KR102613750B1 - 액 처리 장치 - Google Patents

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야스히로 다카키
다카미 사토
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

실시형태에 따른 액 처리 장치는, 처리부, 제1 공급로, 제1 기기, 제2 공급로, 제2 기기, 케이스 및 외부 케이스를 구비한다. 처리부는, 처리액을 이용하여 기판을 처리한다. 제1 공급로는, 처리부에 대해 제1 처리액을 공급한다. 제1 기기는 제1 공급로에의 제1 처리액의 공급에 이용된다. 제2 공급로는, 처리부에 대해, 제1 처리액보다 고온의 제2 처리액을 공급한다. 제2 기기는 제2 공급로에의 제2 처리액의 공급에 이용된다. 케이스는 처리부를 수용한다. 외부 케이스는, 케이스에 인접하고, 제1 기기와 제2 기기를 수용한다. 또한, 외부 케이스는, 제1 기기와, 제2 기기 사이에 구획벽을 구비한다.

Description

액 처리 장치
개시하는 실시형태는 액 처리 장치에 관한 것이다.
종래, 반도체 웨이퍼나 유리 기판 등의 기판에 대해 액 처리를 행하는 액 처리 장치가 알려져 있다.
액 처리 장치에 있어서는, 처리액을 공급하기 위한 복수의 배관이 비교적 좁은 영역에 모여 배치되는 경우가 있다. 이러한 경우, 고온으로 사용되는 처리액의 배관 근처에, 상온이나 저온으로 사용되는 처리액의 배관이 존재하면, 고온으로 사용되는 처리액의 배관으로부터의 방열에 의해 상온이나 저온으로 사용되는 처리액의 온도가 상승해 버릴 우려가 있다.
그래서, 최근에 와서는, 고온으로 사용되는 처리액의 배관을 복수의 액 처리 유닛이 수용되는 케이스측에 수용하고, 상온이나 저온으로 사용되는 처리액의 배관을 케이스에 인접하는 외부 케이스측에 수용하며, 또한, 고온의 처리액을 저류하는 탱크를 케이스 및 외부 케이스의 외부에 배치한 액 처리 장치가 제안되어 있다(특허문헌 1 참조).
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2014-099528호 공보
그러나, 장치의 스페이스 절약화를 도모하기 위해서 예컨대 전술한 종래 기술에서 나타낸 외부 케이스에 고온의 처리액을 저류하는 탱크 등을 배치한 경우, 배관 등의 기기를 흐르는 상온이나 저온으로 사용되는 처리액과 고온의 처리액 사이에서 열 영향을 받아 버린다고 하는 문제점이 발생한다.
실시형태의 일 양태는, 공통의 외부 케이스에 수용된 처리액의 공급에 이용되는 기기 사이에서의 열 영향을 저감할 수 있는 액 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
실시형태의 일 양태에 따른 액 처리 장치는, 처리부, 제1 공급로, 제1 기기, 제2 공급로, 제2 기기, 케이스 및 외부 케이스를 구비한다. 처리부는, 처리액을 이용하여 기판을 처리한다. 제1 공급로는, 처리부에 대해 제1 처리액을 공급한다. 제1 기기는 제1 공급로에의 제1 처리액의 공급에 이용된다. 제2 공급로는, 처리부에 대해, 제1 처리액보다 고온의 제2 처리액을 공급한다. 제2 기기는 제2 공급로에의 제2 처리액의 공급에 이용된다. 케이스는 처리부를 수용한다. 외부 케이스는, 케이스에 인접하고, 제1 기기와 제2 기기를 수용한다. 또한, 외부 케이스는, 제1 기기와, 제2 기기 사이에 구획벽을 구비한다.
실시형태의 일 양태에 의하면, 공통의 외부 케이스에 수용된 처리액의 공급에 이용되는 기기 사이에서의 열 영향을 저감할 수 있다.
도 1은 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 도시한 도면이다.
도 2는 처리 유닛의 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 외부 케이스의 배치를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 외부 케이스의 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 외부 케이스의 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 외부 케이스의 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 황산의 공급 계통의 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 제1 공급 블록 내에 있어서의 기기의 배치를 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 제1 공급 블록 내에 있어서의 기기의 배치를 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 주(主)배관의 배치를 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 제1의 제2 주배관 및 제2의 제2 주배관의 배치를 설명하기 위한 도면이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원이 개시하는 액 처리 장치의 실시형태를 상세히 설명한다. 한편, 이하에 나타내는 실시형태에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다.
<1. 기판 처리 시스템의 개략 구성>
도 1은 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 도시한 도면이다. 이하에서는, 위치 관계를 명확히 하기 위해서, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 반입 반출 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입 반출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 인접하여 설치된다.
반입 반출 스테이션(2)은, 캐리어 배치부(11)와, 반송부(12)를 구비한다. 캐리어 배치부(11)에는, 복수 매의 기판, 본 실시형태에서는 반도체 웨이퍼[이하 웨이퍼(W)]를 수평 상태로 수용하는 복수의 캐리어(C)가 배치된다.
반송부(12)는, 캐리어 배치부(11)에 인접하여 설치되고, 내부에 기판 반송 장치(13)와, 전달부(14)를 구비한다. 기판 반송 장치(13)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(13)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 캐리어(C)와 전달부(14) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
처리 스테이션(3)은, 반송부(12)에 인접하여 설치된다. 처리 스테이션(3)은, 반송부(15)와, 복수의 처리 유닛(16)을 구비한다. 복수의 처리 유닛(16)은, 반송부(15)의 양측에 나란히 설치된다.
반송부(15)는, 내부에 기판 반송 장치(17)를 구비한다. 기판 반송 장치(17)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(17)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 전달부(14)와 처리 유닛(16) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
처리 유닛(16)은, 기판 반송 장치(17)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)에 대해 소정의 기판 처리를 행한다.
또한, 기판 처리 시스템(1)은, 제어 장치(4)를 구비한다. 제어 장치(4)는, 예컨대 컴퓨터이며, 제어부(18)와 기억부(19)를 구비한다. 기억부(19)에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 각종의 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(18)는, 기억부(19)에 기억된 프로그램을 읽어내어 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다.
한편, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것이며, 그 기억 매체로부터 제어 장치(4)의 기억부(19)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예컨대 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
상기한 바와 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에서는, 먼저, 반입 반출 스테이션(2)의 기판 반송 장치(13)가, 캐리어 배치부(11)에 배치된 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하고, 취출한 웨이퍼(W)를 전달부(14)에 배치한다. 전달부(14)에 배치된 웨이퍼(W)는, 처리 스테이션(3)의 기판 반송 장치(17)에 의해 전달부(14)로부터 취출되고, 처리 유닛(16)에 반입된다.
처리 유닛(16)에 반입된 웨이퍼(W)는, 처리 유닛(16)에 의해 처리된 후, 기판 반송 장치(17)에 의해 처리 유닛(16)으로부터 반출되고, 전달부(14)에 배치된다. 그리고, 전달부(14)에 배치된 처리가 끝난 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(13)에 의해 캐리어 배치부(11)의 캐리어(C)로 복귀된다.
<2. 처리 유닛의 구성>
다음으로, 처리 유닛(16)의 구성에 대해 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2는 처리 유닛(16)의 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 처리 유닛(16)(「처리부」의 일례에 상당)은, 처리액을 이용하여 웨이퍼(W)를 처리한다. 구체적으로는, 처리 유닛(16)은, 웨이퍼(W)를 회전 가능하게 유지하는 회전 플레이트(24)와, 이 회전 플레이트(24)를 하면측으로부터 지지하고, 도시하지 않은 회전 모터에 의해 회전 플레이트(24)를 회전시키는 회전 지지부(25)를 구비한다.
회전 플레이트(24)는, 원판형의 부재이고, 그 표면에는 웨이퍼(W)를 유지하는 복수의 유지 부재(241)가 설치되어 있다. 웨이퍼(W)는, 회전 플레이트(24)의 표면보다 상방의 위치에 간극을 개재하여 유지된다. 회전 지지부(25)는, 처리 유닛(16)이 배치되는 베이스 플레이트(28) 상에 설치된 베어링부(251)에 회전 가능하게 유지된다.
처리 유닛(16)은, 제1 노즐(26)과 제2 노즐(27)을 구비한다. 제1 노즐(26)은, 웨이퍼(W)의 표면에 SPM(Sulfuric acid Hydrogen Peroxide Mixture) 및 HDIW를 공급하기 위한 노즐이다. 한편, SPM은, 황산 및 과산화수소수의 혼합액이고, HDIW는, 소정의 온도(50℃∼60℃)로 가열된 순수(純水)이다.
제1 노즐(26)은, 제1 아암(261)에 지지되어 있고, 회전 플레이트(24)에 유지된 웨이퍼(W)의 상방의 처리 위치와, 이 처리 위치로부터 퇴피한 퇴피 위치 사이에서 이동할 수 있다. 또한, 제2 노즐(27)은, 제2 아암(271)에 지지되어 있고, 상기 처리 위치와 퇴피 위치 사이에서 이동 가능하다.
제1 노즐(26)에는, 제1 아암(261)을 통해 하류측 분기관(88)이 접속된다. 하류측 분기관(88)은, 제2 주배관(81)에 대응하는 제2 통류 제어 유닛(86)에 접속된다.
제2 통류 제어 유닛(86) 및 후술하는 제1 통류 제어 유닛(76), 제3 통류 제어 유닛(66) 및 제4 통류 제어 유닛(96)은, 유량 조절 밸브나 유량계 등을 포함하는 통류 제어 기기를 집약한 장치이다. 제2 통류 제어 유닛(86)은, 상류측 분기관(87) 및 개폐 밸브(89)를 통해 제2 주배관(81)에 접속된다. 제2 주배관(81)(「제2 공급로」의 일례에 상당)은, 고온(예컨대 100℃∼150℃ 정도)의 황산(「제2 처리액」의 일례에 상당)이 유통되는 배관이다.
하류측 분기관(88)에는, 하류측 분기관(98)이 접속된다. 하류측 분기관(98)은, 제4 주배관(71)에 대응하는 제4 통류 제어 유닛(96)에 접속된다. 제4 통류 제어 유닛(96)은, 상류측 분기관(97) 및 개폐 밸브(99)를 통해 제4 주배관(71)과 접속된다. 제4 주배관(71)은, 상온의 과산화수소수가 유통되는 배관이다.
하류측 분기관(88)에는, 하류측 분기관(68)이 또한 접속된다. 하류측 분기관(68)은, 제3 주배관(73)에 대응하는 제3 통류 제어 유닛(66)에 접속된다. 제3 통류 제어 유닛(66)은, 상류측 분기관(67) 및 개폐 밸브(69)를 통해 제3 주배관(73)에 접속된다. 제3 주배관(73)(「제3 공급로」의 일례에 상당)은, HDIW(「제3 처리액」의 일례에 상당)가 유통되는 배관이다.
제2 노즐(27)은, 웨이퍼(W)의 표면에 상온(23℃∼25℃ 정도)의 순수인 DIW(「제1 처리액」의 일례에 상당)를 공급하기 위한 노즐이다.
제2 노즐(27)에는, 제2 아암(271)을 통해 하류측 분기관(78)이 접속된다. 하류측 분기관(78)은, 제1 주배관(72)에 대응하는 제1 통류 제어 유닛(76)에 접속된다. 제1 통류 제어 유닛(76)은, 상류측 분기관(77) 및 개폐 밸브(79)를 통해 제1 주배관(72)과 접속된다. 제1 주배관(72)(「제1 공급로」의 일례에 상당)은, DIW가 유통되는 배관이다.
이와 같이, 본 실시형태에 따른 처리 유닛(16)은, 고온의 처리액인 SPM을 토출하는 제1 노즐(26)과, 상온의 처리액인 DIW를 토출하는 제2 노즐(27)의 2개의 노즐을 구비한다. 이 때문에, SPM과 DIW를 단일의 노즐로부터 토출하는 경우와 비교하여, DIW의 온도 상승을 확실하게 방지할 수 있다.
