predetermined processing program. Although the details will be described later, the determination unit 161 determines whether or not there is an abnormality in a part having a resin coating layer that constitutes the substrate processing apparatus 100 based on the specific resistance value calculated by the specific resistance meter (ie inspection of the part) )I do.
  • the inspection standard storage unit 163 is configured by the above-described RAM or magnetic disk, and the determination threshold used for the determination by the determination unit 161 is a condition such as the specification of the processing apparatus, the type of processing liquid, and the supply condition of processing liquid. It memorizes in the mode according to each.
  • the output unit 164 outputs various types of information including the inspection result.
  • the output destination of information is typically a display device such as a monitor, but it outputs information to the printing device, outputs a message or alarm from a speaker, or sends a message to the user's terminal by e-mail or the like. It may be transmitted or information may be transmitted to an external computer.
  • the determination unit 161 performs inspection based on the specific resistance value of the processing liquid acquired by the specific resistance meter 140 as to whether or not there is an abnormality (resin peeling) in the inspection target part. That is, when the metal component is eluted in the processing solution, the metal ion concentration of the processing solution is increased, and the specific resistance value of the processing solution is reduced accordingly. Specific examples of such correlation between metal ion concentration and specific resistance value are shown below.
  • FIG. 5 is a graph showing the relationship between the metal ion concentration of the treatment liquid and the specific resistance value.
  • the ordinate represents the metal ion concentration
  • the abscissa represents the specific resistance value.
  • the metal ions in the treatment solution are measured from the measured resistivity value by grasping in advance data or a relational expression indicating the relationship between the metal ion concentration of the treatment solution as illustrated in FIG. 5 and the specific resistance value. It is possible to estimate the value of the concentration.
  • the lifter 130 to be inspected in the present embodiment will be further described by way of example.
  • the coating is gradually deteriorated by the chemical solution, and a phenomenon (blister) in which the surface of the resin coating layer floats up partially occurs.
  • a metal part (primer) used as a base of the coating is exposed.
  • the resistivity of the processing liquid decreases in inverse proportion to that.
  • the threshold value of the specific resistance value corresponding to the allowable metal ion concentration is set in advance, and acquired by the specific resistance meter 140 It is preferable to detect an abnormality of the resin-coated part (determine the presence or absence of an abnormality) by comparing the specific resistance value with the threshold value.
  • a warning may be issued from the output unit 164.
  • the warning issued from the output unit 164 may be an error screen displayed on the monitor, an alarm issued from a speaker, or blinking of an alarm lamp.
  • FIG. 6 is a flowchart showing the flow of processing when setting such a determination reference (threshold).
  • the treatment liquid is stored in the immersion tank 111 and the lifter 130 is immersed therein, and the resistivity meter 140 is held in that state.
  • the specific resistance value of the treatment liquid stored in the immersion tank 111 is measured by the measurement (step S101).
  • the control device 160 acquiring the specific resistance value from the specific resistance meter 140 stores the data of the specific resistance value as an initial specific resistance value in the inspection standard storage unit 163 (step S102).
  • step S103 a value obtained by subtracting a predetermined margin based on the initial specific resistance value is registered in the inspection standard storage unit 163 as a resin peeling threshold value.
  • the resin peeling threshold value is set relatively close to the initial specific resistance value. You should keep it.
  • the outline of the normal operation of the substrate W in the substrate processing apparatus 100 is determined by placing the lot of unprocessed substrate W received from the outside by the transfer robot on the lifter 130 and setting this in the immersion tank 111 in which the processing liquid is stored. After immersion for a period of time, the transfer robot receives and takes out the processed lot and returns it to the outside. Therefore, as shown below, the inspection can be performed at various timings.
  • FIG. 7 is a flow chart showing an example of the timing at which the component abnormality determination processing is performed.
  • the processing liquid is stored in the immersion tank 111 and the lifter 130 on which the substrate is not mounted is immersed at idle time before starting substrate processing on a lot basis.
  • Step S111 the specific resistance value in the processing liquid is measured by the resistivity meter 140, and the value is input to the control device 160 (step S112).
  • the determination unit 161 compares the threshold value stored in the inspection standard storage unit 163 with the acquired specific resistance value (step S113), and if the specific resistance value is not below the threshold, one lot A minute substrate processing is carried out (S114).
  • the output unit 164 sends a warning signal notifying that the component is abnormal (step S115).
  • FIG. 8 is a flow chart showing another example of the timing of carrying out the abnormality determination process of the component.
  • the processing liquid is stored in the immersion tank 111, and the lifter 130 is immersed (steps S121 and S122).
  • the specific resistance value in the processing liquid is measured by the resistivity meter 140, and the value is input to the control device 160 (step S123).
  • the determination unit 161 compares the threshold value stored in the inspection standard storage unit 163 with the acquired specific resistance value (step S124), and when the specific resistance value is not below the threshold value, the process is directly performed.
  • step S124 when the specific resistance value is lower than the threshold value, the output unit 164 transmits a warning signal notifying that the component is abnormal (step S125).
  • a warning signal notifying that the component is abnormal
  • the component abnormality determination process may be performed at any timing before and after the substrate processing on a lot basis, just in case. Good. If the substrate to be processed contains a metal component, the abnormality determination process can be performed with higher accuracy than the process of determining the component during the substrate process by performing the process of determining the component before or after the substrate process. . If the substrate contains a metal component, it can not be distinguished whether the metal of the part has eluted or the metal of the substrate has eluted, even if metal elution has been confirmed in the processing solution. This is because it is difficult to determine abnormality of a part (by the processing liquid used for processing the substrate) during substrate processing.
  • the substrate does not contain a metal component
  • abnormality peeling
  • the operation of the apparatus It is possible to improve the rate.
  • degradation occurs in the parts constituting the apparatus, it is possible to promptly detect and respond to this.
  • the resistivity meter 140 was installed in the immersion tank 111 of the processing tank 110, it is also possible to install the resistivity meter 140 in the place other than this.
  • it may be installed at the bottom of the overflow tank 112 of the processing tank 110, or may be installed in the drainage recovery unit 150. In other words, it is sufficient that the specific resistance value in the liquid in contact with the part to be inspected can be measured.
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of a substrate processing apparatus 200 according to the present embodiment.
  • the substrate processing apparatus 200 is a so-called sheet-fed spray type cleaning apparatus which processes the substrates W for semiconductor use one by one.
  • the circular silicon substrate W is rotated at high speed, droplets of chemical solution and pure water are sprayed onto the substrate W in a spray form, and particles and the like on the substrate W are removed.
  • the substrate processing apparatus 200 includes a spin chuck 220 for horizontally holding a substrate W as a main element in a box-shaped chamber 210, and a processing liquid on the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 220. And a cup 240 surrounding the periphery of the spin chuck 220.
  • a control device 260 and a transfer robot for carrying the substrate W into and out of the chamber 210 are provided.
  • the chamber 210 includes a side wall 211 surrounding the outer periphery along the vertical direction, a ceiling 212 closing the upper side of a space surrounded by the side wall 211, and a floor 213 closing the lower side.
  • a space surrounded by the side wall 211, the ceiling 212, and the floor 213 is a processing space of the substrate W.
  • a loading / unloading port for the transfer robot to load / unload the substrate W into / from the chamber 210 and a shutter for opening / closing the loading / unloading port are provided on part of the side wall 211 of the chamber 210 (not shown).
  • a ceiling 212 of the chamber 210 is provided with a fan filter unit 214 for purifying the air and supplying it to the processing space in the chamber 210.
  • the fan filter unit 214 includes a fan and a filter for taking in the air in the clean room where the substrate processing apparatus 200 is installed and sending it out into the chamber 210, and the down of the air cleaned in the processing space in the chamber 210. Form a flow. Then, the air fed by the fan filter unit 214 is exhausted to the outside of the apparatus from an exhaust duct 215 provided below the chamber 210, for example, a part of the side wall 211 and in the vicinity of the floor 213.
  • the spin chuck 220 includes a disc-shaped spin base 221 fixed to the upper end of a rotating shaft 224 extending along the vertical direction, and a spin motor 222 for rotating the rotating shaft 224 is provided below the spin base 221 .
