JP2015179722A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】加熱された薬液による均一かつ効率的な処理が可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】スピンチャック１１により保持された基板Ｗ上にリン酸水溶液が供給され、基板Ｗ上に液膜が形成される。基板Ｗ上の液膜が加熱装置２００により加熱される。加熱装置２００は、石英ガラス製のケーシング２１０内に第１〜第４ランプヒータＨＴ１〜ＨＴ４が設けられた構成を有する。第１〜第４ランプヒータＨＴ１〜ＨＴ４から発生される赤外線がケーシング２１０の底部ＢＭを透過して基板Ｗ上のリン酸水溶液に照射される。底部ＢＭは、第１の板状部材２２４と第１の板状部材２２４の下方に設けられる第２の板状部材２１３とにより構成される。第１の板状部材２２４と第２の板状部材２１３との間の気体通路ＧＳ０に窒素ガスが供給される。気体通路ＧＳ０を流れる窒素ガスは、排出開口２９１から基板Ｗの外周部の外方に向かって排出される。
【選択図】図１１

Description

本発明は、基板に種々の処理を行う基板処理装置に関する。

従来より、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられる。

特許文献１に記載された基板処理装置においては、レジスト膜を有する基板が基板回転機構により保持され、基板の上面にレジスト剥離液としてＳＰＭ（Sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture）が供給される。ＳＰＭは、硫酸（Ｈ_２ＳＯ_４）と過酸化水素水（Ｈ_２Ｏ_２）との混合液である。

レジストとＳＰＭとの反応性を高めるために、基板回転機構により保持される基板の上面に対向するようにランプヒータ（赤外線ランプ）が配置される。基板上にＳＰＭの液膜が形成された状態でランプヒータから基板に赤外線が放射される。それにより、ＳＰＭの液膜がランプヒータにより加熱される。

特開２０１３−１９７１１４号公報

高温の薬液を用いる枚葉式の基板処理装置においては、基板上の薬液の温度にばらつきが生じると、基板に均一な処理を行うことができない。また、基板上の薬液の加熱の効率が低くなると、薬液による基板の処理効率が低下する。

本発明の目的は、加熱された薬液による均一かつ効率的な処理が可能な基板処理装置を提供することである。

（１）本発明に係る基板処理装置は、基板を水平姿勢で保持するとともに基板を上下方向の軸の周りで回転させる基板保持装置と、基板保持装置により保持された基板に薬液を供給する薬液供給系と、薬液供給系により基板上に供給された薬液を加熱するための加熱装置と、加熱装置に気体を供給する気体供給系とを備え、加熱装置は、赤外線を発生する赤外線発生器と、赤外線発生器と基板保持装置により保持される基板との間に配置され、赤外線を透過する第１の板状部材と、第１の板状部材と基板保持装置により保持される基板との間に配置され、赤外線を透過する第２の板状部材とを含み、第１の板状部材と第２の板状部材との間に気体供給系により気体が供給される気体通路が形成されるとともに、基板保持装置により保持される基板の外周部よりも外方に向けて気体通路の気体が排出されるように第１の排出開口が設けられる。

この基板処理装置においては、基板保持装置により水平姿勢で保持された基板上に薬液供給系により薬液が供給される。また、加熱装置の赤外線発生器により赤外線が発生される。赤外線は第１および第２の板状部材を透過して基板上の薬液に照射される。それにより、薬液が加熱される。

このとき、第１の板状部材と第２の板状部材との間の気体通路に気体供給系により気体が供給される。気体は気体通路内を流動して第１の排出開口から排出される。それにより、赤外線発生器の輻射熱により加熱された第１の板状部材から第２の板状部材への熱伝導が阻止または低減される。したがって、第２の板状部材に基板上の薬液または薬液の飛沫が付着した場合でも、第２の板状部材と薬液との反応が抑制される。そのため、第２の板状部材に曇りが生じることが防止され、基板上の薬液に均一に赤外線が照射される。また、気体通路の気体が第１の排出開口から基板の外周部よりも外方に向けて排出される。そのため、気体により基板上の薬液が局所的に冷却されることが防止される。その結果、加熱された薬液による均一かつ効率的な処理が可能となる。

（２）第１の排出開口は、基板の外周部よりも基板の半径方向外側位置から基板の外方に向けて気体通路の気体を排出してもよい。

この場合、第１の排出開口から排出される気体が、基板の半径方向における基板の外周部よりも外側の位置から基板のさらに外方に向かうので、その気体が基板上に供給された薬液の液膜上を流れることが防止される。したがって、気体が基板上に供給された薬液の液膜上を流れることによる薬液の温度低下が防止される。

（３）加熱装置が基板保持装置により保持された基板の上方において静止した状態で、基板保持装置により保持された基板の中心から外周部までの半径方向の領域に赤外線が照射されるように赤外線発生器が設けられてもよい。

この場合、赤外線が基板の中心から外周部までの半径方向の領域に同時に照射されるので、基板が回転することにより基板上の薬液の全体がより均一に加熱される。

（４）赤外線発生器は、基板保持装置により保持される基板の外周部に沿うように円弧状に形成されてもよい。

この場合、基板の周方向において基板上の薬液に均一に赤外線が照射される。それにより、基板上の薬液が周方向においてより均一に加熱される。

（５）赤外線発生器は、基板保持装置により保持される基板の中心部から外周部へ向う方向に並ぶように複数設けられてもよい。

この場合、基板の半径方向の領域において基板上の薬液を効率的に加熱することができる。

（６）基板処理装置は、赤外線発生器を収容するケーシングをさらに備え、ケーシングは、底部を有するとともに、第１、第２、第３および第４の側壁部を有し、第１の板状部材および第２の板状部材は、ケーシングの底部を構成し、第４の側壁部は、基板保持装置により保持された基板の外周部の上方に位置するように設けられ、第１の側壁部は、第４の側壁部に対向するように設けられ、第２および第３の側壁部は、第１の側壁部の両端と第４の側壁部の両端とをつなぐように設けられ、第１の側壁部は、赤外線を透過する板状の第１の内側部材と、第１の内側部材の外側に位置しかつ赤外線を透過する板状の第１の外側部材とにより構成され、第１の内側部材と第１の外側部材との間に気体通路に連通する第１の側部通路が形成され、第２の側壁部は、赤外線を透過する板状の第２の内側部材と、第２の内側部材の外側に位置しかつ赤外線を透過する板状の第２の外側部材とにより構成され、第２の内側部材と第２の外側部材との間に気体通路に連通する第２の側部通路が形成されるとともに、第２の側部通路の気体を基板保持装置により保持された基板の外周部よりも外方に排出する第２の排出開口が設けられ、第３の側壁部は、赤外線を透過する板状の第３の内側部材と、第３の内側部材の外側に位置しかつ赤外線を透過する板状の第３の外側部材とにより構成され、第３の内側部材と第３の外側部材との間に気体通路に連通する第３の側部通路が形成されるとともに、第３の側部通路の気体を基板保持装置により保持された基板の外周部よりも外方に排出する第３の排出開口が設けられてもよい。

この場合、赤外線発生器により発生された赤外線は、第１の側壁部の第１の内側部材および第１の外側部材を透過して基板上の薬液に照射される。また、第２の側壁部の第２の内側部材および第２の外側部材を透過して基板上の薬液に照射され、第３の側壁部の第３の内側部材および第３の外側部材を透過して基板上の薬液に照射される。それにより、薬液の加熱効率が向上する。

このとき、第１、第２および第３の側部通路に気体が供給される。気体は、第１、第２および第３の側部通路内を流動して第２および第３の排出開口から排出される。それにより、赤外線発生器の輻射熱により加熱された第１、第２および第３の内側部材からそれぞれ第１、第２および第３の外側部材への熱伝導が阻止または低減される。したがって、第１、第２または第３の外側部材に基板上の薬液または薬液の飛沫が付着した場合でも、第１、第２または第３の外側部材と薬液との反応が抑制される。そのため、第１、第２または第３の外側部材に曇りが生じることが防止され、基板上の薬液に均一に赤外線が照射される。また、第２および第３の側部通路の気体がそれぞれ第２および第３の排出開口から基板の外周部よりも外方に排出される。そのため、気体により基板上の薬液が局所的に冷却されることが防止される。その結果、加熱された薬液による基板の均一かつ効率的な処理が可能となる。

（７）第２および第３の側壁部材は、基板保持装置により保持される基板の略半径方向に延びるように設けられてもよい。

この場合、基板上の薬液を均一に加熱することができるとともに加熱装置をコンパクト化および軽量化することができる。

（８）第１および第２の板状部材はガラスにより形成されてもよい。

この場合、第１および第２の板状部材が赤外線に対して高い透過率を有するので、基板上の薬液を効率的に加熱することができる。

本発明によれば、加熱された薬液による均一かつ効率的な基板の処理が可能となる。

本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式図である。 図１の加熱装置の平面図である。 図２のケーシングから蓋部材が取り外された状態を示す平面図である。 図２の加熱装置を図３の矢印Ｑの方向に見た一方側面図である。 図２の加熱装置を図３の矢印Ｒの方向に見た他方側面図である。 図２のＡ−Ａ線断面図である。 図２のＢ−Ｂ線断面図である。 図４のＣ−Ｃ線断面図である。 加熱装置における窒素ガスの流れを示す水平断面図である。 加熱装置における窒素ガスの流れを示す垂直断面図である。 リン酸水溶液の液膜が加熱される際の加熱装置の側面図である。

以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置について図面を参照しながら説明する。以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等をいう。

本実施の形態に係る基板処理装置は、基板を一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置である。その基板処理装置においては、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）からなるシリコン酸化膜および窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）からなるシリコン窒化膜が形成された基板に、高温の薬液としてシロキサンを含む高温のリン酸水溶液（Ｈ_３ＰＯ_４＋Ｈ_２Ｏ）が供給される。この場合、リン酸水溶液がシロキサンを含むことによりシリコン酸化膜のエッチングレートが低下する。それにより、シリコン窒化膜が選択的にエッチングされる。

シロキサンは、ケイ素、酸素および水素からなる化合物のうちＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含むものの総称であり、一般式（Ｈ_３ＳｉＯ−（Ｈ_２ＳｉＯ）_ｎ−ＳｉＨ_３）で表される。

以下の説明においては、アンモニア水と過酸化水素水との混合溶液をＳＣ１と呼ぶ。また、脱イオン水（Deionized Water）をＤＩＷと呼ぶ。

（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式図である。図１に示すように、基板処理装置１００は、主として処理部１、ＳＣ１供給装置２、リンス液供給装置３、リン酸水溶液供給装置４、ＤＩＷ供給装置５、窒素ガス供給装置６および制御部９を含む。

処理部１はチャンバ９０を有する。チャンバ９０は、４つの側面部、天井部および底部を有する。チャンバ９０の１つの側面部には、チャンバ９０の外部とチャンバ９０の内部との間で基板Ｗを搬送するための搬送用開口９１が形成されている。その１つの側面部には、搬送用開口９１を開閉するためのシャッタ９２が設けられる。また、チャンバ９０の天井には、チャンバ９０内にダウンフロー（下降気流）を発生させるＦＦＵ（ファンフィルタユニット）９３が設けられる。

チャンバ９０の内部に、スピンチャック１１、カップ１２、ＳＣ１ノズル１３、リンスノズル１４、リン酸ノズル１５、支持アーム１６、アーム駆動装置１７、チャンバ９０および加熱装置２００が設けられる。

スピンチャック１１は、スピンモータ１１ａ、スピンベース１１ｂおよび複数のチャックピン１１ｃを有する。スピンモータ１１ａは、回転軸が鉛直方向と平行になるように設けられる。スピンベース１１ｂは、円板形状を有し、スピンモータ１１ａの回転軸の上端部に水平姿勢で取り付けられる。複数のチャックピン１１ｃは、スピンベース１１ｂの上面上に設けられ、基板Ｗの周縁部を保持する。複数のチャックピン１１ｃが基板Ｗを保持する状態でスピンモータ１１ａが動作する。それにより、基板Ｗが鉛直軸の周りで回転する。

上記のように、本例では、基板Ｗの周縁部を保持する機械式のスピンチャック１１が用いられる。これに限らず、機械式のスピンチャックに代えて、基板Ｗの下面を吸着保持する吸着式のスピンチャックが用いられてもよい。

