KR101176250B1 - 도포, 현상 장치 및 그 방법과, 기억 매체 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 과제는 도포, 현상 장치에 있어서 처리량을 향상시키는 것이다.
수평축 주위로 회전하고, 회전축이 서로 평행하게 되도록 전후에 배치된 한 쌍의 회전체(131, 132)와, 이들 회전체(131, 132) 사이에 걸쳐져 주회 궤도를 따라 이동하고 그 위에 적재된 웨이퍼(W)의 반송로를 형성하는 반송로 부재(130)와, 상기 반송로의 상류단에 설치된 반입용 전달부(110)와, 상기 반송로의 하류단에 설치된 반출용 전달부(111)와, 상기 반송로의 상류단과 하류단 사이에, 상류측으로부터 차례로 웨이퍼(W)에 현상액을 공급하기 위한 현상 노즐(151), 웨이퍼(W)에 세정액을 공급하기 위한 세정 노즐(152) 및 웨이퍼(W)에 기체를 공급하기 위한 가스 노즐(154)을 구비한다.
반도체 웨이퍼, 노광 장치, 메쉬대, 반송로 부재, 현상 노즐, 세정 노즐

Description

도포, 현상 장치 및 그 방법과, 기억 매체 {COATING-DEVELOPING APPARATUS, METHOD AND STORAGE MEDIUM}
본 발명은, 예를 들어 반도체 웨이퍼나 LCD 기판(액정 디스플레이용 글래스 기판) 등의 기판에 대해 레지스트액의 도포 처리나, 노광 후의 현상 처리 등을 행하는 도포, 현상 장치 및 그 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.
반도체 디바이스나 LCD 기판의 제조 프로세스에 있어서는, 포토리소그래피라 불리는 기술에 의해, 기판에 대해 레지스트 패턴의 형성이 행해지고 있다. 이 기술은, 예를 들어 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라 함) 등의 기판에, 레지스트액을 도포하여 당해 웨이퍼의 표면에 액막을 형성하고, 포토마스크를 이용하여 당해 레지스트막을 노광한 후, 현상 처리를 행함으로써 원하는 패턴을 얻는, 일련의 공정에 의해 행해지고 있다.
이와 같은 처리는, 일반적으로 레지스트액의 도포나 현상을 행하는 도포, 현상 장치에 노광 장치를 접속한 레지스트 패턴 형성 장치를 이용하여 행해지나, 도포, 현상 장치의 처리 속도를 더욱 증대시키기 위해, 노광 처리 전의 모듈을 수납하는 영역과, 노광 처리 후의 모듈을 수납하는 영역을 상하에 배치하고, 각각의 영 역에 반송 수단을 마련함으로써, 반송 수단의 부하를 경감시켜 반송 효율을 높이고, 이에 의해 도포, 현상 장치의 처리량을 향상시키는 구성이 특허문헌 1에 제안되어 있다.
이 기술은, 예를 들어 도17에 도시한 바와 같이, 캐리어 블록(S1)과 처리 블록(S2)과 인터페이스 블록(S3)을 이 순서로 횡방향으로 접속하여 설치하는 동시에, 상기 처리 블록(S2)은, 현상 처리를 행하는 현상 블록(B1, B2)과, 레지스트액의 도포 처리를 행하는 도포 블록(B4)과, 레지스트액의 도포 전후에 각각 반사 방지막의 형성을 행하는 반사 방지막 형성 블록(B3, B5)을 서로 적층하여 구성되어 있다. 상기 처리 블록(S2)의 각 블록(B1 내지 B5)에는, 현상 처리나 레지스트액의 도포 처리, 반사 방지막 형성용 약액의 도포 처리 등의 액 처리를 행하기 위한 액 처리부와, 상기 액 처리 전후의 처리를 행하는 처리 유닛을 다단으로 배열한 선반 유닛과, 액 처리부와 선반 유닛의 각부 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행하는 반송 수단(A1 내지 A5)이 마련되는 동시에, 각 블록(B1 내지 B5)끼리의 사이에서의 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 전용의 전달 아암이 설치되어 있다.
그리고 캐리어 블록(S1)으로부터, 당해 캐리어 블록(S1)에 설치된 트랜스퍼 아암(C)에 의해 처리 블록(S2)에 웨이퍼(W)를 반송하고, 반송 수단(A1 내지 A5)과 전달 아암에 의해 웨이퍼(W)를 소정의 처리 유닛에 반송함으로써, 이들 트랜스퍼 아암(C), 반송 수단(A1 내지 A5), 전달 아암의 부담을 경감시키고, 이렇게 하여 장치 전체의 처리량의 향상을 도모하고 있다.
이와 같은 장치에서는 예를 들어 180매/시간 정도의 처리량을 확보할 수 있 으나, 시장에서는 200매/시간 내지 250매/시간 정도의 가일층의 고처리량를 도모하는 장치가 요구되고 있고, 본 발명자들은 이와 같은 높은 처리량을 확보한 장치의 개발에 대해 검토하고 있다.
그런데 상술한 장치에서는, 현상 블록(B1, B2)에는, 예를 들어 3개의 현상 처리를 행하는 현상 처리부를 배열한 현상 처리 유닛을 구비하고 있다. 여기서 각각의 현상 처리부에 있어서는, 예를 들어 웨이퍼(W)를 스핀 척 상에 보유 지지하고, 이 스핀 척에 의해 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼 표면에 현상액을 공급함으로써 당해 웨이퍼(W)의 표면에 현상액을 도포하고, 계속해서 소정 시간 경과 후에 웨이퍼(W)의 표면에 세정액을 공급하여 현상액을 제거하고, 이 후 웨이퍼(W)를 스핀 척에 의해 고속 회전시켜 웨이퍼(W) 표면을 건조시킴으로써 현상 처리가 행해지고 있다. 이때, 현상 블록(B1, B2)에 있어서는, 각 현상 처리부의 스핀 척에 대해 당해 블록(B1, B2)의 메인 아암(A1, A2)에 의해 현상 처리 전의 웨이퍼(W)의 전달과, 현상 처리 후의 웨이퍼(W)의 수취가 행해지고 있다.
한편, 현상 블록(B1, B2)에서는, 상기 도포 블록(B4) 등에 비해, 현상 처리 전후에 웨이퍼(W)에 대해 처리를 행하는 처리 유닛의 개수가 많고, 이를 위해 이들 처리 유닛이나 현상 처리 유닛에 대해 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 메인 아암(A1, A2)의 부담이 크다. 이 결과, 다른 블록(B3 내지 B5)에 대해 현상 블록(B1, B2)의 처리 속도가 율속이 되고, 이것이 장치 전체의 처리량을 저하시키는 요인으로 되고 있다고 생각된다. 이로 인해 본 발명자들은 현상 블록(B1, B2)의 처리량을 향상시킴으로써 장치 전체의 고처리량화를 도모하는 것을 검토하고 있다.
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2006-203075호 공보
본 발명은, 이와 같은 사정 하에 이루어진 것으로, 그 목적은, 도포, 현상 장치에 있어서, 처리량의 향상을 도모할 수 있는 기술을 제공하는 것에 있다.
이를 위해 본 발명의 도포, 현상 장치는, 캐리어 블록에 캐리어에 의해 반입된 기판에 대해, 이 캐리어 블록의 후단측에 설치된 도포막 형성용 단위 블록에서 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성한 후, 이 도포막 형성용 단위 블록의 후단측에 설치된 인터페이스 블록을 통해 노광 장치에 반송하고, 상기 인터페이스 블록을 통해 복귀되어 온 노광 후의 기판을, 상기 도포막 형성용 단위 블록에 적층되는 동시에, 상기 인터페이스 블록으로부터 캐리어 블록을 향하는 기판의 반송로를 구비한 현상 처리용 단위 블록에서 현상 처리하여 상기 캐리어 블록에 전달하는 도포, 현상 장치에 있어서,
상기 현상 처리용 단위 블록에는, 기판에 대해 현상 처리를 행하는 현상 모듈과, 이 현상 모듈에 대해 기판의 전달을 행하기 위한 기판 반송 수단이 마련되고,
상기 현상 모듈은,
수평축 주위로 회전하고 회전축이 서로 평행하게 되도록 전후에 배치된 한 쌍의 회전체와,
이들 회전체 사이에 걸쳐져 주회 궤도를 따라 이동하고, 그 위에 적재된 상 기 기판의 반송로의 일부를 형성하는 반송로 부재와,
상기 반송로의 상류단에 설치되고, 상기 기판 반송 수단과 반송로 부재 사이에서 기판의 전달을 행하기 위한 반입용 전달부와,
상기 반송로의 하류단에 설치되고, 상기 기판 반송 수단과 반송로 부재 사이에서 기판의 전달을 행하기 위한 반출용 전달부와,
상기 반송로의 상류단과 하류단 사이에, 상류측으로부터 차례로 설치된, 기판에 현상액을 공급하기 위한 현상액 노즐, 기판에 세정액을 공급하기 위한 세정액 노즐 및 기판에 기체를 공급하기 위한 가스 노즐을 구비한 것을 특징으로 한다.
여기서 상기 반송로 부재는, 예를 들어 상기 회전축과 평행하게 신장되고, 그 위에 기판이 적재되는 복수의 막대 형상의 반송 부재와, 이 반송 부재의 양 단부에 접속되고 상기 주회 궤도를 따라 이동하는 한 쌍의 타이밍 벨트를 구비하는 것으로서 구성된다. 또한 상기 타이밍 벨트를 상기 주회 궤도를 따라 이동시키기 위해, 상기 한 쌍의 회전체 중 적어도 한쪽을 회전 구동시키기 위한 모터를 구비하도록 구성해도 좋고, 상기 반송로 부재의 타이밍 벨트는, 적어도 그 외표면에 N극과 S극이 교대로 배열되는 전자석이 설치되는 것으로서 구성하고, 상기 타이밍 벨트를 상기 주회 궤도를 따라 이동시키기 위한, N극과 S극이 교대로 배열되는 동시에 자성의 절환이 행해지는 구동 전자석을 구비하도록 구성해도 좋고, 이와 같은 구성에서는 전자석의 반발 작용에 의해 상기 타이밍 벨트는 구동 전자석에 의해 비접촉으로 구동된다. 또한 상기 반송로에 있는 기판과 현상 노즐 사이에는, 기판의 이동과 동기하여 이동하는 메쉬 형상의 천 형상체가 설치되도록 구성해도 좋다.
상기 기판 반송 수단은, 상기 반입용 전달부에 기판을 전달하기 위한 반입용 기판 반송 수단과, 상기 반출용 전달부로부터 기판을 수취하기 위한 반출용 기판 반송 수단을 구비하도록 구성해도 좋고, 상기 현상 모듈은, 상기 반송로 부재에 의해 형성되는 기판의 반송로가 현상 처리용 단위 블록의 기판의 반송로를 따르도록, 또한 상기 반입용 전달부가 인터페이스 블록측, 상기 반출용 전달부가 캐리어 블록측에 각각 위치하도록 설치되는 동시에, 상기 현상 처리용 단위 블록은, 현상 처리를 행하기 전의 기판에 대해 처리를 행하는 복수개의 전처리 모듈과, 현상 처리를 행한 후의 기판에 대해 처리를 행하는 복수개의 후처리 모듈을 구비한 선반 유닛을 구비하고, 이 선반 유닛은, 현상 처리용 단위 블록의 기판의 반송로를 통해 상기 현상 모듈과 대향하도록 설치되도록 구성해도 좋다.
또한 상기 현상 처리용 단위 블록의 반송로에 있어서, 인터페이스 블록측에 상기 반입용 기판 반송 수단을 마련하는 동시에, 캐리어 블록측에 상기 반출용 기판 반송 수단을 마련하고, 선반 유닛의 전처리 모듈에 대해서는 상기 반입용 기판 반송 수단에 의해 기판의 전달을 행하고, 선반 유닛의 후처리 모듈에 대해서는 상기 반출용 기판 반송 수단에 의해 기판의 전달을 행하도록 해도 좋다.
