TW201539570A - 基板處理裝置及使用基板處理裝置之基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之基板處理裝置係具備處理部、第1槽、第2槽、第3槽及處理液噴嘴。並行地進行由第1槽對處理部供給磷酸水溶液之供給動作、及由處理部對第2槽或第3槽的液回收。藉由供給動作，由第1槽對處理液噴嘴供給磷酸水溶液。藉由回收動作，由處理部將磷酸水溶液回收至第2槽或第3槽。又，藉由矽濃度調整，調整第3槽或第2槽內之矽濃度。矽濃度調整完成後，將經調整之處理液經由第1槽供給至處理部。藉由對處理部供給磷酸水溶液，在由旋轉夾具所保持之基板上供給磷酸水溶液，於基板上形成液膜。藉加熱裝置對基板上之液膜進行加熱。加熱裝置係具有在石英玻璃製之殼體內設有第1至第4燈加熱器的構成。使由第1至第4燈加熱器所產生之紅外線穿透殼體底部並照射至基板上之磷酸水溶液。底部係由第1板狀構件與設於第1板狀構件下方之第2板狀構件所構成。於第1板狀構件與第2板狀構件之間的氣體通路供給氮氣。於氣體通路流通之氮氣係由排出開口朝基板外周部之外方被排出。

Description

基板處理裝置及使用基板處理裝置之基板處理方法
本發明係關於對基板進行各種處理之基板處理裝置及使用基板處理裝置的基板處理方法。
習知以來，為了對半導體晶圓、光罩用玻璃基板、液晶顯示裝置用玻璃基板、電漿顯示器用玻璃基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板等之基板進行各種處理，而使用基板處理裝置。
有如將複數基板浸漬於貯存在處理槽之處理液中，進行蝕刻等處理的批次式基板處理裝置。例如，日本專利特開2009-94455號公報所記載之批次式之基板處理裝置，係具備處理槽及循環管線。
於此基板處理裝置中，係於處理槽內貯存磷酸水溶液，於磷酸水溶液內浸漬形成有矽酸氧化膜及矽氮化膜的基板。於此狀態，由處理槽回收溢出之磷酸水溶液，經由循環管線再次供給至處理槽內。
藉由於磷酸水溶液中含有適當量之矽，抑制因磷酸水溶液所造成之矽氧化膜的蝕刻。藉此，可選擇性地對矽氮化膜進行蝕刻。
為了將磷酸水溶液之矽濃度保持為適當範圍，於上述基板處理裝置係設置添加物投入機構及捕獲劑(trapping agent)投入機構。添加物投入機構係藉由於處理槽投入添加物而使磷酸水溶液之矽濃度上升。又，捕獲劑投入機構係藉由於處理槽投入捕獲劑而抑制磷酸水溶液之矽濃度過剩上升。
近年來，隨著裝置之高密度化及高集成化，取代批次式基板處理裝置而使用單片式之基板處理裝置的步驟增加。於單片式基板處理裝置中，係例如對形成有矽氧化膜及矽氮化膜之基板供給磷酸水溶液並回收供給至基板之磷酸水溶液，將所回收之磷酸水溶液經由循環管線而再利用。
然而，於單片式之基板處理裝置中，係依每片基板供給磷酸水溶液。因此，難以使供給至複數基板之磷酸水溶液之矽濃度保持一定。此時，於複數基板之間產生矽氮化膜之蝕刻量的偏差。如此，難以對複數基板依高精度進行均勻處理。
因此，考慮對一定量之磷酸水溶液調整矽濃度，將經調整之磷酸水溶液用於複數基板的處理。此時，由於必須在使用每一定量之磷酸水溶液時調整矽濃度，故必須暫時中斷基板處理。因此，基板之處理效率降低。
本發明之目的在於提供可防止基板之處理效率降低、同時可依高精度進行均勻處理的基板處理裝置及使用基板處理裝置之基板處理方法。
另外，日本專利特開2013-197114號公報記載之基板處理裝置中，具有抗蝕劑膜之基板係由基板旋轉機構所保持，於基 板上面供給SPM(Sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture)作為抗蝕劑剝離液。SPM係硫酸(H2SO4)與過氧化氫水(H2O2)的混合液。
為了提高抗蝕劑與SPM的反應性，依與由基板旋轉機構所保持之基板之上面相對向的方式配置燈加熱器(紅外線燈)。依於基板上形成有SPM液膜的狀態，由燈加熱器對基板放射紅外線。藉此，以燈加熱器加熱SPM的液膜。
於使用高溫藥液之單片式之基板處理裝置中，若於基板上之藥液的溫度產生偏差，則無法對基板進行均勻處理。又，若基板上之藥液的加熱效率降低，則由藥液所進行的基板處理效率降低。
本發明之其他目的在於提供可由經加熱之藥液進行均勻且有效率之處理的基板處理裝置。
(1)根據本發明一局面之基板處理裝置，係具備：包含對基板供給處理液之處理液噴嘴的處理單元；包含供給用槽、回收用槽及調整用槽的複數之槽；依並行地進行由供給用槽對處理液噴嘴供給處理液之供給動作、由處理單元將處理液回收至回收用槽之回收動作、及對貯存於調整用槽之處理液之濃度進行調整之調整動作的方式，構成處理液之路徑的路徑構成部；路徑構成部係依下述方式變更處理液之路徑：在回收動作結束後，將回收用槽變更為調整用槽，同時在調整動作結束後，將經調整之處理液供給至處理單元。
於此基板處理裝置中，並行地進行供給動作及回收動作。藉由供給動作，由供給用槽對處理液噴嘴供給處理液；藉由回收動作，由處理單元將處理液回收至回收用槽。又，藉由調整動作， 對貯於調整用槽之處理液之濃度進行調整。
此時，於調整用槽係未供給由處理單元所回收的處理液。因此，於調整用槽中，可正確地調整處理液濃度。於調整動作結束後，於調整用槽中經調整之處理液被供給至處理單元。於此，經調整之處理液係由調整用槽經由供給用槽被供給至處理液噴嘴，或由調整用槽被供給至處理液噴嘴。藉此，可藉由濃度經正確調整之處理液對基板進行處理。又，在回收動作結束後，回收用槽變更為調整用槽。藉此，可正確調整由回收動作所回收之處理液的濃度。
如此，不需停止供給動作及回收動作，可正確調整處理液濃度。其結果，可防止基板之處理效率降低，並可依高精度進行均勻處理。
(2)路徑構成部亦可依下述方式變更處理液之路徑：在調整動作結束後，將經調整之處理液由調整用槽供給至供給用槽，在處理液對供給用槽的供給後，將調整用槽變更為回收用槽。
此時，在調整動作結束後，將經調整之處理液供給至供給用槽。藉此，經調整之處理液係由調整用槽經由供給用槽被供給至處理液噴嘴。又，將調整用槽變更為回收用槽，將回收用槽變更為調整用槽。藉此，可不中斷供給動作及回收動作，正確調整處理液濃度。又，由於在供給用槽不供給所回收之處理液，而供給經調整之處理液，故可防止供給用槽之污染，同時將供給用槽內之處理液濃度保持一定。
(3)複數之槽係包含第1、第2及第3之槽，設定第1槽為供給用槽，第2或第3槽之任一者為回收用槽，第2或第3槽 之另一者為調整用槽；路徑構成部係包括：第1處理液供給系統，係進行由第1槽對處理液噴嘴供給處理液之供給動作；處理液回收系統，係進行由處理單元將處理液選擇性地回收至第2及第3槽中之一槽的回收動作；濃度調整裝置，係進行對貯存於第2及第3槽中之另一槽之處理液之濃度進行調整之調整動作；與第2處理液供給系統，係在濃度調整裝置所進行之調整動作結束後，將經調整之處理液由另一槽供給至第1槽；處理液回收系統係交替進行由處理單元對第2槽的回收動作及由處理單元對第3槽的回收動作；濃度調整裝置係亦可交替進行第3槽中之調整動作及第2槽中之調整動作。
此時，第1槽係用於作為供給用槽。藉此，藉第1處理液供給系統進行由第1槽對處理液噴嘴的供給動作。又，第2及第3槽係交替設定為回收用槽及調整用槽。藉此，可不需中斷供給動作及回收動作，正確地調整處理液濃度。
(4)路徑構成部亦可如下述般變更處理液路徑：在調整動作結束後，將調整用槽變更為供給用槽，在供給動作結束後，將供給用槽變更為回收用槽。
此時，在調整動作結束後，將調整用槽變更為供給用槽。藉此，由變更後之供給用槽將經調整之處理液供給至處理液噴嘴。又，在供給動作結束後，將供給用槽變更為回收用槽。藉此，由處理單元將處理液回收至變更後之回收用槽。進而，在回收動作結束後，將回收用槽變更為調整用槽。藉此，於變更後之調整用槽中調整處理液濃度。如此，可不需中斷供給動作及回收動作，正確調整處理液濃度。
(5)複數之槽係包含第1、第2及第3槽，第1、第2或第3槽之任一者設為供給用槽，第1、第2或第3槽之其他任一者設定為回收用槽，第1、第2或第3槽之進而其他任一者設定為調整用槽；路徑構成部係包括：處理液供給系統，係進行由設定為供給用槽之第1、第2或第3槽對處理液噴嘴供給處理液之供給動作；處理液回收系統，係進行由處理單元將處理液選擇性地回收至設定為回收用槽之第1、第2或第3槽之回收動作；與濃度調整裝置，係進行對貯存於設定為調整用槽之第1、第2或第3槽之處理液濃度進行調整之調整動作；處理液供給系統係依序進行由第1槽對處理液噴嘴之供給動作、由第2槽對處理液噴嘴之供給動作、及由第3槽對處理液噴嘴之供給動作；處理液回收系統係依序進行由處理單元對第2槽之回收動作、由處理單元對第3槽之回收動作及由處理單元對第1槽之回收動作；濃度調整裝置係依序進行第3槽之調整動作、第1槽之調整動作及第2槽之調整動作。
此時，第1、第2及第3槽係分別依序使用作為供給用槽、回收用槽及調整用槽。藉此，可不需中斷供給動作及回收動作，正確調整處理液濃度。
(6)基板係包含由第1材料所形成之第1膜與由第2材料所形成之第2膜；處理液係包含對第1材料依較第2材料高之速率選擇性進行蝕刻的成分；調整動作亦可包含對處理液中之成分濃度進行調整之處理。
此時，對第1材料依較第2材料高之速率選擇性進行蝕刻的成分係藉由調整動作進行調整。藉此，可於第1及第2膜中將第1膜正確地去除並殘留第2膜。
(7)第1材料含有氮化矽，第2材料含有氧化矽；處理液係含有矽及磷酸之溶液；調整動作亦可含有對溶液中之矽之濃度進行調整的處理。
矽係抑制氧化矽之蝕刻速率。藉此，對基板供給處理液，可於含有氮化矽之第1膜及含有氧化矽之第2膜中選擇性地去除第1膜。
(8)處理液噴嘴係對基板供給處理液作為藥液；處理單元係進一步包含：基板保持裝置，係在由處理液噴嘴對基板供給藥液時以水平姿勢保持基板並使基板於上下方向之軸之周圍旋轉；加熱裝置，係用於對由處理液噴嘴供給至基板上之藥液進行加熱；與氣體供給系統，係對加熱裝置供給氣體；加熱裝置係包含：產生紅外線之紅外線產生器；配置於紅外線產生器與由基板保持裝置所保持之基板之間，使紅外線穿透的第1板狀構件；與配置於第1板狀構件與由基板保持裝置所保持之基板之間，使紅外線穿透的第2板狀構件；亦可依下述方式設置第1排出開口：於第1板狀構件與第2板狀構件之間形成由氣體供給系統供給氣體之氣體通路，且朝較由基板保持裝置所保持之基板之外周部更外方使氣體通路之氣體排出。
此時，對由基板保持裝置依水平姿勢所保持之基板上由處理液噴嘴供給藥液。又，藉加熱裝置之紅外線產生器產生紅外線。紅外線係穿透第1及第2板狀構件照射至基板上之藥液。藉此，加熱藥液。
此時，對第1板狀構件與第2板狀構件間之氣體通路藉氣體供給系統供給氣體。氣體係於氣體通路內流動並由第1排出 開口排出。藉此，阻止或減低由藉紅外線產生器之輻射熱所加熱之第1板狀構件對第2板狀構件的熱傳導。從而，即使在第2板狀構件附著了基板上之藥液或藥液飛沫，仍抑制第2板狀構件與藥液的反應。因此，防止於第2板狀構件起霧，且對基板上之藥液均勻照射紅外線。又，氣體通路之氣體係由第1排出開口朝較基板外周部更外方排出。因此，防止因氣體使基板上藥液被局部冷卻的情形。其結果，可藉由經加熱之藥液進行均勻且有效率的處理。
(9)根據本發明其他局面之基板處理方法，係使用基板處理裝置者，基板處理裝置係具備：對基板供給處理液之處理液噴嘴；與包含供給用槽、調整用槽及回收用槽的複數之槽；基板處理方法係包含：並行地進行由供給用槽對處理液噴嘴供給處理液之供給動作、由處理單元將處理液回收至回收用槽之回收動作、及對貯存於調整用槽之處理液之濃度進行調整之調整動作的步驟；在回收動作結束後，將回收用槽變更為調整用槽的步驟；與在調整動作結束後，依將經調整之處理液供給至處理單元之方式，變更處理液之路徑的步驟。
於此基板處理方法中，並行地進行供給動作及回收動作。藉由供給動作，由供給用槽對處理液噴嘴供給處理液；藉由回收動作，由處理單元將處理液回收至回收用槽。又，藉由調整動作，對貯於調整用槽之處理液之濃度進行調整。
此時，於調整用槽係未供給由處理單元所回收的處理液。因此，於調整用槽中，可正確地調整處理液濃度。於調整動作結束後，於調整用槽中經調整之處理液被供給至處理單元。於此，經調整之處理液係由調整用槽經由供給用槽被供給至處理液噴 嘴，或由調整用槽被供給至處理液噴嘴。藉此，可藉由濃度經正確調整之處理液對基板進行處理。又，在回收動作結束後，回收用槽變更為調整用槽。藉此，可正確調整由回收動作所回收之處理液的濃度。
如此，不需停止供給動作及回收動作，可正確調整處理液濃度。其結果，可防止基板之處理效率降低，並可依高精度進行均勻處理。
(10)本發明之進而其他局面的基板處理裝置，係具備：基板保持裝置，係以水平姿勢保持基板並使基板於上下方向之軸之周圍旋轉；藥液供給系統，係對由基板保持裝置所保持之基板供給藥液；加熱裝置，係用於對由藥液保持系統所供給至基板上之藥液進行加熱；與氣體供給系統，係對加熱裝置供給氣體；加熱裝置係包含：產生紅外線之紅外線產生器；配置於紅外線產生器與由基板保持裝置所保持之基板之間，使紅外線穿透的第1板狀構件；與配置於第1板狀構件與由基板保持裝置所保持之基板之間，使紅外線穿透的第2板狀構件；依下述方式設置第1排出開口：於第1板狀構件與第2板狀構件之間形成由氣體供給系統供給氣體之氣體通路，且朝較由基板保持裝置所保持之基板之外周部更外方使氣體通路之氣體排出。
於此基板處理裝置中，對由基板保持裝置依水平姿勢所保持之基板上由藥液供給系統供給藥液。又，藉加熱裝置之紅外線產生器產生紅外線。紅外線係穿透第1及第2板狀構件照射至基板上之藥液。藉此，加熱藥液。
此時，對第1板狀構件與第2板狀構件間之氣體通路 藉氣體供給系統供給氣體。氣體係於氣體通路內流動並由第1排出開口排出。藉此，阻止或減低由藉紅外線產生器之輻射熱所加熱之第1板狀構件對第2板狀構件的熱傳導。從而，即使在第2板狀構件附著了基板上之藥液或藥液飛沫，仍抑制第2板狀構件與藥液的反應。因此，防止於第2板狀構件起霧，且對基板上之藥液均勻照射紅外線。又，氣體通路之氣體係由第1排出開口朝較基板外周部更外方排出。因此，防止因氣體使基板上藥液被局部冷卻的情形。其結果，可藉由經加熱之藥液進行均勻且有效率的處理。
(11)第1排出開口亦可朝較基板外周部由基板之半徑方向外側位置更靠基板外方排出氣體通路之氣體。
此時，由第1排出開口所排出之氣體由於朝向基板半徑方向之由較基板外周部更外側之位置更靠基板外方，故防止其氣體於供給至基板上之藥液之液膜上流動。從而，防止因氣體於供給至基板上之藥液之液膜上流動而造成藥液之溫度降低的情形。
(12)加熱裝置亦可依下述方式設置紅外線產生器：在藉基板保持裝置所保持之基板上方呈靜止之狀態下，對由基板保持裝置所保持之基板之中心起至外周部為止的半徑方向的區域照射紅外線。
此時，由於由基板中心起至外周部為止的半徑方向的區域同時照射紅外線，故藉由旋轉基板使基板上之藥液全體被更均勻加熱。
(13)紅外線產生器亦可沿著由基板保持裝置所保持之基板之外周部形成為圓弧狀。
此時，於基板之周方向，基板上之藥液被均勻照射紅 外線。藉此，基板上之藥液於周方向上被更均勻加熱。
(14)紅外線產生器亦可依在藉基板保持裝置所保持之基板之中心部朝外周部之方向上排列的方向複數設置。
此時，可於基板之半徑方向之區域中更有效率地對基板上之藥液進行加熱。
(15)基板處理裝置係進一步具備收容紅外線產生器的殼體；殼體係具有底部，並具有第1、第2、第3及第4之側壁部；第1板狀構件及第2板狀構件係構成殼體之底部；第4側壁部係設置成位於由基板保持裝置所保持之基板之外周部的上方；第1側壁部係設置成與第4側壁部相對向；第2及第3側壁部係設置成與第1側壁部之兩端及第4側壁部之兩端相接；第1側壁部係由使紅外線穿透之板狀之第1內側構件、與位於第1內側構件之外側且使紅外線穿透之板狀之第1外側構件所構成；於第1內側構件與第1外側構件之間形成連通至氣體通路的第1側部通路；第2側壁部係由使紅外線穿透之板狀之第2內側構件、與位於第2內側構件之外側且使紅外線穿透之板狀之第2外側構件所構成；於第2內側構件與第2外側構件之間形成連通至氣體通路的第2側部通路，且設置將第2側部通路之氣體排出至由基板保持裝置所保持之基板之外周部更外方的第2排出開口；第3側壁部係由使紅外線穿透之板狀之第3內側構件、與位於第3內側構件之外側且使紅外線穿透之板狀之第3外側構件所構成；於第3內側構件與第3外側構件之間形成連通至氣體通路的第3側部通路，且設置將第3側部通路之氣體排出至由基板保持裝置所保持之基板之外周部更外方的第3排出開口。
此時，由紅外線產生器所產生之紅外線，係穿透第1 側壁部之第1內側構件及第1外側構件而照射於基板上之藥液。又，穿透第2側壁部之第2內側構件及第2外側構件而照射於基板上之藥液，穿透第3側壁部之第3內側構件及第3外側構件而照射於基板上之藥液。藉此，提升藥液之加熱效率。
此時，對第1、第2及第3側部通路供給氣體。氣體係於第1、第2及第3側部通路內流動並由第2及第3排出開口被排出。藉此，防止或減低藉紅外線產生器之輻射熱所加熱之第1、第2及第3內側構件分別對第1、第2及第3外側構件的熱傳導。從而，即使在第1、第2或第3外側構件附著了基板上之藥液或藥液飛沫，仍抑制第1、第2或第3外側構件與藥液的反應。因此，防止於第1、第2或第3外側構件起霧，對基板上之藥液均勻照射紅外線。又，第2及第3側部通路之氣體係分別由第2及第3排出開口朝較基板外周部更外方排出。因此，防止因氣體使基板上藥液被局部冷卻的情形。其結果，可藉由經加熱之藥液進行均勻且有效率的處理。
(16)第2及第3側壁構件亦可設置成朝由基板保持裝置所保持之基板之略半徑方向上延伸。
此時，可均勻加熱基板上之藥液，並可使加熱裝置更緊密及輕量化。
(17)第1及第2板狀構件亦可由玻璃所形成。
此時，由於第1及第2板狀構件對紅外線具有高穿透率，故可有效加熱基板上之藥液。
1、501‧‧‧處理部
2、111‧‧‧旋轉夾具
2a、11a‧‧‧旋轉馬達
2b、11b‧‧‧旋轉基底
2c、11c‧‧‧夾銷
3‧‧‧處理液噴嘴
4、200‧‧‧加熱裝置
5‧‧‧第1槽
5a、6a、7a‧‧‧循環槽
5b、6b、7b‧‧‧貯存槽
6‧‧‧第2槽
7‧‧‧第3槽
8‧‧‧新液供給裝置
8a‧‧‧混合槽
9、109‧‧‧控制部
10‧‧‧第1供給配管
11、14、23、33‧‧‧加熱器
12、17、21、26、31、36、41、42、43、51、52、53‧‧‧閥
13、22、32‧‧‧過濾器
15、24、34‧‧‧泵
16、25、35‧‧‧循環配管
20‧‧‧第二供給配管
20a、40a、50a‧‧‧主管
20b、20c、40b、40c、40d、50b、50c、50d‧‧‧枝管
40‧‧‧第3供給配管
50‧‧‧回收配管
91‧‧‧DIW供給系統
92‧‧‧氮氣供給系統
93‧‧‧磷酸水溶液供給系統
94‧‧‧矽濃縮液供給系統
100、500‧‧‧基板處理裝置
102‧‧‧SC1供給裝置
103‧‧‧潤洗液供給裝置
104‧‧‧磷酸水溶液供給裝置
105‧‧‧DIW供給裝置
106‧‧‧氮氣供給裝置
113‧‧‧SC1噴嘴
114‧‧‧潤洗液噴嘴
115‧‧‧磷酸噴嘴
116‧‧‧支撐臂
117‧‧‧臂驅動裝置
190‧‧‧腔室
191‧‧‧搬送用開口
192‧‧‧閘門
193‧‧‧FFU
210‧‧‧殼體
211‧‧‧凸緣板
211h‧‧‧貫通孔
212a、212b、212c‧‧‧外側構件
213‧‧‧第2板狀構件
214‧‧‧氣體導入管
222a、222b、222c‧‧‧內側構件
223‧‧‧板狀構件
224‧‧‧第1板狀構件
250‧‧‧蓋構件
291、292、293‧‧‧排出開口
BM‧‧‧底部
CU、112‧‧‧杯
GS1、GS2、GS3‧‧‧側部通路
GS0‧‧‧氣體通路
HT1、HT2、HT3、HT4‧‧‧燈加熱器
HTa‧‧‧曲線部
HTb‧‧‧直線部
L1‧‧‧第1基準高度
L2‧‧‧第2基準高度
P1‧‧‧SC1供給系統
P2‧‧‧潤洗液供給系統
P3‧‧‧磷酸供給系統
P4‧‧‧DIW供給系統
P5‧‧‧氮氣供給系統
RF‧‧‧反射板
S1‧‧‧磷酸度計
S2‧‧‧矽濃度計
S3‧‧‧液面感應器
SC‧‧‧螺釘
SW1、SW2、SW3、SW4‧‧‧側壁部
t1~t7‧‧‧時刻
W‧‧‧基板
圖1為表示第1實施形態之基板處理裝置之構成的概 略圖。
圖2為表示分別與圖1之第1、第2及第3槽相關之動作內容的時序圖。
圖3為表示圖2之時刻t1至時刻t7之基板處理裝置之動作的概略圖。
圖4為表示圖2之時刻t1至時刻t7之基板處理裝置之動作的概略圖。
圖5為表示圖2之時刻t1至時刻t7之基板處理裝置之動作的概略圖。
圖6為表示圖2之時刻t1至時刻t7之基板處理裝置之動作的概略圖。
圖7為表示圖2之時刻t1至時刻t7之基板處理裝置之動作的概略圖。
圖8為用於說明第1實施形態之基板處理裝置之效果的第1比較例的時序圖。
圖9為用於說明第1實施形態之基板處理裝置之效果的第2比較例的時序圖。
圖10(a)及(b)為用於說明第1實施形態之基板處理裝置之效果的圖。
圖11為用於說明第2實施形態之基板處理裝置之構成的概略圖。
圖12(a)至(c)為用於說明第2實施形態之基板處理裝置之效果的圖。
圖13為用於說明第3實施形態之基板處理裝置之構成的概略 圖。
圖14為圖13之加熱裝置的俯視圖。
圖15為表示由圖14之殼體卸除蓋構件之狀態的俯視圖。
圖16為由圖3之箭頭Q之方向觀看圖14之加熱裝置的一方側面圖。
圖17為由圖3之箭頭R之方向觀看圖14之加熱裝置的另一方側面圖。
圖18為圖14之A-A線剖面圖。
圖19為圖14之B-B線剖面圖。
圖20為圖16之C-C線剖面圖。
圖21為表示加熱裝置中之氮氣流動的水平剖面圖。
圖22為表示加熱裝置中之氮氣流動的垂直剖面圖。
圖23為對磷酸水溶液之液膜加熱時之加熱裝置的側面圖。
以下，參照圖式說明本發明一實施形態之基板處理裝置及使用基板處理裝置之基板處理方法。以下說明中，所謂基板係指半導體晶圓、液晶顯示裝置用玻璃基板、PDP(電漿顯示器面板)用玻璃基板、光罩用玻璃基板、光碟用基板等。
[1]第1實施形態
本實施形態之基板處理裝置，係依每一片基板進行處理的單片式基板處理裝置。於此基板處理裝置中，係對形成有由氧化矽(SiO2)所構成之矽氧化膜及由氮化矽(Si3N4)所構成之矽氮化膜的基板，供給含矽之高溫磷酸水溶液(H3PO4+H2O)作為處理液。此時，由於磷 酸水溶液含有矽，故矽氧化膜之蝕刻速率降低。藉此，選擇性地對矽氮化膜進行蝕刻。
矽係例如藉由以磷酸水溶液進行矽氮化膜之蝕刻、或藉由於磷酸水溶液混合含矽微粒子之濃縮液，而存在於此磷酸水溶液中。
(1)基板處理裝置之構成
圖1為表示第1實施形態之基板處理裝置之構成的概略圖。如圖1所示，基板處理裝置100主要含有處理部1、第1槽5、第2槽6、第3槽7、新液供給裝置8及控制部9。又，處理部1係包含旋轉夾具(spin chuck)2、處理液噴嘴3、加熱裝置4及杯CU。於處理部1對複數之基板W依每一片依序進行基板處理。
旋轉夾具2係具有旋轉馬達2a、旋轉基底2b及複數之夾銷2c。旋轉馬達2a係設置成旋轉軸平行於鉛直方向。旋轉基板2b係具有圓板形狀，依水平姿勢安裝於旋轉馬達2a之旋轉軸上端部。複數之夾銷2c係設於旋轉基底2b之上面上，保持基板W之周緣部。依複數之夾銷2c保持基板W之狀態使旋轉馬達2a動作。藉此，基板W於鉛垂軸之周圍旋轉。
如上述，本例子中，係使用保持基板W周緣部之機械式旋轉夾具2。不限定於此，亦可取代機械式之旋轉夾具，而使用對基板W下面進行吸著保持的吸著式旋轉夾具。
處理液噴嘴3及加熱裝置4係設置成可於藉旋轉夾具2所保持之基板W上方位置與基板W側方之待機位置之間移動。處理液噴嘴3係將由第1槽5所供給之磷酸水溶液供給至由旋轉夾 具2所旋轉的基板W。
在由處理液噴嘴3對基板W供給磷酸水溶液時，加熱裝置4係配置於與基板W上面相對向的位置。加熱裝置4係包含產生紅外線之燈加熱器，藉輻射熱對基板W及供給至基板W上的處理液進行加熱。作為燈加熱器，可使用例如鎢鹵素燈、氙弧燈或石墨加熱器等。
由加熱裝置4對基板W之加熱溫度，係設定為較磷酸水溶液之磷酸濃度之沸點高的溫度(例如140℃以上且160℃以下)。藉此，基板W上之磷酸水溶液之溫度上升至磷酸濃度之沸點，由磷酸水溶液進行之矽氮化膜的蝕刻速率增加。
另一方面，在磷酸水溶液之矽濃度為適當範圍內時，由磷酸水溶液所進行之矽氧化膜之蝕刻速率係保持為較矽氮化膜之蝕刻速率充分更低。其結果，如上述般，選擇性地對基板W之矽氮化膜進行蝕刻。
以包圍旋轉夾具2之方式設置杯CU。杯CU係在對旋轉夾具2搬入基板W時及由旋轉夾具2搬出基板W時下降，且在對基板W供給磷酸水溶液時上升。
在對旋轉之基板W供給磷酸水溶液時，杯CU上端部係位於較基板W更上方。藉此，由基板W所甩離之磷酸水溶液係由杯CU所承接。由杯CU所承接之磷酸水溶液係如後述般送至第2槽6或第3槽7。
第1槽5包含循環槽5a及貯存槽5b。循環槽5a及貯存槽5b係配置為相鄰接，構成為由一方之槽(例如循環槽5a)溢出之液體流入另一槽(例如貯存槽5b)。於循環槽5a，設置磷酸濃度計 S1及矽濃度計S2。磷酸濃度計S1係輸出磷酸水溶液之磷酸濃度，矽濃度計S2係輸出磷酸水溶液之矽濃度。於貯存槽5b設置輸出磷酸水溶液之液面高度的液面感應器S3。於貯存槽5b，連接著DIW(脫離子水：Deionized Water)供給系統91、氮(N2)氣供給系統92及磷酸水溶液供給系統93。
以連接第1槽5之貯存槽5b與處理部1之處理液噴嘴3的方式設置第1供給配管10。於第1供給配管10，係由貯存槽5b朝處理液噴嘴3，依序介插泵15、加熱器14、過濾器13、閥12及加熱器11。
以連接過濾器13與閥12之間之第1供給配管10之部分及循環槽5a的方式設置循環配管16。於循環配管16介插著閥17。又，於加熱器11與處理液噴嘴3之間之第1供給配管10之部分，連接DIW供給系統91。
第2及第3槽6、7分別具有與第1槽5相同之構成，包含循環槽6a、7a及貯存槽6b、7b。於循環槽6a、7a，分別設置磷酸濃度計S1及矽濃度計S2。於貯存槽6b、7b中，分別設置液面感應器S3且連接DIW供給系統91、氮氣供給系統92及磷酸水溶液供給系統93。
以連接第1槽5之貯存槽5b與第2及第3槽6、7之貯存槽6b、7b的方式，設置第2供給配管20。第2供給配管20係具有1根主管20a及2根枝管20b、20c。枝管20b、20c係連接於主管20a。主管20a連接於第1槽5之貯存槽5b，2根之枝管20b、20c分別連接於第2及第3槽6、7之貯存槽6b、7b。
於一方之枝管20b，係由貯存槽6b朝主管20a，依序 介插著泵24、加熱器23、過濾器22及閥21。以連接過濾器22與閥21之間之枝管20b之部分與循環槽6a之方式，設置循環管25。於循環配管25介插閥26。
於另一方之枝管20c，係由貯存槽7b朝主管20a，依序介插著泵34、加熱器33、過濾器32及閥31。以連接過濾器32與閥31之間之枝管20c之部分與循環槽7a之方式，設置循環管35。於循環配管35介插閥36。
以連接處理部1之杯CU與第2及第3槽6、7之貯存槽6b、7b的方式，設置回收配管50。回收配管50係具有1根主管50a及2根枝管50b、50c。枝管50b、50c係連接於主管50a。回收配管50之主管50a連接於杯CU，2根之枝管50b、50c分別連接於第2及第3槽6、7之貯存槽6b、7b。於枝管50b介插著閥51，於枝管50c介插著閥52。
新液供給裝置8係具有混合槽8a及將此混合槽8a內之液體供給至外部的供給裝置。於新液供給裝置8，連接磷酸水溶液供給系統93及矽(Si)濃縮液供給系統94。又，於混合槽8a設置矽濃度計S2。
於新液供給裝置8之混合槽8a內，使由磷酸水溶液供給系統93及矽濃縮液供給系統94所供給之磷酸水溶液及矽濃縮液事先依既定比率混合。藉此，生成具有預先決定之矽濃度(以下稱為基準矽濃度)之磷酸水溶液作為新的處理液，並保持為既定溫度。本例子中，係使用於磷酸水溶液溶解了矽微粒子的液體作為矽濃縮液。
又，於新液供給裝置8，亦可將混合槽8a內之矽濃度 調整為與基準矽濃度相異的值。例如，依於混合槽8a內貯存了具有基準矽濃度之磷酸水溶液的狀態，於混合槽8a內追加矽濃縮液。藉此，可使混合槽8a內之矽濃度增高為高於基準矽濃度。又，依於混合槽8a內貯存了具有基準矽濃度之磷酸水溶液的狀態，於混合槽8a內追加磷酸水溶液。藉此，可使混合槽8a內之矽濃度降低為低於基準矽濃度。
以連接新液供給裝置8與第2及第3槽6、7之貯存槽6b、7b的方式，設置第3供給配管40。第3供給配管40係具有1根主管40a及2根枝管40b、40c。枝管40b、40c係連接於主管40a。第3供給配管40之主管40a連接於新液供給裝置8，2根之枝管40b、40c分別連接於第2及第3槽6、7之貯存槽6b、7b。於枝管40b介插閥41，於枝管40c介插閥42。
控制部9係由CPU(中央演算處理裝置)及記憶體、或微電腦等所構成。於控制部9之記憶體記載系統程式。控制部9係控制基板處理裝置100的各構成要件的動作。
例如，控制部9係根據由各液面感應器S3所輸出之液面高度，切換各閥12、17、21、26、31、36、41、42、51、52的開關狀態。又，控制部9係根據由各磷酸濃度計S1所輸出之磷酸濃度，控制DIW供給系統91、氮氣供給系統92及磷酸水溶液供給系統93。再者，控制部9係根據由各矽濃度計S2所輸出之矽濃度，控制新液供給裝置8、磷酸水溶液供給系統93及矽濃縮液供給系統94。
(2)基板處理裝置之動作
以下說明藉處理部1對複數基板W進行處理時之基板處理裝置100的一連串動作。圖2為表示與圖1之第1、第2及第3槽5、6、7相關之動作內容的時序圖。圖3至圖7為表示圖2之時刻t1至時刻t7中之基板處理裝置100之動作的概略圖。
於第1、第2及第3槽5、6、7中，係於貯存槽5b、6b、7b設定第1基準高度L1及第2基準高度L2。第1基準高度L1係設定於貯存槽5b、6b、7b之底部附近，第2基準高度L2係設定為較第1基準高度L1高且貯存槽5b、6b、7b之上端部附近。
第1基準高度L1係設定為例如由各貯存槽5b、6b、7b可貯存之最大容量之1/5左右的液體貯存於各貯存槽5b、6b、7b時的液面高度。又，第2基準高度L2係設定為例如各貯存槽5b、6b、7b之最大容量之4/5左右的液體貯存於各貯存槽5b、6b、7b時的液面高度。
於初期狀態下，具有事先決定之矽酸濃度(以下稱為基準磷酸濃度)且具有基準矽濃度的磷酸水溶液，係貯存於第1及第2槽5、6。於第1及第2槽5、6中，磷酸水溶液之液面高度係維持於第2基準高度L2。
進而，不具有基準磷酸濃度及基準矽濃度之磷酸水溶液，係貯存於第3槽7。於第3槽7中，磷酸水溶液之液面高度維持於第1基準高度L1。圖1所示之所有閥12、17、21、26、31、36、41、42、51、52呈關閉。
在由初期狀態成為基板處理裝置100之電源開機狀態時，圖1之加熱器11、14、23、33、泵15、24、34及新液供給裝置8開始動作。於此狀態，於處理部1之旋轉夾具2搬入第一片 基板W。又，由旋轉夾具2做基板W被保持並旋轉。
於其後之圖2之時刻t1，圖1之控制部9係打開圖1之閥12、17。藉此，如圖3中粗箭頭A1所示，貯存槽5b內之磷酸水溶液被泵15所吸引，經由加熱器14送至過濾器13。加熱器14係將經過第1供給配管10之磷酸水溶液加熱為既定溫度(例如150℃)。過濾器13係藉由過濾磷酸水溶液而將不需要的析出物等去除。
如圖3中粗箭頭A2所示，經過加熱器14及過濾器13之磷酸水溶液之一部分，係進一步經由加熱器11而被加熱並送至處理液噴嘴3。藉此，具有基準磷酸濃度及基準矽濃度之磷酸水溶液，係與DIW一起由處理液噴嘴3供給至基板W。又，於加熱器11與處理液噴嘴3之間，係由DIW供給系統91適當供給DIW。
另一方面，如圖3中粗箭頭A3所示，經過加熱器14及過濾器13之剩餘之磷酸水溶液，係經過循環配管16回至第1槽5之循環槽5a。於第1槽5內，由循環槽5a溢出之磷酸水溶液流入至貯存槽5b。如此，貯存槽5b內之磷酸水溶液被加熱及過濾，並經過第1供給配管10、循環配管16及循環槽5a而回到貯存槽5b內。藉此，使貯存槽5b內之磷酸水溶液之溫度及清潔度保持為幾乎一定。
如上述，將對貯存於貯存槽5b之磷酸水溶液之一部分進行加熱及過濾並再次回到貯存槽5b，藉此使貯存槽5b內之磷酸水溶液之溫度及清潔度保持一定的動作，稱為循環調溫。
於時刻t1，圖1之控制部9進一步打開圖1之閥52。藉此，如圖3中粗箭頭A4所示般，由處理部1之杯CU所回收之 使用完畢的磷酸水溶液，係經由主管50a及枝管50c而送至第3槽7之貯存槽7b。如此，將使供給至基板W之使用完畢的磷酸水溶液送至貯存槽7b的動作稱為液回收。
於時刻t1，圖1之控制部9進一步打開圖1之閥26、36。藉此，如圖3中粗箭頭A5、A6所示，於第2槽6及第3槽7中亦進行與第1槽5相同的循環調溫。
於此，在第3槽7中進行液回收及循環調溫時，貯存於貯存槽7b之磷酸水溶液之磷酸濃度係與基準磷酸濃度相異。因此，圖1之控制部9係根據第3槽7之磷酸濃度計S1之輸出，以使貯存槽7b內之磷酸濃度接近基準磷酸濃度的方式，控制DIW供給系統91、氮氣供給系統92及磷酸水溶液供給系統93。
例如，控制部9係在由磷酸濃度計S1之輸出高於基準磷酸濃度時，控制DIW供給系統91而對貯存槽7b供給DIW。藉此，使貯存槽7b內之磷酸濃度降低，調整為基準磷酸濃度。
又，控制部9係在由磷酸濃度計S1之輸出低於基準磷酸濃度時，控制磷酸水溶液供給系統93而將具有高於基準磷酸濃度之磷酸濃度的磷酸水溶液供給至貯存槽7b。藉此，貯存槽7b內之磷酸濃度上升，調整為基準磷酸濃度。
又，控制部9係在由磷酸濃度S1之輸出較基準磷酸濃度低時，控制氮氣供給系統92而將氮氣供給至貯存槽7b。此時，促進貯存槽7b內之磷酸水溶液蒸發。藉此，使貯存槽7b內之磷酸濃度上升，調整為基準磷酸濃度。
再者，控制部9係為了使貯存槽7b內之磷酸濃度上升，亦可將具有高磷酸濃度之磷酸水溶液及氮氣中之一者供給至貯 存槽7b，或亦可將其兩者供給至貯存槽7b。
如上述，將使貯存槽7b內之磷酸水溶液之磷酸濃度調整為基準磷酸濃度的動作，稱為磷酸濃度調整。
如圖2所示，於時刻t1在第1槽5中開始對處理液噴嘴3供給磷酸水溶液及循環調溫。於第2槽6及第3槽7中亦開始循環調溫。於第3槽7，開始液回收及磷酸濃度調整。
由第1槽5對處理液噴嘴3的磷酸水溶液的供給，係持續至基板W處理結束為止。又，第1槽5、第2槽6及第3槽7中之循環調溫亦持續至基板W處理結束為止。
圖1之控制部9，係在由液面感應器S3檢測到第1槽5之貯存槽5b內之液面高度較第2基準高度L2下降了既定高度份時，打開圖1之閥21(時刻t2)。
藉此，開始由第2槽6對第1槽5的磷酸水溶液供給。如圖4中粗箭頭A7所示，由第2槽6之貯存槽6b經由枝管20b並通過過濾器22的磷酸水溶液之一部分，係經由主管20a送至第1槽5之貯存槽5b。如此，具有基準磷酸濃度及基準矽濃度之磷酸水溶液，係由第2槽6供給至第1槽5。藉此，貯存槽5b內之液面高度朝第2基準高度L2上升，貯存槽6b內之液面高度由第2基準高度L2下降(參照圖4之空心箭頭)。
在由液面感應器S3檢測到第第1槽5之貯存槽5b內之液面高度到達第2基準高度L2時，圖1之控制部9關閉圖1之閥21，藉此使由第2槽6對第1槽5之磷酸水溶液的供給停止(時刻t3)。
由時刻t2至時刻t3，由第2槽6對第1槽5供給磷 酸水溶液，但與此並行地在第3槽7進行液回收與磷酸濃度調整。藉此，第3槽7之貯存槽7b內的液面高度由第1基準高度L1上升(參照圖4之空心箭頭)。
於時刻t3停止於第3槽7之液回收，開始於第2槽6之液回收。亦即，控制部9係關閉圖1之閥52、打開閥51。藉此，將由處理部1之杯CU所回收之使用完畢之磷酸水溶液送至第2槽6之貯存槽6b(參照圖5之粗箭頭A8)。於第2槽6亦與液回收並行地進行磷酸濃度調整。
於此，在單片式基板處理裝置中，藉由潤洗處理等將一部分處理液廢棄。因此，無法將用於基板W處理之處理液全部回收。從而，即使在貯存槽5b內之液面高度維持為第2基準高度L2的狀態下，貯存槽6b內之液面高度由第2基準高度L2下降至第1基準高度L1，貯存槽7b內之液面高度亦不由第1基準高度L1上升至第2基準高度L2。
因此，圖1之控制部9係根據第3槽7之液面感應器S3(圖1)及矽濃度計S2的輸出，控制圖1之閥42及新液供給裝置8，使貯存槽7b內之液面高度上升至第2基準高度L2之同時使貯存槽7b內之磷酸水溶液之矽濃度接近基準矽濃度。
例如，控制部9係在由第3槽7之矽濃度計S2之輸出與基準矽濃度相等時，打開圖1之閥42。藉此，如圖5中粗箭頭A9所示，具有基準磷酸濃度及基準矽濃度之磷酸水溶液由新液供給裝置8被供給至第3槽7。其結果，貯存槽7b內之液面高度上升至第2基準高度L2之同時貯存槽7b內之矽濃度維持為基準矽濃度。
本例子之控制部9可根據設於新液供給裝置8之矽濃度計S2，將新液供給裝置8之混合槽8a內的矽濃度調整為與基準矽濃度相異的值。
因此，控制部9係在由第3槽7之矽濃度計S2之輸出較基準矽濃度低時，控制新液供給裝置8使混合槽8a內之矽濃度上升。藉此，將具有高於基準矽濃度之矽濃度的磷酸水溶液由新液供給裝置8供給至第3槽7。其結果，貯存槽7b內之液面高度上升至第2基準高度L2，且貯存槽7b內之矽濃度上升，調整為基準矽濃度。
又，控制部9係在由第3槽7之矽濃度計S2之輸出較基準矽濃度高時，控制新液供給裝置8使混合槽8a內之矽濃度降低。藉此，將具有低於基準矽濃度之矽濃度的磷酸水溶液由新液供給裝置8供給至第3槽7。其結果，貯存槽7b內之液面高度上升至第2基準高度L2，且貯存槽7b內之矽濃度降低，調整為基準矽濃度。
如上述，將使貯存槽7b內之液面高度上升至第2基準高度L2、且將磷酸水溶液之矽濃度調整為基準矽濃度的動作，稱為矽濃度調整。
再者，在矽濃度調整時，亦可將貯存於貯存槽7b之磷酸水溶液之一部分經由未圖示的廢液管予以廢棄。於此種情況，亦對貯存槽7b由新液供給裝置8供給含矽之磷酸水溶液。從而，可防止用於基板W處理之磷酸水溶液的不足。
於矽濃度調整時，係與矽濃度一起調整磷酸水溶液之磷酸濃度。例如，圖1之控制部9係與磷酸濃度調整時同樣地，根 據由第3槽7之磷酸濃度計S1之輸出，控制DIW供給系統91、氮氣供給系統92及磷酸水溶液供給系統93使磷酸濃度接近基準磷酸濃度。藉此，即使在由新液供給裝置8供給至第3槽7之磷酸水溶液不具有基準磷酸濃度的情況，仍使貯存槽7b內之磷酸濃度調整為基準磷酸濃度。
在由磷酸濃度計S1及矽濃度計S2檢測到於第3槽7之貯存槽7b中貯存著具有基準磷酸濃度及基準矽濃度之磷酸水溶液時，控制部9係使由新液供給裝置8對第3槽7的磷酸水溶液的供給停止，結束於第3槽7之矽濃度調整(時刻t4)。
再者，如圖2及圖5所示般，由於由時刻t3至時刻t4，持續由第1槽5對處理部1的磷酸水溶液供給，故貯存槽5b內之液面高度由第2基準高度L2下降。又，由於在第2槽6持續液回收，故貯存槽6b內之液面高度由第1基準高度L1上升。
於本實施形態中，於第2槽6及第3槽7中自開始矽濃度調整至完成為止的所需時間，係較用於使因基板W處理而貯存槽5b內之液面高度由第2基準高度L2下降至第1基準高度L1的所需要時間充分更短。
再者，圖1之控制部9亦可藉由使貯存槽7b內之液面高度與第2基準高度L2相等且貯存槽7b內之磷酸濃度及矽濃度為基準磷酸濃度及基準矽濃度的狀態持續一定時間，判定矽濃度調整結束的時刻t4。
控制部9係於時刻t4，開始由第3槽7對第1槽5供給具有基準磷酸濃度及基準矽濃度的磷酸水溶液。藉此，如圖6中粗箭頭A10所示，由第3槽7之貯存槽7b經由枝管20c並通過過 濾器32的磷酸水溶液之一部分，係經由主管20a送至第1槽5之貯存槽5b。藉此，第1槽5之貯存槽5b內的液面高度係朝第2基準高度L2上升。
控制部9係在檢測到第1槽5之液面高度與第2基準高度L2成為相等時，停止由第3槽7對第1槽5供給磷酸水溶液(時刻t5)。於第2槽6，係在時刻t3至時刻t5之間，因液回收而貯存槽6b內之液面高度上升。
於時刻t5，停止於第2槽6之液回收，開始於第3槽7之液回收。亦即，控制部9關閉圖1之閥51，打開閥52。藉此，使由處理部1之杯CU所回收之使用完畢的磷酸水溶液被送至第3槽7之貯存槽7b(參照圖7之粗箭頭A4)。於第3槽7亦與液回收並行地進行磷酸濃度調整。
又，由時刻t5起，係開始於第2槽6之矽濃度調整。亦即，控制部9係打開圖1之閥41且控制新液供給裝置8。藉此，如圖7中粗箭頭A11所示，經矽濃度調整之磷酸水溶液由新液供給裝置8供給至第2槽6。又，貯存槽6b內之磷酸水溶液之矽濃度維持為基準矽濃度。
在由矽濃度計S2檢測到於第2槽6之貯存槽6b中貯存著具有基準磷酸濃度及基準矽濃度之磷酸水溶液時，圖1之控制部9係使由新液供給裝置8對第2槽6的磷酸水溶液的供給停止，結束於第2槽6之矽濃度調整(時刻t6)。
再者，如圖2及圖7所示般，由於由時刻t5至時刻t6，持續由第1槽5對處理部1的磷酸水溶液供給，故貯存槽5b內之液面高度由第2基準高度L2下降。又，由於在第3槽7持續 液回收，故貯存槽7b內之液面高度由第1基準高度L1上升。於第3槽7係與液回收並行地進行磷酸濃度調整。
如圖2所示，由時刻t6起，係由第2槽6對第1槽5進行磷酸水溶液之供給。藉此，第2槽6之貯存槽6b內的液面高度由第2基準高度L2下降，第1槽5之貯存槽5b內之液面高度朝第2基準高度L2上升。由第2槽6對第1槽5之磷酸水溶液供給係進行至第1槽5之液面高度到達第2基準高度L2為止(時刻t7)。
於時刻t7以後，重複時刻t3至時刻t5之動作與時刻t5至時刻t7之動作，直到基板W處理停止。藉此，於第1槽5中，經常保持著具有基準磷酸濃度及基準矽濃度的磷酸水溶液。
再者，於第1槽5中，有磷酸水溶液之一部分水分蒸發的可能性。此時，貯存於貯存槽5b之磷酸水溶液之磷酸濃度及矽濃度改變。因此，控制部9亦可根據第1槽5之磷酸濃度計S1之輸出，於第1槽5中進行磷酸濃度調整。又，控制部9亦可在第1槽5之矽濃度計S2之輸出顯示異常值時，輸出異常信號。
又，在因裝置異常而未對第1槽5供給磷酸水溶液時，有貯存槽5b內之液面高度低於第1基準高度L1的可能性。因此，控制部9亦可在第1槽5之液面感應器S3之輸出為低於第1基準高度L1時輸出異常信號。
(3)效果
於第1實施形態之基板處理裝置100，係將處理部1所使用之處理液回收再利用。因此，可依少量處理液實行基板處理。又，對處理部1由第1槽5不間斷地供給處理液。因此，由於基板處理裝 置100中不產生停工時間，故可依高生產性實行基板處理。
然而，由於從處理部1所回收之處理液中混入了潤洗液等，故有濃度不穩定而變動之問題。從而，由處理部1回收處理液之第2槽6(或第3槽7)內的處理液，係於液回收期間內，磷酸濃度及矽濃度不穩定。因此，由處理部1回收處理液之第2槽6(或第3槽7)，無法直接對處理部1供給處理液。
於基板處理裝置100，係在由處理部1之處理液回收結束後，實行既定時間之濃度調整(時刻t5至時刻t6為止的期間(或時刻t3至時刻t4為止之期間))。藉此，可將調整為基準磷酸濃度及基準矽濃度之處理液由第2槽6(或第3槽7)供給至第1槽5。
假設在僅有2個槽的情況，於液回收後實行上述濃度調整時，將產生液回收或基板處理之任一者中斷的期間。
圖8係在僅有2個槽的情況下，對貯存於各槽之處理液實行上述濃度調整(包含磷酸濃度調整之矽濃度調整)的第1比較例。將第1比較例所使用之2個槽稱為槽A及槽B。槽A係於時刻t1至時刻t3之期間對處理部1供給處理液。槽B係由時刻t1至時刻t2為止由處理部1回收處理液，由時刻t2至時刻t3為止係停止液回收、並進行濃度調整(處理液之矽濃度及磷酸濃度的調整)。藉由自時刻t2至時刻t3為進行矽濃度及磷酸濃度的調整，可使槽B內之處理液穩定於基準矽濃度及基準磷酸濃度。
槽B係由時刻t3至時刻t5為止對處理部1供給處理液。另一方面，槽A係由時刻t3至時刻t4為止進行液回收，由時刻t4至時刻t5為止係停止液回收、並進行濃度調整。
如此，於第1比較例中，產生液回收之停止期間(由 時刻t2至時刻t3之期間及由時刻t4至時刻t5之期間)。由於在此期間於處理部1所使用之處理液未回收而廢棄，故無法有效利用處理液。
圖9係在僅有2個槽之情況下，對貯存於各槽之處理液實行上述濃度調整(包含磷酸濃度調整之矽濃度調整)的第2比較例。與第1比較例同樣地，將第2比較例所使用之2個槽稱為槽A及槽B。槽A係由時刻t1至時刻t2為止之期間對處理部1供給處理液。槽B係由時刻t1至時刻t2為止之期間由處理部1回收處理液。在由時刻t2至時刻t3為止的期間，使由槽A對處理部1之處理液供給停止，並實行槽B中之濃度調整。
槽B係由時刻t3至時刻t4為止的期間由處理部1供給處理液。槽A係由時刻t3至時刻t4為止的期間由處理液1回收處理液。在由時刻t4至時刻t5之期間，係使由槽B對處理部1之處理液供給停止，並實行於槽A中之濃度調整。
如此，於第2比較例中，由於產生處理部1中之基板處理中斷的停工時間(時刻t2至時刻t3為止之期間及時刻t4至時刻t5為止之期間)，故基板處理之生產性隆低。
在第1實施形態之基板處理裝置100的情況，未產生第1比較例般之處理液回收停止。亦即，如圖2所示，液回收係於第2槽6與第3槽7不中斷地交替實行。因此，基板處理裝置100可有效率地利用處理液。
又，在第1實施形態之基板處理裝置100的情況，未產生第2比較例般之停工時間。亦即，如圖2所示，第1槽5係對處理部1經常持續供給處理液。因此，基板處理裝置100可依高生 產性實行基板處理。
圖10為用於說明第1實施形態之基板處理裝置100之效果的圖。於圖10(a)中，係表示圖2之時刻t4至時刻t5為止之第1、第2及第3槽5、6、7中之動作。又，於圖10(b)中，係表示圖2之時刻t6至時刻t7為止之第1、第2及第3槽5、6、7中之動作。
如圖10(a)、(b)所示，係使由第1槽5對處理部1之磷酸水溶液之供給動作(參照粗實線箭頭)及由處理部1對第2槽6或第3槽7之液回收(參照粗虛線箭頭)並行地進行。藉由供給動作，由第1槽5對圖1之處理液噴嘴3供給磷酸水溶液。又，藉由液回收，由處理部1對第2槽6或第3槽7回收磷酸水溶液。又，藉由矽濃度調整，調整第3槽7或第2槽6內之矽濃度。
此時，於進行矽濃度調整之槽中，未供給由處理部1所回收的磷酸水溶液。因此，於進行矽濃度調整之槽中，可正確地調整矽濃度。
如圖10(a)、(b)所示，在矽濃度調整完成後，將經調整之處理液經由第1槽5供給至處理部1(參照粗一點鏈線箭頭)。藉此，可藉由濃度經正確調整之磷酸水溶液對基板W進行處理。又，在液回收結束後，將進行液回收之槽變更為矽濃度調整用之槽。藉此，可正確調整所回收之磷酸水溶液的矽濃度。
如此，可不使對處理部1之磷酸水溶液之供給動作及液回收停止，而正確調整磷酸水溶液之矽濃度。其結果，可防止基板W之處理效率降低並依高精度進行均勻處理。
又，於本例子之第1槽5，由於未供給所回收之磷酸 水溶液，並供給經調整之磷酸水溶液，故可防止第1槽5之污染，並使第1槽5內之磷酸水溶液之磷酸濃度及矽濃度保持一定。
[2]第2實施形態
於第1實施形態中，第1槽5係僅用於對處理部1供給磷酸水溶液。又，第2槽6及第3槽7係用於回收磷酸水溶液，以及用於調整磷酸水溶液之矽濃度及磷酸濃度。
不限定於此，亦可分別由第1槽5、第2槽6及第3槽7對處理部1供給磷酸水溶液。又，第1槽5、第2槽6及第3槽7亦可用於分別回收磷酸水溶液，及用於調整磷酸水溶液之矽濃度及磷酸濃度。
圖11為表示第2實施形態之基板處理裝置之構成的概略圖。圖11之基板處理裝置100係除了以下點之外，具有與圖1之基板處理裝置100相同的構成。
如圖11所示，本例子中，圖1之第2供給配管20之主管20a，係連接於閥12與加熱器11之間之第1供給配管10的部分。又，作為回收配管50，係使用具有1根主管50a及3根枝管50b、50c、50d的配管。枝管50b、50c、50d係連接於主管50a。回收配管50之主管50a連接於杯CU，3根之枝管50d、50b、50c分別連接於第1、第2及第3槽5、6、7之貯存槽5b、6b、7b。於枝管50b介插著閥51，於枝管50c介插著閥52，於枝管50d介插著閥53。
又，作為第3供給配管40，係使用具有1根主管40a及3根枝管40b、40c、40d的配管。枝管40b、40c係連接於主管 40a。第3供給配管40之主管40a連接於新液供給裝置8，2根之枝管40b、40c分別連接於第2及第3槽6、7之貯存槽6b、7b。於枝管40b介插著閥41，於枝管40c介插著閥42。
枝管40d係連接於閥41上游側之枝管40b的部分。枝管40d係連接於第1槽5之貯存槽5b。於枝管40d介插著閥43。
藉由上述構成，於本例子之基板處理裝置100中，藉由打開閥12、21、31中之一個閥並關閉其他閥，可將貯存於第1、第2及第3槽5、6、7的磷酸水溶液供給至處理部1。
又，藉由打開閥51、52、53中之1個閥並關閉其他閥，可將由處理部1之杯CU所回收之磷酸水溶液選擇性供給至第1、第2及第3槽5、6、7中之任一者。亦即，可於各個第1、第2及第3槽5、6、7中分別進行液回收。
又，藉由打開閥41、42、43中之1個閥並關閉其他閥，可將藉新液供給裝置8調整後之矽濃度及磷酸濃度的磷酸水溶液選擇性供給至第1、第2及第3槽5、6、7中之任一者。亦即，可於各個第1、第2及第3槽5、6、7中分別進行矽濃度調整
圖12為用於說明第2實施形態之基板處理裝置之效果的圖。圖12(a)係表示使由第1槽5對處理部1之磷酸水溶液之供給動作(參照粗實線箭頭)及由處理部1對第2槽6之液回收(參照圖12之粗虛線箭頭)並行地進行的例子。
圖12(b)係表示使由第3槽7對處理部1之磷酸水溶液之供給動作(參照粗實線箭頭)及由處理部1對第1槽5之液回收(參照粗虛線箭頭)並行地進行的例子。
圖12(c)係表示使由第2槽6對處理部1之磷酸水溶 液之供給動作(參照粗實線箭頭)及由處理部1對第3槽7之液回收(參照粗虛線箭頭)並行地進行的例子。
本例中，如圖12(a)~(c)所示，由第1、第2及第3槽5、6、7之任一槽對圖1之處理液噴嘴3供給磷酸水溶液，由處理部1之將磷酸水溶液回收至其他槽。又，於未進行供給動作及液回收之槽中進行包括磷酸濃度調整的矽濃度調整。藉此，可正確地調整矽濃度及磷酸濃度。
在矽濃度調整完成後，將經調整之磷酸水溶液由用於矽濃度調整之槽供給至處理部1。藉此，可藉由濃度經正確調整之磷酸水溶液對基板W進行處理。又，在液回收結束後，將進行液回收之槽變更為矽濃度調整用之槽。藉此，可正確調整所回收之磷酸水溶液的矽濃度。
如此，可不使對處理部1之磷酸水溶液之供給動作及液回收停止，而正確調整磷酸水溶液之矽濃度及磷酸濃度。其結果，可防止基板W之處理效率降低並依高精度進行均勻處理。
[3]第3實施形態
本實施形態之基板處理裝置，係依每一片基板進行處理的單片式基板處理裝置。於此基板處理裝置中，係對形成有由氧化矽(SiO2)所構成之矽氧化膜及由氮化矽(Si3N4)所構成之矽氮化膜的基板，供給含矽氧烷之高溫磷酸水溶液(H3PO4+H2O)作為高溫藥液。此時，由於磷酸水溶液含有矽氧烷，故矽氧化膜之蝕刻速率降低。藉此，選擇性地對矽氮化膜進行蝕刻。
矽氧烷係指由矽、氧及氫所構成之化合物中含有 Si-O-Si鍵結者的總稱，由一般式(H3SiO-(H2SiO)n-SiH3)所表示。
以下說明中，將氨水與過氧化氫水之混合溶液稱為SC1。又，將脫離子水(Deionized Water)稱為DIW。
(1)基板處理裝置之構成
圖13為表示第3實施形態之基板處理裝置之構成的概略圖。如圖13所示，基板處理裝置500主要含有處理部501、SC1供給裝置102、潤洗液供給裝置103、潤洗液供給裝置103、磷酸水溶液供給裝置104、DIW供給裝置105、氮氣供給裝置106及控制部109。
處理部501具有腔室190。腔室190具有4個側面部、天頂部及底部。於腔室190之1個側面部，形成有用於在腔室190外部與腔室190內部之間搬送基板W的搬送用開口191。於其1個側面部，設有用於對搬送用開口191進行開關的閘門192。又，於腔室190之天花板，設置在腔室190內產生下降氣流(down flow)的FFU(Fan Filter Unit，風扇過濾組)193。
於腔室190內部，設置旋轉夾具111、杯112、SC1噴嘴113、潤洗液噴嘴114、磷酸噴嘴115、支撐臂116、臂驅動裝置117、腔室190及加熱裝置200。
旋轉夾具111係具有旋轉馬達11a、旋轉基底11b及複數之夾銷11c。旋轉馬達11a係設置成旋轉軸平行於鉛直方向。旋轉基板11b係具有圓板形狀，依水平姿勢安裝於旋轉馬達11a之旋轉軸上端部。複數之夾銷11c係設於旋轉基底11b之上面上，保持基板W之周緣部。依複數之夾銷11c保持基板W之狀態使旋轉馬達11a動作。藉此，基板W於鉛垂軸之周圍旋轉。
如上述，本例子中，係使用保持基板W周緣部之機械式旋轉夾具111。不限定於此，亦可取代機械式之旋轉夾具，使用對基板W下面進行吸著保持的吸著式旋轉夾具。
SC1噴嘴113及潤洗液噴嘴114係設置成可於藉旋轉夾具111所保持之基板W上方位置與基板W側方之待機位置之間移動。
以連接SC1供給裝置102與SC1噴嘴113的方式設置SC1供給系統P1。SC1噴嘴113係將由SC1供給裝置102所供給之SC1供給至由旋轉夾具111所旋轉的基板W。
以連接潤洗液供給裝置103與潤洗液噴嘴114之方式設置潤洗液供給系統P2。潤洗液噴嘴114係將由潤洗液供給裝置103所供給之潤洗液供給至由旋轉夾具111所旋轉的基板W。本例中，使用DIW作為潤洗液。作為潤洗液，亦可取代DIW，使用碳酸水、臭氧水、磁性水、還原水(氫水)或離子水、或IPA(異丙醇)等有機溶劑。
於腔室190內，在旋轉夾具111之側方位置，設置由底部朝上方延伸的臂驅動裝置117。於臂驅動裝置117之上端部，依於水平方向延伸之方式設置棒狀之支撐臂116。於支撐臂116前端安裝加熱裝置200。又，於加熱裝置200一部分固定磷酸噴嘴115。
臂驅動裝置117係例如包含馬達，使支撐臂116之前端以該馬達之旋轉軸為中心進行旋轉。藉此，磷酸噴嘴115及加熱裝置200設置成可於由旋轉夾具111所保持之基板W上方之處理位置與基板W之側方之待機位置之間移動。
加熱裝置200係包含產生電磁波之複數之燈加熱器 HT1~HT4(參照圖14)，由基板W上方藉輻射熱對基板W及供給至基板W上的磷酸水溶液進行加熱。由複數之燈加熱器HT1~HT4所產生之電磁波，主要包含紅外線，具有紫外線以上、遠紅外線以下的波長。本例中，使用鎢鹵素燈作為燈加熱器HT1~HT4。亦可取代鎢鹵素燈，使用氙弧燈或石墨加熱器等作為燈加熱器HT1~HT4。
以連接磷酸水溶液供給裝置104與磷酸噴嘴115之方式設置磷酸供給系統P3。以連接DIW供給裝置105與磷酸噴嘴115之方式設置DIW供給系統P4。磷酸噴嘴115係將由磷酸水溶液供給裝置104所供給之磷酸水溶液及由DIW供給裝置105所供給之DIW，供給至藉旋轉夾具111所旋轉的基板W。
於此，由磷酸水溶液供給裝置104供給至磷酸噴嘴115的磷酸水溶液，係加熱至其磷酸濃度之沸點(例如140℃以上且160℃以下)。又，供給至磷酸噴嘴115之磷酸水溶液中係含有矽氧烷。
以連接氮氣供給裝置106與加熱裝置200之方式設置氮氣供給系統P5。藉此，由氮氣供給裝置106對加熱裝置200供給氮氣。關於供給至加熱裝置200之氮氣的功能將於後述。
SC1供給系統P1、潤洗液供給系統P2、磷酸供給系統P3、DIW供給系統P4及氮供給系統P5係個別由介插著閥、加熱器、過濾器及泵等的配管所構成。
又，於腔室190內，係以包圍旋轉夾具111之方式設置杯112。杯112係在對旋轉夾具111搬入基板W時及由旋轉夾具111搬出基板W時下降，在對基板W供給處理液(本例子中為SC1、DIW及磷酸水溶液)時上升。
在對旋轉之基板W供給處理液時，杯112上端部係位於較基板W更上方。藉此，由基板W所甩離之處理液係由杯112所承接。由杯112所承接之處理液係經由廢液管予以廢棄。再者，由杯112所承接之處理液之一部分或全部亦可利用。
再者，於杯112底部連接著未圖示之排氣導管。杯112內部之環境氣體係經由此排氣導管排出至腔室190外部。
控制部109係由CPU(中央演算處理裝置)及記憶體、或微電腦等所構成。於控制部109之記憶體記載系統程式。控制部109係控制基板處理裝置500的各構成要件的動作。
(2)基板處理裝置之動作之概略
藉由以控制部109控制基板處理裝置500之各構成要件的動作，進行以下所示之一連串處理。首先，於腔室190內搬入基板W，由旋轉夾具111保持所搬入之基板W。於所搬入之基板W表面(本例子中為上面)，形成矽氧化膜及矽氮化膜。
接著，使由旋轉夾具111所保持之基板W旋轉。又，藉由使圖13之臂驅動裝置117動作，使磷酸噴嘴115移動至由旋轉夾具111所保持之基板W之中心上方的位置。
在磷酸噴嘴115與基板W中心相對向之位置，由磷酸水溶液供給裝置104對磷酸噴嘴115供給含矽氧烷之磷酸水溶液。藉此，於旋轉之基板W之上面上形成磷酸水溶液之液膜，於基板W上之矽氧化膜及矽氮化膜中選擇性地對矽氮化膜進行蝕刻。
此時，依形成了磷酸水溶液之液膜的狀態，使加熱裝置200與基板W上面之一部分相對向，對燈加熱器流通電流。藉 此，由燈加熱器產生紅外線，使與加熱裝置200相對向之基板W之部分及磷酸水溶液之液膜被輻射熱所加熱。此時，形成於旋轉之基板W上之磷酸水溶液維持為其磷酸濃度之沸點。藉此，可較高地維持矽氮化膜的蝕刻速率。
於此，若基板W上之磷酸水溶液之水分蒸發，磷酸水溶液中生成焦磷酸(H4P2O7)。焦磷酸係對矽氧化膜進行蝕刻。因此，若磷酸水溶液被加熱至其沸點，則矽氮化膜之蝕刻量相對於矽氧化膜之蝕刻量的比率(以下稱為蝕刻選擇比)變低。
因此，本例子中，為了抑制焦磷酸對矽氧化膜進行蝕刻，而在磷酸水溶液之液膜之加熱中由DIW供給裝置105對磷酸噴嘴115適當供給DIW。藉此，由於對磷酸水溶液之液膜供給與蒸發水同量的DIW，故減低焦磷酸產生。其結果，可較高地維持蝕刻選擇比。
其後，在經過既定時間後，停止對基板W供給磷酸水溶液及DIW。又，使磷酸噴嘴115及加熱裝置200移動至基板W之側方之待機位置。進而，甩除基板W上之磷酸水溶液。
接著，使潤洗液噴嘴114移動至基板W上方之處理位置，對旋轉之基板W供給潤洗液。藉此，將殘留於基板W上之磷酸水溶液藉潤洗液予以沖除。
其次，停止對基板W供給潤洗液，使潤洗液噴嘴114移動至待機位置。又，使SC1噴嘴113移動至處理位置，對基板W上供給SC1。其後，停止對基板W供給SC1，對基板W上供給潤洗液。最後，停止對基板W供給潤洗液，甩除基板W上之潤洗液，使其乾燥。經乾燥之處理後之基板W由腔室190搬出。
(3)加熱裝置之構造
圖14為圖13之加熱裝置200的俯視圖。圖14表示磷酸水溶液之液膜被加熱時之加熱裝置200的狀態。如圖14所示，加熱裝置200係包含殼體210、蓋構件250及複數(本例子中為4個)燈加熱器HT1~HT4。燈加熱器HT1~HT4係內容於殼體210內。蓋構件250係設置成被覆殼體210上部。加熱裝置200具有略扇形之平面外形。
圖15表示由圖14之殼體210卸除了蓋構件250之狀態的俯視圖。圖16為由圖15之箭頭Q之方向觀看圖14之加熱裝置200的一方側面圖；圖17為由圖15之箭頭R之方向觀察圖14之加熱裝置200的另一方側面圖。圖18為圖14之A-A線剖面圖，圖19為圖14之B-B線剖面圖，圖20為圖16之C-C線剖面圖。
如圖15所示，於殼體210內，係使4個燈加熱器HT1~HT4配置成排列於一方向上。各燈加熱器HT1~HT4係具有於石英管內配置了燈絲的構成。又，各燈加熱器HT1~HT4係具有形成為圓弧狀之曲線部HTa與由曲線部HTa之兩端部延伸至上方的直線部HTb(參照後述圖18)。於各直線部HTb之上端部設置端子。
於各燈加熱器HT1~HT4之2個端子分別連接配線(未圖示)。連接於各燈加熱器HT1~HT4之配線，係經由形成於蓋構件250之貫通孔(未圖示)拉出至殼體210外部，連接於電源裝置。經由各配線對燈加熱器HT1~HT4流通電流，藉此主要由曲線部HTa產生紅外線。
以下，將4個燈加熱器HT1~HT4分別稱為第1燈加 熱器HT1、第2燈加熱器HT2、第3燈加熱器HT3及第4燈加熱器HT4。
第1至第4燈加熱器HT1~HT4係由基板W之旋轉中心起朝半徑方向外側，依序配置第1燈加熱器HT1、第2燈加熱器HT2、第3燈加熱器HT3、第4燈加熱器HT4。
依加熱裝置200位於處理位置之狀態，以使最內側之第1燈加熱器HT1配置於接近基板W之旋轉中心之位置的方式，且使最外側之第4燈加熱器HT4位於由基板W外周部之正上方稍微偏離基板W之旋轉中心側之位置的方式，藉支撐臂116支撐加熱裝置200。從而，第1至第4燈加熱器HT1~HT4可對由基板W中心部起到達外周部為止的扇形區域一概地進行加熱。
又，第1至第4燈加熱器HT1~HT4於基板W上面之加熱輪廓(heating profile)，可設定為使基板W上之磷酸水溶液之液膜與基板W半徑方向呈相關性地依一定速度進行升溫。例如，基板W外周部及其附近之區域，由於因基板W旋轉所造成之風切而被冷卻、不易升溫。為了予以補償，相較於使第1至第4燈加熱器HT1~HT4於基板W半徑方向上依等間隔配置的情況，本實施形態中係使第3燈加熱器HT3配置於稍微偏向基板W外周側的位置。亦即，第3燈加熱器HT3及第4燈加熱器HT4間之間隔，係小於第1燈加熱器HT1及第2燈加熱器HT2間之間隔。藉此，可依較基板W之旋轉中心區域相對較高之熱量對基板W外周部及其附近之區域進行加熱。
又，第1至第4燈加熱器HT1~HT4於俯視時的曲率，係與基板W之外周部之曲率幾乎相等。
如後述，基板W之蝕刻係依將加熱裝置200固定於處理位置之狀態使基板W旋轉之下而進行。加熱裝置200之第1至第4燈加熱器HT1~HT4可對自基板W中心部起到達外周部之扇形區域一概地進行加熱。又，由第1~第4燈加熱器HT1~HT4進行之加熱輪廓係設定為使磷酸水溶液之液膜與基板W之半徑方向呈相關性地依一定速度進行升溫。進而，第1至第4燈加熱器HT1~HT4之曲率係與基板W外周部之曲率幾乎相等。因此，第1至第4燈加熱器HT1~HT4不僅使磷酸水溶液之液膜於基板W半徑方向上、在周方向上亦使其依一定速度進行升溫。藉此，可提高基板W之蝕刻速率的面內均勻性。
由本例子之第1至第4燈加熱器HT1~HT4主要產生之紅外線包括近紅外線、中間紅外線及遠紅外線，具有約750nm以上且約1000μm以下之波長。
於殼體210之上端部設有由石英玻璃所構成的凸緣板211。於凸緣板211，依大致一定之間隔形成複數之貫通孔211h。
於圖14之蓋構件250中，係形成有對應凸緣板211之複數貫通孔211h的複數螺栓孔。複數之螺釘SC通過凸緣板211之複數貫通孔211h而安裝於蓋構件250之複數螺栓孔。藉此，使蓋構件250經由凸緣板211安裝於殼體210。
蓋構件250例如由PTFE(聚四氟乙烯)所構成。作為蓋構件250之材料，除了PTFE之外，亦可使用PVC(聚氯乙烯)、PPS(聚苯硫醚)、或PFA(四氟乙烯‧全氟烷基乙烯基醚共聚合體)等之樹脂材料。
如圖18及圖19所示，於蓋構件250下面中央部，係 設置有用於使由第1至第4燈加熱器HT1~HT4朝上方放射之紅外線朝下方反應的反射板RF。
如圖20所示，殼體210係具有第1側壁部SW1、第2側壁部SW2、第3側壁部SW3及第4側壁部SW4。第1側壁部SW1係設置成與第4側壁部SW4相對向。第2側壁部SW2及第3側壁部SW3係設置成與第1側壁部SW1之兩端及第4側壁部SW4之兩端相接。
第1側壁部SW1係由板狀之第1內側構件222a、與位於第1內側構件222a之外側的板狀之第1外側構件212a所構成。於第1內側構件222a與第1外側構件212a之間形成第1側部通路GS1。
第2側壁部SW2係由板狀之第2內側構件222b、與位於第2內側構件222b之外側之板狀之第2外側構件212b所構成；於第2內側構件222b與第2外側構件212b之間形成連通至第1側部通路GS1的第2側部通路GS2，且設置沿著第4側壁部SW4之一側邊於上下方向延伸之排出開口292。
第3側壁部SW3係由板狀之第3內側構件222c、與位於第3內側構件222c之外側之板狀之第3外側構件212c所構成；於第3內側構件222c與第3外側構件212c之間形成連通至第1側部通路GS1的第3側部通路GS3，且設置沿著第4側壁部SW4之另一側邊於上下方向延伸之排出開口293。
第4側壁部SW4係由板狀構件223所構成。板狀構件223係具有彎曲為圓弧狀的矩形之長板形狀。板狀構件223之曲率最好與基板W外周部的曲率一致。
如圖19所示，第1側壁部SW1及第4側壁部SW4係藉熔接而接合於凸緣板211下面。又，如圖18所示，第2側壁部SW2及第3側壁部SW3係藉熔接而接合於凸緣板211下面。
第1至第3內側構件222a~222c、第1至第3內側構件212a~212c及板狀構件223，係分別由使紅外線穿透之石英玻璃所構成。第1至第3內側構件222a~222c可一體形成，亦可形成為個別體。又，第1至第3外側構件212a~212c可一體形成，亦可形成為個別體。
如圖18及圖19所示，殼體210進一步具有底部BM。底部BM係由第1板狀構件224、與位於第1板狀構件224下方之第2板狀構件213所構成。第1板狀構件224及第2板狀構件213，係由使紅外線穿透之石英玻璃所構成。第1板狀構件224係藉熔接而接合於第1至第3內側構件222a~222c下端及板狀構件223之下端。第2板狀構件213係藉熔接而接合於第1至第3外側構件212a~212c之下端。
第1板狀構件224與第2板狀構件213之間，形成有連通至上述第1側部通路GS1、第2側部通路GS2及第3側部通路GS3的氣體通路GS0，且沿著第4側壁部SW4之下邊設置於水平方向延伸之排出開口291。
如圖17所示，排出開口292、293、291係沿者第4側壁部SW4之兩側邊及下邊延伸。
如圖15及圖16所示，於第3外側構件212c之上端部附近藉熔接而接合氣體導入管214。氣體導入管214係由石英玻璃所構成，設置成使第3外側構件212c與第3內側構件222c之間 的第3側部通路GS3、與殼體210外部之空間連通。
如圖14所示，在旋轉之基板W上之磷酸水溶液的加熱時，加熱裝置200係依以第4側壁部SW4位於基板W外周部之幾乎正上方且第1側壁部SW1位於基板W中心附近的狀態靜止的方式，由圖13之支撐臂116所支撐。此時，構成圖17之底部BM之第1板狀構件224及第2板狀構件213，係配置於基板W上面。第2側壁部SW2及第3側壁部SW3係於基板W半徑方向上延伸。又，圖17之排出開口292、293、291係位於基板W外周部之幾乎正方上。再者，排出開口292、293、291亦可位於較基板W外周部更靠外側之上方。任一情況下，排出開口292、293、291均配置在可由較基板W之外周部，亦即較基板W上面所形成之磷酸水溶液之液膜之外周部更靠基板W半徑方向外側的位置，朝基板W半徑方向外側吐出氮氣的位置。
(4)供給至加熱裝置之氮氣的機能及效果
於具有上述構成之加熱裝置200中，於圖15及圖16之氣體導入管214連接圖13之氮氣供給系統P5。由圖13之氮氣供給裝置106經由氮氣供給系統P5及氣體導入管214對殼體210內之第3側部通路GS3供給室溫之氮氣。
圖21為表示加熱裝置200中之氮氣氣流的水平剖面圖；圖22為表示加熱裝置200中之氮氣氣流的垂直剖面圖。
由氣體導入管214供給至第3側部通路GS3之室溫氮氣，係如圖21及圖22中粗箭頭所示般，於第3側部通路GS3、第1側部通路GS1、第2側部通路GS2及GS0流動，並由排出開 口291、292、293被排出。
圖23為磷酸水溶液之液膜被加熱時之加熱裝置200的側面圖。如圖23所示，對由旋轉夾具111所保持之基板W由磷酸噴嘴115供給磷酸水溶液，於旋轉之基板W上形成磷酸水溶液之液膜。
此時，基板W之旋轉數保持為例如1rpm~500rpm左右。又，加熱裝置200下面(第2板狀構件213之下面)與由旋轉夾具111所保持之基板W之上面之間的距離D1，設定為例如5mm。再者，杯112上端部與由旋轉夾具111所保持之基板W上面之間的距離D2，設定為例如22mm。
於此狀態，藉由分別對加熱裝置200之第1至第4燈加熱器HT1~HT4流通電流，而由第1至第4燈加熱器HT1~HT4產生紅外線。所產生之紅外線之一部分係穿透第1板狀構件224及第2板狀構件213朝基板W上之磷酸水溶液之液膜照射。又，所產生之紅外線之剩餘部分係穿透第1至第3內側構件222a~222c(參照圖21)及第1至第3外側構件212a~212c(參照21)朝基板W上之磷酸水溶液之液膜照射。藉此，加熱磷酸水溶液之液膜。
此時，由於來自第1至第4燈加熱器HT1~HT4之輻射熱及由第1至第4燈加熱器HT1~HT4所傳達之熱，第1板狀構件224及第1至第3內側構件222a~222c之溫度亦上升。進而，由於來自第1至第4燈加熱器HT1~HT4之輻射熱等，第2板狀構件213及第1至第3外側構件212a~212c之溫度亦上升。
加熱裝置200由於接近基板W上面，故有由磷酸水溶液之液膜等所飛散之磷酸水溶液之飛沫附著於第2板狀構件213 及第1至第3外側構件212a~212c的情形。又，視圖23之距離D1之尺寸或磷酸水溶液之液膜厚度，有第2板狀構件213之下面直接接觸至磷酸水溶液的情形。
若於第2板狀構件213及第1至第3外側構件212a~212c附著高溫之磷酸水溶液，則該構件中之石英玻璃與磷酸水溶液產生腐蝕反應等而有表面起霧之虞。
本實施形態之加熱裝置200中，如圖23中粗箭頭所示，室溫之氮氣係於第1至第3側部通路GS1~GS3(參照圖21)及氣體通路GS0流通並由排出開口291、292、293(參照圖21及圖22)排出。
由於室溫之氮氣流動，故第1至第3側部通路GS1~GS3(參照圖21)及氣體通路GS0被冷卻。藉此，抑制第1板狀構件224及第1至第3內側構件222a~222c及第2板狀構件213及第1至第3外側構件212a~212c的熱上升。因此，假使於第2板狀構件213及第1至第3外側構件212a~212c附著了磷酸水溶液之飛沫，仍不致使該構件與磷酸水溶液產生反應而於表面造成起霧。
如此，於第1板狀構件224及第1至第3內側構件222a~222c以及第2板狀構件213及第1至第3外側構件212a~212c不產生起霧，維持透明。因此，由第1至第4燈加熱器HT1~HT4產生之紅外線可不受此等構件妨礙而穿透，均勻地照射至基板W上之磷酸水溶液之液膜。
又，加熱裝置200之排出開口291~293係於俯視下，位於較基板W(及形成於其上面之磷酸水溶液之液膜)外周部更靠基板W之半徑方向外側。從而，由排出開口291~293所排出之氮氣 不需通過磷酸水溶液之液膜上方，而由杯112底部之導管(未圖示)排出至腔室190外部。從而，可防止由排出開口291~293所排出之氮氣使磷酸水溶液之液膜局部冷卻的情形。
再者，基板W上之矽氧化膜及矽氮化膜之由磷酸水溶液進行的蝕刻速率，係大幅依存於磷酸水溶液之溫度。例如在磷酸水溶液之液溫較高處的蝕刻速率變高，在較低處則蝕刻速度變低。因此，若基板W上之磷酸水溶液之液膜局部冷卻，有損及磷酸水溶液所進行之基板W之蝕刻速率的面內均勻性之虞。
本加熱裝置200係防止由排出開口291、292、293所排出之氮氣使基板W上之磷酸水溶液被局部冷卻。因此，不致有以由加熱裝置200所排出之氮氣為起因而損及蝕刻速率之面內均勻性之虞。其結果，可藉由經加熱之磷酸水溶液對矽氧化膜及矽氮化膜進行均勻之蝕刻處理。
本實施形態中，較佳係依第2板狀構件213及第1至第3外側構件212a~212c之溫度維持為例如室溫(23℃)以上且100℃以下的方式，對供給至加熱裝置200之氮氣的溫度及流量之至少一者進行調整。此時，即使於第2板狀構件213及第1至第3外側構件212a~212c附著磷酸水溶液，仍可防止第2板狀構件213及第1至第3外側構件212a~212c之表面起霧。
本實施形態中，係依在加熱裝置200被支撐於基板W上方之處理位置的狀態下，對自基板W中心起至外周部的半徑方向的區域照射紅外線的方式，使第1至第4燈加熱器HT1~HT4排列於基板W之半徑方向上。藉此，在磷酸水溶液之加熱時，紅外線同時照射至基板W中心起至外周部為止的半徑方向的區域。從 而，藉由旋轉基板W，使基板W上之磷酸水溶液全體被均勻加熱。
又，第1至第4燈加熱器HT1~HT4係分別沿著基板W外周部設置成圓弧狀。藉此，於基板W周方向上對基板W上之磷酸水溶液均勻照射紅外線。如此，使基板W上之磷酸水溶液於周方向上被均勻加熱。
[4]其他實施形態
(1)於第1及第2實施形態中，係使用屬於藥液之磷酸水溶液作為處理液，調整磷酸水溶液之磷酸濃度及矽濃度。不限定於此，作為處理液，亦可使用配合基板W之處理內容而需要濃度調整之其他藥液。
作為其他藥液，可使用例如緩衝氫氟酸(BHF)、稀氟酸(DHF)、氫氟酸(氫氟酸水：HF)、鹽酸、硫酸、硝酸、醋酸、草酸或氨水等之水溶液，或此等之混合溶液。又，作為混合溶液，可使用例如加熱為高溫之硫酸(H2SO4)與過氧化氫水(H2O2)的混合液(SPM)、氨與過氧化氫水之混合溶液(SC1)、或鹽酸(HCl)與過氧化氫水之混合液(SC2)。
在使用此等藥液的情況，亦於未進行液回收之槽，調整藥液中之特定成分的濃度。藉此，可進行藥液之正確濃度調整。
(2)於上述處理部1中，係使用第1、第2及第3槽5、6、7作為用於貯存磷酸水溶液的槽。不限定於此，於基板處理裝置100亦可進而設置更多數的槽。
(3)上述處理部1中，設置對基板W供給磷酸水溶液的處理液噴嘴3。除此之外，於處理部1亦可設置對基板W供給潤 洗液的潤洗液噴嘴，或可設置對基板W供給磷酸水溶液以外之其他藥液的其他處理液噴嘴。藉此，使處理部1中之基板W的處理內容多樣化。
再者，作為潤洗液，可舉例如純水、碳酸水、臭氧水、磁性水、還原水(氫水)或離子水、或IPA(異丙醇)等之有機溶劑。
(4)於第1及第2實施形態中，係於矽濃度調整時，以使用於基板W之處理之磷酸水溶液的矽濃度成為基準矽濃度之方式調整。不限定於此，於矽濃度調整時，亦可將磷酸水溶液之矽濃度調整為包含基準矽濃度之既定範圍內。此時，由於可視需要而使調整的範圍增大，故矽濃度調整所需要的時間可縮短。
(5)於第1及第2實施形態之基板處理裝置100中，亦可使用第3實施形態之加熱裝置200作為加熱裝置4。此時，於第1及第2實施形態之基板處理裝置100，進一步設置圖13之SC1供給裝置102、潤洗液供給裝置103及氮氣供給裝置106。藉此，在第1及第2實施形態之基板處理裝置100中，亦可進行與第3實施形態相同的處理。其結果，可使基板W上之磷酸水溶液被均勻加熱，可進行均勻且有效率的處理。
(6)於第3實施形態中，係在加熱裝置200位於處理位置之狀態，排出開口291~293位於在俯視下較基板W(及其上面所形成之磷酸水溶液之液膜)外周部更靠基板W之半徑方向外側。然而，排出開口291~293之位置亦可位於較基板W之外周圓稍微地更靠基板W之半徑方向內側。
(7)第3實施形態中，作為構成殼體210之第1至第4側壁部SW1~SW4及底部BM的材料，係使用使紅外線穿透之石英 玻璃。不限定於此，作為構成第1至第4側壁部SW1~SW4及底部BM的材料，亦可取代石英玻璃而使用穿透紅外線之其他玻璃等之無機物(藍寶石玻璃等)、或樹脂。
(8)第3實施形態中，係使用氮氣作為供給至加熱裝置200的氣體。不限定於此，作為供給至加熱裝置200的氣體，亦可取代氮氣而使用氬等其他惰性氣體。
(9)第3實施形態之加熱裝置200，係用於對磷酸水溶液進行加熱。不限定於此，加熱裝置200亦可用於對需要於高溫下進行處理之其他藥液進行加熱。作為其他藥液，例如為硫酸(H2SO4)與過氧化氫水(H2O2)的混合液(SPM)。
[5]請求項之各構成要件與實施形態之各部的對應關係
以下針對請求項之各構成要件與實施形態之各構成要件間的對應例進行說明，但本發明並不限定於下述例。
(1)於第1及第2實施形態中，基板處理裝置100為基板處理裝置的例子，處理液噴嘴3為處理液噴嘴的例子，處理部1為處理單元的例子，第1槽5為供給用槽的例子，第2槽6為回收用槽的例子，第3槽7為調整用槽的例子，第1、第2及第3槽5、6、7為複數槽的例子。
又，對處理液噴嘴3之磷酸水溶液的供給動作為供給動作的例子，液回收動作為回收動作的例子，包括磷酸濃度之調整的矽濃度調整為調整動作的例子，第1供給配管10、泵15、24、34、閥12、17、21、26、31、36、41、42、43、51、52、53、循環配管16、25、35、第2供給配管20、第3供給配管40及回收配管 50為路徑構成部的例子。
另外，第1、第2及第3槽5、6、7分別為第1、第2及第3槽的例子，圖1之第1供給配管10、閥12及泵15為第1處理液供給系統的例子，圖1之回收配管50及閥51、52為請求項3之處理液回收系統的例子，新液供給裝置8為濃度調整裝置的例子，圖1之第2供給配管20、閥21、31及泵24、34為第2處理液供給系統的例子，圖11之第1供給配管10、閥12、21、31及泵15、24、34及第2供給配管20為處理液供給系統的例子，圖11之回收配管50及閥51、52、53為請求項5之處理液回收系統的例子。再者，矽氮化膜為第1膜的例子，矽氧化膜為第2膜的例子。
(2)第3實施形態中，基板處理裝置500為基板處理裝置的例子，基板W為基板的例子，旋轉夾具111為基板保持裝置的例子，磷酸水溶液供給裝置104及磷酸供給系統P3為藥液供給系統的例子，加熱裝置200為加熱裝置的例子，氮氣供給裝置106及氮氣供給系統P5為氣體供給系統的例子，第1至第4燈加熱器HT1~HT4為紅外線產生器的例子，第1板狀構件224為第1板狀構件的例子，第2板狀構件213為第2板狀構件的例子，氣體通路GS0為氣體通路的例子，排出開口291為第1排出開口的例子。
另外，殼體210為殼體的例子，底部BM為底部的例子，第1側壁部SW1為第1側壁部的例子，第2側壁部SW2為第2側壁部的例子，第3側壁部SW3為第3側壁部的例子，第4側壁部SW4為第4側壁部的例子，第1內側構件222a為第1內側構件的例子，第1外側構件212a為第1外側構件的例子，第1側部通路GS1為第1側部通路的例子，第2內側構件222b為第2內側構 件的例子，第2外側構件212b為第2外側構件的例子，第2側部通路GS2為第2側部通路的例子，排出開口292為第2排出開口的例子，第3內側構件222c為第3內側構件的例子，第3外側構件212c為第3外側構件的例子，第3側部通路GS3為第3側部通路的例子，排出開口293為第3排出開口的例子。
(3)作為請求項之各構成要件，亦可使用具有請求項記載之構成或機能的其他各種構成要件。
(產業上之可利用性)
本發明可有效利用於基板處理。
1‧‧‧處理部
2‧‧‧旋轉夾具
2a‧‧‧旋轉馬達
2b‧‧‧旋轉基底
2c‧‧‧夾銷
3‧‧‧處理液噴嘴
4‧‧‧加熱裝置
5‧‧‧第1槽
5a、6a、7a‧‧‧循環槽
5b、6b、7b‧‧‧貯存槽
6‧‧‧第2槽
7‧‧‧第3槽
8‧‧‧新液供給裝置
8a‧‧‧混合槽
9‧‧‧控制部
10‧‧‧第1供給配管
11、14、23、33‧‧‧加熱器
12、17、21、26、31、36、41、42、51、52‧‧‧閥
13、22、32‧‧‧過濾器
15、24、34‧‧‧泵
16、25、35‧‧‧循環配管
20‧‧‧第二供給配管
20a、40a、50a‧‧‧主管
20b、20c、40b、40c、50b、50c‧‧‧枝管
40‧‧‧第3供給配管
50‧‧‧回收配管
91‧‧‧DIW供給系統
92‧‧‧氮氣供給系統
93‧‧‧磷酸水溶液供給系統
94‧‧‧矽濃縮液供給系統
100‧‧‧基板處理裝置
CU‧‧‧杯
S1‧‧‧磷酸度計
S2‧‧‧矽濃度計
S3‧‧‧液面感應器
W‧‧‧基板

Claims (17)

  1. 一種基板處理裝置，係具備：包含對基板供給處理液之處理液噴嘴的處理單元；包含供給用槽、回收用槽及調整用槽的複數之槽；以及依並行地進行由上述供給用槽對上述處理液噴嘴供給處理液之供給動作、由上述處理單元將處理液回收至上述回收用槽之回收動作、及對貯存於上述調整用槽之處理液之濃度進行調整之調整動作的方式，構成處理液之路徑的路徑構成部；上述路徑構成部係依下述方式變更處理液之路徑：在上述回收動作結束後，將上述回收用槽變更為上述調整用槽，並且在上述調整動作結束後，將經調整之處理液供給至上述處理單元。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述路徑構成部係依下述方式變更處理液之路徑：在上述調整動作結束後，將經調整之處理液由上述調整用槽供給至上述供給用槽，在處理液對上述供給用槽的供給後，將上述調整用槽變更為上述回收用槽。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，上述複數之槽係包含第1、第2及第3之槽；上述第1槽為上述供給用槽，上述第2或第3槽之任一者為上述回收用槽，上述第2或第3槽之另一者為上述調整用槽；上述路徑構成部係包括：第1處理液供給系統，其進行由上述第1槽對上述處理液噴嘴供給處理液之上述供給動作；處理液回收系統，其進行由上述處理單元將處理液選擇性地回 收至上述第2及第3槽中之一槽的上述回收動作；濃度調整裝置，其進行對貯存於上述第2及第3槽中之另一槽之處理液之濃度進行調整之上述調整動作；與第2處理液供給系統，其在上述濃度調整裝置所進行之上述調整動作結束後，將經調整之處理液由上述另一槽供給至上述第1槽；上述處理液回收系統係交替進行由上述處理單元對上述第2槽的上述回收動作及由上述處理單元對上述第3槽的上述回收動作；上述濃度調整裝置交替進行上述第3槽中之上述調整動作及上述第2槽中之上述調整動作。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述路徑構成部係如下述般變更處理液路徑：在上述調整動作結束後，將上述調整用槽變更為上述供給用槽，在上述供給動作結束後，將上述供給用槽變更為上述回收用槽。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中，上述複數之槽係包含第1、第2及第3槽，上述第1、第2或第3槽之任一者設定為上述供給用槽，上述第1、第2或第3槽之其他任一者設定為上述回收用槽，上述第1、第2或第3槽之進而其他任一者設定為上述調整用槽；上述路徑構成部係包括：處理液供給系統，其進行由設定為上述供給用槽之上述第1、第2或第3槽對上述處理液噴嘴供給處理液之上述供給動作；處理液回收系統，其進行由上述處理單元將處理液選擇性地回收至設定為上述回收用槽之上述第1、第2或第3槽之上述回收動 作；與濃度調整裝置，其進行對貯存於設定為上述調整用槽之上述第1、第2或第3槽之處理液濃度進行調整之上述調整動作；上述處理液供給系統係依序進行由上述第1槽對上述處理液噴嘴之上述供給動作、由上述第2槽對上述處理液噴嘴之上述供給動作、及由上述第3槽對上述處理液噴嘴之上述供給動作；上述處理液回收系統係依序進行由上述處理單元對上述第2槽之上述回收動作、由上述處理單元對上述第3槽之上述回收動作及由上述處理單元對上述第1槽之上述回收動作；上述濃度調整裝置係依序進行上述第3槽之上述調整動作、上述第1槽之上述調整動作及上述第2槽之上述調整動作。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之基板處理裝置，其中，上述基板係包含由第1材料所形成之第1膜與由第2材料所形成之第2膜；上述處理液係包含對上述第1材料依較上述第2材料高之速率選擇性進行蝕刻的成分；上述調整動作係包含對上述處理液中之上述成分濃度進行調整之處理。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中，上述第1材料含有氮化矽，上述第2材料含有氧化矽；上述處理液係含有矽及磷酸之溶液；上述調整動作係含有對上述溶液中之矽之濃度進行調整的處理。
  8. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之基板處理裝置，其中， 上述處理液噴嘴係對基板供給藥液作為處理液；上述處理單元係進一步包含：基板保持裝置，其在由上述處理液噴嘴對基板供給藥液時以水平姿勢保持基板並使基板於上下方向之軸之周圍旋轉；加熱裝置，其用於對由上述處理液噴嘴供給至基板上之藥液進行加熱；與氣體供給系統，其對上述加熱裝置供給氣體；上述加熱裝置係包含：產生紅外線之紅外線產生器；配置於上述紅外線產生器與由上述基板保持裝置所保持之基板之間，使紅外線穿透的第1板狀構件；與配置於上述第1板狀構件與由上述基板保持裝置所保持之基板之間，使紅外線穿透的第2板狀構件；依下述方式設置第1排出開口：於上述第1板狀構件與上述第2板狀構件之間形成由上述氣體供給系統供給氣體之氣體通路，並且朝較由上述基板保持裝置所保持之基板之外周部更外方，使上述氣體通路之氣體排出。
  9. 一種基板處理方法，係使用基板處理裝置者，上述基板處理裝置係具備：對基板供給處理液之處理液噴嘴；與包含供給用槽、調整用槽及回收用槽的複數之槽；上述基板處理方法係包含：並行地進行由上述供給用槽對上述處理液噴嘴供給處理液之供給動作、由上述處理單元將處理液回收至上述回收用槽之回收動 作、及對貯存於上述調整用槽之處理液之濃度進行調整之調整動作的步驟；在上述回收動作結束後，將上述回收用槽變更為上述調整用槽的步驟；與在上述調整動作結束後，依將經調整之處理液供給至上述處理單元之方式，變更處理液之路徑的步驟。
  10. 一種基板處理裝置，係具備：基板保持裝置，其以水平姿勢保持基板並使基板於上下方向之軸之周圍旋轉；藥液供給系統，其對由上述基板保持裝置所保持之基板供給藥液；加熱裝置，其用於對藉上述藥液供給系統供給至基板上之藥液進行加熱；與氣體供給系統，其對上述加熱裝置供給氣體；上述加熱裝置係包含：產生紅外線之紅外線產生器；配置於上述紅外線產生器與由上述基板保持裝置所保持之基板之間，使紅外線穿透的第1板狀構件；與配置於上述第1板狀構件與由上述基板保持裝置所保持之基板之間，使紅外線穿透的第2板狀構件；依下述方式設置第1排出開口：於上述第1板狀構件與上述第2板狀構件之間形成由上述氣體供給系統供給氣體之氣體通路，並且朝較由上述基板保持裝置所保持之基板之外周部更外方，使上述氣體通路之氣體排出。
  11. 如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其中，上述第1排出開口係朝較上述基板外周部更由基板之半徑方向外側位置靠向基板外方，排出上述氣體通路之氣體。
  12. 如申請專利範圍第10或11項之基板處理裝置，其中，上述加熱裝置係依下述方式設置上述紅外線產生器：在藉上述基板保持裝置所保持之基板上方呈靜止之狀態，對由上述基板保持裝置所保持之基板之中心起至外周部為止的半徑方向的區域照射紅外線。
  13. 如申請專利範圍第10或11項之基板處理裝置，其中，上述紅外線產生器係沿著由上述基板保持裝置所保持之基板之外周部形成為圓弧狀。
  14. 如申請專利範圍第10或11項之基板處理裝置，其中，上述紅外線產生器亦可依在藉上述基板保持裝置所保持之基板之中心部朝外周部之方向上排列的方式，設置複數個。
  15. 如申請專利範圍第10或11項之基板處理裝置，其中，進一步具備收容上述紅外線產生器的殼體；上述殼體係具有底部，並具有第1、第2、第3及第4之側壁部；上述第1板狀構件及上述第2板狀構件係構成上述殼體之底部；上述第4側壁部係設置成位於由上述基板保持裝置所保持之基板之外周部的上方；上述第1側壁部係設置成與上述第4側壁部相對向；上述第2及第3側壁部係設置成與上述第1側壁部之兩端及上述第4側壁部之兩端相接；上述第1側壁部係由使紅外線穿透之板狀之第1內側構件、與 位於上述第1內側構件之外側且使紅外線穿透之板狀之第1外側構件所構成；於上述第1內側構件與上述第1外側構件之間，形成連通至上述氣體通路的第1側部通路；上述第2側壁部係由使紅外線穿透之板狀之第2內側構件、與位於上述第2內側構件之外側且使紅外線穿透之板狀之第2外側構件所構成；於上述第2內側構件與上述第2外側構件之間，形成連通至上述氣體通路的第2側部通路，並且設置將上述第2側部通路之氣體排出至較由上述基板保持裝置所保持之基板之外周部更外方的第2排出開口；上述第3側壁部係由使紅外線穿透之板狀之第3內側構件、與位於上述第3內側構件之外側且使紅外線穿透之板狀之第3外側構件所構成；於上述第3內側構件與上述第3外側構件之間，形成連通至上述氣體通路的第3側部通路，並且設置將上述第3側部通路之氣體排出至較由上述基板保持裝置所保持之基板之外周部更外方的第3排出開口。
  16. 如申請專利範圍第10或11項之基板處理裝置，其中，上述第2及第3側壁構件係設置成朝由上述基板保持裝置所保持之基板之略半徑方向延伸。
  17. 如申請專利範圍第10或11項之基板處理裝置，其中，上述第1及第2板狀構件係由玻璃所形成。
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