ＳＣ１ノズル１３およびリンスノズル１４は、それぞれスピンチャック１１により保持される基板Ｗの上方の処理位置と基板Ｗの側方の待機位置との間で移動可能に設けられる。

ＳＣ１供給装置２とＳＣ１ノズル１３とをつなぐようにＳＣ１供給系Ｐ１が設けられる。ＳＣ１ノズル１３は、ＳＣ１供給装置２から供給されるＳＣ１をスピンチャック１１により回転される基板Ｗに供給する。

リンス液供給装置３とリンスノズル１４とをつなぐようにリンス液供給系Ｐ２が設けられる。リンスノズル１４は、リンス液供給装置３から供給されるリンス液をスピンチャック１１により回転される基板Ｗに供給する。本例では、リンス液としてＤＩＷが用いられる。リンス液としては、ＤＩＷに代えて、炭酸水、オゾン水、磁気水、還元水（水素水）もしくはイオン水、またはＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の有機溶剤を用いることもできる。

チャンバ９０内には、スピンチャック１１の側方の位置に、底部から上方に向かって延びるアーム駆動装置１７が設けられる。アーム駆動装置１７の上端部には、水平方向に延びるように棒状の支持アーム１６が取り付けられる。支持アーム１６の先端に加熱装置２００が取り付けられる。さらに、加熱装置２００の一部にリン酸ノズル１５が固定される。

アーム駆動装置１７は、例えばモータを含み、支持アーム１６の先端をそのモータの回転軸を中心として回転させる。それにより、リン酸ノズル１５および加熱装置２００は、スピンチャック１１により保持される基板Ｗの上方の処理位置と基板Ｗの側方の待機位置との間で移動可能に設けられる。

加熱装置２００は電磁波を発生する複数のランプヒータＨＴ１〜ＨＴ４（図２参照）を含み、基板Ｗの上方から輻射熱により基板Ｗおよびその基板Ｗ上に供給されるリン酸水溶液を加熱する。複数のランプヒータＨＴ１〜ＨＴ４から発生される電磁波は、主として赤外線を含み、紫外線以上遠赤外線以下の波長を有する。本例では、ランプヒータＨＴ１〜ＨＴ４としてタングステンハロゲンランプが用いられる。ランプヒータＨＴ１〜ＨＴ４として、タングステンハロゲンランプに代えて、キセノンアークランプまたはグラファイトヒータ等を用いることもできる。

リン酸水溶液供給装置４とリン酸ノズル１５とをつなぐようにリン酸供給系Ｐ３が設けられる。ＤＩＷ供給装置５とリン酸ノズル１５とをつなぐようにＤＩＷ供給系Ｐ４が設けられる。リン酸ノズル１５は、リン酸水溶液供給装置４から供給されるリン酸水溶液およびＤＩＷ供給装置５から供給されるＤＩＷをスピンチャック１１により回転される基板Ｗに供給する。

ここで、リン酸水溶液供給装置４からリン酸ノズル１５に供給されるリン酸水溶液は、そのリン酸濃度における沸点（例えば、１４０℃以上１６０℃以下）まで加熱される。また、リン酸ノズル１５に供給されるリン酸水溶液にはシロキサンが含まれる。

窒素ガス供給装置６と加熱装置２００とをつなぐように窒素ガス供給系Ｐ５が設けられる。それにより、窒素ガス供給装置６から加熱装置２００に窒素ガスが供給される。加熱装置２００に供給される窒素ガスの機能については後述する。

ＳＣ１供給系Ｐ１、リンス液供給系Ｐ２、リン酸供給系Ｐ３、ＤＩＷ供給系Ｐ４および窒素ガス供給系Ｐ５の各々は、バルブ、ヒータ、フィルタおよびポンプ等が介挿された配管により構成される。

さらに、チャンバ９０内には、スピンチャック１１を取り囲むようにカップ１２が設けられている。カップ１２は、スピンチャック１１への基板Ｗの搬入時およびスピンチャック１１からの基板Ｗの搬出時に下降し、基板Ｗへの処理液（本例では、ＳＣ１、ＤＩＷおよびリン酸水溶液）の供給時に上昇する。

回転する基板Ｗへの処理液の供給時に、カップ１２の上端部は基板Ｗよりも上方に位置する。それにより、基板Ｗから振り切られる処理液がカップ１２により受け止められる。カップ１２により受け止められる処理液は、廃液管を通して廃棄される。なお、カップ１２により受け止められる処理液の一部または全てが再利用されてもよい。

なお、カップ１２の底部には図示しない排気ダクトが連結されている。カップ１２の内部の雰囲気はこの排気ダクトを介してチャンバ９０の外部に排出される。

制御部９は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）およびメモリ、またはマイクロコンピュータ等からなる。制御部９のメモリにはシステムプログラムが記憶される。制御部９は、基板処理装置１００の各構成要素の動作を制御する。

（２）基板処理装置の動作の概略
制御部９が基板処理装置１００の各構成要素の動作を制御することにより、以下に示す一連の処理が行われる。まず、チャンバ９０内に基板Ｗが搬入され、搬入された基板Ｗがスピンチャック１１により保持される。搬入された基板Ｗの表面（本例では上面）には、シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜が形成されているものとする。

次に、スピンチャック１１により保持される基板Ｗが回転される。また、図１のアーム駆動装置１７が動作することにより、リン酸ノズル１５がスピンチャック１１により保持される基板Ｗの中心の上方の位置まで移動される。

リン酸ノズル１５の先端部が基板Ｗの中心に対向する位置で、リン酸水溶液供給装置４からリン酸ノズル１５に、シロキサンを含むリン酸水溶液が供給される。それにより、回転する基板Ｗの上面上にリン酸水溶液の液膜が形成され、基板Ｗ上のシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜のうちシリコン窒化膜が選択的にエッチングされる。

このとき、リン酸水溶液の液膜が形成された状態で、加熱装置２００が基板Ｗの上面の一部に対向し、ランプヒータに電流が流れる。それにより、ランプヒータから赤外線が発生され、加熱装置２００に対向する基板Ｗの部分およびリン酸水溶液の液膜が輻射熱により加熱される。この場合、回転する基板Ｗ上に形成されるリン酸水溶液がそのリン酸濃度の沸点に近い温度で維持される。それにより、シリコン窒化膜のエッチングレートを高く維持することができる。

ここで、基板Ｗ上のリン酸水溶液の水分が蒸発すると、リン酸水溶液中にピロリン酸（Ｈ_４Ｐ_２Ｏ_７）が生成される。ピロリン酸は、シリコン酸化膜をエッチングする。そのため、リン酸水溶液がその沸点まで加熱されると、シリコン酸化膜のエッチング量に対するシリコン窒化膜のエッチング量の比率（以下、エッチング選択比と呼ぶ。）が低くなる。

そこで、本例では、シリコン酸化膜がピロリン酸によりエッチングされることを抑制するために、リン酸水溶液の液膜の加熱中にＤＩＷ供給装置５からリン酸ノズル１５に適宜ＤＩＷが供給される。それにより、リン酸水溶液の液膜に蒸発した水と同量のＤＩＷが供給されるので、ピロリン酸の発生が低減される。その結果、エッチング選択比を高く維持することができる。

その後、所定時間の経過とともに、基板Ｗへのリン酸水溶液およびＤＩＷの供給が停止される。また、リン酸ノズル１５および加熱装置２００が基板Ｗの側方の待機位置まで移動される。さらに、基板Ｗ上のリン酸水溶液が振り切られる。

続いて、基板Ｗの上方の処理位置にリンスノズル１４が移動され、回転する基板Ｗにリンス液が供給される。それにより、基板Ｗ上に残留するリン酸水溶液がリンス液により洗い流される。

次に、基板Ｗへのリンス液の供給が停止され、リンスノズル１４が待機位置に移動される。また、ＳＣ１ノズル１３が処理位置に移動され、基板Ｗ上にＳＣ１が供給される。その後、基板ＷへのＳＣ１の供給が停止され、基板Ｗ上にリンス液が供給される。最後に、基板Ｗへのリンス液の供給が停止され、基板Ｗ上のリンス液が振り切られ、乾燥される。乾燥された処理後の基板Ｗがチャンバ９０から搬出される。

（３）加熱装置の構造
図２は図１の加熱装置２００の平面図である。図２では、リン酸水溶液の液膜が加熱される際の加熱装置２００の状態が示される。図２に示すように、加熱装置２００は、ケーシング２１０、蓋部材２５０および複数（本例では４つ）のランプヒータＨＴ１〜ＨＴ４を含む。ランプヒータＨＴ１〜ＨＴ４は、ケーシング２１０内に収容される。蓋部材２５０は、ケーシング２１０の上部を覆うように設けられる。加熱装置２００は略扇形の平面外形を有する。

図３は図２のケーシング２１０から蓋部材２５０が取り外された状態を示す平面図であり、図４は図２の加熱装置２００を図３の矢印Ｑの方向に見た一方側面図であり、図５は図２の加熱装置２００を図３の矢印Ｒの方向に見た他方側面図である。図６は図２のＡ−Ａ線断面図であり、図７は図２のＢ−Ｂ線断面図であり、図８は図４のＣ−Ｃ線断面図である。

図３に示すように、ケーシング２１０内には、４つのランプヒータＨＴ１〜ＨＴ４が一方向に並ぶように配置されている。各ランプヒータＨＴ１〜ＨＴ４は、石英管内にフィラメントが配置された構成を有する。また、各ランプヒータＨＴ１〜ＨＴ４は、円弧状に形成された曲線部ＨＴａと曲線部ＨＴａの両端部から上方に延びる直線部ＨＴｂ（後述する図６参照）とを有する。各直線部ＨＴｂの上端部に端子が設けられている。

各ランプヒータＨＴ１〜ＨＴ４の２つの端子にそれぞれ配線（図示せず）が接続される。各ランプヒータＨＴ１〜ＨＴ４に接続された配線は、蓋部材２５０に形成された貫通孔（図示せず）を通してケーシング２１０の外部に引き出され、電源装置に接続される。各配線を通してランプヒータＨＴ１〜ＨＴ４に電流が流れることにより、主として曲線部ＨＴａから赤外線が発生される。

以下、４つのランプヒータＨＴ１〜ＨＴ４を、それぞれ第１ランプヒータＨＴ１、第２ランプヒータＨＴ２、第３ランプヒータＨＴ３および第４ランプヒータＨＴ４と呼ぶ。

第１〜第４ランプヒータＨＴ１〜ＨＴ４は、基板Ｗの回転中心から半径方向外側に向けて、第１ランプヒータＨＴ１、第２ランプヒータＨＴ２、第３ランプヒータＨＴ３および第４ランプヒータＨＴ４の順番に配置されている。

加熱装置２００が処理位置にある状態で、一番内側の第１ランプヒータＨＴ１が基板Ｗの回転中心に近接する位置に配置されるように、かつ、一番外側の第４ランプヒータＨＴ４が基板Ｗの外周部の直上よりも基板Ｗの回転中心側にわずかに偏った位置に位置するように、加熱装置２００が支持アーム１６により支持される。したがって、第１〜第４ランプヒータＨＴ１〜ＨＴ４は、基板Ｗの中心部から外周部に至る扇形の領域を一括して加熱することができる。

また、第１〜第４ランプヒータＨＴ１〜ＨＴ４の基板Ｗ上面における加熱プロファイルは、基板Ｗ上のリン酸水溶液の液膜を基板Ｗの半径方向に関して一定速度で昇温することができるように設定されている。例えば、基板Ｗの外周部およびその近傍の領域は、基板Ｗが回転することによる風切りにより冷却されるため昇温させにくい。これを補償するため、本実施形態では、一番内側の第３ランプヒータＨＴ３を等間隔位置よりも、基板Ｗの外周側に若干偏った位置に配置している。すなわち、第３ランプヒータＨＴ３および第４ランプヒータＨＴ４間の間隔は、第１ランプヒータＨＴ１および第２ランプヒータＨＴ２間の間隔に比べて小さくなるように設定される。これにより、基板Ｗの外周部およびその近傍の領域を基板Ｗの回転中心領域よりも相対的に高い熱量で加熱できるようにしている。

また、第１〜第４ランプヒータＨＴ１〜ＨＴ４の上面視での曲率は、基板Ｗの外周部の曲率とほぼ等しくなっている。

後述するように、基板Ｗのエッチングは、加熱装置２００を処理位置に固定した状態で基板Ｗを回転させながら行う。加熱装置２００の第１〜第４ランプヒータＨＴ１〜ＨＴ４は、基板Ｗの中心部から外周部に至る扇形の領域を一括して加熱することが可能である。また、第１〜第４ランプヒータＨＴ１〜ＨＴ４による加熱プロファイルはリン酸水溶液の液膜が基板Ｗの半径方向に関して一定速度で昇温するように設定されている。さらに、第１〜第４ランプヒータのＨＴ１〜ＨＴ４の曲率は基板Ｗの外周部の曲率とほぼ等しくなっている。このため、第１〜第４ランプヒータＨＴ１〜ＨＴ４は、リン酸水溶液の液膜を基板Ｗの半径方向だけでなく周方向についても一定の速度で昇温させることができる。これにより、基板Ｗのエッチングレートの面内均一性を高くすることができる。

本例の第１〜第４ランプヒータＨＴ１〜ＨＴ４から主として発生される赤外線は、近赤外線、中間赤外線および遠赤外線を含み、約７５０ｎｍ以上約１０００μｍ以下の波長を有する。

ケーシング２１０の上端部に石英ガラスからなるフランジ板２１１が設けられている。フランジ板２１１には、略一定の間隔で複数の貫通孔２１１ｈが形成されている。

図２の蓋部材２５０には、フランジ板２１１の複数の貫通孔２１１ｈに対応する複数のねじ孔が形成されている。複数のねじＳＣがフランジ板２１１の複数の貫通孔２１１ｈを通して蓋部材２５０の複数のねじ孔に取り付けられる。それにより、ケーシング２１０に蓋部材２５０がフランジ板２１１を介して取り付けられる。

蓋部材２５０は、例えばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）からなる。蓋部材２５０の材料としては、ＰＴＦＥの他、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）、またはＰＦＡ（テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）等の樹脂材料を用いることもできる。

図６および図７に示すように、蓋部材２５０の下面の中央部には第１〜第４ランプヒータＨＴ１〜ＨＴ４から上方に放射される赤外線を下方に向かって反射するための反射板ＲＦが設けられている。

図８に示すように、ケーシング２１０は、第１の側壁部ＳＷ１、第２の側壁部ＳＷ２、第３の側壁部ＳＷ３および第４の側壁部ＳＷ４を有する。第１の側壁部ＳＷ１は、第４の側壁部ＳＷ４に対向する。第２の側壁部ＳＷ２および第３の側壁部ＳＷ３は、第１の側壁部ＳＷ１の両端と第４の側壁部ＳＷ４の両端とをつなぐように設けられる。

第１の側壁部ＳＷ１は、板状の第１の内側部材２２２ａと、第１の内側部材２２２ａの外側に位置する板状の第１の外側部材２１２ａとにより構成される。第１の内側部材２２２ａと第１の外側部材２１２ａとの間に第１の側部通路ＧＳ１が形成されている。

第２の側壁部ＳＷ２は、板状の第２の内側部材２２２ｂと、第２の内側部材２２２ｂの外側に位置する板状の第２の外側部材２１２ｂとにより構成される。第２の内側部材２２２ｂと第２の外側部材２１２ｂとの間に、第１の側部通路ＧＳ１と連通するように第２の側部通路ＧＳ２が形成されるとともに、第４の側壁部ＳＷ４の一方の側辺に沿うように上下方向に延びる排出開口２９２が設けられている。

第３の側壁部ＳＷ３は、板状の第３の内側部材２２２ｃと、第３の内側部材２２２ｃの外側に位置する板状の第３の外側部材２１２ｃとにより構成される。第３の内側部材２２２ｃと第３の外側部材２１２ｃとの間に、第１の側部通路ＧＳ１と連通するように第３の側部通路ＧＳ３が形成されるとともに、第４の側壁部ＳＷ４の他方の側辺に沿うように上下方向に延びる排出開口２９３が設けられている。

第４の側壁部ＳＷ４は、板状部材２２３により構成される。板状部材２２３は、円弧状に湾曲した矩形の長板形状を有する。板状部材２２３の曲率は、基板Ｗの外周部の曲率と一致していることが望ましい。

図７に示すように、第１の側壁部ＳＷ１および第４の側壁部ＳＷ４は、フランジ板２１１の下面に溶接により接合される。また、図６に示すように、第２の側壁部ＳＷ２および第３の側壁部ＳＷ３は、フランジ板２１１の下面に溶接により接合される。

第１〜第３の内側部材２２２ａ〜２２２ｃ、第１〜第３の外側部材２１２ａ〜２１２ｃおよび板状部材２２３は、それぞれ赤外線を透過する石英ガラスからなる。第１〜第３の内側部材２２２ａ〜２２２ｃは一体的に形成されてもよく、別体として形成されてもよい。また、第１〜第３の外側部材２１２ａ〜２１２ｃは、一体的に形成されてもよく、別体として形成されてもよい。

図６および図７に示すように、ケーシング２１０は、底部ＢＭをさらに有する。底部ＢＭは、第１の板状部材２２４と、第１の板状部材２２４の下方に位置する第２の板状部材２１３とにより構成される。第１の板状部材２２４および第２の板状部材２１３は、赤外線を透過する石英ガラスからなる。第１の板状部材２２４は、第１〜第３の内側部材２２２ａ〜２２２ｃの下端および板状部材２２３の下端に溶接により接合される。第２の板状部材は、第１〜第３の外側部材２１２ａ〜２１２ｃの下端に溶接により接合される。

第１の板状部材２２４と第２の板状部材２１３との間に、上記の第１の側部通路ＧＳ１、第２の側部通路ＧＳ２および第３の側部通路ＧＳ３に連通する気体通路ＧＳ０が形成されるとともに、第４の側壁部ＳＷ４の下辺に沿うように水平方向に延びる排出開口２９１が設けられている。

図５に示すように、排出開口２９２，２９３，２９１は、第４の側壁部ＳＷ４の両側辺および下辺に沿って延びる。

図３および図４に示すように、第２の外側部材２１２ｂの上端部近傍にガス導入管２１４が溶接により接合される。ガス導入管２１４は、石英ガラスからなり、第３の外側部材２１２ｃと第３の内側部材２２２ｃとの間の第３の側部通路ＧＳ３とケーシング２１０の外部の空間とを連通するように設けられる。

図２に示すように、加熱装置２００は、回転する基板Ｗ上のリン酸水溶液の加熱時に、第４の側壁部ＳＷ４が基板Ｗの外周部のほぼ直上に位置しかつ第１の側壁部ＳＷ１が基板Ｗの中心の近傍に位置する状態で静止するように、図１の支持アーム１６により支持される。このとき、図５の底部ＢＭを構成する第１の板状部材２２４および第２の板状部材２１３は、基板Ｗの上面に平行に配置される。第２の側壁部ＳＷ２および第３の側壁部ＳＷ３は、基板Ｗの半径方向に延びる。また、図５の排出開口２９２，２９３，２９１は、基板Ｗの外周部のほぼ直上に位置する。なお、排出開口２９２，２９３，２９１が、基板Ｗの外周部よりも外側の上方に位置してもよい。いずれにしても、排出開口２９２，２９３，２９１は、基板Ｗの外周部、すなわち基板Ｗの上面に形成されるリン酸水溶液の液膜の外周部よりも基板Ｗの半径方向外側位置から、基板Ｗの半径方向外側に向けて窒素ガスを吐出可能な位置に配置されている。

（４）加熱装置に供給される窒素ガスの機能および効果
上記の構成を有する加熱装置２００においては、図３および図４のガス導入管２１４に図１の窒素ガス供給系Ｐ５が接続される。図１の窒素ガス供給装置６から窒素ガス供給系Ｐ５およびガス導入管２１４を通してケーシング２１０内の第３の側部通路ＧＳ３に室温の窒素ガスが供給される。

図９は加熱装置２００における窒素ガスの流れを示す水平断面図であり、図１０は加熱装置２００における窒素ガスの流れを示す垂直断面図である。

ガス導入管２１４から第３の側部通路ＧＳ３に供給された室温の窒素ガスは、図９および図１０に太い実線で示すように、第３の側部通路ＧＳ３、第１の側部通路ＧＳ１、第２の側部通路ＧＳ２および気体通路ＧＳ０を流動し、排出開口２９１，２９２，２９３から排出される。

図１１は、リン酸水溶液の液膜が加熱される際の加熱装置２００の側面図である。図１１に示すように、スピンチャック１１により保持される基板Ｗにリン酸ノズル１５からリン酸水溶液が供給され、回転される基板Ｗ上にリン酸水溶液の液膜が形成される。

このとき、基板Ｗの回転数は例えば１ｒｐｍ〜５００ｒｐｍ程度に保たれる。また、加熱装置２００の下面（第２の板状部材２１３の下面）とスピンチャック１１により保持される基板Ｗの上面との間の距離Ｄ１は、例えば５ｍｍに設定される。さらに、カップ１２の上端部とスピンチャック１１により保持される基板Ｗの上面との間の距離Ｄ２は、例えば２２ｍｍに設定される。

この状態で、加熱装置２００の第１〜第４ランプヒータＨＴ１〜ＨＴ４にそれぞれ電流が流れることにより第１〜第４ランプヒータＨＴ１〜ＨＴ４から赤外線が発生される。発生された赤外線の一部は、第１の板状部材２２４および第２の板状部材２１３を透過して基板Ｗ上のリン酸水溶液の液膜に向かって照射される。また、発生された赤外線の残りは、第１〜第３の内側部材２２２ａ〜２２２ｃ（図９参照）および第１〜第３の外側部材２１２ａ〜２１２ｃ（図９参照）を透過して基板Ｗ上のリン酸水溶液の液膜に向かって照射される。それにより、リン酸水溶液の液膜が加熱される。

この場合、第１〜第４ランプヒータＨＴ１〜ＨＴ４からの輻射熱および第１〜第４ランプヒータＨＴ１〜ＨＴ４との接触部から伝達される熱により第１の板状部材２２４および第１〜第３の内側部材２２２ａ〜２２２ｃの温度も上昇する。さらに、第１〜第４ランプヒータＨＴ１〜ＨＴ４からの輻射熱等により、第２の板状部材２１３および第１〜第３の外側部材２１２ａ〜２１２ｃの温度も上昇する。

加熱装置２００は、基板Ｗの上面に近接しているため、リン酸水溶液の液膜等からリン酸水溶液の飛沫が飛散して第２の板状部材２１３および第１〜第３の外側部材２１２ａ〜２１２ｃに付着することがある。また、図１１の距離Ｄ１の大きさやリン酸水溶液の液膜の厚みによっては、第２の板状部材２１３の下面がリン酸水溶液に直接に接触することがある。

第２の板状部材２１３および第１〜第３の外側部材２１２ａ〜２１２ｃに高温のリン酸水溶液が付着すると、当該部材中の石英ガラスがリン酸水溶液と腐食反応等をおこし表面に曇りが生じるおそれがある。

本実施の形態に係る加熱装置２００では、図１１に太い点線で示すように、室温の窒素ガスが第１〜第３の側部通路ＧＳ１〜ＧＳ３（図９参照）および気体通路ＧＳ０を流動して排出開口２９１，２９２，２９３（図９および図１０参照）から排出される。

室温の窒素ガスが流動するため、第１〜第３の側部通路ＧＳ１〜ＧＳ３（図９参照）および気体通路ＧＳ０が冷却される。これにより、第１の板状部材２２４および第１〜第３の内側部材２２２ａ〜２２２ｃならびに第２の板状部材２１３および第１〜第３の外側部材２１２ａ〜２１２ｃの熱上昇が抑制される。このため、仮に第２の板状部材２１３および第１〜第３の外側部材２１２ａ〜２１２ｃにリン酸水溶液の飛沫が付着したとしても、当該部材がリン酸水溶液と反応して表面に曇りが生じることはない。

このように、第１の板状部材２２４および第１〜第３の内側部材２２２ａ〜２２２ｃならびに第２の板状部材２１３および第１〜第３の外側部材２１２ａ〜２１２ｃには曇りが生じず、透明が維持される。そのため、第１〜第４ランプヒータＨＴ１〜ＨＴ４から発せられた赤外線は、これらの部材に妨げられることなく透過して、基板Ｗ上のリン酸水溶液の液膜に均一に照射される。

また、加熱装置２００の排出開口２９１〜２９３は上面視において基板Ｗ（およびその上面に形成されるリン酸水溶液の液膜）の外周部よりも基板Ｗの半径方向外側に位置している。したがって、排出開口２９１〜２９３から排出される窒素ガスはリン酸水溶液の液膜の上方を通過することなく、カップ１２の底部のダクト（不図示）からチャンバ９０の外部に排出される。したがって、排出開口２９１〜２９３から排出される窒素ガスがリン酸水溶液の液膜を局所的に冷却することが防止できている。

なお、基板Ｗ上のシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜のリン酸水溶液によるエッチングレートは、リン酸水溶液の温度に大きく依存している。例えばリン酸水溶液の液温が高い箇所ではエッチングレートが高くなるが、低い箇所ではエッチングレートが低くなる。したがって、基板Ｗ上のリン酸水溶液の液膜が局所的に冷却されると、リン酸水溶液による基板Ｗのエッチングレートの面内均一性が損なわれるおそれがある。

本加熱装置２００では、排出開口２９１，２９２，２９３から排出される窒素ガスが基板Ｗ上のリン酸水溶液を局所的に冷却することが防止される。このため、加熱装置２００から排出される窒素ガスに起因してエッチングレートの面内均一性が損なわれることがない。この結果、加熱されたリン酸水溶液によるシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜の均一なエッチング処理が可能となる。

本実施の形態においては、第２の板状部材２１３および第１〜第３の外側部材２１２ａ〜２１２ｃの温度が例えば室温（２３℃程度）以上１００℃以下に維持されるように、加熱装置２００に供給される窒素ガスの温度および流量の少なくとも一方を調整することが好ましい。この場合、第２の板状部材２１３および第１〜第３の外側部材２１２ａ〜２１２ｃにリン酸水溶液が付着しても、第２の板状部材２１３および第１〜第３の外側部材２１２ａ〜２１２ｃの表面に曇りが生じることが防止される。

本実施の形態では、加熱装置２００が基板Ｗの上方の処理位置で支持された状態で、基板Ｗの中心から外周部までの半径方向の領域に赤外線が照射されるように第１〜第４ランプヒータＨＴ１〜ＨＴ４が基板Ｗの半径方向に並ぶ。それにより、リン酸水溶液の加熱時に赤外線が基板Ｗの中心から外周部までの半径方向の領域に同時に照射される。したがって、基板Ｗが回転することにより基板Ｗ上のリン酸水溶液の全体が均一に加熱される。

また、第１〜第４ランプヒータＨＴ１〜ＨＴ４の各々は、基板Ｗの外周部に沿うように円弧状に形成されている。それにより、基板Ｗの周方向において基板Ｗ上のリン酸水溶液に均一に赤外線が照射される。それにより、基板Ｗ上のリン酸水溶液が周方向においてより均一に加熱される。

（５）他の実施の形態
上記の実施の形体では、加熱装置２００が処理位置にある状態で、排出開口２９１〜２９３が、上面視において基板Ｗ（およびその上面に形成されるリン酸水溶液の液膜）の外周部よりも基板Ｗの半径方向外側に位置する。しかしながら、排出開口２９１〜２９３の位置は、基板Ｗの外周部よりも若干量、基板Ｗの半径方向内側に位置していてもよい。

上記の実施の形態では、ケーシング２１０の第１〜第４の側壁部ＳＷ１〜ＳＷ４および底部ＢＭを構成する材料として、赤外線を透過する石英ガラスが用いられる。これに限らず、第１〜第４の側壁部ＳＷ１〜ＳＷ４および底部ＢＭを構成する材料としては、石英ガラスに代えて赤外線を透過する他のガラス等の無機物（サファイアガラス等）、または樹脂が用いられてもよい。

上記の実施の形態では、加熱装置２００に供給される気体として窒素ガスが用いられる。これに限らず、加熱装置２００に供給される気体としては、窒素ガスに代えてアルゴン等の他の不活性ガスが用いられてもよい。

（６）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記実施の形態においては、基板処理装置１００が基板処理装置の例であり、基板Ｗが基板の例であり、スピンチャック１１が基板保持装置の例であり、リン酸水溶液供給装置４およびリン酸供給系Ｐ３が薬液供給系の例であり、加熱装置２００が加熱装置の例であり、窒素ガス供給装置６および窒素ガス供給系Ｐ５が気体供給系の例であり、第１〜第４ランプヒータＨＴ１〜ＨＴ４が赤外線発生器の例であり、第１の板状部材２２４が第１の板状部材の例であり、第２の板状部材２１３が第２の板状部材の例であり、気体通路ＧＳ０が気体通路の例であり、排出開口２９１が第１の排出開口の例である。

また、ケーシング２１０がケーシングの例であり、底部ＢＭが底部の例であり、第１の側壁部ＳＷ１が第１の側壁部の例であり、第２の側壁部ＳＷ２が第２の側壁部の例であり、第３の側壁部ＳＷ３が第３の側壁部の例であり、第４の側壁部ＳＷ４が第４の側壁部の例であり、第１の内側部材２２２ａが第１の内側部材の例であり、第１の外側部材２１２ａが第１の外側部材の例であり、第１の側部通路ＧＳ１が第１の側部通路の例であり、第２の内側部材２２２ｂが第２の内側部材の例であり、第２の外側部材２１２ｂが第２の外側部材の例であり、第２の側部通路ＧＳ２が第２の側部通路の例であり、排出開口２９２が第２の排出開口の例であり、第３の内側部材２２２ｃが第３の内側部材の例であり、第３の外側部材２１２ｃが第３の外側部材の例であり、第３の側部通路ＧＳ３が第３の側部通路の例であり、排出開口２９３が第３の排出開口の例である。

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

本発明は、基板の処理に有効に利用することができる。

１ 処理部
２ ＳＣ１供給装置
３ リンス液供給装置
４ リン酸水溶液供給装置
５ ＤＩＷ供給装置
６ 窒素ガス供給装置
１１ スピンチャック
１２ カップ
１３ ＳＣ１ノズル
１４ リンスノズル
１５ リン酸ノズル
１６ 支持アーム
１７ アーム駆動装置
９０ チャンバ
９１ 搬送用開口
９２ シャッタ
９３ ＦＦＵ
１００ 基板処理装置
２００ 加熱装置
２１０ ケーシング
２１１ フランジ板
２１１ｈ 貫通孔
２１２ａ 第１の外側部材
２１２ｂ 第２の外側部材
２１２ｃ 第３の外側部材
２１３ 第２の板状部材
２１４ ガス導入管
２２２ａ 第１の内側部材
２２２ｂ 第２の内側部材
２２２ｃ 第３の内側部材
２２３ 板状部材
２２４ 第１の板状部材
２９１，２９２，２９３ 排出開口
ＢＭ 底部
ＧＳ０ 気体通路
ＧＳ１ 第１の側部通路
ＧＳ２ 第２の側部通路
ＧＳ３ 第３の側部通路
ＨＴ１ 第１ランプヒータ
ＨＴ２ 第２ランプヒータ
ＨＴ３ 第３ランプヒータ
ＨＴ４ 第４ランプヒータ
ＨＴａ 曲線部
ＨＴｂ 直線部
Ｐ１ ＳＣ１供給系
Ｐ２ リンス液供給系
Ｐ３ リン酸供給系
Ｐ４ ＤＩＷ供給系
Ｐ５ 窒素ガス供給系
ＲＦ 反射板
ＳＣ ねじ
ＳＷ１ 第１の側壁部
ＳＷ２ 第２の側壁部
ＳＷ３ 第３の側壁部
ＳＷ４ 第４の側壁部
Ｗ 基板