또한 본 발명의 도포, 현상 방법은, 캐리어 블록에 캐리어에 의해 반입된 기판에 대해, 이 캐리어 블록의 후단측에 설치된 도포막 형성용 단위 블록에서 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성한 후, 이 도포막 형성용 단위 블록의 후단측에 설치된 인터페이스 블록을 통해 노광 장치에 반송하고, 상기 인터페이스 블록을 통해 복귀되어 온 노광 후의 기판을, 상기 도포막 형성용 단위 블록에 적층되는 동시 에, 상기 인터페이스 블록으로부터 캐리어 블록을 향하는 기판의 반송로를 구비한 현상 처리용 단위 블록에서 현상 처리하여 상기 캐리어 블록에 전달하는 도포, 현상 방법에 있어서,
상기 현상 처리용 단위 블록에는, 기판에 대해 현상 처리를 행하는 현상 모듈과, 이 현상 모듈에 대해 기판의 전달을 행하기 위한 기판 반송 수단이 마련되고,
상기 현상 모듈은, 수평축 주위로 회전하고 회전축이 서로 평행하게 되도록 전후에 배치된 한 쌍의 회전체와, 이들 회전체 사이에 걸쳐져 주회 궤도를 따라 이동하고 그 위에 적재된 상기 기판의 반송로의 일부를 형성하는 반송로 부재를 갖고,
상기 반송로의 상류단에 설치된 반입용 전달부에 있어서, 상기 기판 반송 수단으로부터 상기 반송로 부재에 기판을 전달하는 공정과,
계속해서 상기 반송로 부재를 하류측으로 이동시키고, 상기 기판을 이동시키면서 이 기판에 대해 현상액을 공급하는 공정과,
계속해서 상기 반송로 부재에 의해 기판을 하류측으로 이동시키면서 이 기판에 대해 세정액을 공급하는 공정과,
계속해서 상기 반송로 부재에 의해 기판을 하류측으로 이동시키면서 이 기판에 대해 건조 가스를 불어내는 공정과,
계속해서 상기 반송로 부재에 의해 기판을 반송로의 하류단에 설치된 반출용 전달부에 이동시키고, 상기 반송로 부재로부터 상기 기판 반송 수단에 기판을 전달 하는 공정과,
계속해서 기판이 적재되어 있지 않은 반송로 부재를, 상기 반출용 전달부로부터 반입용 전달부로 복귀되도록 주회 궤도를 따라 이동시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서 상기 기판 반송 수단은, 반입용 기판 반송 수단과 반출용 기판 반송 수단을 구비하고, 상기 반입용 전달부에 있어서는, 상기 반입용 기판 반송 수단으로부터 상기 반송로 부재에 대하여 기판의 전달을 행하고, 상기 반출용 전달부에 있어서는, 상기 반송로 부재로부터 상기 반출용 기판 반송 수단에 대해 기판의 전달을 행하는 것이 바람직하다.
또한 본 발명의 기억 매체는, 캐리어 블록으로부터 수취한 기판에 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성하는 동시에, 노광 후의 기판에 대해 현상 처리를 행하는 도포, 현상 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램을 저장한 기억 매체이며,
상기 프로그램은, 상기 도포, 현상 방법을 실행하도록 스텝군이 짜여져 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 현상 처리용 단위 블록에 설치되는 현상 모듈에서는, 현상 처리용 단위 블록의 기판 반송 수단으로부터 반입용 전달부에 기판을 순차 전달하고, 이 기판을 반송로를 따라 순차 하류측으로 이동시키고, 이 이동하는 동안에, 당해 기판에 대해, 현상액의 공급 처리와 기판의 세정 처리와 기판의 건조 처리를 행하고, 이렇게 하여 모든 처리가 종료된 기판을 순차 반출용 전달부를 통해 상기 기판 반송 수단에 전달하고 있다. 이로 인해 상기 현상 모듈에서는, 기판에 대해 흐름 작업 상태에서 현상 처리를 행할 수 있고, 복수의 기판에 대해 현상 처리를 도중에 끊기는 일 없이 연속해서 행할 수 있으므로, 처리량의 향상을 도모할 수 있다. 또한 1개의 현상 모듈에 대해서는 상기 기판 반송 수단에 의해 액세스되는 부위는, 반입용 전달부와 반출용 전달부의 2군데이므로, 기판 반송 수단의 부하가 경감되어 처리량의 향상을 도모할 수 있다.
우선 본 발명의 도포, 현상 장치의 실시 형태에 관한 레지스트 패턴 형성 장치에 대해, 도면을 참조하면서 설명한다. 도1은 상기 장치의 일 실시 형태의 평면도를 도시하고, 도2는 도1의 개략 사시도, 도3은 도1의 개략 측면도이다. 이 장치는, 기판인 웨이퍼(W)가 예를 들어 13매 밀폐 수납된 캐리어(20)를 반입 및 반출하기 위한 캐리어 블록(S1)과 처리 블록(S2)과 인터페이스 블록(S3)과 노광 장치(S4)를 구비하고 있다.
상기 캐리어 블록(S1)에는, 상기 캐리어(20)를 복수개 적재 가능한 적재대(21)와, 이 적재대(21)로부터 보아 전방의 벽면에 설치되는 개폐부(22)와, 개폐부(22)를 통해 캐리어(20)로부터 웨이퍼(W)를 취출하기 위한 전달 수단을 이루는 트랜스퍼 아암(C)이 설치되어 있다. 이 트랜스퍼 아암(C)은, 후술하는 단위 블록(B1)의 전달 모듈(TRS11)에 대해 웨이퍼(W)의 전달을 행하도록, 진퇴 가능하게, 승강 가능하게, 연직축 주위로 회전 가능하게, 캐리어(20)의 배열 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다.
캐리어 블록(S1)의 안쪽에는 하우징(24)으로 주위가 둘러싸이는 처리 블록(S2)이 접속되어 있고, 이 처리 블록(S2)은, 복수개 예를 들어 3개의 단위 블록(B1 내지 B3)을 세로로 배열하여 구성되고, 이 예에서는, 하방측으로부터 현상 처리를 행하기 위한 단위 블록인 현상 처리층(DEV층)(B1), 레지스트막의 형성 처리를 행하기 위한 단위 블록인 2개의 도포 처리층[(COT1층)(B2), (COT2층)(B3)]으로서 할당되어 있고, 이들 DEV층(B1), COT1층(B2), COT2층(B3)은 각각 구획되어 있다. 여기서 상기 COT1층(B2), COT2층(B3)은 도포막 형성용 단위 블록, DEV층(B1)은 현상 처리용 단위 블록에 상당한다.
이들 각 단위 블록(B1, B2, B3)은 각각 마찬가지로 구성되고, 웨이퍼(W)에 대해 도포액을 도포하기 위한 액 처리 모듈과, 상기 액 처리 모듈에서 행해지는 처리의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 각종 처리 모듈과, 상기 액 처리 모듈과 각종 처리 모듈 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 전용의 기판 반송 수단인 메인 아암(A11, A12, A2, A3)을 구비하고 있다.
또한 각 단위 블록(B1, B2, B3)의 캐리어 블록(S1)과 인접하는 영역에는, 도1 및 도3에 도시한 바와 같이 상기 트랜스퍼 아암(C)과 각 메인 아암(A11 내지 A3)이 액세스할 수 있는 위치에 교환용 선반 유닛(U1)이 설치되어 있다. 이 선반 유닛(U1)에는, 예를 들어 단위 블록마다 다른 단위 블록과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 제1 전달부가 다단으로 설치되어 있고, 진퇴 가능하게 및 승강 가능하게 구성된 전달 아암(D)에 의해, 선반 유닛(U1)에 설치된 각 전달부에 대해 웨이퍼(W)의 전달이 행해지도록 구성되어 있다.
계속해서 상기 단위 블록(B1 내지 B3)의 구성에 대해, 우선 COT1층(B2)을 예로 하여 도4 및 도5를 기초로 하여 설명한다. 이 COT1층(B2)의 대략 중앙에는, COT1층(B2)의 길이 방향(도4, 도5 중 Y 방향)으로 웨이퍼(W)의 반송 영역(R1)이 형성되어 있다. 이 반송 영역(R1)의 캐리어 블록(S1)측으로부터 본 우측에는, 액 처리 모듈로서, 레지스트액의 도포를 행하기 위한 복수개의 도포 모듈을 구비한 도포 처리부(31)가 설치되어 있다.
이 도포 처리부(31)는 복수개 예를 들어 3개의 도포 모듈(COT1 내지 COT3)이 공통의 처리 용기(30)의 내부에, 각각이 반송 영역(R1)에 면하도록 Y 방향으로 배열된 상태에서 수납되어 있다. 각 도포 모듈(COT1 내지 COT3)은, 예를 들어 스핀 척 상에 수평으로 흡착 보유 지지된 웨이퍼(W)에 대해, 공통의 약액 노즐로부터 도포액인 레지스트액을 공급하는 동시에, 웨이퍼(W)를 회전시킴으로써 레지스트액을 웨이퍼(W)의 전체면에 널리 퍼지게 하고, 이렇게 하여 웨이퍼(W)의 표면에 레지스트액을 도포하도록 구성되어 있다. 상기 처리 용기(30)는, 각 도포 모듈(COT1 내지 COT3)에 대응하는 위치에 웨이퍼(W)의 반송구(33A 내지 33C)(도5 참조)를 구비하고 있고, 웨이퍼(W)는 각각의 반송구(33A 내지 33C)를 통해 대응하는 도포 모듈(COT1 내지 COT3)과 메인 아암(A2) 사이에서 반송되도록 되어 있다.
또한 이 도포 처리부(31)의 반송 영역(R1)의 맞은편에는, 처리 모듈을 예를 들어 2단 × 4열로 설치한 선반 유닛(U2)이 설치되어 있고, 이 도면에서는 도포 모듈(31)에서 행해지는 처리의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 각종 처리 모듈이 설치되어 있다. 상술한 각종 처리 모듈은, 레지스트액 도포 후의 웨이퍼(W)에 대해 가열 처리를 행하고, 계속해서 냉각 처리를 행하는 가열 냉각 모듈(LHP)이나, 웨이퍼(W)를 소정 온도로 조절하는 온도 조절 모듈(CPL), 주연 노광 장치(WEE) 등을 구비하고 있다.
상기 가열 냉각 모듈(LHP)로서는, 예를 들어 웨이퍼(W)를 그 위에 적재하여 가열하기 위한 가열 플레이트(34)와, 반송 아암을 겸용하는 냉각 플레이트(35)를 구비하고, 메인 아암(A2)과 가열 플레이트(34) 사이의 웨이퍼(W)의 전달을 냉각 플레이트(35)에 의해 행하는, 즉 가열 냉각을 1개의 모듈로 행할 수 있는 구성의 장치가 이용된다. 또한 가열 냉각 모듈(LHP) 대신에, 가열 모듈과 냉각 모듈을 별개로 설치하도록 해도 좋다. 또한 온도 조절 모듈(CPL)로서는, 예를 들어 수냉 방식으로 냉각되는 냉각 플레이트를 구비하는 장치가 이용된다. 이들 가열 냉각 모듈(LHP)이나 온도 조절 모듈(CPL) 등의 각 모듈은, 도5에 도시한 바와 같이 각각 처리 용기(36) 내에 수납되어 있고, 각 처리 용기(36)의 반송 영역(R1)에 면하는 면에는 웨이퍼 반입ㆍ반출구(37)가 형성되어 있다.
또한 COT1층(B2)의 선반 유닛(U1)에는, 상기 제1 전달부로서, 전달 모듈(TRS12)이 설치되어 있고, 이 전달 모듈(TRS12)에 대해서는, COT1층(B2)의 메인 아암(A2)과 전달 아암(D)이 액세스할 수 있도록 구성되어 있다. 이 메인 아암(A2)에 대해 설명하면, 이 메인 아암(A2)은, 당해 COT1층(B2) 내의 모든 모듈[웨이퍼(W)가 놓이는 장소], 예를 들어 도포 모듈(COT1 내지 COT3)과, 선반 유닛(U1)의 전달 모듈(TRS12)과, 선반 유닛(U2)의 각 처리 모듈과의 사이에서 웨이퍼의 전달을 행하도록 구성되어 있고, 이로 인해 진퇴 가능하게, 승강 가능하게, 연직축 주위로 회전 가능하게, Y축 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다.
상기 메인 아암(A2)은, 도4 및 도5에 도시한 바와 같이 웨이퍼(W)의 이면측 주연 영역을 지지하기 위한 2개의 보유 지지 아암(41, 42)을 구비하고 있고, 이들 보유 지지 아암(41, 42)은 기대(基臺)(43) 상에서 서로 독립하여 진퇴 가능하게 구성되어 있다. 또한 기대(43)는 반송 기체(45) 상에 회전 기구(44)를 통해 연직축 주위로 회전 가능하게 설치되어 있다. 도면 중 46은, 반송 영역(R1)의 길이 방향(도면 중 Y 방향)으로 신장되는 가이드 레일(46), 도면 중 47은 승강용 가이드 레일이며, 상기 반송 기체(45)는 이 승강용 가이드 레일(47)을 따라 승강 가능하게 구성되어 있다. 또한 상기 승강용 가이드 레일(47)의 하단부는 가이드 레일(46)의 하방을 잠입하여 계지되어 있고, 승강용 가이드 레일(47)이 가이드 레일(46)을 따라 횡방향으로 이동함으로써, 반송 기체(45)가 반송 영역(R1)을 횡방향으로 이동할 수 있도록 되어 있다. 여기서 승강용 가이드 레일(47)은, 선반 유닛(U2)의 각 처리 모듈에 대해 웨이퍼(W)의 전달을 행할 때에, 보유 지지 아암(41, 42)과 간섭하지 않도록, 보유 지지 아암(41, 42)이 진퇴하는 위치로부터 어긋난 위치에 있어서 반송 기체(45)에 설치되어 있다.
또한 전달 아암(D)에 대해서는, 웨이퍼(W)의 이면측을 지지하기 위한 1개의 지지 아암(48)을, 승강 가능하게 구성된 기대(49)에 진퇴 가능하게 설치하여 구성되어 있다. 또한 상기 전달 모듈(TRS12)은, 전달 스테이지(38) 상에 웨이퍼(W)의 이면측을 보유 지지하는 복수개 예를 들어 3개의 돌기(39)가, 메인 아암(A2)과 전달 아암(D)이 진입해 왔을 때에, 이들과 간섭하지 않는 위치에 형성되어 구성되어 있다.
