JP6708508B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents

基板処理方法および基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6708508B2
JP6708508B2 JP2016146521A JP2016146521A JP6708508B2 JP 6708508 B2 JP6708508 B2 JP 6708508B2 JP 2016146521 A JP2016146521 A JP 2016146521A JP 2016146521 A JP2016146521 A JP 2016146521A JP 6708508 B2 JP6708508 B2 JP 6708508B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
recovery
chemical liquid
drainage
chemical
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016146521A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018018899A (ja
Inventor
淳靖 三浦
淳靖 三浦
和宏 藤田
和宏 藤田
辻川　裕貴
裕貴 辻川
裕也 土橋
裕也 土橋
憲司 竹本
憲司 竹本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP2016146521A priority Critical patent/JP6708508B2/ja
Priority to TW106124134A priority patent/TWI681452B/zh
Priority to KR1020170092754A priority patent/KR101975664B1/ko
Priority to US15/656,441 priority patent/US10786836B2/en
Priority to CN201710618997.0A priority patent/CN107658242B/zh
Publication of JP2018018899A publication Critical patent/JP2018018899A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6708508B2 publication Critical patent/JP6708508B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/14—Removing waste, e.g. labels, from cleaning liquid; Regenerating cleaning liquids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02343—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

この発明は、基板処理方法および基板処理装置に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。
下記特許文献１には、基板を一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が開示されている。基板処理装置の処理ユニットは、基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持されている基板の上面に向けて薬液を吐出する薬液ノズルと、スピンチャックを取り囲む筒状の回収カップとを含む。回収カップには、基板の処理に用いられた薬液が導かれる回収空間が区画されている。
また、処理ユニットは、薬液の消費量の低減を図るべく、基板の処理に用いた後の薬液を回収して、その回収した薬液を以降の処理に再利用できるように構成されている。具体的には、基板処理装置は、さらに、薬液ノズルに供給される薬液を貯留する薬液タンクと、回収空間から薬液タンクに薬液を導く回収配管とを含む。
特開２０１１−６１０３４号公報
基板処理装置の処理ユニットにおいて、長期間に亘って薬液処理が行われない（休止状態）ことがある。この場合、前回の薬液処理後において長期間に亘って回収空間を放置することに伴い、回収カップの回収空間に残留する薬液が変質するおそれがある。この場合、長期間に亘る休止後に薬液ノズルから基板への薬液供給を再開すると、回収空間に残存する変質した薬液（以下、「変質薬液」という）が、回収空間を流通する薬液に混入し、これにより、変質薬液を含む薬液が薬液タンクに供給され、その結果、変質薬液を含む薬液が基板に供給されるおそれがある。
長期間に亘る休止後の薬液供給の再開時において、変質薬液を含む薬液が基板に供給されることを防止するために、回収空間を流通する薬液を、予め定める期間に亘って排液させることが考えられる。
それを実現するべく、具体的には、処理ユニットを、回収空間からの液を排液（たとえば廃棄）するための排液配管と、前記回収空間を流通する液の流通先を、前記回収配管と前記排液配管とで切り換える切り換えユニットとをさらに備える構成にし、かつ、処理ユニットの処理条件を定めたレシピにおいて、長期間に亘る休止後の薬液供給の再開時に、前記回収空間に導かれる液を排液させる旨の指示を行うことが考えられる。このような指示がレシピに定められていると、処理ユニットは、回収空間に導かれる液が前記排液配管に導かれるような排液動作を行う。
しかしながら、このような排液動作を、レシピにおける指示に基づいて行わせるために、薬液供給の再開後の１つのロット（たとえば約２５枚）の全ての基板に対する処理において、排液動作が行われる。その結果、薬液の消費量が増大するという問題がある。
そこで、この発明の目的は、変質薬液を含まない薬液を用いて基板を処理することができ、かつ薬液の消費量の低減をより一層図ることができる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。
この発明は、基板の処理に用いられた薬液が導かれる回収空間が内部に区画された回収カップと、前記回収空間に導かれる薬液を回収するために用いられる回収配管と、前記回収空間に導かれる液を排出するために用いられる排液配管と、前記回収空間に導かれる液を、前記回収配管と前記排液配管とに切り換えるための切り換えユニットとを含む基板処理装置で実行される基板処理方法であって、前記基板に薬液を供給する薬液供給工程と、前記薬液供給工程の開始前に終了した前回の薬液供給の終了後からの経過期間である終了後経過期間を計測する経過期間計測工程と、前記薬液供給工程の開始時において、前記終了後経過期間が予め定める第１の期間未満であるときに、前記切り換えユニットを、前記回収空間に導かれる液が前記回収配管に導かれる回収導出状態に制御する回収工程と、前記薬液供給工程の開始時において、前記終了後経過期間が前記第１の期間以上であるときに、前記切り換えユニットを、前記回収空間に導かれる液が前記排液配管に導かれる排液導出状態に制御し、予め定める排液終了条件の成立に基づいて前記回収導出状態に切り換える排液工程とを含む、基板処理方法を提供する。
この方法によれば、薬液供給工程の開始時において、前回の薬液供給工程の終了後からの経過期間である終了後経過期間が第１の期間未満であるときには、切り換えユニットは回収導出状態に制御され、一方、前回の薬液供給工程の終了から第１の期間が経過しているときには、切り換えユニットは排液導出状態に制御される。長期間に亘る休止状態を経て薬液供給工程を再開する場合には、当該薬液供給工程において、切り換えユニットが排液導出状態に制御される。前回の薬液供給工程の終了後、長期間に亘る放置に伴って、回収空間に残留している薬液が変質しているおそれがある。しかしながら、長期間に亘る休止状態を経て薬液供給工程を再開する場合に、変質薬液の導出先を回収配管ではなく排液配管に設定するので、回収配管に導入される薬液に変質薬液が混入することを防止することができる。
切り換えユニットが排液導出状態に制御された後、予め定める排液終了条件の成立に基づいて、切り換えユニットは排液導出状態に切り換えられる。その後、第１の期間未満の処理間隔で薬液供給を行い続ける限り、切り換えユニットは回収導出状態に保持される。したがって、長期間に亘る休止後の薬液供給の再開時において、長期間に亘る休止後の薬液供給の再開後の１枚あるいは数枚の基板に対する処理においてのみ回収空間に導入される薬液を排液し、それ以降においては、回収空間に導入される薬液が回収されて再利用される。したがって、薬液供給再開後、１ロット（たとえば２５枚）の全ての基板に対する処理において回収空間に導入される薬液を排液する場合と比較して、薬液の回収量を増大することができ、これにより、薬液の消費量の低減をより一層図ることができる。
以上により、変質薬液を含まない薬液を用いて基板を処理することができ、かつ薬液の消費量の低減をより一層図ることができる基板処理方法を提供することができる。
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置は、前記薬液供給工程における薬液供給の条件を定めた薬液供給レシピを記憶するレシピ記憶部をさらに含む。そして、前記排液工程は、前記切り換えユニットを前記回収導出状態に制御すべき旨が前記薬液供給レシピにおいて指示されていても、その指示を無視して、前記切り換えユニットを前記排液導出状態に制御する工程を含む。
この方法によれば、薬液供給工程の開始時において、切り換えユニットを回収導出状態に制御すべき旨が薬液供給レシピにおいて指示されていても、その指示を無視して、前記切り換えユニットが排液導出状態に制御される。これにより、切り換えユニットを、回収導出状態と排液導出状態との間で良好に切り換えることができる。
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置は、前記薬液供給工程における薬液供給の条件を定めた薬液供給レシピを記憶するレシピ記憶部をさらに含む。そして、前記回収工程は、前記切り換えユニットを前記回収導出状態に制御すべき旨が指示された第１の薬液供給レシピを、前記薬液供給レシピとして前記レシピ記憶部に記憶させることに基づいて実行される。また、前記排液工程は、前記切り換えユニットを前記排液導出状態に制御すべき旨が指示された第２の薬液供給レシピを、前記薬液供給レシピとして前記レシピ記憶部に記憶させることに基づいて実行される。
この方法によれば、第１の薬液供給レシピをレシピ記憶部に記憶させることに基づいて、切り換えユニットが回収導出状態に制御され、また、第２の薬液供給レシピをレシピ記憶部に記憶させることに基づいて、切り換えユニットが排液導出状態に制御される。これにより、切り換えユニットを、回収導出状態と排液導出状態との間で良好に切り換えることができる。
この発明の一実施形態では、前記排液終了条件は、前記切り換えユニットが前記排液導出状態に制御されている期間の累積が予め定める第２の期間に達することである。
この方法によれば、前記切り換えユニットが前記排液導出状態に制御されている期間の累積が予め定める第２の期間に達すると、切り換えユニットは回収導出状態に切り換えられる。
これにより、前記切り換えユニットにおける、排液導出状態から回収導出状態への切り換えを良好に行うことができる。
この発明の一実施形態では、前記排液工程は、複数の前記薬液供給工程に跨って実行可能に設けられている。
この方法によれば、薬液供給工程の期間の長短にかかわらず、切り換えユニットが排液導出状態に保持されている期間を一定に保つことが可能である。
この発明は、基板に薬液を供給する薬液供給ユニットと、基板の処理に用いられた薬液が導かれる回収空間が内部に区画された回収カップと、前記回収空間に導かれる薬液を回収するために用いられる回収配管と、前記回収空間に導かれる液を廃棄するために用いられる排液配管と、前記回収空間に導かれる液を、前記回収配管と前記排液配管とに切り換えるための切り換えユニットと、前記薬液供給ユニットを制御して、薬液を前記基板に供給する薬液供給工程を実行する薬液供給制御ユニットと、前記薬液供給工程の開始前に終了した前回の薬液供給の終了後からの経過期間である終了後経過期間を計測する経過期間計測ユニットと、前記薬液供給工程の開始時において、前記終了後経過期間が予め定める第１の期間未満であるときに、前記切り換えユニットを制御して、前記回収空間に導かれる液を前記回収配管に導く回収導出状態を実現する回収工程と、前記薬液供給工程の開始時において、前記終了後経過期間が前記第１の期間以上であるときに、前記切り換えユニットを制御して、前記回収空間に導かれる液を前記排液配管に導く排液導出状態を実現し、予め定める排液終了条件の成立に基づいて前記回収導出状態に切り換える排液工程とを実行する切り換え制御ユニットとを含む、基板処理装置を提供する。
この構成によれば、薬液供給工程の開始時において、前回の薬液供給工程の終了後からの経過期間である終了後経過期間が第１の期間未満であるときには、切り換えユニットは回収導出状態に制御され、一方、前回の薬液供給工程の終了から第１の期間が経過しているときには、切り換えユニットは排液導出状態に制御される。長期間に亘る休止状態を経て薬液供給工程を再開する場合には、当該薬液供給工程において、切り換えユニットが排液導出状態に制御される。前回の薬液供給工程の終了後、長期間に亘る放置に伴って、回収空間に残留している薬液が変質しているおそれがある。しかしながら、このような変質薬液の導出先を回収配管ではなく排液配管に設定するので、回収配管に導入される薬液に変質薬液が混入することを防止することができる。
切り換えユニットが排液導出状態に制御された後、予め定める排液終了条件の成立に基づいて、切り換えユニットは排液導出状態に切り換えられる。その後、第１の期間未満の処理間隔で薬液供給を行い続ける限り、切り換えユニットは回収導出状態に保持される。したがって、長期間に亘る休止後の薬液供給の再開時において、長期間に亘る休止後の薬液供給の再開後の１枚あるいは数枚の基板に対する処理においてのみ回収空間に導入される薬液を排液し、それ以降においては、回収空間に導入される薬液が回収されて再利用される。したがって、薬液供給再開後、１ロット（たとえば２５枚）の全ての基板に対する処理において回収空間に導入される薬液を排液する場合と比較して、薬液の回収量を増大することができ、これにより、薬液の消費量の低減をより一層図ることができる。
以上により、変質薬液を含まない薬液を用いて基板を処理することができ、かつ薬液の消費量の低減をより一層図ることができる基板処理装置を提供することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。 図２は、前記基板処理装置に備えられた処理ユニットの構成例を説明するための図解的な断面図である。 図３Ａ〜３Ｃは、各処理における、ガードの高さ位置の変化を説明するための断面図である。 図４は、前記基板処理装置の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。 図５は、前記処理ユニットによる基板処理例を説明するための流れ図である。 図６Ａは、前記薬液供給工程を詳細に説明するための流れ図である。 図６Ｂは、前記薬液供給工程を詳細に説明するための流れ図である。 図７は、前記薬液供給工程における開閉対象バルブの設定を説明するための流れ図である。 図８は、前記薬液供給工程におけるタイマの監視動作を示す流れ図である。 図９は、処理ユニットにおいて実行される複数の薬液処理を説明するためのタイミングチャートの一例である。 図１０は、処理ユニットにおいて実行される複数の薬液処理を説明するためのタイミングチャートの他の例である。 図１１は、本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の第１の実施形態に係る基板処理装置１の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。基板処理装置１は、半導体ウエハなどの円板状の基板Ｗを、処理液や処理ガスによって一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、処理液を用いて基板Ｗを処理する複数の処理ユニット２と、処理ユニット２で処理される複数枚の基板Ｗを収容するキャリヤＣが載置されるロードポートＬＰと、ロードポートＬＰと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する搬送ロボットＩＲおよびＣＲと、基板処理装置１を制御する制御装置３とを含む。搬送ロボットＩＲは、キャリヤＣと基板搬送ロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。基板搬送ロボットＣＲは、搬送ロボットＩＲと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する。複数の処理ユニット２は、たとえば、同様の構成を有している。
図２は、処理ユニット２の構成例を説明するための図解的な断面図である。図３Ａ〜３Ｃは、各処理における、ガード３３〜３５の高さ位置の変化を説明するための断面図である。
図２に示すように、処理ユニット２は、内部空間を有する箱形のチャンバ４と、チャンバ４内で一枚の基板Ｗを水平な姿勢で保持して、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック５と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面（表面）に薬液を供給するための薬液供給ユニット６と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面（表面）にリンス液を供給するためのリンス液供給ユニット７と、スピンチャック５を取り囲む筒状の処理カップ（回収カップ）８とを含む。
