TWI467686B - 基板處理裝置 - Google Patents

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Description

基板處理裝置
本發明係關於一種基板處理裝置，包含：區塊，自運送容器取出基板；及處理區塊，包含對基板進行單片處理之複數處理單元。
半導體元件等製程中，有對半導體晶圓(以下稱晶圓)等基板表面供給化學液或純水等處理液以去除附著於基板之微粒或污染物質之液體處理。
如此進行液體處理之液體處理裝置之一中，有在旋轉夾盤上逐一載置基板，令基板旋轉並同時對該基板表面供給處理液以實行液體處理之液體處理裝置。此種液體處理裝置中，有例如使用共通基板運送機構運送基板至可實行同種液體處理之複數液體處理單元，藉此於複數液體處理單元中並行實行液體處理並同時連續更換基板，以提升每單位時間基板之處理片數(處理能力)者(專利文獻1)。
本案發明人探討是否可使包含如此構造之液體處理裝置處理能力更為提升。此時若增加液體處理單元之搭載數，可並行處理之基板片數即會增多，可實現處理能力之提升。然而若在如此1台液體處理裝置中增加液體處理單元，於例如各液體處理單元或基板運送機構、對液體處理單元供給處理液之供給系等發生故障時，液體處理裝置整體即需停止，產生之損失增大。
在此專利文獻2中記載有一塗布顯影裝置，進行對半導體晶圓塗布塗布液之塗布處理、熱處理及曝光後之顯影處理之一連串處理，其特徵在於相互連接設置以相同構成排列有處理單元或基板運送機構之處理區塊，藉由增減該處理區塊之個數，可對應所要求之處理能力設計或製造裝置。
然而此構成中，自載具區塊S1對第3處理區塊S4傳遞晶圓W時，一旦藉由第1處理區塊S2之穿梭臂G1傳遞晶圓W至第2處理區塊S3後，即藉由第2處理區塊S3之穿梭臂G2傳遞晶圓W至第3處理區塊S4。因此於第2處理區塊S3之模組或運送機構發生故障時，晶圓W無法傳遞至第3處理區塊S4，故即使適用專利文獻2所記載之技術有時液體處理裝置亦無法被稱為已高效率運轉。
【先前技術文獻】
【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開2008-34490號公報：0020段落、圖1
【專利文獻2】日本特開2008-258209號公報：圖1~圖3、圖7
鑑於如此之情事，本發明提供一種基板處理裝置，可實現處理能力之提升，即使在故障發生時，亦可抑制裝置整體作動率之降低。
因此本發明之基板處理裝置包含：基板送入區塊，包含：容器載置部，載置有收納基板之基板運送容器；及傳遞機構，傳遞基板至載置於該容器載置部之基板運送容器；第1處理區塊、第2處理區塊及第3處理區塊，係自該基板送入區塊側依序配置之處理區塊，包含：複數處理單元，用以對基板進行處理；及基板運送機構，用以傳遞基板至此等處理單元；第1傳遞平台，用以自該傳遞機構傳遞基板至該第1處理區塊；第1直接運送機構，用以將自該傳遞機構接收之基板直接運送至第2處理區塊；及第2直接運送機構，用以將自該傳遞機構接收之基板直接運送至第3處理區塊。
該基板處理裝置亦可具有以下特徵。
(a)該第1處理區塊、第2處理區塊及第3處理區塊相互沿橫向配置。
(b)該第2處理區塊包含在與該第1直接運送機構之間傳遞基板之傳遞平台，該第3處理區塊包含在與該第2直接運送機構之間傳遞基板之傳遞平台。
(c)各第1處理區塊、第2處理區塊及第3處理區塊分別包含相互堆疊之上段處理區塊及下段處理區塊，各此等上段處理區塊及下段處理區塊分別包含：複數處理單元，用以分別對各基板進行處理；及基板運送機構，用以傳遞基板至此等處理單元；且各該第2處理區塊及第3處理區塊分別包含：上段平台，藉由該上段處理區塊之基板運送機構傳遞基板；下段平台，藉由該下段處理區塊之基板運送機構傳遞基板；及上下運送機構，將藉由該第1直接運送機構或第2直接運送機構運送之基板傳遞至該上段平台或是下段平台。
(d)各第1處理區塊、第2處理區塊及第3處理區塊分別包含相互堆疊之上段處理區塊及下段處理區塊，各此等上段處理區塊及下段處理區塊分別包含：複數處理單元，用以分別對各基板進行處理；及基板運送機構，用以傳遞基板至此等處理單元；且各該第2處理區塊及第3處理區塊分別包含：上段平台，藉由該上段處理區塊之基板運送機構傳遞基板；下段平台，藉由該下段處理區塊之基板運送機構傳遞基板；上下運送機構，將藉由該第1直接運送機構或該第2直接運送機構運送之基板傳遞至該上段平台或是下段平台；及傳遞平台，用以在與該上下運送機構之間傳遞藉由該第1直接運送機構或該第2直接運送機構運送之基板。
(e)在該基板送入區塊與該第1處理區塊之間包含傳遞區塊，該傳遞區塊包含：該第1傳遞平台；第2傳遞平台，在該傳遞機構與第1直接運送機構之間傳遞基板；及第3傳遞平台，在該傳遞機構與第2直接運送機構之間傳遞基板。
(f)在該各處理區塊間設置區隔壁，於該區隔壁具有可藉由該第1直接運送機構或該第2直接運送機構傳遞基板至各處理區塊之開口。
(g)在該第1處理區塊與該第2處理區塊間設置區隔壁，於該區隔壁具有可藉由該第1直接運送機構傳遞基板至該第2處理區塊，且該第2直接運送機構可通過之開口。
(h)在該第1處理區塊內所具有之該基板運送機構與第1傳遞平台之間傳遞基板。
(i)該第1直接運送機構或該第2直接運送機構可同時運送複數片基板。
(j)該第1直接運送機構及該第2直接運送機構分別於上方下方設有分隔壁。
依本發明，獨立於其他處理區塊之運送外自基板送入區塊直接運送基板至第2處理區塊及第3處理區塊，藉此可迅速傳遞基板至此等處理區塊，故可實現處理能力之提升。且即使於一座處理區塊發生故障，亦可於其他處理區塊持續進行處理，故裝置整體不停止，可抑制裝置作動率之降低。