또한 상기 COT2층(B3)은 COT1층(B2)과 마찬가지로 구성되어 있고, 액 처리 모듈로서, 웨이퍼(W)에 대해 레지스트액을 공급하여, 레지스트막을 형성하기 위한 복수개 예를 들어 3개의 도포 모듈(COT21 내지 COT23)을 구비한 도포 처리부(31)가 설치되고, 선반 유닛(U2)에는 상기 가열 냉각 모듈(LHP)이나 온도 조절 모듈(CPL), 주연 노광 장치(WEE) 등이 설치되어 있다. 또한 선반 유닛(U1)에는, 제1 전달부로서, 전달 아암(D)이 액세스할 수 있는 위치에 전달 모듈(TRS13)이 설치되고, 이들 도포 모듈(COT21 내지 COT23)과, 선반 유닛(U1, U2)에 설치된 각종 모듈과의 사이에서 메인 아암(A3)에 의해 웨이퍼(W)의 전달이 행해지도록 되어 있다.
계속해서 DEV층(B1)에 대해 설명한다. DEV층(B1)은, 도1 및 도3에 도시한 바와 같이 COT1층(B2) 등과 마찬가지로, 선반 유닛(U1)과, 선반 유닛(U2)과, 액 처리 모듈로서의 예를 들어 2개의 현상 모듈[DEV(DEV1, DEV2)]이 설치되어 있고, 이들의 배치는 이미 서술한 COT1층(B2)과 마찬가지이다. 즉 DEV층(B1)에 있어서도, Y 방향으로 신장되는 반송 영역(R1)을 사이에 두고 현상 모듈(DEV)과 선반 유닛(U2)이 서로 대향하도록 설치되어 있고, 이 예에서는, 현상 모듈(DEV)은 상하 방향으로 2단으로 설치되어 있다. 그리고 DEV층(B1)의 반송 영역(R1)에는, 2개의 메인 아암(A11, A12)이 설치되는 동시에, 이 반송 영역(R1)의 인터페이스 블록(S3)과 인접하는 영역에는, 당해 처리 블록(S2)과 인터페이스 블록(S3) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 제2 전달부를 이루는 선반 유닛(U3)이 설치되어 있다. 상기 메인 아암(A11)은 반출용 기판 반송 수단에 상당하고, 메인 아암(A12)은 반입 용 기판 반송 수단에 상당한다.
상기 선반 유닛(U1)에는, 제1 전달부로서, 전달 아암(D)이 액세스할 수 있는 위치에 캐리어 블록(S1)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 전달 모듈(TRS11)이 설치되어 있고, 이 전달 모듈(TRS11)에 대해서는 메인 아암(A11)과 전달 아암(D)이 액세스되도록 구성되어 있다. 또한 선반 유닛(U1)에는, 후술하는 셔틀 아암(E)과 전달 아암(D)에 의해 액세스되는 전달 모듈(TRS10)도 설치되어 있다.
또한 선반 유닛(U2)은, 예를 들어 도6에 도시하는 바와 같이 3단 × 4열로 구성되고, 이 선반 유닛(U2)에는 노광 후의 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 포스트 익스포저 베이킹 모듈 등이라 불리고 있는 가열 모듈(PEB), 이 가열 모듈(PEB)에 있어서의 처리 후에 웨이퍼(W)를 소정 온도로 조정하기 위한 냉각 모듈(COL), 현상 처리 후의 웨이퍼(W)를 수분을 날리기 위해 가열 처리하는 포스트 베이킹 모듈 등이라 불리고 있는 가열 모듈(POST), 이 가열 모듈(POST)에 있어서의 처리 후에 웨이퍼(W)를 소정 온도로 조정하기 위한 온도 조절 모듈(CPL) 등이 포함되어 있다. 이 중 상기 가열 모듈(PEB)과 냉각 모듈(COL)이, 현상 처리 전의 웨이퍼(W)에 대해 전처리를 행하는 전처리 모듈에 상당하고, 가열 모듈(POST)과 온도 조절 모듈(CPL)이 현상 처리 후의 웨이퍼(W)에 대해 후처리를 행하는 후처리 모듈에 상당한다.
또한 상기 선반 유닛(U3)은, 제2 전달부로서, 상기 인터페이스 블록(S3)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 전달 모듈(TRS20, TRS21)을 구비하고 있고, 이 중 전달 모듈(TRS20)에 대해서는 후술하는 셔틀 아암(E)과 후술하는 인터페이스 아암(F)이 액세스하고, 전달 모듈(TRS21)에 대해서는 메인 아암(A12)과 인터 페이스 아암(F)이 액세스되도록 구성되어 있다. 이상에 있어서 선반 유닛(U1, U3)에 설치되는 모든 전달 모듈은, 상술한 전달 모듈(TRS12)과 마찬가지로 구성되어 있다.
메인 아암(A11, A12)은, Y축 방향으로 이동하지 않는 이외에는 상술한 COT1층(B2)의 메인 아암(A2)과 마찬가지로 구성되고, 즉 진퇴 가능하게, 승강 가능하게, 연직축 주위로 회전 가능하게 구성되어 있다. 구체적으로는, 도6에 도시한 바와 같이, 기대(53) 상에 서로 독립하여 진퇴 가능하게 구성된, 웨이퍼(W)의 이면측 주연 영역을 지지하기 위한 2개의 보유 지지 아암(51, 52)을 구비하고, 상기 기대(53)는 반송 기체(55) 상에 회전 기구(54)를 통해 연직축 주위로 회전 가능하게 설치되어 있다. 또한 상기 반송 기체(55)는 승강용 가이드 레일(56)을 따라 승강 가능하게 구성되어 있다. 여기서 승강용 가이드 레일(56)은 선반 유닛(U2)의 각 처리 모듈에 대해 웨이퍼(W)의 전달을 행할 때에, 보유 지지 아암(51, 52)과 간섭하지 않도록 설치되어 있다.
이렇게 하여 메인 아암(A11)은, 후술하는 현상 모듈(DEV)의 반출용 전달부와, 선반 유닛(U1)의 전달 모듈(TRS11)과, 반송 영역(R1)으로부터 보아 선반 유닛(U2)의 좌측 절반에 배열된 6개의 처리 모듈과의 사이에서 웨이퍼의 전달을 행하도록 구성되고, 메인 아암(A12)은 후술하는 현상 모듈(DEV)의 반입용 전달부와, 반송 영역(R1)으로부터 보아 선반 유닛(U2)의 우측 절반에 배열된 처리 모듈과, 전달 모듈(TRS21)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하도록 구성되어 있다. 여기서 선반 유닛(U2)에는 메인 아암(A12)에 의해 액세스되는 처리 모듈로서, 예를 들어 현상 처리의 전처리를 행하는 전처리 모듈인 가열 모듈(PEB)과 냉각 모듈(COL)이 배열되고, 메인 아암(A11)에 의해 액세스되는 처리 모듈로서, 예를 들어 현상 처리의 후처리를 행하는 후처리 모듈인 가열 모듈(POST)과 온도 조절 모듈(CPL) 등이 배열된다.
또한 DEV층에는 셔틀 아암(E)이 설치되어 있다. 이 셔틀 아암(E)에 대해 도6을 이용하여 설명하면, 이 셔틀 아암(E)은 웨이퍼(W)의 이면측 주연 영역을 지지하고, 기대(62)를 따라 진퇴하기 위한 1개의 보유 지지 아암(61)을 구비하고 있고, 상기 기대(62)는 반송 기체(64) 상에 회전 기구(63)를 통해 연직축 주위로 회전 가능하게 설치되어 있다. 상기 반송 기체(64)는, 예를 들어 선반 유닛(U2)의 상부측에, 선반 유닛(U2)의 길이 방향(도1 중 Y 방향)을 따라 설치된 지지 부재(66)의 반송 영역(R1)에 면하는 면에, 반송 영역(R1)의 길이 방향으로 신장되도록 설치된 가이드 레일(65)을 따라 상기 길이 방향으로 이동하도록 구성되고, 이렇게 하여 상기 선반 유닛(U1)의 전달 모듈(TRS10)과 선반 유닛(U3)의 전달 모듈(TRS20) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행하도록 구성되어 있다.
한편, 처리 블록(S2)에 있어서의 선반 유닛(U3)의 안쪽에는, 인터페이스 블록(S3)을 개재하여 노광 장치(S4)가 접속되어 있다. 인터페이스 블록(S3)에는, 상기 처리 블록(S2)의 선반 유닛(U3)의 제2 전달부와 노광 장치(S4)에 대해 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위해, 진퇴 가능하게, 승강 가능하게, 연직축 주위로 회전 가능하게 구성된 인터페이스 아암(F)이 설치되어 있다.
그리고 상술한 레지스트 패턴 형성 장치는, 각 처리 모듈의 레시피의 관리 나, 웨이퍼(W)의 반송 플로우(반송 경로)의 레시피의 관리나, 각 처리 모듈에 있어서의 처리나, 메인 아암(A11, A12, A2, A3), 트랜스퍼 아암(C), 전달 아암(D), 셔틀 아암(E), 인터페이스 아암(F)의 구동 제어를 행하는 컴퓨터로 이루어지는 제어부(7)를 구비하고 있다. 이 제어부(7)는, 예를 들어 컴퓨터 프로그램으로 이루어지는 프로그램 저장부를 갖고 있고, 프로그램 저장부에는 레지스트 패턴 형성 장치 전체의 작용, 즉 웨이퍼(W)에 대해 소정의 레지스트 패턴을 형성하기 위한, 각 처리 모듈에 있어서의 처리나 웨이퍼(W)의 반송 등이 실시되도록 스텝(명령)군을 구비한 예를 들어 소프트웨어로 이루어지는 프로그램이 저장된다. 그리고 이들 프로그램이 제어부(7)에 판독됨으로써, 제어부(7)에 의해 레지스트 패턴 형성 장치 전체의 작용이 제어된다. 또 이 프로그램은, 예를 들어 플렉시블 디스크, 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 마그넷 옵티컬 디스크, 메모리 카드 등의 기억 매체에 수납된 상태에서 프로그램 저장부에 저장된다.
계속해서 현상 모듈(DEV)에 대해 도1 및 도7 내지 도10을 기초로 하여 설명한다. 이 현상 모듈(DEV)는, 웨이퍼(W)에 대해 현상 처리를 행하기 위한 DEV층(B1)의 길이 방향(도1, 도7 내지 도9 중 Y 방향)을 따라 신장되는 처리 영역(100)과, 이 처리 영역(100)의 길이 방향의 한쪽측에 설치된 반입용 전달부(110)와, 상기 처리 영역(100)의 길이 방향의 다른 쪽에 설치된 반출용 전달부(111)를 구비하고 있다. 상기 반입용 전달부(110)는, 도1에 도시한 바와 같이 인터페이스 블록(S3)측의 메인 아암(A12)에 의해 액세스되는 영역에 설치되고, 상기 반출용 전달부(111)는 캐리어 블록(S1)측의 메인 아암(A11)에 의해 액세스되는 영역에 설치 되어 있다.
상기 처리 영역(100)은, 예를 들어 그 길이 방향의 크기는, 복수매 예를 들어 3매의 웨이퍼(W)를 상기 DEV층(B1)의 길이 방향으로 배열할 수 있을 정도로 설정되고, 그 폭 방향(도면 중 X 방향)의 크기는, 예를 들어 1매의 웨이퍼(W)에 대해 현상 처리를 행하기 위해 적당한 크기로 설정되어 있다. 이 처리 영역(100)은, 인터페이스 블록(S3)측으로부터 캐리어 블록(S1)측을 향해, 현상 영역(101)과, 세정 영역(102)과 건조 영역(103)을 이 순서로 구비하고 있다. 이들 현상 영역(101)과 세정 영역(102)과 건조 영역(103)은, 그 길이 방향의 크기가, 각각 예를 들어 1매의 웨이퍼(W)가 배치되는 정도로 설정되어 있다.
그리고 웨이퍼(W)는, 반송로 부재(130) 상에 적재되어 상기 처리 영역(100) 내를, 인터페이스 블록(S3)측으로부터 캐리어 블록(S1)측을 향해 상기 길이 방향으로 반송되도록 구성되어 있다. 상기 반송로 부재(130)는, 수평축 방향으로 회전하고, 회전축이 서로 평행하게 되도록 전후로 배치된 한 쌍의 회전체(131, 132) 사이에 걸쳐져 주회(周回) 궤도를 따라 이동하도록 구성되고, 이렇게 하여 인터페이스 블록(S3)으로부터 캐리어 블록(S1)을 향하는 웨이퍼(W)의 반송로의 일부를 형성하는 것이다. 구체적으로는, 반송로 부재(130)는 상기 회전축과 평행하게 신장되고, 그 위에 웨이퍼(W)가 적재되는 복수의 막대 형상의 반송 부재(120)와, 상기 반송 부재(120)의 양 단부에 접속되고 상기 주회 궤도를 따라 이동하는 한 쌍의 타이밍 벨트(133, 133)를 구비하고 있고, 상기 타이밍 벨트(133, 133)는 상기 회전체(131, 132) 사이에 권취되어 있다.
