CN107658242A - 基板处理方法以及基板处理装置 - Google Patents

基板处理方法以及基板处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN107658242A
CN107658242A CN201710618997.0A CN201710618997A CN107658242A CN 107658242 A CN107658242 A CN 107658242A CN 201710618997 A CN201710618997 A CN 201710618997A CN 107658242 A CN107658242 A CN 107658242A
Authority
CN
China
Prior art keywords
decoction
discharge opeing
recovery
substrate
switch unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710618997.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107658242B (zh
Inventor
三浦淳靖
藤田和宏
辻川裕贵
土桥裕也
竹本宪司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Publication of CN107658242A publication Critical patent/CN107658242A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107658242B publication Critical patent/CN107658242B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/14Removing waste, e.g. labels, from cleaning liquid; Regenerating cleaning liquids
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052Wet cleaning only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02343Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a liquid
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Abstract

本发明涉及基板处理方法及装置,基板处理方法由基板处理装置执行,装置包括:回收杯,划分出引导使用过的药液的回收空间,回收配管,回收引导至回收空间的药液,排液配管,排出液体,切换单元,将液体在回收配管和排液配管间切换,方法包括:药液供给工序,向基板供给药液;经过期间测量工序,测量结束后经过期间;回收工序,在开始执行药液供给工序的情况下,在结束后经过期间小于第一期间时,将切换单元控制为,将液体向回收配管引导的回收导出状态;排液工序,在开始执行药液供给工序的情况下,在结束后经过期间为第一期间以上时,将切换单元控制为,将液体向排液配管引导的排液导出状态,并根据排液结束条件的成立,切换到回收导出状态。

Description

基板处理方法以及基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种基板处理方法以及基板处理装置。作为处理对象的基板,例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、FED(Field EmissionDisplay,场致发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。
背景技术
在日本特开2011-61034号公报中公开了逐张地处理基板的单张式的基板处理装置。基板处理装置的处理单元包括:旋转卡盘,将基板保持为水平来使该基板旋转;药液喷嘴,朝向保持于旋转卡盘的基板的上表面喷出药液;筒状的回收杯,包围旋转卡盘。在回收杯,划分有用于引导处理基板所使用过的药液的回收空间。
另外,为了降低药液的消耗量,处理单元能够将在基板的处理中使用后的药液回收,将该回收的药液再次利用于之后的处理中。具体地说,基板处理装置还包括:药液罐,贮存向药液喷嘴供给的药液;回收配管,从回收空间向药液罐引导药液。
在基板处理装置的处理单元中,有时存在长时间不进行药液处理(停止状态)的情况。此时,随着在前次的药液处理之后长时间放置回收空间,残留于回收杯的回收空间的药液可能发生变质。此时,若在长期停止之后从药液喷嘴向基板重新进行药液供给,则残留于回收空间的变质的药液(下面,称为“变质药液”),混入在回收空间流动的药液中,由此,含有变质药液的药液可能供给至药液罐,结果,可能将含有变质药液的药液向基板供给。
为了防止在长期停止之后重新进行药液供给时,含有变质药液的药液供给至基板的情况,考虑将在回收空间流动的药液,在预先设定的期间排出。
为了实现排出药液,具体地说,使处理单元还具有:排液配管,用于将来自回收空间的液体排出(例如废弃),切换单元,将在所述回收空间流动的液体的流动目的地,在所述回收配管和所述排液配管之间进行切换;且,在规定了处理单元的处理条件的方法中指示:在长期停止后重新进行药液供给时,将引导至所述回收空间的液体排出。若将这样的指示规定于方法中,则处理单元进行将引导至回收空间的液体向所述排液配管引导这样的排液动作。
但是,为了根据方法中的指示进行这样的排液动作,对重新进行药液供给之后的一批(例如大约25张)的所有基板的处理中,进行排液动作。结构,存在使药液的消耗量增加的问题。
发明内容
因此,本发明的目的在于,提供一种基板处理方法以及基板处理装置,能够利用不含有变质药液的药液处理基板,且能够进一步降低药液的消耗量。
本发明提供一种基板处理方法,为基板处理装置所执行的基板处理方法,该基板处理装置包括:回收杯,划分出用于引导在处理基板中所使用过的药液的回收空间,回收配管,用于回收引导至所述回收空间的药液,排液配管,用于排出引导至所述回收空间的液体,切换单元,将引导至所述回收空间的液体在所述回收配管和所述排液配管之间进行切换,该基板处理方法包括:药液供给工序,向所述基板供给药液;经过期间测量工序,测量从前次的药液供给工序结束之后起经过的经过期间、即结束后经过期间;回收工序,在开始执行所述药液供给工序的情况下,在所述结束后经过期间小于预先设定的第一期间时,将所述切换单元控制为,将引导至所述回收空间的液体向所述回收配管引导的回收导出状态;排液工序,在开始执行所述药液供给工序的情况下,在所述结束后经过期间为所述第一期间以上时,将所述切换单元控制为,将引导至所述回收空间的液体向所述排液配管引导的排液导出状态,并根据预先设定的排液结束条件的成立,切换到所述回收导出状态。
根据该方法,在开始执行药液供给工序的情况下,从前次的药液供给工序结束之后起经过的经过期间、即结束后经过期间小于第一期间时,将切换单元控制为回收导出状态,另一方面,在前次的药液供给工序结束之后起经过了第一期间时,将切换单元控制为排液导出状态。在经过长期停止状态而重新进行药液供给工序的情况下,在该药液供给工序中,将切换单元控制为排液导出状态。随着在前次的药液供给工序结束之后长期放置,残留于回收空间的药液可能发生变质。但是,在经过长期停止状态重新进行药液供给工序的情况下,将变质药液的导出目的地设定为排液配管而不是回收配管,因此,能够防止导入回收配管的药液中混入变质药液的情况。
