JP5362232B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、例えば液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ用ガラス基板、半導体ウエハ、磁気／光ディスク用のガラス／セラミック基板等の各被処理基板に対して一連の処理を施す処理装置に関する技術であって、特に各処理機構や搬送機構のレイアウトの技術に関する。

例えば液晶表示装置用ガラス基板の製造過程において、ガラス基板にレジスト液を塗布してレジストの被膜を形成し、所望の回路パターンに応じた露光を行って現像処理することによって、基板上に回路パターンを形成する工程（フォトリソグラフィー工程）が知られている。

このフォトリソグラフィー工程は、主として、洗浄処理、乾燥処理（熱的処理）、塗布処理、プリベーク（熱的処理）、露光処理、現像処理、およびポストベーク（熱的処理）の順の、一連の処理工程で構成され、基板のレジスト層に回路パターンを形成する。

ここで、所定の処理ラインに沿って上記一連の処理を行う基板処理装置は、例えば特許文献１に開示されている。特許文献１の基板処理装置では、露光部を挟んだ一方側に洗浄部およびレジスト塗布部が設けられ、他方側に現像部が設けられる。そして基板を熱的処理（加熱あるいは冷却処理）する熱処理ユニットが集約された熱処理部が、洗浄部、レジスト塗布部および現像部に対して付随するように設けられる。これにより、基板に対する一連の処理を連続して行うことができる。

特開２００２−２８９５０１号公報

上記基板処理装置では、例えば洗浄部と塗布部との間に、複数の搬送装置が備えられており、これらの搬送装置は一直線上に配置されている。そして、処理されるべき基板は、全て同じ搬送経路を通過する（言い換えれば、全搬送装置が同一基板の搬送を分担する）。そのため、上記基板処理装置では、搬送装置の動作時間がスループット低下の要因となっている。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、搬送時間を軽減することによって、基板処理のスループットを向上させることを目的とする。

上記の課題を解決するため、請求項１の発明は、基板に一連の処理を行う基板処理装置であって、前記一連の基板処理の順序に従って水平面内での空間配置の上流側と下流側とを定義したとき、前記装置が、上流側区間において直線的に配列された上流側処理部列を有する上流側処理系統と、前記上流側処理部列の両側に振り分けて設けられた一対の上流側搬送用路上をそれぞれ前記上流側処理部列に沿って移動し、前記上流側処理部列に属する各処理部に対して基板を搬送する一対の上流側搬送手段と、前記上流側区間に続く中間区間に配置され、前記一対の上流側搬送手段から基板がそれぞれ搬送される一対の処理部を含む複数の中間処理部を有する中間処理系統と、前記複数の中間処理部に対して基板を搬送する中間搬送手段と、前記中間区間に続く下流側区間において直線状に配列された下流側処理部列を有する下流側処理系統と、前記下流側処理部列の両側に振り分けて設けられた一対の下流側搬送用路上をそれぞれ前記下流側処理部列に沿って移動し、前記下流側処理部列に属する各処理部に対して基板を搬送する一対の下流側搬送手段とを備えることを特徴とする。

また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る基板処理装置であって、前記中間処理系統は、前記一対の処理部のそれぞれに対向する位置に特定種類の一対の処理部を有しており、前記一対の処理部が、基板の主面に塗布液を塗布する塗布処理部の対であり、前記特定種類の一対の処理部が、前記塗布処理部の対のそれぞれで塗布された基板上の塗布液を減圧乾燥する減圧乾燥部の対であることを特徴とする。

また、請求項３の発明は、請求項２の発明に係る基板処理装置であって、前記中間搬送手段が基板を受渡すべき前記中間処理系統の各中間処理部を構成する単位処理手段の数が、前記上流搬送手段が基板を受渡すべき前記上流側処理系統の各処理部を構成する単位処理手段の数よりも少ないことを特徴とする。

また、請求項４の発明は、請求項２または請求項３の発明に係る基板処理装置であって、前記塗布処理部は、前記一対の上流側搬送用路が伸びる搬送用路方向と直交する方向に移動しつつ基板に対して前記塗布液を供給するスリットノズルを有し、前記減圧乾燥部の対と前記塗布処理部の対とは、所定の間隔を隔てて前記搬送用路方向に互いに対向して配置され、前記一対の中間搬送手段は、前記所定の間隔に配置されることを特徴とする。

また、請求項５の発明は、請求項１ないし請求項４のいずれかの発明に係る基板処理装置であって、前記上流側搬送手段および前記下流側搬送手段のそれぞれは、独立して動作可能な一対のハンドを有し、各処理部から処理後の基板を一方のハンドで受取るとともに、当該処理後の基板を保持した状態で、他方のハンドにてあらかじめ保持している基板を当該処理部に受渡すことが可能であることを特徴とする。

また、請求項６の発明は、請求項１ないし５のいずれかの発明に係る基板処理装置であって、前記上流側処理系統は、基板を水平搬送しつつ基板を処理する上流側水平搬送処理部を備え、前記上流側搬送手段は、前記上流側水平搬送処理部に対しては、基板の搬出入のうち搬出動作のみを行うことを特徴とする。

また、請求項７の発明は、請求項１ないし６のいずれかの発明に係る基板処理装置であって、前記下流側処理系統は、基板を水平搬送しつつ基板を処理する下流側水平搬送処理部を備え、前記下流側搬送手段は、前記下流側水平搬送処理部に対しては、基板の搬出入のうち搬出動作のみを行うことを特徴とする。

また、請求項８の発明は、請求項１ないし７のいずれかの発明に係る基板処理装置であって、前記上流側処理系統は、基板を熱的処理する複数の熱処理室が積層された上流側熱処理部、を備え、前記上流側熱処理部の各熱処理室は、前記一対の上流側搬送用路のそれぞれに対向する側に、基板の搬出入に同期して開閉されるシャッターを有することを特徴とする。

また、請求項９の発明は、請求項１ないし８のいずれかの発明に係る基板処理装置であって、前記下流側処理系統は、基板を熱的処理する複数の熱処理室が積層された下流側熱処理部、を備え、前記下流側熱処理部の各熱処理室は、前記一対の下流側搬送用路のそれぞれに対向する側に、基板の搬出入に同期して開閉されるシャッターを有することを特徴とする。

また、請求項１０の発明は、請求項１ないし７のいずれかの発明に係る基板処理装置であって、前記上流側処理系統は、基板を熱的に処理する第１と第２の熱処理室が積層された上流側熱処理部、を備え、前記第１の熱処理室は、前記一対の上流側搬送用路のうち一方側のみに、基板を搬出入するための第１シャッターを有し、前記第２の熱処理室は、前記一対の上流側搬送用路のうち他方側のみに、基板を搬出入するための第２シャッターを有することを特徴とする。

また、請求項１１の発明は、請求項１ないし７および１０のいずれかの発明に係る基板処理装置であって、前記下流側処理系統は、基板を熱的処理する第３と第４の熱処理室が積層された中間熱処理部、を備え、前記第３の熱処理室は、前記一対の下流側搬送用路のうち一方側のみに、基板を搬出入するための第３シャッターを有し、前記第４の熱処理室は、前記一対の下流側搬送用路のうち他方側のみに、基板を搬出入するための第４シャッターを有することを特徴とする。

また、請求項１２の発明は、請求項１ないし１１のいずれかの発明に係る基板処理装置であって、前記一対の上流側搬送手段のうちの一方の上流側搬送手段と他方の上流側搬送手段とが相同の動作サイクルで基板を搬送するとともに、前記一方の上流側搬送手段は、前記他方の上流側搬送手段に対して、前記動作サイクルの位相が略１８０度ずれた状態で動作することを特徴とする。

請求項１ないし１２に記載の発明によれば、上流側処理部列および下流側処理部列のそれぞれの両側に、専用の搬送手段を設けることにより、複線化された基板搬送が可能となり、基板の搬送時間にかかる時間を短縮させることができるため、基板処理のスループットを向上させることができる。また、一対の処理部を一対の上流側搬送用路の下流側にそれぞれに設けることによって、上流側搬送手段と下流側搬送手段とが干渉することを防止できる。

また、請求項２に記載の発明によれば、塗布処理部と減圧乾燥部との間に中間搬送手段を設けることによって、塗布処理後の基板を迅速かつ正確に減圧乾燥することができるため、基板製造の歩留まりを向上させることができる。

また、請求項３に記載の発明によれば、中間搬送手段の負担を上流側搬送手段よりも少なくすることによって、塗布処理後の基板を特に迅速かつ正確に減圧乾燥することができるため、基板製造の歩留まりをさらに向上させることができる。

また、請求項４に記載の発明によれば、搬送用路方向と直交する方向にスリットノズルを移動させて塗布処理を行うことによって、塗布処理後、スリットノズルを迅速に退避させることでき、搬送用路方向側にある中間搬送手段によって迅速に基板を搬出することができる。