  • the spin motor 222 rotates the spin base 221 on a horizontal plane via the rotation shaft 224.
  • the driving of the spin motor 222 is performed by the controller 260.
  • a cover member 223 is provided so as to surround the spin motor 222 and the rotation shaft 224. The upper end of the cover member 223 is located directly below the spin base 221, and the lower end is fixed to the floor 213 of the chamber 210.
  • the spin base 221 is a disc made of titanium, and its surface is coated with a resin such as PCTFE, ECTFE, PFA, or PTFE.
  • the upper surface of the spin base 221 faces the entire lower surface of the substrate W to be held, and the outer diameter of the spin base 221 is slightly larger than the diameter of the circular substrate W held by the spin chuck 220. It has become.
  • a plurality of (six in the present embodiment) chuck pins 226 are provided on the peripheral edge of the top surface of the spin base 221 so as to protrude upward.
  • the plurality of chuck pins 226 are arranged at equal intervals (at intervals of 60 ° in the present embodiment) along the circumference corresponding to the outer circumference of the circular substrate W.
  • the plurality of chuck pins 226 can hold the substrate W in a horizontal posture above the spin base 221 and close to the upper surface by holding the peripheral edge of the substrate W from the side.
  • the spin motor 222 rotates the rotation shaft 224, whereby the substrate W can be rotated around the rotation axis X along the vertical direction passing the center of the substrate W.
  • the cup 240 surrounding the spin chuck 220 includes a cylindrical outer wall 241, a splash guard 242 surrounding the spin chuck 220 inward of the outer wall 241, and a guard lifting unit (not shown) for vertically moving the splash guard 242 up and down.
  • a drainage recovery unit 245 is provided.
  • the outer wall 241 is fixed to the floor 213 of the chamber 210, and the splash guard 242 is provided to be able to move up and down with respect to the outer wall 241 of the cup 240.
  • the drainage recovery unit 245 is provided at the bottom of the cup 240, and is connected to a treatment liquid recovery mechanism (not shown) outside the cup 240.
  • a resistivity meter 250 is disposed in the drainage recovery unit 245. The resistivity meter 250 measures the specific resistance value of the treatment liquid or the later-described cleaning liquid in the chamber collected by the drainage collection unit 245, and inputs the value to the control device 260.
  • the splash guard 242 includes a cylindrical inclined portion 243 having a tapered side surface extending obliquely upward toward the rotation axis X, and a cylindrical guide portion 244 extending downward from the lower end portion of the inclined portion 243.
  • the upper end of the inclined portion 243 has an annular shape having an inner diameter larger than that of the substrate W and the spin base 221, and corresponds to the upper end 242a of the splash guard 242.
  • the guard lifting unit is provided between the lower position where the upper end 242a of the splash guard 142 is lower than the substrate W and the upper position where the upper end 142a of the splash guard 142 is higher than the substrate W. Move up and down (in FIG. 1, the splash guard 242 is disposed at the upper position). Note that, as such an elevation mechanism, since various known mechanisms such as a ball screw mechanism and an air cylinder can be adopted, for example, the detailed description will be omitted.
  • the splash guard 242 is disposed at the upper position during the cleaning process of the substrate W (that is, while the substrate W is rotating), and receives the processing liquid scattering from the substrate W to the periphery thereof on its inner circumferential surface. While the cleaning process of the substrate W is not performed, the splash guard 242 is in a standby state at the lower position, and at this time, the substrate W is delivered between the transport robot (not shown) and the spin chuck 220. The treatment liquid accumulated on the bottom of the cup by being received by the splash guard 242 or the like is discharged from the cup 240 through the drainage recovery unit 245.
  • the processing liquid nozzle 230 is configured by attaching a nozzle head 231 to the tip of a nozzle arm 232.
  • the base end side of the nozzle arm 232 is connected to a nozzle base (not shown), and the nozzle base is configured to be rotatable around an axis along the vertical direction by a motor (not shown).
  • the processing liquid nozzle 230 moves in a circular arc along the horizontal direction between the processing liquid discharge position above the spin chuck 220 and the standby position outside the cup 240.
  • the processing liquid for example, SPM
  • the compressed gas are supplied to the upper processing liquid nozzle 230, and the liquid and liquid mixture droplets are transferred from the nozzle head 231 onto the substrate W held by the spin chuck 220. It spouts toward you. Further, the processing liquid nozzle 230 can be swung above the upper surface of the spin base 221 by the rotation of the nozzle base, and droplets can be ejected onto the substrate W while swinging.
  • the resistivity meter 250 is provided with a sensor for measuring the specific resistance value of the liquid, and the sensor can be brought into contact (preferably immersed) in the liquid when the liquid is collected in the drainage collection unit 245 To be installed).
  • the specific resistance value in the drainage is measured by the specific resistance meter 250, and the measured value is input to the control device 260.
  • the control device 260 since there is a strong correlation between the specific resistance value in the liquid and the metal (ion) concentration, by acquiring the specific resistance value, the amount of the metal component in the drainage can be grasped.
  • the hardware configuration of the control device 260 is similar to that of a general computer. That is, an input unit such as a keyboard, an output unit such as a monitor, a CPU, a ROM, a RAM, a mass storage device, and the like are provided.
  • an input unit such as a keyboard
  • an output unit such as a monitor
  • a CPU central processing unit
  • a ROM read-only memory
  • a RAM random access memory
  • mass storage device a mass storage device
  • FIG. 10 is a block diagram showing functions related to component inspection of the resistivity meter 250 and the controller 260.
  • the determination unit 261 illustrated in FIG. 10 is a functional processing unit implemented in the control device 260 by the CPU of the control device 260 executing a predetermined processing program. Although the details will be described later, the determination unit 261 determines whether or not there is an abnormality presence or absence of a component having a resin coating layer that constitutes the substrate processing apparatus 200 based on the specific resistance value calculated by the resistivity meter )I do.
  • the inspection reference storage unit 263 is configured by the above-described RAM or magnetic disk, and the determination threshold used for the determination by the determination unit 261 is a condition such as the specification of the processing apparatus, the type of processing liquid, and the supply condition of processing liquid It memorizes in the mode according to each.
  • the output unit 264 outputs various types of information including the inspection result.
  • the output destination of information is typically a display device such as a monitor, but it outputs information to the printing device, outputs a message or alarm from a speaker, or sends a message to the user's terminal by e-mail or the like. It may be transmitted or information may be transmitted to an external computer.
  • the determination unit 261 performs an inspection based on the specific resistance value of the processing liquid acquired by the specific resistance meter 250 as to whether or not there is an abnormality (resin peeling) in the inspection target part. That is, when the metal component elutes in the processing solution, the metal ion concentration of the processing solution increases, and the resistivity of the processing solution decreases in inverse proportion to this.
  • the spin base 221 to be inspected in the present embodiment will be further described by way of example.
  • the spin base 221 is made of titanium and the resin coating is applied to the surface, but the coating is gradually deteriorated by the chemical solution, and a phenomenon that the resin coating is peeled off occurs. Then, titanium (that is, a metal component) is exposed from the peeled portion of the coating. In such a state, when the processing solution comes in contact with the spin base 221, the metal component is eluted in the processing solution, and the metal ion concentration of the processing solution increases. Then, the resistivity of the processing liquid decreases in inverse proportion to that.
  • the threshold value of the specific resistance value corresponding to the allowable metal ion concentration is set in advance and acquired by the specific resistance meter 250 It is preferable to detect an abnormality of the resin-coated part (determine the presence or absence of an abnormality) by comparing the specific resistance value with a predetermined threshold value.
  • a warning may be issued from the output unit 264.
  • the warning issued from the output unit 264 may be an error screen displayed on a monitor, an alarm issued from a speaker, or blinking of an alarm lamp.
  • FIG. 11 is a flow chart showing the flow of processing when setting such a determination reference (threshold).
  • a chamber cleaning recipe for cleaning the inside of the chamber 210 with a cleaning liquid is executed (step S201).
  • the cleaning solution is sufficiently poured onto the spin base 221 as well.
  • the specific resistance value of the drainage passing through the drainage collection unit 245 by the resistivity meter 250 is determined at that time. It measures (step S202).
