CN102891096B - 基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够防止由于排出头以及保持该排出头的喷嘴臂而引起的污染的基板处理装置以及基板处理方法。通过旋转驱动部(63)使保持排出头的喷嘴臂(62)在基板W的上方的处理位置与包围基板W的处理罩的外侧的待机位置之间移动。在对基板W进行了清洗处理的喷嘴臂(62)位于待机位置时,从喷淋喷嘴(71)向斜下方的喷嘴臂(62)喷出清洗液。通过使3个喷嘴臂(62)升降以使3个喷嘴臂(62)穿过向斜下方喷出的清洗液的液流,来依次清洗3个喷嘴臂(62)。然后,从干燥气体喷嘴(76)向喷嘴臂(62)吹送氮气,来使附着于喷嘴臂的清洗液干燥。

Description

基板处理装置以及基板处理方法
技术领域
本发明涉及将排出头以及喷嘴臂维持得洁净的基板处理装置以及基板处理方法,其中,所述排出头向半导体晶片、液晶显示装置用玻璃基板等薄板状的精密电子基板(下面简称为“基板”)供给处理液,所述喷嘴臂用于保持该排出头。
背景技术
以往,在基板的制造工序中使用如下的基板处理装置,即,在进行利用药液的药液处理以及利用纯水的冲洗处理等基板的表面处理之后,进行干燥处理。作为这样的基板处理装置,使用逐张地处理基板的单张式装置和多张基板统一处理的批量式装置。单张式的基板处理装置通常在进行了向旋转的基板表面供给药液的药液处理、供给纯水的纯水冲洗处理之后,使基板高速旋转来进行甩出干燥。例如专利文献1、2公开了这样的单张式的基板处理装置。
专利文献1、2公开的基板处理装置具有:将基板保持为大致以水平姿势并使该基板旋转的旋转卡盘;向被旋转卡盘保持的基板的上表面供给处理液的喷嘴(排出头);包围旋转卡盘的周围来挡住从基板飞散的处理液的罩。专利文献2公开的装置还具有:用于容置这些结构构件的处理室;在罩的周围上下隔开处理室内的间隔板。
在专利文献1、2公开的装置中,在处理中从旋转的基板以及旋转卡盘飞散的处理液可能附着于排出头。如果对这样附着的处理液置之不理,则可能落到基板上而成为污染源,或者干燥而成为异物颗粒产生源。专利文献3公开了如下的技术,即,在排出处理液的排出头的周围设置排出清洗液的大直径的喷嘴架,来清洗附着于排出头的前端部的处理液。另外,专利文献4公开了如下的技术,即,在旋转卡盘的外方的待机容器中向排出头喷出清洗液来进行清洗。
专利文献1:日本特开2008-91717号公报
专利文献2:日本特开2010-192686号公报
专利文献3:日本特开2004-267871号公报
专利文献4:日本特开2007-149891号公报
但是,从旋转的基板以及旋转卡盘飞散的处理液不仅会附着于排出头,还可能附着于保持该排出头使其摆动的喷嘴臂。在对附着于喷嘴臂的处理液置之不理的情况下,也会产生如下的问题,即,在臂摆动时该处理液落到基板上而成为污染源,或者附着的处理液干燥而成为异物颗粒产生源。即使将专利文献3公开的技术应用于专利文献1、2的基板处理装置中,虽然能够对排出头的前端部进行清洗,但是不能对保持排出头的喷嘴臂进行清洗。因此,没能消除附着有处理液的喷嘴臂成为污染源的问题。
另外,即使利用专利文献4公开的技术来清洗排出头,也会产生如下的新的问题,即,排出头会附着清洗时使用的清洗液,并且在清洗之后处理新的基板时,附着于排出头的清洗液落到基板上。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而提出的,其目的在于提供能够防止由于排出头以及用于保持该排出头的喷嘴臂引起的污染的基板处理装置以及基板处理方法。
为了解决上述问题,技术方案1的发明为基板处理装置,其特征在于,具有:基板保持单元,将基板保持为大致水平姿势并使上述基板旋转,罩,包围上述基板保持单元的周围,喷嘴臂,在前端具有用于向被上述基板保持单元保持的基板排出处理液的排出头,旋转驱动部,使上述喷嘴臂旋转,以使上述排出头在位于被上述基板保持单元保持的基板的上方的处理位置与位于上述罩的外侧的待机位置之间移动,喷嘴臂清洗单元,至少清洗上述喷嘴臂的特定部位,该特定部位是指,在上述排出头移动到上述处理位置时与被上述基板保持单元保持的基板相向的部位。
另外,技术方案2的发明的特征在于,在技术方案1所述的发明的基板处理装置中,上述旋转驱动部设置于上述罩的外侧,并与上述喷嘴臂的基端相连接,上述喷嘴臂清洗单元具有喷淋喷嘴,在上述排出头位于上述待机位置时,该喷淋喷嘴向上述喷嘴臂喷出清洗液。
另外,技术方案3的发明的特征在于,在技术方案2所述的发明的基板处理装置中,上述基板处理装置还具有用于使上述喷嘴臂升降的升降驱动部,上述喷淋喷嘴固定设置于上述罩的外侧,朝向斜下方喷出清洗液,上述升降驱动部使上述喷嘴臂升降,以使上述喷嘴臂穿过从上述喷淋喷嘴喷出的清洗液的液流。
另外,技术方案4的发明的特征在于,在技术方案3所述的发明的基板处理装置中,上述喷淋喷嘴向远离上述基板保持单元的方向喷出清洗液。
另外,技术方案5的发明的特征在于,在技术方案2所述的发明的基板处理装置中,上述基板处理装置还具有气体喷出部,上述气体喷出部至少向上述喷嘴臂的附着有从上述喷淋喷嘴喷出的清洗液的部位吹送干燥用气体来进行干燥。
另外,技术方案6的发明的特征在于,在技术方案5所述的发明的基板处理装置中,上述气体喷出部设置于,在上述排出头位于上述待机位置时能够从上述喷嘴臂的前端侧吹送干燥用气体的位置。
另外,技术方案7的发明的特征在于,在技术方案1至6中任一项所述的发明的基板处理装置中,在上述旋转驱动部上沿着水平方向相互平行地连接有多个上述喷嘴臂。
另外,技术方案8的发明的特征在于,在技术方案1至6中任一项所述的发明的基板处理装置中,在上述喷嘴臂上的上述排出头的侧方附设有用于向从上述排出头排出的处理液中混合气体的气体排出部。
技术方案9的发明为基板处理方法,其特征在于,包括:旋转工序,使在前端具有排出头的喷嘴臂旋转,以使上述排出头在处理位置与待机位置之间移动,其中,上述排出头用于向被基板保持单元保持为大致水平姿势并进行旋转的基板排出处理液,上述处理位置位于被上述基板保持单元保持的基板的上方,上述待机位置位于对上述基板保持单元的周围进行包围的罩的外侧,喷嘴臂清洗工序,至少清洗上述喷嘴臂的特定部位,该特定部位是指,在上述排出头移动到上述处理位置时与被上述基板保持单元保持的基板相向的部位。
另外,技术方案10的发明的特征在于,在技术方案9所述的发明的基板处理方法中,述喷嘴臂清洗工序包括清洗液喷出工序,在上述清洗液喷出工序中,在上述排出头位于上述待机位置时从喷淋喷嘴向上述喷嘴臂喷出清洗液。
另外,技术方案11的发明的特征在于,在技术方案10所述的发明的基板处理方法中,在上述清洗液喷出工序中,一边从上述喷淋喷嘴朝向斜下方喷出清洗液,一边使上述喷嘴臂升降,以使上述喷嘴臂穿过从上述喷淋喷嘴喷出的清洗液的液流。
另外,技术方案12的发明的特征在于,在技术方案11所述的发明的基板处理方法中,上述喷淋喷嘴向远离上述基板保持单元的方向喷出清洗液。
另外,技术方案13所述的发明的特征在于,在技术方案10所述的发明的基板处理方法中,上述基板处理方法还包括喷嘴臂干燥工序,在上述喷嘴臂干燥工序中,至少向上述喷嘴臂的附着有从上述喷淋喷嘴喷出的清洗液的部位吹送干燥用气体来进行干燥
另外,技术方案14的发明的特征在于,在技术方案13所述的发明的基板处理方法中,在上述喷嘴臂干燥工序中,在上述排出头位于上述待机位置时,从上述喷嘴臂的前端侧吹送干燥用气体。
另外,技术方案15的发明的特征在于,在技术方案9至14中任一项所述的发明的基板处理方法中,上述喷嘴臂沿着水平方向相互平行地设置有多个。
另外,技术方案16的发明的特征在于,在技术方案9至14的任一项所述的发明的基板处理方法中,在上述喷嘴臂上的上述排出头的侧方附设有用于向从上述排出头排出的处理液中混合气体的气体排出部。
技术方案17的发明为基板处理装置,其特征在于,具有:基板保持单元,将基板保持为大致水平姿势并使上述基板旋转,罩,包围上述基板保持单元的周围,喷嘴臂,在前端具有用于向被上述基板保持单元保持的基板排出处理液的排出头,旋转驱动部,使上述喷嘴臂旋转,以使上述排出头在位于被上述基板保持单元保持的基板的上方的处理位置与位于上述罩的外侧的待机位置之间移动,气体喷出部,在上述排出头从上述处理位置返回上述待机位置时,上述气体喷出部至少向上述喷嘴臂的特定部位吹送干燥用气体来使进行干燥,其中,该特定部位是指,在上述排出头移动到上述处理位置时与被上述基板保持单元保持的基板相向的部位。
另外,技术方案18的发明的特征在于,在技术方案17所述的发明的基板处理装置中,上述气体喷出部设置于,在上述排出头位于上述待机位置时能够从上述喷嘴臂的前端侧吹送干燥用气体的位置。
另外,技术方案19的发明的特征在于,在技术方案18所述的发明的基板处理装置中,上述气体喷出部被固定设置,上述旋转驱动部使上述喷嘴臂摆动,以使上述喷嘴臂的前端侧穿过从上述气体喷出部喷出的干燥用气体的气流。
另外,技术方案20的发明的特征在于,在技术方案17所述的发明的基板处理装置中,每当结束向一张基板排出处理液的处理并且上述排出头从上述处理位置返回上述待机位置时,上述气体喷出部都向上述喷嘴臂吹送干燥用气体。
另外,技术方案21的发明的特征在于,在技术方案17至20中任一项所述的发明的基板处理装置中,在上述旋转驱动上沿着水平方向相互平行地连接有多个上述喷嘴臂。
另外,技术方案22的发明的特征在于,在技术方案17至20的任一项所述的发明的基板处理装置中,在上述喷嘴臂上的上述排出头的侧方附设有用于向从上述排出头排出的处理液中混合气体的气体排出部。
技术方案23所述的发明为基板处理方法,其特征在于,包括:处理工序,使在前端具备排出头的喷嘴臂旋转,来使上述排出头移动到位于被基板保持单元保持为大致水平姿势并进行旋转的基板的上方的处理位置,从上述排出头向上述基板排出处理液,返回工序,使上述喷嘴臂旋转,来使上述排出头从上述处理位置返回到位于对上述基板保持单元的周围进行包围的罩的外侧的待机位置,喷嘴臂干燥工序,在上述排出头从上述处理位置返回到上述待机位置时,从气体喷出部至少向上述喷嘴臂的特定部分吹送干燥用气体来进行干燥,其中,特定部位是指,在上述排出头移动到上述处理位置时与被上述基板保持单元保持的基板相向的部位。
另外,技术方案24的发明的特征在于,在技术方案23所述的发明的基板处理方法中,在上述喷嘴臂干燥工序中,在上述排出头位于上述待机位置时,从上述喷嘴臂的前端侧吹送干燥用气体。
另外,技术方案25的发明的特征在于,在技术方案24所述的发明的基板处理方法中,上述气体喷出部被固定设置,在上述喷嘴臂干燥工序中,使上述喷嘴臂摆动,以使上述喷嘴臂的前端侧穿过从上述气体喷出部喷出的干燥用气体的气流。
另外,技术方案26的发明的特征在于,在技术方案23所述的发明的基板处理方法中,每当结束一次上述处理工序并且上述排出头从上述处理位置返回上述待机位置时,都执行上述喷嘴臂干燥工序。
另外,技术方案27的发明的特征在于,在技术方案23至26中任一项所述的发明的基板处理方法中,上述喷嘴臂沿着水平方向相互平行地设置有多个。
另外,技术方案28的发明的特征在于,在技术方案23至26中任一项所述的发明的基板处理方法中,在上述喷嘴臂上的上述排出头的侧方附设有用于向从上述排出头排出的处理液中混合气体的气体排出部。
技术方案29所述的发明为基板处理装置,其特征在于,具有:基板保持单元,将基板保持为大致水平姿势并使上述基板旋转,罩,包围上述基板保持单元的周围,喷嘴臂,在前端具有用于向被上述基板保持单元保持的基板排出处理液的排出头,旋转驱动部,使上述喷嘴臂旋转,以使上述排出头在位于被上述基板保持单元保持的基板的上方的处理位置与位于上述罩的外侧的待机位置之间移动,待机容器,配置于上述待机位置,用于容置上述排出头,清洗单元,设置在上述待机容器上,用于向容置在上述待机容器中的上述排出头供给清洗液来进行清洗,干燥单元,设置在上述待机容器上,用于向通过上述清洗单元清洗后的上述排出头吹送干燥用气体来进行干燥。
另外,技术方案30的发明的特征在于,在技术方案29所述的发明的基板处理装置中,上述基板处理装置还具有用于使上述喷嘴臂以及上述排出头升降的升降驱动部,上述干燥单元向通过上述升降驱动部从上述待机容器提起的上述排出头吹送干燥用气体。
另外,技术方案31所述的发明的特征在于,在技术方案29或者30所述的发明的基板处理装置中,在上述待机容器上还设置有用于向上述喷嘴臂吹送干燥用气体的喷嘴臂干燥单元。
技术方案32所述的发明为基板处理方法,其特征在于,包括:处理工序,使在前端具备排出头的喷嘴臂旋转,来使上述排出头移动到位于被基板保持单元保持为大致水平姿势并进行旋转的基板的上方的处理位置,从上述排出头向上述基板排出处理液,返回工序,使上述喷嘴臂旋转,来使上述排出头从上述处理位置返回到位于对上述基板保持单元的周围进行包围的罩的外侧的待机位置,并将上述排出头容置在配置于上述待机位置的待机容器中,清洗工序,从设置在上述待机容器上的清洗单元向容置在上述待机容器中的上述排出头供给清洗液来进行清洗,干燥工序,从设置在上述待机容器上的干燥单元向在上述清洗工序中已被清洗的上述排出头吹送干燥用气体来进行干燥。
另外,技术方案33的发明的特征在于,在技术方案32所述的发明的基板处理方法中,在上述干燥工序中,一边从上述待机容器提起上述排出头,一边从上述干燥单元向上述排出头吹送干燥用气体。