図２に示すように、チャンバ４は、箱状の隔壁９と、隔壁９の上部から隔壁９内（チャンバ４内に相当）に清浄空気を送る送風ユニットとしてのＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）１０と、隔壁９の下部からチャンバ４内の気体を排出する排気装置（図示しない）とを含む。
図２に示すように、ＦＦＵ１０は隔壁９の上方に配置されており、隔壁９の天井に取り付けられている。ＦＦＵ１０は、隔壁９の天井からチャンバ４内に清浄空気を送る。排気装置（図示しない）は、処理カップ８内に接続された排気ダクト１１を介して処理カップ８の底部に接続されており、処理カップ８の底部から処理カップ８の内部を吸引する。ＦＦＵ１０および排気装置（図示しない）により、チャンバ４内にダウンフロー（下降流）が形成される。
図２に示すように、スピンチャック５として、基板Ｗを水平方向に挟んで基板Ｗを水平に保持する挟持式のチャックが採用されている。具体的には、スピンチャック５は、スピンモータ１２と、このスピンモータ１２の駆動軸と一体化されたスピン軸１３と、スピン軸１３の上端に略水平に取り付けられた円板状のスピンベース１４とを含む。
スピンベース１４は、基板Ｗの外径よりも大きな外径を有する水平な円形の上面１４ａを含む。上面１４ａには、その周縁部に複数個（３個以上。たとえば６個）の挟持部材１５が配置されている。複数個の挟持部材１５は、スピンベース１４の上面周縁部において、基板Ｗの外周形状に対応する円周上で適当な間隔を空けてたとえば等間隔に配置されている。
また、スピンチャック５としては、挟持式のものに限らず、たとえば、基板Ｗの裏面を真空吸着することにより、基板Ｗを水平な姿勢で保持し、さらにその状態で鉛直な回転軸線まわりに回転することにより、スピンチャック５に保持された基板Ｗを回転させる真空吸着式のもの（バキュームチャック）が採用されてもよい。
図２に示すように、薬液供給ユニット６は、薬液ノズル１６と、薬液ノズル１６に接続された薬液配管１７と、処理ユニット２（処理カップ８）から回収された回収薬液を、薬液配管１７に供給するための回収薬液供給ユニット１８と、薬液配管１７から薬液ノズル１６への薬液の供給および供給停止を切り替える薬液バルブ１９とを含む。薬液ノズル１６は、たとえば薬液ノズル１６の吐出口が静止された状態で薬液を吐出する固定ノズルである。薬液バルブ１９が開かれると、薬液配管１７から薬液ノズル１６に供給された薬液が、薬液ノズル１６から基板Ｗの上面中央部に向けて吐出される。薬液供給ユニット６は、薬液ノズル１６を移動させることにより、基板Ｗの上面に対する薬液の着液位置を基板Ｗの面内で走査させる薬液ノズル移動装置を備えていてもよい。
図２に示すように、回収薬液供給ユニット１８は、処理カップ８から回収された薬液を貯留する回収タンク２０と、薬液配管１７に供給すべき薬液を貯留する薬液タンク２１と、回収タンク２０に貯留されている薬液を薬液タンク２１に送るための送液配管２２と、回収タンク２０内の薬液を送液配管２２に移動させる第１の送液装置２３と、薬液タンク２１内の薬液（回収薬液配管２４を流れる薬液）を薬液配管１７に案内する回収薬液配管２４と、薬液タンク２１内の薬液を加熱して温度調節する温度調節器２５と、薬液タンク２１内の薬液を回収薬液配管２４に移動させる第２の送液装置２６とを含む。温度調節器２５は、薬液タンク２１の薬液内に浸漬されていてもよいし、図２に示すように回収薬液配管２４の途中部に介装されていてもよい。また、回収薬液供給ユニット１８は、回収薬液配管２４を流れる薬液をろ過するフィルタ、および／または回収薬液配管２４を流れる薬液の温度を計測する温度計をさらに備えていてもよい。なお、この実施形態では、回収薬液供給ユニット１８が２つのタンクを有しているが、回収タンク２０の構成が省略され、処理カップ８から回収された薬液が直接薬液タンク２１に供給される構成が採用されていてもよい。
薬液配管１７に供給される薬液（すなわち、回収タンク２０に貯留される薬液）として、レジスト残渣除去液を例示できる。レジスト残渣除去液の一例として、ＢＨＦ（Buffered Hydrogen Fluoride：バッファードフッ酸）、ＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水混合液）、有機溶剤（ＮＭＰ（N-methylpyrrolidone：N-メチル-2-ピロリドン）等）、硝酸、燐酸アンモニウム、クエン酸などの有機酸およびこれら有機酸の混合液を例示できる。
図２に示すように、リンス液供給ユニット７は、リンス液ノズル２７を含む。リンス液ノズル２７は、たとえば、連続流の状態で液を吐出するストレートノズルであり、スピンチャック５の上方で、その吐出口を基板Ｗの上面中央部に向けて固定的に配置されている。リンス液ノズル２７には、リンス液供給源からのリンス液が供給されるリンス液配管２８が接続されている。リンス液配管２８の途中部には、リンス液ノズル２７からのリンス液の吐出／供給停止を切り換えるためのリンス液バルブ２９が介装されている。リンス液バルブ２９が開かれると、リンス液配管２８からリンス液ノズル２７に供給された連続流のリンス液が、リンス液ノズル２７の下端に設定された吐出口から吐出される。また、リンス液バルブ２９が閉じられると、リンス液配管２８からリンス液ノズル２７へのリンス液の吐出が停止される。リンス液は、たとえば脱イオン水（ＤＩＷ）であるが、ＤＩＷに限らず、炭酸水、電解イオン水、水素水および希釈濃度（たとえば、１０ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれかであってもよい。
また、リンス液供給ユニット７は、リンス液ノズル２７を移動させることにより、基板Ｗの上面に対するリンス液の着液位置を基板Ｗの面内で走査させるリンス液ノズル移動装置を備えていてもよい。
図２および図３Ａ〜３Ｃに示すように、処理カップ８は、円筒部材３０と、円筒部材３０の内側においてスピンチャック５を２重に取り囲むように固定的に配置された複数のカップ３１，３２と、基板Ｗの周囲に飛散した処理液（薬液またはリンス）を受け止めるための複数のガード３３〜３５（第１、第２および第３のガード３３，３４，３５）と、個々のガード３３〜３５を独立して昇降させるガード昇降ユニット３６とを含む。ガード昇降ユニット３６は、たとえはボールねじ機構を含む構成である。
処理カップ８は折り畳み可能であり、ガード昇降ユニット３６が３つのガード３３〜３５のうちの少なくとも一方を昇降させることにより、処理カップ８の展開および折り畳みが行われる。
図２に示すように、第１のカップ３１は、円環状をなし、スピンチャック５と円筒部材３０との間でスピンチャック５の周囲を取り囲んでいる。第１のカップ３１は、基板Ｗの回転軸線Ａ１に対してほぼ回転対称な形状を有している。第１のカップ３１は、断面Ｕ字状をなしており、基板Ｗの処理に使用された処理液を集めて排液するための第１の溝４０を区画している。第１の溝４０の底部の最も低い箇所には、排液口４１が開口しており、排液口４１には、第１の排液配管４２が接続されている。第１の排液配管４２に導入される処理液は、排液装置（図示しない。廃棄装置であってもよい）に送られ、当該装置で処理される。
図２に示すように、第２のカップ３２は、円環状をなし、第１のカップ３１の周囲を取り囲んでいる。第２のカップ３２は、基板Ｗの回転軸線Ａ１に対してほぼ回転対称な形状を有している。第２のカップ３２は、断面Ｕ字状をなしており、基板Ｗの処理に使用された処理液を集めて回収するための第２の溝４３を区画している。第２の溝４３の底部の最も低い箇所には、排液／回収口４４が開口しており、排液／回収口４４には、共用配管４５が接続されている。共用配管４５には、回収配管４６および第２の排液配管４７がそれぞれ分岐接続されている。回収配管４６の他端は、回収薬液供給ユニット１８の回収タンク２０に接続されている。回収配管４６には回収バルブ４８が介装されており、第２の排液配管４７には排液バルブ４９が介装されている。排液バルブ４９を閉じながら回収バルブ４８を開くことにより、共用配管４５を通る液が回収配管４６に導かれる。また、回収バルブ４８を閉じながら排液バルブ４９を開くことにより、共用配管４５を通る液が第２の排液配管４７に導かれる。すなわち、回収バルブ４８および排液バルブ４９は、共用配管４５を通る液の流通先を、回収配管４６と第２の排液配管４７との間で切り換える切り換えユニットとして機能する。
図２に示すように、最も内側の第１のガード３３は、スピンチャック５の周囲を取り囲み、スピンチャック５による基板Ｗの回転軸線Ａ１に対してほぼ回転対称な形状を有している。第１のガード３３は、スピンチャック５の周囲を取り囲む円筒状の下端部５３と、下端部５３の上端から外方（基板Ｗの回転軸線Ａ１から遠ざかる方向）に延びる筒状部５４と、筒状部５４の上面外周部から鉛直上方に延びる円筒状の中段部５５と、中段部５５の上端から内方（基板Ｗの回転軸線Ａ１に近づく方向）に向かって斜め上方に延びる円環状の上端部５６とを含む。下端部５３は、第１の溝４０上に位置し、第１のガード３３と第１のカップ３１とが最も近接した状態で、第１の溝４０の内部に収容される。上端部５６の内周端は、平面視で、スピンチャック５に保持される基板Ｗよりも大径の円形をなしている。また、上端部５６は、図２等に示すようにその断面形状が直線状であってもよいし、また、たとえば滑らかな円弧を描きつつ延びていてもよい。