また、請求項５に記載の発明によれば、上流側搬送手段および下流側搬送手段のそれぞれが、一対のハンドを有することにより、上流側基板処理系統および下流側基板処理系統においては、効率的に基板を各処理部間で移動させることができる。

また、請求項６および７に記載の発明によれば、基板の処理を水平搬送と並行して行う処理部に対して基板の搬入および搬出を行うには、搬入口と搬出口の間を移動する動作が必要となる。上流側搬送手段が、このうちの搬出動作のみを行うことによって搬送動作時間を削減することができる。

また、請求項８および９に記載の発明によれば、熱処理室が、一対の搬送用路のそれぞれに対向する側に開閉するシャッターを有することによって、一対の搬送手段が両側から当該熱処理室に対して基板を搬出入することができる。これにより、基板処理のスループットを向上させることができる。

また、請求項１２に記載の発明によれば、一対の搬送手段の動作サイクルの位相を約１８０度ずらして動作させることによって、所定の時間間隔で基板を処理していくことが可能となり、基板処理のスループットを向上させることができる。

以下、本発明の好適な実施の形態について、添付の図面を参照しつつ、詳細に説明する。

＜１． 第１の実施の形態＞
＜１．１．基板処理装置の構成および機能＞
［概略構成］
図１は、本発明に係る第１の実施の形態の基板処理装置１００を示す平面図である。なお、図１において、図示および説明の都合上、Ｚ軸方向が鉛直方向を表し、ＸＹ平面が水平面を表すものとして定義するが、それらは位置関係を把握するために便宜上定義するものであって、以下に説明する各方向を限定するものではない。以下の各図についても同様である。

基板処理装置１００は、前半部１、中央部２および後半部３で構成される本体部と、制御部４とに大別され、基板９０（具体的には液晶表示装置用のカラーフィルター用またはＴＦＴ用の矩形ガラス基板）に一連の処理を行う。なお、基板処理装置１００においては、処理されるべき基板９０は、前半部１、中央部２、後半部３へと、図１中（＋Ｘ）側に向けて順次搬送されながら、各処理部において所定の基板処理が行われる。すなわち、図１中（＋Ｘ）方向が処理順序の下流側となり、（−Ｘ）側が処理順序の上流側となる。以下に、基板処理装置１００の構成を上記各部ごとに分けて説明する。

［前半部１］
前半部１は、主として洗浄ユニット（ＣＬＮ）１０、加熱部（ＨＰ）１１，１７、冷却部（ＣＰ）１２，１８、搬送ユニット１３ａ，１３ｂ、塗布処理ユニット（ＬＣ）１４ａ，１４ｂ、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）１６ａ，１６ｂ、および搬送ユニット１９ａ，１９ｂで構成される。

［洗浄ユニット１０］
洗浄ユニット１０は、前工程の装置（図示せず）から１枚ずつ搬入されてくる基板９０を、コロ搬送機構等によって水平搬送しつつ、洗浄処理する。より具体的には、洗浄ユニット１０は、基板９０を水平姿勢に維持して（＋Ｘ）方向へ搬送を行い、基板９０の搬送用路上方に設けられたノズル等から基板９０に向けて洗浄液を供給することにより、基板９０の主面に付着したパーティクル等を除去する（図示せず）。なお、洗浄ユニット１０には、例えば紫外線（ＵＶ）を照射することによって有機物を除去するＵＶ照射装置が別途備えられていてもよい。

［加熱部１１、冷却部１２］
図２は、加熱部１１および冷却部１２を示す側面図である。加熱部１１および冷却部１２は、鉛直方向に沿って複数（図２に示す例では４ブロック）積層された加熱ユニット５０と冷却ユニット５１とで、それぞれ構成される。加熱ユニット５０は、洗浄処理後の基板９０を加熱処理することによって、残存する液（純水等）を乾燥させる機能を有する。一方、冷却ユニット５１は、加熱ユニット５０での熱処理後の基板９０を所定の目標温度（例えば常温）まで冷却する機能を有する。

図１に示すように、加熱部１１および冷却部１２は、洗浄ユニット１０に対して処理の進行方向（＋Ｘ方向）に沿って隣接配置される。すなわち、洗浄ユニット１０、加熱部１１および冷却部１２は、（＋Ｘ）方向に直線状に配列されて処理部列を形成し、第１の基板処理セクション１０１を構成する。

［加熱ユニット５０］
図３は、加熱ユニット５０を示す断面図である。加熱ユニット５０は、主としてチャンバー５０１、ホットプレート５０２、熱源５０３およびリフトピン５０４を備える。

チャンバー５０１は、主としてシャッター５０１１ａ，５０１１ｂを備えている。加熱ユニット５０は、シャッター５０１１ａ，５０１１ｂを下降させることにより、搬送ユニット１３ａ，１３ｂから基板９０が内部に搬入される。また加熱ユニット５０は、シャッター５０１１ａ，５０１１ｂを上昇させて、チャンバー５０１を略密閉状態とし、基板９０を加熱処理する。

なお、シャッター５０１１ａは、チャンバー５０１の（＋Ｙ）側の側面に設けられており、搬送ユニット１３ａによって基板９０を搬出入に同期して開閉される（図１参照）。一方、シャッター５０１１ｂは、チャンバー５０１の（−Ｙ）側の側面に設けられており、搬送ユニット１９ｂによって基板９０を搬出入に同期して開閉される（図１参照）。

チャンバー５０１で仕切られた内部空間の底側中央部付近には、ホットプレート５０２が配置される。ホットプレート５０２の上面には、複数のプロキシミティピン５０２１（微小突起）が分散するようにして設けられており、当該プロキシミティピン５０２１の微小な上端部分で基板９０を下方から支持する。ホットプレート５０２には、熱源５０３が接続されており、後述する制御部４が熱源５０３を駆動することによって、ホットプレート５０２を加熱することができる。これにより、ホットプレート５０２に載置された基板９０を加熱することができる。

リフトピン５０４は、図示しない昇降機構によって上下に昇降移動が可能であり、複数のリフトピン５０４を上昇させたときには、その上端がホットプレート５０２の上面よりも上側の位置に突出させることができる。また、リフトピン５０４を下降させることにより、リフトピン５０４をホットプレート５０２の上面よりも下側に埋没させることができる。

ここで、基板９０をホットプレート５０２に載置する方法について説明する。まず加熱ユニット５０に基板９０を搬入する際は、後述する搬送ユニット１３ａ（または搬送ユニット１３ｂ）（図４参照）が、フィンガー６１３（またはフィンガー６２３）に保持した基板９０をホットプレート５０２の上方へ搬送する。そしてフィンガー６１３を下降させることによって、基板９０は上方へ突出したリフトピン５０４の上端に受渡される。さらにリフトピン５０４を下降させることにより、基板９０はホットプレート５０２上面に載置される。

一方、加熱ユニット５０から基板９０を搬出する際は、リフトピン５０４を上昇させるとによって、基板９０が上方の所定位置（搬送位置）へ移動される。そして、搬送ユニット１３ａ（または搬送ユニット１３ｂ）がフィンガー６１３（を基板９０の下方（ホットプレート５０２より上側）の空間へ進入させた後、当該フィンガー６１３を上方移動させることによって、リフトピン５０４から基板９０をすくい上げるようにして受取る。

冷却ユニット５１は、加熱ユニット５０と同様の構成を有しており、冷却ユニット５１に対しても、搬送ユニット１３ａによって基板９０を（＋Ｙ）側から搬出入できるとともに、搬送ユニット１３ｂによって（−Ｙ）側からも搬出入することができる。

［搬送ユニット１３ａ，１３ｂ］
一対の搬送ユニット１３ａ，１３ｂのそれぞれは、図１中の矢印で示すように、（Ｘ）軸方向に沿って直線状に配列された洗浄ユニット１０、加熱部１１、冷却部１２で形成される処理部列の両側（（＋Ｙ）側と（−Ｙ）側）に振り分けて設けられた一対の搬送用路１３１ａ，１３１ｂ上を、それぞれ当該処理部列に沿って直線的に移動する。すなわち、一対の搬送用路１３１ａ，１３１ｂのそれぞれは、一対の搬送ユニット１３ａ，１３ｂの走行路となっている。

一対の搬送ユニット１３ａ，１３ｂのそれぞれは、洗浄ユニット１０において洗浄処理を終えた後の基板９０を受取る位置（洗浄ユニット１０の（＋Ｘ）方向側）から、基板９０を冷却部１２に搬入する位置まで移動できる。一対の搬送ユニット１３ａ，１３ｂは、加熱部１１および冷却部１２に対しては、基板９０の搬出入を行うが、洗浄ユニット１０に対しては、基板９０の搬出入のうち、搬出動作のみを行う。また、塗布処理ユニット１４ａ，１４ｂに対しては、それぞれ基板９０の搬出入のうち、搬入動作のみを行う。

