JP2022072072A - 基板処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】、配置を工夫することにより、メンテナンス性を向上できる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置は、処理ユニット１９に処理部３３を備え、処理部３３に第１の流体を供給する第１の供給部４１と、処理部３３に第２の流体を供給する第２の供給部４５と、第３の流体を供給する第３の供給部４６とを備えている。第１の供給部４１は、処理ユニット１９における表側面からみて処理部３３の側方の一方側に配置され、第２の供給部４５は、処理ユニット１９における表側面からみて処理部３３の側方の他方側に配置されている。アクセスしづらい裏側面に第１の供給部４１、第２の供給部４５、第３の供給部４６が配置されることがない。その結果、第１の供給部４１、第２の供給部４５，第３の供給部４６は表側面からアクセスしやすくできるので、メンテナンス性を向上できる。【選択図】図６

Description

本発明は、半導体ウエハ、液晶表示器や有機ＥＬ（Electroluminescence）表示装置用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの基板（以下、単に基板と称する）に対して、処理液や処理気体などの流体を供給することで処理を行う基板処理装置に関する。
従来、この種の装置として、筐体と、処理部と、供給部とを備えたものがある（例えば、特許文献１参照）。筐体は、処理部と、供給部とを備えている。処理部は、基板に対して各種の処理液により処理を行う。供給部は、各種の処理液を処理部へ供給する。供給部は、装置をメンテナンスする際に作業者がアクセスする表側面から見て、処理部の左右方向の一方側にのみ隣接して配置されている。その一方側とは、例えば、右である。供給部は、例えば、二種類の処理液（例えば、酸、アルカリ）を処理部に供給する。
筐体は、装置の表側面とは反対側である裏側面に、処理部との間で基板を受け渡すための搬入出口が設けられている。処理部は、平面視で、基板を載置する載置部を中央に備えている。供給部は、処理液を供給するノズルを備えている。ノズルは、載置部の上方にあたる供給位置と、載置部から外れた待機位置とにわたって先端部が旋回される。旋回は、ノズルの基端部を軸として行われる。このような構成において、二本のノズルを配備する場合には、各ノズルが干渉しないように分散して処理部に配置される。
各ノズルの基端部は、処理部内における載置部の周囲に分散して配置されている。具体的には、一方のノズルは、その基端部が処理部の表側面から見て右に配置されている。一方のノズルは、平面視で処理部の表側面から裏側面への一辺に沿って配置されている。一方のノズルは、供給部から表側面に沿って配管を配置され、この配管を通して処理液が供給される。他方のノズルは、その基端部が処理部の表側面から見て左に配置されている。他方のノズルは、平面視で処理部の表側面から裏側面への一辺に沿って配置されている。つまり、他方のノズルは、一方のノズルに比較して供給部から離れた位置に配置されている。換言すると、他方のノズルは、処理部の載置部を挟んで供給部の反対側に配置されている。
特開２０１７－１６３１０３号公報（図１）
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置は、他方のノズルが、表側面に沿って配置されている一方のノズルの配管を避けて、供給部から裏側面に沿って配管を接続することになる。したがって、他方のノズルは、メンテナンスを行う表側面からは最も遠い位置に配置されているので、その配管にアクセスするのが困難となる。その結果、メンテナンス性が悪いという問題がある。また、裏側面に沿って配管を接続すると、配管長が長くなる。このように配管長が長くなると、処理液が滞留する量が増加したり、温調されない処理液が増えたりするという問題も生じる。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、配置を工夫することにより、メンテナンス性を向上でき、配管長を短くできる基板処理装置を提供することを目的とする。
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板に流体を供給して処理を行う基板処理装置において、第１の処理筐体と、前記第１の処理筐体の内部に設けられ、載置部に載置された基板を流体により処理するための処理部と、前記第１の処理筐体のメンテナンスを行う表側面からみて前記処理部における側方の一方側に配置され、前記処理部に第１の流体を供給する第１の供給部と、前記表側面からみて前記処理部における側方の他方側に配置され、前記処理部に第２の流体を供給する第２の供給部と、を備えていることを特徴とするものである。
［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、基板処理装置は、第１の処理筐体に処理部を備え、処理部に第１の流体を供給する第１の供給部と、処理部に第２の流体を供給する第２の供給部とを備えている。第１の供給部は、第１の処理筐体における表側面からみて処理部の側方の一方側に配置され、第２の供給部は、第１の処理筐体における表側面からみて処理部の側方の他方側に配置されている。したがって、表側面の反対側にあたり、アクセスしづらい裏側面に第１の供給部か第２の供給部が配置されることがない。その結果、第１の供給部及び第２の供給部はともに表側面からアクセスしやすくできるので、メンテナンス性を向上できる。また、第１の供給部及び第２の供給部は、配管長を短くできる。
また、本発明において、前記第１の供給部は、前記載置部に載置された基板に対して前記第１の流体を供給する第１のノズルと、前記第１のノズルに対して前記第１の流体を供給する第１の流体供給部と、前記第２の供給部は、前記載置部に載置された基板に対して前記第２の流体を供給する第２のノズルと、前記第２のノズルに対して前記第２の流体を供給するする第２の流体供給部と、を備えていることが好ましい（請求項２）。
第１のノズルと第１の流体供給部とは、第１の処理筐体における表側面からみて処理部の側方の一方側に配置されている。第２のノズルと第２の流体供給部とは、第１の処理筐体における表側面からみて処理部の側方の他方側に配置されている。したがって、第１のノズルと第１の流体供給部、第２のノズルと第２の流体供給部は、ともに表側面からアクセスしやすくできるので、メンテナンス性を向上できる。
また、本発明において、前記第１のノズルは、前記第１の流体供給部から前記第１の流体が供給される基端部と、前記基端部に連通接続された吐出部と、前記基端部と前記吐出部とを連結したアームと、を備え、前記基端部が前記載置部よりも前記第１の流体供給部側に配置され、前記吐出部が前記載置部の上方にあたる供給位置と、前記載置部から外れた待機位置とにわたって前記基端部を中心にして揺動し、前記第２のノズルは、前記第２の流体供給部から前記第２の流体が供給される基端部と、前記基端部に連通接続された吐出部と、前記基端部と前記吐出部とを連結したアームと、を備え、前記基端部が前記載置部よりも前記第２の流体供給部側に配置され、前記吐出部が前記載置部の上方にあたる供給位置と、前記載置部から外れた待機位置とにわたって前記基端部を中心にして揺動することが好ましい（請求項３）。
