TWI508152B - Liquid treatment device - Google Patents

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TWI508152B
TWI508152B TW100144211A TW100144211A TWI508152B TW I508152 B TWI508152 B TW I508152B TW 100144211 A TW100144211 A TW 100144211A TW 100144211 A TW100144211 A TW 100144211A TW I508152 B TWI508152 B TW I508152B
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Teruaki Konishi
Takahiro Tetsuka
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Tokyo Electron Ltd
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Description

液處理裝置
本發明是有關對基板供給複數種類的處理液來進行液處理的技術。
在半導體製造工程之中，有對基板進行液處理的工程。液處理工程可舉利用洗淨液的基板的洗淨、利用電鍍液之基板的電鍍處理、利用蝕刻液的蝕刻處理、利用顯像液的顯像處理等的工程。被使用於此種的處理的液處理單元是例如具備：杯、及設於杯內的旋轉夾頭等的旋轉基體、及對基板供給處理液的噴嘴、及將杯內排氣的排氣口。然後進行基板洗淨等時，準備複數種類的處理液，特別是在基板洗淨時按照處理液的種別來準備複數的排氣管。
具備該等液處理單元的液處理裝置是將用以供給各種處理液的給液管群、用以調節由此給液管往噴嘴等供給的處理液的通流量的通流控制機器群、排出使用完的各種處理液的排液管群、或排出含處理液的蒸氣的氣體的排氣管群等多數的配管群或控制機器群配置於液處理單元的下方側。
在如此設置多數的機器群時，為了避免液處理裝置的大型化，各機器群匯集於比較窄的區域內配置的佈局的必要性高。因此，例如有在液處理單元的正下方縱向排列排氣管，在其旁邊配置通流控制機器群等，不同的機器在相 鄰的區域密接配置的情形。
然而，通流控制機器群是形成在處理液的供給配管配設流量計或流量調節閥等的構成，在像排氣管那樣比較大的配管通過的區域的附近，進行按各供給配管安裝個別的機器之作業是難以確保作業空間成為繁雜的作業。並且，在液處理裝置的組裝後，被排氣管遮住的區域是無法直接進出於通流控制機器群，例如會有從排氣管的相反側來將手伸至液處理單元的下方側而取出機器等維修作業困難，對作業者的負擔大之問題。
在此顯示於專利文獻1的液處理裝置是在搬送半導體晶圓的搬送室的兩側，複數台的液處理單元會橫向成列配置，在該等液處理單元的下方側配置有處理液配管群、排液配管群、排氣配管群。在此液處理裝置中也是排氣配管群及處理液配管群會在相鄰的區域排列配置，例如難以進行與排氣配管鄰接之處理液配管的維修。
[先行技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]特開2008-34490號公報：段落0024、圖3
本發明是基於如此的背景下硏發者，其目的是在於提供一種裝置的組裝、維修容易的液處理裝置。
本發明的液處理裝置，其特徵係具備：複數的液處理單元，其係彼此橫向排列配置，用以藉由處理液來對基板進行液處理；排氣管，其係被配置成在該等複數的液處理單元的下方側沿著該複數的液處理單元的排列而延伸，用以將各液處理單元內的環境排氣；複數的給液用的通流控制機器群，其係分別被設於前述排氣管的下方側；在該等通流控制機器群的下方側設成沿著複數的液處理單元的排列而分別延伸，用以將處理液供給至液處理單元的至少一個以上的給液用主配管及用以將來自液處理單元的液排液的至少一個以上的排液用主配管；複數的給液用分歧管，其係由前述給液用主配管來按複數的各液處理單元分歧，經由前述給液用的通流控制機器群來連接至各液處理單元；及複數的排液用分歧管，其係由前述排液用主配管來按複數的各液處理單元分歧而連接至各液處理單元。
前述液處理裝置亦可具備以下的特徵。
(a)對應於各液處理單元的給液用的通流控制機器群係被安裝於框體，該等通流控制機器群係連同該共通的框體來裝在排氣管的下方。
(b)前述通流控制機器群係被安裝於共通的前述框體內。
(c)前述給液用主配管及排液用主配管係被安裝於前述框體。
(d)按照處理液的種別，前述給液用主配管及排氣管分別被複數設置，複數的排氣管係彼此橫排配置。
(e)將該液處理裝置之面對前述液處理單元的排列的區域設為主維修區域，且將隔著此液處理單元的排列來從與該主維修區域對向的位置面對該液處理單元的區域設為副維修區域時，前述給液用的通流控制機器群係構成在前述主維修區域側可按各液處理單元抽出。
(f)將該液處理裝置之面對前述液處理單元的排列的區域設為主維修區域，且將隔著此液處理單元的排列來從與該主維修區域對向的位置面對該液處理單元的區域設為副維修區域時，前述給液用主配管係按照處理液的種別來複數設置，前述給液用的通流控制機器係構成在前述主維修區域側可按處理液的各種別抽出。