作為依本發明基板處理裝置之實施形態，於以下參照圖式並同時說明關於進行對係基板之晶圓W供給處理液以去除附著於基板之微粒或污染物質之液體處理之液體處理裝置10之構成。首先 根據圖1簡單說明關於本發明概要即知，本發明之液體處理裝置10包含：載具載置區塊1，自外部送入送出收納複數片晶圓W之載具C；傳遞區塊2，包含晶圓W之傳遞部；及數個處理區塊(例如3個處理區塊：第1處理區塊31、第2處理區塊32、第3處理區塊33)，對晶圓W進行既定液體處理。
此等區塊以載具載置區塊1為前方側，載具載置區塊1、傳遞區塊2、第1處理區塊31、第2處理區塊32、第3處理區塊33沿前後方向排列成一列，相互連接。
該傳遞區塊2中，分別個別設置：第1傳遞平台(21a 21b)，用以傳遞晶圓W至第1處理區塊31；第2傳遞平台22，用以傳遞晶圓W至第2處理區塊32；及第3傳遞平台23，用以傳遞晶圓W至第3處理區塊33。
且設有：第1穿梭臂A1，用以在第2傳遞平台22與第2處理區塊32之間運送晶圓W，係專用之第1直接運送機構；及第2穿梭臂A2，用以在第3傳遞平台23與第3處理區塊33之間運送晶圓W，係專用之第2直接運送機構。
又，藉由第1穿梭臂A1將第2傳遞平台22之晶圓W直接運送至第2處理區塊32，在此進行既定處理後，藉由穿梭臂A1使晶圓回到第2傳遞平台22。同樣地藉由第2穿梭臂A2將第3傳遞平台23之晶圓W直接運送至第3處理區塊33，在此進行既定處理後，藉由穿梭臂A2使晶圓回到第3傳遞部23。如此本發明不經由第2處理區塊32及第3處理區塊33外之其他處理區塊之運送機構，藉由專用之穿梭臂A1、A2直接運送晶圓W至該第2處理區塊32及第3處理區塊33。
以下參照圖2~圖7並同時說明關於各區塊構成。圖2係顯示液體處理裝置10整體構成之橫剖俯視圖，圖3係縱剖側視圖。該載具載置區塊1包含載置有例如4個係基板運送容器之載具C之 容器載置部11。藉由不圖示之開合機構，載置在此容器載置部11上的載具C可使各載具C之蓋部及設於與各載具C之連接面之開合門開合。且該區塊1包含於載置在容器載置部11上的載具C與傳遞區塊2之間傳遞晶圓W，係傳遞機構之送入送出臂B。
此送入送出臂B為對所有載具C進行存取，並對設於傳遞區塊2之第1~第3傳遞平台(21a 21b)~23進行存取，固持晶圓之固持臂12可藉由驅動部例如沿前後方向任意進退，沿左右方向(圖2中Y方向)任意移動，任意轉動並任意昇降。
該傳遞區塊2係設於前後夾隔著載具載置區塊1及第1處理區塊31之位置之框體內空間，呈在例如下列者之間多段包含該第1~第3傳遞平台(21a 21b)~23之構造：區隔壁24，設於載具載置區塊1與傳遞區塊2之間；及區隔壁25，設於傳遞區塊2與第1區塊31之間。
例如該第1~第3傳遞平台(21a 21b)~23多段配置於共通之傳遞擱架26。此例中，第1傳遞平台(21a 21b)由設於傳遞擱架26上方側之上段第1傳遞平台21a，與設於傳遞擱架26下方側之下段第1傳遞平台21b所構成，第2傳遞平台22及第3傳遞平台23設於傳遞擱架26中央側。該第1傳遞平台21a、21b分別例如可載置8片晶圓W，第2及第3傳遞平台22、23分別例如可載置1片晶圓W。於該區隔壁24形成開口部24a，於區隔壁25形成開口部25a。開口部24a形成於對應第1~第3傳遞平台(21a、21b)~23之位置，可藉由送入送出臂B分別對傳遞平台(21a 21b)~23進行存取。開口部25a形成於對應第1~第3傳遞平台(21a 21b)~23之位置，可自第1及第2穿梭臂A1、A2、後述設於第1處理區塊31之處理臂D11、D12，分別對傳遞平台(21a 21b)~23進行存取。以上說明之載具載置區塊1、傳遞區塊2構成本實施形態之基板送入區塊。
接著說明關於第1處理區塊31。此處理區塊31如圖4所示，包含相互堆疊之上段處理區塊31a及下段處理區塊31b。。上段處理區塊31a中，設有沿前後方向延伸，係晶圓W之直線運送路之運送路34a，排列設置俾夾隔著此運送路34a，自載具載置區塊1側觀察於左右2台液體處理單元4相互分別對向。且下段處理區塊31b與上段處理區塊31a相同，排列設置俾夾隔著晶圓W之運送路34b，自載具載置區塊1側觀察於左右2台液體處理單元4相互分別對向。
又，配置於運送路34a左側之上段處理區塊31a及下段處理區塊31b之液體處理單元4設在框體內，並組裝於例如共通之擱架單元U1。且同樣地配置於運送路34b右側之上段處理區塊31a及下段處理區塊31b之液體處理單元4設在框體內，並組裝於例如共通之擱架單元U2。
如圖2~圖4所示於各運送路34a、34b內，相當於上段處理區塊31a之基板運送機構之處理臂D11，與相當於下段處理區塊31b之基板運送機構之處理臂D12相互沿上下設置。該處理臂D11傳遞晶圓W至上段處理區塊31a之4台液體處理單元4及已述之上段第1傳遞平台21a。且該處理臂D12傳遞晶圓W至下段處理區塊31b之4台液體處理單元4及已述之下段第1傳遞平台21b。又，圖4中為便於圖示，省略關於分隔後述之第1處理區塊31、第2處理區塊32、第3處理區塊33之區隔壁27、28。
各處理臂D11、D12於擱架單元U1中面對運送路34a、34b之壁面上，分別安裝在上段側液體處理單元4之下部側，與下段側液體處理單元4之下部側。此等處理臂D11、D12構成相同，故使用圖4及圖5以處理臂D12為例說明之。該處理臂D12中固持晶圓W背面側周緣之固持臂51可沿基台52任意進退，且此基台52可在支持基體53上藉由旋轉機構54繞著鉛直軸任意旋轉，且該支持基體53可順著沿上下方向延伸之導件55任意昇降，並沿設於擱架單元U1中面對運送路34a、34b之壁面之導軌56移動。