例えば、基板９０の処理を水平搬送と並行して行う洗浄ユニット１０に対して基板９０の搬出入を行う場合、搬入口と搬出口の間を移動する動作が必要となるが、本実施の形態では、このうちの搬出動作のみを行うことによって搬送ユニット１３ａ，１３ｂの負担を軽減して、搬送動作時間を削減している。

図４は、搬送ユニット１３ａを示す側面図である。搬送ユニット１３ａは、主として搬送ユニット１３ａの各構成を支持する基台６０、基板９０を支持する上アーム６１および下アーム６２、上アーム６１および下アーム６２を上下に昇降させる昇降機構６３、上アーム６１および下アーム６２を水平面内において旋回させる旋回機構６４を備える。

上アーム６１、下アーム６２はそれぞれ、伸縮機構６１１，６２１と、上ハンド６１２または下ハンド６２２とを備え、伸縮機構６１１，６２１の端部にそれぞれ上ハンド６１２、下ハンド６２２が設けられている。また上ハンド６１２および下ハンド６２２は、等間隔に設けられた複数（例えば４本）のフィンガー６１３，６２３を備えている。伸縮機構６１１，６２１は、上アーム６１、下アーム６２を所定の方向（図４では、Ｙ軸方向）に伸縮することが可能であり、端部に設けられた上ハンド６１２および下ハンド６２２を当該所定の方向に進退させることができる。

昇降機構６３は、上アーム６１の高さ位置を変更する場合には、同時に下アーム６２の高さ位置も変更する。また、旋回機構６４は、上アーム６１および下アーム６２を一体的に旋回させる。

なお、搬送ユニット１３ａは、上アーム６１および下アーム６２の高さ位置または向きを独立して変更する機構をそれぞれ備えていてもよい。また、搬送ユニット１３ａは、アーム構造を３以上備える構成としてもよい。

搬送ユニット１３ａは、上アーム６１および下アーム６２を構成する複数のフィンガー６１３，６２３で基板９０を下方から支持するが、各フィンガー６１３，６２３のうち基板９０との接触面（上面）には、多数の微小突起（プロキシミティピン：図示せず）が分散するように設けられる。これにより、基板９０と、上アーム６１あるいは下アーム６２（具体的には各フィンガー６１３，６２３）とが、微小面で接触するように構成されている。

このように、搬送ユニット１３ａの基板９０の支持部（上アーム６１、下アーム６２）は、上下所定の間隔をあけて２組（一対）配列された構成（ダブルハンド式）となっており、例えばある処理ユニットに対して基板９０の搬出入を行う際には、下アーム６２で処理後の基板９０を受取るとともに、当該処理後の基板９０を保持した状態で、上アーム６１に支持していた未処理の基板９０を当該処理部に受渡す動作が可能である。なお、搬送ユニット１３ｂの構成については、搬送ユニット１３ａの構成と同様であるので、ここでは詳細な説明を省略する。

［塗布処理ユニット１４ａ，１４ｂ］
塗布処理ユニット１４ａ，１４ｂは、図１に示すように、冷却部１２に対して（＋Ｘ）方向に隣接する所定の隣接位置に配置されるとともに、Ｙ軸方向に沿ってそれぞれが間隔を隔てて対向するようにして配置される。そして塗布処理ユニット１４ａ，１４ｂは、冷却部１２にて冷却処理を終えた基板９０に対して、塗布液（レジスト液）を塗布する機能を有する。

図５は、塗布処理ユニット１４ａを示す斜視図である。塗布処理ユニット１４ａは、主として塗布処理ユニット１４ａを構成する各部を支持するとともに基板９０がその上面に載置されるステージ７０、スリット状に設けられた吐出口からレジスト液を供給するスリットノズル７１、スリットノズル７１を上方から支持するノズル支持部材７２を備える。なお、本実施の形態では、図１および図５に示すように、スリットノズル７１の待機位置（基板９０の搬入前）は、（＋Ｘ）側の位置とされる。
また、塗布処理ユニット１４ａは、ノズル支持部材７２を両端から支持するとともにスリットノズル７１およびノズル支持部材７２を鉛直方向に一体的に昇降させる昇降機構７３、およびスリットノズル７１、ノズル支持部材７２および昇降機構７３を一体的にＹ軸方向（一対の搬送用路１３１ａ，１３１ｂが伸びる搬送用路方向（Ｘ軸方向）と直交する方向）沿って移動させる移動機構７４をさらに備える。

ここで、塗布処理ユニット１４ａによる、基板９０の塗布処理時の動作について図１および図５を参照しつつ説明する。まず、搬送ユニット１３ａは、冷却部１２の冷却ユニット５１にて冷却処理された基板９０を上ハンド６１２（または下ハンド６２２）にて受取り、旋回機構６４を駆動することで、図１中左回りに上アーム６１および下アーム６２を９０度旋回させた後、伸縮機構６１１を駆動することで上ハンド６１２を（＋Ｘ）方向へ突出させ、当該基板９０を塗布処理ユニット１４ａのステージ７０上に搬入する。そして搬送ユニット１３ａは、昇降機構６３を駆動させることで、上ハンド６１２を下降させ、フィンガー６１３にて保持している（塗布処理前の）基板９０を、あらかじめステージ７０から突出させておいたリフトピン（図示せず）の上端に受渡す。

次に、リフトピンにて基板９０を受取った塗布処理ユニット１４ａは、当該リフトピンを下降させることで基板９０をステージ７０に載置させる。この際、ステージ７０上面に設けられた真空孔（図示せず）の内部を真空状態とすることによって、基板９０をステージに吸着させる。

そして塗布処理ユニット１４ａは、移動機構７４を駆動することでスリットノズル７１を所定の塗布開始位置まで水平方向（−Ｘ方向）に移動させるとともに、昇降機構７３を駆動することでスリットノズル７１の吐出口を所定の吐出位置まで、鉛直方向下向き（−Ｚ方向）に移動させる。さらに塗布処理ユニット１４ａは、スリットノズル７１の吐出口からレジスト液を吐出させるとともに、移動機構７４を駆動することでスリットノズル７１を塗布方向（−Ｘ方向）の所定の塗布終了位置まで移動させる。以上の動作により、基板９０の主面にレジスト液の被膜が形成される。

基板９０の塗布処理を終えると、塗布処理ユニット１４ａは、昇降機構７３を駆動することによって、スリットノズル７１を上方移動させるとともに、移動機構７４を駆動することによって、スリットノズル７１をさらに（−Ｘ）方向（塗布方向）に移動させる。これにより、スリットノズル７１およびノズル支持部材７２を、塗布処理直後の基板９０の上方から、迅速に退去させることができる。

そして塗布処理ユニット１４ａは、リフトピンを上昇させて基板９０を上方移動させる。基板９０が搬送する位置に到達すると（または、到達する前に）、後述の搬送ユニット１５（搬送ユニット１３ａ，１３ｂと同様の構成）が、（＋Ｘ）側からフィンガー６１３（またはフィンガー６２３）を基板９０の下方（ステージ７０の上方）の空間に進入させる。そしてすくい上げるようにして当該基板９０を受取る。このようにして、基板９０が塗布処理ユニット１４ａから搬出される。

一方、塗布処理ユニット１４ａから基板９０が搬出されると、塗布処理ユニット１４ａは、移動機構７４を駆動させることによってスリットノズル７１を元の位置（＋Ｘ側の位置）へ戻す。以上が、塗布処理ユニット１４ａによる塗布処理の一連の動作についての説明である。

なお、図１に示すように、一対の塗布処理ユニット１４ａ，１４ｂは、一対の搬送用路１３１ａ，１３１ｂの（＋Ｘ）方向下流端にそれぞれ配置される。また、塗布処理ユニット１４ｂについては、塗布処理ユニット１４ａと同様の構成であるため、詳細な説明を省略するが、塗布処理ユニット１４ｂに対しては、搬送ユニット１３ｂから基板９０が搬入され、塗布処理が終わると、搬送ユニット１５によって基板９０が搬出される。

［搬送ユニット１５］
搬送ユニット１５は、一対の塗布処理ユニット１４ａ，１４ｂの間において、それぞれに隣接するように配置され、塗布処理ユニット１４ａ，１４ｂのそれぞれから、塗布処理後の基板９０を後述の減圧乾燥ユニット１６ａ，１６ｂに対して搬送する。搬送ユニット１５は、図４に示す搬送ユニット１３ａに類似する構成を有するが、搬送ユニット１３ａとは異なり、また、アーム構造の数が単一とされ、例えば、搬送ユニット１３ａの上アーム６１（または下アーム６２）および移動機構を除いた構成を備える。

［減圧乾燥ユニット１６ａ，１６ｂ］
減圧乾燥ユニット１６ａ，１６ｂは、搬送ユニット１５に対して（＋Ｘ）方向に隣接する位置に配置される。なお、減圧乾燥ユニット１６ａ，１６ｂは、図示を省略するが、図２に示す加熱ユニット５０、あるいは冷却ユニット５１と同様に、上下に２台積層されている。減圧乾燥ユニット１６ａ，１６ｂは、搬送ユニット１９ａ，１９ｂによって内部に基板９０が搬入される。そして減圧乾燥ユニット１６ａ，１６ｂは、低圧状態を所定時間維持することによって、基板９０上に塗布されたレジスト液を早急に乾燥させる機能を有する。塗布処理ユニット１４ａ，１４ｂおよび減圧乾燥ユニット１６ａ，１６ｂは、第２の基板処理セクション１０２を構成する。

［加熱部１７、冷却部１８］
加熱部１７および冷却部１８は、図２に示す加熱部１１および冷却部１２と同様に、加熱ユニット５０あるいは冷却ユニット５１が多段に積層されている。なお、加熱部１７は、基板９０を加熱処理することによって、基板９０上に塗布されたレジスト液の硬化反応を加速する機能を有する。また、冷却部１８の冷却ユニット５１は、加熱部１７において加熱された基板９０を所定温度まで冷却する機能を有する。

図１に示すように、加熱部１７および冷却部１８は、減圧乾燥ユニット１６ａ，１６ｂに対して（＋Ｘ）側に隣接配置される。すなわち、加熱部１７および冷却部１８は、Ｘ軸方向に沿って直線状に配列された処理部列を形成しており、第３の基板処理セクション１０３を構成する。

［搬送ユニット１９ａ，１９ｂ］
一対の搬送ユニット１９ａ，１９ｂのそれぞれは、図１中の矢印で示すように、Ｘ軸方向に沿って直線状に配列された減圧乾燥ユニット１６ａ，１６ｂ、加熱部１７および冷却部１８で形成される処理部列の両側（（＋Ｙ）側および（−Ｙ）側）に振り分けて設けられた一対の搬送用路１９１ａ，１９１ｂ上を、それぞれ当該処理部列に沿って直線的に移動する。すなわち、一対の搬送用路１９１ａ，１９１ｂのそれぞれは、一対の搬送ユニット１９ａ，１９ｂの走行路となっている。

一対の搬送ユニット１９ａ，１９ｂのそれぞれは、減圧乾燥ユニット１６ａ，１６ｂに対しては基板９０の搬出入のうちの搬出動作のみを行い、加熱部１７および冷却部１８に対しては基板９０の搬出入を行うとともに、バッファ部２１ａ，２１ｂに対しては基板９０の搬出入のうちの搬入動作のみを行う。

なお、搬送ユニット１９ａは、第３の基板処理セクション１０３（加熱部１７および冷却部１８）の処理部列に対して（＋Ｙ）側から、基板９０の搬出入を行うとともに、当該第３の基板処理セクション１０３における処理を終えた基板９０をバッファ部２１ａに搬入する。一方、搬送ユニット１９ｂは、第３の基板処理セクション１０３に対して（−Ｙ）側から基板９０の搬出入を行うとともに、当該第３の基板処理セクション１０３における処理を終えた基板９０をバッファ部２１ｂに搬入する機能を有する。また、搬送ユニット１９ａ，１９ｂの構成は、図４に示す搬送ユニット１３ａの構成と同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。

以上が、基板処理装置１００の前半部１の構成および機能の説明である。次に中央部２の構成および機能について説明する。

［中央部２］
中央部２は、主として基板９０を保存しておくバッファ部（ＢＦ）２１ａ，２１ｂ、基板９０の温度調製を行う温調ユニット（ＴｈＣ）２２ａ，２２ｂ、基板９０を露光処理する露光ユニット（ＥＸＰ）２３ａ，２３ｂ、基板９０を保持してその向きを変換する回転ユニット（ＲＯ）２４ａ，２４ｂおよび基板９０を各処理部に搬送する搬送ユニット２５ａ，２５ｂ，２５ｃを備える。

［バッファ部２１ａ，２１ｂ］
バッファ部２１ａ，２１ｂは、上下に所定の間隔をあけて基板９０が収納できる棚構造を有しており（図示せず）、冷却部１８にて冷却処理を終えた複数の基板９０を一時的に待機させておくことができる。

一対のバッファ部２１ａ，２１ｂは、図１に示すように、第３の基板処理セクション１０３に対して（＋Ｘ）側に隣接する所定の隣接位置にそれぞれ配置され、かつ、Ｙ軸方向に沿って互いに対向するようにそれぞれ配置される。また、バッファ部２１ａは、搬送ユニット１９ａの搬送用路１９１ａの（＋Ｘ）側端部に配置され、搬送ユニット１９ａによって基板９０が搬入される。一方、バッファ部２１ｂは、搬送ユニット１９ｂの搬送用路１９１ｂの端部に配置され、搬送ユニット１９ｂによって基板９０が搬入される。

［温調ユニット２２ａ，２２ｂ］
温調ユニット２２ａ，２２ｂは、図３に示す加熱ユニット５０が備えるチャンバー５０１と同様のチャンバーを有しており、その内部で露光ユニット２３ａ，２３ｂにて処理されるべき基板９０の温度が、所定温度となるようにあらかじめ調整する機能を有する。なお、温調ユニット２２ａ，２２ｂは、（＋Ｙ）側および（−Ｙ）側の両側に開閉可能なシャッター構造を有しており、（＋Ｙ）側からは搬送ユニット２５ａにより、（−Ｙ）側からは搬送ユニット２５ｂにより、それぞれ基板９０の搬出入が実行される。また、温調ユニット２２ａ，２２ｂは、保持した基板９０を水平面内で９０度回転させる機能を備えている。

［露光ユニット２３ａ，２３ｂ］
露光ユニット２３ａ，２３ｂは、バッファ部２１ａ，２１ｂに対して（＋Ｘ）方向に所定の間隔を隔ててそれぞれ配置される。また、一対の露光ユニット２３ａ，２３ｂは、Ｙ軸方向に沿って互いに対向するように間を隔てて配置され、当該間には、搬送ユニット２５ａ、温調ユニット２２ａ，２２ｂおよび搬送ユニット２５ｂが配置されている。

露光ユニット２３ａ，２３ｂは、水平方向の各方向に移動可能なステージ上に保持した基板９０を移動させつつ、基板９０の上方から所定の光線を照射し、レジスト層が形成された基板９０上にカラーフィルター用パターンや所定の回路パターンを描画する。露光ユニットについての詳細な構成の説明は省略するが、例えば特開２００５−２２１５９６号公報に開示されている露光装置等を露光ユニット２３ａ，２３ｂに適用することが可能である。

［回転ユニット２４ａ，２４ｂ］
一対の回転ユニット２４ａ，２４ｂのそれぞれは、一対の第４搬送用路２５１ａ，２５１ｂの（＋Ｘ）方向下流端に配置され、かつ、Ｙ軸方向に沿って互いに対向するように配置される。回転ユニット２４ａ，２４ｂには、露光処理が終わった基板９０がそれぞれ搬送ユニット２５ａ，２５ｂによって搬入され、回転ユニット２４ａ，２４ｂは、搬入された基板９０の向きを９０度回転させる。なお、向きが変換された基板９０は、後述の搬送ユニット２５ｃによって搬出される。

［搬送ユニット２５ａ，２５ｂ，２５ｃ］
搬送ユニット２５ａ，２５ｂは、図１中の矢印で示すように、バッファ部２１ａ，２１ｂと回転ユニット２４ａ，２４ｂとの間の間隔に配置される第４搬送用路２５１ａ，２５１ｂ上のそれぞれをＸ軸方向に直線的に移動する。搬送ユニット２５ａは、バッファ部２１ａから基板９０を搬出した後、温調ユニット２２ａまたは温調ユニット２２ｂと、露光ユニット２３ａとに対して順次基板９０を搬出入し、回転ユニット２４ａに対して基板９０を搬入する。一方、搬送ユニット２５ｂは、バッファ部２１ｂから基板９０を搬出した後、温調ユニット２２ａまたは温調ユニット２２ｂと露光ユニット２３ｂとに対して順次基板９０を搬出入し、回転ユニット２４ｂに対して基板９０を搬入する。

なお、搬送ユニット２５ａ，２５ｂは、図４に示す搬送ユニット１３ａと同様の構成を有するため、詳細な説明を省略する。

搬送ユニット２５ｃは、図１に示すように、Ｙ軸方向に沿って対向配置された一対の回転ユニット２４ａ，２４ｂに挟まれるようにして配置され、回転ユニット２４ａ，２４ｂから基板９０を受取った後、現像ユニット３１に受渡す機能を有する。

搬送ユニット２５ｃは、搬送ユニット１５と同様に、単一のアームのみを備える。また、搬送ユニット２５ｃは、水平方向への移動機構を持たず、定位置にて基板９０の搬出入動作を実行する。