(g)在前述複數的液處理單元的上方，用以在放置有液處理單元的環境中形成清淨氣體的下降氣流之清淨氣體供給單元會延伸於液處理單元的配列方向。
本發明是在彼此橫向排列配置的複數個液處理單元的下方側，由上依序配置：沿著液處理單元的排列而延伸的排氣管、及給液用的通流控制機器群、及設成沿著液處理單元的排列而分別延伸的給液用主配管及排液用主配管。 因此，容易使給液用的通流控制機器群集中化，且容易從液處理單元的排列的側方作業，因此裝置的組裝作業或通流控制機器群的維修作業容易。
以下，一邊參照圖面一邊說明有關適用於進行半導體晶圓(以下簡稱「晶圓」)的表背面洗淨的基板處理裝置的實施形態。
如圖1的外觀立體圖、圖2的橫剖平面圖、及圖3的縱剖側面圖所示般，液處理裝置1是具備：載置區塊11，其係用以載置收容複數的晶圓W的FOUP100；搬出入區塊12，其係用以進行來自被載置於載置區塊11的FOUP100的晶圓W的搬入．搬出；交接區塊13，其係用以在搬出入區塊12與後段的液處理區塊14之間進行晶圓W的交接；及液處理區塊14，其係用以對晶圓W實施液處理。
將載置區塊11設為前面時，載置區塊11、搬出入區塊12、交接區塊13、液處理區塊14是從前側依此順序鄰接設置。
載置區塊11是在載置台111上載置以水平狀態收容複數的晶圓W的FOUP100。搬出入區塊12是進行晶圓W的搬送。交接區塊13是進行晶圓W的交接。搬出入區塊12及交接區塊13是被收於框體內。
搬出入區塊12是具有第1晶圓搬送機構121。第1晶圓搬送機構121是具有保持晶圓W的搬送臂122、及使搬送臂122移動於前後的機構。並且，第1晶圓搬送機構121具有：沿著延伸於FOUP100的配列方向的水平導件123(參照圖2)來移動的機構、沿著設於垂直方向的垂直導件124(參照圖3)來移動的機構、及在水平面內使搬送臂122旋轉的機構。藉由此第1晶圓搬送機構121在FOUP100與交接區塊13之間搬送晶圓W。圖3所示的125是在搬出入區塊12的空間內供給清淨空氣的FFU(Fan Filter Unit)。
交接區塊13是具有可載置晶圓W的交接棚131。在交接區塊13是經由此交接棚131在搬出入區塊12、液處理區塊14的搬送機構間(已述的第1晶圓搬送機構121及後述的第2晶圓搬送機構143)進行晶圓W的交接。
液處理區塊14是形成將配置有複數的液處理單元2的液處理部141、及進行晶圓W的搬送的搬送部142收於框體內的構成。在液處理部141的複數的液處理單元2的下方，於各液處理單元收容有處理液的供給系、排液系及用以排出包含處理液的蒸氣的氣體的排液系等，有關其詳細的構成會在往後敘述。
搬送部142是以和交接區塊13的連接部作為基端，在延伸於前後方向的空間內配置第2晶圓搬送機構143而成。第2晶圓搬送機構143是具有保持晶圓W的搬送臂144、及使搬送臂144移動於前後的機構。並且，第2晶 圓搬送機構143具有：沿著延伸於前後方向的水平導件145(參照圖2)來移動的機構、沿著設於垂直方向的垂直導件146(參照圖4)來移動的機構、及在水平面內使搬送臂144旋轉的機構。藉由此第2晶圓搬送機構143在已述的交接棚131與各液處理單元2之間進行晶圓W的搬送。圖1、圖3、圖4所示的149是在搬出入區塊12的空間內供給清淨空氣的FFU。
如圖2、圖3所示般在液處理部141中，沿著形成搬送部142的空間所延伸的方向，橫向排列配置有複數台例如5台的液處理單元2。而且，如由前側來看液處理裝置1的縱剖側面的圖4所示般，夾著搬送部142來配置於左右的液處理部141是上下疊成2段，合計設有4個的液處理部141。因此，本例的液處理裝置1是合計具有20台的液處理單元2。
若一邊參照圖5一邊說明有關設於各液處理部141內的液處理單元2的構成，則液處理單元2是構成為藉由旋轉處理來一片一片進行晶圓W的液處理的單片式的單元。液處理單元2是具備：保持晶圓W的旋轉板24、及由下面側來支撐此旋轉板24，藉由未圖示的旋轉馬達來使旋轉板24旋轉的旋轉軸251、及被貫插於此旋轉軸251內，用以對晶圓W的背面供給處理液的液供給管252、及用以對晶圓W的表面側供給處理液的液供給噴嘴26、及接受從旋轉的晶圓W拋開的藥液而往外部排出的內杯23、及收容旋轉板24、內杯23，進行液處理單元2內的環境的 排氣的外杯22。
旋轉板24是在中央設有開口部的圓板狀的構件，在其表面設有保持晶圓W的複數個保持構件241。晶圓W是在比旋轉板24的表面還上方的位置隔著間隙來保持，從液供給管252經由中央的開口部來供給的處理液是穿過此間隙內來擴展於晶圓W的背面全體。
旋轉軸251是在設於液處理部141內的基底板27上的軸承部253被保持於旋轉自如的狀態。
在液供給管252的上端面設有用以從背面側來支撐晶圓W的支撐銷(未圖示)，另一方面，在其下端側設有用以使液供給管252昇降的昇降機構(未圖示)。然後，使液供給管252全體上昇、下降，可使液供給管252從旋轉板24的開口部突沒。藉此，可在支撐銷上支撐晶圓W，在與搬送臂144之間進行晶圓W的交接的位置與旋轉板24上的處理位置之間使晶圓W昇降。
液供給管252是被連接至背面給液路線472，該背面給液路線472是對晶圓W的背面進行SC1液(氨與過氧化氫水的混合液)等鹼性的處理液或稀氫氟酸水溶液(以下稱DHF(Diluted HydroFluoric acid))等酸性的處理液、脫離子水(DeIonized Water：DIW)等洗滌洗淨用的洗滌液的供給。