另外,技术方案34的发明的特征在于,在技术方案32或者33所述的发明的基板处理方法中,上述干燥工序包括喷嘴臂干燥工序,在上述喷嘴臂干燥工序中,从设置在上述待机容器上的喷嘴臂干燥单元向上述喷嘴臂吹送干燥用气体。
根据技术方案1至8的发明,具有至少清洗在前端具有排出头的喷嘴臂的特定部位的喷嘴臂清洗单元,因此至少能够清洗喷嘴臂的该特定部位,从而能够防止由于喷嘴臂而引起的污染,该特定部位是指,在排出头移动到处理位置时与被基板保持单元保持的基板相向的部位。
尤其,根据技术方案3的发明,因为使喷嘴臂升降以使喷嘴臂穿过从喷淋喷嘴朝向斜下方喷出的清洗液的液流,因此无论喷嘴臂的设置宽度如何都能够清洗喷嘴臂的整体。
尤其,根据技术方案4的发明,因为喷淋喷嘴向远离基板保持单元的方向喷出清洗液,因此能够防止由于在清洗喷嘴臂时清洗液附着于基板保持单元而引起的污染。
尤其,根据技术方案6的发明,气体喷出部从喷嘴臂的前端侧吹送干燥用气体,因此能够防止被干燥用气体吹飞的清洗液附着于设置有排出头的喷嘴臂的前端侧。
根据技术方案9至16的发明,至少清洗在前端具有排出头的喷嘴臂的特定部位,因此至少能够清洗喷嘴臂的该特定部位,从而能够防止由于喷嘴臂引起的污染,其中,特定部位是指,在排出头移动到处理位置时与被基板保持单元保持的基板相向的部位。
尤其,根据技术方案11的发明,一边从喷淋喷嘴朝朝向斜下方喷出清洗液,一边使喷嘴臂升降以使喷嘴臂穿过从喷淋喷嘴喷出的清洗液的液流,因此无论喷嘴臂的设置宽度如何都能够清洗喷嘴臂的整体。
尤其,根据技术方案12的发明,喷淋喷嘴向远离基板保持单元的方向喷出清洗液,因此能够防止由于在清洗喷嘴臂时清洗液附着于基板保持单元而引起的污染。
尤其,根据技术方案14的发明,从喷嘴臂的前端侧吹送干燥用气体,因此能够防止被干燥用气体吹飞的清洗液附着于设置有排出头的喷嘴臂的前端侧。
根据技术方案17至22的发明,在排出头从处理位置返回到待机位置时,至少向喷嘴臂的特定部位吹送干燥用气体来进行干燥,因此至少使喷嘴臂的该特定部位干燥而除去所附着的处理液,从而能够防止由于在处理中附着有处理液的喷嘴臂引起的污染。其中,特定部位是指,在排出头移动到处理位置时与被基板保持单元保持的基板相向的部位。
尤其,根据技术方案18的发明,在排出头位于待机位置时,气体喷出部从喷嘴臂的前端侧吹送干燥用气体,因此能够防止被干燥用气体吹飞的清洗液附着于设置有排出头的喷嘴臂的前端侧。
尤其,根据技术方案19的发明,使喷嘴臂摆动以使喷嘴臂的前端侧穿过从固定设置的气体喷出部喷出的干燥用气体的气流,因此无论喷嘴臂的设置宽度如何都能够对喷嘴臂的整体进行干燥。
尤其,根据技术方案20的发明,每次结束向一张基板排出处理液的处理并且排出头从处理位置返回待机位置,向喷嘴臂吹送干燥用气体,因此能够防止在某一基板的处理中附着有处理液的喷嘴臂污染下一处理的基板的情况。
根据技术方案23至28的发明,在排出头从处理位置返回到待机位置时,从气体喷出部至少向喷嘴臂的特定部位吹送干燥用气体来进行干燥,因此至少能够对喷嘴臂的该特定部位进行干燥而除去所附着的处理液,从而能够防止由于在处理中附着有处理液的喷嘴臂引起的污染,其中,特定部位是指,在排出头移动到处理位置时与被基板保持单元保持的基板相向的部位。
尤其,根据技术方案24的发明,在喷嘴臂干燥工序中,在排出头位于待机位置时,从喷嘴臂的前端侧吹送干燥用气体,因此能够防止被干燥用气体吹飞的清洗液附着于设置有排出头的喷嘴臂的前端侧。
尤其,根据技术方案25的发明,在喷嘴臂干燥工序中,使喷嘴臂摆动以使喷嘴臂的前端侧穿过从固定设置的气体喷出部喷出的干燥用气体的气流,因此无论喷嘴臂的设置宽度如何都能够清洗喷嘴臂的整体。
尤其,根据技术方案26的发明,每次结束一次处理工序并且排出头从处理位置返回待机位置,执行喷嘴臂干燥工序,因此能够防止在某一基板的处理中附着有处理液的喷嘴臂污染下一处理的基板的情况。
根据技术方案29至31的发明,向容置在待机容器中的排出头供给清洗液来进行清洗,向被清洗后的排出头吹送干燥用气体来进行干燥,因此即使在清洗后的排出头移动到处理位置时,也能够防止清洗液从排出头落到基板上的情况。
尤其,根据技术方案30的发明,向从待机容器提起的排出头吹送干燥用气体,因此能够有效地从排出头吹飞清洗液来进行干燥。
尤其,根据技术方案31的发明,还设置有用于向喷嘴臂吹送干燥用气体的喷嘴臂干燥单元,因此能够防止由于附着有处理液的喷嘴臂引起的污染。
根据技术方案32至34的发明,向容置在待机容器中的排出头供给清洗液来进行清洗,向被清洗的排出头吹送干燥用气体来进行干燥,因此即使在清洗后的排出头移动到处理位置的情况下,也能够防止清洗液从排出头落到基板上的情况。
尤其,根据技术方案33的发明,一边从待机容器提起排出头,一边向该排出头吹送干燥用气体,因此能够有效地从排出头吹飞清洗液来进行干燥。
尤其,根据技术方案34的发明,从设置于待机容器的喷嘴臂干燥单元向喷嘴臂吹送干燥用气体,因此能够防止由于附着有处理液的喷嘴臂引起的污染。
附图说明
图1是本发明的基板处理装置的俯视图。
图2是图1的基板处理装置的纵向剖视图。
图3是上表面处理液喷嘴的侧视图。
图4是从前端侧观察上表面处理液喷嘴的主视图。
图5是示出上表面处理液喷嘴的旋转动作的情况的图。
图6是双流体喷嘴的侧视图。
图7是从前端侧观察双流体喷嘴的主视图。
图8是示出双流体喷嘴的旋转动作的情况的图。
图9是用于示意性地说明一边使3个喷嘴臂升降一边进行清洗的情况的图。
图10是用于示意性地说明一边使3个喷嘴臂摆动一边进行干燥的情况的图。
图11是用于示意性地说明一边使双流体喷嘴的喷嘴臂摆动一边进行干燥的情况的图。
图12是第三实施方式的基板处理装置的俯视图。
图13是示出上表面处理液喷嘴的概略动作的俯视图。
图14是上表面处理液喷嘴以及待机容器的侧视示意图。
图15是示出双流体喷嘴的概略动作的俯视图。
图16是双流体喷嘴以及待机容器的侧视示意图。
图17是用于说明上表面处理液喷嘴的排出头的清洗处理的步骤的图。
图18是用于说明上表面处理液喷嘴的排出头的清洗处理的步骤的图。
图19是用于说明上表面处理液喷嘴的排出头的清洗处理的步骤的图。
图20是用于说明上表面处理液喷嘴的排出头的清洗处理的步骤的图。
具体实施方式
下面,参照附图,对本发明的实施方式进行详细地说明。
第一实施方式
图1是本发明的基板处理装置1的俯视图。另外,图2是基板处理装置1的纵向剖视图。此外,在图1以及之后的各图中,为了明确图上的方向关系,适当标注以Z轴方向作为铅垂方向、以XY平面作为水平面的XYZ正交坐标系。另外,在图1以及之后的各图中,为了容易理解,根据需要夸张或者简略地描画各部分的尺寸、数量。
该基板处理装置1为逐张处理半导体的基板W的单张式的基板处理装置,在圆形的硅基板W上进行药液处理以及利用了纯水的冲洗处理之后进行干燥处理。此外,图1示出在旋转卡盘20上未保持基板W的状态,图2示出旋转卡盘20上保持有基板W的状态。
基板处理装置1在腔室10内具有如下的主要要素:将基板W保持为水平姿势(法线沿着铅垂方向的姿势)并使该基板旋转的旋转卡盘20;用于向被旋转卡盘20保持的基板W的上表面供给处理液的上表面处理液喷嘴60;将处理液的液滴和气体的混合流体喷射至基板的双流体喷嘴80;包围旋转卡盘20的周围的处理罩40。另外,在腔室10内的处理罩40的周围设置有将腔室10的内侧空间上下隔开的间隔板15。此外,在本说明书中,处理液是包括药液以及纯水双方的总称。
腔室10具有沿着铅垂方向的侧壁11、封闭被侧壁11包围的空间的上侧的顶壁12以及封闭被侧壁11包围的空间的下侧的底壁13。由侧壁11、顶壁12以及底壁13所包围的空间形成基板W的处理空间。另外,在腔室10的侧壁11的一部分设置有用于相对腔室10搬出和搬入基板W的搬出入口以及用于开关该搬出入口的遮挡板(都省略图示)。
在腔室10的顶壁12设置有风机过滤单元(FFU)14,该风机过滤单元14将基板处理装置1所设置的无尘室内的空气进一步净化后供给至腔室10内的处理空间。风机过滤单元14包括取入无尘室内的空气并送出至腔室10内的风扇以及过滤器(例如HEPA过滤器(高效粒子空气过滤器)),在腔室10内的处理空间形成洁净空气的下降流(down flow)。为了均匀地分散从风机过滤单元14供给的洁净空气,可以在顶壁12的正下方设置贯穿设置有多个喷出孔的冲压板。
旋转卡盘20具有:圆板形状的旋转基座21,以水平姿势固定在沿着铅垂方向延伸的旋转轴24的上端;旋转马达22,配置在旋转基座21的下方,用于使旋转轴24旋转;筒状的罩构件23,包围旋转马达22的周围。圆板形状的旋转基座21的外径稍大于被旋转卡盘20保持的圆形的基板W的直径。因此,旋转基座21具有与基板W的整个下表面相向的保持面21a一边进行保持。
在旋转基座21的保持面21a的周边部立设有多个(在本实施方式中为4个)卡紧构件26。多个卡紧构件26沿着与圆形的基板W的外周圆相对应的圆周以隔着相等的间隔(如本实施方式具有4个卡紧构件26,则隔开90°间隔)。多个卡紧构件26与容置在旋转基座21内的省略图示的连杆机构连动而被驱动。旋转卡盘20通过将多个卡紧构件26各自与基板W的端边抵接来夹持基板W,能够在旋转基座21的上方以接近保持面21a的水平姿势保持该基板W(参照图2),并且能够使多个卡紧构件26各自与基板W的端边相分离来解除夹持。
覆盖旋转马达22的罩构件23的下端固定于腔室10的底壁13,罩构件23的上端到达旋转基座21的正下方。在罩构件23的上端部设置有凸缘状构件25,该凸缘状构件25从罩构件23向外方大致水平地伸出,进而向下方弯曲延伸。通过在旋转卡盘20通过多个卡紧构件26的夹持来保持基板W的状态下,旋转马达22使旋转轴24旋转,能够使基板W围绕沿着经过基板W中心的铅垂方向的旋转轴CX旋转。此外,由控制部3来控制旋转马达22的驱动。
包围旋转卡盘20的处理罩40具有能够相互独立升降的内罩41、中罩42以及外罩43。内罩41包围旋转卡盘20的周围,具有关于在被旋转卡盘20保持的基板W的中心穿过的旋转轴CX大致旋转对称的形状。该内罩41具有形成为一体的俯视时为圆环状的底部44、圆筒状的内壁部45、圆筒状的外壁部46、第一引导部47、圆筒状的中壁部48,其中,内壁部45从底部44的内周缘向上方立起,外壁部46从底部44的外周缘向上方立起,第一引导部47从内壁部45和外壁部46之间立起,并且上端部一边描绘平滑的圆弧一边向中心侧(接近被旋转卡盘20保持的基板W的旋转轴CX的方向)的斜上方延伸,中壁部48从第一引导部47和外壁部46之间向上方立起。
内壁部45形成为如下的长度,即,在内罩41上升得最高的状态下,能够保持有适当的间隙地容置在罩构件23和凸缘状构件25之间。中壁部48形成为如下的长度,即,在内罩41和中罩42最接近的状态下,能够在中罩42的下述的第二引导部52和处理液分离壁53之间保持有适当的间隙地容置在中罩42的下述的第二引导部52和处理液分离壁53之间。
第一引导部47具有一边描绘平滑的圆弧一边向中心侧(接近基板W的旋转轴CX的方向)斜上方延伸的上端部47b。另外,内壁部45和第一引导部47之间形成用于收集已使用的处理液来废弃的废弃槽49。第一引导部47和中壁部48之间形成用于收集已使用的处理液来回收的圆环状的内侧回收槽50。而且,中壁部48和外壁部46之间形成用于收集与内侧回收槽50回收的处理液的种类不同的处理液来回收的圆环状的外侧回收槽51。
废弃槽49与省略图示的排气液机构相连接,该排气液机构排出该废弃槽49中所收集的处理液,并且强制性地排出废弃槽49内的气体。排气液机构例如沿着废弃槽49的周向等间隔地设置4个。另外,内侧回收槽50以及外侧回收槽51与用于将内侧回收槽50以及外侧回收槽51各自所收集的处理液回收到设置于基板处理装置1的外部的回收槽的回收机构(都省略图示)相连接。此外,内侧回收槽50以及外侧回收槽51的底部相对于水平方向倾斜微小的角度,在底部的最低的位置与回收机构相连接。由此,顺利地回收流入内侧回收槽50以及外侧回收槽51的处理液。
中罩42形成为如下的形状,即,包围旋转卡盘20的周围,关于在被旋转卡盘20保持的基板W的中心穿过的旋转轴CX大致旋转对称。该中罩42具有形成为一体的第二引导部52和圆筒状的处理液分离壁53,其中,处理液分离壁53与该第二引导部52相连接。
第二引导部52在内罩41的第一引导部47的外侧具有:下端部52a,形成为与第一引导部47的下端部同轴的圆筒状;上端部52b,从下端部52a的上端起一边描绘平滑的圆弧一边向中心侧(接近基板W的旋转轴CX的方向)斜上方延伸;折回部52c,是将上端部52b的前端部向下方折回而形成。下端部52a在内罩41和中罩42最接近的状态下,在第一引导部47和中壁部48之间保持有适当的间隙地容置在内侧回收槽50内。另外,上端部52b设置成在上下方向上与内罩41的第一引导部47的上端部47b重叠,在内罩41和中罩42最接近的状态下,上端部52b保持极微小的间隔地接近第一引导部47的上端部47b。而且,将上端部52b的前端向下方折回而形成的折回部52c形成为如下的长度,即,在内罩41和中罩42最接近的状态下,折回部52c在水平方向上与第一引导部47的上端部47b的前端重叠。
另外,第二引导部52的上端部52b越向下方壁厚越厚,处理液分离壁53具有设置成从上端部52b的下端外周缘部向下方延伸的圆筒形状。处理液分离壁53在内罩41和中罩42最接近的状态下在中壁部48和外罩43之间保持适当的间隙地容置在外侧回收槽51内。
外罩43如有如下的形状,即,在中罩42的第二引导部52的外侧包围旋转卡盘20的周围,关于在被旋转卡盘20保持的基板W的中心穿过的旋转轴CX大致旋转对称。该外罩43具有作为第三引导部的功能。外罩43具有:下端部43a,形成为与第二引导部52的下端部52a同轴的圆筒状;上端部43b,从下端部43a的上端起一边描绘平滑的圆弧一边向中心侧(接近基板W的旋转轴CX的方向)斜上方延伸;折回部43c,是将上端部43b的前端部向下方折回而形成的。
下端部43a在内罩41和外罩43最接近的状态下,在中罩42的处理液分离壁53和内罩41的外壁部46之间保持有适当的间隙地容置在外侧回收槽51内。另外,上端部43b设置成在上下方向上与中罩42的第二引导部52重叠,在中罩42和外罩43最接近的状态下,上端部43b保持微小的间隔地接近第二引导部52的上端部52b。而且,将上端部43b的前端部向下方折回而形成的折回部43c,在中罩42和外罩43最接近的状态下,折回部43c在水平方向上与第二引导部52的折回部52c重叠。
另外,内罩41、中罩42以及外罩43能够相互独立升降。即,内罩41、中罩42以及外罩43各自单独地设置一个升降机构(省略图示),由此分别独立地升降。作为这样的升降机构,例如能够采用滚珠螺杆机构和气缸等各种公知的机构。
图3是上表面处理液喷嘴60的侧视图。另外,图4是从前端侧观察上表面处理液喷嘴60的主视图。上表面处理液喷嘴60是在相互平行设置的3个喷嘴臂62的前端分别安装排出头61而构成。3个喷嘴臂62的基端侧与旋转驱动部63相连接。3个喷嘴臂62以沿着水平方向相互平行的方式连接在旋转驱动部63上。旋转驱动部63设置于处理罩40的外侧。旋转驱动部63能够通过内置的旋转马达(省略图示)围绕铅垂方向轴进行旋转动作,从而能够同时使3个喷嘴臂62在水平面内(XY平面内)旋转。
图5是示出上表面处理液喷嘴60的旋转动作的情况的图。如图5所示,旋转驱动部63使喷嘴臂62在水平面内旋转,来使排出头61在被旋转卡盘20保持的基板W的上方的处理位置与处理罩40的外侧的待机位置之间呈圆弧状地移动。图5的虚线表示在排出头61到达处理位置时的3个喷嘴臂62的位置。另外,图5的实线表示在排出头61到达待机位置时的3个喷嘴臂62的位置。此外,将使喷嘴臂62旋转以使排出头61在处理位置与待机位置间移动的动作,也表示成使喷嘴臂62在处理位置与待机位置之间旋转。
如图3所示,3个喷嘴臂62各自以从旋转驱动部63沿着水平方向延伸的方式使基端侧与旋转驱动部63相连接。各喷嘴臂62的前端侧一边描绘平滑的圆弧一边朝向下侧。并且,在朝向铅垂方向的下侧(-Z侧)的各喷嘴臂62的前端安装有用于向被旋转卡盘20保持的基板W排出处理液的排出头61。从图外的处理液供给机构经由喷嘴臂62的内侧向排出头61供给多种处理液(至少包括纯水)。供给至排出头61的处理液从排出头61朝向铅垂方向的下方排出。在被旋转卡盘20保持的基板W的上方的处理位置,从排出头61排出的处理液落至该基板W的上表面。另一方面,当排出头61移动到处理罩40的外侧的待机位置时,喷嘴臂62也在处理罩40的外侧沿着Y方向待机(参照图1、图5)。
另外,旋转驱动部63安装在升降驱动部64上。升降驱动部64通过内置的升降马达(省略图示)使3个排出头61以及3个喷嘴臂62与旋转驱动部63一起统一沿着铅垂方向升降。
在排出头61以及喷嘴臂62的待机位置的附近设置有喷嘴臂清洗部70以及喷嘴臂干燥部75。喷嘴臂清洗部70具有喷淋喷嘴71。喷淋喷嘴71固定设置于处于待机位置的喷嘴臂62的旋转卡盘20一侧(-X侧)的斜上方。喷淋喷嘴71与处于待机位置的喷嘴臂62平行,就是说喷淋喷嘴71沿着Y方向延伸。喷淋喷嘴71的Y方向上的长度比喷嘴臂62的Y方向上的长度长。并且,在喷淋喷嘴71上沿着Y方向排列设置有多个喷出孔。多个喷出孔的喷出方向为朝向上表面处理液喷嘴60的斜下方。
从图外的清洗液供给机构向喷淋喷嘴71供给清洗液(在本实施方式中为纯水)。向喷淋喷嘴71供给清洗液时,从设置于喷淋喷嘴71的多个喷出孔向位于斜下方的上表面处理液喷嘴60喷出清洗液(参照图3~图5)。由此,清洗上表面处理液喷嘴60的3个喷嘴臂62,详细的内容后面说明。
喷嘴臂干燥部75具有两个干燥气体喷嘴76。干燥气体喷嘴76固定设置在处于待机位置的喷嘴臂62的+Y侧且与喷嘴臂62的高度大致相同的高度的位置上。在本实施方式中,两个干燥气体喷嘴76设置在与位于待机位置的3个喷嘴臂62中的最靠旋转卡盘20一侧(-X侧)的喷嘴臂62相向的位置。喷嘴臂干燥部75的两个干燥气体喷嘴76在铅垂方向上隔开规定间隔地排列配置(参照图3)。各干燥气体喷嘴76沿着水平方向设置。
从图外的干燥气体供给源向两个干燥气体喷嘴76供给干燥用气体(在本实施方式中为氮气(N2))。向干燥气体喷嘴76供给干燥用气体时,从干燥气体喷嘴76的前端向上表面处理液喷嘴60喷出干燥用气体(参照图3、5)。由于干燥气体喷嘴76设置在喷嘴臂62的前端的前方(+Y侧),因此从喷嘴臂62的前端侧吹送干燥用气体。
在基板处理装置1上设置有与上表面处理液喷嘴60分开的另外的双流体喷嘴80。图6是双流体喷嘴80的侧视图。另外,图7是从前端侧观察双流体喷嘴80的主视图。双流体喷嘴80是将纯水等处理液和加压了的气体进行混合而生成液滴,并将该液滴与气体的混合流体向基板W喷射的清洗喷嘴。双流体喷嘴80是在喷嘴臂82的前端安装排出头81并且在以从喷嘴臂82分支的方式设置的支撑构件86上安装气体头85而构成的。喷嘴臂82的基端侧与旋转驱动部83相连接。旋转驱动部83配置于处理罩40的外侧。旋转驱动部83能够通过内置的旋转马达(省略图示)围绕铅垂方向轴进行旋转动作,从而使喷嘴臂82在水平面内(XY平面内)旋转。
图8是示出双流体喷嘴80的旋转动作的情况的图。如图8所示,旋转驱动部83使喷嘴臂82在水平面内旋转,以使排出头81在被旋转卡盘20保持的基板W的上方的处理位置与处理罩40的外侧的待机位置之间呈圆弧状地移动。图8的虚线表示排出头81到达处理位置时的喷嘴臂82的位置。另外,图8的实线表示排出头81到达待机位置时的喷嘴臂82的位置。此外,与上述的上表面处理液喷嘴60同样,将使喷嘴臂82旋转以使排出头81在处理位置与待机位置之间移动的动作,表示成使喷嘴臂82在处理位置与待机位置之间旋转。
如图6所示,喷嘴臂82,以从旋转驱动部83沿着水平方向延伸的方式,基端侧与旋转驱动部83相连接。喷嘴臂82的前端侧一边描绘平滑的圆弧一边朝向下侧。并且,在朝向铅垂方向的下侧(-Z侧)的喷嘴臂82的前端安装有用于向被旋转卡盘20保持的基板W排出处理液的排出头81。从图外的处理液供给机构经由喷嘴臂82的内侧向排出头81供给处理液(在本实施方式中为纯水)。
在喷嘴臂82的非端部位置安装有支撑构件86。在支撑构件86上安装有气体头85。气体头85以位于排出头81的侧方的方式设置在支撑构件86上。向气体头85供给加压了的非活性气体(在本实施方式中为氮气)。通过在处理位置一边从排出头81排出处理液,一边从气体头85喷出加压了的非活性气体并混合在来自排出头81的处理液中,生成处理液的液滴,该液滴和非活性气体的混合流体向被旋转卡盘20保持的基板W的上表面喷射。另一方面,在排出头81移动到处理罩40的外侧的待机位置时,喷嘴臂82也在处理罩40的外侧沿着X方向待机(参照图1、图8)。
另外,旋转驱动部83安装在升降驱动部84上。升降驱动部84通过内置的升降马达(省略图示)使排出头81、气体头85以及喷嘴臂82与旋转驱动部83一起统一沿着铅垂方向升降。
在排出头81以及喷嘴臂82的待机位置的附近设置有喷嘴臂清洗部90以及喷嘴臂干燥部95。喷嘴臂清洗部90具有喷淋喷嘴91。喷淋喷嘴91固定设置在处于待机位置的喷嘴臂82的旋转卡盘20一侧(+Y侧)的斜上方。喷淋喷嘴91与待机位置的喷嘴臂82平行,就是说沿着X方向延伸设置。喷淋喷嘴91的X方向上的长度比喷嘴臂82的X方向上的长度长。并且,在喷淋喷嘴91上沿着X方向排列设置有多个喷出孔。多个喷出孔的喷出方向为朝向双流体喷嘴80的斜下方。
从图外的清洗液供给机构向喷淋喷嘴91供给清洗液(在本实施方式中为纯水)。向喷淋喷嘴91供给清洗液时,从设置于喷淋喷嘴91的多个喷出孔向斜下方的双流体喷嘴80喷出清洗液(参照图6~图8)。由此,清洗双流体喷嘴80的喷嘴臂82。
喷嘴臂干燥部95具有两个干燥气体喷嘴96。干燥气体喷嘴96固定设置在处于待机位置的喷嘴臂82的-X侧且与喷嘴臂82的高度大致相同的高度位置。喷嘴臂干燥部95的两个干燥气体喷嘴96沿着铅垂方向隔开规定间隔地排列配置(参照图6)。各干燥气体喷嘴96沿着水平方向设置。
另外,与两个干燥气体喷嘴96分开的另外设置有干燥气体喷嘴97以及干燥气体喷嘴98。干燥气体喷嘴97、98朝向喷嘴臂82在待机位置待机时的支撑构件86以及气体头85设置。
从图外的干燥气体供给源向两个干燥气体喷嘴96以及干燥气体喷嘴97、98供给干燥用气体(在本实施方式中为氮气)。向干燥气体喷嘴96供给干燥用气体时,从干燥气体喷嘴96的前端向双流体喷嘴80喷出干燥用气体(参照图6、8)。由于干燥气体喷嘴96设置于喷嘴臂82的前端的前方(-X侧),因此从喷嘴臂82的前端侧吹送干燥用气体。另外,向干燥气体喷嘴97、98供给干燥用气体时,从干燥气体喷嘴97、98的前端向双流体喷嘴80喷出干燥用气体。
另一方面,除了上表面处理液喷嘴60以及双流体喷嘴80之外,沿着铅垂方向以穿过旋转轴24的内侧的方式设置有下表面处理液喷嘴28(参照图2)。下表面处理液喷嘴28的上端开口形成在与被旋转卡盘20保持的基板W的下表面中央相向的位置。向下表面处理液喷嘴28也供给多种处理液。从下表面处理液喷嘴28排出的处理液着落到被旋转卡盘20保持的基板W的下表面。
如图1、2所示,间隔板15在处理罩40的周围上下隔开腔室10的内侧空间。间隔板15可以是包围处理罩40的一个板状构件,也可以是将多个板状构件连接而成的。另外,可以在间隔板15上形成在厚度方向上贯通的贯通孔和切口,在本实施方式中形成有用于穿过支撑上表面处理液喷嘴60以及双流体喷嘴80的升降驱动部64、84的支撑轴的贯通孔。
间隔板15的外周端与腔室10的侧壁11相连接。另外,间隔板15的包围处理罩40的端缘部形成为直径比外罩43的外径大的圆形形状。因此,间隔板15不会成为外罩43升降的障碍。
另外,在腔室10的侧壁11的一部分且底壁13的附近设置有排气管18。排气管18与省略图示的排气机构相连通连接。从风机过滤单元14供给并在腔室10内流下的洁净空气中的在处理罩40和间隔板15之间经过的空气,从排气管18排出装置外。
基板处理装置1上所设置的控制部3的作为硬件的结构与通常的计算机相同。即,控制部3具有进行各种运算处理的CPU、作为存储基本程序的读取专用存储器的ROM、作为存储各种信息的读写自由的存储器的RAM以及存储控制用软件和数据等的磁盘。通过控制部3的CPU执行规定的处理程序,控制部3控制基板处理装置1的各动作机构,从而进行基板处理装置1的处理。
接着,对具有上述结构的基板处理装置1的动作进行说明。基板处理装置1中的通常的基板W的处理顺序大致为,向基板W的表面供给药液来进行规定的药液处理之后,供给纯水来进行纯水冲洗处理,然后使基板W高速旋转来进行甩出干燥处理。在对基板W进行处理时,将基板W保持在旋转卡盘20上,并且处理罩40进行升降动作。在进行药液处理时,例如仅外罩43上升,在外罩43的上端部43b和中罩42的第二引导部52的上端部52b之间,形成包围被旋转卡盘20保持的基板W的周围的开口。在该状态下,基板W与旋转卡盘20一起旋转,并从上表面处理液喷嘴60以及下表面处理液喷嘴28向基板W的上表面以及下表面供给药液。就上表面处理液喷嘴60而言,使喷嘴臂62旋转来使排出头61移动到被旋转卡盘20保持为水平姿势并进行旋转的基板W的上方的处理位置,并且从该排出头61向基板W排出药液。所供给的药液借助基板W旋转产生的离心力沿着基板W的上表面以及下表面流动,最终从基板W的端缘部向侧方飞散。由此,对基板W进行药液处理。从旋转的基板W的端缘部飞散的药液被外罩43的上端部43b挡住,沿着外罩43的内表面流下,从而回收到外侧回收槽51。
另外,进行纯水冲洗处理时,例如内罩41、中罩42以及外罩43全部上升,由内罩41的第一引导部47包围被旋转卡盘20保持的基板W的周围。在该状态下,基板W与旋转卡盘20一起旋转,并从上表面处理液喷嘴60以及下表面处理液喷嘴28向基板W的上表面以及下表面供给纯水。与上述相同,就上表面处理液喷嘴60而言,使喷嘴臂62旋转来使排出头61移动至被旋转卡盘20保持为水平姿势并进行旋转的基板W的上方的处理位置,并从该排出头61向基板W喷出纯水。所供给的纯水借助基板W旋转产生的离心力沿着基板W的上表面以及下表面流动,最终从基板W的端缘部向侧方飞散。由此,对基板W进行纯水处理。从旋转的基板W的端缘部飞散的纯水沿着第一引导部47的内壁流下,从而从废弃槽49排出。此外,在使用与药液的路径不同的路径回收纯水和的情况下,也可以使中罩42以及外罩43上升,在中罩42的第二引导部52的上端部52b和内罩41的第一引导部47的上端部47b之间,形成包围被旋转卡盘20保持的基板W的周围的开口。