第１のノズルは、その基端部が載置部よりも第１の流体供給部側に配置されている。第２のノズルは、その基端部が載置部よりも第２の流体供給部側に配置されている。したがって、第１の流体供給部と第１のノズルの基端部とを表側面側にて連通接続できる。また、第２の流体供給部と第２のノズルの基端部とを表側面側にて連通接続できる。その結果、連通接続する距離を短くできるので、メンテナンス性を向上できる。
また、本発明において、前記第１の流体と前記第２の流体は、異なる流体であることが好ましい（請求項４）。
第１の流体は、例えば、有機溶剤や、酸性の溶液や、アルカリ性の溶液、不活性ガスのいずれかである。第２の流体は、第１の流体とは異なる流体である。処理部に異なる流体を供給できるので、多様な処理を行うことができる。
また、本発明において、前記第１の流体と前記第２の流体は、液体であることが好ましい（請求項５）。
第１の流体及び第２の流体は、例えば、有機溶剤や、酸性の溶液や、アルカリ性の溶液である。
また、本発明において、前記第１の流体供給部は、前記第１の流体を貯留し、前記第１の流体を送出する送り部と前記第１の流体が戻る戻り部とを備えた第１の流体貯留部と、前記第１の流体貯留部の前記送り部に連通接続された供給管と、前記第１の流体貯留部の前記戻り部に連通接続された回収管と、前記待機位置に設けられ、前記第１のノズルから供給された前記第１の流体を回収する回収部と、前記回収部に連通接続され、前記回収部にて回収された前記第１の流体を排出する排出管と、前記供給管に一端部が連通接続され、他端部が前記基端部に連通接続された供給分岐管と、前記供給分岐管における前記第１の流体の流量を計測する流量計と、前記流量計よりも前記供給分岐管の前記基端部側に設けられ、前記供給分岐管における前記第１の流体の流量を操作する流量調整弁と、前記流量調整弁で調整された前記第１の流体を前記ノズルから供給・停止する供給制御弁と、を備えていることが好ましい（請求項６）。
第１の流体供給部は、第１の流体貯留部と、この送り部に連通接続された供給管と、供給管から分岐し、基端部に連通接続された供給分岐管と、流量計、流量調整弁、供給制御弁とを備えている。したがって、流量調整弁で流量を操作し、流量計で流量をモニタしつつ、供給制御弁によりノズルから第１の流体の供給・停止を操作できる。
また、本発明において、前記流量調整弁は、前記第１の処理筐体の前記表側面に近い位置に配置されていることが好ましい（請求項７）。
流量調整弁が第１の処理筐体の表側面に近い位置に配置されている。したがって、流量調整弁のメンテナンスを容易に行うことができる。
また、本発明において、前記第１の流体供給部は、前記供給分岐管のうち、前記供給制御弁と前記流量調整弁との間に一端側が連通接続され、前記回収管に他端側が連通接続された戻り配管と、前記戻り配管に設けられ、前記戻り配管における前記第１の流体の流通を許容・遮断する戻り開閉弁と、をさらに備え、前記第１のノズルが待機位置に位置している際には、前記供給制御弁を閉止し、前記戻り開閉弁を開放して前記第１の流体を前記戻り配管を介して前記第１の流体貯留部に戻し、前記第１の流体を循環させていることが好ましい（請求項８）。
第１の流体が配管経路中に長時間にわたり滞留すると、第１の流体にゴミが溜まったり、配管の成分が溶出したりして、品質が低下することがある。第１のノズルが待機位置に位置している際には、供給制御弁を閉止し、戻り開閉弁を開放して第１の流体を戻り配管を介して第１の流体貯留部に戻し、第１の流体を循環させている。したがって、第１の流体が配管経路中に長時間にわたり滞留することがない。その結果、第１の流体の品質が低下することを抑制できるので、基板への処理を清浄度高く行うことができる。
また、本発明において、前記供給分岐管に設けられ、前記供給分岐管における前記第１の流体の流通を、手動により許容・遮断する第１の手動開閉弁と、前記戻り配管に設けられ、前記戻り配管における前記第１の流体の流通を、手動により許容・遮断する第２の手動開閉弁と、を備えていることが好ましい（請求項９）。
第１の手動開閉弁と第２の手動開閉弁を手動で操作して遮断することにより、第１のノズルを供給管から分離できる。したがって、第１の流体貯留部からの供給を停止することなく、第１のノズルのメンテナンスを行うことができる。
また、本発明において、前記第１の流体は、有機溶剤であり、前記流量計と前記流量調整弁とは、周囲から雰囲気を遮蔽された遮蔽容器に収容され、前記遮蔽容器は、内部が排気されていることが好ましい（請求項１０）。
供給分岐管に設けられた流量計と流量調整弁とは、有機溶剤が揮発したガスの点火源となりうる。そこで、流量計と流量調整弁とを遮蔽容器に収容し、内部を排気するので、有機溶剤の揮発したガスが遮蔽容器に滞留することを防止できる。したがって、防爆構造を構成することができ、安全に処理を行うことができる。
また、本発明において、前記第１の手動開閉弁及び前記第２の手動開閉弁は、前記第１の処理筐体の前記表側面に近い位置に配置されていることが好ましい（請求項１１）。
第１の手動開閉弁及び第２の手動開閉弁は、メンテナンスのために供給分岐管と戻り配管の流通を操作する。したがって、第１の手動開閉弁及び第２の手動開閉弁が第１の処理筐体の表側面に近い位置に配置されているので、メンテナンス時に操作をしやすくできる。
また、本発明において、前記第１のノズル及び前記第２のノズルは、前記基端部が前記第１の処理筐体の前記表側面に近い位置に配置されていることが好ましい（請求項１２）。
基端部には、第１の流体または第２の流体が供給される。したがって、基端部が第１の処理筐体の表側面に近い位置に配置されているので、第１の流体または第２の流体の供給に係るメンテナンスを容易にできる。
また、本発明において、前記第１の供給部に隣接して、前記処理部からの気体を排気する排気ボックスが配置されていることが好ましい（請求項１３）。
第１の供給部に隣接して排気ボックスを備える。したがって、第１の処理筐体のうち、第１の供給部側におけるスペースの使用効率を高くできる。
また、本発明において、前記第１の処理筐体の下方に配置された第２の処理筐体をさらに備え、前記第２の処理筐体は、前記第２の処理筐体の内部に設けられ、載置部に載置された基板を流体により処理するための処理部と、前記第２の処理筐体のメンテナンスを行う表側面からみて前記処理部における側方の一方側に配置され、前記処理部に第１の流体を供給する第１の流体供給部と、前記表側面からみて前記処理部における側方の他方側に配置され、前記処理部に第２の流体を供給する第２の流体供給部と、を備えていることが好ましい（請求項１４）。
第１の処理筐体の下方に第２の処理筐体を配置された多段構成の基板処理装置であっても、表側面の反対側にあたり、アクセスしづらい裏側面に第１の供給部か第２の供給部が配置されることがない。その結果、第１の供給部及び第２の供給部はともに表側面からアクセスしやすくできるので、メンテナンス性を向上できる。
本発明に係る基板処理装置によれば、基板処理装置は、第１の処理筐体に処理部を備え、処理部に第１の流体を供給する第１の供給部と、処理部に第２の流体を供給する第２の供給部とを備えている。第１の供給部は、第１の処理筐体における表側面からみて処理部の側方の一方側に配置され、第２の供給部は、第１の処理筐体における表側面からみて処理部の側方の他方側に配置されている。したがって、表側面の反対側にあたり、アクセスしづらい裏側面に第１の供給部か第２の供給部が配置されることがない。その結果、第１の供給部及び第２の供給部はともに表側面からアクセスしやすくできるので、メンテナンス性を向上できる。また、第１の供給部及び第２の供給部は、配管長を短くできる。
実施例に係る基板処理装置を示す横断面図である。 基板処理装置の前後方向の縦断面図である。 図１の矢印Ｅ－Ｅの縦断面図である。 基板処理装置の右部の構成を示す右側面図である。 基板処理装置の左部の構成を示す左側面図である。 処理ユニットを示す横断面図である。 第１の供給部の供給系を示す模式図である。 第１の供給部が待機状態にある場合を示す模式図である。 第１の供給部から第１の流体を供給している場合を示す模式図である。 第１の供給部の供給系をメンテナンスしている場合を示す模式図である。
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。図１は、実施例に係る基板処理装置を示す横断面図である。図２は、基板処理装置の前後方向Ｘの縦断面図である。
＜基板処理装置の構成＞
基板処理装置１は、基板Ｗに処理を行う。基板Ｗは、例えば、半導体ウエハである。基板Ｗは、略円形状の薄い平板である。
基板処理装置１は、インデクサ部３と処理ブロック５を備える。処理ブロック５はインデクサ部３に接続される。インデクサ部３と処理ブロック５は水平方向に並ぶ。インデクサ部３は、処理ブロック５との間で基板Ｗを受け渡す。処理ブロック５は、基板Ｗに対して流体による処理を行う。流体は、例えば、処理液や処理気体などである。
本明細書では、便宜上、インデクサ部３と処理ブロック５が並ぶ水平方向を、「前後方向Ｘ」と呼ぶ。前後方向Ｘのうち、処理ブロック５からインデクサ部３に向かう方向を「前方」と呼ぶ。前方と反対の方向を「後方」と呼ぶ。前後方向Ｘと直交する水平方向を「幅方向Ｙ」と呼ぶ。「幅方向Ｙ」の一方向を適宜に「右方」と呼ぶ。右方とは反対の方向を「左方」と呼ぶ。水平方向に対して垂直な方向を「鉛直方向Ｚ」と呼ぶ。各図では、参考として、前、後、右、左、上、下を適宜に示す。「前方」、「後方」、「右方」および「左方」を特に区別しない場合には、「側方」と呼ぶ。
＜インデクサ部３の構成＞
インデクサ部３は、複数個のキャリア載置部７を備える。本実施例では、インデクサ部３が４個のキャリア載置部７を備えている。キャリア載置部７は幅方向Ｙに並ぶ。各キャリア載置部７はそれぞれ、１個のキャリアＣを載置する。キャリアＣは、複数枚の基板Ｗを収容する。キャリアＣは、例えば、ＦＯＵＰ（front opening unified pod）である。
インデクサ部３は、搬送スペース９を備える。搬送スペース９は、キャリア載置部７の後方に配置される。搬送スペース９は、４個のキャリア載置部７に沿って幅方向Ｙに延びた空間である。
インデクサ部３は、１個の搬送機構１１を備える。搬送機構１１は、搬送スペース９に設置される。搬送機構１１は、キャリア載置部７の後方に配置される。搬送機構１１は、基板Ｗを搬送する。搬送機構１１は、キャリア載置部４に載置されるキャリアＣにアクセス可能である。
搬送機構１１は、２個のハンド１３ａ，１３ｂと、ハンド駆動部１５とを備えている。ハンド１３ａ，１３ｂは、それぞれが１枚の基板Ｗを水平姿勢で支持する。ハンド駆動部１５は、多関節アームを備え、２個のハンド１３ａ，１３ｂを移動する。ハンド駆動部１５は、２個のハンド１３ａ，１３ｂを前後方向Ｘ、幅方向Ｙおよび鉛直方向Ｚに移動する。ハンド駆動部１５は、２個のハンド１３ａ，１３ｂを鉛直方向Ｚの軸周りに回転する。搬送機構１５は、４個のキャリア載置部４上の各キャリアＣにアクセス可能である。搬送機構１１は、それ自体が幅方向Ｙに移動することはなく、固定されている。幅方向Ｙに移動できるのは、２個のハンド１３ａ，１３ｂだけである。
＜処理ブロック５の構成＞
図１及び図２を参照する。処理ブロック５は、例えば２つの搬送機構１７Ａ、１７Ｂと、例えば２４個（複数個）の処理ユニット１９を備える。２４個の処理ユニット１９は各々、２つの搬送機構１７Ａ、１７Ｂの一方によって搬送された基板Ｗに対して所定の処理液や処理気体によって所定の処理を行う。２４個の処理ユニット１９は、２つの搬送機構１７Ａ、１７Ｂの搬送経路に沿って並べて配置される。２４個の処理ユニット１９は、搬送経路を挟んで、幅方向Ｙにおいて対向して配置され、更に上下方向に積層するように配置されている。処理ブロック５の詳細な構成を説明する。
処理ブロック５は、搬送スペース２１Ａを備える。搬送スペース２１Ａは、幅方向Ｙにおける処理ブロック１１の中央部に配置される。搬送スペース２１Ａは、前後方向Ｘに延びる。搬送スペース２１Ａの前部は、インデクサ部３の搬送スペース９とつながっている。
処理ブロック５は、基板載置部２３Ａを備える。基板載置部２３Ａは、搬送スペース１２Ａに設置される。基板載置部２３Ａは、搬送スペース１２Ａの前部に配置される。インデクサ部３の搬送機構１１は、基板載置部２３Ａにもアクセス可能である。基板載置部２３Ａは、１枚または複数枚の基板Ｗを載置する。
処理ブロック５は、搬送機構１７Ａを備える。搬送機構１７Ａは、搬送スペース１２Ａに設置される。搬送機構１７Ａは、基板Ｗを搬送する。搬送機構１７Ａは、基板載置部２３Ａにアクセス可能である。
処理ブロック５は、図１に示すように、４個の処理ユニット１９Ａ、１９Ｂ、１９Ｃ、１９Ｄを備える。処理ユニット１９Ａ、１９Ｂは、搬送スペース２１Ａの右方に配置される。処理ユニット１９Ａ、１９Ｂは、搬送スペースに沿って前後方向Ｘに並ぶ。処理ユニット１９Ｂは、処理ユニット１９Ａの後方に配置される。処理ユニット１９Ｃ、１９Ｄは、搬送スペース２１Ａの左方に配置される。処理ユニット１９Ｃ、１９Ｄは、搬送スペース２１Ａに沿って前後方向Ｘに並ぶ。処理ユニット１９Ｄは、処理ユニット１９Ｃの後方に配置される。２つの処理ユニット１９Ａ、１９Ｂと２つの処理ユニット１９Ｃ、１９Ｄは、搬送スペース２１Ａを挟んで対向するように配置される。
なお、処理ユニット１９Ａ、１９Ｂ、１９Ｃ、１９Ｄを区別しない場合には、単に処理ユニット１９と呼ぶ。処理ユニット１９は、基板Ｗに処理を行う。
図２を参照する。処理ブロック５は、搬送スペース２１Ａに加えて、搬送スペース２１Ｂを備える。搬送スペース２１Ｂは、搬送スペース２１Ａの下方に配置される。搬送スペース２１Ｂは、平面視において、搬送スペース２１Ａと重なる。搬送スペース２１Ｂは、搬送スペース２１Ａと略同じ形状を有する。搬送スペース２１Ｂも、インデクサ部３の搬送スペース９とつながっている。搬送スペース２１Ａ、２１Ｂを区別しない場合には、単に搬送スペース２１と呼ぶ。
処理ブロック５は、１つの隔壁２５を備える。隔壁２５は、搬送スペース２１Ａの下方、かつ、搬送スペース２１Ｂの上方に配置される。隔壁２５は、水平な板形状を有する。隔壁２５は、搬送スペース２１Ａと搬送スペース２１Ｂを隔てる。