另一方面，對晶圓W的表面供給藥液的液供給噴嘴26是被噴嘴臂261所支撐，可在被保持於旋轉板24的晶圓W的上方的處理位置與從此處理位置退避的退避位置之 間移動。液供給噴嘴26是被連接至噴嘴給液路線471，該噴嘴給液路線471是除了鹼性或酸性的處理液、洗滌液以外，還進行有機溶劑之乾燥處理用的IPA(IsoPropyl Alcohol)的供給。
內杯23是設成可包圍被保持於旋轉板24的晶圓W之圓環狀的構件，可經由被連接至底面的排液用配管65來將內部的處理液排出。外杯22是在於實現將從與內杯23之間的間隙流入的氣流予以排氣的任務，且在底面連接排氣用的排氣路線36。在外杯22及內杯23的上面形成有比晶圓W更大口徑的開口部，被液供給管252支撐的晶圓W可經由此開口部來移動於上下方向。
在外杯22的上部，以能夠遮蔽上面側的開口部的方式設有外箱21。如圖4所示在面向搬送部142的外杯22的側面設有開閉門212，藉由打開此開閉門212，可使搬送臂144進入至液處理單元2內。
在外箱21的上部配置有過濾器單元73，此過濾器單元73是被連接至朝液處理單元2的排列方向延伸的給氣管路71(圖3~圖5)。在此給氣管路71的上游側的端部，例如收容液處理區塊14的框體的側壁面配設有風扇單元72，由此風扇單元72取入的氣流會經由過濾器單元73來導入至外箱21內。藉由如此在各液處理單元2的側方位置設置風扇單元72，可降低液處理單元2的高度。並且，藉由在複數的液處理單元2使風扇單元72共通化，相較於在各液處理單元2設置FFU的情況，可降低成本。在此 圖5所示的211是由過濾器單元73供給清淨空氣至外箱21內的給氣孔。
以上說明之具備複數個液處理單元2的本實施形態的液處理裝置1，為了解決在[先前技術]所說明的安裝時或維修時的作業性的問題，而在功用系的配管群或通流控制機器群具備特別的特徵。以下，針對其詳細的構成進行說明。
如圖3、圖4所示，在具備複數的液處理單元2的各液處理部141中，由上依序配置有：在液處理單元2的排列的下方側，用以將液處理單元2內的環境排氣之排氣管3、及收容用以調整被供給至液處理單元2的處理液的給液量等的給液用的通流控制機器群402之通流控制區塊4、及對液處理單元2供給處理液之給液用主配管5、及進行來自液處理單元2的處理液的排出之排液用主配管6。藉由如此具有同功能的配管群或機器群匯集於同高度位置，可使該等的配管群、機器群集中化，使設於液處理單元2的排列的側方之後述維修區域的作業容易。
排氣管3是分成：酸性氣體排氣管31，其係進行利用酸性的處理液之處理的期間中的排氣；鹼性氣體排氣管32，其係進行利用鹼性的處理液之處理的期間中的排氣；及有機系氣體排氣管33，其係進行利用IPA等有機系的處理液之處理的期間中的排氣。
如圖3、圖7所示，排氣管3(31、32、33)是在複數的液處理單元2的下方側，配置成沿著該等液處理單元2的排列來延伸。並且，如圖7所示，3根的排氣管31~33是彼此橫向排列配置。各個的排氣管31、32、33是與分別可處理酸性氣體、鹼性氣體、有機系氣體的除害設備連接。
本例的各排氣管31~33是經由實行排氣去處的切換的流路切換部34來連接至各液處理單元2的排氣路線36。如圖7、圖8所示，流路切換部34是成為由外筒341及旋轉筒343所構成的二重圓筒構造，經由設於外筒341的凸緣部342a~342c來連接至各排氣管31~33。並且，旋轉筒343是其一端側會被連接至液處理單元2的排氣路線36，另一端側是被連接至旋轉驅動部35，藉此形成繞著中心軸旋轉自如。而且，在旋轉筒343的側面，在與各凸緣部342a~342c對應的位置設有朝不同的徑向開口的開口部344a~344c，藉由使旋轉筒343旋轉來使任一的開口部344a~344c移動至凸緣部342a~342c，可選擇成為排氣去處的排氣管31~33。
如此，在功用系的配管群3、5、6之中，藉由在最接近液處理單元2的高度位置配置排氣管3，可抑制壓力損失的增大，降低工廠全體的排氣能力分配給液處理裝置1的排氣量。
如圖3、圖6所示，在排氣管3的下方側配置有收容給液用的通流控制器群402的通流控制區塊4。通流控制 區塊4是被安裝於例如由框體所構成的共通基體(框體基體46)，連同此框體基體46安裝於排氣管3的下方。有關框體基體46內的詳細構成會在往後敘述。
而且，在框體基體46的下方側是配設有配管箱48，在此配管箱48內收容有設成沿著處理單元2的排列延伸之複數的給液用主配管5及複數的排液用主配管6。如圖4、圖6所示，該等複數的配管5、6是按給液用、排液用的用途匯集，彼此橫向排列配置。而且，在接近液處理區塊14的外側壁面的位置配置有給液用主配管5的配管群，由前述外壁面來看在接近搬送部142的位置配置有排液用主配管6的配管群。液處理區塊14的外側壁面的側方區域是相當於後述的維修區域。
如圖5所示，給液用主配管5是包含：供給鹼性的處理液的鹼給液主配管53、供給酸性的處理液的DHF給液主配管52、供給洗滌液的DIW供給主配管54、供給乾燥處理用的IPA的IPA給液主配管51等。各給液主配管51~54是與各個處理液的供給槽或給液泵(未圖示)連接。由於液體是藉由泵等而昇壓，因此與排氣管3作比較，即使配置於遠離液處理單元2的位置，照樣處理液供給上的缺點少。
