JP2014093362A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板周辺の雰囲気の置換効率および処理液の捕獲効率を高めることできる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、スピンチャック３と、スピンチャック３を取り囲む筒状の処理カップ１１とを含む。処理カップ１１は、基板Ｗの周囲に飛散した処理
液を受け止めるための複数のガード５４〜５６と、個々のガード５４〜５６を独立して支持する支持ブラケット６４〜６６とを含む。支持ブラケット６６は、ガード５６を接触支持する支持板部７３と、支持板部７３の内周縁部から、外側回収溝９５に向かって鉛直に垂下する板状のブラケット庇７４とを含む。ブラケット庇７４は、第３ガード５６の下端に至った処理液を、ブラケット庇７４の内壁を伝って下方に移動させ、かつブラケット庇７４の下端部７５から外側回収溝９５に向けて落液させる。
【選択図】図１

Description

この発明は、基板処理装置に関する。処理対象となる基板
には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。

半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板などの基板の表面に処理液を供給して、その基板の表面が処理液を用いて処理される。
たとえば、下記特許文献１記載の基板処理装置は、基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持された基板の上面に処理液を供給する処理液ノズルと、スピンチャックを収容する有底筒状の処理カップと、スピンチャックおよび処理カップを収容する処理チャンバとを備えている。

処理カップは、処理チャンバ内に収容された有底円筒状の排気桶と、排気桶内に固定的に収容されたカップと、排気桶内に収容されて昇降可能なガードとを備えている。ガードの下端の下方には、上向きに開いた溝を有するカップが配置されている。基板に対する処理液を用いた処理時には、ガードの下端がカップの溝に入り込んだ状態とされる。この状態でガードの下端とカップとの間の隙間は狭通路とされる。また、基板に対する処理液を用いた処理時には、ガードの下端とカップの溝との間が外側に向けて吸引され、ガードとカップの下端との間の隙間が排気経路とされている。一方、ガードによって受け止められた処理液は、ガードを伝ってガードの下端へと案内される。このとき、処理液の排液の経路が、ガードの下端において下向きから上向きへと折り返すから、ガードを伝って移動する処理液が、ガードの下端においてカップに回収される。

特開２０１０−１９２６８６号公報

特許文献１の構成では、基板から排出された処理液とガード内の雰囲気とを同じ経路を通って移動させ、ガードとカップの下端との間の隙間を流通させる過程で気液分離させている。換言すると、ガードの下端とカップとの間において処理液経路と排気経路とが重複している。
また、ガードの下端とカップとの間の隙間はラビリンス構造である。

しかしながら、特許文献１の構成では、ラビリンス構造を用いて気液分離するために、ガードの下端とカップとの間における圧力損失が大きくなるおそれがある。この場合、十分大きな排気能力で排気口から排気しても、ガードの下端とカップとの間における圧力損失のために、ガード内から排気される排気流量が小さくなり、その結果、ガード内の雰囲気の置換効率が低下するおそれがある。

また、排気風量を大きくする目的でカップ内外の圧力差を大きくすると、処理液経路中の処理液が排気に流入し、その結果、処理液の捕獲効率が低下するおそれがある。
そこで、この発明の目的は、基板周辺の雰囲気の置換効率および処理液の捕獲効率を高めることできる基板処理装置を提供することである。

前記の目的を達成するための請求項１に記載の発明は、基板（Ｗ）を保持する基板保持手段（３）と、前記基板保持手段に保持された基板を、所定の回転軸線（Ａ１）まわりに回転させる基板回転手段（１８）と、前記基板回転手段により回転されている基板に処理液を供給する処理液供給手段（６，７，８）と、前記基板保持手段に保持されている基板の周囲に位置するように、前記基板保持手段の周囲を取り囲んでおり、基板の周囲に排出された処理液を、下方に案内する筒状のガード（５４，５５，５６）と、前記ガードの下端の下方に位置する上向きに開いた液受け溝（８８，９５）を有し、前記ガードによって案内された処理液を受け止める液受け部材（５１，８２）と、前記ガードの下端と前記液受け部材との間を、外方に向けて流れる気流を形成することにより、前記ガードの内部を排気する排気手段（１６）と、全体が前記液受け溝よりも上方に配置されており、前記ガードによって案内された処理液を前記液受け溝内に向けて下方に案内するガイド（７４，１２４；７４Ａ；７４Ｂ，１２４Ａ）とを含む、基板処理装置（１）である。

なお、この項において、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素の参照符合を表すものであるが、これらの参照符号により特許請求の範囲を実施形態に限定する趣旨ではない。
この構成によれば、基板に供給され、基板からその周囲に排出された処理液は、筒状のガードに受け止められ、ガードによって下方に向けて案内される。ガードによって案内された処理液の液滴は、次に、ガイドを移動するようになる。ガイドは、当該ガイドを流下する処理液の液滴を、ガードの下方で上向きに開いた液受け溝に向けて下方に案内する。これにより、ガードで受け止めた処理液を良好に液受け溝に案内することができる。

また、処理液がガードを伝って下方に移動し、ガイドの下端から液受け溝に向けて落下して液受け溝に溜められる。一方、排気機構により形成される排気流は、ガイドの下端と液受け溝との間を外方に流れる。すなわち、排気経路と液回収経路とは分離されている。そのため、ガイドの内壁に付着している処理液が、排気流にほとんど流入しない。これらにより、液受け溝の捕獲効率を向上させることができる。

さらに、ガイドの全体が液受け溝よりも上方に配置されている。換言すると、ガイドが液受け溝内に入り込んでいない。そのため、液受け溝とガイドとによってラビリンス部は形成されておらず、これにより、ラビリンス部を設ける場合と比較して、液受け溝とガイドとの間に生じる圧力損失を大幅に低減させることができるから、ガード内に生じる排気流の流量を増加させることができ、これにより、基板周辺雰囲気の置換効率を高めることできる。

請求項２に記載の発明は、前記ガードの下端に取り付けられ、当該下端を支持する支持部材（６４，６５，６６）をさらに含み、前記ガイド（７４；７４Ａ；７４Ｂ）は、前記支持部材から前記液受け溝に向かって垂下している、請求項１に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、ガイドが、ガードの下端に取り付けられた支持部材から液受け溝に向かって垂下している。そして、ガイドの壁面を処理液が伝って下方に移動し、かつガイドの下端部から液受け部材の液受け溝に向けて落液させることにより、ガードの下端に至った処理液を、液受け部材の液受け溝に向けてスムーズに導くことができる。