チャンバ９０の内部に、スピンチャック１１、カップ１２、ＳＣ１ノズル１３、リンスノズル１４、リン酸ノズル１５、支持アーム１６、アーム駆動装置１７および加熱装置２００が設けられる。

図６および図７に示すように、ケーシング２１０は、底部ＢＭをさらに有する。底部ＢＭは、第１の板状部材２２４と、第１の板状部材２２４の下方に位置する第２の板状部材２１３とにより構成される。第１の板状部材２２４および第２の板状部材２１３は、赤外線を透過する石英ガラスからなる。第１の板状部材２２４は、第１〜第３の内側部材２２２ａ〜２２２ｃの下端および板状部材２２３の下端に溶接により接合される。第２の板状部材２１３は、第１〜第３の外側部材２１２ａ〜２１２ｃの下端に溶接により接合される。

図３および図４に示すように、第３の外側部材２１２ｃの上端部近傍にガス導入管２１４が溶接により接合される。ガス導入管２１４は、石英ガラスからなり、第３の外側部材２１２ｃと第３の内側部材２２２ｃとの間の第３の側部通路ＧＳ３とケーシング２１０の外部の空間とを連通するように設けられる。

ガス導入管２１４から第３の側部通路ＧＳ３に供給された室温の窒素ガスは、図９および図１０に太い矢印で示すように、第３の側部通路ＧＳ３、第１の側部通路ＧＳ１、第２の側部通路ＧＳ２および気体通路ＧＳ０を流動し、排出開口２９１，２９２，２９３から排出される。

本実施の形態に係る加熱装置２００では、図１１に太い矢印で示すように、室温の窒素ガスが第１〜第３の側部通路ＧＳ１〜ＧＳ３（図９参照）および気体通路ＧＳ０を流動して排出開口２９１，２９２，２９３（図９および図１０参照）から排出される。

Claims (8)

1. 基板を水平姿勢で保持するとともに基板を上下方向の軸の周りで回転させる基板保持装置と、
   前記基板保持装置により保持された基板に薬液を供給する薬液供給系と、
   前記薬液供給系により基板上に供給された薬液を加熱するための加熱装置と、
   前記加熱装置に気体を供給する気体供給系とを備え、
   前記加熱装置は、
   赤外線を発生する赤外線発生器と、
   前記赤外線発生器と前記基板保持装置により保持される基板との間に配置され、赤外線を透過する第１の板状部材と、
   前記第１の板状部材と前記基板保持装置により保持される基板との間に配置され、赤外線を透過する第２の板状部材とを含み、
   前記第１の板状部材と前記第２の板状部材との間に前記気体供給系により気体が供給される気体通路が形成されるとともに、前記基板保持装置により保持される基板の外周部よりも外方に向けて前記気体通路の気体が排出されるように第１の排出開口が設けられる、基板処理装置。
2. 前記第１の排出開口は、前記基板の外周部よりも基板の半径方向外側位置から基板の外方に向けて前記気体通路の気体を排出する、請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記加熱装置が前記基板保持装置により保持された基板の上方において静止した状態で、前記基板保持装置により保持された基板の中心から外周部までの半径方向の領域に赤外線が照射されるように前記赤外線発生器が設けられる、請求項１または２記載の基板処理装置。
4. 前記赤外線発生器は、前記基板保持装置により保持される基板の外周部に沿うように円弧状に形成される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
5. 前記赤外線発生器は、前記基板保持装置により保持される基板の中心部から外周部へ向う方向に並ぶように複数設けられる、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
6. 前記赤外線発生器を収容するケーシングをさらに備え、
   前記ケーシングは、底部を有するとともに、第１、第２、第３および第４の側壁部を有し、
   前記第１の板状部材および前記第２の板状部材は、前記ケーシングの底部を構成し、
   前記第４の側壁部は、前記基板保持装置により保持された基板の外周部の上方に位置するように設けられ、前記第１の側壁部は、前記第４の側壁部に対向するように設けられ、前記第２および第３の側壁部は、前記第１の側壁部の両端と前記第４の側壁部の両端とをつなぐように設けられ、
   前記第１の側壁部は、赤外線を透過する板状の第１の内側部材と、前記第１の内側部材の外側に位置しかつ赤外線を透過する板状の第１の外側部材とにより構成され、
   前記第１の内側部材と前記第１の外側部材との間に前記気体通路に連通する第１の側部通路が形成され、
   前記第２の側壁部は、赤外線を透過する板状の第２の内側部材と、前記第２の内側部材の外側に位置しかつ赤外線を透過する板状の第２の外側部材とにより構成され、
   前記第２の内側部材と前記第２の外側部材との間に前記気体通路に連通する第２の側部通路が形成されるとともに、前記第２の側部通路の気体を前記基板保持装置により保持された基板の外周部よりも外方に排出する第２の排出開口が設けられ、
   前記第３の側壁部は、赤外線を透過する板状の第３の内側部材と、前記第３の内側部材の外側に位置しかつ赤外線を透過する板状の第３の外側部材とにより構成され、
   前記第３の内側部材と前記第３の外側部材との間に前記気体通路に連通する第３の側部通路が形成されるとともに、前記第３の側部通路の気体を前記基板保持装置により保持された基板の外周部よりも外方に排出する第３の排出開口が設けられる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
7. 前記第２および第３の側壁部材は、前記基板保持装置により保持される基板の略半径方向に延びるように設けられる、請求項１〜６のいずれか一項にに記載の基板処理装置。
8. 前記第１および第２の板状部材はガラスにより形成される、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理装置。

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