以上が、中央部２の構成の説明である。次に、基板処理装置１００の後半部３の各構成について説明する。

［後半部３］
後半部３は、主として現像ユニット（ＤＥＶ）３１、加熱部（ＨＰ）３２、冷却部（ＣＰ）３３、検査ユニット（ＩＮＳ）３４、および搬送ユニット３５ａ，３５ｂを備える。

［現像ユニット３１］
現像ユニット３１は、搬送ユニット２５ｃによって１枚ずつ搬入されてくる基板９０を、コロ搬送機構等によって（＋Ｘ）方向へ水平搬送するとともに、当該基板９０の主面に対して所定の現像液を供給することによって現像処理する機能を有する。より具体的には、基板９０の搬送経路上方に設けられたノズルから、基板９０の主面に現像液を液盛りすることによって、露光処理後の基板９０を現像（パドル現像処理）する。

なお、現像ユニット３１には、洗浄機能も別途有しており、例えば水平搬送中の基板９０に対して所定の洗浄液（純水等）を噴射することによって、残存する現像液等を除去する機能を有している。また、現像ユニット３１では、現像ユニット３１の（＋Ｙ）側および（−Ｙ）側の両側から、後述の搬送ユニット３５ａ，３５ｂによって基板９０を搬出することができる。

［加熱部３２、冷却部３３］
加熱部３２および冷却部３３は、図２に示す加熱部および冷却部１２と同様に、加熱ユニット５０あるいは冷却ユニット５１が鉛直方向に沿って多段に積層されて構成される。なお、加熱部３２は、基板９０を加熱処理することによって、基板９０上に残存する水分を乾燥させる機能を有する。また、冷却部３３の冷却ユニット５１は、加熱部３２において加熱された基板９０を所定温度まで冷却する機能を有する。なお、図１に示すように、加熱部３２および冷却部３３は、現像ユニット３１に対して（＋Ｘ）側に隣接配置される。

［検査ユニット３４］
検査ユニット３４は、現像処理を終えた（冷却処理後の）基板９０の表面の塗布ムラや現像ムラ等を検査する機能を有する。より具体的には、後述の搬送ユニット３５ａまたは搬送ユニット３５ｂによって１枚ずつ搬入されてきた基板９０をコロ搬送機構等によって所定の撮像位置まで移動させてＣＣＤ等で撮像することにより、現像ムラや塗布ムラ等の基板９０の欠陥を検査する。なお、検査ユニット３４へは、（＋Ｙ）側および（−Ｙ）側の両側から基板９０を搬入することができる。

なお、図１に示すように、現像ユニット３１、加熱部３２、冷却部３３および検査ユニット３４は、Ｘ軸方向に沿って直線状に配列された処理部列として後半部３を構成する。

［搬送ユニット３５ａ，３５ｂ］
一対の搬送ユニット３５ａ，３５ｂのそれぞれは、図１中の矢印で示すように、Ｘ軸方向に沿って直線状に配置された現像ユニット３１、加熱部３２、冷却部３３および検査ユニット３４で形成される処理部列の両側（（＋Ｙ）側および（−Ｙ）側）に設けられた搬送用路３５１ａ，３５１ｂ上を直線的に移動する。

搬送ユニット３５ａ，３５ｂのそれぞれは、現像ユニット３１に対しては基板９０の搬出入のうちの搬出動作のみを行い、加熱部３２および冷却部３３に対しては基板９０の搬出入を行うとともに、検査ユニット３４に対しては基板９０を搬入する。

例えば、基板９０の処理を水平搬送と並行して行う現像ユニット３１に対して基板９０の搬入出を行うと、離れた位置にある搬入口と搬出口との間を移動する動作が必要となるが、本実施の形態では、搬送ユニット３５ａ，３５ｂが搬出入のうちの搬出動作のみを行うことによって搬送動作時間を削減することができている。

なお、搬送ユニット３５ａは、後半部３を構成する各処理部に対して（＋Ｙ）側から基板９０の搬出入を行うのに対して、搬送ユニット３５ｂは、当該各処理部に対して（−Ｙ）側から基板９０の搬出入を行う。また、搬送ユニット３５ａ，３５ｂは、搬送ユニット１３ａ，１３ｂと同様の構成を有するので、ここでは詳細な説明を省略する。

［制御部４］
制御部４は、基板処理装置１００を構成する各部（例えば、搬送ユニット１３ａ，１３ｂ，１５，１９ａ，１９ｂ，２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，３５ａ，３５ｂ、洗浄ユニット１０、塗布処理ユニット１４ａ，１４ｂ、加熱ユニット５０、冷却ユニット５１等）と、図示しない電気配線等（無線的接続を含む）によって接続されており、基板処理装置１００を装置として統合的に機能させる制御を行う。ただし、基板処理装置１００の制御機構はこれに限られるものではなく、例えば前半部１、中央部２および後半部３のそれぞれに対して制御部を設け、それらが連携して各構成を動作させることにより、基板処理装置１００を統合制御する構成としても良い。

以上が、本実施の形態における基板処理装置１００の構成および機能の説明である。なお、本実施の形態においては、第１の基板処理セクション１０１を本発明における上流側処理系統と捉えることができ、この場合には、第２の基板処理セクション１０２を中間処理系統と、第３の基板処理セクション１０３を下流側処理系統と捉えることができる。

もちろん上記以外にも、例えば第３の基板処理セクション１０３を本発明における上流側処理系統と捉えることも可能であり、この場合には、中央部２を中間処理系統と、後半部３を下流側処理系統と捉えることもできる。

＜１．２．動作説明＞
次に、基板処理装置１００の動作について、図１を参照しつつ説明する。

［前半部１の動作］
まず、基板処理装置１００における前半部１の動作について説明する。洗浄ユニット１０に対して１枚ずつ基板９０が搬送されてくると、基板９０は、洗浄ユニット１０によって（＋Ｘ）方向に搬送されるとともに、洗浄処理される。洗浄処理が終了すると、洗浄ユニット１０は、基板９０の搬送を停止させて、図示しないピン（図３に示すリフトピン５０４と同様の機能を有する。）により基板９０を上昇させ、搬送ユニット１３ａに基板９０を受渡す。なお、ここでは、搬送ユニット１３ａは、洗浄ユニット１０から上ハンド６１２（具体的にはフィンガー６１３）にて基板９０を受取るものとするが、下ハンド６２２（具体的にはフィンガー６２３）であってもよい。

基板９０を受取った搬送ユニット１３ａは、加熱部１１と（＋Ｙ）側に隣接する位置まで、搬送用路１３１ａ上を（＋Ｘ）方向へ移動する。そして搬送ユニット１３ａは、複数の加熱ユニット５０のうちのひとつから、下ハンド６２２にて加熱処理後の基板９０を搬出し、上ハンド６１２に保持した加熱処理前の基板９０を当該加熱ユニット５０へ搬入する。そして基板９０が搬入された加熱ユニット５０では、加熱処理が開始される。なお、当該加熱ユニット５０は、搬送ユニット１３ａが隣接する位置に到着するのに合わせて（同期して）、（＋Ｙ）側のシャッター５０１１ａを開放する。なお、搬送ユニット１３ａが同じ加熱ユニット５０に対して基板９０を搬出入するものに限られるものではなく、異なる加熱ユニット５０に対して、搬出と搬入を行うように構成されていても良い。

加熱処理後の基板９０を受取った搬送ユニット１３ａは、再び搬送用路１３１ａ上を（＋Ｘ）方向へ移動し、冷却部１２と（＋Ｙ）側に隣接する位置まで移動する。そして搬送ユニット１３ａは、複数の冷却ユニット５１のうちのひとつから、上ハンド６１２にて冷却処理後の基板９０を搬出し、下ハンドに保持している冷却処理前の基板９０を冷却ユニット５１に搬入する。そして基板９０を搬入された冷却ユニット５１は、冷却処理を開始する。

冷却処理後の基板９０を受取った搬送ユニット１３ａは、旋回機構６４を駆動することにより上ハンド６１２（および下ハンド６２２）を、図１中、左回りに９０度回転させ、塗布処理ユニット１４ａに対して基板９０を搬入する。具体的には、塗布処理ユニット１４ａのステージ７０から突出させた、図示しないリフトピンの上端に基板９０を受渡す。そして塗布処理ユニット１４ａは、上述した塗布処理を行い、基板９０の表面にレジスト液の被膜の形成を行う。一方、基板９０を受渡した搬送ユニット１３ａは、洗浄ユニット１０の基板搬出口に隣接する位置まで、搬送用路１３１ａ上を（−Ｘ）方向へ移動する。

なお、前半部１の（−Ｙ）側においても、搬送ユニット１３ｂによって基板９０が第１の基板処理セクション１０１の各処理部に搬出入されるが、この動作は、上述の（＋Ｙ）側における搬送ユニット１３ａの搬出入動作とほぼ同様であるため、詳細な説明を省略する。

