KR102228490B1 - 기판 처리 장치 및 액 공급 장치 - Google Patents

Abstract

기판 처리의 면내 균일성을 높이는 것.
실시형태에 따른 기판 처리 장치는, 유지 기구와, 복수의 노즐과, 조정부를 구비한다. 유지 기구는, 기판을 회전 가능하게 유지한다. 복수의 노즐은, 유지 기구에 유지된 기판의 직경 방향으로 배열되어 배치되며, 기판에 대하여 약액을 공급한다. 조정부는, 제1 온도의 약액과 제1 온도보다 고온의 제2 온도의 약액을 미리 정해진 비율로 각 노즐에 공급한다. 또한, 조정부는, 기판의 외주부측에 배치되는 노즐에 대하여, 기판의 중심부측에 배치되는 노즐보다 제2 온도의 약액을 높은 비율로 공급한다. 그리고, 각 노즐은, 공급된 제1 온도의 약액과 제2 온도의 약액이 혼합된 약액을 기판에 대하여 공급한다.

Description

기판 처리 장치 및 액 공급 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND LIQUID SUPPLY APPARATUS}

개시된 실시형태는, 기판 처리 장치 및 액 공급 장치에 관한 것이다.

종래, 반도체 디바이스의 제조 공정에서는, 실리콘 웨이퍼나 화합물 반도체 웨이퍼 등의 기판에 대하여 약액을 공급하는 처리가 행해진다.

예컨대, 특허문헌 1에는, 회전하는 기판의 중심부에 노즐을 위치시킨 후, 이러한 노즐로부터 회전하는 기판에 대하여 HF(불화수소) 등의 에칭액을 공급함으로써, 기판 상에 형성된 실리콘막을 에칭 제거하는 기술이 개시되어 있다.

특허문헌 1: 일본 특허 공표 제2010-528470호 공보

그러나, 전술한 종래 기술에는, 기판 처리의 면내 균일성을 높인다고 하는 점에서 추가적인 개선의 여지가 있었다.

예컨대, 전술한 종래 기술에 있어서, 기판의 중심부에 공급된 에칭액은, 기판의 외주부에 도달할 때까지 온도가 저하하기 때문에, 기판의 외주부에 있어서의 에칭 레이트가 중심부에 있어서의 에칭 레이트보다 적어질 우려가 있다.

실시형태의 일양태는, 기판 처리의 면내 균일성을 높일 수 있는 기판 처리 장치 및 액 공급 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

실시형태의 일양태에 따른 기판 처리 장치는, 유지 기구와, 복수의 노즐과, 조정부를 구비한다. 유지 기구는, 기판을 회전 가능하게 유지한다. 복수의 노즐은, 유지 기구에 유지된 기판의 직경 방향으로 배열되어 배치되며, 기판에 대하여 약액을 공급한다. 조정부는, 제1 온도의 약액과 제1 온도보다 고온의 제2 온도의 약액을 미리 정해진 비율로 각 노즐에 공급한다. 또한, 조정부는, 기판의 외주부측에 배치되는 노즐에 대하여, 기판의 중심부측에 배치되는 노즐보다 제2 온도의 약액을 높은 비율로 공급한다. 그리고, 각 노즐은, 공급된 제1 온도의 약액과 제2 온도의 약액이 혼합된 약액을 기판에 대하여 공급한다.

실시형태의 일양태에 따르면, 외주부의 약액 온도의 저하가 억제됨으로써 기판 처리의 면내 균일성을 높일 수 있다.

도 1은 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 처리 유닛의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 3은 기판 유지 기구 및 처리 유체 공급부의 구성을 나타내는 도면이다.
도 4a는 회전하는 웨이퍼의 중심부에 에칭액을 공급한 경우에 있어서의 웨이퍼 위치와 에칭 레이트의 관계를 나타내는 도면이다.
도 4b는 제1 실시형태에 있어서의 에칭액의 온도와 웨이퍼 위치의 관계를 나타내는 도면이다.
도 5는 처리 유체 공급원의 구성을 나타내는 도면이다.
도 6은 처리 유체 공급원의 다른 구성을 나타내는 도면이다.
도 7은 조정부의 모식 평단면도이다.
도 8은 도 7에 있어서의 A-A 단면도이다.
도 9a는 조정부의 다른 구성을 나타내는 도면이다.
도 9b는 조정부의 다른 구성을 나타내는 도면이다.
도 10은 제2 실시형태에 따른 기판 유지 기구 및 처리 유체 공급부의 구성을 나타내는 도면이다.
도 11은 제2 실시형태에 따른 조정부의 구성을 나타내는 도면이다.
도 12는 제3 실시형태에 따른 조정부의 구성을 나타내는 도면이다.

이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원이 개시하는 기판 처리 장치 및 액 공급 장치의 실시형태를 상세하게 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시형태에 의해 본 발명이 한정되는 것이 아니다.

(제1 실시형태)

도 1은 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 도면이다. 이하에서는, 위치 관계를 명확하게 하기 위해, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 한다.

도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 반입출 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 인접하여 마련된다.

반입출 스테이션(2)은, 캐리어 배치부(11)와, 반송부(12)를 구비한다. 캐리어 배치부(11)에는, 복수매의 기판, 제1 실시형태에서는 반도체 웨이퍼[이하 웨이퍼(W)]를 수평 상태로 수용하는 복수의 캐리어(C)가 배치된다.

반송부(12)는, 캐리어 배치부(11)에 인접하여 마련되고, 내부에 기판 반송 장치(13)와, 전달부(14)를 구비한다. 기판 반송 장치(13)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(13)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하며, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 캐리어(C)와 전달부(14) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.

처리 스테이션(3)은, 반송부(12)에 인접하여 마련된다. 처리 스테이션(3)은, 반송부(15)와, 복수의 처리 유닛(16)을 구비한다. 복수의 처리 유닛(16)은, 반송부(15)의 양측에 배열되어 마련된다.

반송부(15)는, 내부에 기판 반송 장치(17)를 구비한다. 기판 반송 장치(17)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(17)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하며, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 전달부(14)와 처리 유닛(16) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.

처리 유닛(16)은, 기판 반송 장치(17)에 의해 반송되는 웨이퍼(W) 에 대하여 소정의 기판 처리를 행한다.

또한, 기판 처리 시스템(1)은, 제어 장치(4)를 구비한다. 제어 장치(4)는, 예컨대 컴퓨터이며, 제어부(18)와 기억부(19)를 구비한다. 기억부(19)에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(18)는, 기억부(19)에 기억된 프로그램을 읽어내어 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다.

또한, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로서, 그 기억 매체로부터 제어 장치(4)의 기억부(19)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예컨대 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.

상기한 바와 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에서는, 우선, 반입출 스테이션(2)의 기판 반송 장치(13)가, 캐리어 배치부(11)에 배치된 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하고, 취출한 웨이퍼(W)를 전달부(14)에 배치한다. 전달부(14)에 배치된 웨이퍼(W)는, 처리 스테이션(3)의 기판 반송 장치(17)에 의해 전달부(14)로부터 취출되어, 처리 유닛(16)에 반입된다.

처리 유닛(16)에 반입된 웨이퍼(W)는, 처리 유닛(16)에 의해 처리된 후, 기판 반송 장치(17)에 의해 처리 유닛(16)으로부터 반출되어, 전달부(14)에 배치된다. 그리고, 전달부(14)에 배치된 처리가 끝난 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(13)에 의해 캐리어 배치부(11)의 캐리어(C)에 복귀된다.

다음에, 처리 유닛(16)의 개략 구성에 대해서 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2는 처리 유닛(16)의 개략 구성을 나타내는 도면이다.

도 2에 나타내는 바와 같이, 처리 유닛(16)은, 챔버(20)와, 기판 유지 기구(30)와, 처리 유체 공급부(40)와, 회수컵(50)을 구비한다.

챔버(20)는, 기판 유지 기구(30)와 처리 유체 공급부(40)와 회수컵(50)을 수용한다. 챔버(20)의 천장부에는, FFU(Fan Filter Unit)(21)가 마련된다. FFU(21)는, 챔버(20) 내에 다운 플로우를 형성한다.

기판 유지 기구(30)는, 유지부(31)와, 지주부(32)와, 구동부(33)를 구비한다. 유지부(31)는, 웨이퍼(W)를 수평으로 유지한다. 지주부(32)는, 연직 방향으로 연장되는 부재이며, 기단부가 구동부(33)에 의해 회전 가능하게 지지되고, 선단부에 있어서 유지부(31)를 수평으로 지지한다. 구동부(33)는, 지주부(32)를 연직축 둘레로 회전시킨다. 이러한 기판 유지 기구(30)는, 구동부(33)를 이용하여 지주부(32)를 회전시킴으로써 지주부(32)에 지지된 유지부(31)를 회전시키고, 이에 의해, 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)를 회전시킨다.

처리 유체 공급부(40)는, 웨이퍼(W)에 대하여 처리 유체를 공급한다. 처리 유체 공급부(40)는, 처리 유체 공급원(70)에 접속된다.

회수컵(50)은, 유지부(31)를 둘러싸도록 배치되고, 유지부(31)의 회전에 의해 웨이퍼(W)로부터 비산하는 처리액을 포집한다. 회수컵(50)의 바닥부에는, 배액구(51)가 형성되어 있고, 회수컵(50)에 의해 포집된 처리액은, 이러한 배액구(51)로부터 처리 유닛(16)의 외부에 배출된다. 또한, 회수컵(50)의 바닥부에는, FFU(21)로부터 공급되는 기체를 처리 유닛(16)의 외부에 배출하는 배기구(52)가 형성된다.

다음에, 기판 유지 기구(30) 및 처리 유체 공급부(40)의 구성에 대해서 도 3을 참조하여 설명한다. 도 3은 기판 유지 기구(30) 및 처리 유체 공급부(40)의 구성을 나타내는 도면이다. 본 실시형태에 따른 처리 유닛(16)(「기판 처리 장치」의 일례에 상당)은, 웨이퍼(W)에 대하여 HF 등의 에칭액을 공급함으로써, 웨이퍼(W) 상에 형성된 막을 에칭 제거한다.

도 3에 나타내는 바와 같이, 기판 유지 기구(30)가 구비하는 유지부(31)의 상면에는, 웨이퍼(W)를 측면으로부터 유지하는 유지 부재(311)가 마련된다. 웨이퍼(W)는, 이러한 유지 부재(311)에 의해 유지부(31)의 상면으로부터 약간 이격한 상태로 수평 유지된다. 또한, 기판 유지 기구(30)의 구성은, 도시된 것에 한정되지 않는다.

처리 유체 공급부(40)는, 기판 유지 기구(30)에 유지된 웨이퍼(W) 에 대하여 에칭액을 공급한다. 이러한 처리 유체 공급부(40)는, 복수의 노즐(41∼45)과, 조정부(46)와, 지지부(47a, 47b)와, 아암(48)과, 선회 승강 기구(49)를 구비한다.

복수의 노즐(41∼45)은, 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 배열되어 배치된다. 조정부(46)는, 노즐(41∼45)의 배열 방향으로 연장되는 장척형의 부재이며, 양단부에 마련된 지지부(47a, 47b)를 통해 아암(48)에 지지된다. 이러한 조정부(46)의 하부에, 노즐(41∼45)이 마련된다. 아암(48)은, 조정부(46) 및 지지부(47a, 47b)를 통해 노즐(41∼45)을 수평으로 지지한다. 선회 승강 기구(49)는, 아암(48)을 선회 및 승강시킨다.

조정부(46)에는, 제1 온도의 에칭액(이하, 「제1 에칭액(L1)」이라고 기재함)과 제1 온도보다 고온의 제2 온도의 에칭액(이하, 「제2 에칭액(L2)」이라고 기재함)이 처리 유체 공급원(70)으로부터 공급된다. 제1 에칭액(L1)은, 조정부(46)의 웨이퍼(W) 외주부측의 단부에 지지부(47b)를 통해 공급되고, 제2 에칭액(L2)은, 조정부(46)의 웨이퍼(W) 중심부측의 단부에 지지부(47a)를 통해 공급된다. 본 실시형태에서는, 지지부(47a) 및 지지부(47b)가 중공으로 되어 있고, 그 속을 각 에칭액이 통과하도록 하고 있다. 그러나 이에 한정되지 않고, 아암(48)과 조정부(46)를 접속하는 제1 에칭액(L1)용의 배관 및 제2 에칭액(L2)용의 배관을, 지지부(47a) 및 지지부(47b)의 외부에 마련하여도 좋다.

그리고, 조정부(46)는, 처리 유체 공급원(70)으로부터 공급되는 제1 에칭액(L1)과 제2 에칭액(L2)을 노즐(41∼45)마다 상이한 비율로 각 노즐(41∼45)에 공급한다.

구체적으로는, 조정부(46)는, 웨이퍼(W) 외주부에 가까운 노즐(41∼45)일수록 제1 에칭액(L1)에 대한 제2 에칭액(L2)의 비율이 높아지도록, 제1 에칭액(L1)과 제2 에칭액(L2)을 노즐(41∼45)에 공급한다.

이에 의해, 조정부(46)로부터 각 노즐(41∼45)에 공급되는 에칭액의 온도는, 웨이퍼(W)의 가장 중심부측에 위치하는 노즐(41)이 가장 낮아지고, 웨이퍼(W)의 가장 외주부측에 위치하는 노즐(45)이 가장 높아진다.

이와 같이, 본 실시형태에 따른 처리 유닛(16)에서는, 웨이퍼(W) 외주부에 가까운 노즐(41∼45)일수록 웨이퍼(W)에 공급하는 에칭액의 온도를 높게 하는 것으로 하였다. 이에 의해, 처리 유닛(16)은, 웨이퍼(W) 면내에 있어서의 에칭액의 온도 균일성을 높일 수 있고, 이에 의해, 에칭 처리의 면내 균일성을 높일 수 있다.

이러한 점에 대해서, 회전하는 웨이퍼(W)의 중심부에 대하여 하나의 노즐로부터 에칭액을 공급하는 경우와 비교하면서 설명한다. 도 4a는 회전하는 웨이퍼(W)의 중심부에 대하여 하나의 노즐로부터 에칭액을 공급한 경우에 있어서의 웨이퍼 위치와 에칭 레이트의 관계를 나타내는 도면이다. 또한, 도 4b는 본 실시형태에 있어서의 에칭액의 온도와 웨이퍼 위치의 관계를 나타내는 도면이다.

도 4a에 나타내는 바와 같이, 회전하는 웨이퍼(W)의 중심부에 대하여 하나의 노즐로부터 에칭액을 공급한 경우의 에칭 레이트는, 웨이퍼(W)의 중심부가 가장 높고, 웨이퍼(W)의 외주부에 가까워짐에 따라 서서히 적어진다. 이것은, 에칭액의 온도가, 웨이퍼(W)의 중심부에 공급되고 나서 웨이퍼(W)의 외주부에 도달하기까지의 사이에 저하하기 때문이다.

이와 같이, 회전하는 웨이퍼(W)의 중심부에 대하여 하나의 노즐로부터 에칭액을 공급하는 방법에서는, 웨이퍼(W) 면내의 온도에 변동이 생기기 쉬운 것으로부터, 에칭의 균일성을 향상시킨다고 하는 점에서 추가적인 개선의 여지가 있었다.

그래서, 도 4b에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 따른 처리 유닛(16)에서는, 웨이퍼(W) 외주부에 가까운 노즐(41∼45)일수록 온도가 높은 에칭액을 공급하는 것으로 하였다. 이에 의해, 웨이퍼(W) 면내에 있어서의 에칭액의 온도 균일성이 높아지기 때문에, 에칭 처리의 면내 균일성을 높일 수 있다.

각 노즐(41∼45)로부터 공급하는 에칭액의 온도는, 예컨대, 각 노즐(41∼45)로부터 동일 온도의 에칭액을 공급한 경우에 있어서의 웨이퍼(W) 면내의 온도 분포에 기초하여 결정할 수 있다. 예컨대, 각 노즐(41∼45)로부터 X℃의 에칭액을 공급한 경우에 웨이퍼(W) 외주부의 온도가 X-α℃였다고 하면, 처리 유닛(16)은, 웨이퍼(W) 외주부에 위치하는 노즐(45)로부터 공급하는 에칭액의 온도를 X+α℃로 설정하면 좋다.

다음에, 처리 유체 공급원(70)의 구성에 대해서 도 5를 참조하여 설명한다. 도 5는 처리 유체 공급원(70)의 구성을 나타내는 도면이다.

도 5에 나타내는 바와 같이, 처리 유체 공급원(70)은, 순환 라인(71)과, 토출 라인(72)을 구비한다. 순환 라인(71)은, 탱크(711)와, 배관부(712)와, 펌프(713)와, 필터(714)와, 가열부(715)와, 분기부(716)와, 밸브(717)를 구비한다.

탱크(711)는, 에칭액을 저류한다. 배관부(712)는, 탱크(711)에 양단부가 접속됨으로써 에칭액을 순환시키는 경로를 형성한다. 이러한 배관부(712)에는, 상류측으로부터 순서대로, 펌프(713), 필터(714), 가열부(715), 분기부(716) 및 밸브(717)가 마련된다.

펌프(713)는, 탱크(711)에 저류된 에칭액을 하류측에 송출한다. 필터(714)는, 에칭액 중의 이물을 제거한다. 가열부(715)는, 예컨대 히터이며, 상류측으로부터 공급되는 에칭액을 제1 온도로 승온시킨다. 밸브(717)는, 배관부(712)의 개폐를 행한다.

한편, 토출 라인(72)은, 배관부(721)와, 밸브(722)와, 분기부(723)와, 가열부(724)를 구비한다. 배관부(721)는, 순환 라인(71)의 분기부(716)에 접속된다. 이러한 배관부(721)에는, 상류측으로부터 순서대로, 밸브(722), 분기부(723) 및 가열부(724)가 마련된다. 밸브(722)는, 배관부(721)의 개폐를 행한다.

분기부(723)는, 순환 라인(71)으로부터 공급되는 에칭액, 즉, 제1 에칭액(L1)을 가열부(724)와 처리 유체 공급부(40)(도 3 참조)에 각각 공급한다. 가열부(724)는, 예컨대 히터이며, 분기부(723)로부터 공급되는 제1 에칭액(L1)을 제2 온도로 승온시키고, 승온 후의 에칭액인 제2 에칭액(L2)을 처리 유체 공급부(40)에 공급한다.

이와 같이, 처리 유체 공급원(70)은, 순환 라인(71)으로부터 공급되는 제1 에칭액(L1)을 토출 라인(72)에 있어서 제2 온도로 승온시킴으로써, 2계통의 온도로 조절된 에칭액(L1, L2)을 처리 유체 공급부(40)에 공급할 수 있다.

또한, 순환 라인(71)은, 기판 처리 시스템(1)에 대하여 예컨대 1개 마련되고, 토출 라인(72)은, 처리 유닛(16)마다 마련되어도 좋다. 즉, 순환 라인(71)의 분기부(716)에, 복수의 토출 라인(72)을 접속하여도 좋다. 이와 같이 구성함으로써, 기판 처리 시스템(1)의 대형화를 방지할 수 있다.

상기 예에서는, 순환 라인(71)으로부터 토출 라인(72)에 제1 에칭액(L1)을 공급하고, 토출 라인(72)에 있어서 제1 에칭액(L1)의 온도를 제2 온도로 승온시키는 것으로 하였지만, 처리 유체 공급원(70)의 구성은 상기 예에 한정되지 않는다. 그래서, 처리 유체 공급원(70)의 다른 구성예에 대해서 도 6을 참조하여 설명한다. 도 6은 처리 유체 공급원의 다른 구성을 나타내는 도면이다.

도 6에 나타내는 바와 같이, 처리 유체 공급원(70A)은, 순환 라인(71A)과, 토출 라인(72A)을 구비한다. 순환 라인(71A)은, 순환 라인(71)과 동일한 구성을 갖는다. 이러한 순환 라인(71A)은, 가열부(715)에 있어서 에칭액을 제2 온도로 승온시켜, 토출 라인(72A)에 대하여 제2 에칭액(L2)을 공급한다.

토출 라인(72A)은, 토출 라인(72)이 구비하는 가열부(724) 대신에, 냉각부(725)를 구비한다. 냉각부(725)는, 예컨대 워터 재킷이며, 분기부(723)로부터 공급되는 제2 에칭액(L2)을 제1 온도로 냉각시키고, 냉각 후의 에칭액인 제1 에칭액(L1)을 처리 유체 공급부(40)에 공급한다.

이와 같이, 처리 유체 공급원(70A)은, 순환 라인(71A)으로부터 토출 라인(72A)에 제2 에칭액(L2)을 공급하고, 토출 라인(72A)에 있어서 제2 에칭액(L2)의 온도를 제1 온도까지 냉각시키는 구성이어도 좋다.

다음에, 처리 유체 공급부(40)가 구비하는 조정부(46)의 구성에 대해서 도 7 및 도 8을 참조하여 설명한다. 도 7은 조정부(46)의 모식 평단면도이다. 또한, 도 8은 도 7에 있어서의 A-A 단면도이다.

도 7에 나타내는 바와 같이, 조정부(46)는, 본체부(110)와, 칸막이 부재(120)와, 제1 공급구(131∼135)와, 제2 공급구(141∼145)를 구비한다.

본체부(110)는, 노즐(41∼45)의 배열 방향으로 연장되는 내부 공간(S)을 갖는다. 노즐(41∼45)은, 이러한 본체부(110)의 하부에 접속된다.

칸막이 부재(120)는, 본체부(110)의 내부 공간(S)을 구획하는 부재이다. 구체적으로는, 칸막이 부재(120)는, 양단부가, 본체부(110)에 있어서의 웨이퍼(W) 중심부측의 측벽과 웨이퍼(W) 외주부측의 측벽에 각각 고정된다. 이러한 칸막이 부재(120)에 의해, 본체부(110)의 내부 공간(S)은, 노즐(41∼45)의 배열 방향에서 보아 좌우에 인접하는 2개의 공간으로 구획된다. 이하에서는, 칸막이 부재(120)에 의해 구획된 2개의 공간 중, X축 정방향을 향하여 좌측의 공간을 제1 공간(S1)으로 기재하고, 우측의 공간을 제2 공간(S2)으로 기재한다.

본체부(110)의 제1 공간(S1)측의 측벽에는, 제1 에칭액(L1)을 제1 공간(S1)에 유입시키는 제1 유입구(111)가 형성되고, 제2 공간(S2)측의 측벽에는, 제2 에칭액(L2)을 제2 공간(S2)에 유입시키는 제2 유입구(112)가 형성된다. 따라서, 처리 유체 공급원(70)으로부터 공급되는 제1 에칭액(L1) 및 제2 에칭액(L2) 중, 제1 에칭액(L1)은 제1 공간(S1)에 공급되고, 제2 에칭액(L2)은 제2 공간(S2)에 공급된다.

또한, 제1 유입구(111)는, 본체부(110)의 웨이퍼(W) 외주부측의 측벽에 형성되고, 제2 유입구(112)는, 웨이퍼(W) 중심부측의 측벽에 형성된다. 이와 같이, 본체부(110)의 한쪽의 측벽에 제1 유입구(111)를 형성하고, 다른쪽의 측벽에 제2 유입구(112)를 형성함으로써, 온도가 상이한 제1 에칭액(L1)과 제2 에칭액(L2)의 열 간섭을 억제할 수 있다. 또한, 각 노즐(41∼45)로부터 에칭액이 토출되는 타이밍을 맞출 수도 있다.

제1 공급구(131∼135) 및 제2 공급구(141∼145)는, 본체부(110)의 하부에 형성되는 원형의 개구부이다. 구체적으로는, 제1 공급구(131∼135)는, 본체부(110)에 있어서의 제1 공간(S1)측의 하부에 형성되고, 제2 공급구(141∼145)는, 본체부(110)에 있어서의 제2 공간(S2)측의 하부에 형성된다.

제1 공급구(131) 및 제2 공급구(141)는, 본체부(110)를 상방에서 본 경우에, 노즐(41)과 중복하는 위치에 형성된다. 마찬가지로, 제1 공급구(132) 및 제2 공급구(142), 제1 공급구(133) 및 제2 공급구(143), 제1 공급구(134) 및 제2 공급구(144), 제1 공급구(135) 및 제2 공급구(145)는, 각각 노즐(42∼45)과 중복하는 위치에 형성된다.

이에 의해, 노즐(41)은, 제1 공급구(131)를 통해 본체부(110)의 제1 공간(S1)에 연통하고, 제2 공급구(141)를 통해 제2 공간(S2)에 연통한다. 마찬가지로, 노즐(42∼45)은, 제1 공급구(132∼135)를 통해 본체부(110)의 제1 공간(S1)에 연통하고, 제2 공급구(142∼145)를 통해 제2 공간(S2)에 연통한다.

이와 같이, 노즐(41∼45)은, 제1 공급구(131∼135) 및 제2 공급구(141∼145)를 통해 제1 공간(S1) 및 제2 공간(S2)에 각각 연통한다. 예컨대, 도 8에 나타내는 바와 같이, 노즐(42)은, 제1 공급구(132)를 통해 제1 공간(S1)에 연통하며 제2 공급구(142)를 통해 제2 공간(S2)에 연통한다. 따라서, 노즐(42)에는, 제1 공급구(132)를 통해 제1 에칭액(L1)이 공급되며, 제2 공급구(142)를 통해 제2 에칭액(L2)이 공급된다.

이와 같이, 노즐(41∼45)에는, 제1 에칭액(L1)과 제2 에칭액(L2)이 공급되기 때문에, 노즐(41∼45)로부터는, 제1 에칭액(L1)과 제2 에칭액(L2)이 혼합되어 토출된다.

그리고, 도 7에 나타내는 바와 같이, 제1 공급구(131∼135)는, 웨이퍼(W)의 중심부에 가까운 것일수록 구경이 크게 형성되고, 제2 공급구(141∼145)는, 웨이퍼(W)의 외주부에 가까운 것일수록 구경이 크게 형성된다. 이 때문에, 웨이퍼(W) 중심부에 가까운 노즐[예컨대, 노즐(41)]에는, 제1 에칭액(L1)이 제2 에칭액(L2)보다 많이 공급되고, 웨이퍼(W) 외주부에 가까운 노즐[예컨대, 노즐(45)]에는, 제2 에칭액(L2)이 제1 에칭액(L1)보다 많이 공급된다. 이에 의해, 노즐(41∼45)로부터는, 웨이퍼(W) 외주부에 가까운 것일수록 고온의 에칭액이 토출되게 된다.

이와 같이, 본 실시형태에 따른 처리 유닛(16)에서는, 제1 공급구(131∼135) 및 제2 공급구(141∼145)의 구경을 상이하게 함으로써, 각 노즐(41∼45)에 공급되는 제1 에칭액(L1) 및 제2 에칭액(L2)의 유량을 상이하게 하는 것으로 하였다. 이에 의해, 2종류의 온도의 에칭액[제1 에칭액(L1) 및 제2 에칭액(L2)]으로부터, 복수 종류의 온도의 에칭액을 만들어 낼 수 있기 때문에, 예컨대 노즐(41∼45)마다 에칭액의 온도 조절 기구를 마련하는 경우와 비교하여 장치 구성을 간략화할 수 있다.

또한, 제1 공급구(131)의 구경과 제2 공급구(145)의 구경은 동일하며, 제1 공급구(132)의 구경과 제2 공급구(144)의 구경은 동일하고, 제1 공급구(133)의 구경과 제2 공급구(143)의 구경은 동일하다. 따라서, 각 노즐(41∼45)에 공급되는 에칭액의 유량을 맞출 수 있다.

또한, 제1 유입구(111)는, 제1 공급구(131∼135) 중 구경이 가장 작은 제1 공급구(135)가 형성되는 측의 측벽에 형성되고, 제2 유입구(112)는, 제2 공급구(141∼145) 중 구경이 가장 작은 제2 공급구(141)가 형성되는 측의 측벽에 형성된다.

이와 같이, 처리 유닛(16)에서는, 제1 유입구(111)와 제2 유입구(112)를, 구경이 가장 작은 제1 공급구(135) 및 제2 공급구(141)가 형성되는 측에 각각 형성하는 것으로 하였다. 이에 의해, 제1 공간(S1) 및 제2 공간(S2) 내에 있어서의 제1 에칭액(L1) 및 제2 에칭액(L2)의 압력 손실을 억제할 수 있어, 각 공급구에 거의 동일한 압력으로 에칭액이 유입되게 된다. 따라서, 각 노즐(41∼45)에 공급되는 에칭액의 유량을 더욱 맞출 수 있다.

또한, 노즐(42)은, 제1 공급구(132) 및 제2 공급구(142)로부터 토출구(421)를 향하여 점차 협폭이 되는 사발 형상을 가지고 있다(도 8 참조). 또한, 다른 노즐(41, 43∼45)도 노즐(42)과 동일한 구성을 갖는다. 따라서, 예컨대 통자형 노즐과 비교하여, 제1 에칭액(L1)과 제2 에칭액(L2)이 노즐(41∼45) 내에서 혼합되기 쉬워지기 때문에, 각 노즐(41∼45)로부터 원하는 온도의 에칭액을 안정적으로 토출시킬 수 있다.

또한, 제1 공급구(131∼135) 및 제2 공급구(141∼145)는, 서로를 향하여 비스듬하게 개구시켜도 좋다. 이와 같이 구성함으로써, 제1 에칭액(L1)과 제2 에칭액(L2)이 노즐(41∼45) 내에서 보다 혼합되기 쉬워지기 때문에, 노즐(41∼45)로부터 토출되는 에칭액의 온도를 보다 안정시킬 수 있다. 구체적으로 개구시키는 방향으로서는, 제1 공급구(131∼135) 및 제2 공급구(141∼145)로부터 공급된 각각의 에칭액이 노즐(41∼45) 내의 공간에서 충돌하는 방향이 있다. 또는 그 반대로, 각각의 에칭액이 노즐(41∼45)의 내벽에 직접 충돌하는 방향을 향하여도 좋다. 이 경우, 한쪽의 에칭액은 노즐(41∼45)의 내벽에 충돌한 후 그 표면을 전달되어 가, 마찬가지로 표면을 전달되어 온 다른쪽의 에칭액과 혼합될 수 있다.

또한, 노즐(41∼45)은, 내부에 나선형의 홈을 가지고 있어도 좋다. 이에 의해, 노즐(41∼45) 내에 선회류가 생기기 쉬워지기 때문에, 제1 에칭액(L1)과 제2 에칭액(L2)이 노즐(41∼45) 내에서 보다 혼합되기 쉬워진다.

또한, 제1 공간(S1) 및 제2 공간(S2) 내에 있어서의 제1 에칭액(L1) 및 제2 에칭액(L2)의 압력 손실을 억제하기 위해, 조정부(46)의 구성을 고안하여도 좋다. 이러한 점에 관해서 도 9a 및 도 9b를 참조하여 설명한다. 도 9a 및 도 9b는 조정부의 다른 구성을 나타내는 도면이다.

도 9a에 나타내는 바와 같이, 조정부(46A)는, 칸막이 부재(120A)를 구비한다. 이러한 칸막이 부재(120A)는, 구경이 가장 작은 제1 공급구(135) 및 제2 공급구(141)측의 공간이 가장 좁아지도록 본체부(110)에 배치된다. 이에 의해, 제1 공간(S1)의 유로 폭은, 구경이 큰 제1 공급구(131)측일수록 넓고, 구경이 작은 제1 공급구(135)측일수록 좁아지며, 제2 공간(S2)의 유로 폭도, 구경이 큰 제2 공급구(145)측일수록 넓고, 구경이 작은 제2 공급구(141)측일수록 좁아진다. 이 때문에, 제1 공간(S1) 및 제2 공간(S2) 내에 있어서의 제1 에칭액(L1) 및 제2 에칭액(L2)의 압력 손실을 억제할 수 있어, 각 공급구(131∼135, 141∼145)에 거의 동일한 압력으로 에칭액이 유입되게 된다.

또한, 도 9b에 나타내는 바와 같이, 조정부(46B)는, 본체부(110B)를 구비한다. 이러한 본체부(110B)의 제2 공간(S2)측의 하부는, 구경이 가장 큰 제2 공급구(145)로부터 구경이 가장 작은 제2 공급구(141)를 향하여 낮아지도록 경사하고 있다. 마찬가지로, 여기서는 도시를 생략하지만, 본체부(110B)의 제1 공간(S1)측의 하부도, 구경이 가장 큰 제1 공급구(131)로부터 구경이 가장 작은 제1 공급구(135)를 향하여 낮아지도록 경사하고 있다.

이에 의해, 제1 공간(S1)에 있어서의 유로의 높이는, 구경이 큰 제1 공급구(131)측일수록 높고, 구경이 작은 제1 공급구(135)측일수록 낮아지며, 제2 공간(S2)의 유로의 높이도, 구경이 큰 제2 공급구(145)측일수록 높고, 구경이 작은 제2 공급구(141)측일수록 낮아지기 때문에, 제1 공간(S1) 및 제2 공간(S2) 내에 있어서의 제1 에칭액(L1) 및 제2 에칭액(L2)의 압력 손실을 억제할 수 있어, 각 공급구(131∼135, 141∼145)에 거의 동일한 압력으로 에칭액이 유입되게 된다.

이와 같이, 제1 공급구(131∼135) 및 제2 공급구(141∼145) 중, 구경이 큰 제1 공급구(131) 및 제2 공급구(145)측의 공간이 넓어지도록 본체부(110)의 내부 공간(S)을 구획함으로써, 제1 공간(S1) 및 제2 공간(S2) 내에 있어서의 제1 에칭액(L1) 및 제2 에칭액(L2)의 압력 손실을 억제할 수 있어, 각 공급구(131∼135, 141∼145)에 거의 동일한 압력으로 에칭액이 유입되게 된다.

또한, 도 9b에서는, 토출구(411, 421, 431, 441, 451)의 높이 위치를 맞추기 위해서, 각 노즐(41B∼45B)의 형상을 상이하게 한 경우의 예를 나타내었지만, 토출구(411, 421, 431, 441, 451)의 높이 위치는 반드시 맞추는 것을 요하지 않는다. 즉, 노즐(41B∼45B)은 동일 형상이어도 좋다.

전술해 온 바와 같이, 제1 실시형태에 따른 처리 유닛(16)(「기판 처리 장치」의 일례에 상당)은, 기판 유지 기구(30)(「유지 기구」의 일례에 상당)와, 처리 유체 공급부(40)와, 처리 유체 공급원(70, 70A)(「공급원」의 일례에 상당)을 구비한다. 기판 유지 기구(30)는, 웨이퍼(W)를 회전 가능하게 유지한다. 처리 유체 공급부(40)는, 기판 유지 기구(30)에 유지된 웨이퍼(W)에 대하여 약액인 에칭액을 공급한다. 처리 유체 공급원(70, 70A)은, 제1 온도의 에칭액과, 제1 온도보다 고온의 제2 온도의 에칭액을 처리 유체 공급부(40)에 공급한다.

또한, 처리 유체 공급부(40)는, 복수의 노즐(41∼45)과, 조정부(46, 46A, 46B)를 구비한다. 복수의 노즐(41∼45)은, 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 배열되어 배치된다. 조정부(46, 46A, 46B)는, 처리 유체 공급원(70, 70A)으로부터 공급되는 제1 온도의 에칭액과 제2 온도의 에칭액을 소정의 비율로 각 노즐(41∼45)에 공급한다. 또한, 조정부(46, 46A, 46B)는, 웨이퍼(W)의 외주부측에 배치되는 노즐[예컨대, 노즐(45)]에 대하여, 웨이퍼(W)의 중심부측에 배치되는 노즐[예컨대, 노즐(41)]보다 제2 온도의 에칭액을 높은 비율로 공급한다.

따라서, 제1 실시형태에 따른 처리 유닛(16)에 의하면, 에칭의 균일성을 높일 수 있다.

또한, 전술한 제1 실시형태에서는, 제1 에칭액과 제2 에칭액을 본체부(110)의 양측벽에 형성된 제1 유입구(111) 및 제2 유입구(112)로부터 제1 공간(S1) 및 제2 공간(S2)에 유입시키는 경우의 예에 대해서 설명하였지만, 제1 에칭액 및 제2 에칭액의 유입 위치는, 상기 예에 한정되지 않는다. 예컨대, 구경이 가장 큰 제1 공급구(131)측의 측벽에 제1 유입구(111)를 형성하며, 구경이 가장 큰 제2 공급구(145)측의 측벽에 제2 유입구(112)를 형성하여도 좋다. 또한, 본체부(110) 중 어느 한쪽의 측벽에 제1 유입구(111) 및 제2 유입구(112)의 쌍방을 형성하여도 좋다. 또한, 제1 유입구(111) 및 제2 유입구(112)는, 본체부(110)의 측벽이 아니라, 상부(천장부)에 형성되어도 좋다. 또한, 본체부(110)는 필수 구성이 아니며, 제1 에칭액 및 제2 에칭액을 공급하는 배관의 선단에 복수의 공급구를 직접마련하여도 좋다.

(제2 실시형태)

다음에, 제2 실시형태에 따른 처리 유체 공급부의 구성에 대해서 도 10을 참조하여 설명한다. 도 10은 제2 실시형태에 따른 기판 유지 기구 및 처리 유체 공급부의 구성을 나타내는 도면이다. 또한, 이하의 설명에서는, 이미 설명한 부분과 동일한 부분에 대해서는, 이미 설명한 부분과 동일한 부호를 붙이고, 중복하는 설명을 생략한다.

도 10에 나타내는 바와 같이, 제2 실시형태에 따른 처리 유체 공급부(40C)는, 노즐(41∼45)과, 조정부(46C)와, 아암(48)과, 선회 승강 기구(49)를 구비한다. 노즐(41∼45)은, 아암(48)에 마련된다.

조정부(46C)는, 처리 유체 공급원(70)으로부터 공급되는 제1 에칭액(L1)과 제2 에칭액(L2)을 노즐(41∼45)에 따른 혼합비로 혼합하고, 혼합 후의 에칭액(L3∼L7)을 각 노즐(41∼45)에 공급한다.

계속해서, 조정부(46C)의 구성에 대해서 도 11을 참조하여 설명한다. 도 11은 제2 실시형태에 따른 조정부(46C)의 구성을 나타내는 도면이다.

도 11에 나타내는 바와 같이, 조정부(46C)는, 제1 배관부(210)와, 제2 배관부(220)와, 접속부(231∼235)와, 제3 배관부(241∼245)와, 제1 오리피스(251∼255)와, 제2 오리피스(261∼265)를 구비한다.

제1 배관부(210)는, 각 노즐(41∼45)에 대응하는 분기관(211∼215)을 가지고 있고, 처리 유체 공급원(70)으로부터 제1 에칭액(L1)이 공급된다. 제2 배관부(220)는, 각 노즐(41∼45)에 대응하는 분기관(221∼225)을 가지고 있고, 처리 유체 공급원(70)으로부터 제2 에칭액(L2)이 공급된다.

접속부(231∼235)는, 제1 배관부(210)의 분기관(211∼215)과 제2 배관부(220)의 분기관(221∼225)을 각각 접속한다. 제1 오리피스(251∼255)는, 제1 배관부(210)의 각 분기관(211∼215)에 마련되며, 제1 에칭액(L1)의 유량을 조절하는 유량 조절부이다. 또한, 제2 오리피스(261∼265)는, 제2 배관부(220)의 각 분기관(221∼225)에 마련되며, 제2 에칭액(L2)의 유량을 조절하는 유량 조절부이다.

조정부(46C)는 상기한 바와 같이 구성되어 있고, 제1 오리피스(251∼255)에 의해 유량이 조절된 제1 에칭액(L1)과, 제2 오리피스(261∼265)에 의해 유량이 조절된 제2 에칭액(L2)이, 접속부(231∼235)에 있어서 혼합되어 각 노즐(41∼45)에 에칭액(L3∼L7)이 각각 공급된다.

여기서, 제2 실시형태에 따른 조정부(46C)에서는, 제1 오리피스(251∼255) 및 제2 오리피스(261∼265)의 구경을 상이하게 함으로써, 각 노즐(41∼45)에 공급되는 에칭액(L3∼L7)의 온도를 상이하게 한 것으로 하고 있다.

구체적으로는, 제1 오리피스(251∼255)는, 웨이퍼(W) 중심부에 가까운 것일수록 구경이 크게 형성되고, 제2 오리피스(261∼265)는, 웨이퍼(W)의 외주부에 가까운 것일수록 구경이 크게 형성된다.

따라서, 웨이퍼(W) 중심부에 가까운 노즐(41∼45)에는, 제1 에칭액(L1)이 제2 에칭액(L2)보다 많이 공급되고, 웨이퍼(W) 외주부에 가까운 노즐(41∼45)에는, 제2 에칭액(L2)이 제1 에칭액(L1)보다 많이 공급된다. 이 결과, 노즐(41∼45)로부터는, 웨이퍼(W) 외주부에 가까운 것일수록 고온의 에칭액이 토출되게 된다.

이와 같이, 제2 실시형태에 따른 처리 유닛(16)에서는, 제1 오리피스(251∼255) 및 제2 오리피스(261∼265)의 구경을 상이하게 함으로써, 각 노즐(41∼45)에 공급되는 제1 에칭액(L1) 및 제2 에칭액(L2)의 유량을 상이하게 할 수 있다. 또한, 기판의 온도 조건 등이 변화하여도, 각 오리피스를 교환함으로써, 에칭 레이트가 균일해지도록 대응시킬 수 있다.

(제3 실시형태)

다음에, 제3 실시형태에 따른 조정부의 구성에 대해서 도 12를 참조하여 설명한다. 도 12는 제3 실시형태에 따른 조정부의 구성을 나타내는 도면이다.

도 12에 나타내는 바와 같이, 제3 실시형태에 따른 조정부(46D)는, 제2 실시형태에 따른 조정부(46C)가 구비하는 제1 오리피스(251∼255) 및 제2 오리피스(261∼265) 대신에, 각각 제1 정압 밸브(271∼275) 및 제2 정압 밸브(281∼285)를 구비한다. 제1 정압 밸브(271∼275) 및 제2 정압 밸브(281∼285)는, 제1 오리피스(251∼255) 및 제2 오리피스(261∼265)와는 상이하게, 하류측에 흐르는 제1 에칭액(L1) 및 제2 에칭액(L2)의 유량을 변경시킬 수 있다.

이와 같이, 유량 조절부로서 유량 컨트롤이 가능한 제1 정압 밸브(271∼275) 및 제2 정압 밸브(281∼285)를 이용함으로써, 예컨대 레시피 변경에 따라, 각 노즐(41∼45)로부터 토출되는 에칭액의 유량에 변경이 생긴 경우에도 대응하는 것이 가능하다.

또한, 도 12에서는, 제1 정압 밸브(271∼275) 및 제2 정압 밸브(281∼285)를 각 노즐(41∼45)에 대응하여 각각 마련하는 것으로 하였지만, 제1 정압 밸브(271∼275) 및 제2 정압 밸브(281∼285) 중, 제1 정압 밸브(275) 및 제2 정압 밸브(281)는, 생략하여도 상관없다. 제1 실시형태에 있어서의 제1 공급구(135) 및 제2 공급구(141), 제2 실시형태에 있어서의 제1 오리피스(255) 및 제2 오리피스(261)에 대해서도 마찬가지이다.

전술한 각 실시형태에서는, 약액으로서 에칭액을 이용하는 경우의 예에 대해서 설명하였지만, 본원이 개시하는 기판 처리 장치는, 기판에 대하여 에칭액을 공급하는 경우에 한정되지 않고, 예컨대 SC1(암모니아수와 과산화수소수의 혼합액)이나 SC2(염산 등의 산과 과산화수소수의 혼합액) 등의 세정액을 공급하는 경우에도 적용 가능하다. 또한, 도금액이나 현상액을 공급하는 경우에도 적용 가능하다. 상이한 관점에서 설명하면, 전술한 각 실시형태에 있어서의 노즐(41∼45) 및 조정부(46, 46b, 46c) 등으로 이루어지는 처리 유체 공급부(40)는, 전술한 특징적인 기능을 갖는 하나의 액 공급 장치로서, 에칭 처리나 세정 처리 등, 여러가지 처리를 행하는 장치에 있어서 이용할 수 있다.

추가적인 효과나 변형예는, 당업자에 의해 용이하게 도출할 수 있다. 이 때문에, 본 발명의 보다 광범한 양태는, 이상과 같이 나타내며 또한 서술한 특정 상세 및 대표적인 실시형태에 한정되는 것이 아니다. 따라서, 첨부된 특허청구의 범위 및 그 균등물에 의해 정의되는 총괄적인 발명의 개념의 정신 또는 범위로부터 일탈하는 일없이, 여러가지 변경이 가능하다.

W 웨이퍼
S 내부 공간
S1 제1 공간
S2 제2 공간
1 기판 처리 시스템
2 반입출 스테이션
3 처리 스테이션
4 제어 장치
16 처리 유닛
30 기판 유지 기구
40 처리 유체 공급부
41∼45 노즐
46 조정부
47a, 47b 지지부
70 처리 유체 공급원
110 본체부
120 칸막이 부재
131∼135 제1 공급구
141∼145 제2 공급구
251∼255 제1 오리피스
261∼265 제2 오리피스
271∼275 제1 정압 밸브
281∼285 제2 정압 밸브

Claims (10)

1. 기판을 회전 가능하게 유지하는 유지 기구와,
   상기 유지 기구에 유지된 기판의 직경 방향으로 배열되어 배치되며, 상기 기판에 대하여 약액을 공급하는 복수의 노즐과,
   제1 온도의 약액과 상기 제1 온도보다 고온의 제2 온도의 약액을 미리 정해진 비율로 상기 각 노즐에 공급하는 조정부
   를 구비하고,
   상기 조정부는,
   상기 제1 온도의 약액을 유입시키는 제1 유입구와,
   상기 제2 온도의 약액을 유입시키는 제2 유입구와,
   상기 노즐에 각각 연통하며, 상기 제1 유입구로부터 유입된 제1 온도의 약액을 공급하는 구경이 상이한 복수의 제1 공급구와,
   상기 노즐에 각각 연통하며, 상기 제2 유입구로부터 유입된 제2 온도의 약액을 공급하는 구경이 상이한 복수의 제2 공급구
   를 구비하고,
   상기 제1 공급구는,
   상기 기판의 중심부에 가까운 것일수록 구경이 크게 형성되며,
   상기 제2 공급구는,
   상기 기판의 외주부에 가까운 것일수록 구경이 크게 형성되고,
   각각 상기 복수의 노즐에 대응하는 상기 복수의 제1 공급구와 상기 복수의 제2 공급구는, 상기 조정부의 상측으로부터 보았을 때, 각각 상기 복수의 노즐과 오버랩하는 위치에 형성되고,
   상기 조정부는,
   상기 기판의 외주부측에 배치되는 상기 노즐에 대하여, 상기 기판의 중심부측에 배치되는 상기 노즐보다 상기 제2 온도의 약액을 높은 비율로 공급하며,
   상기 각 노즐은,
   공급된 상기 제1 온도의 약액과 상기 제2 온도의 약액이 혼합된 약액을 상기 기판에 대하여 공급하는 것
   을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
2. 삭제
3. 제1항에 있어서,
   상기 조정부는,
   상기 노즐의 배열 방향으로 연장되는 내부 공간을 가지며, 하부에 상기 노즐이 접속되는 본체부와,
   상기 본체부의 내부 공간을 상기 노즐의 배열 방향에서 보아 좌우에 인접하는 제1 공간과 제2 공간으로 구획하는 칸막이 부재
   를 더 구비하고,
   상기 복수의 제1 공급구는, 상기 제1 공간의 하부에 형성되며,
   상기 복수의 제2 공급구는, 상기 제2 공간의 하부에 형성되고,
   상기 제1 유입구로부터 유입된 제1 온도의 약액은, 상기 제1 공간 및 상기 제1 공급구를 통해 상기 노즐에 공급되며,
   상기 제2 유입구로부터 유입된 제2 온도의 약액은, 상기 제2 공간 및 상기 제2 공급구를 통해 상기 노즐에 공급되는 것
   을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
4. 제3항에 있어서,
   상기 제1 유입구는,
   상기 본체부에 있어서의 상기 기판의 중심부측의 측벽 및 상기 기판의 외주부측의 측벽 중 한쪽에 형성되고,
   상기 제2 유입구는,
   상기 본체부에 있어서의 상기 기판의 중심부측의 측벽 및 상기 기판의 외주부측의 측벽 중 다른쪽에 형성되는 것
   을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
5. 제4항에 있어서,
   상기 제1 유입구는, 상기 기판의 외주부측의 측벽에 형성되고,
   상기 제2 유입구는, 상기 기판의 중심부측의 측벽에 형성되는 것
   을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
6. 제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 칸막이 부재는,
   상기 제1 공급구 및 상기 제2 공급구 중, 구경이 가장 작은 상기 제1 공급구 및 상기 제2 공급구측의 공간이 가장 좁아지도록 배치되는 것
   을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
7. 제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 본체부의 상기 제1 공간측의 하부는,
   구경이 가장 큰 상기 제1 공급구로부터 구경이 가장 작은 상기 제1 공급구를 향하여 낮아지도록 경사지고,
   상기 본체부의 상기 제2 공간측의 하부는,
   구경이 가장 큰 상기 제2 공급구로부터 구경이 가장 작은 상기 제2 공급구를 향하여 낮아지도록 경사지는 것
   을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
8. 제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 노즐은,
   토출구를 향하여 점차 협폭이 되는 유발 형상을 갖는 것
   을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
9. 제1항에 있어서,
   상기 조정부는,
   적어도 상기 노즐의 갯수분만큼 분기관을 가지며, 공급원으로부터 상기 제1 온도의 약액이 공급되는 제1 배관부와,
   적어도 상기 노즐의 갯수분만큼 분기관을 가지며, 공급원으로부터 상기 제2 온도의 약액이 공급되는 제2 배관부와,
   상기 제1 배관부의 분기관과 상기 제2 배관부의 분기관을 각각 접속하는 복수의 접속부와,
   상기 접속부와 상기 노즐을 각각 접속하는 복수의 제3 배관부와,
   상기 제1 배관부의 분기관에 각각 마련되며, 상기 제1 온도의 약액의 유량을 조절하는 복수의 제1 유량 조절부와,
   상기 제2 배관부의 분기관에 각각 마련되며, 상기 제2 온도의 약액의 유량을 조절하는 복수의 제2 유량 조절부를 구비하고,
   상기 제1 유량 조절부는,
   상기 기판의 중심부에 가까운 상기 노즐에 대응하는 것일수록 많은 유량의 상기 제1 온도의 약액을 하류측에 공급하며,
   상기 제2 유량 조절부는,
   상기 기판의 외주부에 가까운 상기 노즐에 대응하는 것일수록 많은 유량의 상기 제2 온도의 약액을 하류측에 공급하는 것
   을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
10. 기판에 대하여 약액을 공급하는 복수의 노즐과,
    제1 온도의 약액과 상기 제1 온도보다 고온의 제2 온도의 약액을 미리 정해진 비율로 상기 각 노즐에 공급하는 조정부
    를 구비하고,
    상기 조정부는,
    상기 제1 온도의 약액을 유입시키는 제1 유입구와,
    상기 제2 온도의 약액을 유입시키는 제2 유입구와,
    상기 노즐에 각각 연통하며, 상기 제1 유입구로부터 유입된 제1 온도의 약액을 공급하는 구경이 다른 복수의 제1 공급구와,
    상기 노즐에 각각 연통하며, 상기 제2 유입구로부터 유입된 제2 온도의 약액을 공급하는 구경이 다른 복수의 제2 공급구
    를 구비하고,
    상기 제1 공급구는,
    기판에 대하여 약액을 공급할 때에 상기 기판의 중심부에 가까운 것일수록 구경이 크게 형성되며,
    상기 제2 공급구는,
    기판에 대하여 약액을 공급할 때에 상기 기판의 외주부에 가까운 것일수록 구경이 크게 형성되고,
    각각 상기 복수의 노즐에 대응하는 상기 복수의 제1 공급구와 상기 복수의 제2 공급구는, 상기 조정부의 상측으로부터 보았을 때, 각각 상기 복수의 노즐과 오버랩하는 위치에 형성되는 것
    을 특징으로 하는 액 공급 장치.

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