請求項３に記載の発明は、前記ガイド（１２４；１２４Ａ）は、前記ガードの下端から前記液受け溝に向かって下方に延びている、請求項１に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、支持部材から液受け溝に向かってガイドが垂下している。そのため、ガードの下端に至った処理液を、液受け部材の液受け溝に向けてスムーズに導くことができる。

請求項４に記載の発明は、前記ガイドは、下方に突出する凸部と前記ガイドの下端から上方に延びる凹部とが前記回転軸線まわりの方向に交互に配置された凹凸状の下端部（１２５Ａ）を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、ガイドが凹凸状の下端部を含んでいるので、ガイドの下端における液切れがよい。すなわち、ガイドの下端部に移動された処理液をスムーズに液受け溝に案内することができる。これにより、処理液の捕獲効率を高めることができる。したがって、処理液の捕獲効率を低下させることなく、ガード内部の雰囲気の置換効率を高めることできる。

本発明の一実施形態に係る基板処理装置を水平な方向から見た模式図である。 図１に示す処理カップの平面図である。 図１に示す処理カップにおける支持ブラケットの周辺の構成を示す斜視図である。 図２Ｂを矢印Ｃから見た図である。 図１に示す切断面線Ｄ−Ｄから見た図である。 第３ガードおよび支持ブラケットの構成を説明するための拡大図である。 ブラケット庇を設けない構成を参考として示す図である。 図１に示す基板処理装置で行われる処理を説明するための図である。 変形例に係るブラケット庇の下端部の構成を示す図である。 変形例に係るガード庇の下端部の構成を示す図である。

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１の構成を模式的に示す断面図である。
この基板処理装置１は、円形の半導体基板Ｗ（以下、単に「基板Ｗ」という）におけるデバイス形成領域側の表面に対して、薬液による処理を施すための枚葉型の装置である。

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１の構成を模式的に示す断面図である。
基板処理装置１は、処理室２内に、基板Ｗを保持して回転させるスピンチャック（基板保持手段）３と、スピンチャック３に保持されている基板Ｗの表面（上面）に薬液を供給するための薬液ノズル（処理液供給手段）７と、スピンチャック３に保持されている基板Ｗの表面（上面）に、低表面張力を有する有機溶媒の一例としてのイソプロピルアルコール（isopropyl alcohol：ＩＰＡ液）を供給するための有機溶媒ノズル（処理液供給手段）６と、スピンチャック３に保持されている基板Ｗの表面（上面）にリンス液を供給するためのリンス液ノズル（処理液供給手段）８と、スピンチャック３を取り囲む筒状の処理カップ１１と、基板処理装置１に備えられた装置の動作やバルブの開閉を制御する制御装置１２とを含む。

処理室２は、シャッタ１３によって開閉される箱状の隔壁１４と、隔壁１４の上部から隔壁１４内（処理室２内に相当）に清浄空気を送る送風ユニットとしてのＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）１５と、隔壁１４の下部から処理室２内の気体を排出する排気装置（排気手段）１６とを含む。スピンチャック３、薬液ノズル７、有機溶媒ノズル６およびリンス液ノズル８は、隔壁１４内に収容配置されている。

ＦＦＵ１５は隔壁１４の上方に配置されており、隔壁１４の天井に取り付けられている。ＦＦＵは、隔壁１４の天井から処理室２内に清浄空気を送る。排気装置１６は、処理カップ１１の底部に接続されており、処理カップ１１の底部から処理カップ１１の内部を吸引する。ＦＦＵ１５および排気装置１６により、処理室２内にダウンフロー（下降流）が形成される。

スピンチャック３は、ＦＦＵ１５の下方に配置されている。スピンチャック３は、基板Ｗを水平に保持する円盤状のスピンベース１７と、スピンベース１７を中心軸線（基板Ｗの回転軸線）Ａ１まわりに回転させるスピンモータ（基板回転手段）１８とを含む。スピンチャック３は、基板Ｗに非接触の状態で基板Ｗを水平に保持する。スピンチャック３は、基板Ｗを水平方向に挟んで基板Ｗを水平に保持する挟持式のチャックであってもよいし、非デバイス形成面である基板Ｗの裏面（下面）を吸着することにより基板Ｗを水平に保持するバキューム式のチャックであってもよい。図１では、スピンチャック３が挟持式のチャックである場合を示している。

薬液ノズル７は、薬液バルブ３７が介装された薬液配管３８に接続されている。薬液バルブ３７が開かれると、薬液配管３８から薬液ノズル７に供給された薬液が薬液ノズル７から下方に向けて吐出される。
薬液ノズル７に供給される薬液としては、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、ＢＨＦ（Buffered Hydrogen Fluoride：バッファード薬液）、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえばクエン酸、蓚酸など）、有機アルカリ（たとえば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど）、界面活性剤、腐食防止剤のうちの少なくとも１つを含む液を例示することができる。

薬液ノズル７は、第１ノズルアーム４０に保持されている。第１ノズルアーム４０は、第１ノズル移動ユニット４２に接続されている。第１ノズル移動ユニット４２は、薬液ノズル７とともに第１ノズルアーム４０を移動させる。
有機溶媒ノズル６は、有機溶媒バルブ３５が介装された有機溶媒配管３６に接続されている。有機溶媒ノズル６に供給される有機溶媒としてＩＰＡ液を例に挙げて説明するが、ＩＰＡ液以外に、たとえば、メタノール、エタノール、アセトン、およびＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）などを有機溶媒として採用することができる。有機溶媒バルブ３５が開かれると、有機溶媒配管３６から有機溶媒ノズル６に供給されたＩＰＡ液が有機溶媒ノズル６から下方に向けて吐出される。

有機溶媒ノズル６は、第２ノズルアーム３９に保持されている。第２ノズルアーム３９は、第２ノズル移動ユニット４１に接続されている。第２ノズル移動ユニット４１は、有機溶媒ノズル６とともに第２ノズルアーム３９を移動させる。
処理カップ１１は、スピンチャック３に保持されている基板Ｗよりも外方（回転軸線Ａ１から離れる方向）に配置されている。処理カップ１１は、スピンチャック３を取り囲む円筒部材５０と、スピンチャック３と円筒部材５０との間に固定的に配置されたカップ（液受け部材）５１と、基板Ｗの周囲に飛散した処理液（薬液、ＩＰＡ液およびリンス液）を受け止めるための複数のガード５４〜５６（第１〜第３ガード５４〜５６）と、個々のガード５４〜５６を独立して支持する支持ブラケット（支持部材）６４〜６６（図１には、回転軸線Ａ１を挟んで左側の支持ブラケット６６のみ図示。図２Ａも併せて参照）と、個々の支持ブラケット６４〜６６を昇降させるガード昇降ユニット５８とを含む。ガード昇降ユニット５８の駆動により、個々のガード５４〜５６が独立して昇降させられる。なお、ガード昇降ユニット５８は、たとえはボールねじ機構を含む構成である。

また、図１では、回転軸線Ａ１を挟んで右側と左側とで、第２ガード５５が異なる高さに配置された状態が示されている。処理カップ１１は折り畳み可能であり、ガード昇降ユニット５８が３つのガード５４〜５６のうちの少なくとも一つを昇降させることにより、処理カップ１１の展開および折り畳みが行われる。
カップ５１は円筒状であり、スピンチャック３と円筒部材５０との間でスピンチャック３を取り囲んでいる。カップ５１は、基板Ｗの回転軸線Ａ１に対してほぼ回転対称な形状を有している。カップ５１は、平面視円環状の底部７６と、この底部７６の内周縁部から上方に立ち上がる円筒状の内壁部７７と、底部７６の外周縁部から上方に立ち上がる円筒状の外壁部７８とを一体的に備えている。そして、底部７６、内壁部７７および外壁部７８は、断面Ｕ字状をなしており、これらの底部７６、内壁部７７および外壁部７８によって、基板Ｗの処理に使用された処理液を回収または排液するための排液溝７９が区画されている。排液溝７９の底部の最も低い箇所には、この排液溝７９に集められた処理液を排液設備に導くための図示しない排液ラインが接続されている。

最も内側の第１ガード５４は、スピンチャック３の周囲を取り囲み、スピンチャック３による基板Ｗの回転軸線Ａ１に対してほぼ回転対称な形状を有している。この第１ガード５４は、案内部８１と、カップ部（液受け部材）８２とを一体的に備えている。
案内部８１は、スピンチャック３の周囲を取り囲む円筒部８３と、この円筒部８３の上端から中心側（基板Ｗの回転軸線Ａ１に近づく方向）に斜め上方に延びる上端部８４とを有している。円筒部８３は、排液溝７９上に位置し、第１ガード５４とカップ５１とが最も近接した状態で、排液溝７９の内部に収容される。上端部８４の内周端は、平面視で、スピンチャック３に保持される基板Ｗよりも大径の円形をなしている。なお、上端部８４は、図１に示すようにその断面形状が直線状であってもよいし、また、たとえば滑らかな円弧を描きつつ延びていてもよい。

カップ部８２は、平面視円環状の底部８５と、この底部８５の内周縁部から上方に立ち上がり、案内部８１に連結された円筒状の内壁部８６と、底部８５の外周縁部から上方に立ち上がる円筒状の外壁部８７とを備えている。底部８５、内壁部８６および外壁部８７は断面Ｕ字状をなしており、これら底部８５、内壁部８６および外壁部８７によって、基板Ｗの処理に使用された処理液を集めて回収するための内側回収溝（液受け溝）８８が区画されている。内側回収溝８８の底部の最も低い箇所には、この内側回収溝８８に集められた処理液を図示しない回収設備に導くための図示しない回収ラインが接続されている。
カップ部８２の内壁部８６の上端が、第１ガード５４の案内部８１の上端部８４の外周縁部に連結されている。

内側から２番目の第２ガード５５は、第１ガード５４の円筒部８３の外側において、円筒部８３と同軸円筒状をなす円筒部９１と、この円筒部９１の上端から中心側（基板Ｗの回転軸線Ａ１に近づく方向）に斜め上方に延びる上端部９２とを備えている。上端部９２の内周端は、平面視で、スピンチャック３に保持される基板Ｗよりも大径の円形をなしている。なお、上端部９２は、図１に示すようにその断面形状が直線状であってもよいし、また、たとえば滑らかな円弧を描きつつ延びていてもよい。

第２ガード５５の円筒部９１は、内側回収溝８８上に位置し、第２ガード５５と第１ガード５４とが最も近接した状態で、内側回収溝８８の内部に収容される。
一方、上端部９２は、第１ガード５４の案内部８１の上端部８４と上下方向に重なるように設けられ、第１ガード５４と第２ガード５５とが最も近接した状態で、案内部８１の上端部８４に対してごく微小な隙間を保って近接する。

第２ガード５５の円筒部９１の下端９１Ａから、径方向外方に向けて平面視円環状の底部９３が水平に延びている。底部９３の外周縁部から、外壁部９４が短く上方に立ち上がっている。底部９３、外壁部９４、および円筒部９１における外壁部９４と対向する部分は、断面Ｕ字状をなしており、これら底部９３、外壁部９４、および円筒部９１における外壁部９４と対向する部分によって、基板Ｗの処理に使用された処理液を集めて回収するための外側回収溝（液受け溝）９５が区画されている。また、後述するように、第２ガード５５の円筒部９１の下端９１Ａには、当該下端９１Ａから内側回収溝８８に向かって垂下するガード庇（ガイド）１２４が形成されている。換言すると、ガード庇１２４は、底部９３と、外壁部９４と、円筒部９１における外壁部９４に対向する部分とによって構成されるカップ部の下端から垂下している。

最も外側の第３ガード５６は、第２ガード５５の外側において、スピンチャック３の周囲を取り囲み、スピンチャック３による基板Ｗの回転軸線Ａ１に対してほぼ回転対称な形状を有している。この第３ガード５６は、第２ガード５５の円筒部９１と同軸円筒状をなす円筒部１０１と、円筒部１０１の上端から中心側（基板Ｗの回転軸線Ａ１に近づく方向）斜め上方に延びる上端部１０２とを有している。円筒部１０１は、外側回収溝９５上に位置し、第２ガード５５と第３ガード５６とが最も近接した状態で、外側回収溝９５に収容される。上端部１０２の内周端は、平面視で、スピンチャック３に保持される基板Ｗよりも大径の円形をなしている。なお、上端部１０２は、図１に示すようにその断面形状が直線状であってもよいし、また、たとえば滑らかな円弧を描きつつ延びていてもよい。

