JP4924186B2 - 塗布、現像装置及びその方法並びに記憶媒体 - Google Patents

塗布、現像装置及びその方法並びに記憶媒体 Download PDF

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Description

本発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板（液晶ディスプレイ用ガラス基板）等の基板に対してレジスト液の塗布処理や、露光後の現像処理等を行う塗布、現像装置及びその方法並びに記憶媒体に関する。
半導体デバイスやＬＣＤ基板の製造プロセスにおいては、フォトリソグラフィと呼ばれる技術により、基板に対してレジストパターンの形成が行なわれている。この技術は、例えば半導体ウエハ（以下ウエハという）などの基板に、レジスト液を塗布して当該ウエハの表面に液膜を形成し、フォトマスクを用いて当該レジスト膜を露光した後、現像処理を行なうことにより所望のパターンを得る、一連の工程により行われている。
このような処理は、一般にレジスト液の塗布や現像を行う塗布、現像装置に露光装置を接続したレジストパターン形成装置を用いて行われるが、塗布、現像装置の処理速度をさらに増大させるため、露光処理前のモジュールを収納するエリアと、露光処理後のモジュールを収納するエリアとを上下に配置し、夫々のエリアに搬送手段を設けることにより、搬送手段の負荷を軽減して搬送効率を高め、これにより塗布、現像装置のスループットを向上させる構成が特許文献１に提案されている。
この技術は、例えば図１７に示すように、キャリアブロックＳ１と処理ブロックＳ２とインターフェイスブロックＳ３とをこの順序で横方向に接続して設けると共に、前記処理ブロックＳ２は、現像処理を行なう現像ブロックＢ１，Ｂ２と、レジスト液の塗布処理を行う塗布ブロックＢ４と、レジスト液の塗布の前後に夫々反射防止膜の形成を行なう反射防止膜形成ブロックＢ３，Ｂ５とを互いに積層して構成されている。前記処理ブロックＳ２の各ブロックＢ１〜Ｂ５には、現像処理やレジスト液の塗布処理、反射防止膜形成用の薬液の塗布処理等の液処理を行なうための液処理部と、前記液処理の前後の処理を行う処理ユニットを多段に配列した棚ユニットと、液処理部と棚ユニットの各部との間でウエハＷの搬送を行なう搬送手段Ａ１〜Ａ５とが設けられると共に、各ブロックＢ１〜Ｂ５同士の間でのウエハＷの受け渡しを行なう専用の受け渡しアームＤ１，Ｄ２が設けられている。
そしてキャリアブロックＳ１から、当該キャリアブロックＳ１に設けられたトランスファーアームＣにより処理ブロックＳ２にウエハＷを搬送し、搬送手段Ａ１〜Ａ５と受け渡しアームＤ１，Ｄ２によりウエハＷを所定の処理ユニットに搬送することによって、これらトランスファーアームＣ、搬送手段Ａ１〜Ａ５、受け渡しアームＤ１，Ｄ２の負担を軽減し、こうして装置全体のスループットの向上を図っている。
このような装置では例えば１８０枚／ｈｒ程度のスループットを確保することができるが、市場では２００枚／ｈｒ〜２５０枚／ｈｒ程度のさらなる高スループット化を図る装置が要請されており、本発明者らはこのような高いスループットを確保した装置の開発について検討している。
ところで上述の装置では、現像ブロックＢ１，Ｂ２には、例えば３個の現像処理を行なう現像処理部を配列した現像処理ユニットを備えている。ここで夫々の現像処理部においては、例えばウエハＷをスピンチャック上に保持し、このスピンチャックによりウエハＷを回転させながら、ウエハ表面に現像液を供給することにより当該ウエハＷの表面に現像液を塗布し、次いで所定時間経過後にウエハＷの表面に洗浄液を供給して現像液を除去し、この後ウエハＷをスピンチャックにより高速回転させてウエハＷ表面を乾燥させることによって現像処理が行われている。この際、現像ブロックＢ１，Ｂ２においては、各現像処理部のスピンチャックに対して、当該ブロックＢ１，Ｂ２のメインアームＡ１，Ａ２により現像処理前のウエハＷの受け渡しと、現像処理後のウエハＷの受け取りとが行われている。
一方、現像ブロックＢ１，Ｂ２では、前記塗布ブロックＢ４等に比べて、現像処理の前後にウエハＷに対して処理を行う処理ユニットの個数が多く、このためこれら処理ユニットや現像処理ユニットに対してウエハＷの受け渡しを行うメインアームＡ１，Ａ２の負担が大きい。この結果、他のブロックＢ３〜Ｂ５に対して現像ブロックＢ１，Ｂ２の処理速度が律速となり、これが装置全体のスループットを低下させる要因となっていると考えられる。このため本発明者らは現像ブロックＢ１，Ｂ２のスループットを向上させることによって、装置全体の高スループット化を図ることを検討している。
特開２００６−２０３０７５号公報
本発明は、このような事情の下になされたものであり、その目的は、塗布、現像装置において、スループットの向上を図ることができる技術を提供することにある。
このため本発明の現像装置は、キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板に対して、このキャリアブロックの後段側に設けられた塗布膜形成用の単位ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、この塗布膜形成用の単位ブロックの後段側に設けられたインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を、前記塗布膜形成用の単位ブロックに積層されると共に、前記インターフェイスブロックからキャリアブロックに向かう基板の搬送路を備えた現像処理用の単位ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
前記現像処理用の単位ブロックには、基板に対して現像処理を行なう現像モジュールと、この現像モジュールに対して基板の受け渡しを行なうための基板搬送手段とが設けられ、
前記現像モジュールは、
水平軸のまわりに回動し、回動軸が互いに平行になるように前後に配置された一対の第１の回動体と、
これら第１の回動体の間に架け渡されて第１の周回軌道に沿って移動し、その上に載置された基板の搬送路を形成する搬送路部材と、
前記搬送路の上流端に設けられ、前記基板搬送手段と搬送路部材との間で基板の受け渡しを行なうための搬入用受け渡し部と、
前記搬送路の下流端に設けられ、前記基板搬送手段と搬送路部材との間で基板の受け渡しを行なうための搬出用受け渡し部と、
前記搬送路の上流端と下流端との間に、当該搬送路に沿って上流側から順に割り当てられた現像領域、洗浄領域及び乾燥領域と、
前記現像領域、洗浄領域及び乾燥領域に夫々設けられた、基板に現像液を供給するための現像液ノズル、基板に洗浄液を供給するための洗浄液ノズル及び、基板に気体を供給して基板を乾燥するためのガスノズルと、
水平軸のまわりに回動し、回動軸が互いに平行になるように前後に配置された一対の第２の回動体と、
これら第２の回動体の間に架け渡されて第２の周回軌道に沿って移動する、無端ベルト状のメッシュ体と、を備え、
前記搬送路部材は、前記回動軸と平行に伸び、その上に基板が載置される複数の棒状の搬送部材と、この搬送部材の両端に接続され、前記第１の周回軌道に沿って移動する一対のタイミングベルトと、を備え、
前記メッシュ体は、前記現像領域、洗浄領域及び乾燥領域に亘って、前記搬送路上の基板の移動領域と、前記現像ノズル、洗浄液ノズル及びガスノズルと、の間を基板の移動と同期して移動するように構成されていることを特徴とする。
また前記タイミングベルトを前記周回軌道に沿って移動させるために、前記一対の回動体の少なくとも一方を回転駆動させるためのモータを備えるように構成してもよいし、前記搬送路部材のタイミングベルトは、少なくともその外表面に、Ｎ極とＳ極とが交互に配列される電磁石が設けられるものとして構成し、前記タイミングベルトを前記周回軌道に沿って移動させるための、Ｎ極とＳ極とが交互に配列されると共に磁性の切り替えが行われる駆動電磁石を備えるように構成してもよく、このような構成では電磁石の反発作用により前記タイミングベルトは駆動電磁石により非接触で駆動される。また前記搬送路にある基板と現像ノズルとの間には、基板の移動と同期して移動するメッシュ状の布状体が設けられるように構成してもよい。
前記基板搬送手段は、前記搬入用受け渡し部に基板を受け渡すための搬入用基板搬送手段と、前記搬出用受け渡し部から基板を受け取るための搬出用基板搬送手段と、を備えるように構成してもよいし、前記現像モジュールは、前記搬送路部材により形成される基板の搬送路が、現像処理用の単位ブロックの基板の搬送路に沿うように、かつ前記搬入用受け渡し部がインターフェイスブロック側、前記搬出用受け渡し部がキャリアブロック側に夫々位置するように設けられると共に、前記現像処理用の単位ブロックは、現像処理を行う前の基板に対して処理を行なう複数個の前処理モジュールと、現像処理を行った後の基板に対して処理を行なう複数個の後処理モジュールと、を備えた棚ユニットを備え、この棚ユニットは、現像処理用の単位ブロックの基板の搬送路を介して前記現像モジュールと対向するように設けられるように構成してもよい。
また前記現像処理用の単位ブロックの搬送路において、インターフェイスブロック側に前記搬入用基板搬送手段を設けると共に、キャリアブロック側に前記搬出用基板搬送手段を設け、棚ユニットの前処理モジュールに対しては前記搬入用基板搬送手段により基板の受け渡しを行い、棚ユニットの後処理モジュールに対しては前記搬出用基板搬送手段により基板の受け渡しを行うようにしてもよい。
さらに本発明の塗布、現像方法は、キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板に対して、このキャリアブロックの後段側に設けられた塗布膜形成用の単位ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、この塗布膜形成用の単位ブロックの後段側に設けられたインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を、前記塗布膜形成用の単位ブロックに積層されると共に、前記インターフェイスブロックからキャリアブロックに向かう基板の搬送路を備えた現像処理用の単位ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像方法において、
前記現像処理用の単位ブロックには、請求項１に記載された現像モジュールと、この現像モジュールに対して基板の受け渡しを行なうための基板搬送手段と、が設けられ、
前記搬送路の上流端に設けられた搬入用受け渡し部において、前記基板搬送手段から前記搬送路部材に基板を受け渡す工程と、
次いで前記搬送路部材を下流側に移動させ、前記基板を移動させながらかつ現像ノズルと基板との間にて当該基板の移動と同期してメッシュ体を移動させながら、現像ノズルから基板に対して現像液を供給する工程と、
次いで前記搬送路部材により基板を下流側に移動させ、前記基板を移動させながらかつ洗浄液ノズルと基板との間にて当該基板の移動と同期してメッシュ体を移動させながら、この基板に対して洗浄液を供給する工程と、
次いで前記搬送路部材により基板を下流側に移動させ、前記基板を移動させながらかつガスノズルと基板との間にて当該基板の移動と同期してメッシュ体を移動させながらこの基板に対して乾燥ガスを吹き付ける工程と、
