CN108292597B - 液处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的实施方式的液处理装置包括处理部、第1供给通路、第1器件、第2供给通路、第2器件、壳体和外部壳体。处理部使用处理液处理基板。第1供给通路对处理部供给第1处理液。第1器件用于对第1供给通路供给第1处理液。第2供给通路对处理部供给比第1处理液高温的第2处理液。第2器件用于对第2供给通路供给第2处理液。壳体收纳处理部。外部壳体与壳体相邻，收纳第1器件和第2器件。另外，外部壳体在第1器件和第2器件之间具有分隔壁。

Description

液处理装置
技术领域
本发明的实施方式涉及液处理装置。
背景技术
现有技术中，已知对半导体晶片、玻璃基片等的基片进行液处理的液处理装置。
在液处理装置中，存在用于供给处理液的多个配管集中配置在比较狭窄的区域中的情况。在这样的情况下，存在在高温中使用的处理液的配管的附近，存在在常温和低温中使用的处理液的配管时，由于来自高温中使用的处理液的配管的散热而在常温和低温中使用的处理液的温度上升的问题。
因此，近年来，提出了将高温中使用的处理液的配管收纳在收纳多个液处理单元的壳体一侧，并且，将在常温和低温中使用的处理液的配管收纳在与壳体相邻的外部壳体一侧，并且，将贮存高温的处理液的罐配置在壳体和外部壳体的外部的液处理装置(参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2014-099528号公报
发明内容
发明想要解决的技术问题
但是，为了实现装置的省空间化，例如在上述的现有技术中所示的在外部壳体配置贮存高温的处理液的罐等的情况下，产生在配管等的设备中流通的常温、低温中使用的处理液和高温的处理液之间受到热影响的不良状况。
实施方式的一个方式，其目的在于提供一种能够降低收纳在共同的外部壳体中的用于处理液的供给的设备之间的热影响的液处理装置。
用于解决技术问题的技术方案
实施方式的一个方式的液处理装置包括处理部、第1供给通路、第1设备、第2供给通路、第2设备、壳体和外部壳体。处理部使用处理液处理基片。第1供给通路对处理部供给第1处理液。第1设备用于对第1供给通路供给第1处理液。第2供给通路对处理部供给比第1处理液高温的第2处理液。第2设备用于对第2供给通路供给第2处理液。壳体收纳处理部。外部壳体与壳体相邻，收纳第1设备和第2设备。另外，外部壳体在第1设备与第2设备之间具有分隔壁。
发明效果
根据实施方式的一个方式，能够降低收纳在共同的外部壳体中的处理液的供给所使用的设备之间的热影响。
附图说明
图1是表示本实施方式的基片处理系统的概略构成的图。
图2是用于说明处理单元的构成的图。
图3是用于说明外部壳体的配置的图。
图4是用于说明外部壳体的构成的图。
图5是用于说明外部壳体的构成的图。
图6是用于说明外部壳体的构成的图。
图7是用于说明硫酸的供给系统的构成的图。
图8是用于说明第1供给部中的设备的配置的图。
图9是用于说明第1供给部中的设备的配置的图。
图10是用于说明主配管的配置的图。
图11是用于说明第一个第2主配管和第二个第2主配管的配置的图。
具体实施方式
以下，参照附图详细说明本发明公开的液处理装置的实施方式。此外，本发明不限于以下所示的实施方式。
<1.基片处理系统的概略构成>
图1是表示本实施方式的基片处理系统的概略构成的图。以下，为了明确位置关系，规定相互正交的X轴、Y轴和Z轴，以Z轴正方向为铅垂向上方向。
如图1所示，基片处理系统1包括送入送出站2和处理站3。送入送出站2和处理站3相邻设置。