［搬送ユニット１３ａ，１３ｂの動作サイクル］
なお、洗浄ユニット１０は、枚葉式の洗浄装置であるため、搬送ユニット１３ａ，１３ｂが同時に洗浄処理を終えた基板９０を受取ることはできない。そこで、搬送ユニット１３ａ，１３ｂは、以下のようにその動作が制御される。

本実施の形態では、搬送ユニット１３ａ，１３ｂは、洗浄ユニット１０から基板９０を受取る動作（第１動作）、加熱ユニット５０から基板９０を受取る動作（第２動作）、加熱部１１へ基板９０を受渡す動作（第３動作）、冷却部１２から基板９０を受取る動作（第４動作）、冷却部１２へ基板９０を受渡す動作（第５動作）、塗布処理ユニット１４ａへ基板９０を受渡す動作（第６動作）、の計６動作分の動作サイクルを繰り返して行う。

そして、搬送ユニット１３ｂは、搬送ユニット１３ａが第４動作（冷却部へ基板９０を受取る動作）を開始する際に、第１動作（洗浄ユニット１０から基板９０を受取る動作）を開始する。すなわち、基板処理装置１００では、搬送ユニット１３ａ，１３ｂによる一連の搬送動作サイクルを、位相を１８０度ずらして（言い換えれば、搬送動作の総数の半分（３動作分）だけずらして）実行させている。これにより、搬送ユニット１３ａ，１３ｂが、洗浄ユニット１０へ基板９０を同時に受取りにいくことを抑制できるとともに、一定の間隔で処理を終える枚様式の処理部（ここでは洗浄ユニット１０）から、効率よく基板９０を順次搬出することが可能となっている。

再び図１を参照しつつ、塗布処理後の基板処理装置１００の動作について説明する。塗布処理ユニット１４ａにおいて基板９０の塗布処理が終了すると、塗布処理ユニット１４ａは、塗布処理後の基板９０を搬送ユニット１５へ受渡す。具体的には、塗布処理ユニット１４ａがリフトピンを上昇させることでステージ７０から基板９０を上方へ移動させ、搬送ユニット１５が備えるハンドに基板９０を受渡す。

基板９０を受取った搬送ユニット１５は、基板９０を保持したアームを右回りに９０度旋回させ、減圧乾燥ユニット１６ａ，１６ｂのうちのいずれかへ、基板９０を搬入する。そして減圧乾燥ユニット１６ａ（または減圧乾燥ユニット１６ｂ）によって、搬入された基板９０の減圧乾燥処理が実行される。なお、搬送ユニット１５は、塗布処理ユニット１４ｂでの塗布処理が終わった基板９０についても、減圧乾燥ユニット１６ａ，１６ｂのいずれかに搬入する。

次に、搬送ユニット１９ａは、減圧乾燥処理後の基板９０を減圧乾燥ユニット１６ａ，１６ｂのいずれか一方から、減圧乾燥処理後の基板９０を上ハンド６１２（または下ハンド６２２）にて受取り、加熱部１７と（＋Ｙ）側に隣接する位置まで、搬送用路１９１ａ上を移動する。そして加熱部１７は、複数積層された加熱ユニット５０のうち、既に加熱処理した基板９０を内部に持つ加熱ユニット５０のシャッター５０１１ａを開放する。搬送ユニット１９ａは、当該加熱ユニット５０から加熱処理後の基板９０を下ハンド６２２にて受取り、上ハンド６１２に保持している加熱処理前の基板９０を当該加熱ユニット５０へ搬入する。そして当該加熱ユニット５０は、シャッター５０１１ａを閉じて、基板９０の加熱処理を開始する。

加熱処理後の基板９０を受取った搬送ユニット１９ａは、冷却部１８と隣接する位置まで、再び搬送用路１９１ａ上を移動する。そして加熱部１７は、複数積層された加熱ユニット５０のうち、既に冷却処理した基板９０を内部に持つ冷却ユニット５１のシャッター（＋Ｘ側）を開放する。搬送ユニット１９ａは、当該冷却ユニット５１から加熱処理後の基板９０を上ハンド６１２にて受取り、下ハンド６２２に保持している冷却処理前の基板９０を当該冷却ユニット５１へ搬入する。そして搬入された基板９０は、当該冷却ユニット５１により冷却処理される。

冷却処理後の基板９０を受取った搬送ユニット１９ａは、上アーム６１および下アーム６２を、図１中、左回りに９０度回転させ、上ハンド６１２に保持している基板９０を中央部２のバッファ部２１ａへ搬入する。

なお、前半部１の（−Ｙ）側においても、搬送ユニット１９ｂによって基板９０が第３の基板処理セクション１０３の各処理部に搬出入されるが、この動作は、上述の（＋Ｙ）側における搬送ユニット１９ａの搬出入動作と同様であるため、詳細な説明を省略する。

また、搬送ユニット１９ａ，１９ｂが基板９０の搬出入を行う各処理部は、それぞれ複数の処理ユニット（減圧乾燥ユニット１６ａ，１６ｂ、複数の加熱ユニット５０等）で構成されるため、必ずしも搬送ユニット１３ａ，１３ｂのように搬送動作サイクルの位相をずらして一連の搬送動作を実行させる必要はないが、もちろん動作サイクルの位相を互いにずらして動作させても良い。以上が、基板処理装置１００における前半部１の動作説明である。

［中央部２の動作］
次に、基板処理装置１００における中央部２の動作について説明する。まず搬送ユニット２５ａは、バッファ部２１ａに保存されている基板９０を下ハンド６２２（もしくは上ハンド６１２）にて受取り、温調ユニット２２ａ，２２ｂのうちのいずれかに隣接する位置に移動する。そして旋回機構６４を駆動することで、図１中、左周りに９０度回転し、上ハンド６１２および下ハンド６２２を旋回させる。そして、温調処理後の基板９０を上ハンド６１２で受取り、下ハンド６２２に保持した基板９０を搬入する。温調ユニット２２ａ，２２ｂは、搬入された基板９０を所定温度となるように温度調整するとともに、基板９０を水平面内において９０度回転させ、基板９０の向きを変換する。

温調処理後の基板９０を受取った搬送ユニット２５ａは、上アーム６１および下アーム６２を１８０度旋回させるとともに、露光ユニット２３ａに隣接する位置まで、搬送用路２５１ａ上を（＋Ｘ）方向へ直線的に移動する。そして搬送ユニット２５ａは、露光ユニット２３ａから露光処理済みの基板９０を下ハンド６２２にて受取り、上ハンド６１２に保持した基板９０を露光ユニット２３ａに搬入する。そして、露光ユニット２３ａは、上方から所定の光線を照射することで、基板９０のレジスト層に所定の回路パターンを描画する。

露光処理後の基板９０を受取った搬送ユニット２５ａは、上アーム６１および下アーム６２を、図１中、右回りに９０度旋回させ、下ハンド６２２に保持した基板９０を回転ユニット２４ａに搬入する。そして搬送ユニット２５ａは、再び搬送用路２５１ａ上を（−Ｘ）方向へ直線的に移動し、バッファ部２１ａから基板９０を受取る動作を実行する。

一方、基板９０を受取った回転ユニット２４ａは、基板９０を回転させて、基板９０の向きを変換する。そして搬送ユニット２５ｃは回転ユニット２４ａから基板９０を搬出する。そして基板９０を受取った搬送ユニット２５ｃは、基板９０を支持しているアームを図１中、右回りに旋回させて、基板９０を現像ユニット３１へ搬入する。

なお、中央部２の（−Ｙ）側に設けられたバッファ部２１ｂ、露光ユニット２３ｂ、回転ユニット２４ｂおよび搬送ユニット２５ｂについても、上述と同様の動作を行って処理するため、詳細な説明を省略する。以上が、基板処理装置１００における中央部２の動作についての説明である。

［搬送ユニット２５ａ，２５ｂの搬送動作サイクル］
なお、中央部２に続く処理部である現像ユニット３１は、枚葉式であるため、搬送ユニット２５ｃは、所定の時間毎に、基板９０を搬入することが望ましい。そこで、回転ユニット２４ａ，２４ｂには、当該所定の時間に合わせて基板９０が載置されることが好ましい。したがって、基板処理装置１００は、搬送ユニット２５ａ，２５ｂが交互に回転ユニット２４ａ，２４ｂのそれぞれに対して当該所定の時間毎に搬入するよう、搬送動作サイクルの位相を互いにずらした状態で動作させることが望ましい。

［後半部３］
次に、基板処理装置１００における後半部３の動作について説明する。搬送ユニット２５ｃによって、現像ユニット３１に１枚ずつ基板９０が搬入されると、現像ユニット３１は、基板９０を（＋Ｘ）方向へ搬送しながら、基板９０の現像処理をおこなう。

