CN110875220A - 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质 - Google Patents

基板处理装置、基板处理方法以及存储介质 Download PDF

Info

Publication number
CN110875220A
CN110875220A CN201910809056.4A CN201910809056A CN110875220A CN 110875220 A CN110875220 A CN 110875220A CN 201910809056 A CN201910809056 A CN 201910809056A CN 110875220 A CN110875220 A CN 110875220A
Authority
CN
China
Prior art keywords
liquid
discharge path
standby
substrate processing
liquid level
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
CN201910809056.4A
Other languages
English (en)
Inventor
上村史洋
小宫洋司
绪方信博
大塚贵久
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN110875220A publication Critical patent/CN110875220A/zh
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B15/00—Details of spraying plant or spraying apparatus not otherwise provided for; Accessories
    • B05B15/50—Arrangements for cleaning; Arrangements for preventing deposits, drying-out or blockage; Arrangements for detecting improper discharge caused by the presence of foreign matter
    • B05B15/58—Arrangements for cleaning; Arrangements for preventing deposits, drying-out or blockage; Arrangements for detecting improper discharge caused by the presence of foreign matter preventing deposits, drying-out or blockage by recirculating the fluid to be sprayed from upstream of the discharge opening back to the supplying means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B12/00—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area
    • B05B12/08—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area responsive to condition of liquid or other fluent material to be discharged, of ambient medium or of target ; responsive to condition of spray devices or of supply means, e.g. pipes, pumps or their drive means
    • B05B12/081—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area responsive to condition of liquid or other fluent material to be discharged, of ambient medium or of target ; responsive to condition of spray devices or of supply means, e.g. pipes, pumps or their drive means responsive to the weight of a reservoir or container for liquid or other fluent material; responsive to level or volume of liquid or other fluent material in a reservoir or container
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B12/00—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area
    • B05B12/08—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area responsive to condition of liquid or other fluent material to be discharged, of ambient medium or of target ; responsive to condition of spray devices or of supply means, e.g. pipes, pumps or their drive means
    • B05B12/082—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area responsive to condition of liquid or other fluent material to be discharged, of ambient medium or of target ; responsive to condition of spray devices or of supply means, e.g. pipes, pumps or their drive means responsive to a condition of the discharged jet or spray, e.g. to jet shape, spray pattern or droplet size
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B14/00—Arrangements for collecting, re-using or eliminating excess spraying material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B9/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent material, without essentially mixing with gas or vapour
    • B05B9/03—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent material, without essentially mixing with gas or vapour characterised by means for supplying liquid or other fluent material
    • B05B9/04—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent material, without essentially mixing with gas or vapour characterised by means for supplying liquid or other fluent material with pressurised or compressible container; with pump