処理ブロック５は、基板載置部２３Ａに加えて、基板載置部２３Ｂを備える。基板載置部２３Ｂは、搬送スペース２１Ｂに設置される。基板載置部２３Ｂは、基板載置部２３Ａの下方に配置される。基板載置部２３Ｂは、平面視において、基板載置部２３Ａと重なる。基板載置部２３Ｂは、平面視において、基板載置部２３Ａと同じ位置に配置される。基板載置部２３Ｂは、搬送スペース２１Ｂの前部に配置される。インデクサ部３の搬送機構１１は、基板載置部２３Ｂにもアクセス可能である。基板載置部２３Ｂは、１枚または複数枚の基板Ｗを載置する。
処理ブロック５は、搬送機構１７Ａに加えて、搬送機構１７Ｂを備える。搬送機構１７Ｂは、搬送スペース２１Ｂに設置される。搬送機構１７Ｂは、基板Ｗを搬送する。搬送機構１７Ｂは、基板載置部２３Ｂにアクセス可能である。
搬送機構１７Ｂは、搬送機構１７Ａと同じ構造を有する。搬送機構１７Ａ、１７Ｂを区別しない場合には、単に搬送機構１７と呼ぶ。
図１及び図２を参照する。各搬送機構１７は、ハンド２７とハンド駆動部２９とを備える。ハンド２７は、１枚の基板Ｗを水平姿勢で支持する。ハンド駆動部２９は、ハンド２７に連結される。ハンド駆動部２９は、ハンド２７を前後方向Ｘ、幅方向Ｙおよび鉛直方向Ｚに移動する。ハンド駆動部２９は、ハンド２７を鉛直方向Ｚの軸周りに回転する。
図１～図５を参照する。図３は、図１の矢印Ｅ－Ｅの縦断面図である。図４は、基板処理装置の右部の構成を示す右側面図である。図５は、基板処理装置の左部の構成を示す左側面図である。
処理ブロック５は、６つの処理ユニット１９Ａを備える。６つの処理ユニット１９Ａは、上下方向に積層するように配置される。すなわち、６つの処理ユニット１９Ａは、鉛直方向Ｚに１列に並ぶ。同様に、処理ブロック５は、６つの処理ユニット１９Ｂ、６つの処理ユニット１９Ｃ、および６つの処理ユニット１９Ｄを備える。６つの処理ユニット１９Ｂ、６つの処理ユニット１９Ｃおよび６つの処理ユニット１９Ｄは各々、上下方向に積層するように配置される。
図２に示す上層の搬送機構１７Ａは、上側の１２個（４個×上３段）の処理ユニット１９との間で基板Ｗを受け渡す。また、下層の搬送機構１７Ｂは、下側の１２個（４個×下３段）の処理ユニット１９との間で基板Ｗを受け渡す。なお、搬送機構１７は、処理ユニット１９の載置部３１にアクセス可能である。
＜処理ユニット１９の構成＞
図６は、処理ユニットを示す横断面図である。２４個の各処理ユニット１９は、処理部３３と、第１の空間３５と、第２の空間３７とを備えている。なお、以下の説明においては、各処理ユニット１９のうちの、図１における前方及び左方に配置されている処理ユニット１９（１９Ｃ）を例にとって説明する。
処理部３３は、基板Ｗを載置される載置部３１を備えている。載置部３１は、基板Ｗを保持した状態で回転する。処理部３３は、載置部３１で保持回転されている基板Ｗに処理を行う。第１の空間３５は、処理部３３に対して、第１の流体を供給する第１の供給部４１を備えている。第１の流体は、例えば、有機溶剤である。また、第１の空間３５は、複数種類の排気を切り換える排気ボックス４３を備えている。排気ボックス４３は、処理部３３内を排気するために排気口４５を介して処理部３３と連通する。また、排気ボックス４３は、上下方向に延びる３本の排気管４４と連通する。排気ボックス４３は、切り換え動作により、３本の排気管４４のいずれかだけに排気を行う。排気ボックス４３は、第１の空間３５において第１の供給部４１に対して幅方向Ｙで隣接して配置されている。排気ボックス４３は、幅方向Ｙにおける第１の供給部４１の右方に配置されている。
第２の空間３７は、処理部３３に対して、第２の流体を供給する第２の供給部４５を備えている。第２の流体は、例えば、アルカリ性の処理液である。アルカリ性の処理液は、例えば、アンモニア過酸化水素水（ＳＣ１）、アンモニア水、フッ化アンモニウム溶液、および、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）の少なくとも１つを含む。第２の空間３７は、処理部に対して、第３の流体を供給する第３供給部４６を備えている。第３の流体は、例えば、酸性の処理液である。酸性の処理液は、例えば、フッ酸（フッ化水素酸）、塩酸過酸化水素水、硫酸、硫酸過酸化水素水、フッ硝酸（フッ酸と硝酸との混合液）、および、塩酸の少なくとも１つを含む。
処理ユニット１９は、処理部３３の前後方向Ｘにおける前と後に第１の空間３５と第２の空間３７とを分けて配置している。そのため、用途ごとや種類ごとに第１の空間３５と第２の空間３７を使い分けることができる。その結果、第１の空間３５と第２の空間３７における処理液や排気の配管の配置効率を高めることができる。
なお、上述した各処理ユニット１９が本発明における「第１の処理筐体」に相当し、処理ユニット１９の下方に位置する処理ユニット１９が本発明における「第２の処理筐体」に相当する。上述した第１の供給部４１が本発明における「第１の流体供給部」に相当し、第２の供給部４５が本発明における「第２の流体供給部」に相当する。上述した第１の供給部４１及びノズル５１が本発明における「第１の供給部」に相当し、第２の供給部４５及びノズル５３が本発明における「第２の供給部」に相当する。
＜処理部３３の構成＞
まず、処理部３３の構成を説明する。処理部３３は、略箱形状を有する。処理部３３は、平面視、正面視および側面視において、略矩形形状を有する。
図３～図５を参照する。６つの処理ユニット１９Ａの６つの処理部３３は、互いに積層される。同様に、６つの処理ユニット１９Ｂの６つの処理部３３は、互いに積層される。６つの処理ユニット１９Ｃの６つの処理部３３は、互いに積層される。６つの処理ユニット１９Ｄの６つの処理部３３は、互いに積層される。各処理室２３は、搬送スペース２１に隣接する。
図６を参照する。図６は、処理ユニットを示す横断面図である。
各処理部３３は、４つの側壁４７ａ、４７ｂ、４７ｃ、４７ｄと、底板４７ｆとを備える。側壁４７ａ～４７ｄはそれぞれ、略垂直な板形状である。底板４７ｆは、略水平な板形状を有する。処理部３３は、側壁４７ａ～４７ｄと、底板４７ｆとによって、区画されている。側壁４７ａ、４７ｃは、前後方向Ｘに延びる。側壁４７ｃは、側壁４７ａの反対に設けられる。側壁４７ｂ、４７ｄは、幅方向Ｙに延びる。側壁４７ｂ、４７ｄはそれぞれ、側壁４７ａから側壁４７ｃまで延びる。側壁４７ｄは、側壁４７ｂの反対に設けられる。
上述した構成の処理ユニット１９は、側壁４７ｃ側から装置のメンテナンスが行われる。つまり、側壁４７ｃの面が、本発明における「表側面」に相当する。以下の説明では、表側面を符号ＭＳで記す。
処理部３３は、基板搬送口３９を有する。基板搬送口３９は、側壁４７ａに形成される。基板Ｗは、基板搬送口３９を通過可能である。基板Ｗは、基板搬送口３７を通じて、処部３３の外部と、処理部３３の内部との間で移動される。各処理ユニット１９は、不図示のシャッターを備える。シャッターは、側壁４７ａに取り付けられる。シャッターは、基板搬送口３９を開閉する。
処理部３３は、載置部３１を備える。載置部３１は、処理部３３の内部に設置される。載置部３１は、１枚の基板Ｗを水平姿勢で保持する。載置部３１は、基板Ｗが上面に載置される。載置部３１は、例えば、基板Ｗの下面を真空吸着で保持してもよい。また、載置部３１は、スピンベースと、スピンベース上に立てられた３つ以上の保持ピンを備えてもよい。この場合、３つ以上の保持ピンは、スピンベースと基板Ｗとの間に隙間を有しつつ、基板Ｗを保持するために基板Ｗの側面を挟み込む。なお、図１では、載置部３１に載置される基板Ｗを破線で示す。載置部３１は、図示しない電動モータなどの回転駆動手段により、鉛直方向Ｚの回転軸周りに回転駆動される。載置部３１の周囲は、ガード４９によって囲われている。ガード４９は、載置部３１に載置された基板Ｗから処理液が周囲に飛散することを防止する。
図６に示すように、処理部３３は、例えば、３本のノズル５１，５３，５５を備えている。ノズル５１は、基端部５１ａと、吐出部５１ｂと、アーム５１ｃとを備えている。基端部５１ａは、第１の供給部４１から第１の流体が供給される。基端部５１ａは、第１の供給部４１の側方に隣接して配置されている。吐出部５１ｂは、基端部５１ａに連通接続されている。アーム５１ｃは、基端部５１ａと吐出部５１ｂとを連結している。基端部５１ａは、アーム５１ｃを揺動可能に保持する。基端部５１ａは、図示しない駆動手段により鉛直方向Ｚの軸芯周りに揺動される。ノズル５１は、待機状態では、側壁４７ｂにアーム５１ｃが沿うように位置する。ノズル５１は、待機状態では、吐出部５１ｂが載置部３１から側方に外れた待機位置に位置する。ノズル５１は、供給状態では、吐出部５１ｂが載置部３１の上方に位置する供給位置に位置する。
ノズル５３は、基端部５３ａと、吐出部５３ｂと、アーム５３ｃとを備えている。基端部５３ａは、第２の供給部４５から第２の流体が供給される。基端部５３ａは、第２の供給部４５の側方に隣接して配置されている。吐出部５３ｂは、基端部５３ａに連通接続されている。アーム５３ｃは、基端部５３ａと吐出部５３ｂとを連結している。基端部５３ａは、アーム５３ｃを揺動可能に保持する。基端部５３ａは、図示しない駆動手段により鉛直方向Ｚの軸芯周りに回転される。ノズル５３は、待機状態では、図６に示すように側壁４７ｃにアーム５３ｃが沿うように位置する。ノズル５３は、待機状態では、図６に示すように、吐出部５３ｂが載置部３１から側方に外れた待機位置に位置する。ノズル５３は、供給状態では、吐出部５３ｂが載置部３１の上方に位置する供給位置に位置する。
ノズル５５は、基端部５５ａと、吐出部５５ｂと、アーム５５ｃとを備えている。基端部５５ａは、第３の供給部４６から第３の流体が供給される。基端部５５ａは、第２の供給部４５及び第３の供給部４６の側方に隣接して配置されている。吐出部５５ｂは、基端部５５ａに連通接続されている。アーム５５ｃは、基端部５５ａと吐出部５５ｂとを連結している。基端部５５ａは、アーム５５ｃを揺動可能に保持する。基端部５５ａは、図示しない駆動手段により鉛直方向Ｚの軸芯周りに回転される。ノズル５５は、待機状態では、側壁４７ｄにアーム５５ｃが沿うように位置する。ノズル５５は、待機状態では、吐出部５５ｂが載置部３１から側方に外れた待機位置に位置する。ノズル５５は、供給状態では、吐出部５５ｂが載置部３１の上方に位置する供給位置に位置する。
基端部５１ａ、５３ａ、５３ｂは、載置部３１よりも幅方向Ｙにおいて側壁４７ｃに近い位置に配置されている。つまり、基端部５１ａ、５３ａ、５３ｂは、は、載置部３１よりも表側面ＭＳに近い位置に配置されている。また、表側面ＭＳから見て、各基端部５１ａ、５３ａ、５３ｂは、一部が重複しても完全には重複しない位置に配置されている。換言すると、各基端部５１ａ、５３ａ、５３ｂは、配管等が挿通される中心部が表側面ＭＳから見て重複しない。そのため、後述する各基端部５１ａ、５３ａ、５３ｂの配管等が、表側面ＭＳから見て前後方向Ｘにおいて重なる位置に配置されることがない。したがって、各基端部５１ａ、５３ａ、５３ｂの配管等が、メンテナンス時に視認困難となることがない。
処理部３３は、各ノズル５１，５３，５５が待機位置にある状態で、各吐出部５１ｂ、５３ｂ、５５ｂの下方に待機ポッド５７を備えている。待機ポッド５７は、各ノズル５１，５３，５５の吐出部５１ｂ、５３ｂ、５５ｂから空吐出された流体などを回収する。
本実施例では、基端部５１ａ、５３ａ、５３ｂが上述した配置とされているので、対応する第１の供給部４１、第２の供給部４５、第３の供給部４６からの配管を短くすることができる。これにより、後述するような循環配管（供給管６７、戻り配管７９）も配管長を短縮できる。その結果、これらの配管を温度調節の対象としている場合には、温調を安定して行うことができる。また、製品への供給の前に行う待機ポッド５７へのプリディスペンスの量を少なくできるので、処理液の消費を抑制できる。
なお、上述したノズル５１が本発明における「第１のノズル」に相当し、ノズル５３が本発明における「第２のノズル」に相当する。
＜第１の供給部４１＞
図６及び図７を参照する。図７は、第１の供給部の供給系を示す模式図である。なお、図７では、図示の都合上、３個の処理ユニット１９の処理部３３を含む構成で示す。図４等に示すように６個の処理ユニット１９の処理部３３を含む構成であっても同様の構成である。
第１の供給部４１は、遮蔽容器５９を備えている。遮蔽容器５９は、周囲から内部の雰囲気が遮蔽されている。遮蔽容器５９は、不活性ガスにより内部の気体がパージされている。不活性ガスは、例えば、窒素ガスである。第１の供給部４１は、貯留部６１から第１の流体を供給される。貯留部６１は、タンク６３と、ポンプ６５とを備えている。タンク６３は、第１の流体を貯留する。ポンプ６５は、タンク６３内の第１の流体を送り出す。タンク６３は、その送り部６３ａに供給管６７の一端側が連通接続されている。ポンプ６５は、供給管６７に配置されている。ポンプ６５は、タンク６３の第１の流体を供給管６７に送り出す。供給管６７の他端側は、タンク６３の戻り部６３ｂに連通接続されている。
供給管６７には、３本の供給分岐管６９の一端側が連通接続されている。供給分岐管６９の他端側は、基端部５１ａに連通接続されている。供給分岐管６９の他端側は、基端部５１ａを通って吐出部５１ｂに連通接続されている。供給分岐管６９は、供給管６７に近い位置から吐出部５１ｂに向かって、手動開閉弁７１と、流量計７３と、流量調整弁７５と、供給制御弁７７とを備えている。
手動開閉弁７１は、供給分岐管６９における第１の流体の流通を手動により許容・遮断する。流量計７５は、供給分岐管６９における第１の流体の流量を検出する。流量調整弁７５は、供給分岐管６９における第１の流体の流量を調整する。流量計７５と流量調整弁７５とは、遮蔽容器５９に収められている。遮蔽容器５９は、内部の気体を排気するので、第１の流体の揮発したガスが遮蔽容器５９に滞留することを防止できる。したがって、防爆構造を構成することができ、安全に処理を行うことができる。供給制御弁７７は、流量調整弁７５で設定された流量による第１の流体の供給を操作する。供給制御弁７７は、第１の流体の吐出部５１ｂからの供給及び停止を操作する。
供給分岐管６９は、供給制御弁７７と流量調整弁７５との間に戻り配管７９の一端側が連通接続されている。戻り配管７９の他端側は、供給管６７の下流側を介してタンク６３の戻り部６３ｂに連通接続されている。戻り配管７９は、戻り開閉弁８１と、手動開閉弁８３とを備えている。戻り開閉弁８１は、戻り配管７９のうち、供給制御弁７７に近い側に配置されている。手動開閉弁７１，８３及び流量調整弁７５は、処理ユニット１９における表側面ＭＳ（側壁４７ｃ側）からメンテナンス時に作業者がアクセス可能な位置、つまり、表側面ＭＳに近い位置に配置されている。供給管６７から基端部５１ａへの供給分岐管６９の配置は、表側面ＭＳに近いに設定されていることが好ましい。ここでいう表側面ＭＳに近い位置とは、側壁４７ｃ側から基板搬送口３９側へ作業者が手を伸ばして操作できる距離をいう。
待機ポッド５７には、排出管８５の一端側が連通接続されている。排出管８５の他端側は、図示しない排液処理部に連通接続されている。待機ポッド５７は、ノズル５１が待機位置に位置している際に、吐出部５１ｂから排出された第１の流体を回収する。待機ポッド５７で回収された第１の流体は、排出管８５を通して排液される。
上述した流量調整弁７５と、供給制御弁７７と、戻り開閉弁８１とは、制御部８７によって開閉が電気信号により電気的に操作される。制御部８７は、ＣＰＵやメモリなどで構成されている。制御部８７は、上述した載置部３１の回転や、第２の供給部４５及び第３の供給部４６からの第２の流体及び第３の流体の供給も行う。制御部８７は、上述した搬送機構１１，１７などの制御も行う。
なお、上述したタンク６３が本発明における「第１の流体貯留部」に相当し、戻り配管７９が本発明における「回収管」に相当する。また、手動開閉弁７１が本発明における「第１の手動開閉弁」に相当し、手動開閉弁８３が本発明における「第２の手動開閉弁」に相当する。上述した待機ポッド５７が本発明における「回収部」に相当する。
＜第２の供給部４５及び第３の供給部４６＞
第２の供給部４５及び第３の供給部４６は、上述した第１の供給部４１のうち、戻り配管７９にかかる構成を省略したものである。したがって、第２の供給部４５及び第３の供給部４６についての詳細な説明については省略する。なお、第２の供給部４５及び第３の供給部４６についても、第１の供給部４１と同様の構成を採用してもよい。第２の供給部４５と第３の供給部４６とは、個別に隔壁で仕切られている。しかしながら、これらを省略して、第２の供給部４５と第３の供給部４６とを同じ空間に配置してもよい。
＜第１の供給部４１の動作例＞
図８～図１０を参照する。図８は、第１の供給部が待機状態にある場合を示す模式図である。図９は、第１の供給部から第１の流体を供給している場合を示す模式図である。図１０は、第１の供給部の供給系をメンテナンスしている場合を示す模式図である。なお、これらの図中においては、閉止されている弁を黒色で描き、開放されている弁を白色で描いている。
＜待機状態＞
図８に示すように、第１の供給部４１が待機状態である場合は、供給制御弁７７が閉止されている。手動開閉弁７１，８３と、流量調整弁７５と、戻り開閉弁８１とは、開放されている。したがって、供給管６７から供給されている第１の流体は、供給分岐管６９から戻り配管７９を通ってタンク６３に戻る。したがって、第１の流体が供給管６７及び供給分岐管６９に滞留しない。また、第１の流体に温調が必要な場合には、この循環経路に温調機構を配置しておき、循環させつつ目標温度への温調を行えばよい。
第１の流体が例えばイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）である場合、供給管６７及び供給分岐管６９に長時間にわたり滞留すると、イソプロピルアルコールにゴミが溜まったり、配管の成分が溶出したりして、イソプロピルアルコールの品質が低下することがある。そのため、ノズル５１が待機位置に位置している際には、上記のようにイソプロピルアルコールを循環させることが好ましい。これにより、イソプロピルアルコールが供給管６７及び供給分岐管６９に長時間にわたり滞留することがない。その結果、イソプロピルアルコールの品質が低下することを抑制できるので、基板Ｗへの処理を清浄度高く行うことができる。
＜供給状態＞
図９に示すように、第１の供給部４１から第１の流体を供給する場合は、戻り制御弁８１が閉止されている。手動開閉弁７１，８３と、流量調整弁７５と、供給制御弁７７とは、開放されている。したがって、供給管６７から供給されている第１の流体は、供給分岐管６９を通り、流量調整弁７５で調整された流量で吐出部５１ｂから基板Ｗに対して吐出される。
＜メンテナンス状態＞
図１０に示すように、第１の供給部４１の供給系のメンテナンスを行う場合は、基板処理装置１の図示しない操作盤からメンテナンスを指示する。詳細には、２４個の処理ユニット１９のうちのいずれをメンテナンスするかを指示する。この場合、指示数は、単数でも複数個でもよい。すると、制御部８７は、メンテナンス対象とされた処理ユニット１９における供給制御弁７７と戻り制御弁８１とを閉止する。その後、作業者は、基板処理装置１の表側面ＭＳから作業を行って、手動開閉弁７１，８３を手動により閉止する。この状態で第１の供給部４１の供給系のメンテナンスを行う。この状態では、メンテナンス対象となっている第１の供給部４１は、手動開閉弁７１よりも吐出部５１ｂ方向への第１の流体の流通が遮断されている。したがって、手動開閉弁７１よりも吐出部５１ｂ側における供給分岐管６９や、手動開閉弁８３までの戻り配管７９などの配管や、流量計７３、流量調整弁７５、ノズル５１に対するメンテナンス作業を行うことができる。
また、このメンテナンス状態は、メンテナンス対象とされた処理ユニット１９における第１の処理液の流通を遮断している。したがって、メンテナンス対象となっていない他の処理ユニット１９については、基板Ｗに対する処理を継続することができる。その結果、処理ユニット１９における第１の供給部４１に関するメンテナンスを行いながらも、基板処理装置１のスループットの低下を抑制できる。
上述した基板処理装置１では、図６に示すように、処理ユニット１９に載置された基板Ｗに対して、例えば第３の供給部４６から第３の流体として酸系の処理液が供給されて処理される。この場合には、例えば、排気ボックス４３を切り換え動作させて、３個の排気管４４のうちの基板搬送口３９に最も近い排気管４４に排気が送られる。また、第２の供給部４５から第２の流体としてアルカリ系の処理液が供給されて処理される。その場合、例えば、排気ボックス４３を切り換え作動させて、３個の排気管４４のうち、左右方向の中央にある排気管４４に排気が送られる。さらに、第１の供給部４１から第１の流体として有機溶剤が供給されて処理される。この場合には、例えば、排気ボックス４３を切り換え動作させて、３個の排気管４４のうち、最も表側面ＭＳに近い排気管４４に排気が送られる。このように、処理液の種類に応じて３個の排気管４４を切り換える。したがって、異なる処理液のミストを含む排気が混合することを抑制できる。
本実施例によると、基板処理装置１は、処理ユニット１９に処理部３３を備え、処理部３３に第１の流体を供給する第１の供給部４１と、処理部３３に第２の流体を供給する第２の供給部４５と、第３の流体を供給する第３の供給部４６とを備えている。第１の供給部４１は、処理ユニット１９における表側面からみて処理部３３の側方の一方側に配置され、第２の供給部４５は、処理ユニット１９における表側面からみて処理部３３の側方の他方側に配置されている。したがって、表側面ＭＳの反対側にあたり、メンテナンス時に作業者がアクセスしづらい裏側面に第１の供給部４１、第２の供給部４５、第３の供給部４６が配置されることがない。その結果、第１の供給部４１、第２の供給部４５，第３の供給部４６はいずれも表側面ＭＳからアクセスしやすくできるので、メンテナンス性を向上できる。また、第１の供給部４１と、第２の供給部４５と、第３の供給部４６は、配管長を短くできる。
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
（１）上述した実施例では、第１の供給部４１と、第２の供給部４５と、第３の供給部４６との３個の供給部を備えた基板処理装置１を例にとって説明した。しかしながら、本発明は、このような構成に限定されない。つまり、本発明は、第１の供給部４１と第２の供給部４５、または、第１の供給部４１と第３の供給部４６のように、少なくとも２個の供給部のうちの一方を表側面ＭＳからみて側方の一方側に配置し、他方を表側面ＭＳからみて側方の他方側に配置すればよい。
（２）上述した実施例では、第１の流体が有機系の処理液であり、第２の流体がアルカリ系の処理液であり、第３の流体が酸系の処理液であるとした。しかしながら、本発明は、このような処理液に限定されない。また、各流体が異なる必要もなく、同じ流体であってもよい。さらに、流体は、液体に限定されず、気体であってもよい。
（３）上述した実施例では、流量調整弁７５が表側面ＭＳに近い位置に配置されているが、本発明はこのような配置を必須とするものではない。
（４）上述した実施例では、戻り配管７９を備え、第１の流体を循環できる構成としている。しかしながら、本発明は、その構成を必須とするものではない。これにより、循環経路を省略できるので、コストを抑制できる。
（５）上述した実施例では、手動開閉弁７１，８３を備えているが、本発明はこれらの開閉弁７１，８３を必須としない。
（６）上述した実施例では、遮蔽容器５９により防爆構造を採用している。しかしながら、流体の種類によっては遮蔽容器５９により防爆構造とする必要はない。
（７）上述した実施例では、手動開閉弁７１，８３及び流量調整弁７５が表側面ＭＳに近い位置に配置されている。しかしながら、本発明はこのような配置を必須とはしない。
（８）上述した実施例では、排気ボックス４３を第１の供給部４１に隣接した位置に配置している。しかしながら、本発明はこのような配置を必須としない。
（９）上述した実施例では、処理ユニット１９が鉛直方向Ｚに多段に積層配置されている。しかしながら、本発明は、このような積層配置を必須とはしない。
（１０）上述した実施例では、搬送機構１１が幅方向Ｙにおいて位置固定としている。しかしながら、本発明は、このような構成に限定されない。つまり、搬送機構１１が幅方向Ｙに移動する構成としてもよい。
（１１）上述した実施例では、第１の供給部４１において、第１の流体として有機溶剤を供給する構成を例示した。本発明は、これに代えて、例えば、吐出部５１ｂが筒状の外周面と、第１の噴射口と、第２の噴射口と、供給ノズルを備える構成であってもよい。第１の噴射口は、外周面で開口する環状の噴射口である。第２の噴射口は、第１の噴射口よりも基板面に近い位置で外周面に開口する環状の噴射口である。供給ノズルは、筒状の吐出部５１ｂの下面にて基板Ｗに臨むように開口している。供給ノズルは、有機溶剤を吐出する。第１の噴射口及び第２の噴射口は、基板の周縁部に広がるように、それぞれが気体を放射状に噴射する構成としてもよい。これにより、第１の噴射口及び第２の噴射口からの気体が、洗浄処理時などにおいて基板に到達するパーティクルなどの異物や、有機溶剤の飛沫やミストから基板を保護し、基板の汚染を抑制できる。したがって、清浄度高く基板Ｗを処理できる。
以上のように、本発明は、第１の供給部と第２の供給部から流体を基板に供給して処理を行う基板処理装置に適している。
１ … 基板処理装置
Ｗ … 基板
３ … インデクサ部
５ … 処理ブロック
７ … キャリア載置部
１１ … 搬送機構
３３ … 処理部
３５ … 第１の空間
３７ … 第２の空間
４１ … 第１の供給部
４３ … 排気ボックス
４４ … 排気管
４５ … 第２の供給部
４６ … 第３の供給部
５１，５３，５５ … ノズル
５１ａ、５３ａ、５５ａ … 基端部
５１ｂ、５３ｂ、５５ｂ … 吐出部
５１ｃ、５３ｃ、５５ｃ … アーム
５７ … 待機ポッド
５９ … 遮蔽容器
６１ … 貯留部
６３ … タンク
６３ａ … 送り部
６３ｂ … 戻り部
６５ … ポンプ
６７ … 供給管
６９ … 供給分岐管
７１，８３ … 手動開閉弁
７３ … 流量計
７５ … 流量調整弁
７７ … 供給制御弁
７９ … 戻り配管
８１ … 戻り開閉弁
８５ … 排液管
８７ … 制御部

Claims (14)

  1. 基板に流体を供給して処理を行う基板処理装置において、
    第１の処理筐体と、
    前記第１の処理筐体の内部に設けられ、載置部に載置された基板を流体により処理するための処理部と、
    前記第１の処理筐体のメンテナンスを行う表側面からみて前記処理部における側方の一方側に配置され、前記処理部に第１の流体を供給する第１の供給部と、
    前記表側面からみて前記処理部における側方の他方側に配置され、前記処理部に第２の流体を供給する第２の供給部と、
    を備えていることを特徴とする基板処理装置。
  2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
    前記第１の供給部は、
    前記載置部に載置された基板に対して前記第１の流体を供給する第１のノズルと、
    前記第１のノズルに対して前記第１の流体を供給する第１の流体供給部と、
    前記第２の供給部は、
    前記載置部に載置された基板に対して前記第２の流体を供給する第２のノズルと、
    前記第２のノズルに対して前記第２の流体を供給するする第２の流体供給部と、
    を備えていることを特徴とする基板処理装置。
  3. 請求項２に記載の基板処理装置において、
    前記第１のノズルは、前記第１の流体供給部から前記第１の流体が供給される基端部と、前記基端部に連通接続された吐出部と、前記基端部と前記吐出部とを連結したアームと、を備え、前記基端部が前記載置部よりも前記第１の流体供給部側に配置され、前記吐出部が前記載置部の上方にあたる供給位置と、前記載置部から外れた待機位置とにわたって前記基端部を中心にして揺動し、
    前記第２のノズルは、前記第２の流体供給部から前記第２の流体が供給される基端部と、前記基端部に連通接続された吐出部と、前記基端部と前記吐出部とを連結したアームと、を備え、前記基端部が前記載置部よりも前記第２の流体供給部側に配置され、前記吐出部が前記載置部の上方にあたる供給位置と、前記載置部から外れた待機位置とにわたって前記基端部を中心にして揺動することを特徴とする基板処理装置。
  4. 請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記第１の流体と前記第２の流体は、異なる流体であることを特徴とする基板処理装置。
  5. 請求項１から４のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記第１の流体と前記第２の流体は、液体であることを特徴とする基板処理装置。
  6. 請求項３に記載の基板処理装置において、
    前記第１の流体供給部は、
    前記第１の流体を貯留し、前記第１の流体を送出する送り部と前記第１の流体が戻る戻り部とを備えた第１の流体貯留部と、
    前記第１の流体貯留部の前記送り部に連通接続された供給管と、
    前記第１の流体貯留部の前記戻り部に連通接続された回収管と、