另外,在进行甩出干燥处理时,内罩41、中罩42以及外罩43全部下降,内罩41的第一引导部47的上端部47b、中罩42的第二引导部52的上端部52b以及外罩43的上端部43b都位于被旋转卡盘20保持的基板W的下方。在该状态下,基板W与旋转卡盘20一起高速旋转,借助离心力甩出附着于基板W的水滴,从而进行干燥处理。
在进行这样的向基板W供给处理液的的表面处理时,虽然从旋转的基板W飞散的处理液的大部分被处理罩40回收,但一部分会成为雾状飞散到处理罩40的外部。飞散到处理罩40的外部的处理液除了会附着于处理罩40的外侧上表面和间隔板15的上表面之外,还会附着于上表面处理液喷嘴60的喷嘴臂62以及双流体喷嘴80的喷嘴臂82。若对附着于喷嘴臂62、82的处理液置之不理,则在喷嘴臂62、82移动到处理位置时所附着的处理液可能落下(所谓“滴落(ボタ落ち)”)至基板W的上表面而成为污染源,或者所附着的处理液干燥而使喷嘴臂62、82成为异物颗粒产生源。
因此,在第一实施方式中,以如下的方式对上表面处理液喷嘴60的喷嘴臂62以及双流体喷嘴80的喷嘴臂82进行清洗处理。作为进行这样的臂的清洗处理的时机,例如只要是从一个批次的处理结束到下一批次的处理开始之间即可。另外,优选在处理批次之间,在对处理罩40的外侧上表面43d进行了清洗之后对间隔板15的上表面进行了清洗,然后对喷嘴臂62、82进行清洗。这是因为如果对喷嘴臂62、82进行了清洗处理之后对间隔板15和处理罩40进行清洗,则在清洗间隔板15和处理罩40时产生的雾等可能再次附着于喷嘴臂62、82。
在清洗上表面处理液喷嘴60的3个喷嘴臂62时,由旋转驱动部63使3个喷嘴臂62以及排出头61移动到处理罩40的外侧的待机位置,在待机位置进行喷嘴臂清洗。此外,待机位置是3个喷嘴臂62通过旋转驱动部63的旋转动作而到达的规定位置,与喷嘴臂62的高度位置无关。即,在待机位置中,排出头61以及喷嘴臂62能够通过升降驱动部64沿着上下方向升降。
在喷嘴臂62以及排出头61位于待机位置时,从喷嘴臂清洗部70的喷淋喷嘴71喷出清洗液。从喷淋喷嘴71朝向+X侧的斜下方喷出清洗液。从喷淋喷嘴71喷出的清洗液吹附于上表面处理液喷嘴60的喷嘴臂62。由此,能够清洗喷嘴臂62。
但是,在喷淋喷嘴71排成一列地设置有多个喷出孔,从上述的多个喷出孔呈一列喷出清洗液的液流。另一方面,上表面处理液喷嘴60的3个喷嘴臂62沿着水平方向相互平行地与旋转驱动部63相连接。因此,难以通过呈一列地喷出的清洗液流同时清洗3个喷嘴臂62。
因此,在第一实施方式中,升降驱动部64使喷嘴臂62升降,以使喷嘴臂62穿过从喷淋喷嘴71朝向斜下方喷出的清洗液的液流。图9是用于示意性地说明使3个喷嘴臂62升降并进行清洗的情况的图。如图中虚线所示,一边从固定设置的喷淋喷嘴71朝向斜下方排出清洗液,升降驱动部64一边在待机位置使3个喷嘴臂62升降。在3个喷嘴臂62位于高度位置L1时,清洗液吹附至3个喷嘴臂62之中的最靠+X侧的喷嘴臂62来进行清洗。在升降驱动部64使3个喷嘴臂62从高度位置L1上升到高度位置L2时,3个喷嘴臂62中的中央的喷嘴臂62到达形成有清洗液的液流的位置,清洗液吹附至该中央的喷嘴臂62来进行清洗。而且,在升降驱动部64使3个喷嘴臂62从高度位置L2上升到高度位置L3时,3个喷嘴臂62中的最靠-X侧的喷嘴臂62到达形成有清洗液的液流的位置,清洗液吹附至该喷嘴臂62来进行清洗。
这样,通过升降驱动部64使喷嘴臂62升降,以使喷嘴臂62穿过从喷淋喷嘴71朝向斜下方喷出的清洗液的液流,能够通过一个喷淋喷嘴71向全部的3个喷嘴臂62依次喷出清洗液来进行清洗。
另外,设置于喷淋喷嘴71的多个喷出孔的排列的Y方向长度比喷嘴臂62的Y方向长度长,通过从喷淋喷嘴71朝向斜下方喷出的清洗液清洗喷嘴臂62整体。因此,能够可靠地清洗喷嘴臂62的特定部位,该特定部位为,在排出头61移动到处理位置时与被旋转卡盘20保持的基板W相向的部位,即到达该基板W的上方的部位。
另外,喷淋喷嘴71向朝向+X侧的斜下方喷出清洗液,即向远离保持基板W的旋转卡盘20的方向喷出清洗液。由此,吹附于喷嘴臂62等上而产生的清洗液的雾朝向腔室10的侧壁11飞散,几乎不附着于旋转卡盘20。结果,能够防止由于清洗上表面处理液喷嘴60的喷嘴臂62污染旋转卡盘20。
在通过一边从喷淋喷嘴71朝向斜下方排出清洗液,升降驱动部64一边使3个喷嘴臂62升降对该3个喷嘴臂62都进行了清洗之后,停止从喷淋喷嘴71喷出清洗液。然后,接着对3个喷嘴臂62进行干燥处理。
在对上表面处理液喷嘴60的3个喷嘴臂62进行干燥处理时,3个喷嘴臂62以及排出头61也位于待机位置,在该待机位置进行喷嘴臂干燥。从喷嘴臂干燥部75的两个干燥气体喷嘴76向位于待机位置的喷嘴臂62吹送干燥用气体(氮气)。从干燥气体喷嘴76朝向水平方向的-Y侧喷出干燥用气体。从干燥气体喷嘴76喷出的干燥用气体吹送至上表面处理液喷嘴60的喷嘴臂62。由此清洗之后附着有清洗液的喷嘴臂62被干燥。
如图3所示,喷嘴臂干燥部75的两个干燥气体喷嘴76沿着铅垂方向隔开规定间隔地排列配置。升降驱动部64调整喷嘴臂62的高度位置,以从上侧的干燥气体喷嘴76向喷嘴臂62的沿着水平方向延伸的部分吹送干燥用气体,并且从下侧的干燥气体喷嘴76朝向喷嘴臂62的一边描绘平滑的圆弧一边朝向下侧的部分吹送干燥用气体。由此,向喷嘴臂62的整体吹送干燥用气体。结果,至少向喷嘴臂62的附着有从喷淋喷嘴71喷出的清洗液的部位,吹送干燥用气体来对该部位进行干燥。
但是,虽然沿着铅垂方向隔开规定间隔排列配置的两个干燥气体喷嘴76,能够向一个喷嘴臂62的整体吹送干燥用气体,但难以向与旋转驱动部63相连接的3个喷嘴臂62同时吹送干燥用气体。
因此,在第一实施方式中,旋转驱动部63使喷嘴臂62摆动,以使喷嘴臂62穿过从干燥气体喷嘴76向水平方向喷出的干燥用气体的气流。图10是用于示意性地说明一边使3个喷嘴臂62摆动一边进行干燥的情况的图。一边从固定设置的干燥气体喷嘴76朝向水平方向的-Y侧喷出干燥用气体,旋转驱动部63一边使3个喷嘴臂62在水平面内摆动。由此,从干燥气体喷嘴76喷出的干燥用气体依次吹送至3个喷嘴臂62。结果,能够向上表面处理液喷嘴60的全部3个喷嘴臂62吹送干燥用气体来对3个喷嘴臂62进行干燥。此外,在对喷嘴臂62进行干燥时,旋转驱动部63使喷嘴臂62摆动的角度只要是全部的3个喷嘴臂62穿过从干燥气体喷嘴76喷出的干燥用气体的气流的程度即可。
另外,干燥气体喷嘴76设置于比喷嘴臂62的前端更靠前方侧(+Y侧)的位置,因此从喷嘴臂62的前端侧吹送干燥用气体。由此,在由于吹送干燥用气体而附着于喷嘴臂62的清洗液吹飞的情况下,也会向喷嘴臂62的基端侧(-Y侧)飞散,因此防止清洗液的液滴附着于排出头61以及喷嘴臂62的前端侧。结果,能够将喷嘴臂62的在排出头61移动到处理位置时与被旋转卡盘20保持的基板W相向的部位保持清洁。
在通过一边从干燥气体喷嘴76沿着水平方向喷出干燥用气体,旋转驱动部63一边使3个喷嘴臂62在水平面内摆动而对全部的3个喷嘴臂62的干燥处理结束之后,停止从干燥气体喷嘴76喷出干燥用气体。这样,对上表面处理液喷嘴60的喷嘴臂62的清洗处理以及干燥处理完成。
根据第一实施方式,即使在上表面处理液喷嘴60的喷嘴臂62上附着有处理液,在从喷淋喷嘴71向喷嘴臂62喷出清洗液进行了清洗之后从干燥气体喷嘴76喷出干燥用气体来使喷嘴臂62干燥,从而除去所附着的处理液。因此,能够防止由于对附着于喷嘴臂62的处理液置之不理而引起的污染。
另外,在第一实施方式中,喷出清洗液的喷淋喷嘴71以及喷出干燥用气体的干燥气体喷嘴76固定设置。将这些构件安装到运转的上表面处理液喷嘴60本体的情况下,必须使向喷淋喷嘴71以及干燥气体喷嘴76供给流体(在此为清洗液以及干燥用气体)的配管可动来进行应对,受到设置空间、与上表面处理液喷嘴60相干涉等的限制。如果固定设置喷淋喷嘴71以及干燥气体喷嘴76,则向这些供给流体的配管也能够采用固定配管,不受上述的限制。
对于双流体喷嘴80的喷嘴臂82的清洗处理以及干燥处理也大概与上述的上表面处理液喷嘴60相同。即,通过从喷淋喷嘴91向位于待机位置的喷嘴臂82喷出清洗液来对喷嘴臂82进行清洗处理。此时,升降驱动部84使喷嘴臂82升降,以使喷嘴臂82穿过从喷淋喷嘴91向朝向-Y侧的斜下方喷出的清洗液的液流。
对于双流体喷嘴80来说,由于喷嘴臂82为一个,所以不需要与上表面处理液喷嘴60同样地使喷嘴臂82升降,但是为了可靠地清洗从喷嘴臂82的非端部位置分支的支撑构件86,优选如上述那样使喷嘴臂82相对于朝向斜下方喷出的清洗液的液流升降。通过升降驱动部84使喷嘴臂82升降以使喷嘴臂82穿过从喷淋喷嘴91朝向斜下方喷出的清洗液的液流,能够利用一个喷淋喷嘴91依次向喷嘴臂82以及支撑构件86喷出清洗液来进行清洗。
另外,设置于喷淋喷嘴91的多个喷出孔的排列的X方向长度比喷嘴臂82的X方向长度长,通过从喷淋喷嘴91朝向斜下方喷出的清洗液来清洗喷嘴臂82整体。因此,能够可靠地清洗喷嘴臂82的特定部位,该特定部位为在排出头81移动到处理位置时与被旋转卡盘20保持的基板W相向的部位。此外,在排出头81移动到处理位置时,支撑构件86也与被旋转卡盘20保持的基板W相向,通过如上述那样使喷嘴臂82相对于朝向斜下方喷出的清洗液升降来清洗支撑构件86。
另外,喷淋喷嘴91向朝向-Y侧的斜下方喷出清洗液,即向从保持基板W的旋转卡盘20远离的方向喷出清洗液。由此,吹附于喷嘴臂82等而产生的清洗液的雾向腔室10的侧壁11飞散,几乎不附着于旋转卡盘20。结果,能够防止由于清洗双流体喷嘴80的喷嘴臂82而引起的旋转卡盘20的污染。
在对喷嘴臂82进行干燥处理时,从喷嘴臂干燥部95的两个干燥气体喷嘴96向位于待机位置的喷嘴臂82吹送干燥用气体。由此,至少向喷嘴臂82的附着有从喷淋喷嘴91喷出的清洗液的部位,吹送干燥用气体来使该部位干燥。另外,从干燥气体喷嘴97以及干燥气体喷嘴98分别向支撑构件86以及气体头85吹送干燥用气体。由此,附着于支撑构件86以及气体头85的清洗液也被干燥。
在对双流体喷嘴80的喷嘴臂82进行干燥处理时,与上述的上表面处理液喷嘴60的干燥同样,可以是旋转驱动部83使喷嘴臂82摆动,以使喷嘴臂82穿过从固定设置的干燥气体喷嘴96沿着水平方向喷出的干燥用气体的气流。这样,能够可靠地向喷嘴臂82以及支撑构件86两者吹送干燥用气体来使这两者干燥。
若采用第一实施方式,则即使在双流体喷嘴80的喷嘴臂82上附着有处理液,也在从喷淋喷嘴91向喷嘴臂82喷出清洗液进行清洗之后从干燥气体喷嘴96喷出干燥用气体来干燥喷嘴臂82,来除去所附着的处理液。因此,能够防止由于对附着于喷嘴臂82的处理液置之不理而引起的污染。
另外,在第一实施方式中,喷出清洗液的喷淋喷嘴91以及喷出干燥用气体的干燥气体喷嘴96固定设置。因此,能够使向喷淋喷嘴91以及干燥气体喷嘴96供给流体的配管采用固定配管,不受将这些构件安装在运转的双流体喷嘴80的情况下所产生限制(将喷淋喷嘴71以及干燥气体喷嘴76安装在上表面处理液喷嘴60时同样的限制)。
<第二实施方式>
接着,对本发明的第二实施方式进行说明。第二实施方式的基板处理装置的结构以及基板W的处理顺序与第一实施方式相同。并且,与第一实施方式同样,在进行向基板W供给处理液的表面处理时,虽然从旋转的基板W飞散的大部分处理液被处理罩40回收,但是一部分会成为雾状飞散到处理罩40的外部。飞散到处理罩40的外部的处理液除了会附着于处理罩40的外侧上表面和间隔板15的上表面之外,还会附着于上表面处理液喷嘴60的喷嘴臂62以及双流体喷嘴80的喷嘴臂82。尤其,在向基板W排出处理液时,上表面处理液喷嘴60的喷嘴臂62或者双流体喷嘴80的喷嘴臂82移动到基板W的上方的处理位置,处理液容易附着于喷嘴壁62和喷嘴臂82。如果对附着于喷嘴臂62、82的处理液置之不理,则在下一个基板W进行处理时喷嘴臂62、82移动到处理位置的情况下,所附着的处理液可能落到基板W的上表面(所谓滴落)而成为污染源。
因此,在第二实施方式中,以如下方式对上表面处理液喷嘴60的喷嘴臂62以及双流体喷嘴80的喷嘴臂82进行干燥处理来解除喷嘴臂上附着有处理液的状态。作为对这样的喷嘴臂进行干燥处理的时机,优选每次结束向一张基板W排出处理液的处理且排出头61(或者排出头81)从处理位置返回待机位置时进行干燥处理。如果每次处理一张基板W对喷嘴臂62、82进行干燥处理,则能够防止在向某一基板W排出处理液时附着于喷嘴臂上的处理液在处理下一基板W时成为污染源。
在对上表面处理液喷嘴60的3个喷嘴臂62进行干燥处理时,通过旋转驱动部63使3个喷嘴臂62以及排出头61移动到处理罩40外侧的待机位置。即在一张基板W的处理结束且排出头61从处理位置返回到待机位置时,在该待机位置进行喷嘴臂干燥处理。此外,待机位置是3个喷嘴臂62通过旋转驱动部63的旋转动作而到达处理罩40外侧的规定位置,与喷嘴臂62的高度位置无关。另外,只要是处理罩40的外侧即可,待机位置可以具有允许喷嘴臂62在水平面内旋转小的角度的宽度。
通过从喷嘴臂干燥部75的两个干燥气体喷嘴76向返回到待机位置的3个喷嘴臂62吹送干燥用气体(氮气),来进行干燥处理。从干燥气体喷嘴76向水平方向的-Y侧喷出干燥用气体。从干燥气体喷嘴76喷出的干燥用气体吹送至上表面处理液喷嘴60的喷嘴臂62。由此在对基板进行处理之后附着有处理液的喷嘴臂62被干燥,除去喷嘴臂62上所附着的处理夜。