    • B05B9/0403—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent material, without essentially mixing with gas or vapour characterised by means for supplying liquid or other fluent material with pressurised or compressible container; with pump with pumps for liquids or other fluent material
    • B05B9/0423—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent material, without essentially mixing with gas or vapour characterised by means for supplying liquid or other fluent material with pressurised or compressible container; with pump with pumps for liquids or other fluent material for supplying liquid or other fluent material to several spraying apparatus
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/02—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by spraying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02343—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B15/00—Details of spraying plant or spraying apparatus not otherwise provided for; Accessories
    • B05B15/40—Filters located upstream of the spraying outlets
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B9/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent material, without essentially mixing with gas or vapour
    • B05B9/002—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent material, without essentially mixing with gas or vapour incorporating means for heating or cooling, e.g. the material to be sprayed

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本发明提供基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。提供能够削减由虚拟分配等废弃的处理液并且在基板处理时稳定地供给处理液的技术。本公开的一技术方案提供的基板处理装置包括喷嘴、待机部、供给路径、排出路径、循环路径以及气体介质截止机构。喷嘴向基板喷出处理液。待机部具有开口部，该待机部使喷嘴贯穿于开口部而待机。供给路径向喷嘴供给处理液。排出路径自待机部排出处理液。循环路径通过喷嘴、待机部、供给路径以及排出路径相连而形成。气体介质截止机构设于循环路径，用于将循环路径的内部与基板的周围之间切断。

Description

基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
技术领域
公开的实施方式涉及基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。
背景技术
以往，在对半导体晶圆(以下也称作晶圆)等基板进行液体处理的基板处理装置中公知有这样一种技术：在不对基板进行液体处理的情况下，使喷出处理液的喷嘴在待机部待机，而对处理液进行虚拟分配。该虚拟分配是为了稳定地向基板上供给处理液等而进行的(参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开平10－74725号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种能够削减由虚拟分配等废弃的处理液并且在基板处理时稳定地供给处理液的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一技术方案提供的基板处理装置包括喷嘴、待机部、供给路径、排出路径、循环路径以及气体介质截止机构。喷嘴向基板喷出处理液。待机部具有开口部，该待机部使所述喷嘴贯穿于所述开口部而待机。供给路径向所述喷嘴供给所述处理液。排出路径自所述待机部排出所述处理液。循环路径通过所述喷嘴、所述待机部、所述供给路径以及所述排出路径相连而形成。气体介质截止机构设于所述循环路径，用于将所述循环路径的内部与所述基板的周围之间切断。
发明的效果
根据本公开，能够削减由虚拟分配等废弃的处理液并且在基板处理时稳定地供给处理液。
附图说明
图1是表示实施方式所涉及的基板处理系统的概略结构的示意图。
图2是表示处理单元的具体的结构例的示意图。
图3是表示实施方式所涉及的处理液供给部、供给路径以及排出路径的结构的图。
图4是用于对实施方式所涉及的处理液的流动进行说明的图(1)。
图5是用于对实施方式所涉及的处理液的流动进行说明的图(2)。
图6是表示实施方式的变形例1所涉及的气体介质截止机构的结构的图。
图7是图6的A－A线剖视图。
图8是用于说明实施方式的变形例1所涉及的气体介质截止机构的动作的图(1)。
图9是用于说明实施方式的变形例1所涉及的气体介质截止机构的动作的图(2)。
图10是表示实施方式的变形例2所涉及的气体介质截止机构的结构的图。
图11是表示实施方式的变形例3所涉及的气体介质截止机构的结构的图。
图12是表示实施方式的变形例4所涉及的气体介质截止机构的结构的图。
图13是表示实施方式的变形例5所涉及的气体介质截止机构的结构的图(1)。
图14是表示实施方式的变形例5所涉及的气体介质截止机构的结构的图(2)。
图15是表示实施方式的变形例6所涉及的气体介质截止机构的结构的图(1)。
图16是表示实施方式的变形例6所涉及的气体介质截止机构的结构的图(2)。
图17是表示实施方式所涉及的排出路径的详细结构的图。
图18是表示实施方式所涉及的控制阀的行为模式的具体例的时序图。
图19是表示实施方式的变形例7所涉及的排出路径的详细结构的图。
图20是表示实施方式的变形例7所涉及的控制阀的行为模式的具体例的时序图。
图21是表示实施方式的变形例8所涉及的排出路径的详细结构的图。
图22是表示实施方式的变形例9所涉及的排出路径的详细结构的图。
具体实施方式
以下，参照附图，详细地说明本申请公开的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质的实施方式。另外，本公开并不限定于以下所示的实施方式。而且，需要注意的是，附图为示意性的附图，各要素的尺寸的关系、各要素的比例等存在与现实不同的情况。此外，还存在附图相互之间包含互相的尺寸的关系、比例不同的部分的情况。
以往，在对半导体晶圆(以下也称作晶圆)等基板进行液体处理的基板处理装置中，公知有这样一种技术：在不对基板进行液体处理的情况下，使喷出处理液的喷嘴在待机部待机，而对处理液进行虚拟分配。该虚拟分配是为了向基板上稳定地供给处理液等而进行的。
而且，在使喷嘴于待机部待机的状态下，通过连接向该喷嘴供给处理液的供给路径和自待机部排出处理液的排出路径而形成循环路径，能够使进行了虚拟分配的处理液在基板处理装置内循环。
另一方面，在使用不同种类的处理液进行液体处理的情况下，若循环路径内的处理液与对基板进行处理的处理液不同，则经由气体介质(日文：雰囲気)使不同种类的处理液彼此反应，而存在生成杂质等的情况。而且，由于该杂质，可能导致基板、处理液被污染。
于是，期待通过削减由虚拟分配等废弃的处理液并抑制循环路径内的气体介质与基板的周围的气体介质混杂，从而在基板处理时稳定地供给处理液。
＜基板处理系统的概要＞
首先，参照图1，对实施方式所涉及的基板处理系统1的概略结构进行说明。图1是表示实施方式所涉及的基板处理系统1的概略结构的图。另外，基板处理系统1为基板处理装置的一个例子。以下，为了明确位置关系，限定互相正交的X轴、Y轴以及Z轴，将Z轴正方向设为铅垂朝上方向。
如图1所示，基板处理系统1包括输入输出站2和处理站3。输入输出站2和处理站3相邻设置。
输入输出站2包括载体载置部11和输送部12。在载体载置部11载置有以水平状态收纳多个基板的多个载体C，所述基板在实施方式中为半导体晶圆W(以下称为晶圆W)。
输送部12与载体载置部11相邻设置，在内部具有基板输送装置13和交接部14。基板输送装置13包括保持晶圆W的晶圆保持机构。而且，基板输送装置13能够向水平方向和铅垂方向移动并且能够以铅垂轴线为中心进行旋转，使用晶圆保持机构在载体C与交接部14之间进行晶圆W的输送。
处理站3与输送部12相邻设置。处理站3包括输送部15和多个处理单元16。多个处理单元16在输送部15的两侧排列设置。
输送部15在内部具有基板输送装置17。基板输送装置17包括保持晶圆W的晶圆保持机构。而且，基板输送装置17能够向水平方向和铅垂方向移动，并且能够以铅垂轴线为中心进行旋转，使用晶圆保持机构在交接部14与处理单元16之间进行晶圆W的输送。
处理单元16对利用基板输送装置17输送的晶圆W进行规定的基板处理。
而且，基板处理系统1包括控制装置4。控制装置4例如为计算机，包括控制部18和存储部19。在存储部19储存有对基板处理系统1中执行的各种处理进行控制的程序。控制部18通过读取并执行储存于存储部19的程序从而控制基板处理系统1的动作。
另外，该程序是存储到由计算机能够读取的存储介质的程序，也可以是从该存储介质安装到控制装置4的存储部19的程序。作为由计算机能够读取的存储介质，存在例如硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)以及存储卡等。
在上述这样构成的基板处理系统1中，首先，输入输出站2的基板输送装置13从载置于载体载置部11的载体C取出晶圆W，将取出的晶圆W载置于交接部14。利用处理站3的基板输送装置17将载置于交接部14的晶圆W从交接部14取出，并向处理单元16输入。
在利用处理单元16对输入到处理单元16的晶圆W进行了处理之后，利用基板输送装置17将该晶圆W自处理单元16输出，并载置于交接部14。然后，利用基板输送装置13使载置于交接部14的已处理的晶圆W返回到载体载置部11的载体C。
＜处理单元的结构＞
接着，参照图2对处理单元16的结构进行说明。图2是表示处理单元16的具体的结构例的示意图。如图2所示，处理单元16包括腔室20、基板处理部30、处理液喷出部40、回收杯50以及待机部60。
腔室20收容基板处理部30、处理液喷出部40、回收杯50以及待机部60。在腔室20的顶部设有FFU(Fan Filter Unit：风扇过滤器单元)21。FFU21在腔室20内形成下流(日文：ダウンフロー)。
基板处理部30包括保持部31、支柱部32以及驱动部33，对载置的晶圆W实施液体处理。保持部31水平地保持晶圆W。支柱部32为沿铅垂方向延伸的构件，支柱部32的基端部利用驱动部33支承为能够旋转，支柱部32在顶端部水平支承保持部31。驱动部33使支柱部32绕铅垂轴线旋转。
该基板处理部30通过使用驱动部33使支柱部32旋转，从而使支承于支柱部32的保持部31旋转，由此，使保持于保持部31的晶圆W旋转。
在基板处理部30具备的保持部31的上表面设有从侧面保持晶圆W的保持构件311。晶圆W被该保持构件311以自保持部31的上表面略微分开的状态水平保持。另外，晶圆W以使进行基板处理的表面朝向上方的状态保持于保持部31。
处理液喷出部40向晶圆W喷出处理液。处理液喷出部40包括喷嘴41、水平支承该喷嘴41的臂42以及使臂42旋转和升降的旋转升降机构43。另外，图2中示出了设有一个喷嘴41的例子，但还可以在臂42设有多个喷嘴41。
喷嘴41经由供给路径110的分支路线110b与处理液供给部100连接。而且，在分支路线110b设有阀44、流量调整器45以及调节器46。而且，自喷嘴41喷出由处理液供给部100供给的规定的处理液。后述该处理液供给部100和供给路径110的详细情况。
回收杯50以围绕保持部31的方式配置，收集因保持部31的旋转而自晶圆W飞散的处理液。在回收杯50的底部形成有排液口51，利用回收杯50收集的处理液自该排液口51向处理单元16的外部排出。而且，在回收杯50的底部形成有排气口52，该排气口52将自FFU21供给的气体向处理单元16的外部排出。
待机部60在喷嘴41未向晶圆W上喷出处理液的情况下使该喷嘴41待机。而且，喷嘴41在于待机部60待机的情况下进行虚拟分配处理。
该虚拟分配处理为例如为了防止处理液的劣化而在未向晶圆W喷出处理液的待机过程中自喷嘴41适当喷出处理液的处理。自喷嘴41喷出的处理液经由排出路径120向罐102(参照图3)排出。
而且，在该排出路径120设有截止阀80。另外，截止阀80为气体介质截止机构的一个例子。
＜处理液供给部的结构＞
接着，参照图3对基板处理系统1具备的处理液的处理液供给部100、供给路径110以及排出路径120的结构进行说明。图3是表示实施方式所涉及的处理液供给部100、供给路径110以及排出路径120的结构的图。另外，以下所示的处理液供给部100、供给路径110以及排出路径120的各部位能够由控制部18进行控制。
如图3所示，实施方式所涉及的处理液供给部100具有处理液供给源101a、阀101b、流量调整器101c、罐102以及循环路线110a。
而且，处理液供给源101a经由阀101b和流量调整器101c与罐102连接。由此，处理液供给部100能够自处理液供给源101a向罐102供给处理液，并在罐102储存处理液。而且，罐102与排泄部连接，能够将储存在该罐102的处理液向排泄部排出。
而且，循环路线110a为自罐102出发并返回到该罐102的循环路线。在该循环路线110a以罐102为基准自上游侧依次设有泵103、过滤器104、加热器105以及热电偶106。
泵103形成自罐102出发并经由循环路线110a返回到罐102的处理液的循环流。过滤器104去除在循环路线110a内循环的处理液中含有的微粒等污染物质。
加热器105对在循环路线110a内循环的处理液进行加热。热电偶106测量在循环路线110a内循环的处理液的温度。因而，控制部18通过使用加热器105和热电偶106而能够控制在循环路线110a内循环的处理液的温度。
在设定于循环路线110a的连接区域107连接有一个或多个分支路线110b。各分支路线110b将在循环路线110a中流动的处理液向相对应的处理单元16供给。在各分支路线110b除上述的阀44、流量调整器45以及调节器46以外，还能够设置过滤器、温度传感器等。
如至此已说明的那样，在基板处理系统1中，储存于罐102的处理液经由由循环路线110a和分支路线110b构成的供给路径110向喷嘴41供给。
而且，在基板处理系统1中，各处理单元16的待机部60分别经由排出路径120连接于罐102。而且，排出路径120与排泄部连接，能够将经过该排出路径120的处理液向排泄部排出。
＜处理液的流动＞
接下来，参照图4和图5对基板处理系统1的处理液的流动进行说明。图4和图5为用于对实施方式所涉及的处理液的流动进行说明的图(1)、(2)。
如图4所示，首先，处理单元16使喷嘴41于待机部60待机(步骤S1)。接着，处理单元16打开设于排出路径120的截止阀80(步骤S2)。
然后，处理单元16打开设于供给路径110的分支路线110b的阀44(步骤S3)。由此，在实施方式中，如图4的粗体虚线所示，能够使处理液在由供给路径110、喷嘴41、待机部60、排出路径120构成的循环路径X中循环，其中，该供给路径110由循环路线110a和分支路线110b构成。
即，在实施方式中，在喷嘴41于待机部60进行虚拟分配处理的情况下，能够将被虚拟分配的处理液全部回收到罐102。因而，根据实施方式，能够降低处理液的消耗量。
接下来，如图5所示，处理单元16使喷嘴41向输入的晶圆W的上方移动(步骤S4)。此时，处理单元16关闭排出路径120的截止阀80(步骤S5)。由此，能够抑制排出路径120内的气体介质与晶圆W周围的气体介质混杂。
即，在实施方式中，在使喷嘴41自待机部60脱离的情况下，关闭作为气体介质截止机构的截止阀80，能够抑制图4所示的循环路径X内的气体介质与晶圆W周围的气体介质混杂。
然后，处理单元16打开阀44(步骤S6)。由此，如图5的粗体虚线所示，经由供给路径110和喷嘴41向晶圆W喷出处理液。
在实施方式中，如图4所示，能够在使喷嘴41于待机部60待机时，自喷嘴41持续虚拟分配利用加热器105和热电偶106调整到了规定的温度的处理液。由此，能够在开始自喷嘴41向晶圆W喷出处理液时，向晶圆W喷出温度相对于规定的温度未下降的处理液。
因而，根据实施方式，由于能够从喷出开始时起向晶圆W喷出规定的温度的处理液，因而能够实现由温度变化导致的偏差较少的稳定的液体处理。
＜气体介质截止机构的变形例＞
接下来，参照图6～图16对抑制循环路径X内的气体介质与晶圆W周围的气体介质混杂的气体介质截止机构的各种变形例进行说明。图6是表示实施方式的变形例1所涉及的气体介质截止机构的结构的图，图7是图6的A-A线剖视图。
如图6所示，变形例1所涉及的待机部60具有大致圆筒状的主体部61。在该主体部61，在内部形成有大致圆柱状的待机室62，在一端(图中的上端)形成有开口部63。而且，喷嘴41的顶端部能够贯穿于待机部60的开口部63而在待机室62待机。
而且，在变形例1中，在开口部63或与开口部63邻接有气体抽吸部64和气体喷出部65、66。在图6所示的例子中，气体抽吸部64和气体喷出部66与开口部63连接，气体喷出部65与开口部63邻接。
如图7所示，气体抽吸部64由外部连接路线64a、圆环路线64b以及多个内部连接路线64c构成。外部连接路线64a经由未图示的外部配管与泵等未图示的气体抽吸机构连接。圆环路线64b在主体部61的内部形成为大致圆环状。
多个内部连接路线64c将圆环路线64b与开口部63之间连接。而且，多个内部连接路线64c沿圆环路线64b的周向大致均匀地配置。
而且，气体抽吸部64通过使未图示的气体抽吸机构进行动作，能够经由外部连接路线64a、圆环路线64b以及多个内部连接路线64c抽吸开口部63的气体介质气体(日文：雰囲気ガス)。
而且，气体喷出部65、66也具有与图7所示的气体抽吸部64相同的结构，经由未图示的外部配管与供给氮气等非活性气体的气体供给源(未图示)连接。
而且，气体喷出部65、66通过使该气体供给源进行动作而能够经由外部连接路线、圆环路线以及多个内部连接路线向开口部63、开口部63附近喷出非活性气体。
而且，对于变形例1的待机部60，可以在多个金属制的环形成规定的槽、孔部并利用固定用螺纹孔67固定该多个环而形成。由此，能够简单地制造内部形成有外部连接路线、圆环路线、多个内部连接路线等的待机部60。
接下来，参照图8和图9对变形例1所涉及的气体介质截止机构的具体的动作进行说明。图8和图9是用于说明实施方式的变形例1所涉及的气体介质截止机构的动作的图(1)、(2)。
如图8所示，在使喷嘴41于待机部60待机的情况下，变形例1的处理单元16自气体抽吸部64抽吸喷嘴41附近的气体介质气体，并且自气体喷出部65向喷嘴41附近喷出非活性气体。此时，以平衡来自气体抽吸部64的气体介质气体的抽吸量与来自气体喷出部65的非活性气体的喷出量的方式进行抽吸和喷出。
由此，能够在使喷嘴41于待机部60待机的情况下抑制待机部60的外部(例如，晶圆W周围)的气体介质经由开口部63向待机室62流入。
而且，如图9所示，变形例1的处理单元16在使喷嘴41自待机部60脱离的情况下，自气体抽吸部64抽吸开口部63的气体介质，并且自气体喷出部65、66向开口部63、开口部63附近喷出非活性气体。
由此，变形例1的处理单元16能够在使喷嘴41自待机部60脱离的情况下，抑制待机部60的外部(例如，晶圆W周围)的气体介质经由开口部63向待机室62流入。
即，根据变形例1，无论是在使喷嘴41于待机部60待机的情况下，或是使喷嘴41自待机部60脱离的情况下，都能够抑制循环路径X内的气体介质与晶圆W周围的气体介质混杂。
而且，如图6等所示，形成于待机部60的开口部63的内径为喷嘴41的外径的2倍左右即可。由此，即使喷嘴41的位置些许产生了偏移，也能够没有问题地使喷嘴41贯穿，并且，能够有效地抑制晶圆W周围的气体介质经由开口部63向待机室62流入。
另外，图6等所示的气体抽吸部64和气体喷出部65、66的配置、结构仅为一个例子，只要能够抑制晶圆W周围的气体介质经由开口部63向待机室62流入，就可以为任意的配置、结构。
图10是表示实施方式的变形例2所涉及的气体介质截止机构的结构的图。如图10所示，变形例2的喷嘴41具有以包围喷嘴41的喷出部的方式形成的壁部41a。该壁部41a设于喷嘴41的喷出部附近，以自与喷嘴41的喷出方向大致垂直的下表面41b向喷嘴41的喷出方向突出的方式形成。
而且，在待机部60的上表面61a，在与喷嘴41的壁部41a相对应的位置形成有槽部61b。即，在变形例2中，喷嘴41的壁部41a和待机部60的槽部61b以互相嵌合的方式形成。而且，在待机部60的槽部61b利用未图示的水封供给源供给有DIW(De Ionized Water：去离子水)等水封68。
而且，如图10所示，变形例2的处理单元16能够在使喷嘴41于待机部60待机的情况下，利用水封68将待机部60的外部(例如，晶圆W周围)与待机室62之间密封。即，在变形例2中，由水封68构成密封机构。
因而，根据变形例2，能够在使喷嘴41于待机部60待机的情况下，抑制图4所示的循环路径X内的气体介质与晶圆W周围的气体介质混杂。
而且，在变形例2中，可以通过使用未图示的水封排出机构，从而在壁部41a进入槽部61b时，与槽部61b的水位的上升相配合地将储存于槽部61b内的水封68排出。由此，能够抑制因壁部41a的进入使水封68的水位上升而导致DIW等液体向开口部63溢出。
图11是表示实施方式的变形例3所涉及的气体介质截止机构的结构的图。如图11所示，变形例3的喷嘴41在喷嘴41的下表面41b设有O形密封圈69。而且，O形密封圈69设于与待机部60的上表面61a抵接的位置。
而且，如图11所示，变形例3的处理单元16能够通过在使喷嘴41于待机部60待机的情况下使O形密封圈69与上表面61a密合，从而将待机部60的外部(例如，晶圆W周围)与待机室62之间密封。即，在变形例3中，由O形密封圈69构成密封机构。
因而，根据变形例3，能够在使喷嘴41于待机部60待机的情况下，抑制图4所示的循环路径X内的气体介质与晶圆W周围的气体介质混杂。另外，在图11中，示出了作为密封机构而使用了O形密封圈69的例子，但作为同样的密封机构还可以使用V型密封件等。
图12是表示实施方式的变形例4所涉及的气体介质截止机构的结构的图。如图12所示，在待机部60的开口部63设有膨胀密封70。该膨胀密封70构成为通过使用空气、水等各种介质而能够在期望的时刻进行膨胀或收缩。
而且，变形例4的处理单元16能够通过在喷嘴41于待机部60待机的情况下使膨胀密封70膨胀而与喷嘴41密合，从而将待机部60的外部(例如，晶圆W周围)与待机室62之间密封。即，在变形例4中，由膨胀密封70构成密封机构。
因而，根据变形例4，能够在使喷嘴41于待机部60待机的情况下，抑制图4所示的循环路径X内的气体介质与晶圆W周围的气体介质混杂。
图13和图14是表示实施方式的变形例5所涉及的气体介质截止机构的结构的图(1)、(2)。如图13所示，变形例5的待机部60具有构成为沿着上表面61a可动且能够开闭开口部63的闸门71。
而且，如图13所示，变形例5的处理单元16能够通过在使喷嘴41自待机部60脱离的情况下利用闸门71封闭开口部63，从而将待机部60的外部(例如，晶圆W周围)与待机室62之间切断。
因而，根据变形例5，能够在使喷嘴41自待机部60脱离的情况下，抑制图4所示的循环路径X内的气体介质与晶圆W周围的气体介质混杂。
而且，如图14所示，变形例5的处理单元16在使喷嘴41于待机部60待机时，使闸门71进行动作而打开开口部63。然后，与变形例3相同，变形例5的处理单元16能够通过使设于喷嘴41的下表面41b的O形密封圈69与待机部60的上表面61a密合，从而将待机部60的外部与待机室62之间密封。
即，根据变形例5，无论是在使喷嘴41于待机部60待机的情况下，或是在使喷嘴41自待机部60脱离的情况下，都能够抑制循环路径X内的气体介质与晶圆W周围的气体介质混杂。
图15和图16是表示实施方式的变形例6所涉及的气体介质截止机构的结构的图(1)、(2)。如图15所示，变形例6的待机部60具有构成为在开口部63内可动且能够开闭该开口部63的多个闸门72。
该闸门72能够沿着自开口部63向大致水平方向形成的多个狭缝73可动。而且，与变形例1相同，变形例6的待机部60具有气体抽吸部64和气体喷出部65、66。
而且，如图15所示，变形例6的处理单元16能够通过在使喷嘴41自待机部60脱离的情况下利用多个闸门72封闭开口部63，从而将待机部60的外部与待机室62之间切断。
因而，根据变形例6，能够在使喷嘴41自待机部60脱离的情况下，抑制图4所示的循环路径X内的气体介质与晶圆W周围的气体介质混杂。
而且，如图16所示，变形例6的处理单元16在使喷嘴41于待机部60待机时，使多个闸门72进行动作而打开开口部63。然后，变形例6的处理单元16自气体抽吸部64抽吸开口部63的气体介质，并且自气体喷出部65、66向开口部63、开口部63附近喷出非活性气体。
由此，变形例6的处理单元16能够在使喷嘴41于待机部60待机时，抑制待机部60的外部的气体介质经由开口部63向待机室62流入。
即，根据变形例6，无论是在使喷嘴41于待机部60待机的情况下，或是在使喷嘴41自待机部60脱离的情况下，都能够抑制循环路径X内的气体介质与晶圆W周围的气体介质混杂。
另外，在上述的各种变形例中，示出了将变形例1的结构、变形例3的结构与闸门71、72组合而进一步构成了气体介质截止机构的例子，但还可以将其他的变形例的结构与闸门71、72组合而进一步构成气体介质截止机构。
＜排出路径的详细结构＞
接下来，参照图17对基板处理系统1的排出路径120的详细结构进行说明。图17是表示实施方式所涉及的排出路径120的详细结构的图。另外，以下对基板处理系统1内的处理单元16在水平方向上各排列配置两个、且在垂直方向上堆叠三层地构成的情况进行说明。
如图17所示，排出路径120具有第1排出路径120a、第2排出路径120b以及第3排出路径120c。
第1排出路径120a为排出路径120中的、自处理单元16的待机部60向朝下方向延伸的部位。即，在排出路径120设有与处理单元16相同数量的(图中，六个)第1排出路径120a。而且，在第1排出路径120a设有截止阀80。
第2排出路径120b为将排出路径120中的、沿水平方向排列的处理单元16的第1排出路径120a彼此连接、且自水平方向略微倾斜地延伸的部位。即，在排出路径120设有与处理单元16的堆叠数相同数量的(图中，三个)第2排出路径120b。
第3排出路径120c为排出路径120中的、将多个第2排出路径120b彼此连接、且向朝下方向延伸的部位。在图17所示的例子中，第3排出路径120c共通化为一个。而且，第3排出路径120c与配置于全部处理单元16的下方(例如，10m左右的下方)的罐102连接。
而且，由处理单元16的待机部60虚拟分配后的处理液在重力的作用下经由第1排出路径120a、第2排出路径120b以及第3排出路径120c返回到罐102。
在此，由于罐102配置于比处理单元16低很多的下方，因而，存在由于该落差使经由排出路径120的处理液的流速过度增加，而导致处理液产生气泡的情况。由此，可能产生处理液内的溶解氧量增加等不良状况。
于是，在实施方式中，为了抑制该不良状况，而在排出路径120设置液面传感器130和控制阀140。接着，以下对该液面传感器130和控制阀140的结构和动作进行说明。
液面传感器130设于自第3排出路径120c分支并向朝上方向延伸的分支路径121。液面传感器130具有第1液面传感器131和第2液面传感器132。
第1液面传感器131在排出路径120内的液面高度成为了规定的第1液面高度以上的情况下输出开信号，在排出路径120内的液面高度低于第1液面高度的情况下输出关信号。而且，第2液面传感器132在排出路径120内的液面高度成为了规定的第2液面高度以上的情况下输出开信号，在排出路径120内的液面高度低于第2液面高度的情况下输出关信号。
而且，第2液面高度设定于比第1液面高度低的位置。即，第2液面传感器132设于比第1液面传感器131低的位置。此外，第1液面高度设定于比多个处理单元16的待机部60中的、最低的待机部60更低的位置。
控制阀140设于比第3排出路径120c中的分支路径121所分支的位置靠下游侧的位置，控制在排出路径120内流动的处理液的流量。例如，控制阀140具有第1控制阀141、第2控制阀142以及第3控制阀143，该第1控制阀141、该第2控制阀142以及该第3控制阀143并列地构成。
而且，以利用全部六个处理单元16进行虚拟分配处理时喷出的处理液的流量、与第1控制阀141、第2控制阀142以及第3控制阀143打开的情况下流过的流量一致的方式设定各阀的大小。
此外，以利用六个处理单元16中的四个处理单元16进行虚拟分配处理时喷出的处理液的流量、与第2控制阀142和第3控制阀143打开的情况下流过的流量一致的方式，设定各阀的大小。
此外，以利用六个处理单元16中的两个处理单元16进行虚拟分配处理时喷出的处理液的流量、与第3控制阀143打开时流过的流量一致的方式设定第3控制阀143的大小。
＜控制阀的行为模式＞
接下来，参照图18对控制阀140的行为模式的具体例进行说明。图18是表示实施方式所涉及的控制阀140的行为模式的具体例的时序图。另外，该控制阀140由控制部18进行控制。
在时间T0，进行虚拟分配处理的处理单元16的数量为六个。因而，通过将第1控制阀141、第2控制阀142以及第3控制阀143全部设为开(开放)状态，能够使排出路径120内的液面高度保持恒定。
而且，在时间T0，排出路径120内的液面高度在第1液面高度与第2液面高度之间被保持恒定。因而，自第1液面传感器131输出关信号，自第2液面传感器132输出开信号。
接着，在时间T1，将进行虚拟分配处理的处理单元16的数量从六个减至五个。于是，流过排出路径120的处理液的流量减少，因而，排出路径120内的液面高度下降。于是，在时间T2处排出路径120内的液面高度低于第2液面高度时，自第2液面传感器132输出关信号。
这样，在自第2液面传感器132输出了关信号的情况下，控制部18关闭第1控制阀141(成为关状态)(时间T3)。于是，经过控制阀140的处理液的流量减少，因而排出路径120内的液面高度上升。然后，在于时间T4排出路径120内的液面高度成为第2液面高度以上时，自第2液面传感器132输出开信号。
然后，排出路径120内的液面高度仍继续上升，在时间T5处排出路径120内的液面高度成为第1液面高度以上时，自第1液面传感器131输出开信号。
这样，在自第1液面传感器131输出了开信号的情况下，控制部18打开第1控制阀141(时间T6)。于是，经过控制阀140的处理液的流量增加，因而排出路径120内的液面高度下降。然后，在于时间T7排出路径120内的液面高度低于第1液面高度时，自第1液面传感器131输出关信号。
然后，排出路径120内的液面高度仍继续下降，在时间T8处排出路径120内的液面高度低于第2液面高度时，自第2液面传感器132输出关信号。
这样，在自第2液面传感器132输出了关信号的情况下，控制部18关闭第1控制阀141(时间T9)。于是，经过控制阀140的处理液的流量减少，因而排出路径120内的液面高度上升。然后，在时间Ta处排出路径120内的液面高度成为第2液面高度以上时，自第2液面传感器132输出开信号。
如至此已说明的那样，在进行虚拟分配处理的处理单元16的数量为五个的情况下，控制部18基于来自第1液面传感器131的输出和来自第2液面传感器132的输出而开闭第1控制阀141。由此，控制部18能够将排出路径120内的液面高度保持在第1液面高度与第2液面高度之间。
因而，根据实施方式，能够减小自待机部60喷出的处理液的落差，因而能够抑制经过排出路径120的处理液产生气泡。
接着，在时间Tb中，将进行虚拟分配处理的处理单元16的数量从五个减至四个。该情况下，通过关闭第1控制阀141，并且打开第2控制阀142和第3控制阀143，而使被虚拟分配处理的处理液的流量与流过控制阀140的处理液的流量平衡。
因而，排出路径120内的液面高度在第1液面高度与第2液面高度之间被保持恒定。
接着，在时间Tc中，将进行虚拟分配处理的处理单元16的数量从四个减至三个。于是，流过排出路径120的处理液的流量减少，因而排出路径120内的液面高度下降。然后，在时间Td处排出路径120内的液面高度低于第2液面高度时，自第2液面传感器132输出关信号。
这样，在自第2液面传感器132输出了关信号的情况下，控制部18关闭第2控制阀142(时间Te)。于是，经过控制阀140的处理液的流量减少，因而排出路径120内的液面高度上升。然后，在时间Tf处排出路径120内的液面高度成为第2液面高度以上时，自第2液面传感器132输出开信号。
然后，排出路径120内的液面高度仍继续上升，在时间Tg处排出路径120内的液面高度成为第1液面高度以上时，自第1液面传感器131输出开信号。
这样，在自第1液面传感器131输出了开信号的情况下，控制部18打开第2控制阀142(时间Th)。于是，经过控制阀140的处理液的流量增加，因而排出路径120内的液面高度下降。然后，在时间Ti处排出路径120内的液面高度低于第1液面高度时，自第1液面传感器131输出关信号。
然后，排出路径120内的液面高度仍继续下降，在时间Tj处排出路径120内的液面高度低于第2液面高度时，自第2液面传感器132输出关信号。
这样，在自第2液面传感器132输出了关信号的情况下，控制部18关闭第2控制阀142(时间Tk)。于是，经过控制阀140的处理液的流量减少，因而排出路径120内的液面高度上升。然后，在时间Tl处排出路径120内的液面高度成为第2液面高度以上时，自第2液面传感器132输出开信号。
如至此已说明的那样，在进行虚拟分配处理的处理单元16的数量为三个的情况下，控制部18基于来自第1液面传感器131的输出和来自第2液面传感器132的输出而开闭第2控制阀142。由此，控制部18能够将排出路径120内的液面高度保持在第1液面高度与第2液面高度之间。
因而，根据实施方式，能够减小自待机部60喷出的处理液的落差，因而能够抑制经过排出路径120的处理液产生气泡。
接着，在时间Tm中，将进行虚拟分配处理的处理单元16的数量从三个减至两个。该情况下，通过关闭第1控制阀141和第2控制阀142，并且打开第3控制阀143，从而使被虚拟分配处理的处理液的流量与流过控制阀140的处理液的流量平衡。
因而，排出路径120内的液面高度在第1液面高度与第2液面高度之间被保持恒定。
接着，在时间Tn中，将进行虚拟分配处理的处理单元16的数量从两个减至一个。于是，流过排出路径120的处理液的流量减少，因而排出路径120内的液面高度下降。然后，在时间To处排出路径120内的液面高度低于第2液面高度时，自第2液面传感器132输出关信号。
这样，在自第2液面传感器132输出了关信号的情况下，控制部18关闭第3控制阀143(时间Tp)。于是，处理液不流过控制阀140，因而排出路径120内的液面高度上升。然后，在时间Tq处排出路径120内的液面高度成为第2液面高度以上时，自第2液面传感器132输出开信号。
然后，排出路径120内的液面高度仍继续上升，在时间Tr处排出路径120内的液面高度成为第1液面高度以上时，自第1液面传感器131输出开信号。
这样，在自第1液面传感器131输出了开信号的情况下，控制部18打开第3控制阀143(时间Ts)。于是，经过控制阀140的处理液的流量增加，因而排出路径120内的液面高度下降。然后，在时间Tt处排出路径120内的液面高度低于第1液面高度时，自第1液面传感器131输出关信号。
然后，排出路径120内的液面高度仍继续下降，在时间Tu处排出路径120内的液面高度低于第2液面高度时，自第2液面传感器132输出关信号。
这样，在自第2液面传感器132输出了关信号的情况下，控制部18关闭第3控制阀143(时间Tv)。于是，处理液不流过控制阀140，因而排出路径120内的液面高度上升。然后，在时间Tw处排出路径120内的液面高度成为第2液面高度以上时，自第2液面传感器132输出开信号。
如至此已说明的那样，在进行虚拟分配处理的处理单元16的数量为一个的情况下，控制部18基于来自第1液面传感器131的输出和来自第2液面传感器132的输出而开闭第3控制阀143。由此，控制部18能够将排出路径120内的液面高度保持在第1液面高度与第2液面高度之间。
因而，根据实施方式，能够减小自待机部60喷出的处理液的落差，因而能够抑制经过排出路径120的处理液产生气泡。
最后，在时间Tx中，将进行虚拟分配处理的处理单元16的数量从一个减至零。该情况下，通过将第1控制阀141、第2控制阀142以及第3控制阀143全部关闭，从而处理液不流过控制阀140，因而排出路径120内的液面高度在第1液面高度与第2液面高度之间被保持恒定。
如上所述，在实施方式中，根据进行虚拟分配处理的处理单元16的数量，以分别单独开闭的方式对第1控制阀141、第2控制阀142以及第3控制阀143进行控制。
在此，假设根据进行虚拟分配处理的处理单元16的数量而以同时开闭的方式对多个阀进行了控制，则由于开闭阀时产生的时间滞后，而可能产生与期望的流量不同的流量的处理液的流动的不良状况。
然而，在实施方式中，不是同时开闭而是以分别单独开闭的方式对第1控制阀141、第2控制阀142以及第3控制阀143进行控制，因而能够抑制该时间滞后所产生的不良状况。
而且，在实施方式中，如图17所示，可以是，将第1液面传感器131和第2液面传感器132配置于最低的待机部60的下方且靠近该待机部60，将控制阀140靠近罐102地配置。
这样，通过将第1液面传感器131和第2液面传感器132配置于最低的待机部60的下方且靠近该待机部60，能够将排出路径120内的液面高度设定于该待机部60的附近。因而，根据实施方式，能够抑制气体介质大量进入排出路径120的内部。
而且，通过将控制阀140靠近罐102地配置，能够在控制阀140打开时，抑制排出路径120内的处理液趁势向罐102流入而在处理液内产生气泡。
＜排出路径的变形例＞
接下来，参照图19～图22对排出路径120的各种变形例进行说明。图19是表示实施方式的变形例7所涉及的排出路径120A～120C的详细结构的图。在该变形例7中，在处理单元16的各层设有排出路径120A～120C的方面与实施方式不同。
如图19所示，在变形例7的基板处理系统1设有将上层的两个处理单元16与罐102连接的排出路径120A，并设有将中层的两个处理单元16与罐102连接的排出路径120B。而且，在变形例7的基板处理系统1设有将下层的两个处理单元16与罐102连接的排出路径120C。
该排出路径120A、120B、120C均与实施方式的排出路径120相同，由第1排出路径120a、第2排出路径120b以及第3排出路径120c构成。
而且，在排出路径120A设有自第2排出路径120b分支的分支路径121A，在该分支路径121A设有液面传感器130A。此外，在排出路径120A的第3排出路径120c设有控制阀140A。
而且，在排出路径120B设有自第2排出路径120b分支的分支路径121B，在该分支路径121B设有液面传感器130B。此外，在排出路径120B的第3排出路径120c设有控制阀140B。
而且，在排出路径120C设有自第2排出路径120b分支的分支路径121C，在该分支路径121C设有液面传感器130C。此外，在排出路径120C的第3排出路径120c设有控制阀140C。
另外，在排出路径120A～120C中，液面传感器130A～130C的配置、结构与实施方式相同。而且，以由两个处理单元16进行虚拟分配处理时喷出的处理液的流量、与控制阀140A～140C打开的情况下流过的流量一致的方式，设定控制阀140A～140C的大小。
接下来，参照图20对变形例7中的控制阀140A的行为模式的具体例进行说明。图20是表示实施方式的变形例7所涉及的控制阀140A的行为模式的具体例的时序图。
在时间T0，进行虚拟分配处理的处理单元16的数量为两个。因而，能够通过打开控制阀140A，从而将排出路径120A内的液面高度保持恒定。
而且，在时间T0，排出路径120A内的液面高度在第1液面高度与第2液面高度之间被保持恒定。因而，自第1液面传感器131A输出关信号，自第2液面传感器132A输出开信号。
接着，在时间T1中，将进行虚拟分配处理的处理单元16的数量从两个减至一个。于是，流过排出路径120A的处理液的流量减少，因而排出路径120A内的液面高度下降。然后，在时间T2处排出路径120A内的液面高度低于第2液面高度时，自第2液面传感器132A输出关信号。
这样，在自第2液面传感器132A输出了关信号的情况下，控制部18关闭控制阀140A(时间T3)。于是，处理液不流过控制阀140A，因而排出路径120A内的液面高度上升。然后，在时间T4处排出路径120A内的液面高度成为第2液面高度以上时，自第2液面传感器132A输出开信号。
之后，排出路径120A内的液面高度仍继续上升，在时间T5处排出路径120A内的液面高度成为第1液面高度以上时，自第1液面传感器131A输出开信号。
这样，在自第1液面传感器131A输出了开信号的情况下，控制部18打开控制阀140A(时间T6)。于是，经过控制阀140A的处理液的流量增加，因而排出路径120A内的液面高度下降。然后，在时间T7处排出路径120A内的液面高度低于第1液面高度时，自第1液面传感器131A输出关信号。
之后，排出路径120A内的液面高度仍继续下降，在时间T8处排出路径120A内的液面高度低于第2液面高度时，自第2液面传感器132A输出关信号。
这样，在自第2液面传感器132A输出了关信号的情况下，控制部18关闭控制阀140A(时间T9)。于是，处理液不流过控制阀140A，因而排出路径120A内的液面高度上升。然后，在时间Ta处排出路径120A内的液面高度成为第2液面高度以上时，自第2液面传感器132A输出开信号。
如至此已说明的那样，在进行虚拟分配处理的处理单元16的数量为一个的情况下，控制部18基于来自第1液面传感器131的输出和来自第2液面传感器132A的输出而开闭控制阀140A。由此，控制部18能够将排出路径120A内的液面高度保持在第1液面高度与第2液面高度之间。
因而，根据变形例7，能够减小自待机部60喷出的处理液的落差，因而能够抑制经过排出路径120A的处理液产生气泡。
最后，在时间Tb中，将进行虚拟分配处理的处理单元16的数量从一个减至零。该情况下，通过关闭控制阀140A，处理液不流过控制阀140A，因而排出路径120A内的液面高度在第1液面高度与第2液面高度之间被保持恒定。
另外，在排出路径120B和排出路径120C中，对控制阀140B和控制阀140C进行控制的方法也与上述相同。
图21是表示实施方式的变形例8所涉及的排出路径120的详细结构的图。在该变形例8中，在代替液面传感器130和控制阀140而在排出路径120设有背压阀150的方面与实施方式不同。
如图21所示，在变形例8的基板处理系统1中，在排出路径120设有背压阀150。而且，能够通过将该背压阀150的初级侧压力设定为规定的水头压力P，从而将排出路径120内的处理液控制在规定的液面高度H。
因而，根据变形例8，能够减小自待机部60喷出的处理液的落差，因而能够抑制经过排出路径120的处理液产生气泡。
图22是表示实施方式的变形例9所涉及的排出路径120A～120C的详细结构的图。在该变形例9中，在代替液面传感器130A～130C和控制阀140A～140C而在排出路径120A～120C设有背压阀150A～150C的方面与实施方式不同。
如图22所示，变形例9的基板处理系统1在排出路径120A设有背压阀150A，在排出路径120B设有背压阀150B，在排出路径120C设有背压阀150C。
而且，通过将背压阀150A的初级侧压力设定为规定的水头压力Pa，能够将排出路径120A内的处理液控制为规定的液面高度Ha。而且，通过将背压阀150B的初级侧压力设定为规定的水头压力Pb，能够将排出路径120B内的处理液控制为规定的液面高度Hb。
此外，通过将背压阀150C的初级侧压力设定为规定的水头压力Pc，能够将排出路径120C内的处理液控制为规定的液面高度Hc。
因而，根据变形例9，能够在全部排出路径120A～120C中减小自待机部60喷出的处理液的落差，因而能够抑制经过排出路径120A～120C的处理液产生气泡。
另外，在上述实施方式中，对基板处理系统1内的处理单元16沿水平方向各排列配置两个的例子进行了说明，但沿水平方向排列的处理单元16的数量并不限定于两个。而且，在上述实施方式中，对基板处理系统1内的处理单元16在垂直方向上堆叠三层地构成的情况进行了说明，但在垂直方向上堆叠的数量并不限定于三层。
实施方式所涉及的基板处理装置(基板处理系统1)包括喷嘴41、待机部60、供给路径110、排出路径120、循环路径X以及气体介质截止机构。喷嘴41向基板(晶圆W)喷出处理液。待机部60具有开口部63，使喷嘴41贯穿于开口部63而待机。供给路径110向喷嘴41供给处理液。排出路径120自待机部60排出处理液。循环路径X通过喷嘴41、待机部60、供给路径110以及排出路径120相连而形成。气体介质截止机构设于循环路径X，用于将循环路径X的内部与基板(晶圆W)的周围之间切断。由此，能够抑制循环路径X内的气体介质与晶圆W周围的气体介质混杂。
而且，在实施方式所涉及的基板处理装置(基板处理系统1)中，排出路径120具有用于切断处理液的自待机部60向排出路径120的流入的截止阀80，气体介质截止机构为截止阀80。由此，能够在使喷嘴41自待机部60脱离的情况下抑制循环路径X内的气体介质与晶圆W周围的气体介质混杂。
而且，在实施方式所涉及的基板处理装置(基板处理系统1)中，气体介质截止机构为开闭开口部63的闸门71、72。由此，能够在使喷嘴41自待机部60脱离的情况下抑制循环路径X内的气体介质与晶圆W周围的气体介质混杂。
而且，在实施方式所涉及的基板处理装置(基板处理系统1)中，气体介质截止机构由开口部63以及与开口部63邻接的气体抽吸部64和气体喷出部65、66构成。由此，无论是在使喷嘴41于待机部60待机的情况下，或者是使喷嘴41自待机部60脱离的情况下，都能够抑制循环路径X内的气体介质与晶圆W周围的气体介质混杂。
而且，在实施方式所涉及的基板处理装置(基板处理系统1)中，气体介质截止机构为用于将喷嘴41与待机部60之间密封的密封机构(水封68、O形密封圈69、膨胀密封70)。由此，能够在使喷嘴41于待机部60待机时抑制循环路径X内的气体介质与晶圆W周围的气体介质混杂。
而且，实施方式所涉及的基板处理装置(基板处理系统1)还包括罐102，该罐102设于待机部60的下方，与供给路径110和排出路径120连接，且储存处理液。由此，能够将由该罐102储存的处理液稳定地向晶圆W供给。
而且，在实施方式所涉及的基板处理装置(基板处理系统1)中，排出路径120具有检测排出路径120内的处理液的液面高度的液面传感器130和控制处理液的自排出路径120向罐102的流入的控制阀140。由此，能够减小自待机部60喷出的处理液的落差，因而能够抑制经过排出路径120的处理液产生气泡。
而且，在实施方式所涉及的基板处理装置(基板处理系统1)中，液面传感器130配置于最低的待机部60的下方且靠近该待机部60，控制阀140靠近罐102地配置。由此，能够抑制气体介质大量进入排出路径120的内部，并且能够抑制处理液内产生气泡。
而且，在实施方式所涉及的基板处理装置(基板处理系统1)中，排出路径120具有背压阀150。由此，能够减小自待机部60喷出的处理液的落差，因而能够抑制经过排出路径120的处理液产生气泡。
而且，实施方式所涉及的基板处理方法基于上述记载的基板处理装置(基板处理系统1)，在喷嘴41于待机部60待机的状态下，自喷嘴41喷出处理液且使处理液在循环路径X中循环。而且，在喷嘴41向基板(晶圆W)喷出处理液的状态下，由气体介质截止机构将循环路径X的内部与基板(晶圆W)的周围之间切断。由此，能够抑制循环路径X内的气体介质与晶圆W周围的气体介质混杂。
而且，实施方式所涉及的基板处理方法基于上述记载的基板处理装置(基板处理系统1)，在排出路径120内的处理液的液面高度成为了规定的第1液面高度以上的情况下，打开控制阀140。而且，在排出路径120内的处理液的液面高度成为了低于第1液面高度的规定的第2液面高度以下的情况下，对控制阀140收紧。由此，能够减小自待机部60喷出的处理液的落差，能够抑制经过排出路径120的处理液产生气泡。
而且，在实施方式所涉及的基板处理方法中，第1液面高度为低于待机部60的位置。由此，能够抑制处理液自排出路径120逆流而自待机部60溢出。
以上，对本公开的实施方式进行了说明，但本公开并不限定于上述实施方式，只要不偏离其主旨，就能够进行各种变更。
应该认为，此次公开的实施方式在全部方面均为例示，并不用于限制本发明。实际上，上述的实施方式能够以多种多样的方式来实现。而且，上述的实施方式在不偏离附加的权利要求及其主旨的范围内，可以以各种各样的方式进行省略、替换、变更。

Claims (13)

1.一种基板处理装置，其中，
该基板处理装置包括：
喷嘴，其向基板喷出处理液；
待机部，其具有开口部，该待机部使所述喷嘴贯穿于所述开口部而待机；
供给路径，其向所述喷嘴供给所述处理液；
排出路径，其自所述待机部排出所述处理液；
循环路径，其通过所述喷嘴、所述待机部、所述供给路径以及所述排出路径相连而形成；以及
气体介质截止机构，其设于所述循环路径，用于将所述循环路径的内部与所述基板的周围之间切断。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述排出路径具有截止阀，该截止阀用于切断所述处理液的自所述待机部向所述排出路径的流入，
所述气体介质截止机构为所述截止阀。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述气体介质截止机构为开闭所述开口部的闸门。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述气体介质截止机构由所述开口部以及与所述开口部邻接的气体抽吸部和气体喷出部构成。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述气体介质截止机构为用于将所述喷嘴与所述待机部之间密封的密封机构。
6.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还包括罐，该罐设于所述待机部的下方，与所述供给路径和所述排出路径连接，储存所述处理液。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，
所述排出路径具有检测所述排出路径内的所述处理液的液面高度的液面传感器和控制所述处理液的自所述排出路径向所述罐的流入的控制阀。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，
所述液面传感器配置于最低的所述待机部的下方且靠近该待机部，
所述控制阀靠近所述罐地配置。
9.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，
所述排出路径具有背压阀。
10.一种基板处理方法，其中，
该基板处理方法基于权利要求1～9中任一项所述的基板处理装置，
在所述喷嘴于所述待机部待机的状态下，自所述喷嘴喷出所述处理液且使所述处理液在所述循环路径中循环，
在所述喷嘴向所述基板喷出所述处理液的状态下，由所述气体介质截止机构将所述循环路径的内部与所述基板的周围之间切断。
11.一种基板处理方法，其中，
该基板处理方法基于权利要求7或8所述的基板处理装置，
在所述排出路径内的所述处理液的液面高度成为了规定的第1液面高度以上的情况下，打开所述控制阀，
在所述排出路径内的所述处理液的液面高度成为了低于所述第1液面高度的规定的第2液面高度以下的情况下，对所述控制阀收紧。
12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其中，
所述第1液面高度为低于所述待机部的位置。
13.一种存储介质，其中，
该存储介质存储有使计算机执行权利要求10～12中任一项所述的基板处理方法的程序。
CN201910809056.4A 2018-08-30 2019-08-29 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质 Withdrawn CN110875220A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-161845 2018-08-30
JP2018161845A JP2020035920A (ja) 2018-08-30 2018-08-30 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110875220A true CN110875220A (zh) 2020-03-10

Family

ID=69639637

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910809056.4A Withdrawn CN110875220A (zh) 2018-08-30 2019-08-29 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20200070196A1 (zh)
JP (1) JP2020035920A (zh)
KR (1) KR20200026089A (zh)
CN (1) CN110875220A (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200134352A (ko) * 2019-05-21 2020-12-02 삼성전자주식회사 스핀 코터 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
JP7487006B2 (ja) * 2020-05-19 2024-05-20 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法
JP7562328B2 (ja) 2020-07-31 2024-10-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR20230057511A (ko) * 2021-10-21 2023-05-02 세메스 주식회사 액 공급 유닛, 이를 가지는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3808801A1 (de) * 1988-03-16 1989-10-05 Behr Industrieanlagen Verfahren und vorrichtung zum reinigen einer spruehvorrichtung
DE4129778A1 (de) * 1991-09-07 1992-07-09 Daimler Benz Ag Einrichtung zum selbsttaetigen und emissionsarmen reinigen von maschinengefuehrten spruehorganen
JP3317855B2 (ja) 1996-09-02 2002-08-26 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置
JP2000176352A (ja) * 1998-12-17 2000-06-27 Sony Corp 回転塗布装置
US6579370B2 (en) * 2000-05-16 2003-06-17 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for coating treatment
US20050048208A1 (en) * 2003-09-02 2005-03-03 Yao-Hwan Kao Resist supply apparatus with resist recycling function, coating system having the same and method of resist recycling
JP2007149891A (ja) * 2005-11-25 2007-06-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP4731377B2 (ja) * 2006-03-30 2011-07-20 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2008176161A (ja) * 2007-01-22 2008-07-31 Seiko Epson Corp 半導体製造装置
JP5893592B2 (ja) * 2013-08-23 2016-03-23 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP6737436B2 (ja) * 2015-11-10 2020-08-12 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 膜処理ユニットおよび基板処理装置
JP6839990B2 (ja) * 2017-01-31 2021-03-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理液供給装置、基板処理装置、および処理液供給方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020035920A (ja) 2020-03-05
KR20200026089A (ko) 2020-03-10
US20200070196A1 (en) 2020-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110875220A (zh) 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
TWI723781B (zh) 基板處理裝置
KR101932869B1 (ko) 기판 처리 장치
TWI788884B (zh) 基板處理裝置
KR102434098B1 (ko) 기판 액처리 장치
US10500617B2 (en) Substrate liquid treatment apparatus, tank cleaning method and non-transitory storage medium
KR101101632B1 (ko) 기판 반송 장치, 기판 반송 방법 및 컴퓨터 판독 가능한기억 매체
US10074546B2 (en) Processing liquid supplying apparatus and processing liquid supplying method
KR102009917B1 (ko) 기판 액처리 장치
US10381246B2 (en) Substrate processing apparatus
KR20180034438A (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
TW201639067A (zh) 基板液體處理裝置
KR101696194B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
CN107527839B (zh) 基板处理装置、基板处理装置的清洗方法和存储介质
TW202100255A (zh) 用於供應液體之單元、用於處理具有該單元之基板的設備及方法
US8905051B2 (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
CN108292597B (zh) 液处理装置
US20230201865A1 (en) Home pot and an apparatus for treating a substrate
JP6101228B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
US11673075B2 (en) Degassing apparatus and substrate treating apparatus
KR102644203B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
KR20150144449A (ko) 기판 처리 장치 및 이의 세정 방법
KR102384082B1 (ko) 기판 액 처리 장치
KR20220159267A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WW01 Invention patent application withdrawn after publication
WW01 Invention patent application withdrawn after publication

Application publication date: 20200310