在将切换单元控制为排液导出状态之后,根据预先设定的排液结束条件的成立,切换单元切换至回收导出状态。然后,以小于第一期间的处理间隔继续进行药液供给,切换单元保持为回收导出状态。因此,在重新进行长期停止后的药液供给时,仅在对长期停止后重新供给药液后的一张或者几张基板W进行处理时,将导入回收空间的药液排出,之后,将导入回收空间的药液回收来再次利用。因此,与在重新进行药液供给后的对1批(例如25张)所有基板的处理中,将导入回收空间的药液排出的情况相比,能够增加药液的回收量,由此,能够进一步降低药液的消耗量。
如上所述,能够提供一种基板处理方法,能够利用不含有变质药液的药液处理基板,且能够进一步降低药液的消耗量。
在本发明的一个实施方式中,所述基板处理装置还包括方案存储部,该方案存储部存储规定了所述药液供给工序中的药液供给条件的药液供给方案;所述排液工序包括:即使在所述药液供给方案中指示应该将所述切换单元控制为所述回收导出状态,也忽略该指示,而将所述切换单元控制为所述排液导出状态的工序。
根据该方法,在开始执行药液供给工序时,即使在药液供给方案中指示应该将切换单元控制为回收导出状态的情况,也忽略该指示而将所述切换单元控制为排液导出状态。由此,能够将切换单元在回收导出状态和排液导出状态之间良好地进行切换。
在本发明的一个实施方式中,所述基板处理装置还包括方案存储部,该方案存储部存储规定了所述药液供给工序中的药液供给条件的药液供给方案;所述回收工序也可以包括:使指示了应该将所述切换单元控制为所述回收导出状态的第一药液供给方案,存储于所述方案存储部来作为所述药液供给方案的工序。此时,所述排液工序也可以包括:使指示了应该将所述切换单元控制为所述排液导出状态的第二药液供给方案,存储于所述方案存储部来作为所述药液供给方案的工序。
根据该方法,通过使第一药液供给方案存储于方案存储部,将切换单元控制为回收导出状态,另外,通过使第二药液供给方案存储于方案存储部,将切换单元控制为排液导出状态。由此,能够将切换单元在回收导出状态和排液导出状态之间良好地进行切换。
所述排液结束条件也可以为,所述切换单元控制为所述排液导出状态的期间的累加到达预先设定的第二期间。
根据该方法,当所述切换单元控制为所述排液导出状态的期间的累加到达预先设定的第二期间时,切换单元切换为回收导出状态。由此,能够良好地进行:所述切换单元中的从排液导出状态向回收导出状态进行的切换。
所述排液工序也可以为跨越多个所述药液供给工序的工序。
根据该方法,无论药液供给工序的期间的长短如何,都能够恒定地维持切换单元保持为排液导出状态的期间。
另外,本发明提供一种基板处理装置,包括:药液供给单元,向基板供给药液,回收杯,划分出用于引导在处理基板中所使用过的药液的回收空间,回收配管,用于回收引导至所述回收空间的药液,排液配管,用于废弃引导至所述回收空间的液体,切换单元,将引导至所述回收空间的液体在所述回收配管和所述排液配管之间进行切换,经过期间测量单元,测量从前次的药液供给工序结束之后起经过的经过期间、即结束后经过期间,控制装置;所述控制装置执行:药液供给工序,控制所述药液供给单元,来向所述基板供给药液,回收工序,在开始执行所述药液供给工序的情况下,在所述结束后经过期间小于预先设定的第一期间时,控制所述切换单元,来实现将引导至所述回收空间的液体向所述回收配管引导的回收导出状态;排液工序,在开始执行所述药液供给工序的情况下,在所述结束后经过期间为所述第一期间以上时,控制所述切换单元,来实现将引导至所述回收空间的液体向所述排液配管引导的排液导出状态,并根据预先设定的排液结束条件的成立,切换到所述回收导出状态。
根据该结构,在开始执行药液供给工序的情况下,从前次的药液供给工序结束之后起经过的经过期间、即结束后经过期间小于第一期间时,将切换单元控制为回收导出状态,另一方面,在前次的药液供给工序结束之后起经过了第一期间时,将切换单元控制为排液导出状态。在经过长期停止状态而重新进行药液供给工序的情况下,在该药液供给工序中,将切换单元控制为排液导出状态。随着在前次的药液供给工序结束之后长期放置,残留于回收空间的药液可能发生变质。但是,将这样的变质药液的导出目的地设定为排液配管而不是回收配管,因此,能够防止导入回收配管的药液中混入变质药液的情况。
在将切换单元控制为排液导出状态之后,根据预先设定的排液结束条件的成立,切换单元切换至回收导出状态。然后,以小于第一期间的处理间隔继续进行药液供给,切换单元保持为回收导出状态。因此,在重新进行长期停止后的药液供给时,仅在对长期停止后重新供给药液后的一张或者几张基板W进行处理时,将导入回收空间的药液排出,之后,将导入回收空间的药液回收来再次利用。因此,与在重新进行药液供给后的对1批(例如25张)所有基板的处理中,将导入回收空间的药液排出的情况相比,能够增加药液的回收量,由此,能够进一步降低药液的消耗量。
如上所述,能够提供一种基板处理装置,能够利用不含有变质药液的药液处理基板,且能够进一步降低药液的消耗量。
在本发明的一个实施方式中,还包括方案存储部,该方案存储部存储规定了所述药液供给工序中的药液供给条件的药液供给方案。此时,所述控制装置执行:在所述排液工序中,即使在所述药液供给方案中指示应该将所述切换单元控制为所述回收导出状态,也忽略该指示而将所述切换单元控制为所述排液导出状态的工序。
根据该结构,在开始执行药液供给工序时,即使在药液供给方案中指示应该将切换单元控制为回收导出状态,也忽略该指示而将所述切换单元控制为排液导出状态。由此,能够将切换单元在回收导出状态和排液导出状态之间良好地进行切换。
在本发明的一个实施方式中,还包括方案存储部,该方案存储部存储规定了所述药液供给工序中的药液供给条件的药液供给方案。此时,所述控制装置也可以执行:在所述回收工序中,使指示了应该将所述切换单元控制为所述回收导出状态的第一药液供给方案,存储于所述方案存储部来作为所述药液供给方案的工序。而且,所述控制装置也可以执行:在所述排液工序中,使指示了应该将所述切换单元控制为所述排液导出状态的第二药液供给方案,存储于所述方案存储部来作为所述药液供给方案的工序。
根据该结构,通过使第一药液供给方案存储于方案存储部,将切换单元控制为回收导出状态,另外,通过使第二药液供给方案存储于方案存储部,将切换单元控制为排液导出状态。由此,能够将切换单元在回收导出状态和排液导出状态之间良好地进行切换。
所述排液结束条件也可以为,所述切换单元控制为所述排液导出状态的期间的累加到达预先设定的第二期间。
根据该结构,当所述切换单元控制为所述排液导出状态的期间的累加到达预先设定的第二期间时,切换单元切换为回收导出状态。由此,能够良好地进行:所述切换单元中的从排液导出状态向回收导出状态进行的切换。
所述控制装置也可以以能够跨越多个所述药液供给工序执行的方式设置所述排液工序。
根据该结构,无论药液供给工序的期间的长短如何,都能够恒定地维持切换单元保持为排液导出状态的期间。
通过下面参照附图说明的实施方式,明确本发明的上述或者其它目的、特征以及效果。
附图说明
图1是用于说明本发明第一实施方式的基板处理装置的内部布局的图解性的俯视图。
图2是用于说明所述基板处理装置所具有的处理单元的结构例的图解性的剖视图。
图3A至3C是用于说明各处理中的挡板的高度位置的变化的剖视图。
图4是用于说明所述基板处理装置的主要部分的电气结构的框图。
图5是用于说明通过所述处理单元进行的基板处理例的流程图。
图6A用于详细说明药液供给工序的流程图。
图6B是用于详细说明所述药液供给工序的流程图。
图7是用于说明所述药液供给工序中的开闭对象阀的设定的流程图。
图8是示出所述药液供给工序中的计时器的监视动作的流程图。
图9是用于说明在处理单元执行的多个药液处理的时序图的一例。
图10是用于说明在处理单元执行的多个药液处理的时序图的其它例。
图11是用于说明本发明的第二实施方式的基板处理装置的主要部分的电气结构的框图。
具体实施方式
图1是用于说明本发明第一实施方式的基板处理装置1的内部布局的图解性的俯视图。基板处理装置1是通过处理液或处理气体逐张地处理半导体晶片等圆板状的基板W的单张式的装置。基板处理装置1包括:多个处理单元2,利用处理液对基板W进行处理;加载端口LP,载置用于容纳处理单元2所处理的多张基板W的搬运器C;搬运机械手IR以及CR,在加载端口LP和处理单元2之间搬运基板W;控制装置3,对基板处理装置1进行控制。搬运机械手IR在搬运器C和基板搬运机械手CR之间搬运基板W。基板搬运机械手CR在搬运机械手IR和处理单元2之间搬运基板W。多个处理单元2例如具有同样的结构。