如图3所示,喷嘴臂干燥部75的两个干燥气体喷嘴76沿着铅垂方向隔开规定间隔地排列配置。升降驱动部64调整喷嘴臂62的高度位置,以从上侧的干燥气体喷嘴76向喷嘴臂62的沿着水平方向延伸的部分吹送干燥用气体,并且从下侧的干燥气体喷嘴76向喷嘴臂62的一边描绘平滑的圆弧一边朝向下侧的部分吹送干燥用气体。由此,向喷嘴臂62的整体吹送干燥用气体。结果,向在喷嘴臂62的至少特定部位可靠地吹送干燥用气体来至少使该特定部位干燥,特定部位之是指,在排出头61移动到处理位置时与被旋转卡盘20保持的基板W相向的部位,即到达该基板W的上方的部位。
但是,虽然沿着铅垂方向隔开规定间隔排列配置的两个干燥气体喷嘴76,能够向一个喷嘴臂62的整体吹送干燥用气体,但难以同时向与旋转驱动部63相连接的3个喷嘴臂62吹送干燥用气体。
因此,在第二实施方式中,旋转驱动部63使喷嘴臂62摆动,以使喷嘴臂62的前端侧穿过从固定设置的干燥气体喷嘴76沿着水平方向喷出的干燥用气体的气流。如图10所示,一边从固定设置的干燥气体喷嘴76向水平方向的-Y侧喷出干燥用气体,旋转驱动部63一边使3个喷嘴臂62在水平面内摆动。由此,从干燥气体喷嘴76喷出的干燥用气体依次吹送至3个喷嘴臂62。结果,能够向上表面处理液喷嘴60的全部3个喷嘴臂62吹送干燥用气体来进行干燥。此外,在对喷嘴臂62进行干燥时,旋转驱动部63使喷嘴臂62摆动的角度只要形成为使全部的3个喷嘴臂62穿过从干燥气体喷嘴76喷出的干燥用气体的气流的程度即可。并且,与该角度相对应的喷嘴臂62的移动范围为待机位置,喷嘴臂62在待机位置内摆动。
另外,由于干燥气体喷嘴76设置于比位于待机位置的喷嘴臂62的前端更靠前方侧(+Y侧)的位置,因此在排出头61位于待机位置时,从喷嘴臂62的前端侧吹送干燥用气体。由此,在通过吹送干燥用气体而附着于喷嘴臂62的清洗液被吹飞的情况下,会向喷嘴臂62的基端侧(-Y侧)飞散,因此防止处理液的液滴附着于排出头61以及喷嘴臂62的前端侧。结果,能够将喷嘴臂62的在排出头61移动到处理位置时与被旋转卡盘20保持的基板W相向的部位保持洁净。
在通过一边从干燥气体喷嘴76沿着水平方向喷出干燥用气体,旋转驱动部63一边使3个喷嘴臂62在水平面内摆动来对全部的3个喷嘴臂62的干燥处理结束之后,停止从干燥气体喷嘴76喷出干燥用气体。这样,上表面处理液喷嘴60的喷嘴臂62的干燥处理结束。然后,开始对下一基板W进行处理。
根据第二实施方式,即使在基板W处理中处理液附着于上表面处理液喷嘴60的喷嘴臂62,也从干燥气体喷嘴76向喷嘴壁62喷出干燥用气体来进行干燥,除去所附着的处理液。因此,能够防止在基板W处理中因附着有处理液的喷嘴臂62引起的污染。
尤其,如果每次结束向一张基板W排出处理液的处理且排出头61从处理位置返回待机位置,向喷嘴臂62吹送干燥用气体来进行干燥处理,则能够防止由于在某一基板W的处理中附着有处理液的喷嘴臂62污染接着处理的基板W。
另外,在第二实施方式中,喷出干燥用气体的干燥气体喷嘴76固定设置。在将干燥气体喷嘴76安装到运转的上表面处理液喷嘴60本体上的情况下,必须使向干燥气体喷嘴76供给干燥用气体的配管可动来进行应对,受到设置空间、与上表面处理液喷嘴60相干涉等的限制。如果固定设置干燥气体喷嘴76,则向干燥气体喷嘴76供给流体的配管也能够采用固定配管,不受上述的限制。
双流体喷嘴80的喷嘴臂82的干燥处理也与上述的上表面处理液喷嘴60大概相同。即,一张基板W的处理结束且排出头81从处理位置返回待机位置时,在该待机位置对喷嘴臂82进行干燥处理。通过从喷嘴臂干燥部95的两个干燥气体喷嘴96向返回待机位置的喷嘴臂82吹送干燥用气体,来进行干燥处理。从干燥气体喷嘴96朝向水平方向的+X侧喷出干燥用气体。从干燥气体喷嘴96喷出的干燥用气体吹送至双流体喷嘴80的喷嘴臂82。由此在对基板W进行处理之后附着有处理液的喷嘴臂82被干燥,除去所附着的处理液。另外,从干燥气体喷嘴97以及干燥气体喷嘴98也分别向支撑构件86以及气体头85吹送干燥用气体。由此,附着于支撑构件86以及气体头85的处理液也被干燥。
如图6所示,喷嘴臂干燥部95的两个干燥气体喷嘴96沿着铅垂方向隔开规定间隔地排列配置。升降驱动部84调整喷嘴臂82的高度位置,以从上侧的干燥气体喷嘴96向喷嘴臂82的沿着水平方向延伸的部分吹送干燥用气体,并且从下侧的干燥气体喷嘴96向喷嘴臂82的一边描绘平滑的圆弧一边朝向下侧的部分吹送干燥用气体。由此,向喷嘴臂82的整体吹送干燥用气体。结果,能够向喷嘴臂82的至少特定部位可靠地吹送干燥用气体来至少使特定部位干燥,其中,特定部位是指,在排出头81移动到处理位置时与被旋转卡盘20保持的基板W相向的部位,即到达该基板W的上方的部位。
另外,在对双流体喷嘴80的喷嘴臂82进行干燥处理时,也与上述的上表面处理液喷嘴60的干燥同样,旋转驱动部83使喷嘴臂82摆动,以使喷嘴臂82的前端侧穿过从固定设置的干燥气体喷嘴96沿着水平方向喷出的干燥用气体的气流。图11是用于示意性地说明一边使双流体喷嘴80的喷嘴臂82摆动一边进行干燥的情况的图。一边从固定设置的干燥气体喷嘴96朝向水平方向的+X侧喷出干燥用气体,旋转驱动部83一边使喷嘴臂82在水平面内摆动。由此,从干燥气体喷嘴96喷出的干燥用气体依次吹送至喷嘴臂82以及支撑构件86。结果,能够向双流体喷嘴80的喷嘴臂82以及支撑构件86两者吹送干燥用气体来对这两者进行干燥。此外,在对喷嘴臂82进行干燥时,旋转驱动部83使喷嘴臂82摆动的角度只要为喷嘴臂82以及支撑构件86两者穿过从干燥气体喷嘴96喷出的干燥用气体的气流的程度即可。并且,与该角度相对应的喷嘴臂82的移动范围为待机位置,喷嘴臂82在待机位置内摆动。
另外,由于干燥气体喷嘴96设置于比位于待机位置的喷嘴臂82的前端位置更靠前方侧(-X侧)的位置,因此在排出头81位于待机位置时,从喷嘴臂82的前端侧吹送干燥用气体。由此,即使在由于吹送干燥用气体而附着于喷嘴臂82的处理液被吹飞的情况下,也向喷嘴臂82的基端侧(+X侧)飞散,因此能够防止处理液的液滴附着于排出头81、气体头85以及喷嘴臂82的前端侧。结果,能够将喷嘴臂82的在排出头81移动到处理位置时与被旋转卡盘20保持的基板W相向的部位保持洁净。
在通过一边从干燥气体喷嘴96沿着水平方向喷出干燥用气体,旋转驱动部83一边使喷嘴臂82在水平面内摆动来对喷嘴臂82的干燥处理结束之后,停止从干燥气体喷嘴96喷出干燥用气体。这样,双流体喷嘴80的喷嘴臂82的干燥处理结束。然后,开始下一基板W的处理。
如果采用第二实施方式,即使在基板W处理中处理液附着于双流体喷嘴80的喷嘴臂82,也从干燥气体喷嘴96向喷嘴臂82喷出干燥用气体来使喷嘴臂82进行干燥,从而除去所附着的处理液。因此,能够防止在基板W处理中因附着有处理液的喷嘴臂82引起的污染。
尤其,如果每次结束向一张基板W排出处理液的处理且排出头81从处理位置返回待机位置,向喷嘴臂82吹送干燥用气体来进行干燥处理,则能够防止因在某一基板W的处理中附着有处理液的喷嘴臂82污染下次处理的基板W。
另外,在第二实施方式中,喷出干燥用气体的干燥气体喷嘴96固定设置。在将干燥气体喷嘴96安装到运转的双流体喷嘴80的本体上的情况下,必须使向干燥气体喷嘴96供给干燥用气体的配管可动来应对,受到设置空间、与双流体喷嘴80相干涉等的限制。如果固定设置干燥气体喷嘴96,则向气体喷嘴96供给流体的配管也能够采用固定配管,不受上述的限制。
<第三实施方式>
接着,对本发明的第三实施方式进行说明。图12是第三实施方式的基板处理装置1a的俯视图。在图12中,对于与第一实施方式相同的构件标注相同的附图标记并省略详细的说明。另外,基板处理装置1a的纵向剖视图与图2相同。第三实施方式的基板处理装置1a也是逐张地处理半导体的基板W的单张式的处理装置,在对圆形的硅基板W进行药液处理以及利用纯水的冲洗处理之后进行干燥处理。
图13是示出上表面处理液喷嘴60的概略动作的俯视图。另外,图14是上表面处理液喷嘴60以及待机容器170的侧视示意图。与第一实施方式同样,上表面处理液喷嘴60是在相互平行设置的3个喷嘴臂62各自的前端分别安装排出头61而构成的。3个喷嘴臂62的基端侧与旋转驱动部63相连接。3个喷嘴臂62以沿着水平方向相互平行的方式与旋转驱动部63相连接。旋转驱动部63设置于处理罩40的外侧。旋转驱动部63能够通过内置的旋转马达(省略图示)围绕铅垂方向轴进行旋转动作,能够使3个喷嘴臂62在水平面内(XY平面内)统一旋转。
如图13所示,旋转驱动部63使喷嘴臂62在水平面内旋转,来使排出头61在被旋转卡盘20保持的基板W的上方的处理位置与处理罩40的外侧的待机位置之间呈圆弧状地移动。图13的虚线表示排出头61到达处理位置时的3个喷嘴臂62的位置。另外,图13的实线表示排出头61到达待机位置时的3个喷嘴臂62的位置。此外,将使喷嘴臂62旋转以使排出头61在处理位置和与机位置之间移动的动作,也表示成使喷嘴臂62在处理位置与待机位置之间旋转。
如图14所示,3个喷嘴臂62各自以从旋转驱动部63沿着水平方向延伸的方式使基端侧与旋转驱动部63相连接。各喷嘴臂62的前端侧一边描绘平滑的圆弧一边朝向下侧。并且,在朝向铅垂方向下侧(-Z侧)的各喷嘴臂62的前端安装有用于向被旋转卡盘20保持的基板W排出处理液的排出头61。从图外的处理液供给机构经由喷嘴臂62的内侧向排出头61供给多种处理液(至少包括纯水)。供给至排出头61的处理液从排出头61朝向铅垂方向下方排出。在被旋转卡盘20保持的基板W的上方的处理位置,从排出头61排出的处理液着落于该基板W的上表面。另一方面,在排出头61移动到处理罩40外侧的待机位置时,喷嘴臂62也在处理罩40的外侧沿着Y方向待机(参照图12、图13)。
另外,旋转驱动部63安装在升降驱动部64上。升降驱动部64通过内置的升降马达(省略图示),使3个排出头61以及3个喷嘴臂62与旋转驱动部63一起统一沿着铅垂方向升降。
在排出头61的待机位置设置有待机容器170。待机容器170设置有作为凹部的容置部175。在待机位置,待机容器170将上表面处理液喷嘴60的排出头61容置在容置部175中。在即将向基板W供给处理液前,排出头61将排出头内滞留了规定时间以上而变质或者温度降低的规定量的处理液向待机容器170的容置部175内排出(预分配(Pre-dispensing))。此外,在待机容器170上可以设置集中容置3个排出头61的横长的容置部175,也可以设置分别单独容置3个排出头61的3个容置部175。
在容置部175的底部连接有废气管路171。在废气管路171上安装有废弃阀172。通过打开废弃阀172,能够使容置部175内的液体经过废气管路171排除到外部。
另外,在待机容器170的容置部175中设置有清洗液喷出部176。清洗液喷出部176固定设置于容置部175的侧壁。在清洗液喷出部176上设置有朝向容置部175的内侧的多个喷出孔。从图外的清洗液供给机构向清洗液喷出部176供给清洗液(在本实施方式中为纯水)。从该清洗液供给机构供给的清洗液从清洗液喷出部176的喷出孔朝向容置部175的内侧喷出。此外,作为清洗液喷出部176,并不限于设置有多个喷出孔的构件,能够采用喷嘴等能够喷出液体的公知的多种机构。
在待机容器170的上表面上的容置部175的上部开口附近设置有干燥气体喷出部177。在干燥气体喷出部177上设置有朝向斜下方即朝向容置部175的上部开口附近的多个喷出孔。从图外的干燥气体供给源向干燥气体喷出部177供给干燥用气体(在本实施方式中为氮气(N2))。从该干燥气体供给源供给的干燥用气体从干燥气体喷出部177的喷出孔朝向容置部175的上部开口附近喷出。此外,作为干燥气体喷出部177,不限于设置有多个喷出孔的构件,能够采用喷嘴等能够喷出气体的公知的多种机构。
在待机容器170上还设置有喷嘴臂干燥部178。喷嘴臂干燥部178设置于待机容器170的上表面上的比干燥气体喷出部177更靠喷嘴臂62的基端侧(-Y侧)的位置。喷嘴臂干燥部178能够朝向斜上方,即朝向位于待机位置的喷嘴臂62喷出从上述的干燥气体供给源供给的干燥用气体。此外,作为喷嘴臂干燥部178也能够采用能够喷出气体的公知的多种机构。
在基板处理装置1上设置有与上表面处理液喷嘴60不同的另外的双流体喷嘴80。图15是示出双流体喷嘴80的概略动作的俯视图。另外,图16是双流体喷嘴80以及待机容器190的侧视示意图。双流体喷嘴80是将纯水等处理液和加压了的气体混合而生成液滴,并将该液滴与气体的混合流体向基板W喷射的清洗喷嘴。双流体喷嘴80是在喷嘴臂82的前端安装有排出头81并且在以从喷嘴臂82分支的方式设置的支撑构件86上安装有气体头85而构成的。喷嘴臂82的基端侧与旋转驱动部83相连接。旋转驱动部83配置于处理罩40的外侧。旋转驱动部83能够通过内置的旋转马达(省略图示)围绕铅垂方向轴进行旋转动作,使喷嘴臂82在水平面内(XY平面内)旋转。