送入送出站2包括运载装置载置部11和运送部12。运载装置载置部11载置有将多个基片、本实施方式中为半导体晶片(以下称为晶片W)以水平状态收纳的多个运载装置C。
运送部12与运载装置载置部11相邻设置，在内部具有基片运送装置13和交接部14。基片运送装置13具备保持晶片W的晶片保持机构。另外，基片运送装置13能够进行向水平方向和铅垂方向的移动以及以铅垂轴为中心的旋转，使用晶片保持机构在运载装置C与交接部14之间进行晶片W的运送。
处理站3与运送部12相邻设置。处理站3包括运送部15和多个处理单元16。多个处理单元16在运送部15的两侧排列设置。
运送部15在内部具有基片运送装置17。基片运送装置17具有保持晶片W的晶片保持机构。另外，基片运送装置17能够进行向水平方向和铅垂方向的移动以及以铅垂轴为中心的旋转，使用晶片保持机构在交接部14与处理单元16之间进行晶片W的运送。
处理单元16对由基片运送装置17运送的晶片W进行规定的基片处理。
另外，基片处理系统1包括控制装置4。控制装置4例如是计算机，包括控制部18和存储部19。存储部19收纳有控制在基片处理系统1中执行的各种处理的程序。控制部18通过读取并执行存储在存储部19的程序来控制基片处理系统1的动作。
此外，该程序是存储在能够由计算机读取的存储介质中的程序，是可以从该存储介质安装到控制装置4的存储部19的程序。作为能够由计算机读取的存储介质例如为硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
在如上所述构成的基片处理系统1中，首先，送入送出站2的基片运送装置13从载置在运载装置载置部11的运载装置C取出晶片W，将取出的晶片W载置在交接部14。载置在交接部14的晶片W由处理站3的基片运送装置17从交接部14取出，被送入到处理单元16。
被搬入处理单元16的晶片W由处理单元16处理后，被基片运送装置17从处理单元16搬出，载置到交接部14。然后，被载置在交接部14的处理过的晶片W通过基片运送装置13返回到运载装置载置部11的运载装置C。
<2.处理单元的构成>
接着，参照图2说明处理单元16的构成。图2是用于说明处理单元16的构成的图。
如图2所示，处理单元16(对应于“处理部”的一个例子)使用处理液处理晶片W。具体来讲，处理单元16包括：可旋转地保持晶片W的旋转板24；和从下表面一侧支承该旋转板24，通过未图示的旋转电动机使旋转板24旋转的旋转支承部25。
旋转板24是圆板状的部件，在其表面设置有保持晶片W的多个保持部件241。晶片W在比旋转板24的表面靠上方的位置隔着间隙地被保持。旋转支承部25被可旋转地保持于在用于载置处理单元16的基底板28上所设置的轴承部251。
处理单元16包括第1喷嘴26和第2喷嘴27。第1喷嘴26是用于对晶片W的表面供给SPM(Sulfuric acid Hydrogen Peroxide Mixture：硫酸过氧化氢混合物)和HDIW的喷嘴。此外，SPM是硫酸和过氧化氢溶液的混合液，HDIW是被加热至规定的温度(50～60℃)的纯水。
第1喷嘴26由第1臂261支承，能够在被保持于旋转板24的晶片W的上方的处理位置与从该处理位置退避的退避位置之间移动。另外，第2喷嘴27由第2臂271支承，能够在上述处理位置与退避位置之间移动。
第1喷嘴26经第1臂261与下游侧分支管88连接。下游侧分支管88连接有与第2主配管81对应的第2流通控制单元86。
第2流通控制单元86以及后述的第1流通控制单元76、第3流通控制单元66和第4流通控制单元96是将包括流量调节阀、流量计等的流通控制设备集成的装置。第2流通控制单元86经上游侧分支管87和开闭阀89与第2主配管81连接。第2主配管81(对应于“第2供给通路”的一个例子)是高温(例如100～150℃程度)的硫酸(对应于“第2处理液”的一个例子)流通的配管。
下游侧分支管88与下游侧分支管98连接。下游侧分支管98连接于与第4主配管71对应的第4流通控制单元96。第4流通控制单元96经上游侧分支管97和开闭阀99与第4主配管71连接。第4主配管71是常温的过氧化氢溶液流通的配管。
下游侧分支管88还与下游侧分支管68连接。下游侧分支管68连接于与第3主配管73对应的第3流通控制单元66。第3流通控制单元66经上游侧分支管67和开闭阀69与第3主配管73连接。第3主配管73(对应于“第3供给通路”的一个例子)是HDIW(对应于“第3处理液”的一个例子)流通的配管。
第2喷嘴27是用于对晶片W的表面供给作为常温(23～25℃程度)的纯水的DIW(对应于“第1处理液”的一个例子)的喷嘴。
第2喷嘴27经第2臂271与下游侧分支管78连接。下游侧分支管78连接于与第1主配管72对应的第1流通控制单元76。第1流通控制单元76经上游侧分支管77和开闭阀79与第1主配管72连接。第1主配管72(对应于“第1供给通路”的一个例子)是DIW流通的配管。
如上所述，本实施方式的处理单元16包括排出作为高温的处理液的SPM的第1喷嘴26和排出作为常温的处理液的DIW的第2喷嘴27这2个喷嘴。因此，与从单一的喷嘴排出SPM和DIW的情况相比，能够可靠地防止DIW的温度上升。
另外，处理单元16包括支承第1喷嘴26的第1臂261和支承第2喷嘴27的第2臂271。因此，与将第1喷嘴26和第2喷嘴27设置在单一的臂的情况相比，能够可靠地防止DIW的温度上升。
处理单元16还包括用于接住从旋转的晶片W甩出的药液将其向外部排出的杯体23。杯体23是以包围被保持于旋转板24的晶片W的方式设置的圆环状的部件，能够经与底面连接的排出用主配管100排出内部的处理液。
排出用主配管100在下游侧分支，分别经开闭阀103、104与用于回收SPM的回收用配管101和用于排出SPM的排出用配管102连接。
在杯体23的外方设置有箱体21。在箱体21的与基片运送装置17(参照图1)相对的面设置有未图示的开闭门，通过打开该开闭门，能够使基片运送装置17进入箱体21内。
<3.外部壳体的构成>
本实施方式的基片处理系统1还包括外部壳体。外部壳体收纳将上述硫酸、过氧化氢溶液、DIW和HDIW供给到处理单元16的各种设备。
图3是用于说明外部壳体的配置的图。如图3所示，外部壳体5在处理站3的后方(X轴正方向一侧)与处理站3相邻地配置。
此外，在处理站3中，多个处理单元16以上下2层地层叠的状态被收纳。另外，在各处理单元16的下部收纳有与各处理单元16对应的阀箱(Valve box)20。在阀箱20收纳有上述第1流通控制单元76、第2流通控制单元86、第3流通控制单元66和第4流通控制单元96等。
图4～图6是用于说明外部壳体5的构成的图。图4～图6示意地表示了分别从上方(Z轴正方向侧)、侧方(Y轴负方向侧)和后方(X轴正方向侧)看外部壳体5的情况的截面图。
在以下中，如图4所示，将处理站3中的收纳多个处理单元16的区域中的、设置在基片处理系统1的正面侧(Y轴负方向侧)的区域记载为“第1处理模块16A”，将设置在背面侧(Y轴正方向侧)的区域记载为“第2处理模块16B”。处理站3对应于收纳多个处理单元16的“壳体”的一个例子。运送部15与收纳于第1处理模块16A的处理单元16(对应于“第1处理部”的一个例子)和收纳于第2处理模块16B的处理单元16(对应于“第2处理部”的一个例子)相邻，对应于对上述处理单元16进行晶片W的送入送出的“运送部”的一个例子。
如图4所示，外部壳体5包括与第1处理模块16A相邻的第1供给部5A(对应于“供给部”的一个例子)、与第2处理模块16B相邻的第2供给部5B和与运送部15相邻的接口部5C。
此外，处理站3的第1处理模块16A、运送部15和第2处理模块16B在与处理单元16的排列方向(X轴方向)正交的方向(Y轴方向)上排列配置。另外，外部壳体5的第1供给部5A、接口部5C和第2供给部5B也在与第1处理模块16A、运送部15和第2处理模块16B相同的排列方向上排列配置。
所以，第1供给部5A与第1处理模块16A和接口部5C相邻，接口部5C与运送部15、第1供给部5A和第2供给部5B相邻。另外，第2供给部5B与第2处理模块16B和接口部5C相邻。
在第1供给部5A收纳有用于供给作为常温的处理液的DIW的设备(第1设备)和用于供给作为高温的处理液的硫酸的设备(第2设备)。而且，本实施方式所涉及的第1供给部5A在用于DIW的供给的设备与用于硫酸的供给的设备之间具有分隔壁50。
具体来讲，第1供给部5A被分隔壁50分隔为靠近第1处理模块16A的第1区域5A1和比第1区域5A1距离第1处理模块16A较远的第2区域5A2。而且，用于DIW的供给的设备配置在第1区域5A1，用于硫酸的供给的设备配置在第2区域5A2。
如上所述，在用于DIW的供给的设备与用于硫酸的供给的设备之间设置分隔壁50，由此能够抑制用于DIW的供给的设备与用于硫酸的供给的设备之间的热影响。
此外，第1供给部5A的第1区域5A1也收纳用于HDIW的供给的设备(第3设备)，关于该方面在后文述说。
在第2供给部5B收纳有用于DIW的供给的设备、用于HDIW的供给的设备、用于过氧化氢溶液的供给的设备。具体来讲，用于DIW的供给的设备和用于HDIW的供给的设备配置在靠近第2处理模块16B的第1区域5B1。另外，用于过氧化氢溶液的供给的设备配置在比第1区域5B1距离第2处理模块16B较远的第2区域5B2。
此外，在此，在第1区域5B1和第2区域5B2之间没有设置分隔壁，但是，可以将与分隔壁50同样的分隔壁设置在第1区域5B1与第2区域5B2之间。
如图5和图6所示，第1供给部5A在第1区域5A1和第2区域5A2的上部具有电设备模块5A3。另外，第2供给部5B也同样在第1区域5B1和第2区域5B2的上部具有电设备模块5B3。电设备模块5A3、5B3中例如收纳有控制装置4。
控制装置4的控制部18(参照图1)例如是CPU(Central Processing Unit：中央处理器)，通过读取并执行存储在存储部19中的未图示的程序，来控制处理单元16和其它设备。此外，控制部18可以不使用程序而仅由硬件构成。
<4.硫酸的供给系统的构成>
接着，使用图7说明作为高温的处理液的硫酸的供给系统。图7是用于说明硫酸的供给系统的构成的图。
如图7所示，硫酸的供给系统包括第一个第2主配管81A和第二个第2主配管81B。另外，硫酸的供给系统包括罐51、泵52A、52B、过滤器53A、53B、加热器54A、54B。
此外，第一个第2主配管81A对应于“第一个第2供给通路”和“第2供给通路”的一个例子，第二个第2主配管81B对应于“第二个第2供给通路”和“第2供给通路”的一个例子。另外，泵52A对应于“第1泵”和“泵”的一个例子，泵52B对应于“第2泵”和“泵”的一个例子。另外，过滤器53A对应于“第1过滤器”和“过滤器”的一个例子，过滤器53B对应于“第2过滤器”和“过滤器”的一个例子。另外，加热器54A对应于“第1加热器”和“加热器”的一个例子，加热器54B对应于“第2加热器”和“加热器”的一个例子。
第一个第2主配管81A是用于对收纳在第1处理模块16A中的多个处理单元16供给硫酸的供给通路。另外，第二个第2主配管81B是用于对收纳在第2处理模块16B(参照图4)中的多个处理单元16供给硫酸的供给通路。此外，在图7中，省略表示第2处理模块16B。
第一个第2主配管81A和第二个第2主配管81B的一端和另一端与罐51连接，分别形成硫酸的循环路径。
在第一个第2主配管81A设置有泵52A、过滤器53A、加热器54A。泵52A、过滤器53A和加热器54A依次设置在罐51的下游侧。泵52A将贮存在罐51中的硫酸送到第一个第2主配管81A。过滤器53A从在第一个第2主配管81A中流通的硫酸除去异物。加热器54A加热在第一个第2主配管81A中流通的硫酸。
第二个第2主配管81B上，在罐51的下游侧依次设置有泵52B、过滤器53B、加热器54B。泵52B、过滤器53B和加热器54B的构成与上述的泵52A、过滤器53A和加热器54A相同。
上述罐51、泵52A、52B、过滤器53A、53B和加热器54A、54B收纳在第1供给部5A的第2区域5A2中。
此外，罐51连接有回收用配管101A、101B。回收用配管101A与收纳于第1处理模块16A中的处理单元16的排出用主配管100(参照图2)连接。另外，回收用配管101B与收纳于第2处理模块16B中的处理单元16的排出用主配管100连接。回收用配管101A、101B将从处理单元16所回收的SPM送回罐51。
另外，罐51也连接有用于将新的硫酸补充到罐51的补充用配管(未图示)。
另外，在第1处理模块16A和第2处理模块16B设置有排出用配管102。排出用配管102与处理单元16的排出用主配管100(参照图2)连接，将在处理单元16中所使用的SPM排出到基片处理系统1的外部。
<5.第1供给部内的设备的配置>
接着，使用图8和图9说明第1供给部5A内的设备的配置。图8和图9是用于说明第1供给部5A中的设备的配置的图。此外，图8和图9表示了分别从Y轴负方向和Y轴正方向看第1供给部5A的情况的示意图。
如图8和图9所示，第1供给部5A的第2区域5A2沿高度方向被划分为3层。而且，在第2区域5A2的下层收纳有泵52A、52B，在中层收纳有罐51和过滤器53A、53B，在上层收纳有加热器54A、54B。
罐51配置在第2区域5A2的中层中央部。而且，泵52A、过滤器53A和加热器54A、以及泵52B、过滤器53B和加热器54B分别在高度方向上排列配置，并且，关于通过罐51的中央部(即第2区域5A2的中央部)的铅垂轴对称地配置。
如上所述，将与第1处理模块16A对应的设备和与第2处理模块16B对应的设备相对于罐51对称地配置，能够抑制第一个第2主配管81A和第二个第2主配管81B的配管长的偏差(不均)。
如图9所示，在第2区域5A2中，第一个第2主配管81A中的比加热器54A靠下游侧的流路81A1和第二个第2主配管81B中的比加热器54B靠下游侧的流路81B1，在比通过罐51的中央部的铅垂轴远离第1处理模块16A的位置彼此靠近地配置。
如上所述，通过将流路81A1、81B1配置在距离第1处理模块16A和第1区域5A1尽可能远离的位置，能够减少对第1处理模块16A、第1区域5A1的热影响。此外，流路81A1、81B1以从周边的气氛受到的温度的影响不产生差异的程度彼此靠近，然后从第2区域5A2的上层至下层铅垂地下延(下降)。
第1区域5A1中作为用于DIW的供给的设备收纳有阀55A、起泡器56和过滤器57A。阀55A是调节在第1主配管72中流通的DIW的流量的阀，例如在维护时停止向第1处理模块16A的DIW的供给时使用。起泡器56使碳酸气体等的气体溶解于在第1主配管72中流通的DIW。过滤器57A从在第1主配管72中流通的DIW除去异物。
阀55A、起泡器56和过滤器57A在高度方向上排列配置。具体来讲，阀55A、起泡器56和过滤器57A从下方起依次按该顺序配置。具体来讲，阀55A设置在与配置泵52A、52B的第2区域5A2的下层对应的位置，起泡器56设置在与配置罐51和过滤器53A、53B的第2区域5A2的中层对应的位置。另外，过滤器57A设置在与配置加热器54A、54B的第2区域5A2的上层对应的位置。
在第1区域5A1的下部设置有排水盘58。排水盘58是承接从第1主配管72或后述的第3主配管73漏出的水滴的皿状的部件。
如上所述，在本实施方式的基片处理系统1中，包括贮存硫酸的罐51，用于对第1供给部5A的硫酸的供给的设备和用于对第2供给部5B的硫酸的供给的设备集中收纳于第1供给部5A。因此，与现有的液处理装置相比，能够实现省空间化(节省占有空间化)。
另外，如上述方式，本实施方式的第1供给部5A中，收纳用于DIW的供给的设备的第1区域5A1和收纳用于硫酸的供给的设备的第2区域5A2被分隔壁50在空间上分隔。因此，能够抑制用于供给作为常温的处理液的DIW的设备和用于供给作为高温的处理液的硫酸的设备的热影响。
所以，根据本实施方式的基片处理系统1，能够降低收纳在共同的外部壳体中的用于处理液的供给的设备之间的热影响。
在第1区域5A1作为用于HDIW的供给的设备还收纳有阀55B和过滤器57B(对应于“第3设备”的一个例子)(参照图9)。阀55B和过滤器57B配置在与阀55A和过滤器57A相同的高度位置。此外，在第1区域5A1中还收纳有用于其它的处理液(例如臭氧水)的供给的设备。
此外，在第1区域5A1也可以另外设置使区域内形成气流的机构。例如在具有电设备模块5A3的上表面侧设置吸入常温的气体的吸气口，在具有排水盘58的底面设置排气口，形成向下方去的气流。由此，第1区域5A1内的热笼罩(热气氛，熱篭り)被消除，能够进一步降低对作为常温的处理液的DIW等的热影响。
<6.各主配管的配置>
接着，使用图10和图11说明第一个第2主配管81A、第二个第2主配管81B、第1主配管72和第3主配管73的配置。图10是用于说明主配管的配置的图。另外，图11是用于说明第一个第2主配管81A和第二个第2主配管81B的配置的图。此外，在图11中，省略表示第1供给部5A和第2供给部5B。
如图10所示，第一个第2主配管81A和第二个第2主配管81B从第1供给部5A经由接口部5C与处理站3连接。具体来讲，第一个第2主配管81A经由接口部5C和运送部15与收纳在第1处理模块16A的处理单元16连接。另外，第二个第2主配管81B经由接口部5C和运送部15与收纳在第2处理模块16B的处理单元16连接。
而第1主配管72和第3主配管73不经由接口部5C和运送部15地与收纳在第1处理模块16A的处理单元16连接。
如上所述，通过使作为常温的处理液的DIW与作为高温的处理液的硫酸向第1处理模块16A和第2处理模块16B的路径不同，由此，能够进一步抑制上述的处理液彼此的热影响。
另外，如上所述，第一个第2主配管81A和第二个第2主配管81B是循环路径，从第1处理模块16A和第2处理模块16B经由运送部15和接口部5C返回第1供给部5A。如上所述，使硫酸的循环路径的回程路径与DIW的供给通路不同，能够进一步抑制上述热影响。
另外，如图11所示，第一个第2主配管81A和第二个第2主配管81B从配置在第1处理模块16A和第2处理模块16B之间的运送部15相对于第1处理模块16A和第2处理模块16B进入或退出。因此，将与第1处理模块16A对应的泵52A等和与第2处理模块16B对应的泵52B等集成在第1供给部5A，并且能够抑制第一个第2主配管81A和第二个第2主配管81B的配管长的偏差。
如图10所示，第1供给部5A的第1区域5A1由分隔壁60(对应于“第2分隔壁”的一个例子)在空间上分隔为Y轴负方向侧的第一个第1区域5A1a和Y轴正方向侧的第二个第1区域5A1b。并且，用于DIW的供给的阀55A、起泡器56和过滤器57A收纳在第一个第1区域5A1a中，用于HDIW的供给的阀55B和过滤器57B收纳在第二个第1区域5A1b中。
如上所述，本实施方式的第1供给部5A在阀55A、起泡器56和过滤器57A与阀55B和过滤器57B之间也具有分隔壁60。所以，也能够抑制DIW和HDIW彼此的热影响。
如上所述，本实施方式的基片处理系统1(对应于“液处理装置”的一个例子)包括：多个处理单元16、第1主配管72(对应于“第1供给通路”的一个例子)、阀55A(对应于“第1设备”的一个例子)、第2主配管81(对应于“第2供给通路”的一个例子)、罐51、泵52A、52B、过滤器53A、53B和加热器54A、54B(对应于“第2设备”的一个例子)、处理站3、外部壳体5。处理单元16使用处理液处理晶片W。第1主配管72对多个处理单元16供给DIW。阀55A调节在第1主配管72中流通的DIW的流量。第2主配管81对多个处理单元16供给比DIW高温的硫酸。罐51贮存硫酸。泵52A、52B将贮存在罐51中的硫酸向第2主配管81输送。过滤器53A、53B从在第2主配管81中流通的硫酸除去异物。加热器54A、54B加热在第2主配管81中流通的硫酸。处理站3收纳多个处理单元16。外部壳体5与处理站3相邻，收纳阀55A、罐51、泵52A、52B、过滤器53A、53B和加热器54A、54B。另外，外部壳体5在阀55A与罐51、泵52A、52B、过滤器53A、53B以及加热器54A、54B之间包括分隔壁50。
因此，根据本实施方式的基片处理系统1，能够降低收纳于共同的外部壳体的用于处理液的供给的设备之间的热影响。
此外，在上述的实施方式中，作为第1处理液的一个例子列举了DIW，作为第2处理液的一个例子列举了硫酸，作为第3处理液的一个例子列举了HDIW进行了说明，但是，第1～第3处理液不限于上述的例子。另外，在上述的实施方式中，对基片处理系统1具备多个处理单元16的情况的例子进行了说明，但是，基片处理系统1可以为仅具有一个处理单元16的构成。
进一步的效果和变形例作为本领域技术人员能够容易得到。因此，本发明的更多的方式，不限于如以上所述表示出且记载了的特定的详细内容和代表性的实施方式。所以，在不脱离由附加的申请的范围及其等效物定义的概括的发明的思想精神或范围的情况下，能够进行各种变更。
附图标记说明
W 晶片
1 基片处理系统
2 送入送出站
3 处理站
4 控制装置
5 外部壳体
5A 第1供给部
5A1 第1区域
5A2 第2区域
5B 第2供给部
5C 接口部
16 处理单元
50 分隔壁
51 罐
52A、52B 泵
53A、53B 过滤器
54A、54B 加热器
71 第4主配管
72 第1主配管
73 第3主配管
81 第2主配管
81A 第一个第2主配管
81B 第二个第2主配管
101 回收用配管
102 排出用配管。

Claims (12)

1.一种液处理装置，其特征在于，包括：
使用处理液处理基片的处理部；
对所述处理部供给第1处理液的第1供给通路；
用于对所述第1供给通路供给第1处理液的第1设备；
对所述处理部供给比所述第1处理液温度高的第2处理液的第2供给通路；
用于对所述第2供给通路供给第2处理液的第2设备；
收纳所述处理部的壳体；和
与所述壳体相邻的外部壳体，其收纳所述第1设备和所述第2设备，
所述外部壳体在所述第1设备与所述第2设备之间具有分隔壁。
2.如权利要求1所述的液处理装置，其特征在于：
所述处理部包括第1处理部和第2处理部，
所述壳体包括与所述第1处理部和所述第2处理部相邻的运送部，该运送部对所述第1处理部和所述第2处理部送入送出所述基片，
所述外部壳体与所述第1处理部相邻。
3.如权利要求2所述的液处理装置，其特征在于：
所述外部壳体包括：与所述第1处理部相邻的供给部；和与所述运送部相邻并且与所述供给部也相邻的接口部，
所述第2供给通路包括：对所述第1处理部供给所述第2处理液的第一个第2供给通路；和对所述第2处理部供给所述第2处理液的第二个第2供给通路，
所述第一个第2供给通路和所述第二个第2供给通路经由所述接口部连接于所述壳体。
4.如权利要求3所述的液处理装置，其特征在于：
所述第1供给通路不经由所述接口部地与所述第1处理部连接。
5.如权利要求1所述的液处理装置，其特征在于：
所述第1设备包括调节在所述第1供给通路中流通的所述第1处理液的流量的阀，
所述第2设备包括：贮存所述第2处理液的罐；将贮存在所述罐中的所述第2处理液向所述第2供给通路输送的泵；从在所述第2供给通路中流通的所述第2处理液除去异物的过滤器；和对在所述第2供给通路中流通的所述第2处理液进行加热的加热器。
6.如权利要求5所述的液处理装置，其特征在于：
所述处理部包括第1处理部和第2处理部，
所述第2供给通路包括：对所述第1处理部供给所述第2处理液的第一个第2供给通路；和对所述第2处理部供给所述第2处理液的第二个第2供给通路，
所述泵包括：将贮存在所述罐中的所述第2处理液向所述第一个第2供给通路送出的第1泵；和将贮存在所述罐中的所述第2处理液向所述第二个第2供给通路送出的第2泵，
所述过滤器包括：从在所述第一个第2供给通路中流通的所述第2处理液除去异物的第1过滤器；和从在所述第二个第2供给通路中流通的所述第2处理液除去异物的第2过滤器，
所述加热器包括：对在所述第一个第2供给通路中流通的所述第2处理液进行加热的第1加热器；和对在所述第二个第2供给通路中流通的所述第2处理液进行加热的第2加热器，
所述第1泵、所述第1过滤器和所述第1加热器，以及所述第2泵、所述第2过滤器和所述第2加热器分别以在高度方向上排列的方式配置，并且关于通过所述罐的铅垂轴对称地配置。
7.如权利要求6所述的液处理装置，其特征在于：
在所述外部壳体中，所述第一个第2供给通路的比所述第1加热器靠下游侧的流路和所述第二个第2供给通路的比所述第2加热器靠下游侧的流路，在比所述铅垂轴远离所述壳体的位置彼此靠近地配置。
8.如权利要求1所述的液处理装置，其特征在于：
所述第2供给通路是循环路径。
9.如权利要求1所述的液处理装置，其特征在于：
所述外部壳体被所述分隔壁分隔为靠近所述壳体的第1区域和比所述第1区域距所述壳体较远的第2区域，在所述第1区域中收纳所述第1设备，在所述第2区域中收纳所述第2设备。
10.如权利要求1所述的液处理装置，其特征在于，包括：
对所述处理部供给比所述第1处理液温度高且比所述第2处理液温度低的第3处理液的第3供给通路；和
用于对所述第3供给通路供给第3处理液的第3设备，
所述第3设备配置在由所述分隔壁所分隔的所述外部壳体内的区域中收纳所述第1设备的区域，
所述外部壳体在所述第1设备与所述第3设备之间具有第2分隔壁。
11.如权利要求10所述的液处理装置，其特征在于：
所述第1处理液和所述第3处理液是纯水，
所述第2处理液是硫酸。
12.如权利要求1所述的液处理装置，其特征在于：
还包括在由所述外部壳体的分隔壁所分隔的所述第1设备一侧的区域中产生气流的机构。
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