TWI511191B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種使對半導體晶圓或液晶顯示裝置用玻璃基板等薄板狀之精密電子基板(以下簡稱為「基板」)供給處理液之噴出頭及保持其之噴嘴臂維持清潔之基板處理裝置及基板處理方法。
先前以來，於基板之製造步驟中，使用如下之基板處理裝置，該基板處理裝置係於進行使用了化學藥品之化學藥品處理及使用了純水之淋洗處理等基板之表面處理之後進行乾燥處理。作為如此般之基板處理裝置，使用對基板逐塊進行處理之單片式裝置及一併對複數塊基板進行處理之批量式裝置。通常，單片式基板處理裝置係於進行對旋轉之基板之表面供給化學藥品之化學藥品處理、供給純水之純水淋洗處理之後，使基板高速旋轉而進行甩乾。如此般之單片式基板處理裝置係揭示於例如專利文獻1、2中。
專利文獻1、2中揭示之基板處理裝置包含：旋轉夾頭，其使基板保持大致水平姿勢而旋轉；噴嘴(噴出頭)，其對由旋轉夾頭保持之基板之上表面供給處理液；及杯，其包圍旋轉夾頭之周圍而接收自基板飛散之處理液。專利文獻2中揭示之裝置進而包含：處理室，其收容該等構成要素；及分隔板，其在杯之周圍將處理室內分隔為上下。
於專利文獻1、2中揭示之裝置中，有時於處理中自旋轉之基板及旋轉夾頭飛散之處理液會附著於噴出頭。若直接 放置如此般之附著之處理液，則有時滴落至基板上而成為污染源，或者進行乾燥而成為微粒之產生源。於專利文獻3中，揭示有如下之技術：於噴出處理液之噴出頭之周圍設置噴出清洗液之大徑之噴嘴座，清洗附著於噴出頭之前端部之處理液。又，於專利文獻4中，揭示有利用旋轉夾頭之外側之待機容器對噴出頭噴出清洗液而進行清洗之技術。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2008-91717號公報
[專利文獻2]日本專利特開2010-192686號公報
[專利文獻3]日本專利特開2004-267871號公報
[專利文獻4]日本專利特開2007-149891號公報
然而，自旋轉之基板及旋轉夾頭飛散之處理液不僅附著於噴出頭，有時亦附著於保持上述噴出頭而使其擺動之噴嘴臂。於放置附著於噴嘴臂之處理液之情形時，亦產生如下問題：於臂擺動時上述處理液滴落至基板上而成為污染源，或附著之處理液乾燥而成為微粒產生源。即便將專利文獻3中揭示之技術應用於專利文獻1、2之基板處理裝置，雖然可進行噴出頭之前端部之清洗，但無法進行保持噴出頭之噴嘴臂之清洗。因此，無法解決附著有處理液之噴嘴臂成為污染源之問題。
又，即便使用專利文獻4中揭示之技術清洗噴出頭，亦產生如下之新問題：清洗時所使用之清洗液會附著於噴出頭，於清洗後對新基板進行處理時，附著於噴出頭之清洗液滴落至基板上。
本發明係鑒於上述問題而成者，其目的在於提供一種可防止由噴出頭及保持其之噴嘴臂引起之污染之基板處理裝置及基板處理方法。
為了解決上述問題，技術方案1之發明係一種基板處理裝置，其特徵在於包含：基板保持機構，其使基板保持大致水平姿勢而旋轉；杯，其包圍上述基板保持機構之周圍；噴嘴臂，其於前端具備對由上述基板保持機構保持之基板噴出處理液之噴出頭；旋轉驅動部，其以上述噴出頭於由上述基板保持機構保持之基板之上方之處理位置與較上述杯靠外側之待機位置之間移動之方式使上述噴嘴臂旋轉；及臂清洗機構，其對上述噴嘴臂中的、至少於上述噴出頭移動至上述處理位置時與由上述基板保持機構保持之基板對向之部位進行清洗。
又，技術方案2之發明如技術方案1之發明之基板處理裝置，其中上述旋轉驅動部設置於較上述杯靠外側處並連結於上述噴嘴臂之基端，上述臂清洗機構包含簇射噴嘴，該簇射噴嘴係於上述噴出頭位於上述待機位置時對上述噴嘴臂噴出清洗液。
又，技術方案3之發明如技術方案2之發明之基板處理裝 置，其中進而包含使上述噴嘴臂升降之升降驅動部；上述簇射噴嘴固定設置於較上述杯靠外側處並朝向斜下方噴出清洗液，上述升降驅動部係以上述噴嘴臂橫穿自上述簇射噴嘴噴出之清洗液之流體之方式使上述噴嘴臂升降。
又，技術方案4之發明如技術方案3之發明之基板處理裝置，其中上述簇射噴嘴向遠離上述基板保持機構之方向噴出清洗液。
又，技術方案5之發明如技術方案2之發明之基板處理裝置，其中進而包含氣體噴出部，該氣體噴出部係對上述噴嘴臂中的至少附著有自上述簇射噴嘴噴出之清洗液之部位噴附乾燥用氣體而使其乾燥。
又，技術方案6之發明如技術方案5之發明之基板處理裝置，其中上述氣體噴出部係設置於當上述噴出頭位於上述待機位置時自上述噴嘴臂之前端側噴附乾燥用氣體之位置。
又，技術方案7之發明如技術方案1至6中任一項發明之基板處理裝置，其中於上述旋轉驅動部上述噴嘴臂沿著水平方向相互平行地連接有複數根。
又，技術方案8之發明如技術方案1至6中任一項發明之基板處理裝置，其中於上述噴嘴臂，將氣體混合於自上述噴出頭噴出之處理液之氣體噴出部附設於上述噴出頭之側方。
技術方案9之發明係一種基板處理方法，其特徵在於包含：旋轉步驟，其使於前端具備對由基板保持機構以大致 水平姿勢保持而旋轉之基板噴出處理液之噴出頭的噴嘴臂以上述噴出頭於由上述基板保持機構保持之基板之上方之處理位置與較包圍上述基板保持機構之周圍之杯靠外側之待機位置之間移動之方式旋轉；及臂清洗步驟，其對上述噴嘴臂中的、至少於上述噴出頭移動至上述處理位置時與由上述基板保持機構保持之基板對向之部位進行清洗。
又，技術方案10之發明如技術方案9之發明之基板處理方法，其中上述臂清洗步驟包含當上述噴出頭位於上述待機位置時自簇射噴嘴對上述噴嘴臂噴出清洗液之清洗液噴出步驟。
又，技術方案11之發明如技術方案10之發明之基板處理方法，其中於上述清洗液噴出步驟中，一面自上述簇射噴嘴朝向斜下方噴出清洗液，一面以上述噴嘴臂橫穿自上述簇射噴嘴噴出之清洗液之流體之方式使上述噴嘴臂升降。
又，技術方案12之發明如技術方案11之發明之基板處理方法，其中上述簇射噴嘴向遠離上述基板保持機構之方向噴出清洗液。
又，技術方案13之發明如技術方案10之發明之基板處理方法，其中進而包含臂乾燥步驟，該臂乾燥步驟係對上述噴嘴臂中的至少附著有自上述簇射噴嘴噴出之清洗液之部位噴附乾燥用氣體而使其乾燥。
又，技術方案14之發明如技術方案13之發明之基板處理方法，其中於上述臂乾燥步驟中，於上述噴出頭位於上述待機位置時自上述噴嘴臂之前端側噴附乾燥用氣體。
又，技術方案15之發明如技術方案9至14中任一項發明之基板處理方法，其中上述噴嘴臂沿著水平方向相互平行地設置有複數根。
又，技術方案16之發明如技術方案9至14中任一項發明之基板處理方法，其中於上述噴嘴臂，將氣體混合於自上述噴出頭噴出之處理液之氣體噴出部附設於上述噴出頭之側方。
技術方案17之發明係一種基板處理裝置，其特徵在於包含：基板保持機構，其使基板保持大致水平姿勢而旋轉；杯，其包圍上述基板保持機構之周圍；噴嘴臂，其於前端具備對由上述基板保持機構保持之基板噴出處理液之噴出頭；旋轉驅動部，其以上述噴出頭於由上述基板保持機構保持之基板之上方之處理位置與較上述杯靠外側之待機位置之間移動之方式使上述噴嘴臂旋轉；及氣體噴出部，其於上述噴出頭自上述處理位置返回至上述待機位置時，對上述噴嘴臂中的、至少於上述噴出頭移動至上述處理位置時與由上述基板保持機構保持之基板對向之部位噴附乾燥用氣體而使其乾燥。
又，技術方案18之發明如技術方案17之發明之基板處理裝置，其中上述氣體噴出部設置於當上述噴出頭位於上述待機位置時自上述噴嘴臂之前端側噴附乾燥用氣體之位置。
又，技術方案19之發明如技術方案18之發明之基板處理裝置，其中上述氣體噴出部係固定設置，上述旋轉驅動部 係以上述噴嘴臂之前端側橫穿自上述氣體噴出部噴出之乾燥用氣體之流體之方式使上述噴嘴臂擺動。
又，技術方案20之發明如技術方案17之發明之基板處理裝置，其中上述氣體噴出部係每當對1塊基板噴出處理液之處理結束而上述噴出頭自上述處理位置返回至上述待機位置時，對上述噴嘴臂噴附乾燥用氣體。
又，技術方案21之發明如技術方案17至20中任一項發明之基板處理裝置，其中於上述旋轉驅動部，上述噴嘴臂沿著水平方向相互平行地連接有複數根。
又，技術方案22之發明如技術方案17至20中任一項發明之基板處理裝置，其中於上述噴嘴臂，將氣體混合於自上述噴出頭噴出之處理液之氣體噴出部附設於上述噴出頭之側方。
技術方案23之發明係一種基板處理方法，其特徵在於包含：處理步驟，其使於前端具備噴出頭之噴嘴臂旋轉而使上述噴出頭移動至由基板保持機構以大致水平姿勢保持而旋轉之基板之上方之處理位置，自上述噴出頭對上述基板噴出處理液；返回步驟，其使上述噴嘴臂旋轉而使上述噴出頭自上述處理位置返回至較包圍上述基板保持機構之周圍之杯靠外側之待機位置；及臂乾燥步驟，其於上述噴出頭自上述處理位置返回至上述待機位置時，自氣體噴出部對上述噴嘴臂中的、至少於上述噴出頭移動至上述處理位置時與由上述基板保持機構保持之基板對向之部位噴附乾燥用氣體而使其乾燥。
又，技術方案24之發明如技術方案23之發明之基板處理方法，其中於上述臂乾燥步驟中，於上述噴出頭位於上述待機位置時自上述噴嘴臂之前端側噴附乾燥用氣體。
又，技術方案25之發明如技術方案24之發明之基板處理方法，其中上述氣體噴出部係固定設置；於上述臂乾燥步驟中，以上述噴嘴臂之前端側橫穿自上述氣體噴出部噴出之乾燥用氣體之流體之方式使上述噴嘴臂擺動。
又，技術方案26之發明如技術方案23之發明之基板處理方法，其中每當1次上述處理步驟結束而上述噴出頭自上述處理位置返回至上述待機位置時，執行上述臂乾燥步驟。
又，技術方案27之發明如技術方案23至26中任一項發明之基板處理方法，其中上述噴嘴臂沿著水平方向相互平行地設置有複數根。
又，技術方案28之發明如技術方案23至26中任一項發明之基板處理方法，其中於上述噴嘴臂，將氣體混合於自上述噴出頭噴出之處理液之氣體噴出部附設於上述噴出頭之側方。
技術方案29之發明係一種基板處理裝置，其特徵在於包含：基板保持機構，其使基板保持大致水平姿勢而旋轉；杯，其包圍上述基板保持機構之周圍；噴嘴臂，其於前端具備對由上述基板保持機構保持之基板噴出處理液之噴出頭；旋轉驅動部，其以上述噴出頭於由上述基板保持機構保持之基板之上方之處理位置與較上述杯靠外側之待機位 置之間移動之方式使上述噴嘴臂旋轉；待機容器，其配置於上述待機位置，收容上述噴出頭；清洗機構，其設置於上述待機容器，對收容於上述待機容器之上述噴出頭供給清洗液而進行清洗；及乾燥機構，其設置於上述待機容器，對由上述清洗機構清洗後之上述噴出頭噴附乾燥用氣體而使其乾燥。
又，技術方案30之發明如技術方案29之發明之基板處理裝置，其中進而包含使上述噴嘴臂及上述噴出頭升降之升降驅動部；上述乾燥機構對藉由上述升降驅動部而自上述待機容器提拉之上述噴出頭噴附乾燥用氣體。
又，技術方案31之發明如技術方案29或30之發明之基板處理裝置，其中於上述待機容器進而設置對上述噴嘴臂噴附乾燥用氣體之臂乾燥機構。
技術方案32之發明係一種基板處理方法，其特徵在於包含：處理步驟，其使於前端具備噴出頭之噴嘴臂旋轉而使上述噴出頭移動至由基板保持機構以大致水平姿勢保持而旋轉之基板之上方之處理位置，自上述噴出頭對上述基板噴出處理液；返回步驟，其使上述噴嘴臂旋轉而使上述噴出頭自上述處理位置返回至較包圍上述基板保持機構之周圍之杯靠外側之待機位置，將上述噴出頭收容於配置於上述待機位置之待機容器；清洗步驟，其自設置於上述待機容器之清洗機構對收容於上述待機容器之上述噴出頭供給清洗液而進行清洗；及乾燥步驟，其自設置於上述待機容器之乾燥機構對在上述清洗步驟中清洗之上述噴出頭噴附 乾燥用氣體而使其乾燥。
又，技術方案33之發明如技術方案32之發明之基板處理方法，其中於上述乾燥步驟中，一面自上述待機容器提拉上述噴出頭，一面自上述乾燥機構對上述噴出頭噴附乾燥用氣體。
又，技術方案34之發明如技術方案32或33之發明之基板處理方法，其中上述乾燥步驟包含自設置於上述待機容器之臂乾燥機構對上述噴嘴臂噴附乾燥用氣體之臂乾燥步驟。
根據技術方案1至技術方案8之發明，由於包含臂清洗機構，該臂清洗機構係清洗於前端具備噴出頭之噴嘴臂中的、至少於噴出頭移動至處理位置時與由基板保持機構保持之基板對向之部位，故可清洗噴嘴臂之至少該部位而防止由噴嘴臂引起之污染。
尤其，根據技術方案3之發明，由於以噴嘴臂橫穿自簇射噴嘴朝向斜下方噴出之清洗液之流體之方式使噴嘴臂升降，故不論噴嘴臂之設置寬度如何，均可清洗整個噴嘴臂。
尤其，根據技術方案4之發明，由於簇射噴嘴向遠離基板保持機構之方向噴出清洗液，故可防止因於清洗噴嘴臂時清洗液附著於基板保持機構而引起之污染。
尤其，根據技術方案6之發明，由於氣體噴出部自噴嘴臂之前端側噴附乾燥用氣體，故可防止被乾燥用氣體吹走 之清洗液附著於設置有噴出頭之噴嘴臂之前端側。
根據技術方案9至技術方案16之發明，由於對在前端具備噴出頭之噴嘴臂中的、至少於噴出頭移動至處理位置時與由基板保持機構保持之基板對向之部位進行清洗，故可清洗噴嘴臂之至少該部位而防止由噴嘴臂引起之污染。
尤其，根據技術方案11之發明，由於一面自簇射噴嘴朝向斜下方噴出清洗液，一面以噴嘴臂橫穿自簇射噴嘴噴出之清洗液之流體之方式使噴嘴臂升降，故不論噴嘴臂之設置寬度如何，均可清洗整個噴嘴臂。
尤其，根據技術方案12之發明，由於簇射噴嘴向遠離基板保持機構之方向噴出清洗液，故可防止因於清洗噴嘴臂時清洗液附著於基板保持機構而引起之污染。
尤其，根據技術方案14之發明，由於自噴嘴臂之前端側噴附乾燥用氣體，故可防止被乾燥用氣體吹走之清洗液附著於設置有噴出頭之噴嘴臂之前端側。
根據技術方案17至技術方案22之發明，由於當噴出頭自處理位置返回至待機位置時，對噴嘴臂中的至少於噴出頭移動至處理位置時與由基板保持機構保持之基板對向之部位噴附乾燥用氣體而使其乾燥，故可使噴嘴臂之至少該部位乾燥而除去附著之處理液，從而防止因於處理中附著有處理液之噴嘴臂引起之污染。
尤其，根據技術方案18之發明，由於氣體噴出部係於噴出頭位於待機位置時自噴嘴臂之前端側噴附乾燥用氣體，故可防止被乾燥用氣體吹走之清洗液附著於設置有噴出頭 之噴嘴臂之前端側。
尤其，根據技術方案19之發明，由於以噴嘴臂之前端側橫穿自固定設置之氣體噴出部噴出之乾燥用氣體之流體之方式使噴嘴臂擺動，故不論噴嘴臂之設置寬度如何，均可使整個噴嘴臂乾燥。
尤其，根據技術方案20之發明，由於每當對1塊基板噴出處理液之處理結束而噴出頭自處理位置返回至待機位置時，對噴嘴臂噴附乾燥用氣體，故可防止接下來處理之基板被某基板之處理中附著有處理液之噴嘴臂污染。
根據技術方案23至技術方案28之發明，由於當噴出頭自處理位置返回至待機位置時，自氣體噴出部對噴嘴臂中的至少於噴出頭移動至處理位置時與由基板保持機構保持之基板對向之部位噴附乾燥用氣體而使其乾燥，故可使噴嘴臂之至少該部位乾燥而除去附著之處理液，從而防止因於處理中附著有處理液之噴嘴臂引起之污染。
尤其，根據技術方案24之發明，由於在臂乾燥步驟中，於噴出頭位於待機位置時自噴嘴臂之前端側噴附乾燥用氣體，故可防止被乾燥用氣體吹走之清洗液附著於設置有噴出頭之噴嘴臂之前端側。
尤其，根據技術方案25之發明，由於在臂乾燥步驟中，以噴嘴臂之前端側橫穿自固定設置之氣體噴出部噴出之乾燥用氣體之流體之方式使噴嘴臂擺動，故不論噴嘴臂之設置寬度如何，均可使整個噴嘴臂乾燥。
尤其，根據技術方案26之發明，由於每當1次處理步驟 結束而噴出頭自處理位置返回至待機位置時，執行臂乾燥步驟，故可防止接下來處理之基板被某基板之處理中附著有處理液之噴嘴臂污染。
根據技術方案29至技術方案31之發明，由於對收容於待機容器之噴出頭供給清洗液而進行清洗，對上述清洗後之噴出頭噴附乾燥用氣體而使其乾燥，故既便於清洗後之噴出頭移動至處理位置時，亦可防止清洗液自噴出頭滴落至基板上。
尤其，根據技術方案30之發明，由於對自待機容器提拉之噴出頭噴附乾燥用氣體，故可高效率地自噴出頭吹走清洗液而使其乾燥。
尤其，根據技術方案31之發明，由於進而設置對噴嘴臂噴附乾燥用氣體之臂乾燥機構，故亦可防止由附著有處理液之噴嘴臂引起之污染。
根據技術方案32至技術方案34之發明，由於對收容於待機容器之噴出頭供給清洗液而進行清洗，對上述經清洗之噴出頭噴附乾燥用氣體而使其乾燥，故即便於清洗後之噴出頭移動至處理位置時，亦可防止清洗液自噴出頭滴落至基板上。
尤其，根據技術方案33之發明，由於一面自待機容器提拉噴出頭，一面對上述噴出頭噴附乾燥用氣體，故可高效率地自噴出頭吹走清洗液而使其乾燥。
尤其，根據技術方案34之發明，由於自設置於待機容器之臂乾燥機構對噴嘴臂噴附乾燥用氣體，故亦可防止由附 著有處理液之噴嘴臂引起之污染。
以下，參照圖式對本發明之實施形態進行詳細說明。
<第1實施形態>
圖1係本發明之基板處理裝置1之俯視圖。又，圖2係基板處理裝置1之縱剖面圖。再者，於圖1及之後之各圖中，為了使其等之方向關係明確而適當標註將Z軸方向設為鉛直方向，將XY平面設為水平面之XYZ正交座標系統。又，於圖1及之後之各圖中，為了容易理解，而視需要誇大或簡化地描繪各部分之尺寸或數量。
該基板處理裝置1係對半導體基板W逐塊進行處理之單片式基板處理裝置，對圓形之矽基板W進行化學藥品處理及使用純水之淋洗處理之後進行乾燥處理。再者，圖1表示基板W未保持於旋轉夾頭20之狀態，圖2表示基板W保持於旋轉夾頭20之狀態。
基板處理裝置1係於腔室10內，作為主要要素而包含：旋轉夾頭20，其使基板W保持水平姿勢(法線沿著鉛直方向之姿勢)而旋轉；上表面處理液噴嘴60，其用以對由旋轉夾頭20保持之基板W之上表面供給處理液；雙流體噴嘴80，其將處理液之液滴與氣體之混合流體噴射於基板W；及處理杯40，其包圍旋轉夾頭20之周圍。又，於腔室10內之處理杯40之周圍，設置有將腔室10之內側空間分隔成上下之分隔板15。再者，於本說明書中，處理液係包含化學藥品及純水該兩者之總稱。
腔室10包含沿著鉛直方向之側壁11、閉塞由側壁11包圍之空間之上側之頂壁12及閉塞下側之底壁13。由側壁11、頂壁12及底壁13包圍之空間成為基板W之處理空間。又，於腔室10之側壁11之一部分，設置有用以對腔室10搬出搬入基板W之搬出搬入口及開閉上述搬出搬入口之擋閘(任一個均省略圖示)。
於腔室10之頂壁12，安裝有用以使設置有基板處理裝置1之無塵室內之空氣進一步清潔並供給至腔室10內之處理空間之風扇過濾單元(FFU，Fan Filter Unit)14。風扇過濾單元14包含用以取入無塵室內之空氣並向腔室10內送出之風扇及過濾器(例如HEPA(High Efficiency Particulate Air，高效率空氣)過濾器)，於腔室10內之處理空間形成清潔空氣之降流。為了使自風扇過濾單元14供給之清潔空氣均勻地分散，亦可於頂壁12之正下方設置穿設有多數之吹出孔之沖孔板。
旋轉夾頭20包含：旋轉底座21，其以水平姿勢固定於沿著鉛直方向延伸之旋轉軸24之上端且為圓板形狀；旋轉馬達22，其配置於旋轉底座21之下方而使旋轉軸24旋轉；及蓋構件23，其包圍旋轉馬達22之周圍且為筒狀。圓板形狀之旋轉底座21之外徑略微大於由旋轉夾頭20保持之圓形基板W之直徑。由此，旋轉底座21具有與應保持之基板W之下表面之整個表面對向之保持面21a。
於旋轉底座21之保持面21a之周緣部豎立設置有複數(本實施形態中為4個)之夾頭構件26。複數之夾頭構件26係沿 著與圓形基板W之外周圓相對應之圓周上隔開均等之間隔(若如本實施形態般為4個夾頭構件26則以90°間隔)而配置。複數之夾頭構件26係藉由收容於旋轉底座21內之省略圖示之連桿機構而連動地驅動。旋轉夾頭20藉由使複數之夾頭構件26分別抵接於基板W之端緣而夾持基板W，可以於旋轉底座21之上方接近於保持面21a之水平姿勢保持該基板W(參照圖2)，並且可使複數之夾頭構件26分別自基板W之端緣離開而解除夾持。
關於覆蓋旋轉馬達22之蓋構件23，其下端固定於腔室10之底壁13，上端到達旋轉底座21之正下方為止。於蓋構件23之上端部，設置有自蓋構件23向外側大致水平地突出，進而向下方彎曲延伸之凸緣狀構件25。於旋轉夾頭20藉由複數之夾頭構件26之夾持保持基板W之狀態下，旋轉馬達22使旋轉軸24旋轉，藉此可使基板W圍繞沿著通過基板W之中心之鉛直方向之旋轉軸CX旋轉。再者，旋轉馬達22之驅動係由控制部3控制。
包圍旋轉夾頭20之處理杯40包含可相互獨立地升降之內杯41、中杯42及外杯43。內杯41包圍旋轉夾頭20之周圍，具有相對於通過由旋轉夾頭20保持之基板W之中心之旋轉軸CX成為大致旋轉對稱之形狀。該內杯41一體地包含：俯視圓環狀之底部44；內壁部45，其自底部44之內周緣向上方立起且為圓筒狀；外壁部46，其自底部44之外周緣向上方立起且為圓筒狀；第1引導部47，其自內壁部45與外壁部46之間立起，且上端部一面描繪平滑之圓弧一面向中 心側(向由旋轉夾頭20保持之基板W之旋轉軸CX靠近之方向)斜上方延伸；及中壁部48，其自第1引導部47與外壁部46之間立起且為圓筒狀。
內壁部45形成為於內杯41上升至最高之狀態下，於蓋構件23與凸緣狀構件25之間保持恰當之間隙而收容般之長度。中壁部48形成為於內杯41與中杯42最接近之狀態下，於中杯42之下述之第2引導部52與處理液分離壁53之間保持恰當之間隙而收容般之長度。
第1引導部47包含一面描繪平滑之圓弧一面向中心側(向基板W之旋轉軸CX靠近之方向)斜上方延伸之上端部47b。又，內壁部45與第1引導部47之間形成用以收集並廢棄使用過之處理液之廢棄槽49。第1引導部47與中壁部48之間形成用以收集並回收使用過之處理液之圓環狀之內側回收槽50。進而，中壁部48與外壁部46之間形成用以收集並回收與內側回收槽50種類不同之處理液之圓環狀之外側回收槽51。
於廢棄槽49，連接有用以排出收集於該廢棄槽49之處理液，並且將廢棄槽49內強制地排氣之省略圖示之排氣液機構。排氣液機構係例如沿著廢棄槽49之周向等間隔地設置有4個。又，於內側回收槽50及外側回收槽51，連接有用以將分別收集於內側回收槽50及外側回收槽51之處理液回收於設置於基板處理裝置1之外部之回收箱之回收機構(任一個均省略圖示)。再者，內側回收槽50及外側回收槽51之底部相對於水平方向僅傾斜微小角度，於其最低之位置 連接有回收機構。藉此，順利回收流入內側回收槽50及外側回收槽51之處理液。
中杯42包圍旋轉夾頭20之周圍，具有相對於通過由旋轉夾頭20保持之基板W之中心之旋轉軸CX成為大致旋轉對稱之形狀。該中杯42一體地包含第2引導部52及連結於該第2引導部52之圓筒狀之處理液分離壁53。
第2引導部52係於內杯41之第1引導部47之外側包含：下端部52a，其與第1引導部47之下端部形成同軸圓筒狀；上端部52b，其一面自下端部52a之上端描繪平滑之圓弧一面向中心側(向基板W之旋轉軸CX靠近之方向)斜上方延伸；及彎折部52c，其係使上端部52b之前端部向下方彎折而形成。下端部52a係於內杯41與中杯42最接近之狀態下，於第1引導部47與中壁部48之間保持恰當之間隙而收容於內側回收槽50內。又，上端部52b係以與內杯41之第1引導部47之上端部47b於上下方向上重疊之方式設置，於內杯41與中杯42最接近之狀態下，相對於第1引導部47之上端部47b保持極微小之間隔而接近。進而，使上端部52b之前端向下方彎折而形成之彎折部52c形成為於內杯41與中杯42最接近之狀態下，彎折部52c與第1引導部47之上端部47b之前端於水平方向上重疊般之長度。
又，第2引導部52之上端部52b係以越下方則壁厚越厚之方式形成，處理液分離壁53具有以自上端部52b之下端外周緣部向下方延伸之方式設置之圓筒形狀。處理液分離壁53係於內杯41與中杯42最接近之狀態下，於中壁部48與外 杯43之間保持恰當之間隙而收容於外側回收槽51內。
外杯43係於中杯42之第2引導部52之外側，包圍旋轉夾頭20之周圍，具有相對於通過由旋轉夾頭20保持之基板W之中心之旋轉軸CX成為大致旋轉對稱之形狀。該外杯43具有作為第3引導部之功能。外杯43包含：下端部43a，其與第2引導部52之下端部52a形成同軸圓筒狀；上端部43b，其一面自下端部43a之上端描繪平滑之圓弧一面向中心側(向基板W之旋轉軸CX靠近之方向)斜上方延伸；及彎折部43c，其係向下方彎折上端部43b之前端部而形成。
下端部43a係於內杯41與外杯43最接近之狀態下，於中杯42之處理液分離壁53與內杯41之外壁部46之間保持恰當之間隙而收容於外側回收槽51內。又，上端部43b係以與中杯42之第2引導部52於上下方向上重疊之方式設置，於中杯42與外杯43最接近之狀態下，相對於第2引導部52之上端部52b保持極微小之間隔而接近。進而，向下方彎折上端部43b之前端部而形成之彎折部43c係以於中杯42與外杯43最接近之狀態下，彎折部43c與第2引導部52之彎折部52c於水平方向上重疊之方式形成。
又，內杯41、中杯42及外杯43可相互獨立地進行升降。即，於內杯41、中杯42及外杯43各者個別地設置有升降機構(省略圖示)，藉由上述升降機構分別獨立地升降。作為如此般之升降機構，可採用例如滾珠螺桿機構或氣缸等公知之多種機構。
圖3係上表面處理液噴嘴60之側視圖。又，圖4係自前端 側觀察上表面處理液噴嘴60所得之正視圖。上表面處理液噴嘴60係於相互平行地設置之3根噴嘴臂62各自之前端安裝噴出頭61而構成。3根噴嘴臂62之基端側連結於旋轉驅動部63。於旋轉驅動部63，以沿著水平方向相互平行之方式連結有3根噴嘴臂62。旋轉驅動部63設置於較處理杯40靠外側處。旋轉驅動部63可藉由內置之旋轉馬達(省略圖示)而圍繞鉛直方向軸進行旋轉動作，可使3根噴嘴臂62一併於水平面內(XY平面內)旋轉。
圖5係表示上表面處理液噴嘴60之旋轉動作之情況之圖。如圖5所示，旋轉驅動部63係以噴出頭61於由旋轉夾頭20保持之基板W之上方之處理位置與較處理杯40靠外側之待機位置之間呈圓弧狀移動之方式使噴嘴臂62於水平面內旋轉。以圖5之虛線表示噴出頭61到達處理位置時之3根噴嘴臂62之位置。又，以圖5之實線表示噴出頭61到達待機位置時之3根噴嘴臂62之位置。再者，亦可將以噴出頭61於處理位置與待機位置之間移動之方式使噴嘴臂62旋轉之動作記作為使噴嘴臂62於處理位置與待機位置之間旋轉。
如圖3所示，3根噴嘴臂62分別以自旋轉驅動部63沿著水平方向延伸之方式將基端側連結於旋轉驅動部63。各噴嘴臂62之前端側係一面描繪平滑之圓弧一面朝向下側。而且，於朝向鉛直方向下側((-Z)側)之各噴嘴臂62之前端，安裝有對由旋轉夾頭20保持之基板W噴出處理液之噴出頭61。以自圖外之處理液供給機構經由噴嘴臂62之內側將複 數種處理液(至少包含純水)供給至噴出頭61之方式構成。供給至噴出頭61之處理液自噴出頭61朝向鉛直方向下方噴出。於由旋轉夾頭20保持之基板W之上方之處理位置自噴出頭61噴出之處理液著液於該基板W之上表面。另一方面，於噴出頭61移動至較處理杯40靠外側之待機位置時，噴嘴臂62亦於較處理杯40靠外側處沿著Y方向待機(參照圖1、圖5)。