如图15所示,旋转驱动部83使喷嘴臂82在水平面内旋转,以使排出头81在被旋转卡盘20保持的基板W的上方的处理位置与处理罩40的外侧的待机位置之间呈圆弧状地移动。图15的虚线表示排出头81到达处理位置时的喷嘴臂82的位置。另外,图15的实线表示在排出头81到达待机位置时的喷嘴臂82的位置。此外,与上述的上表面处理液喷嘴60同样,将使喷嘴臂82旋转以使排出头81在处理位置与待机位置之间移动的动作,表示成使喷嘴臂82在处理位置与待机位置之间旋转。
如图16所示,喷嘴臂82以从旋转驱动部83沿着水平方向延伸的方式使基端侧与旋转驱动部83相连接。喷嘴臂82的前端侧一边描绘平滑的圆弧一边朝向下侧。并且,在朝向铅垂方向下侧(-Z侧)的喷嘴臂82的前端安装有用于向被旋转卡盘20保持的基板W排出处理液的排出头81。从图外的处理液供给机构经由喷嘴臂82的内侧向排出头81供给处理液(在本实施方式中为纯水)。
在喷嘴臂82的非端部位置安装有支撑构件86。在支撑构件86上安装有气体头85。气体头85以位于排出头81的侧方的方式设置在支撑构件86上。向气体头85供给加压了的非活性气体(在本实施方式中为氮气)。通过在处理位置一边从排出头81排出处理液,一边从气体头85喷出加压了的非活性气体并混合在从排出头81排出的处理液中,生成处理液的液滴,该液滴和非活性气体的混合流体向被旋转卡盘20保持的基板W的上表面喷射。另一方面,在排出头81移动到处理罩40的外侧的待机位置时,喷嘴臂82也在处理罩40的外侧沿着X方向待机(参照图12、图15)。
另外,旋转驱动部83安装在升降驱动部84上。升降驱动部84通过内置的升降马达(省略图示)使排出头81、气体头85以及喷嘴臂82与旋转驱动部83一起统一沿着铅垂方向升降。
在排出头81的待机位置设置有待机容器190。在待机容器190上设置有作为凹部的容置部195。在待机位置,待机容器190将双流体喷嘴80的排出头81以及气体头85容置在容置部195中。在将向基板W供给处理液之前,排出头81在待机容器190的容置部195内进行与上述的排出头61同样的预分配。
在容置部195的底部连接有废气管路191。在废气管路191上安装有废弃阀192。通过打开废弃阀192,能够使容置部195内的液体经由废气管路191向外部排出。
在待机容器190的容置部195上设置有清洗液喷出部196。清洗液喷出部196固定设置在容置部195的侧壁上。在清洗液喷出部196上设置有朝向容置部195的内侧的多个喷出孔。从图外的清洗液供给机构向清洗液喷出部196供给清洗液。从该清洗液供给机构供给的清洗液从清洗液喷出部196的喷出孔朝向容置部195的内侧喷出。此外,作为清洗液喷出部196,不限于设置有多个喷出孔的构件,能够采用喷嘴等能够喷出液体的公知的多种机构。
在待机容器190的上表面上的容置部195的上部开口附近设置有干燥气体喷出部197。在干燥气体喷出部197上设置有朝向斜下方即容置部195的上部开口附近的多个喷出孔。从图外的干燥气体供给源向干燥气体喷出部197供给干燥用气体。从该干燥气体供给源供给的干燥用气体从干燥气体喷出部197的喷出孔朝向容置部195的上部开口附近喷出。此外,作为干燥气体喷出部197,不限于设置有多个喷出孔的构件,能够采用气体喷嘴等能够喷出气体的公知的多种机构。
并且,在待机容器190上设置有喷嘴臂干燥部198。喷嘴臂干燥部198设置在待机容器190的上表面上的比干燥气体喷出部197更靠喷嘴臂82的基端侧(+X侧)的位置。喷嘴臂干燥部198能够将从上述的干燥气体供给源供给的干燥用气体朝向斜上方,即朝向位于待机位置的喷嘴臂82喷出。此外,作为喷嘴臂干燥部198能够采用能够喷出气体的公知的多种机构。
接着,对具有上述结构的基板处理装置1a的动作进行说明。基板处理装置1a处理基板W的通常的步骤与第一以及第二实施方式同样。在进行向基板W供给处理液的表面处理时,从旋转的基板W飞散的处理液附着于上表面处理液喷嘴60的排出头61。另外,飞散幅度大的处理液的一部分也会附着于喷嘴臂62。另外,在利用双流体喷嘴80对基板W进行表面处理时,飞散的处理液附着于排出头81以及气体头85。如果对附着于排出头61等的处理液置之不理,则可能在排出头61移动到处理位置时所附着的处理液落(所谓“滴落”)到基板W的上表面而成为污染源,或者所附着的处理液干燥而成为异物颗粒产生源。
因此,在第三实施方式中,如下面那样对上表面处理液喷嘴60的排出头61进行清洗处理。作为进行这样的排出头61的清洗处理的时机,优选每次结束向一张基板W排出处理液的处理并且排出头61从处理位置返回待机位置,进行清洗处理。如果每次处理一张基板W就对排出头61进行清洗处理,则能够防止在向某一基板W排出处理液时附着于排出头61的处理液在处理下一基板W时成为污染源。
图17至图20是用于说明上表面处理液喷嘴60的排出头61的清洗处理的顺序的图。首先,对某一基板W的上述的处理结束,旋转驱动部63使喷嘴臂62旋转来使处理后的排出头61从处理位置移动到处理罩40外侧的待机位置。在待机位置配置有待机容器170。因此,如图17所示,返回到待机位置的排出头61停止于待机容器170的正上方。在刚进行了处理后的排出头61以及喷嘴臂62的局部附着有处理中从旋转的基板W飞散的处理液。
接着,升降驱动部64使喷嘴臂62以及排出头61沿着铅垂方向下降,使排出头61嵌入待机容器170的容置部175中。然后,如图18所示,从设置在待机容器170上的清洗液喷出部176朝向容置在容置部175中的排出头61喷出清洗液。由此,在处理中附着于排出头61的处理液被冲掉。
从清洗液喷出部176朝向排出头61喷出的清洗液与被冲掉的处理液一起落至容置部175内。通过打开废弃阀172,落至容置部175内的清洗液从废气管路171向外部排出。
在从清洗液喷出部176喷出了规定时间的清洗液的时刻,停止喷出清洗液。并且,如图19所示,从设置于待机容器170的干燥气体喷出部177朝向斜下方即容置部175的上部开口附近喷出干燥用气体。另外,从设置于待机容器170的上表面上的喷嘴臂干燥部178朝向喷嘴臂62喷出干燥用气体。
一边从干燥气体喷出部177以及喷嘴臂干燥部178喷出干燥用气体,升降驱动部64一边使喷嘴臂62以及排出头61沿着铅垂方向逐渐上升。由此,如图20所示,一边从待机容器170的容置部175提起排出头61,一边从干燥气体喷出部177朝向正在提起的排出头61吹送干燥用气体。然后,通过一边提起排出头61一边从干燥气体喷出部177吹送干燥用气体,将附着于排出头61的清洗液吹飞而使排出头61干燥。
另外,从喷嘴臂干燥部178喷出的干燥用气体吹送至喷嘴臂62。由此,附着于喷嘴臂62的处理液也被干燥。
在喷嘴臂62以及排出头61上升到规定的高度位置的时刻,升降驱动部64停止使喷嘴臂62以及排出头61上升。然后,为了对被旋转卡盘20保持的下一基板W进行处理,旋转驱动部63使喷嘴臂62旋转来使被清洗了的排出头61从待机位置再次移动到处理位置。在即将从待机位置开始移动时,排出头61在待机容器170的容置部175中进行预分配。
另外,在利用双流体喷嘴80对基板W进行了表面处理的情况下,由于在该排出头81以及气体头85上附着有处理液,因此对排出头81以及气体头85进行清洗处理。双流体喷嘴80的排出头81以及气体头85的清洗处理的顺序与上述的上表面处理液喷嘴60的排出头61的清洗处理顺序大概相同。即,使处理结束返回待机位置的排出头81以及气体头85下降并容置在待机容器190的容置部195中。然后,从设置在待机容器190上的清洗液喷出部196朝向排出头81以及气体头85喷出清洗液,将处理中附着于排出头81以及气体头85的处理液冲掉。
接着,停止从清洗液喷出部196喷出清洗液,从设置在待机容器190上的干燥气体喷出部197朝向斜下方即容置部195的上部开口附近喷出干燥用气体。然后,从待机容器190的容置部195逐渐提起排出头81以及气体头85。通过从干燥气体喷出部197向该排出头81以及气体头85吹送干燥用气体,将附着于排出头81以及气体头85的清洗液吹飞来进行干燥。
另外,还从设置于待机容器190的上表面上的喷嘴臂干燥部198朝向喷嘴臂82喷出干燥用气体,由此附着于喷嘴臂82的处理液也被干燥。
在第三实施方式中,即使在基板W处理中处理液附着于上表面处理液喷嘴60的排出头61,也在待机容器170中向该排出头61喷出清洗液进行清洗之后,从设置于待机容器170的干燥气体喷出部177向排出头61喷出干燥用气体来使清洗液干燥。因此,能够防止由于附着于排出头61的处理液引起的污染。
另外,在待机容器170,向排出头61不仅喷出清洗液来进行清洗,还向清洗后的附着有清洗液的排出头61吹送干燥用气体来进行干燥。因此,能够防止在清洗后的排出头61移动到处理位置时清洗液从排出头61落到基板W上。
另外,如果在待机容器170的容置部175内从清洗液喷出部176喷出清洗液来清洗排出头61,则能够防止该清洗液向待机容器170的外部飞散而清洗液附着于旋转卡盘20等的腔室10内的机构上的情况。
另外,一边从待机容器170提起排出头61,一边从干燥气体喷出部177朝向斜下方喷出干燥用气体并吹送至排出头61。因此,能够从排出头61高效地朝向下方吹飞清洗液使清洗液干燥。
而且,从设置在待机容器170的上表面上的喷嘴臂干燥部178向喷嘴臂62吹送干燥用气体,使附着于喷嘴臂62的处理液也干燥。因此,能够防止由于附着有处理液的喷嘴臂62引起的污染。
另外,在将双流体喷嘴80的排出头81以及气体头85容置在待机容器190中,并向这些构件喷出清洗液来进行清洗之后,从干燥气体喷出部197喷出干燥用气体来使清洗液干燥的情况下,也能够获得与上述同样的効果。
<变形例>
以上,对本发明的实施方式进行了说明,但是本发明只要不脱离其宗旨,则能够在上述内容之外进行各种变更。例如,可以将第一实施方式和第二实施方式并行进行。具体地讲,可以每次处理一张基板W就进行第二实施方式的干燥处理,在一个批次的处理结束时进行第一实施方式的清洗处理。
另外,在第一实施方式中,通过从比喷嘴臂62、82长的喷淋喷嘴71、91喷出清洗液来清洗喷嘴臂62、82的整体,但不必清洗整体,可以仅清洗喷嘴臂62、82的局部。在清洗喷嘴臂62、82的局部时,可靠地清洗在排出头61、81移动到处理位置时与被旋转卡盘20保持的基板相向的部位。即,只要清洗喷嘴臂62、82上的至少在排出头61、81移动到处理位置时与被旋转卡盘20保持的基板W相向的部位即可。由此,防止在排出头61、81移动到处理位置时,附着于喷嘴臂62、82的处理液落到基板W的上表面的情况。
另外,在第一实施方式中,通过升降驱动部64使喷嘴臂62升降以使喷嘴臂62穿过从喷淋喷嘴71朝向斜下方喷出的清洗液的液流,利用一个喷淋喷嘴71来清洗3个喷嘴臂62,但可以采用大角度地喷出清洗液的喷淋喷嘴来代替上述的结构。如果采用这样的喷淋喷嘴,则能够在不使喷嘴臂62升降的情况下清洗全部的3个喷嘴臂62。
另外,也可以在位于待机位置的3个喷嘴臂62各自的正上方分别设置喷淋喷嘴,从这些喷淋喷嘴向正下方喷出清洗液来清洗3个喷嘴臂62。这样也能够除去附着于喷嘴臂62的处理液来防止污染。然而,如第一实施方式那样,将喷淋喷嘴71设置在位于待机位置的喷嘴臂62的斜上方的方式,能够减少喷淋喷嘴71的数量,并且能够防止吹附于喷嘴臂62而产生的清洗液的雾附着于旋转卡盘20。
另外,在第一实施方式中,通过喷淋喷嘴71、91以及干燥气体喷嘴76、96主要对喷嘴臂62、82进行清洗以及干燥处理,但可以与喷嘴臂62、82一起也对排出头61、81以及气体头85进行清洗以及干燥处理。然而,对于排出头61、81以及气体头85来说,优选如第三实施方式,通过设置在待机位置的待机容器170、190来进行清洗以及干燥处理。
另外,在第二实施方式中,可以在一张基板W的处理结束且排出头61从处理位置返回待机位置时,从喷淋喷嘴71向斜下方的喷嘴臂62喷出清洗液来进行清洗处理之后,从干燥气体喷嘴76吹送干燥用气体来对喷嘴臂62进行干燥处理。同样,对于双流体喷嘴80来说,也可以在一张基板W的处理结束且排出头81从处理位置返回待机位置时,从喷淋喷嘴91向斜下方的喷嘴臂82喷出清洗液来进行清洗处理之后,从干燥气体喷嘴96吹送干燥用气体来对喷嘴臂82进行干燥处理。这样,如果在进行喷出清洗液的清洗处理之后吹送干燥用气体来对喷嘴臂62、82进行干燥处理,则能够可靠地除去在基板W处理中附着于喷嘴臂62、82的处理液。但是,若每次结束一张基板W的处理就进行喷出清洗液的清洗处理和吹送干燥用气体的干燥处理,则由于需要相应的时间,因此处理基板W之间的时间变长,基板处理装置1的生产量降低。因此,优选在处理基板W之间如第二实施方式那样仅对喷嘴臂62、82进行干燥处理,例如在批次之间如第一实施方式那样进行喷出清洗液的清洗处理以及吹送干燥用气体的干燥处理。
另外,在第二实施方式中,使喷嘴臂62摆动以使喷嘴臂62的前端侧穿过从干燥气体喷嘴76喷出的干燥用气体的气流,来使全部的3个喷嘴臂62干燥,但可以在分别与停止于待机位置的3个喷嘴臂62相向的位置上设置干燥气体喷嘴76,从这些干燥气体喷嘴76单独地喷出干燥用气体使3个喷嘴臂62干燥,来代替上述的结构。
另外,在第三实施方式中,从待机容器170的清洗液喷出部176朝向排出头61喷出清洗液来进行清洗,但也可以向容置部175内供给来贮存清洗液,将排出头61浸渍在所贮存的清洗液中来进行清洗,以代替上述的结构。另外,也可以向容置部175内供给清洗液的雾,通过清洗液的雾清洗排出头61。即,只要是向容置在待机容器170的容置部175的排出头61供给清洗液来进行清洗的方式即可。