該等的給液主配管51~54是經由開閉閥55、通流控制區塊4、噴嘴給液路線471或背面給液路線472來與各液處理單元2的液供給噴嘴26及液供給管252連接。從給液主配管51~54分歧，配設有開閉閥55的配管、通流 控制區塊4內的配管群、噴嘴給液路線471及背面給液路線472是相當於本實施形態的給液用分歧管。
並且，排液用主配管6是包含：將鹼性的處理液排出的鹼性排液主配管62、將酸性的處理液排出的酸性排液主配管61、將洗滌液等的水排出的排水主配管64、將有機系的處理液排出的有機系排液主配管63等。各排液主配管61~64是被連接至排液處理設備或處理液回收槽等(未圖示)。並且，各排液主配管61~64是經由用以切換處理液的排出去處的開閉閥66來連接至液處理單元2側的排液用配管65。各種排液是只要從液處理單元2落下而往各排液主配管61~64排出，因此與排氣管3作比較，即使配置於遠離液處理單元2的位置，照樣處理液排出上的缺點少。從排液主配管61~64分歧，配設有開閉閥66的配管群或排液用配管65是相當於本實施形態的排液用分歧管。
其次，說明有關收容於框體基體46內的通流控制區塊4。通流控制區塊4是形成在共通的框體基體46內收容複數的通流控制機器單元40之構成，該複數的通流控制機器單元40是對各液處理單元2的液供給噴嘴26或液供給管252，按種類別或給液去處別來控制處理液的通流量等。通流控制機器單元40是依據處理液的種類或供給去處來取各種的構成，但在圖9的側面圖是顯示與本例的通流控制區塊4所設的通流控制機器單元40共通的構成例。
通流控制機器單元40(機器單元)是形成將通流控制器群402集中於支撐構件的支撐板401而安裝的構造，該通流控制器群402是包含處理液的流量測定用的流量計404、流量調節用的流量調整閥405及連接該等的配管構件407。此通流控制器群402為了從給液用主配管5(51~54)分歧來朝液供給噴嘴26或旋轉軸251供給處理液，而介於被繞拉至液處理單元2的下方側的配管(在通流控制區塊4的說明中是指供給用配管)設置，實現調節處理液的通流量或供給時機等的任務。但，通流控制機器單元40的構成並非限於上述的例子，除了圖5所示的開閉閥55以外，亦可具備旁路配管等、別的通流控制器。
而且，如圖10、圖11所示，在框體基體46內，於每個液處理單元2收容有複數的通流控制機器單元40。各通流控制機器單元40是藉由被設於框體基體46的上面及下面的保持構件461來保持於豎起支撐板401的狀態，且可自由地從框體基體46抽出通流控制機器單元40的全體。
在此，如圖1所示，在液處理部141的左右的側壁面是設有蓋體148，該蓋體148是可卸下設置通流控制區塊4的高度位置的壁面部分。藉由卸下此蓋體148，可進出於各液處理部141的框體基體46，可成為開放通流控制機器單元40的狀態。本例是在框體基體46的側面更對應於各液處理單元2而設有內蓋462，若卸下此各內蓋462，則對應的液處理單元2的通流控制機器單元40會複數橫向排列配置(圖10、圖11)。在各液處理單元2是該等複數 的通流控制機器單元40會被各設一組，在框體基體46內，成為處理液的供給去處之液處理單元2的下方位置，複數的通流控制機器單元40會在每組橫向排列配置。以下，將為了進出於該等通流控制機器單元40而設，面對液處理裝置1的前述液處理單元2的排列的側方的區域稱為主維修區域。
在此，圖1所示的147是蓋體，其係可在每配置有個別的液處理單元2的位置卸下設有各液處理單元2的位置的液處理部141的壁面部分。
各通流控制機器單元40的通流控制器群402是經由上游側埠403來裝卸自如地連接至比通流控制機器單元40更上游側的給液用配管(在圖12、圖13作為上游側供給配管561來總括性地顯示)。又，通流控制器群402是經由下游側埠406來裝卸自如地連接至比通流控制機器單元40更下游側的供給配管(同圖中作為下游側供給配管562來總括性地顯示)。
上游側供給配管561是對應於從圖5所示的給液用主配管5(51~54)到通流控制機器單元40(41~45)的各配管，下游側供給配管562是相當於從通流控制機器單元40(41~45)到液供給噴嘴26、液供給管252的噴嘴給液路線471、背面給液路線472。
如圖10、圖11所示，上游側埠403、下游側埠406是以能夠面對位於通流控制機器單元40的抽出方向的主維修區域的方式分別位於通流控制器群402的配置區域的 下面側及上面側。此結果，在該等上游側埠403、下游側埠406是可從主維修區域進出自如，可容易進行維修時的通流控制機器單元40的裝卸作業。如此，在主維修區域側配置有具備流量計404或流量調節閥405等需要定期性的調整的精密機器之通流控制機器單元40。
又，如圖6所示，在框體基體46的主維修區域側的上面形成有給液用配管配設口463，其係被連接至下游側埠406，用以朝液處理單元2連貫往上方側延伸的下游側供給配管562，該等下游側供給配管562是通過排氣管3的側方來連接至液供給噴嘴26或液供給管252。並且，若將隔著此液處理單元的排列來從與該主維修區域對向的位置面對該液處理單元的區域(在本例的液處理裝置是搬送部142側的區域)作為副維修區域，則排出使用後的處理液之排液用配管65是經過設於副維修區域側的排液用配管配設口464來連接至通流控制區塊4的下方側的排液用主配管6。如此，維修頻率少的排液用配管65是被配置於與主維修區域相反側，需要時從副維修區域的搬送部142側進出，而進行維修。由於本例的排液用配管65側是不具備流量計或流量調節閥等的精密機器，因此只要不發生排液用配管65的本體或開閉閥66壞掉等的不良情況，便不需要為了更換或維修而卸下，因此該等的機器是被固定於配管箱48等。