상기 반송 부재(120)는, 예를 들어 도10에 도시한 바와 같이 단면이 원 형상 혹은 삼각형 등의 다각형 형상으로 형성된 세라믹제 혹은 폴리테트라플루오로에틸렌제의 수지제의 막대 형상체에 의해 구성되어 있다. 그 길이는, 예를 들어 도면에 도시한 바와 같이, 처리 영역(100)의 폭 방향의 길이를 커버할 정도로 설정되고, 그 단면의 크기는, 예를 들어 단면이 원 형상인 경우에는 직경이 7 ㎜ 정도로 설정되어 있다. 이 예에서는, 웨이퍼(W)의 이면측 주연부가 상기 2개의 반송 부재(120)에 지지되도록 되어 있다.
또한 반송 부재(120)에는, 예를 들어 폴리테트라플루오로에틸렌 등의 수지에 의해 구성된 기판 가이드(121)가 설치되어 있고, 메인 아암(A12)으로부터 반송 부재(120)에 웨이퍼(W)가 전달될 때에는, 이 기판 가이드(121)가 웨이퍼(W)의 외연 근방에 위치하여, 웨이퍼(W)의 위치 어긋남을 방지한 상태에서 전달되도록 되어 있다. 또한 반송 부재(120)에는, 예를 들어 폴리테트라플루오로에틸렌 등의 수지에 의해 구성된 프록시미티 부재(122)가 설치되어 있고, 이에 의해 웨이퍼(W)는 반송 부재(120)로부터 예를 들어 2 ㎜ 정도 약간 부상한 상태로 보유 지지되도록 되어 있다.
상기 한 쌍의 회전체(131, 132)는, 그들의 회전축이 처리 영역(100)의 폭 방향으로 서로 평행하게 신장되도록 설치되어 있다. 이들 회전체(131, 132)의 길이는 처리 영역(100)의 폭 방향의 길이를 커버하는 정도로 설정되고, 한쪽의 회전체(131)가 상기 반입용 전달부(110)의 상류측에 위치하고, 다른 쪽 회전체(132)가 상기 반출용 전달부(111)의 하류측에 위치하도록, 서로 처리 영역(100)을 사이에 두고 대향하도록 각각 설치되어 있다. 이렇게 하여 상기 반입용 전달부(110)는 반송로 부재(130)에 의해 형성된 반송로의 상류단에 설치되고, 반출용 전달부(111)는 상기 반송로의 하류단에 설치되게 된다.
상기 회전체(131)는, 예를 들어 도7 및 도8에 도시한 바와 같이 모터(M1)에 의해 회전 구동되는 구동 풀리로 이루어지고, 상기 회전체(132)는 종동 풀리로 이루어진다. 그리고 회전체(131, 132)의 길이 방향의 양 단부에는, 각각 타이밍 벨트(133, 133)가 권취되고, 이 타이밍 벨트(133, 133)에 상기 한 쌍의 반송 부재(120)가 소정의 간격으로 설치되게 된다.
이렇게 하여 회전체(131, 132)를 회전 구동함으로써, 반송 부재(120)가 반입용 전달부(110)로부터 처리 영역(100)을 통해 반출용 전달부(111)측으로 이동하고, 계속해서 다시 반입용 전달부(110)에 복귀되도록 제1 주회 궤도를 따라 이동된다. 또 도7은 반송로 부재(130)를 설명하기 위한 사시도로, 도시의 편의상 후술하는 메쉬대(帶)나, 타이밍 벨트(133, 133)의 주회 궤도의 내부에 설치된 부재 등을 생략하여 도시하고 있다.
또한 상기 처리 영역(100)을 반송 부재(120)에 적재되어 이동하는 웨이퍼(W)의 상방측에는, 메쉬대(125)가 반송 부재(120)와 동기하여 제2 주회 궤도를 따라 이동하도록 설치되어 있다. 상기 메쉬대(125)는 예를 들어 나일론-폴리테트라플루오로에틸렌 섬유에 의해 구성된 메쉬 형상의 천 형상체이며, 두께가 0.15 ㎜ 정도, 개구의 크기가 1.0 ㎜ × 1.0 ㎜ 정도이며, 그 폭 방향의 크기는 웨이퍼(W)를 완전히 덮을 정도로 설정되어 있다. 또한 메쉬대(125)는, 예를 들어 도11에 도시한 바 와 같이, 그 하면과 반송 부재(120)의 표면 사이의 거리(L)가 예를 들어 1.7 ㎜ 정도가 되도록, 상기 처리 영역(100) 전체를 덮도록 설치되어 있다.
이와 같은 메쉬대(125)는, 예를 들어 도9에 도시한 바와 같이 수평축 방향으로 회전하고, 회전축이 서로 평행하게 되도록 배치된 회전체(141, 142, 143, 144) 사이에 걸쳐져 제2 주회 궤도를 따라 이동하도록 구성되어 있다. 이들 회전체(141 내지 144)는, 그들의 회전축이 처리 영역(100)의 폭 방향으로 서로 평행하게 신장되도록 설치되어 있다. 또한 회전체(141 내지 144)의 길이는 메쉬대(125)의 폭 방향의 크기로 설정되어 있다.
상기 메쉬대(125)는, 메인 아암(A11, A12)과 반입용 전달부(110)와 반출용 전달부(111)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달이 행해질 때에, 이 전달 동작에 간섭하지 않도록 이동하므로, 상기 회전체(141)는, 예를 들어 메인 아암(A12)과 반입용 전달부(110) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달 동작을 행하는 작업 영역보다도 하류측에 설치되고, 회전체(142)는 이 회전체(141)와 처리 영역(100)의 길이 방향에 대향하도록, 예를 들어 메인 아암(A11)과 반출용 전달부(111) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달 동작을 행하는 작업 영역보다도 상류측에 설치되어 있다.
또한 상기 회전체(143)는, 상기 회전체(142)의 상방측에, 당해 회전체(142)와 대향하도록 설치되고, 상기 회전체(144)는 상기 회전체(141)의 상방측에, 당해 회전체(141)와 대향하도록 설치되어 있다. 여기서 상기 회전체(141)는, 예를 들어 도9에 도시한 바와 같이 모터(M2)에 의해 회전 구동되는 구동 풀리로 이루어지고, 상기 회전체(142 내지 144)는 종동 풀리로 이루어진다. 그리고 회전체(141 내지 144)의 길이 방향의 양 단부에는, 각각 타이밍 벨트(145, 145)가 권취되어 있다. 또 도9에서는 도시의 편의상 모터(M1, M2)를 회전체(131, 141)와는 별도로 도시하고 있으나, 실제로는 모터(M2)는, 회전체(131)의 모터(M1)와 마찬가지로, 한 쌍의 구동 풀리 사이에, 이들 양 구동 풀리에 접속되도록 설치되어 있다.
상기 메쉬대(125)는, 예를 들어 그 폭 방향의 양 단부측이 상기 한 쌍의 타이밍 벨트(145, 145)에 설치되어 있다. 여기서 상기 회전체(141 내지 144)를 구성하는 구동 풀리 및 종동 풀리는 각각 이(齒)가 부착된 풀리에 의해 구성되는 한편, 타이밍 벨트(145, 145)에는 상기 이가 부착된 풀리에 대응하는 구멍부(도시 생략)가 마련되어 있어, 이송 가이드를 겸용하도록 구성되어 있다.
또한 상기 반송로 부재(130)의 회전체(131)의 모터(M1)와, 메쉬대(125)를 회전시키는 회전체(141)의 모터(M2)는, 각각 제어부(7)에 의해 구동 제어되도록 구성되어 있고, 상기 반송로 부재(130)의 타이밍 벨트(133, 133)와, 메쉬대(125)의 타이밍 벨트(145, 145)가 서로 동기한 상태에서 각각 주회 이동하도록 제어되어 있다. 이에 의해 메쉬대(125)가 제1 주회 궤도를 따라 이동하는 반송 부재(120)의 이동과 서로 동기하여 제2 주회 궤도를 따라 이동하도록 설치되게 된다. 여기서 「서로 동기한다」라는 의미는, 메쉬대(125)를 상기 반송 부재(120)의 이동 타이밍과 이동 속도와 이동 방향이 일치하도록 이동시키는 것이다. 이와 같이 동기시켜 웨이퍼(W)와 메쉬대(125)를 이동시키므로, 현상액을 공급한 후의 웨이퍼(W)의 이동에 있어서도, 웨이퍼(W)로부터 현상액이 넘쳐 흐르지 않고 보유되기 쉬워, 웨이퍼(W) 상의 현상액의 유동을 억제할 수 있다.
상기 현상 영역(101)에는, 당해 영역(101)을 반송 부재(120)에 적재된 웨이퍼(W)가 이동할 때에, 당해 웨이퍼(W)의 표면에 대해 상기 메쉬대(125)를 통해 현상액을 공급하기 위한 현상 노즐(151)이 설치되어 있다. 이 현상 노즐(151)은, 그 노즐(151)의 선단부에 웨이퍼(W)의 직경과 대략 동일하거나 또는 큰 현상액의 토출 영역을 구비하고 있고, 그 길이 방향이 상기 처리 영역(100)의 폭 방향에 일치하도록, 또한 노즐(151)의 선단부가 반송 부재(120)에 적재된 웨이퍼(W)의 표면으로부터 2 ㎜ 정도 부상한 위치가 되도록 설치되어 있다.
또한 상기 세정 영역(102)에는, 당해 영역을 반송 부재(120)에 적재된 웨이퍼(W)가 이동할 때에, 당해 웨이퍼(W)의 표면에 대해 상기 메쉬대(125)를 통해 세정액인 예를 들어 순수를 공급하기 위한 제1 세정 노즐(152)이 설치되는 동시에, 웨이퍼(W)의 이면에 대해 세정액인 예를 들어 순수를 공급하기 위한 제2 세정 노즐(156)이 설치되어 있다. 상기 세정 노즐(152, 156)은, 그 노즐(152, 156)의 선단부에 웨이퍼(W)의 직경보다도 큰 세정액의 토출 영역을 구비하고 있고, 그 길이 방향이 상기 처리 영역(100)의 폭 방향에 일치하도록, 또한 노즐(152)의 선단부가 반송 부재(120)에 적재된 웨이퍼(W)의 표면으로부터 2 ㎜ 정도 부상한 위치가 되도록 설치되어 있다.
상기 제1 세정 노즐(152)은, 예를 들어 도8에 도시하는 바와 같이 당해 세정 영역(102)의 범위 내에 있어서, 제1 이동 기구(153)에 의해 처리 영역(100)의 길이 방향으로 이동 가능하게 설치되어 있고, 예를 들어 복수회 세정 노즐(152)을 왕복시켜 웨이퍼(W) 표면의 세정을 행할 수 있도록 되어 있다. 또한 상기 제2 세정 노 즐(156)은 세정 영역(102)의 범위 내에 있어서의 임의의 위치에 고정하여 설치하도록 해도 좋고, 세정 영역(102)의 범위 내에 있어서 처리 영역(100)의 길이 방향으로 이동 가능하게 설치하도록 구성해도 좋다.
또한 상기 건조 영역(103)에는, 당해 영역을 반송 부재(120)에 적재된 웨이퍼(W)가 이동할 때에, 당해 웨이퍼(W)의 표면에 대해 당해 표면을 건조시키는 에어 나이프의 역할을 갖는 기체 예를 들어 드라이 에어 또는 질소 가스 등의 불활성 가스를 공급하기 위한 제1 가스 노즐(154)이 설치되어 있는 동시에, 웨이퍼(W)의 이면에 대해 상기 기체를 공급하기 위한 제2 가스 노즐(157)이 설치되어 있다. 상기 가스 노즐(154, 157)은, 그 노즐(154, 157)의 선단부에 웨이퍼(W)의 직경보다도 큰 기체의 공급 영역을 구비하고 있고, 그 길이 방향이 상기 처리 영역(100)의 폭 방향에 일치하도록, 또한 노즐(154)의 선단부가 반송 부재에 적재된 웨이퍼(W)의 표면으로부터 1 ㎜ 정도 부상한 위치가 되도록 설치되어 있다. 상기 제1 가스 노즐(154)은, 예를 들어 도8에 도시한 바와 같이 당해 건조 영역(103)의 범위 내에 있어서, 제2 이동 기구(155)에 의해 처리 영역(100)의 길이 방향으로 이동 가능하게 설치되어 있다. 상기 제2 가스 노즐(157)은, 건조 영역(103)의 범위 내에 있어서의 임의의 위치에 고정하여 설치하도록 해도 좋고, 건조 영역(103)의 범위 내에 있어서 처리 영역(100)의 길이 방향으로 이동 가능하게 설치하도록 구성해도 좋다.
상기 현상 노즐(151), 제1 및 제2 세정 노즐(152, 156), 제1 및 제2 가스 노즐(154, 157)은, 예를 들어 메쉬대(125)의 제2 주회 궤도의 내측에 설치되어 있고, 이들에는 메쉬대(125)의 주회 이동을 저해하지 않도록 각각 유량 조정 밸브(V1 내 지 V3)를 구비한 공급로(161 내지 163)를 통해 현상액 공급부(164), 세정액 공급부(165), 건조 가스 공급부(166)에 접속되어 있다. 상기 유량 조정 밸브(V1 내지 V3)는 제어부(7)에 의해 제어되도록 구성되어 있다.
게다가 또한 상기 현상 영역(101)과 세정 영역(102)의, 반송 부재(120)의 하방측에는, 당해 영역(101, 102)에 공급된 현상액이나 세정액을 회수하기 위한 액 받이부(167)가 설치되어 있고, 이 예에서는 상기 액 받이부(167)는 상기 반송 부재(120)의 제1 주회 궤도의 내측이며, 제2 세정 노즐(156)의 하방측에 위치하도록 설치되어 있다. 그리고 액 받이부(167)에는 상기 반송 부재(120)의 주회 이동을 저해하지 않도록 배액로(168)가 접속되어 있다.
그리고 상기 건조 영역(103)은 웨이퍼(W)의 건조를 촉진시키기 위해 처리 용기(170)로 덮여 있다. 이 처리 용기(170)는 웨이퍼(W)가 건조 영역(103)을 통과할 때에 웨이퍼(W)의 주위를 덮도록 구성되어 있고, 웨이퍼(W)가 반송 부재(120)에 적재된 상태에서 당해 처리 용기(170) 내를 이동할 수 있도록 웨이퍼(W)가 통과하는 영역에 간극(171)이 형성되어 있다. 그리고 상기 처리 용기(170)에는 반송 부재(120)의 주회 이동을 저해하지 않도록 배기로(172)가 접속되고, 이 배기로(172)의 타단부측은 배기 펌프(173)에 접속되어 있어, 당해 처리 용기(170) 내가 음압(陰壓)이 되도록 제어부(7)로부터의 지령을 기초로 하여 압력 조정되도록 구성되어 있다. 이들에 의해 메쉬대(125)도 웨이퍼(W)와 동시에 세정 및 건조가 행해지게 된다.
상기 반입용 전달부(110)는, 예를 들어 반송 부재(120)의 제1 주회 궤도의 내측 영역에 설치된 제1 승강 핀 기구(181)를 구비하고 있다. 이 제1 승강 핀 기구(181)는, 메인 아암(A12)으로부터 반송 부재(120) 상에 웨이퍼(W)를 전달할 때에 이용되는 것이고, 승강 핀(182)은 메인 아암(A12)이 반입용 전달부(110)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 전달 위치로 이동하였을 때에, 그 선단부가 반송 부재(120)를 통해 메인 아암(A12)의 보유 지지 아암(51, 52)의 내측 영역으로부터 보유 지지 아암(51, 52)의 상방측까지 돌출되는 동시에, 웨이퍼(W)가 반송 부재(120) 상에 적재된 후에는, 당해 웨이퍼(W)를 적재하는 반송 부재(120)의 하방측까지 하강하도록 승강 가능하게 설치되어 있다.
또한 상기 반출용 전달부(111)는, 반입용 전달부(110)와 마찬가지로 구성되고, 예를 들어 반송 부재(120)의 제1 주회 궤도의 내측 영역에, 반송 부재(120)로부터 메인 아암(A11)에 웨이퍼(W)를 전달할 때에 이용되는 제2 승강 핀 기구(183)를 구비하고 있다. 이 제2 승강 기구(183)는 제1 승강 기구(181)와 마찬가지로, 승강 가능하게 구성된 승강 핀(184)을 구비하고 있다.
계속해서 이 현상 모듈(DEV)에서 행해지는 현상 처리에 대해, 도12 및 도13을 이용하여 설명한다. 우선 도12의 (a), 도12의 (b)에 도시한 바와 같이, 반송 부재(120)를 전달 위치에 위치한 상태에서 정지시켜, 메인 아암(A12)으로부터 반입용 전달부(110)로 웨이퍼(W1)를 전달한다. 여기서 상기 반송 부재(120)의 전달 위치라 함은, 도면에 도시한 바와 같이 메인 아암(A12)으로부터 2개의 반송 부재(120) 상의 소정 위치에 웨이퍼(W)가 적재되는 위치이며, 2개의 반송 부재(120)끼리의 사이에 반입용 전달부(110)의 승강 핀 기구가 위치하는 위치이다.
그리고 웨이퍼(W1)의 전달은, 예를 들어 웨이퍼(W)를 보유 지지한 메인 아암(A12)을 반입용 전달부(110)의 상방측에 진입시키고, 계속해서 승강 핀 기구(181)의 승강 핀(182)을 반송 부재(120)의 상방측까지 상승시켜 메인 아암(A12)으로부터 웨이퍼(W)를 승강 핀(182)에 의해 수취하고, 계속해서 메인 아암(A12)을 퇴행시킨 후, 승강 핀(182)을 반송 부재(120)의 하방측까지 하강시켜 웨이퍼(W1)를 반송 부재(120) 상에 전달함으로써 행해진다.
이렇게 하여 반송 부재(120) 상에 웨이퍼(W1)를 전달한 후, 모터(M1)와 모터(M2)를 작동시켜, 반송 부재(120) 및 메쉬대(125)를 인터페이스 블록(S3)측으로부터 캐리어 블록(S1)측을 향해 소정의 속도로 각각 이동시킨다. 그리고 처리 영역(100)에서는, 도12의 (c)에 도시한 바와 같이, 우선 현상 영역(101)에 있어서, 웨이퍼(W1)를 이동시킨 상태에서, 현상 노즐(151)로부터 소정의 유량으로 현상액이 메쉬대(125)를 통해 웨이퍼(W1)의 표면에 공급된다. 이때 현상 노즐(151)은 이동하지 않으나, 웨이퍼(W1)측이 이동해 가므로, 웨이퍼(W1)의 전체면에 현상액이 공급되어 현상 처리가 행해진다. 또 도12, 도13에 있어서는 도시의 편의상 메쉬대(125)나, 건조 영역(103)의 처리 용기(170) 등을 생략하여 도시하고 있다.
현상액이 공급된 웨이퍼(W1)는 도13의 (a)에 도시한 바와 같이 계속해서 세정 영역(102)으로 이동한다. 이때, 웨이퍼 표면의 현상액이 웨이퍼(W1)와 메쉬대(125) 사이에 끼인 상태에서 웨이퍼(W1)가 이동해 간다. 여기서 소정의 현상 시간 예를 들어 60초 정도의 현상 시간을 확보하기 위해, 현상 영역(101)의 웨이퍼(W1)의 이동 방향의 길이를 조정해도 좋고, 이동 속도를 제어하거나, 현상액 공 급 후에 일단 웨이퍼(W)의 이동을 정지하도록 해도 좋다.
세정 영역(102)에서는, 소정의 현상 시간 경과 후의 웨이퍼(W1)에 대해, 웨이퍼(W1)를 이동시킨 상태에서 제1 세정 노즐(152)로부터 소정의 유량으로 세정액이 메쉬대(125)를 통해 웨이퍼(W1)의 표면에 공급되고, 이에 의해 웨이퍼(W1)의 표면의 현상액이 씻겨 내어진다. 이 때, 제2 세정 노즐(156)로부터도 세정액이 웨이퍼(W1)의 이면에 공급되고, 이에 의해 웨이퍼(W1)의 이면측에 부착된 현상액도 씻겨 내어진다. 여기서 제1 세정 노즐(152)은 웨이퍼(W1)의 이동 방향을 따라 세정 영역(102) 내를 이동하면서 세정액의 공급을 행한다. 이때, 세정 공정에서는, 웨이퍼(W1) 표면의 현상액이 모두 씻겨 내어지면 좋으나, 확실한 세정을 행하기 위해, 세정 영역(102)의 웨이퍼(W1)의 이동 방향의 길이를 조정해도 좋고, 세정액의 공급 유량을 조정해도 좋고, 이동 속도를 제어하도록 해도 좋다. 여기서 도13 중, W2는 웨이퍼(W1)의 후속의 웨이퍼이고, W3은 웨이퍼(W2)의 후속의 웨이퍼이고, 이와 같이 소정의 타이밍에서 순차 메인 아암(A12)으로부터 반입용 전달부(110)에 대해 웨이퍼(W)의 전달이 행해진다.
계속해서 웨이퍼(W1)는 도13의 (b)에 도시한 바와 같이 건조 영역(103)으로 이동한다. 건조 영역(103)에서는, 세정 처리가 행해진 웨이퍼(W1)에 대해, 음압으로 설정된 처리 용기(170) 내에 있어서, 웨이퍼(W1)를 이동시킨 상태에서, 제1 가스 노즐(154)로부터 건조 가스가 소정의 유량으로 메쉬대(125)를 통해 웨이퍼(W1)의 표면으로 불어내어지고, 이에 의해 웨이퍼(W1)의 표면이 건조된다. 또한 제2 가스 노즐(157)로부터 건조 가스가 웨이퍼(W1)의 이면으로 불어내어지고, 이렇게 하여 웨이퍼(W1)의 이면도 건조된다.
여기서 제1 가스 노즐(154)은 웨이퍼(W1)의 이동 방향을 따라 처리 용기(170) 내를 이동하면서 건조 가스의 불어냄을 행한다. 이때, 건조 공정에서는, 웨이퍼(W1) 표면이 건조되면 좋으나, 확실히 건조시키기 위해, 건조 영역(103)의 웨이퍼(W1)의 이동 방향의 길이를 조정해도 좋고, 처리 용기(170) 내의 압력을 조정해도 좋다. 또한 가스 노즐(154)의 개수를 증가해도 좋고, 건조 가스의 불어냄 유량을 조정해도 좋고, 이동 속도를 제어해도 좋다.
이 후 웨이퍼(W1)는, 도13의 (c)에 도시한 바와 같이 반출용 전달부(111)로 이동하여, 메인 아암(A11)에 전달된다. 이 전달에서는, 우선 반송 부재(120)를 전달 위치에 위치한 상태에서 정지시킨다. 이 반송 부재(120)의 전달 위치라 함은, 도13의 (d)에 도시한 바와 같이 2개의 반송 부재(120)끼리의 사이에 반출용 전달부(111)의 승강 핀 기구(183)가 위치하는 위치이다.
그리고 웨이퍼(W1)의 전달은, 예를 들어 웨이퍼(W1)를 적재한 반송 부재(120)의 하방측으로부터 승강 핀 기구(183)의 승강 핀(184)을 상승시켜, 반송 부재(120)로부터 승강 핀(184)으로 웨이퍼(W)를 전달하고, 계속해서 메인 아암(A11)을 반송 부재(120)와 승강 핀(184) 사이에 진입시킨 후 상승시켜, 승강 핀(184)으로부터 메인 아암(A11)으로 웨이퍼(W)를 전달하고, 이 후 메인 아암(A11)을 퇴행시켜, 승강 핀(184)을 반송 부재(120)의 하방측까지 하강시킴으로써 행한다.
이와 같이 이 현상 모듈(DEV)에서는, 메인 아암(A12)으로부터 반입용 전달부(110)에 소정의 타이밍에서, 순차 현상 처리 전의 웨이퍼(W)가 전달된다. 그리 고 반입용 전달부(110)에 전달된 웨이퍼(W)는, 처리 영역(100)을 상류측으로부터 하류측으로 이동하면서 현상 영역(101)에 있어서 웨이퍼(W) 표면으로의 현상액의 공급, 세정 영역(102)에 있어서 웨이퍼(W) 표면의 현상액의 세정, 건조 영역(103)에 있어서 웨이퍼(W) 표면의 건조가 행해지고, 계속해서 반출용 전달부(111)에 반송된다. 이 반출용 전달부(111)에 있어서는, 현상 처리 후의 웨이퍼(W)가 소정의 타이밍에서 순차 반송되게 되고, 이 현상 처리 후의 웨이퍼(W)는 소정의 타이밍에서 메인 아암(A11)에 전달된다. 한편, 웨이퍼(W)를 메인 아암(A11)에 전달한 후, 반송 부재(120)는 다시 반입용 전달부(110)로 복귀된다.
계속해서 이와 같은 이 레지스트 패턴 형성 장치에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 경로에 대해 설명한다. 웨이퍼(W)의 반송은, 제어부(7)에 의해, 반송 플로우(반송 경로)의 레시피를 기초로 하여, 메인 아암(A11, A12, A2, A3), 트랜스퍼 아암(C), 전달 아암(D), 셔틀 아암(E), 인터페이스 아암(F)을 제어함으로써 행해진다.
우선 외부로부터 캐리어 블록(S1)에 반입된 캐리어(20) 내의 웨이퍼(W)는, 트랜스퍼 아암(C)에 의해 선반 유닛(U1)의 전달 모듈(TRS11)에 전달된다. 그리고 전달 모듈(TRS11)의 웨이퍼(W)는 전달 아암(D)에 의해 전달 모듈(TRS12) 또는 전달 모듈(TRS13)에 반송되고, 여기서 COT1층(B2) 또는 COT2층(B3)의 메인 아암(A2, A3)에 각각 수취된다. COT1층(B2) 또는 COT2층(B3) 내에서는, 웨이퍼(W)는 각각 메인 아암(A2, A3)에 의해 온도 조절 모듈(CPL) → 도포 모듈(COT) → 가열 모듈(LHP) → 주변 노광 장치(WEE)의 경로로 반송되어, 레지스트막이 형성된다.