次いで前記搬送路部材により基板を搬送路の下流端に設けられた搬出用受け渡し部に移動させ、前記搬送路部材から前記基板搬送手段に基板を受け渡す工程と、
次いで基板が載置されていない搬送路部材を、前記搬出用受け渡し部から搬入用受け渡し部に戻るように前記周回軌道に沿って移動させる工程と、を含むことを特徴とする。




ここで前記基板搬送手段は、搬入用基板搬送手段と搬出用基板搬送手段とを備え、前記搬入用受け渡し部においては、前記搬入用基板搬送手段から前記搬送路部材に対して基板の受け渡しを行い、前記搬出用受け渡し部においては、前記搬送路部材から前記搬出用基板搬送手段に対して基板の受け渡しを行うことが好ましい。
さらに本発明の記憶媒体は、キャリアブロックから受け取った基板にレジスト膜を含む塗布膜を形成すると共に、露光後の基板に対して現像処理を行う塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記プログラムは、前記塗布、現像方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする。
本発明によれば、現像処理用の単位ブロックに設けられる現像モジュールでは、現像処理用の単位ブロックの基板搬送手段から搬入用受け渡し部に基板を順次受け渡し、この基板を搬送路に沿って順次下流側に移動させ、この移動の間に、当該基板に対して、現像液の供給処理と基板の洗浄処理と基板の乾燥処理とを行ない、こうして全ての処理が終了した基板を順次搬出用受け渡し部を介して前記基板搬送手段に受け渡している。このため前記現像モジュールでは、基板に対して流れ作業状態で現像処理を行うことができ、複数の基板に対して現像処理を途切れることなく連続して行うことができるため、スループットの向上を図ることができる。また１つの現像モジュールに対しては前記基板搬送手段によりアクセスされる箇所は、搬入用受け渡し部と搬出用受け渡し部との２箇所であるため、基板搬送手段の負荷が軽減され、スループットの向上を図ることができる。
先ず本発明の塗布、現像装置の実施の形態に係るレジストパターン形成装置について、図面を参照しながら説明する。図１は、前記装置の一実施の形態の平面図を示し、図２は同概略斜視図、図３は同概略側面図である。この装置は、基板であるウエハＷが例えば１３枚密閉収納されたキャリア２０を搬入出するためのキャリアブロックＳ１と処理ブロックＳ２とインターフェイスブロックＳ３と露光装置Ｓ４とを備えている。
前記キャリアブロックＳ１には、前記キャリア２０を複数個載置可能な載置台２１と、この載置台２１から見て前方の壁面に設けられる開閉部２２と、開閉部２２を介してキャリア２０からウエハＷを取り出すための受け渡し手段をなすトランスファーアームＣとが設けられている。このトランスファーアームＣは、後述する単位ブロックＢ１の受け渡しモジュールＴＲＳ１１に対してウエハＷの受け渡しを行うように、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、キャリア２０の配列方向に移動自在に構成されている。
キャリアブロックＳ１の奥側には筐体２４にて周囲を囲まれる処理ブロックＳ２が接続されており、この処理ブロックＳ２は、複数個例えば３個の単位ブロックＢ１〜Ｂ３を縦に配列して構成され、この例では、下方側から現像処理を行なうための単位ブロックである現像処理層（ＤＥＶ層）Ｂ１、レジスト膜の形成処理を行うための単位ブロックである２個の塗布処理層（ＣＯＴ１層）Ｂ２，（ＣＯＴ２層）Ｂ３として割り当てられており、これらＤＥＶ層Ｂ１、ＣＯＴ１層Ｂ２、ＣＯＴ２層Ｂ３は夫々区画されている。ここで前記ＣＯＴ１層Ｂ２、ＣＯＴ２層Ｂ３は塗布膜形成用の単位ブロック、ＤＥＶ層Ｂ１は現像処理用の単位ブロックに相当する。
これら各単位ブロックＢ１，Ｂ２，Ｂ３は夫々同様に構成され、ウエハＷに対して塗布液を塗布するための液処理モジュールと、前記液処理モジュールにて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種の処理モジュールと、前記液処理モジュールと各種の処理モジュールとの間でウエハＷの受け渡しを行うための専用の基板搬送手段であるメインアームＡ１〜Ａ３と、を備えている。
さらに各単位ブロックＢ１，Ｂ２，Ｂ３のキャリアブロックＳ１と隣接する領域には、図１及び図３に示すように、前記トランスファーアームＣと各メインアームＡ１〜Ａ３がアクセスできる位置に受け渡し用の棚ユニットＵ１が設けられている。この棚ユニットＵ１には、例えば単位ブロック毎に、他の単位ブロックとの間でウエハＷの受け渡しを行なうための第１の受け渡し部が多段に設けられており、進退自在及び昇降自在に構成された受け渡しアームＤにより、棚ユニットＵ１に設けられた各受け渡し部に対してウエハＷの受け渡しが行われるように構成されている。
続いて前記単位ブロックＢ１〜Ｂ３の構成について、先ずＣＯＴ１層Ｂ２を例にして図４及び図５に基づいて説明する。このＣＯＴ１層Ｂ２のほぼ中央には、ＣＯＴ１層Ｂ２の長さ方向（図４，図５中Ｙ方向）にウエハＷの搬送領域Ｒ１が形成されている。この搬送領域Ｒ１のキャリアブロックＳ１側から見た右側には、液処理モジュールとして、レジスト液の塗布を行うための複数個の塗布モジュールを備えた塗布処理部３１が設けられている。
この塗布処理部３１は、複数個例えば３個の塗布モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ３が共通の処理容器３０の内部に、各々が搬送領域Ｒ１に臨むようにＹ方向に配列された状態で収納されている。各塗布モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ３は、例えばスピンチャック上に水平に吸着保持されたウエハＷに対して、共通の薬液ノズルから塗布液であるレジスト液を供給すると共に、ウエハＷを回転させることによってレジスト液をウエハＷの全面に行き渡らせ、こうしてウエハＷの表面にレジスト液を塗布するように構成されている。前記処理容器３０は、各塗布モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ３に対応する位置にウエハＷの搬送口３３Ａ〜３３Ｃ（図５参照）を備えており、ウエハＷは各々の搬送口３３Ａ〜３３Ｃを介して対応する塗布モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ３とメインアームＡ２との間で搬送されるようになっている。
またこの塗布処理部３１の搬送領域Ｒ１の向い側には、処理モジュールを例えば２段×４列に設けた棚ユニットＵ２が設けられており、この図では塗布モジュール３１にて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種処理モジュールが設けられている。上述の各種処理モジュールは、レジスト液塗布後のウエハＷに対して加熱処理を行い、次いで冷却処理を行う加熱冷却モジュールＬＨＰや、ウエハＷを所定の温度に温調する温調モジュールＣＰＬ、周縁露光装置ＷＥＥ等を備えている。
前記加熱冷却モジュールＬＨＰとしては、例えばウエハＷをその上に載置して加熱するための加熱プレート３４と、搬送アームを兼用する冷却プレート３５とを備え、メインアームＡ２と加熱プレート３４との間のウエハＷの受け渡しを冷却プレート３５により行なう、つまり加熱冷却を１つのモジュールにて行うことができる構成の装置が用いられる。なお加熱冷却モジュールＬＨＰの代わりに、加熱モジュールと冷却モジュールとを別個に設けるようにしてもよい。また温調モジュールＣＰＬとしては、例えば水冷方式にて冷却される冷却プレートを備える装置が用いられる。これら加熱冷却モジュールＬＨＰや温調モジュールＣＰＬ等の各モジュールは、図５に示すように、各々処理容器３６内に収納されており、各処理容器３６の搬送領域Ｒ１に臨む面にはウエハ搬出入口３７が形成されている。
またＣＯＴ１層Ｂ２の棚ユニットＵ１には、前記第１の受け渡し部として、受け渡しモジュールＴＲＳ１２が設けられており、この受け渡しモジュールＴＲＳ１２に対しては、ＣＯＴ１層Ｂ２のメインアームＡ２と受け渡しアームＤとがアクセスできるように構成されている。このメインアームＡ２について説明すると、このメインアームＡ２は、当該ＣＯＴ１層Ｂ２内の全てのモジュール（ウエハＷが置かれる場所）、例えば塗布モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ３と、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳ１２と、棚ユニットＵ２の各処理モジュールとの間でウエハの受け渡しを行うように構成されており、このために進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、Ｙ軸方向に移動自在に構成されている。
前記メインアームＡ２は、図４及び図５に示すように、ウエハＷの裏面側周縁領域を支持するための２本の保持アーム４１，４２を備えており、これら保持アーム４１，４２は基台４３上を互いに独立して進退自在に構成されている。また基台４３は、搬送基体４５上に回転機構４４を介して鉛直軸回りに回転自在に設けられている。図中４６は、搬送領域Ｒ１の長さ方向（図１中Ｙ方向）に伸びるガイドレール４６、図中４７は昇降用ガイドレールであり、前記搬送基体４５は、この昇降用ガイドレール４７に沿って昇降自在に構成されている。また前記昇降用ガイドレール４７の下端部はガイドレール４６の下方を潜って係止されており、昇降用ガイドレール４７がガイドレール４６に沿って横方向に移動することで、搬送基体４５が搬送領域Ｒ１を横方向に移動できるようになっている。ここで昇降用ガイドレール４７は、棚ユニットＵ２の各処理モジュールに対してウエハＷの受け渡しを行うときに、保持アーム４１，４２と干渉しないように、保持アーム４１，４２が進退する位置からずれた位置において搬送基体４５に設けられている。
また受け渡しアームＤについては、ウエハＷの裏面側を支持するための１本の支持アーム４８を、昇降自在に構成された基台４９に進退自在に取り付けて構成されている。さらに前記受け渡しモジュールＴＲＳ１２は、受け渡しステージ３８上にウエハＷの裏面側を保持する複数個例えば３個の突起３９が、メインアームＡ２と受け渡しアームＤとが進入してきたときに、これらと干渉しない位置に形成されて構成されている。
なお前記ＣＯＴ２層Ｂ３はＣＯＴ１層Ｂ２と同様に構成されており、液処理モジュールとして、ウエハＷに対してレジスト液を供給して、レジスト膜を形成するための複数個例えば３個の塗布モジュールＣＯＴ２１〜ＣＯＴ２３を備えた塗布処理部３１が設けられ、棚ユニットＵ２には前記加熱冷却モジュールＬＨＰや温調モジュールＣＰＬ、周縁露光装置ＷＥＥ等が設けられている。また棚ユニットＵ１には、第１の受け渡し部として、受け渡しアームＤがアクセスできる位置に受け渡しモジュールＴＲＳ１３が設けられ、これら塗布モジュールＣＯＴ２１〜ＣＯＴ２３と、棚ユニットＵ１，Ｕ２に設けられた各種モジュールとの間でメインアームＡ３によりウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。
続いてＤＥＶ層Ｂ１について説明する。ＤＥＶ層Ｂ１は、図１及び図３に示すように、ＣＯＴ１層Ｂ２等と同様に、棚ユニットＵ１と、棚ユニットＵ２と、液処理モジュールとしての例えば２個の現像モジュールＤＥＶ（ＤＥＶ１，ＤＥＶ２）とが設けられており、これらの配置は既述のＣＯＴ１層Ｂ２と同様である。つまりＤＥＶ層Ｂ１においても、Ｙ方向に伸びる搬送領域Ｒ１を挟んで現像モジュールＤＥＶと棚ユニットＵ２とが互いに対向するように設けられており、この例では、現像モジュールＤＥＶは上下方向に２段に設けられている。そしてＤＥＶ層Ｂ１の搬送領域Ｒ１には、２個のメインアームＡ１１，Ａ１２が設けられると共に、この搬送領域Ｒ１のインターフェイスブロックＳ３と隣接する領域には、当該処理ブロックＳ２とインターフェイスブロックＳ３との間でウエハＷの受け渡しを行なうための第２の受け渡し部をなす棚ユニットＵ３が設けられている。前記メインアームＡ１１は搬出用基板搬送手段に相当し、メインアームＡ１２は搬入用基板搬送手段に相当する。
前記棚ユニットＵ１には、第１の受け渡し部として、受け渡しアームＤがアクセスできる位置にキャリアブロックＳ１との間でウエハＷの受け渡しを行うための受け渡しモジュールＴＲＳ１１が設けられており、この受け渡しモジュールＴＲＳ１１に対してはメインアームＡ１１と受け渡しアームＤとがアクセスされるように構成されている。また棚ユニットＵ１には、後述するシャトルアームＥと受け渡しアームＤとによりアクセスされる受け渡しモジュールＴＲＳ１０も設けられている。
また棚ユニットＵ２は、例えば図６に示すように３段×４列に構成され、この棚ユニットＵ２には、露光後のウエハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングモジュールなどと呼ばれている加熱モジュールＰＥＢ、この加熱モジュールＰＥＢにおける処理の後にウエハＷを所定温度に調整するための冷却モジュールＣＯＬ、現像処理後のウエハＷを水分を飛ばすために加熱処理するポストベーキングモジュール等と呼ばれている加熱モジュールＰＯＳＴ、この加熱モジュールＰＯＳＴにおける処理の後にウエハＷを所定温度に調整するための温調モジュールＣＰＬ等が含まれている。この内前記加熱モジュールＰＥＢと冷却モジュールＣＯＬとが、現像処理前のウエハＷに対して前処理を行う前処理モジュールに相当し、加熱モジュールＰＯＳＴと温調モジュールＣＰＬとが現像処理後のウエハＷに対して後処理を行う後処理モジュールに相当する。
また前記棚ユニットＵ３は、第２の受け渡し部として、前記インターフェイスブロックＳ４との間でウエハＷの受け渡しを行うための受け渡しモジュールＴＲＳ２０，ＴＲＳ２１を備えており、この内受け渡しモジュールＴＲＳ２０に対しては後述するシャトルアームＥと後述するインターフェイスアームＦとがアクセスし、受け渡しモジュールＴＲＳ２１に対してはメインアームＡ１２とインターフェイスアームＦとがアクセスされるように構成されている。以上において棚ユニットＵ１，Ｕ３に設けられる全ての受け渡しモジュールは、上述の受け渡しモジュールＴＲＳ１２と同様に構成されている。
メインアームＡ１１，Ａ１２は、Ｙ軸方向に移動しない以外は上述のＣＯＴ１層Ｂ２のメインアームＡ１３と同様に構成され、つまり進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。具体的には、図６に示すように、基台５３上に互いに独立して進退自在に構成された、ウエハＷの裏面側周縁領域を支持するための２本の保持アーム５１，５２を備え、前記基台５３は、搬送基体５５上に回転機構５４を介して鉛直軸回りに回転自在に設けられている。また前記搬送基体５５は、昇降用ガイドレール５６に沿って昇降自在に構成されている。ここで昇降用ガイドレール５６は、棚ユニットＵ２の各処理モジュールに対してウエハＷの受け渡しを行うときに、保持アーム５１，５２と干渉しないように設けられている。
こうしてメインアームＡ１１は、後述する現像モジュールＤＥＶの搬出用受け渡し部と、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳ１１と、搬送領域Ｒ１から見て棚ユニットＵ２の左半分に配列された６個の処理モジュールとの間でウエハの受け渡しを行うように構成され、メインアームＡ１２は、後述する現像モジュールＤＥＶの搬入用受け渡し部と、搬送領域Ｒ１から見て棚ユニットＵ２の右半分に配列された処理モジュールと、受け渡しモジュールＴＲＳ２１との間でウエハＷの受け渡しを行うように構成されている。ここで棚ユニットＵ２にはメインアームＡ１２によりアクセスされる処理モジュールとして、例えば現像処理の前処理を行なう前処理モジュールである加熱モジュールＰＥＢと冷却モジュールＣＯＬとが配列され、メインアームＡ１１によりアクセスされる処理モジュールとして、例えば現像処理の後処理を行なう後処理モジュールである加熱モジュールＰＯＳＴと温調モジュールＣＰＬ等が配列される。
またＤＥＶ１層にはシャトルアームＥが設けられている。このシャトルアームＥについて図６を用いて説明すると、このシャトルアームＥはウエハＷの裏面側周縁領域を支持し、基台６２に沿って進退するための１本の保持アーム６１を備えており、前記基台６２は、搬送基体６４上に回転機構６３を介して鉛直軸回りに回転自在に設けられている。前記搬送基体６４は、例えば棚ユニットＵ２の上部側に、棚ユニットＵ２の長さ方向（図中Ｙ方向）に沿って設けられた支持部材６６の搬送領域Ｒ１に臨む面に、搬送領域Ｒ１の長さ方向に伸びるように設けられたガイドレール６５に沿って、前記長さ方向に移動するように構成され、こうして前記棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳ１０と棚ユニットＵ３の受け渡しモジュールＴＲＳ２０との間でウエハＷの搬送を行なうように構成されている。
一方、処理ブロックＳ２における棚ユニットＵ３の奥側には、インターフェイスブロックＳ３を介して露光装置Ｓ４が接続されている。インターフェイスブロックＳ３には、前記処理ブロックＳ２の棚ユニットＵ３の第２の受け渡し部と露光装置Ｓ４とに対してウエハＷの受け渡しを行うための、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されたインターフェイスアームＦが設けられている。
そして上述のレジストパターン形成装置は、各処理モジュールのレシピの管理や、ウエハＷの搬送フロー（搬送経路）のレシピの管理や、各処理モジュールにおける処理や、メインアームＡ１１，Ａ１２，Ａ２，Ａ３、トランスファーアームＣ、受け渡しアームＤ、シャトルアームＥ、インターフェイスアームＦの駆動制御を行うコンピュータからなる制御部７を備えている。この制御部７は、例えばコンピュータプログラムからなるプログラム格納部を有しており、プログラム格納部には、レジストパターン形成装置全体の作用、つまりウエハＷに対して所定のレジストパターンを形成するための、各処理モジュールにおける処理やウエハＷの搬送等が実施されるようにステップ（命令）群を備えた例えばソフトウェアからなるプログラムが格納される。そしてこれらプログラムが制御部７に読み出されることにより、制御部７によってレジストパターン形成装置全体の作用が制御される。なおこのプログラムは、例えばフレキシブルディスク、ハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカード等の記憶媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。
続いて現像モジュールＤＥＶについて図１及び図７〜図１０に基づいて説明する。この現像モジュールＤＥＶは、ウエハＷに対して現像処理を行うためのＤＥＶ層Ｂ１の長さ方向（図１，図７〜図９中Ｙ方向）に沿って伸びる処理領域１００と、この処理領域１００の長さ方向の一方側に設けられた搬入用受け渡し部１１０と、前記処理領域１００の長さ方向の他方側に設けられた搬出用受け渡し部１１１と、を備えている。前記搬入用受け渡し部１１０は、図１に示すように、インターフェイスブロックＳ３側のメインアームＡ１２によりアクセスされる領域に設けられ、前記搬出用受け渡し部１１１は、キャリアブロックＳ１側のメインアームＡ１１によりアクセスされる領域に設けられている。
前記処理領域１００は、例えばその長さ方向の大きさは、複数枚例えば３枚のウエハＷが前記ＤＥＶ層Ｂ１の長さ方向に配列できる程度に設定され、その幅方向（図中Ｘ方向）の大きさは、例えば１枚のウエハＷに対して現像処理を行なうために適した大きさに設定されている。この処理領域１００は、インターフェイスブロックＳ３側からキャリアブロックＳ１側に向かって、現像領域１０１と、洗浄領域１０２と乾燥領域１０３とをこの順序で備えている。これら現像領域１０１と洗浄領域１０２と乾燥領域１０３は、その長さ方向の大きさが、夫々例えば１枚のウエハＷが配置される程度に設定されている。
そしてウエハＷは、搬送路部材１３０の上に載置されて前記処理領域１００内を、インターフェイスブロックＳ３側からキャリアブロックＳ１側に向けて前記長さ方向に搬送されるように構成されている。前記搬送路部材１３０は、水平軸のまわりに回動し、回動軸が互いに平行になるように前後に配置された一対の回動体１３１，１３２の間に架け渡されて周回軌道に沿って移動するように構成され、こうしてインターフェイスブロックＳ３からキャリアブロックＳ１に向かうウエハＷの搬送路の一部を形成するものである。具体的には、搬送路部材１３０は、前記回動軸と平行に伸び、その上にウエハＷが載置される複数の棒状の搬送部材１２０と、前記搬送部材１２０の両端に接続され、前記周回軌道に沿って移動する一対のタイミングベルト１３３，１３３とを備えており、前記タイミングベルト１３３，１３３は前記回動体１３１，１３２の間に巻き掛けられている。
前記搬送部材１２０は、例えば図１０に示すように、断面が円形状あるいは三角形などの多角形状に形成されたセラミック製あるいはポリテトラフルオロエチレン製の樹脂製の棒状体により構成されている。その長さは、例えば図に示すように、処理領域１００の幅方向の長さをカバーする程度に設定され、その断面の大きさは、例えば断面が円形状である場合には、直径が７ｍｍ程度に設定されている。この例では、ウエハＷの裏面側周縁部が前記２本の搬送部材１２０に支持されるようになっている。
また搬送部材１２０には、例えばポリテトラフルオロエチレン等の樹脂により構成された基板ガイド１２１が設けられており、メインアームＡ１２から搬送部材１２０にウエハＷが受け渡されるときには、この基板ガイド１２１がウエハＷの外縁近傍に位置し、ウエハＷの位置ずれを防止した状態で受け渡されるようになっている。さらに搬送部材１２０には、例えばポリテトラフルオロエチレン等の樹脂により構成されたプロキシミティ部材１２２が設けられており、これによりウエハＷは、搬送部材１２０から例えば２ｍｍ程度の僅かに浮上した状態で保持されるようになっている。