そして搬送ユニット３５ａは、現像処理が終了した基板９０を現像ユニット３１から搬出する。具体的には、基板９０が現像ユニット３１の搬送方向下流端（現像ユニット３１の搬出口）へ到達すると、現像ユニット３１は、当該基板９０搬送を停止させ、図示しないピンによって基板９０上昇させる。そして搬送ユニット３５ａは、上ハンド６１２（もしくは下ハンド６２２）にてすくい上げるようにして当該基板９０を受取る。

現像処理後の基板９０を受取った搬送ユニット３５ａは、加熱部３２の（＋Ｙ）側に隣接する位置まで、搬送用路３５１ａ上を直線的に移動する。搬送ユニット３５ａは、加熱部３２を構成する複数の加熱ユニット５０のうちの一つから、加熱処理後の基板９０を下ハンド６２２にて受取り、上ハンド６１２に保持した基板９０を当該加熱ユニット５０に搬入する。そして、基板９０が搬入された加熱ユニット５０は、加熱処理を開始する。

加熱処理後の基板９０を受取った搬送ユニット３５ａは、再び搬送用路３５１ａ上を（＋Ｘ）方向へ直線的に移動し、冷却部３３に隣接する位置まで移動する。そして搬送ユニット３５ａは、冷却部３３を構成する複数の冷却ユニット５１のうちの一つから、上ハンド６１２にて冷却処理後の基板９０を搬出し、下ハンドに保持している冷却処理前の基板９０を冷却ユニット５１に搬入する。基板９０が搬入された冷却ユニット５１は、冷却処理を開始する。

冷却処理後の基板９０を受取った搬送ユニット３５ａは、搬送用路３５１ａ上を（＋Ｘ）方向へ直線的に移動することで、今度は検査ユニット３４の基板搬入位置（図示せず）の（Ｙ側）に隣接する位置まで移動する。そして搬送ユニット３５ａは、検査ユニット３４に基板９０を搬入し、再び搬送用路３５１ａ上を（−Ｘ）方向へ移動することで、現像ユニット３１の基板搬出位置に隣接する位置まで戻る。一方、基板９０が搬入された検査ユニット３４は、コロ搬送機構を駆動して基板９０を所定の検査位置まで水平搬送し、基板９０の塗布ムラや現像ムラ等に関する検査を行う。

なお、後半部３の（−Ｙ）側においても、搬送ユニット３５ｂによって後半部３の各処理部に対して基板９０が搬出入されるが、この動作は、上述の（＋Ｙ）側における搬送ユニット３５ａの搬出入動作とほぼ同様であるため、詳細な説明を省略する。

［搬送ユニット３５ａ，３５ｂの動作について］
なお、後半部３の処理部である現像ユニット３１および検査ユニット３４は枚葉式の装置である。したがって、搬送ユニット３５ａ，３５ｂは、基板９０を現像ユニット３１から同時に搬出したり、基板９０を検査ユニット３４に同時に搬入したりすることはできない。そこで、搬送ユニット３５ａ，３５ｂは、搬送ユニット１３ａ，１３ｂと同様に、搬送動作サイクルの位相が互いに１８０度ずれた状態で、一連の搬送動作を実行する。

すなわち、搬送ユニット３５ａ，３５ｂは、現像ユニット３１から基板９０を受取る動作（Ａ動作）、加熱部３２から基板９０を受取る動作（Ｂ動作）、加熱部３２へ基板９０を受渡す動作（Ｃ動作）、冷却部３３から基板９０を受取る動作（Ｃ動作）、冷却部３３へ基板９０を受渡す動作（Ｄ動作）、冷却部３３から基板９０を受取る動作（Ｄ動作）および検査ユニット３４へ基板９０を受渡す動作（Ｅ動作）、の計６動作分の搬送動作サイクルを繰り返して行う。

そこで、搬送ユニット３５ａが冷却部３３へ基板９０を受渡す動作を開始したときに、搬送ユニット３５ｂが現像ユニット３１から基板９０を受取る動作を開始する。すなわち、基板処理装置１００では、搬送ユニット１３ａ，１３ｂによる一連の搬送動作サイクルを、位相を１８０度ずらして（言い換えれば、搬送動作の総数の半分（３動作分）ずらせて）実行させる。これにより、搬送ユニット３５ａ，３５ｂが、現像ユニット３１へ基板９０を同時に受取りにいったり、検査ユニット３４へ基板９０を同時に搬入したりすることを防止している。

＜１．３．効果＞
本実施の形態では、第１基板処理セクション１０１および第３基板処理セクション１０３、あるいは後半部３を構成する複数の処理部列、のそれぞれの両側に、専用の搬送ユニット１３ａ、１４ｂ，１９ａ，１９ｂ，３５ａ，３５ｂを設けることにより、複線化された基板９０の搬送が可能となり、基板９０の搬送時間にかかる時間を短縮させることができるため、基板処理のスループットを向上させることができる。

また、一対の塗布処理ユニット１４ａ，１４ｂに対して、搬送ユニット１３ａ，１３ｂから基板９０の搬入を行い、搬送ユニット１５によって当該基板９０を搬出することで、搬送ユニット１３ａ，１３ｂの搬送動作の負担を軽減することができる。さらに、搬送ユニット１３ａ，１３ｂと、第３の基板処理処理セクションにて搬送を行う搬送ユニット１９ａ，１９ｂとが干渉することを防止できる。

また、本実施の形態では、搬送ユニット１３ａ，１３ｂ，１９ａ，１９ｂ，２５ａ，２５ｂ，３５ａ，３５ｂのそれぞれが、一対のハンドを有するので、各処理部に対する基板９０の搬出入を連続的に行うことができるため、効率的に基板９０を各処理部間で移動させることができる。

また、本実施の形態では、基板９０の搬送経路が複数（（＋Ｙ）側と（−Ｙ）側）あるので、例えば搬送ユニットのメンテナンス時や、搬送ユニットの一部が故障した場合であっても、装置全体の稼働を停止させる必要がない。

＜２． 第２の実施の形態＞
第１の実施の形態では、図１に示すように、前半部１において、４つの搬送ユニット１３ａ，１３ｂ，１９ａ，１９ｂを図示しない制御部４により制御されるとしたが、搬送ユニットを所定の位置へ追加することによって、搬送にかかる時間をさらに軽減することができる。

図６は、第２の実施の形態における基板処理装置１００ａを示す平面図である。なお、基板処理装置１００ａの構成について、基板処理装置１００と同様の構成については適宜同符号を付して詳細な説明を省略し、主に異なる点について説明する。

図６に示すように、基板処理装置１００ａでは、一対の減圧乾燥ユニット１６ａ，１６ｂが、Ｙ軸方向に沿って互いに対向するように配置されており、一対の減圧乾燥ユニット１６ａ，１６ｂと一対の塗布処理ユニット１４ａ，１４ｂとが、Ｘ軸方向に沿って、所定の間隔を隔てて配置される。

また、基板処理装置１００ａは、一対の搬送ユニット１５ａ，１５ｂをさらに備えており、搬送ユニット１５ａ，１５ｂは、一対の塗布処理ユニット１４ａ，１４ｂと一対の減圧乾燥ユニット１６ａ，１６ｂとの前述の所定の間隔の位置にそれぞれ配置される。

搬送ユニット１５ａ，１５ｂは、搬送ユニット１５，２５ｃと同様に、移動機構を持たず、また、単一のアーム（ハンド）を有する。そして搬送ユニット１５ａ，１５ｂは、塗布処理ユニット１４ａ，１４ｂからの基板９０の受取り動作と、減圧乾燥ユニット１６ａ，１６ｂへの基板９０の受渡し動作の計２動作を行う。

また、基板処理装置１００ａにおける塗布処理ユニット１４ａ，１４ｂは、基板処理装置１００における塗布処理ユニット１４ａ，１４ｂの配置方向と異なり、スリットノズル７１の進行方向がＹ方向となるようにされる（基板処理装置１００では、Ｘ方向）。すなわち、本実施の形態における塗布処理ユニット１４ａでは、塗布方向が（−Ｙ）方向であり、塗布処理ユニット１４ｂでは、（＋Ｙ）方向となっている。これにより、塗布処理後において、スリットノズル７１を元の待機位置に戻すことなしに、搬送ユニット１５ａ，１５ｂによって基板９０を迅速に搬出することができる。

また、本実施の形態では、搬送ユニット１３ａ，１３ｂが基板９０の搬出入を行うべき処理ユニットの数は、４種類のユニット（洗浄ユニット１０、加熱ユニット５０、冷却ユニット５１、塗布処理ユニット１４ａあるいは塗布処理ユニット１５ｂ）である。一方、搬送ユニット１５ａ，１５ｂのそれぞれは、２種類のユニット（塗布処理ユニット１４ａまたは塗布処理ユニット１４ｂ、減圧乾燥ユニット１６ａ）であり、搬送ユニット１３ａに比べて負担が軽減されている。したがって、減圧乾燥ユニット１６ａ，１６ｂにおいては、塗布処理後の基板９０を迅速かつ正確に減圧乾燥することができるため、基板製造の歩留まりを向上させることができる。