另外,在第三实施方式中,每次处理一张基板W对排出头61进行清洗处理,也可以在从一个批次的处理结束到下一批次的处理之间对排出头61进行清洗处理。从防止由于附着于排出头61的处理液引起的污染的角度来说,优选每次处理一张基板W对排出头61进行清洗处理,但为了提高生产量,每批次进行清洗处理有利。
另外,成为基板处理装置1、1a的处理对象的基板不限于半导体基板,也可以是在液晶显示装置等平板显示器中使用的玻璃基板。

Claims (28)

1.一种基板处理装置,其特征在于,具有:
基板保持单元,将基板保持为大致水平姿势并使上述基板旋转,
罩,包围上述基板保持单元的周围,
喷嘴臂,在前端具有用于向被上述基板保持单元保持的基板排出处理液的排出头,
旋转驱动部,使上述喷嘴臂旋转,以使上述排出头在位于被上述基板保持单元保持的基板的上方的处理位置与位于上述罩的外侧的待机位置之间移动,
喷嘴臂清洗单元,至少清洗上述喷嘴臂的特定部位,该特定部位是指,在上述排出头移动到上述处理位置时与被上述基板保持单元保持的基板相向的部位,
升降驱动部,用于使上述喷嘴臂升降;
上述旋转驱动部设置于上述罩的外侧,并与上述喷嘴臂的基端相连接,
上述喷嘴臂清洗单元具有喷淋喷嘴,在上述排出头位于上述待机位置时,该喷淋喷嘴向上述喷嘴臂喷出清洗液,
上述喷淋喷嘴固定设置于上述罩的外侧,朝向斜下方喷出清洗液,
上述升降驱动部使上述喷嘴臂升降,以使上述喷嘴臂穿过从上述喷淋喷嘴喷出的清洗液的液流。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,上述喷淋喷嘴向远离上述基板保持单元的方向喷出清洗液。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,上述基板处理装置还具有气体喷出部,上述气体喷出部至少向上述喷嘴臂的附着有从上述喷淋喷嘴喷出的清洗液的部位吹送干燥用气体来进行干燥。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,上述气体喷出部设置于,在上述排出头位于上述待机位置时能够从上述喷嘴臂的前端侧吹送干燥用气体的位置。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,在上述旋转驱动部上沿着水平方向相互平行地连接有多个上述喷嘴臂,
上述升降驱动部使多个上述喷嘴臂相当于从上述喷淋喷嘴朝向斜下方喷出的清洗液的液流升降,向全部的多个上述喷嘴臂依次吹送清洗液。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,在上述喷嘴臂上的上述排出头的侧方附设有用于向从上述排出头排出的处理液中混合气体的气体排出部。
7.一种基板处理方法,其特征在于,包括:
旋转工序,使在前端具有排出头的喷嘴臂旋转,以使上述排出头在处理位置与待机位置之间移动,其中,上述排出头用于向被基板保持单元保持为大致水平姿势并进行旋转的基板排出处理液,上述处理位置位于被上述基板保持单元保持的基板的上方,上述待机位置位于对上述基板保持单元的周围进行包围的罩的外侧,
喷嘴臂清洗工序,至少清洗上述喷嘴臂的特定部位,该特定部位是指,在上述排出头移动到上述处理位置时与被上述基板保持单元保持的基板相向的部位;
上述喷嘴臂清洗工序包括清洗液喷出工序,在上述清洗液喷出工序中,在上述排出头位于上述待机位置时从喷淋喷嘴向上述喷嘴臂喷出清洗液,
在上述清洗液喷出工序中,一边从上述喷淋喷嘴朝向斜下方喷出清洗液,一边使上述喷嘴臂升降,以使上述喷嘴臂穿过从上述喷淋喷嘴喷出的清洗液的液流。
8.根据权利要求7所述的基板处理方法,其特征在于,上述喷淋喷嘴向远离上述基板保持单元的方向喷出清洗液。
9.根据权利要求7所述的基板处理方法,其特征在于,上述基板处理方法还包括喷嘴臂干燥工序,在上述喷嘴臂干燥工序中,至少向上述喷嘴臂的附着有从上述喷淋喷嘴喷出的清洗液的部位吹送干燥用气体来进行干燥。
10.根据权利要求9所述的基板处理方法,其特征在于,在上述喷嘴臂干燥工序中,在上述排出头位于上述待机位置时,从上述喷嘴臂的前端侧吹送干燥用气体。
11.根据权利要求7至10中任一项所述的基板处理方法,其特征在于,上述喷嘴臂沿着水平方向相互平行地设置有多个,
使多个上述喷嘴臂相当于从上述喷淋喷嘴朝向斜下方喷出的清洗液的液流升降,来向全部的多个上述喷嘴臂依次吹送清洗液。
12.根据权利要求7至10中任一项所述的基板处理方法,其特征在于,在上述喷嘴臂上的上述排出头的侧方附设有用于向从上述排出头排出的处理液中混合气体的气体排出部。
13.一种基板处理装置,其特征在于,具有:
基板保持单元,将基板保持为大致水平姿势并使上述基板旋转,
罩,包围上述基板保持单元的周围,
喷嘴臂,在前端具有用于向被上述基板保持单元保持的基板排出处理液的排出头,
旋转驱动部,使上述喷嘴臂旋转,以使上述排出头在位于被上述基板保持单元保持的基板的上方的处理位置与位于上述罩的外侧的待机位置之间移动,
气体喷出部,在上述排出头从上述处理位置返回上述待机位置时,上述气体喷出部至少向上述喷嘴臂的特定部位吹送干燥用气体,来使在上述处理位置进行处理时从旋转的基板飞散的处理液的雾附着于上述喷嘴臂而形成的附着雾干燥,其中,该特定部位是指,在上述排出头移动到上述处理位置时与被上述基板保持单元保持的基板相向的部位;
在上述排出头位于上述待机位置时,该气体喷出部位于上述喷嘴臂的前端的前方,该气体喷出部能够从上述喷嘴臂的前端侧朝向水平方向喷出干燥用气体。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置,其特征在于,
上述气体喷出部被固定设置,
上述旋转驱动部使上述喷嘴臂摆动,以使上述喷嘴臂的前端侧穿过从上述气体喷出部喷出的干燥用气体的气流。
15.根据权利要求13所述的基板处理装置,其特征在于,每当结束向一张基板排出处理液的处理并上述排出头从上述处理位置返回上述待机位置时,上述气体喷出部都向上述喷嘴臂吹送干燥用气体。
16.根据权利要求13至15中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,在上述旋转驱动上沿着水平方向相互平行地连接有多个上述喷嘴臂。
17.根据权利要求13至15中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,在上述喷嘴臂上的上述排出头的侧方附设有用于向从上述排出头排出的处理液中混合气体的气体排出部。
18.一种基板处理方法,其特征在于,包括:
处理工序,使在前端具备排出头的喷嘴臂旋转,来使上述排出头移动到位于被基板保持单元保持为大致水平姿势并进行旋转的基板的上方的处理位置,从上述排出头向上述基板排出处理液,
返回工序,使上述喷嘴臂旋转,来使上述排出头从上述处理位置返回到位于对上述基板保持单元的周围进行包围的罩的外侧的待机位置,
喷嘴臂附着雾干燥工序,在上述排出头从上述处理位置返回到上述待机位置时,从气体喷出部至少向上述喷嘴臂的特定部分吹送干燥用气体,来使在上述处理工序中从旋转的基板飞散的处理液的雾附着于上述喷嘴臂而形成的附着雾干燥,其中,特定部位是指,在上述排出头移动到上述处理位置时与被上述基板保持单元保持的基板相向的部位;
在上述喷嘴臂附着雾干燥工序中,从在上述排出头位于上述待机位置时位于上述喷嘴臂的前端的前方的上述气体喷出部,朝向水平方向向上述喷嘴臂的前端侧吹送干燥用气体。
19.根据权利要求18所述的基板处理方法,其特征在于,
上述气体喷出部被固定设置,
在上述喷嘴臂附着雾干燥工序中使上述喷嘴臂摆动,以使上述喷嘴臂的前端侧穿过从上述气体喷出部喷出的干燥用气体的气流。
20.根据权利要求18所述的基板处理方法,其特征在于,每当结束一次上述处理工序并且上述排出头从上述处理位置返回上述待机位置时,都执行上述喷嘴臂附着雾干燥工序。
21.根据权利要求18至20中任一项所述的基板处理方法,其特征在于,上述喷嘴臂沿着水平方向相互平行地设置有多个。
22.根据权利要求18至20中任一项所述的基板处理方法,其特征在于,在上述喷嘴臂上的上述排出头的侧方附设有用于向从上述排出头排出的处理液中混合气体的气体排出部。
23.一种基板处理装置,其特征在于,具有:
基板保持单元,将基板保持为大致水平姿势并使上述基板旋转,
罩,包围上述基板保持单元的周围,
喷嘴臂,在前端具有用于向被上述基板保持单元保持的基板排出处理液的排出头,
旋转驱动部,使上述喷嘴臂旋转,以使上述排出头在位于被上述基板保持单元保持的基板的上方的处理位置与位于上述罩的外侧的待机位置之间移动,
待机容器,配置于上述待机位置,设置有用于容置上述排出头的容置部,
清洗单元,设置在上述待机容器上,用于向容置在上述待机容器中的上述排出头供给清洗液来进行清洗,
干燥单元,设置在上述待机容器的上表面的上述容置部的上部开口附近,用于向通过上述清洗单元清洗后的上述排出头吹送干燥用气体来进行干燥。
24.根据权利要求23所述的基板处理装置,其特征在于,
上述基板处理装置还具有用于使上述喷嘴臂以及上述排出头升降的升降驱动部,
上述干燥单元向通过上述升降驱动部从上述待机容器提起的上述排出头吹送干燥用气体。
25.根据权利要求23或24所述的基板处理装置,其特征在于,
在上述待机容器上还设置有用于向上述喷嘴臂吹送干燥用气体的喷嘴臂干燥单元。
26.一种基板处理方法,其特征在于,包括:
处理工序,使在前端具备排出头的喷嘴臂旋转,来使上述排出头移动到位于被基板保持单元保持为大致水平姿势并进行旋转的基板的上方的处理位置,从上述排出头向上述基板排出处理液,
返回工序,使上述喷嘴臂旋转,来使上述排出头从上述处理位置返回到位于对上述基板保持单元的周围进行包围的罩的外侧的待机位置,并将上述排出头容置在配置于上述待机位置的待机容器上所设置的容置部中,
清洗工序,从设置在上述待机容器上的清洗单元向容置在上述待机容器中的上述排出头供给清洗液来进行清洗,
干燥工序,从设置在上述待机容器的上表面的上述容置部的上部开口附近的干燥单元向在上述清洗工序中已被清洗的上述排出头吹送干燥用气体来进行干燥。
27.根据权利要求26所述的基板处理方法,其特征在于,在上述干燥工序中,一边从上述待机容器提起上述排出头,一边从上述干燥单元向上述排出头吹送干燥用气体。
28.根据权利要求26或27所述的基板处理方法,其特征在于,
上述干燥工序包括喷嘴臂干燥工序,在上述喷嘴臂干燥工序中,从设置在上述待机容器上的喷嘴臂干燥单元向上述喷嘴臂吹送干燥用气体。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107039306A (zh) * 2015-09-18 2017-08-11 东京毅力科创株式会社 基板处理装置及处理腔室清洗方法

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6018528B2 (ja) * 2013-03-13 2016-11-02 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP6319941B2 (ja) 2013-03-15 2018-05-09 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および吐出ヘッド待機方法
TWI563560B (en) * 2013-07-16 2016-12-21 Screen Holdings Co Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP6389089B2 (ja) 2014-09-18 2018-09-12 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US9812344B2 (en) 2015-02-03 2017-11-07 Applied Materials, Inc. Wafer processing system with chuck assembly maintenance module
US10332761B2 (en) * 2015-02-18 2019-06-25 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
US10403517B2 (en) * 2015-02-18 2019-09-03 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
CN105914167B (zh) * 2015-02-25 2018-09-04 株式会社思可林集团 基板处理装置
KR102450031B1 (ko) 2015-09-02 2022-09-30 세메스 주식회사 대기 포트 및 이를 가지는 기판 처리 장치
US20170084470A1 (en) * 2015-09-18 2017-03-23 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and cleaning method of processing chamber