图2是用于说明处理单元2的结构例的图解性的剖视图。图3A至3C是用于说明各处理中的挡板33~35的高度位置的变化的剖视图。
如图2所示,处理单元2包括:箱形的腔室4,具有内部空间;旋转卡盘5,在腔室4内将一张基板W保持为水平的姿势,使基板W围绕穿过基板W的中心的铅垂的旋转轴线A1旋转;药液供给单元6,向保持于旋转卡盘5的基板W的上表面(表面)供给药液;冲洗液供给单元7,向保持于旋转卡盘5的基板W的上表面(表面)供给冲洗液;筒状的处理杯(回收杯)8,包围旋转卡盘5。
如图2所示,腔室包括:箱状的分隔壁9;作为送风单元的FFU(风机过滤单元)10,从分隔壁9的上部向分隔壁9内(相当于腔室4内)吹送洁净空气;排气装置(未图示),从分隔壁9的下部排出腔室4内的气体。
如图2所示,FFU10配置于分隔壁9的上方,安装于分隔壁9的顶棚。FFU10从分隔壁9的顶棚向腔室4内吹送洁净空气。排气装置(未图示)通过连接在处理杯8内的排气管道11与处理杯8的底部连接,从处理杯8的底部对处理杯8的内部进行吸引。通过FFU10以及排气装置(未图示),在腔室4内形成下降流(down flow)。
如图2所示,作为旋转卡盘5,采用沿水平方向夹持基板W来将基板W保持为水平的夹持式的卡盘。具体地说,旋转卡盘5包括:旋转马达12;旋转轴13,与该旋转马达12的驱动轴形成为一体;圆板状的旋转基座14,大致水平地安装于旋转轴13的上端。
旋转基座14包括外径大于基板W的外径的水平且圆形的上表面14a。在上表面14a的周缘部配置有多个(3个以上,例如6个)夹持构件15。多个夹持构件15在旋转基座14的上表面周缘部的与基板W的外周形状对应的圆周上隔开恰当的间隔配置,例如以等间隔配置。
另外,作为旋转卡盘5,并不限定于夹持式的结构,例如也可以采用真空吸附式的结构(真空卡盘),通过对基板W的背面进行真空吸附,将基板W保持为水平的姿势,并且在该状态下,围绕铅垂的旋转轴线旋转,从而使保持于旋转卡盘5的基板W旋转。
如图2所示,药液供给单元6包括:药液喷嘴16;药液配管17,与药液喷嘴16连接;回收药液供给单元18,用于将从处理单元2(处理杯8)回收的回收药液供给至药液配管17;药液阀19,对从药液配管17向药液喷嘴16进行的药液的供给动作以及供给停止进行切换。药液喷嘴16例如为药液喷嘴16的喷出口以静止的状态喷出药液的固定喷嘴。当打开药液阀19时,从药液配管17供给至药液喷嘴16的药液,会从药液喷嘴16朝向基板W的上表面中央部喷出。药液供给单元6也可以具有药液喷嘴移动装置,通过使药液喷嘴16移动,来使药液着落于基板W的上表面的着液位置在基板W的面内进行扫描。
如图2所示,回收药液供给单元18包括:回收罐20,用于贮存从处理杯8回收的药液;药液罐21,用于贮存要向药液配管17供给的药液;送液配管22,用于将贮存于回收罐20的药液送至药液罐21;第一送液装置23,用于使回收罐20内的药液向送液配管22移动;回收药液配管24,将药液罐21内的药液(在回收药液配管24流动的药液)向药液配管17引导;温度调节器25,对药液罐21内的药液进行加热来执行温度调节;第二送液装置26,使药液罐21内的药液向回收药液配管24移动。温度调节器25可以浸渍于药液罐21的药液内,也可以如图2所示那样安装在回收药液配管24的途中部。另外,回收药液供给单元18也可以具有:用于过滤在回收药液配管24流动的药液的过滤器以及/或者用于测量在回收药液配管24流动的药液的温度的温度计。此外,在本实施方式中,回收药液供给单元18具有两个罐,但是也可以省略回收罐20的结构,而采用将从处理杯8回收的药液直接供给至药液罐21的结构。
作为向药液配管17供给的药液(即,贮存于回收罐20的药液),能够举例示出抗蚀残渣除去液。作为抗蚀残渣除去液的一例,能够举例示出BHF(Buffered HydrogenFluoride:缓冲氢氟酸)、SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture:硫酸-过氧化氢混合液)、有机溶剂(NMP(N-methylpyrrolidone:N-甲基-2-吡咯烷酮)等)、硝酸、磷酸铵、柠檬酸等有机酸以及这些有机酸的混合液。
如图2所示,冲洗液供给单元7包括冲洗液喷嘴27。冲洗液喷嘴27例如为以连续流的状态喷出液体的直线型喷嘴,该冲洗液喷嘴27以其喷出口朝向基板W的上表面中央部的方式,固定配置于旋转卡盘5的上方。在冲洗液喷嘴27连接有用于供给来自冲洗液供给源的冲洗液的冲洗液配管28。在冲洗液配管28的途中部,安装有用于对来自冲洗液喷嘴27的冲洗液的喷出动作/供给停止进行切换的冲洗液阀29。当打开冲洗液阀29时,从冲洗液配管28向冲洗液喷嘴27供给的连续流的冲洗液,从设定于冲洗液喷嘴27的下端的喷出口喷出。另外,当关闭冲洗液阀29时,停止从冲洗液配管28向冲洗液喷嘴27喷出冲洗液的动作。冲洗液例如为去离子水(DIW),但是并不限定于DIW,可以是苏打水、电解离子水、含氢水以及稀释浓度(例如,10ppm~100ppm左右)的盐酸水中的一个。
另外,冲洗液供给单元7还可以具有冲洗液喷嘴移动装置,通过使冲洗液喷嘴27移动,来使冲洗液着落于基板W的上表面的着液位置在基板W的面内进行扫描。
如图2以及图3A至3C所示,处理杯8包括:圆筒构件30;多个杯31、32,以在圆筒构件30的内侧双重地包围旋转卡盘5的方式固定配置;多个挡板33~35(第一挡板33、第二挡板34以及第三挡板35),用于阻挡向基板W的周围飞散的处理液(药液或者冲洗液);挡板升降单元36,使各挡板33~35独立地进行升降。挡板升降单元36例如包括滚珠螺杆机构。
处理杯8能够折叠,挡板升降单元36使三个挡板33~35中的至少一个进行升降,从而能够将处理杯8展开以及折叠。
如图2所示,第一杯31呈圆环状,在旋转卡盘5和圆筒构件30之间包围旋转卡盘5的周围。第一杯31具有相对于基板W的旋转轴线A1大致旋转对称的形状。第一杯31的截面呈U字形,划分出用于将处理基板W所使用过的处理液集中并排出的第一槽40。在第一槽40的底部的最低的部位,打开有排液口41,在排液口41连接有第一排液配管42。向第一排液配管42导入的处理液送至排液装置(未图示,也可以是废弃装置),在该装置进行处理。
如图2所示,第二杯32呈圆环状,包围第一杯31的周围。第二杯32具有相对于基板W的旋转轴线A1大致旋转对称的形状。第二杯32的截面呈U字形,划分出用于将处理基板W所使用过的处理液集中并回收的第二槽43。在第二槽43的底部的最低的部位,打开有排液/回收口44,在排液/回收口44连接有共用配管45。回收配管46以及第二排液配管47分别分支连接于在共用配管45。回收配管46的另一端连接在回收药液供给单元18的回收罐20。在回收配管46安装有回收阀48,在第二排液配管47安装有排液阀49。通过一边关闭排液阀49一边打开回收阀48,将经过共用配管45的液体引导至回收配管46。另外,通过一边关闭回收阀48一边打开排液阀49,将经过共用配管45的液体引导至第二排液配管47。即,回收阀48以及排液阀49发挥:将经过共用配管45的液体的流动目的地在回收配管46和第二排液配管47之间切换的切换单元的功能。
如图2所示,最内侧的第一挡板33包围旋转卡盘5的周围,具有相对于通过旋转卡盘5旋转的基板W的旋转轴线A1大致旋转对称的形状。第一挡板33包括:圆筒状的下端部53,包围旋转卡盘5的周围;筒状部54,从下端部53的上端向外侧(远离基板W的旋转轴线A1的方向)延伸;圆筒状的中段部55,从筒状部54的上面外周部向铅垂上方延伸;圆环状的上端部56,从中段部55的上端朝向内侧(接近基板W的旋转轴线A1的方向)向斜上方延伸。下端部53位于第一槽40上,在第一挡板33和第一杯31最接近的状态下,下端部53容纳于第一槽40的内部。在俯视时,上端部56的内周端形成为,直径大于保持于旋转卡盘5的基板W的直径的圆形。另外,上端部56的截面形状可以是如图2等所示那样的直线状,另外,例如也可以一边描画圆滑的圆弧一边延伸。
如图2所示,从内侧起为第二个的第二挡板34,在第一挡板33的外侧包围旋转卡盘5的周围,具有相对于通过旋转卡盘5旋转的基板W的旋转轴线A1大致旋转的形状。第二挡板34具有:圆筒部57,与第一挡板33同轴;上端部58,从圆筒部57的上端朝向中心侧(接近基板W的旋转轴线A1的方向)向斜上方延伸。在俯视时,上端部58的内周端形成为,直径大于保持于旋转卡盘5的基板W的直径的圆形。此外,上端部58的截面形状可以是如图2等所示那样的直线状,另外,例如也可以一边描画圆滑的圆弧一边延伸。上端部58的前端划分出处理杯8的上部开口8a。
圆筒部57位于第二槽43上。另外,上端部58以在上下方向上与第一挡板33的上端部56重叠的方式设置,在第一挡板33和第二挡板34最接近的状态下,上端部58与上端部56保持微小的间隙来接近。
如图2所示,最外侧的第三挡板35在第二挡板34的外侧包围旋转卡盘5的周围,具有相对于通过旋转卡盘5旋转的基板W的旋转轴线A1大致旋转对称的形状。第三挡板35具有:圆筒部60,与第二挡板34同轴;上端部61,从圆筒部60的上端朝向中心侧(接近基板W的旋转轴线A1的方向)向斜上方延伸。在俯视时,上端部61的内周端形成为,直径大于保持于旋转卡盘5的基板W的直径的圆形。此外,上端部61的截面形状可以是如图2等所示那样的直线状,另外,例如也可以一边描画圆滑的圆弧一边延伸。
如图3B所示,在本实施方式中,通过挡板、杯以及共用配管45,划分出用于引导处理基板W所使用过的药液的回收空间100。具体地说,回收空间100包括:由第二杯32、第一挡板33以及第二挡板34划分的空间;共用配管45的内部空间。另外,回收空间100的内壁101包括第二杯32的内壁、第一挡板33的外壁、第二挡板34的内壁以及共用配管45的内壁。
如图2以及图3A至3C所示,挡板升降单元36使各挡板33~35在上位置和下位置之间进行升降,其中,所述上位置指,挡板的上端部位于基板W的上方的位置,所述下位置指,挡板的上端部位于基板W的下方的位置。挡板升降单元36能够在上位置和下位置之间的任意位置保持各挡板33~35。在某一挡板33~35与基板W的周端面相向的状态下,执行向基板W供给处理液的动作或基板W的干燥。
如图3A所示,在使最内侧的第一挡板33与基板W的周端面相向的情况下,第一挡板33至第三挡板35全部位于上位置。
如图3B所示,在使从内侧起第二个的第二挡板34与基板W的周端面相向的情况下,第二挡板34以及第三挡板35位于上位置,且第一挡板33配置于下位置。
如图3C所示,在使最外侧的第三挡板35与基板W的周端面相向的情况下,第三挡板35配置于上位置,且第一挡板33以及第二挡板34位于下位置。
图4是用于说明基板处理装置1的主要部分的电气结构的框图。
控制装置3例如利用微型计算机构成。在控制装置3连接有由基板处理装置1的用户等操作的操作键71。控制装置3具有CPU等运算单元、固定存储装置、硬盘驱动器等存储单元以及输入输出单元(未图示)。在存储单元存储有运算单元所执行的程序。
存储单元包括方案存储部72,该方案(recipe)存储部72存储有用于记忆对基板W进行的各处理的内容的方案。方案存储部72由能够改写电数据的非易失性存储器构成。用户通过操作操作键71来输入各处理工序中的基板W的转速等执行内容,从而能够作成方案。通过操作操作键71来作成的方案存储(保存)于方案存储部72。
另外,存储单元包括在药液供给工序S3中的开闭对象阀的设定中使用的排液标记80。排液标记80以选择保存预先设定的值(5A[H]或者00[H])的方式形成。就排液标记80而言,作为初始状态保存有00[H]。在排液标记80保存有5A[H]的情况下,排液标记80处于有效(on)状态。另一方面,在排液标记80保存有00[H]的情况下,排液标记80处于无效(off)状态。
另外,控制装置3内置有计时器73。计时器73包括:经过期间计时器(经过期间测量单元)74,用于对从前次的药液供给工序S3结束之后(即,来自药液喷嘴16的前次的药液喷出结束之后)起经过的经过期间、即、结束后经过期间进行计时;排液累加计时器75,对进行关闭回收阀48并打开排液阀49这样的控制(将切换单元控制为排液导出状态)的期间的累加进行计时。
而且,在控制装置3连接有作为控制对象的旋转马达12、挡板升降单元36、药液阀19、冲洗液阀29、回收阀48、排液阀49等。控制装置3控制旋转马达12以及挡板升降单元36等的动作。控制装置3对药液阀19、冲洗液阀29、回收阀48、排液阀49等进行开闭。
当用于容纳多张基板W的搬运器C载置于加载端口LP时,加载端口LP的门以及搬运器C的盖分别开放。然后,控制装置3使搬运机械手IR的手部H访问搬运器C,从而取出基板W。从搬运器C取出的基板W,从搬运机械手IR交至基板搬运机械手CR,以保持于基板搬运机械手CR的手部H的状态搬入处理单元2内。当基板W搬入处理单元2内时,控制装置3的运算单元从方案存储部72读取与该基板W对应的方案。在该方案设定有用于依次执行下面叙述的药液供给工序S3、冲洗工序S4以及旋转干燥工序S5的控制参数。并且,控制装置3控制处理单元2来执行读取的方案所规定的一系列处理。
图5是用于说明通过处理单元2进行的基板处理例的流程图。以下,一边参照图1至图5,一边对基板处理例进行说明。通过处理单元2执行的处理是利用药液的药液处理。作为药液处理的一例,可以举出抗蚀残渣除去处理。关于药液处理的执行,总是参照从方案存储部72读取的方案。
在通过处理单元2实施药液处理时,将未清洗的基板W搬入腔室4的内部(图5的步骤S1)。
具体地说,通过使保持有基板W的基板搬运机械手CR的手部H进入腔室4的内部,将基板W以其表面(药液处理对象面)朝向上方的状态交至旋转卡盘5。然后,基板W保持于旋转卡盘5。另外,在使手部H进入腔室4的内部时,如图2所示,第一挡板33至第三挡板35的上端均配置于基板W的保持位置的下方。
然后,控制装置3通过旋转马达12开始使基板W旋转(图5的步骤S2)。基板W的速度上升至预先设定的液处理速度(在大约10-1200rpm的范围内,例如大约300rpm),维持该液处理速度。
接着,控制装置3进行用于向基板W的上表面供给药液的药液供给工序(图5的步骤S3)。控制装置3控制挡板升降单元36,来使第二挡板34以及第三挡板35分别向上位置上升,如图3B所示,使第二挡板34与基板W的周端面相向。然后,控制装置3打开药液阀19,从药液喷嘴16朝向基板W的上表面中央部喷出药液。供给至基板W的上表面的药液,受到因基板W旋转而产生的离心力而向基板W的周缘部移动,从基板W的周缘部朝向基板W的侧方飞散。
从基板W的周缘部飞散的药液(例如,包括抗蚀残渣的药液),被第二挡板34的内壁阻挡,沿着第二挡板34的内壁流下并经过第二槽43,之后,引导至共用配管45。向共用配管45引导的药液,在一般情况下经过回收配管46而送至回收药液供给单元18。
当从开始喷出药液起经过预先设定的期间时,药液供给工序S3结束。具体地说,控制装置3关闭药液阀19,停止从药液喷嘴16喷出药液的动作。另外,控制装置3控制挡板升降单元36,一边使第二挡板34以及第三挡板35分别保持于上位置,一边使第一挡板33向上位置上升,从而如图3A所示,使第一挡板33与基板W的周端面相向。
接着,进行用于向基板W的上表面供给冲洗液的冲洗工序(图5的步骤S4)。具体地说,控制装置3打开冲洗液阀29。从冲洗液喷嘴27喷出的冲洗液着落于基板W的上表面中央部,受到因基板W旋转而产生的离心力,在基板W的上表面上朝向基板W的周缘部流动。基板W上的药液置换为冲洗液。在基板W的上表面流动的冲洗液,从基板W的周缘部朝向基板W的侧方飞散,被第一挡板33的内壁阻挡。并且,沿着第一挡板33的内壁流下的水,集中于第一槽40,之后引导至第一排液配管42,然后引导至用于对处理液进行排液处理的排液处理装置(未图示)。