  • the control device 260 acquiring the specific resistance value from the specific resistance meter 250 stores the data of the specific resistance value as the initial specific resistance value in the inspection standard storage unit 263 (step S203).
  • a value obtained by subtracting an allowable error is registered as a resin peeling threshold value in the inspection standard storage unit 263 (step S204).
  • FIG. 12 is a flow chart showing an example of the timing at which the component abnormality determination processing is performed.
  • a chamber cleaning recipe is executed (step S211), and the resistivity of the drainage of the cleaning liquid is measured by the resistivity meter 250 ( Step S212).
  • the determination unit 261 compares the measured specific resistance value with the threshold stored in the inspection standard storage unit 263 (step S213), and performs substrate processing when it is not below the threshold (step S213). S214).
  • step S133 when the measured specific resistance value is less than the threshold value, the output unit 264 transmits a warning signal for notifying deterioration of the component (step S216).
  • the chamber cleaning recipe is executed at idle time before starting substrate processing in lot units, and the specific resistance value of the cleaning drainage is measured.
  • the determination unit 161 of the control device 160 compares the threshold value stored in the inspection standard storage unit 163 with the acquired specific resistance value, and when the specific resistance value is not below the threshold, one lot is determined. Perform substrate processing for a minute.
  • the output unit 164 transmits a warning signal notifying that the component is abnormal.
  • the substrate W to be processed does not contain a metal component, it is possible to perform an abnormality determination process on components even while the substrate processing is being performed.
  • the data table according to the difference in inspection conditions such as the type of inspection object part, the place where inspection object part is arranged, the application of the device (chemical solution used), etc. It may be set using.

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Abstract

本発明に係る基板処理装置は、処理液により基板処理を行う基板処理装置であって、該基板処理装置を構成する樹脂コーティングされた金属性部品、の劣化を検査する検査手段を有しており、前記検査手段は、検査対象の部品に接触した液体中の所定の金属濃度を計測する計測手段と、該計測手段によって計測された金属濃度と所定の閾値との対比により、検査対象の部品の劣化の程度を判定する劣化判定手段と、を備える。

Description

基板処理装置、及び基板処理装置の部品検査方法
　本発明は基板を処理する基板処理装置に関する。より具体的には、部品の検査手段を備えた基板処理装置及び、基板処理装置の部品を検査する方法に関する。なお、本明細書でいう基板には、例えば、半導体ウェハ、液晶ディスプレイ用基板、プラズマディスプレイ用基板、有機ＥＬ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク基板、セラミック基板、太陽光電池用基板などが含まれる。
　従来から、この種の装置として、処理液を処理槽に貯留し、基板を保持するリフターを用いて、基板を該処理槽に浸漬して基板の洗浄を行ういわゆるバッチ式の装置と、基板を水平に保持して回転させ、該回転する基板表面にノズルから処理液を吐出する、いわゆる枚葉型の装置が広く知られている（例えば、特許文献１、特許文献２）。
　これらの装置の構成部品には、基板処理に用いる薬液による耐蝕を目的として、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、ＰＦＡ（テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）などの樹脂コーティングが施されている。例えば、バッチ式の装置であれば、薬液に浸漬されるリフターは石英からなる部品本体に、金属製の下地（プライマー）を設けた上で上記の樹脂コーティングが施されて、薬液による部品本体の劣化を防止している。また、枚葉型の装置においても、金属製の部品（例えば、スクラバ装置におけるチタンディスクなど）を原因とする基板の金属汚染の防止、パーティクル発生の防止などを目的として、金属製部品に上記樹脂コーティングが施されることもある。
　上記の樹脂コーティングは長期間使用することにより、ピンホールなどの異常が発生し、これを原因として、樹脂の剥離によるパーティクルを生じたり、樹脂コーティング下の金属（下地部分を含む）が溶出して金属汚染が生じたりするという問題がある。
　このため、従来から定期的に実基板を用いた検査運転を行い、該検査運転により生じるパーティクルの量等を計測することによって部品の劣化度を測定し、異常（コーティング剥がれ）が発見された場合には、部品の交換、再コーティング処理を行う、などの対策がなされている。
　しかしながら、このような方法では、検査のためだけに装置を運転する必要があり、装置稼働率が低下するといった問題があった。一方、装置稼働率低下の抑止のために検査運転を実施する間隔を長くすると、適時な部品異常の検知が困難となるため、実際に装置部品に異常が生じてから、検査で異常が検出されるまでの間は、部品に異常のある状態で基板処理が行われてしまうという問題がある。
　なお、例えば処理装置に撮影機器を設け、対象部品を撮影して得られた画像を用いて部品の異常を検出するようにすれば、検査用に装置を運転することなく、即時性に優れた検査を実施することも可能である。しかしながら、装置の部品表面における微細なピンホールなどを画像から検知することは困難であり、このような検査手法により適切に装置部品の異常を検出することは難しい。
特開２００２－９６０１２号公報 特開２００３－９２３４３号公報
　本発明は上記の様な問題に鑑み、処理液を用いる基板処理装置において、装置の稼働率を低下させることなく、装置の構成部品に異常（樹脂剥がれ）が生じた場合には速やかにこれを検知して対応することが可能となる手段を提供することを目的とする。