一邊參照圖5一邊說明有關具備以上說明的構成之通流控制機器單元40的種類、及各通流控制機器單元40與 液處理單元2的連接狀態。IPA控制單元41是進行有關從IPA給液主配管51往液供給噴嘴26供給的IPA(有機溶劑)的通流控制，DHF控制單元42是進行有關從DHF給液主配管52往液供給噴嘴26供給的酸性處理液(DHF)的通流控制。並且，鹼液控制單元43是進行從鹼給液主配管53往液供給噴嘴26供給的鹼性處理液的通流控制。
在DIW控制單元44是例如設有2組的通流控制器群402，進行用以將從DIW供給主配管54接收的DIW分別供給至液供給噴嘴26、液供給管252的通流控制。並且，背面給液控制單元45是實現從DHF給液主配管52、鹼給液主配管53接收酸性的處理液、鹼性的處理液的其中之一，切換至液供給管252而供給的任務。
具備以上說明的構成的液處理裝置1是如圖2、圖5所示般與控制部8連接。控制部8是例如由具備未圖示的CPU及記憶部的電腦所構成，在記憶部中記錄編有步驟(命令)群的程式，該步驟(命令)群是有關液處理裝置1的作用，亦即從被載置於載置區塊11的FOUP100取出晶圓W，搬入至各液處理單元2，進行液處理、乾燥處理之後，回到FOUP100為止的控制。此程式是例如被儲存於硬碟、光碟、光磁碟、記憶卡等的記憶媒體，由此來安裝於電腦。尤其控制部8是如圖5所示般可對各種的切換閥34、55、66或通流控制機器單元40內的控制機器等輸出控制訊號，切換處理液的供給時機或供給量、處理液的排出去處或處理環境的排氣去處。
若簡單說明有關具備以上說明的構成的液處理裝置1的作用，則首先從被載置於載置區塊11的FOUP100藉由第1晶圓搬送機構121來取出1片的晶圓W而載置於交接棚131，連續性地進行此動作。被載置於交接棚131的晶圓W是藉由搬送部142內的第2晶圓搬送機構143來依序搬送，而搬入至任一的液處理單元2。
在液處理單元2中，一邊使晶圓W旋轉，一邊供給各種的藥液，進行利用鹼性的藥液之粒子或有機性的污染物質的除去→利用洗滌液的洗滌洗淨→利用DHF之自然氧化膜的除去→利用DIW的洗滌洗淨。一旦此液處理終了，則對旋轉的晶圓W的表面供給IPA，進行IPA乾燥，完成晶圓W的處理。在該等的處理的期間中，按照處理液的種類來適當地切換使用後的處理液的排出去處或處理環境的排氣去處。
如此進行液處理後，藉由搬送臂144來從液處理單元2搬出晶圓W，載置於交接棚131，且藉由第1晶圓搬送機構121來使晶圓W從交接棚131回到FOUP100。然後藉由設於液處理裝置1的複數個液處理單元2來實行對以上說明的晶圓W之處理或搬送動作，依序進行對複數片的晶圓W之液處理。
然後，例如任一的液處理單元2發生不良情況時，停止該當液處理單元2或連接於此的通流控制機器單元40，卸下蓋體148及對應於該液處理單元2的內蓋462來開放通流控制機器單元40，可從主維修區域進出卸下通流控制 機器單元40來進行維修。此時通流控制機器單元40是在每個液處理單元2設置，因此有關未發生不良情況的液處理單元2可繼續運轉。並且，液供給噴嘴26或液供給管252等，在液處理單元2側發生不良情況時，藉由卸下該發生不良情況的液處理單元2的蓋體147進行維修，可將繼續運轉的液處理單元2的處理環境保持於清淨的狀態。
若根據本實施形態的液處理裝置1，則具有以下的效果。在彼此排列於橫方向配置的複數個液處理單元2的下方側，由上依序配置有：沿著液處理單元2的排列延伸的排氣管3、及收容有給液用的通流控制器群402的通流控制區塊4、及設成沿著液處理單元2的排列來分別延伸的給液用主配管5及排液用主配管6。因此容易使給液用的通流控制器群402集中化，且容易從液處理單元2的排列的側方作業，因此液處理裝置1的組裝作業或通流控制機器單元40的維修作業容易。
並且，在功用系的配管群3、5、6之中，藉由在最接近液處理單元2的高度位置配置排氣管3，可抑制壓力損失的增大，降低工廠全體的排氣能力分配給液處理裝置1的排氣量。
並且，分別介於複數的供給配管而設的通流控制機器單元40(通流控制器群402)會被收容於共通的框體基體46來構成通流控制區塊4，藉此例如圖14所示在液處理裝置1的組裝時可在各別的場所並行組裝液處理裝置1的本體及通流控制區塊4。然後，最後可將收容通流控制機器單 元40的框體基體46裝入液處理裝置1來組裝液處理裝置1，液處理裝置1的組裝形成比較容易。此外，液處理單元2、排氣管3、通流控制區塊4、給液用主配管5、排液用主配管6會被堆疊於上下方向，被配置於橫向不干涉的位置，藉此液處理部141內的機器的分解也容易，可彈性地對應於液處理裝置1的規格變更。而且，如在圖3所說明那樣，藉由在各液處理單元2的側方位置設置風扇單元72，可降低液處理裝置1全體的高度。
並且，在本液處理裝置1亦具有以下的效果。
把用以將處理液供給至液處理單元2的給液用配管561、562所介在的通流控制器群402集中於支撐板401而來構成通流控制機器單元40，且在前述支撐板401以能夠面對主維修區域的方式設置：用以裝卸比通流控制器群402更上游側的上游側供給配管561之上游側埠403、及用以裝卸比通流控制器群402更下游側的下游側供給配管562之下游側埠406。因此，在維修給液用配管561、562或通流控制機器(流量計404或流量調整閥405等)時，藉由從主維修區域裝卸上游側的給液用配管561及下游側的給液用配管562，可分離、連接給液用配管561、562及通流控制器群402，因此維修作業或裝置的組裝作業容易，作業者的負擔小。
在此，通流控制機器單元40並非限於構成朝主維修區域從框體基體46將支撐板401卸下自如的情況，亦可固定於框體基體46內。例如使通流控制器群402構成從 支撐板401卸下自如時，藉由上游側埠403或下游側埠406設成面對主維修區域，可取得通流控制器群402的卸下變得容易之效果。
並且，在支撐板401安裝通流控制器群402來構成的通流控制機器單元40並非限於設在具有複數台的液處理單元2之液處理裝置1的情況，亦可設在例如只具備1台的液處理單元2之液處理裝置1。
其他，可適用上述各實施形態的液處理裝置並非限於供給酸性、鹼性的處理液來進行晶圓W的液處理時，亦可適用於對晶圓W的表面進行例如根據電鍍液的電鍍處理、利用蝕刻液的蝕刻處理等各種的液處理。
W‧‧‧晶圓
1‧‧‧液處理裝置
2‧‧‧液處理單元
3‧‧‧排氣管
4‧‧‧通流控制區塊
40‧‧‧通流控制機器單元
402‧‧‧通流控制器群
403‧‧‧上游側埠
406‧‧‧下游側埠
46‧‧‧框體基體
5‧‧‧給液用主配管
6‧‧‧排液用主配管
7‧‧‧控制部
圖1是表示本發明的實施形態的液處理裝置的外觀構成的立體圖。
圖2是前述液處理裝置的橫剖平面圖。
圖3是由橫方向來看前述液處理裝置的縱剖側面圖。
圖4是由前方向來看前述液處理裝置的縱剖側面圖。
圖5是設於前述液處理裝置的液處理單元的縱剖側面圖。
圖6是表示設於前述液處理裝置的排氣管、通流控制區塊的外觀構成的立體圖。
圖7是表示前述排氣管被連接至液處理單元的狀態的說明圖。
圖8是表示設於前述排氣管的流路切換部的構成的立體圖。
圖9是表示設於前述通流控制區塊的通流控制機器單元的構成的側面圖。
圖10是表示前述通流控制機器單元被安裝於框體基體的狀態的立體圖。
圖11是從框體基體卸下前述通流控制機器單元的狀態的立體圖。
圖12是表示前述通流控制機器單元被安裝於供給配管的狀態的立體圖。
圖13是表示從供給配管卸下前述通流控制機器單元的狀態的立體圖。
圖14是在液處理裝置的組裝時，將通流控制區塊裝在液處理裝置的狀態的立體圖。
1‧‧‧液處理裝置
2‧‧‧液處理單元
3‧‧‧排氣管
4‧‧‧通流控制區塊
5‧‧‧給液用主配管
6‧‧‧排液用主配管
8‧‧‧控制部
21‧‧‧外箱
71‧‧‧給氣管路
73‧‧‧過濾器單元
141‧‧‧液處理部
142‧‧‧搬送部
143‧‧‧第2晶圓搬送機構
144‧‧‧搬送臂
145‧‧‧水平導件
146‧‧‧垂直導件
212‧‧‧開閉門

Claims (13)

  1. 一種液處理裝置，其特徵係具備：複數的液處理單元，其係彼此橫向排列配置，用以藉由處理液來對基板進行液處理；排氣管，其係被配置成在該等複數的液處理單元的下方側沿著該複數的液處理單元的排列而延伸，用以將各液處理單元內的環境排氣；複數的給液用的通流控制機器群，其係分別被設於前述排氣管的下方側；在該等通流控制機器群的下方側設成沿著複數的液處理單元的排列而分別延伸，用以將處理液供給至液處理單元的至少一個以上的給液用主配管及用以將來自液處理單元的液排液的至少一個以上的排液用主配管；複數的給液用分歧管，其係由前述給液用主配管來按複數的各液處理單元分歧，經由前述給液用的通流控制機器群來連接至各液處理單元；及複數的排液用分歧管，其係由前述排液用主配管來按複數的各液處理單元分歧而連接至各液處理單元。
  2. 如申請專利範圍第1項之液處理裝置，其中，前述複數的通流控制機器群的一部分係被安裝於按各液處理單元設置的框體，前述框體係被裝在排氣管的下方。
  3. 如申請專利範圍第1項之液處理裝置，其中，前述複數的通流控制機器群的全部係被安裝於共通的框體，前述共通的框體係被裝在排氣管的下方。
  4. 如申請專利範圍第2項之液處理裝置，其中，前述排氣管係按照處理液的種別來複數設置，且橫排配置。
  5. 如申請專利範圍第3項之液處理裝置，其中，前述排氣管係按照處理液的種別來複數設置，且橫排配置。
  6. 如申請專利範圍第2項之液處理裝置，其中，前述給液用主配管係按照處理液的種別來複數設置，且橫排配置。
  7. 如申請專利範圍第3項之液處理裝置，其中，前述給液用主配管係按照處理液的種別來複數設置，且橫排配置。
  8. 如申請專利範圍第2項之液處理裝置，其中，前述給液用主配管及前述排液用主配管係被收容於配管箱內。
  9. 如申請專利範圍第3項之液處理裝置，其中，前述給液用主配管及前述排液用主配管係被收容於配管箱內。
  10. 如申請專利範圍第3項之液處理裝置，其中，前述給液用主配管及前述排液用主配管係被收容於複數的配管箱內，前述配管箱係彼此橫排配置。
  11. 如申請專利範圍第1~10項中的任一項所記載之液處理裝置，其中，將該液處理裝置之面對前述液處理單元的排列的側方的區域設為主維修區域，且將隔著此液處理單元的排列來從與該主維修區域對向的位置面對該液處理單元的側方的區域設為副維修區域時，前述給液用的通流控制機器群係構成在前述主維修區域側可按各液處理單元抽出。
  12. 如申請專利範圍第1~10項中的任一項所記載之液處理裝置，其中，將該液處理裝置之面對前述液處理單元的排列的側方的區域設為主維修區域，且將隔著此液處理單元的排列來從與該主維修區域對向的位置面對該液處理單元的側方的區域設為副維修區域時，前述給液用主配管係按照處理液的種別來複數設置，前述給液用的通流控制機器群係構成在前述主維修區域側可按處理液的各種別抽出。
  13. 如申請專利範圍第1~10項中的任一項所記載之液處理裝置，其中，在前述複數的液處理單元的上方，用以在液處理單元內形成清淨氣體的下降氣流之清淨氣體供給單元係延伸於液處理單元的配列方向。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI674619B (zh) * 2015-11-13 2019-10-11 斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6034144B2 (ja) * 2012-11-07 2016-11-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 処理液供給装置およびこれを備えた基板処理装置
JP6029939B2 (ja) * 2012-11-07 2016-11-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 処理液供給装置およびこれを備えた基板処理装置
JP6033048B2 (ja) * 2012-11-15 2016-11-30 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP6430784B2 (ja) * 2014-10-31 2018-11-28 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
JP6289341B2 (ja) 2014-10-31 2018-03-07 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、排気切替ユニットおよび基板液処理方法
CN104979255B (zh) * 2015-06-16 2017-11-14 无锡华瑛微电子技术有限公司 流体传送装置
KR102613750B1 (ko) * 2015-11-16 2023-12-13 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액 처리 장치
JP6406231B2 (ja) * 2015-12-01 2018-10-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6571022B2 (ja) * 2016-02-04 2019-09-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2018018942A (ja) * 2016-07-27 2018-02-01 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
JP6675955B2 (ja) 2016-08-24 2020-04-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6739285B2 (ja) 2016-08-24 2020-08-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US11747742B2 (en) * 2017-04-11 2023-09-05 Visera Technologies Company Limited Apparatus and method for removing photoresist layer from alignment mark
JP7203545B2 (ja) * 2018-09-21 2023-01-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2019004179A (ja) * 2018-09-21 2019-01-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6611893B2 (ja) * 2018-11-01 2019-11-27 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
JP7370277B2 (ja) 2020-02-26 2023-10-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
US20210265177A1 (en) * 2020-02-26 2021-08-26 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treating apparatus

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10303168A (ja) * 1997-04-28 1998-11-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US6203582B1 (en) * 1996-07-15 2001-03-20 Semitool, Inc. Modular semiconductor workpiece processing tool
US20020011208A1 (en) * 2000-07-03 2002-01-31 Seiki Ishida Substrate processing apparatus
US20030066797A1 (en) * 2001-09-27 2003-04-10 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus for removing organic matter by removal liquid
US20080023049A1 (en) * 2006-07-26 2008-01-31 Tokyo Electron Limited Liquid processing system

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6432214B2 (en) * 1998-07-10 2002-08-13 Semitool, Inc. Cleaning apparatus
KR100513397B1 (ko) * 2001-01-12 2005-09-09 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼 세정시스템 및 그 세정액 공급방법
JP2002224630A (ja) * 2001-01-22 2002-08-13 L'air Liquide Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procede S Georges Claude 洗浄装置及び方法
JP4414910B2 (ja) * 2005-02-17 2010-02-17 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置及び半導体製造方法
KR100929817B1 (ko) * 2007-10-23 2009-12-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 제조 방법
JP4940123B2 (ja) * 2007-12-21 2012-05-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP5359285B2 (ja) * 2009-01-07 2013-12-04 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理装置の運転方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6203582B1 (en) * 1996-07-15 2001-03-20 Semitool, Inc. Modular semiconductor workpiece processing tool
JPH10303168A (ja) * 1997-04-28 1998-11-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US20020011208A1 (en) * 2000-07-03 2002-01-31 Seiki Ishida Substrate processing apparatus
US20030066797A1 (en) * 2001-09-27 2003-04-10 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus for removing organic matter by removal liquid
US20080023049A1 (en) * 2006-07-26 2008-01-31 Tokyo Electron Limited Liquid processing system

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI674619B (zh) * 2015-11-13 2019-10-11 斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置
US10879091B2 (en) 2015-11-13 2020-12-29 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treating apparatus
US11373889B2 (en) 2015-11-13 2022-06-28 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treating apparatus

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