上端部１０２は、第２ガード５５の上端部９２と上下方向に重なるように設けられ、第２ガード５５と第３ガード５６とが最も近接した状態で、第２ガード５５の上端部９２に対してごく微小な隙間を保って近接するように形成されている。
各ガード５４〜５６は、対応する各一対の支持ブラケット６４〜６６（支持ブラケット６４，６５は図２Ａ参照）によって支持されている。各支持ブラケット６４〜６６は、対応するガード５４〜５６の下端に取り付けられ、当該下端を支持する。具体的には、各ガード５４〜５６の下端には、支持ブラケット６４〜６６を取り付けるための脚部５７が形成されている。

図１では、回転軸線Ａ１を挟んで左側が、支持ブラケット６６を通り、かつスピンチャック３に保持される基板Ｗの半径方向に沿う切断面線から見た状態を示している。また、図１では、回転軸線Ａ１を挟んで右側が、支持ブラケット６６を通らずに、かつスピンチャック３に保持される基板Ｗの半径方向に沿う切断面線から見た状態を示している。
第３ガード５６の円筒部１０１は、支持ブラケット６６の周辺部分と、それ以外の部分とで、形状が若干異なっている。具体的には、支持ブラケット６６の周辺部分における円筒部１０１の下端１０１Ａには、支持ブラケット６６を取り付けるための脚部５７が設けられている。これに対し、支持ブラケット６６の周辺部分以外の円筒部１０１の下端１０１Ａには、脚部５７は設けられていない。

図１では、第３ガード５６の脚部５７のみを示し、第１ガード５４の脚部および第２ガード５５の脚部の図示を省略している。
図２Ａは処理カップ１１の平面図である。図２Ａに示すように、支持ブラケット６４は、たとえば、スピンチャック３を挟んで互いに対向する位置（回転軸線Ａ１に対して互いに対称をなす位置）にそれぞれ設けられている。支持ブラケット６５は、たとえば、スピンチャック３を挟んで互いに対向する位置（回転軸線Ａ１に対して互いに対称をなす位置）にそれぞれ設けられている。支持ブラケット６６は、たとえば、スピンチャック３を挟んで互いに対向する位置（回転軸線Ａ１に対して互いに対称をなす位置）にそれぞれ設けられている。

図２Ｂは、処理カップ１１における支持ブラケット６６の周辺の要部構成を示す分解斜視図である。図２Ｃは、図２Ｂを矢印Ｃから見た図である。
図１、図２Ｂおよび図２Ｃを参照しつつ、各支持ブラケット６６の構成について説明する。支持ブラケット６６は、ベース板７１と、鉛直支持板７２と、支持板部７３とを有し、その全体形状がコ字状（上向きに開放するように９０°コの字状）をなしている。ベース板７１にはガード昇降ユニット５８が固定連結されており、ベース板７１はガード昇降ユニット５８によって下方から水平姿勢に支持されている。ベース板７１は平面視長方形状をなし、その長手方向が第３ガード５６の径方向に沿うように配置されている。

鉛直支持板７２は、鉛直方向に長い板材であり、ベース板７１の上面の外周端部に固定されている。鉛直支持板７２は、その幅方向が第３ガード５６の径方向に直交するように配置されており、第３ガード５６の径方向から見て長方形をなしている。鉛直支持板７２は、ベース板７１や支持板部７３よりも幅狭に形成されている。
支持板部７３は、鉛直支持板７２の上端に、水平姿勢で固定支持されている。支持板部７３は平面視長方形状をなし、その長手方向が第３ガード５６の径方向に沿うように配置されている。換言すると、支持板部７３は、鉛直支持板７２の上端部から径方向内方（回転軸線Ａ１側）に向けて水平に延びている。

支持板部７３は、水平平坦な上面を有し、この上面で当該脚部５７および第３ガード５６の円筒部１０１の下端１０１Ａを下方から接触支持している。支持板部７３には１または複数のねじ孔９９が形成されている。図２Ｂでは、２つのねじ孔９９が、第３ガード５６の周方向に間隔を空けて形成されている場合を例に挙げて説明している。支持板部７３の内周縁部には、鉛直に垂下する板状のブラケット庇（ガイド）７４が設けられている。

ブラケット庇７４は、周方向に関し支持板部７３の一端から他端の全域に亘って形成されている。支持板部７３およびブラケット庇７４は、たとえばフッ素樹脂等を用いて一体に形成されている。
前述のように、支持ブラケット６６は、第３ガード５６の下端に固定的に取り付けられている。具体的には、支持ブラケット６６の支持板部７３の上面に、第３ガード５６の脚部５７が載置されるとともに、この載置状態で、脚部５７と支持板部７３とがボルト９０を介して固定されている。以下、第３ガード５６の下端と支持ブラケット６６との間の固定構造について、図２Ｂおよび図２Ｃを参照して説明する。

前述のように、脚部５７は、支持ブラケット６６の周辺部分において第３ガード５６の下端に形成されている。支持ブラケット６６の周辺部分以外の第３ガード５６には、脚部５７は形成されていない。
脚部５７は、第３ガード５６の周方向に沿って水平に延びる平面視円弧状の部材である。脚部５７の周方向長さは、支持板部７３の周方向幅よりも大きく設定されている。脚部５７は、円筒部１０１における下端よりもやや上方よりの位置から水平方向に突出する水平板部５７Ａと、水平板部５７Ａの外周端から鉛直下方に向けて垂下する垂下板部５７Ｂとを有する断面Ｌ字状の部材である。

脚部５７の水平板部５７Ａは、その長さ方向の全域に亘って等しい幅を有している。水平板部５７Ａには、その周方向の途中部において支持板部７３の各ねじ孔９９と上下方向に対向する位置に、１または複数（図２Ｂ参照）のねじ挿通孔９８が形成されている。垂下板部５７Ｂは、その長さ方向の全域に亘って等しい幅（高さ方向の幅）を有している。脚部５７の垂下板部５７Ｂの下端の上下方向高さが、円筒部１０１の下端１０１Ａと揃っている。

脚部５７に対し支持板部７３を位置決めした後に、ねじ挿通孔９８にボルト９０（図２Ｃ参照）を上方から挿通し、かつそのボルト９０をねじ孔９９にねじ締結することにより、脚部５７と支持板部７３とが固定される。これにより、第３ガード５６の下端と支持ブラケット６６との固定が達成される。
なお、図２Ｂおよび図２Ｃでは、脚部５７の垂下板部５７Ｂと円筒部１０１との間に空間が形成されているが、脚部５７と円筒部１０１との間に空間が形成されない構成、すなわち脚部５７が周方向に延びる中実の角柱状をなし、その内周面の全域で円筒部１０１に接する構成を採用することができる。この場合、ボルト９０を挿通するための挿通孔が、ねじ挿通孔９８よりも深溝を有するものになる。そのため、ボルト９０の締結状態において、ボルト９０の露出を抑制または防止することができる。

なお、脚部５７における支持板部７３に接触する部分のみ角柱状をなしており、支持板部７３に接触する部分を除く脚部５７が断面Ｌ字状をなしていてもよい。
支持ブラケット６４（図２Ａ参照）および支持ブラケット６５（図２Ａ参照）は、支持ブラケット６６と同等の構成を採用しているので、支持ブラケット６４，６５についての説明を省略する。

図１に示すように、ガード昇降ユニット５８は、ガードの上端部が基板Ｗより上方に位置する上位置と、ガードの上端部が基板Ｗより下方に位置する下位置との間で、各ガード５４〜５６を昇降させる。
ガード昇降ユニット５８は、上位置と下位置との間の任意の位置で各ガード５４〜５６を保持可能である。基板Ｗへの処理液の供給や基板Ｗの乾燥は、いずれかのガード５４〜５６が基板Ｗの周端面に対向している状態で行われる。

最も外側の第３ガード５６を基板Ｗの周端面に対向させる場合には、第１ガード５４および第２ガード５５が下位置（図１の左側に示す位置）に配置されて、第３ガード５６が上位置（図１の左側に示す位置）に配置される。この状態では、第３ガード５６の円筒部１０１が、外側回収溝９５内に入り込んでいない。すなわち、第３ガード５６の円筒部１０１の下端１０１Ａが、外側回収溝９５の上端よりも上方に位置している。

また、図１の右側に示すように、内側から２番目の第２ガード５５を基板Ｗの周端面に対向させる場合には、第２ガード５５および第３ガード５６が上位置（図１の右側に示す位置）に配置され、第１ガード５４が下位置（図１の右側に示す位置）に配置される。この状態では、第２ガード５５の円筒部９１の下端９１Ａが、内側回収溝８８の上端よりも上方に位置しており、換言すると、第２ガード５５の円筒部９１が、内側回収溝８８内に入り込んでいない。しかも、ブラケット庇１２４の下端が、内側回収溝８８の上端よりも上方に位置しており、換言すると、ブラケット庇１２４が、内側回収溝８８内に入り込んでいない。

図２Ｄは、図１に示す切断面線Ｄ−Ｄから見た図である。
第２ガード５５の外壁部９４には、第３ガード５６を支持する支持ブラケット６６の配置位置に対応して、内側（回転軸線Ａ１側）に凹む平面視矩形の切り欠き１１１が形成されている。この切り欠き１１１によって区画される空間に、第３ガード５６を支持する支持ブラケット６６の鉛直支持板７２の一部（内周側部分）が収容される。そのため、図２Ｃに示すように、外側回収溝９５は、支持ブラケット６６の配置位置に対応する部分の溝幅Ｗ１が、その他の部分の溝幅Ｗ０よりも狭くされている（たとえば、溝幅Ｗ１は溝幅Ｗ０の半分程度の大きさ）。

図２Ｅは、第３ガード５６および支持ブラケット６６の構成を説明するための拡大図である。
前述のように、支持ブラケット６６には、鉛直に垂下する板状のブラケット庇７４が設けられている。ブラケット庇７４は、処理カップ１１の径方向に関して、外壁部９４よりも内側で円筒部９１よりも外側に配置されている。第３ガード５６が上位置にあり、第１ガード５４および第２ガード５５が下位置にある状態（図１の左側に示す状態）で、ブラケット庇７４の全体が外側回収溝９５の上端よりも上方に配置されている。換言すると、ブラケット庇７４が外側回収溝９５内に入り込んでいない。また、図２Ｅに示すように、ブラケット庇７４の下端部７５は、厚み方向の外側に段部１１０を設けることにより、細幅に形成されている。

本実施形態の特徴の一つは、ブラケット庇７４を設けた点にある。ブラケット庇７４を設けた場合の効果を説明するために、図２Ｆを参照して、ブラケット庇７４を設けない構成の支持ブラケット６６を採用した場合を検討する。第３ガード５６によって受け止められた処理液の液滴は、第３ガード５６の円筒部１０１の内壁を伝って下方に移動し、第３ガード５６の下端に達する。

この場合において、図２Ｆに示すように、第３ガード５６の円筒部１０１の下端１０１Ａに達した処理液が、第３ガード５６の下端を接触支持する支持板部７３を、下面を伝って移動し易い。その結果、外側回収溝９５に案内される処理液の量が減少するおそれがある。
また、前述のように、外側回収溝９５における支持ブラケット６６の配置位置に対応する部分はその溝幅Ｗ１（図２Ｄ参照）が狭くされており、他の領域の外側回収溝９５と比較して、上方から落液する処理液を捕獲し難いことが考えられる。以上により、図２Ｆに示す構成では、外側回収溝９５における支持ブラケット６６の配置位置に対応する部分において、処理液の回収漏れが生じ易いとの懸念がある。

これに対し、図１および図２Ｅに示す構成では、ブラケット庇７４が、第３ガード５６の下端に取り付けられた支持ブラケット６６から外側回収溝９５に向かって垂下している。そのため、第３ガード５６の下端（円筒部１０１の下端１０１Ａ）に至った処理液を、ブラケット庇７４の内壁を伝って下方に移動させ、かつブラケット庇７４の下端部７５から外側回収溝９５に向けて落液させることにより、外側回収溝９５に向けてスムーズに導くことができる。外側回収溝９５において処理液が落液するラインを、図２Ｄに破線で示している。これにより、第３ガード５６の円筒部１０１に受けられた処理液を外側回収溝９５に向けて良好に案内することができる。

また、ブラケット庇７４の下端部７５の厚みが細幅に形成されているので、ブラケット庇７４の下端において処理液の液切れがよい。これにより、第３ガード５６に受けられた処理液を、良好に外側回収溝９５へと案内することができる。これにより、処理液の回収効率を向上させることができる。
一方、図１および図２Ｅに示すように、第２ガード５５の円筒部９１の下端９１Ａには、その全周に渡って、鉛直に垂下する円筒状のガード庇１２４が配設されている。ガード庇１２４は、処理カップ１１の径方向に関して、外壁部８７よりも内側で内壁部８６よりも外側に配置されている。第２ガード５５および第３ガード５６が上位置にあり、第１ガード５４が下位置にある状態（図１の右側に示す状態）で、ガード庇１２４の全体が内側回収溝８８の上端よりも上方に配置されている。換言すると、ガード庇１２４が内側回収溝８８内に入り込んでいない。

また、ガード庇１２４には、ブラケット庇７４と同様、その下端部１２５の厚み方向の外側に図示しない段部が設けられており、これにより、ガード庇１２４の下端部１２５の厚みが細幅に形成されている。なお、この段部は、ガード庇１２４の全周に渡って形成されている。
本願発明の他の特徴は、ガード庇１２４を設けた点にある。ガード庇１２４が、第２ガード５５の円筒部９１の下端９１Ａから内側回収溝８８に向かって垂下している。そのため、第２ガード５５の円筒部９１を伝って下端９１Ａに達した処理液を、ガード庇１２４の内壁を伝って下方に移動させ、かつガード庇１２４の下端から内側回収溝８８に向けて落液させることにより、内側回収溝８８に向けてスムーズに導くことができる。これにより、第２ガード５５に受けられた処理液を内側回収溝８８に向けて良好に案内することができる。

また、ガード庇１２４の下端部１２５の厚みが細幅に形成されているので、ガード庇１２４の下端において処理液の液切れがよい。これにより、第２ガード５５に受けられた処理液を、より効率よく内側回収溝８８により捕獲することができる。
図３Ａ〜図３Ｃは、基板処理装置１で行われる処理を説明するための図である。
図１、図２Ｅおよび図３Ａ〜図３Ｃを参照して、基板処理装置１で行われる処理について説明する。

基板Ｗに対する処理が行われている間、排気装置１６の駆動により、円筒部材５０内が強制的に排気されている。また、ＦＦＵ１５から処理室２内に清浄空気が供給される。このため、処理室２内に、上方から下方に向けて流れる清浄空気のダウンフローが形成されている。
基板Ｗに対する処理の実行に際しては、シャッタ１３が開かれ、図示しない搬送ロボットによって未処理状態の基板Ｗが処理室２内に搬入され、その表面を上方に向けた状態でスピンチャック３に保持される。なお、この基板Ｗの搬入前は、その搬入の妨げにならないように、第１〜第３ガード５４，５５，５６がそれぞれ下位置に下げられており、また、薬液ノズル７および有機溶媒ノズル６がスピンチャック３の側方の退避位置に退避させられている。

基板Ｗがスピンチャック３に保持されると、制御装置１２はスピンモータ１８を制御して、基板Ｗを回転開始させる。また、制御装置１２がガード昇降ユニット５８を制御して、第２ガード５５および第３ガード５６を上位置まで上昇させる。これにより、第１ガード５４の上端部８２と第２ガード５５の上端部９２との間に、基板Ｗの周端面に対向する開口が形成される（図３Ａ参照）。

前述のようにこの状態では、ガード庇１２４の全体が内側回収溝８８の上端よりも上方に配置されている。換言すると、ガード庇１２４が内側回収溝８８内に入り込んでいない。
円筒部材５０内が強制的に排気されているので、処理室２内をスピンチャック３付近まで下降してきた清浄空気は、この開口から処理カップ１１内に取り込まれ、これにより、第１ガード５４と第２ガード５５との間を流れる排気流が形成される。ガード庇１２４が内側回収溝８８内に入り込んでいないので、この排気流は、第１ガード５４と第２ガード５５との間を流れた後、ガード庇１２４の下端と内側回収溝８８との間を水平横方向（外方）に向けて流れ、その後、排気装置１６によって排気される。

さらに、第１ノズル移動ユニット４２が制御されて第１ノズルアーム４０が移動し、薬液ノズル７が、スピンチャック３の側方の退避位置から基板Ｗの回転中心上（回転軸線Ａ１上）へと移動される。
基板Ｗの回転速度が予め定める液処理速度に達すると、制御装置１２が薬液バルブ３７を開くことにより、薬液ノズル７から回転中の基板Ｗの表面の中心部に向けて薬液が供給される。また、基板Ｗの表面に供給された薬液は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて、基板Ｗの表面の全域に拡がり、これにより基板Ｗの表面の全域が薬液により処理される。また、基板Ｗの表面に供給された薬液は、基板Ｗの周縁部から基板Ｗの側方に向けて飛散する。

基板Ｗの周縁部から振り切られて側方に飛散する薬液は、第２ガード５５の円筒部９１に受け止められ、その内壁を伝って流下する。この場合、第２ガード５５によって円筒部９１の下端９１Ａまで至った薬液が、ガード庇１２４の内壁を伝って下方に移動し、かつガード庇１２４の下端から内側回収溝８８に向けて落液する。内側回収溝８８に集められた薬液は、図示しない回収ラインを介して図示しない回収設備に導かれる。

ガード庇１２４の先端部の厚みが細幅に形成されているので、ガード庇１２４の下端において薬液の液切れがよい。これらにより、第２ガード５５に受けられた薬液を、より効率よく内側回収溝８８により捕獲することができる。
図３Ａに示す状態では、内側回収溝８８とガード庇１２４とによってラビリンス部は形成されておらず、これにより、ラビリンス部を設ける場合と比較して、内側回収溝８８とガード庇１２４との間に生じる圧力損失を大幅に低減させることができるから、第２ガード５５内に生じる排気流の流量を増加させることができる。これにより、処理カップ１１内の雰囲気の置換効率を高めることできる。

また、薬液が第２ガード５５の円筒部９１を伝って下方に移動し、ガード庇１２４の下端から内側回収溝８８に向けて落下して内側回収溝８８に溜められる。一方、排気装置１６により形成される排気流は、ガード庇１２４の下端と内側回収溝８８との間を水平横方向（外方）に向けて流れ、その後、排気装置１６によって排気される。すなわち、排気流の流れる経路と薬液が流れる経路とが分離されている。そのため、ガード庇１２４の内壁に付着している薬液は、排気流にほとんど流入しない。これらにより、内側回収溝８８による薬液の回収効率を向上させることができる。

基板Ｗへの薬液の供給開始から所定の薬液処理時間が経過すると、制御装置１２が薬液バルブ３７を閉じることにより、薬液ノズル７からの薬液の供給が停止される。また、第１ノズル移動ユニット４２が制御されて、薬液ノズル７がスピンチャック３の側方の退避位置に戻される。また、制御装置１２は、ガード昇降ユニット５８を制御して、第２ガード５５および第３ガード５６はそのままで、第１ガード５４を上位置まで上昇させて、第１〜第３ガード５４〜５６の全てを上位置に配置する。これにより、第１ガード５４の上端部８２の下方に、基板Ｗの周端面に対向する開口が形成される（図３Ｂ参照）。

制御装置１２がリンス液バルブ４３を開くことにより、リンス液ノズル８から回転中の基板Ｗの表面の中心部に向けてリンス液が供給される。また、基板Ｗの表面に供給されたリンス液は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて、基板Ｗの表面の全域に拡がり、基板Ｗの表面の全域に付着した薬液が洗い流される。また、基板Ｗの表面に供給されたリンス液は、基板Ｗの周縁部から基板Ｗの側方に向けて飛散する。

基板Ｗの周縁部から振り切られて側方に飛散するリンス液は、第１ガード５４の案内部８１の円筒部８３に受け止められ、その内壁を伝って流下し、排液溝７９に案内される。排液溝７９に集められたリンス液は、図示しない排液ラインを介して図示しない排液設備に導かれる。
基板Ｗへのリンス処理の開始から所定のリンス時間が経過すると、制御装置１２がリンス液バルブ４３を閉じることにより、リンス液ノズル８からのリンス液の供給が停止される。

また、制御装置１２がガード昇降ユニット５８を制御して、第３ガード５６はそのままで、第１ガード５４および第２ガード５５を下位置まで下降させて、第１ガード５４および第２ガード５５を下位置に、第３ガード５６を上位置に配置する。
これにより、第２ガード５５の上端部９２と第３ガード５６の上端部１０２との間に、基板Ｗの周端面に対向する開口が形成される（図３Ｃ参照）。

前述のようにこの状態では、第３ガード５６の円筒部１０１が、外側回収溝９５内に入り込んでいない。また、このときの処理カップ１１は図１の左側に示す状態であるが、図１の左側に示すように、ブラケット庇７４の全体が外側回収溝９５の上端よりも上方に配置されており、ブラケット庇７４も外側回収溝９５内に入り込んでいない。
円筒部材５０内が強制的に排気されているので、処理室２内をスピンチャック３付近まで下降してきた清浄空気は、この開口から処理カップ１１内に取り込まれ、これにより、第２ガード５５と第３ガード５６との間を流れる排気流が形成される。第３ガード５６の円筒部１０１が外側回収溝９５内に入り込んでいないので、この排気流は、第２ガード５５と第３ガード５６との間を流れた後、第３ガード５６の円筒部１０１の下端１０１Ａと外側回収溝９５との間を水平横方向（外方）に向けて流れ、その後、排気装置１６によって排気される。

また、外側回収溝９５における支持ブラケット６６の配置位置に対応する部分においても、ブラケット庇７４が外側回収溝９５内に入り込んでいないので、排気流は、第３ガード５６のブラケット庇７４の下端と外側回収溝９５との間を水平横方向（外方）に向けて流れる。
さらに、第２ノズル移動ユニット４１が制御されて第２ノズルアーム３９が移動し、有機溶媒ノズル６が、スピンチャック３の側方の退避位置から基板Ｗの回転中心上（回転軸線Ａ１上）へと移動される。

有機溶媒ノズル６が基板Ｗの回転中心上に移動されると、制御装置１２が有機溶媒バルブ３５を開くことにより、有機溶媒ノズル６から回転中の基板Ｗの表面の中心部に向けてＩＰＡ液が供給される。また、基板Ｗの表面に供給されたＩＰＡ液は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて、基板Ｗの表面の全域に拡がり、これにより基板Ｗ表面の全域のリンス液がＩＰＡ液に置換される。また、基板Ｗの表面に供給されたＩＰＡ液は、基板Ｗの周縁部から基板Ｗの側方に向けて飛散する。

基板Ｗの周縁部から振り切られて側方に飛散するＩＰＡ液は、第３ガード５６の円筒部１０１に受け止められ、その内壁を伝って流下する。そして、第３ガード５６の円筒部１０１の下端１０１Ａから、外側回収溝９５に向けて落液し、外側回収溝９５にＩＰＡ液が集められる。
また、外側回収溝９５における支持ブラケット６６の配置位置に対応する部分においても、第３ガード５６によって円筒部１０１の下端１０１Ａまで至ったＩＰＡ液が、ブラケット庇７４の内壁を伝って下方に移動し、かつブラケット庇７４の下端から外側回収溝９５に向けて落液する。外側回収溝９５に集められたＩＰＡ液は、図示しない回収ラインを介して図示しない回収設備に導かれる。

この場合、ブラケット庇７４の下端部７５の厚みが細幅に形成されているので、ブラケット庇７４の下端においてＩＰＡ液の液切れがよい。これらにより、第３ガード５６に受けられたＩＰＡ液を、より効率よく外側回収溝９５により捕獲することができる。
図３Ｃに示す状態（図１の左側に示す状態）では、外側回収溝９５とブラケット庇７４とによってラビリンス部は形成されておらず、これにより、ラビリンス部を設ける場合と比較して、外側回収溝９５とブラケット庇７４との間に生じる圧力損失を大幅に低減させることができるから、第３ガード５６内に生じる排気流の流量を増加させることができる。これにより、処理カップ１１内の雰囲気の置換効率を高めることできる。

また、ＩＰＡ液が第３ガード５６の円筒部１０１を伝って下方に移動し、ブラケット庇７４の下端から外側回収溝９５に向けて落下して外側回収溝９５に溜められる。一方、排気装置１６により形成される排気流は、ブラケット庇７４の下端と外側回収溝９５との間を外方に流れる。すなわち、排気流の流れる経路とＩＰＡ液が流れる経路とが分離されている。そのため、ブラケット庇７４の内壁に付着しているＩＰＡ液は、排気流にほとんど流入しない。これらにより、外側回収溝９５によるＩＰＡ液の回収効率を向上させることができる。

基板ＷへのＩＰＡ液の供給開始から所定のＩＰＡ置換時間が経過すると、制御装置１２が有機溶媒バルブ３５を閉じることにより、有機溶媒ノズル６からのＩＰＡ液の供給が停止される。また、第２ノズル移動ユニット４１が制御されて、有機溶媒ノズル６がスピンチャック３の側方の退避位置に戻される。
また制御装置１２は、各ガード５４〜５６の位置をそのままの高さに維持しつつ、スピンモータ１８を駆動して、所定の高回転速度（たとえば１５００〜２５００rpm）まで基板Ｗの回転速度を加速させる。これにより、基板Ｗに付着しているＩＰＡ液を振り切って乾燥されるスピンドライが行われる。このスピンドライによって、基板Ｗに付着しているＩＰＡ液は、基板Ｗの側方に振り切られる。この場合、図３Ｃに示すＩＰＡ液の供給時と同様、第３ガード５６の円筒部１０１に受け止められて外側回収溝９５に案内される。この場合、処理カップ１１内の排気流やＩＰＡ液の流れは、図３Ｃに示すＩＰＡ液の供給時と同様であるので、詳細な説明は省略する。

スピンドライが予め定めるスピンドライ時間にわたって行われると、制御装置１２はスピンモータ１８を駆動してスピンチャック３の回転を停止させる。これにより、基板Ｗに対する一連の処理が終了し、シャッタ１３が開かれ、処理済みの基板Ｗが搬送ロボットによって処理室２から搬出される。
以上、この発明の一実施形態について説明したが、本発明は他の形態で実施することもできる。

たとえば、図４Ａに示すように、ブラケット庇（ガイド）７４Ａの下端部７５Ａが、側面視で先尖状をなしていてもよい。この場合も、ブラケット庇７４Ａの下端部７５Ａを細幅に設けることができ、ブラケット庇７４Ａの下端において処理液を良好に液切れさせることができる。
また、図４Ｂに示すように、ブラケット庇（ガイド）７４Ｂの下端部７５Ｂが、厚み方向の外側に段部１１０が形成されているとともに、内側（回転軸線Ａ１（図１参照）側）に向けて傾斜するように設けられていてもよい。

また、図５に示すように、ガード庇（ガイド）１２４Ａとして、その下端部１２５Ａが、下方に突出する凸部と上方に延びる凹部とが周方向に交互に配置された凹凸状に形成されたものを、採用することがきる。具体的には、ガード庇１２４Ａの下端部１２５Ａは図５に示すような鋸歯状に形成されていてもよい。ガード庇１２４Ａの下端部が鋸歯状であれば、ガード庇１２４Ａの下端において処理液を良好に液切れさせることができる。また、ガード庇１２４Ａの下端部１２５Ａが、たとえば矩形波状に形成されていてもよい。

なお、ガード庇１２４，１２４Ａの下端部１２５，１２５Ａが、図４Ａや図４Ｂに示すような断面形状を有していてもよい。
また、ブラケット庇７４，７４Ａの下端部７５，７５Ａが、図５に示すような凹凸状をなしていてもよい。
また、第１ガード５４を支持する支持ブラケット６４や、第２ガード５５を支持する支持ブラケット６５に、ブラケット庇７４，７４Ａ，７４Ｂと同等の構成のブラケット庇を設けることもできる。すなわち、支持ブラケット６４に設けられるブラケット庇は、支持ブラケット６４から排液溝７９（図１等参照）へ向けて鉛直に垂下し、また、支持ブラケット６５に設けられるブラケット庇は、支持ブラケット６５から内側回収溝８８（図１等参照）に向けて鉛直に垂下する。

また、第１ガード５４や第３ガード５６の下端にガード庇１２４，１２４Ａと同等の構成を採用することができる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

１ 基板処理装置
３ スピンチャック（基板保持手段）
６ 有機溶媒ノズル（処理液供給手段）
７ 薬液ノズル（処理液供給手段）
８ リンス液ノズル（処理液供給手段）
１６ 排気装置（排気手段）
１８ スピンモータ（基板回転手段）
５１ カップ（液受け部材）
５４ 第１ガード
５５ 第２ガード
５６ 第３ガード
６４ 支持ブラケット（支持部材）
６５ 支持ブラケット（支持部材）
６６ 支持ブラケット（支持部材）
８２ カップ部（液受け部材）
８８ 内側回収溝（液受け溝）
９５ 外側回収溝（液受け溝）
７４ ブラケット庇（ガイド）
７４Ａ ブラケット庇（ガイド）
７４Ｂ ブラケット庇（ガイド）
１２４ ガード庇（ガイド）
１２４Ａ ガード庇（ガイド）
Ａ１ 回転軸線
Ｗ 基板

Claims (4)

1. 基板を保持する基板保持手段と、
   前記基板保持手段に保持された基板を、所定の回転軸線まわりに回転させる基板回転手段と、
   前記基板回転手段により回転されている基板に処理液を供給する処理液供給手段と、
   前記基板保持手段に保持されている基板の周囲に位置するように、前記基板保持手段の周囲を取り囲んでおり、基板の周囲に排出された処理液を、下方に案内する筒状のガードと、
   前記ガードの下端の下方に位置する上向きに開いた液受け溝を有し、前記ガードによって案内された処理液を受け止める液受け部材と、
   前記ガードの下端と前記液受け部材との間を、外方に向けて流れる気流を形成することにより、前記ガードの内部を排気する排気手段と、
   全体が前記液受け溝よりも上方に配置されており、前記ガードによって案内された処理液を前記液受け溝内に向けて下方に案内するガイドとを含む、基板処理装置。
2. 前記ガードの下端に取り付けられ、当該下端を支持する支持部材をさらに含み、
   前記ガイドは、前記支持部材から前記液受け溝に向かって垂下している、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記ガイドは、前記ガードの下端から前記液受け溝に向かって下方に延びている、請求項１に記載の基板処理装置。
4. 前記ガイドは、下方に突出する凸部と前記ガイドの下端から上方に延びる凹部とが前記回転軸線まわりの方向に交互に配置された凹凸状の下端部を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。

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