레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는, COT1층(B2) 또는 COT2층(B3)으로부터 각각 메인 아암(A2, A3)에 의해 전달 모듈(TRS12) 또는 전달 모듈(TRS13)에 전달되고, 여기서부터 전달 아암(D)에 의해 전달 모듈(TRS10)까지 반송된다. 계속해서 웨이퍼(W)는 셔틀 아암(E)에 의해 DEV층(B1) 내를 이동하고, 선반 유닛(U3)의 전달 모듈(TRS20)까지 반송된다. 그리고 웨이퍼(W)는 전달 모듈(TRS20)로부터 인터페이스 아암(F)에 수취되어, 노광 장치(S4)에 반송되고, 소정의 노광 처리가 행해진다.
계속해서 노광 처리 후의 웨이퍼(W)의 반송 경로에 대해 설명하면, 노광 처리 후의 웨이퍼(W)는 인터페이스 아암(F)에 의해 선반 유닛(U3)의 전달 모듈(TRS21)에 반송되고, 여기서부터 DEV층(B1)의 메인 아암(A12)에 의해 DEV층(B1) 내에 수취된다. 계속해서 웨이퍼(W)는 메인 아암(A12)에 의해 가열 모듈(PEB) → 냉각 모듈(COL) → 현상 모듈(DEV)의 반입용 전달부(110)의 경유로 반송되고, 현상 모듈(DEV)에서 이미 서술한 바와 같이 현상 처리가 행해진다.
현상 처리 후의 웨이퍼(W)는, 현상 모듈(DEV)의 반출용 전달부(111)를 통해 메인 아암(A11)에 전달되고, 이 메인 아암(A11)에 의해 가열 모듈(POST) → 온도 조절 모듈(CPL) → 선반 유닛(U1)의 전달 모듈(TRS11)의 경로로 반송된다. 이렇게 하여 모든 처리가 행해진 웨이퍼(W)는, 상기 전달 모듈(TRS11)을 통해 트랜스퍼 아암(C)에 의해 캐리어 블록(S1)에 적재되어 있는 원래의 캐리어(20)로 복귀된다.
이와 같은 레지스트 패턴 형성 장치에서는, DEV층(B1)에 상술한 구성의 현상 모듈(DEV)을 설치하고 있으므로, 처리량의 향상을 도모할 수 있다. 즉 상기 현상 모듈(DEV)에서는, 웨이퍼(W)는 반입용 전달부(110)에 의해 메인 아암(A12)으로부터 소정의 타이밍에서 순차 반입되고, 반입된 웨이퍼(W)는 처리 영역(100)을 하류측으로 이동하면서 현상액의 공급 처리와 세정 처리와 건조 처리가 행해지고, 계속해서 반출용 전달부(111)까지 이동한 후 메인 아암(A11)에 수취된다.
여기서 본 발명의 현상 모듈(DEV)은 처리 영역(100)에 있어서 3매의 웨이퍼(W)를 이동 방향으로 배열할 수 있을 정도의 크기로 설정되고 있으므로, 그 크기는 종래의 현상 모듈을 가로로 3개 배열하는 경우와 동일하다. 이로 인해 종래의 현상 모듈을 가로로 3개 배열하는 경우와 처리량을 비교하면, 어떠한 경우도 현상 처리나 세정 처리, 건조 처리의 시간은 거의 동일하고, 이 중에서는 현상 처리 시간이 율속 시간으로 되어 있으므로, 본 발명의 현상 모듈(DEV)에 있어서 1매의 웨이퍼(W)에 대해 현상 처리가 종료되는 타이밍에서, 순차 웨이퍼(W)를 반입용 전달부(110)로부터 반입하도록 하면, 본 발명의 현상 모듈(DEV)은 종래의 3개의 현상 모듈을 이용하여 처리를 행하는 경우에 비해 처리량이 커진다.
즉 본 발명의 현상 모듈(DEV)은 웨이퍼(W)를 이동시키면서 처리를 행하고 있고, 상기 소정의 타이밍에서 반입용 전달부(110)로부터 순차 웨이퍼(W)를 반입함으로써, 복수의 웨이퍼(W)에 대해 현상 처리를 도중에 끊기는 일 없이 연속해서 행할 수 있기 때문이다. 이에 대해 종래의 3개의 현상 모듈에서는 메인 아암에 의한 처리된 웨이퍼(W)의 반출과, 처리 전의 웨이퍼(W)의 반입이라는 공정이 필요하고, 이들 공정을 실시하는 시간에는 현상 처리를 행할 수 없으므로, 그 만큼 처리량이 저하되어 버린다.
또한 종래의 구성의 현상 모듈에서는, 각각의 현상 모듈에 대해 메인 아암에 의해 웨이퍼(W)의 전달과 수취가 행해지고 있으므로, 3개의 현상 모듈이 배열되어 있을 때에는, 메인 아암의 액세스 포인트는 3군데가 된다. 이에 대해 본 발명에서는 현상 모듈(DEV)은 반입용 전달부(110)와 반출용 전달부(111)를 구비하고 있어, 메인 아암에 의한 액세스 포인트는 2군데가 된다. 이와 같이 메인 아암에 의한 액세스 포인트가 적어지므로, 메인 아암의 부담이 경감되고, 이 점에서도 처리량의 향상을 도모할 수 있다.
게다가 또한 본 발명에서는 2개의 메인 아암(A11, A12)을 준비하여, 현상 모듈(DEV)로의 웨이퍼(W)의 반입과, 현상 모듈(DEV)로부터의 웨이퍼(W)의 반출을 별개의 메인 아암(A11, A12)에서 행하고 있으므로, 또한 메인 아암(A11, A12)의 부담이 경감된다. 즉 메인 아암(A11, A12)은 반송 영역(R1)의 길이 방향(Y 방향)으로는 이동하지 않게 되므로, 이 이동분의 반송 시간이 단축되고, 또한 한쪽의 메인 아암(A12)은 웨이퍼(W)의 반입만, 다른 쪽의 아암(A11)은 웨이퍼(W)의 반출만을 각각 맡고 있으므로, 종래와 같이 처리된 웨이퍼(W)를 반출한 후, 처리 전의 웨이퍼(W)의 반입을 행하는 경우에 비해 메인 아암(A12)의 작업 공정수가 감소되기 때문이다.
여기서 종래의 현상 모듈에 있어서, 2개의 메인 아암을 이용하여 웨이퍼(W)의 전달을 행하였다고 해도, 이미 서술한 바와 같이 종래의 현상 모듈에서는 액세스 포인트가 많고, 또한 처리 완료된 웨이퍼(W)의 반출 후에 처리 전의 웨이퍼(W)의 반입을 행해야만 하므로, 결과적으로 메인 아암의 작업 공정은 본 발명의 메인 아암보다도 많게 되어 버려, 종래의 메인 아암의 부담은 본 발명의 메인 아암보다 도 크다.
게다가 또한 본 발명에서는, DEV층(B1)의 반송 영역(R1)의 길이를 이용하여, 반송 영역(R1)의 길이 방향에 현상 모듈(DEV)의 웨이퍼(W)의 이동 방향을 맞추고 있으므로, 현상 모듈(DEV)의 길이 방향이 길어졌다고 해도 단위 블록(B1)을 확대하지 않고, DEV층(B1) 내에 충분히 배치할 수 있다. 또한 메인 아암(A12)을 인터페이스 블록(S3)측, 메인 아암(A11)을 캐리어 블록(S1)측에 각각 배치하고, 선반 유닛(U2)의 메인 아암(A12)에 의해 액세스되는 영역에 현상 처리 전처리를 행하는 전처리 모듈을 설치하고, 선반 유닛(U2)의 메인 아암(A11)에 의해 액세스되는 영역에 현상 처리의 후처리를 행하는 후처리 모듈을 설치하고 있으므로, 노광 처리 후에 인터페이스 블록(S3)을 통해 DEV층(B1)에 반입된 웨이퍼(W)는, 메인 아암(A12)에 의해 소정의 경로로 반송되고, 계속해서 메인 아암(A11)에 의해 소정의 경로로 반송되게 되고, 웨이퍼(W)가 인터페이스 블록(S3)측으로부터 캐리어 블록(S1)측으로 원활하게 반송된다. 이로 인해 반송 시간이 보다 단축되어, 보다 처리량의 향상을 기대할 수 있다.
또한 현상 모듈(DEV)에서는, 메쉬대(125)를 설치하여, 웨이퍼(W)와 메쉬대(125) 사이에 현상액을 끼운 상태에서 보유하고, 이 상태에서 이동시키고 있다. 이 때, 웨이퍼(W)와 메쉬대(125)는 이미 서술한 바와 같이, 동기하여 동작하고, 이동량이 동일하기 때문에, 웨이퍼(W) 상의 현상액의 유동이 메쉬대(125)에 의해 억제되어, 웨이퍼(W)를 이동시켜도 현상액이 웨이퍼(W) 표면의 일부에 치우치거나, 웨이퍼(W) 표면으로부터 흘러내리는 등의 현상의 발생이 억제되어, 웨이퍼(W)의 면 내에 있어서 균일한 현상 처리를 행할 수 있다.
계속해서 본 발명의 다른 실시 형태에 대해 도14를 이용하여 설명한다. 이 실시 형태가 상술한 실시 형태와 다른 점은, 반송 부재(120)의 타이밍 벨트(191, 191)가 리니어 모터에 의해 제1 주회 궤도를 따라 주회 이동하는 점이다. 이 예에서는, 이미 서술한 회전체(131)의 구동 풀리 대신에 제1 풀리(192), 회전체(132)의 종동 풀리 대신에 제2 풀리(도시 생략)가 설치되고, 이들 제1 풀리(192)와 제2 풀리 사이에 타이밍 벨트(191, 191)가 권취되어 있다. 상기 제1 풀리(192) 및 제2 풀리의 위치나 크기는, 상술한 반송로 부재(130)의 회전체(131, 132)와 각각 동일하다.
상기 타이밍 벨트(191, 191)는, 적어도 그 외표면에 N극과 S극이 교대로 배열되는 전자석을 구비하고 있다. 또한 타이밍 벨트(191, 191)의 주회 궤도의 일부 예를 들어 주회 궤도의 하부의 직선 부위에는, 상기 타이밍 벨트(191, 191)를 이동시키기 위한 구동 전자석(193)이 설치되어 있다. 이 구동 전자석(193)은, 상기 타이밍 벨트(191, 191)의 이동시에는, 당해 타이밍 벨트(191, 191)와 약간의 간극을 사이에 두고 접하도록 설치되어 있다. 상기 구동 전자석(193)은, N극과 S극이 교대로 배열되는 동시에, 자성의 절환이 행해지는 전자석에 의해 구성되고, 제어부(7)에 의해 자성의 절환이 제어되도록 되어 있다.
또한 상기 타이밍 벨트(191, 191)의, 구동 전자석(193)에 대한 면에는 예를 들어 산형의 오목부(194)가 형성되는 한편, 구동 전자석(193)의 타이밍 벨트(191, 191)에 대한 면에는, 상기 타이밍 벨트(191, 191)의 오목부(194)와 알맞게 들어맞 는 형상의 돌기부(195)가 형성되어 있다.
이와 같은 구성에서는, 구동 전자석(193)을 작동시켜, 구동 전자석(193)의 자성을 절환함으로써, 타이밍 벨트(191, 191)가 구동 전자석(193)으로부터 약간 부상한 상태에서, 자석의 흡착과 반발의 작용과, 제1 및 제2 풀리의 회전에 의해, 상기 제1 주회 궤도를 따라 주회 이동하도록 구성되어 있다.
계속해서 본 발명의 또 다른 실시 형태에 대해 도15를 이용하여 설명한다. 이 예의 장치가, 상술한 제1 실시 형태의 장치와 다른 점은, 처리 블록(S2)이 하방측으로부터 DEV1층과 2개의 BCT1층, BCT2층, 2개의 COT1층, COT2층을 적층하여 구성되어 있는 점이다. 여기서 BCT1층, BCT2층은, 레지스트막의 하층측에 형성되는 반사 방지막(이하「제1 반사 방지막」이라 함)의 형성 처리를 행하기 위한 제1 반사 방지막 형성 처리층이며, 도포막 형성용 단위 블록에 상당한다.
이 BCT1층, BCT2층은, 상술한 실시 형태의 COT1층(COT2층)과 대략 마찬가지로 구성되어 있고, BCT1층의 내부에는, 액 처리 모듈로서, 웨이퍼(W)에 대해 제1 반사 방지막을 형성하기 위한 복수개 예를 들어 3개의 제1 반사 방지막 형성 모듈(BCT)이 설치되고, 선반 유닛(U2)은 가열 냉각 모듈(LHP)과, 온도 조절 모듈(CPL)을 구비하고 있다. 또한 선반 유닛(U1)에는 예를 들어 트랜스퍼 아암(C)과의 사이, 및 전달 아암(D)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 전달 모듈(TRS14)이 설치되고, 이들 모듈 사이에서 메인 아암(A4)(도시 생략)에 의해 웨이퍼(W)의 전달이 행해지도록 되어 있다.
또한 BCT2층의 내부에는, 액 처리 모듈로서, 웨이퍼(W)에 대해 제1 반사 방 지막을 형성하기 위한 복수개 예를 들어 3개의 제1 반사 방지막 형성 모듈(BCT)이 설치되고, 선반 유닛(U2)은 가열 냉각 모듈(LHP)과, 온도 조절 모듈(CPL)을 구비하고 있다. 또한 선반 유닛(U1)에는 예를 들어 트랜스퍼 아암(C)과의 사이 및 전달 아암(D)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 전달 모듈(TRS15)이 설치되고, 이들 모듈 사이에서 메인 아암(A5)(도시 생략)에 의해 웨이퍼(W)의 전달이 행해지도록 되어 있다. DEV층, COT1층, COT2층에 대해서는 상술한 제1 실시 형태와 마찬가지이다.
이와 같은 레지스트 패턴 형성 장치에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 경로에 대해, 제1 반사 방지막 상에 레지스트막을 형성하는 경우를 예로서 설명한다. 웨이퍼(W)는, 캐리어 블록(S1)으로부터 트랜스퍼 아암(C)에 의해 선반 유닛(U1)의 전달 모듈(TRS14) 또는 전달 모듈(TRS15)에 전달된다. 전달 모듈(TRS14)의 웨이퍼(W)는 BCT1층의 메인 아암(A4)에 의해 BCT1층 내에 수취되어, 당해 메인 아암(A4)에 의해 온도 조절 유닛(CPL) → 반사 방지막 형성 모듈(BCT) → 가열 냉각 모듈(LHP) → 전달 모듈(TRS14)의 경유로 반송되고, 웨이퍼(W) 표면에 반사 방지막이 형성된다. 또한 전달 모듈(TRS15)의 웨이퍼(W)는 BCT2층의 메인 아암(A5)에 의해 BCT2층 내에 수취되어, BCT2층 내를 메인 아암(A5)에 의해 BCT1층과 같은 경로로 반송된 후, 전달 모듈(TRS15)에 전달된다.
계속해서 전달 모듈(TRS14, TRS15)의 웨이퍼(W)는 전달 아암(D)에 의해 전달 모듈(TRS12) 또는 전달 모듈(TRS13)에 반송된다. 그리고 전달 모듈(TRS12)의 웨이퍼(W)는 COT1층의 메인 아암(A2)에 의해 COT1층 내에 수취되어, 메인 아암(A2)에 의해 이미 서술한 경로로 반송된 후, 전달 모듈(TRS12)에 전달되어, 반사 방지막의 표면에 레지스트가 형성된다. 또한 전달 모듈(TRS13)의 웨이퍼(W)는 COT2층의 메인 아암(A3)에 의해 COT2층 내에 수취되어, COT2층 내를 메인 아암(A3)에 의해 COT1층과 같은 경로로 반송된 후, 전달 모듈(TRS13)에 전달된다.
이 후 전달 모듈(TRS12, TRS13)의 웨이퍼(W)는 전달 아암(D)에 의해 전달 모듈(TRS10)에 반송되고, 셔틀 아암(E)에 의해 전달 모듈(TRS20)에 반송되고, 여기서부터 인터페이스 아암(F)에 의해 노광 장치(S4)에 반송되고, 여기서 소정의 노광 처리가 행해진다. 한편 노광 처리 후의 웨이퍼(W)에 대해서는, 상술한 실시 형태와 마찬가지이다.
이와 같이 처리 블록(S2)에 BCT1층 및 BCT2층을 마련하도록 해도 좋고, 이 경우에 있어서도 DEV층에 있어서의 반송 처리량이 높기 때문에 처리량의 향상을 도모할 수 있다.
계속해서 본 발명의 또 다른 실시 형태에 대해 도16을 이용하여 설명한다. 이 예의 레지스트 패턴 형성 장치가, 상술한 제1 실시 형태의 장치와 다른 점은, 처리 블록(S2)이 제1 처리 블록(S21)과 제2 처리 블록(S22)으로 구성되고, 이들 제1 처리 블록(S21)과 제2 처리 블록(S22) 사이에 전달 블록(S5)이 설치되어 있는 것이다.
상기 제1 처리 블록(S21)은 캐리어 블록(S1)과 인접하여 설치되고, 이 예에서는 2개의 BCT1층, BCT2층을 구비하고 있다. 제1 처리 블록(S21)의 구성은 상기 처리 블록(S2)과 마찬가지로, 캐리어 블록(S1)과 인접하는 영역에는 제1 전달부로 서 선반 유닛(U11)이 설치되어 있고, 이 예에서는 BCT1층에 대응하는 위치에 전달 모듈(TRS14), BCT2층에 대응하는 위치에 전달 모듈(TRS15), 예를 들어 BCT1층의 하방측에 전달 모듈(TRS10)을 구비하여 구성된다. 이들 전달 모듈(TRS10, TRS14, TRS15)에는, 승강 가능한 전달 아암(D1)(도시 생략)에 의해 액세스할 수 있도록 구성되어 있다. 또한 상기 전달 모듈(TRS10)은 트랜스퍼 아암(C)과 셔틀 아암(E1)에 의해 웨이퍼(W)의 전달이 행해지도록 되어 있다. 이 예의 셔틀 아암(E1)은 BCT1층의 하방측에 설치되어 있고, BCT1층, BCT2층은, 2개의 반사 방지막 형성 모듈(BCT)이 설치되어 있다. 전달 모듈(TRS10, TRS14, TRS15), 셔틀 아암(E1), 전달 아암(D1), 반사 방지막 형성 모듈(BCT), 선반 유닛(U2)에 설치된 처리 모듈에 대해서는 상술한 제1 실시 형태와 마찬가지로 구성되어 있다.
또한 제2 처리 블록(S22)에 대해서는, 하방측으로부터 DEV층, 2개의 COT1층, COT2층을 적층하여 구성되고, 상기 COT1층과 COT2층은, 전달 블록(S5)을 통해 각각 BCT1층, BCT2층에 인접하도록 마련되어 있다. 또한 인터페이스 블록(S3)과 인접하는 영역에는 제2 전달부로서 선반 유닛(U21)이 설치되어 있고, 이 예에서는 DEV층에 대응하는 위치에 전달 모듈(TRS20), 전달 모듈(TRS21)을 구비하여 구성되어 있다. 여기서 전달 모듈(TRS20)은 셔틀 아암(E2) 전용의 전달 모듈이며, 전달 모듈(TRS20, TRS21)에 대해서는 인터페이스 아암(F)이 액세스할 수 있도록 구성되어 있다. DEV층에 대해서는, 선반 유닛(U21)과 전달 아암(D2)(도시 생략)의 위치가 인터페이스 블록(S3)에 인접하는 영역에 설치되어 있는 것 이외에 대해서는 상술한 제1 실시 형태와 마찬가지로 구성되어 있다. 또한 COT1층, COT2층에 대해서는, 도 포 모듈(COT)이 2개 설치되어 있는 것과, 선반 유닛(U21)이 인터페이스 블록(S3)에 인접하는 영역에 설치되어 있는 것 이외에 대해서는 상술한 제1 실시 형태와 마찬가지로 구성되어 있다.
또한 전달 블록(S5)에는, 예를 들어 제1 처리 블록(S21)과 제2 처리 블록(S22)의 각 단위 블록에 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 선반 유닛(U4)이 설치되어 있고, 이 선반 유닛(U4)에는 예를 들어 DEV층에 대응하는 위치에 전달 모듈(TRS30), 전달 모듈(TRS31), BCT1층과 COT1층에 대응하는 위치에 전달 모듈(TRS32), BCT2층과 COT2층에 대응하는 위치에 전달 모듈(TRS33)을 구비하여 구성된다. 또한 전달 블록(S5)은 선반 유닛(U4)의 각 전달 모듈에 대해 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한, 승강 가능하게 및 진퇴 가능하게 구성된 도시하지 않은 전달 아암(G)(도시 생략)을 구비하고 있다. 이 선반 유닛(U4)의 각 전달 모듈에 대해서는, 제1 처리 블록(S21) 및 제2 처리 블록(S22)의 대응하는 단위 블록의 메인 아암이 각각 액세스할 수 있도록 구성되어 있다.
이와 같은 레지스트 패턴 형성 장치에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 경로에 대해, 제1 반사 방지막 상에 레지스트막을 형성하는 경우를 예로 하여 설명한다. 웨이퍼(W)는, 캐리어 블록(S1)으로부터 트랜스퍼 아암(C)에 의해 선반 유닛(U11)의 전달 모듈(TRS10)에 전달되고, 여기서 전달 아암(D1)에 의해 전달 모듈(TRS14) 또는 전달 모듈(TRS15)에 전달된다. 전달 모듈(TRS14)의 웨이퍼(W)는 BCT1층의 메인 아암(A4)에 의해 BCT1층 내에 수취되고, 당해 메인 아암(A4)에 의해 이미 서술한 경로로 BCT1층 내의 소정의 모듈로 반송된 후, 전달 모듈(TRS14)에 전달된다. 또 한 전달 모듈(TRS15)의 웨이퍼(W)는 BCT2층의 메인 아암(A5)에 의해 BCT2층 내에 수취되고, BCT2층 내를 메인 아암(A5)에 의해 BCT1층과 같은 경로로 반송된 후, 전달 모듈(TRS15)에 전달된다.
계속해서 전달 모듈(TRS14, TRS15)의 웨이퍼(W)는 전달 아암(D1)에 의해 전달 모듈(TRS10)에 반송되고, 여기서 셔틀 아암(E1)에 의해 전달 블록(S5)의 전달 모듈(TRS30)에 반송된다. 계속해서 전달 모듈(TRS30)의 웨이퍼(W)는 전달 아암(G)에 의해 전달 모듈(TRS32) 또는 전달 모듈(TRS33)에 반송된다. 그리고 전달 모듈(TRS32)의 웨이퍼(W)는 COT1층의 메인 아암(A2)에 의해 COT1층 내에 수취되고, 당해 메인 아암(A2)에 의해 이미 서술한 경로로 반송된 후, 전달 모듈(TRS32)에 전달된다. 또한 전달 모듈(TRS33)의 웨이퍼(W)는 COT2층의 메인 아암(A3)에 의해 COT2층 내에 수취되고, COT2층 내를 메인 아암(A3)에 의해 COT1층과 같은 경로로 반송된 후, 전달 모듈(TRS33)에 전달된다.
이 후 전달 모듈(TRS32, TRS33)의 웨이퍼(W)는 전달 아암(G)에 의해 전달 모듈(TRS30)에 반송되고, 셔틀 아암(E2)에 의해 전달 모듈(TRS20)에 반송되고, 여기서부터 인터페이스 아암(F)에 의해 노광 장치(S4)에 반송되고, 여기서 소정의 노광 처리가 행해진다. 한편 노광 처리 후의 웨이퍼(W)에 대해서는, 인터페이스 아암(F) → 선반 유닛(U21)의 전달 모듈(TRS21) → DEV층의 메인 아암(A1)의 경유로 DEV층에 반송되고, 여기서 상술한 실시 형태와 같은 경로로 반송된다. 계속해서 웨이퍼(W)는 전달 블록(S5)의 전달 모듈(TRS31) → 전달 아암(G) → 전달 모듈(TRS30)의 경로로 반송되고, 계속해서 셔틀 아암(E1)에 의해 선반 유닛(U11)의 전달 모듈(TRS10)에 반송된 후, 트랜스퍼 아암(C)에 의해 캐리어 블록(S1)에 적재되어 있는 원래의 캐리어(20) 내로 복귀된다.
이와 같이 처리 블록(S2)으로서 제1 처리 블록(S21)과, 제2 처리 블록(S22)을 설치하고, 이들 사이에 전달 블록(S5)을 설치하도록 해도 좋고, 이 경우에 있어서도 DEV층에 있어서의 반송 처리량이 높으므로, 처리량의 향상을 도모할 수 있다.
이상에 있어서 DEV층에 조립되는 현상 모듈(DEV)은 상하 3단으로 설치되어 있어도 좋다. 또한 현상 모듈(DEV)의 구성은, 웨이퍼(W)의 반송로를 형성하는 반송로 부재(130)가 주회 궤도를 따라 이동하여, 상기 반송로의 상류단에 반입용 전달부(110)를 설치하는 동시에, 상기 반송로의 하류단에 반출용 전달부(111)를 설치하고, 상기 반송로의 상류단과 하류단 사이에, 상류측으로부터 차례로 현상 노즐(151)과, 세정 노즐(152) 및 가스 노즐(154)을 구비하는 구성이면, 처리 영역(100)의 크기 등은 상술한 예에는 한정되지 않고, 메쉬대(125)나 처리 용기(170)는 반드시 설치할 필요는 없다. 또한 반송 부재(120)나 메쉬대(125)를 각각 주회 궤도를 따라 이동시키기 위한 구동 기구도 상술한 예에 한하지 않는다. 또한 DEV층(B1)에 설치하는 메인 아암은 COT1층(B2)과 마찬가지로, 반송 영역의 길이 방향으로 이동하는 구성의 1개의 메인 아암이라도 좋다.
또한 본 발명에서는, 도포막으로서 레지스트막만을 형성하는 경우나, 레지스트막 상에 반사 방지막을 형성하는 경우에도 적용할 수 있다. 여기서 레지스트막 상에 반사 방지막을 형성하는 경우에는, 이 반사 방지막 형성용 단위 블록을 설치할 필요가 있으나, 이 단위 블록은, 상술한 레지스트막의 하부에 형성되는 반사 방 지막을 형성하기 위한 단위 블록과 마찬가지로 구성되어 있다. 또한 본 발명은, 도포막으로서, 레지스트막과, 레지스트막의 상하에 반사 방지막을 형성하는 경우에도 적용할 수 있고, 이 경우에는 현상 처리용 단위 블록과, 레지스트막 형성용 단위 블록과, 레지스트막의 하방측 반사 방지막 형성용 단위 블록과, 레지스트막의 상방측 반사 방지막 형성용 단위 블록을 서로 적층하여 처리 블록이 구성된다. 또한 본 발명에서는, 처리 블록에 도포막 형성용 단위 블록과 현상 처리용 단위 블록이 포함되어 있으면, 각각의 적층 순서는 자유자재로 설정할 수 있다. 게다가 또한 선반 유닛(U1, U2, U3, U4, U11, U21)에 설치되는 처리 모듈로서는, 상술한 예와는 별도의 다른 모듈을 설치하도록 해도 좋다. 또한 선반 유닛(U1, U11, U3, U4, U21)에 설치되는 전달부로서는, 전달 모듈의 수를 많게 하도록 해도 좋고, 온도 조절 기구를 전달부를 겸용하는 타입의 구성의 모듈을 설치하도록 해도 좋다. 또한 선반 유닛(U1, U2, U3, U4, U11, U21)에는, 소수화 처리를 행하는 모듈을 설치하도록 해도 좋고, 도포막의 막 두께의 검사나 웨이퍼(W)의 휨량의 검사를 행하는 검사 유닛을 설치하도록 해도 좋다.
게다가 또한 본 발명은 반도체 웨이퍼뿐만 아니라 액정 디스플레이용 글래스 기판(LCD 기판) 등의 기판을 처리하는 도포, 현상 장치에도 적용할 수 있다.
도1은 본 발명에 관한 도포, 현상 장치의 실시 형태를 나타내는 평면도.
도2는 상기 도포, 현상 장치를 도시하는 사시도.
도3은 상기 도포, 현상 장치를 도시하는 측부 단면도.
도4는 상기 도포, 현상 장치에 있어서의 COT1층의 단위 블록을 도시하는 평면도.
도5는 상기 COT1층의 단위 블록을 도시하는 사시도.
도6은 상기 도포, 현상 장치에 있어서의 DEV층의 단위 블록을 도시하는 사시도.
도7은 상기 도포, 현상 장치에 설치되는 현상 모듈을 도시하는 사시도.
도8은 상기 현상 모듈을 도시하는 평면도.
도9는 상기 현상 모듈을 도시하는 단면도.
도10은 상기 현상 모듈에 설치되는 반송 부재를 도시하는 사시도.
도11은 상기 현상 모듈에 설치되는 반송 부재와 웨이퍼(W)와 메쉬대를 나타내는 전방면도.
도12는 상기 현상 모듈의 작용을 설명하기 위한 공정도.
도13은 상기 현상 모듈의 작용을 설명하기 위한 공정도.
도14는 상기 현상 모듈의 다른 예를 나타내는 단면도와 사시도.
도15는 상기 도포, 현상 장치의 또 다른 실시 형태를 나타내는 측면도.
도16은 상기 도포, 현상 장치의 또 다른 실시 형태를 나타내는 측면도.
도17은 종래의 도포, 현상 장치를 도시하는 측면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
W : 반도체 웨이퍼
20 : 캐리어
S1 : 캐리어 블록
S2 : 처리 블록
S3 : 인터페이스 블록
S4 : 노광 장치
A11 내지 A3 : 메인 아암
C : 트랜스퍼 아암
D : 전달 아암
E : 셔틀 아암
F : 인터페이스 아암
7 : 제어부
DEV : 현상 모듈
100 : 처리 영역
110 : 반입용 전달부
111 : 반출용 전달부
120 : 반송 부재
125 : 메쉬대
130 : 반송로 부재
131, 132 : 회전체
151 : 현상 노즐
152 : 세정 노즐
154 : 가스 노즐

Claims (11)

  1. 캐리어 블록에 캐리어에 의해 반입된 기판에 대해, 이 캐리어 블록의 후단측에 설치된 도포막 형성용 단위 블록에서 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성한 후, 이 도포막 형성용 단위 블록의 후단측에 설치된 인터페이스 블록을 통해 노광 장치에 반송하고, 상기 인터페이스 블록을 통해 복귀되어 온 노광 후의 기판을, 상기 도포막 형성용 단위 블록에 적층되는 동시에, 상기 인터페이스 블록으로부터 캐리어 블록을 향하는 기판의 반송로를 구비한 현상 처리용 단위 블록에서 현상 처리하여 상기 캐리어 블록에 전달하는 도포, 현상 장치에 있어서,
    상기 현상 처리용 단위 블록에는, 기판에 대해 현상 처리를 행하는 현상 모듈과, 이 현상 모듈에 대해 기판의 전달을 행하기 위한 기판 반송 수단이 마련되고,
    상기 현상 모듈은,
    수평축 주위로 회전하고, 회전축이 서로 평행하게 되도록 전후에 배치된 한 쌍의 제1 회전체와,
    이들 제1 회전체 사이에 걸쳐져 제1 주회 궤도를 따라 이동하고, 그 위에 적재된 기판의 반송로를 형성하는 반송로 부재와,
    상기 반송로의 상류단에 설치되고, 상기 기판 반송 수단과 반송로 부재 사이에서 기판의 전달을 행하기 위한 반입용 전달부와,
    상기 반송로의 하류단에 설치되고 상기 기판 반송 수단과 반송로 부재 사이에서 기판의 전달을 행하기 위한 반출용 전달부와,
    상기 반송로의 상류단과 하류단 사이에, 당해 반송로를 따라서 상류측으로부터 차례로 할당된 현상 영역, 세정 영역, 및 건조 영역과,
    상기 현상 영역, 세정 영역, 및 건조 영역에 각각 설치된, 기판에 현상액을 공급하기 위한 현상액 노즐, 기판에 세정액을 공급하기 위한 세정액 노즐, 및 기판에 기체를 공급하여 기판을 건조하기 위한 가스 노즐과,
    수평축 주위로 회전하고, 회전축이 서로 평행하게 되도록 전후에 배치된 한 쌍의 제2 회전체와,
    이들 제2 회전체 사이에 걸쳐져 제2 주회 궤도를 따라 이동하는, 무단 벨트 형상의 메쉬체를 구비하고,
    상기 반송로 부재는, 상기 회전축과 평행하게 신장되고, 그 위에 기판이 적재되는 복수의 막대 형상의 반송 부재와, 이 반송 부재의 양 단부에 접속되고, 상기 제1 주회 궤도를 따라 이동하는 한 쌍의 타이밍 벨트를 구비하고,
    상기 메쉬체는, 상기 현상 영역, 세정 영역, 및 건조 영역에 걸쳐서, 상기 반송로 상의 기판의 이동 영역과, 상기 현상 노즐, 세정액 노즐, 및 가스 노즐의 사이를 기판의 이동과 동기하여 이동하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 타이밍 벨트를 상기 제1 주회 궤도를 따라 이동시키기 위해, 상기 한 쌍의 회전체 중 적어도 한쪽을 회전 구동시키기 위한 모터를 구비하는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 반송로 부재의 타이밍 벨트는, 적어도 그 외표면에 N극과 S극이 교대로 배열되는 전자석이 설치되고,
    상기 타이밍 벨트를 상기 제1 주회 궤도를 따라 이동시키기 위한, N극과 S극이 교대로 배열되는 동시에 자성의 절환이 행해지는 구동 전자석을 구비하는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 반송 수단은, 상기 반입용 전달부에 기판을 전달하기 위한 반입용 기판 반송 수단과, 상기 반출용 전달부로부터 기판을 수취하기 위한 반출용 기판 반송 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 현상 모듈은, 상기 반송로 부재에 의해 형성되는 기판의 반송로가 현상 처리용 단위 블록의 기판의 반송로를 따르도록, 또한 상기 반입용 전달부가 인터페이스 블록측, 상기 반출용 전달부가 캐리어 블록측에 각각 위치하도록 설치되는 동시에,
    상기 현상 처리용 단위 블록은, 현상 처리를 행하기 전의 기판에 대해 처리를 행하는 복수개의 전처리 모듈과, 현상 처리를 행한 후의 기판에 대해 처리를 행하는 복수개의 후처리 모듈을 구비한 선반 유닛을 구비하고, 이 선반 유닛은, 현상 처리용 단위 블록의 기판의 반송로를 통해 상기 현상 모듈과 대향하도록 설치되는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 현상 처리용 단위 블록의 반송로에 있어서, 인터페이스 블록측에 상기 반입용 기판 반송 수단을 마련하는 동시에, 캐리어 블록측에 상기 반출용 기판 반송 수단을 마련하고, 선반 유닛의 전처리 모듈에 대해서는 상기 반입용 기판 반송 수단에 의해 기판의 전달을 행하고, 선반 유닛의 후처리 모듈에 대해서는 상기 반출용 기판 반송 수단에 의해 기판의 전달을 행하는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
  7. 캐리어 블록에 캐리어에 의해 반입된 기판에 대해, 이 캐리어 블록의 후단측에 설치된 도포막 형성용 단위 블록에서 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성한 후, 이 도포막 형성용 단위 블록의 후단측에 설치된 인터페이스 블록을 통해 노광 장치에 반송하고, 상기 인터페이스 블록을 통해 복귀되어 온 노광 후의 기판을, 상기 도포막 형성용 단위 블록에 적층되는 동시에, 상기 인터페이스 블록으로부터 캐리어 블록을 향하는 기판의 반송로를 구비한 현상 처리용 단위 블록에서 현상 처리하여 상기 캐리어 블록에 전달하는 도포, 현상 방법에 있어서,
    상기 현상 처리용 단위 블록에는, 제1항에 기재된 현상 모듈과, 이 현상 모듈에 대해 기판의 전달을 행하기 위한 기판 반송 수단이 설치되고,
    상기 반송로의 상류단에 설치된 반입용 전달부에 있어서, 상기 기판 반송 수단으로부터 상기 반송로 부재에 기판을 전달하는 공정과,
    계속해서 상기 반송로 부재를 하류측으로 이동시키고, 상기 기판을 이동시키면서 또한 현상 노즐과 기판 사이에서 당해 기판의 이동과 동기하여 메쉬체를 이동시키면서, 현상 노즐로부터 기판에 대해 현상액을 공급하는 공정과,
    계속해서 상기 반송로 부재에 의해 기판을 하류측으로 이동시키고, 상기 기판을 이동시키면서 또한 세정액 노즐과 기판 사이에서 당해 기판의 이동과 동기하여 메쉬체를 이동시키면서, 이 기판에 대해 세정액을 공급하는 공정과,
    계속해서 상기 반송로 부재에 의해 기판을 하류측으로 이동시키고, 상기 기판을 이동시키면서 또한 가스 노즐과 기판 사이에서 당해 기판의 이동과 동기하여 메쉬체를 이동시키면서 이 기판에 대해 건조 가스를 불어내는 공정과,
    계속해서 상기 반송로 부재에 의해 기판을 반송로의 하류단에 설치된 반출용 전달부로 이동시키고, 상기 반송로 부재로부터 상기 기판 반송 수단에 기판을 전달하는 공정과,
    계속해서 기판이 적재되어 있지 않은 반송로 부재를, 상기 반출용 전달부로부터 반입용 전달부로 복귀되도록 주회 궤도를 따라 이동시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 기판 반송 수단은, 반입용 기판 반송 수단과 반출용 기판 반송 수단을 구비하고, 상기 반입용 전달부에 있어서는, 상기 반입용 기판 반송 수단으로부터 상기 반송로 부재에 대해 기판의 전달을 행하고, 상기 반출용 전달부에 있어서는, 상기 반송로 부재로부터 상기 반출용 기판 반송 수단에 대해 기판의 전달을 행하는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 방법.
  9. 캐리어 블록으로부터 수취한 기판에 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성하는 동시에, 노광 후의 기판에 대해 현상 처리를 행하는 도포, 현상 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램을 저장한 기억 매체이며,
    상기 프로그램은, 제7항 또는 제8항에 기재된 도포, 현상 방법을 실행하도록 스텝군이 짜여져 있는 것을 특징으로 하는 기억 매체.
  10. 삭제
  11. 삭제
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