又，旋轉驅動部63安裝於升降驅動部64。升降驅動部64係藉由內置之升降馬達(省略圖示)，使旋轉驅動部63與3個噴出頭61及3根噴嘴臂62一併沿著鉛直方向升降。
於噴出頭61及噴嘴臂62之待機位置之附近設置有臂清洗部70及臂乾燥部75。臂清洗部70包含簇射噴嘴71。簇射噴嘴71固定設置於較待機位置之噴嘴臂62靠旋轉夾頭20側((-X)側)之斜上方。簇射噴嘴71係與待機位置之噴嘴臂62平行地，即沿著Y方向延伸設置。簇射噴嘴71之Y方向長度較噴嘴臂62之Y方向長度長。而且，於簇射噴嘴71，沿著Y方向並列設置有複數之噴出孔。該等複數之噴出孔之噴出方向係朝向上表面處理液噴嘴60之斜下方。
以自圖外之清洗液供給機構將清洗液(本實施形態中為純水)供給至簇射噴嘴71之方式構成。當將清洗液供給至簇射噴嘴71時，自設置於簇射噴嘴71之複數之噴出孔朝向斜下方之上表面處理液噴嘴60噴出清洗液(參照圖3~圖5)。藉此清洗上表面處理液噴嘴60之3根噴嘴臂62，以下對其詳細情況進行敍述。
臂乾燥部75包含2根乾燥氣體噴嘴76。乾燥氣體噴嘴76固定設置於較待機位置之噴嘴臂62靠(+Y)側，且高度與噴嘴臂62大致相同之位置。於本實施形態中，於與待機位置之3根噴嘴臂62中之最靠近旋轉夾頭20側((-X)側)之噴嘴臂62對向之位置設置有2根乾燥氣體噴嘴76。臂乾燥部75之2根乾燥氣體噴嘴76係於鉛直方向上隔開特定間隔並排配置(參照圖3)。各乾燥氣體噴嘴76係沿著水平方向而設置。
以自圖外之乾燥氣體供給源將乾燥用氣體(本實施形態中為氮氣(N2 ))供給至2根乾燥氣體噴嘴76之方式構成。當將乾燥用氣體供給至乾燥氣體噴嘴76時，自乾燥氣體噴嘴76之前端朝向上表面處理液噴嘴60噴出乾燥用氣體(參照圖3、5)。由於乾燥氣體噴嘴76設置於較噴嘴臂62之前端靠前方((+Y)側)之位置，故自噴嘴臂62之前端側噴附乾燥用氣體。
於基板處理裝置1，與上表面處理液噴嘴60分開地另外設置有雙流體噴嘴80。圖6係雙流體噴嘴80之側視圖。又，圖7係自前端側觀察雙流體噴嘴80所得之正視圖。雙流體噴嘴80係將純水等處理液與經加壓之氣體混合而生成液滴，將上述液滴與氣體之混合流體噴附至基板W之清洗噴嘴。雙流體噴嘴80係於噴嘴臂82之前端安裝噴出頭81，並且於以自噴嘴臂82分支之方式設置之支撐構件86安裝氣體噴頭85而構成。噴嘴臂82之基端側連結於旋轉驅動部83。旋轉驅動部83配置於較處理杯40靠外側。旋轉驅動部83可藉由內置之旋轉馬達(省略圖示)而圍繞鉛直方向軸進 行旋轉動作，可使噴嘴臂82於水平面內(XY平面內)旋轉。
圖8係表示雙流體噴嘴80之旋轉動作之情況之圖。如圖8所示，旋轉驅動部83係以噴出頭81於由旋轉夾頭20保持之基板W之上方之處理位置與較處理杯40靠外側之待機位置之間呈圓弧狀移動之方式使噴嘴臂82於水平面內旋轉。以圖8之虛線表示噴出頭81到達處理位置時之噴嘴臂82之位置。又，以圖8之實線表示噴出頭81到達待機位置時之噴嘴臂82之位置。再者，與對於上述上表面處理液噴嘴60同樣地，亦將以噴出頭81於處理位置與待機位置之間移動之方式使噴嘴臂82旋轉之動作記作為使噴嘴臂82於處理位置與待機位置之間旋轉。
如圖6所示，噴嘴臂82係以自旋轉驅動部83沿著水平方向延伸之方式將基端側連結於旋轉驅動部83。噴嘴臂82之前端側一面描繪平滑之圓弧一面朝向下側。而且，於朝向鉛直方向下側((-Z)側)之噴嘴臂82之前端，安裝有朝向由旋轉夾頭20保持之基板W噴出處理液之噴出頭81。以自圖外之處理液供給機構經由噴嘴臂82之內側將處理液(本實施形態中為純水)供給至噴出頭81之方式構成。
於噴嘴臂82之中途安裝有支撐構件86。於支撐構件86安裝有氣體噴頭85。氣體噴頭85係以位於噴出頭81之側方之方式設置於支撐構件86。將經加壓之惰性氣體(本實施形態中為氮氣)供給至氣體噴頭85。藉由於處理位置自噴出頭81噴出處理液，並且自氣體噴頭85噴出經加壓之惰性氣體並將其混合於來自噴出頭81之處理液，而生成處理液之 液滴，將上述液滴與惰性氣體之混合流體噴射至由旋轉夾頭20保持之基板W之上表面。另一方面，於噴出頭81移動至較處理杯40靠外側之待機位置時，噴嘴臂82亦於較處理杯40靠外側沿著X方向待機(參照圖1、圖8)。
又，旋轉驅動部83安裝於升降驅動部84。升降驅動部84係藉由內置之升降馬達(省略圖示)，使旋轉驅動部83與噴出頭81、氣體噴頭85及噴嘴臂82一併沿著鉛直方向升降。
於噴出頭81及噴嘴臂82之待機位置之附近設置有臂清洗部90及臂乾燥部95。臂清洗部90包含簇射噴嘴91。簇射噴嘴91固定設置於較待機位置之噴嘴臂82靠旋轉夾頭20側((+Y)側)之斜上方。簇射噴嘴91係與待機位置之噴嘴臂82平行地，即沿著X方向延伸設置。簇射噴嘴91之X方向長度較噴嘴臂82之X方向長度長。而且，於簇射噴嘴91，沿著X方向並列設置有複數之噴出孔。該等複數之噴出孔之噴出方向係朝向雙流體噴嘴80之斜下方。
以自圖外之清洗液供給機構將清洗液(本實施形態中為純水)供給至簇射噴嘴91之方式構成。當將清洗液供給至簇射噴嘴91時，自設置於簇射噴嘴91之複數之噴出孔朝向斜下方之雙流體噴嘴80噴出清洗液(參照圖6~圖8)。藉此清洗雙流體噴嘴80之噴嘴臂82。
臂乾燥部95包含2根乾燥氣體噴嘴96。乾燥氣體噴嘴96固定設置於較待機位置之噴嘴臂82靠(-X)側，且高度與噴嘴臂82大致相同之位置。臂乾燥部95之2根乾燥氣體噴嘴96係於鉛直方向上隔開特定間隔並排配置(參照圖6)。各乾 燥氣體噴嘴96係沿著水平方向而設置。
又，與2根乾燥氣體噴嘴96分開地另外設置有乾燥氣體噴嘴97及乾燥氣體噴嘴98。該等乾燥氣體噴嘴97、98係朝向噴嘴臂82於待機位置待機時之支撐構件86及氣體噴頭85而設置。
以自圖外之乾燥氣體供給源將乾燥用氣體(本實施形態中為氮氣)供給至2根乾燥氣體噴嘴96及乾燥氣體噴嘴97、98之方式構成。當將乾燥用氣體供給至乾燥氣體噴嘴96時，自乾燥氣體噴嘴96之前端朝向雙流體噴嘴80噴出乾燥用氣體(參照圖6、8)。由於乾燥氣體噴嘴96設置於較噴嘴臂82之前端靠前方((-X)側)之位置，故自噴嘴臂82之前端側噴附乾燥用氣體。又，當將乾燥用氣體供給至乾燥氣體噴嘴97、98時，亦自該等乾燥氣體噴嘴97、98之前端朝向雙流體噴嘴80噴出乾燥用氣體。
另一方面，除上表面處理液噴嘴60及雙流體噴嘴80以外，亦以插通旋轉軸24之內側之方式沿著鉛直方向設置有下表面處理液噴嘴28(參照圖2)。下表面處理液噴嘴28之上端開口形成於與由旋轉夾頭20保持之基板W之下表面中央對向之位置。以亦將複數種處理液供給至下表面處理液噴嘴28之方式構成。自下表面處理液噴嘴28噴出之處理液著液於由旋轉夾頭20保持之基板W之下表面。
如圖1、2所示，分隔板15係以於處理杯40之周圍將腔室10之內側空間分隔為上下之方式設置。分隔板15既可為包圍處理杯40之1塊板狀構件，亦可為將複數之板狀構件接 合所得者。又，亦可於分隔板15形成在厚度方向上貫穿之貫穿孔或缺口，於本實施形態中，形成有用以供用以支撐上表面處理液噴嘴60及雙流體噴嘴80之升降驅動部64、84之支撐軸通過之貫穿孔。
分隔板15之外周端連結於腔室10之側壁11。又，分隔板15之包圍處理杯40之端緣部形成為直徑大於外杯43之外徑之圓形形狀。由此，分隔板15不會妨礙外杯43之升降。
又，於腔室10之側壁11之一部分且底壁13之附近設置有排氣管18。排氣管18連通連接於省略圖示之排氣機構。自風扇過濾單元14供給而於腔室10內流下之清潔空氣中的通過處理杯40與分隔板15之間之空氣係自排氣管18排出至裝置外。
設置於基板處理裝置1之控制部3之作為硬體之構成與普通電腦相同。即，控制部3係包含進行各種運算處理之CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)、記憶基本程式之唯讀記憶體即ROM(Read Only Memory)、記憶各種資訊之隨機存取記憶體即RAM(Random Access Memory)及記憶控制用軟體或資料等之磁碟等而構成。藉由控制部3之CPU執行特定之處理程式，基板處理裝置1之各動作機構由控制部3控制，進行基板處理裝置1中之處理。
繼而，對具有上述構成之基板處理裝置1中之動作進行說明。基板處理裝置1中之通常之基板W之處理順序之概略係對基板W之表面供給化學藥品而進行特定之化學藥品處理之後，供給純水而進行純水淋洗處理，然後使基板W 高速旋轉而進行甩乾處理。於進行基板W之處理時，將基板W保持於旋轉夾頭20，並且處理杯40進行升降動作。於進行化學藥品處理時，例如僅外杯43上升，於外杯43之上端部43b與中杯42之第2引導部52之上端部52b之間，形成包圍由旋轉夾頭20保持之基板W之周圍之開口。於該狀態下，基板W與旋轉夾頭20一併旋轉，自上表面處理液噴嘴60及下表面處理液噴嘴28將化學藥品供給至基板W之上表面及下表面。上表面處理液噴嘴60係使噴嘴臂62旋轉而使噴出頭61移動至以水平姿勢保持於旋轉夾頭20而旋轉之基板W之上方之處理位置，自上述噴出頭61對基板W噴出化學藥品。所供給之化學藥品係藉由基板W旋轉所產生之離心力而沿著基板W之上表面及下表面流動，不久後自基板W之端緣部朝向側方飛散。藉此，進行基板W之化學藥品處理。自旋轉之基板W之端緣部飛散之化學藥品被外杯43之上端部43b阻擋，而沿著外杯43之內表面流下，回收至外側回收槽51。
又，於進行純水淋洗處理時，例如，內杯41、中杯42及外杯43全部上升，由旋轉夾頭20保持之基板W之周圍被內杯41之第1引導部47包圍。於該狀態下，基板W與旋轉夾頭20一併旋轉，自上表面處理液噴嘴60及下表面處理液噴嘴28將純水供給至基板W之上表面及下表面。與上述同樣地，上表面處理液噴嘴60係使噴嘴臂62旋轉而使噴出頭61移動至以水平姿勢保持於旋轉夾頭20而旋轉之基板W之上方之處理位置，自上述噴出頭61對基板W噴出純水。所供 給之純水係藉由基板W旋轉所產生之離心力而沿著基板W之上表面及下表面流動，不久後自基板W之端緣部朝向側方飛散。藉此，進行基板W之純水淋洗處理。自旋轉之基板W之端緣部飛散之純水沿著第1引導部47之內壁流下，自廢棄槽49排出。再者，於利用與化學藥品不同之路徑回收純水之情形時，亦可使中杯42及外杯43上升，於中杯42之第2引導部52之上端部52b與內杯41之第1引導部47之上端部47b之間，形成包圍由旋轉夾頭20保持之基板W之周圍之開口。
又，於進行甩乾處理時，內杯41、中杯42及外杯43全部下降，內杯41之第1引導部47之上端部47b、中杯42之第2引導部52之上端部52b及外杯43之上端部43b之任一個均位於較由旋轉夾頭20保持之基板W之下方。於該狀態下，基板W與旋轉夾頭20一併高速旋轉，藉由離心力將附著於基板W之水滴甩開，進行乾燥處理。
於進行如此般之對基板W供給處理液之表面處理時，雖然自旋轉之基板W飛散之處理液之大部分由處理杯40回收，但有時一部分會成為霧狀而飛散至處理杯40之外部為止。飛散至處理杯40之外部之處理液除附著於處理杯40之外側上表面或分隔板15上表面以外，亦附著於上表面處理液噴嘴60之噴嘴臂62及雙流體噴嘴80之噴嘴臂82。若放置附著於噴嘴臂62、82之處理液，則有於噴嘴臂62、82移動至處理位置時附著之處理液會滴落至基板W之上表面(所謂之散落)而成為污染源，或者附著之處理液進行乾燥而噴 嘴臂62、82成為微粒產生源之虞。
因此，於第1實施形態中，以如下之方式進行上表面處理液噴嘴60之噴嘴臂62及雙流體噴嘴80之噴嘴臂82之清洗處理。作為進行如此般之臂之清洗處理之時序，設為例如一個批次之處理結束之後直至開始下一批次之處理為止之期間即可。又，噴嘴臂62、82之清洗較佳為於處理批次間，且進行處理杯40之外側上表面43d之清洗之後進行分隔板15之上表面之清洗後進行。其原因在於：若進行噴嘴臂62、82之清洗處理之後進行分隔板15或處理杯40之清洗，則有於其等之清洗時產生之霧等再次附著於噴嘴臂62、82之虞。
於清洗上表面處理液噴嘴60之3根噴嘴臂62時，藉由旋轉驅動部63將3根噴嘴臂62及噴出頭61移動至較處理杯40靠外側之待機位置，於待機位置進行臂清洗。再者，待機位置係不論噴嘴臂62之高度位置，藉由旋轉驅動部63之旋轉動作而3根噴嘴臂62均到達之特定位置。即，於待機位置，藉由升降驅動部64可使噴出頭61及噴嘴臂62於上下方向上升降。
於噴嘴臂62及噴出頭61位於待機位置時，自臂清洗部70之簇射噴嘴71噴出清洗液。自簇射噴嘴71向朝向(+X)側之斜下方噴出清洗液。自簇射噴嘴71噴出之清洗液係噴附至上表面處理液噴嘴60之噴嘴臂62。藉此，清洗噴嘴臂62。
然而，於簇射噴嘴71複數之噴出孔並列設置成一行，清洗液之液流會自其等複數之噴出孔排列成一行而噴出。另 一方面，上表面處理液噴嘴60係於旋轉驅動部63沿著水平方向相互平行地連接設置有3根噴嘴臂62。因此，藉由排列成一行而噴出之清洗液流同時清洗3根噴嘴臂62較為困難。