JP6473409B2 (ja) * 2015-11-10 2019-02-20 株式会社Screenホールディングス ノズル待機装置および基板処理装置
JP6714346B2 (ja) * 2015-11-10 2020-06-24 株式会社Screenホールディングス ノズル待機装置および基板処理装置
CN107221491B (zh) * 2016-03-22 2021-10-22 东京毅力科创株式会社 基板清洗装置
JP6557625B2 (ja) * 2016-03-23 2019-08-07 東芝メモリ株式会社 基板の生産方法、および基板の生産システム
JP6626762B2 (ja) 2016-03-30 2019-12-25 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP6672091B2 (ja) * 2016-06-24 2020-03-25 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6789038B2 (ja) * 2016-08-29 2020-11-25 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP6865008B2 (ja) * 2016-09-30 2021-04-28 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
CN106449481A (zh) * 2016-10-24 2017-02-22 上海华力微电子有限公司 改善单片清洗机的喷嘴工艺的方法、喷嘴清洗装置
CN106733950A (zh) * 2016-12-23 2017-05-31 中车贵阳车辆有限公司 一种铁路车辆用120阀外壁清洗机及其清洗方法
CN108269750B (zh) * 2016-12-30 2022-01-04 细美事有限公司 基板处理装置、使用其测量排出量的方法和基板处理方法
JP6487469B2 (ja) * 2017-01-16 2019-03-20 株式会社Golden Leaf−Works 太陽光パネル洗浄装置および太陽光パネル洗浄方法
JP6861553B2 (ja) * 2017-03-24 2021-04-21 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
CN106925449A (zh) * 2017-05-17 2017-07-07 张爱恨 一种摆动旋转按摩水组件及应用该组件的花洒
JP6915498B2 (ja) * 2017-10-23 2021-08-04 東京エレクトロン株式会社 ノズル待機装置、液処理装置及び液処理装置の運転方法並びに記憶媒体
JP6965445B2 (ja) * 2018-06-18 2021-11-10 株式会社Fuji 吸着ノズル管理装置と吸着ノズル管理方法
KR102134433B1 (ko) 2018-09-13 2020-07-16 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP7236318B2 (ja) * 2019-04-26 2023-03-09 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、及び液処理方法
US11256180B2 (en) * 2019-04-29 2022-02-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Processing apparatus and method thereof
KR20200134352A (ko) * 2019-05-21 2020-12-02 삼성전자주식회사 스핀 코터 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
KR102346529B1 (ko) * 2019-06-24 2021-12-31 세메스 주식회사 액 공급 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법
KR102290675B1 (ko) * 2019-08-22 2021-08-17 세메스 주식회사 약액 충전 장치 및 방법
CN111014169B (zh) * 2019-12-17 2022-05-20 西安奕斯伟材料科技有限公司 一种清洗装置
CN112058752A (zh) * 2020-08-13 2020-12-11 刘雄 一种用于热处理工件的清洗装置
JP2022072072A (ja) * 2020-10-29 2022-05-17 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
KR20230099428A (ko) * 2021-12-27 2023-07-04 주식회사 제우스 유체 토출 노즐 세정 장치 및 유체 토출 노즐 세정 방법
CN115971237B (zh) * 2023-02-01 2023-08-15 深圳市造源景观旅游规划设计有限公司 一种园林生态修复的土壤处理系统及处理方法
CN116329166A (zh) * 2023-04-03 2023-06-27 江苏自强环保科技有限公司 一种电泳涂装水洗设备
CN117116812B (zh) * 2023-10-18 2023-12-26 贵州芯际探索科技有限公司 一种沟槽栅蚀刻装置及蚀刻方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1444256A (zh) * 2002-03-11 2003-09-24 松下电器产业株式会社 基板清洗方法和清洗装置
CN101431006A (zh) * 2007-11-05 2009-05-13 细美事有限公司 基材处理设备以及使用该基材处理设备处理基材的方法

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06260467A (ja) 1993-03-05 1994-09-16 Sony Corp ウエハの洗浄装置
JP3341033B2 (ja) 1993-06-22 2002-11-05 忠弘 大見 回転薬液洗浄方法及び洗浄装置
JPH07254583A (ja) 1994-03-16 1995-10-03 Hitachi Ltd 洗浄方法及び洗浄装置
JP3640837B2 (ja) 1999-06-28 2005-04-20 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP3837017B2 (ja) 2000-12-04 2006-10-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置及び基板処理方法ならびに基板処理装置の洗浄方法
JP3892687B2 (ja) 2001-08-06 2007-03-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP3932993B2 (ja) 2002-06-21 2007-06-20 トヨタ車体株式会社 塗装機洗浄装置
KR100935281B1 (ko) 2003-03-06 2010-01-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 처리액 공급노즐 및 처리액 공급장치
JP3979595B2 (ja) 2003-03-06 2007-09-19 東京エレクトロン株式会社 処理液供給ノズル及び処理液供給装置、並びにノズルの洗浄方法
KR100672942B1 (ko) 2004-10-27 2007-01-24 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조에 사용되는 기판 건조 장치 및 방법
KR20070036865A (ko) 2005-09-30 2007-04-04 세메스 주식회사 노즐 세정 장치
JP2007149891A (ja) 2005-11-25 2007-06-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2007258462A (ja) 2006-03-23 2007-10-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP4758799B2 (ja) 2006-03-29 2011-08-31 富士通セミコンダクター株式会社 半導体基板の洗浄装置及び半導体装置の製造方法
US7635417B2 (en) * 2006-05-05 2009-12-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Semiconductor apparatus and cleaning unit thereof
WO2007132609A1 (ja) 2006-05-15 2007-11-22 Tokyo Electron Limited 基板処理方法、基板処理装置および記録媒体
JP4582654B2 (ja) 2006-05-23 2010-11-17 東京エレクトロン株式会社 ノズル洗浄装置、ノズル洗浄方法、ノズル洗浄プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
KR100876377B1 (ko) 2006-06-16 2008-12-29 세메스 주식회사 노즐 세정 기구 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP4763567B2 (ja) 2006-10-03 2011-08-31 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2008118027A (ja) 2006-11-07 2008-05-22 Disco Abrasive Syst Ltd 保護膜被覆装置
KR100929814B1 (ko) 2007-12-27 2009-12-07 세메스 주식회사 분사유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
KR20090108857A (ko) 2008-04-14 2009-10-19 (주)디오이 기판세정장치 및 이를 구비한 기판세정시스템
JP5036664B2 (ja) 2008-09-04 2012-09-26 東京エレクトロン株式会社 液処理におけるノズル洗浄、処理液乾燥防止方法及びその装置
KR101008340B1 (ko) 2008-11-11 2011-01-14 세메스 주식회사 기판 세정 장치 및 방법
US8714169B2 (en) 2008-11-26 2014-05-06 Semes Co. Ltd. Spin head, apparatus for treating substrate, and method for treating substrate
JP5421610B2 (ja) 2009-02-18 2014-02-19 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
KR101067608B1 (ko) 2009-03-30 2011-09-27 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
US8501025B2 (en) * 2010-03-31 2013-08-06 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
KR20120015662A (ko) 2010-08-12 2012-02-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1444256A (zh) * 2002-03-11 2003-09-24 松下电器产业株式会社 基板清洗方法和清洗装置
CN101431006A (zh) * 2007-11-05 2009-05-13 细美事有限公司 基材处理设备以及使用该基材处理设备处理基材的方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107039306A (zh) * 2015-09-18 2017-08-11 东京毅力科创株式会社 基板处理装置及处理腔室清洗方法
CN107039306B (zh) * 2015-09-18 2021-08-17 东京毅力科创株式会社 基板处理装置及处理腔室清洗方法

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