또한, 처리 유닛(16)은, 제1 노즐(26)을 지지하는 제1 아암(261)과, 제2 노즐(27)을 지지하는 제2 아암(271)을 구비한다. 이 때문에, 제1 노즐(26)과 제2 노즐(27)을 단일의 아암에 설치하는 경우와 비교하여, DIW의 온도 상승을 보다 확실하게 방지할 수 있다.
처리 유닛(16)은, 회전하는 웨이퍼(W)로부터 뿌리쳐진 약액을 받아내어 외부로 배출하기 위한 컵(23)을 더 구비한다. 컵(23)은, 회전 플레이트(24)에 유지된 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 설치된 원환형의 부재이고, 바닥면에 접속된 배출용 주배관(100)을 통해, 내부의 처리액을 배출할 수 있다.
배출용 주배관(100)은, 하류측에 있어서 분기되어, SPM을 회수하기 위한 회수용 배관(101)과 SPM을 배출하기 위한 배출용 배관(102)에, 각각 개폐 밸브(103, 104)를 통해 접속된다.
컵(23)의 외측에는, 케이싱(21)이 설치되어 있다. 케이싱(21)의 기판 반송 장치(17)(도 1 참조)와 대향하는 면에는, 도시하지 않은 개폐 도어가 설치되어 있고, 이 개폐 도어를 개방함으로써, 기판 반송 장치(17)를 케이싱(21) 내에 진입시킬 수 있다.
<3. 외부 케이스의 구성>
본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)은, 외부 케이스를 더 구비한다. 외부 케이스는, 전술한 황산, 과산화수소수, DIW 및 HDIW를 처리 유닛(16)에 공급하기 위한 각종 기기를 수용한다.
도 3은 외부 케이스의 배치를 설명하기 위한 도면이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 외부 케이스(5)는, 처리 스테이션(3)의 후방(X축 정방향측)에 있어서 처리 스테이션(3)과 인접하여 배치된다.
한편, 처리 스테이션(3)에는, 복수의 처리 유닛(16)이 상하 2단으로 적층된 상태로 수용된다. 또한, 각 처리 유닛(16)의 하부에는, 각 처리 유닛(16)에 대응하는 밸브 박스(20)가 수용된다. 밸브 박스(20)에는, 전술한 제1 통류 제어 유닛(76), 제2 통류 제어 유닛(86), 제3 통류 제어 유닛(66) 및 제4 통류 제어 유닛(96) 등이 수용된다.
도 4 내지 도 6은 외부 케이스(5)의 구성을 설명하기 위한 도면이다. 도 4 내지 도 6에는, 외부 케이스(5)를 각각 상방(Z축 정방향측), 측방(Y축 부방향측) 및 후방(X축 정방향측)에서 본 경우의 단면도를 모식적으로 도시하고 있다.
이하에서는, 도 4에 도시된 바와 같이, 처리 스테이션(3)에 있어서의 복수의 처리 유닛(16)이 수용되는 영역 중, 기판 처리 시스템(1)의 정면측(Y축 부방향측)에 형성되는 영역을 「제1 처리 블록(16A)」이라고 기재하고, 배면측(Y축 정방향측)에 형성되는 영역을 「제2 처리 블록(16B)」이라고 기재한다. 처리 스테이션(3)은, 복수의 처리 유닛(16)을 수용하는 「케이스」의 일례에 상당한다. 반송부(15)는, 제1 처리 블록(16A)에 수용되는 처리 유닛(16)(「제1 처리부」의 일례에 상당) 및 제2 처리 블록(16B)에 수용되는 처리 유닛(16)(「제2 처리부」의 일례에 상당)에 인접하고, 이들 처리 유닛(16)에 대해 웨이퍼(W)의 반입 및 반출을 행하는 「반송부」의 일례에 상당한다.
도 4에 도시된 바와 같이, 외부 케이스(5)는, 제1 처리 블록(16A)에 인접하는 제1 공급 블록(5A)(「공급 블록」의 일례에 상당)과, 제2 처리 블록(16B)에 인접하는 제2 공급 블록(5B)과, 반송부(15)에 인접하는 인터페이스 블록(5C)을 구비한다.
한편, 처리 스테이션(3)의 제1 처리 블록(16A), 반송부(15) 및 제2 처리 블록(16B)은, 처리 유닛(16)의 배열 방향(X축 방향)과 직교하는 방향(Y축 방향)으로 나란히 배치된다. 또한, 외부 케이스(5)의 제1 공급 블록(5A), 인터페이스 블록(5C) 및 제2 공급 블록(5B)도, 제1 처리 블록(16A), 반송부(15) 및 제2 처리 블록(16B)과 동일한 배열 방향으로 나란히 배치된다.
따라서, 제1 공급 블록(5A)은, 제1 처리 블록(16A) 및 인터페이스 블록(5C)에 인접하고, 인터페이스 블록(5C)은, 반송부(15), 제1 공급 블록(5A) 및 제2 공급 블록(5B)에 인접한다. 또한, 제2 공급 블록(5B)은, 제2 처리 블록(16B) 및 인터페이스 블록(5C)에 인접한다.
제1 공급 블록(5A)에는, 상온의 처리액인 DIW의 공급에 이용되는 기기(제1 기기)와, 고온의 처리액인 황산의 공급에 이용되는 기기(제2 기기)가 수용된다. 그리고, 본 실시형태에 따른 제1 공급 블록(5A)은, DIW의 공급에 이용되는 기기와, 황산의 공급에 이용되는 기기 사이에, 구획벽(50)을 구비한다.
구체적으로는, 제1 공급 블록(5A)은, 구획벽(50)에 의해, 제1 처리 블록(16A)에 가까운 제1 영역(5A1)과, 제1 영역(5A1)보다 제1 처리 블록(16A)으로부터 먼 제2 영역(5A2)으로 구획된다. 그리고, DIW의 공급에 이용되는 기기는, 제1 영역(5A1)에 배치되고, 황산의 공급에 이용되는 기기는, 제2 영역(5A2)에 배치된다.
이와 같이, DIW의 공급에 이용되는 기기와 황산의 공급에 이용되는 기기 사이에 구획벽(50)을 설치함으로써, DIW의 공급에 이용되는 기기와 황산의 공급에 이용되는 기기 사이에서의 열 영향을 억제할 수 있다.
한편, 제1 공급 블록(5A)의 제1 영역(5A1)에는, HDIW의 공급에 이용되는 기기(제3 기기)도 수용되는데, 이러한 점에 대해서는 후술한다.
제2 공급 블록(5B)에는, DIW의 공급에 이용되는 기기와, HDIW의 공급에 이용되는 기기와, 과산화수소수의 공급에 이용되는 기기가 수용된다. 구체적으로는, DIW의 공급에 이용되는 기기 및 HDIW의 공급에 이용되는 기기는, 제2 처리 블록(16B)에 가까운 제1 영역(5B1)에 배치된다. 또한, 과산화수소수의 공급에 이용되는 기기는, 제1 영역(5B1)보다 제2 처리 블록(16B)으로부터 먼 제2 영역(5B2)에 배치된다.
한편, 여기서는, 제1 영역(5B1)과 제2 영역(5B2) 사이에 구획벽이 설치되지 않는 것으로 하지만, 구획벽(50)과 동일한 구획벽을 제1 영역(5B1)과 제2 영역(5B2) 사이에 설치해도 좋다.
도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 공급 블록(5A)은, 제1 영역(5A1) 및 제2 영역(5A2)의 상부에 전기 기기 블록(5A3)을 구비한다. 또한, 제2 공급 블록(5B)도 마찬가지로, 제1 영역(5B1) 및 제2 영역(5B2)의 상부에 전기 기기 블록(5B3)을 구비한다. 전기 기기 블록(5A3, 5B3)에는, 예컨대, 제어 장치(4)가 수용된다.
제어 장치(4)의 제어부(18)(도 1 참조)는, 예컨대 CPU(Central Processing Unit)이며, 기억부(19)에 기억된 도시하지 않은 프로그램을 읽어내어 실행함으로써, 처리 유닛(16)이나 그 외의 기기를 제어한다. 한편, 제어부(18)는, 프로그램을 이용하지 않고 하드웨어만으로 구성되어도 좋다.
<4. 황산의 공급 계통의 구성>
다음으로, 고온의 처리액인 황산의 공급 계통에 대해 도 7을 참조하여 설명한다. 도 7은 황산의 공급 계통의 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 황산의 공급 계통은, 제1의 제2 주배관(81A)과, 제2의 제2 주배관(81B)을 구비한다. 또한, 황산의 공급 계통은, 탱크(51)와, 펌프(52A, 52B)와, 필터(53A, 53B)와, 히터(54A, 54B)를 구비한다.
한편, 제1의 제2 주배관(81A)은, 「제1의 제2 공급로」 및 「제2 공급로」의 일례에 상당하고, 제2의 제2 주배관(81B)은, 「제2의 제2 공급로」 및 「제2 공급로」의 일례에 상당한다. 또한, 펌프(52A)는, 「제1 펌프」 및 「펌프」의 일례에 상당하고, 펌프(52B)는, 「제2 펌프」 및 「펌프」의 일례에 상당한다. 또한, 필터(53A)는, 「제1 필터」 및 「필터」의 일례에 상당하고, 필터(53B)는, 「제2 필터」 및 「필터」의 일례에 상당한다. 또한, 히터(54A)는, 「제1 히터」 및 「히터」의 일례에 상당하고, 히터(54B)는, 「제2 히터」 및 「히터」의 일례에 상당한다.
제1의 제2 주배관(81A)은, 제1 처리 블록(16A)에 수용되는 복수의 처리 유닛(16)에 대해 황산을 공급하기 위한 공급로이다. 또한, 제2의 제2 주배관(81B)은, 제2 처리 블록(16B)(도 4 참조)에 수용되는 복수의 처리 유닛(16)에 대해 황산을 공급하기 위한 공급로이다. 한편, 도 7에서는, 제2 처리 블록(16B)을 생략하여 도시하고 있다.
제1의 제2 주배관(81A) 및 제2의 제2 주배관(81B)은, 일단 및 타단이 탱크(51)에 접속되어 있고, 각각 황산의 순환 경로를 형성한다.
제1의 제2 주배관(81A)에는, 펌프(52A)와, 필터(53A)와, 히터(54A)가 설치된다. 펌프(52A), 필터(53A) 및 히터(54A)는, 탱크(51)의 하류측에 이 순서로 설치된다. 펌프(52A)는, 탱크(51)에 저류된 황산을 제1의 제2 주배관(81A)에 송출한다. 필터(53A)는, 제1의 제2 주배관(81A)을 흐르는 황산으로부터 이물을 제거한다. 히터(54A)는, 제1의 제2 주배관(81A)을 흐르는 황산을 가열한다.
제2의 제2 주배관(81B)에는, 펌프(52B)와, 필터(53B)와, 히터(54B)가, 탱크(51)의 하류측에 이 순서로 설치된다. 펌프(52B), 필터(53B) 및 히터(54B)의 구성은, 전술한 펌프(52A), 필터(53A) 및 히터(54A)와 동일하다.
이들 탱크(51), 펌프(52A, 52B), 필터(53A, 53B) 및 히터(54A, 54B)는, 제1 공급 블록(5A)의 제2 영역(5A2)에 수용된다.
한편, 탱크(51)에는, 회수용 배관(101A, 101B)이 접속된다. 회수용 배관(101A)은, 제1 처리 블록(16A)에 수용되는 처리 유닛(16)의 배출용 주배관(100)(도 2 참조)에 접속된다. 또한, 회수용 배관(101B)은, 제2 처리 블록(16B)에 수용되는 처리 유닛(16)의 배출용 주배관(100)에 접속된다. 회수용 배관(101A, 101B)은, 처리 유닛(16)으로부터 회수된 SPM을 탱크(51)로 복귀시킨다.
또한, 탱크(51)에는, 새로운 황산을 탱크(51)에 보충하기 위한 보충용 배관(도시하지 않음)도 접속된다.
또한, 제1 처리 블록(16A) 및 제2 처리 블록(16B)에는, 배출용 배관(102)이 설치된다. 배출용 배관(102)은, 처리 유닛(16)의 배출용 주배관(100)(도 2 참조)에 접속되어 있고, 처리 유닛(16)에서 사용된 SPM을 기판 처리 시스템(1)의 외부로 배출한다.
<5. 제1 공급 블록 내에 있어서의 기기의 배치>
다음으로, 제1 공급 블록(5A) 내에 있어서의 기기의 배치에 대해 도 8 및 도 9를 참조하여 설명한다. 도 8 및 도 9는 제1 공급 블록(5A) 내에 있어서의 기기의 배치를 설명하기 위한 도면이다. 한편, 도 8 및 도 9에는, 제1 공급 블록(5A)을 각각 Y축 부방향 및 Y축 정방향에서 본 경우의 모식도를 도시하고 있다.
도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 제1 공급 블록(5A)의 제2 영역(5A2)은, 높이 방향을 따라 3단으로 구획된다. 그리고, 제2 영역(5A2)의 하단에는 펌프(52A, 52B)가 수용되고, 중단에는 탱크(51) 및 필터(53A, 53B)가 수용되며, 상단에는 히터(54A, 54B)가 수용된다.
탱크(51)는, 제2 영역(5A2)의 중단 중앙부에 배치된다. 그리고, 펌프(52A), 필터(53A) 및 히터(54A)와, 펌프(52B), 필터(53B) 및 히터(54B)는, 각각 높이 방향으로 나란히 배치되고, 탱크(51)의 중앙부[즉, 제2 영역(5A2)의 중앙부]를 지나는 연직축에 대해 대칭으로 배치된다.
이와 같이, 제1 처리 블록(16A)에 대응하는 기기와, 제2 처리 블록(16B)에 대응하는 기기를 탱크(51)에 대해 대칭으로 배치함으로써, 제1의 제2 주배관(81A) 및 제2의 제2 주배관(81B)의 배관 길이의 편차를 억제할 수 있다.
도 9에 도시된 바와 같이, 제2 영역(5A2) 내에 있어서, 제1의 제2 주배관(81A)에 있어서의 히터(54A)보다 하류측의 유로(81A1)와, 제2의 제2 주배관(81B)에 있어서의 히터(54B)보다 하류측의 유로(81B1)는, 탱크(51)의 중앙부를 지나는 연직축보다 제1 처리 블록(16A)으로부터 먼 위치에 있어서 서로 가까이 붙여 배치된다.
이와 같이, 유로(81A1, 81B1)를 제1 처리 블록(16A) 및 제1 영역(5A1)으로부터 최대한 떨어진 위치에 배치함으로써, 제1 처리 블록(16A)이나 제1 영역(5A1)에의 열 영향을 적게 할 수 있다. 한편, 유로(81A1, 81B1)는, 주변의 분위기로부터 받는 온도적인 영향에 차이가 발생하지 않을 정도로 서로 가까이 붙여진 후, 제2 영역(5A2)의 상단으로부터 하단까지 연직으로 내려진다.
제1 영역(5A1)에는, DIW의 공급에 이용되는 기기로서, 밸브(55A), 버블러(56) 및 필터(57A)가 수용된다. 밸브(55A)는, 제1 주배관(72)을 흐르는 DIW의 유량을 조절하는 밸브이며, 예컨대, 메인터넌스 시에 있어서 제1 처리 블록(16A)에의 DIW의 공급을 정지할 때에 이용된다. 버블러(56)는, 제1 주배관(72)을 흐르는 DIW에 탄산 가스 등의 기체를 용해시킨다. 필터(57A)는, 제1 주배관(72)을 흐르는 DIW로부터 이물을 제거한다.
밸브(55A), 버블러(56) 및 필터(57A)는, 높이 방향으로 나란히 배치된다. 구체적으로는, 밸브(55A), 버블러(56) 및 필터(57A)는, 아래로부터 차례대로 이 순서로 배치된다. 구체적으로는, 밸브(55A)는, 펌프(52A, 52B)가 배치되는 제2 영역(5A2)의 하단에 대응하는 위치에 설치되고, 버블러(56)는, 탱크(51) 및 필터(53A, 53B)가 배치되는 제2 영역(5A2)의 중단에 대응하는 위치에 설치된다. 또한, 필터(57A)는, 히터(54A, 54B)가 배치되는 제2 영역(5A2)의 상단에 대응하는 위치에 설치된다.
제1 영역(5A1)의 하부에는 드레인 팬(58)이 설치된다. 드레인 팬(58)은, 제1 주배관(72) 또는 후술하는 제3 주배관(73)으로부터 누설된 수적(水滴)을 받아내는 접시형의 부재이다.
이와 같이, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에서는, 황산을 저류하는 탱크(51)를 포함하고, 제1 공급 블록(5A)에의 황산의 공급에 이용되는 기기와 제2 공급 블록(5B)에의 황산의 공급에 이용되는 기기가 제1 공급 블록(5A)에 모여 수용된다. 이 때문에, 종래의 액 처리 장치와 비교하여 스페이스 절약화(풋프린트 절약화)를 도모할 수 있다.
또한, 전술한 바와 같이, 본 실시형태에 따른 제1 공급 블록(5A)에서는, DIW의 공급에 이용되는 기기가 수용되는 제1 영역(5A1)과, 황산의 공급에 이용되는 기기가 수용되는 제2 영역(5A2)이, 구획벽(50)에 의해 공간적으로 구획된다. 이 때문에, 상온의 처리액인 DIW를 공급하기 위한 기기와 고온의 처리액인 황산을 공급하기 위한 기기의 열 영향을 억제할 수 있다.
따라서, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에 의하면, 공통의 외부 케이스에 수용된 처리액의 공급에 이용되는 기기 사이에서의 열 영향을 저감할 수 있다.
제1 영역(5A1)에는, HDIW의 공급에 이용하는 기기로서, 밸브(55B) 및 필터(57B)(「제3 기기」의 일례에 상당)가 더 수용된다(도 9 참조). 밸브(55B) 및 필터(57B)는, 밸브(55A) 및 필터(57A)와 동일한 높이 위치에 배치된다. 한편, 제1 영역(5A1)에는, 그 외의 처리액(예컨대, 오존수)의 공급에 이용되는 기기가 더 수용되어도 좋다.
한편, 제1 영역(5A1)에는, 영역 내에 기류를 형성시키는 기구를 별도로 설치해도 좋다. 예컨대, 전기 기기 블록(5A3)이 있는 상면측에 상온의 기체를 흡기하는 흡기구를 형성하고, 드레인 팬(58)이 있는 바닥면에 배기구를 형성하여, 하방향으로 향하는 기류를 형성한다. 이에 의해, 제1 영역(5A1) 내에서의 열이 가득 차는 것이 보다 해소되어, 상온의 처리액인 DIW 등에의 열 영향이 더욱 저감된다.
<6. 각 주배관의 배치>
다음으로, 제1의 제2 주배관(81A), 제2의 제2 주배관(81B), 제1 주배관(72) 및 제3 주배관(73)의 배치에 대해 도 10 및 도 11을 참조하여 설명한다. 도 10은 주배관의 배치를 설명하기 위한 도면이다. 또한, 도 11은 제1의 제2 주배관(81A) 및 제2의 제2 주배관(81B)의 배치를 설명하기 위한 도면이다. 한편, 도 11에서는, 제1 공급 블록(5A) 및 제2 공급 블록(5B)을 생략하여 도시하고 있다.
도 10에 도시된 바와 같이, 제1의 제2 주배관(81A) 및 제2의 제2 주배관(81B)은, 제1 공급 블록(5A)으로부터 인터페이스 블록(5C)을 경유하여 처리 스테이션(3)에 접속된다. 구체적으로는, 제1의 제2 주배관(81A)은, 인터페이스 블록(5C) 및 반송부(15)를 경유하여 제1 처리 블록(16A)에 수용된 처리 유닛(16)에 접속된다. 또한, 제2의 제2 주배관(81B)은, 인터페이스 블록(5C) 및 반송부(15)를 경유하여 제2 처리 블록(16B)에 수용된 처리 유닛(16)에 접속된다.
이에 대해, 제1 주배관(72) 및 제3 주배관(73)은, 인터페이스 블록(5C) 및 반송부(15)를 경유하지 않고, 제1 처리 블록(16A)에 수용된 처리 유닛(16)에 접속된다.
이와 같이, 상온의 처리액인 DIW와 고온의 처리액인 황산에서, 제1 처리 블록(16A) 및 제2 처리 블록(16B)에의 경로를 상이하게 함으로써, 이들 처리액끼리의 열 영향을 더욱 억제할 수 있다.
또한, 전술한 바와 같이, 제1의 제2 주배관(81A) 및 제2의 제2 주배관(81B)은 순환 경로이고, 제1 처리 블록(16A) 및 제2 처리 블록(16B)으로부터 반송부(15) 및 인터페이스 블록(5C)을 경유하여 제1 공급 블록(5A)으로 복귀한다. 이와 같이, 황산의 순환 경로의 귀로에 대해서도, DIW의 공급 경로와 상이하게 함으로써, 상기 열 영향을 더욱 억제할 수 있다.
또한, 도 11에 도시된 바와 같이, 제1의 제2 주배관(81A) 및 제2의 제2 주배관(81B)은, 제1 처리 블록(16A)과 제2 처리 블록(16B) 사이에 배치된 반송부(15)로부터 제1 처리 블록(16A) 및 제2 처리 블록(16B)에 대해 진입/퇴출한다. 이 때문에, 제1 처리 블록(16A)에 대응하는 펌프(52A) 등 및 제2 처리 블록(16B)에 대응하는 펌프(52B) 등을 제1 공급 블록(5A)에 집약하면서, 제1의 제2 주배관(81A) 및 제2의 제2 주배관(81B)의 배관 길이의 편차를 억제할 수 있다.
도 10에 도시된 바와 같이, 제1 공급 블록(5A)의 제1 영역(5A1)은, 구획벽(60)(「제2 구획벽」의 일례에 상당)에 의해 Y축 부방향측의 제1의 제1 영역(5A1a)과, Y축 정방향측의 제2의 제1 영역(5A1b)으로 공간적으로 구획되어 있다. 그리고, DIW의 공급에 이용되는 밸브(55A), 버블러(56) 및 필터(57A)는 제1의 제1 영역(5A1a)에 수용되고, HDIW의 공급에 이용되는 밸브(55B) 및 필터(57B)는 제2의 제1 영역(5A1b)에 수용된다.
이와 같이, 본 실시형태에 따른 제1 공급 블록(5A)은, 밸브(55A), 버블러(56) 및 필터(57A)와, 밸브(55B) 및 필터(57B) 사이에도 구획벽(60)을 구비한다. 따라서, DIW 및 HDIW끼리의 열 영향도 억제할 수 있다.
전술해 온 바와 같이, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)(「액 처리 장치」의 일례에 상당)은, 복수의 처리 유닛(16)과, 제1 주배관(72)(「제1 공급로」의 일례에 상당)과, 밸브(55A)(「제1 기기」의 일례에 상당)와, 제2 주배관(81)(「제2 공급로」의 일례에 상당)과, 탱크(51), 펌프(52A, 52B), 필터(53A, 53B) 및 히터(54A, 54B)(「제2 기기」의 일례에 상당)와, 처리 스테이션(3)과, 외부 케이스(5)를 구비한다. 처리 유닛(16)은, 처리액을 이용하여 웨이퍼(W)를 처리한다. 제1 주배관(72)은, 복수의 처리 유닛(16)에 대해, DIW를 공급한다. 밸브(55A)는, 제1 주배관(72)을 흐르는 DIW의 유량을 조절한다. 제2 주배관(81)은, 복수의 처리 유닛(16)에 대해, DIW보다 고온의 황산을 공급한다. 탱크(51)는, 황산을 저류한다. 펌프(52A, 52B)는, 탱크(51)에 저류된 황산을 제2 주배관(81)에 송액한다. 필터(53A, 53B)는, 제2 주배관(81)을 흐르는 황산으로부터 이물을 제거한다. 히터(54A, 54B)는, 제2 주배관(81)을 흐르는 황산을 가열한다. 처리 스테이션(3)은, 복수의 처리 유닛(16)을 수용한다. 외부 케이스(5)는, 처리 스테이션(3)에 인접하고, 밸브(55A), 탱크(51), 펌프(52A, 52B), 필터(53A, 53B) 및 히터(54A, 54B)를 수용한다. 또한, 외부 케이스(5)는, 밸브(55A)와, 탱크(51), 펌프(52A, 52B), 필터(53A, 53B) 및 히터(54A, 54B) 사이에 구획벽(50)을 구비한다.
따라서, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에 의하면, 공통의 외부 케이스에 수용된 처리액의 공급에 이용되는 기기 사이에서의 열 영향을 저감할 수 있다.
한편, 전술한 실시형태에서는, 제1 처리액의 일례로서 DIW를 들고, 제2 처리액의 일례로서 황산을 들며, 제3 처리액의 일례로서 HDIW를 들어 설명하였으나, 제1∼제3 처리액은 상기한 예에 한정되지 않는다. 또한, 전술한 실시형태에서는, 기판 처리 시스템(1)이, 복수의 처리 유닛(16)을 구비하는 경우의 예에 대해 설명하였으나, 기판 처리 시스템(1)은, 처리 유닛(16)을 하나만 구비하는 구성이어도 좋다.
한층 더한 효과나 변형예는, 당업자에 의해 용이하게 도출될 수 있다. 이 때문에, 본 발명의 보다 광범위한 양태는, 이상과 같이 나타내고 또한 기술한 특정한 상세 및 대표적인 실시형태에 한정되는 것이 아니다. 따라서, 첨부의 청구의 범위 및 그 균등물에 의해 정의되는 총괄적인 발명의 개념의 정신 또는 범위로부터 일탈하지 않고, 여러 가지 변경이 가능하다.
W: 웨이퍼 1: 기판 처리 시스템
2: 반입 반출 스테이션 3: 처리 스테이션
4: 제어 장치 5: 외부 케이스
5A: 제1 공급 블록 5A1: 제1 영역
5A2: 제2 영역 5B: 제2 공급 블록
5C: 인터페이스 블록 16: 처리 유닛
50: 구획벽 51: 탱크
52A, 52B: 펌프 53A, 53B: 필터
54A, 54B: 히터 71: 제4 주배관
72: 제1 주배관 73: 제3 주배관
81: 제2 주배관 81A: 제1의 제2 주배관
81B: 제2의 제2 주배관 101: 회수용 배관
102: 배출용 배관

Claims (12)

  1. 액 처리 장치에 있어서,
    처리액을 이용하여 기판을 처리하는 처리부와,
    상기 처리부에 대해, 제1 처리액을 공급하는 제1 공급로와,
    상기 제1 공급로에의 제1 처리액의 공급에 이용되는 제1 기기와,
    상기 처리부에 대해, 상기 제1 처리액보다 고온의 제2 처리액을 공급하는 제2 공급로와,
    상기 제2 공급로에의 제2 처리액의 공급에 이용되는 제2 기기와,
    상기 처리부를 수용하는 케이스와,
    상기 케이스에 인접하고, 상기 제1 기기 및 상기 제2 기기를 수용하는 외부 케이스
    를 포함하고,
    상기 외부 케이스는,
    상기 제1 기기가 배치되는 제1 영역과,
    상기 제2 기기가 배치되는 제2 영역, 및
    상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이에서 상기 제1 영역과 상기 제2 영역을 물리적으로 분리하는 구획벽
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 처리부는,
    제1 처리부와 제2 처리부를 포함하고,
    상기 케이스는,
    상기 제1 처리부 및 상기 제2 처리부에 인접하고, 상기 제1 처리부 및 상기 제2 처리부에 대해 상기 기판의 반입 및 반출을 행하는 반송부를 포함하며,
    상기 외부 케이스는,
    상기 제1 처리부에 인접하는 것
    을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  3. 액 처리 장치에 있어서,
    처리액을 이용하여 기판을 처리하는 처리부와,
    상기 처리부에 대해, 제1 처리액을 공급하는 제1 공급로와,
    상기 제1 공급로에의 제1 처리액의 공급에 이용되는 제1 기기와,
    상기 처리부에 대해, 상기 제1 처리액보다 고온의 제2 처리액을 공급하는 제2 공급로와,
    상기 제2 공급로에의 제2 처리액의 공급에 이용되는 제2 기기와,
    상기 처리부를 수용하는 케이스와,
    상기 케이스에 인접하고, 상기 제1 기기 및 상기 제2 기기를 수용하는 외부 케이스
    를 포함하고,
    상기 처리부는,
    제1 처리부와 제2 처리부를 포함하고,
    상기 케이스는,
    상기 제1 처리부 및 상기 제2 처리부에 인접하고, 상기 제1 처리부 및 상기 제2 처리부에 대해 상기 기판의 반입 및 반출을 행하는 반송부를 포함하며,
    상기 외부 케이스는,
    상기 제1 처리부에 인접하는 공급 블록과,
    상기 반송부에 인접하고, 또한, 상기 공급 블록에도 인접하는 인터페이스 블록과,
    상기 제1 기기와 상기 제2 기기 사이에 구획벽
    을 포함하고,
    상기 제2 공급로는,
    상기 제1 처리부에 대해 상기 제2 처리액을 공급하는 제1의 제2 공급로와,
    상기 제2 처리부에 대해 상기 제2 처리액을 공급하는 제2의 제2 공급로
    를 포함하며,
    상기 제1의 제2 공급로 및 상기 제2의 제2 공급로는,
    상기 인터페이스 블록을 경유하여 상기 케이스에 접속되는 것
    을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 공급로는,
    상기 인터페이스 블록을 경유하지 않고 상기 제1 처리부에 접속되는 것
    을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 기기는,
    상기 제1 공급로를 흐르는 상기 제1 처리액의 유량을 조절하는 밸브
    를 포함하고,
    상기 제2 기기는,
    상기 제2 처리액을 저류하는 탱크와,
    상기 탱크에 저류된 상기 제2 처리액을 상기 제2 공급로에 송액하는 펌프와,
    상기 제2 공급로를 흐르는 상기 제2 처리액으로부터 이물을 제거하는 필터와,
    상기 제2 공급로를 흐르는 상기 제2 처리액을 가열하는 히터
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  6. 액 처리 장치에 있어서,
    처리액을 이용하여 기판을 처리하는 처리부와,
    상기 처리부에 대해, 제1 처리액을 공급하는 제1 공급로와,
    상기 제1 공급로에의 제1 처리액의 공급에 이용되는 제1 기기와,
    상기 처리부에 대해, 상기 제1 처리액보다 고온의 제2 처리액을 공급하는 제2 공급로와,
    상기 제2 공급로에의 제2 처리액의 공급에 이용되는 제2 기기와,
    상기 처리부를 수용하는 케이스와,
    상기 케이스에 인접하고, 상기 제1 기기 및 상기 제2 기기를 수용하는 외부 케이스
    를 포함하고,
    상기 외부 케이스는,
    상기 제1 기기와 상기 제2 기기 사이에 구획벽을 포함하고,
    상기 제1 기기는,
    상기 제1 공급로를 흐르는 상기 제1 처리액의 유량을 조절하는 밸브
    를 포함하고,
    상기 제2 기기는,
    상기 제2 처리액을 저류하는 탱크와,
    상기 탱크에 저류된 상기 제2 처리액을 상기 제2 공급로에 송액하는 펌프와,
    상기 제2 공급로를 흐르는 상기 제2 처리액으로부터 이물을 제거하는 필터와,
    상기 제2 공급로를 흐르는 상기 제2 처리액을 가열하는 히터
    를 포함하고,
    상기 처리부는,
    제1 처리부와 제2 처리부를 포함하고,
    상기 제2 공급로는,
    상기 제1 처리부에 대해 상기 제2 처리액을 공급하는 제1의 제2 공급로와,
    상기 제2 처리부에 대해 상기 제2 처리액을 공급하는 제2의 제2 공급로
    를 포함하며,
    상기 펌프는,
    상기 탱크에 저류된 상기 제2 처리액을 상기 제1의 제2 공급로에 송출하는 제1 펌프와,
    상기 탱크에 저류된 상기 제2 처리액을 상기 제2의 제2 공급로에 송출하는 제2 펌프
    를 포함하고,
    상기 필터는,
    상기 제1의 제2 공급로를 흐르는 상기 제2 처리액으로부터 이물을 제거하는 제1 필터와,
    상기 제2의 제2 공급로를 흐르는 상기 제2 처리액으로부터 이물을 제거하는 제2 필터
    를 포함하며,
    상기 히터는,
    상기 제1의 제2 공급로를 흐르는 상기 제2 처리액을 가열하는 제1 히터와,
    상기 제2의 제2 공급로를 흐르는 상기 제2 처리액을 가열하는 제2 히터
    를 포함하고,
    상기 제1 펌프, 상기 제1 필터 및 상기 제1 히터와, 상기 제2 펌프, 상기 제2 필터 및 상기 제2 히터는, 각각 높이 방향으로 나란히 배치되고, 상기 탱크를 지나는 연직축에 대해 대칭으로 배치되는 것
    을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 외부 케이스 내에 있어서, 상기 제1의 제2 공급로에 있어서의 상기 제1 히터보다 하류측의 유로와, 상기 제2의 제2 공급로에 있어서의 상기 제2 히터보다 하류측의 유로는, 상기 연직축보다 상기 케이스로부터 먼 위치에 있어서 서로 가까이 붙여 배치되는 것
    을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제2 공급로는,
    순환 경로인 것
    을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 외부 케이스의 상기 제1 영역은 상기 제2 영역보다 상기 케이스에 인접하고, 상기 외부 케이스의 상기 제2 영역은 상기 제1 영역보다 상기 케이스로부터 먼 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 처리부에 대해, 상기 제1 처리액보다 고온이며 또한 상기 제2 처리액보다 저온의 제3 처리액을 공급하는 제3 공급로와,
    상기 제3 공급로에의 제3 처리액의 공급에 이용되는 제3 기기
    를 포함하고,
    상기 제3 기기는,
    상기 구획벽에 의해 구획된 상기 외부 케이스 내의 영역 중 상기 제1 기기가 수용되는 상기 제1 영역에 배치되고,
    상기 외부 케이스는,
    상기 제1 기기와 상기 제3 기기 사이에 제2 구획벽을 포함하는 것
    을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 처리액 및 상기 제3 처리액은, 순수(純水)이고,
    상기 제2 처리액은, 황산인 것
    을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 외부 케이스의 구획벽으로 구획된 상기 제1 기기측의 영역에 기류를 발생시키는 기구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102541301B1 (ko) * 2020-08-11 2023-06-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 액 공급 유닛

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005005279A (ja) 2003-04-14 2005-01-06 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法及び基板処理装置
JP2008034490A (ja) 2006-07-26 2008-02-14 Tokyo Electron Ltd 液処理装置
JP2010147212A (ja) * 2008-12-18 2010-07-01 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2014099528A (ja) * 2012-11-15 2014-05-29 Tokyo Electron Ltd 液処理装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100864644B1 (ko) * 2007-03-16 2008-10-23 세메스 주식회사 약액 공급 장치 및 약액 공급 방법
KR101079704B1 (ko) * 2009-12-17 2011-11-03 주식회사 동광에스디 이방변밸브가 구비된 부하열 제어용 온도조절장치
JP5146526B2 (ja) * 2010-12-28 2013-02-20 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP5714449B2 (ja) * 2011-08-25 2015-05-07 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
CN104919580B (zh) * 2012-07-09 2017-09-29 法国圣戈班玻璃厂 用于对物体进行热处理的装置和方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005005279A (ja) 2003-04-14 2005-01-06 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法及び基板処理装置
JP2008034490A (ja) 2006-07-26 2008-02-14 Tokyo Electron Ltd 液処理装置
JP2010147212A (ja) * 2008-12-18 2010-07-01 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2014099528A (ja) * 2012-11-15 2014-05-29 Tokyo Electron Ltd 液処理装置

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