＜３． 第３の実施の形態＞
上記実施の形態では、加熱部１１，１７，３２の加熱ユニット５０、冷却部１２，１８，３３の冷却ユニット５１および温調ユニット２２ａ，２２ｂには、（＋Ｙ）側および（−Ｙ）側のどちらからも基板９０の搬出入が可能であると説明したが、これに限られるものではなく、例えば、加熱部１１の複数の加熱ユニットのうちの一部の加熱ユニットは、一対の搬送用路１３１ａ，１３１ｂの一方側（例えば（＋Ｙ）側）のみに基板９０を搬出入するためのシャッターを有し、残りの加熱ユニットは、他方側（（−Ｙ）側）のみに、基板９０を搬出入するためのシャッターを有する構成であっても良い。温調ユニット２２ａ，２２ｂについても同様である。

これにより、熱的処理を行う装置のコストを抑えることができる他、搬送ユニット毎に、使用する処理部が制限されるので、制御部による搬送ユニットの制御を簡易化することができる。

＜４． 変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。

例えば、上記実施の形態では、搬送動作の総数の半分にあたる動作数分だけ遅らせて搬送ユニット１３ｂ，３５ｂを動作させるとしたが、これに限られるものではなく、例えば搬送動作サイクルの時間周期の半分に相当する分だけ、対応する搬送ユニット１３ａ，３５ａから遅らせて動作させても良い。

また、加熱ユニット５０や冷却ユニット５１では、プレートを加熱あるいは冷却することによって、プレートに載置し基板９０を熱的処理するとしているが、これに限られるものではなく、例えばチャンバー内を均一に加熱あるいは冷却することによって、基板９０が熱的処理されても良い。また、冷却ユニット５１に関しては、単に基板９０を待機させておくことによって、自然に冷却させる構成であっても良い。

本発明に係る第１の実施の形態の基板処理装置を示す平面図である。 加熱部および冷却部を示す側面図である。 加熱ユニットを示す断面図である。 搬送ユニットを示す側面図である。 塗布処理ユニットを示す斜視図である。 第２の実施の形態における基板処理装置を示す平面図である。

符号の説明

１００ 基板処理装置
１０１ 第１の基板処理セクション
１０２ 第２の基板処理セクション
１０３ 第３の基板処理セクション
１０ 洗浄ユニット
１１，１７，３２ 加熱部
１２，１８，３３ 冷却部
１３１ａ，１３１ｂ，１９１ａ，１９１ｂ，２５１ａ，２５１ｂ，３５１ａ，３５１ｂ 搬送用路
１３ａ，１３ｂ，１５，１９ａ，１９ｂ，１９ｃ，１９ｄ，２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，３５ａ，３５ｂ 搬送ユニット
１４ａ，１４ｂ 塗布処理ユニット
１６ａ，１６ｂ 減圧乾燥ユニット
５０ 加熱ユニット
５０１ チャンバー
５０１１ａ，５０１１ｂ シャッター
５１ 冷却ユニット
６１２ 上ハンド
６２２ 下ハンド
９０ 基板

Claims (12)

1. 基板に一連の処理を行う基板処理装置であって、前記一連の基板処理の順序に従って水平面内での空間配置の上流側と下流側とを定義したとき、
   前記装置が、
   上流側区間において直線的に配列された上流側処理部列を有する上流側処理系統と、
   前記上流側処理部列の両側に振り分けて設けられた一対の上流側搬送用路上をそれぞれ前記上流側処理部列に沿って移動し、前記上流側処理部列に属する各処理部に対して基板を搬送する一対の上流側搬送手段と、
   前記上流側区間に続く中間区間に配置され、前記一対の上流側搬送手段から基板がそれぞれ搬送される一対の処理部を含む複数の中間処理部を有する中間処理系統と、
   前記複数の中間処理部に対して基板を搬送する中間搬送手段と、
   前記中間区間に続く下流側区間において直線状に配列された下流側処理部列を有する下流側処理系統と、
   前記下流側処理部列の両側に振り分けて設けられた一対の下流側搬送用路上をそれぞれ前記下流側処理部列に沿って移動し、前記下流側処理部列に属する各処理部に対して基板を搬送する一対の下流側搬送手段と、
   を備えることを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記中間処理系統は、前記一対の処理部のそれぞれに対向する位置に特定種類の一対の処理部を有しており、
   前記一対の処理部が、基板の主面に塗布液を塗布する塗布処理部の対であり、
   前記特定種類の一対の処理部が、前記塗布処理部の対のそれぞれで塗布された基板上の塗布液を減圧乾燥する減圧乾燥部の対であることを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項２に記載の基板処理装置であって、
   前記中間搬送手段が基板を受渡すべき前記中間処理系統の各中間処理部を構成する単位処理手段の数が、前記上流搬送手段が基板を受渡すべき前記上流側処理系統の各処理部を構成する単位処理手段の数よりも少ないことを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項２または請求項３に記載の基板処理装置であって、
   前記塗布処理部は、前記一対の上流側搬送用路が伸びる搬送用路方向と直交する方向に移動しつつ基板に対して前記塗布液を供給するスリットノズルを有し、
   前記減圧乾燥部の対と前記塗布処理部の対とは、所定の間隔を隔てて前記搬送用路方向に互いに対向して配置され、
   前記一対の中間搬送手段は、前記所定の間隔に配置されることを特徴とする基板処理装置。
5. 請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の基板処理装置であって、
   前記上流側搬送手段および前記下流側搬送手段のそれぞれは、
   独立して動作可能な一対のハンドを有し、各処理部から処理後の基板を一方のハンドで受取るとともに、当該処理後の基板を保持した状態で、他方のハンドにてあらかじめ保持している基板を当該処理部に受渡すことが可能であることを特徴とする基板処理装置。
6. 請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置であって、
   前記上流側処理系統は、基板を水平搬送しつつ基板を処理する上流側水平搬送処理部を備え、
   前記上流側搬送手段は、前記上流側水平搬送処理部に対しては、基板の搬出入のうち搬出動作のみを行うことを特徴とする基板処理装置。
7. 請求項１ないし６のいずれかに記載の基板処理装置であって、
   前記下流側処理系統は、基板を水平搬送しつつ基板を処理する下流側水平搬送処理部を備え、
   前記下流側搬送手段は、前記下流側水平搬送処理部に対しては、基板の搬出入のうち搬出動作のみを行うことを特徴とする基板処理装置。
8. 請求項１ないし７のいずれかに記載の基板処理装置であって、
   前記上流側処理系統は、基板を熱的処理する複数の熱処理室が積層された上流側熱処理部、
   を備え、
   前記上流側熱処理部の各熱処理室は、前記一対の上流側搬送用路のそれぞれに対向する側に、基板の搬出入に同期して開閉されるシャッターを有することを特徴とする基板処理装置。
9. 請求項１ないし８のいずれかに記載の基板処理装置であって、
   前記下流側処理系統は、基板を熱的処理する複数の熱処理室が積層された下流側熱処理部、
   を備え、
   前記下流側熱処理部の各熱処理室は、前記一対の下流側搬送用路のそれぞれに対向する側に、基板の搬出入に同期して開閉されるシャッターを有することを特徴とする基板処理装置。
10. 請求項１ないし７のいずれかに記載の基板処理装置であって、
    前記上流側処理系統は、基板を熱的に処理する第１と第２の熱処理室が積層された上流側熱処理部、
    を備え、
    前記第１の熱処理室は、前記一対の上流側搬送用路のうち一方側のみに、基板を搬出入するための第１シャッターを有し、
    前記第２の熱処理室は、前記一対の上流側搬送用路のうち他方側のみに、基板を搬出入するための第２シャッターを有することを特徴とする基板処理装置。
11. 請求項１ないし７および１０のいずれかに記載の基板処理装置であって、
    前記下流側処理系統は、基板を熱的処理する第３と第４の熱処理室が積層された中間熱処理部、
    を備え、
    前記第３の熱処理室は、前記一対の下流側搬送用路のうち一方側のみに、基板を搬出入するための第３シャッターを有し、
    前記第４の熱処理室は、前記一対の下流側搬送用路のうち他方側のみに、基板を搬出入するための第４シャッターを有することを特徴とする基板処理装置。
12. 請求項１ないし１１のいずれかに記載の基板処理装置であって、
    前記一対の上流側搬送手段のうちの一方の上流側搬送手段と他方の上流側搬送手段とが相同の動作サイクルで基板を搬送するとともに、
    前記一方の上流側搬送手段は、前記他方の上流側搬送手段に対して、前記動作サイクルの位相が略１８０度ずれた状態で動作することを特徴とする基板処理装置。

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