当开始喷出水起经过预先设定的期间时,控制装置3关闭冲洗液阀29,停止从冲洗液喷嘴27喷出冲洗液的动作。由此,冲洗工序S4结束。另外,控制装置3控制挡板升降单元36,在使第三挡板35保持于上位置的状态下,使第一挡板33以及第二挡板34向下位置下降,如图3C所示,使第三挡板35与基板W的周端面相向。
接着,进行用于使基板W干燥的旋转干燥工序(图5的步骤S5)。具体地说,控制装置3通过控制旋转马达12,使基板W加速至大于药液供给工序S3以及冲洗工序S4中的转速的干燥转速(例如几千rpm),使基板W以该干燥转速旋转。由此,大的离心力施加于基板W上的液体,附着于基板W的液体向基板W的周围甩出。这样,从基板W除去液体,对基板W进行干燥。
在基板W开始进行高速旋转起经过预先设定的期间时,控制装置3通过控制旋转马达12,使通过旋转卡盘5进行的基板W的旋转停止(图5的步骤S6)。然后,控制装置3控制挡板升降单元36,在使第一挡板33以及第二挡板34保持在下位置的状态下,使第三挡板35向下位置下降。由此,第一挡板33至第三挡板35的上端均配置于基板W的保持位置的下方(图2所示的状态)。
接着,从腔室4内搬出基板W(图5的步骤S7)。具体地说,控制装置3使基板搬运机械手CR的手部进入腔室4的内部。并且,控制装置3使旋转卡盘5上的基板W保持于基板搬运机械手CR的手部。然后,控制装置3使基板搬运机械手CR的手部从腔室4内退避。由此,从腔室4搬出清洗后的基板W。
图6A至6B是用于详细说明药液供给工序S3的流程图。图7是用于说明药液供给工序S3中的开闭对象阀的设定的流程图。图8是示出药液供给工序S3中的计时器73的监视动作的流程图。图9是用于说明在处理单元2执行的多个药液处理的时序图的一例。参照图6A至图9,对于药液供给工序S3进行说明。
方案存储部72(参照图4)所存储(保存)的方案包括:在执行药液供给工序S3时使用的药液供给方案RE(参照图4)。药液供给方案RE规定了药液供给工序S3中的处理条件。具体地说,规定了药液供给工序S3中的基板W的转速、各挡板33~35的高度位置、药液喷出期间等处理条件。另外,药液供给方案RE指定了:在药液供给工序S3中进行关闭排液阀49并打开回收阀48这样的控制(将切换单元控制为回收导出状态)。根据方案存储部72所存储的药液供给方案RE,执行药液供给工序S3。
在药液供给工序S3中,成为阀的开闭对象的开闭对象阀仅设定为,回收阀48以及排液阀49中的一个。
在药液供给工序S3中,当到达预先设定的药液喷出开始时刻(在图6A的步骤T1中为“是”)时,控制装置3关闭回收阀48以及排液阀49中的未被设定为开闭对象阀的一个阀,并打开被设定为开闭对象阀的一个阀(图6A的步骤T2),且打开药液阀19(图6A的步骤T3)。
具体地说,在步骤T1中,在回收阀48被设定为开闭对象阀的情况下,控制装置3关闭排液阀49并打开回收阀48。另一方面,在排液阀49被设定为开闭对象阀的情况下,控制装置3关闭回收阀48并打开排液阀49。
另外,通过打开药液阀19,开始从药液喷嘴16喷出药液。在排液阀49被设定为开闭对象阀的情况下,开始通过排液累加计时器75进行计时(图6A的步骤T4)。
当从开始喷出药液起经过药液供给方案RE所指示的药液喷出期间(在图6A的步骤T5中为“是”)时,控制装置3关闭药液阀19。由此,停止从药液喷嘴16喷出药液(图6A的步骤T6)。
另外,当从开始喷出药液起经过药液供给方案RE所指示的药液喷出期间时,开始通过经过期间计时器74进行计时(经过期间测量工序的开始,图6B的步骤T7)。另外,在通过排液累加计时器75进行计时的情况下,结束该计时(图6B的步骤T8)。
当从停止喷出药液起经过预先设定的回收/排液期间(在图6B的步骤T9中为“是”)时,控制装置3关闭回收阀48以及排液阀49中的被设定为开闭对象阀的一个阀(图6B的步骤T10)。具体地说,在回收阀48被设定为开闭对象阀的情况下,关闭回收阀48。另一方面,在排液阀49被设定为开闭对象阀的情况下,关闭排液阀49。
如图7所示,总是通过控制装置3的运算单元监视:排液标记80(参照图4)的值为00[H]以及5A[H]中的哪一个。
在排液标记80的值为00[H](排液标记无效)的情况(在图7的步骤E1中为“否”)下,控制装置3的运算单元根据药液供给方案RE的内容设定开闭对象阀(图7的步骤E2)。如上所述,药液供给方案RE指定有进行关闭排液阀49并打开回收阀48这样的控制,因此根据该指定,控制装置3的运算单元将回收阀48设定为开闭对象阀。
另一方面,在排液标记80的值为5A[H](排液标记有效)的情况(在图7的步骤E1中为“是”),控制装置3忽略药液供给方案RE中的指示,将排液阀49设定为开闭对象阀。
利用经过期间计时器74切换排液标记80的有效和无效。
如图8所示,控制装置3的运算单元总是监视经过期间计时器74以及排液累加计时器75的计时值。
在排液标记80的值为00[H](排液标记无效)的情况(在图8的步骤P1中为“否”)下,当经过期间计时器74的计时值到达预先设定的第一期间ta(在图8的步骤P2中为“是”)时,控制装置3的运算单元在排液标记80保存5A[H]的值(排液标记有效)(图8的步骤P3),并且使经过期间计时器74的计时值重置(reset),从而结束通过经过期间计时器74进行的计时(经过期间测量工序的结束,图8的步骤P4)。另一方面,在经过期间计时器74的计时值未到达第一期间ta的情况(在图8的步骤P2中为“否”)下,之后,图8所示的处理会返回。即,到经过期间计时器74的计时值到达第一期间ta为止,反复进行在图8的步骤P2中为“否”的处理。第一期间ta例如是将残留于回收空间100的药液变质那样的期间作为基准而设定的。第一期间ta以能够根据药液的种类恰当变更的方式设置。例如,在利用BHF作为药液的一例中,例如设定6小时来作为第一期间ta。
另一方面,在排液标记80的值为5A[H](排液标记有效)的情况(在图8的步骤P1中为“是”)下,在排液累加计时器75的计时值到达预先设定的第二期间tb(在图8的步骤P5中为“是”)时,控制装置3的运算单元将排液标记80的值清零(在排液标记80保存00[H]的值,排液标记无效)(图8的步骤P6),并且对排液累加计时器75的计时值进行重置,从而结束通过排液累加计时器75进行的计时(图8的步骤P7)。另一方面,在排液累加计时器75的计时值未到达第二期间tb的情况(在图8的步骤P5中为“否”),之后,图8所示的处理会返回。即,到排液累加计时器75的计时值到达第二期间tb为止,反复进行在图8的步骤P5中为“否”的处理。
接着,参照图9,对在处理单元2所执行的多个药液处理进行研究。在处理单元2的各腔室4中,连续地执行药液处理(方案处理)。
在各药液处理中,在开始进行药液供给工序S3时,判断从前次的药液供给工序S3结束起是否经过预先设定的第一期间ta(即,经过期间计时器74的计时值t≥ta?)。在从前次的药液供给工序S3结束起未经过预先设定的第一期间ta时,执行关闭排液阀49并打开回收阀48那样的控制(将切换单元控制为回收导出状态),另一方面,在从前次的药液供给工序S3结束起经过预先设定的第一期间ta时,执行关闭回收阀48并打开排液阀49那样的控制(将切换单元控制为排液导出状态)。
在开始进行关闭回收阀48并打开排液阀49那样的控制(将切换单元控制为排液导出状态)之后,在执行这样的控制的期间的累加到达预先设定的第二期间tb(当预先设定的排液结束条件成立)时,控制装置3返回关闭排液阀49并打开回收阀48那样的控制(将切换单元控制为回收导出状态)。例如设定3分钟作为第二期间tb。然后,以小于第一期间ta的间隔,反复开始供给药液,直到预先设定的张数的基板W的处理结束为止,因此,到药液处理结束为止,维持关闭排液阀49并打开回收阀48那样的控制(将切换单元控制为回收导出状态)。
图10是用于说明在处理单元2执行的多个药液处理的时序图的其他例。