且在上段處理區塊31a與下段處理區塊31b之間，形成有該第1及第2穿梭臂A1、A2之運送區域。該第1穿梭臂A1相當於用以運送晶圓W至第2處理區塊32之第1直接運送機構，第2穿梭臂A2相當於用以運送晶圓W至第3處理區塊33之第2直接運送機構，故關於此等穿梭臂A1、A2之詳細情形記載於第2處理區塊32及第3處理區塊33之說明後。
接著說明關於第2處理區塊32及第3處理區塊33。第1~第3處理區塊31~33大致相同，於第2及第3處理區塊32、33中亦與第1處理區塊31相同包含上段處理區塊32a、33a、下段處理區塊32b、33b、上段處理臂D21、D31與下段處理臂D22、32。且第2處理區塊32中擱架單元U3、U4、第3處理區塊32中擱架單元U5、U6分別相當於第1處理區塊31之擱架單元U1、U2。
說明關於與第1處理區塊31不同之部分即知，首先第2處理區塊32如圖2及圖3所示，在與第1處理區塊31鄰接之區域具有傳遞擱架單元U7。此傳遞擱架單元U7中多段設置第1穿梭臂A1進行存取之第2傳遞平台35a、藉由上段處理臂D21傳遞晶圓W之上段平台35b與藉由下段處理臂D22傳遞晶圓W之下段平台35c之平台35a~35c。且為在此等傳遞擱架單元U7各平台之間傳遞晶圓W，設有上下運送機構E1。
此例中，例如該第2傳遞平台35a、上段平台35b及下段平台35c例如圖6所示，具有支持晶圓W背面側，複數根例如3根支持銷37。又，該上下運送機構E1如圖2及圖6所示，例如可設置成固持晶圓W背面側中央部之固持臂57沿基台58朝該平台側任意進退，且此基台58可順著沿上下方向設置之導軌59任意昇降。此時設定支持銷37之配置及固持臂57之形狀，俾固持臂57前進時，在不干擾該平台支持銷37之狀態下進入既定位置。又，圖6中為求便於圖示，省略關於後述分隔第1處理區塊31、第2處理區塊32、第3處理區塊33之區隔壁27、28及擱架單元U2、U4、U6，關於擱架單元U7、U8僅描繪平台。
且於第3處理區塊33亦如圖2及圖3所示，在與第2處理區塊32鄰接之區域具有傳遞擱架單元U8。此傳遞擱架單元U8中設有第2穿梭臂A2進行存取之第3傳遞平台36a，並多段設置藉由上段處理臂D31傳遞晶圓W之上段平台36b與藉由下段處理臂D32傳遞晶圓W之下段平台36c之平台36a~36c。且為在此等傳遞擱架單元U8各平台之間傳遞晶圓W，設有上下運送機構E2。該第3傳遞平台36a、上段平台36b及下段平台36c或上下運送機構E2之構成與設於第2處理區塊32者相同。
且在第1處理區塊31與第2處理區塊32之間設有區隔壁27，在第2處理區塊32與第3處理區塊33之間設有區隔壁28。於區隔壁27，為使第1穿梭臂A1可在與傳遞擱架單元U7之第2傳遞平台35a之間傳遞晶圓W，形成有開口部27a。且於區隔壁27，形成有第2穿梭臂A2可通過之開口部27b。開口部27a與開口部27b之開口相互獨立，可隔離蒙氣。
另一方面，於區隔壁28，為使第2穿梭臂A2可在與傳遞擱架單元U8之第3傳遞平台36a之間傳遞晶圓W，形成有開口部28a。藉由如此以各區隔壁27、28區隔各處理區塊31~33，可隔離各處理區塊31~33間之蒙氣。且例如修理一處理區塊31~33時，對其他處理區塊31~33不造成影響。其結果，於進行修理等時液體處理裝置10整體可不停止而持續實行處理。
接著說明關於第1及第2穿梭臂A1、A2。首先第1穿梭臂A1例如圖5及圖6所示，設於第1處理區塊31下部側液體處理單元4與上部側液體處理單元4之間，不干擾處理臂D11、D12之位置。具體而言安裝於例如擱架單元U1中面對運送路34b之壁面上，下部側液體處理單元4接近上部側。又，固持晶圓W背面側周緣之固持臂61可沿基台62任意進退，且此基台62可在支持基體63上藉由旋轉機構64繞著鉛直軸任意旋轉，且該支持基體63可沿設於擱架單元U1壁面之導軌65任意移動。又，第1穿梭臂A1在與傳遞擱架單元U7之第2傳遞平台35a之間經由開口部27a傳遞晶圓W。
且第2穿梭臂A2例如圖5及圖6所示，設置成可橫跨第1及第2處理區塊31、32移動，設於此等區塊31、32下部側液體處理單元4與上部側液體處理單元4之間，不干擾處理臂D11、D12、D21、D22之位置。此例中例如穿梭臂A2之導軌65設置成可橫跨擱架單元U1及擱架單元U3，該穿梭臂A2之導軌65安裝於安裝有穿梭臂A1導軌65之位置上部側，上部側液體處理單元4下。此穿梭臂A2除導軌65設置成可橫跨擱架單元U1及擱架單元U3壁面以外與上述穿梭臂A1相同。
如此第2穿梭臂A2為在傳遞區塊2之第3傳遞平台23與第3處理區塊31之第3傳遞平台36a之間直接運送晶圓W，通過第1處理區塊31及第2處理區塊32。因此形成於第1處理區塊31與第2處理區塊32之間之區隔壁27之開口部27a形成為第2穿梭臂A2可通過之大小。第2穿梭臂A2在與傳遞擱架單元U8之第3傳遞平台36a之間經由開口部28a傳遞晶圓W。且於第2處理區塊32之傳遞擱架單元U7亦形成第2穿梭臂A2之通過區域。
此等第1及第2穿梭臂A1、A2在與傳遞平台之間傳遞晶圓W時固持臂61雖稍微昇降，但非支持基體63昇降之構成，故如圖5所記載，在上段處理臂D11、D21與下段處理臂D12、D22之間之區域不干擾此等處理臂D11、D12、D21、D22，可沿圖3中X方向任意移動。
且本實施形態中，於第2穿梭臂A2上部沿第2穿梭臂A2之導軌65設有穿梭臂用分隔壁111。且沿第2穿梭臂A2之導軌65，於其下部設有穿梭臂用分隔壁112。且沿第1穿梭臂A1之導軌65，於其下部設有穿梭臂用分隔壁113。藉此，第1穿梭臂A1與第1穿梭臂A1之導軌65設於藉由穿梭臂用分隔壁112與穿梭臂用分隔壁113形成，自處理區塊31a與處理區塊31b隔離之空間。且第2穿梭臂A2與第2穿梭臂A2之導軌65設於藉由穿梭臂用分隔壁111與穿梭臂用分隔壁112形成，自處理區塊31a與處理區塊31b、處理區塊32a與處理區塊32b隔離之空間。
如此藉由穿梭臂用分隔壁111~113，各穿梭臂A1、A2自各處理區塊31a、31b、32a、32b隔離，藉此亦可隔離各處理區塊31a、31b、32a、32b間之蒙氣。因此，例如於一處理區塊31a、31b、32a、32b進行修理時，可在經隔離之空間內運送晶圓W，且各處理區塊31a、31b、32a、32b彼此亦相互隔離，故對運轉中之其他處理區塊31a、31b、32a、32b不造成影響。其結果，液體處理裝置10整體可不停止而持續實行處理。
其次參照圖7並同時說明關於該液體處理單元4之構成。液體處理單元4係對晶圓W進行單片處理之處理單元，包含：外腔室41，形成對晶圓W實行液體處理、潤洗清洗、甩落乾燥各處理，經密封之處理空間；晶圓固持機構43，設於此外腔室41內，使晶圓W以大致保持水平之狀態旋轉；噴嘴臂44，對由晶圓固持機構43固持之晶圓W上表面側供給液體；及內杯42，設於外腔室41內俾包圍晶圓固持機構43，以承接自旋轉之晶圓W朝周圍飛散之液體。
外腔室41設於與相互相鄰之其他液體處理單元4區隔之框體內，於此框體內可經由不圖示之晶圓送入口並藉由對應之處理臂D11~D32送入送出晶圓W。圖7中46係用以排出滯留於外腔室41底面之DIW等排水之排水線，47係用以使外腔室41內之蒙氣排氣之排氣線。且於晶圓固持機構43內部形成液供給路48，可經由該液供給路48對旋轉之晶圓W下表面供給液體。
噴嘴臂44於前端部包含液供給用噴嘴，藉由不圖示之驅動機構該噴嘴在由晶圓固持機構43固持之晶圓W中央側上方位置，與例如設於外腔室41外部之待命位置之間移動。內杯42在包圍由晶圓固持機構43固持之晶圓W之處理位置，與朝該處理位置下方退避之退避位置之間昇降，扮演擋住對旋轉之晶圓W表面供給之各種液體，經由設於內杯42底面之排液線45使此等液體朝液體處理單元4外排出之角色。
其次說明關於對各液體處理單元4供給液體之供給機構即知，設於噴嘴臂44之噴嘴連接上表面側供給線71，此上表面側供給線71分支為IPA供給線72與液供給中間線73。IPA供給線72經由質量流量控制器72a連接IPA供給部72b，此IPA供給部72b扮演對晶圓W上表面側供給用以利用高揮發性使晶圓W乾燥之IPA(異丙醇)之角色。
該液供給中間線73經由切換閥73a分支為3系統液供給線74、75、76，該液供給線74連接用以供給去除殘留於經液體處理後之晶圓W之稀氫氟酸水溶液(以下稱DHF(Diluted HydroFluoric acid)液)或SC1液(氨與雙氧水之混合液)，係潤洗液之DIW(DeIo nized Water)之DIW供給部74a。且液供給線75連接供給去除晶圓W表面微粒或有機性污染物質，係化學液之SC1液之SC1供給部75a，且液供給線76連接供給去除晶圓W表面之自然氧化膜，係酸性化學液之DHF液之DHF供給部76a。
且液供給中間線73經由下表面側供給線77連接對晶圓W下表面供給液體之液供給路48。圖7中，78a、78b係分別調整對噴嘴臂44側、晶圓固持機構43側供給液體之液供給量之質量流量控制器。
如圖2所示液體處理裝置10連接控制部8。控制部8例如由包含CPU與記憶部之電腦所構成，記憶部中針對每一配方記錄有裝有關於該液體處理裝置10之作用、將晶圓W送入各液體處理區塊31~33之液體處理單元4以進行液體處理後，將經液體處理後之晶圓W收納於載具C為止之動作相關控制之步驟(命令)群組之程式。該程式由例如硬碟、光碟、磁光碟、記憶卡等記憶媒體收納，自此安裝於電腦。
例如該配方顯示對某批次之晶圓W於哪一處理區塊31~33進行何種液體處理。製作有關於例如分別於處理區塊31~33進行相同液體處理時，或於處理區塊31~處理區塊33進行不同液體處理時情形下之配方。在此即使化學液相同，在液體處理溫度不同時，或液體處理時間不同時，亦係不同之液體處理。
接著說明關於本發明液體處理裝置10之作用，首先以在第1處理區塊31~第3處理區塊33進行相同液體處理時為例。藉由送入送出臂B將自外部送入載具載置區塊S1之載具C內的晶圓W傳遞至傳遞區塊2之傳遞平台。此時，各處理區塊31~33中，分別設有8台液體處理單元，故將相同批次之晶圓W分配給第1~第3處理區塊31~33以運送之，俾例如首先運送8片晶圓W至第1處理區塊31，再接著運送8片晶圓W至第2處理區塊32，接著運送8片晶圓W至第3處理區塊33。
此時，運送晶圓W至第1處理區塊31時，於上段處理區塊31a及下段處理區塊31b分別設有4台液體處理單元4，故藉由送入送出臂B將載具C內之晶圓W中4片晶圓W運送至傳遞區塊2內上段第1傳遞平台21a，運送4片晶圓W至下段第1傳遞平台21b。又，於第1處理區塊31中，上段處理臂D11自上段第1傳遞平台21a接收晶圓W，運送至既定液體處理單元4，在此進行既定之液體處理。藉由上段處理臂D11使液體處理後之晶圓W回到上段第1傳遞平台21a。
且於下段處理區塊31b中，下段處理臂D12自下段第1傳遞平台21b接收晶圓W，運送至既定液體處理單元4，在此進行既定之液體處理。藉由下段處理臂D12使液體處理後之晶圓W回到下段第1傳遞平台21b。又，藉由送入送出臂B使載置於第1傳遞平台21a、21b，液體處理後之晶圓W回到原來的載具。
且運送晶圓W至第2處理區塊32時，藉由送入送出臂B將載具C內的晶圓W傳遞至傳遞區塊2之第2傳遞平台22。又，藉由第1穿梭臂A1接收此傳遞平台22上的晶圓W，直接運送至第2處理區塊32之第2傳遞平台35a。藉由上下運送機構E1依序傳遞該第2傳遞平台35a之晶圓W至上段平台35b及下段平台35c。又，藉由上段處理臂D21將上段平台35b之晶圓W運送至上段處理區塊32a之液體處理單元4，進行既定之液體處理。藉由上段處理臂D21將液體處理結束後之晶圓W運送至上段平台35b，藉由上下運送機構E1傳遞至第2傳遞平台35a。
另一方面，藉由下段處理臂D22將下段平台35c之晶圓W運送至下段處理區塊32b之液體處理單元4。藉由下段處理臂D22將液體處理結束後之晶圓W運送至下段平台35c，藉由上下運送機構E1傳遞至第2傳遞平台35a。藉由第1穿梭臂A1將第2傳遞平台35a上液體處理後的晶圓W運送至傳遞區塊2之第2傳遞平台22，藉由送入送出臂B使其回到原來的載具C內。
同樣地，運送晶圓W至第3處理區塊33時，藉由送入送出臂B將載具C內的晶圓W傳遞至傳遞區塊2之第3傳遞平台23。又，藉由第2穿梭臂A2接收此傳遞平台23上的晶圓W，直接運送至第3處理區塊33之第3傳遞平台36a。藉由上下運送機構E2依序傳遞該第3傳遞平台36a之晶圓W至上段平台36b及下段平台36c。又，藉由上段處理臂D31運送上段平台36b之晶圓W至上段處理區塊33a之液體處理單元4，進行既定之液體處理。藉由上段處理臂D31運送液體處理結束後之晶圓W至上段平台36b，藉由上下運送機構E2傳遞至第3傳遞平台36a。
另一方面，藉由下段處理臂D32運送下段平台36c之晶圓W至下段處理區塊33b之液體處理單元4。藉由下段處理臂D32運送液體處理結束後之晶圓W至下段平台36c，藉由上下運送機構E2傳遞至第3傳遞平台36a。藉由第2穿梭臂A2直接運送第3傳遞平台36a上液體處理後之晶圓W至傳遞區塊2之第2傳遞平台22，藉由送入送出臂B使其回到原來的載具C內。
上述中，可如已述運送晶圓W至第1處理區塊31所有液體處理單元，再運送晶圓W至第2處理區塊32所有液體處理單元，接著運送晶圓W至第3處理區塊33，亦可依序運送晶圓W至第2處理區塊32與第3處理區塊33。關於晶圓W之運送順序可對應於液體處理單元進行之處理時間，或晶圓W之處理片數等適當決定之。
在此說明關於分別於各液體處理單元4進行之液體處理之一例，以設於第1處理區塊31之上段處理區塊31a之液體處理單元4為例。該上段處理區塊31a中，自上段平台35b接收晶圓W之處理臂D11進入液體處理單元4之一，傳遞該晶圓W至晶圓固持機構43。接著噴嘴臂44移動至晶圓W中央側上方位置，內杯42上昇至處理位置。又，藉由晶圓固持機構43使晶圓W旋轉，並同時自噴嘴及晶圓固持機構43側之化學液供給路48對晶圓W之上下表面兩側供給SC1液。藉此於晶圓W形成化學液之液體膜以進行鹼性化學液清洗。
鹼性化學液清洗一旦結束，內杯42即移動至退避位置，且對噴嘴及晶圓固持機構43之化學液供給路48供給DIW，藉此實行去除晶圓W表面SC1液之潤洗清洗。潤洗清洗結束後實行甩落乾燥，然後，內杯42再上昇至處理位置，令晶圓W旋轉，並同時自噴嘴及晶圓固持機構23之化學液供給路48對晶圓W上下表面供給DHF液。藉此於此等面形成DHF液之液體膜，進行酸性化學液清洗。又，經過既定時間後，內杯42下降至退避位置，切換化學液之供給系統為純水再進行潤洗清洗。
接著內杯42上昇至處理位置，對液體處理單元4上表面供給IPA並同時令晶圓W旋轉，實行利用IPA揮發性之IPA乾燥。藉此完全去除殘留於晶圓W表面之潤洗後純水。然後，內杯42退避至退避位置，不圖示之送入送出口開啟，處理臂D11進入液體處理單元4內以送出處理後之晶圓W，傳遞此晶圓W至上段平台35b。
依上述實施形態，包含第1處理區塊31、第2處理區塊32與第3處理區塊33，於第2處理區塊32與第3處理區塊33中，分別藉由第1穿梭臂A1、第2穿梭臂A2直接運送自基板送入區塊經由送入送出臂B傳遞之晶圓W。因此可迅速運送基板送入區塊之晶圓W至第2及第3處理區塊32、33，故可實現處理能力之提升。
亦即穿梭臂A1、A2係分別在傳遞區塊2與各處理區塊32、32之間運送晶圓W之專用運送機構，故可不干擾藉由其他處理區塊之處理臂D進行運送，獨立運送晶圓W。因此可高速自傳遞區塊2傳遞晶圓W至第2及第3處理區塊32、33，故如已述可提升處理能力。
且可如此獨立運送晶圓W至第1處理區塊31~第3處理區塊33，故即使於1座處理區塊發生故障，亦可於其他處理區塊持續進行處理。例如若於第1處理區塊31發生故障，即可運送晶圓W至第2處理區塊32及第3處理區塊33以進行處理，若於第2處理區塊32發生故障，即可運送晶圓W至第1處理區塊31及第3處理區塊33以進行處理。此等者例如藉由以控制部8控制以送入送出臂B傳遞晶圓W，俾若於處理區塊發生故障，即停止發生故障之處理區塊處理臂之驅動，並於傳遞區塊2不運送晶圓至發生故障之處理區塊之傳遞平台。
如此即使在一座處理區塊內發生故障，亦可於其他處理區塊持續進行處理，故裝置整體不停止，可抑制裝置作動率之降低。
並且可獨立運送晶圓W至第1處理區塊31~第3處理區塊33，故可配合晶圓W之處理片數，選擇運轉之處理區塊。例如於處理片數少之程序中，可僅第1處理區塊31或僅第1處理區塊31及第2處理區塊32運轉。於此時，例如藉由控制部8，製作僅使用第1處理區塊31之配方、僅使用第1及第2處理區塊31、32之配方並選擇之，藉此控制送入送出臂B或處理臂D11、12、21、22、上下運送機構E1、對應之液體處理單元之驅動。此時雖產生不運轉之處理區塊，但不需無意義地移動處理臂D，故可實現運轉成本之降低。
並且於上述實施形態中，第2處理區塊32及第3處理區塊33構成相同，藉由增設如此構成相同之處理區塊，可更增加液體處理單元之個數。如此增設新的處理區塊時，例如可在係第2穿梭臂A2上方側，不干擾第1~第3處理區塊31~33中上段處理臂之位置，設置用以在傳遞區塊2與新的處理區塊之間直接運送晶圓W之專用穿梭臂。
且於本發明之液體處理裝置10中，亦可如已述於第1處理區塊31~第3處理區塊33進行不同之液體處理。於此時，如已述，配方中記載有運送批次晶圓至哪一處理區塊，於該處理區塊進行何種液體處理，故運送批次晶圓至對應之處理區塊。
於第1處理區塊31~第3處理區塊33分別進行不同之液體處理時，分別將載具C1~C3之晶圓W運送至對應之處理區塊31~33，俾就例如載具C1之晶圓W1於第1處理區塊31進行液體處理，就載具C2之晶圓W2於第2處理區塊32進行液體處理，就載具C3之晶圓W3於第3處理區塊33進行液體處理。
此時，亦可首先依序將載具C1內之所有晶圓W1傳遞至第1處理區塊31，進行既定之液體處理，使液體處理後之晶圓W1回到載具C1內，再依序將載具C2(C3)內所有晶圓W2(W3)傳遞至第2處理區塊32(第3處理區塊33)，進行既定之液體處理，使液體處理後之晶圓W2(W3)回到載具C2(C3)內。且亦可首先將載具C1內的晶圓W1傳遞至第1處理區塊31內所有液體處理單元4，再依序將載具C2(C3)內的晶圓W2傳遞至第2處理區塊32(第3處理區塊33)，於所有處理區塊31~33並行進行不同之液體處理。此時，第2處理區塊32所有液體處理單元可裝滿，再運送晶圓W至第3處理區塊33，亦可依序運送晶圓W至第2處理區塊32與第3處理區塊33。關於晶圓W之運送順序，可對應於液體處理單元進行之處理時間，或晶圓W之處理片數等適當決定。
如此之實施形態中，可分別於第1處理區塊31~第3處理區塊33進行處理，故處理片數少之批次可使用1座處理區塊進行處理等，對應程序選擇使用之處理區塊，可提升裝置之作動率。
於上述本發明中如圖8及圖9所示，第1處理區塊亦可與第2及第3處理區塊構成相同。此例中，載具載置區塊1之後段連接第1處理區塊30。又，於第1處理區塊30中載具載置區塊1之送入送出臂B可存取之區域，設有多段排列有傳遞平台之傳遞擱架單元U0，於此設有在與該送入送出臂B之間傳遞晶圓W之第1傳遞平台20。
於此傳遞擱架單元U0上段側，為傳遞晶圓W至上段處理臂D11設有上段平台30a，於其下段側，為傳遞晶圓W至下段處理臂D12設有下段平台30b。且在傳遞擱架單元U0之第1傳遞平台20與上段平台30a、下段平台30b之間可藉由上下運送機構E0傳遞晶圓W。此例中載具載置區塊1構成基板送入區塊。且在與送入送出臂B之間傳遞晶圓W之第2傳遞平台22與第3傳遞平台23設於第1處理區塊30之傳遞擱架單元U0。關於其他構成與上述實施形態相同，就相同構成部分賦予相同符號。
該實施形態中，傳遞晶圓至第1處理區塊31時，藉由送入送出臂B將自外部送入載具載置區塊S1之載具C內的晶圓W傳遞至第1處理區塊30之第1傳遞平台20。藉由上下運送機構E0依序傳遞該傳遞平台20之晶圓W至上段平台30a及下段平台30b。又，藉由上段處理臂D11運送上段平台30a之晶圓W至上段處理區塊31a之液體處理單元4，藉由下段處理臂D12運送下段平台30b之晶圓W至下段處理區塊31b之液體處理單元4，分別進行既定之液體處理。分別藉由處理臂D11、D12運送液體處理結束後之晶圓W至上段平台30a或下段平台30b，藉由上下運送機構E0傳遞至第1傳遞平台20，藉由送入送出臂B使其回到載具C。
且運送晶圓W至第2處理區塊32(第3處理區塊33)時，藉由送入送出臂B傳遞載具C內之晶圓W至第1處理區塊30之第2傳遞平台22(第3傳遞平台23)。又，藉由第1穿梭臂A1(第2穿梭臂A2)接收此傳遞平台22(23)上的晶圓W，直接運送至第2處理區塊32之第2傳遞平台35a(第3處理區塊33之第3傳遞平台36a)。以下與上述實施形態相同。
如此之構成中，送入送出臂B上下方向之移動距離短即可達成目的，至第1處理區塊30~第3處理區塊33為止，液體處理單元、傳遞擱架單元、處理臂構成可相同，故有設計或製造容易之優點。
且本發明中如圖10及圖11所示，第1處理區塊~第3處理區塊亦可沿上下方向堆疊設置。此圖中，91係載具載置區塊，92係傳遞區塊，藉由此等者構成基板送入區塊。且圖中90係作為容器載置部之載具載置部。於傳遞區塊92後段，自下而上依下列順序堆疊設置有第1處理區塊93、第2處理區塊94與第3處理區塊95。
該傳遞區塊92中設有下列者，俾沿載具C之排列方向(圖10中Y方向)排成一列：第1傳遞平台96，用以自係傳遞機構之送入送出臂B傳遞晶圓W至第1處理區塊93；第2傳遞平台97a，用以自送入送出臂B傳遞晶圓W至第2處理區塊94；及第3傳遞平台98a，用以自送入送出臂B傳遞晶圓W至第3處理區塊95。
此例中，送入送出臂B可任意進退，繞著鉛直軸任意旋轉並沿左右方向(圖10中Y方向)任意移動。
且在係傳遞區塊92中第2傳遞平台97a上方側，對應第2處理區塊94之位置，設有上方側傳遞平台97b。且在此第2傳遞平台97a與上方側傳遞平台97b之間設有用以直接運送晶圓W之第1直接運送機構F1。
並且在係傳遞區塊92中第3傳遞平台98a上方側，對應第3處理區塊95之位置，設有上方側傳遞平台98b。又，在此第3傳遞平台98a與上方側傳遞平台98b之間設有用以直接運送晶圓W之第2直接運送機構F2。此等第1、第2直接運送機構F1、F2中，固持晶圓W之固持臂99可任意進退，且沿上下方向任意移動。
另一方面，第1處理區塊93、第2處理區塊94、第3處理區塊95中，設有：複數處理單元100，用以分別對各晶圓W進行處理；及基板運送機構D1~D3，用以傳遞晶圓W至此等處理單元100。
又，於第1~第3處理區塊93~95中，可藉由基板運送機構D1~D3，在與對應之傳遞平台96、上段側傳遞平台97b、98b之間傳遞晶圓W。
該實施形態中，第1~第3處理區塊93~95雖沿上下方向配置，但所謂「自基板送入區塊側依序配置」意指自基板送入區塊之傳遞機構(送入送出臂B)進行存取之區域依序配置。該實施形態中，送入送出臂B不沿上下方向移動，故該臂B進行存取之區域係可在與第1處理區塊93之處理臂D1之間傳遞晶圓W之區域，自此於上方側依序配置第2處理區塊94、第3處理區塊95。