　前記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用する。
　本発明に係る基板処理装置は、処理液により基板処理を行う基板処理装置であって、該基板処理装置を構成する樹脂コーティングされた金属性部品、の劣化を検査する検査手段を有しており、前記検査手段は、検査対象の部品に接触した液体中の所定の金属濃度を計測する計測手段と、該計測手段によって計測された金属濃度と所定の閾値との対比により、検査対象の部品の劣化の程度を判定する劣化判定手段と、を備えていることを特徴とする。
　このように、検査対象部品に接触した液体の金属濃度を計測する手段を備える装置構成とすることにより、半導体処理を行う通常の処理の流れの中で部品の検査を行うことができ、わざわざ検査運転を実施せずに部品の劣化を検査することが可能になる。これによって、装置の稼働率向上に寄与することができる。また、検査においては閾値を用いた判定を行うため、オペレーターの知識レベル、習熟度等に関係無く、均質で即時性のある検査を実施することができる。
　また、前記計測手段は、前記液体の排液中の前記金属濃度を計測するものであってもよい。このような構成であると、排液の流路に金属濃度計を設置することで、例えば枚葉型の装置であっても、容易に装置部品に接触した液体の金属濃度を計測することができる。
　また、前記液体には、前記基板処理装置内部を洗浄する装置洗浄液が含まれていてもよい。このような構成であると、基板処理装置の洗浄を行った際にも、いわばついでで装置部品の検査を行うことができ、装置の稼働率の向上に寄与することができる。
　また、前記液体には、前記処理液が含まれていてもよい。このような構成であると、処理される基板に金属成分が含まれていない場合には、基板処理のために装置を稼働しながら、装置部品の検査を行うことができ、装置の稼働率の向上に寄与することができる。
　また、前記基板処理装置は、前記処理液を貯留する処理液槽をさらに有しており、前記計測手段は、該処理液槽内に設けられるものであってもよい。いわゆるバッチ型の基板処理装置では処理槽の中に計測手段を設けておけば、実際に処理される基板が晒される環境の金属濃度を計測することができ、より正確に処理対象基板への影響を考慮した検査を行うことができる。
　また、前記基板処理装置はバッチ式の装置であって、前記検査対象の部品はリフターであってもよい。バッチ式装置のリフターは薬液に晒されていることが多く、処理槽内の処理液に金属が溶出すると、ロット単位で基板に悪影響が及ぶため、定常的かつ即時的な検査が可能な本発明を適用することで、より顕著な効果を得ることができる。
　また、前記基板処理装置は枚葉式の装置であって、前記検査対象の部品はスピンチャックであってもよい。枚葉式の装置ではスピンチャック（より具体的にはスピンベース、チャックピン）によって処理対象基板を支持するため、該部品の樹脂コーティングに剥がれが生じていると、処理対象基板に直接的に悪影響が及ぶことになる。このため、定常的かつ即時的な検査が可能な本発明を適用することで、より顕著な効果を得ることができる。
　また、前記閾値は、前記基板処理装置の仕様、前記基板処理のプロセス、前記液体の供給条件、など装置条件や処理条件の違いに応じて異なる閾値が設定されていても良い。これらの条件が異なると、樹脂コーティングの劣化の進行度合いも異なってくるからである。それぞれの条件毎の最適な閾値は、たとえばサンプル部材の劣化度合いについてデータ取得し、当該データを元に実験的に確定することが可能である。それぞれの条件毎に閾値を設定しておくことで、より精度の高い検査を実施することができる。
　また、前記計測手段は、比抵抗計であってもよい。検査においては対象の液中から（重）金属成分が検出されるか否かが分かればよいため、比抵抗計によって液体の導電性に基づく測定を行うことで、迅速かつ容易に液中の金属成分の有無を判定することが可能になる。比抵抗計とは、液体中に電極を特定間隔離間し、当該液体の電気抵抗値を測定することにより求めることができる。電極の面積や、電極を離間する間隔は、電気抵抗の値の大小に影響するため、厳密に設定される。なお、液体中の金属濃度を測定する方法として、比抵抗を測定する代わりに、液体の導電率（又は電気伝導率）を測定しても良い。
　前記検査装置は、前記劣化判定手段により判定された劣化の程度を出力する出力手段をさらに有しており、前記出力手段は、前記劣化判定手段により判定された劣化の程度が所定の基準を超えた場合には、警告信号を出力するものであってもよい。このような構成によると、樹脂剥がれの生じた正常でない部品を使用し続けることを防止することができる。
　また、本発明に係る基板処理装置の部品検査方法は、処理液により基板処理を行う基板処理装置を構成する、樹脂コーティングされた部品の劣化を検査する方法であって、液体を装置中に供給し、該液体を検査対象の部品に接触させる、液体供給ステップと、該検査対象の部品に接触させた液体中の所定の金属濃度を計測する、計測ステップと、該計測された金属濃度に対する所定の閾値に基づいて、検査対象の部品の劣化の程度を判定する、劣化判定ステップと、を有しており、前記の各ステップが、前記基板処理装置による基板処理の工程内において実施されること、を特徴とする。
　また、前記部品検査方法における前記閾値は、前記基板処理装置の仕様、前記基板処理のプロセス、前記液体の供給条件、のうち少なくとも一つを含む計測条件の違いに応じて、設定されていてもよい。
　また、前記部品検査方法は、前記劣化判定ステップにおいて判定された部品の劣化の程度を出力する、判定結果出力ステップをさらに有していてもよく、さらに、前記劣化判定ステップにおいて判定された劣化の程度が所定の基準を超えた場合には警告信号を出力する、警告ステップをさらに有していてもよい。
　また、前記計測ステップにおける前記所定の金属濃度の計測は、前記液体中の比抵抗を計測することにより行われるものであってもよい。
　また、前記部品検査方法は、前記の各ステップが、ロット単位での基板処理の前及び／又は後に実施されるものであってもよい。このような検査方法によると、ロット単位での基板処理の間の待機時間において、部品の検査を実施することができるため、基板処理装置の稼働率の向上に寄与することができる。
　また、前記部品検査方法は、前記の各ステップが、一基板の処理を終える毎に実施されるものであってもよい。このように基板毎に部品の検査を実施するようにすると、樹脂剥がれの生じた正常でない部品を用いて基板の処理を実施することを防止することができる。
　また、前記部品検査方法は、前記の各ステップが、基板処理中に実施されるものであってもよい。このように、基板処理中に検査を実施するようにすると、基板処理のルーティン中に装置の部品検査も実施することができるため、非常に効率的に部品の検査を実施することができ、装置稼働率の向上に寄与することができる。
　また、前記部品検査方法における前記液体は、前記基板処理に用いられる処理液、及び／又は、前記基板処理装置内部を洗浄する装置洗浄液、であってもよい。
　本発明によると、処理液を用いる基板処理装置において、装置の稼働率を低下させることなく、装置の構成部品に異常（樹脂剥がれ）が生じた場合には速やかにこれを検知して対応することが可能となる。
図１は、実施例１に係る基板処理装置の構成を示す概略図である。 図２は、実施例１の処理槽の要部構成を示す概略正面図である。 図３は、実施例１に係る基盤処理装置の部分平面図である。 図４は、実施例１の制御装置の機能を示すブロック図である。 図５は、処理液の金属濃度と比抵抗値の相関関係を示すグラフである。 図６は、実施例１において検査基準を設定する際の処理の流れを示すフローチャートである。 図７は、実施例１において、部品の劣化を判定する処理を実施するタイミングの一例を示すフローチャートである。 図８は、実施例１において、部品の劣化を判定する処理を実施するタイミングの一例を示すフローチャートである。 図９は、実施例２に係る基板処理装置の構成を示す概略図である。 図１０は、実施例２の制御装置の機能を示すブロック図である。 図１１は、実施例２において検査基準を設定する際の処理の流れを示すフローチャートである。 図１２は、実施例２において、部品の劣化を判定する処理を実施するタイミングの一例を示すフローチャートである。
　以下に図面を参照して、この発明を実施するための形態を、実施例に基づいて例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは、特に記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
　＜実施例１＞
　図１は本実施例の基板処理装置１００を示す概略断面図、図２は基板処理装置１００の処理槽１１０の要部構成を示す概略正面図である。基板処理装置１００は、処理液を処理槽１１０に貯留し、基板Ｗを保持するリフター１３０を用いて、基板を該処理槽１１０に浸漬して基板Ｗの洗浄処理等を行ういわゆるバッチ型の装置である。基板処理装置１００には、搬送ロボット（図示しない）によって、複数の基板Ｗ（以下、ひとまとまりの複数の基板Ｗをロットともいう）が装置内外に搬入出される。なお、基板処理装置１００は、処理液毎に異なる処理槽を用いる多層式の装置であってもよいし、基板Ｗを処理槽内に保持したまま処理液を入れ換え可能な単層式の装置であってもよい。
　図１、及び図２に示すように、基板処理装置１００は、浸漬槽１１１及びオーバーフロー槽１１２を備える処理槽１１０と、処理槽内に配置される処理液吐出ノズル１２０と、処理液供給源１２５と、リフター１３０と、排液回収部１５０、及び制御装置１６０を備えている。そして、浸漬槽１１１内には、比抵抗計１４０が設置されている。
　処理液吐出ノズル１２０は、浸漬槽１１１の底部両側のそれぞれに設けられ、浸漬槽１１１内に各種薬液や純水等の処理液を供給するノズルである。処理液吐出ノズル１２０は、処理槽１１０の長手方向に沿って延びる円筒状のノズルであり、複数の吐出孔を備えている。また、処理液吐出ノズル１２０は、処理槽１１０外部の処理液供給源１２５に接続されており、所定の処理液が処理液供給源１２５から供給される。なお、処理液吐出ノズル１２０には、複数の吐出孔に代えて、１つのスリット状の吐出口を設けるようにしてもよい。
　なお、基板処理に用いられる薬液としては、例えばＳＰＭ（硫酸と過酸化水素水の混合液）、オゾン過水（オゾン、過酸化水素水の混合液）、ＳＣ１（アンモニア水と過酸化水素水の混合液）、ＳＣ２（塩酸と過酸化水素水の混合液）、ＨＦ（フッ酸）、Ｈ3ＰＯ4（燐酸）、ＦＰＭ（フッ酸と過酸化水の混合液）、ＦＯＭ（フッ酸とオゾン過水の混合液）などが挙げられる。なお、本明細書においては、「処理液」の語は、薬液と純水とを含む意味で用いられる。また、成膜処理のためのフォトレジスト液などの塗布液、不要な膜を除去するための薬液、エッチングのための薬液なども「処理液」に含む。
　処理液供給源１２５から供給された処理液は、処理液吐出ノズル１２０の吐出孔から浸漬槽１１１内に吐出される。ここで、吐出孔は浸漬槽１１１の中央底部に向かって設けられており、両側の処理液吐出ノズル１２０から吐出された処理液は浸漬槽１１１の底壁と平行に流れ、やがて浸漬槽１１１底部中央にて衝突し、その後浸漬槽１１１の中央部近傍に上方に向けた処理液の流れを形成することとなる。そして、処理液吐出ノズル１２０から供給された処理液は浸漬槽１１１の上部から溢れ出るようになっており、溢れ出た処理液はオーバーフロー槽１１２底部と連絡している排液回収部１５０に回収される。
　リフター１３０は、浸漬槽１１１に貯留されている処理液に基板Ｗを浸漬させるための部品である。リフター１３０は、昇降駆動源１３１と、リフターアーム１３２と、リフターアームに接続される板部１３３、板部１３３に片持ち梁状に設けられ、基板Ｗを保持する３つの基板保持部材（１つの中央保持部材１３４と、２つの側方保持部材１３５Ａ、１３５Ｂ）とを備えている。このうち、中央保持部材１３４は、水平方向に上下面が位置する姿勢（以下、立姿勢ともいう）に保持された基板Ｗの中央から鉛直下方に位置する基板外縁と接して基板を保持するものである。側方保持部材１３５Ａ、１３５Ｂは、立姿勢に保持された基板Ｗの外縁に沿って、中央保持部材１３４を中間として、その両側方に中央保持部材１３４から均等な距離の位置に配置される。そして、中央保持部材１３４の上端と、側方保持部材１３５Ａ、１３５Ｂの下端とは、上下方向に所定の間隔が生じるように配置されている。
　図３は、リフター１３０の板部１３３及び上記３つの基板保持部材の概略平面図である。図３に示すように、基板保持部材のそれぞれは、基板Ｗの外縁部がはまり込んで基板Ｗを立姿勢で保持する複数の溝が長手方向に所定間隔で配設されているクシバ部Ｋを備えている。
　なお、リフターアーム１３２、板部１３３、各基板保持部材１３４、１３５Ａ、１３５Ｂは、昇降駆動源１３１によって鉛直方向に一体的に昇降可能となっている。これによって、リフター１３０は３つの基板保持部材によって所定間隔にて平行に配列して保持された複数の基板Ｗを、浸漬槽１１１に貯留された処理液に浸漬する位置と、処理槽１１０の上方であって搬送ロボットとの基板受け渡しを行う位置との間で昇降させることができる。なお、昇降駆動源１３１には、ボールネジ機構、ベルト機構、エアシリンダなどの公知の種々の機構を採用することができる。
　比抵抗計１４０は液体の比抵抗値を計測するセンサを備えており、該センサが、浸漬槽１１１に処理液が供給された際に該処理液に接触可能に（望ましくは浸漬されるように）、浸漬槽１１１の内壁に設置される。比抵抗計１４０は市販品を含め既知の技術を用いることができるが、特にセンサ部分は、耐薬品性、耐熱性に優れた素材であることが望ましい。
　上記の構成において、比抵抗計１４０によって、処理液中の比抵抗値が計測され、該計測された値は、制御装置１６０の信号処理部１６２に入力される。なお、後述のように、処理液中の比抵抗値と金属（イオン）濃度との間には強い相関関係があるため、比抵抗値を取得することによって、液体中の金属成分の量を把握することができる。
　排液回収部１５０は、浸漬槽１１１からオーバーフロー槽１１２へと溢れ出た処理液を回収する。排液回収部１５０に回収された排液は、浄化処理された後、処理液供給源１２５へ送られて循環使用される。或いは、排液の浄化処理を行わずに、装置外へと排出するように構成してもよい。
　制御装置１６０のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。即ち、キーボードなどの入力部、モニタなどの出力部、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read only memory）、ＲＡＭ（Random access memory）及び、大容量記憶装置などを備える構成となっている。制御装置１６０のＣＰＵが所定の処理プログラムを実行することによって、基板処理装置１００の搬送ロボット、処理液吐出ノズル１２０、リフター１３０などの各動作機構が制御され、基板処理装置１００における処理が行われる。
　以上説明した基板処理装置１００を構成する各部品のうち、少なくとも処理液（及び該処理液の蒸気）と接触するもの、例えば、リフター１３０の各部及び浸漬槽１１１などには、薬液による侵蝕を抑止するために樹脂コーティングが施されており、表面にコーティング層を有している。該コーティングの下地として金属が用いられている。コーティングが劣化した場合、生じた隙間に処理液が侵入しうる。また、コーティング膜が薄くなったりコーティング膜表面にブリスターが生じることにより処理液が下地に浸透し易くなる。このため、薬液による侵蝕によってコーティングが剥がれたり、表面にブリスターが生じるなどした場合には、下地の金属成分が処理液中に溶出し、基板の金属汚染が発生することになる。
　なお、コーティングに用いられる樹脂としては、例えば、ＰＣＴＦＥ（ポリクロロトリフルオロエチレン）、ＥＣＴＦＥ（クロロトリフルオエチレン・エチレン共重合体）、ＰＦＡ（テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）などが挙げられる。
　続けて、制御装置１６０の部品検査に係る機能について説明する。図４は比抵抗計１４０及び制御装置１６０の部品検査に係る機能を示すブロック図である。図４に示す判定部１６１は、制御装置１６０のＣＰＵが所定の処理プログラムを実行することによって制御装置１６０内に実現される機能処理部である。詳細については後述するが、判定部１６１は比抵抗計によって算出された比抵抗値に基づいて、基板処理装置１００を構成する樹脂コーティング層を有する部品についての異常有無判定処理（即ち、部品の検査）を行う。
　検査基準記憶部１６３は、上記のＲＡＭ又は磁気ディスクにて構成されており、判定部１６１による判定に用いられる判定閾値を、処理装置の仕様、処理液の種類、処理液の供給条件などの条件毎に応じた態様で記憶する。
　出力部１６４は検査結果を含む各種の情報を出力する。情報の出力先は、典型的にはモニタなどの表示装置であるが、印刷装置に対して情報を出力したり、スピーカからメッセージや警報を出力したり、ユーザの端末に電子メール等でメッセージを送信したり、外部のコンピュータに対して情報を送信したりしてもよい。
　（劣化判定処理方法について）
　次に、上記判定部１６１による部品の劣化判定処理について説明する。上述したように、判定部１６１は、検査対象部品に異常（樹脂剥がれ）があるか否かについて、比抵抗計１４０によって取得される処理液の比抵抗値に基づいて検査を行う。即ち、処理液中に金属成分が溶出すると、処理液の金属イオン濃度が上昇し、これに応じて、処理液の比抵抗値が減少する。このような、金属イオン濃度と、比抵抗値との相関関係についての具体例を次に示す。
　図５は、処理液の金属イオン濃度と、比抵抗値との関係性を示すグラフである。縦軸は金属イオン濃度を、横軸は比抵抗値をそれぞれ示している。図５からも明らかなように、処理液中の金属濃度が高くなるほど、比抵抗値が低くなる。図５に例示されるような処理液の金属イオン濃度と、比抵抗値との関係性を示すデータ又は関係式を予め把握しておくことにより、測定した比抵抗値から処理液中の金属イオン濃度の値を推定することが可能である。
　本実施例において検査対象となるリフター１３０を例に、さらに説明する。上記の通り、リフター１３０には樹脂コーティングが施されているが、該コーティングは薬液によって徐々に劣化し、樹脂コーティング層の表面が水ぶくれ状に所々浮き上がる現象（ブリスター）が発生する。また、樹脂コーティングが剥がれてしまった部分については、コーティングの下地として用いられる金属部分（プライマー）が表出する。このような状態になると、リフター１３０が処理液に浸漬された際に、該処理液中にプライマーの成分が溶出し、処理液の金属イオン濃度が上昇する。そうすると、それに反比例して処理液の比抵抗値が減少する。
　以上のことから、金属イオン濃度と、比抵抗値との相関関係に基づいて、予め許容される金属イオン濃度に対応した比抵抗値の閾値を設定しておき、比抵抗計１４０によって取得される比抵抗値と、当該閾値との対比によって、樹脂コーティングされた部品の異常を検出（異常の有無を判定）するようにするとよい。
　また、部品に異常があると判定された場合には、出力部１６４から警告を発報するようにすればよい。このようにすることで、正常でない部品を使用し続けることを防止することができる。なお、出力部１６４から発する警告とは、モニタに表示されるエラー画面であってもよいし、スピーカから発せられるアラームであってもよいし、警報ランプの明滅などであってもよい。
　図６は、このような判定基準（閾値）を設定する際の処理の流れを示すフローチャートである。図６に示すように、装置を新規に立ち上げる際又は部品を新品に交換した際に、浸漬槽１１１に処理液を貯留してその中にリフター１３０を浸漬し、その状態で比抵抗計１４０により浸漬槽１１１に貯留されている処理液の比抵抗値を計測する（ステップＳ１０１）。比抵抗計１４０から比抵抗値を取得した制御装置１６０は、検査基準記憶部１６３に、該比抵抗値のデータを初期比抵抗値として保存する（ステップＳ１０２）。
　そして、当該初期比抵抗値に基づいて、所定のマージンを減じた値を、樹脂剥がれ閾値として、検査基準記憶部１６３に登録する（ステップＳ１０３）。
　ところで、処理液から得られる比抵抗値が、初期比抵抗値に近い値であるほど対象部品のメタル溶出の度合いは小さいことになる。このため、例えば、警報を発生させてから部品の交換などの対応を行うまでに時間的余裕を持たせたいなどの場合は、樹脂剥がれ閾値は比較的初期比抵抗値に近い値に設定しておくとよい。
　（検査実施のタイミング）
　続けて、部品の異常判定（即ち検査）の実施のタイミングについて説明する。基板処理装置１００における基板Ｗの通常の動作の概略は、搬送ロボットが外部から受け取った未処理の基板Ｗのロットをリフター１３０に載置し、これを処理液が貯留された浸漬槽１１１に所定時間浸漬した後に、搬送ロボットが受け取り、処理済みのロットを搬出して外部に戻すというものである。このため、以下で示すように、様々なタイミングで検査を実施する事ができる。
　図７は部品の異常判定処理を実施するタイミングの一例を示すフローチャートである。図７に示すように、まず基板処理装置１００において、ロット単位での基板処理を開始する前のアイドルタイムに、浸漬槽１１１に処理液を貯留し、基板を載せていないリフター１３０を浸漬する（ステップＳ１１１）。その状態において、比抵抗計１４０によって処理液中の比抵抗値を計測し、制御装置１６０に該値を入力する（ステップＳ１１２）。次に、判定部１６１が、検査基準記憶部１６３に保存されている閾値と取得された比抵抗値を比較し（ステップＳ１１３）、該比抵抗値が閾値を下回っていない場合には、１ロット分の基板処理を実施する（Ｓ１１４）。一方、ステップＳ１１３において、比抵抗値が閾値を下回っている場合には、出力部１６４から部品の異常を報知する警告信号を発信する（ステップＳ１１５）。
　図８は、部品の異常判定処理を実施するタイミングの他の例を示すフローチャートである。図８に示すように、基板処理装置１００において、１ロット分の基板処理終了した後に、浸漬槽１１１に処理液を貯留し、リフター１３０を浸漬する（ステップＳ１２１、Ｓ１２２）。その状態において、比抵抗計１４０によって処理液中の比抵抗値を計測し、制御装置１６０に該値を入力する（ステップＳ１２３）。次に、判定部１６１が、検査基準記憶部１６３に保存されている閾値と取得された比抵抗値を比較し（ステップＳ１２４）、該比抵抗値が閾値を下回っていない場合には、そのまま本フローを終了する。一方、ステップＳ１２４において、比抵抗値が閾値を下回っている場合には、出力部１６４から部品の異常を報知する警告信号を発信する（ステップＳ１２５）。この様なタイミングで検査を行うことで、既に処理済みのロットについて、支障があるか否か（不良の発生程度）を検証することも可能になる。
　なお、ロット単位での基板処理の間隔が長く空くなどの場合には、念のためにロット単位での基板処理の前と後のどちらのタイミングでも部品の異常判定処理を実施するようにしてもよい。なお、処理する基板に金属成分が含まれている場合、基板処理の前又は後で部品の判定処理することにより、基板処理中に部品の判定処理するよりも高い精度で異常判定処理を実施できる。基板に金属成分が含まれている場合には、処理液中に金属の溶出が確認されたとしても、部品の金属が溶出したものか、基板の金属が溶出したものかの区別がつかないため、基板処理中の（基板の処理に用いた処理液による）部品の異常判定を行うことは困難であるからである。
　また、基板に金属成分が含まれていない場合には、基板処理の実行中においても部品の異常判定処理が可能である。即ち、基板に金属成分が含まれていない場合には、実際に基板Ｗを載置した状態でリフター１３０を、処理液が貯留された浸漬槽１１１に浸漬し、基板の洗浄処理を実施している最中に当該処理液の比抵抗値を、比抵抗計１４０にて計測する。
　以上説明したような実施例１の構成によって、樹脂コーティングを施した部品を用いた基板処理装置において、基板処理の待機時間に前記部品の異常（樹脂剥がれ）を検査することができ、装置の稼働率を向上させることが可能になる。また、装置を構成する部品に劣化が生じた場合には、速やかにこれを検知して対応することが可能となる。
　（変形例）
　なお、上記実施例１においては、比抵抗計１４０は、処理槽１１０の浸漬槽１１１に設置されていたが、これ以外の場所に比抵抗計１４０を設置することも可能である。例えば、処理槽１１０のオーバーフロー槽１１２の底部に設置するのであってもよいし、排液回収部１５０内に設置するのであってもよい。即ち、検査対象の部品に接触した液体中の比抵抗値を計測できるような構成となっていればよい。
　＜実施例２＞
　次に、本発明の第２の実施例について説明する。図９は、本実施例に係る基板処理装置２００の構成を示す概略断面図である。基板処理装置２００は、半導体用途の基板Ｗを１枚ずつ処理する、いわゆる枚葉式のスプレー式洗浄装置である。円形のシリコン基板Ｗを高速回転させ、薬液及び純水の液滴を該基板Ｗにスプレー状に噴霧し、基板Ｗ上のパーティクルなどを除去する。
　図９に示すように、基板処理装置２００は、箱形のチャンバー２１０内に、主たる要素として基板Ｗを水平に保持するスピンチャック２２０と、スピンチャック２２０に保持された基板Ｗの上面に処理液の液滴を供給するための処理液ノズル２３０と、スピンチャック２２０の周囲を取り囲むカップ２４０と、を備えている。またこの他にも、制御装置２６０と、図示しないが、チャンバー２１０に基板Ｗを搬入出する搬送ロボットを備えている。
　チャンバー２１０は、鉛直方向に沿って外周を囲う側壁２１１、側壁２１１によって囲まれた空間の上側を閉じる天井２１２、及び下側を閉じる床２１３を備える。側壁２１１、天井２１２及び床２１３によって囲まれた空間が基板Ｗの処理空間となる。また、チャンバー２１０の側壁２１１の一部には、チャンバー２１０に対して搬送ロボットが基板Ｗを搬入出するための搬入出口及びその搬入出口を開閉するシャッターが設けられている（図示省略）。
　チャンバー２１０の天井２１２には、空気を清浄化してチャンバー２１０内の処理空間に供給するためのファンフィルタユニット２１４が設けられている。ファンフィルタユニット２１４は、基板処理装置２００が設置されるクリーンルーム内の空気を取り込んでチャンバー２１０内に送り出すためのファン及びフィルタを備えており、チャンバー２１０内の処理空間に清浄化された空気のダウンフローを形成する。そして、ファンフィルタユニット２１４によって送り込まれた空気は、チャンバー２１０の下方、例えば側壁２１１の一部であって、床２１３の近傍に設けられた排気ダクト２１５から装置外に排出される。
　スピンチャック２２０は、鉛直方向に沿って延びる回転軸２２４の上端に固定された円板形状のスピンベース２２１を備え、該スピンベース２２１の下方には回転軸２２４を回転させるスピンモータ２２２が設けられる。スピンモータ２２２は、回転軸２２４を介してスピンベース２２１を水平面上において回転させる。なお、スピンモータ２２２の駆動は、制御装置２６０によって行われる。また、スピンモータ２２２及び回転軸２２４の周囲を取り囲むようにカバー部材２２３が設けられる。該カバー部材２２３の上端はスピンベース２２１の直下に位置し、下端はチャンバー２１０の床２１３に固定されている。
　上記スピンベース２２１は、チタン製のディスクであり、表面をＰＣＴＦＥ、ＥＣＴＦＥ、ＰＦＡ、ＰＴＦＥなどの樹脂によってコーティングされている。スピンベース２２１の上面は、保持すべき基板Ｗの下面の全面と対向するようになっており、スピンベース２２１の外径は、スピンチャック２２０に保持される円形の基板Ｗの径よりも若干大きくなっている。そして、スピンベース２２１の上面の周縁部には複数（本実施例では６本）のチャックピン２２６が上方に突出するようにして設けられている。複数のチャックピン２２６は、円形の基板Ｗの外周円に対応する円周上に沿って均等な間隔をあけて（本実施例では６０°の間隔で）配置されている。
　複数のチャックピン２２６は、基板Ｗの周縁を側方から把持することにより基板Ｗをスピンベース２２１の上方でその上面に近接した水平姿勢にて保持することができる。スピンチャック２２０が基板Ｗを保持した状態でスピンモータ２２２が回転軸２２４を回転させることにより、基板Ｗの中心を通る鉛直方向に沿った回転軸線Ｘまわりに基板Ｗを回転させることができる。
　スピンチャック２２０を取り囲むカップ２４０は、円筒状の外壁２４１と、外壁２４１の内方でスピンチャック２２０を取り囲むスプラッシュガード２４２と、スプラッシュガード２４２を鉛直方向に昇降させるガード昇降ユニット（図示省略）と、排液回収部２４５を備える。外壁２４１は、チャンバー２１０の床２１３に固定されており、スプラッシュガード２４２は、カップ２４０の外壁２４１に対して昇降可能に設けられる。
　排液回収部２４５は、カップ２４０の底部に設けられており、カップ２４０外の処理液回収機構（図示省略）に接続される。そして、排液回収部２４５内には比抵抗計２５０が配置されている。比抵抗計２５０は、排液回収部２４５に回収された、処理液又は後述のチャンバー内洗浄液の比抵抗値を計測し、該値を制御装置２６０に入力する。
　スプラッシュガード２４２は、回転軸線Ｘに向かって斜め上方に延びるテーパ状の側面を有する筒状の傾斜部２４３と、傾斜部２４３の下端部から下方に延びる円筒状の案内部２４４とを備える。傾斜部２４３の上端は、基板Ｗ及びスピンベース２２１よりも大きい内径を有する円環状となっており、スプラッシュガード２４２の上端２４２ａに相当する。
　ガード昇降ユニットは、スプラッシュガード１４２の上端２４２ａが基板Ｗよりも下方に位置する下位置と、スプラッシュガード１４２の上端１４２ａが基板Ｗよりも上方に位置する上位置との間で、スプラッシュガード１４２を昇降させる（図１においては、スプラッシュガード２４２は上位置に配置されている）。なお、このような昇降機構としては、例えばボールネジ機構やエアシリンダなどの公知の種々の機構を採用することができるため、詳細な説明は省略する。
　スプラッシュガード２４２は、基板Ｗの洗浄処理中（即ち基板Ｗが回転中）に上位置に配置され、基板Ｗからその周囲に飛散する処理液をその内周面で受け止める。基板Ｗの洗浄処理が行われていない間は、スプラッシュガード２４２は下位置で待機状態となり、この際に、搬送ロボット（図示省略）とスピンチャック２２０との間で基板Ｗの受け渡しが行われる。なお、スプラッシュガード２４２によって受け止められるなどして、カップ底部に集積された処理液は、排液回収部２４５を介してカップ２４０から排出される。
　処理液ノズル２３０は、ノズルアーム２３２の先端にノズルヘッド２３１を取り付けて構成されている。ノズルアーム２３２の基端側はノズル基台（図示省略）に連結されており、ノズル基台はモータ（図示省略）によって鉛直方向に沿った軸のまわりで回動可能に構成されている。ノズル基台が回動することにより、処理液ノズル２３０はスピンチャック２２０の上方の処理液吐出位置とカップ２４０よりも外側の待機位置との間で水平方向に沿って円弧状に移動する。
　上面処理液ノズル２３０には、処理液（例えば、ＳＰＭ）及び圧縮ガスが供給されるように構成されており、気液混合の液滴をノズルヘッド２３１からスピンチャック２２０に保持された基板Ｗに向けて噴出する。また、ノズル基台の回動によって、処理液ノズル２３０はスピンベース２２１の上面上方にて揺動可能とされており、揺動しながら基板Ｗに液滴を噴出することができる。
　比抵抗計２５０は液体の比抵抗値を計測するセンサを備えており、該センサが、排液回収部２４５内に液体が回収された際に該液体中に接触可能に（望ましくは浸漬されるように）に設置される。
　上記の構成により、比抵抗計２５０によって、排液中の比抵抗値が計測され、該計測された値は、制御装置２６０に入力される。なお、液中の比抵抗値と金属（イオン）濃度との間には強い相関関係があるため、比抵抗値を取得することによって、排液中の金属成分の量を把握することができる。
　制御装置２６０のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。即ち、キーボードなどの入力部、モニタなどの出力部、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ及び、大容量記憶装置などを備える構成となっている。制御装置２６０のＣＰＵが所定の処理プログラムを実行することによって、基板処理装置２００の各動作機構が制御装置２６０に制御され、基板処理装置２００における処理が行われる。
　続けて、制御装置２６０の部品検査に係る機能について説明する。図１０は比抵抗計２５０及び制御装置２６０の部品検査に係る機能を示すブロック図である。図１０に示す判定部２６１は、制御装置２６０のＣＰＵが所定の処理プログラムを実行することによって制御装置２６０内に実現される機能処理部である。詳細については後述するが、判定部２６１は比抵抗計によって算出された比抵抗値に基づいて、基板処理装置２００を構成する樹脂コーティング層を有する部品についての異常有無判定処理（即ち、部品の検査）を行う。
　検査基準記憶部２６３は、上記のＲＡＭ又は磁気ディスクにて構成されており、判定部２６１による判定に用いられる判定閾値を、処理装置の仕様、処理液の種類、処理液の供給条件などの条件毎に応じた態様で記憶する。
　出力部２６４は検査結果を含む各種の情報を出力する。情報の出力先は、典型的にはモニタなどの表示装置であるが、印刷装置に対して情報を出力したり、スピーカからメッセージや警報を出力したり、ユーザの端末に電子メール等でメッセージを送信したり、外部のコンピュータに対して情報を送信したりしてもよい。
　（劣化判定処理方法について）
　次に、上記判定部２６１による部品の劣化判定処理について説明する。上述したように、判定部２６１は、検査対象部品に異常（樹脂剥がれ）があるか否かについて、比抵抗計２５０によって取得される処理液の比抵抗値に基づいて検査を行う。即ち、処理液中に金属成分が溶出すると、処理液の金属イオン濃度が上昇し、これに反比例して、処理液の比抵抗値が減少する。
　本実施例において検査対象となるスピンベース２２１を例に、さらに説明する。上記の通り、スピンベース２２１はチタン製であり表面に樹脂コーティングが施されているが、該コーティングは薬液によって徐々に劣化し、樹脂コーティングが剥がれる現象が発生する。そうすると、コーティングの剥がれた部分から、チタン（即ち、金属成分）が表出する。このような状態になると、スピンベース２２１に処理液が接触した際に、該処理液中に金属成分が溶出し、処理液の金属イオン濃度が上昇する。そうすると、それに反比例して処理液の比抵抗値が減少する。
　以上のことから、金属イオン濃度と、比抵抗値との相関関係に基づいて、予め許容される金属イオン濃度に対応した比抵抗値の閾値を設定しておき、比抵抗計２５０によって取得される比抵抗値と、所定の閾値との対比によって、樹脂コーティングされた部品の異常を検出（異常の有無を判定）するようにするとよい。
　また、部品に異常があると判定された場合には、出力部２６４から警告を発報するようにすればよい。このようにすることで、正常でない部品を使用し続けることを防止することができる。なお、出力部２６４から発する警告とは、モニタに表示されるエラー画面であってもよいし、スピーカから発せられるアラームであってもよいし、警報ランプの明滅などであってもよい。