    前記待機位置に設けられ、前記第１のノズルから供給された前記第１の流体を回収する回収部と、
    前記回収部に連通接続され、前記回収部にて回収された前記第１の流体を排出する排出管と、
    前記供給管に一端部が連通接続され、他端部が前記基端部に連通接続された供給分岐管と、
    前記供給分岐管における前記第１の流体の流量を計測する流量計と、
    前記流量計よりも前記供給分岐管の前記基端部側に設けられ、前記供給分岐管における前記第１の流体の流量を操作する流量調整弁と、
    前記流量調整弁で調整された前記第１の流体を前記ノズルから供給・停止する供給制御弁と、
    を備えていることを特徴とする基板処理装置。
  7. 請求項６に記載の基板処理装置において、
    前記流量調整弁は、前記第１の処理筐体の前記表側面に近い位置に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
  8. 請求項６または７に記載の基板処理装置において、
    前記第１の流体供給部は、
    前記供給分岐管のうち、前記供給制御弁と前記流量調整弁との間に一端側が連通接続され、前記回収管に他端側が連通接続された戻り配管と、
    前記戻り配管に設けられ、前記戻り配管における前記第１の流体の流通を許容・遮断する戻り開閉弁と、
    をさらに備え、
    前記第１のノズルが待機位置に位置している際には、前記供給制御弁を閉止し、前記戻り開閉弁を開放して前記第１の流体を前記戻り配管を介して前記第１の流体貯留部に戻し、前記第１の流体を循環させていることを特徴とする基板処理装置。
  9. 請求項８に記載の基板処理装置において、
    前記供給分岐管に設けられ、前記供給分岐管における前記第１の流体の流通を、手動により許容・遮断する第１の手動開閉弁と、
    前記戻り配管に設けられ、前記戻り配管における前記第１の流体の流通を、手動により許容・遮断する第２の手動開閉弁と、
    を備えていることを特徴とする基板処理装置。
  10. 請求項６から９のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記第１の流体は、有機溶剤であり、
    前記流量計と前記流量調整弁とは、周囲から雰囲気を遮蔽された遮蔽容器に収容され、
    前記遮蔽容器は、内部が排気されていることを特徴とする基板処理装置。
  11. 請求項９に記載の基板処理装置において、
    前記第１の手動開閉弁及び前記第２の手動開閉弁は、前記第１の処理筐体の前記表側面に近い位置に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
  12. 請求項１から１１のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記第１のノズル及び前記第２のノズルは、前記基端部が前記第１の処理筐体の前記表側面に近い位置に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
  13. 請求項１から１２のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記第１の供給部に隣接して、前記処理部からの気体を排気する排気ボックスが配置されていることを特徴とする基板処理装置。
  14. 請求項１から１３のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記第１の処理筐体の下方に配置された第２の処理筐体をさらに備え、
    前記第２の処理筐体は、
    前記第２の処理筐体の内部に設けられ、載置部に載置された基板を流体により処理するための処理部と、
    前記第２の処理筐体のメンテナンスを行う表側面からみて前記処理部における側方の一方側に配置され、前記処理部に第１の流体を供給する第１の流体供給部と、
    前記表側面からみて前記処理部における側方の他方側に配置され、前記処理部に第２の流体を供給する第２の流体供給部と、
    を備えていることを特徴とする基板処理装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4767783B2 (ja) * 2006-07-26 2011-09-07 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP5192206B2 (ja) * 2007-09-13 2013-05-08 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP5122265B2 (ja) * 2007-10-01 2013-01-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
TWI480937B (zh) * 2011-01-06 2015-04-11 Screen Holdings Co Ltd 基板處理方法及基板處理裝置
JP5604371B2 (ja) * 2011-06-09 2014-10-08 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
US9378988B2 (en) * 2011-07-20 2016-06-28 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method using processing solution
JP5832397B2 (ja) * 2012-06-22 2015-12-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
TWI619155B (zh) * 2013-05-14 2018-03-21 Shibaura Mechatronics Corp Liquid supply device and substrate processing device
JP6878077B2 (ja) * 2017-03-24 2021-05-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7145019B2 (ja) * 2018-09-19 2022-09-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス レシピ変換方法、レシピ変換プログラム、レシピ変換装置および基板処理システム
JP7174581B2 (ja) * 2018-09-20 2022-11-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス レシピ表示装置、レシピ表示方法、およびレシピ表示プログラム
JP7326003B2 (ja) * 2019-04-09 2023-08-15 株式会社荏原製作所 液体供給装置、洗浄ユニット、基板処理装置
JP2022045616A (ja) * 2020-09-09 2022-03-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置

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