図２に示すように、内側から２番目の第２のガード３４は、第１のガード３３の外側において、スピンチャック５の周囲を取り囲み、スピンチャック５による基板Ｗの回転軸線Ａ１に対してほぼ回転対称な形状を有している。第２のガード３４は、第１のガード３３と同軸の円筒部５７と、円筒部５７の上端から中心側（基板Ｗの回転軸線Ａ１に近づく方向）斜め上方に延びる上端部５８とを有している。上端部５８の内周端は、平面視で、スピンチャック５に保持される基板Ｗよりも大径の円形をなしている。なお、上端部５８は、図２等に示すようにその断面形状が直線状であってもよいし、また、たとえば滑らかな円弧を描きつつ延びていてもよい。上端部５８の先端は、処理カップ８の上部開口８ａを区画している。
円筒部５７は、第２の溝４３上に位置している。また、上端部５８は、第１のガード３３の上端部５６と上下方向に重なるように設けられ、第１のガード３３と第２のガード３４とが最も近接した状態で上端部５６に対して微少な隙間を保って近接するように形成されている。
図２に示すように、最も外側の第３のガード３５は、第２のガード３４の外側において、スピンチャック５の周囲を取り囲み、スピンチャック５による基板Ｗの回転軸線Ａ１に対してほぼ回転対称な形状を有している。第３のガード３５は、第２のガード３４と同軸の円筒部６０と、円筒部６０の上端から中心側（基板Ｗの回転軸線Ａ１に近づく方向）斜め上方に延びる上端部６１とを有している。上端部６１の内周端は、平面視で、スピンチャック５に保持される基板Ｗよりも大径の円形をなしている。なお、上端部６１は、図２等に示すようにその断面形状が直線状であってもよいし、また、たとえば滑らかな円弧を描きつつ延びていてもよい。
図３Ｂに示すように、この実施形態では、ガード、カップおよび共用配管４５によって、基板Ｗの処理に用いられた薬液が導かれる回収空間１００が区画されている。具体的には、回収空間１００は、第２のカップ３２、第１のガード３３および第２のガード３４によって区画された空間（回収空間）と、共用配管４５の内部空間とを含む。また、回収空間１００の内壁１０１は、第２のカップ３２の内壁、第１のガード３３の外壁、第２のガード３４の内壁、および共用配管４５の内壁を含む。
図２および図３Ａ〜３Ｃに示すように、ガード昇降ユニット３６は、ガードの上端部が基板Ｗより上方に位置する上位置と、ガードの上端部が基板Ｗより下方に位置する下位置との間で、各ガード３３〜３５を昇降させる。ガード昇降ユニット３６は、上位置と下位置との間の任意の位置で各ガード３３〜３５を保持可能である。基板Ｗへの処理液の供給や基板Ｗの乾燥は、いずれかのガード３３〜３５が基板Ｗの周端面に対向している状態で行われる。
図３Ａに示すように、最も内側の第１のガード３３を基板Ｗの周端面に対向させる場合には、第１〜第３のガード３３〜３５の全てが上位置に配置される。
図３Ｂに示すように、内側から２番目の第２のガード３４を基板Ｗの周端面に対向させる場合には、第２および第３のガード３４，３５が上位置（図２に示す位置）に配置され、かつ第１のガード３３が下位置（図３に示す位置）に配置される。
図３Ｃに示すように、最も外側の第３のガード３５を基板Ｗの周端面に対向させる場合には、図３に示すように、第３のガード３５が上位置に配置され、かつ第１および第２のガード３３，３４が下位置に配置される。
図４は、基板処理装置１の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。
制御装置３は、たとえばマイクロコンピュータを用いて構成されている。制御装置３には、基板処理装置１のユーザなどにより操作される操作キー７１が接続されている。制御装置３はＣＰＵ等の演算ユニット、固定メモリデバイス、ハードディスクドライブ等の記憶ユニット、および入出力ユニット（図示しない）を有している。記憶ユニットには、演算ユニットが実行するプログラムが記憶されている。
記憶ユニットは、基板Ｗに対する各処理の内容を記憶するレシピを記憶するレシピ記憶部７２を含む。レシピ記憶部７２は、電気的にデータを書き換え可能な不揮発性メモリから構成されている。操作キー７１の操作により、ユーザは各処理工程における基板Ｗの回転数などの実行内容を入力することにより、レシピを作成することができる。操作キー７１の操作により作成されたレシピは、レシピ記憶部７２に記憶（保存）される。
また、記憶ユニットは、薬液供給工程Ｓ３における開閉対象バルブの設定に用いられる排液フラグ８０を含む。排液フラグ８０には予め定める値（５Ａ［Ｈ］または００［Ｈ］）が選択格納されるようになっている。排液フラグ８０には、イニシャル状態として、００［Ｈ］が格納されている。排液フラグ８０に５Ａ［Ｈ］が格納されている場合には、排液フラグ８０はオン状態である。一方、排液フラグ８０に００［Ｈ］が格納されている場合には、排液フラグ８０はオフ状態になる。
また、制御装置３は、タイマ７３を内蔵している。タイマ７３は、前回の薬液供給工程Ｓ３の終了後（すなわち、薬液ノズル１６からの前回の薬液吐出終了後）からの経過期間である終了後経過期間を計時するための経過期間タイマ（経過期間計測ユニット）７４と、回収バルブ４８を閉じながら排液バルブ４９を開くような制御（切り換えユニットが排液導出状態に制御）が行われる期間の累積を計時するための排液累積タイマ７５とを含む。
さらに、制御装置３には、制御対象として、スピンモータ１２、ガード昇降ユニット３６、薬液バルブ１９、リンス液バルブ２９、回収バルブ４８、排液バルブ４９等が接続されている。制御装置３は、スピンモータ１２およびガード昇降ユニット３６等の動作を制御する。制御装置３は、薬液バルブ１９、リンス液バルブ２９、回収バルブ４８、排液バルブ４９等を開閉する。
複数枚の基板Ｗを収容するキャリヤＣがロードポートＬＰに載置されると、ロードポートＬＰのドアおよびキャリヤＣの蓋がそれぞれ開放させられる。その後、制御装置３は、搬送ロボットＩＲのハンドＨをキャリヤＣにアクセスさせ、基板Ｗを取り出させる。キャリヤＣから取り出された基板Ｗは、搬送ロボットＩＲから基板搬送ロボットＣＲへと受け渡されて、基板搬送ロボットＣＲのハンドＨに保持された状態で処理ユニット２内に搬入される。基板Ｗが処理ユニット２内に搬入されると、制御装置３の演算ユニットは、当該基板Ｗに対応する対応するレシピを、レシピ記憶部７２から読み出す。このレシピには、次に述べる、薬液供給工程Ｓ３、リンス工程Ｓ４およびスピンドライ工程Ｓ５をこの順に実行させるための制御パラメータが設定されている。そして、制御装置３は、処理ユニット２を制御して、読み出したレシピに規定されている一連の処理を実行する。
図５は、処理ユニット２による基板処理例を説明するための流れ図である。以下、図１〜図５を参照しながら、基板処理例について説明する。処理ユニット２によって実行される処理は、薬液を用いた薬液処理である。薬液処理の一例としてレジスト残渣除去処理を挙げることができる。薬液処理の実行に関し、レシピ記憶部７２から読み出されたレシピは、常時参照されている。
処理ユニット２によって薬液処理が施されるときには、未洗浄の基板Ｗが、チャンバ４の内部に搬入される（図５のステップＳ１）。
具体的には、基板Ｗを保持している基板搬送ロボットＣＲのハンドＨをチャンバ４の内部に進入させることにより、基板Ｗがその表面（薬液処理対象面）を上方に向けた状態でスピンチャック５に受け渡される。その後、スピンチャック５に基板Ｗが保持される。また、ハンドＨをチャンバ４の内部に進入させる際には、図２に示すように、第１〜第３のガード３３〜３５の上端が、いずれも基板Ｗの保持位置よりも下方に配置されている。
その後、制御装置３は、スピンモータ１２によって基板Ｗの回転を開始させる（図５のステップＳ２）。基板Ｗは予め定める液処理速度（約１０−１２００ｒｐｍの範囲内で、たとえば約３００ｒｐｍ）まで上昇させられ、その液処理速度に維持される。
次いで、制御装置３は、基板Ｗの上面に薬液を供給する薬液供給工程（図５のステップＳ３）を行う。制御装置３は、ガード昇降ユニット３６を制御して、第２および第３のガード３４，３５をそれぞれ上位置に上昇させて、図３Ｂに示すように、第２のガード３４を基板Ｗの周端面に対向させる。その後、制御装置３は、薬液バルブ１９を開いて、薬液ノズル１６から基板Ｗの上面中央部に向けて薬液を吐出する。基板Ｗの上面に供給された薬液は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの周縁部に移動し、基板Ｗの周縁部から基板Ｗの側方に向けて飛散する。
基板Ｗの周縁部から飛散する薬液（たとえば、レジスト残渣を含む薬液）は、第２のガード３４の内壁に受け止められ、第２のガード３４の内壁を伝って流下し、第２の溝４３を通った後、共用配管４５に導かれる。共用配管４５に導かれた薬液は、大抵の場合、回収配管４６を通って回収薬液供給ユニット１８へと送られる。
薬液の吐出開始から予め定める期間が経過すると、薬液供給工程Ｓ３が終了する。具体的には、制御装置３は、薬液バルブ１９を閉じて、薬液ノズル１６からの薬液の吐出を停止する。また、制御装置３は、ガード昇降ユニット３６を制御して、第２および第３のガード３４，３５をそれぞれ上位置に保ちながら、第１のガード３３を上位置に上昇させて、図３Ａに示すように、第１のガード３３を基板Ｗの周端面に対向させる。
次いで、リンス液を基板Ｗの上面に供給するリンス工程（図５のステップＳ４）が行われる。具体的には、制御装置３はリンス液バルブ２９を開く。リンス液ノズル２７から吐出されたリンス液は、基板Ｗの上面中央部に着液し、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの上面上を基板Ｗの周縁部に向けて流れる。基板Ｗ上の薬液がリンス液に置換される。基板Ｗの上面を流れるリンス液は、基板Ｗの周縁部から基板Ｗの側方に向けて飛散し、第１のガード３３の内壁に受け止められる。そして、第１のガード３３の内壁を伝って流下する水は、第１の溝４０に集められた後第１の排液配管４２に導かれ、その後、処理液を排液処理するための排液処理装置（図示しない）へと導かれる。
水の吐出開始から予め定める期間が経過すると、制御装置３は、リンス液バルブ２９を閉じてリンス液ノズル２７からのリンス液の吐出を停止させる。これにより、リンス工程Ｓ４が終了する。また、制御装置３は、ガード昇降ユニット３６を制御して、第３のガード３５を上位置に保ったまま、第１および第２のガード３３，３４を下位置に下降させて、図３Ｃに示すように、第３のガード３５を基板Ｗの周端面に対向させる。
次いで、基板Ｗを乾燥させるスピンドライ工程（図５のステップＳ５）が行われる。具体的には、制御装置３はスピンモータ１２を制御することにより、薬液供給工程Ｓ３およびリンス工程Ｓ４における回転速度よりも大きい乾燥回転速度（たとえば数千ｒｐｍ）まで基板Ｗを加速させ、その乾燥回転速度で基板Ｗを回転させる。これにより、大きな遠心力が基板Ｗ上の液体に加わり、基板Ｗに付着している液体が基板Ｗの周囲に振り切られる。このようにして、基板Ｗから液体が除去され、基板Ｗが乾燥する。
基板Ｗの高速回転の開始から予め定める期間が経過すると、制御装置３は、スピンモータ１２を制御することにより、スピンチャック５による基板Ｗの回転を停止させる（図５のステップＳ６）。その後、制御装置３は、制御装置３は、ガード昇降ユニット３６を制御して、第１および第２のガード３３，３４を下位置に保ったまま、第３のガード３５を下位置に下降させる。これにより、第１〜第３のガード３３〜３５の上端がいずれも基板Ｗの保持位置よりも下方に配置される（図２に示す状態）。
次に、チャンバ４内から基板Ｗが搬出される（図５のステップＳ７）。具体的には、制御装置３は、基板搬送ロボットＣＲのハンドをチャンバ４の内部に進入させる。そして、制御装置３は、基板搬送ロボットＣＲのハンドにスピンチャック５上の基板Ｗを保持させる。その後、制御装置３は、基板搬送ロボットＣＲのハンドをチャンバ４内から退避させる。これにより、洗浄後の基板Ｗがチャンバ４から搬出される。
図６Ａ〜６Ｂは、薬液供給工程Ｓ３を詳細に説明するための流れ図である。図７は、薬液供給工程Ｓ３における開閉対象バルブの設定を説明するための流れ図である。図８は、薬液供給工程Ｓ３におけるタイマ７３の監視動作を示す流れ図である。図９は、処理ユニット２において実行される複数の薬液処理を説明するためのタイミングチャートの一例である。図６Ａ〜図９を参照して薬液供給工程Ｓ３について説明する。
レシピ記憶部７２（図４参照）に記憶（保存）されるレシピは、薬液供給工程Ｓ３の実行に用いられる薬液供給レシピＲＥ（図４参照）を含む。薬液供給レシピＲＥには、薬液供給工程Ｓ３における処理条件が定められている。具体的には、薬液供給工程Ｓ３における、基板Ｗの回転速度、各ガード３３〜３５の高さ位置、薬液吐出期間等の処理条件が定められている。また、薬液供給レシピＲＥには、薬液供給工程Ｓ３において、排液バルブ４９を閉じながら回収バルブ４８を開くような制御（切り換えユニットを回収導出状態に制御）を行うことが指定されている。レシピ記憶部７２に記憶されている薬液供給レシピＲＥに基づいて、薬液供給工程Ｓ３が実行される。
薬液供給工程Ｓ３では、バルブの開閉の対象になる開閉対象バルブが、回収バルブ４８および排液バルブ４９のうち一方のみに設定される。
薬液供給工程Ｓ３において、予め定める薬液吐出開始タイミングになると（図６ＡのステップＴ１でＹＥＳ）、制御装置３は、回収バルブ４８および排液バルブ４９のうち開閉対象バルブに設定されている側のバルブを、開閉対象バルブに設定されていない側のバルブを閉じながら開き（図６ＡのステップＴ２）、かつ薬液バルブ１９を開く（図６ＡのステップＴ３）。
具体的には、ステップＴ１において、回収バルブ４８が開閉対象バルブに設定されている場合には、制御装置３は排液バルブ４９を閉じながら回収バルブ４８を開く。一方、排液バルブ４９が開閉対象バルブに設定されている場合には、制御装置３は回収バルブ４８を閉じながら排液バルブ４９を開く。
また、薬液バルブ１９が開かれることにより、薬液ノズル１６の薬液吐出が開始される。排液バルブ４９が開閉対象バルブに設定されている場合には、排液累積タイマ７５による計時が開始する（図６ＡのステップＴ４）。
薬液の吐出開始から、薬液供給レシピＲＥに指示された薬液吐出期間が経過すると（図６ＡのステップＴ５でＹＥＳ）、制御装置３は、薬液バルブ１９を閉じる。これにより、薬液ノズル１６からの薬液の吐出が停止される（図６ＡのステップＴ６）。
また、薬液の吐出開始から、薬液供給レシピＲＥに指示された薬液吐出期間が経過すると、経過期間タイマ７４による計時が開始する（経過期間計測工程の開始。図６ＢのステップＴ７）。また、排液累積タイマ７５による計時が行われている場合には、その計時を終了する（図６ＢのステップＴ８）。
薬液の吐出停止から、予め定める回収／排液期間が経過すると（図６ＢのステップＴ９でＹＥＳ）、制御装置３は、回収バルブ４８および排液バルブ４９のうち開閉対象バルブに設定されている側のバルブを閉じる（図６ＢのステップＴ１０）。具体的には、回収バルブ４８が開閉対象バルブに設定されている場合には、回収バルブ４８を閉じる。一方、排液バルブ４９が開閉対象バルブに設定されている場合には、排液バルブ４９を閉じる。
図７に示すように、排液フラグ８０（図４参照）の値が００［Ｈ］および５Ａ［Ｈ］のいずれであるかが、制御装置３の演算ユニットによって常時監視されている。
排液フラグ８０の値が００［Ｈ］（排液フラグオフ）である場合には（図７のステップＥ１でＮＯ）、制御装置３の演算ユニットは、薬液供給レシピＲＥの内容に基づいて開閉対象バルブを設定する（図７のステップＥ２）。前述のように薬液供給レシピＲＥには排液バルブ４９を閉じながら回収バルブ４８を開くような制御を行うことが指定されているので、この指定に従い、制御装置３の演算ユニットは、回収バルブ４８を開閉対象バルブに設定する。
一方、排液フラグ８０の値が５Ａ［Ｈ］（排液フラグオン）である場合には（図７のステップＥ１でＹＥＳ）、制御装置３は、薬液供給レシピＲＥにおける指示を無視して、排液バルブ４９を開閉対象バルブに設定する。
排液フラグ８０のオンオフは、経過期間タイマ７４を用いて切り換えられる。
図８に示すように、制御装置３の演算ユニットは、経過期間タイマ７４および排液累積タイマ７５の計時値を常時監視している。
排液フラグ８０の値が００［Ｈ］（排液フラグオフ）である場合において（図８のステップＰ１でＮＯ）、経過期間タイマ７４による計時値が、予め定める第１の期間ｔａに達すると（図８のステップＰ２でＹＥＳ）、制御装置３の演算ユニットは、排液フラグ８０に５Ａ［Ｈ］の値を格納（排液フラグオン）すると共に（図８のステップＰ３）、経過期間タイマ７４の計時値をリセットして、経過期間タイマ７４による計時を終了する（経過期間計測工程の終了。図８のステップＰ４）。一方、経過期間タイマ７４による計時値が、第１の期間ｔａに達しない場合には（図８のステップＰ２でＮＯ）、その後、図８に示す処理はリターンされる。すなわち、経過期間タイマ７４による計時値が第１の期間ｔａに達するまで図８のステップＰ２でＮＯとする処理が繰り返される。第１の期間ｔａは、たとえば、回収空間１００に残存する薬液が変質するような期間を基準に設定されている。第１の期間ｔａは、薬液の種類によって適宜変更可能に設けられている。たとえば、薬液としてＢＨＦを用いた一例では、第１の期間ｔａとしてたとえば６時間が設定されている。
一方、排液フラグ８０の値が５Ａ［Ｈ］（排液フラグオン）である場合において（図８のステップＰ１でＹＥＳ）、排液累積タイマ７５による計時値が、予め定める第２の期間に達すると（図８のステップＰ５でＹＥＳ）、制御装置３の演算ユニットは、排液フラグ８０の値をゼロクリア（排液フラグ８０に００［Ｈ］の値を格納。排液フラグオン）すると共に（図８のステップＰ６）、排液累積タイマ７５の計時値をリセットして、して、排液累積タイマ７５による計時を終了する（図８のステップＰ７）。一方、排液累積タイマ７５による計時値が、第２の期間ｔｂに達しない場合には（図８のステップＰ５でＮＯ）、その後、図８に示す処理はリターンされる。すなわち、排液累積タイマ７５による計時値が第２の期間ｔｂに達するまで、図８のステップＰ５でＮＯとする処理が繰り返される。
次に、図９を参照して、処理ユニット２において実行される複数の薬液処理について検討する。処理ユニット２の各チャンバ４では、薬液処理（レシピ処理）が連続して実行される。
各薬液処理において、薬液供給工程Ｓ３の開始時において、前回の薬液供給工程Ｓ３の終了から予め定める第１の期間ｔａが経過しているか否か（すなわち、経過期間タイマ７４による計時値ｔ≧ｔａであるか否か）が調べられる。前回の薬液供給工程Ｓ３の終了から予め定める第１の期間ｔａが経過していないときには、排液バルブ４９を閉じながら回収バルブ４８を開くような制御（切り換えユニットが回収導出状態に制御）が実行され、一方、前回の薬液供給工程Ｓ３の終了から予め定める第１の期間ｔａを経過しているときには、回収バルブ４８を閉じながら排液バルブ４９を開くような制御（切り換えユニットが排液導出状態に制御）が実行される。
回収バルブ４８を閉じながら排液バルブ４９を開くような制御（切り換えユニットが排液導出状態に制御）が開始された後、このような制御が実行されている期間の累積が予め定める第２の期間ｔｂに達すると（予め定める排液終了条件が成立すると）、制御装置３は、排液バルブ４９を閉じながら回収バルブ４８を開くような制御（切り換えユニットが回収導出状態に制御）に戻す。第２の期間ｔｂとして、たとえば３分間が設定されている。その後は、予め定める枚数の基板Ｗの処理が終了するまで、第１の期間ｔａ未満の間隔で薬液供給の開始が繰り返されるので、薬液処理の終了に至るまで、排液バルブ４９を閉じながら回収バルブ４８を開くような制御（切り換えユニットが回収導出状態に制御）が維持される。
図１０は、処理ユニット２において実行される複数の薬液処理を説明するためのタイミングチャートの他の例である。
図１０では、長期間に亘る休止状態から薬液処理を再開させた場合に、最初の薬液処理では、回収バルブ４８を閉じながら排液バルブ４９を開くような制御（切り換えユニットが排液導出状態に制御）に保たれる。そして、２回目以降の薬液処理の途中において、回収バルブ４８を閉じながら排液バルブ４９を開くような制御（切り換えユニットが排液導出状態に制御）から、排液バルブ４９を閉じながら回収バルブ４８を開くような制御（切り換えユニットが回収導出状態に制御）に戻される。換言すると、排液バルブ４９を閉じながら回収バルブ４８を開くような制御（切り換えユニットが回収導出状態に制御：排液工程）は、複数（たとえば２つ）の薬液供給工程Ｓ３に跨って（複数枚に対する薬液処理に跨って）実行可能に設けられている。
以上により、この実施形態によれば、薬液供給工程Ｓ３の開始時において、前回の薬液供給工程の終了後から第１の期間ｔａが経過している場合には、回収バルブ４８を閉じながら排液バルブ４９を開くような制御（切り換えユニットが排液導出状態に制御）が実行される。前回の薬液供給工程Ｓ３の終了から長期間経過している場合には、回収空間１００に残留する薬液、すなわち、ガードの内壁に付着している薬液、あるいは共用配管４５の内部に停留している薬液が変質するおそれがある。第１の期間ｔａとして、たとえば６時間が設定されている。
たとえば、薬液ノズル１６から吐出される薬液として、ＢＨＦ等のレジスト残渣除去液が用いられている場合には、時間の経過に伴って、第２のカップ３２の内壁、第１のガード３３の外壁、第２のガード３４の内壁、および共用配管４５の内壁（すなわち、回収空間１００の内壁１０１）に付着している薬液に溶解しているレジスト成分が時間の経過により結晶化（変質）する。この場合、結晶化したレジストを異物として含む薬液（変質薬液）が回収薬液供給ユニット１８に供給されるおそれがある。また、時間の経過に伴って、共用配管４５の内部に停留している薬液が濃縮（変質）する。このような濃縮された薬液が回収薬液供給ユニット１８に供給されると、薬液に溶解しているレジスト成分が析出し、回収薬液供給ユニット１８内の薬液に、レジストが異物として出現するおそれもある。このような変質薬液が、回収薬液供給ユニット１８に供給されると、それ以降の薬液処理において、変質薬液を含む薬液が基板Ｗに供給されるおそれがある。
しかしながら、この実施形態では、変質薬液の導出先を回収配管４６ではなく排液配管４７に設定するので、回収配管４６に導入される薬液に、変質薬液が混入することを防止することができる。
また、回収バルブ４８を閉じながら排液バルブ４９を開くような制御（切り換えユニットが排液導出状態に制御）が開始された後、すなわち、回収バルブ４８を閉じながら排液バルブ４９を開くような制御（切り換えユニットが排液導出状態に制御）が実行されている期間の累積が予め定める第２の期間ｔｂに達すると（予め定める排液終了条件が成立すると）、制御装置３は、排液バルブ４９を閉じながら回収バルブ４８を開くような制御（切り換えユニットが回収導出状態に制御）に戻す。第２の期間ｔｂとして、たとえば３分間が設定されている。その後は、予め定める枚数の基板Ｗの処理が終了するまで、第１の期間ｔａ未満の間隔で薬液供給の開始が繰り返されるので、薬液処理の終了に至るまで、排液バルブ４９を閉じながら回収バルブ４８を開くような制御（切り換えユニットが回収導出状態に制御）が維持される。したがって、長期間に亘る休止後の薬液供給の再開時において、長期間に亘る休止後の薬液供給の再開後の１枚あるいは数枚の基板Ｗに対する処理においてのみ回収空間１００に導入される薬液を排液し、それ以降においては、回収空間１００に導入される薬液が回収されて再利用される。したがって、薬液供給再開後、１ロット（たとえば２５枚）の全ての基板Ｗに対する処理において回収空間１００に導入される薬液を排液する場合と比較して、薬液の回収量を増大することができ、これにより、薬液の消費量の低減をより一層図ることができる。
以上により、変質薬液を含まない薬液を用いて基板Ｗを処理することができ、かつ薬液の消費量の低減をより一層図ることができる基板処理装置１を提供することができる。
図１１は、本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置２０１の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。図１１において、第１の実施形態に示された各部に対応する部分には、図１〜図１０の場合と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
この実施形態では、レシピ記憶部７２（図４参照）に記憶（保存）されるべき薬液供給レシピＲＥ１として、第１の薬液供給レシピ２０２と、第２の薬液供給レシピ２０３とが用意されている。第１の薬液供給レシピ２０２および第２の薬液供給レシピ２０３は、レシピ仮保持部２０４に保持されている。
第１の薬液供給レシピ２０２には、第１の実施形態における薬液供給レシピＲＥと同様に、薬液供給工程Ｓ３において、排液バルブ４９を閉じながら回収バルブ４８を開くような制御（切り換えユニットを回収導出状態に制御）を行うことが指定されている。
一方、第２の薬液供給レシピ２０３には、薬液供給工程Ｓ３において、回収バルブ４８を閉じながら排液バルブ４９を開くような制御（切り換えユニットを排液導出状態に制御）を行うことが指定されている。
それ以外の処理条件（基板Ｗの回転速度、各ガード３３〜３５の高さ位置、薬液吐出期間等の処理条件）については、第１の薬液供給レシピ２０２と、第２の薬液供給レシピ２０３との間で異なる点はない。
レシピ記憶部７２に記憶されている薬液供給レシピＲＥ１に基づいて、薬液供給工程Ｓ３が実行される。薬液供給工程Ｓ３の実行に関し、薬液供給レシピＲＥ１は常時参照されている。
薬液処理の実行中は、排液フラグ８０（図４参照）の値が００［Ｈ］および５Ａ［Ｈ］のいずれであるかが、制御装置３によって常時監視されている。
排液フラグ８０の値が００［Ｈ］（排液フラグオフ）である場合には、制御装置３は、レシピ記憶部７２に、薬液供給レシピＲＥ１として第１の薬液供給レシピ２０２を記憶する。その後、排液バルブ４９を閉じながら回収バルブ４８を開くような制御（切り換えユニットが回収導出状態に制御）が実行される。
一方、排液フラグ８０の値が５Ａ［Ｈ］（排液フラグオン）である場合には、制御装置３は、レシピ記憶部７２に記憶されている薬液供給レシピＲＥとして第２の薬液供給レシピ２０３を記憶する。その後、回収バルブ４８を閉じながら排液バルブ４９を開くような制御（切り換えユニットが排液導出状態に制御）が実行される。
このような薬液供給レシピＲＥ１の切り換えを行うことにより、前述の第１の実施形態の場合と同等の作用効果を奏することができる。
以上、この発明の２つの実施形態について説明したが、この発明はさらに他の形態で実施することできる。
たとえば、前述の各実施形態において、制御装置３の記憶ユニットに記憶されている第１の期間ｔａおよび第２の期間ｔｂの値は、操作キー７１の操作により変更可能に設けられていてもよい。この場合、ユーザが、第１の期間ｔａおよび第２の期間ｔｂの値を適宜変更することができる。
また、長期間に亘る休止後の薬液供給の再開時において、回収バルブ４８を閉じながら排液バルブ４９を開くような制御（切り換えユニットが排液導出状態に制御）を行うか否かを、ユーザが選択決定できるようになっていてもよい。たとえば、この選択決定は、操作キー７１の操作により行われるようになっていてもよい。
また、前述の各実施形態において、回収バルブ４８を閉じながら排液バルブ４９を開くような制御（切り換えユニットが排液導出状態に制御）から、排液バルブ４９を閉じながら回収バルブ４８を開くような制御（切り換えユニットが回収導出状態に制御）への切り換えの排液終了条件として、このような制御が実行されている期間の累積が第２の期間ｔｂに達するという排液終了条件に代えて（あるいは併せて）、他の排液終了条件が設けられていてもよい。たとえば、回収バルブ４８を閉じながら排液バルブ４９を開くような制御（切り換えユニットが排液導出状態に制御）の実行中における、排液流量の累積（廃液積算流量）が、予め定める流量に達することが、他の排液終了条件として設けられていてもよい。
また、回収薬液供給ユニット１８に供給される薬液として、レジスト残渣除去液以外の薬液を用いることができる。このレジスト残渣除去液以外の薬液として、ＢＨＦ、ＤＨＦ（希フッ酸）、ＳＣ１（アンモニア過酸化水素水混合液）、ＳＣ２（塩酸過酸化水素水混合液）、有機溶剤（たとえばＮＭＰやアセトン）、硝酸、燐酸アンモニウム、クエン酸などの有機酸およびこれら有機酸の混合液を例示できる。この場合に、前述の手法を採用しないと、時間の経過に伴って、第２のカップ３２の内壁、第１のガード３３の外壁および第２のガード３４の内壁（以上、回収空間の内壁）に付着している薬液自身が結晶化（変質）したり、共用配管４５の内部に停留している薬液が濃縮（変質）したりして、回収タンク２０および／または薬液タンク２１に溜められている薬液の濃度に影響を及ぼすおそれもある。
また、前述の各実施形態において、切り換えユニットが、２つの開閉バルブ（回収バルブ４８および排液バルブ４９）ではなく、三方弁によって構成されていてもよい。
また、各実施形態において、回収配管４６および第２の排液配管４７が第２の溝４３に接続されていてもよい。この場合には、共用配管４５が存在しない。この場合、共用配管４５の内部を含まず、カップおよび３３によって区画された空間によって構成される。
また、各実施形態において、回収配管４６が第２の溝４３だけでなく、第１の溝４０に関連して設けられていてもよい。
また、処理カップ８が３段のものを例に挙げて説明したが、処理カップ８は、１段（単カップ）や２段であってもよいし、４段以上の多段カップであってもよい。
また、前述の各実施形態では、基板処理装置１が円板状の基板を処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置１は、液晶表示装置用ガラス基板などの多角形の基板を処理する装置であってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能で
ある。
１ ：基板処理装置
３ ：制御装置
６ ：薬液供給ユニット
８ ：処理カップ（回収カップ）
４６ ：回収配管
４７ ：排液配管
４８ ：回収バルブ（切り換えユニット）
４９ ：排液バルブ（切り換えユニット）
７２ ：レシピ記憶部
７４ ：経過期間タイマ（経過期間計測ユニット）
８０ ：排液フラグ
１００ ：回収空間
１０１ ：内壁
２０１ ：基板処理装置
２０２ ：第１の薬液供給レシピ
２０３ ：第２の薬液供給レシピ
ＲＥ ：薬液供給レシピ
ＲＥ１ ：薬液供給レシピ

Claims (6)

  1. 基板の処理に用いられた薬液が導かれる回収空間が内部に区画された回収カップと、前記回収空間に導かれる薬液を回収するために用いられる回収配管と、前記回収空間に導かれる液を排出するために用いられる排液配管と、前記回収空間に導かれる液を、前記回収配管と前記排液配管とに切り換えるための切り換えユニットとを含む基板処理装置で実行される基板処理方法であって、
    前記基板に薬液を供給する薬液供給工程と、
    前記薬液供給工程の開始前に終了した前回の薬液供給の終了後からの経過期間である終了後経過期間を計測する経過期間計測工程と、
    前記薬液供給工程の開始時において、前記終了後経過期間が予め定める第１の期間未満であるときに、前記切り換えユニットを、前記回収空間に導かれる液が前記回収配管に導かれる回収導出状態に制御する回収工程と、
    前記薬液供給工程の開始時において、前記終了後経過期間が前記第１の期間以上であるときに、前記切り換えユニットを、前記回収空間に導かれる液が前記排液配管に導かれる排液導出状態に制御し、予め定める排液終了条件の成立に基づいて前記回収導出状態に切り換える排液工程とを含む、基板処理方法。
  2. 前記基板処理装置は、前記薬液供給工程における薬液供給の条件を定めた薬液供給レシピを記憶するレシピ記憶部をさらに含み、
    前記排液工程は、前記切り換えユニットを前記回収導出状態に制御すべき旨が前記薬液供給レシピにおいて指示されていても、その指示を無視して、前記切り換えユニットを前記排液導出状態に制御する工程を含む、請求項１に記載の基板処理方法。
  3. 前記基板処理装置は、前記薬液供給工程における薬液供給の条件を定めた薬液供給レシピを記憶するレシピ記憶部をさらに含み、
    前記回収工程は、前記切り換えユニットを前記回収導出状態に制御すべき旨が指示された第１の薬液供給レシピを、前記薬液供給レシピとして前記レシピ記憶部に記憶させることに基づいて実行され、
    前記排液工程は、前記切り換えユニットを前記排液導出状態に制御すべき旨が指示された第２の薬液供給レシピを、前記薬液供給レシピとして前記レシピ記憶部に記憶させることに基づいて実行される、請求項１に記載の基板処理方法。
  4. 前記排液終了条件は、前記切り換えユニットが前記排液導出状態に制御されている期間の累積が予め定める第２の期間に達することである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  5. 前記排液工程は、複数の前記薬液供給工程に跨って実行可能に設けられている、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  6. 基板に薬液を供給する薬液供給ユニットと、
    基板の処理に用いられた薬液が導かれる回収空間が内部に区画された回収カップと、
    前記回収空間に導かれる薬液を回収するために用いられる回収配管と、
    前記回収空間に導かれる液を廃棄するために用いられる排液配管と、
    前記回収空間に導かれる液を、前記回収配管と前記排液配管とに切り換えるための切り換えユニットと、
    前記薬液供給ユニットを制御して、薬液を前記基板に供給する薬液供給工程を実行する薬液供給制御ユニットと、
    前記薬液供給工程の開始前に終了した前回の薬液供給の終了後からの経過期間である終了後経過期間を計測する経過期間計測ユニットと、
    前記薬液供給工程の開始時において、前記終了後経過期間が予め定める第１の期間未満であるときに、前記切り換えユニットを制御して、前記回収空間に導かれる液を前記回収配管に導く回収導出状態を実現する回収工程と、前記薬液供給工程の開始時において、前記終了後経過期間が前記第１の期間以上であるときに、前記切り換えユニットを制御して、前記回収空間に導かれる液を前記排液配管に導く排液導出状態を実現し、予め定める排液終了条件の成立に基づいて前記回収導出状態に切り換える排液工程とを実行する切り換え制御ユニットとを含む、基板処理装置。
JP2016146521A 2016-07-26 2016-07-26 基板処理方法および基板処理装置 Active JP6708508B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016146521A JP6708508B2 (ja) 2016-07-26 2016-07-26 基板処理方法および基板処理装置
TW106124134A TWI681452B (zh) 2016-07-26 2017-07-19 基板處理方法及基板處理裝置
KR1020170092754A KR101975664B1 (ko) 2016-07-26 2017-07-21 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
US15/656,441 US10786836B2 (en) 2016-07-26 2017-07-21 Substrate processing method and substrate processing apparatus
CN201710618997.0A CN107658242B (zh) 2016-07-26 2017-07-26 基板处理方法以及基板处理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016146521A JP6708508B2 (ja) 2016-07-26 2016-07-26 基板処理方法および基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018018899A JP2018018899A (ja) 2018-02-01