前記一対の回動体１３１，１３２は、それらの回動軸が、処理領域１００の幅方向に互いに平行に伸びるように設けられている。これら回動体１３１，１３２の長さは処理領域１００の幅方向の長さをカバーする程度に設定され、一方の回動体１３１が前記搬入用受け渡し部１１０の上流側に位置し、他方の回動体１３２が前記搬出用受け渡し部１１１の下流側に位置するように、互いに処理領域１００を挟んで対向するように夫々設けられている。こうして前記搬入用受け渡し部１１０は、搬送路部材１３０により形成された搬送路の上流端に設けられ、搬出用受け渡し部１１１は前記搬送路の下流端に設けられることになる。
前記回動体１３１は、例えば図７及び図８に示すように、モータＭ１により回転駆動される駆動プーリよりなり、前記回動体１３２は従動プーリよりなる。そして回動体１３１，１３２の長さ方向の両端には、夫々タイミングベルト１３３，１３３が巻き掛けられ、このタイミングベルト１３３，１３３に前記一対の搬送部材１２０が所定の間隔で設けられることになる。
こうして回動体１３１，１３２を回転駆動することにより、搬送部材１２０が、搬入用受け渡し部１１０から処理領域１００を通って搬出用受け渡し部１１１側に移動し、次いで再び搬入用受け渡し部１１０に戻るように第１の周回軌道に沿って移動される。なお図７は搬送路部材１３０を説明するための斜視図であり、図示の便宜上後述するメッシュ帯や、タイミングベルト１３３,１３３の周回軌道の内部に設けられた部材等を省略して描いている。
また前記処理領域１００を搬送部材１２０に載置されて移動するウエハＷの上方側には、メッシュ帯１２５が搬送部材１２０と同期して第２の周回軌道に沿って移動するように設けられている。前記メッシュ帯１２５は例えばナイロン−ポリテトラフルオロエチレン繊維により構成されたメッシュ状の布状体であり、厚さが０．１５ｍｍ程度、開口の大きさが１．０ｍｍ×１．０ｍｍ程度であって、その幅方向の大きさはウエハＷを完全に覆う程度に設定されている。またメッシュ帯１２５は、例えば図１１に示すように、その下面と搬送部材１２０の表面との間の距離Ｌが例えば１．７ｍｍ程度になるように、前記処理領域１００全体を覆うように設けられている。
このようなメッシュ帯１２５は、例えば図９に示すように、水平軸のまわりに回動し、回動軸が互いに平行になるように配置された回動体１４１，１４２，１４３，１４４の間に架け渡されて第２の周回軌道に沿って移動するように構成されている。これら回動体１４１〜１４４は、それらの回動軸が、処理領域１００の幅方向に互いに平行に伸びるように設けられている。また回動体１４１〜１４４の長さはメッシュ帯１２５の幅方向の大きさに設定されている。
前記メッシュ体１２５は、メインアームＡ１１，Ａ１２と搬入用受け渡し部１１０と搬出用受け渡し部１１１との間でウエハＷの受け渡しが行われる際に、この受け渡し動作に干渉しないように移動するので、前記回動体１４１は、例えばメインアームＡ１２と搬入用受け渡し部１１０との間でウエハＷの受け渡し動作を行う作業領域よりも下流側に設けられ、回動体１４２は、この回動体１４１と処理領域１００の長さ方向に対向するように、例えばメインアームＡ１１と搬出用受け渡し部１１１との間でウエハＷの受け渡し動作を行う作業領域よりも上流側に設けられている。
また前記回動体１４３は、前記回動体１４２の上方側に、当該回動体１４２と対向するように設けられ、前記回動体１４４は、前記回動体１４１の上方側に、当該回動体１４１と対向するように設けられている。ここで前記回動体１４１は、例えば図９に示すように、モータＭ２により回転駆動される駆動プーリよりなり、前記回動体１４２〜１４４は従動プーリよりなる。そして回動体１４１〜１４４の長さ方向の両端には、夫々タイミングベルト１４５，１４５が巻き掛けられている。なお図９では図示の便宜上モータＭ１，Ｍ２を回動体１３１，１４１とは別に描いているが、実際にはモータＭ２は、回動体１３１のモータＭ１と同様に、一対の駆動プーリの間に、これら両駆動プーリに接続されるように設けられている。
前記メッシュ帯１２５は、例えばその幅方向の両端側が前記一対のタイミングベルト１４５，１４５に取り付けられている。ここで前記回動体１４１〜１４４を構成する駆動プーリ及び従動プーリは夫々歯付きプーリにより構成される一方、タイミングベルト１４５，１４５には前記歯付きプーリに対応する孔部（図示せず）が設けられていて、送りガイドを兼用するように構成されている。
また前記搬送路部材１３０の回動体１３１のモータＭ１と、メッシュ帯１２５を回動させる回動体１４１のモータＭ２とは、夫々制御部７により駆動制御されるように構成されており、前記搬送路部材１３０のタイミングベルト１３３，１３３と、メッシュ帯１２５のタイミングベルト１４５，１４５とが互いに同期した状態で夫々周回移動するように制御されている。これによりメッシュ帯１２５が、第１の周回軌道に沿って移動する搬送部材１２０の移動と互いに同期して第２の周回軌道に沿って移動するように設けられることになる。ここで「互いに同期する」という意味は、メッシュ帯１２５を、前記搬送部材１２０の移動のタイミングと移動速度と移動方向とが揃うように移動させるということである。こうように同期させてウエハＷとメッシュ帯１２５を移動させるので、現像液を供給した後のウエハＷの移動においても、ウエハＷから現像液が零れ落ちないで保持されやすく、ウエハＷ上の現像液の流動を抑制できる。
前記現像領域１０１には、当該領域１０１を搬送部材１２０に載置されたウエハＷが移動するときに、当該ウエハＷの表面に対して前記メッシュ帯１２５を介して現像液を供給するための現像ノズル１５１が設けられている。この現像ノズル１５１は、そのノズル１５１の先端にウエハＷの直径とほぼ同じか又は大きい現像液の吐出領域を備えており、その長さ方向が前記処理領域１００の幅方向に揃うように、かつノズル１５１の先端が搬送部材１２０に載置されたウエハＷの表面から２ｍｍ程度浮上した位置になるように設けられている。
また前記洗浄領域１０２には、当該領域を搬送部材１２０に載置されたウエハＷが移動するときに、当該ウエハＷの表面に対して前記メッシュ帯１２５を介して洗浄液である例えば純水を供給するための第１の洗浄ノズル１５２が設けられると共に、ウエハＷの裏面に対して洗浄液である例えば純水を供給するための第２の洗浄ノズル１５６が設けられている。前記洗浄ノズル１５２，１５６は、そのノズル１５２，１５６の先端にウエハＷの直径よりも大きい洗浄液の吐出領域を備えており、その長さ方向が前記処理領域１００の幅方向に揃うように、かつノズル１５２の先端が搬送部材１２０に載置されたウエハＷの表面から２ｍｍ程度浮上した位置になるように設けられている。
前記第１の洗浄ノズル１５２は、例えば図８に示すように当該洗浄領域１０２の範囲内において、第１の移動機構１５３により、処理領域１００の長さ方向に移動自在に設けられており、例えば複数回洗浄ノズル１５２を往復させてウエハＷ表面の洗浄を行うことができるようになっている。また前記第２の洗浄ノズル１５６は、洗浄領域１０２の範囲内におけるある位置に固定して設けるようにしてもよいし、洗浄領域１０２の範囲内において処理領域１００の長さ方向に移動自在に設けるように構成してもよい。
さらに前記乾燥領域１０３には、当該領域を搬送部材１２０に載置されたウエハＷが移動するときに、当該ウエハＷの表面に対して、当該表面を乾燥させるエアナイフの役目を有する気体例えばドライエア又は窒素ガス等の不活性ガスを供給するための第１のガスノズル１５４が設けられていると共に、ウエハＷの裏面に対して前記気体を供給するための第２のガスノズル１５７が設けられている。前記ガスノズル１５４，１５７は、そのノズル１５４，１５７の先端にウエハＷの直径よりも大きい気体の供給領域を備えており、その長さ方向が前記処理領域１００の幅方向に揃うように、かつノズル１５４の先端が搬送部材に載置されたウエハＷの表面から１ｍｍ程度浮上した位置になるように設けられている。前記第１のガスノズル１５４は、例えば図８に示すように当該乾燥領域１０３の範囲内において、第２の移動機構１５５により、処理領域１００の長さ方向に移動自在に設けられている。前記第２のガスノズル１５７は、乾燥領域１０３の範囲内におけるある位置に固定して設けるようにしてもよいし、乾燥領域１０３の範囲内において処理領域１００の長さ方向に移動自在に設けるように構成してもよい。
前記現像ノズル１５１、第１及び第２の洗浄ノズル１５２，１５６、第１及び第２のガスノズル１５４，１５７は、例えばメッシュ帯１２５の第２の周回軌道の内側に設けられており、これらにはメッシュ帯１２５の周回移動を阻害しないように、夫々流量調整バルブＶ３〜Ｖ５を備えた供給路１６１〜１６３を介して現像液供給部１６４、洗浄液供給部１６５、乾燥ガス供給部１６６に接続されている。前記流量調整バルブＶ３〜Ｖ５は制御部７により制御されるように構成されている。
さらにまた前記現像領域１０１と洗浄領域１０２の、搬送部材１２０の下方側には、当該領域１０１，１０２に供給された現像液や洗浄液を回収するための液受け部１６７が設けられており、この例では前記液受け部１６７は前記搬送部材１２０の第１の周回軌道の内側であって、第２の洗浄ノズル１５６の下方側に位置するように設けられている。そして液受け部１６７には前記搬送部材１２０の周回移動を阻害しないように排液路１６８が接続されている。
そして前記乾燥領域１０３はウエハＷの乾燥を促進するために、処理容器１７０にて覆われている。この処理容器１７０は、ウエハＷが乾燥領域１０３を通過するときにウエハＷの周囲を覆うように構成されていて、ウエハＷが搬送部材１２０に載置された状態で当該処理容器１７０内を移動できるように、ウエハＷが通過する領域に隙間１７１が形成されている。そして前記処理容器１７０には搬送部材１２０の周回移動を阻害しないように排気路１７２が接続され、この排気路１７２の他端側は排気ポンプ１７３に接続されていて、当該処理容器１７０内が陰圧になるように制御部７からの指令に基づいて圧力調整されるように構成されている。これらによりメッシュ帯１２５もウエハＷと同時に洗浄及び乾燥が行われることとなる。
前記搬入用受け渡し部１１０は、例えば搬送部材１２０の第１の周回軌道の内側領域に設けられた第１の昇降ピン機構１８１を備えている。この第１の昇降ピン機構１８１は、メインアームＡ１２から搬送部材１２０上にウエハＷを受け渡すときに用いられるものであり、昇降ピン１８２は、メインアームＡ１２が搬入用受け渡し部１１０との間でウエハＷの受け渡しを行なう受け渡し位置に移動したときに、その先端が搬送部材１２０を介して、メインアームＡ１２の保持アーム５１，５２の内側領域から保持アーム５１，５２の上方側まで突出すると共に、ウエハＷが搬送部材１２０上に載置された後は、当該ウエハＷを載置する搬送部材１２０の下方側まで下降するように、昇降自在に設けられている。
また前記搬出用受け渡し部１１１は、搬入用受け渡し部１１０と同様に構成され、例えば搬送部材１２０の第１の周回軌道の内側領域に、搬送部材１２０からメインアームＡ１１にウエハＷを受け渡すときに用いられる第２の昇降ピン機構１８３を備えている。この第２の昇降機構１８３は第１の昇降機構１８１と同様に、昇降自在に構成された昇降ピン１８４を備えている。
続いてこの現像モジュールＤＥＶにて行なわれる現像処理について、図１２及び図１３を用いて説明する。先ず図１２（ａ），（ｂ）に示すように、搬送部材１２０を受け渡し位置に位置した状態で停止させ、メインアームＡ１２から搬入用受け渡し部１１０にウエハＷ１を受け渡す。ここで前記搬送部材１２０の受け渡し位置とは、図に示すように、メインアームＡ１２から２本の搬送部材１２０上の所定位置にウエハＷが載置される位置であり、２本の搬送部材１２０同士の間に搬入用受け渡し部１１０の昇降ピン機構が位置する位置である。
そしてウエハＷ１の受け渡しは、例えばウエハＷを保持したメインアームＡ１２を搬入用受け渡し部１１０の上方側に進入させ、次いで昇降ピン機構１８１の昇降ピン１８２を搬送部材１２０の上方側まで上昇させてメインアームＡ１２からウエハＷを昇降ピン１８２により受け取り、次いでメインアームＡ１２を退行させた後、昇降ピン１８２を搬送部材１２０の下方側まで下降させて、ウエハＷ１を搬送部材１２０上に受け渡すことにより行なわれる。
こうして搬送部材１２０上にウエハＷ１を受け渡した後、モータＭ１とモータＭ２とを作動させて、搬送部材１２０及びメッシュ帯１２５をインターフェイスブロックＳ３側からキャリアブロックＳ１側に向けて所定の速度で夫々移動させる。そして処理領域１００では、図１２（ｃ）に示すように、先ず現像領域１０１において、ウエハＷ１を移動させた状態で、現像ノズル１５１から所定の流量で現像液がメッシュ帯１２５を介してウエハＷ１の表面に供給される。この際現像ノズル１５１は移動しないが、ウエハＷ１側が移動していくため、ウエハＷ１の全面に現像液が供給され、現像処理が行われる。なお図１２，図１３においては図示の便宜上メッシュ帯１２５や、乾燥領域１０３の処理容器１７０等を省略して描いている。
現像液が供給されたウエハＷ１は図１３（ａ）に示すように、続いて洗浄領域１０２へ移動する。この際、ウエハ表面の現像液がウエハＷ１とメッシュ帯１２５との間に挟まれた状態でウエハＷ１が移動していく。ここで所定の現像時間例えば６０秒程度の現像時間を確保するために、現像領域１０１のウエハＷ１の移動方向の長さを調整してもよいし、移動速度を制御したり、現像液供給後に一旦ウエハＷの移動を停止するようにしてもよい。
洗浄領域１０２では、所定の現像時間経過後のウエハＷ１に対して、ウエハＷ１を移動させた状態で第１の洗浄ノズル１５２から所定の流量で洗浄液がメッシュ帯１２５を介してウエハＷ１の表面に供給され、これによりウエハＷ１の表面の現像が洗い流される。この際、第２の洗浄ノズル１５６からも洗浄液がウエハＷ１の裏面に供給され、これによりウエハＷ１の裏面側に付着した現像液も洗い流される。ここで第１の洗浄ノズル１５２はウエハＷ１の移動方向に沿って洗浄領域１０２内を移動しながら洗浄液の供給を行う。この際、洗浄工程では、ウエハＷ１表面の現像液が全て洗い流されればよいが、確実な洗浄を行うために、洗浄領域１０２のウエハＷ１の移動方向の長さを調整してもよいし、洗浄液の供給流量を調整してもよいし、移動速度を制御するようにしてもよい。ここで図１３中、Ｗ２はウエハＷ１の後続のウエハであり、Ｗ３はウエハＷ２の後続のウエハであって、このように所定のタイミングで順次メインアームＡ１２から搬入用受け渡し部１１０に対してウエハＷの受け渡しが行われる。
続いてウエハＷ１は図１３（ｂ）に示すように、乾燥領域１０３へ移動する。乾燥領域１０３では、洗浄処理が行われたウエハＷ１に対して、陰圧に設定された処理容器１７０内において、ウエハＷ１を移動させた状態で、第１のガスノズル１５４から乾燥ガスが所定の流量でメッシュ帯１２５を介してウエハＷ１の表面に吹き付けられ、これによりウエハＷ１の表面が乾燥される。また第２のガスノズル１５７から乾燥ガスがウエハＷ１の裏面に吹き付けられ、こうしてウエハＷ１の裏面も乾燥される。
ここで第１のガスノズル１５４はウエハＷ１の移動方向に沿って処理容器１７０内を移動しながら乾燥ガスの吹き付けを行う。この際、乾燥工程では、ウエハＷ１表面が乾燥すればよいが、確実に乾燥させるために、乾燥領域１０３のウエハＷ１の移動方向の長さを調整してもよいし、処理容器１７０内の圧力を調整してもよい。またガスノズル１５４の本数を増加してもよいし、乾燥ガスの吹き付け流量を調整してもよいし、移動速度を制御するようにしてもよい。
この後ウエハＷ１は、図１３（ｃ）に示すように、搬出用受け渡し部１１１へ移動し、メインアームＡ１１に受け渡される。この受け渡しでは、先ず搬送部材１２０を受け渡し位置に位置した状態で停止させる。この搬送部材１２０の受け渡し位置とは、図１３に示すように、２本の搬送部材１２０同士の間に搬出用受け渡し部１１１の昇降ピン機構１８３が位置する位置である。
そしてウエハＷ１の受け渡しは、例えばウエハＷ１を載置した搬送部材１２０の下方側から昇降ピン機構１８３の昇降ピン１８４を上昇させて、搬送部材１２０から昇降ピン１８４にウエハＷを受け渡し、次いでメインアームＡ１１を搬送部材１２０と昇降ピン１８４の間に進入させてから上昇させて、昇降ピン１８４からメインアームＡ１１にウエハＷを受け渡し、この後メインアームＡ１１を退行させて、昇降ピン１８４を搬送部材１２０の下方側まで下降させることにより行なう。
このようにこの現像モジュールＤＥＶでは、メインアームＡ１２から搬入用受け渡し部１１０に所定のタイミングで、順次現像処理前のウエハＷが受け渡される。そして搬入用受け渡し部１１０に受け渡されたウエハＷは、処理領域１００を上流側から下流側に移動しながら現像領域１０１においてウエハＷ表面への現像液の供給、洗浄領域１０２においてウエハＷ表面の現像液の洗浄、乾燥領域１０３においてウエハＷ表面の乾燥が行われ、次いで搬出用受け渡し部１１１に搬送される。この搬出用受け渡し部１１１においては、現像処理後のウエハＷが所定のタイミングで順次搬送されることになり、この現像処理後のウエハＷは所定のタイミングでメインアームＡ１１に受け渡される。一方、ウエハＷをメインアームＡ１１に受け渡した後、搬送部材１２０は再び搬入用受け渡し部１１０に戻される。
続いてこのようなこのレジストパターン形成装置におけるウエハＷの搬送経路について説明する。ウエハＷの搬送は、制御部７により、搬送フロー（搬送経路）のレシピに基づいて、メインアームＡ１１，Ａ１２，Ａ２，Ａ３、トランスファーアームＣ、受け渡しアームＤ、シャトルアームＥ、インターフェイスアームＦを制御することにより行われる。
先ず外部からキャリアブロックＳ１に搬入されたキャリア２０内のウエハＷは、トランスファーアームＣにより棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳ１１に受け渡される。そして受け渡しモジュールＴＲＳ１１のウエハＷは受け渡しアームＤにより受け渡しモジュールＴＲＳ１２又は受け渡しモジュールＴＲＳ１３に搬送され、ここからＣＯＴ１層Ｂ２又はＣＯＴ２層Ｂ３のメインアームＡ２，Ａ３に夫々受け取られる。ＣＯＴ１層Ｂ２又はＣＯＴ２層Ｂ３内では、ウエハＷは、夫々メインアームＡ２，Ａ３により、温調モジュールＣＰＬ→塗布モジュールＣＯＴ→加熱モジュールＬＨＰ→周辺露光装置ＷＥＥ→の経路で搬送され、レジスト膜が形成される。
レジスト膜が形成されたウエハＷは、ＣＯＴ１層Ｂ２又はＣＯＴ２層Ｂ３から夫々メインアームＡ２，Ａ３により受け渡しモジュールＴＲＳ１２又は受け渡しモジュールＴＲＳ１３に受け渡され、ここから受け渡しアームＤにより受け渡しモジュールＴＲＳ１０まで搬送される。次いでウエハＷはシャトルアームＥによりＤＥＶ層Ｂ１内を移動して、棚ユニットＵ３の受け渡しモジュールＴＲＳ２０まで搬送される。そしてウエハＷは受け渡しモジュールＴＲＳ２０からインターフェイスアームＦに受け取られて、露光装置Ｓ４に搬送され、所定の露光処理が行われる。
続いて露光処理後のウエハＷの搬送経路について説明すると、露光処理後のウエハＷはインターフェイスアームＦにより棚ユニットＵ３の受け渡しモジュールＴＲＳ２１に搬送され、ここからＤＥＶ層Ｂ１のメインアームＡ１２によりＤＥＶ層Ｂ１内に受け取られる。次いでウエハＷはメインアームＡ１２により加熱モジュールＰＥＢ→冷却モジュールＣＯＬ→現像モジュールＤＥＶの搬入用受け渡し部１１０の経由で搬送され、現像モジュールＤＥＶにて既述のように現像処理が行われる。
現像処理後のウエハＷは、現像モジュールＤＥＶの搬出用受け渡し部１１１を介してメインアームＡ１１に受け渡され、このメインアームＡ１１により加熱モジュールＰＯＳＴ→温調モジュールＣＰＬ→棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳ１１の経路で搬送される。こうして全ての処理が行われたウエハＷは、前記受け渡しモジュールＴＲＳ１１を介してトランスファーアームＣにより、キャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア２０に戻される。
このようなレジストパターン形成装置では、ＤＥＶ層Ｂ１に上述の構成の現像モジュールＤＥＶを設けているので、スループットの向上を図ることができる。つまり前記現像モジュールＤＥＶでは、ウエハＷは搬入用受け渡し部１１０によりメインアームＡ１２から所定のタイミングで順次搬入され、搬入されたウエハＷは処理領域１００を下流側へ移動しながら、現像液の供給処理と洗浄処理と乾燥処理とが行われ、次いで搬出用受け渡し部１１１まで移動してからメインアームＡ１１に受け取られる。
ここで本発明の現像モジュールＤＥＶは処理領域１００において３枚のウエハＷが移動方向に配列できる程度の大きさに設定されているので、その大きさは従来の現像モジュールを横に３個配列する場合とほぼ同じである。このため従来の現像モジュールを横に３個配列する場合とスループットを比較すると、いずれの場合も現像処理や洗浄処理、乾燥処理の時間はほぼ同じであり、この中では現像処理時間が律速時間となっているので、本発明の現像モジュールＤＥＶにおいて１枚のウエハＷに対して現像処理が終了するタイミングで、順次ウエハＷを搬入用受け渡し部１１０から搬入するようにすれば、本発明の現像モジュールＤＥＶは従来の３個の現像モジュールを用いて処理を行う場合に比べてスループットが大きくなる。
つまり本発明の現像モジュールＤＥＶは、ウエハＷを移動させながら処理を行っており、前記所定のタイミングで搬入用受け渡し部１１０から順次ウエハＷを搬入することによって、複数のウエハＷに対して現像処理を途切れることなく連続して行うことができるからである。これに対して従来の３個の現像モジュールではメインアームによる処理済みのウエハＷの搬出と、処理前のウエハＷの搬入という工程が必要であり、これらの工程を実施する時間は現像処理を行うことができないため、その分スループットが低下してしまう。
また従来の構成の現像モジュールでは、夫々の現像モジュールに対してメインアームによりウエハＷの受け渡しと受け取りとが行われているので、３個の現像モジュールが配列されているときには、メインアームのアクセスポイントは３箇所となる。これに対して本発明では現像モジュールＤＥＶは搬入用受け渡し部１１０と搬出用受け渡し部１１１とを備えており、メインアームによるアクセスポイントは２箇所となる。このようにメインアームによるアクセスポイントが少なくなるので、メインアームの負担が軽減され、この点からもスループットの向上を図ることができる。
さらにまた本発明では２個のメインアームＡ１１，Ａ１２を用意して、現像モジュールＤＥＶへのウエハＷの搬入と、現像モジュールＤＥＶからのウエハＷの搬出とを別個のアームＡ１１，Ａ１２で行っているので、さらにメインアームＡ１１，Ａ１２の負担が軽減される。つまりメインアームＡ１１，Ａ１２は搬送領域Ｒ１の長さ方向（Ｙ方向）へは移動しなくて済むため、この移動分の搬送時間が短縮され、また一方のメインアームＡ１２はウエハＷの搬入のみ、他方のメインアームＡ１１はウエハＷの搬出のみを夫々請け負っているので、従来のように処理済みのウエハＷを搬出してから、処理前のウエハＷの搬入を行なう場合に比べてメインアームＡ１２の作業工程数が減少するからである。
ここで従来の現像モジュールにおいて、２個のメインアームを用いてウエハＷの受け渡しを行ったとしても、既述のように従来の現像モジュールではアクセスポイントが多く、また処理済みのウエハＷの搬出後に処理前のウエハＷの搬入を行なわなければならないので、結果としてメインアームの作業工程は本発明のメインアームよりも多くなってしまい、従来のメインアームの負担は本発明のメインアームよりも大きい。
さらにまた本発明では、ＤＥＶ層Ｂ１の搬送領Ｒ１域の長さを利用して、搬送領域Ｒ１の長さ方向に現像モジュールＤＥＶのウエハＷの移動方向を合わせているので、現像モジュールＤＥＶの長さ方向が長くなったとしても単位ブロックＢ１を拡大することなく、ＤＥＶ層Ｂ１内に十分配置することができる。またメインアームＡ１２をインターフェイスブロックＳ３側、メインアームＡ１１をキャリアブロックＳ１側に夫々配置し、棚ユニットＵ２のメインアームＡ１２によりアクセスされる領域に現像処理の前処理を行う前処理モジュールを設け、棚ユニットＵ２のメインアームＡ１１によりアクセスされる領域に現像処理の後処理を行う後処理モジュールを設けているので、露光処理後にインターフェイスブロックＳ３を介してＤＥＶ層Ｂ１に搬入されたウエハＷは、メインアームＡ１２により所定の経路で搬送され、次いでメインアームＡ１１により所定の経路で搬送されることになり、ウエハＷがインターフェイスブロックＳ３側からキャリアブロックＳ１側にスムーズに搬送される。このため搬送時間がより短縮され、よりスループットの向上を見込むことができる。
また現像モジュールＤＥＶでは、メッシュ帯１２５を設け、ウエハＷとメッシュ帯１２５との間で現像液を挟んだ状態で保持し、この状態で移動させている。この際、ウエハＷとメッシュ帯１２５とは既述のように、同期して動作し、移動量が同じであるため、ウエハＷ上の現像液の流動がメッシュ帯１２５により抑制され、ウエハＷを移動させても現像液がウエハＷ表面の一部に偏ったり、ウエハＷ表面から流れ落ちるといった現象の発生が抑えられて、ウエハＷの面内において均一な現像処理を行うことができる。
続いて本発明の他の実施の形態について図１４を用いて説明する。この実施の形態が上述の実施の形態と異なる点は、搬送部材１２０のタイミングベルト１９１，１９１がリニアモータにより第１の周回軌道に沿って周回移動する点である。この例では、既述の回動体１３１の駆動プーリの代わりに第１のプーリ１９２、回動体１３２の従動プーリの代わりに第２のプーリ（図示せず）が設けられ、これら第１のプーリ１９２と第２のプーリとの間にタイミングベルト１９１，１９１が巻き掛けられている。前記第１のプーリ１９２及び第２のプーリの位置や大きさは、上述の搬送路部材１３０の回動体１３１，１３２と夫々同じである。
前記タイミングベルト１９１，１９１は、少なくともその外表面に、Ｎ極とＳ極とが交互に配列される電磁石を備えている。またタイミングベルト１９１，１９１の周回軌道の一部例えば周回軌道の下部の直線部位には、前記タイミングベルト１９１，１９２を移動させるための駆動電磁石１９３が設けられている。この駆動電磁石１９３は、上記タイミングベルト１９１，１９１の移動時には、当該タイミングベルト１９１，１９１と僅かな隙間を介して接するように設けられている。前記駆動電磁石１９３は、Ｎ極とＳ極とが交互に配列されると共に、磁性の切り替えが行われる電磁石により構成され、制御部７により磁性の切替が制御されるようになっている。
また前記タイミングベルト１９１，１９１の、駆動電磁石１９３に対する面には例えば山形の凹部１９４が形成される一方、駆動電磁石１９３のタイミングベルト１９１，１９１と対する面には、前記タイミングベルト１９１，１９１の凹部１９４と適合する形状の突部１９５が形成されている。
このような構成では、駆動電磁石１９３を作動させ、駆動電磁石１９３の磁性を切り替えることによって、タイミングベルト１９１，１９１が駆動電磁石１９３から僅かに浮上した状態で、磁石の吸着と反発の作用と、第１及び第２のプーリの回転により、前記第１の周回軌道に沿って周回移動するように構成されている。
続いて本発明のさらに他の実施の形態について図１５を用いて説明する。この例の装置が、上述の第１の実施の形態の装置と異なる点は、処理ブロックＳ２が下方側からＤＥＶ１層と２つのＢＣＴ１層，ＢＣＴ２層、２つのＣＯＴ１層，ＣＯＴ２層を積層して構成されている点である。ここでＢＣＴ１層，ＢＴＣＴ２層とは、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜（以下「第１の反射防止膜」という）の形成処理を行うための第１の反射防止膜形成処理層であり、塗布膜形成用の単位ブロックに相当する。
このＢＣＴ１層，ＢＣＴ２層は、上述の実施の形態のＣＯＴ１層（ＣＯＴ２層）とほぼ同様に構成されており、ＢＣＴ１層の内部には、液処理モジュールとして、ウエハＷに対して第１の反射防止膜を形成するための複数個例えば３個の第１の反射防止膜形成モジュールＢＣＴが設けられ、棚ユニットＵ２は、加熱冷却モジュールＬＨＰと、温調モジュールＣＰＬとを備えている。また棚ユニットＵ１には例えばトランスファーアームＣとの間、及び受け渡しアームＤとの間でウエハＷの受け渡しを行なう受け渡しモジュールＴＲＳ１４が設けられ、これらモジュールの間でメインアームＡ４（図示せず）によりウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。
またＢＣＴ２層の内部には、液処理モジュールとして、ウエハＷに対して第１の反射防止膜を形成するための複数個例えば３個の第１の反射防止膜形成モジュールＢＣＴが設けられ、棚ユニットＵ２は、加熱冷却モジュールＬＨＰと、温調モジュールＣＰＬとを備えている。また棚ユニットＵ１には例えばトランスファーアームＣとの間、及び受け渡しアームＤとの間でウエハＷの受け渡しを行なう受け渡しモジュールＴＲＳ１５が設けられ、これらモジュールの間でメインアームＡ５（図示せず）によりウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。ＤＥＶ層、ＣＯＴ１層、ＣＯＴ２層については上述の第１の実施の形態と同様である。
このようなレジストパターン形成装置におけるウエハＷの搬送経路について、第１の反射防止膜の上にレジスト膜を形成する場合を例にして説明する。ウエハＷは、キャリアブロックＳ１からトランスファーアームＣにより棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳ１４又は受け渡しモジュールＴＲＳ１５に受け渡される。受け渡しモジュールＴＲＳ１４のウエハＷはＢＣＴ１層のメインアームＡ４によりＢＣＴ１層内に受け取られ、当該メインアームＡ４により温調ユニットＣＰＬ→反射防止膜形成モジュールＢＣＴ→加熱冷却モジュールＬＨＰ→受け渡しモジュールＴＲＳ１４の経由で搬送され、ウエハＷ表面に反射防止膜が形成される。また受け渡しモジュールＴＲＳ１５のウエハＷはＢＣＴ２層のメインアームＡ５によりＢＣＴ２層内に受け取られ、ＢＣＴ２層内をメインアームＡ５によりＢＣＴ１層と同様の経路で搬送された後、受け渡しモジュールＴＲＳ１５に受け渡される。
続いて受け渡しモジュールＴＲＳ１４，ＴＲＳ１５のウエハＷは受け渡しアームＤにより受け渡しモジュールＴＲＳ１２又は受け渡しモジュールＴＲＳ１３に搬送される。そして受け渡しモジュールＴＲＳ１２のウエハＷはＣＯＴ１層のメインアームＡ２によりＣＯＴ１層内に受け取られ、メインアームＡ２により既述の経路で搬送された後、受け渡しモジュールＴＲＳ１２に受け渡され、反射防止膜の表面にレジストが形成される。また受け渡しモジュールＴＲＳ１３のウエハＷはＣＯＴ２層のメインアームＡ３によりＣＯＴ２層内に受け取られ、ＣＯＴ２層内をメインアームＡ３によりＣＯＴ１層と同様の経路で搬送された後、受け渡しモジュールＴＲＳ１３に受け渡される。
この後受け渡しモジュールＴＲＳ１２，ＴＲＳ１３のウエハＷは受け渡しアームＤにより受け渡しモジュールＴＲＳ１０に搬送され、シャトルアームＥにより受け渡しモジュールＴＲＳ２０に搬送されて、ここからインターフェイスアームＦにて露光装置Ｓ４に搬送され、ここで所定の露光処理が行われる。一方露光処理後のウエハＷについては、上述の実施の形態と同様である。
このように処理ブロックＳ２にＢＣＴ１層及びＢＣＴ２層を設けるようにしてもよく、この場合においてもＤＥＶ層における搬送スループットが高いことから、スループットの向上を図ることができる。
続いて本発明のさらに他の実施の形態について図１６を用いて説明する。この例のレジストパターン形成装置が、上述の第１の実施の形態の装置と異なる点は、処理ブロックＳ２が第１の処理ブロックＳ２１と第２の処理ブロックＳ２２とから構成され、これら第１の処理ブロックＳ２１と第２の処理ブロックＳ２２との間に受け渡しブロックＳ５が設けられていることである。
前記第１の処理ブロックＳ２１は、キャリアブロックＳ１と隣接して設けられ、この例では２個のＢＣＴ１層、ＢＣＴ２層を備えている。第１の処理ブロックＳ２１の構成は前記処理ブロックＳ２と同様であり、キャリアブロックＳ１と隣接する領域には第１の受け渡し部として棚ユニットＵ１１が設けられていて、この例ではＢＣＴ１層に対応する位置に受け渡しモジュールＴＲＳ１４、ＢＣＴ２層に対応する位置に受け渡しモジュールＴＲＳ１５、例えばＢＣＴ１層の下方側に受け渡しモジュールＴＲＳ１０を備えて構成される。これら受け渡しモジュールＴＲＳ１０，ＴＲＳ１４，ＴＲＳ１５には、昇降自在な受け渡しアームＤ１（図示せず）によりアクセスできるように構成されている。また前記受け渡しモジュールＴＲＳ１０はトランスファーアームＣとシャトルアームＥ１とによりウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。この例のシャトルアームＥ１はＢＣＴ１層の下方側に設けられており、ＢＣＴ１層、ＢＣＴ２層は、２個の反射防止膜形成モジュールＢＣＴが設けられている。受け渡しモジュールＴＲＳ１０，ＴＲＳ１４，ＴＲＳ１５、シャトルアームＥ１、受け渡しアームＤ１、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ、棚ユニットＵ２に設けられた処理モジュールについては上述の第１の実施の形態と同様に構成されている。
また第２の処理ブロックＳ２２については、下方側からＤＥＶ層、２個のＣＯＴ１層、ＣＯＴ２層を積層して構成され、前記ＣＯＴ１層とＣＯＴ２層は、受け渡しブロックＳ５を介して夫々ＢＣＴ１層、ＢＣＴ２層に隣接するように設けられている。さらにインターフェイスブロックＳ３と隣接する領域には第２の受け渡し部として棚ユニットＵ２１が設けられていて、この例ではＤＥＶ層に対応する位置に受け渡しモジュールＴＲＳ２０，受け渡しモジュールＴＲＳ２１を備えて構成されている。ここで受け渡しモジュールＴＲＳ２０はシャトルアームＥ１専用の受け渡しモジュールであり、受け渡しモジュールＴＲＳ２０，ＴＲＳ２１に対してはインターフェイスアームＦがアクセスできるように構成されている。ＤＥＶ層については、棚ユニットＵ２１と受け渡しアームＤ２の位置がインターフェイスブロックＳ３に隣接する領域に設けられていること以外については上述の第１の実施の形態と同様に構成されている。またＣＯＴ１層、ＣＯＴ２層については、塗布モジュールＣＯＴが２個設けられていることと、棚ユニットＵ２１がインターフェイスブロックＳ３に隣接する領域に設けられていること以外については上述の第１の実施の形態と同様に構成されている。
また受け渡しブロックＳ５には、例えば第１の処理ブロックＳ２１と第２の処理ブロックＳ２２の各単位ブロックにウエハＷの受け渡しを行うための棚ユニットＵ３が設けられていて、この棚ユニットＵ３には例えばＤＥＶ層に対応する位置に受け渡しモジュールＴＲＳ３０，受け渡しモジュールＴＲＳ３１、ＢＣＴ１層とＣＯＴ１層に対応する位置に受け渡しモジュールＴＲＳ３２、ＢＣＴ２層とＣＯＴ２層に対応する位置に受け渡しモジュールＴＲＳ３３を備えて構成される。また受け渡しブロックＳ３は棚ユニットＵ３の各受け渡しモジュールに対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在、進退自在に構成された図示しない受け渡しアームＧ（図示せず）を備えている。この棚ユニットＵ３の各受け渡しモジュールに対しては、第１の処理ブロックＳ２１及び第２の処理ブロックＳ２２の対応する単位ブロックのメインアームが夫々アクセスできるように構成されている。
このようなレジストパターン形成装置におけるウエハＷの搬送経路について、第１の反射防止膜の上にレジスト膜を形成する場合を例にして説明する。ウエハＷは、キャリアブロックＳ１からトランスファーアームＣにより棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳ１０に受け渡され、ここから受け渡しアームＤ１により受け渡しモジュールＴＲＳ１４又は受け渡しモジュールＴＲＳ１５に受け渡される。受け渡しモジュールＴＲＳ１４のウエハＷはＢＣＴ１層のメインアームＡ４によりＢＣＴ１層内に受け取られ、当該メインアームＡ４により既述の経路でＢＣＴ１層内の所定のモジュールに搬送された後、受け渡しモジュールＴＲＳ１４に受け渡される。また受け渡しモジュールＴＲＳ１５のウエハＷはＢＣＴ２層のメインアームＡ５によりＢＣＴ２層内に受け取られ、ＢＣＴ２層内をメインアームＡ５によりＢＣＴ１層と同様の経路で搬送された後、受け渡しモジュールＴＲＳ１５に受け渡される。
続いて受け渡しモジュールＴＲＳ１４，ＴＲＳ１５のウエハＷは受け渡しアームＤ１により受け渡しモジュールＴＲＳ１０に搬送され、ここからシャトルアームＥ１により受け渡しブロックＳ５の受け渡しモジュールＴＲＳ３０に搬送される。続いて受け渡しモジュールＴＲＳ３０のウエハＷは受け渡しアームＧにより、受け渡しモジュールＴＲＳ３２又は受け渡しモジュールＴＲＳ３３に搬送される。そして受け渡しモジュールＴＲＳ３２のウエハＷはＣＯＴ１層のメインアームＡ２によりＣＯＴ１層内に受け取られ、当該メインアームＡ２により既述の経路で搬送された後、受け渡しモジュールＴＲＳ３２に受け渡される。また受け渡しモジュールＴＲＳ３３のウエハＷはＣＯＴ２層のメインアームＡ３によりＣＯＴ２層内に受け取られ、ＣＯＴ２層内をメインアームＡ３によりＣＯＴ１層と同様の経路で搬送された後、受け渡しモジュールＴＲＳ３３に受け渡される。
この後受け渡しモジュールＴＲＳ３２，ＴＲＳ３３のウエハＷは受け渡しアームＧにより受け渡しモジュールＴＲＳ３０に搬送され、シャトルアームＥ２により受け渡しモジュールＴＲＳ２０に搬送されて、ここからインターフェイスアームＦにて露光装置Ｓ４に搬送され、ここで所定の露光処理が行われる。一方露光処理後のウエハＷについては、インターフェイスアームＦ→棚ユニットＵ３の受け渡しモジュールＴＲＳ２１→ＤＥＶ層のメインアームＡ１の経由でＤＥＶ層に搬送され、ここで上述の実施の形態と同様の経路にて搬送される。次いでウエハＷは受け渡しブロックＳ５の受け渡しモジュールＴＲＳ３１→受け渡しアームＧ→受け渡しモジュールＴＲＳ３０の経路で搬送され、次いでシャトルアームＥ１により棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳ１０に搬送された後、トランスファーアームＣにより下のキャリアＣ内に戻される。
このように処理ブロックＳ２として第１の処理ブロックＳ２１と、第２の処理ブロックＳ２２とを設け、これらの間に受け渡しブロックＳ３を設けるようにしてもよく、この場合においてもＤＥＶ層における搬送スループットが高いことから、スループットの向上を図ることができる。
以上においてＤＥＶ層に組み込まれる現像モジュールＤＥＶは上下３段に設けられていてもよい。また現像モジュールＤＥＶの構成は、ウエハＷの搬送路を形成する搬送路部材１３０が周回軌道に沿って移動し、前記搬送路の上流端に搬入用受け渡し部１１０を設けると共に、前記搬送路の下流端に搬出用受け渡し部１１を設け、前記搬送路の上流端と下流端との間に、上流側から順に現像液ノズル１５１と、洗浄液ノズル１５２及びガスノズル１５４とを備える構成であれば、処理領域１００の大きさ等は上述の例には限られず、メッシュ帯１２５や処理容器１７０は必ずしも設ける必要はない。また搬送部材１２０やメッシュ帯１２５を夫々周回軌道に沿って移動させるための駆動機構も上述の例に限らない。またＤＥＶ層Ｂ１に設けるメインアームはＣＯＴ１層Ｂ２と同様に、搬送領域の長さ方向に移動する構成の１個のメインアームであってもよい。
また本発明では、塗布膜としてレジスト膜のみを形成する場合や、レジスト膜の上に反射防止膜を形成する場合にも適用できる。ここでレジスト膜の上に反射防止膜を形成する場合には、この反射防止膜形成用の単位ブロックを設ける必要があるが、この単位ブロックは、上述のレジスト膜の下に形成される反射防止膜を形成するための単位ブロックと同様に構成されている。さらに本発明は、塗布膜として、レジスト膜と、レジスト膜の上下に反射防止膜を形成する場合にも適用でき、この場合には現像処理用の単位ブロックと、レジスト膜形成用の単位ブロックと、レジスト膜の下方側の反射防止膜形成用の単位ブロックと、レジスト膜の上方側の反射防止膜形成用の単位ブロックと、を互いに積層して処理ブロックが構成される。さらに本発明では、処理ブロックに塗布膜形成用の単位ブロックと現像処理用の単位ブロックが含まれていれば、夫々の積層順は自由に設定できる。
さらにまた棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３，Ｕ４，Ｕ１１，Ｕ２１に設けられる処理モジュールとしては、上述の例とは別の他のモジュールを設けるようにしてもよい。また棚ユニットＵ１，Ｕ１１，Ｕ３，Ｕ４，Ｕ２１に設けられる受け渡し部としては、受け渡しモジュールの数を多くするようにしてもよいし、温調機構を受け渡し部とを兼用するタイプの構成のモジュールを設けるようにしてもよい。さらに棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３，Ｕ４，Ｕ１１，Ｕ２１には、疎水化処理を行なうモジュールを設けるようにしてもよいし、塗布膜の膜厚の検査やウエハＷの反り量の検査を行なう検査ユニットを設けるようにしてもよい。
さらにまた本発明は半導体ウエハのみならず液晶ディスプレイ用のガラス基板（ＬＣＤ基板）といった基板を処理する塗布、現像装置にも適用できる。
本発明に係る塗布、現像装置の実施の形態を示す平面図である。 前記塗布、現像装置を示す斜視図である。 前記塗布、現像装置を示す側部断面図である。 前記塗布、現像装置におけるＣＯＴ１層の単位ブロックを示す平面図である。 前記ＣＯＴ１層の単位ブロックを示す斜視図である。 前記塗布、現像装置におけるＤＥＶ層の単位ブロックを示す斜視図である。 前記塗布、現像装置に設けられる現像モジュールを示す斜視図である。 前記現像モジュールを示す平面図である。 前記現像モジュールを示す断面図である。 前記現像モジュールに設けられる搬送部材を示す斜視図である。 前記現像モジュールに設けられる搬送部材とウエハＷとメッシュ帯とを示す前面図である。 前記現像モジュールの作用を説明するための工程図である。 前記現像モジュールの作用を説明するための工程図である。 前記現像モジュールの他の例を示す断面図と斜視図である。 前記塗布、現像装置のさらに他の実施の形態を示す側面図である。 前記塗布、現像装置のさらに他の実施の形態を示す側面図である。 従来の塗布、現像装置を示す側面図である。
符号の説明
Ｗ 半導体ウエハ
２０ キャリア
Ｓ１ キャリアブロック
Ｓ２ 処理ブロック
Ｓ３ インターフェイスブロック
Ｓ４ 露光装置
Ａ１１〜Ａ３ メインアーム
Ｃ トランファーアーム
Ｄ 受け渡しアーム
Ｅ シャトルアーム
Ｆ インターフェイスアーム
７ 制御部
ＤＥＶ 現像モジュール
１００ 処理領域
１１０ 搬入用受け渡し部
１１１ 搬出用受け渡し部
１２０ 搬送部材
１２５ メッシュ帯
１３０ 搬送路部材
１３１，１３２ 回動体
１５１ 現像ノズル
１５２ 洗浄ノズル
１５４ ガスノズル

Claims (9)

  1. キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板に対して、このキャリアブロックの後段側に設けられた塗布膜形成用の単位ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、この塗布膜形成用の単位ブロックの後段側に設けられたインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を、前記塗布膜形成用の単位ブロックに積層されると共に、前記インターフェイスブロックからキャリアブロックに向かう基板の搬送路を備えた現像処理用の単位ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
    前記現像処理用の単位ブロックには、基板に対して現像処理を行なう現像モジュールと、この現像モジュールに対して基板の受け渡しを行なうための基板搬送手段とが設けられ、
    前記現像モジュールは、
    水平軸のまわりに回動し、回動軸が互いに平行になるように前後に配置された一対の第１の回動体と、
    これら第１の回動体の間に架け渡されて第１の周回軌道に沿って移動し、その上に載置された基板の搬送路を形成する搬送路部材と、
    前記搬送路の上流端に設けられ、前記基板搬送手段と搬送路部材との間で基板の受け渡しを行なうための搬入用受け渡し部と、
    前記搬送路の下流端に設けられ、前記基板搬送手段と搬送路部材との間で基板の受け渡しを行なうための搬出用受け渡し部と、
    前記搬送路の上流端と下流端との間に、当該搬送路に沿って上流側から順に割り当てられた現像領域、洗浄領域及び乾燥領域と、
    前記現像領域、洗浄領域及び乾燥領域に夫々設けられた、基板に現像液を供給するための現像液ノズル、基板に洗浄液を供給するための洗浄液ノズル及び、基板に気体を供給して基板を乾燥するためのガスノズルと、
    水平軸のまわりに回動し、回動軸が互いに平行になるように前後に配置された一対の第２の回動体と、
    これら第２の回動体の間に架け渡されて第２の周回軌道に沿って移動する、無端ベルト状のメッシュ体と、を備え、
    前記搬送路部材は、前記回動軸と平行に伸び、その上に基板が載置される複数の棒状の搬送部材と、この搬送部材の両端に接続され、前記第１の周回軌道に沿って移動する一対のタイミングベルトと、を備え、
    前記メッシュ体は、前記現像領域、洗浄領域及び乾燥領域に亘って、前記搬送路上の基板の移動領域と、前記現像ノズル、洗浄液ノズル及びガスノズルと、の間を基板の移動と同期して移動するように構成されていることを特徴とする塗布、現像装置。
  2. 前記タイミングベルトを前記第１の周回軌道に沿って移動させるために、前記一対の回動体の少なくとも一方を回転駆動させるためのモータを備えることを特徴とする請求項１記載の塗布、現像装置。
  3. 前記搬送路部材のタイミングベルトは、少なくともその外表面に、Ｎ極とＳ極とが交互に配列される電磁石が設けられ、
    前記タイミングベルトを前記第１の周回軌道に沿って移動させるための、Ｎ極とＳ極とが交互に配列されると共に磁性の切り替えが行われる駆動電磁石を備えることを特徴とする請求項１記載の塗布、現像装置。
  4. 前記基板搬送手段は、前記搬入用受け渡し部に基板を受け渡すための搬入用基板搬送手段と、前記搬出用受け渡し部から基板を受け取るための搬出用基板搬送手段と、を備えることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一に記載の塗布、現像装置。
  5. 前記現像モジュールは、前記搬送路部材により形成される基板の搬送路が、現像処理用の単位ブロックの基板の搬送路に沿うように、かつ前記搬入用受け渡し部がインターフェイスブロック側、前記搬出用受け渡し部がキャリアブロック側に夫々位置するように設けられると共に、
    前記現像処理用の単位ブロックは、現像処理を行う前の基板に対して処理を行なう複数個の前処理モジュールと、現像処理を行った後の基板に対して処理を行なう複数個の後処理モジュールと、を備えた棚ユニットを備え、この棚ユニットは、現像処理用の単位ブロックの基板の搬送路を介して前記現像モジュールと対向するように設けられることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一に記載の塗布、現像装置。
  6. 前記現像処理用の単位ブロックの搬送路において、インターフェイスブロック側に前記搬入用基板搬送手段を設けると共に、キャリアブロック側に前記搬出用基板搬送手段を設け、棚ユニットの前処理モジュールに対しては前記搬入用基板搬送手段により基板の受け渡しを行い、棚ユニットの後処理モジュールに対しては前記搬出用基板搬送手段により基板の受け渡しを行うことを特徴とする請求項５記載の塗布、現像装置。
  7. キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板に対して、このキャリアブロックの後段側に設けられた塗布膜形成用の単位ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、この塗布膜形成用の単位ブロックの後段側に設けられたインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を、前記塗布膜形成用の単位ブロックに積層されると共に、前記インターフェイスブロックからキャリアブロックに向かう基板の搬送路を備えた現像処理用の単位ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像方法において、
    前記現像処理用の単位ブロックには、請求項１に記載された現像モジュールと、この現像モジュールに対して基板の受け渡しを行なうための基板搬送手段と、が設けられ、
    前記搬送路の上流端に設けられた搬入用受け渡し部において、前記基板搬送手段から前記搬送路部材に基板を受け渡す工程と、
    次いで前記搬送路部材を下流側に移動させ、前記基板を移動させながらかつ現像ノズルと基板との間にて当該基板の移動と同期してメッシュ体を移動させながら、現像ノズルから基板に対して現像液を供給する工程と、
    次いで前記搬送路部材により基板を下流側に移動させ、前記基板を移動させながらかつ洗浄液ノズルと基板との間にて当該基板の移動と同期してメッシュ体を移動させながら、この基板に対して洗浄液を供給する工程と、
    次いで前記搬送路部材により基板を下流側に移動させ、前記基板を移動させながらかつガスノズルと基板との間にて当該基板の移動と同期してメッシュ体を移動させながらこの基板に対して乾燥ガスを吹き付ける工程と、
    次いで前記搬送路部材により基板を搬送路の下流端に設けられた搬出用受け渡し部に移動させ、前記搬送路部材から前記基板搬送手段に基板を受け渡す工程と、
    次いで基板が載置されていない搬送路部材を、前記搬出用受け渡し部から搬入用受け渡し部に戻るように前記周回軌道に沿って移動させる工程と、を含むことを特徴とする塗布、現像方法。
  8. 前記基板搬送手段は、搬入用基板搬送手段と搬出用基板搬送手段とを備え、前記搬入用受け渡し部においては、前記搬入用基板搬送手段から前記搬送路部材に対して基板の受け渡しを行い、前記搬出用受け渡し部においては、前記搬送路部材から前記搬出用基板搬送手段に対して基板の受け渡しを行うことを特徴とする請求項７記載の塗布、現像方法。
  9. キャリアブロックから受け取った基板にレジスト膜を含む塗布膜を形成すると共に、露光後の基板に対して現像処理を行う塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
    前記プログラムは、請求項７又は８に記載された塗布、現像方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7154770B2 (ja) 2018-01-31 2022-10-18 株式会社豊田自動織機 ウォータージェット織機の水噴射装置

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4853374B2 (ja) * 2007-04-27 2012-01-11 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法並びに記憶媒体
JP4924187B2 (ja) * 2007-04-27 2012-04-25 東京エレクトロン株式会社 現像装置、現像方法及び塗布、現像装置並びに記憶媒体
JP5212443B2 (ja) * 2010-09-13 2013-06-19 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP6292155B2 (ja) * 2015-03-19 2018-03-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
CN108469719A (zh) * 2018-04-28 2018-08-31 武汉华星光电技术有限公司 显影装置及方法
US20220154342A1 (en) * 2019-03-28 2022-05-19 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
US11872600B2 (en) * 2021-10-01 2024-01-16 Illinois Tool Works Inc. Laned belt for cleaner
CN115903396B (zh) * 2022-11-15 2023-08-04 江苏华兴激光科技有限公司 一种微纳结构及其制备方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5881934A (ja) * 1981-11-11 1983-05-17 Toyota Motor Corp 金属蒸気回収方法及び装置
JP2560371B2 (ja) * 1988-01-05 1996-12-04 株式会社ニコン 基板処理システム
JPH0269614A (ja) * 1988-09-05 1990-03-08 Sharp Corp 変位センサ
JPH11334838A (ja) * 1998-05-20 1999-12-07 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd リニア式ベルトコンベア
JP2001187624A (ja) * 1999-12-28 2001-07-10 Unitta Co Ltd ベルト移動機構及びベルト
JP2001225945A (ja) * 2000-02-14 2001-08-21 Toyo Kanetsu Kk 仕分けコンベヤ
KR100811964B1 (ko) * 2000-09-28 2008-03-10 동경 엘렉트론 주식회사 레지스트 패턴 형성장치 및 그 방법
JP3741655B2 (ja) * 2002-03-04 2006-02-01 東京エレクトロン株式会社 液処理方法および液処理装置
JP4537109B2 (ja) * 2004-04-16 2010-09-01 東京エレクトロン株式会社 現像処理装置および現像処理方法
JP4343025B2 (ja) 2004-05-18 2009-10-14 東京エレクトロン株式会社 現像装置及び現像方法
KR100707176B1 (ko) * 2005-01-13 2007-04-13 삼성전자주식회사 단결정 실리콘으로 구성된 박막 트랜지스터의 채널 영역형성 방법
JP4955976B2 (ja) 2005-01-21 2012-06-20 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法
JP4356936B2 (ja) 2005-01-21 2009-11-04 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法
JP4413830B2 (ja) * 2005-08-10 2010-02-10 東京エレクトロン株式会社 現像処理装置
JP2008258208A (ja) * 2007-03-30 2008-10-23 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置及びその方法並びに記憶媒体
JP4924187B2 (ja) * 2007-04-27 2012-04-25 東京エレクトロン株式会社 現像装置、現像方法及び塗布、現像装置並びに記憶媒体
JP5305331B2 (ja) * 2008-06-17 2013-10-02 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法及び現像処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7154770B2 (ja) 2018-01-31 2022-10-18 株式会社豊田自動織機 ウォータージェット織機の水噴射装置

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