因此，於第1實施形態中，升降驅動部64以噴嘴臂62橫穿自簇射噴嘴71朝向斜下方噴出之清洗液之液流之方式使噴嘴臂62升降。圖9係用以模式性地說明一面使3根噴嘴臂62升降一面進行清洗之情況之圖。自固定設置之簇射噴嘴71如圖中虛線所示般朝向斜下方噴出清洗液，並且升降驅動部64於待機位置使3根噴嘴臂62升降。於3根噴嘴臂62位於高度位置L1時，對3根噴嘴臂62中之最靠(+X)側之噴嘴臂62噴附清洗液而進行清洗。當升降驅動部64使3根噴嘴臂62自高度位置L1上升至高度位置L2為止時，3根噴嘴臂62中之中央之噴嘴臂62到達形成有清洗液之液流之位置，對該中央之噴嘴臂62噴附清洗液而進行清洗。進而，當升降驅動部64使3根噴嘴臂62自高度位置L2上升至高度位置L3為止時，3根噴嘴臂62中之最靠(-X)側之噴嘴臂62到達形成有清洗液之液流之位置，對上述噴嘴臂62噴附清洗液而進行清洗。
如此般，藉由升降驅動部64以噴嘴臂62橫穿自簇射噴嘴71朝向斜下方噴出之清洗液之液流之方式使噴嘴臂62升降，可藉由1根簇射噴嘴71依次對3根噴嘴臂62之全部噴出清洗液而進行清洗。
又，設置於簇射噴嘴71之複數之噴出孔之排列之Y方向 長度較噴嘴臂62之Y方向長度長，藉由自簇射噴嘴71朝向斜下方噴出之清洗液清洗整個噴嘴臂62。因此，可對噴嘴臂62中的於噴出頭61移動至處理位置時與由旋轉夾頭20保持之基板W對向之部位、即到達該基板W之上方之部位確實地進行清洗。
又，簇射噴嘴71係向朝向(+X)側之斜下方噴出清洗液，即向遠離保持基板W之旋轉夾頭20之方向噴出清洗液。藉此，噴附至噴嘴臂62等而產生清洗液之霧朝向腔室10之側壁11飛散，幾乎不附著於旋轉夾頭20。其結果，可防止由清洗上表面處理液噴嘴60之噴嘴臂62而引起之旋轉夾頭20之污染。
藉由自簇射噴嘴71朝向斜下方噴出清洗液，並且升降驅動部64使3根噴嘴臂62升降，而其等3根噴嘴臂62之全部之清洗結束之後，停止自簇射噴嘴71噴出清洗液。而且，繼而進行3根噴嘴臂62之乾燥處理。
於進行上表面處理液噴嘴60之3根噴嘴臂62之乾燥處理時，3根噴嘴臂62及噴出頭61亦位於待機位置，於上述待機位置進行臂乾燥。自臂乾燥部75之2根乾燥氣體噴嘴76對待機位置之噴嘴臂62噴附乾燥用氣體(氮氣)。自乾燥氣體噴嘴76朝向水平方向之(-Y)側噴出乾燥用氣體。自乾燥氣體噴嘴76噴出之乾燥用氣體係噴附至上表面處理液噴嘴60之噴嘴臂62。藉此，使於清洗後附著有清洗液之噴嘴臂62乾燥。
如圖3所示，臂乾燥部75之2根乾燥氣體噴嘴76係於鉛直 方向上隔開特定間隔並排配置。升降驅動部64調整噴嘴臂62之高度位置使得自上側之乾燥氣體噴嘴76將乾燥用氣體噴附至噴嘴臂62之沿水平方向延伸之部分，並且自下側之乾燥氣體噴嘴76將乾燥用氣體噴附至噴嘴臂62一面描繪平滑之圓弧一面朝向下側之部分。藉此，遍及整個噴嘴臂62噴附乾燥用氣體。其結果，對噴嘴臂62中的至少附著有自簇射噴嘴71噴出之清洗液之部位噴附乾燥用氣體而使其乾燥。
然而，於鉛直方向上隔開特定間隔並排配置之2根乾燥氣體噴嘴76雖然可對1根噴嘴臂62之整體噴附乾燥用氣體，但同時對連接於旋轉驅動部63之3根噴嘴臂62噴附乾燥用氣體較為困難。
因此，於第1實施形態中，旋轉驅動部63以噴嘴臂62橫穿自乾燥氣體噴嘴76沿水平方向噴出之乾燥用氣體之流體之方式使噴嘴臂62擺動。圖10係用以模式性地說明一面使3根噴嘴臂62擺動一面進行乾燥之情況之圖。自固定設置之乾燥氣體噴嘴76朝向水平方向之(-Y)側噴出乾燥用氣體，並且旋轉驅動部63使3根噴嘴臂62於水平面內擺動。藉此，自乾燥氣體噴嘴76噴出之乾燥用氣體係依次噴附至3根噴嘴臂62。其結果，可對上表面處理液噴嘴60之3根噴嘴臂62之全部噴附乾燥用氣體而進行乾燥。再者，於進行噴嘴臂62之乾燥時，旋轉驅動部63使噴嘴臂62擺動之角度設為3根噴嘴臂62均橫穿自乾燥氣體噴嘴76噴出之乾燥用氣體之流體之程度即可。
又，由於乾燥氣體噴嘴76設置於較噴嘴臂62之前端靠前方側((+Y)側)之位置，故自噴嘴臂62之前端側噴附乾燥用氣體。藉此，即便於藉由乾燥用氣體之噴附而附著於噴嘴臂62之清洗液被吹走之情形時，因飛散至噴嘴臂62之基端側((-Y)側)，故亦可防止清洗液之液滴附著於噴出頭61及噴嘴臂62之前端側。其結果，可使噴嘴臂62中的於噴出頭61移動至處理位置時與由旋轉夾頭20保持之基板W對向之部位保持清潔。
藉由自乾燥氣體噴嘴76沿水平方向噴出乾燥用氣體，並且旋轉驅動部63使3根噴嘴臂62於水平面內擺動，而其等3根噴嘴臂62之全部之乾燥處理結束之後，停止自乾燥氣體噴嘴76噴出乾燥用氣體。如此般，完成上表面處理液噴嘴60之噴嘴臂62之清洗處理及乾燥處理。
若如第1實施形態般進行操作，則即便處理液附著於上表面處理液噴嘴60之噴嘴臂62，亦於自簇射噴嘴71對噴嘴臂62噴出清洗液進行清洗後自乾燥氣體噴嘴76噴出乾燥用氣體使其乾燥而將附著之處理液去除。因此，可防止因放置附著於噴嘴臂62之處理液而引起之污染。
又，於第1實施形態中，固定設置有噴出清洗液之簇射噴嘴71及噴出乾燥用氣體之乾燥氣體噴嘴76。於將該等要素安裝於運轉之上表面處理液噴嘴60自身之情形時，必需將對簇射噴嘴71及乾燥氣體噴嘴76供給流體(此處為清洗液及乾燥用氣體)之配管設為可動對應者，不得不受到與設置空間或上表面處理液噴嘴60之干擾等制約。若固定設 置簇射噴嘴71及乾燥氣體噴嘴76，則對其等供給流體之配管亦可設為固定配管，而不受上述制約。
對於雙流體噴嘴80之噴嘴臂82之清洗處理及乾燥處理亦與上述上表面處理液噴嘴60大致相同。即，藉由自簇射噴嘴91對待機位置之噴嘴臂82噴出清洗液而進行噴嘴臂82之清洗處理。此時，升降驅動部84以噴嘴臂82橫穿自簇射噴嘴91向朝向(-Y)側之斜下方噴出之清洗液之液流之方式使噴嘴臂82升降。
對於雙流體噴嘴80，由於噴嘴臂82為1根，故並不一定需要與上表面處理液噴嘴60同樣地使噴嘴臂82升降，為了亦對自噴嘴臂82之中途分支之支撐構件86確實地進行清洗，較佳為如上述般使噴嘴臂82相對於朝向斜下方噴出之清洗液之液流升降。藉由升降驅動部84以噴嘴臂82橫穿自簇射噴嘴91朝向斜下方噴出之清洗液之液流之方式使噴嘴臂82升降，可藉由1根簇射噴嘴91依次對噴嘴臂82及支撐構件86該兩者噴出清洗液而進行清洗。
又，設置於簇射噴嘴91之複數之噴出孔之排列之X方向長度較噴嘴臂82之X方向長度長，藉由自簇射噴嘴91朝向斜下方噴出之清洗液清洗整個噴嘴臂82。因此，可對噴嘴臂82中的於噴出頭81移動至處理位置時與由旋轉夾頭20保持之基板W對向之部位確實地進行清洗。再者，於噴出頭81移動至處理位置時，支撐構件86亦與由旋轉夾頭20保持之基板W對向，藉由如上述般使噴嘴臂82相對於向斜下方噴出之清洗液升降而清洗支撐構件86。
又，簇射噴嘴91係向朝向(-Y)側之斜下方噴出清洗液，即向遠離保持基板W之旋轉夾頭20之方向噴出清洗液。藉此，噴附至噴嘴臂82等而產生之清洗液之霧朝向腔室10之側壁11飛散，幾乎不附著於旋轉夾頭20。其結果，可防止因清洗雙流體噴嘴80之噴嘴臂82而引起之旋轉夾頭20之污染。
於進行噴嘴臂82之乾燥處理時，自臂乾燥部95之2根乾燥氣體噴嘴96對待機位置之噴嘴臂82噴附乾燥用氣體。藉此，對噴嘴臂82中的至少附著有自簇射噴嘴91噴出之清洗液之部位噴附乾燥用氣體而使其乾燥。又，亦自乾燥氣體噴嘴97及乾燥氣體噴嘴98分別朝向支撐構件86及氣體噴頭85噴附乾燥用氣體。藉此，亦使附著於支撐構件86及氣體噴頭85之清洗液乾燥。
於進行雙流體噴嘴80之噴嘴臂82之乾燥處理時，亦與上述上表面處理液噴嘴60之乾燥同樣地，旋轉驅動部83亦可以噴嘴臂82橫穿自固定設置之乾燥氣體噴嘴96沿水平方向噴出之乾燥用氣體之流體之方式使噴嘴臂82擺動。若如此般進行操作，則可對噴嘴臂82及支撐構件86該兩者確實地噴附乾燥用氣體而使其乾燥。
若如第1實施形態般進行操作，則即便處理液附著於雙流體噴嘴80之噴嘴臂82，亦於自簇射噴嘴91對噴嘴臂82噴出清洗液進行清洗後自乾燥氣體噴嘴96噴出乾燥用氣體使其乾燥而將附著之處理液去除。因此，可防止因放置附著於噴嘴臂82之處理液而引起之污染。
又，於第1實施形態中，固定設置有噴出清洗液之簇射噴嘴91及噴出乾燥用氣體之乾燥氣體噴嘴96。因此，可將對簇射噴嘴91及乾燥氣體噴嘴96供給流體之配管設為固定配管，而不受於將其等要素安裝於運轉之雙流體噴嘴80之情形時產生之制約(與將簇射噴嘴71及乾燥氣體噴嘴76安裝於上表面處理液噴嘴60時相同之制約)。
<第2實施形態>
繼而，對本發明之第2實施形態進行說明。第2實施形態之基板處理裝置之構成及基板W之處理順序與第1實施形態相同。而且，與第1實施形態同樣地，於進行對基板W供給處理液之表面處理時，雖然自旋轉之基板W飛散之處理液之大部分被處理杯40回收，但有時一部分成為霧狀而飛散至處理杯40之外部。飛散至處理杯40之外部之處理液除附著於處理杯40之外側上表面或分隔板15上表面以外，亦附著於上表面處理液噴嘴60之噴嘴臂62及雙流體噴嘴80之噴嘴臂82。尤其，於對基板W噴出處理液時，上表面處理液噴嘴60之噴嘴臂62或雙流體噴嘴80之噴嘴臂82移動至基板W之上方之處理位置，而處理液容易附著於其等。若附著於噴嘴臂62、82之處理液就此放置，則有於進行下一基板W之處理時，於噴嘴臂62、82移動至處理位置時，附著之處理液滴落至基板W之上表面(所謂之散落)而成為污染源之虞。
因此，於第2實施形態中，以如下之方式進行上表面處理液噴嘴60之噴嘴臂62及雙流體噴嘴80之噴嘴臂82之乾燥 處理而消除於臂附著有處理液之狀態。作為進行如此般之臂之乾燥處理之時序，較佳為每當對1塊基板W噴出處理液之處理結束而噴出頭61(或噴出頭81)自處理位置返回至待機位置時進行。若每當對1塊基板W進行處理時進行噴嘴臂62、82之乾燥處理，則可防止於對某基板W噴出處理液時附著於臂之處理液於對下一基板W進行處理時成為污染源。
於進行上表面處理液噴嘴60之3根噴嘴臂62之乾燥處理時，3根噴嘴臂62及噴出頭61係藉由旋轉驅動部63而移動至較處理杯40靠外側之待機位置。即，於1塊基板W之處理結束而噴出頭61自處理位置返回至待機位置時，於上述待機位置進行臂乾燥。再者，待機位置係不論噴嘴臂62之高度位置，藉由旋轉驅動部63之旋轉動作而3根噴嘴臂62均到達較處理杯40靠外側之特定位置。又，只要是較處理杯40靠外側，則待機位置亦可為具有容許噴嘴臂62於水平面內之若干之旋轉角度之寬度者。
乾燥處理係藉由自臂乾燥部75之2根乾燥氣體噴嘴76對返回至待機位置之3根噴嘴臂62噴附乾燥用氣體(氮氣)而進行。自乾燥氣體噴嘴76朝向水平方向之(-Y)側噴出乾燥用氣體。自乾燥氣體噴嘴76噴出之乾燥用氣體係噴附至上表面處理液噴嘴60之噴嘴臂62。藉此，使於基板W之處理後附著有處理液之噴嘴臂62乾燥，將上述附著之處理液去除。
如圖3所示，臂乾燥部75之2根乾燥氣體噴嘴76係於鉛直 方向上隔開特定間隔並排配置。升降驅動部64調整噴嘴臂62之高度位置以自上側之乾燥氣體噴嘴76將乾燥用氣體噴附至噴嘴臂62之沿水平方向延伸之部分，並且自下側之乾燥氣體噴嘴76將乾燥用氣體噴附至噴嘴臂62一面描繪平滑之圓弧一面朝向下側之部分。藉此，遍及整個噴嘴臂62噴附乾燥用氣體。其結果，可對噴嘴臂62中的至少於噴出頭61移動至處理位置時與由旋轉夾頭20保持之基板W對向之部位、即到達該基板W之上方之部位確實地噴附乾燥用氣體而使其乾燥。
然而，於鉛直方向上隔開特定間隔並排配置之2根乾燥氣體噴嘴76雖然可對1根噴嘴臂62之整體噴附乾燥用氣體，但同時對連接於旋轉驅動部63之3根噴嘴臂62噴附乾燥用氣體較為困難。
因此，於第2實施形態中，旋轉驅動部63以噴嘴臂62之前端側橫穿自固定設置之乾燥氣體噴嘴76沿水平方向噴出之乾燥用氣體之流體之方式使噴嘴臂62擺動。如圖10所示，自固定設置之乾燥氣體噴嘴76朝向水平方向之(-Y)側噴出乾燥用氣體，並且旋轉驅動部63使3根噴嘴臂62於水平面內擺動。藉此，自乾燥氣體噴嘴76噴出之乾燥用氣體依次噴附至3根噴嘴臂62。其結果，可對上表面處理液噴嘴60之3根噴嘴臂62之全部噴附乾燥用氣體而使其乾燥。再者，於進行噴嘴臂62之乾燥時，旋轉驅動部63使噴嘴臂62擺動之角度設為3根噴嘴臂62均橫穿自乾燥氣體噴嘴76噴出之乾燥用氣體之流體之程度即可。而且，與該角度相 對應之噴嘴臂62之移動範圍為待機位置，噴嘴臂62係於待機位置內擺動。
又，由於乾燥氣體噴嘴76設置於較待機位置之噴嘴臂62之前端靠前方側((+Y)側)之位置，故於噴出頭61位於待機位置時自噴嘴臂62之前端側噴附乾燥用氣體。藉此，即便於藉由乾燥用氣體之噴附而附著於噴嘴臂62之處理液被吹走之情形時，因飛散至噴嘴臂62之基端側((-Y)側)，故亦可防止處理液之液滴附著於噴出頭61及噴嘴臂62之前端側。其結果，可使噴嘴臂62中的於噴出頭61移動至處理位置時與由旋轉夾頭20保持之基板W對向之部位保持清潔。
藉由自乾燥氣體噴嘴76沿水平方向噴出乾燥用氣體，並且旋轉驅動部63使3根噴嘴臂62於水平面內擺動，而其等3根噴嘴臂62之全部之乾燥處理結束之後，停止自乾燥氣體噴嘴76噴出乾燥用氣體。如此般，完成上表面處理液噴嘴60之噴嘴臂62之乾燥處理。然後，開始下一基板W之處理。