　図１１は、このような判定基準（閾値）を設定する際の処理の流れを示すフローチャートである。図１１に示すように、装置を新規に立ち上げる際又は部品を新品に交換した際には、チャンバー２１０内を洗浄液にて洗浄するチャンバー洗浄レシピを実行する（ステップＳ２０１）。この際に、スピンベース２２１にも洗浄液が十分に注がれるようにしておく。チャンバー洗浄に用いられた洗浄液は、カップ２４０内の排液回収部２４５を介して回収されるため、その際に、比抵抗計２５０によって排液回収部２４５を通過する排液の比抵抗値を計測する（ステップＳ２０２）。比抵抗計２５０から比抵抗値を取得した制御装置２６０は、検査基準記憶部２６３に、該比抵抗値のデータを初期比抵抗値として保存する（ステップＳ２０３）。
　そして、当該初期比抵抗値に基づいて、許容される誤差の分を差し引いた値を、樹脂剥がれ閾値として、検査基準記憶部２６３に登録する（ステップＳ２０４）。
　（検査実施のタイミング）
　続けて、部品の異常判定（即ち検査）の実施のタイミングについて説明する。図１２は部品の異常判定処理を実施するタイミングの一例を示すフローチャートである。図１２に示すように、まず基板処理装置２００において基板処理を開始する前に、チャンバー洗浄レシピを実行し（ステップＳ２１１）、比抵抗計２５０によって該洗浄液の排液の比抵抗値を計測する（ステップＳ２１２）。そして判定部２６１が、計測された比抵抗値と、検査基準記憶部２６３に保存されている閾値とを比較し（ステップＳ２１３）、閾値を下回っていない場合には、基板処理を実施する（ステップＳ２１４）。そして、１枚の基板処理が終了すると、またステップＳ２１１に戻り、その処理を繰り返す（ステップＳ２１５）。一方、ステップＳ１３３において、計測された比抵抗値が閾値を下回っている場合には、出力部２６４から部品の劣化を報知する警告信号を発信する（ステップＳ２１６）。
　また、基板一枚毎に検査を実施するのでは無く、基板のロット単位の処理の前後に、部品の異常判定処理を実施することもできる。即ち、基板処理装置２００において、ロット単位での基板処理を開始する前のアイドルタイムに、チャンバー洗浄レシピを実行し、洗浄排液の比抵抗値を計測する。そして、制御装置１６０の判定部１６１が、検査基準記憶部１６３に保存されている閾値と取得された比抵抗値を比較して、該比抵抗値が閾値を下回っていない場合には、１ロット分の基板処理を実施する。一方、比抵抗値が閾値を下回っている場合には、出力部１６４から部品の異常を報知する警告信号を発信する。
　また、処理対象の基板Ｗに金属成分が含まれていない場合には、基板処理の実行中においても部品の異常判定処理が可能である。
　＜その他＞
　なお、上記の各実施例は、本発明を例示的に説明するものに過ぎず、本発明は上記の具体的な態様には限定されない。本発明は、その技術的思想の範囲内で種々の変形が可能である。例えば、上記の実施例１と実施例２の技術はそれぞれ組み合わせたり、入れ換えたりして用いる事ができる。具体的には、上記の各実施例では、装置に配置される比抵抗計は一つであったが、複数比抵抗計を用いて、様々な箇所の比抵抗値を計測するようにしてもよい。このようにすることで、より精度が高い検査を実施することができる。
　また、検査のための閾値の設定に当っては、検査対象部品の種類、検査対象部品が配置される場所、装置の用途（用いられる薬液）、などの検査条件の違いに応じて、データテーブルを用いて設定するようにしてもよい。
　１００、２００・・・基板処理装置
　１１０・・・処理槽
　１２０・・・処理液吐出ノズル
　１３０・・・リフター
　１４０、２５０・・・比抵抗計
　１５０、２４５・・・排液回収部
　１６０、２６０・・・制御装置
　２１０・・・チャンバー
　２２０・・・スピンチャック
　２３０・・・処理液ノズル
　２４０・・・カップ
　Ｗ・・・基板
　Ｋ・・・クシバ部

Claims (19)

  1. 　処理液により基板処理を行う基板処理装置であって、
    　該基板処理装置を構成する樹脂コーティングされた金属性部品、の劣化を検査する検査手段を有しており、
    　前記検査手段は、検査対象の部品に接触した液体中の所定の金属濃度を計測する計測手段と、
    　該計測手段によって計測された金属濃度と所定の閾値との対比により、検査対象の部品の劣化の程度を判定する劣化判定手段と、を備えていること
    　を特徴とする基板処理装置。
  2. 　前記計測手段は、前記液体の排液中の前記金属濃度を計測すること
    　を特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 　前記液体には、前記基板処理装置内部を洗浄する装置洗浄液を含むこと
    　を特徴とする、請求項１又は２に記載の基板処理装置。
  4. 　前記液体には、前記処理液を含むこと
    　を特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  5. 　前記基板処理装置は、前記処理液を貯留する処理液槽をさらに有しており、
    　前記計測手段は、該処理液槽内に設けられること
    　を特徴とする、請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 　前記基板処理装置はバッチ式の装置であって、前記検査対象の部品はリフターであること
    　を特徴とする、請求項１から５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  7. 　前記基板処理装置は枚葉式の装置であって、前記検査対象の部品はスピンチャックであること
    　を特徴とする、請求項１から４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  8. 　前記閾値は、前記基板処理装置の仕様、前記基板処理のプロセス、前記液体の供給条件、のうち少なくとも一つを含む計測条件の違いに応じて、設定されていること
    　を特徴とする、請求項１から７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  9. 　前記計測手段は、比抵抗計であること
    　を特徴とする、請求項１から８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  10. 　前記劣化判定手段により判定された劣化の程度を出力する出力手段をさらに有しており、
    　前記出力手段は、前記劣化判定手段により判定された劣化の程度が所定の基準を超えた場合には、警告信号を出力すること
    　を特徴とする、請求項１から９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  11. 　処理液により基板処理を行う基板処理装置を構成する、樹脂コーティングされた部品の劣化を検査する方法であって、
    　液体を装置中に供給し、該液体を検査対象の部品に接触させる、液体供給ステップと、
    　該検査対象の部品に接触させた液体中の所定の金属濃度を計測する、計測ステップと、
    　該計測された金属濃度に対する所定の閾値に基づいて、検査対象の部品の劣化の程度を判定する、劣化判定ステップと、を有していること
    　を特徴とする、基板処理装置の部品検査方法。
  12. 　前記閾値は、前記基板処理装置の仕様、前記基板処理のプロセス、前記液体の供給条件、のうち少なくとも一つを含む計測条件の違いに応じて、設定されていること
    　を特徴とする、請求項１１に記載の基板処理装置の部品検査方法。
  13. 　前記劣化判定ステップにおいて判定された部品の劣化の程度を出力する、判定結果出力ステップをさらに有すること
    　を特徴とする、請求項１１又は１２に記載の基板処理装置の部品検査方法。
  14. 　前記劣化判定ステップにおいて判定された劣化の程度が所定の基準を超えた場合には警告信号を出力する、警告ステップをさらに有すること
    　を特徴とする、請求項１１から１３のいずれか一項に記載の基板処理装置の部品検査方法。
  15. 　前記計測ステップにおける前記所定の金属濃度の計測は、前記液体中の比抵抗を計測することにより行われること
    　を特徴とする、請求項１１から１４のいずれか一項に記載の基板処理装置の部品検査方法。
  16. 　前記の各ステップが、ロット単位での基板処理の前及び／又は後に実施されること
    　を特徴とする、請求項１１から１５のいずれか一項に記載の基板処理装置の部品検査方法。
  17. 　前記の各ステップが、一基板の処理を終える毎に実施されること
    　を特徴とする、請求項１１から１５のいずれか一項に記載の基板処理装置の部品検査方法。
  18. 　前記の各ステップが、基板処理中に実施されること
    　を特徴とする、請求項１１から１５のいずれか一項に記載の基板処理装置の部品検査方法。
  19. 　前記液体は、前記基板処理に用いられる処理液、及び／又は、前記基板処理装置内部を洗浄する装置洗浄液、であること
    　を特徴とする、請求項１１から１８のいずれか一項に記載の基板処理装置の部品検査方法。
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