CN110429041B - 基片处理装置、基片处理系统和基片处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够削减处理基片时的气氛调节气体的使用量的技术。本发明的一个方式的基片处理装置包括基片处理部、分隔壁部和液供给部。基片处理部对基片实施液处理。分隔壁部将从能够送入基片的送入送出口至基片处理部为止的第一空间与第一空间以外的第二空间分隔。液供给部设置在第二空间，将处理液供给到基片。

Description

基片处理装置、基片处理系统和基片处理方法
技术领域
本发明涉及基片处理装置、基片处理系统和基片处理方法。
背景技术
一直以来，在处理半导体晶片(以下称为晶片。)等基片的基片处理装置中，对壳体内供给使用FFU(Fan Filter Unit，风机过滤机组)进行了滤清的大气气氛(例如，参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2001-319845号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供一种能够削减处理基片时的气氛调节气体的使用量的技术。
用于解决技术问题的技术手段
本发明的一个方式的基片处理装置包括基片处理部、分隔壁部和液供给部。基片处理部对基片实施液处理。分隔壁部将从能够送入上述基片的送入送出口至上述基片处理部为止的第一空间和上述第一空间以外的第二空间分隔。液供给部设置在上述第二空间，并将处理液供给到上述基片。
发明效果
依照本发明，能够削减处理基片时的气氛调节气体的使用量。
附图说明
图1是表示实施方式的基片处理系统的概略结构的示意图。
图2是表示实施方式的处理单元的结构的俯视图。
图3是表示图2中的A-A线截面图。
图4A是表示实施方式的液处理的一工序的示意图(1)。
图4B是表示实施方式的液处理的一工序的示意图(2)。
图4C是表示实施方式的液处理的一工序的示意图(3)。
图4D是表示实施方式的液处理的一工序的示意图(4)。
图5A是用于说明实施方式的流入抑制部的一例的示意图。
图5B是用于说明实施方式的流入抑制部的另一例的示意图。
图5C是用于说明实施方式的流入抑制部的又一例的示意图。
图6是表示实施方式的变形例1的处理单元的结构的俯视图。
图7是表示实施方式的变形例2的处理单元的结构的俯视图。
图8A是表示由实施方式的变形例3的处理单元进行的液处理的一工序的示意图(1)。
图8B是表示由实施方式的变形例3的处理单元进行的液处理的一工序的示意图(2)。
图8C是表示由实施方式的变形例3的处理单元进行的液处理的一工序的示意图(3)。
图8D是表示由实施方式的变形例3的处理单元进行的液处理的一工序的示意图(2)。
图9A是表示由实施方式的变形例4的处理单元进行的液处理的一工序的示意图(1)。
图9B是表示由实施方式的变形例4的处理单元进行的液处理的一工序的示意图(2)。
图9C是表示由实施方式的变形例4的处理单元进行的液处理的一工序的示意图(3)。
图10是表示实施方式的一实施方式的液处理所有的处理步骤的流程图。
图11是表示实施方式的一实施方式的液处理的详细内容的处理步骤的流程图。
附图标记说明
W 晶片(基片的一例)
L 处理液
1 基片处理系统
15 输送部(共用输送路径的一例)
16 处理单元(基片处理装置的一例)
17 基片输送装置(输送装置的一例)
20 壳体
21 送入送出口
30 基片处理部
31 基片保持部
32 支柱部
33 液接收罩
34 回收罩
40 分隔壁部
41 上板部
41a 贯通孔
41b 凸部
42 侧壁部
43 填隙部
44 气体供给部
45 流入抑制部
50 液供给部
51 处理液喷嘴
55 扫动顶板
A1 第一空间
A2 第二空间。
具体实施方式
以下，参照附图，详细地说明本申请的公开的基片处理装置、基片处理系统和基片处理方法的实施方式。此外，本发明不限于以下所示的实施方式。另外，附图是示意性的图，需要注意各要素的尺寸的关系、各要素的比例等有时与现实不同。而且，附图互相之间，有时包含彼此的尺寸的关系、比例不同的部分。
一直以来，在处理晶片等基片的基片处理装置中，对壳体内供给使用FFU进行了滤清的大气气氛。
另一方面，通过处理，将晶片周围的气氛不仅调节为大气气氛，有时调节为低湿度、低氧浓度等规定的条件。但是，在利用将气氛调节为规定的条件的气体(以下称为气氛调节气体。)对壳体的内部的全部气氛进行了调节的情况下，存在上述气氛调节气体的使用量增大的可能性。
因此，希望削减处理晶片时的气氛调节气体的使用量。
<基片处理系统的概要>
首先，参照图1对实施方式的基片处理系统1的概略结构进行说明。图1是表示实施方式的基片处理系统1的概略结构的示意图。在下文中，为了明确位置关系，规定相互正交的X轴、Y轴和Z轴，将Z轴正方向设为垂直向上的方向。
如图1所示，基片处理系统1包括送入送出站2和处理站3。送入送出站2和处理站3相邻设置。
送入送出站2包括载体载置部11和输送部12。载体载置部11载置有将多个基片(实施方式中为半导体晶片W(以下称为晶片W))以水平状态收纳的多个载体C。晶片W是基片的一例。
输送部12与载体载置部11相邻设置，在内部具有基片输送装置13和交接部14。基片输送装置13具有保持晶片W的晶片保持机构。另外，基片输送装置13能够向水平方向和铅垂方向移动以及以铅垂轴为中心旋转，使用晶片保持机构在载体C与交接部14之间输送晶片W。
处理站3与输送部12相邻设置。处理站3包括输送部15和多个处理单元16。多个处理单元16在输送部15的两侧排列设置。输送部15是共用输送路径的一例，处理单元16是基片处理装置的一例。
输送部15在内部具有基片输送装置17。基片输送装置17是输送装置的一例，具有保持晶片W的晶片保持机构。另外，基片输送装置17能够向水平方向和铅垂方向移动以及以铅垂轴为中心旋转，使用晶片保持机构在交接部14与处理单元16之间输送晶片W。
处理单元16对由基片输送装置17输送的晶片W进行规定的基片处理。处理单元16的详细情况在后面说明。
另外，基片处理系统1具有控制装置4。控制装置4例如是计算机，包括控制部18和存储部19。存储部19储存有控制在基片处理系统1中执行的各种处理的程序。控制部18通过读取并执行存储在存储部19的程序来控制基片处理系统1的动作。
此外，该程序是存储在计算机可读取的存储介质中的程序，也可以是从该存储介质安装到控制装置4的存储部19的程序。作为计算机可读取的存储介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
在如上所述构成的基片处理系统1中，首先，送入送出站2的基片输送装置13从载置于载体载置部11的载体C取出晶片W，并将取出的晶片W载置到交接部14。利用处理站3的基片输送装置17将载置于交接部14的晶片W从交接部14取出，并送入处理单元16。
送入到处理单元16的晶片W被处理单元16处理后，利用基片输送装置17将其从处理单元16送出，并载置到交接部14。然后，利用基片输送装置13将载置于交接部14的处理完毕的晶片W送回载体载置部11的载体C。
<处理单元的概要>
接着，参照图2和图3对处理单元16的概要进行说明。图2是表示实施方式的处理单元16的结构的俯视图，图3是图2中的A-A线截面图。此外，为了便于理解，在图3中表示送入了晶片W的状态，并且省略LM(Linear Motion，线性运动)引导件54的图示。
如图2所示，处理单元16包括壳体20、基片处理部30、分隔壁部40和液供给部50。壳体20收纳基片处理部30、分隔壁部40和液供给部50。
壳体20在与输送部15相接的位置具有送入送出口21。而且，将由输送部15的基片输送装置17输送的晶片W从该送入送出口21送入壳体20的内部。另外，壳体20具有构成为可开闭该送入送出口21的开闭件22。
如图3所示，在壳体20的顶部设置有FFU23。FFU23形成对壳体20内供给的、经滤清的大气气氛的下降流。另外，在壳体20的底部形成将从FFU23供给的大气气氛向处理单元16的外部排气的排气口24。
基片处理部30对晶片W实施规定的液处理。如图3所示，基片处理部30包括基片保持部31、支柱部32、液接收罩33、回收罩34和排液口35。基片保持部31水平地保持晶片W。该基片保持部31例如从侧方保持晶片W的外缘部。
支柱部32是在铅垂方向延伸的部件，其下方侧的基端部可旋转地由未图示的驱动部支承。另外，虽然在图3中未图示，但是支柱部32能够在上方侧的前端部水平地支承基片保持部31。
而且，基片处理部30使用驱动部来使支柱部32旋转从而使由支柱部32支承的基片保持部31旋转。由此，基片处理部30使保持于基片保持部31的晶片W旋转。另外，支柱部32构成为能够上下移动，能够向被送入基片处理部30的上方的晶片W移动，接收晶片W。
液接收罩33是大致圆环状，具有向下侧凹入的弯曲形状。液接收罩33以包围基片保持部31的外缘部的方式配置，收集因基片保持部31的旋转而从晶片W飞散的处理液L(参照图4C)。例如，液接收罩33以包围比基片保持部31所保持的晶片W的同一平面至少靠上侧的基片保持部31的外缘部的方式配置。
回收罩34以包围基片保持部31的方式配置，收集因基片保持部31的旋转而从晶片W飞散的处理液L。此外，在图3中虽未图示，但回收罩34也可以为能够分别收集多个处理液L的多罩。
在该回收罩34的底部形成有排液口35。而且，将由液接收罩33或回收罩34收集的处理液L从该排液口35排出到处理单元16的外部。
分隔壁部40在壳体20的内部将在从上述的送入送出口21至基片处理部30的第一空间A1与该第一空间A1以外的第二空间A2分隔。另外，分隔壁部40构成为能够将分隔出的第一空间A1内的气氛调节为规定的条件。
如图3所示，分隔壁部40包括上板部41、侧壁部42、填隙部43和气体供给部44。上板部41具有大致圆板状的形状，其被配置成与保持于基片保持部31的晶片W大致平行地相对而设置，覆盖晶片W的上方。
另外，上板部41构成为能够在壳体20内上下移动，在将晶片W从送入送出口21送入送出时，其向不与晶片W的输送路径干涉的上方移动。另一方面，在由基片处理部30处理晶片W时，上板部41向靠近该晶片W的下方的位置移动。此外，上板部41的配置不限于上述的位置，能够根据处理晶片W的条件、清洗上板部41的条件而自由改变。
在上板部41形成上下连通的贯通孔41a。例如，如图2所示，该贯通孔41a为隙缝状，以至少与基片保持部31所保持的晶片W的中心部相对的方式形成。另外，贯通孔41a能够插通后述的处理液喷嘴51。
另外，如图3所示，上板部41具有向晶片W突出的凸部41b。该凸部41b以例如大致圆柱状突出。而且，凸部41b的外径比与之相对的晶片W的外径大，比相邻的液接收罩33的内径小。
侧壁部42包围保持晶片W的基片保持部31、液接收罩33、上板部41等的侧方。侧壁部42例如如图2所示具有如下形状：俯视时，具有送入送出口21的跟前侧为直线状、对晶片W进行液处理的里侧为沿着晶片W的形状的半圆状。
在实施方式中，侧壁部42能够与上板部41一体地上下移动。另一方面，侧壁部42不需要与上板部41一起上下移动，也可以固定在壳体20内。在该情况下，上板部41也可以构成为能够沿固定的侧壁部42上下移动。
填隙部43在由基片处理部30处理晶片W时，填埋第一空间A1中的基片处理部30以外的间隙(例如，送入送出口21的周边)。另外，填隙部43构成为能够在壳体20内移动，在将晶片W从送入送出口21送入送出时，移动到不与晶片W的输送路径干涉的位置。填隙部43例如如图2所示，具有如下形状：俯视时，内侧为圆弧状且外侧为矩形状的大致U字形状。
气体供给部44与第一空间A1连接，对该第一空间A1供给气氛调节气体。例如，气体供给部44中的气氛调节气体的喷嘴设置在送入送出口21与基片处理部30之间的上板部41。此外，也可以为从设置在输送部15的未图示的第二气体供给部经由该输送部15供给该气氛调节气体。
另外，实施方式中的气氛调节气体例如是氮气、Ar气等的与大气气氛相比氧浓度低的非活性气体、干燥气体等湿度比大气气氛低的气体等。
图2所示的液供给部50对保持于第一空间A1的晶片W供给处理液L。液供给部50具有处理液喷嘴51、喷嘴总线(nozzle bus)52、臂53和LM引导件54，并配置在第二空间A2。
处理液喷嘴51经由未图示的阀和流量调节器与处理液供给源连接，使用形成于上板部41的贯通孔41a对晶片W排出处理液L。
从处理液喷嘴51排出的处理液L例如包含酸类处理液、碱类处理液、有机类处理液、冲洗液等晶片W的各种液处理中所使用的各种液体。酸类处理液例如是DHF(DilutedHydroFluoric acid：稀氟酸)等。碱类处理液例如是SC1(氨水、过氧化氢和水的混合液)等。有机类处理液例如是IPA(IsoPropyl Alcohol，异丙醇)等。冲洗液例如是DIW(DeIonizedWater：去离子水)等。
喷嘴总线52是用于使处理液喷嘴51在待机位置待机并且从处理液喷嘴51将处理液L仿真分配的容器。臂53支承处理液喷嘴51。
LM引导件54在X轴方向引导臂53。而且，由LM引导件54引导的臂53从LM引导件54所包含的未图示的驱动部传递驱动力，由此与处理液喷嘴51一起沿着LM引导件54滑移。由此，能够使处理液喷嘴51滑移到壳体20内的规定的位置。
另外，臂53具有未图示的升降机构。而且，液供给部50使该升降机构动作，由此能够使处理液喷嘴51升降。
如上所述，液供给部50使LM引导件54和升降机构动作，由此能够使处理液喷嘴51移动到贯通孔41a的位置来插通该贯通孔41a。
另外，在实施方式中，贯通孔41a为隙缝状，LM引导件54的延伸方向与贯通孔41a的延伸方向大致平行，因此能够使处理液喷嘴51在贯通孔41a内扫动。
此外，在图2所示的例子中，表示了处理液喷嘴51、喷嘴总线52和臂53设置有2组的情况，但是，设置于处理单元16的处理液喷嘴51、喷嘴总线52和臂53不限于2组，可以设置规定的数量。
另外，在图2所示的例子中，表示了处理液喷嘴51固定于臂53的情况，不过不限于处理液喷嘴51固定于臂53的情况，可以为拾取喷嘴(pick-up nozzle)等。另外，使臂53滑移的机构不限于LM引导件54，能够使用各种已知的机构。
<液处理的详细情况>
接着，参照图4A～图4D，说明实施方式的液处理的详细情况。图4A～图4D是表示实施方式的液处理的一工序的示意图(1)～(4)。
如图4A所示，在处理单元16中，在将晶片W送入基片处理部30之前，确保第一空间A1中的晶片W的输送路径。具体而言，处理单元16使上板部41从晶片W的输送路径向上方退避，并且使填隙部43向下方退避。
另外，处理单元16从将晶片W送入基片处理部30前的规定的时刻开始，使用气体供给部44将规定的气氛调节气体供给到第一空间A1(步骤S1)。由此，处理单元16能够在事先用气氛调节气体进行置换第一空间A1内的气氛。
另一方面，处理单元16的第二空间A2是使用FFU23进行了滤清的大气气氛。而且，供给到第一空间A1的气氛调节气体和供给到第二空间A2的大气气氛由排气口24共同排气。
接着，处理单元16使开闭件22移动以开放送入送出口21。然后，基片输送装置17将晶片W送入处理单元16内(步骤S2)。然后，处理单元16利用移动到上方的支柱部32接收被送入到基片保持部31的上方的晶片W之后，使晶片W向下方移动并由基片保持部31保持(步骤S3)。
接着，如图4B所示，处理单元16使开闭件22移动以关闭送入送出口21(步骤S4)。另外，处理单元16使上板部41向下方移动，以靠近晶片W(步骤S5)。例如，在该步骤S5中，使上板部41靠近至上板部41与晶片W的间隙为1～4mm程度的位置。
另外，处理单元16使填隙部43向上方移动，填埋第一空间A1中的基片处理部30以外的间隙(步骤S6)。此外，图4B所示的步骤S4～S6的顺序是任意的，例如也可以为步骤S4～S6全部同时进行。
在实施方式中，在该步骤S4～S6的期间，处理单元16使气体供给部44动作以持续地将规定的气氛调节气体供给到第一空间A1。由此，能够将配置有晶片W的第一空间A1的气氛持续地调节为规定的条件。
接着，如图4C所示，处理单元16使液供给部50动作，由此使处理液喷嘴51移动到晶片W上的规定的位置并插通贯通孔41a(步骤S7)。然后，处理单元16使处理液喷嘴51动作，从而对晶片W供给规定的处理液L(步骤S8)。
此外，在该步骤S8中，处理单元16可以使晶片W旋转，也可以使其停止。另外，在步骤S8中，也可以为液供给部50利用规定的动作使处理液喷嘴51在晶片W上扫动(scan)。
接着，如图4D所示，处理单元16使基片处理部30动作，由此使晶片W旋转(步骤S9)。由此，处理液L移动到晶片W的外周侧，对晶片W进行液处理(步骤S10)。此外，该液处理的具体的例子在后面说明。
在实施方式中，在该步骤S7～S10的期间，处理单元16使气体供给部44动作以持续地将规定的气氛调节气体供给到第一空间A1。由此，能够将要进行液处理的晶片W周围的气氛持续地调节为规定的条件。
在此，在实施方式中，对壳体20内的第二空间A2供给大气气氛，仅对分隔壁部40分隔出的第一空间A1供给气氛调节气体。因此，依照实施方式，能够削减对晶片W进行液处理时的气氛调节气体的使用量。
另外，在实施方式中，使上板部41靠近晶片W并且利用填隙部43填埋第一空间A1的间隙，由此能够使第一空间A1狭小。因此，依照实施方式，能够进一步削减气氛调节气体的使用量。
另外，在实施方式中，可以使液接收罩33的内径比上板部41的凸部41b的外径大。由此，如图4B等所示，能够不与液接收罩33干涉而使上板部41靠近晶片W。因此，依照实施方式，能够进一步削减气氛调节气体的使用量。
另外，在实施方式中，如图4C和图4D所示，在对晶片W进行液处理时，可以使处理液L充满上板部41与晶片W之间。由此，能够使液处理时的晶片W上的处理液L的膜厚成为均等的。因此，依照实施方式，能够以良好的状态实施晶片W的液处理。
另外，在实施方式中，将处理液L充满在上板部41与晶片W之间，由此能够抑制在高温处理时蒸发的处理液L附着在上板部41。而且，在实施方式中，将处理液L充满在上板部41与晶片W之间，由此能够利用另行增设在上板部41的加热机构(例如，加热器等)容易地将处理液L升温。
此外，在实施方式中，在将处理液L充满于上板部41与晶片W之间的情况下，以比较低的速度使晶片W开始旋转，逐渐提高转速，由此能够使上板部41表面的处理液L与晶片W表面的处理液L一起移动到外周侧。由此，在实施方式中，能够抑制在液处理后处理液L残留在上板部41的表面。
另外，在实施方式中，如图4D等所示，可以使上板部41的凸部41b的外径比晶片W的外径大。由此，在液处理后在凸部41b的外缘部残留有处理液L的情况下，也能够抑制该残留的处理液L附着在晶片W。
此外，在液处理后在凸部41b的外缘部残留有处理液L的情况下，可以利用气氛调节气体等吹扫残留于在该外缘部的处理液L。
另外，在实施方式中，可以为贯通孔41a以至少与基片保持部31所保持的晶片W的中心部相对的方式形成。由此，能够将处理液喷嘴51配置在晶片W的中心部的上方，因此能够对晶片W的中心部排出处理液L。因此，依照实施方式，能够对晶片W的整个面均匀地供给处理液L。
说明处理单元16中的后续处理。液处理结束后的处理单元16使上板部41从晶片W的输送路径向上方退避，并且使填隙部43向下方退避，以确保第一空间A1中的晶片W的输送路径。
然后，使开闭件22移动以开放送入送出口21，使用基片输送装置17将晶片W从处理单元16送出。最后，处理单元16关闭开闭件22，并且停止由气体供给部44供给气氛调节气体。
如上所述，通过停止对送出了晶片W的第一空间A1供给气氛调节气体，能够进一步削减氛调节气体的使用量。
另外，在实施方式中，如上所述，可以为在将晶片W送入之前开始由气体供给部44供给气氛调节气体，事先用气氛调节气体置换第一空间A1中的气体。由此，能够将晶片W送入调节了气氛的第一空间A1。
另外，在实施方式中，可以为在事先用气氛调节气体置换第一空间A1中的气体时，在第一空间A1内使基片保持部31旋转。由此，能够抑制气氛调节气体以外的气氛滞留在第一空间A1内，因此能够有效地用气氛调节气体置换第一空间A1中的气体。
此外，在实施方式中，第一空间A1与第二空间A2之间由贯通孔41a连通，因此存在第二空间A2的大气气氛经由该贯通孔41a流入第一空间A1的可能性。
因此，在实施方式中，设置有抑制大气气氛向第一空间A1的流入的流入抑制部45(参照图5A)。接着，参照图5A～图5C，说明该流入抑制部45的详细情况。
图5A是用于说明实施方式的流入抑制部45的一例的示意图，是示意地表示包含上板部41的贯通孔41a的部位的截面的图。如图5A所示，流入抑制部45包括第一配管部45a和第二配管部45b。
第一配管部45a和第二配管部45b与贯通孔41a的内壁中的彼此相对的位置连接。第一配管部45a与供给气氛调节气体等的未图示的气体供给机构连接，将从该气体供给机构供给的气体排出到贯通孔41a内。
另外，第二配管部45b与未图示的排气机构连接，利用该排气机构对贯通孔41a内的气氛进行排气。如上所述，流入抑制部45利用相对的第二配管部45b将从第一配管部45a排出的气体排气，由此能够在贯通孔41a内形成所谓的气幕(gas curtain)。
由此，能够抑制第二空间A2的大气气氛流入第一空间A1。因此，依照实施方式，能够在第一空间A1中良好地维持调节为规定的条件的气氛。此外，在图5A所示的例中，可以利用相对的第一配管部45a对从第二配管部45b排出的气体进行排气。
图5B是用于说明实施方式的流入抑制部45的另一例的示意图。在图5B的例中，从第一配管部45a和第二配管部45b这两者排出气氛调节气体等。由此，也能够在贯通孔41a内形成气幕。
因此，在图5B的例子中，能够抑制第二空间A2的大气气氛流入第一空间A1，因此能够在第一空间A1中良好地维持调节为规定的条件的气氛。
图5C是用于说明实施方式的流入抑制部45的又一例的示意图。在图5C的例中，从第一配管部45a和第二配管部45b这两者进行排气。由此，能够使用第一配管部45a和第二配管部45b将从第二空间A2流入贯通孔41a内的大气气氛排出到外部。
因此，在图5C的例子中，能够抑制第二空间A2的大气气氛流入第一空间A1，因此能够在第一空间A1中良好地维持调节为规定的条件的气氛。
此外，在实施方式中，给出了在将处理液喷嘴51插通于贯通孔41a的状态下将处理液L供给到晶片W的例子。另一方面，也可以不将处理液喷嘴51插通贯通孔41a，而将处理液L从配置于贯通孔41a的上方的处理液喷嘴51排出，在贯通孔41a内通流而供给到晶片W。
另一方面，在将处理液喷嘴51插通于贯通孔41a的状态下将处理液L供给到晶片W，由此，能够利用此处说明的流入抑制部45在第一空间A1侧排出处理液L。即，与使处理液L在贯通孔41a内通流的情况相比，能够使流入抑制部45充分地发挥功能。
因此，依照实施方式，在将处理液喷嘴51插通于贯通孔41a的状态下将处理液L供给到晶片W，由此能够在第一空间A1中良好地维持调节为规定的条件的气氛。
<变形例>
接着，参照图6～图9C，说明实施方式的处理单元16的各种变形例。图6是表示实施方式的变形例1的处理单元16的结构的俯视图。
在图6所示的变形例1中，贯通孔41a不是隙缝状，是与插通的处理液喷嘴51相同的形状(例如，大致圆形形状)。在该变形例1中，以与基片保持部31所保持的晶片W的中心部相对的方式配置贯通孔41a，由此能够对晶片W的整个面均匀地供给处理液L。
图7是表示实施方式的变形例2的处理单元16的结构的俯视图。在图7所示的变形例2中，贯通孔41a不是直线状的隙缝，而是圆弧状的隙缝。
在该变形例2中，以处理液喷嘴51沿贯通孔41a回动的方式构成液供给部50，由此能够与实施方式同样地使处理液喷嘴51在贯通孔41a内扫动。
此外，在变形例2中，以至少与晶片W的中心部相对的方式配置贯通孔41a，由此能够对晶片W的整个面均匀地供给处理液L。
接着，使用图8A～图8D，说明处理单元16的变形例3。图8A～图8D是表示由实施方式的变形例3的处理单元16进行的液处理的一工序的示意图(1)～(4)。此外，在图8A～图8D中，给出了处理单元16的示意性的立体图。
如图8A所示，在变形例3的处理单元16中，隙缝状的贯通孔41a从晶片W的中心部向外缘部去以直线状形成于上板部41。另外，扫动顶板55以覆盖贯通孔41a并且从晶片W的一外缘部延伸至另一外缘部的方式配置。该扫动顶板55构成为能够沿贯通孔41a移动。
而且，变形例3的处理单元16中，设置有多个处理液喷嘴51作为拾取喷嘴。而且，该多个处理液喷嘴51能够插通的多个贯通孔55a形成于扫动顶板55。
在该变形例3的处理单元16中，首先，从处理液喷嘴51进行处理液L的仿真分配(步骤S21)。
接着，如图8B所示，处理单元16利用未图示的输送部拾取处理液喷嘴51，将该处理液喷嘴51输送到晶片W中央部的上方(步骤S22)。此外，在该步骤S22时，扫动顶板55的贯通孔55a配置在晶片W中央部的上方。
接着，如图8C所示，处理单元16使处理液喷嘴51经由扫动顶板55的贯通孔55a插通上板部41的贯通孔41a(步骤S23)。而且，处理单元16将处理液L从插通于贯通孔41a的处理液喷嘴51供给到晶片W(步骤S24)。
接着，如图8D所示，处理单元16一边使处理液喷嘴51与扫动顶板55同步移动，一边使排出处理液L的处理液喷嘴51在晶片W上扫动(步骤S25)。此外，在步骤S25中，可以由拾取了处理液喷嘴51的输送部使处理液喷嘴51移动，也可以由扫动顶板55使处理液喷嘴51。
如至此所说明的那样，在变形例3中，利用与处理液喷嘴51同步地移动的扫动顶板55覆盖贯通孔41a，由此能够抑制第二空间A2的大气气氛经由贯通孔41a流入第一空间A1。因此，依照变形例3，能够在第一空间A1中良好地维持调节为规定的条件的气氛。
接着，使用图9A～图9C，说明处理单元16的变形例4。图9A～图9C是表示由实施方式的变形例4的处理单元16进行的液处理的一工序的示意图(1)～(3)。此外，在图9A～图9C中，给出了处理单元16的示意性的俯视图。
在变形例4中，在一个处理单元16设置多个(例如，2个)基片处理部30，能够利用一个处理单元16对多个晶片W一并进行液处理。而且，变形例4的上板部41以覆盖所有的多个基片处理部30的方式配置，并且构成为能够在基片处理部30的上方旋转。
另外，在变形例4中，在上板部41设置处理液喷嘴51，在由上板部41等分隔出的第一空间A1内设置有喷嘴总线52。此外，在图9A的例中，给出了设置有两组3个处理液喷嘴51和1个喷嘴总线52组成的组的例子。
该变形例4的处理单元16，首先，如图9A所示从配置于喷嘴总线52的上方的处理液喷嘴51进行处理液L的仿真分配。接着，如图9B所示，处理单元16使上板部41旋转以使处理液喷嘴51移动到晶片W的上方。
然后，处理单元16一边由基片处理部30使晶片W旋转，一边由处理液喷嘴51对晶片W供给处理液L。
然后，如图9C所示，处理单元16一边由处理液喷嘴51供给处理液L，一边还使上板部41旋转以使处理液喷嘴51在晶片W的上方扫动。
如至此所说明的那样，在变形例4中，能够对由上板部41等分隔出的、由气氛调节气体调节了气氛的第一空间A1内的多个晶片W供给处理液L。
另外，在变形例4中，如图9A等所示，可以使处理液喷嘴51的数量与基片处理部30的数量相对应。由此，在变形例4中，能够对收纳于处理单元16的多个晶片W同时进行液处理。
此外，在变形例4中，可以为处理液喷嘴51以使上板部41旋转时至少通过晶片W的中心部的方式配置。由此，能够对晶片W的整个面均匀地供给处理液L。
实施方式的基片处理装置(处理单元16)包括基片处理部30、分隔壁部40和液供给部50。基片处理部30对基片(晶片W)实施液处理。分隔壁部40将从能够送入基片(晶片W)的送入送出口21至基片处理部30为止的第一空间A1与第一空间A1以外的第二空间A2分隔。液供给部50设置在第二空间A2，将处理液L供给到基片(晶片W)。由此，能够削減对晶片W进行液处理时的气氛调节气体的使用量。
另外，实施方式的基片处理装置(处理单元16)还包括将调节气氛的气氛调节气体供给到第一空间A1的气体供给部44。由此，能够仅对由分隔壁部40分隔出的第一空间A1供给气氛调节气体。
另外，在实施方式的基片处理装置(处理单元16)中，分隔壁部40包括覆盖基片(晶片W)的上方的上板部41和包围基片(晶片W)的侧方的侧壁部42。由此，能够用分隔壁部40分隔基片处理部30所保持的晶片W的上方和侧方。
另外，实施方式的基片处理装置(处理单元16)还包括收纳基片处理部30、分隔壁部40和液供给部50的壳体20。而且，壳体20内的第二空间A2为大气气氛。由此，能够削减对晶片W进行液处理时的气氛调节气体的使用量。
实施方式的基片处理系统1配置有多个上述的基片处理装置(处理单元16)。另外，具有共用输送路径(输送部15)，其与多个基片处理装置相邻，设置有对各基片处理装置输送基片(晶片W)的输送装置(基片输送装置17)。由此，能够实现削减对晶片W进行液处理时的气氛调节气体的使用量的基片处理系统1。
另外，实施方式的基片处理系统1还包括将调节气氛的气氛调节气体供给到共用输送路径(输送部15)的第二气体供给部。由此，在将晶片W输送至处理单元16的期间，其也能够在由气氛调节气体调节过的气氛中被输送。
<液处理的详细情况>
接着，参照图10和图11，说明实施方式的液处理的详细情况。图10是表示实施方式的液处理的所有处理步骤的流程图。
此外，通过控制部18读出从实施方式的存储介质安装到存储部19的程序，并且基于读出的命令，控制部18控制输送部12、输送部15、处理单元16等，来执行图10和图11所示的液处理。
首先，控制部18控制处理单元16的气体供给部44，将气氛调节气体供给到由分隔壁部40分隔出的第一空间A1(步骤S101)。接着，控制部18控制基片输送装置13和基片输送装置17，将晶片W从载体C经由基片输送装置13、交接部14和基片输送装置17送入处理单元16的内部(步骤S102)。
接着，控制部18控制处理单元16的基片处理部30，由基片保持部31保持晶片W(步骤S103)。例如，利用移动到上方的支柱部32接收被送入基片保持部31的上方的晶片W，之后使晶片W向下方移动，由基片保持部31保持，由此来执行该步骤S103。
接着，控制部18控制处理单元16的分隔壁部40，使上板部41靠近晶片W(步骤S104)。另外，与步骤S104的处理并行地，控制部18控制分隔壁部40，利用填隙部43填埋第一空间A1的间隙(步骤S105)。
接着，控制部18控制处理单元16的液供给部50，将处理液喷嘴51插通上板部41的贯通孔41a(步骤S106)。然后，控制部18控制液供给部50，将处理液L从处理液喷嘴51供给到晶片W(步骤S107)。
接着，控制部18控制基片处理部30来对晶片W进行液处理(步骤S108)。例如，使基片保持部31旋转以使晶片W旋转，使供给到晶片W的处理液L移动到外周侧，由此来进行该步骤S108。另外，上述的步骤S107和S108可以以处理液L不接触上板部41的方式进行，也可以以将处理液L充满在上板部41与晶片W之间的方式进行。
接着，控制部18控制分隔壁部40，以确保第一空间A1中的晶片W的输送路径(步骤S109)。例如，使上板部41从晶片W的输送路径向上方退避，并且使填隙部43向下方退避，由此来进行该步骤S109。
接着，控制部18控制基片处理部30、基片输送装置17和基片输送装置13，将晶片W从处理单元16的内部经由基片输送装置17、交接部14和基片输送装置13送出到载体C(步骤S110)。
最后，控制部18控制气体供给部44，以停止对由分隔壁部40分隔出的第一空间A1供给气氛调节气体(步骤S111)，结束处理。
图11是表示实施方式的液处理(上述的步骤S108)的详细的处理步骤的流程图。
关于实施方式的液处理，首先利用规定的第一处理液进行第一液处理(步骤S201)。例如，将DHF等酸类处理液、SC1等碱类处理液等第一处理液从处理液喷嘴51供给到晶片W，由此来进行该第一液处理。
接着，利用规定的冲洗液进行冲洗处理(步骤S202)。例如，将DIW等冲洗液从处理液喷嘴51供给到晶片W，由此来进行该冲洗处理。此外，在以将冲洗液充满在上板部41与晶片W之间的方式进行了该冲洗处理的情况下，也能够将附着于上板部41的第一处理液从表面除去。
另外，在以冲洗液不与上板部41接触的方式进行了该冲洗处理的情况下，通过其他方式改变上板部41的高度以使冲洗液与上板部41接触，由此能够将附着于上板部41的第一处理液从表面除去。
接着，用规定的第二处理液进行第二液处理(步骤S203)。例如，将DHF等酸类处理液、SC1等碱类处理液等第二处理液从处理液喷嘴51供给到晶片W，由此来进行该第二液处理。
接着，用规定的冲洗液进行冲洗处理(步骤S204)。该冲洗处理是与步骤S202同样的处理。此外，在以将冲洗液充满在上板部41与晶片W之间的方式进行了该冲洗处理的情况下，能够将附着于上板部41的第二处理液从表面除去。
另外，在以冲洗液不与上板部41接触的方式进行了该冲洗处理的情况下，通过其他方式改变上板部41的高度以使冲洗液与上板部41接触，由此能够将附着于上板部41的第二处理液从表面除去。
接着，使用处理液喷嘴51对晶片W供给IPA(步骤S205)。最后，使被供给了IPA的晶片W旋转，由此将晶片W旋转干燥(步骤S206)，结束处理。
实施方式的基片处理方法包括：供给气氛调节气体的工序；将基片(晶片W)送入第一空间A1的工序；将基片(晶片W)载置在基片处理部30的工序；和进行液处理的工序。在供给气氛调节气体的工序中，对从能够送入基片(晶片W)的送入送出口21至对基片(晶片W)实施液处理的基片处理部30为止的第一空间A1供给调节气氛的气氛调节气体。在进行液处理的工序中，使用液供给部50对基片(晶片W)进行液处理，该液供给部50配置在由分隔壁部40与第一空间A1分隔开的第二空间A2。由此，能够削减对晶片W进行液处理时的气氛调节气体的使用量。
另外，实施方式的基片处理方法还包括：将进行了液处理的基片(晶片W)从基片处理部30送出的工序；和在该送出工序后，停止对第一空间A1供给气氛调节气体的工序。由此，能够进一步削减气氛调节气体的使用量。
另外，实施方式的基片处理方法还包括使分隔壁部40中覆盖基片(晶片W)的上方的上板部41靠近载置于基片处理部30的基片(晶片W)的工序。由此，能够使第一空间A1狭小，因此能够进一步削减气氛调节气体的使用量。
另外，在实施方式的基片处理方法中，进行液处理的工序包括将处理液L充满在上板部41与基片(晶片W)之间的工序。由此，能够以良好的状态实施晶片W的液处理。
以上，对本发明的各实施方式进行了说明，但是本发明不限于上述实施方式，在不脱离其主旨的情况下能够进行各种变更。
本发明的实施方式的所有方面是均例示，不应认为是限制。实际上，上述的实施方式能够以各种各样的方式实现。另外，上述的实施方式在不脱离所附的权利要求的范围及其主旨的情况下，可以以各种方式省略、置换、改变。

Claims (8)

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
对基片实施液处理的基片处理部，其具有用于保持所述基片的基片保持部，和以包围所述基片保持部的外缘部的方式配置的液接收罩；
分隔壁部，其将从能够送入所述基片的送入送出口至所述基片处理部为止的第一空间与所述第一空间以外的第二空间分隔；
液供给部，其设置在所述第二空间，能够将处理液供给到所述基片；和
将调节气氛的气氛调节气体供给到所述第一空间的气体供给部，
所述分隔壁部包括覆盖所述基片的上方的上板部和包围所述液接收罩的侧方的侧壁部，
在所述上板部具有向所述基片以圆柱状突出的凸部，
所述凸部的外径比相邻的所述液接收罩的内径小。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
还包括用于收纳所述基片处理部、所述分隔壁部和所述液供给部的壳体，
所述壳体内的所述第二空间为大气气氛。
3.一种基片处理系统，其特征在于，包括：
配置有多个权利要求1或2所述的基片处理装置；和
共用输送路径，其与多个所述基片处理装置相邻，设置有对各所述基片处理装置输送所述基片的输送装置。
4.如权利要求3所述的基片处理系统，其特征在于：
还包括将调节气氛的气氛调节气体供给到所述共用输送路径的第二气体供给部。
5.一种基片处理方法，其特征在于：
所述基片处理方法在基片处理装置中实施，
所述基片处理装置包括：
对基片实施液处理的基片处理部，其具有用于保持所述基片的基片保持部，和以包围所述基片保持部的外缘部的方式配置的液接收罩；
分隔壁部，其将从能够送入所述基片的送入送出口至所述基片处理部为止的第一空间与所述第一空间以外的第二空间分隔；
液供给部，其设置在所述第二空间，能够将处理液供给到所述基片；和
将调节气氛的气氛调节气体供给到所述第一空间的气体供给部，
所述分隔壁部包括覆盖所述基片的上方的上板部和包围所述液接收罩的侧方的侧壁部，
在所述上板部具有向所述基片以圆柱状突出的凸部，
所述凸部的外径比相邻的所述液接收罩的内径小，
所述基片处理方法包括：
利用所述气体供给部对所述第一空间供给调节气氛的气氛调节气体的工序；
将所述基片送入所述第一空间的工序；
将所述基片载置在所述基片处理部的工序；和
使用所述液供给部对所述基片进行液处理的工序。
6.如权利要求5所述的基片处理方法，其特征在于，还包括：
将进行了液处理的所述基片从所述基片处理部送出的工序；和
在所述送出工序后，停止对所述第一空间供给所述气氛调节气体的工序。
7.如权利要求5或6所述的基片处理方法，其特征在于：
还包括使所述分隔壁部中覆盖所述基片的上方的上板部靠近载置于所述基片处理部的所述基片的工序。
8.如权利要求7所述的基片处理方法，其特征在于：
所述进行液处理的工序包括将处理液充满在所述上板部与所述基片之间的工序。
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