若如第2實施形態般進行操作，則即便於基板W之處理中處理液附著於上表面處理液噴嘴60之噴嘴臂62，亦自乾燥氣體噴嘴76對噴嘴臂62噴出乾燥用氣體使其乾燥而將附著之處理液去除。因此，可防止因於基板W之處理中附著有處理液之噴嘴臂62引起之污染。
尤其，若每當對1塊基板W噴出處理液之處理結束而噴出頭61自處理位置返回至待機位置時，對噴嘴臂62噴附乾燥用氣體而進行乾燥處理，則可防止接下來處理之基板W 被某基板W之處理中附著有處理液之噴嘴臂62污染。
又，於第2實施形態中，固定設置有噴出乾燥用氣體之乾燥氣體噴嘴76。於將乾燥氣體噴嘴76安裝於運轉之上表面處理液噴嘴60自身之情形時，必需將對乾燥氣體噴嘴76供給乾燥用氣體之配管設為可動對應者，不得不受到與設置空間或上表面處理液噴嘴60之干擾等制約。若固定設置乾燥氣體噴嘴76，則對其等供給流體之配管亦可設為固定配管，而不受上述制約。
對於雙流體噴嘴80之噴嘴臂82之乾燥處理亦與上述上表面處理液噴嘴60大致相同。即，於1塊基板W之處理結束而噴出頭81自處理位置返回至待機位置時，於上述待機位置進行噴嘴臂82之乾燥處理。乾燥處理係藉由自臂乾燥部95之2根乾燥氣體噴嘴96對返回至待機位置之噴嘴臂82噴附乾燥用氣體而進行。自乾燥氣體噴嘴96朝向水平方向之(+X)側噴出乾燥用氣體。自乾燥氣體噴嘴96噴出之乾燥用氣體係噴附至雙流體噴嘴80之噴嘴臂82。藉此，使於基板W之處理後附著有處理液之噴嘴臂82乾燥，將上述附著之處理液去除。又，亦自乾燥氣體噴嘴97及乾燥氣體噴嘴98分別朝向支撐構件86及氣體噴頭85噴附乾燥用氣體。藉此，亦使附著於支撐構件86及氣體噴頭85之處理液乾燥。
如圖6所示，臂乾燥部95之2根乾燥氣體噴嘴96係於鉛直方向上隔開特定間隔並排配置。升降驅動部84調整噴嘴臂82之高度位置以自上側之乾燥氣體噴嘴96將乾燥用氣體噴附至噴嘴臂82之沿水平方向延伸之部分，並且自下側之乾 燥氣體噴嘴96將乾燥用氣體噴附至噴嘴臂82一面描繪平滑之圓弧一面朝向下側之部分。藉此，遍及整個噴嘴臂82噴附乾燥用氣體。其結果，可對噴嘴臂82中的至少於噴出頭81移動至處理位置時與由旋轉夾頭20保持之基板W對向之部位、即到達該基板W之上方之部位確實地噴附乾燥用氣體而使其乾燥。
又，於進行雙流體噴嘴80之噴嘴臂82之乾燥處理時，亦與上述上表面處理液噴嘴60之乾燥同樣地，旋轉驅動部83以噴嘴臂82之前端側橫穿自固定設置之乾燥氣體噴嘴96沿水平方向噴出之乾燥用氣體之流體之方式使噴嘴臂82擺動。圖11係用以模式性地說明一面使雙流體噴嘴80之噴嘴臂82擺動一面進行乾燥之情況之圖。自固定設置之乾燥氣體噴嘴96朝向水平方向之(+X)側噴出乾燥用氣體，並且旋轉驅動部83使噴嘴臂82於水平面內擺動。藉此，自乾燥氣體噴嘴96噴出之乾燥用氣體依次噴附至噴嘴臂82及支撐構件86。其結果，可對雙流體噴嘴80之噴嘴臂82及支撐構件86該兩者噴附乾燥用氣體而進行乾燥。再者，於進行噴嘴臂82之乾燥時，旋轉驅動部83使噴嘴臂82擺動之角度設為噴嘴臂82及支撐構件86該兩者橫穿自乾燥氣體噴嘴96噴出之乾燥用氣體之流體之程度即可。而且，與該角度相對應之噴嘴臂82之移動範圍為待機位置，噴嘴臂82係於待機位置內擺動。
又，由於乾燥氣體噴嘴96設置於較待機位置之噴嘴臂82之前端靠前方側((-X)側)之位置，故於噴出頭81位於待機 位置時自噴嘴臂82之前端側噴附乾燥用氣體。藉此，即便於藉由乾燥用氣體之噴附而附著於噴嘴臂82之處理液被吹走之情形時，因飛散至噴嘴臂82之基端側((+X)側)，故亦可防止處理液之液滴附著於噴出頭81、氣體噴頭85及噴嘴臂82之前端側。其結果，可使噴嘴臂82中的於噴出頭81移動至處理位置時與由旋轉夾頭20保持之基板W對向之部位保持清潔。
藉由自乾燥氣體噴嘴96沿水平方向噴出乾燥用氣體，並且旋轉驅動部83使噴嘴臂82於水平面內擺動，而噴嘴臂82之乾燥處理結束之後，停止自乾燥氣體噴嘴96噴出乾燥用氣體。如此般，完成雙流體噴嘴80之噴嘴臂82之乾燥處理。然後，開始下一基板W之處理。
若如第2實施形態般進行操作，則即便於基板W之處理中處理液附著於雙流體噴嘴80之噴嘴臂82，亦自乾燥氣體噴嘴96對噴嘴臂82噴出乾燥用氣體使其乾燥而將附著之處理液去除。因此，可防止因於基板W之處理中附著有處理液之噴嘴臂82引起之污染。
尤其，若每當對1塊基板W噴出處理液之處理結束而噴出頭81自處理位置返回至待機位置時，對噴嘴臂82噴附乾燥用氣體而進行乾燥處理，則可防止接下來處理之基板W被某基板W之處理中附著有處理液之噴嘴臂82污染。
又，於第2實施形態中，固定設置有噴出乾燥用氣體之乾燥氣體噴嘴96。於將乾燥氣體噴嘴96安裝於運轉之雙流體噴嘴80自身之情形時，必需將對乾燥氣體噴嘴96供給乾 燥用氣體之配管設為可動對應者，不得不受到與設置空間或雙流體噴嘴80之干擾等制約。若固定設置乾燥氣體噴嘴96，則對其等供給流體之配管亦可設為固定配管，而不受上述制約。
<第3實施形態>
繼而，對本發明之第3實施形態進行說明。圖12係第3實施形態之基板處理裝置1a之俯視圖。於該圖中，對與第1實施形態相同之要素標註相同之符號並省略詳細之說明。又，基板處理裝置1a之縱剖面圖與圖2相同。第3實施形態之基板處理裝置1a亦為對半導體基板W逐塊進行處理之單片式處理裝置，對圓形之矽基板W進行化學藥品處理及使用純水之淋洗處理後進行乾燥處理。
圖13係表示上表面處理液噴嘴60之動作之概略之俯視圖。又，圖14係上表面處理液噴嘴60及待機容器170之側視模式圖。與第1實施形態同樣地，上表面處理液噴嘴60係於相互平行地設置之3根噴嘴臂62各自之前端安裝噴出頭61而構成。3根噴嘴臂62之基端側連結於旋轉驅動部63。於旋轉驅動部63，以沿著水平方向相互平行之方式連結有3根噴嘴臂62。旋轉驅動部63設置於較處理杯40靠外側處。旋轉驅動部63可藉由內置之旋轉馬達(省略圖示)而圍繞鉛直方向軸進行旋轉動作，可使3根噴嘴臂62於水平面內(XY平面內)一併旋轉。
如圖13所示，旋轉驅動部63係以噴出頭61於由旋轉夾頭20保持之基板W之上方之處理位置與較處理杯40靠外側之 待機位置之間呈圓弧狀移動之方式使噴嘴臂62於水平面內旋轉。以圖13之虛線表示噴出頭61到達處理位置時之3根噴嘴臂62之位置。又，以圖13之實線表示噴出頭61到達待機位置時之3根噴嘴臂62之位置。再者，亦將以噴出頭61於處理位置與待機位置之間移動之方式使噴嘴臂62旋轉之動作記作為使噴嘴臂62於處理位置與待機位置之間旋轉。
如圖14所示，3根噴嘴臂62分別以自旋轉驅動部63沿著水平方向延伸之方式將基端側連結於旋轉驅動部63。各噴嘴臂62之前端側係一面描繪平滑之圓弧一面朝向下側。而且，於朝向鉛直方向下側((-Z)側)之各噴嘴臂62之前端，安裝有對由旋轉夾頭20保持之基板W噴出處理液之噴出頭61。以自圖外之處理液供給機構經由噴嘴臂62之內側將複數種處理液(至少包含純水)供給至噴出頭61之方式構成。供給至噴出頭61之處理液係自噴出頭61朝向鉛直方向下方噴出。於由旋轉夾頭20保持之基板W之上方之處理位置自噴出頭61噴出之處理液著液於該基板W之上表面。另一方面，於噴出頭61移動至較處理杯40靠外側之待機位置時，噴嘴臂62亦於較處理杯40靠外側沿著Y方向待機(參照圖12、圖13)。
又，旋轉驅動部63安裝於升降驅動部64。升降驅動部64係藉由內置之升降馬達(省略圖示)，使旋轉驅動部63與3個噴出頭61及3根噴嘴臂62一併沿著鉛直方向升降。
於噴出頭61之待機位置設置有待機容器170。於待機容器170設置有作為凹部之收容部175。待機容器170係於待 機位置將上表面處理液噴嘴60之噴出頭61收容於收容部175。噴出頭61係於對基板W供給處理液之前，將於頭內滯留固定時間以上而發生變質或者溫度降低之特定量之處理液噴出至待機容器170之收容部175內(預分配)。再者，於待機容器170，既可設置一併收容3個噴出頭61之橫寬之收容部175，亦可設置個別地收容3個噴出頭61之3個收容部175。
於收容部175之底部連接有廢棄管線171。於廢棄管線171插入有廢棄閥172。藉由打開廢棄閥172，可使收容部175內之液體通過廢棄管線171而排出至外部。
又，於待機容器170之收容部175設置有清洗液噴出部176。清洗液噴出部176係固定設置於收容部175之側壁。於清洗液噴出部176，設置有朝向收容部175之內側之複數之噴出孔。以自圖外之清洗液供給機構將清洗液(本實施形態中為純水)供給至清洗液噴出部176之方式構成。自上述清洗液供給機構供給之清洗液係自清洗液噴出部176之噴出孔朝向收容部175之內側噴出。再者，作為清洗液噴出部176，並不限定於設置有複數之噴出孔之構件，可採用噴出嘴等可噴出液體之公知之多種機構。
於待機容器170之上表面且收容部175之上部開口附近，設置有乾燥氣體噴出部177。於乾燥氣體噴出部177，設置有朝向作為斜下方之收容部175之上部開口附近之複數之噴出孔。以自圖外之乾燥氣體供給源將乾燥用氣體(本實施形態中為氮氣(N2 ))供給至乾燥氣體噴出部177之方式構 成。自上述乾燥氣體供給源供給之乾燥用氣體係自乾燥氣體噴出部177之噴出孔朝向收容部175之上部開口附近噴出。再者，作為乾燥氣體噴出部177，並不限定於設置有複數之噴出孔之構件，可採用氣體噴嘴等可噴出氣體之公知之多種機構。
於待機容器170，進而設置有臂乾燥部178。臂乾燥部178設置於待機容器170之上表面且較乾燥氣體噴出部177靠噴嘴臂62之基端側((-Y)側)之位置。臂乾燥部178係以可朝向斜上方即待機位置之噴嘴臂62噴出自上述乾燥氣體供給源供給之乾燥用氣體之方式構成。再者，作為臂乾燥部178，亦可採用可噴出氣體之公知之多種機構。
於基板處理裝置1，與上表面處理液噴嘴60分開地另外設置有雙流體噴嘴80。圖15係表示雙流體噴嘴80之動作之概略之俯視圖。又，圖16係雙流體噴嘴80及待機容器190之側視模式圖。雙流體噴嘴80係將純水等處理液與經加壓之氣體混合而生成液滴，並將上述液滴與氣體之混合流體噴射至基板W之清洗噴嘴。雙流體噴嘴80係於噴嘴臂82之前端安裝噴出頭81，並且於以自噴嘴臂82分支之方式設置之支撐構件86安裝氣體噴頭85而構成。噴嘴臂82之基端側連結於旋轉驅動部83。旋轉驅動部83配置於較處理杯40靠外側處。旋轉驅動部83可藉由內置之旋轉馬達(省略圖示)而圍繞鉛直方向軸進行旋轉動作，可使噴嘴臂82於水平面內(XY平面內)旋轉。
如圖15所示，旋轉驅動部83係以噴出頭81於由旋轉夾頭 20保持之基板W之上方之處理位置與較處理杯40靠外側之待機位置之間呈圓弧狀移動之方式使噴嘴臂82於水平面內旋轉。以圖15之虛線表示噴出頭81到達處理位置時之噴嘴臂82之位置。又，以圖15之實線表示噴出頭81到達待機位置時之噴嘴臂82之位置。再者，與上述上表面處理液噴嘴60同樣地，亦將以噴出頭81於處理位置與待機位置之間移動之方式使噴嘴臂82旋轉之動作記作為使噴嘴臂82於處理位置與待機位置之間旋轉。
如圖16所示，噴嘴臂82係以自旋轉驅動部83沿著水平方向延伸之方式將基端側連結於旋轉驅動部83。噴嘴臂82之前端側係一面描繪平滑之圓弧一面朝向下側。而且，於朝向鉛直方向下側((-Z)側)之噴嘴臂82之前端，安裝有朝向由旋轉夾頭20保持之基板W噴出處理液之噴出頭81。以自圖外之處理液供給機構經由噴嘴臂82之內側將處理液(本實施形態中為純水)供給至噴出頭81之方式構成。
於噴嘴臂82之中途安裝有支撐構件86。於支撐構件86安裝有氣體噴頭85。氣體噴頭85係以位於噴出頭81之側方之方式設置於支撐構件86。將經加壓之惰性氣體(本實施形態中為氮氣)供給至氣體噴頭85。藉由於處理位置自噴出頭81噴出處理液，並且自氣體噴頭85噴出經加壓之惰性氣體並將其混合於來自噴出頭81之處理液，而生成處理液之液滴，將上述液滴與惰性氣體之混合流體噴射至由旋轉夾頭20保持之基板W之上表面。另一方面，於噴出頭81移動至較處理杯40靠外側之待機位置時，噴嘴臂82亦於較處理 杯40靠外側沿著X方向待機(參照圖1、圖5)。
又，旋轉驅動部83安裝於升降驅動部84。升降驅動部84係藉由內置之升降馬達(省略圖示)，使旋轉驅動部83與噴出頭81、氣體噴頭85及噴嘴臂82一併沿著鉛直方向升降。
於噴出頭81之待機位置設置有待機容器190。於待機容器190設置有作為凹部之收容部195。待機容器190係於待機位置將雙流體噴嘴80之噴出頭81及氣體噴頭85收容於收容部195。噴出頭81係於對基板W供給處理液之前，於待機容器190之收容部195內進行與上述噴出頭61相同之預分配。
於收容部195之底部連接有廢棄管線191。於廢棄管線191插入有廢棄閥192。藉由打開廢棄閥192，可使收容部195內之液體通過廢棄管線191而排出至外部。
於待機容器190之收容部195設置有清洗液噴出部196。清洗液噴出部196係固定設置於收容部195之側壁。於清洗液噴出部196，設置有朝向收容部195之內側之複數之噴出孔。以自圖外之清洗液供給機構將清洗液供給至清洗液噴出部196之方式構成。自上述清洗液供給機構供給之清洗液係自清洗液噴出部196之噴出孔朝向收容部195之內側噴出。再者，作為清洗液噴出部196，並不限定於設置有複數之噴出孔之構件，可採用噴出嘴等可噴出液體之公知之多種機構。
於待機容器190之上表面且收容部195之上部開口附近，設置有乾燥氣體噴出部197。於乾燥氣體噴出部197，設置 有朝向作為斜下方之收容部195之上部開口附近之複數之噴出孔。以自圖外之乾燥氣體供給源將乾燥用氣體供給至乾燥氣體噴出部197之方式構成。自上述乾燥氣體供給源供給之乾燥用氣體係自乾燥氣體噴出部197之噴出孔朝向收容部195之上部開口附近噴出。再者，作為乾燥氣體噴出部197，並不限定於設置有複數之噴出孔之構件，可採用氣體噴嘴等可噴出氣體之公知之多種機構。
進而，於待機容器190設置有臂乾燥部198。臂乾燥部198設置於待機容器190之上表面且較乾燥氣體噴出部197靠噴嘴臂82之基端側((+X)側)之位置。臂乾燥部198係以可朝向斜上方即待機位置之噴嘴臂82噴出自上述乾燥氣體供給源供給之乾燥用氣體之方式構成。再者，作為臂乾燥部198，亦可採用可噴出氣體之公知之多種機構。
繼而，對具有上述構成之基板處理裝置1a中之動作進行說明。基板處理裝置1a中之通常之基板W之處理順序與第1及第2實施形態相同。於進行對基板W供給處理液之表面處理時，自旋轉之基板W飛散之處理液附著於上表面處理液噴嘴60之噴出頭61。又，有時很大程度地飛散之處理液之一部分亦附著於噴嘴臂62。又，於使用雙流體噴嘴80進行基板W之表面處理時，飛散之處理液附著於噴出頭81及氣體噴頭85。若放置附著於該等噴出頭61等之處理液，則有於噴出頭61移動至處理位置時附著之處理液滴落至基板W之上表面(所謂之散落)而成為污染源，或者附著之處理液進行乾燥而成為微粒產生源之虞。
因此，於第3實施形態中，以如下之方式進行上表面處理液噴嘴60之噴出頭61之清洗處理。作為進行如此般之噴出頭61之清洗處理之時序，較佳為每當對1塊基板W噴出處理液之處理結束而噴出頭61自處理位置返回至待機位置時進行。若每當對1塊基板W進行處理時進行噴出頭61之清洗處理，則可防止於對某基板W噴出處理液時附著於噴出頭61之處理液於對下一基板W進行處理時成為污染源。
圖17至圖20係對上表面處理液噴嘴60之噴出頭61之清洗處理之順序進行說明之圖。首先，結束對於某基板W之如上所述之處理，旋轉驅動部63使噴嘴臂62旋轉而使處理後之噴出頭61自處理位置移動至較處理杯40靠外側之待機位置。於待機位置配置有待機容器170。由此，返回至待機位置為止之噴出頭61係如圖17所示，停止於待機容器170之正上方。於該剛處理後之噴出頭61及噴嘴臂62之一部分附著有於處理中自旋轉之基板W飛散之處理液。
繼而，升降驅動部64使噴嘴臂62及噴出頭61沿著鉛直方向下降，使噴出頭61嵌入待機容器170之收容部175。繼而，如圖18所示，自設置於待機容器170之清洗液噴出部176朝向收容於收容部175之噴出頭61噴出清洗液。藉此，沖洗於處理中附著於噴出頭61之處理液。
自清洗液噴出部176朝向噴出頭61噴出之清洗液係與被沖洗之處理液一併滴落於收容部175內。滴落於收容部175內之清洗液係藉由打開廢棄閥172而自廢棄管線171向外部排出。
於自清洗液噴出部176噴出清洗液特定時間之時間點停止噴出清洗液。繼而，如圖19所示，自設置於待機容器170之乾燥氣體噴出部177朝向作為斜下方之收容部175之上部開口附近噴出乾燥用氣體。又，自設置於待機容器170之上表面之臂乾燥部178朝向噴嘴臂62噴出乾燥用氣體。
自乾燥氣體噴出部177及臂乾燥部178噴出乾燥用氣體，並且升降驅動部64使噴嘴臂62及噴出頭61沿著鉛直方向緩慢上升。藉此，如圖20所示，自待機容器170之收容部175提拉噴出頭61，並且自乾燥氣體噴出部177對上述提拉之噴出頭61噴附乾燥用氣體。繼而，藉由提拉噴出頭61，並且自乾燥氣體噴出部177噴附乾燥用氣體，將附著於噴出頭61之清洗液吹走而使其乾燥。
又，自臂乾燥部178噴出之乾燥用氣體係噴附至噴嘴臂62。藉此，亦使附著於噴嘴臂62之處理液乾燥。
於噴嘴臂62及噴出頭61上升至特定之高度位置為止之時間點停止利用升降驅動部64使噴嘴臂62及噴出頭61上升。繼而，為了進行由旋轉夾頭20保持之下一基板W之處理，旋轉驅動部63使噴嘴臂62旋轉而使經清潔化之噴出頭61自待機位置再次移動至處理位置。噴出頭61係於即將開始自待機位置移動之前，於待機容器170之收容部175進行預分配。
又，於使用雙流體噴嘴80進行基板W之表面處理之情形時，由於處理液附著於上述噴出頭81及氣體噴頭85，故進 行該等之清洗處理。雙流體噴嘴80之噴出頭81及氣體噴頭85之清洗處理之順序係與上述上表面處理液噴嘴60之噴出頭61之清洗處理順序大致相同。即，使結束處理而返回至待機位置之噴出頭81及氣體噴頭85下降而收容於待機容器190之收容部195。繼而，自設置於待機容器190之清洗液噴出部196朝向噴出頭81及氣體噴頭85噴出清洗液，沖洗於處理中附著於噴出頭81及氣體噴頭85之處理液。
繼而，停止自清洗液噴出部196噴出清洗液，自設置於待機容器190之乾燥氣體噴出部197朝向作為斜下方之收容部195之上部開口附近噴出乾燥用氣體。繼而，自待機容器190之收容部195緩慢提拉噴出頭81及氣體噴頭85。藉由自乾燥氣體噴出部197對上述噴出頭81及氣體噴頭85噴附乾燥用氣體，將附著於噴出頭81及氣體噴頭85之清洗液吹走而使其乾燥。
又，亦自設置於待機容器190之上表面之臂乾燥部198朝向噴嘴臂82噴出乾燥用氣體，藉此，亦使附著於噴嘴臂82之處理液乾燥。
於第3實施形態中，即便於基板W之處理中處理液附著於上表面處理液噴嘴60之噴出頭61，亦於待機容器170對上述噴出頭61噴出清洗液進行清洗之後，自設置於待機容器170之乾燥氣體噴出部177對噴出頭61噴出乾燥用氣體而使清洗液乾燥。因此，可防止因附著於噴出頭61之處理液引起之污染。
又，不僅於待機容器170對噴出頭61噴出清洗液進行清 洗，亦對清洗後之附著有清洗液之噴出頭61噴附乾燥用氣體而使其乾燥。因此，可防止於清洗後之噴出頭61移動至處理位置時，清洗液自噴出頭61滴落至基板W上。
又，若於待機容器170之收容部175內自清洗液噴出部176噴出清洗液而清洗噴出頭61，則可防止上述清洗液飛散至待機容器170之外部而清洗液附著於旋轉夾頭20等腔室10內之機構。
又，自待機容器170提拉噴出頭61，並且自乾燥氣體噴出部177朝向斜下方噴出乾燥用氣體並噴附至噴出頭61。因此，可自噴出頭61朝向下方高效率地吹走清洗液而使其乾燥。
進而，自設置於待機容器170之上表面之臂乾燥部178對噴嘴臂62噴附乾燥用氣體，亦使附著於噴嘴臂62之處理液乾燥。因此，亦可防止由附著有處理液之噴嘴臂62引起之污染。
又，於將雙流體噴嘴80之噴出頭81及氣體噴頭85收容於待機容器190，對其等噴出清洗液進行清洗之後，自乾燥氣體噴出部197噴出乾燥用氣體而使清洗液乾燥之情形時，亦可獲得與上述相同之效果。
<變形例>
以上，對本發明之實施形態進行了說明，但除上述者以外，本發明可在不脫離其主旨之範圍內進行多種變更。例如，亦可同時進行第1實施形態與第2實施形態。具體而言，亦可每當對1塊基板W進行處理時進行第2實施形態之 乾燥處理，於1個批次之處理結束時進行第1實施形態之清洗處理。
又，於第1實施形態中，藉由自較噴嘴臂62、82長之簇射噴嘴71、91噴出清洗液而清洗噴嘴臂62、82之整體，但並不一定需要清洗整體，亦可僅清洗噴嘴臂62、82之一部分。於清洗噴嘴臂62、82之一部分時，對當噴出頭61、81移動至處理位置時與由旋轉夾頭20保持之基板W對向之部位確實地進行清洗。即，清洗噴嘴臂62、82中的至少於噴出頭61、81移動至處理位置時與由旋轉夾頭20保持之基板W對向之部位即可。藉此，可防止於噴出頭61、81移動至處理位置時，附著於噴嘴臂62、82之處理液滴落至基板W之上表面。
又，於第1實施形態中，藉由升降驅動部64以噴嘴臂62橫穿自簇射噴嘴71朝向斜下方噴出之清洗液之液流之方式使噴嘴臂62升降，而藉由1根簇射噴嘴71清洗3根噴嘴臂62，但亦可代替於此而使用大角度地噴出清洗液之簇射噴嘴。若使用如此般之簇射噴嘴，則可無需使噴嘴臂62升降，而清洗3根噴嘴臂62之全部。
又，亦可於待機位置之3根噴嘴臂62各自之正上方設置簇射噴嘴，自其等簇射噴嘴向正下方噴出清洗液而清洗3根噴嘴臂62。如此般，亦可將附著於噴嘴臂62之處理液去除而防止污染。然而，如第1實施形態般，將簇射噴嘴71設置於待機位置之噴嘴臂62之斜上方可減少簇射噴嘴71之根數，並且可防止噴附至噴嘴臂62而產生之清洗液之霧附 著於旋轉夾頭20。
又，於第1實施形態中，藉由簇射噴嘴71、91及乾燥氣體噴嘴76、96主要進行噴嘴臂62、82之清洗、乾燥處理，但亦可一併進行噴嘴臂62、82與噴出頭61、81及氣體噴頭85之清洗、乾燥處理。然而，對於噴出頭61、81及氣體噴頭85，較佳為如第3實施形態般，藉由設置於待機位置之待機容器170、190進行清洗、乾燥處理。
又，於第2實施形態中，亦可於1塊基板W之處理結束而噴出頭61自處理位置返回至待機位置時，自簇射噴嘴71對斜下方之噴嘴臂62噴出清洗液而進行清洗處理之後，自乾燥氣體噴嘴76噴附乾燥用氣體而進行噴嘴臂62之乾燥處理。同樣地，對於雙流體噴嘴80，亦可於1塊基板W之處理結束而噴出頭81自處理位置返回至待機位置時，自簇射噴嘴91對斜下方之噴嘴臂62噴出清洗液而進行清洗處理之後，自乾燥氣體噴嘴96噴附乾燥用氣體而進行噴嘴臂82之乾燥處理。若如此般，進行噴出清洗液之清洗處理後噴附乾燥用氣體而進行噴嘴臂62、82之乾燥處理，則可將於基板W之處理中附著於噴嘴臂62、82之處理液確實地去除。然而，若每當1塊基板W之處理結束時均進行噴出清洗液之清洗處理與噴附乾燥用氣體之乾燥處理，則需要相應之時間而基板W之處理間時間變長，基板處理裝置1之處理量降低。因此，較佳為於基板W之處理間僅進行如第2本實施形態般之噴嘴臂62、82之乾燥處理，於例如批次間進行如第1實施形態般之噴出清洗液之清洗處理及噴附乾燥 用氣體之乾燥處理該兩者。
又，於第2實施形態中，以噴嘴臂62之前端側橫穿自乾燥氣體噴嘴76噴出之乾燥用氣體之流體之方式使噴嘴臂62擺動而使3根噴嘴臂62均乾燥，但亦可代替於此，於與停止在待機位置之3根噴嘴臂62各者對向之位置設置乾燥氣體噴嘴76，自其等個別地噴出乾燥用氣體而使3根噴嘴臂62乾燥。
又，於第3實施形態中，自待機容器170之清洗液噴出部176朝向噴出頭61噴出清洗液而進行清洗，但亦可代替於此，對收容部175內供給清洗液並使其存留，使噴出頭61浸漬於上述所存留之清洗液中而進行清洗。又，亦可對收容部175內供給清洗液之霧，藉此清洗噴出頭61。即，為對收容於待機容器170之收容部175之噴出頭61供給清洗液而進行清洗之形態即可。
又，於第3實施形態中，每當對1塊基板W進行處理時進行噴出頭61之清洗處理，但亦可於1個批次之處理結束後直至開始下一批次之處理為止之期間進行噴出頭61之清洗處理。就防止因附著於噴出頭61之處理液引起之污染之觀點而言，較佳為每當對1塊基板W進行處理時進行噴出頭61之清洗處理，但為了提高處理量針對每一批次進行清洗處理更有利。
又，根據基板處理裝置1、1a而成為處理對象之基板並不限定於半導體基板，亦可為液晶顯示裝置等平板顯示器中使用之玻璃基板。
1‧‧‧基板處理裝置
3‧‧‧控制部
10‧‧‧腔室
11‧‧‧側壁
15‧‧‧分隔板
20‧‧‧旋轉夾頭
21‧‧‧旋轉底座
22‧‧‧旋轉馬達
28‧‧‧下表面處理液噴嘴
40‧‧‧處理杯
41‧‧‧內杯
42‧‧‧中杯
43‧‧‧外杯
60‧‧‧上表面處理液噴嘴
61‧‧‧噴出頭
62‧‧‧噴嘴臂
63‧‧‧旋轉驅動部
64‧‧‧升降驅動部
70‧‧‧臂清洗部
71‧‧‧簇射噴嘴
75‧‧‧臂乾燥部
76‧‧‧乾燥氣體噴嘴
80‧‧‧雙流體噴嘴
81‧‧‧噴出頭
82‧‧‧噴嘴臂
83‧‧‧旋轉驅動部
84‧‧‧升降驅動部
85‧‧‧氣體噴頭
86‧‧‧支撐構件
90‧‧‧臂清洗部
91‧‧‧簇射噴嘴
95‧‧‧臂乾燥部
96‧‧‧乾燥氣體噴嘴
97‧‧‧乾燥氣體噴嘴
98‧‧‧乾燥氣體噴嘴
170‧‧‧待機容器
175‧‧‧收容部
176‧‧‧清洗液噴出部
177‧‧‧乾燥氣體噴出部
178‧‧‧臂乾燥部
190‧‧‧待機容器
195‧‧‧收容部
196‧‧‧清洗液噴出部
197‧‧‧乾燥氣體噴出部
198‧‧‧臂乾燥部
W‧‧‧基板
X‧‧‧方向
Y‧‧‧方向
Z‧‧‧方向
圖1係本發明之基板處理裝置之俯視圖。
圖2係圖1之基板處理裝置之縱剖面圖。
圖3係上表面處理液噴嘴之側視圖。
圖4係自前端側觀察上表面處理液噴嘴所得之正視圖。
圖5係表示上表面處理液噴嘴之旋轉動作之情況之圖。
圖6係雙流體噴嘴之側視圖。
圖7係自前端側觀察雙流體噴嘴所得之正視圖。
圖8係表示雙流體噴嘴之旋轉動作之情況之圖。
圖9係用以模式性地說明一面使3根噴嘴臂升降一面進行清洗之情況之圖。
圖10係用以模式性地說明一面使3根噴嘴臂擺動一面進行乾燥之情況之圖。
圖11係用以模式性地說明一面使雙流體噴嘴之噴嘴臂擺動一面進行乾燥之情況之圖。
圖12係第3實施形態之基板處理裝置之俯視圖。
圖13係表示上表面處理液噴嘴之動作之概略之俯視圖。
圖14係上表面處理液噴嘴及待機容器之側視模式圖。
圖15係表示雙流體噴嘴之動作之概略之俯視圖。
圖16係雙流體噴嘴及待機容器之側視模式圖。
圖17係對上表面處理液噴嘴之噴出頭之清洗處理之順序進行說明之圖。
圖18係對上表面處理液噴嘴之噴出頭之清洗處理之順序進行說明之圖。
圖19係對上表面處理液噴嘴之噴出頭之清洗處理之順序進行說明之圖。
圖20係對上表面處理液噴嘴之噴出頭之清洗處理之順序進行說明之圖。
60‧‧‧上表面處理液噴嘴
62‧‧‧噴嘴臂
63‧‧‧旋轉驅動部
70‧‧‧臂清洗部
71‧‧‧簇射噴嘴
75‧‧‧臂乾燥部
76‧‧‧乾燥氣體噴嘴
W‧‧‧基板
X‧‧‧方向
Y‧‧‧方向
Z‧‧‧方向

Claims (29)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵在於包含：基板保持機構，其使基板保持大致水平姿勢而旋轉；杯，其包圍上述基板保持機構之周圍；噴嘴臂，其於前端具備對由上述基板保持機構保持之基板噴出處理液之噴出頭；旋轉驅動部，其以上述噴出頭於由上述基板保持機構保持之基板之上方之處理位置與較上述杯靠外側之待機位置之間移動之方式使上述噴嘴臂旋轉；及臂清洗機構，其對上述噴嘴臂中的、至少於上述噴出頭移動至上述處理位置時與由上述基板保持機構保持之基板對向之部位進行清洗；其中上述旋轉驅動部係設置於較上述杯靠外側處並連結於上述噴嘴臂之基端；上述臂清洗機構包含簇射噴嘴，該簇射噴嘴係於上述噴出頭位於上述待機位置時對上述噴嘴臂噴出清洗液；其中進而包含氣體噴出部，該氣體噴出部係對上述噴嘴臂中的、至少附著有自上述簇射噴嘴噴出之清洗液之部位噴附乾燥用氣體而使其乾燥；其中上述氣體噴出部設置於當上述噴出頭位於上述待機位置時自上述噴嘴臂之前端側噴附乾燥用氣體之位置。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中進而包含使上述噴嘴臂升降之升降驅動部； 上述簇射噴嘴係固定設置於較上述杯靠外側處並朝向斜下方噴出清洗液；上述升降驅動部係以上述噴嘴臂橫穿自上述簇射噴嘴噴出之清洗液之流體之方式使上述噴嘴臂升降。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其中上述簇射噴嘴向遠離上述基板保持機構之方向噴出清洗液。
  4. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中於上述旋轉驅動部，上述噴嘴臂沿著水平方向相互平行地連接有複數根。
  5. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中於上述噴嘴臂，使將氣體混合於自上述噴出頭噴出之處理液之氣體噴出部附設於上述噴出頭之側方。
  6. 一種基板處理方法，其特徵在於包含：旋轉步驟，其使於前端具備對於由基板保持機構以大致水平姿勢保持而旋轉之基板噴出處理液之噴出頭的噴嘴臂，以上述噴出頭於由上述基板保持機構保持之基板之上方之處理位置與較包圍上述基板保持機構之周圍之杯靠外側之待機位置之間移動之方式旋轉；及臂清洗步驟，其對上述噴嘴臂中的、至少於上述噴出頭移動至上述處理位置時與由上述基板保持機構保持之基板對向之部位進行清洗。
  7. 如請求項6之基板處理方法，其中上述臂清洗步驟包含當上述噴出頭位於上述待機位置時自簇射噴嘴對上述噴嘴臂噴出清洗液之清洗液噴出步驟。
  8. 如請求項7之基板處理方法，其中於上述清洗液噴出步驟中，一面自上述簇射噴嘴朝向斜下方噴出清洗液，一面以上述噴嘴臂橫穿自上述簇射噴嘴噴出之清洗液之流體之方式使上述噴嘴臂升降。
  9. 如請求項8之基板處理方法，其中上述簇射噴嘴向遠離上述基板保持機構之方向噴出清洗液。
  10. 如請求項7之基板處理方法，其中進而包含臂乾燥步驟，該臂乾燥步驟係對上述噴嘴臂中的、至少附著有自上述簇射噴嘴噴出之清洗液之部位噴附乾燥用氣體而使其乾燥。
  11. 如請求項10之基板處理方法，其中於上述臂乾燥步驟中，於上述噴出頭位於上述待機位置時自上述噴嘴臂之前端側噴附乾燥用氣體。
  12. 如請求項6至11中任一項之基板處理方法，其中上述噴嘴臂沿著水平方向相互平行地設置有複數根。
  13. 如請求項6至11中任一項之基板處理方法，其中於上述噴嘴臂，將氣體混合於自上述噴出頭噴出之處理液之氣體噴出部附設於上述噴出頭之側方。
  14. 一種基板處理裝置，其特徵在於包含：基板保持機構，其使基板保持大致水平姿勢而旋轉；杯，其包圍上述基板保持機構之周圍；噴嘴臂，其於前端具備對由上述基板保持機構保持之基板噴出處理液之噴出頭；旋轉驅動部，其以上述噴出頭於由上述基板保持機構 保持之基板之上方之處理位置與較上述杯靠外側之待機位置之間移動之方式使上述噴嘴臂旋轉；及氣體噴出部，其於上述噴出頭自上述處理位置返回至上述待機位置時，對上述噴嘴臂中的、至少於上述噴出頭移動至上述處理位置時與由上述基板保持機構保持之基板對向之部位噴附乾燥用氣體而使其乾燥；其中上述氣體噴出部係設置於當上述噴出頭位於上述待機位置時自上述噴嘴臂之前端側噴附乾燥用氣體之位置。
  15. 如請求項14之基板處理裝置，其中上述氣體噴出部係固定設置；上述旋轉驅動部係以上述噴嘴臂之前端側橫穿自上述氣體噴出部噴出之乾燥用氣體之流體之方式使上述噴嘴臂擺動。
  16. 如請求項14之基板處理裝置，其中上述氣體噴出部係每當對1塊基板噴出處理液之處理結束而上述噴出頭自上述處理位置返回至上述待機位置時，對上述噴嘴臂噴附乾燥用氣體。
  17. 如請求項14至16中任一項之基板處理裝置，其中於上述旋轉驅動部，上述噴嘴臂沿著水平方向相互平行地連接有複數根。
  18. 如請求項14至16中任一項之基板處理裝置，其中於上述噴嘴臂，使將氣體混合於自上述噴出頭噴出之處理液之氣體噴出部附設於上述噴出頭之側方。
  19. 一種基板處理方法，其特徵在於包含：處理步驟，其使於前端具備噴出頭之噴嘴臂旋轉而使上述噴出頭移動至由基板保持機構以大致水平姿勢保持而旋轉之基板之上方之處理位置，自上述噴出頭對上述基板噴出處理液；返回步驟，其使上述噴嘴臂旋轉而使上述噴出頭自上述處理位置返回至較包圍上述基板保持機構之周圍之杯靠外側之待機位置；及臂乾燥步驟，其於上述噴出頭自上述處理位置返回至上述待機位置時，自氣體噴出部對上述噴嘴臂中的、至少於上述噴出頭移動至上述處理位置時與由上述基板保持機構保持之基板對向之部位噴附乾燥用氣體而使其乾燥。
  20. 如請求項19之基板處理方法，其中於上述臂乾燥步驟中，於上述噴出頭位於上述待機位置時自上述噴嘴臂之前端側噴附乾燥用氣體。
  21. 如請求項20之基板處理方法，其中上述氣體噴出部係固定設置；於上述臂乾燥步驟中，以上述噴嘴臂之前端側橫穿自上述氣體噴出部噴出之乾燥用氣體之流體之方式使上述噴嘴臂擺動。
  22. 如請求項19之基板處理方法，其中每當1次上述處理步驟結束而上述噴出頭自上述處理位置返回至上述待機位置時，執行上述臂乾燥步驟。
  23. 如請求項19至22中任一項之基板處理方法，其中上述噴嘴臂沿著水平方向相互平行地設置有複數根。
  24. 如請求項19至22中任一項之基板處理方法，其中於上述噴嘴臂，使將氣體混合於自上述噴出頭噴出之處理液之氣體噴出部附設於上述噴出頭之側方。
  25. 一種基板處理裝置，其特徵在於包含：基板保持機構，其使基板保持大致水平姿勢而旋轉；杯，其包圍上述基板保持機構之周圍；噴嘴臂，其於前端具備對由上述基板保持機構保持之基板噴出處理液之噴出頭；旋轉驅動部，其以上述噴出頭於由上述基板保持機構保持之基板之上方之處理位置與較上述杯靠外側之待機位置之間移動之方式使上述噴嘴臂旋轉；待機容器，其配置於上述待機位置，收容上述噴出頭；清洗機構，其設置於上述待機容器，對收容於上述待機容器之上述噴出頭供給清洗液而進行清洗；及乾燥機構，其設置於上述待機容器，對由上述清洗機構清洗後之上述噴出頭噴附乾燥用氣體而使其乾燥；其中進而包含使上述噴嘴臂及上述噴出頭升降之升降驅動部；上述乾燥機構係對藉由上述升降驅動部而自上述待機容器提拉之上述噴出頭噴附乾燥用氣體。
  26. 如請求項25之基板處理裝置，其中於上述待機容器進而 設置對上述噴嘴臂噴附乾燥用氣體之臂乾燥機構。
  27. 一種基板處理方法，其特徵在於包含：處理步驟，其使於前端具備噴出頭之噴嘴臂旋轉而使上述噴出頭移動至由基板保持機構以大致水平姿勢保持而旋轉之基板之上方之處理位置，自上述噴出頭對上述基板噴出處理液；返回步驟，其使上述噴嘴臂旋轉而使上述噴出頭自上述處理位置返回至較包圍上述基板保持機構之周圍之杯靠外側之待機位置，將上述噴出頭收容於配置於上述待機位置之待機容器；清洗步驟，其自設置於上述待機容器之清洗機構對收容於上述待機容器之上述噴出頭供給清洗液而進行清洗；及乾燥步驟，其自設置於上述待機容器之乾燥機構對在上述清洗步驟中清洗之上述噴出頭噴附乾燥用氣體而使其乾燥。
  28. 如請求項27之基板處理方法，其中於上述乾燥步驟中，一面自上述待機容器提拉上述噴出頭，一面自上述乾燥機構對上述噴出頭噴附乾燥用氣體。
  29. 如請求項27或28之基板處理方法，其中上述乾燥步驟包含自設置於上述待機容器之臂乾燥機構對上述噴嘴臂噴附乾燥用氣體之臂乾燥步驟。
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Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6018528B2 (ja) * 2013-03-13 2016-11-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6319941B2 (ja) 2013-03-15 2018-05-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および吐出ヘッド待機方法
TWI563560B (en) * 2013-07-16 2016-12-21 Screen Holdings Co Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP6389089B2 (ja) 2014-09-18 2018-09-12 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US9812344B2 (en) 2015-02-03 2017-11-07 Applied Materials, Inc. Wafer processing system with chuck assembly maintenance module
US10332761B2 (en) 2015-02-18 2019-06-25 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
US10403517B2 (en) * 2015-02-18 2019-09-03 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
CN109037111B (zh) * 2015-02-25 2022-03-22 株式会社思可林集团 基板处理装置
KR102450031B1 (ko) 2015-09-02 2022-09-30 세메스 주식회사 대기 포트 및 이를 가지는 기판 처리 장치
JP6559602B2 (ja) * 2015-09-18 2019-08-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および処理チャンバ洗浄方法
US20170084470A1 (en) * 2015-09-18 2017-03-23 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and cleaning method of processing chamber
JP6473409B2 (ja) * 2015-11-10 2019-02-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス ノズル待機装置および基板処理装置
JP6714346B2 (ja) * 2015-11-10 2020-06-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス ノズル待機装置および基板処理装置
CN107221491B (zh) * 2016-03-22 2021-10-22 东京毅力科创株式会社 基板清洗装置
JP6557625B2 (ja) * 2016-03-23 2019-08-07 東芝メモリ株式会社 基板の生産方法、および基板の生産システム
JP6626762B2 (ja) 2016-03-30 2019-12-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6672091B2 (ja) * 2016-06-24 2020-03-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6789038B2 (ja) * 2016-08-29 2020-11-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6865008B2 (ja) * 2016-09-30 2021-04-28 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
CN106449481A (zh) * 2016-10-24 2017-02-22 上海华力微电子有限公司 改善单片清洗机的喷嘴工艺的方法、喷嘴清洗装置
CN106733950A (zh) * 2016-12-23 2017-05-31 中车贵阳车辆有限公司 一种铁路车辆用120阀外壁清洗机及其清洗方法
CN108269750B (zh) * 2016-12-30 2022-01-04 细美事有限公司 基板处理装置、使用其测量排出量的方法和基板处理方法
JP6487469B2 (ja) * 2017-01-16 2019-03-20 株式会社Ｇｏｌｄｅｎ Ｌｅａｆ−Ｗｏｒｋｓ 太陽光パネル洗浄装置および太陽光パネル洗浄方法
JP6861553B2 (ja) * 2017-03-24 2021-04-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
CN106925449A (zh) * 2017-05-17 2017-07-07 张爱恨 一种摆动旋转按摩水组件及应用该组件的花洒
JP6915498B2 (ja) * 2017-10-23 2021-08-04 東京エレクトロン株式会社 ノズル待機装置、液処理装置及び液処理装置の運転方法並びに記憶媒体
WO2019244197A1 (ja) * 2018-06-18 2019-12-26 株式会社Ｆｕｊｉ 吸着ノズル管理装置と吸着ノズル管理方法
KR102134433B1 (ko) 2018-09-13 2020-07-16 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP7236318B2 (ja) * 2019-04-26 2023-03-09 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、及び液処理方法
US11256180B2 (en) * 2019-04-29 2022-02-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Processing apparatus and method thereof
KR20200134352A (ko) * 2019-05-21 2020-12-02 삼성전자주식회사 스핀 코터 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
KR102346529B1 (ko) * 2019-06-24 2021-12-31 세메스 주식회사 액 공급 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법
KR102290675B1 (ko) * 2019-08-22 2021-08-17 세메스 주식회사 약액 충전 장치 및 방법
CN111014169B (zh) * 2019-12-17 2022-05-20 西安奕斯伟材料科技有限公司 一种清洗装置
CN112058752A (zh) * 2020-08-13 2020-12-11 刘雄 一种用于热处理工件的清洗装置
JP7509657B2 (ja) * 2020-10-29 2024-07-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR102583458B1 (ko) * 2020-11-27 2023-09-26 세메스 주식회사 기판 처리액 회수 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
KR102483378B1 (ko) * 2021-03-31 2022-12-30 엘에스이 주식회사 포켓형 노즐 세척장치
US12011132B2 (en) 2021-09-30 2024-06-18 Midea Group Co., Ltd. High speed reusable beverage container washing system
US12022988B2 (en) 2021-09-30 2024-07-02 Midea Group Co., Ltd. High speed reusable beverage container washing system with slip ring for supplying power to a rotatable ultraviolet light
KR20230099428A (ko) * 2021-12-27 2023-07-04 주식회사 제우스 유체 토출 노즐 세정 장치 및 유체 토출 노즐 세정 방법
CN115971237B (zh) * 2023-02-01 2023-08-15 深圳市造源景观旅游规划设计有限公司 一种园林生态修复的土壤处理系统及处理方法
CN116329166A (zh) * 2023-04-03 2023-06-27 江苏自强环保科技有限公司 一种电泳涂装水洗设备
CN117116812B (zh) * 2023-10-18 2023-12-26 贵州芯际探索科技有限公司 一种沟槽栅蚀刻装置及蚀刻方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201041080A (en) * 2009-03-30 2010-11-16 Dainippon Screen Mfg Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
CN101901776A (zh) * 2008-11-26 2010-12-01 细美事有限公司 旋转头、用于处理基片的设备以及用于处理基片的方法

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06260467A (ja) 1993-03-05 1994-09-16 Sony Corp ウエハの洗浄装置
JP3341033B2 (ja) 1993-06-22 2002-11-05 忠弘 大見 回転薬液洗浄方法及び洗浄装置
JPH07254583A (ja) 1994-03-16 1995-10-03 Hitachi Ltd 洗浄方法及び洗浄装置
JP3640837B2 (ja) 1999-06-28 2005-04-20 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP3837017B2 (ja) 2000-12-04 2006-10-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置及び基板処理方法ならびに基板処理装置の洗浄方法
JP3892687B2 (ja) 2001-08-06 2007-03-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
US7077916B2 (en) 2002-03-11 2006-07-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Substrate cleaning method and cleaning apparatus
JP3932993B2 (ja) 2002-06-21 2007-06-20 トヨタ車体株式会社 塗装機洗浄装置
JP3979595B2 (ja) 2003-03-06 2007-09-19 東京エレクトロン株式会社 処理液供給ノズル及び処理液供給装置、並びにノズルの洗浄方法
KR100935281B1 (ko) 2003-03-06 2010-01-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 처리액 공급노즐 및 처리액 공급장치
KR100672942B1 (ko) 2004-10-27 2007-01-24 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조에 사용되는 기판 건조 장치 및 방법
KR20070036865A (ko) 2005-09-30 2007-04-04 세메스 주식회사 노즐 세정 장치
JP2007149891A (ja) 2005-11-25 2007-06-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2007258462A (ja) 2006-03-23 2007-10-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP4758799B2 (ja) 2006-03-29 2011-08-31 富士通セミコンダクター株式会社 半導体基板の洗浄装置及び半導体装置の製造方法
US7635417B2 (en) * 2006-05-05 2009-12-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Semiconductor apparatus and cleaning unit thereof
JP4521056B2 (ja) 2006-05-15 2010-08-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置および記録媒体
JP4582654B2 (ja) 2006-05-23 2010-11-17 東京エレクトロン株式会社 ノズル洗浄装置、ノズル洗浄方法、ノズル洗浄プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
KR100876377B1 (ko) 2006-06-16 2008-12-29 세메스 주식회사 노즐 세정 기구 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP4763567B2 (ja) 2006-10-03 2011-08-31 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2008118027A (ja) 2006-11-07 2008-05-22 Disco Abrasive Syst Ltd 保護膜被覆装置
KR100897547B1 (ko) 2007-11-05 2009-05-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR100929814B1 (ko) 2007-12-27 2009-12-07 세메스 주식회사 분사유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
KR20090108857A (ko) 2008-04-14 2009-10-19 (주)디오이 기판세정장치 및 이를 구비한 기판세정시스템
JP5036664B2 (ja) 2008-09-04 2012-09-26 東京エレクトロン株式会社 液処理におけるノズル洗浄、処理液乾燥防止方法及びその装置
KR101008340B1 (ko) 2008-11-11 2011-01-14 세메스 주식회사 기판 세정 장치 및 방법
JP5421610B2 (ja) 2009-02-18 2014-02-19 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
KR101258002B1 (ko) * 2010-03-31 2013-04-24 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
KR20120015662A (ko) 2010-08-12 2012-02-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101901776A (zh) * 2008-11-26 2010-12-01 细美事有限公司 旋转头、用于处理基片的设备以及用于处理基片的方法
TW201041080A (en) * 2009-03-30 2010-11-16 Dainippon Screen Mfg Substrate treatment apparatus and substrate treatment method

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Publication number Publication date
KR20130119407A (ko) 2013-10-31
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