JP6708508B2 true JP6708508B2 (ja) 2020-06-10

Family

ID=61011957

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016146521A Active JP6708508B2 (ja) 2016-07-26 2016-07-26 基板処理方法および基板処理装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10786836B2 (ja)
JP (1) JP6708508B2 (ja)
KR (1) KR101975664B1 (ja)
CN (1) CN107658242B (ja)
TW (1) TWI681452B (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7072415B2 (ja) * 2018-03-26 2022-05-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7181764B2 (ja) * 2018-03-26 2022-12-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7149087B2 (ja) * 2018-03-26 2022-10-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US11052432B2 (en) 2018-03-26 2021-07-06 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR102139605B1 (ko) * 2018-11-06 2020-08-12 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP2020077755A (ja) * 2018-11-07 2020-05-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理カップユニットおよび基板処理装置
CN111326441B (zh) * 2018-12-17 2022-09-16 辛耘企业股份有限公司 基板处理设备及方法
JP2023018993A (ja) * 2021-07-28 2023-02-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3785478B2 (ja) * 1997-09-01 2006-06-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法
JP2006024793A (ja) 2004-07-08 2006-01-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 薬液回収方法および基板処理装置
US7678199B2 (en) * 2006-09-06 2010-03-16 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning method
JP2008153521A (ja) 2006-12-19 2008-07-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回収カップ洗浄方法および基板処理装置
JP2009231773A (ja) * 2008-03-25 2009-10-08 Sumitomo Electric Ind Ltd フォトニック結晶面発光レーザ素子およびその製造方法
JP5033108B2 (ja) * 2008-11-05 2012-09-26 東京エレクトロン株式会社 液処理方法、液処理装置、および記憶媒体
JP5318670B2 (ja) * 2009-06-09 2013-10-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記憶媒体
JP2011061034A (ja) 2009-09-10 2011-03-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP5768960B2 (ja) * 2011-03-18 2015-08-26 栗田工業株式会社 電子材料洗浄方法および洗浄システム
CN102214559A (zh) * 2011-05-23 2011-10-12 叶伟清 晶圆亲水面表面清洗方法
KR101405668B1 (ko) * 2011-12-22 2014-06-10 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 도포 장치
JP2014093362A (ja) 2012-11-01 2014-05-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP6229933B2 (ja) * 2013-09-27 2017-11-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理カップ洗浄方法、基板処理方法および基板処理装置
CN103907458A (zh) 2014-03-25 2014-07-09 郑兴义 一种醋糟基质栽培黄瓜的方法
JP6385714B2 (ja) * 2014-05-16 2018-09-05 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理装置の洗浄方法及び記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018018899A (ja) 2018-02-01
CN107658242B (zh) 2021-05-28
KR20180012215A (ko) 2018-02-05
CN107658242A (zh) 2018-02-02
US10786836B2 (en) 2020-09-29
US20180029089A1 (en) 2018-02-01
TW201816868A (zh) 2018-05-01
TWI681452B (zh) 2020-01-01
KR101975664B1 (ko) 2019-05-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6708508B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP6762184B2 (ja) 回収配管洗浄方法および基板処理装置
JP5270251B2 (ja) 基板処理装置
JP6229933B2 (ja) 処理カップ洗浄方法、基板処理方法および基板処理装置
KR102189980B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20210042380A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20190043708A1 (en) Substrate processing method and substrate processing device
KR102240493B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP2009231733A (ja) 基板処理装置
JP5080885B2 (ja) 基板処理装置および処理チャンバ内洗浄方法
JP2006202983A (ja) 基板処理装置および処理室内洗浄方法
JP2019125659A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
WO2024190118A1 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2018056199A (ja) 基板処理方法および基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190624

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200213

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200213

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200413

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200507

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200521

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6708508

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250