如此之構成中，藉由送入送出臂B依序傳遞載具C內之晶圓W至第1~第3傳遞平台96、97a、98a，藉由第1處理區塊93之基板運送機構D1接收第1傳遞平台96上的晶圓W，傳遞至第1處理區塊93內。且藉由第1直接運送機構F1運送第2傳遞平台97a上的晶圓W至上方側傳遞平台97b，接著藉由第2處理區塊94之基板運送機構D2接收之，傳遞至第2處理區塊94內。且藉由第2直接運送機構F2運送第3傳遞平台98a上的晶圓W至上方側傳遞平台98b，接著藉由第3處理區塊95之基板運送機構D3接收之，傳遞至第3處理區塊95內。
如此之實施形態中，亦藉由第1、第2直接運送機構F1、F2自傳遞區塊2直接運送晶圓W至第2處理區塊94、第3處理區塊95，故可順暢地傳遞晶圓W至各處理區塊，可實現處理能力之提升。且可獨立運送晶圓W至各處理區塊93~95，故即使在一座處理區塊中發生故障時，亦可以其他處理區塊持續進行處理，可抑制裝置作動率之降低。且該實施形態中，多段堆疊有處理區塊，故亦可獲得即使液體處理單元增加，亦可抑制裝置之佔有面積增大之效果。
上述中，於上述構成內作為處理單元雖組裝有構成相同之液體處理單元，但亦可於1座處理區塊內組裝有清洗晶圓W表面側之表面清洗單元、清洗晶圓W背面側之背面清洗單元與晶圓W之反轉單元等不同構成之處理單元。惟組裝於第1~第3處理區塊之處理單元之種類或數量、佈局相同。
且上述實施形態中直接運送機構之固持臂雖為1片，但亦可係設置複數片固持臂之構成，同時自一方傳遞平台接收複數晶圓W，傳遞至另一方傳遞平台。
且用以自載具C送入送出晶圓W之送入送出臂B亦可設有複數固持臂12。
且上述實施形態中雖記載有傳遞擱架單元U7、U8之上段平台35b、36b或下段平台35c、36c與第2、第3傳遞平台35a、36a，及傳遞區塊2之傳遞平台22、23內僅可載置1片晶圓W，但可多段載置複數片晶圓W於此，亦可於上下運送機構進行存取之區域設置晶圓W之緩衝。
並且基板送入區塊之送入送出臂B與穿梭臂A1、A2(第1、第2直接運送機構F1、F2)之間晶圓W之傳遞亦可不設置傳遞平台，藉由固持臂彼此直接傳遞之。
且使用流體之處理不限於上述液體處理，亦可適用於例如對晶圓W供給HMDS(六甲基二矽氮烷)等蒸氣以疏水化晶圓W表面之處理裝置。
A1．．．第1直接運送機構(第1穿梭臂)
A2．．．第2直接運送機構(第2穿梭臂)
B．．．送入送出臂
C、C1~C3．．．載具
D1~D3．．．基板運送機構(處理臂)
D．．．處理臂
D11、D21、D31．．．上段處理臂
D21、D22、D32．．．下段處理臂
E0~E2．．．上下運送機構
F1．．．第1直接運送機構
F2．．．第2直接運送機構
G1、G2．．．穿梭臂
S1．．．載具區塊(載具載置區塊)
S2．．．第1處理區塊
S3．．．第2處理區塊
S4．．．第3處理區塊
U0．．．傳遞擱架單元
U1~U6．．．擱架單元
U7、U8．．．傳遞擱架單元
W、W1~W3．．．晶圓
1．．．載具載置區塊
2．．．傳遞區塊
4．．．液體處理單元
8．．．控制部
10．．．液體處理裝置
11．．．容器載置部
12．．．固持臂
20、21a、21b．．．第1傳遞平台
22．．．第2傳遞平台
23．．．第3傳遞平台
24、25、27、28．．．區隔壁
24a、25a、27a、27b、28a．．．開口部
26．．．傳遞擱架
30．．．第1處理區塊
30a．．．上段平台
30b．．．下段平台
31．．．第1處理區塊
31a．．．上段處理區塊
31b．．．下段處理區塊
32．．．第2處理區塊
32a、33a．．．上段處理區塊
32b、33b．．．下段處理區塊
33．．．第3處理區塊
34a、34b．．．運送路
35a．．．第2傳遞平台
35b．．．上段平台
35c．．．下段平台
36a．．．第3傳遞平台
36b．．．上段平台
36c．．．下段平台
37．．．支持銷
41．．．外腔室
42．．．內杯
43．．．晶圓固持機構
44．．．噴嘴臂
45．．．排液線
46．．．排水線
47．．．排氣線
48．．．液供給路(化學液供給路)
51、57、61．．．固持臂
52、58、62．．．基台
53、63．．．支持基體
54、64．．．旋轉機構
55．．．導件
56、59、65．．．導軌
71．．．上表面側供給線
72．．．IPA供給線
72a．．．質量流量控制器
72b．．．IPA供給部
73．．．液供給中間線
73a．．．切換閥
74、75、76．．．液供給線
74a．．．DIW供給部
75a．．．SC1供給部
76a．．．DHF供給部
77．．．下表面側供給線
78a、78b．．．質量流量控制器
90．．．載具載置部
91．．．載具載置區塊
92．．．傳遞區塊
93．．．第1處理區塊
94．．．第2處理區塊
95．．．第3處理區塊
96．．．第1傳遞平台
97a．．．第2傳遞平台
97b、98b．．．上方側傳遞平台
98a．．．第3傳遞平台
99．．．固持臂
100．．．處理單元
111~113．．．穿梭臂用分隔壁
圖1係依本發明實施形態之液體處理裝置之概略縱剖側視圖。
圖2係依本發明實施形態之液體處理裝置之橫剖俯視圖。
圖3係該液體處理裝置之縱剖側視圖。
圖4係顯示該液體處理裝置內部構成一部分之立體圖。
圖5係顯示該液體處理裝置內部構成一部分之側視圖。
圖6係顯示該液體處理裝置內部構成一部分之立體圖。
圖7係顯示搭載於該液體處理裝置之液體處理單元構成之說明圖。
圖8係依本發明另一實施形態之液體處理裝置之橫剖俯視圖。
圖9係依該另一實施形態之液體處理裝置之縱剖側視圖。
圖10係依本發明又一實施形態之液體處理裝置之橫剖俯視圖。
圖11係依該又一實施形態之液體處理裝置之縱剖側視圖。
A1．．．第1直接運送機構(第1穿梭臂)
A2．．．第2直接運送機構(第2穿梭臂)
B．．．送入送出臂
C．．．載具
D11、D21、D31．．．上段處理臂
D12、D22、D32．．．下段處理臂
U7、U8．．．傳遞擱架單元
1．．．載具載置區塊
2．．．傳遞區塊
11．．．容器載置部
21a、21b．．．第1傳遞平台
22．．．第2傳遞平台
23．．．第3傳遞平台
24、25、27、28．．．區隔壁
24a、25a、27a、27b、28a．．．開口部
26．．．傳遞擱架
31．．．第1處理區塊
31a．．．上段處理區塊
31b．．．下段處理區塊
32．．．第2處理區塊
32a、33a．．．上段處理區塊
32b、33b．．．下段處理區塊
33．．．第3處理區塊
35a．．．第2傳遞平台
35b．．．上段平台
35c．．．下段平台
36a．．．第3傳遞平台
36b．．．上段平台
36c．．．下段平台
111~113．．．穿梭臂用分隔壁

Claims (11)

  1. 一種基板處理裝置，包含：基板送入區塊，包含：容器載置部，載置有收納基板之基板運送容器；及傳遞機構，用來對載置於該容器載置部之基板運送容器進行基板之傳遞；第1處理區塊、第2處理區塊及第3處理區塊，係自該基板送入區塊側依序配置之處理區塊，包含：複數處理單元，用以對基板進行處理；及基板運送機構，用以對於此等處理單元進行基板之傳遞；第1傳遞平台，用以藉由該傳遞機構將來自該基板運送容器之基板載置至該第1處理區塊；第2傳遞平台，用以藉由該傳遞機構將來自該基板運送容器之基板載置至該第2處理區塊；第3傳遞平台，用以藉由該傳遞機構將來自該基板運送容器之基板載置至該第3處理區塊；第1直接運送機構，用以將來自該第二傳遞平台之基板直接運送至該第2處理區塊；及第2直接運送機構，用以將來自第三傳遞平台之基板直接運送至該第3處理區塊，其中該第1直接運送機構及該第2直接運送機構每一者係專用的運送機構，用以分別將基板直接且專門地運送至該第2處理區塊及該第3處理區塊。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該第1處理區塊、第2處理區塊及第3處理區塊相互沿橫向配置。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，該第2處理區塊包含在其與該第1直接運送機構之間傳遞基板之傳遞平台，該第3處理區塊包含在其與該第2直接運送機構之間傳遞基 板之傳遞平台。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，第1處理區塊、第2處理區塊及第3處理區塊中之各區塊分別包含相互堆疊之上段處理區塊及下段處理區塊，而此等上段處理區塊及下段處理區塊分別包含：複數處理單元，用以分別對各基板進行處理；及基板運送機構，用以對於此等處理單元進行基板之傳遞；且該第2處理區塊及第3處理區塊各自包含：上段平台，藉由該上段處理區塊之基板運送機構傳遞基板；下段平台，藉由該下段處理區塊之基板運送機構傳遞基板；及上下運送機構，將藉由該第1直接運送機構或第2直接運送機構所運送之基板傳遞至該上段平台或是下段平台。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，該第1處理區塊、第2處理區塊及第3處理區塊各自包含相互堆疊之上段處理區塊及下段處理區塊，該等上段處理區塊及下段處理區塊各自包含：複數處理單元，用以分別對各基板進行處理；及基板運送機構，用以對於此等處理單元進行基板之傳遞；且該第2處理區塊及第3處理區塊各自包含：上段平台，藉由該上段處理區塊之基板運送機構傳遞基板；下段平台，藉由該下段處理區塊之基板運送機構傳遞基板；上下運送機構，將藉由該第1直接運送機構或該第2直接運送機構運送之基板傳遞至該上段平台或是下段平台；及傳遞平台，用以將藉由該第1直接運送機構或該第2直接運送機構所運送之基板，在其與該上下運送機構之間進行基板之傳遞。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，在該基板送入區塊與該第1處理區塊之間包含傳遞區塊，該傳遞區塊包含：該第1傳遞平台；該第2傳遞平台，在該傳遞機構與第1直接運送機構之間傳遞基板；及該第3傳遞平台，在該傳遞機構與第2直接運送機構之間傳遞基板。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，在該各處理區塊間設置區隔壁，於該區隔壁具有可藉由該第1直接運送機構或該第2直接運送機構傳遞基板至各處理區塊之開口。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，在該第1處理區塊與該第2處理區塊間設置區隔壁，於該區隔壁具有可藉由該第1直接運送機構傳遞基板至該第2處理區塊，且該第2直接運送機構可通過之開口。
  9. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，在設於該第1處理區塊內之該基板運送機構與第1傳遞平台之間，進行基板之傳遞。
  10. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，該第1直接運送機構或該第2直接運送機構可同時運送複數片基板。
  11. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，在該第1直接運送機構及該第2直接運送機構的上方及下方分別設有分隔壁。
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