在图10中,在从长期停止状态重新进行药液处理的情况下,在最初的药液处理中,保持关闭回收阀48并打开排液阀49那样的控制(将切换单元控制为排液导出状态)。并且,在第二次之后的药液处理的途中,从关闭回收阀48并打开排液阀49这样的控制(将切换单元控制为排液导出状态),返回关闭排液阀49并打开回收阀48的控制(将切换单元控制为回收导出状态)。换句话说,关闭回收阀48并打开排液阀49这样的控制(将切换单元控制为排液导出状态:排液工序)能够跨越多个(例如为两个)药液供给工序S3(跨越对多张进行的药液处理)执行。
如上所述,根据该实施方式,在开始进行药液供给工序S3时,在从前次的药液供给工序结束之后起经过了第一期间ta的情况下,执行关闭回收阀48并打开排液阀49这样的控制(将切换单元控制为排液导出状态)。在从前次的药液供给工序S3结束起经过长时间的情况下,残留于回收空间100的药液,即,附着于挡板的内壁的药液,或者停留于共用配管45的内部的药液可能会发生变质。例如设定6小时作为第一期间ta。
例如,在作为药液喷嘴16所喷出的药液而利用BHF等抗蚀残渣除去液的情况下,随着时间经过,在附着于第二杯32的内壁、第一挡板33的外壁、第二挡板34的内壁以及共用配管45的内壁(即,回收空间100的内壁101)的药液溶解的抗蚀成分,随着时间经过而发生结晶(变质)。此时,包含作为异物的结晶的抗蚀剂的药液(变质药液)可能供给至回收药液供给单元18。另外,随着时间经过,停留于共用配管45的内部的药液会发生浓缩(变质)。当这样的浓缩的药液供给至回收药液供给单元18时,溶解于药液的抗蚀成分析出,回收药液供给单元18内的药液中可能出现作为异物的抗蚀剂。当这样的变质药液供给至回收药液供给单元18时,在之后的药液处理中,含有变质药液的药液可能供给至基板W。
但是,在本实施方式中,将变质药液的导出目的地设定为排液配管47而不是回收配管46,因此能够防止向回收配管46导入的药液中混入变质药液的情况。
另外,在开始进行关闭回收阀48并打开排液阀49这样的控制(将切换单元控制为排液导出状态)之后,在执行关闭回收阀48并打开排液阀49这样的控制(将切换单元控制为排液导出状态)的期间的累加到达预先设定的第二期间tb(预先设定的排液结束条件成立)时,控制装置3返回关闭排液阀49并打开回收阀48这样的控制(将切换单元控制为回收导出状态)。例如设定3分钟作为第二期间tb。然后,以小于第一期间ta的间隔,反复开始供给药液,直到预先设定的张数的基板W的处理结束为止,因此,到药液处理结束为止,维持关闭排液阀49并打开回收阀48那样的控制(将切换单元控制为回收导出状态)。因此,在长期停止后重新供给药液时,仅在对长期停止后重新供给药液后的一张或者几张基板W进行处理时,将导入回收空间100的药液排出,之后,将导入回收空间100的药液回收来再次利用。因此,与在重新进行药液供给后对1批(例如25张)所有基板W的处理中,将导入回收空间100的药液排出的情况相比,能够增加药液的回收量,由此,能够进一步降低药液的消耗量。
如上所述,能够提供如下基板处理装置1,即,能够利用不包含变质药液的药液来处理基板W,且能够进一步降低药液的消耗量。
图11是用于说明本发明第二实施方式的基板处理装置201的主要部分的电气结构的框图。在图11中,对与第一实施方式的各部分对应的部分,标注与图1至图10的情况相同的附图标记而省略说明。在本实施方式中,作为应该存储(保存)于方案存储部72(参照图4)的药液供给方案RE1,准备有第一药液供给方案202、第二药液供给方案203。第一药液供给方案202以及第二药液供给方案203保持于方案临时保持部204。
第一药液供给方案202指定有:与第一实施方式中的药液供给方案RE同样的,在药液供给工序S3中进行关闭排液阀49并打开回收阀48这样的控制(将切换单元控制为回收导出状态)。
另一方面,第二药液供给方案203指定有:在药液供给工序S3中进行关闭回收阀48并打开排液阀49这样的控制(将切换单元控制为排液导出状态)。
对于其他处理条件(基板W的转速、各挡板33~35的高度位置、药液喷出期间等处理条件),第一药液供给方案202和第二药液供给方案203之间并不存在不同之处。
根据方案存储部72所存储的药液供给方案RE1,执行药液供给工序S3。关于药液供给工序S3的执行,总是参照药液供给方案RE1。
在执行药液处理的过程中,总是通过控制装置3监视排液标记80(参照图4)的值为00[H]以及5A[H]中的哪一个。
在排液标记80的值为00[H](排液标记无效)的情况下,控制装置3在方案存储部72存储第一药液供给方案202,来作为药液供给方案RE1。然后执行关闭排液阀49并打开回收阀48这样的控制(将切换单元控制为回收导出状态)。
另一方面,在排液标记80的值为5A[H](排液标记有效)的情况下,作为方案存储部72所存储的药液供给方案RE,控制装置3存储第二药液供给方案203。然后,执行关闭回收阀48并打开排液阀49这样的控制(将切换单元控制为排液导出状态)。
通过进行这样的药液供给方案RE1的切换,能够获得与上述第一实施方式的情况相同的作用效果。
上面,对于本发明的两个实施方式进行了说明,但是本发明能够以其它方式实施。
例如,在上述各实施方式中,就控制装置3的存储单元所存储的第一期间ta以及第二期间tb的值而言,也可以通过操作操作键71来变更。此时,用户能够恰当地变更第一期间ta以及第二期间tb的值。
另外,在长期停止后重新进行药液供给时,用户也能够选择决定是否进行关闭回收阀48并打开排液阀49这样的控制(将切换单元控制为排液导出状态)。例如也可以通过操作操作键71来进行该选择决定。
另外,在上述各实施方式中,作为从关闭回收阀48并打开排液阀49这样的控制(将切换单元控制为排液导出状态),向关闭排液阀49并打开回收阀48这样的控制(将切换单元控制为回收导出状态)切换的排液结束条件,也可以代替(或者并行)执行这样的控制的期间的累加到达第二期间tb这样的排液结束条件,来设置其它排液结束条件。例如也可以将执行关闭回收阀48并打开排液阀49这样的控制(将切换单元控制为排液导出状态)的过程中的排液流量的累加(废液累计流量),到达预先设定的流量,设置为其它排液结束条件。
另外,作为向回收药液供给单元18供给的药液,也可以是除了抗蚀残渣除去液之外的药液。作为该除了抗蚀残渣除去液之外的药液,能够举例示出BHF、DHF(稀氢氟酸)、SC1(氨过氧化氢溶液混合液)、SC2(盐酸过氧化氢溶液混合液)、有机溶剂(例如NMP或丙酮)、硝酸、磷酸铵、柠檬酸等的有机酸以及这些有机酸的混合液。此时,若不采用上述方案,则随着时间经过,附着于第二杯32的内壁、第一挡板33的外壁以及第二挡板34的内壁(以上,回收空间的内壁)的药液本身会发生结晶(变质),或者停留于共用配管45的内部的药液会发生浓缩(变质),由此可能会对储存于回收罐20以及/或者药液罐21的药液的浓度带来影响。
另外,在上述各实施方式中,切换单元可由三通阀构成,而不是两个开闭阀(回收阀48以及排液阀49)。
另外,在各实施方式中,回收配管46以及第二排液配管47也可以连接于第二槽43。此时,不存在共用配管45。此时,回收空间100不包括共用配管45的内部,由杯以及挡板所划分的空间构成。
另外,在各实施方式中,回收配管46也可以设置于与第一槽40有关的位置,而不是第二槽43。
另外,举出处理杯8为3层的例子来进行了说明,但是处理杯8也可以是一层(单杯)或两层,也可以是4层以上。
另外,在上述各实施方式中,对于基板处理装置1为用于处理圆板状的基板的装置的情况,进行了说明,但是基板处理装置1也可以是用于处理液晶显示装置用玻璃基板等多边形的基板的装置。
详细地说明了本发明的实施方式,但是这些仅仅是用于使本发明的技术内容明确的具体例,本发明并不限定于这些具体例,本发明的范围仅由权利要求书限定。
本申请与2016年7月26日向日本特许厅提交的特愿2016-146521号对应,将该申请的全部内容通过引用编入于此。

Claims (10)

1.一种基板处理方法,为基板处理装置所执行的基板处理方法,该基板处理装置包括:回收杯,划分出用于引导在处理基板中所使用过的药液的回收空间,回收配管,用于回收引导至所述回收空间的药液,排液配管,用于排出引导至所述回收空间的液体,切换单元,将引导至所述回收空间的液体在所述回收配管和所述排液配管之间进行切换,其中,
该基板处理方法包括:
药液供给工序,向所述基板供给药液;
经过期间测量工序,测量从前次的药液供给工序结束之后起经过的经过期间、即结束后经过期间;
回收工序,在开始执行所述药液供给工序的情况下,在所述结束后经过期间小于预先设定的第一期间时,将所述切换单元控制为,将引导至所述回收空间的液体向所述回收配管引导的回收导出状态;
排液工序,在开始执行所述药液供给工序的情况下,在所述结束后经过期间为所述第一期间以上时,将所述切换单元控制为,将引导至所述回收空间的液体向所述排液配管引导的排液导出状态,并根据预先设定的排液结束条件的成立,切换到所述回收导出状态。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法,其中,
所述基板处理装置还包括方案存储部,该方案存储部存储规定了所述药液供给工序中的药液供给条件的药液供给方案,
所述排液工序包括:即使在所述药液供给方案中指示应该将所述切换单元控制为所述回收导出状态,也忽略该指示,而将所述切换单元控制为所述排液导出状态的工序。
3.根据权利要求1所述的基板处理方法,其中,
所述基板处理装置还包括方案存储部,该方案存储部存储规定了所述药液供给工序中的药液供给条件的药液供给方案,
所述回收工序包括:使指示了应该将所述切换单元控制为所述回收导出状态的第一药液供给方案,存储于所述方案存储部来作为所述药液供给方案的工序,
所述排液工序包括:使指示了应该将所述切换单元控制为所述排液导出状态的第二药液供给方案,存储于所述方案存储部来作为所述药液供给方案的工序。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理方法,其中,
所述排液结束条件为,所述切换单元控制为所述排液导出状态的期间的累加到达预先设定的第二期间。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理方法,其中,
所述排液工序为跨越多个所述药液供给工序的工序。
6.一种基板处理装置,其中,
包括:
药液供给单元,向基板供给药液,
回收杯,划分出用于引导在处理基板中所使用过的药液的回收空间,
回收配管,用于回收引导至所述回收空间的药液,
排液配管,用于废弃引导至所述回收空间的液体,
切换单元,将引导至所述回收空间的液体在所述回收配管和所述排液配管之间进行切换,
经过期间测量单元,测量从前次的药液供给工序结束之后起经过的经过期间、即结束后经过期间,
控制装置;
所述控制装置执行:
药液供给工序,控制所述药液供给单元,来向所述基板供给药液,
回收工序,在开始执行所述药液供给工序的情况下,在所述结束后经过期间小于预先设定的第一期间时,控制所述切换单元,来实现将引导至所述回收空间的液体向所述回收配管引导的回收导出状态;
排液工序,在开始执行所述药液供给工序的情况下,在所述结束后经过期间为所述第一期间以上时,控制所述切换单元,来实现将引导至所述回收空间的液体向所述排液配管引导的排液导出状态,并根据预先设定的排液结束条件的成立,切换到所述回收导出状态。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其中,
还包括方案存储部,该方案存储部存储规定了所述药液供给工序中的药液供给条件的药液供给方案,
所述控制装置执行:在所述排液工序中,即使在所述药液供给方案中指示应该将所述切换单元控制为所述回收导出状态,也忽略该指示,而将所述切换单元控制为所述排液导出状态的工序。
8.根据权利要求6所述的基板处理装置,其中,
还包括方案存储部,该方案存储部存储规定了所述药液供给工序中的药液供给条件的药液供给方案,
所述控制装置执行:在所述回收工序中,使指示了应该将所述切换单元控制为所述回收导出状态的第一药液供给方案,存储于所述方案存储部来作为所述药液供给方案的工序,
所述控制装置执行:在所述排液工序中,使指示了应该将所述切换单元控制为所述排液导出状态的第二药液供给方案,存储于所述方案存储部来作为所述药液供给方案的工序。
9.根据权利要求6至8中任一项所述的基板处理装置,其中,
所述排液结束条件为,所述切换单元控制为所述排液导出状态的期间的累加到达预先设定的第二期间。
10.根据权利要求6至8中任一项所述的基板处理装置,其中,
所述控制装置以能够跨越多个所述药液供给工序执行的方式设置所述排液工序。
CN201710618997.0A 2016-07-26 2017-07-26 基板处理方法以及基板处理装置 Active CN107658242B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016146521A JP6708508B2 (ja) 2016-07-26 2016-07-26 基板処理方法および基板処理装置
JP2016-146521 2016-07-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107658242A true CN107658242A (zh) 2018-02-02
CN107658242B CN107658242B (zh) 2021-05-28

Family

ID=61011957

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710618997.0A Active CN107658242B (zh) 2016-07-26 2017-07-26 基板处理方法以及基板处理装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10786836B2 (zh)
JP (1) JP6708508B2 (zh)
KR (1) KR101975664B1 (zh)
CN (1) CN107658242B (zh)
TW (1) TWI681452B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7149087B2 (ja) 2018-03-26 2022-10-06 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7181764B2 (ja) * 2018-03-26 2022-12-01 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7072415B2 (ja) * 2018-03-26 2022-05-20 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US11052432B2 (en) 2018-03-26 2021-07-06 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR102139605B1 (ko) * 2018-11-06 2020-08-12 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP2020077755A (ja) * 2018-11-07 2020-05-21 株式会社Screenホールディングス 処理カップユニットおよび基板処理装置
CN111326441B (zh) * 2018-12-17 2022-09-16 辛耘企业股份有限公司 基板处理设备及方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009231773A (ja) * 2008-03-25 2009-10-08 Sumitomo Electric Ind Ltd フォトニック結晶面発光レーザ素子およびその製造方法
US20100108096A1 (en) * 2008-11-05 2010-05-06 Tokyo Electron Limited Liquid processing method and apparatus
CN102214559A (zh) * 2011-05-23 2011-10-12 叶伟清 晶圆亲水面表面清洗方法
JP2012199295A (ja) * 2011-03-18 2012-10-18 Kurita Water Ind Ltd 電子材料洗浄方法および洗浄システム
CN103177986A (zh) * 2011-12-22 2013-06-26 大日本网屏制造株式会社 涂布装置
JP2014093362A (ja) * 2012-11-01 2014-05-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
CN103907458A (zh) * 2014-03-25 2014-07-09 郑兴义 一种醋糟基质栽培黄瓜的方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3785478B2 (ja) * 1997-09-01 2006-06-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法
JP2006024793A (ja) 2004-07-08 2006-01-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 薬液回収方法および基板処理装置
US7678199B2 (en) * 2006-09-06 2010-03-16 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning method
JP2008153521A (ja) 2006-12-19 2008-07-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回収カップ洗浄方法および基板処理装置
JP5318670B2 (ja) * 2009-06-09 2013-10-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記憶媒体
JP2011061034A (ja) 2009-09-10 2011-03-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP6229933B2 (ja) * 2013-09-27 2017-11-15 株式会社Screenホールディングス 処理カップ洗浄方法、基板処理方法および基板処理装置
JP6385714B2 (ja) 2014-05-16 2018-09-05 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理装置の洗浄方法及び記憶媒体

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009231773A (ja) * 2008-03-25 2009-10-08 Sumitomo Electric Ind Ltd フォトニック結晶面発光レーザ素子およびその製造方法
US20100108096A1 (en) * 2008-11-05 2010-05-06 Tokyo Electron Limited Liquid processing method and apparatus
JP2012199295A (ja) * 2011-03-18 2012-10-18 Kurita Water Ind Ltd 電子材料洗浄方法および洗浄システム
CN102214559A (zh) * 2011-05-23 2011-10-12 叶伟清 晶圆亲水面表面清洗方法
CN103177986A (zh) * 2011-12-22 2013-06-26 大日本网屏制造株式会社 涂布装置
JP2014093362A (ja) * 2012-11-01 2014-05-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
CN103907458A (zh) * 2014-03-25 2014-07-09 郑兴义 一种醋糟基质栽培黄瓜的方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI681452B (zh) 2020-01-01
US20180029089A1 (en) 2018-02-01
US10786836B2 (en) 2020-09-29
TW201816868A (zh) 2018-05-01
KR101975664B1 (ko) 2019-05-07
JP2018018899A (ja) 2018-02-01
JP6708508B2 (ja) 2020-06-10
KR20180012215A (ko) 2018-02-05
CN107658242B (zh) 2021-05-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107658242A (zh) 基板处理方法以及基板处理装置
JP7181764B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR101275973B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
TWI511191B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
US8864937B2 (en) Substrate treatment apparatus
JP6762184B2 (ja) 回収配管洗浄方法および基板処理装置
JP7208814B2 (ja) 生成装置、基板処理装置、及び基板処理方法
JP2021064652A (ja) 基板処理システム、及び基板処理方法
CN110364453B (zh) 基板处理方法以及基板处理装置
JPH10209110A (ja) 洗浄装置及び洗浄方法
KR20030071649A (ko) 액처리장치 및 액처리방법
JP7220537B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TW477006B (en) Apparatus for and method of cleaning objects to be processed
US11521865B2 (en) Substrate processing method and substrate processing device
JP5265943B2 (ja) 基板処理装置
TWI749295B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
TWI498155B (zh) Circuit type semiconductor chemical tank mechanism
JP2004283803A (ja) 基板処理装置
JP2010080668A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2000114228A (ja) 基板処理装置および基板処理システム
JP2002289573A (ja) 基板処理装置
JPH1145925A (ja) 基板処理装置
JPH06338487A (ja) ウエハ洗浄装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant