CN107452650B - 基板液处理装置、容器清洗方法以及存储介质 - Google Patents

基板液处理装置、容器清洗方法以及存储介质 Download PDF

Info

Publication number
CN107452650B
CN107452650B CN201710339387.7A CN201710339387A CN107452650B CN 107452650 B CN107452650 B CN 107452650B CN 201710339387 A CN201710339387 A CN 201710339387A CN 107452650 B CN107452650 B CN 107452650B
Authority
CN
China
Prior art keywords
container
liquid
cleaning
substrate
processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710339387.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107452650A (zh
Inventor
沟田昌吾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN107452650A publication Critical patent/CN107452650A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107452650B publication Critical patent/CN107452650B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B9/00—Cleaning hollow articles by methods or apparatus specially adapted thereto 
    • B08B9/08—Cleaning containers, e.g. tanks
    • B08B9/093—Cleaning containers, e.g. tanks by the force of jets or sprays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B9/00—Cleaning hollow articles by methods or apparatus specially adapted thereto 
    • B08B9/02—Cleaning pipes or tubes or systems of pipes or tubes
    • B08B9/027—Cleaning the internal surfaces; Removal of blockages
    • B08B9/032—Cleaning the internal surfaces; Removal of blockages by the mechanical action of a moving fluid, e.g. by flushing
    • B08B9/0321—Cleaning the internal surfaces; Removal of blockages by the mechanical action of a moving fluid, e.g. by flushing using pressurised, pulsating or purging fluid
    • B08B9/0325—Control mechanisms therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明提供高效地清洗容器的内壁面的基板液处理装置、容器清洗方法以及存储介质。该基板液处理装置具备：容器(102、102A)，其贮存处理液；循环线(104)，其与容器连接，供从容器出来并返回容器的处理液的循环流流动；处理单元(16)，其通过将从循环线分配出的处理液供给到基板来对基板进行处理；返回线(132)，其使被供给到基板之后从处理单元排出的处理液返回容器；清洗喷嘴(128、128A～128E)，其向容器的内壁面喷出清洗液，利用清洗液对内壁面进行清洗；以及清洗用线(122)，其对清洗喷嘴供给清洗液。

Description

基板液处理装置、容器清洗方法以及存储介质
技术领域
本发明涉及一种在基板液处理装置中对构成处理液供给部的容器进行清洗的技术。
背景技术
在半导体装置的制造过程中，对半导体晶圆等基板实施湿清洗处理、湿蚀刻处理等液处理。在进行这样的液处理的基板液处理装置中，为了使得容易对基板供给稳定的浓度和温度的药液，设置有具备贮存处理液的容器、与容器连接的循环线、以及从循环线分支出的多个分支线的处理液供给部，经由上述多个分支线分别向多个处理单元提供处理液。在处理单元中被暂时供给到基板的使用完毕的处理液经由回收线返回容器之后被送出到循环线，再次用于处理(例如参照专利文献1)。
当返回容器内的使用完毕的处理液中含有微粒且微粒附着于容器的内壁面时，会污染容器。
专利文献1：日本特开2015-220318号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明的目的在于提供一种能够在基板液处理装置中对被供给到基板的使用完毕的处理液所返回到的容器的内壁面进行清洗的技术。
用于解决问题的方案
根据本发明的一个实施方式，提供一种基板液处理装置，该基板液处理装置具备：容器，其贮存处理液；循环线，其与所述容器连接，供从所述容器出来并返回所述容器的所述处理液的循环流流动；处理单元，其通过将从所述循环线分配出的所述处理液供给到基板来对基板进行处理；返回线，其使被供给到所述基板之后从所述处理单元排出的所述处理液返回所述容器；清洗喷嘴，其向所述容器的内壁面喷出清洗液，利用所述清洗液对所述内壁面进行清洗；以及清洗用线，其向所述清洗喷嘴供给清洗液。
根据本发明的其它实施方式，提供一种基板液处理装置中的容器的容器清洗方法，该基板液处理装置具备：所述容器，其贮存处理液；循环线，其与所述容器连接，供从所述容器出来并返回所述容器的所述处理液的循环流流动；处理单元，其通过将从所述循环线分配出的所述处理液供给到基板来对所述基板进行处理；以及返回线，其使被供给到所述基板之后从所述处理单元排出的所述处理液返回所述容器，在该容器清洗方法中，从设置于所述容器的清洗喷嘴向所述容器的内壁面喷出清洗液，利用所述清洗液对所述内壁面进行清洗。
根据本发明的另一其它实施方式，提供一种存储介质，该存储介质中记录有如下程序：在通过用于对基板液处理装置的动作进行控制的计算机执行该程序时，所述计算机控制所述基板液处理装置使其执行所述容器清洗方法。
发明的效果
根据本发明，通过从清洗喷嘴向容器的内壁面喷出清洗液来进行容器的清洗，从而高效地清洗容器的内壁面。
附图说明
图1是表示本发明的一个实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的俯视图。
图2是表示基板处理系统所包括的处理单元的概要结构的纵截面图。
图3是表示向处理单元供给处理液的处理液供给源(处理液供给机构)的结构的配管图。
图4是表示在处理液供给源所包括的容器内的清洗喷嘴配置的一例的概要俯视图。
图5是表示在处理液供给源所包括的容器内的清洗喷嘴配置的其它例子的概要俯视图。
图6是用于说明在容器内的清洗喷嘴配置的、容器的内壁面附近的沿着图4的VI-VI线的概要纵截面图。是截面图。
图7是表示配置在具有圆形的水平截面的容器内的清洗喷嘴的一例的概要俯视图。
图8是表示配置在具有圆形的水平截面的容器内的清洗喷嘴的其它例子的概要俯视图。
图9是表示圆筒形的容器和配置在其中的清洗喷嘴的一例的概要立体图。
图10是表示处理液供给源(处理液供给机构)的其它结构的配管图。
附图标记说明
16：处理单元；102、102A：容器；104：循环线；122：清洗用线；128、128A～E：清洗喷嘴；132：返回线。
具体实施方式
图1是表示本实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的图。以下，为了使位置关系明确，对互相正交的X轴、Y轴及Z轴进行规定，将Z轴正方向设为铅垂朝上方向。
如图1所示，基板处理系统1包括输入输出站2和处理站3。输入输出站2和处理站3相邻地设置。
输入输出站2包括承载件载置部11和输送部12。在承载件载置部11上载置有多个承载件C，该多个承载件C用于将多张基板、在本实施方式中为半导体晶圆(以下称作晶圆W)以水平状态收纳。
输送部12与承载件载置部11相邻地设置，在输送部12的内部具备基板输送装置13和交接部14。基板输送装置13具备用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板输送装置13能够在水平方向和铅垂方向上移动并以铅垂轴线为中心进行旋转，其使用晶圆保持机构在承载件C与交接部14之间输送晶圆W。
处理站3与输送部12相邻地设置。处理站3具备输送部15和多个处理单元16。多个处理单元16以排列在输送部15的两侧的方式设置。
输送部15在内部具备基板输送装置17。基板输送装置17具备用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板输送装置17能够在水平方向和铅垂方向上移动并以铅垂轴线为中心进行旋转，其使用晶圆保持机构在交接部14与处理单元16之间输送晶圆W。
处理单元16用于对由基板输送装置17输送过来的晶圆W进行预先设定的基板处理。
另外，基板处理系统1具备控制装置4。控制装置4例如是计算机，其具备控制部18和存储部19。在存储部19中存储有用于对在基板处理系统1中执行的各种处理进行控制的程序。控制部18通过读取并执行被存储在存储部19中的程序来控制基板处理系统1的动作。
此外，该程序既可以是存储在可由计算机读取的存储介质中的程序，也可以是从该存储介质安装到控制装置4的存储部19中的程序。作为可由计算机读取的存储介质，存在例如硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、光磁盘(MO)以及存储卡等。
在如上述那样构成的基板处理系统1中，首先，输入输出站2的基板输送装置13将晶圆W自载置于承载件载置部11的承载件C取出，并将取出后的晶圆W载置于交接部14。利用处理站3的基板输送装置17将被载置于交接部14的晶圆W自交接部14取出并将其输入到处理单元16中。
在利用处理单元16对被输入到处理单元16中的晶圆W进行处理后，利用基板输送装置17将该晶圆W自处理单元16输出并将其载置于交接部14。然后，利用基板输送装置13将载置于交接部14的处理完成后的晶圆W返回到载置部11的承载件C。
如图2所示，处理单元16具备腔室20、基板保持机构30、处理流体供给部40以及回收杯50。
腔室20用于收纳基板保持机构30、处理流体供给部40以及回收杯50。在腔室20的顶部设置有FFU(Fan Filter Unit：风机过滤单元)21。FFU 21用于在腔室20内形成下降流。
基板保持机构30具备保持部31、支柱部32以及驱动部33。保持部31将晶圆W水平地保持。支柱部32是沿铅垂方向延伸的构件，其基端部被驱动部33支承为能够旋转，支柱部32在顶端部将保持部31水平地支承。驱动部33使支柱部32绕铅垂轴线旋转。该基板保持机构30通过使用驱动部33使支柱部32旋转来使由支柱部32支承着的保持部31旋转，由此使由保持部31保持着的晶圆W旋转。
处理流体供给部40对晶圆W供给处理流体。处理流体供给部40与处理流体供给源70相连接。
回收杯50以包围保持部31的方式配置，用于收集因保持部31的旋转而自晶圆W飞散的处理液。在回收杯50的底部形成有排液口51，由回收杯50收集到的处理液自该排液口51被排出到处理单元16的外部。另外，在回收杯50的底部形成有排气口52，该排气口52用于将自FFU 21供给的气体排出到处理单元16的外部。
参照图3来说明处理流体供给源70(处理流体供给机构)。
处理流体供给源70具有贮存处理液的容器102以及从容器102出来并返回容器102的循环线104。在本实施方式中，容器102具有大致长方体的形状。在循环线104上设置有泵106。泵106用于形成从容器102出来并通过循环线104返回容器102的处理液的循环流。构成循环线104的管的上游端与容器102的侧面的最下部连接。构成循环线104的管的下游端位于容器102内，并且位于比容器102内存在的处理液的液面LS的高度(液位)的最低值(最低液位)低的高度位置。
在泵106的下游侧，在循环线104上从上游侧起依次设置有去除处理液中可能包含的微粒等污染物质的过滤器108、加热处理液的加热器110以及开闭阀112。
在比开闭阀112靠下游侧的分支点113处，从循环线104分支出分配线114。分配线114分支为多个分支分配线116。这些多个分支分配线116各自向对应的一个处理单元16的喷嘴(与图2的处理流体供给部40对应)供给处理液。在各分支分配线116上插入设置有开闭阀和流量控制阀等流动控制设备118。从处理液供给喷嘴(处理流体供给部40)向被基板保持机构30保持着的晶圆W以由流动控制设备118控制后的流量供给处理液，由此能够对晶圆W实施液处理。
在循环线104的比分支点113靠下游侧的位置处插入设置有稳压阀119。稳压阀119具有通过调节其开度来将一次侧压力控制为固定的调压功能。稳压阀119将根据被供给到多个处理单元16的处理液的总流量的变化而可能发生变化的分配线114内的压力维持为大致固定，由此从处理液供给喷嘴(处理流体供给部40)以稳定的流量喷出处理液。
此外，当正向晶圆W供给处理液的处理单元16的个数增加时，为了将一次侧压力维持得高而减少稳压阀119的开度。此时，存在稳压阀119的阀体与阀座接触而产生灰尘的风险。为了避免产生灰尘，也可以是，在正向晶圆W供给处理液的处理单元16的个数(或流经分配线114的处理液的总流量)超过了预先设定的阈值的情况下，进行泵106的运转控制使得泵106的驱动压力增大。
在设定于循环线104的下游侧部分的分支点120处，从循环线104分支出清洗用线122。在比分支点120靠下游侧的部分中，在循环线104上插入设置有开闭阀124，另外，在清洗用线122上也设置有开闭阀126。在清洗用线122的下游端安装有用于清洗容器102的内壁面的清洗喷嘴128。清洗喷嘴128位于比容器102内的处理液的液面的预先设定的目标高度位置(与后述的图6中的L1对应)高的高度位置。
在各处理单元16上连接有排液线130。多个排液线130连接于一个返回线132。返回线132与容器102连接。通过该结构，能够使从喷嘴(处理流体供给部40)被供给到晶圆W后离开晶圆W的使用完毕的处理液经由排液线130和返回线132返回容器102。构成返回线132的管的下游端位于容器102内，并且位于比容器102内存在的处理液的液位低的高度位置。
对容器102设置有将处理液或处理液构成成分补充到预先设定的目标高度位置的处理液补充部134。处理液补充部134具有与补充用处理液供给源134A连接的补充用处理液供给线134B以及插入设置于补充用处理液供给线134B的开闭阀134C。构成补充用处理液供给线134B的管的下游端位于容器102内，并且位于比容器102内存在的处理液的液位低的高度位置。
在容器102的底部连接有用于废弃容器102内的处理液的排出线136。在排出线136上插入设置有开闭阀138。对容器102设置有用于检测容器102内的处理液的液面LS的高度位置(液位)的液位传感器140。
容器102的上部被顶板封闭，构成循环线104、清洗用线122、返回线132以及补充用处理液供给线134B的管贯穿所述顶板。
在优选的一个实施方式中，清洗喷嘴128能够由至少一根开有多个孔来作为喷出口的管状体构成，该管状体沿着容器102的内壁面延伸。
在容器102的水平截面为矩形的情况下，例如能够如图4所示那样由被弯曲加工为大致矩形的一根管状体128A构成清洗喷嘴128。在该情况下，构成贯穿容器的顶板地上下延伸的清洗用线122的管与管状体128A连接。从形成于管状体128A的作为喷出口的多个孔(图4中未图示)向容器102的内壁面供给处理液(参照从管状体128A向容器102的内周面延伸的箭头)。
取而代之地，例如也能够如图5所示那样由与矩形的四个边分别对应的四根管状体128B构成清洗喷嘴128。在该情况下，构成清洗用线122的管在清洗用线122的下游端部分支成四根，与四根管状体128B分别连接。从形成于各管状体128B的作为喷出口的多个孔(图5中未图示)向容器102的内壁面供给处理液(参照从管状体128A向容器102的内周面延伸的箭头)。
微粒等污染物质大多浮于容器102的处理液的液面并附着于容器102的内壁面。而且，在更换容器102内的处理液等时处理液的液面下降时，微粒等污染物质仍然附着于容器102的内壁面而残留下来。清洗喷嘴128的高度位置和喷出口的朝向设定成能够可靠地清洗该污染物质容易附着的部位的高度位置和朝向。对此，参照图6来进行说明。
关于容器102内的处理液的液位的管理方式，存在基于液位传感器140的检测值进行处理液补充部134的反馈控制使得液位(参照图3的附图标记LS)始终位于预先设定的目标高度位置的管理方式(以下也称作“第一管理方式”)。另外，还存在若由液位传感器140检测出液位下降到下限高度位置(图6的点划线L3)即补充开始位置则从处理液补充部134补充处理液直到液位成为预先设定的目标高度位置(图6的点划线L1)即补充停止位置为止的管理方式(以下也称作“第二管理方式”)。此外，在第一管理方式的情况下，液面在比较小的范围内变动，例如在点划线L1与点划线L2之间变动。
依赖于所采用的管理方式而污染物质的附着范围和附着密度不同，但在任何情况下均是，附着于液面所能够存在的最高位置附近的污染物质最多。因而，优选的是，如图6所示，以使清洗用的处理液碰撞到与预先设定的目标高度位置(图6的点划线L1)大致相同或比该目标高度位置高的位置处的方式来决定清洗喷嘴128的高度位置和喷出口129的朝向，该目标高度位置是液面所能够存在的最高的位置。另外，优选的是，以将清洗用的处理液朝向斜下方地向容器102的内壁面喷出(参照图6的空白箭头S)的方式决定喷出口129的朝向，使得与容器102的内壁面碰撞后的清洗用的处理液不溅起而是沿着内壁面流下。
此外，也可以将清洗喷嘴128设置在两个不同的高度位置，位于低的位置的清洗喷嘴128向容器102的内壁面上的点划线L1的高度位置附近(污染物质以最高密度附着的部位)喷出处理液，位于高的位置的清洗喷嘴向比点划线L1的高度位置高的位置喷出处理液。通过这样，能够利用从位于低的位置的清洗喷嘴喷出的处理液的碰撞能量高效地将污染物质从容器102的内壁面剥下，还能够利用从位于高的位置的清洗喷嘴喷出的处理液可靠地使被剥下的污染物质向下方流动。
接着，对在更换处理液时进行的容器102的清洗方法进行说明。
现在为某个处理批次的晶圆W的处理刚结束后、容器102内的处理液劣化到容许界限或者污染物质含有量达到容许界限而需要更换处理液的状况。在晶圆W的处理过程中打开着的开闭阀124和关闭着的开闭阀126继续维持相同状态，另外，在晶圆W的处理过程中工作着的泵106继续工作，在循环线104内处理液正在循环。在任意处理单元16中均未进行晶圆W的处理，因此流动控制设备118所包括的开闭阀是关闭的。因而，没有从循环线104向分配线114的处理液的流入。另外，在排液线130和返回线132内实质上不存在处理液。
根据上述状态，首先打开排出线136的开闭阀138，开始容器102内的处理液的排液。
在开始容器102内的处理液的排液的大致同时(也可以比排液的开始稍微靠前或靠后)，关闭循环线104的开闭阀124并打开清洗用线122的开闭阀126，流入到循环线104的分支点120的处理液经由清洗用线122流入清洗喷嘴128。由此，从清洗喷嘴128向容器102的内壁面喷射处理液来冲洗附着于内壁面的污染物质。
伴随从排出线136进行的排液，容器102内的处理液的液位逐渐下降。当容器102内的处理液的液位与循环线104的上游端的连接高度位置大致相同或比该连接高度位置低时，发生泵106的空转，因此在刚发生空转或者由液位传感器140检测出成为会发生空转的液位后，停止泵106。之后，继续从排出线136进行排液直到容器102内变空为止。
从开始上述的容器102的清洗的过程之后到泵106停止为止的期间一直从清洗喷嘴128向容器102的内壁面持续喷射处理液。由此，附着于容器102的内壁面的污染物质被从清洗喷嘴128所喷射出的处理液冲洗，在容器102的内壁面上朝向下方流动，流入到容器102内所贮存的处理液内。流入到容器102内所贮存的处理液内的污染物质的一部分与处理液一起通过排出线136从容器102内排出。流入到容器102内所贮存的处理液内的污染物质的其它部分流出到循环线104，被过滤器108捕捉。向容器102供给由过滤器108净化后的处理液。通过上述，能够去除附着于容器102的内壁面的污染物质。
容器102变空之后，从处理液补充部134向容器102内开始供给新的处理液，之后关闭排出线136的开闭阀138。在容器102内的液位上升到泵106的工作没有障碍的程度后，使泵106工作，使处理液在循环线104中循环。由此，洁净的处理液在循环线104内循环。由此，能够使用洁净的处理液在处理单元16中再次进行晶圆W的处理。
此外，如果想使容器102、循环线104和循环线104内的设备的洁净度进一步提高，则使用新的处理液将与上述相同的过程执行一次以上即可。
在上述的过程中，在从排出线136进行的排液开始后直到容器102内液位成为发生泵106的空转这样的液位为止持续从排出线136进行排液，但不限定于此，例如也可以在从排出线136进行的排液开始后且容器102内液位成为发生泵106的空转这样的液位之前的任意的时间点暂时停止排液。在该情况下，也可以在停止了从排出线136进行的排液的状态下，使处理液依次经由容器102、比分支点120靠上游侧的循环线104、清洗用线122和清洗喷嘴128地流动，由此进行容器102的内壁面的清洗，在将该状态持续了规定时间之后，再次开始从排出线136进行的排液。
根据上述实施方式，从设置在容器102内的清洗喷嘴128向容器102的内壁面喷出清洗液，因此能够高效地去除附着于容器102的内壁面的污染物质。
另外，根据上述实施方式，利用位于容器102和循环线104的使用完毕的处理液进行容器102的内壁面的清洗，因此相比于利用专用的清洗液进行清洗的情况能够廉价地进行清洗。另外，通过插入设置于循环线104的泵106产生用于使清洗喷嘴128喷出处理液的驱动力，因此相比于通过其它泵产生用于使清洗喷嘴128喷出处理液的驱动力的情况能够抑制设备成本的上升。另外，一般来说，通过使用产生污染物质的处理液能够高效地去掉附着于容器102的内壁面的来自处理液的污染物质(即通过与处理液之间的化学反应而从晶圆W上被去除的物质)。
也可以使用专用的清洗液来进行容器102的内壁面的清洗。在该情况下，如图10所示，清洗用线122不是从循环线104分支出的，而是与循环线104相独立地设置，清洗用线122的上游端与清洗液供给源150连接。在该情况下，能够使用由于不含有微粒而洁净度更高的清洗液，因此能够高效地去除污染物质。另外，能够对特定的污染物质使用清洗性能特别高的清洗液，因此还能够使清洗效率提高。在该情况下，也能够在更换容器102内的处理液时一边从排出线136对容器102内的处理液进行排液一边进行容器102的内壁面的清洗。此外，如果清洗液会与容器102内的处理液发生不期望的反应(发热、产生有害气体等)，则能够在将容器102内的处理液全部排出之后，例如在从清洗喷嘴128喷出纯水来从容器102的内壁面冲洗掉处理液后再从清洗喷嘴128向容器102的内壁面喷出清洗液。通过像这样使用与处理液相分别的清洗液，能够灵活地变更容器102的内壁面的清洗过程。
能够如下述那样改变上述的实施方式。
也可以是，例如使用如图7所示那样的水平截面为圆形(或大致圆形)的容器102A来代替上述的长方体形状的容器102。在该情况下，清洗喷嘴128能够由被弯曲加工成沿着容器102A的内周面(内壁面)的形状的一根管状体128C构成。在管状体128C上，沿圆周方向隔开间隔地形成有多个孔(喷出口)(在图7中未图示)。从各喷出口向俯视时的径向外侧喷出处理液(参照从管状体128C向容器102A的内周面延伸的箭头)。另外，也可以是，如图8所示那样由沿圆周方向隔开间隔地形成有多个孔(喷出口)(在图8中未图示)的圆盘状构件128D构成清洗喷嘴128。从各喷出口向俯视时的径向外侧喷出处理液(参照从圆盘状构件128D向容器102A的内周面延伸的箭头)。在该情况下，构成清洗喷嘴128的圆盘状构件128D也可以构成为以喷出的处理液作为驱动源的旋转式喷水器。
如图9所示，水平截面为圆形(或大致圆形)的容器102A能够整体形成为圆筒形。图9所示的容器102A的底部为大致漏斗形，底部之上的部分形成为圆筒形。在容器102A的漏斗形部分的底处连接有构成排出线136的管，在容器102的圆筒形部分的最下部连接有构成循环线104的上游端部分的管。构成循环线104的下游端部分和清洗用线122的管贯穿容器102的顶板地沿上下方向延伸。
在构成清洗用线122的管的顶端安装有清洗喷嘴128E。该清洗喷嘴128E从接近容器102的内周面(内壁面)的位置起沿容器102的内周面的大致切线方向并且沿大致水平方向或稍稍朝下地喷射清洗液。从清洗喷嘴128E喷射出的清洗液沿容器102的内周面流动并且逐渐落向下方。即，从清洗喷嘴128E喷射出的清洗液描画出螺旋状地沿着容器102的内周面流动。通过该螺旋流动，附着于容器102的内周面的污染物质被冲洗。在图9的实施方式中，清洗的过程也与前述的实施方式相同即可。此外，在图9中，省略了构成返回线132和补充用处理液供给线134B的管的记载。
也可以是，水平截面为圆形的容器整体为大致球形。在该情况下也与图9的实施方式同样地，通过清洗喷嘴形成沿着容器的内周面(内壁面)呈螺旋状地流动的处理液的流动。
在上述实施方式中，作为基板处理系统1的处理对象的基板为半导体晶圆W，但并不限定于此，也可以为LCD用的玻璃基板、陶瓷基板等其它种类的基板。

Claims (6)

1.一种基板液处理装置，具备：
容器，其贮存处理液；
循环线，其与所述容器连接，供从所述容器出来并返回所述容器的所述处理液的循环流流动；
处理单元，其通过将从所述循环线分配出的所述处理液供给到基板来对基板进行处理；
返回线，其使被供给到所述基板之后从所述处理单元排出的所述处理液返回所述容器；
清洗喷嘴，其向所述容器的内壁面喷出清洗液，利用所述清洗液对所述内壁面进行清洗；
清洗用线，其从所述循环线分支出，将所述处理液作为所述清洗液向所述清洗喷嘴供给；
第一开闭阀，其插入设置于所述清洗用线；
第二开闭阀，其设置于所述循环线的比分支出所述清洗用线的分支点靠下游侧且比所述容器靠上游侧的位置；
排出线，其用于废弃所述容器内的所述处理液；
第三开闭阀，其插入设置于所述排出线；以及
控制部，其以如下方式控制所述第一开闭阀、所述第二开闭阀以及所述第三开闭阀：在利用所述处理单元对基板进行处理时，关闭所述第一开闭阀和所述第三开闭阀，并且打开所述第二开闭阀，在不利用所述处理单元对基板进行处理并且利用所述清洗液来清洗所述容器的内壁面时，关闭所述第二开闭阀并且打开所述第一开闭阀和所述第三开闭阀。
2.根据权利要求1所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述基板液处理装置还具备处理液补充部，该处理液补充部将所述处理液补充到预先设定的目标高度位置，
所述清洗喷嘴配置在比所述目标高度位置高的位置，
所述清洗喷嘴设置成从该清洗喷嘴喷出的所述处理液到达所述内壁面的液到达高度位置与所述目标高度位置相同或比所述目标高度位置高。
3.根据权利要求1所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述清洗喷嘴沿着所述容器的内壁面在水平方向上延伸并具有沿着所述水平方向隔开间隔地设置的多个喷出口。
4.一种容器清洗方法，是基板液处理装置中的容器的清洗方法，该基板液处理装置具备：所述容器，其贮存处理液；循环线，其与所述容器连接，供从所述容器出来并返回所述容器的所述处理液的循环流流动；处理单元，其通过将从所述循环线分配出的所述处理液供给到基板来对所述基板进行处理；返回线，其使被供给到所述基板之后从所述处理单元排出的所述处理液返回所述容器；清洗喷嘴，其向所述容器的内壁面喷出清洗液，利用所述清洗液对所述内壁面进行清洗；清洗用线，其从所述循环线分支出，将所述处理液作为所述清洗液向所述清洗喷嘴供给；第一开闭阀，其插入设置于所述清洗用线；第二开闭阀，其设置于所述循环线的比分支出所述清洗用线的分支点靠下游侧且比所述容器靠上游侧的位置；排出线，其用于废弃所述容器内的所述处理液；以及第三开闭阀，其插入设置于所述排出线，
在该容器清洗方法中，将在利用所述处理单元对基板进行处理时关闭的所述第一开闭阀和所述第三开闭阀打开，并且将在利用所述处理单元对基板进行处理时打开的所述第二开闭阀关闭，由此取出在所述循环线中流动的所述处理液，一边将该处理液作为所述清洗液从所述清洗喷嘴向所述容器的内壁面喷出，一边将处于所述容器内的所述处理液经由所述排出线排出。
5.根据权利要求4所述的容器清洗方法，其特征在于，
在更换所述容器中贮存的处理液时实施所述容器清洗方法。
6.一种存储介质，存储有如下程序：
在通过用于对基板液处理装置的动作进行控制的计算机执行该程序时，所述计算机控制所述基板液处理装置使其执行根据权利要求4或5所述的容器清洗方法。
CN201710339387.7A 2016-05-17 2017-05-15 基板液处理装置、容器清洗方法以及存储介质 Active CN107452650B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016098977A JP6605394B2 (ja) 2016-05-17 2016-05-17 基板液処理装置、タンク洗浄方法及び記憶媒体
JP2016-098977 2016-05-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107452650A CN107452650A (zh) 2017-12-08
CN107452650B true CN107452650B (zh) 2022-01-28

Family

ID=60329381

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710339387.7A Active CN107452650B (zh) 2016-05-17 2017-05-15 基板液处理装置、容器清洗方法以及存储介质

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10500617B2 (zh)
JP (1) JP6605394B2 (zh)
KR (1) KR102354361B1 (zh)
CN (1) CN107452650B (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101971152B1 (ko) * 2017-08-18 2019-04-22 에스케이실트론 주식회사 웨이퍼 세정 장치 및 그를 이용한 웨이퍼 세정 장치의 클리닝 방법
JP7130388B2 (ja) * 2018-02-28 2022-09-05 株式会社Kelk 液体加熱装置及び洗浄システム
KR102061843B1 (ko) 2018-06-04 2020-01-02 이형섭 케미컬 공급 시스템
WO2019246245A1 (en) 2018-06-20 2019-12-26 Veeco Precision Surface Processing Llc System and method for self-cleaning wet treatment process
JP7190892B2 (ja) * 2018-12-12 2022-12-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および処理液濃縮方法
JP7382164B2 (ja) 2019-07-02 2023-11-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
CN114026679A (zh) 2019-07-03 2022-02-08 东京毅力科创株式会社 基片处理设备和处理液制备方法
CN110808218B (zh) * 2019-10-23 2022-07-08 长江存储科技有限责任公司 一种处理液供应装置的控制方法及处理液供应装置
JP7491791B2 (ja) 2020-09-15 2024-05-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理液供給装置および供給タンク洗浄方法
KR102616521B1 (ko) * 2020-10-08 2023-12-27 세메스 주식회사 기판 처리 장치, 처리액 공급 장치 및 처리액 공급 방법
JP2022131885A (ja) * 2021-02-26 2022-09-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理液循環方法、及び、基板処理方法
US12084771B2 (en) * 2021-03-02 2024-09-10 Applied Materials, Inc. Control of liquid delivery in auto-refill systems

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003057843A (ja) * 2001-08-09 2003-02-28 Tokyo Electron Ltd 洗浄処理装置および現像処理装置
TW201542301A (zh) * 2014-03-10 2015-11-16 Screen Holdings Co Ltd 基板處理系統及配管洗淨方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3382138B2 (ja) * 1997-08-21 2003-03-04 富士通株式会社 薬液供給装置及び薬液供給方法
DE10114598A1 (de) * 2001-03-23 2002-10-02 Aventis Pharma Gmbh CIP-gerechte Ausführung einer Horizontalzentrifuge mit Vollmanteltrommel
JP5726784B2 (ja) * 2012-02-24 2015-06-03 東京エレクトロン株式会社 処理液交換方法および基板処理装置
JP6385714B2 (ja) 2014-05-16 2018-09-05 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理装置の洗浄方法及び記憶媒体

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003057843A (ja) * 2001-08-09 2003-02-28 Tokyo Electron Ltd 洗浄処理装置および現像処理装置
TW201542301A (zh) * 2014-03-10 2015-11-16 Screen Holdings Co Ltd 基板處理系統及配管洗淨方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170129610A (ko) 2017-11-27
US10500617B2 (en) 2019-12-10
JP6605394B2 (ja) 2019-11-13
JP2017208418A (ja) 2017-11-24
KR102354361B1 (ko) 2022-01-20
CN107452650A (zh) 2017-12-08
US20170333958A1 (en) 2017-11-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107452650B (zh) 基板液处理装置、容器清洗方法以及存储介质
KR102353792B1 (ko) 기판 액 처리 장치, 기판 액 처리 장치의 세정 방법 및 기억 매체
KR102525270B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR100930005B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
TWI666700B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP2015220318A5 (zh)
CN114256103A (zh) 基板处理装置和基板处理装置的清洗方法
CN107527839B (zh) 基板处理装置、基板处理装置的清洗方法和存储介质
JP6768146B2 (ja) 液供給装置および液供給方法
JP6359477B2 (ja) 基板液処理装置
JP5425745B2 (ja) 液処理装置、液処理方法、およびこの液処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体
JPWO2018030516A1 (ja) 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
KR20230035056A (ko) 액 처리 장치 및 액 처리 방법
JP7499622B2 (ja) 液処理装置および液処理方法
CN110875220A (zh) 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
KR20140111593A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6328538B2 (ja) 基板液処理装置の洗浄方法、記憶媒体及び基板液処理装置
JP6914050B2 (ja) 基板処理装置
US11794219B2 (en) Liquid supply unit and substrate treating apparatus and method
JP2023096517A (ja) 基板処理装置および処理液の交換方法
JP7376424B2 (ja) 基板処理用の処理液の交換方法および基板処理装置
JP6101228B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
CN111656493A (zh) 基板处理装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant